JP2001232555A - Flattening method - Google Patents

Flattening method

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JP2001232555A
JP2001232555A JP2000045969A JP2000045969A JP2001232555A JP 2001232555 A JP2001232555 A JP 2001232555A JP 2000045969 A JP2000045969 A JP 2000045969A JP 2000045969 A JP2000045969 A JP 2000045969A JP 2001232555 A JP2001232555 A JP 2001232555A
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work
material layer
flattening
groove
metal film
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JP2000045969A
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Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Takahashi
正行 高橋
憲一 ▲高▼畑
Kenichi Takahata
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for efficiently flattening a workpiece formed so as to allow a metallic film to be buried in only a groove on a surface of a substrate by a lift-off method and providing a metallic film formed face as a face to be machined. SOLUTION: A surface of a hard material layer accumulated on a soft material layer is used as a lap face, and mechanical lapping polishing a face to be machined of the workpiece is done on the lap face. Furthermore, buff polishing and MCP or CMP are done to flatten the face to be machined of the workpiece.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ワークを平坦化す
る方法に関し、特に、リフトオフ法により金属膜がワー
ク表面に形成された溝内にのみ埋め込まれているワーク
の金属膜形成面を平坦化する方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for flattening a work, and more particularly to a method for flattening a metal film forming surface of a work in which a metal film is buried only in a groove formed on the work surface by a lift-off method. On how to do it.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、被加工物の被加工面を研磨により
平坦化する加工方法は、多種多様な分野において適用さ
れている。そして、平坦化の加工精度を向上させるべく
様々な平坦化方法および平坦化装置が提案されている。
2. Description of the Related Art In recent years, processing methods for flattening a processing surface of a processing object by polishing have been applied in various fields. Various flattening methods and flattening apparatuses have been proposed to improve the processing accuracy of flattening.

【0003】ワークの平坦化は、使用する砥粒の種類や
研磨のメカニズムが異なる種々の方法にて実施すること
ができる。平坦化方法の一例としてメカニカルラッピン
グがある。メカニカルラッピングとは、ワークの被加工
面とラップ面との間に、砥粒を含むスラリー状のラップ
剤を供給し、砥粒をラップ盤に半固定させた状態で行わ
れる機械的な研磨方法である。一般に、ラップ盤として
鋳鉄盤等が使用され、ラップ剤として、ダイヤモンド砥
粒、アルミナ砥粒、SiCおよびジルコニア等から選択
される1種または複数種の砥粒を、軽油、オリーブ油、
種油、ラッピング専用液等のオイルまたは水と混合した
ものが用いられる。メカニカルラッピング以外の平坦化
方法としては、バフ研磨、ワークと砥粒との固相反応を
利用して行うメカノケミカルポリッシング、およびワー
クとスラリー中の溶液(例えばアルカリ溶液)との化学
反応を利用して行うケミカルメカニカルポリッシング
(CMP)がよく知られている。ワークの平坦化は、ワ
ークの種類、特に被加工面の形状および材料に応じて、
上記の平坦化方法から適当なものを1または2以上選択
して実施される。
[0003] Work flattening can be carried out by various methods which differ in the type of abrasive grains used and the polishing mechanism. One example of the planarization method is mechanical wrapping. Mechanical lapping is a mechanical polishing method performed in a state where a slurry-like lapping agent containing abrasive grains is supplied between a work surface and a lap surface of a work and the abrasive grains are semi-fixed to a lapping machine. It is. Generally, a cast iron board or the like is used as a lapping machine, and one or more kinds of abrasive grains selected from diamond abrasive grains, alumina abrasive grains, SiC, zirconia, etc. are used as a lapping agent, in light oil, olive oil,
A mixture of oil or water, such as a seed oil or a wrapping-only liquid, is used. Planarization methods other than mechanical lapping include buffing, mechanochemical polishing using a solid-phase reaction between a workpiece and abrasive grains, and a chemical reaction between a workpiece and a solution in a slurry (eg, an alkaline solution). Chemical mechanical polishing (CMP) is well known. Work flattening depends on the type of work, especially the shape and material of the work surface,
One or more suitable methods are selected from the above-described planarization methods.

【0004】さて、平坦化が必要なワークとして、基板
の表面に形成された溝内にのみリフトオフ法で金属膜を
埋め込むように形成したワークであって、金属膜形成面
を被加工面とするものがある。そのようなワークが平坦
化されるべき理由をリフトオフ法の概要と併せて以下に
説明する。
Now, as a work requiring flattening, a work is formed in which a metal film is buried by a lift-off method only in a groove formed on the surface of a substrate, and the surface on which the metal film is formed is used as a work surface. There is something. The reason why such a work should be flattened will be described below together with the outline of the lift-off method.

【0005】図6(a)〜(f)はリフトオフ法の手順
を示す模式図である。まず、用意した基板(10)(図6
の(a))にレジスト(14)を塗布し(図6の
(b))、レジスト(14)を露光・現像して所定パター
ンのレジストパターンを形成する(図6の(c))。レ
ジストパターンは、基板(10)に形成する溝のパターン
に応じて決定される。次にドライエッチングを実施し
て、露出している基板部分に溝(16)を形成し(図6の
(d))、溝形成後、金属をスパッタリングによりレジ
スト(14)表面および溝(16)内に堆積させて表面全体
に金属膜(12)を形成する(図6の(e))。金属膜
(12)は、溝(16)内に埋め込まれた金属膜(12)の表
面が基板(10)の表面とほぼ面一となるように堆積させ
る。金属膜(12)を形成した後、適当な溶剤に基板(1
0)を浸漬する等して、レジスト(14)およびその上の
金属膜(12)を除去し、溝内にのみ金属膜(12)が残る
ようにする(図6の(f))。
FIGS. 6A to 6F are schematic views showing the procedure of the lift-off method. First, the prepared substrate (10) (Fig. 6
(A)) is coated with a resist (FIG. 6 (b)), and the resist (14) is exposed and developed to form a predetermined resist pattern (FIG. 6 (c)). The resist pattern is determined according to the pattern of the groove formed on the substrate (10). Next, dry etching is performed to form a groove (16) in the exposed substrate portion (FIG. 6D), and after forming the groove, the metal is sputtered onto the surface of the resist (14) and the groove (16). And a metal film (12) is formed on the entire surface (FIG. 6E). The metal film (12) is deposited such that the surface of the metal film (12) embedded in the groove (16) is substantially flush with the surface of the substrate (10). After forming the metal film (12), the substrate (1
The resist (14) and the metal film (12) thereon are removed by immersing 0) or the like so that the metal film (12) remains only in the groove (FIG. 6 (f)).

【0006】図6の(e)に示すように、金属膜(12)
をスパッタリングで形成する際に、金属はレジスト(1
4)の側面にも付着し堆積する。この部分はレジスト(1
4)とともに除去され得ず、図6の(f)に示すよう
に、基板(10)の表面から突出したバリ(18)を形成
し、表面の平坦性を著しく低下させる。また、スパッタ
リングによって金属を堆積させた場合、溝内の金属膜
(12)には厚さムラが生じやすく、金属膜(12)表面と
基板(10)表面とが同一平面上にない部分が生じ、いわ
ゆるリセス(または凹部)が形成される場合がある。こ
のリセスもまた、表面の平坦性を低下させるものであ
る。このように、リフトオフ法だけでは金属膜(12)を
含む基板(10)表面を高精度の平面とすることは難し
い。従って、リフトオフ法により金属膜(12)を形成し
た基板(10)においてより高い平坦性を得ようとする場
合には、研磨による平坦化処理が必要となる。
As shown in FIG. 6E, the metal film (12)
When forming by sputtering, the metal is resist (1
It adheres and deposits on the side of 4). This part is resist (1
As shown in FIG. 6F, burrs (18) protruding from the surface of the substrate (10) are formed, and the flatness of the surface is remarkably reduced. Also, when metal is deposited by sputtering, the metal film (12) in the groove tends to have uneven thickness, and there is a portion where the surface of the metal film (12) and the surface of the substrate (10) are not on the same plane. In other words, a so-called recess (or recess) may be formed. This recess also reduces the flatness of the surface. As described above, it is difficult to make the surface of the substrate (10) including the metal film (12) a flat surface with high precision only by the lift-off method. Therefore, in order to obtain higher flatness on the substrate (10) on which the metal film (12) is formed by the lift-off method, a flattening process by polishing is required.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる実情に
鑑みてなされたものであり、例えば、基板表面の溝内に
リフトオフ法により金属膜が堆積されて成るワークにお
いて、その金属膜形成面を平坦化するのに特に適した平
坦化方法を提供することを課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances. For example, in a work in which a metal film is deposited in a groove on a substrate surface by a lift-off method, the surface on which the metal film is formed is formed. It is an object to provide a flattening method particularly suitable for flattening.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、ワークをメカニカルラッピングにより平
坦化する方法において、軟質材料層に積層された硬質材
料層の表面をラップ面とし、当該ラップ面にて、ワーク
の被加工面を研磨することを特徴とする平坦化方法を第
1の要旨として提供する。
According to the present invention, there is provided a method for flattening a workpiece by mechanical lapping, wherein a surface of a hard material layer laminated on a soft material layer is used as a lap surface. A first object of the present invention is to provide a flattening method characterized in that a work surface of a work is polished on a surface.

【0009】メカニカルラッピングは比較的大きな凹凸
を研磨するのに適しているので、メカニカルラッピング
によれば、リフトオフ法により金属膜を形成したワーク
に残存するバリを効率良く除去でき、また、溝内にある
金属膜の厚さムラをある程度まで小さくできる。
Since mechanical lapping is suitable for polishing relatively large unevenness, mechanical lapping can efficiently remove burrs remaining on a work on which a metal film is formed by a lift-off method. The thickness unevenness of a certain metal film can be reduced to some extent.

【0010】上記の平坦化方法は、軟質材料層に積層さ
れた硬質材料層の表面をラップ面としてメカニカルラッ
ピングを実施する点に特徴を有する。本明細書におい
て、軟質材料層および硬質材料層と言う場合の「軟質」
および「硬質」という用語は、絶対的な意味においてで
なく、相対的な意味において使用される。したがって、
2つの層の組み合わせにおいて一方の層が他方よりも軟
質であれば、その組み合わせは軟質材料層と硬質材料層
との組み合わせであるといえる。また、ある材料が「軟
質」であるか否かは、当該材料がそれと接触している対
象物の表面形状に沿いやすいか否かによって決定され
る。したがって、軟質材料層は、それと接触している対
象物の表面形状に沿いやすく、硬質材料層は、それと接
触している対象物の表面形状に沿いにくいものである。
軟質性(硬質性)の示度としては、例えばヤング率があ
る。
The above flattening method is characterized in that mechanical lapping is performed using the surface of the hard material layer laminated on the soft material layer as a wrap surface. In the present specification, "soft" when referring to a soft material layer and a hard material layer
The terms "hard" and "hard" are used in a relative, not absolute, sense. Therefore,
If one layer is softer than the other in a combination of two layers, it can be said that the combination is a combination of a soft material layer and a hard material layer. Whether or not a material is “soft” is determined by whether or not the material easily conforms to the surface shape of an object in contact with the material. Therefore, the soft material layer tends to follow the surface shape of the object in contact with it, and the hard material layer does not easily follow the surface shape of the object in contact with it.
The indication of softness (hardness) includes, for example, Young's modulus.

【0011】上記の特徴は、ワークの被加工面に周期が
数cm、振幅が数μmの「うねり」または「反り」が生じ
ている場合に、うねりまたは反りに起因する起伏はその
ままにして、被加工面の表面に存在する微細な凹凸部だ
けを研磨により平坦化することを可能にする。即ち、軟
質材料層は、ワーク全体に存在する大きなうねりまたは
反りにラップ面が追随することを確保し、硬質材料層は
対象物の表面形状に実質的に追随せず、それにより被加
工面の表面に存在する微細な凹凸の凸部から先に研磨さ
れて、被加工面が平坦化されることを確保する。
[0011] The above feature is that, when "waving" or "warping" having a period of several centimeters and an amplitude of several micrometers on the surface to be processed of the work, the undulation caused by the undulation or warpage is maintained as it is. It is possible to flatten only the fine irregularities existing on the surface of the surface to be processed by polishing. That is, the soft material layer ensures that the lap surface follows large undulations or warpages present in the entire work, and the hard material layer does not substantially follow the surface shape of the object, thereby forming The protrusions of the fine unevenness existing on the surface are polished first to ensure that the surface to be processed is flattened.

【0012】うねりや反りは、線膨張係数等が異なる異
種材料を組み合わせたワークにおいて生じやすい。リフ
トオフ法により金属膜が溝内にのみ形成された基板も異
種材料を組み合わせたワークであるといえ、うねりや反
りが生じやすいものである。また、製造プロセス中に外
力が加えられて内部ひずみが生じた場合に、薄い基板状
にすることによりその応力が開放されたときにもうねり
や反りが生じやすく、そのようにしてうねりが生じたワ
ークについても、上記第1の要旨のメカニカルラッピン
グによる平坦化方法を適用することができる。
[0012] The undulation and warpage are likely to occur in a work in which different materials having different linear expansion coefficients and the like are combined. A substrate in which a metal film is formed only in a groove by a lift-off method can be said to be a work in which different materials are combined, and undulation and warpage are likely to occur. In addition, when external force was applied during the manufacturing process and internal strain was generated, swelling and warping were likely to occur when the stress was released by forming a thin substrate, and undulation was generated in that way The flattening method by the mechanical lapping of the first aspect can be applied to the work.

【0013】軟質材料層は、例えば、ヤング率の小さい
ゴムやスポンジから成ることが好ましい。硬質材料層
は、軟質材料層よりも硬く、ワークよりも硬くない材料
から成ることが好ましく、具体的には硬質のポリウレタ
ン発泡体から成ることが好ましい。
The soft material layer is preferably made of, for example, rubber or sponge having a small Young's modulus. The hard material layer is preferably made of a material that is harder than the soft material layer and is not harder than the work, and specifically, is preferably made of a hard polyurethane foam.

【0014】リフトオフ法により基板表面の溝内にのみ
金属膜を形成したワークは、砥粒の寸法を変化させて複
数回、メカニカルラッピングに付すことが好ましい。砥
粒の寸法を変化させることにより、ワークの被加工面を
より高精度の平面とすることができる。メカニカルラッ
ピングは、寸法の大きな砥粒を用いて開始し、順次、砥
粒の寸法を小さくして実施することが好ましい。
It is preferable that the work in which the metal film is formed only in the groove on the substrate surface by the lift-off method be subjected to mechanical lapping a plurality of times by changing the size of the abrasive grains. By changing the dimensions of the abrasive grains, the surface to be processed of the work can be made a plane with higher precision. It is preferable that the mechanical lapping is started by using abrasive grains having a large size, and then sequentially performed by reducing the size of the abrasive grains.

【0015】本発明は、ワークを平坦化する方法であっ
て、ワークが、その表面に溝を有し、リフトオフ法によ
り金属膜が当該溝内にのみ埋め込まれるように形成され
たものであって、金属膜の形成面を被加工面とするもの
であり、当該ワークを第1工程として、軟質材料層に積
層された硬質材料層の表面をラップ面とし、当該ラップ
面にて、ワークの被加工面を研磨するメカニカルラッピ
ングを実施し、第2工程として、バフ研磨を実施し、第
3工程として、メカノケミカルポリッシングおよび/ま
たはケミカルメカニカルポリッシングを実施することに
より平坦化する平坦化方法を第2の要旨として提供す
る。
According to the present invention, there is provided a method of flattening a work, wherein the work has a groove on a surface thereof, and a metal film is formed by a lift-off method so as to be embedded only in the groove. , The surface of the hard material layer laminated on the soft material layer as a wrap surface, and the work surface is formed on the lap surface. A planarization method for performing planarization by performing mechanical lapping for polishing a processed surface, performing buff polishing as a second step, and performing mechanochemical polishing and / or chemical mechanical polishing as a third step is a second step. Provided as a summary of.

【0016】この平坦化方法は、バフ研磨ならびにメカ
ノケミカルポリッシング(MCPと略す場合がある)お
よび/またはケミカルメカニカルポリッシング(CMP
と略す場合がある)をメカニカルラッピングと組み合わ
せたことを特徴とする。この平坦化方法によれば、メカ
ニカルラッピングにより生じたスクラッチを、後の工程
において除去することが可能であり、更に高度な平坦性
をワークの被加工面に付与する。
This planarization method includes buffing and mechanochemical polishing (sometimes abbreviated as MCP) and / or chemical mechanical polishing (CMP).
) May be combined with mechanical wrapping. According to this flattening method, scratches generated by mechanical lapping can be removed in a later step, and a higher degree of flatness is imparted to the work surface of the work.

【0017】第1工程として実施されるメカニカルラッ
ピングは、リフトオフ法により生じた金属膜のバリを除
去するとともに、溝内でリセスを形成している金属膜の
厚さムラを小さくするために実施される。メカニカルラ
ッピングは、先に第1の要旨に係る平坦化方法と同様に
して実施され、砥粒の寸法を変えて複数回実施してよ
い。
The mechanical lapping performed as the first step is performed to remove burrs of the metal film generated by the lift-off method and to reduce thickness unevenness of the metal film forming the recess in the groove. You. The mechanical lapping is performed in the same manner as in the planarization method according to the first aspect, and may be performed a plurality of times while changing the size of the abrasive grains.

【0018】第2工程として実施されるバフ研磨は、メ
カニカルラッピングにより基板表面(金属膜表面を含
む)に形成されたスクラッチを除去するために実施され
る。バフ研磨は常套の方法によって実施でき、基板表面
および金属膜の種類等に応じて、適当なバフおよび砥粒
を用いて実施できる。
The buff polishing performed as the second step is performed to remove scratches formed on the substrate surface (including the metal film surface) by mechanical lapping. The buff polishing can be performed by a conventional method, and can be performed using appropriate buffs and abrasive grains according to the type of the substrate surface and the metal film.

【0019】バフ研磨を実施する際に用いられるバフ
は、毛足が長く軟らかいシート(例えば、スウェードタ
イプの発泡ポリウレタン)であるため、バフ研磨を実施
すると金属膜において研磨がより進行し、金属膜の表面
と基板表面との間に段差が形成されて被加工面にリセス
が生じやすくなる。そこで、第3の工程として実施され
るMCPおよび/またはCMPがバフ研磨により生じた
リセスをなくすために実施される。MCPおよび/また
はCMPを実施すると、突出している基板表面が優先的
に研磨され、さらに金属膜表面が研磨されて、最終的に
得られる被加工面は高精度な平面を形成する。
The buff used for buffing is a soft sheet having long bristle feet (for example, a suede-type foamed polyurethane). Therefore, when buffing is performed, the polishing of the metal film proceeds more, and the buffing proceeds. A step is formed between the surface of the substrate and the surface of the substrate, and a recess easily occurs on the surface to be processed. Therefore, MCP and / or CMP performed as a third step is performed to eliminate a recess caused by buffing. When the MCP and / or CMP is performed, the protruding substrate surface is polished preferentially, and the metal film surface is further polished, so that the finally-processed surface forms a highly accurate plane.

【0020】さらに、本発明は、上記第2の要旨に係る
平坦化方法において、第1工程として、メカニカルラッ
ピングを実施する代わりに、逃げ面側に逃げ角が0°で
ある部分をその切削方向の長さがワークに形成されてい
る溝の溝幅よりも大きくなるように設けて成る単結晶ダ
イヤモンドバイトを用い、ワークに形成されている溝の
幅方向を横切るようにバイトをワークに対して相対的に
移動させることにより切削を実施する平坦化方法を第3
の要旨として提供する。この平坦化方法は、第1の工程
として、メカニカルラッピングではなく、特定のバイト
を用いた切削を実施する点に特徴を有する。
Further, according to the present invention, in the flattening method according to the second aspect, as a first step, instead of carrying out mechanical lapping, a portion having a clearance angle of 0 ° on a clearance surface side is cut in the cutting direction. Using a single crystal diamond tool that is provided so that the length of the groove is larger than the width of the groove formed in the work, the tool is moved to the work so as to cross the width direction of the groove formed in the work. The flattening method of performing cutting by relatively moving is the third method.
Provided as a summary of. This flattening method is characterized in that as a first step, cutting using a specific cutting tool is performed instead of mechanical lapping.

【0021】上記の平坦化方法においては、逃げ面側に
逃げ角が0°である部分が設けられ、かつ当該部分の切
削方向の長さがワークに形成されている溝の溝幅よりも
大きい寸法を有している単結晶ダイヤモンドバイトを使
用する。このバイトには逃げ角が0°である部分が存在
するので、バイトの刃先の逃げ面側は常にワークと接触
し、それにより刃先がワークで支持されて、その位置が
変化しないから、当該バイトを用いれば安定した切削を
実施できる。
In the above-mentioned flattening method, a portion having a clearance angle of 0 ° is provided on the flank side, and the length of the portion in the cutting direction is larger than the groove width of the groove formed in the work. Use a single crystal diamond tool with dimensions. Since there is a part where the clearance angle is 0 ° in this cutting tool, the flank side of the cutting edge of the cutting tool is always in contact with the work, whereby the cutting edge is supported by the work and its position does not change. If it is used, stable cutting can be performed.

【0022】本発明においては、バイトをワークに形成
されている溝の幅方向を横切るようにワークに対して相
対的に移動させることが好ましい。即ち、バイトの相対
的な移動方向である切削方向を、溝の幅に直交する方向
とすることが好ましい。バイトをワークに対して相対的
に移動させるには、バイトそのものを移動させるか、ま
たはバイトの位置を固定してワークを移動させる必要が
ある。あるいは両方を移動させてもよい。
In the present invention, it is preferable to move the cutting tool relatively to the work so as to cross the width direction of the groove formed in the work. That is, it is preferable that the cutting direction, which is the relative moving direction of the cutting tool, be a direction orthogonal to the width of the groove. In order to move the cutting tool relative to the work, it is necessary to move the cutting tool itself or to move the work with the position of the cutting tool fixed. Alternatively, both may be moved.

【0023】切削方向を上記のようにする場合、逃げ角
が0°である部分の切削方向の長さは、ワークに形成さ
れている溝の幅よりも大きくすることが好ましい。逃げ
角が0°である部分の切削方向の長さがワークに形成さ
れている溝の幅よりも小さいと、逃げ角が0°である部
分全体が溝内に入り込み、その結果、溝内の金属表面で
切削過多または切削ムラが生じてリセスが生じるおそれ
がある。逃げ角が0°である部分は、切削方向の長さが
溝の幅の2倍程度である寸法を有していることがより好
ましい。なお、切削は、切込み深さが1μm以下とな
り、また、ワークが脆性破壊しない条件にて実施するこ
とが好ましい。
When the cutting direction is as described above, the length of the portion where the clearance angle is 0 ° in the cutting direction is preferably larger than the width of the groove formed in the work. If the length in the cutting direction of the portion where the clearance angle is 0 ° is smaller than the width of the groove formed in the work, the entire portion where the clearance angle is 0 ° enters the groove, and as a result, the inside of the groove Excessive cutting or uneven cutting may occur on the metal surface to cause recess. More preferably, the portion where the clearance angle is 0 ° has a dimension in which the length in the cutting direction is about twice the width of the groove. The cutting is preferably performed under the condition that the cutting depth is 1 μm or less and the work does not break brittlely.

【0024】バイトによる切削後の被加工面の平坦性は
研磨よりも劣るが、加工効率が非常に高い。従って、効
率の点で優れている切削と、精度の点で優れている研磨
とを組み合わせることにより、効率良く、高精度の平面
を得ることが可能となる。
Although the flatness of the surface to be processed after cutting by the cutting tool is inferior to polishing, the processing efficiency is very high. Therefore, by combining cutting, which is excellent in efficiency, and polishing, which is excellent in accuracy, it is possible to efficiently obtain a highly accurate plane.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を説明す
る。本発明の第1の要旨に係る平坦化方法を実施するた
めには、軟質材料層と硬質材料層とを積層し、硬質材料
層の表面をラップ面として、メカニカルラッピングを行
う必要がある。
Next, an embodiment of the present invention will be described. In order to implement the flattening method according to the first aspect of the present invention, it is necessary to stack a soft material layer and a hard material layer, and perform mechanical lapping with the surface of the hard material layer as a wrap surface.

【0026】軟質材料層はワークの被加工面全体に生じ
ているうねりや反りにラップ面を追随させるために用い
られる。硬質材料層は、その表面とワークとの間に供給
される砥粒とともに、ワークの被加工面に存在する微細
な凹凸部を平坦化させるために用いられる。軟質材料層
および硬質材料層はそれぞれ、平坦化すべきワークの種
類等に応じて、適当な材料を選択して形成できる。
The soft material layer is used for causing the lap surface to follow the undulation or warpage generated on the entire work surface of the work. The hard material layer is used to flatten fine irregularities existing on the surface to be processed of the work together with abrasive grains supplied between the surface and the work. Each of the soft material layer and the hard material layer can be formed by selecting an appropriate material according to the type of a workpiece to be planarized.

【0027】例えば、先に図6参照して説明した方法に
基づいて、シリコン基板の表面に幅2〜5μm、深さ
0.4±0.1μmの溝を、溝間隔が2〜10μmとな
るように形成し、リフトオフ法により溝内にのみアルミ
ニウム、銅、コバルト、またはニッケル等の金属膜を形
成したワークをメカニカルラッピングする場合、軟質材
料層は、ヤング率が1〜20MPa程度のネオプレーンゴ
ムやスポンジシートであることが好ましい。そのような
軟質材料シートとして、例えば、ポリウレタンから成る
Suba400(商品名;ロデール・ニッタ社製)やゴムシ
ートを使用できる。
For example, based on the method described above with reference to FIG. 6, a groove having a width of 2 to 5 μm and a depth of 0.4 ± 0.1 μm is formed on the surface of the silicon substrate at a groove interval of 2 to 10 μm. In the case of mechanically wrapping a workpiece having a metal film such as aluminum, copper, cobalt, or nickel formed only in the groove by a lift-off method, the soft material layer is made of neoprene rubber having a Young's modulus of about 1 to 20 MPa. It is preferably a sponge sheet. Such a soft material sheet, for example, consists of polyurethane
Suba400 (trade name; manufactured by Rodale Nitta) or a rubber sheet can be used.

【0028】また、硬質材料層はヤング率が50〜15
0MPa程度の発泡ポリウレタンシートであることが好ま
しい。そのような硬質材料層は、CMPまたはMCPに
おいて常套的に採用されている研磨パッドであってよ
く、例えば、ポリウレタンから成るIC1000(商品
名;ロデール・ニッタ社製)やポリウレタンから成るL
Pシリーズ(九重電気社製)等を使用できる。
The hard material layer has a Young's modulus of 50 to 15
It is preferably a foamed polyurethane sheet of about 0 MPa. Such a hard material layer may be a polishing pad commonly employed in CMP or MCP, for example, IC1000 (trade name; manufactured by Rodale Nitta) made of polyurethane or L made of polyurethane.
A P series (manufactured by Kuju Denki) or the like can be used.

【0029】また、軟質材料層は、ワークの被加工面に
生じているうねり等への追随性を確保するために十分な
厚さを有していることが好ましく、硬質材料層は、軟質
材料層のワークのうねり等への追随を妨げない程度に薄
く、ワークの被加工面の微細な凹凸に追随しない程度に
厚いものであることが好ましい。例えば、上述した態様
のワークを平坦化する場合、上記において例示した軟質
材料層の厚さは0.5〜2mm程度、硬質材料層の厚さは
0.1〜2mm程度であることが好ましい。
It is preferable that the soft material layer has a thickness sufficient to ensure the followability to the undulation or the like generated on the work surface of the workpiece. It is preferable that the layer is thin enough not to obstruct the undulation of the work and not thick enough to follow fine irregularities on the work surface of the work. For example, when flattening the work of the above-described embodiment, the thickness of the soft material layer exemplified above is preferably about 0.5 to 2 mm, and the thickness of the hard material layer is preferably about 0.1 to 2 mm.

【0030】軟質材料層と硬質材料層は、硬質材料層の
表面がラップ面となるようにラップ加工装置に組み込ま
れることが好ましい。例えば、常套的に用いられている
ラップ加工装置のラップ盤に、2つの層を、軟質材料層
がラップ盤に接し、硬質材料層の表面がラップ面として
露出されるように積層して、ラップ盤に取り付けるとよ
い。また、軟質材料層とラップ盤との間および軟質材料
層と硬質材料層との間は、ずれ等が生じないように、接
着剤等で固定することが好ましい。
It is preferable that the soft material layer and the hard material layer are incorporated in a lapping machine such that the surface of the hard material layer becomes a lap surface. For example, two layers are laminated on a lapping machine of a commonly used lapping machine so that a soft material layer is in contact with the lapping machine and a surface of the hard material layer is exposed as a lapping surface. It is good to attach to the board. Further, it is preferable to fix the gap between the soft material layer and the lapping machine and the gap between the soft material layer and the hard material layer with an adhesive or the like so as not to cause a shift or the like.

【0031】なお、軟質材料層と硬質材料層とを組み合
わせて積層したものは、それ自体、ラッピング装置を構
成するラッピング用工具として有用である。また、この
ラップピング用工具を組み込んだラッピング加工装置、
即ち、軟質材料層に積層された硬質材料層の表面をラッ
プ面として有するラッピング加工装置もまた、以下に説
明するメカニカルラッピングを実施し得る装置として有
用である。
A laminate obtained by combining a soft material layer and a hard material layer is itself useful as a lapping tool constituting a lapping device. In addition, wrapping equipment incorporating this wrapping tool,
That is, a lapping apparatus having a surface of a hard material layer laminated on a soft material layer as a wrap surface is also useful as an apparatus capable of performing the mechanical lapping described below.

【0032】メカニカルラッピングは、通常採用されて
いる条件下で実施できる。例えば、ワークが略円形であ
る場合には、ラップ盤の形状を、半径方向の幅がワーク
の直径と同じまたはそれよりも大きい環状体にするとよ
い。そして、ワークを、その中心を通り被加工面に垂直
な軸を中心として回転(自転)させるとともに、ラップ
盤を、その中心を通りラップ面に垂直な軸を中心として
回転(自転)させながら、ラップ面の上にラップ剤を供
給してメカニカルラッピングを実施するとよい。ワーク
およびラップ盤の回転速度はワークに応じて異なるが、
一般にワークの回転速度は10〜100rpm、ラップ盤
の回転速度は10〜100rpm程度とするよい。ラップ
剤は、例えば、ダイヤモンド砥粒、アルミナ砥粒または
SiCのような砥粒と、軽油、オリーブ油もしくは種油
等のオイルまたは水とを含んで成る。砥粒とオイル等
は、別々に供給してよく、あるいはオイル等に砥粒を分
散させたスラリーとして供給してよい。
The mechanical lapping can be carried out under the conditions usually employed. For example, when the work is substantially circular, the shape of the lapping machine may be an annular body whose radial width is equal to or larger than the diameter of the work. Then, the work is rotated (rotated) about an axis passing through the center thereof and perpendicular to the surface to be processed, and the lapping machine is rotated (rotated) about an axis passing through the center and perpendicular to the lap surface. The mechanical lapping may be performed by supplying a lapping agent onto the lapping surface. The rotation speed of the work and the lapping machine differs depending on the work,
Generally, the rotation speed of the work may be about 10 to 100 rpm, and the rotation speed of the lapping machine may be about 10 to 100 rpm. The lapping agent comprises, for example, abrasive grains such as diamond abrasive grains, alumina abrasive grains or SiC, and oil or water such as light oil, olive oil or seed oil. The abrasive grains and oil may be supplied separately, or may be supplied as a slurry in which the abrasive grains are dispersed in oil or the like.

【0033】ラッピング中、必要に応じてワークと被加
工面との間で所定の圧力が発生するように、例えばワー
クを適当な荷重機構を用いてラップ面に押し付けてもよ
い。圧力を高くするほど、ラッピングの速度(即ち、加
工レート)は大きくなる。
During the lapping, the work may be pressed against the lap surface by using a suitable load mechanism, for example, so that a predetermined pressure is generated between the work and the surface to be processed. The higher the pressure, the higher the lapping speed (ie, the processing rate).

【0034】図1および図2に、本発明の平坦化方法に
おいて実施されるメカニカルラッピングを模式的に示
す。図1は、円盤形態のワーク(1)がメカニカルラッ
ピングされている様子を示す斜視図である。図示した態
様においては、片面ラップ加工装置が用いられ、ラップ
盤(104)は常套的に採用されている環状体であり、そ
の半径方向の幅はワーク(1)の直径にほぼ等しい。ラ
ップ盤(104)には軟質材料から成るシート(100)およ
び硬質材料から成るシート(102)がこの順に積層され
て取り付けられ、硬質材料シート(102)の表面がラッ
プ盤(104)の代わりにラップ面(105)を形成してい
る。ホルダー(図示せず)に保持されたワーク(1)は
その中心を通る鉛直軸hを中心として自転している。ラ
ップ盤(104)もまた、その中心を通る鉛直軸kを中心
として自転している。ワーク(1)およびラップ盤(10
4)の回転方向は図中にて矢印で示すとおりである。図
示した態様において、ラップ剤を構成する砥粒(106
a)およびオイル(106b)は別々に、噴霧器(108a)
(108b)からラップ面上に噴霧されている。
FIGS. 1 and 2 schematically show mechanical lapping performed in the planarization method of the present invention. FIG. 1 is a perspective view showing a state in which a disk-shaped workpiece (1) is mechanically wrapped. In the embodiment shown, a single-sided lapping machine is used, the lapping machine (104) being a conventionally employed annular body, the radial width of which is approximately equal to the diameter of the workpiece (1). A sheet (100) made of a soft material and a sheet (102) made of a hard material are laminated and attached in this order to the lapping machine (104), and the surface of the hard material sheet (102) is replaced by the lapping machine (104). A wrap surface (105) is formed. The work (1) held by a holder (not shown) rotates around a vertical axis h passing through the center thereof. The lapping machine (104) also rotates about a vertical axis k passing through the center thereof. Work (1) and lapping machine (10
The rotation direction of 4) is as shown by the arrow in the figure. In the illustrated embodiment, the abrasive grains (106
a) and the oil (106b) separately from the nebulizer (108a)
(108b) is sprayed on the wrap surface.

【0035】図2は、図1に示すようにしてラッピング
している間のワーク(1)の被加工面およびラップ面
(105)付近の状態を、ワーク(1)の厚さ方向の断面
図で表したものである。図示した態様において、ワーク
(1)は、リフトオフ法によって金属膜(12)が基板
(10)表面の溝(16)内にのみ埋め込まれるように形成
されたものであり、金属膜(12)の形成面を被加工面と
する。ワーク(1)の被加工面は、砥粒およびオイルを
含んで成るラップ剤(106)を介してラップ面(硬質材
料層の表面)(105)と接触している。ワーク(1)は
ホルダー(図示せず)によって保持されている。ワーク
(1)の被加工面はラップ剤(106)によって微小切削
される。
FIG. 2 is a cross-sectional view in the thickness direction of the work (1) showing the state near the work surface and the lap surface (105) of the work (1) during lapping as shown in FIG. It is represented by In the illustrated embodiment, the work (1) is formed such that the metal film (12) is buried only in the groove (16) on the surface of the substrate (10) by a lift-off method. The formation surface is a work surface. The work surface of the work (1) is in contact with the lap surface (the surface of the hard material layer) (105) via a lapping agent (106) containing abrasive grains and oil. The work (1) is held by a holder (not shown). The work surface of the work (1) is finely cut by the lapping agent (106).

【0036】ワークが、リフトオフ法によって金属膜が
基板表面の溝内にのみ埋め込まれるように形成されたも
のである場合、まず、金属膜のバリを除去するために寸
法の大きい砥粒でメカニカルラッピングを実施し、次い
で、大きい砥粒の使用により形成されたスクラッチをな
くし、かつ、より高精度な平面を得るために、寸法の小
さい砥粒でメカニカルラッピングを実施することが好ま
しい。さらに高精度の平面を得るために、寸法のさらに
小さい砥粒でメカニカルラッピングを実施してよい。即
ち、本発明の第1の要旨に係る平坦化方法においては、
砥粒の寸法を順次変化させて(好ましくは減少させて)
複数回のメカニカルラッピングを実施してもよい。
When the work is formed by a lift-off method so that the metal film is buried only in the groove on the surface of the substrate, first, mechanical lapping is performed with abrasive grains having a large size to remove burrs of the metal film. Then, in order to eliminate scratches formed by the use of large abrasive grains and obtain a more accurate flat surface, it is preferable to perform mechanical lapping with abrasive grains having small dimensions. In order to obtain a more accurate plane, mechanical lapping may be performed with abrasive grains having smaller dimensions. That is, in the flattening method according to the first aspect of the present invention,
By sequentially changing (preferably reducing) the size of the abrasive grains
A plurality of times of mechanical wrapping may be performed.

【0037】次に、本発明の第2の要旨に係る平坦化方
法の実施の形態を説明する。当該平坦化方法は、基板表
面に溝を有し、リフトオフ法により金属膜が当該溝内に
のみ埋め込まれるように形成されたワークであって、金
属膜の形成面を被加工面とするワークについて実施され
る。そのようなワークの形成方法は、先に図6を参照し
て説明したとおりであるから、ここではその詳細な説明
を省略する。リフトオフ法により溝内にのみ金属膜を形
成したワークは、例えば、半導体デバイスを製造するた
めに使用でき、あるいは、磁気記録媒体を製造するに際
して用いられるマスターであって、磁気記録媒体用基板
に所定の磁気情報を転写により与え得るように磁性体部
が隔離されて形成された磁気転写用マスターディスク等
を製造するために使用できる。
Next, an embodiment of a flattening method according to the second aspect of the present invention will be described. The flattening method is a work having a groove on a substrate surface and a metal film formed by a lift-off method so that the metal film is embedded only in the groove, and a work having a surface on which the metal film is formed as a work surface. Will be implemented. The method for forming such a work is as described above with reference to FIG. 6, and a detailed description thereof will be omitted. The work in which the metal film is formed only in the groove by the lift-off method can be used, for example, for manufacturing a semiconductor device, or is a master used when manufacturing a magnetic recording medium, and has a predetermined shape on a substrate for a magnetic recording medium. It can be used to manufacture a magnetic transfer master disk or the like in which the magnetic portion is formed so that the magnetic information can be provided by transfer.

【0038】本発明の第2の要旨に係る平坦化方法は、
本発明の第1の要旨に係る平坦化方法を第1工程として
実施し、バフ研磨を第2工程として実施し、MCPまた
はCMPを第3工程として実施することにより、ワーク
を平坦化するものである。第1工程は、リフトオフ法に
より金属膜を形成したワークに生じたバリを除去すると
ともに、溝内の金属膜の厚さムラを小さくすることを目
的とする工程である。第1工程で実施されるメカニカル
ラッピングは、上記において説明したとおりであるか
ら、ここではその詳細な説明を省略する。第1工程にお
いてメカニカルラッピングは複数回実施してもよい。但
し、第2および第3工程によって高度な平坦性を得るこ
とが可能であるから、第1工程で高精度な平坦化加工を
実施する必要は特にない。
The flattening method according to the second aspect of the present invention comprises:
The flattening method according to the first aspect of the present invention is performed as a first step, buff polishing is performed as a second step, and MCP or CMP is performed as a third step, thereby flattening a workpiece. is there. The first step is a step for removing burrs generated on the work on which the metal film has been formed by the lift-off method and for reducing the thickness unevenness of the metal film in the groove. Since the mechanical wrapping performed in the first step is as described above, a detailed description thereof will be omitted here. In the first step, the mechanical lapping may be performed plural times. However, since high flatness can be obtained by the second and third steps, it is not particularly necessary to perform high-precision flattening processing in the first step.

【0039】第2工程では、第1工程により被加工面に
生じたスクラッチを除去するためにバフ研磨が実施され
る。バフ研磨の際に使用するバフおよび砥粒は、ワーク
の素材等に応じて、通常使用されているものの中から選
択すればよい。バフは、例えば、毛足の長いスウェード
タイプの発泡ポリウレタン等であることが好ましい。砥
粒としては、例えば、アルミナ砥粒、ダイヤモンドおよ
びSiC等から選択される1種または複数種の砥粒を使
用できる。
In the second step, buffing is performed to remove scratches generated on the surface to be processed in the first step. The buff and abrasive used in the buff polishing may be selected from commonly used ones according to the material of the work and the like. The buff is preferably made of, for example, a suede-type foamed polyurethane having a long hairy foot. As the abrasive grains, for example, one or more kinds of abrasive grains selected from alumina abrasive grains, diamond, SiC and the like can be used.

【0040】バフ研磨は、第1工程において生じたスク
ラッチがなくなるまで続ける。バフ研磨中、金属膜にお
ける加工レートは基板におけるそれよりも大きいため、
バフ研磨の時間が長いほど、溝内の金属膜表面と基板表
面との間で生じる段差が大きくなる。段差が大きくなる
と、後の第3工程においてワークを平坦化するのに必要
な時間が長くなり、加工効率が悪くなるおそれがある。
したがって、被加工面のスクラッチがなくなったとき
に、ただちにバフ研磨を終えることが好ましい。
The buffing is continued until the scratch generated in the first step disappears. During buffing, the processing rate in the metal film is higher than that in the substrate,
The longer the buffing time, the greater the step created between the surface of the metal film in the groove and the surface of the substrate. When the step is increased, the time required for flattening the work in the third step to be performed becomes longer, and the processing efficiency may be deteriorated.
Therefore, it is preferable to finish the buff polishing immediately when the scratch on the work surface disappears.

【0041】第3工程では、MCPまたはCMPが実施
される。第3工程は、第2工程で生じた溝内の金属膜表
面と基板表面との間の段差、即ちリセスをなくし、高精
度な平面を得ることを目的とする工程である。よって、
MCPまたはCMPは、突出している基板が選択的に研
磨されるように実施される。MCPまたはCMPは常套
の方法によって実施でき、具体的には、所定の反応が起
こるように選択された砥粒またはスラリーをワークの被
加工面と研磨パッドの研磨面との間に供給し、ワークに
対して研磨パッドを相対的に移動させることによって実
施できる。
In the third step, MCP or CMP is performed. The third step is a step for eliminating a step between the surface of the metal film in the groove and the surface of the substrate, ie, a recess, generated in the second step, and obtaining a highly accurate flat surface. Therefore,
MCP or CMP is performed so that the protruding substrate is selectively polished. MCP or CMP can be performed by a conventional method. Specifically, an abrasive or slurry selected so that a predetermined reaction occurs is supplied between a work surface of a work and a polishing surface of a polishing pad. By moving the polishing pad relative to the polishing pad.

【0042】第3工程においてMCPを実施する場合、
ワークが、金属膜(例えばコバルト)が形成されたシリ
コン基板である場合、砥粒として、例えば、炭酸バリウ
ムを使用するとよい。同様のワークについてCMPを実
施する場合、砥粒として、例えばコロイダルシリカを使
用し、これをアルカリ性溶液(例えば水酸化カリウム水
溶液等)に分散させてスラリーを調製するとよい。
When the MCP is performed in the third step,
When the work is a silicon substrate on which a metal film (for example, cobalt) is formed, for example, barium carbonate may be used as abrasive grains. When CMP is performed on a similar work, for example, colloidal silica is used as abrasive grains, and the slurry is preferably prepared by dispersing the same in an alkaline solution (eg, an aqueous potassium hydroxide solution).

【0043】MCPまたはCMPで使用する研磨パッド
は、常套的に用いられているものの中からワークの種類
に応じて任意に選択できる。研磨パッドは、軟質材料層
と硬質材料層とが貼り合わされて成り、硬質材料層の表
面を研磨面とするものであることが好ましい。そのよう
な研磨パッドを用いることの作用効果は、上記第1の要
旨に係る平坦化方法において、ラップ面を軟質材料層に
積層された硬質材料層で形成することの作用効果と同様
である。即ち、そのような研磨パッドにおいて、軟質材
料層は、ワーク全体に存在する大きなうねりまたは反り
に研磨面が追随することを確保し、対象物の表面形状に
追随しにくい硬質材料層は、被加工面の表面に存在する
微細な凹凸が凸部から優先的に研磨されることを確保す
る。したがって、そのような研磨パッドを用いれば、被
加工面に周期が数cm、振幅が数μmの「うねり」または
「反り」が生じている場合に、うねりまたは反りに起因
する起伏はそのままにして、被加工面の表面に存在する
微細な凹凸部だけをMCPまたはCMPにより平坦化す
ることが可能となる。
The polishing pad used in MCP or CMP can be arbitrarily selected from those conventionally used according to the type of work. It is preferable that the polishing pad is formed by bonding a soft material layer and a hard material layer, and uses a surface of the hard material layer as a polishing surface. The operation and effect of using such a polishing pad are the same as the operation and effect of forming the lap surface with the hard material layer laminated on the soft material layer in the flattening method according to the first aspect. That is, in such a polishing pad, the soft material layer ensures that the polishing surface follows the large undulation or warpage existing in the entire work, and the hard material layer that does not easily follow the surface shape of the object is processed. It is ensured that fine irregularities existing on the surface of the surface are polished preferentially from the convex portions. Therefore, if such a polishing pad is used, the period to be processed is several cm, and the amplitude is several μm.If `` undulation '' or `` warpage '' occurs, the undulation due to undulation or warpage is left as it is. In addition, it is possible to flatten only the minute uneven portions existing on the surface of the processing surface by MCP or CMP.

【0044】研磨パッドを軟質材料層と硬質材料層とを
積層して構成する場合、軟質材料層は、ワークの被加工
面に存在するうねりや反りに追随するように、ヤング率
が小さい材料から成ることが好ましく、具体的には、ゴ
ム、スポンジまたは不織布であることが好ましい。硬質
材料層は、軟質材料層よりもヤング率が大きい材料から
成ることが好ましく、具体的には、ポリウレタン発泡体
であることが好ましい。
When the polishing pad is formed by laminating a soft material layer and a hard material layer, the soft material layer is made of a material having a small Young's modulus so as to follow the undulation or warpage existing on the work surface of the work. Preferably, it is made of rubber, sponge or non-woven fabric. The hard material layer is preferably made of a material having a higher Young's modulus than the soft material layer, and specifically, is preferably a polyurethane foam.

【0045】なお、MCPまたはCMPにおいて、ワー
クに対して研磨パッドを相対的に移動させる操作、およ
びスラリーを供給する操作等、上記において特に言及し
なかった操作は、常套の手段および方法によって実施で
きる。
In the MCP or CMP, operations not specifically mentioned above, such as an operation of moving a polishing pad relative to a work and an operation of supplying a slurry, can be performed by conventional means and methods. .

【0046】図3に、本発明の第2の要旨に係る平坦化
方法の第1〜第3工程を、各工程終了後のワークの被加
工面の状態とともに模式的に示す。第1工程として、図
1および図2を参照して説明した方法と同様の方法でメ
カニカルラッピングが実施される。メカニカルラッピン
グは、軟質材料層(100)を介してラップ盤(104)に積
層された硬質材料層(102)の表面をラップ面(105)と
して実施される。第1工程終了後、金属膜(12)のバリ
(18)が除去されるとともに溝(16)内の金属膜(12)
の厚さが均一となり、ワーク(1)の被加工面はほぼ平
坦となるが、スクラッチ(20)が多数形成された状態と
なる。
FIG. 3 schematically shows the first to third steps of the flattening method according to the second aspect of the present invention, together with the state of the processed surface of the work after each step. As a first step, mechanical lapping is performed by a method similar to the method described with reference to FIGS. Mechanical lapping is performed using the surface of the hard material layer (102) laminated on the lapping machine (104) via the soft material layer (100) as the wrap surface (105). After the first step, the burrs (18) of the metal film (12) are removed and the metal film (12) in the groove (16) is removed.
Becomes uniform, and the surface to be processed of the work (1) becomes almost flat, but a large number of scratches (20) are formed.

【0047】第2工程としてバフ研磨が実施される。図
示した態様において、バフ研磨は、第1工程で使用した
ラップ盤と同様のラップ盤(204)にバフ(200)を貼付
して実施され、ワーク(1)およびラップ盤(204)は
ともに回転させられる。バフ(200)に供給される砥粒
(202)は、研磨中、バフ(200)の毛足に付着した状態
となっているため、砥粒の保持剛性は小さい。そして、
その状態でワークと砥粒とが干渉しあうと、ワークにス
クラッチが生じることなくワークが研磨される。バフ研
磨により、第1工程で生じたスクラッチ(20)はなくな
るが、金属膜(12)での加工レートが基板のそれよりも
大きいために、被加工面には、基板(10)表面と金属膜
(12)表面との間で段差が生じてリセス(22)が形成さ
れる。
As a second step, buff polishing is performed. In the illustrated embodiment, buffing is performed by attaching a buff (200) to a lapping machine (204) similar to the lapping machine used in the first step, and both the work (1) and the lapping machine (204) are rotated. Let me do. Since the abrasive particles (202) supplied to the buff (200) are in a state of being attached to the hairs of the buff (200) during polishing, the holding rigidity of the abrasive particles is small. And
If the workpiece and the abrasive grains interfere with each other in this state, the workpiece is polished without generating scratches on the workpiece. Although the scratch (20) generated in the first step is eliminated by the buff polishing, since the processing rate of the metal film (12) is higher than that of the substrate, the surface to be processed includes the surface of the substrate (10) and the metal. A step is formed between the film and the surface of the film to form a recess.

【0048】第3工程としてMCPが実施される。図示
した態様において、MCPは、軟質材料層(300b)と
硬質材料層(300a)とが積層されて成る研磨パッド(3
00)であって、硬質材料層(300a)の表面が研磨面(3
05)である研磨パッド(300)を用いて実施されてい
る。ワーク(1)の被加工面と研磨パッド(300)との
間には、ワークと反応する砥粒を含む研磨剤(302)が
供給される。研磨パッド(300)は第1工程で使用した
ラップ盤と同様のラップ盤(304)に貼付されており、
第1工程と同様にしてワーク(1)およびラップ盤(30
4)を回転させて研磨パッド(300)をワーク(1)に対
して相対的に移動させている。第3工程により、ワーク
(1)の被加工面はリセスのない高度な平坦性を有する
ものとなる。なお、第3工程はCMPであってもよい。
As a third step, MCP is performed. In the illustrated embodiment, the MCP is a polishing pad (3) formed by laminating a soft material layer (300b) and a hard material layer (300a).
00), and the surface of the hard material layer (300a) is a polished surface (3
05) using a polishing pad (300). An abrasive (302) containing abrasive particles that reacts with the work is supplied between the work surface of the work (1) and the polishing pad (300). The polishing pad (300) is attached to a lapping machine (304) similar to the lapping machine used in the first step,
Work (1) and lapping machine (30
4) is rotated to move the polishing pad (300) relatively to the work (1). By the third step, the work surface of the work (1) has a high flatness without recess. Note that the third step may be CMP.

【0049】本発明の第3の要旨に係る平坦化方法は、
上記本発明の第2の要旨に係る平坦化方法の第1の工程
において、メカニカルラッピングを実施する代わりに、
ダイヤモンドバイトを用いた切削を実施する方法であ
る。本発明で使用するダイヤモンドバイトは、逃げ面側
に逃げ角が0°である部分が設けられている単結晶バイ
トである。
The flattening method according to the third aspect of the present invention comprises:
In the first step of the planarization method according to the second aspect of the present invention, instead of performing mechanical lapping,
This is a method for performing cutting using a diamond tool. The diamond cutting tool used in the present invention is a single crystal cutting tool provided with a portion having a clearance angle of 0 ° on the flank surface side.

【0050】逃げ面に逃げ角が0°であるように設けら
れた部分とは、図4に示すように、バイトで切削した後
のワーク(1)の被加工面(1a)とバイト(400)の
逃げ面(400a)とが形成する角度θをいう。逃げ角が
0°である部分とは、θが0°であり逃げ面が切削後の
被加工面に接している部分をいう。
As shown in FIG. 4, the portion provided on the flank so that the flank angle is 0 ° means the work surface (1a) of the work (1) after cutting with the cutting tool and the cutting tool (400). ) And the flank (400a). The portion where the clearance angle is 0 ° refers to a portion where θ is 0 ° and the flank is in contact with the processed surface after cutting.

【0051】本発明においては、バイトを、ワークに形
成されている溝の幅方向を横切るようにワークに対して
相対的に移動させることが好ましい。その場合、逃げ面
に逃げ角が0°であるように設けられた部分の切削方向
の長さは、溝の幅よりも大きいことが好ましい。
In the present invention, it is preferable to move the cutting tool relatively to the work so as to cross the width direction of the groove formed in the work. In that case, it is preferable that the length in the cutting direction of a portion provided on the flank such that the clearance angle is 0 ° is larger than the width of the groove.

【0052】例えば、図5に示すように、円盤形態のワ
ーク(1)がその表面に放射状に形成された溝(16)を
有する場合、バイト(400)の位置を固定した状態に
て、超精密旋盤のチャック(500)に取り付けたワーク
(1)を、ワーク(1)の中心を通り被加工面に垂直で
ある軸jを中心として回転(自転)させると、バイト
(400)は、溝(16)の幅を横切ってワーク(1)に対
して相対的に移動することとなる。そして、バイト(40
0)の位置を、ワーク(1)の被加工面の半径方向にお
いて外周から中心に向かって(図5における矢印xの方
向に)逐次ずらしていくと、ワークの被加工面全体を切
削することができる。図示した態様において、バイトの
逃げ面側に設けられた逃げ角が0°である部分(402)
の切削方向の長さは、溝(16)の幅の約2倍に相当す
る。なお、切削中、ダイヤモンドバイトの磨耗を防止す
るために、クーラント(図示せず)がワークの被加工面
に供給される。
For example, as shown in FIG. 5, when the disk-shaped work (1) has grooves (16) formed radially on its surface, the work (400) can be When the work (1) attached to the chuck (500) of the precision lathe is rotated (rotated) about an axis j passing through the center of the work (1) and perpendicular to the surface to be machined, the cutting tool (400) becomes a groove. It moves relatively to the work (1) across the width of (16). And the byte (40
If the position of 0) is sequentially shifted from the outer periphery toward the center (in the direction of arrow x in FIG. 5) in the radial direction of the work surface of the work (1), the entire work surface of the work is cut. Can be. In the illustrated embodiment, a portion provided on the flank side of the cutting tool and having a clearance angle of 0 ° (402)
The length in the cutting direction is about twice the width of the groove (16). During the cutting, a coolant (not shown) is supplied to the work surface of the work in order to prevent abrasion of the diamond cutting tool.

【0053】切削後、上記第2の要旨に係る平坦化方法
と同様にして、バフ研磨、およびMCPまたはCMPを
実施して、ワークの被加工面の平坦性をより良好なもの
とする。バフ研磨、MCPおよびCMPは、上記におい
て説明した方法と同様にして実施でき、したがって、こ
こではその詳細な説明を省略する。
After the cutting, buffing and MCP or CMP are performed in the same manner as in the flattening method according to the second aspect to improve the flatness of the work surface of the work. Buffing, MCP, and CMP can be performed in the same manner as the method described above, and therefore, detailed description thereof is omitted here.

【0054】上記において説明した平坦化方法は、少な
くとも一部、例えば一方の面が平坦化されたワークを得
る方法ともいえる。従って、本発明は、上記の平坦化方
法を含む、少なくとも一部が平坦化されたワークの製造
方法をも提供する。本発明の製造方法によって提供され
るワークは、例えば、先に説明した、リフトオフ法によ
って金属膜が基板表面の溝内にのみ埋め込まれるように
形成されたワークでよい。本発明により製造されるワー
クは、具体的には、例えば、半導体デバイスまたは磁気
記録媒体製造用の磁気転写用マスターディスク等を構成
する。
The flattening method described above can also be said to be a method of obtaining a work having at least a part, for example, one surface flattened. Therefore, the present invention also provides a method of manufacturing a workpiece that is at least partially flattened, including the above-described flattening method. The workpiece provided by the manufacturing method of the present invention may be, for example, the workpiece formed by the lift-off method described above so that the metal film is embedded only in the groove on the substrate surface. The work manufactured by the present invention specifically constitutes, for example, a master disk for magnetic transfer for manufacturing a semiconductor device or a magnetic recording medium.

【0055】[0055]

【発明の効果】本発明の平坦化方法によれば、軟質材料
層に積層された硬質材料層の表面をラップ面として実施
するメカニカルラッピングにより、ワークの被加工面に
存在する大きなうねりや反りはそのままに、ワークの被
加工面に存在する比較的粗い凹凸部のみを効率良く平坦
化できる。従って、本発明の平坦化方法は、リフトオフ
法により金属膜を形成したワークに存在する金属膜のバ
リを除去するのに好都合である。さらに、メカニカルラ
ッピングを従来の公知のバフ研磨およびMCPまたはC
MPと組み合わせることにより、精度がより高い平面を
ワークの被加工面に付与し得る。
According to the flattening method of the present invention, large undulations and warpages present on the work surface of the workpiece are eliminated by mechanical lapping in which the surface of the hard material layer laminated on the soft material layer is used as a wrap surface. As it is, only a relatively rough uneven portion existing on the work surface of the work can be efficiently flattened. Therefore, the flattening method of the present invention is advantageous for removing burrs of the metal film present on the work on which the metal film has been formed by the lift-off method. Further, the mechanical lapping may be performed by a conventional well-known buffing and MCP or CCP.
By combining with MP, a plane with higher accuracy can be given to the work surface of the work.

【0056】また、メカニカルラッピングに代えて特定
の形状を有するバイトを用いた切削を実施することによ
っても、リフトオフ法により金属膜を形成したワークに
存在する金属膜のバリを効率良く除去できる。従って、
切削と研磨を組み合わせることで、高い加工効率で、高
度な平坦性をワークの被加工面に付与することが可能と
る。
Also, by performing cutting using a cutting tool having a specific shape instead of mechanical lapping, it is possible to efficiently remove burrs of the metal film existing on the metal film formed by the lift-off method. Therefore,
By combining cutting and polishing, it is possible to impart a high degree of flatness to the work surface of the workpiece with high processing efficiency.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の要旨に係る平坦化方法を実施
している様子を模式的に示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing a state in which a flattening method according to a first aspect of the present invention is performed.

【図2】 本発明の第1の要旨に係る平坦化方法を実施
している様子を模式的に示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a planarization method according to a first aspect of the present invention is performed.

【図3】 本発明の第2の要旨に係る平坦化方法を示す
模式図である。
FIG. 3 is a schematic view illustrating a planarization method according to a second aspect of the present invention.

【図4】 バイトの逃げ角を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing a clearance angle of a cutting tool.

【図5】 本発明の第3の要旨に係る平坦化方法の第1
工程を模式的に示す斜視図である。
FIG. 5 shows a first example of the planarization method according to the third aspect of the present invention.
It is a perspective view which shows a process typically.

【図6】 (a)〜(f)はそれぞれ、金属膜が基板表
面の溝内にのみ埋め込まれるように形成されたワークを
リフトオフ法により製造する方法の工程を示す模式図で
ある。
FIGS. 6A to 6F are schematic views showing steps of a method of manufacturing a workpiece formed by embedding a metal film only in a groove on a substrate surface by a lift-off method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1...ワーク、1a...被加工面、10...基板、12...金属
膜、14...レジスト、16...溝、18...バリ、20...スクラ
ッチ、22...リセス、100...軟質材料層(軟質材料シー
ト)、102...硬質材料層(硬質材料シート)、104...ラ
ップ盤、105...ラップ面、106...ラップ剤、106a...砥
粒、106b...オイル、108a,108b...噴霧器、200...
バフ、202...砥粒、204...ラップ盤、300...研磨パッ
ド、300a...硬質材料層、300b...軟質材料層、302...
スラリー、304...ラップ盤、305...研磨面、400...バイ
ト、400a...逃げ面、402...逃げ角が0°の部分、50
0...チャック。
1 ... work, 1a ... work surface, 10 ... substrate, 12 ... metal film, 14 ... resist, 16 ... groove, 18 ... burr, 20 ... scratch , 22 ... recess, 100 ... soft material layer (soft material sheet), 102 ... hard material layer (hard material sheet), 104 ... lapping machine, 105 ... lap surface, 106 ... .Lapping agent, 106a ... Abrasive, 106b ... Oil, 108a, 108b ... Sprayer, 200 ...
Buff, 202 ... abrasive, 204 ... lapping machine, 300 ... polishing pad, 300a ... hard material layer, 300b ... soft material layer, 302 ...
Slurry, 304 ... lapping machine, 305 ... polishing surface, 400 ... bite, 400a ... flank surface, 402 ... portion where clearance angle is 0 °, 50
0 ... Chuck.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3C058 AA07 AA09 AC04 BA02 BA09 CA01 CB01 DA02 DA12 5F043 AA24 AA26 DD16 DD18 EE08 EE40 FF07 GG02 GG10  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page F term (reference) 3C058 AA07 AA09 AC04 BA02 BA09 CA01 CB01 DA02 DA12 5F043 AA24 AA26 DD16 DD18 EE08 EE40 FF07 GG02 GG10

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ワークをメカニカルラッピングにより平
坦化する方法において、軟質材料層に積層された硬質材
料層の表面をラップ面とし、当該ラップ面にて、ワーク
の被加工面を研磨することを特徴とする平坦化方法。
1. A method for flattening a work by mechanical lapping, wherein a surface of a hard material layer laminated on a soft material layer is used as a lap surface, and the work surface of the work is polished on the lap surface. Flattening method.
【請求項2】 硬質材料層がポリウレタン発泡体である
請求項1に記載の平坦化方法。
2. The method according to claim 1, wherein the hard material layer is a polyurethane foam.
【請求項3】 ワークが、リフトオフ法によって、金属
膜が基板表面の溝内にのみ埋め込まれるように形成され
たものであって、金属膜の形成面を被加工面とするワー
クである請求項1または請求項2に記載の平坦化方法。
3. The workpiece according to claim 1, wherein the workpiece is formed by a lift-off method such that the metal film is buried only in the groove on the surface of the substrate, and the surface on which the metal film is formed is a workpiece. The flattening method according to claim 1 or 2.
【請求項4】 メカニカルラッピングを、砥粒の寸法を
変化させて複数回、実施する請求項1〜3のいずれか1
項に記載の平坦化方法。
4. The method according to claim 1, wherein the mechanical lapping is performed a plurality of times while changing the size of the abrasive grains.
The flattening method according to the paragraph.
【請求項5】 ワークを平坦化する方法であって、 ワークが、その表面に溝を有し、リフトオフ法により金
属膜が当該溝内にのみ埋め込まれるように形成されたも
のであって、金属膜の形成面を被加工面とするものであ
り、 当該ワークを第1工程として、軟質材料層に積層された
硬質材料層の表面をラップ面とし、当該ラップ面にて、
ワークの被加工面を研磨するメカニカルラッピングを実
施し、 第2工程として、バフ研磨を実施し、 第3工程として、メカノケミカルポリッシングまたはケ
ミカルメカニカルポリッシングを実施することにより平
坦化する平坦化方法。
5. A method of flattening a work, wherein the work has a groove on a surface thereof, and a metal film is formed by a lift-off method so as to be embedded only in the groove. The surface on which the film is to be formed is a surface to be processed. The work is a first step, and the surface of the hard material layer laminated on the soft material layer is a wrap surface.
A flattening method for performing flattening by performing mechanical lapping for polishing a work surface of a work, performing buff polishing as a second step, and performing mechanochemical polishing or chemical mechanical polishing as a third step.
【請求項6】 硬質材料層がポリウレタン発泡体である
請求項5に記載の方法。
6. The method according to claim 5, wherein the hard material layer is a polyurethane foam.
【請求項7】 ワークを平坦化する方法であって、 ワークが、その表面に溝を有し、リフトオフ法により金
属膜が当該溝内にのみ埋め込まれるように形成されたも
のであって、金属膜の形成面を被加工面とするものであ
り、 当該ワークを第1工程として、逃げ面側に逃げ角が0°
である部分をその切削方向の長さがワークに形成されて
いる溝の溝幅よりも大きくなるように設けて成る単結晶
ダイヤモンドバイトを用い、ワークに形成されている溝
の幅方向を横切るようにバイトをワークに対して相対的
に移動させることにより切削を実施し、 第2工程として、バフ研磨を実施し、 第3工程として、メカノケミカルポリッシングまたはケ
ミカルメカニカルポリッシングを実施することにより平
坦化する平坦化方法。
7. A method for flattening a work, wherein the work has a groove on a surface thereof, and a metal film is formed by a lift-off method so as to be embedded only in the groove. The surface on which the film is to be formed is the surface to be processed.
A single crystal diamond tool is used in which the length in the cutting direction is larger than the groove width of the groove formed in the work, so that the portion crosses the width direction of the groove formed in the work. The cutting is performed by moving the cutting tool relatively to the workpiece, the buffing is performed as the second step, and the mechanochemical polishing or the chemical mechanical polishing is performed as the third step, thereby flattening. Flattening method.
【請求項8】 請求項1〜7のいずれか1項に記載の平
坦化方法を含む、少なくとも一部が平坦化されたワーク
の製造方法。
8. A method for manufacturing a workpiece that has been at least partially flattened, comprising the flattening method according to claim 1. Description:
【請求項9】 軟質材料層と硬質材料層とが積層されて
成るラッピング用工具。
9. A lapping tool in which a soft material layer and a hard material layer are laminated.
【請求項10】 軟質材料層に積層された硬質材料層の
表面をラップ面として有するラッピング加工装置。
10. A lapping apparatus having a surface of a hard material layer laminated on a soft material layer as a wrap surface.
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