JP2001222121A - Electrophotographic photoreceptor and electrophotographic process - Google Patents

Electrophotographic photoreceptor and electrophotographic process

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JP2001222121A
JP2001222121A JP2000293325A JP2000293325A JP2001222121A JP 2001222121 A JP2001222121 A JP 2001222121A JP 2000293325 A JP2000293325 A JP 2000293325A JP 2000293325 A JP2000293325 A JP 2000293325A JP 2001222121 A JP2001222121 A JP 2001222121A
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JP
Japan
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light
electrophotographic
image
type semiconductor
fine powder
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Application number
JP2000293325A
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Japanese (ja)
Inventor
Koichi Kinoshita
康一 木下
Ichiro Yoshida
一郎 吉田
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FIT Co Ltd Japan
Original Assignee
FIT Co Ltd Japan
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrophotographic photoreceptor capable of stably obtaining a latent image of a high γphotoreceptor. SOLUTION: The electrophotographic photoreceptor has a photosensitive layer formed by mixing fine powder 1 of a P-type semiconductor with fine powder 2 of an N-type semiconductor and shaping the mixture into a thin layer with a binder having >=1013 Ω-cm volume resistivity and a transparent high electric insulating layer attached to the surface of the photosensitive layer in one body.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】(産業上の利用分野)本発明は、電子写真
感光体及び電子写真方法に係り、特に、電子写真に於て
使用する新規なディジタル特性を持った感光体、詳しく
は従来KIP法として知られていた電子写真法に使用さ
れて特に高γ特性を示す感光体に関するものであり、従
来「KIP法は不純物準位を必要とするものであるから
感光物質が真性半導体でなければならない高γ特性は期
待出来ない」と考えられていた常識を破り高γKIP法
を可能にした電子写真感光体及び電子写真方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrophotographic photoreceptor and an electrophotographic method, and more particularly, to a photoreceptor having a novel digital characteristic used in electrophotography, and more particularly to a conventional KIP method. The present invention relates to a photoreceptor which has been used in a known electrophotographic method and which exhibits a particularly high γ characteristic. Conventionally, "KIP method requires an impurity level and thus requires a high sensitivity in which the photosensitive material must be an intrinsic semiconductor. γ characteristics cannot be expected ”.

【0002】[0002]

【従来の技術】本願発明者は、高γ電子写真感光体(特
公平5−19140号公報及び米国特許第4,963,452 号
明細書参照)の発明者であると共にKIP法(特公昭4
3−2627号公報及び米国特許第3,457,070 号明細書
参照)の発明者でもある。なお、KIP法は、R.M.
Schaffertの著書「Electrophoto
graphy」の第107頁乃至第111頁では、Th
e Katsuragawa Electrophot
ograhic Processとして、紹介されてい
る。元来高γ特性の発現は感光層内の電荷増幅作用が重
要な要因であり、増幅作用は高電界中の真性半導体に於
ける所謂アバランシェ現象が主要因である。アバランシ
ェ現象は、例えば Si や Ge の様な無機材料でも知られ
ているが、フタロシアニンはその特殊な構造から特に強
くアバランシェを示す有機材料として注目される。この
理由により多くの高γ感光体がフタロシアニンを使って
いる。
BACKGROUND OF THE INVENTION The inventor of the present application is an inventor of a high-gamma electrophotographic photoreceptor (see Japanese Patent Publication No. 5-19140 and U.S. Pat. No. 4,963,452) and a KIP method (Japanese Patent Publication No. Sho.
No. 3,2627, and U.S. Pat. No. 3,457,070). The KIP method is described in R. M.
Schaffert's book "Electrophototo"
Graphy, page 107 to page 111, Th
e Katsurakawa Electrophotot
It is introduced as an optic process. Originally, the expression of the high γ characteristic is mainly due to the charge amplification action in the photosensitive layer, and the amplification action is mainly caused by the so-called avalanche phenomenon in the intrinsic semiconductor under a high electric field. The avalanche phenomenon is also known for inorganic materials such as Si and Ge, but phthalocyanine is attracting attention as an organic material showing avalanche particularly strongly due to its special structure. For this reason, many high gamma photoreceptors use phthalocyanine.

【0003】一方KIP法は、 a) 感光体表面は透明な絶縁層で覆われていて、潜像
は絶縁層表面の電荷像であり、一旦形成された潜像は光
励起しても消失しない。 b) 潜像形成工程は或る極性に均一に帯電する第1の
帯電工程と、この第1の帯電工程とは逆の極性に帯電し
つつ光像を感光体に照射する第2の帯電工程から成って
いる。 と言う従来のカールソン法とは全く異なるものである。
KIP法(特公昭43−2627号公報及び米国特許第
3,457,070 号明細書参照) は逆転電場法とも呼ばれ、原
理的には感光半導体内のトラップ準位が起こすPIP現
象が潜像形成を支配しているものと考えられて来た。こ
こに言うトラップとは主として半導体内の不純物準位に
よるものと考えられているので、不純物を含まない真性
半導体ではPIP現象は起こらないと考えられていた。
従って、真性半導体を使用する高γ感光体はKIP特性
を持たないと考えられていたのである。しかし、KIP
法の持つ優れた諸特性は捨て難い。若し高γKIP法が
存在したらとの願いは当然の如きものであった。特にフ
タロシアニンを使った高γ感光体は高γ特性において優
秀であるが、フタロシアニンがオゾンにより変質すると
言う問題があり、高γKIP法が成立すれば、感光体表
面の絶縁層がオゾンから感光層を保護するであろうと言
う期待がある。特公平5−19140号公報で示した高
γ感光体の様なオーバーコートを持たない感光体では長
期間の安定した動作は期待出来ない。
On the other hand, in the KIP method, a) the surface of the photoreceptor is covered with a transparent insulating layer, the latent image is a charge image on the surface of the insulating layer, and once formed, the latent image does not disappear even by photoexcitation. b) The latent image forming step is a first charging step of uniformly charging to a certain polarity, and a second charging step of irradiating the photoreceptor with a light image while charging to a polarity opposite to the first charging step. Consists of This is completely different from the conventional Carlson method.
KIP method (Japanese Patent Publication No. 43-2627 and U.S. Pat.
No. 3,457,070) is also called an inversion electric field method, and it has been considered in principle that the PIP phenomenon caused by a trap level in a photosensitive semiconductor governs the formation of a latent image. Since the trap referred to here is considered to be mainly caused by impurity levels in the semiconductor, it has been considered that the PIP phenomenon does not occur in an intrinsic semiconductor containing no impurities.
Therefore, it was considered that a high γ photoconductor using an intrinsic semiconductor does not have KIP characteristics. But KIP
The excellent properties of the law are difficult to discard. The wish that the high γ KIP method existed was a matter of course. In particular, a high γ photoreceptor using phthalocyanine is excellent in high γ characteristics, but there is a problem that phthalocyanine is deteriorated by ozone, and if the high γ KIP method is established, the insulating layer on the surface of the photoreceptor is converted from ozone to a photosensitive layer. There is hope that it will protect it. A long-term stable operation cannot be expected with a photoreceptor having no overcoat, such as a high γ photoreceptor disclosed in Japanese Patent Publication No. 5-19140.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、高γ
特性とKIP特性は不純物準位の関与について従来の理
論では全く逆のポジションにあり、高γ特性は不純物の
無い方が良く、KIP特性は不純物が必要であると言う
相反する要求を満たさねば高γKIP感光体は成立しな
い。この一見不可能な課題に挑戦する過程で、本発明者
は、「純粋なZnO 微粒子と純粋なフタロシアニン微粒子
を混合して高抵抗バインダーで感光体を作ると、高γ特
性を示す」と言う事実に遭遇した。高γ特性を示すと言
う事はフタロシアニンを使っている以上当然の事である
が、高γ特性に伴う一種の履歴現象も観測された事が重
要な情報であった。高γ感光体の動作で一種の害作用と
して問題になるのは連続的に作像すると「電荷の偏在が
起こり履歴を形成する」と言う事実である。これを解除
する為には適当なAC電界を印加して「電荷の偏在」を除
去しなければならない。「AC電界で強制的に電荷の偏在
を除去しなければならない」と言う事は偏在する電荷が
一時的にせよ準平衡状態にトラップされている事を意味
する。つまり、一種のトラップ現象が存在するのであ
る。このトラップ現象は「ZnO 微粒子とフタロシアニン
微粒子を混合した感光体」で特に著しく、高γ特性もこ
の種の感光体では特に著しい。そこで、「ZnO 微粒子と
フタロシアニン微粒子を混合した感光層」に 5〜10μm
の厚みの透明絶縁層を塗工により取り付けるとKIP作
像法によりKIP潜像を得たのである。使用したZnO も
フタロシアニンも不純物を含まない純粋な材料である。
PIP現象を起こす様な不純物は何れにも入っていな
い。にも拘らずKIP特性を示したのである。何故「Zn
O 微粒子とフタロシアニン微粒子を混合した感光層」は
KIP特性を示したのか。考えられるのは、「ZnO 粒子
とフタロシアニン粒子の接触点が、PNジャンクションを
形成している」ことで、この様に考えれば高γ特性が強
く発現した事もKIP特性が発現した事も説明される。
As described above, high γ
The characteristic and the KIP characteristic are in exactly the opposite positions in the conventional theory regarding the involvement of the impurity level, and it is better that the high γ characteristic has no impurity, and the KIP characteristic has a high value if the conflicting requirements of requiring the impurity are satisfied. The γKIP photoreceptor does not hold. In the process of challenging this seemingly impossible task, the present inventor has stated that the fact that a photoreceptor made of a high-resistance binder by mixing pure ZnO fine particles and pure phthalocyanine fine particles exhibits high γ characteristics. Encountered. It is natural that phthalocyanine is used to show high γ characteristics, but it was important information that a kind of hysteresis phenomenon associated with high γ characteristics was also observed. One of the problems as a kind of harmful effect in the operation of the high γ photoreceptor is the fact that when images are formed continuously, charges are unevenly distributed and a history is formed. In order to cancel this, an appropriate AC electric field must be applied to eliminate “distribution of charges”. The fact that "distribution of charges must be forcibly removed by an AC electric field" means that the localized charges are temporarily trapped in a quasi-equilibrium state, if any. That is, there is a kind of trap phenomenon. This trapping phenomenon is particularly remarkable in "a photoreceptor in which ZnO fine particles and phthalocyanine fine particles are mixed", and the high γ characteristic is also remarkable in this type of photoreceptor. Therefore, the “photosensitive layer in which ZnO fine particles and phthalocyanine fine particles are mixed” is 5 to 10 μm
When a transparent insulating layer having a thickness of 5 mm was attached by coating, a KIP latent image was obtained by a KIP image forming method. Both ZnO and phthalocyanine used are pure materials containing no impurities.
There is no impurity that causes the PIP phenomenon. Nevertheless, KIP characteristics were exhibited. Why "Zn
Did the photosensitive layer containing a mixture of O particles and phthalocyanine particles show KIP characteristics? What can be considered is that "the contact point between the ZnO particles and the phthalocyanine particles forms a PN junction." In this way, it was explained that the high γ characteristics were strongly exhibited and the KIP characteristics were also exhibited. You.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の電子写真感光体は、P型半導体微粉
体とN型半導体微粉体を混合し1013Ω-cm 以上の体積
固有抵抗を持つバインダーで薄層化した感光層と、この
感光層の表面に一体的に取り付けられた透明な電気高絶
縁層とを有するものである。また、請求項2記載の電子
写真方法は、P型半導体微粉体とN型半導体微粉体を混
合し1013Ω-cm 以上の体積固有抵抗を持つバインダー
で薄層化した感光層と、この感光層の表面に一体的に取
り付けられた透明な電気高絶縁層とを有する電子写真感
光体とを備え、この電子写真感光体にある極性の第1の
帯電を行う第1の工程と、この第1の工程の後、前記第
1の工程と逆極性の第2の帯電を行いながら光像により
前記電子写真感光体を励起する第2の工程と、この第2
の工程の後、更に潜像を保持する前記電子写真感光体全
体を光励起する第3の工程とを備えているものである。
また、請求項3記載の電子写真方法は、P型半導体微粉
体とN型半導体微粉体を混合し1013Ω-cm 以上の体積
固有抵抗を持つバインダーで薄層化した感光層と、この
感光層の表面に一体的に取り付けられた透明な電気高絶
縁層とを有する電子写真感光体とを備え、この電子写真
感光体にある極性の第1の帯電を行う第1の工程と、こ
の第1の工程の後、光を照射する第2の工程と、この第
2の工程の後、前記第1の工程と逆極性の第2の帯電を
行いながら光像により前記電子写真感光体を励起する第
3の工程と、この第3の工程の後、更に潜像を保持する
前記電子写真感光体全体を光励起する第4の工程とを備
えているものである。また、請求項4記載の電子写真感
光体は、P型半導体微粉体と、N型半導体微粉体と、1
13Ω-cm 以上の体積固有抵抗を持つバインダーとを含
んで、薄層化した感光層と、この感光層と一体的に作ら
れた1013Ω−cm以上の体積固抵抗を有する透明な電気
高絶縁層とを有するものである。また、請求項5記載の
電子写真感光体は、請求項4記載の電子写真感光体にお
いて、P型半導体微粉体をフタロシアニン、N型半導体
微粉体をローズベンガルで色素増感したZnOとしたも
のである。また、請求項6記載の電子写真方法は、P型
半導体微粉体と、N型半導体微粉体と、1013Ω-cm 以
上の体積固有抵抗を持つバインダーとを含んで、薄層化
した感光層と、この感光層と一体的に作られた1013Ω−
cm以上の体積固抵抗を有する透明な電気高絶縁層とを
有する電子写真感光体を備え、前記電子写真感光体にあ
る極性の第1の帯電を行う帯電工程と、この帯電工程の
後、前記第1の帯電と逆極性の第2の帯電を行いながら
光像により前記電子写真感光体を励起して前記電子写真
感光体に潜像を形成する潜像形成工程と、この潜像形成
工程の後、更に潜像を保持する前記電子写真感光体全体
を光励起する潜像保持工程とを備えた電子写真方法であ
って、前記光像は、レ−ザ−によるものであり、前記レ
−ザ−の発光量を変えることにより作られるトナ−・ド
ットの径をコントロ−ルするものである。また、請求項
7記載の電子写真方法は、P型半導体微粉体と、N型半
導体微粉体と、1013Ω-cm 以上の体積固有抵抗を持つ
バインダーとを含んで、薄層化した感光層と、この感光
層と一体的に作られた1013Ω−cm以上の体積固抵抗を
有する透明な電気高絶縁層とを有する電子写真感光体を
備え、前記電子写真感光体にある極性の第1の帯電を行
うと共に前記電子写真感光体全体を光励起して分極状態
を形成する分極形成工程と、この分極形成工程の後、前
記第1の帯電と逆極性の第2の帯電を行いながら光像に
より前記電子写真感光体を励起して前記電子写真感光体
に潜像を形成する潜像形成工程と、この潜像形成工程の
後、更に潜像を保持する前記電子写真感光体全体を光励
起する潜像保持工程とを備えた電子写真方法であって、
前記光像は、レ−ザ−によるものであり、前記レ−ザ−
の発光量を変えることにより作られるトナ−・ドットの
径をコントロ−ルするものである。
In order to achieve the above object, an electrophotographic photoreceptor according to the present invention is characterized in that a P-type semiconductor fine powder and an N-type semiconductor fine powder are mixed and have a volume of at least 10 13 Ω-cm. It has a photosensitive layer thinned with a binder having a specific resistance, and a transparent electrically insulating layer integrally attached to the surface of the photosensitive layer. Further, the electrophotographic method according to claim 2 is characterized in that a P-type semiconductor fine powder and an N-type semiconductor fine powder are mixed and thinned with a binder having a volume resistivity of 10 13 Ω-cm or more; An electrophotographic photoreceptor having a transparent electrically-high insulating layer integrally attached to the surface of the layer; a first step of performing a first charge of a certain polarity on the electrophotographic photoreceptor; After the first step, a second step of exciting the electrophotographic photoreceptor with an optical image while performing a second charge having a polarity opposite to that of the first step;
After the step, a third step of photo-exciting the entire electrophotographic photosensitive member holding the latent image is further provided.
In addition, the electrophotographic method according to the third aspect is characterized in that a P-type semiconductor fine powder and an N-type semiconductor fine powder are mixed and thinned with a binder having a volume resistivity of 10 13 Ω-cm or more; An electrophotographic photoreceptor having a transparent electrically-high insulating layer integrally attached to the surface of the layer; a first step of performing a first charge of a certain polarity on the electrophotographic photoreceptor; After the first step, a second step of irradiating light, and after the second step, the electrophotographic photoreceptor is excited by a light image while performing a second charging having a polarity opposite to that of the first step. And a fourth step of photo-exciting the entire electrophotographic photosensitive member holding the latent image after the third step. The electrophotographic photoreceptor according to claim 4, wherein the P-type semiconductor fine powder, the N-type semiconductor fine powder,
A thin photosensitive layer containing a binder having a volume resistivity of not less than 0 13 Ω-cm; and a transparent layer having a volume solid resistance of not less than 10 13 Ω-cm formed integrally with the photosensitive layer. And an electrically insulating layer. According to a fifth aspect of the present invention, in the electrophotographic photoreceptor of the fourth aspect, the P-type semiconductor fine powder is phthalocyanine, and the N-type semiconductor fine powder is ZnO dye-sensitized with rose bengal. is there. An electrophotographic method according to claim 6, wherein the photosensitive layer is made thin by including a P-type semiconductor fine powder, an N-type semiconductor fine powder, and a binder having a volume resistivity of 10 13 Ω-cm or more. And 10 13 Ω-
and an electrophotographic photosensitive member having a transparent electric high-insulating layer having a volume solid resistance of not less than 1 cm, and a charging step of performing a first charge of a certain polarity on the electrophotographic photosensitive member, and after the charging step, A latent image forming step of exciting the electrophotographic photosensitive member with a light image to form a latent image on the electrophotographic photosensitive member while performing a second charging having a polarity opposite to the first charging; And a latent image holding step of photo-exciting the entire electrophotographic photoreceptor for holding the latent image thereafter, wherein the light image is generated by a laser. The diameter of the toner dot formed by changing the amount of light emission is controlled. An electrophotographic method according to claim 7, wherein the photosensitive layer is made thin by including a P-type semiconductor fine powder, an N-type semiconductor fine powder, and a binder having a volume resistivity of 10 13 Ω-cm or more. And an electrophotographic photosensitive member having a transparent electrically high insulating layer having a volume solid resistance of 10 13 Ω-cm or more formed integrally with the photosensitive layer. And a photo-excitation of the entire electrophotographic photoreceptor to form a polarization state, and after this polarization formation step, the light is applied while performing a second electrification having a polarity opposite to the first electrification. A latent image forming step of exciting the electrophotographic photoreceptor with an image to form a latent image on the electrophotographic photoreceptor, and after the latent image forming step, further excites the entire electrophotographic photoreceptor holding the latent image An electrophotographic method comprising:
The light image is due to a laser, and the laser
The diameter of the toner dot formed by changing the amount of light emission is controlled.

【0006】(高γKIP感光体の動作原理)高γ特性
が発現する理由に関する文献は殆ど無い。しかし、本発
明者は高γ感光体の発明者であるから、当然「高γ特性
が発現する理由」に関して仮説を持っている。この仮説
は本発明と理論的に強く関連している。図1は高γ特性
を示す感光体の簡略化された等価回路である。高γ特性
とは別言すれば、光入力に対し非直線的に大きく応答す
る感光体の特性であり、従来の古典的なカールソン法感
光体が光入力に比例した応答をするのと違い光入力が大
きくなると光入力の増大以上の増大された応答をする感
光体を言うのである。この種の応答は感光体の中で非直
線的な光応答が在るか、或は一種の増幅作用が存在しな
ければ起こり得ない。図1中のAは、例えば、フタロシ
アニンの様な(光導電性半導体)を示している。BはA
を通過した電荷を増幅する要因を示し、等価回路として
表示する都合上AとBは分離して描かれているが、フタ
ロシアニンの様なアバランシェ現象を起こし易い材料の
粒子内ではAとBは不可分である。つまり、フタロシア
ニン粒子では光入力に応じて抵抗が低下して電荷を通過
せしめると同時に通過する電荷を増幅し、光入力に応じ
て発生した自由電荷の密度以上の自由電荷が発生する。
図1中のC及び並列する容量で示される回路はバインダ
ーの薄層を表している。図のE点まで達した自由電荷群
は、更に次のフタロシアニン粒子内で増幅され密度を上
げる。増幅の原因になるアバランシェは電界強度が高け
れば高い程強く起こり、増幅率αと電界強度Eの関係は α= Kexp(-1/E) で示される。図のE点に於ける自由電荷密度は計算可能
であり、同様に感光層全体に渡る自由電荷密度の消長も
計算可能である。図2(A)は、上述した考え方でフタ
ロシアニンを感光材料とする感光体の或る電界強度での
光応答を計算した結果である。図2(A)に見る通り、
実測結果と計算結果は良く一致するので「高γ特性はフ
タロシアニン粒子におけるアバランシェが支配してい
る」と言う仮説は大筋に於て妥当である。参考の為に実
測された実数スケールのグラフを図2(B)に示した。
図2(A)に見る通りアバランシェを考慮に入れた計算
は高γ感光体の計測結果を良く説明するが、忘れてなら
ないのは計算が「電荷の動きが計算各段で保存されてい
る」と言う条件で行われている事である。つまり、電荷
の動きは一時的にトラップされているのである。実際、
高γ感光体の動作で実際的な欠陥になるのは、「履歴現
象」である。高γ感光体を繰り返し使用すると、前歴が
現れ画像を阻害する事がある。又、繰り返し使用により
感光曲線が高感度側にシフトしてしまい安定した特性が
得られないと言う訴えもある。甚だしい場合は繰り返し
使用により帯電電荷保持能力を失う。この様に高γ感光
体内で起こる履歴現象はカールソン法では重大な欠陥で
しかないが、「高γKIP」を追求する立場から見れば
「履歴現象」は一種の「トラップ現象」である。「Zn
O+フタロシアニン」と言う特殊な感光層でKIP特性
が観測されたのは図3に示した様な材料配置が原因であ
ると考えられている。図3に見る通り、P型半導体微粉
体であるフタロシアニンの平均粒径は、例えば、 0.01
〜0.05μm であるのに対し、N型半導体微粉体であるZ
nOの平均粒径は、例えば、 0.1〜0.5 μm と大きいの
と、両者の帯電特性が逆極性であることから、フタロシ
アニン粒子はZnO粒子を包む様になっていると思われ
る。なお、微粉体とは、例えば、平均粒径が 0.01 〜0.
5 μm 程度のものである。フタロシアニンはP型であ
り、ZnOはN型であるから、両者の接触点はPNジャ
ンクションを形成する。図3で言えばZnO粒子はPN
ジャンクションで包まれている様な状態である。何等か
の原因で自由電荷がZnO粒子中に存在すると、その自
由電荷は抵抗の高いPNジャンクションにより粒子外に
出る事を妨げられ一種のトラップされた状態になる。P
Nジャンクションに囲まれて出来たトラップ電荷は、光
に励起されるとPNジャンクションの抵抗が消失する為
に解放される。トラップされた電荷が光により解放され
る事は不純物準位によるトラップと同じであり、KIP
現象と酷似している。実際「ZnO+フタロシアニン」
で起こる履歴は光照射により容易に消失する。
(Operating Principle of High γ KIP Photoreceptor) There is almost no literature on the reason why high γ characteristics are exhibited. However, since the present inventor is an inventor of the high γ photoreceptor, he naturally has a hypothesis regarding “the reason why the high γ characteristics are exhibited”. This hypothesis is strongly related theoretically to the present invention. FIG. 1 is a simplified equivalent circuit of a photoconductor showing a high γ characteristic. In other words, the high γ characteristic is the characteristic of the photoconductor that responds greatly to the light input in a non-linear manner, unlike the conventional classical Carlson method photoconductor that responds in proportion to the light input. It refers to a photoreceptor that has an increased response over an increase in light input as the input increases. This type of response cannot occur unless there is a non-linear photoresponse in the photoreceptor or a type of amplification. A in FIG. 1 indicates, for example, a photoconductive semiconductor such as phthalocyanine. B is A
A and B are drawn separately for the sake of showing the factor that amplifies the electric charge that has passed through, and A and B are drawn separately for the sake of display as an equivalent circuit. However, A and B are inseparable in the particles of a material such as phthalocyanine which is apt to cause the avalanche phenomenon. It is. That is, in the phthalocyanine particles, the resistance is reduced according to the light input and the charge is allowed to pass, and at the same time, the passing charge is amplified, so that free charges equal to or higher than the density of the free charge generated according to the light input are generated.
The circuit indicated by C and the parallel capacitance in FIG. 1 represents a thin layer of binder. The free charge group reaching the point E in the figure is further amplified in the next phthalocyanine particle to increase the density. Avalanche that causes amplification occurs more strongly as the electric field intensity increases, and the relationship between the amplification factor α and the electric field intensity E is represented by α = Kexp (−1 / E). The free charge density at the point E in the figure can be calculated, and similarly, the variation of the free charge density over the entire photosensitive layer can be calculated. FIG. 2A shows the result of calculating the light response at a certain electric field strength of a photoreceptor using phthalocyanine as a photosensitive material based on the above-described concept. As seen in FIG.
Since the measured and calculated results agree well, the hypothesis that "high γ characteristics are dominated by avalanche in phthalocyanine particles" is valid in general. FIG. 2B shows a graph of a real number scale actually measured for reference.
As shown in FIG. 2A, the calculation taking into account the avalanche well explains the measurement result of the high γ photoreceptor, but it is important to remember that the calculation is “the movement of the electric charge is stored in each stage of the calculation”. It is done under the condition of saying. That is, the movement of the electric charge is temporarily trapped. In fact,
What actually becomes a defect in the operation of the high γ photoconductor is the “history phenomenon”. If a high γ photoreceptor is used repeatedly, a previous history may appear and disturb the image. There is also a complaint that the photosensitive curve shifts to the high sensitivity side due to repeated use, and that stable characteristics cannot be obtained. In severe cases, the charge retention ability is lost by repeated use. As described above, the hysteresis phenomenon occurring in the high γ photoconductor is only a serious defect in the Carlson method, but from the standpoint of pursuing “high γ KIP”, the “hysteresis phenomenon” is a kind of “trap phenomenon”. "Zn
It is considered that the reason why the KIP characteristic was observed in the special photosensitive layer "O + phthalocyanine" is due to the material arrangement as shown in FIG. As shown in FIG. 3, the average particle size of phthalocyanine which is a P-type semiconductor fine powder is, for example, 0.01%.
.About.0.05 .mu.m, whereas the N-type semiconductor fine powder Z
Since the average particle size of nO is as large as 0.1 to 0.5 μm, for example, and the charging characteristics of both are opposite polarities, it is considered that the phthalocyanine particles surround the ZnO particles. The fine powder is, for example, an average particle size of 0.01 to 0.
It is about 5 μm. Since phthalocyanine is P-type and ZnO is N-type, the contact point between the two forms a PN junction. In FIG. 3, the ZnO particles are PN
It is in a state of being wrapped in a junction. If free charges exist in the ZnO particles for any reason, the free charges are prevented from exiting the particles by a high-resistance PN junction and become a kind of trapped state. P
The trap charge formed by the N junction is released because the resistance of the PN junction disappears when excited by light. The release of the trapped charge by light is the same as the trap by the impurity level.
Very similar to the phenomenon. Actually "ZnO + phthalocyanine"
Is easily lost by light irradiation.

【0007】[0007]

【実施例】(実施例1)「ZnO+フタロシアニン」を
1013 Ω-cm 以上の体積固有抵抗を持つバインダーで薄
層化した感光層を持つ高γKIP感光体の実施例を記述
する。 無金属フタロシアニン・・・・・・・ 6.0gr (大日精化社製、平均粒径 0.02 μm ) ZnO ・・・・・・ 46.0gr (堺化学社製、平均粒径0.2 μm ) ポリエステル樹脂 ・・・・・・138.0gr (大日本インキ社製、商品名 ベッコライト54-409) メラミン樹脂 ・・・・・・ 39.0gr (大日本インキ社製、商品名 ス−パ−ベッカミン L
−117−60) シクロヘキサノン ・・・・・・300.0 gr を振動型撹拌器に入れ、120 分間撹拌し、420 cpの粘性
を示す塗液を得た。別に用意した厚さ 100μm の Al フ
ォイルの片面に カゼイン ・・・・・ 4.0gr 沃素 ・・・・・ 0.4gr エチルアルコール ・・・・・20.0gr 5% アンモニア H2O ・・・ 200.0gr を混和した液を乾燥後の厚みが 1μm になる様に塗工・
乾燥し、ゼラチン面に上記塗液を乾燥後の厚さが 20 μ
m になる様に塗工し、150 ℃の雰囲気中で60分間加熱し
た後常温で保管し感光層を持つ基盤の作成を終わった。
上記感光層表面に アクリル樹脂 ・・・・・・80.0 gr (三菱レーヨン社製、商品名 ダイヤナール LR-214) トルエン ・・・・・・80.0 gr の混合液をディッピングにより塗布し、完全乾燥後の厚
さが 8μm になる様にオーバーコート被膜(オーバーコ
ート被膜は、感光層の表面に一体的に取り付けられた透
明な電気高絶縁層である。)を作った。この工程で高γ
KIP感光体の試作は終了した。試作した高γKIP感
光体は、図4に断面図によって示した装置により特性を
調べられた。本装置は基本的に作像装置であり、KIP
法で作像する総ての要素が備えられている。図4(A)
は作像の前段であるイレーザー動作を示す図であり、図
4(B)は作像段階を示す図である。イレーザーと作像
は別にしなければならないと言う理由はなく、唯装置の
制作上の理由から2分されているに過ぎない。図4
(A)のACコロナはレンズLにより感光体に照射され
る光の働きを借りて感光層内の前歴を消去する。前歴が
消去された感光体は図4(B)の装置に移し変えられて
次の作像工程に入る。図4(B)の装置は基本的に図4
(A)の装置と同じであるが、感光体に−の帯電を行う
第1のコロナと、次に+の帯電を行う第2及び第3のコ
ロナを持っている点で、図4(A)の装置とは異なって
いる。なお、図4(B)において、10は感光体の上を矢
印方向に水平に移動する移動体で、移動体10には、−の
帯電(−DCコロナ)を行うワイヤ、+の帯電(+DC
コロナ)を行うワイヤ、−の帯電(−DCコロナ)を行
うワイヤ、−の帯電(−DCコロナ)を行うワイヤ及び
+の帯電(+DCコロナ)を行うワイヤの上を遮蔽する
遮光板S1 、+の帯電(+DCコロナ)を行うワイヤの
上を遮蔽する遮光板S2 がそれぞれ設けられている。特
に+の帯電を行うコロナは2分され、2回の+帯電の間
にレンズLによる光像が照射される様に配慮されている
(+の帯電を行う第2のコロナと+の帯電を行う第3の
コロナとの間は遮光板Sが設けられず開放状態となって
いる。)。この2回の+帯電の間に光像が与えられる方
法は、KIP法で光像の照射効果を最も高める方法であ
り、古典的にKIPで「第2の逆極性帯電を行いつつ光
像を照射する」と表現されていた第2の帯電工程の効果
をより高めるものである。即ち、電子写真感光体にある
極性、本実施例では、−の第1の帯電を行う第1の工程
の後、この第1の工程と逆極性の第2の帯電、本実施例
では、+の帯電を行いながら光像により前記電子写真感
光体を励起する(第2の工程)。なお、上述した第1の
工程、第2の工程は暗室内で行われ、第2の工程の後、
暗室内より前記電子写真感光体を取り出し、潜像を保持
する感光体全体を、例えば、室内光に曝すことにより、
光励起する(第3の工程)。従って、具体的には第1の
+コロナで或る電位の+に帯電され、感光層に或る程度
の第2の極性の電界が印加されている条件下で始めて光
照射に応じた自由電荷の移動が起こるのであって、第2
の+コロナは光照射で発生した電荷移動に伴う感光体表
面電位の低下を補い感光体表面電位を強制的に第2の+
電位に強制的に決める。参考迄に理想に近い作像工程の
コロナ配置を図5に示した。図5の+DCコロナ2は、
所謂スコロトロンと呼ばれるグリッドを備えた放電器で
あり、この種のコロナ放電器はグリッドの電圧により帯
電電位が自由に変えられ且つ帯電電位がある値に安定す
る。上述した通り、+DCコロナ2の役割は光像明部の
潜像電位を決めることにあり、ディジタル電子写真潜像
としては、光像暗部は−の電位を示し光像明部は+のあ
る一定の電位を示すことが最も希ましい。この様に現像
すべき部位の電位が一定であれば、現像された可視像の
濃度も一定になり、記録としては最も好ましい状況が実
現出来る。図4に示した装置を使い実験計測した実施例
1の感光体の感度カーブを図7に示した。図7は光量側
をlogスケールで描いてあるので、この感度カーブか
らγが推測される。図7は+コロナ2のグリッド電圧を
被帯電体の表面電位が+200Volt になる様に選んである
ので、光像明部の帯電電位は+200Volt になっている。
光像暗部は光像明部程の安定性はないが、−DC帯電で
誘起されるトラップ電荷密度が一定ならば−の或る電位
に納まる。図7のカーブでは、−帯電電位は−2000Volt
であり、+帯電電位は+200Volt が選択された。図に見
る通り、光入力が 1μJ/cm2 以下の時は感光体表面電位
は−50Volt程度であるが、光入力が 1.6μJ/cm2 以上に
なると感光体表面電位は+200Volt になってしまう。光
入力が 1μJ/cm2 から 1.6μJ/cm2 に変わる間に、感光
体表面電位は−50Voltから+200Volt に変わる。γで表
示すると、γ=8.0 である。高γKIP法で得られる画
像の特徴は、光像暗部が−に帯電し、光像明部が+に帯
電すると言う様に互いに逆極性に帯電しているために、
現像された可視像は(トナーの帯電極性がハッキリして
いれば)明暗がハッキリした(SN比の高い)画像になる
ことである。加えて、一旦作られた潜像は、特に消去す
る工程を与えない限り減弱することがないがないから、
半導体表面に保持されている古典的なカールソン法の潜
像の様に時間的な要因で変化する事がなく、常に安定し
た画像を提供する。特に、ディジタル画像では、信号入
力がONであれば画像信号もONであり、信号入力がO
FFであれば画像信号もOFFでなければならない。し
かもONのレベルもOFFのレベルも常に安定していな
ければならない。高γKIP法はこの要求に充分答え O
3 にも耐え、従来如何なる方式も到達出来なかった「安
定性のある電子写真法」を提供している。感光体表面の
8μm の絶縁層は、10μm 程度の線やドットの潜像を作
るには何の障害にもならない。これは絶縁層にかかる電
界が殆ど感光体の面方向に対し垂直である事に由来する
ものと思われる。次に、実用的な作像装置に使用する円
筒形感光体を試作した。感光体の基本的構成は実施例1
と同じである。唯感光体が円筒形である点で実用性を備
えている。
EXAMPLES (Example 1) "ZnO + phthalocyanine"
An example of a high γ KIP photoconductor having a photoconductive layer thinned with a binder having a volume resistivity of 10 13 Ω-cm or more will be described. Metal-free phthalocyanine 6.0 g (Dainichi Chemical Co., average particle size 0.02 μm) ZnO 46.0 gr (Sakai Chemical Co., average particle size 0.2 μm) Polyester resin・ ・ ・ ・ 138.0gr (Dai Nippon Ink Co., Ltd., trade name Beckolight 54-409) Melamine resin ・ ・ ・ ・ ・ ・ 39.0gr (Dai Nippon Ink Co., Ltd., trade name Super-Beckamine L
-117-60) Cyclohexanone ..... 300.0 gr was put into a vibrating stirrer and stirred for 120 minutes to obtain a coating liquid having a viscosity of 420 cp. Mixing casein · · · · · 4.0Gr iodine · · · · · 0.4Gr ethyl alcohol ····· 20.0gr 5% ammonia H 2 O ··· 200.0gr on one side of the Al foil having a thickness of 100μm were prepared separately Apply the dried liquid to a thickness of 1 μm after drying.
After drying, apply the above coating solution to the gelatin surface
m, heated in an atmosphere of 150 ° C. for 60 minutes, and then stored at room temperature to complete formation of a substrate having a photosensitive layer.
Acrylic resin ・ ・ ・ ・ ・ ・ 80.0 gr (Mitsubishi Rayon Co., Ltd., product name: Dianal LR-214) Toluene ・ ・ ・ ・ ・ ・ A mixture of 80.0 gr is applied by dipping and dried completely. An overcoat film (the overcoat film is a transparent electrically insulating layer integrally attached to the surface of the photosensitive layer) was formed so that the thickness of the film became 8 μm. High γ in this process
The trial production of the KIP photoconductor has been completed. The characteristics of the prototyped high γ KIP photoreceptor were examined by the apparatus shown in the sectional view of FIG. This device is basically an image forming device.
All the elements that form the image are provided. FIG. 4 (A)
FIG. 4B is a diagram showing an eraser operation which is a former stage of image formation, and FIG. 4B is a diagram showing an image formation stage. There is no reason to say that the eraser and the image must be separated, but only for the production of the device, which is divided into two parts. FIG.
The AC corona (A) erases the previous history in the photosensitive layer by using the function of the light irradiated on the photosensitive member by the lens L. The photoreceptor from which the previous history has been erased is transferred to the apparatus shown in FIG. 4B and the next image forming process is started. The device shown in FIG.
FIG. 4A is the same as the device shown in FIG. 4A except that the photosensitive member has a first corona for charging negatively and second and third coronas for charging positively next. ). In FIG. 4B, reference numeral 10 denotes a moving body that moves horizontally on the photoconductor in the direction of an arrow. The moving body 10 includes a wire for performing negative charging (−DC corona) and a positive charging (+ DC corona).
A light-shielding plate S 1 that shields a wire for performing (− corona), a wire for performing − charging (−DC corona), a wire for performing − charging (−DC corona), and a wire for performing + charging (+ DC corona). + charge (+ DC corona) light shielding plate S 2 for shielding on the wire to perform are provided each. In particular, the corona for performing the + charge is divided into two, and consideration is given to irradiating the optical image by the lens L between the two + charges (the second corona for performing the + charge and the + The light-shielding plate S is not provided between the third corona and the third corona. The method in which a light image is given between these two positive charges is a method in which the irradiation effect of the light image is maximized by the KIP method. Irradiation "is further enhanced in the effect of the second charging step. That is, after the first step of performing the first charge of the polarity on the electrophotographic photoreceptor, in this embodiment, the first charge of-, and then the second charge of the opposite polarity to that of the first step, in this embodiment, + The electrophotographic photoreceptor is excited by a light image while performing the charging (second step). Note that the above-described first step and second step are performed in a dark room, and after the second step,
Take out the electrophotographic photoreceptor from the dark room, the entire photoreceptor holding the latent image, for example, by exposing to room light,
Photoexcitation (third step). Therefore, specifically, the free charge corresponding to the light irradiation is first obtained under the condition that the first + corona is charged to a certain potential + and the electric field of the second polarity is applied to the photosensitive layer to a certain degree. Movement occurs and the second
The + corona compensates for the decrease in the surface potential of the photoconductor due to the charge transfer generated by light irradiation, and forcibly increases the surface potential of the photoconductor.
Forcibly determine the potential. For reference, FIG. 5 shows a corona arrangement in an image forming process that is almost ideal. The + DC corona 2 in FIG.
It is a discharger provided with a grid called a so-called scorotron. In this type of corona discharger, the charging potential is freely changed by the voltage of the grid, and the charging potential is stabilized at a certain value. As described above, the role of the + DC corona 2 is to determine the latent image potential of the light image bright portion. As a digital electrophotographic latent image, the light image dark portion has a negative potential and the light bright portion has a certain positive value. Most rarely. If the potential of the portion to be developed is constant in this manner, the density of the developed visible image is also constant, and the most favorable situation for recording can be realized. FIG. 7 shows the sensitivity curve of the photoconductor of Example 1 measured experimentally using the apparatus shown in FIG. In FIG. 7, since the light amount side is drawn on a log scale, γ is estimated from this sensitivity curve. In FIG. 7, since the grid voltage of the + corona 2 is selected so that the surface potential of the member to be charged is +200 Volt, the charging potential of the light image portion is +200 Volt.
The light image dark portion is not as stable as the light image bright portion, but falls within a certain potential of-if the trapped charge density induced by DC charging is constant. In the curve of FIG. 7, the negative charging potential is -2000 Volt
And the + charge potential was selected to be +200 Volt. As shown in the figure, when the light input is 1 μJ / cm 2 or less, the photoconductor surface potential is about −50 Volt. However, when the light input is 1.6 μJ / cm 2 or more, the photoconductor surface potential becomes +200 Volt. While the light input changes from 1 μJ / cm 2 to 1.6 μJ / cm 2 , the photoreceptor surface potential changes from -50 Volt to +200 Volt. When expressed by γ, γ = 8.0. The feature of the image obtained by the high γ KIP method is that the dark portions of the light image are negatively charged and the light image portions are charged to the opposite polarity such that they are positively charged.
The developed visible image is an image in which the brightness and darkness are clear (the SN ratio is high) (if the charged polarity of the toner is clear). In addition, once a latent image is created, it will not be attenuated unless a special erasing step is given.
Unlike the classical Carlson method latent image held on the semiconductor surface, it does not change due to temporal factors, and always provides a stable image. In particular, in the case of a digital image, if the signal input is ON, the image signal is also ON and the signal input is O
If it is FF, the image signal must also be OFF. Moreover, both the ON level and the OFF level must always be stable. High γ KIP method answers this demand well O
It offers a "stable electrophotographic method" that has withstood 3 and could not be reached by any method in the past. Photoconductor surface
An 8 µm insulating layer does not hinder the creation of latent images of lines or dots of the order of 10 µm. This seems to be because the electric field applied to the insulating layer is almost perpendicular to the surface direction of the photoconductor. Next, a cylindrical photoreceptor used for a practical image forming apparatus was prototyped. Basic configuration of photoreceptor is Example 1.
Is the same as The photoreceptor is practical because it has a cylindrical shape.

【0008】(実施例2)先ず、感光体の基盤となる直
径 80mm φの肉厚 1mm の Al 円筒が用意された。 Al
円筒の外表面は 1s 以下の表面粗さに加工されている。
Al 円筒の外表面に感光層との接合調整の為のカゼイン
膜を作るべく、 カゼイン ・・・・・・4.0 gr 沃素 ・・・・・・0.4 gr エチルアルコール・・・・・・ 20.0 gr H2O +0.5% アンモニア ・・・200.0 gr なる配合の液をリングコーターにより、乾燥後の厚さが
1μm になる様に塗布し乾燥した。別に感光層用の 無金属フタロシアニン・・・・・・ 6.0gr (大日精化社製、平均粒径 0.02μm) ZnO ・・・・・・46.0gr (堺化学社製、平均粒径 0.2 μm) ポリエステル樹脂 ・・・・・・138.0gr (大日本インキ社製、商品名 ベッコライト 54-409) メラミン樹脂 ・・・・・・39.0gr (大日本インキ社製、商品名スーパーベッカミン L-117
-60) シクロヘキサノン ・・・・・・300.0gr なる配合の塗液を用意し、リングコーターにより完全乾
燥後の膜厚が 20 μm になる様にカゼイン面上に塗工
し、予備乾燥の後 150℃の雰囲気中で 60 分間加熱し完
全に溶媒を除去した。常温に戻した円筒は感光層を備え
た円筒になっている。次に、表面の絶縁層を取り付ける
べく、先ず上記感光層を シリコン樹脂・・・・・・40.0gr (信越化学社製、商品名 KR-216 ) トルエン ・・・・・・160.0gr なる配合の液中に浸し静かに引き上げるディッピング法
で厚さ 8μm の表面絶縁層(表面絶縁層は、感光層の表
面に一体的に取り付けられた透明な電気高絶縁層であ
る。)を得た。100 ℃の雰囲気中で60分間乾燥し円筒形
高γKIP感光体の制作を終わった。得られた円筒形高
γKIP感光体は図6に示す計測装置に装着され、諸特
性が調べられた。図6は実質的に作像装置と同じであ
り、唯現像位置に電位計測器が置かれている点で計測器
である。電位計と現像器は置き換え得る。感光体ドラム
は、先ずイレーザーAにより光励起とACコロナにより
前歴を消去されてBの−DCコロナに達する。−DCコロナ
Bで感光体表面は均一に−電位(-2000Volt) に帯電され
る(第1の工程)。次に+コロナ C,D で+に帯電され
るが、+に帯電する過程のEで光像の照射を受ける(第
2の工程)。ここ迄の過程で光像暗部(像光の当たらな
い部位)は−に帯電し、光像明部(像光が当たった部
位)は+に帯電した潜像が感光体表面に形成される。次
に、Fで均一なポスト光を受けると、感光層内部の電荷
の偏在は消失し感光体表面の実電荷が潜像として残る
(第3の工程)。この実電荷像の+部分は容易に−トナ
ーを吸着しトナー像を作る。このトナーを吸着する部位
は光像明部であり、光像暗部は−に帯電しているので−
トナーは全く附着せず、極めて明暗の差がハッキリした
可視像が得られる。次に Hに於て、トナー像は転写紙に
転写され、この図には描かれていない定着装置により定
着されプリントが完成する。なお、上述の実施例1、2
の「ZnO+フタロシアニン」にあっては、第1の工程
を−、第2の工程を+に帯電させたが、帯電の極性は、
感光体に依存するため、感光体にある極性の第1の帯電
を行う第1の工程の後の第2の工程は、前述した第1の
工程と逆極性の第2の帯電を行いながら光像により前記
電子写真感光体を励起するようにすれば良い。感光ドラ
ムの周速は 80mm/sec に固定されたが、この周速は光像
の光量が大きければ、更に、高くしても作像動作には支
障を来さない。プリンターとして考えれば、プリント速
度を規定するのは(最も時間がかかるのは)定着部であ
る。コロナによる帯電や現像は決して多くの時間を要す
るものではなく、まして光による感光体内部の電荷像形
成は例え周速が1000mm/sec 以上に達しても光量さえ大
きくすれば問題なく行われる。現像を論ずるのは本発明
の主旨ではないが、プリンターとしての実力は、可視像
で評価されるものであり、トナーの良否が可視像の質を
左右する。従来プリンターの開発で遅れていた部門はト
ナーであり、潜像を作る段階では、例えば(1200dpi が
必要だ)などと言いながら、1200dpi のドットを表現す
るに必要なトナーの開発はなおざりにされていた。例え
ば 1,200dpi のレーザー・プリンターでは画面を構成す
るドットの大きさは 21.2 μm φであるので、これを完
全にドットとして表現するためには 2μm のトナーでな
ければならない。しかし、現実に作られているトナー
は、最も微細なものでも 4.5μm であり、この粒径のト
ナーでは 45 μm のドットしか表現出来ず、560dpi が
解像限界である。高γKIP法の直近の目的とする所
は、レーザー・ビーム・プリンターに使用される感光体
であり、例えばファクシミリにより遠隔地にX線画像の
様な複雑な画像を送信出来ることを狙っている。従来、
転写で残留するトナーを除去する為にブレードによるク
リーニングが行われたのは、トナーの電荷量及びトナー
粒径が不揃いである為に多くのトナーが残留したからク
リーニングせざるを得なかったのであって、トナーの粒
径と帯電電荷量が揃っていれば完全転写が行われ、クリ
ーニングすることは不要になる。現像・転写に関する問
題は本発明の主眼ではないが、本発明の目論む高γKI
Pがその真価を発揮する為には可視化の段を外して議論
する事は出来ない。本発明はディジタルな光信号を感光
体に与えるレーザー・プリンターに使用される電子写真
感光体を企図したものであり、特に、高γKIP感光体
が「光像暗部に相当する潜像は−の帯電電位を持ち、光
像明部に相当する潜像は+の帯電電位を持つ」と言う極
めて特異な性質を持っている事を利用している。レーザ
ーからの光が鋭い分布を持っているのに加えた高γの効
果によりドットの潜像の縁は可成り鋭い電位勾配を持っ
ている。これに上記のKIP固有の(光の当たった部位
と光の当たらなかった部位は逆の極性に帯電する)と言
う効果が加わるのであるから、ドット潜像は図8に示し
た様に極めて急峻な縁を持つことになる。従来の機能分
離型カーソン法感光体がレーザー・プリンターに使われ
た場合、(レーザーを使っているに拘らず画像が甘い)
と言う批判を受けたのはドットが独立していなかったか
らである。高γKIP感光体により作られた潜像は、1
個1個のドット潜像が完全に独立しているので上記の批
判を受ける余地がない。本願方法の際立った特徴は、
「第2の工程で、第1の工程と逆極性の帯電、本実施例
では、+に帯電、つまり、光が入射した部分は−に帯電
し、光の入射しなかった部分は+に帯電する」という所
にある。これを示しているのが、図8であり、この図か
ら明らかなように、−のトナ−は−に帯電している部分
(光が入射しなかった部分)には電気的反発力のために
全く付着し得ない。+に帯電している部分(光が入射し
た部分)には、−のトナ−は吸着される。この光像明部
と光像暗部が互いに逆の極性に帯電した潜像ができるの
は、KIP電子写真法の一般性である。高γKIP法
は、KIP電子写真法の一般性に高γ特性が加わってい
るので、図8のように殆ど矩形波に近い急峻な縁を持つ
潜像ができるのである。更に「一旦できた潜像は光に曝
しても消えない」というKIP電子写真法の一般性が加
わり、その上「KIP法の潜像は感光体表面の絶縁層上
にある実電荷像であるから最も−のトナ−を吸着し易
い」という事情が加わるので、従来の如何なる電子写真
法に比べても遥かにSN比が高く解像力の高い画像が得
られるのである。しかしながら、上述した実施例におい
ては、A) 第1の−帯電の結果出来るトラップが確実性
に欠ける点、B) 高湿度の雰囲気中に長時間放置される
と、トラップが形成されにくくなる点が生じた。本発明
者は、この点を修正すべく次の実施例3を行い、両欠点
が完全に排除されていることを確認した。
(Embodiment 2) First, an Al cylinder having a diameter of 80 mm and a thickness of 1 mm serving as a base of a photoreceptor was prepared. Al
The outer surface of the cylinder is machined to a surface roughness of 1s or less.
In order to form a casein film on the outer surface of the Al cylinder for bonding adjustment with the photosensitive layer, casein ・ ・ ・ ・ ・ ・ 4.0 gr iodine ・ ・ ・ ・ ・ ・ 0.4 gr ethyl alcohol ・ ・ ・ ・ ・ ・ 20.0 gr H 2 O + 0.5% ammonia ...
It was applied to a thickness of 1 μm and dried. Separately, metal-free phthalocyanine for photosensitive layer: 6.0 gr (Daiichi Seika, average particle size: 0.02 μm) ZnO: 46.0 gr (Sakai Chemical Co., average particle size: 0.2 μm) Polyester resin: 138.0gr (Dai Nippon Ink Co., Ltd., trade name Beckolight 54-409) Melamine resin: 39.0gr (Dai Nippon Ink Co., Ltd., trade name: Super Beckamine L-117)
-60) Cyclohexanone ・ ・ ・ ・ ・ ・ Prepare a coating solution with a composition of 300.0gr, apply it to the casein surface with a ring coater so that the film thickness after complete drying becomes 20μm, and after pre-drying, The solvent was completely removed by heating in an atmosphere of ° C for 60 minutes. The cylinder returned to normal temperature is a cylinder provided with a photosensitive layer. Next, in order to attach the insulating layer on the surface, first, the photosensitive layer was coated with silicone resin ... 40.0gr (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., product name: KR-216) Toluene ... 160.0gr A surface insulating layer having a thickness of 8 μm (a surface insulating layer is a transparent electrically insulating layer integrally attached to the surface of the photosensitive layer) was obtained by a dipping method of dipping in a liquid and gently pulling up. After drying in an atmosphere at 100 ° C. for 60 minutes, the production of a cylindrical high γ KIP photoconductor was completed. The obtained cylindrical high γ KIP photoreceptor was mounted on a measuring device shown in FIG. 6, and various characteristics were examined. FIG. 6 is substantially the same as the image forming apparatus, and is a measuring instrument only in that a potential measuring instrument is placed at the developing position. The electrometer and the developer can be replaced. The photoreceptor drum is first photoexcited by the eraser A and erased by the AC corona, and reaches the B-DC corona. The surface of the photoreceptor is uniformly charged to a potential (-2000 Volt) by the DC corona B (first step). Next, it is charged to + by the + coronas C and D, and is irradiated with a light image in E in the process of being charged to the + (second step). In the process so far, the dark portion of the light image (the portion not exposed to the image light) is negatively charged, and the light image bright portion (the portion where the image light is irradiated) is a positively charged latent image formed on the surface of the photoreceptor. Next, when a uniform post light is received by F, the uneven distribution of the charge inside the photosensitive layer disappears, and the actual charge on the surface of the photosensitive member remains as a latent image (third step). The + portion of the real charge image easily absorbs the-toner to form a toner image. The portion where this toner is adsorbed is the light image bright part, and the light image dark part is negatively charged.
No toner is attached at all, and a visible image with a very clear difference in brightness is obtained. Next, at H, the toner image is transferred to a transfer sheet, and fixed by a fixing device not shown in the figure to complete the print. Note that the first and second embodiments described above
In “ZnO + phthalocyanine”, the first step was charged to − and the second step was charged to +.
Since the photoconductor is dependent on the photoconductor, a second process after the first process of performing the first charge of a certain polarity on the photoconductor is performed while performing the second charge of the opposite polarity to the above-described first process. The electrophotographic photoreceptor may be excited by an image. The peripheral speed of the photosensitive drum is fixed at 80 mm / sec. However, if the peripheral speed of the light image is large, even if the peripheral speed is further increased, the image forming operation is not hindered. When considered as a printer, it is the fixing unit that determines the printing speed (the one that takes the longest time). Charging and development by the corona do not take much time. Even if the charge image is formed inside the photoreceptor by light, even if the peripheral speed reaches 1000 mm / sec or more, if the amount of light is increased, no problem occurs. Although it is not the gist of the present invention to discuss development, the ability as a printer is evaluated by a visible image, and the quality of the toner determines the quality of the visible image. The department that was behind in the development of printers in the past was toner. In the stage of creating a latent image, the development of toner required to express 1200 dpi dots was neglected, for example, saying (1200 dpi is required). Was. For example, in a 1,200 dpi laser printer, the size of the dots that compose the screen is 21.2 μm φ, so it must be 2 μm toner to completely represent this as a dot. However, the toner actually made is 4.5 μm at the finest, and a toner of this particle size can express only 45 μm dots, and the resolution limit is 560 dpi. The most recent object of the high γ KIP method is a photoreceptor used for a laser beam printer, which aims to transmit a complex image such as an X-ray image to a remote place by facsimile, for example. Conventionally,
The cleaning with a blade was performed to remove the toner remaining in the transfer because the amount of toner and the toner particle size were not uniform, and a large amount of toner remained, so that cleaning had to be performed. If the particle size of the toner and the amount of charge are uniform, complete transfer is performed, and cleaning is not required. Although problems relating to development and transfer are not the focus of the present invention, the high γKI
In order for P to demonstrate its true value, it cannot be discussed outside the visualization stage. The present invention contemplates an electrophotographic photoreceptor for use in a laser printer that provides a digital light signal to the photoreceptor. A latent image corresponding to a light image bright portion has a positive charging potential. " The edge of the latent image of the dot has a considerably sharp potential gradient due to the effect of high γ in addition to the sharp distribution of light from the laser. In addition to the above-described effect unique to the KIP (parts exposed to light and parts not exposed to light are charged to opposite polarities), the dot latent image is extremely steep as shown in FIG. Will have a rich edge. When the conventional function-separated Carson method photoconductor is used in a laser printer (the image is sweet regardless of the laser)
He was criticized because dots were not independent. The latent image produced by the high γ KIP photoreceptor is 1
Since each dot latent image is completely independent, there is no room for the above criticism. The salient features of our method are:
"In the second step, the charge of the polarity opposite to that of the first step, in this embodiment, the charge is positive. In other words, the portion where light is incident is charged negatively, and the portion where light is not incident is positively charged. I do it ". This is shown in FIG. 8. As is apparent from FIG. 8, the toner of “−” is applied to the charged portion (the portion where no light is incident) due to the electric repulsive force. Can not be attached at all. The toner of-is adsorbed to the portion charged to + (the portion where light is incident). It is the generality of the KIP electrophotography that a latent image in which the light image light portion and the light image dark portion are charged with polarities opposite to each other is formed. In the high γ KIP method, since the high γ characteristic is added to the generality of the KIP electrophotographic method, a latent image having a sharp edge almost like a rectangular wave as shown in FIG. 8 can be formed. In addition to the generality of KIP electrophotography, "the latent image once formed does not disappear even when exposed to light", the "latent image of the KIP method is a real charge image on the insulating layer on the surface of the photoreceptor." Therefore, an image having a much higher SN ratio and higher resolution than any conventional electrophotographic method can be obtained. However, in the above-mentioned embodiment, A) the trap formed as a result of the first negative charging lacks certainty, and B) the trap is hardly formed when left in a high humidity atmosphere for a long time. occured. The present inventor carried out the following Example 3 to correct this point, and confirmed that both disadvantages were completely eliminated.

【0009】(実施例3)直径 80mm 厚さ 1mm の Al
円筒を用意した。表面は 1s 以下の粗度に仕上げられて
いる。先ずこの円筒の表面に カゼイン ・・・・・・・・・・ 40gr 沃素 ・・・・・・・・・・ 0.4gr エチルアルコール ・・・・・・・・・・ 20gr H2O+0.5%アンモニア ・・・・・・・ 200gr なる配合の液をリングコーターにより、乾燥後の厚さが
1μm になるように塗布・乾燥した。別に 無金属フタロシアニン・・・・・・・・・ 7.6gr (大日精化社製、平均粒径 0.02 μm ) ZnO ・・・・・・・・・・・10.0gr (堺化学社製、平均粒径 0.2μm ) シリコンエポキシワニス ・・・・・・90.0gr (信越化学社製、商品名 ES1001N) シクロヘキサノン ・・・・・・・・・・140.0gr なる配合の塗液を用意し、リングコーターにより完全乾
燥後の膜厚が 20 μm になるようにカゼイン面上に塗工
し、室温で予備乾燥の後150 ℃の雰囲気中で60分間加熱
し完全に溶媒を除去した。室温に戻した円筒は、感光層
を備えた円筒になっている。次に、表面の絶縁層を取り
付けるべく、 アクリル樹脂 ・・・・・・・・・・ 5.0gr (三菱レーヨン社製、商品名ダイヤナール LR-214 ) トルエン ・・・・・・・・・ 80.0gr の混合液を感光層表面にディッピングにより塗布し、完
全乾燥後の厚さが 8μmになるようにオバーコート層
(オバーコート層は、感光層の表面に一体的に取り付け
られた透明な電気高絶縁層である。)を作った。この工
程で高γKIP円筒感光体の試作は終了した。念の為 1
00μm の厚さの Al フォイールにも上記と同じ工程で感
光層・絶縁層が取り付けられ、平板高γKIP感光体も
作られた。作られた2種の高γKIP感光体は、図4・
図6で示した装置の一部を改造した装置により綿密に調
べられた。先ず、平板高γKIP感光体が図4の装置を
使い調べられ、その結果第1の−帯電の目的とするトラ
ップを作る為には第1の−帯電後に光照射する事が非常
に有効である事が確かめられた。これは (ZnO+フタロシ
アニン)と言う感光層では光が照射されない限り電荷が
動かない事を意味するものと考えられる。言うまでも無
く、第1の−帯電に従って出来るトラップ電荷は絶縁層
直下で蓄えられる。そのトラップ電荷を作る為には自由
電荷の発生・移動を必要とする。(ZnO+フタロシアニン)
層中で自由電荷が発生し、自由電荷が絶縁層直下に移
動する為には光による励起が必要になるのであると理解
されている。この点は不純物を含む感光体に起こる古典
的KIP現象とは大きく異なる。図9は、図4に示した
装置を一部改良したものである。図9に示すように、感
光体の上を移動体10が矢印方向に移動するようになって
おり、移動体10には、第1の−コロナ(ワイヤ)と第2
の+コロナ(ワイヤ)の間にはランプが設けられ、第1
の−帯電直後にこのランプにより光が照射される。即
ち、電子写真感光体にある極性、本実施例では、−の第
1の帯電を行う第1の工程の後、前記ランプにより光を
照射する(第2の工程)。ランプの光は第2の+コロナ
に入らぬ様に遮光板S1 により遮光されている。(第1
コロナ・ランプ・第2コロナ)は一群となった移動体10
により移動するようになっている。即ち、移動体10の移
動により上述した第2の工程の後、上述した第1の工程
と逆極性の第2の帯電、本実施例では、+の帯電を行い
ながら光像により前記電子写真感光体を励起する(第3
の工程)。なお、上述した第1の工程、第2の工程、第
3の工程は図示しない暗室内で行われ、第3の工程の
後、暗室内より前記電子写真感光体を取り出し、潜像を
保持する感光体全体を、例えば、室内光に曝すことによ
り、光励起する(第4の工程)。その結果、引き伸ばし
器からの光像は、第2の2ケの+コロナの隙間から感光
体表面に投影される。(コロナ・ランプ)群の移動速度
は88mm/sec程度である。第1の−コロナと第2の+コロ
ナの間隔は 50mm 以上であればよく、ランプは定格 15v
olt の白熱球に10〜13voltを加えたものであり、光量は
10 μJ /cm2程度である。第1のコロナには- 6700volt
が加えられ、このコロナにより感光体の絶縁層表面は-2
000volt に帯電される。第2の+コロナには+5300 volt
が加えられ,このコロナにより、光像明部の絶縁層表面
は+200voltになる。光像暗部は-50volt である。暗部が
-50volt で明部が+200voltと電位の差は小さいが、この
潜像を−トナーで現像すると−トナーは光像暗部には全
く附着せず光像明部だけに選択的に附着する。光像暗部
は−に帯電しているから−トナーは弾かれて全く附着出
来ないのである。この実験から実施例3の感光体は、レ
ーザー・ドット・プリンターに最適な特性を持っている
事が分かった。この結果を円筒形感光体にも適用すべ
く、図6の装置は図10のように修正された。図10のAは
−DCコロナ を示し、Dは+DCコロナ を示している。+
DCコロナ は2個ある。AとDの間にはランプによる光
励起が行われる。2個の+DCコロナ の間に光像が投影
される。レーザー・プリンターではE点にレーザー光が
照射される。G点は計測器・現像器が来るところであ
る。G点とD点の間にポスト光が照射される。ポスト光
の役割は感光層内の分布電荷を消す事であり、ポスト光
により絶縁層表面にある実電荷潜像の実体が明瞭にな
る。その後に行われる現像では、−トナーがEで光の当
たった所だけに附着する。即ち、感光体ドラムは、図10
に示す様に回転し、先ずAの−DCコロナに達する。−DC
コロナAで感光体表面は均一に−電位に帯電される(第
1の工程)。−帯電直後にランプにより光を照射し(第
2の工程)、トラップを形成する。次に+コロナC、D
で+に帯電されるが、+に帯電する過程のEで光像の照
射を受ける(第3の工程)。ここ迄の過程で光像暗部
(像光の当たらない部位)は−に帯電し、光像明部(像
光が当たった部位)は+に帯電した潜像が感光体表面に
形成される。次に、Fで均一なポスト光を受けると、感
光層内部の電荷の偏在は消失し感光体表面の実電荷が潜
像として残る(第4の工程)。この実電荷像の+部分は
容易に−トナーを吸着しトナー像を作る。このトナーを
吸着する部位は光像明部であり、光像暗部は−に帯電し
ているので−トナーは全く附着せず、極めて明暗の差が
ハッキリした可視像が得られる。次に Hに於て、トナー
像は転写紙に転写され、この図には描かれていない定着
装置により定着されプリントが完成する。図9の装置を
使い綿密に調べた実施例3の感光体の感度曲線は図11に
示す通りである。γ≒8 であり、高γである。この程度
のγであれば、光信号の入射した所しか−トナーが附着
しないと言う高γKIP法の特性と相まってレーザー光
信号の入射した所は確実に−トナーにより可視化され
る。実施例3の感光体を 85%以上の高湿雰囲気中に 24
時間以上放置した後に特性を調べたが、作像性は何等の
低下も無く充分な耐湿性を持っている事が確かめられ
た。これはシリコンエポキシをバインダーに使った効果
である。以下、−トナーが転写部で紙に転写され熱定着
されてプリントを作ることは説明するまでもない。な
お、上述の実施例3の「ZnO+フタロシアニン」にあ
っては、第1の工程を−、第3の工程を+に帯電させた
が、帯電の極性は、感光体に依存するため、感光体にあ
る極性の第1の帯電を行う第1の工程の後、光を照射す
る第2の工程の後の第3の工程は、前述した第1の工程
と逆極性の第2の帯電を行いながら光像により前記電子
写真感光体を励起するようにすれば良い。また、上述の
実施例1、2、3のP型半導体の一実施例として、フタ
ロシアニンを挙げたが、本発明にあっては、これに限定
されることなく、例えば、Si等でも良く、また、N型
半導体の一実施例として、ZnOを挙げたが、本発明に
あっては、これに限定されることなく、例えば、Cd
S、ZnS等でも良い。また、P型半導体微粉体とN型
半導体微粉体を混合し1013Ω-cm 以上の体積固有抵抗
を持つバインダーで薄層化した感光層の表面に一体的に
取り付けられた透明な電気高絶縁層は、例えば、1013
Ω-cm 以上の体積固有抵抗を持つものである。
Example 3 Al having a diameter of 80 mm and a thickness of 1 mm
A cylinder was prepared. The surface is finished to less than 1s roughness. First of all, casein on the surface of this cylinder 40 g iodine 0.4 g ethyl alcohol 20 gr H 2 O + 0.5% Ammonia ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ The liquid after mixing is dried with a ring coater to a thickness of 200gr.
It was applied and dried to a thickness of 1 μm. Separately, metal-free phthalocyanine ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ 7.6gr (Dainichi Seika Co., Ltd., average particle size 0.02 μm) ZnO ・ ・ ・ 10.0gr (Sakai Chemical Co., Ltd., average particle size) Diameter 0.2μm) Silicone epoxy varnish ・ ・ ・ ・ ・ ・ 90.0gr (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., product name ES1001N) Cyclohexanone ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Prepare a coating liquid of 140.0gr and use a ring coater. Coating was performed on the casein surface so that the film thickness after complete drying became 20 μm, and after preliminary drying at room temperature, heating was performed in an atmosphere at 150 ° C. for 60 minutes to completely remove the solvent. The cylinder returned to room temperature is a cylinder provided with a photosensitive layer. Next, in order to attach the insulating layer on the surface, acrylic resin .......... 5.0 gr (manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd., product name "Dianal LR-214") Toluene ... 80.0 gr is applied to the surface of the photosensitive layer by dipping, and the overcoat layer (the overcoat layer is a transparent electric height integrally attached to the surface of the photosensitive layer) so that the thickness after complete drying is 8 μm. It is an insulating layer.) In this process, the trial production of the high γ KIP cylindrical photoconductor was completed. Just in case 1
A photosensitive layer and an insulating layer were attached to the Al foil having a thickness of 00 μm in the same steps as described above, and a flat high γ KIP photosensitive member was produced. The two types of high γ KIP photoreceptors made are shown in Fig. 4.
This was closely examined by a device obtained by modifying a part of the device shown in FIG. First, a flat high γ KIP photoreceptor is examined by using the apparatus shown in FIG. 4, and as a result, it is very effective to irradiate light after the first-charging to make a trap targeted for the first-charging. The thing was confirmed. This is considered to mean that the charge does not move in the photosensitive layer called (ZnO + phthalocyanine) unless light is irradiated. Needless to say, trapped charges generated in accordance with the first negative charging are stored immediately below the insulating layer. In order to generate the trapped charges, it is necessary to generate and move free charges. (ZnO + phthalocyanine)
It is understood that free charge is generated in the layer, and excitation by light is required for the free charge to move directly below the insulating layer. This point is significantly different from the classic KIP phenomenon that occurs in the photoconductor containing impurities. FIG. 9 is a partial modification of the device shown in FIG. As shown in FIG. 9, the moving body 10 moves in the direction of the arrow on the photoconductor, and the moving body 10 includes a first-corona (wire) and a second-corona (wire).
A lamp is provided between the + corona (wire) and the first
The lamp is irradiated with light immediately after the charging. That is, after the first step of performing the first charge of the polarity on the electrophotographic photoreceptor, in this embodiment, the first charge of-, the lamp is irradiated with light (second step). Light from the lamp is shielded from light by the light shielding plate S 1 as unexpected fall in the second + corona. (First
The corona, ramp, and second corona) are a group of moving objects 10
To move. That is, after the above-described second step by the movement of the moving body 10, the above-described electrophotographic photosensitive is performed by a light image while performing the second charge of the opposite polarity to the above-mentioned first step, in this embodiment, + charge. Excites the body (third
Process). The above-described first, second, and third steps are performed in a dark room (not shown). After the third step, the electrophotographic photosensitive member is taken out of the dark room to hold a latent image. The entire photoconductor is photo-excited, for example, by exposing it to room light (fourth step). As a result, the light image from the enlarger is projected onto the photoreceptor surface from the gap between the second two + coronas. The moving speed of the (corona ramp) group is about 88 mm / sec. The distance between the first-corona and the second + corona should be 50mm or more, and the lamp is rated 15v
olt incandescent bulb plus 10-13 volts.
It is about 10 μJ / cm 2 . -6700volt for the first corona
Is added, and the surface of the insulating layer of the photoreceptor is -2 by this corona.
Charged to 000volt. +5300 volts for the second + corona
The corona changes the surface of the insulating layer at the light image portion to +200 volts. The light image dark part is -50 volt. Dark part
Although the difference in potential is small at -50 volts and the bright portion is +200 volts, when this latent image is developed with toner, the toner selectively adheres only to the light image bright portion without adhering to the dark portion of the light image. Since the dark portion of the light image is negatively charged, the toner is repelled and cannot be attached at all. From this experiment, it was found that the photoreceptor of Example 3 had optimal characteristics for a laser dot printer. In order to apply this result to a cylindrical photoreceptor, the apparatus of FIG. 6 was modified as shown in FIG. FIG. 10A shows a -DC corona, and D shows a + DC corona. +
There are two DC coronas. Light excitation by a lamp is performed between A and D. An optical image is projected between the two + DC coronas. In a laser printer, point E is irradiated with laser light. Point G is where the measuring and developing devices come. Post light is applied between the points G and D. The role of the post light is to eliminate the distributed charges in the photosensitive layer, and the post light clarifies the actual charge latent image on the surface of the insulating layer. In the subsequent development, the toner adheres only to the area where the light was applied by E. That is, the photosensitive drum is
, And reaches the -DC corona of A first. −DC
The surface of the photoreceptor is uniformly charged to a negative potential by the corona A (first step). -Immediately after charging, light is irradiated by a lamp (second step) to form a trap. Then + corona C, D
Is charged to +, but is irradiated with a light image in E in the process of being charged to + (third step). In the process so far, the dark portion of the light image (the portion not exposed to the image light) is negatively charged, and the light image bright portion (the portion where the image light is irradiated) is a positively charged latent image formed on the surface of the photoreceptor. Next, when a uniform post light is received at F, the uneven distribution of the charge inside the photosensitive layer disappears, and the actual charge on the surface of the photoconductor remains as a latent image (fourth step). The + portion of the real charge image easily absorbs the-toner to form a toner image. The portion where the toner is adsorbed is a light image bright portion, and the light image dark portion is negatively charged, so that no toner adheres, and a visible image with a very clear difference in brightness is obtained. Next, at H, the toner image is transferred to a transfer sheet, and fixed by a fixing device not shown in the figure to complete the print. FIG. 11 shows the sensitivity curve of the photoreceptor of Example 3 which was closely examined using the apparatus of FIG. γ ≒ 8 and high γ. With this degree of γ, the portion where the laser light signal is incident is certainly visualized by the toner in combination with the characteristic of the high γ KIP method that the toner adheres only at the portion where the optical signal is incident. The photoconductor of Example 3 was placed in a high humidity atmosphere of 85% or more.
After standing for more than an hour, the characteristics were examined, and it was confirmed that the image forming properties had sufficient moisture resistance without any decrease. This is the effect of using silicone epoxy as the binder. Hereinafter, it is needless to say that the toner is transferred to the paper at the transfer portion and is thermally fixed to form a print. In the case of “ZnO + phthalocyanine” in Example 3 described above, the first step was charged negatively and the third step was charged positively. However, since the polarity of charging depends on the photoreceptor, After the first step of performing the first charge of a certain polarity, the third step after the second step of irradiating light performs the second charge of the opposite polarity to the first step described above. However, the electrophotographic photosensitive member may be excited by a light image. In addition, phthalocyanine is described as an example of the P-type semiconductors of Examples 1, 2, and 3 described above. However, the present invention is not limited to this, and may be, for example, Si or the like. As an example of the N-type semiconductor, ZnO is mentioned, but the present invention is not limited to this, and for example, Cd
S, ZnS or the like may be used. Also, a transparent electric high-insulation material is prepared by mixing a P-type semiconductor fine powder and an N-type semiconductor fine powder and integrally attached to the surface of a photosensitive layer thinned with a binder having a volume resistivity of 10 13 Ω-cm or more. The layer is, for example, 10 13
It has a volume resistivity of Ω-cm or more.

【0010】上述の実施例においては、感光体の繰り返
し使用に難のあることが分かった。これは、上述の実施
例で使用したZnO が388 mμより短波長の光でしか励起
されないためである。ZnO とフタロシアニンの混合体で
起こるトラップは、ZnO とフタロシアニンの接点の抵抗
が非常に高い事で保持されている。作られたトラップを
解放する為には、ZnO かフタロシアニンのどちらかを光
で励起しなければならない。図12は感光体を動作させる
為の作像装置である。図12に示した通り、第1の帯電の
直後に分極光の照射が行われる。この分極光の役割は、
感光層を励起してKIP 法に必要な分極電荷を形成する事
と、KIP 法に不必要で有害な電極近傍のトラップ電荷を
除去する事にある。即ち、感光体10のドラムは、図12に
示す様に回転し、先ずAの−DCコロナに達する。−DCコ
ロナAで感光体10表面は均一に−電位に帯電される(第
1の工程)。−帯電直後にランプPにより光を照射し
(第2の工程)、トラップを形成する。次に+コロナ
C、Dで+に帯電されるが、+に帯電する過程のEでL
光像の照射を受ける(第3の工程)。ここ迄の過程で光
像暗部(像光の当たらない部位)は−に帯電し、光像明
部(像光が当たった部位)は+に帯電した潜像が感光体
10表面に形成される。次に、Fで均一なポスト光を受け
ると、感光層10内部の電荷の偏在は消失し感光体10表面
の実電荷が潜像として残る(第4の工程)。
In the above embodiment, it was found that it was difficult to use the photosensitive member repeatedly. This is because the ZnO used in the above embodiment can be excited only by light having a wavelength shorter than 388 mμ. The trap that occurs in the mixture of ZnO and phthalocyanine is supported by the very high resistance of the contact between ZnO and phthalocyanine. To release the created trap, either ZnO or phthalocyanine must be excited with light. FIG. 12 shows an image forming apparatus for operating the photoconductor. As shown in FIG. 12, irradiation of polarized light is performed immediately after the first charging. The role of this polarized light is
The purpose is to excite the photosensitive layer to form polarized charges required for the KIP method, and to remove trap charges near the electrode that are unnecessary and harmful for the KIP method. That is, the drum of the photoreceptor 10 rotates as shown in FIG. 12, and reaches the -DC corona of A first. The surface of the photoreceptor 10 is uniformly charged to a negative potential by the DC corona A (first step). Immediately after charging, light is irradiated by the lamp P (second step) to form a trap. Next, it is charged to + by + corona C and D, but it is L at E in the process of charging to +.
A light image is irradiated (third step). In the process up to this point, the dark portion of the light image (the portion not exposed to the image light) is negatively charged, and the light image bright portion (the portion where the image light is exposed) is the positively charged latent image.
Formed on 10 surfaces. Next, when a uniform post light is received by F, the uneven distribution of the charge inside the photosensitive layer 10 disappears, and the actual charge on the surface of the photosensitive member 10 remains as a latent image (fourth step).

【0011】図13は、KIP 法に必要な分極電荷とKIP 法
に不必要で有害な電極近傍のトラップ電荷を模型的に表
現した図であり、11は透明な電気高絶縁層を、12は感光
層を、13は電極を、それぞれ示している。図13に見る通
り、電極13近傍のトラップ電荷は感光層12の表面から遠
い部位に存在するのでこのトラップ電荷を除去する光は
途中の感光層12に吸収され、わずかな光しか到達しな
い。更に、図12に示した分極光は例えば白熱電球Pであ
るから、元来、ZnO を励起する成分が非常に少ない。こ
れらが相まって(フタロシアニン+ZnO )を感光材料と
するKIP 法では電極13近傍のトラップ電荷が解放されず
に残ってしまうのである。図13のB’の位置にあるトラ
ップ電荷は、作像に対して有害・無益である。
FIG. 13 is a schematic representation of the polarization charge necessary for the KIP method and the trap charge near the electrode that is unnecessary and harmful to the KIP method. Reference numeral 13 denotes a photosensitive layer, and 13 denotes an electrode. As shown in FIG. 13, trapped charges in the vicinity of the electrode 13 are present in a portion far from the surface of the photosensitive layer 12, so that light for removing the trapped charges is absorbed by the photosensitive layer 12 on the way, and only a small amount of light reaches. Further, since the polarized light shown in FIG. 12 is, for example, an incandescent light bulb P, the component which originally excites ZnO is very small. Together, in the KIP method using (phthalocyanine + ZnO 2) as a photosensitive material, trapped charges near the electrode 13 remain without being released. The trapped charges at the position B 'in FIG. 13 are harmful and useless to the image formation.

【0012】上述のKIP 法の第2の工程ではトラップ電
荷は図13のA’の位置にあるが、第3の工程の光像明部
では図13のB’に位置に移る。即ち、図13のB’に位置
にトラップ電荷が存在する事は、第3の工程の光像明部
の状態に在ると言う事である。このトラップ電荷が次の
サイクルに持ち越されると、前のサイクルの履歴が次の
サイクルに入り込んでしまう。以上が(フタロシアニン
+ZnO )を感光材料とするKIP 法感光体で起こる不都合
の説明であるが、この不都合を排除する為には、図13の
B’に位置のトラップ電荷を消去しなければならない。
図13のB’の位置のトラップ電荷は、dの厚さの感光層
12に覆われているので、この感光層12に吸収され光は
(吸収された残り)しか届かない。トラップを解放する
為には、フタロシアニンかZnO のどちらかが光励起され
ればよい。本発明では(フタロシアニン+ZnO )に代わ
って(フタロシアニン+CdS )を考えるのを基本とし
た。しかし、CdS は公害を考えると現状では使用出来な
い。CdS の代わりにPbO を使う事も出来るが、現状では
PbO も公害の可能性がある。最も安全な材料として、
(ローズベンガルで増感したZnO )を選んで実験する
と、図12に示した装置により完全にKIP 法として働く事
が分かった。一般的には(ローズベンガルで増感したZn
O )は紫外線によりローズベンガルが破壊されるから寿
命が短いとされているが、図12に示した装置では紫外線
が感光体10に与えられるチャンスが無いのでローズベン
ガルは破壊されない。実験的に潜像形成を繰り返すと、
数10万サイクル繰り返しても(ローズベンガルで増感
したZnO )が働かなくなる兆候は認められなかった。即
ち、図12の装置により前歴の無い完全な画像が数10万
サイクル得られたのである。勿論フタロシアニンにも
(ローズベンガルで増感したZnO )にも公害性がないの
で、この感光体10は公害の危険を持たない。
In the second step of the KIP method described above, the trapped charges are at the position of A 'in FIG. 13, but move to the position of B' in FIG. 13 in the light image portion of the third step. That is, the presence of trapped charges at the position B 'in FIG. 13 means that the state is in the state of the light image portion in the third step. When this trap charge is carried over to the next cycle, the history of the previous cycle enters the next cycle. The above is a description of the inconvenience that occurs in the KIP method photoreceptor using (phthalocyanine + ZnO 2) as a photosensitive material. To eliminate this inconvenience, the trapped charge at the position B ′ in FIG. 13 must be erased.
The trapped charge at the position B 'in FIG. 13 is a photosensitive layer having a thickness of d.
Since light is absorbed by the photosensitive layer 12, the light absorbed by the photosensitive layer 12 reaches only (absorbed residue). To release the trap, either phthalocyanine or ZnO may be photoexcited. In the present invention, (phthalocyanine + CdS) is basically considered instead of (phthalocyanine + ZnO). However, CdS cannot be used at present due to pollution. PbO can be used instead of CdS, but at present
PbO also has the potential for pollution. As the safest material,
An experiment with (ZnO 2 sensitized by Rose Bengal) was selected, and it was found that the apparatus shown in FIG. 12 works completely as a KIP method. In general (Zn sensitized by Rose Bengal
O) is considered to have a short life because rose bengal is destroyed by ultraviolet rays. However, in the apparatus shown in FIG. 12, since there is no chance that ultraviolet rays are given to the photoconductor 10, rose bengal is not destroyed. By repeating latent image formation experimentally,
Even after several hundred thousand cycles, no signs of dysfunction of the ZnO sensitized with Rose Bengal were observed. That is, several hundred thousand cycles of complete images without previous history were obtained by the apparatus of FIG. Of course, neither phthalocyanine nor (ZnO 2 sensitized with Rose Bengal) is pollutant, so this photoreceptor 10 has no risk of pollution.

【0013】(実施例4)P型半導体微粉体(例えば、
フタロシアニン)とN型半導体微粉体(例えば、ロ−ズ
ベンガルで色素増感したZnO)を1013Ωcm以上の体積
固有抵抗を持つバインダ−で薄層化した感光層12を有す
る高γKIP感光体10(電子写真感光体)の実施例を記
述する。先ずローズベンガルで増感したZnO を作る為
に、 ZnO ・・・・・・・・・・・・・ 100gr (堺化学社製、平均粒径 0.2μm ) テトラクロロテトラヨ−ドフルオレセイン(ローズベン
ガルの前駆体) (酸ローズベンガル)・・・・・・・・・・ 0.1gr トルエン ・・・・・・・・・・・ 200gr テトラヒドロフラン・・・・・・・・・・・ 10gr 上記を混合し、ボールミルで1時間混和し、乾燥後10
0℃で1時間加熱し、増感ZnOを得た。次に、感光層
12を作ることを目的として、 増感されたZnO ・・・・・・・・・・・・・ 100gr 無金属フタロシアニン ・・・・・・・・・ 46.0gr (大日精化社製、平均粒径 0.02 μm ) ポリエステル樹脂 ・・・・・・・・・・・・138.0gr (三井東圧化学社製、商品名P-645 ) メラミン樹脂 ・・・・・・・・・・・・・39.0gr (三井東圧化学社製、商品名ユ−バン 20-HS ) シクロヘキサノン ・・・・・・・・・・・・・ 400gr を振動型攪拌機に入れ、120 分間混和して420cp の感光
層用塗液を得た。80μの厚さのA1フォイルを支持電極
とし、その表面にリングコーターを使い感光層用塗液を
乾燥後の厚さが20μm になる様に塗工し、風乾後 150
℃の雰囲気中に120 分間加熱し、加熱後冷却して感光層
12の製作を終わった。
(Embodiment 4) P-type semiconductor fine powder (for example,
High γ KIP photoreceptor 10 having a photosensitive layer 12 in which a phthalocyanine) and an N-type semiconductor fine powder (for example, ZnO dye-sensitized with Rose Bengal) are thinned with a binder having a volume resistivity of 10 13 Ωcm or more. Examples of the present invention will be described. First, to make ZnO sensitized with Rose Bengal, ZnO: 100gr (Sakai Chemical Co., average particle size 0.2μm) Tetrachlorotetraiodofluorescein (Rose Bengal) Precursor) (Rose Bengal acid) 0.1 g Toluene 200 gr Tetrahydrofuran 10 gr And mix in a ball mill for 1 hour.
Heating at 0 ° C. for 1 hour gave sensitized ZnO. Next, the photosensitive layer
Sensitized ZnO for the purpose of making 12 .. 100gr metal-free phthalocyanine 46.0gr (Daiichi Seika Co., Ltd., average grain Diameter 0.02 μm) Polyester resin ··· 138.0 gr (Mitsui Toatsu Chemicals Co., Ltd., trade name P-645) Melamine resin ··· 39.0 gr (manufactured by Mitsui Toatsu Chemicals Co., Ltd., trade name: Uban 20-HS) Cyclohexanone: 400gr is put into a vibrating stirrer and mixed for 120 minutes for a photosensitive layer of 420cp. A coating liquid was obtained. An 80 μm thick A1 foil is used as a supporting electrode, and a coating liquid for a photosensitive layer is applied to the surface thereof using a ring coater so that the thickness after drying becomes 20 μm.
Heat for 120 minutes in an atmosphere at a temperature of
Finished the production of 12.

【0014】次に、電気高絶縁層11(透明な電気高絶縁
層は、例えば、1013Ω-cm 以上の体積固有抵抗を持つ
もの)用の塗液として、 アクリル樹脂・・・・・・・・・・・・・ 80.0gr (三菱レ−ヨン社製、商品名ダイヤナ−ル LR 214) トルエン ・・・・・・・・・・・・・ 100gr の混和液を用意し、この混和液をリングコ−タ−により
感光層12表面に乾燥後の厚みが8μになるように塗工す
る。塗工後 150℃の雰囲気中で60分間加熱する。加熱後
冷却し、電子写真感光体10(以下「感光体」という)の
製作を終わった。
Next, an acrylic resin is used as a coating liquid for the electric high insulating layer 11 (a transparent electric high insulating layer has a volume resistivity of, for example, 10 13 Ω-cm or more). ······· 80.0gr (Mitsubishi Rayon Co., Ltd., trade name: Dianal LR 214) Is coated on the surface of the photosensitive layer 12 by a ring coater so that the thickness after drying becomes 8 μm. After coating, heat in an atmosphere of 150 ° C for 60 minutes. After heating and cooling, the production of the electrophotographic photoreceptor 10 (hereinafter referred to as “photoreceptor”) was completed.

【0015】上記で作られた感光体10を図12に示した作
像装置に装着され、各種の条件下でテストされ感光体10
の特性及び寿命が調べられた。図12は作像装置の概念図
である。A は−DCコロナを、C 及びD は+コロナを、E
はレーザー光(L光像)を、F はポスト光を、G は現像
器を、H は転写コロナを、L はランプを、P は転写され
る紙を、S は遮蔽板を、それぞれ示している。+コロナ
は2個(図中 C、D)に分かれ、2個のコロナの間でレ
ーザー光 Eが感光体10に向けて投影されている。図中
(ランプ L )と示されているのが分極光であり、この
分極光により履歴が消去され有効な分極が形成される。
図12は計測用の潜像形成装置であり、実用的な作像装置
ではA とH の間にクリーナーが設けられる。電気的・物
理的な現象を観察する為にはクリーナーが無い方が観察
し易い。
The photoreceptor 10 manufactured as described above is mounted on the image forming apparatus shown in FIG.
The properties and lifetime of the slab were investigated. FIG. 12 is a conceptual diagram of the image forming apparatus. A for −DC corona, C and D for + corona, E
Denotes laser light (L light image), F denotes post light, G denotes developer, H denotes transfer corona, L denotes lamp, P denotes paper to be transferred, and S denotes shielding plate. I have. The + corona is divided into two (C and D in the figure), and the laser beam E is projected toward the photoreceptor 10 between the two coronas. The polarized light is shown as (lamp L) in the figure, and the polarized light erases the history and forms effective polarization.
FIG. 12 shows a latent image forming apparatus for measurement. In a practical image forming apparatus, a cleaner is provided between A and H. In order to observe electrical and physical phenomena, it is easier to observe without a cleaner.

【0016】図12の装置を使い得られた感光体10の感光
特性のグラフを図14に示した。図14に見る通り光像暗部
は-50Volt であり、光像明部は、+200Voltを示してい
る。光が入射しなければ-50Volt であり、光が入射すれ
ば+200Voltになる。典型的なディジタル応答であって、
レーザー・プリンターが要求する特性である。γは(γ
≒8)であり、高γと言える。図14の光像暗部の-50Vol
t は図12のA のマイナス・コロナで決まってしまう数値
であり、光像明部の+200Voltは図12のC、D のプラス・
コロナで決まってしまう数値である。図12の作像装置で
作られた潜像は現像器G で可視化されると、他の電子写
真法では見られない様なエッジの鋭い画像を作る。試し
に、図12のE 点にレーザーからの1パルスの光を入れて
見ると、感光体10上にはレーザー1パルスの潜像が出来
ていてその潜像は設計されたレーザーの輝点通りの径の
可視像を作る。感光体10はレーザーの発光を忠実に潜像
に変える事が分かった。従来のカールソン法では、レー
ザー1パルスの潜像を忠実に作る事は至難の業である。
感光体10がレーザー1パルスの潜像を作ったのは、図14
に示した感光特性の為と考えられる。図15はレーザー光
がカールソン法で作る潜像と高γKIP 法で作る潜像を比
較した図である。図15で明らかな様に、カールソン法の
潜像はトナーを吸着する部分がなく、高γKIP 法の潜像
は マイナスのトナーを吸着する部分を持っている。高
γKIP 法の潜像と帯電トナーの関係は、化学的オフセッ
ト原版と油性インキの関係と全く同じである。図15(C)
は高γKIP 法の潜像であり、この潜像は図15(A) と図14
から導かれる。図15(A) に示す様にレーザー光が高γKI
P 法で作る潜像は1部分が+であり他の部分は−である
から、マイナスのトナーで現像すると+の部分だけにト
ナーが付着し他の部分にはトナーは全く付着しない。画
面の大部分を占めるバックにトナーが付着せず、信号部
だけにトナーが付着すれば出来上がる画像はSN比が高
く良い画質になる事は疑いの余地がない。図15(B) のカ
ールソン法潜像は、所謂(反転現像法)と呼ばれる現像
法で現像されるが、例えば、aとcの間にトナーが付着
するとしてもaとcの間のどこからどこ迄かが決まらな
い。つまり、トナー像のエッジがハッキリしないのであ
る。従来電子写真プリンターの画質が悪いとされていた
のはこのエッジの不確かさであり、高γKIP 法の採用に
より(エッジの不確かさ)は消える。感光体10による画
像がレーザーの1パルスをドットとして表現したのは、
上記の様な高γKIP 法固有の働きによるものである。
FIG. 14 is a graph showing the photosensitive characteristics of the photosensitive member 10 obtained by using the apparatus shown in FIG. As shown in FIG. 14, the light image dark portion is -50 Volt, and the light image bright portion is +200 Volt. If light is not incident, it is -50 Volt, and if light is incident, it is +200 Volt. A typical digital response,
This is a characteristic required by laser printers. γ is (γ
≒ 8), which can be said to be high γ. -50Vol in the dark part of the light image in Fig. 14
t is a numerical value determined by the minus corona of A in FIG. 12, and +200 Volt of the light image portion is the plus / minus of C and D in FIG.
It is a numerical value determined by corona. When the latent image created by the image forming apparatus shown in FIG. 12 is visualized by the developing device G, it forms an image having a sharp edge which cannot be seen in other electrophotographic methods. As a test, when one pulse of light from the laser was injected into point E in FIG. 12, a latent image of one laser pulse was formed on the photoreceptor 10, and the latent image was in accordance with the designed laser luminescent spot. To make a visible image of diameter. It was found that the photoreceptor 10 faithfully changes the laser emission into a latent image. With the conventional Carlson method, it is extremely difficult to faithfully produce a one-pulse laser latent image.
The photoreceptor 10 created a latent image of one laser pulse, as shown in FIG.
This is considered to be due to the photosensitive characteristics shown in FIG. FIG. 15 is a diagram comparing a latent image formed by the Carlson method with laser light and a latent image formed by the high γ KIP method. As is clear from FIG. 15, the latent image of the Carlson method has no portion that adsorbs toner, and the latent image of the high γKIP method has a portion that adsorbs negative toner. The relationship between the latent image and the charged toner in the high γ KIP method is exactly the same as the relationship between the chemical offset master and the oil-based ink. Fig. 15 (C)
Fig. 15 (A) and Fig. 14 show the latent images of the high γ KIP method.
Is derived from As shown in Fig. 15 (A), the laser light
Since one part of the latent image formed by the P method is + and the other part is-, when developed with negative toner, toner adheres only to the + part and no toner adheres to the other parts. There is no doubt that the resulting image will have a high S / N ratio and good image quality if the toner does not adhere to the back which occupies most of the screen and the toner adheres only to the signal portion. The Carlson latent image in FIG. 15B is developed by a so-called (reversal development) developing method. For example, even if toner adheres between a and c, from where a and c I don't know until. That is, the edge of the toner image is not clear. It is this uncertainty of the edge that has traditionally been regarded as having poor image quality in electrophotographic printers, and the (edge uncertainty) disappears with the adoption of the high γ KIP method. The image formed by the photoreceptor 10 expresses one laser pulse as a dot.
This is due to the inherent function of the high γ KIP method as described above.

【0017】説明を容易ならしめる為レーザー光を例と
して説明したが、光源がレーザーの場合に限らず光源が
LED だとしても投影される光像の周辺にハローが生まれ
る事は変わりない。レーザーやLED の像ではなく、マイ
クロ・フィルムの像でも像の周辺にボケた部分を持って
いる。ボケた部分とは光量の少ない部分であり、レーザ
ー光の光量の少ない部分と同じである。マイクロ・フィ
ルムの像を高γKIP 法で可視化すると、銀塩写真を含む
他の方法で可視化した場合よりボケの無い画像を生む。
先の実施例1〜3においては、履歴消去について問題を
起こしたが、本実施例においては、P型半導体で吸収さ
れた光の残りの光で励起されるN型半導体を使っている
ので、履歴は完全に消去され、毎回完全な画像が作られ
る。本説明にはP型半導体がアバランシェを受け持ち、
P型高γKIP 感光体として働く例を挙げたが、逆にN型
半導体がアバランシェを示し、N型高γKIP 感光体とし
て働く場合も将来的には充分考えられる。尚、本発明の
P型半導体微粉体とN型半導体微粉体を混合した感光材
料を使う高γKIP 感光体は、P型高γKIP 感光体として
も働くがN型高γKIP 感光体としても働く事を付言す
る。本発明は、KIP 感光体を高γ化するものであるか
ら、KIP 感光体と同じ構造の感光体を使うNP法に適用し
ても高γ化した効果が現れることが期待される。図12の
潜像形成装置のD 部に印加される電界の電源をAC電源に
切り替え、NP法として働く様に改造した。この装置に感
光体10を装着し潜像を作った結果、光像暗部で−電位で
あり、光像明部は 0 Volt であると言う予期した結果が
得られたが、CdS を使った従来のNP感光体の結果に比べ
特に秀でた結果とは言えないと判断された。この結果の
教えるところは、NP法の様に光像明部が 0 Volt になる
電子写真法ではγを高くした効果は認識されにくいと言
う事である。カールソン法でも高γにした効果は現れ難
い。(γ≒∞)となった時には画像のエッジが鋭くなり
画質の改善がハッキリするが、γが多少大きくなったと
言って直ちにその効果が現れるものではない。
The laser light has been described as an example for the sake of simplicity. However, the light source is not limited to a laser.
Even if it is an LED, a halo will be created around the projected light image. Not a laser or LED image, but a microfilm image also has blurred areas around the image. The blurred portion is a portion having a small amount of light, and is the same as a portion having a small amount of laser light. Visualization of microfilm images by the high γ KIP method produces less blurred images than visualization by other methods, including silver halide photography.
In the first to third embodiments, there was a problem with the history erasure. However, in the present embodiment, since the N-type semiconductor excited by the remaining light of the light absorbed by the P-type semiconductor is used, The history is completely erased and a complete image is created each time. In this explanation, the P-type semiconductor is responsible for avalanche,
Although an example of working as a P-type high γKIP photoconductor has been described, a case in which an N-type semiconductor exhibits avalanche and works as an N-type high γKIP photoconductor is considered in the future. It should be noted that the high γKIP photoreceptor using the photosensitive material of the present invention in which the P-type semiconductor fine powder and the N-type semiconductor fine powder are mixed functions as a P-type high γKIP photoconductor, but also as an N-type high γKIP photoconductor. I will add. Since the present invention is intended to increase the γ of the KIP photoreceptor, it is expected that the effect of increasing the γ will appear even when applied to the NP method using a photoreceptor having the same structure as the KIP photoreceptor. The power supply of the electric field applied to the portion D of the latent image forming apparatus in FIG. 12 was changed to an AC power supply, and the apparatus was modified to work as the NP method. As a result of mounting the photoreceptor 10 on this device and forming a latent image, the expected result was obtained that the dark portion of the light image was at a potential and the light image portion was 0 Volt, but the conventional method using CdS It was judged that the result was not particularly excellent as compared with the result of the NP photoreceptor. The teaching of this result is that the effect of increasing γ is difficult to recognize in electrophotography in which the light image area becomes 0 Volt like the NP method. Even with the Carlson method, the effect of increasing γ is unlikely to appear. When (γ ≒ ∞), the edge of the image becomes sharp and the improvement of the image quality is clear, but the effect does not appear immediately because γ is slightly increased.

【0018】(実施例5)実施例5は、上述した実施例
1〜4の感光体にL光像 Eとしてレーザーを使用し、該
レーザーの発光量の変化によって感光体上の点状潜像の
径をコントロ−ルしたものである。即ち、上述したよう
に、N型半導体微紛体、P型半導体微紛体、1013Ω-c
m 以上の体積固有抵抗を持つバインダーを含んで、薄層
化した感光層と、この感光層の表面に一体的に取り付け
られた透明な電気高絶縁層とを有する感光体は、高γK
IP感光体として働き、特に、レ−ザ−・プリンタ−に
使用した場合は1個1個のレ−ザ−発光に応じて確実に
点状の潜像を作りその潜像はトナ−により可視化される
という秀れた結果を与えるものである。
(Embodiment 5) In Embodiment 5, a laser is used as the L light image E on the photoconductors of the above-described Embodiments 1 to 4, and a point-like latent image on the photoconductor is changed by a change in the light emission amount of the laser. Is controlled. That is, as described above, the N-type semiconductor fine powder, the P-type semiconductor fine powder, and 10 13 Ω-c
The photosensitive member having a thinned photosensitive layer containing a binder having a volume resistivity of not less than m and a transparent electric high insulating layer integrally attached to the surface of the photosensitive layer has a high γK
Acts as an IP photoreceptor, especially when used in a laser printer, creates a point-like latent image reliably in response to each laser emission and visualizes the latent image with a toner. It gives excellent results.

【0019】次に本発明者が着目したのは、図16に示し
た高γKIP感光体の感光特性で入射光量のLS を境に
して潜像の符号が−から+に変わる事実である。レーザ
ーの光量は、図示しないレーザー駆動回路の電圧を制御
して可変とすることができる。図17は、レ−ザ−の発光
量が変化した時の光量分布を示している。図17は強く発
光した時と、弱く発光した時との2段階を示している
が、与える電圧次第でL1 とL2 の中間の発光が可能で
ある。図17の横軸はレ−ザ−の発光中心からの距離を示
している。L2 で示されるレ−ザ−光が図17の特性を持
つ感光体に入射すれば、L2 は中心からd2 /2の距離
の所で光量がLS になるのでそれより光量の大きい部分
は+極性の潜像を作るが、光量がLS より小さい部分は
−極性の潜像を作る。このレ−ザ−光の作った潜像を−
トナ−で現像すれば、潜像の+部分だけにトナ−が付着
し直径d2 の円ができる。一方光量の大きいL1 では、
直径d1 の円にトナ−が付着する。このようにレ−ザ−
光の発光強度が変化すれば、トナ−が作る円像の径が変
化する。この円のトナ−像のエッジは明瞭で鋭い。従来
カ−ルソン法を使ったレ−ザ−・プリンタ−では、レ−
ザ−光で作るトナ−・ドットの径はレ−ザ−光の絞り方
で決まるものとされ、レ−ザ−光を投影する光学系を変
えない限りトナ−・ドット径も変わらないものと考えら
れて来た。しかし高γKIP法を使えば、レ−ザ−の発
光量を変えればトナ−・ドット径が変わる。従来カ−ル
ソン法レ−ザ−・プリンタ−では、レ−ザ−光は一定の
径の光像として投影されている。決まった径のトナ−・
ドットで濃淡を表現するには、トナ−・ドットの密度を
変える方法がない。トナ−・ドットの径を変えるには光
学系から変えざるを得ない。高γKIP法感光体でレ−
ザ−の発光量を変えて濃淡を表現する場合は、簡単に言
えば、光量が4倍になればトナ−・ドット径も約2倍に
なる。10mWのレ−ザ−を使い発光量を1 mWから10mWまで
変えれば、トナ−・ドット径は約3倍になる。レ−ザ−
の発光量をコントロ−ルすることは単に印加電圧を変え
るだけの操作であり、容易に実行できる。若しカ−ルソ
ン法に固執すれば、トナ−・ドット径を変えるためには
光学系から変えねばならない。トナ−・ドット径を変え
ずに濃淡を変えるには、発光密度を変えねばならない。
そのためには、レ−ザ−の発光時刻を変えることになる
が、それには膨大な計算が必要になり、非現実的であ
る。なお、上述した高γKIP法とは、高γKIP感光
体(高γ電子写真感光体)にある極性(例えば、−)の
第1の帯電を行うと共に前記高γKIP感光体全体を光
励起(全面露光)して分極状態を形成する分極形成工程
と、この分極形成工程の後、前記第1の帯電と逆極性
(例えば、+)の第2の帯電を行いながら光像により前
記高γKIP感光体を励起して前記高γKIP感光体に
潜像を形成する潜像形成工程と、この潜像形成工程の
後、更に潜像を保持する前記高γKIP感光体全体を光
励起(全面露光)して潜像保持するもの、又は、高γK
IP感光体(高γ電子写真感光体)にある極性の第1の
帯電を行う帯電工程と、この帯電工程の後、前記第1の
帯電と逆極性の第2の帯電を行いながら光像により前記
高γKIP感光体を励起して前記高γKIP感光体に潜
像を形成する潜像形成工程と、この潜像形成工程の後、
更に潜像を保持する前記高γKIP感光体全体を光励起
(全面露光)して潜像保持するものである。なお、前記
光像は、レ−ザ−によるものである。
Next, the present inventor paid attention to the fact that the sign of the latent image changes from-to + at the boundary of the incident light amount L S in the photosensitive characteristics of the high γ KIP photosensitive member shown in FIG. The amount of laser light can be varied by controlling the voltage of a laser drive circuit (not shown). FIG. 17 shows the light amount distribution when the light emission amount of the laser changes. Figure 17 is strongly and when the emitted, while indicating two stages of when weak light emission, it is possible to voltage as soon as the middle of the emission of L 1 and L 2 to give. The horizontal axis of FIG. 17 indicates the distance from the laser emission center. Les represented by L 2 - The - if light them incident on the photosensitive member having the characteristic of FIG. 17, L 2 is greater in amount than that because the amount of light becomes L S at a distance of d 2/2 from the center The portion produces a positive polarity latent image, while the portion having a light intensity smaller than L S produces a negative polarity latent image. The latent image created by this laser light is
Toner - if developed with only a + portion of the latent image toner - are adhered can diameter circle d 2. On the other hand, at L 1 where the light amount is large,
Adheres - toner to a circle of diameter d 1. Thus, the laser
If the light emission intensity changes, the diameter of the circular image formed by the toner changes. The edge of the toner image of this circle is clear and sharp. In a conventional laser printer using the Carlson method, the laser
The diameter of the toner dot formed by the laser light is determined by the way of stopping the laser light, and the diameter of the toner dot does not change unless the optical system that projects the laser light is changed. I was thinking. However, if the high γ KIP method is used, the toner dot diameter changes if the light emission amount of the laser is changed. Conventionally, in a Carlson laser printer, laser light is projected as a light image having a constant diameter. Toner of fixed diameter
There is no way to change the density of the toner dots in order to express the shading with dots. To change the diameter of the toner dot, it is necessary to change it from the optical system. High γ KIP photoreceptor
In the case of expressing light and shade by changing the amount of light emitted from the laser, if the amount of light is quadrupled, the toner dot diameter is also approximately doubled. If the light emission amount is changed from 1 mW to 10 mW using a 10 mW laser, the toner dot diameter becomes about three times. Laser
Controlling the amount of light emission is simply an operation of changing the applied voltage, and can be easily performed. If you stick to the Carlson method, you must change from the optical system to change the toner dot diameter. To change the shading without changing the toner dot diameter, the emission density must be changed.
For this purpose, the emission time of the laser must be changed, but this requires a huge amount of calculation, which is impractical. The high γ KIP method described above means that the high γ KIP photoconductor (high γ electrophotographic photoconductor) is subjected to a first charge of a certain polarity (for example, −) and the entire high γ KIP photoconductor is photo-excited (overall exposure). A polarization forming step of forming a polarization state by performing the polarization, and after this polarization forming step, exciting the high γ KIP photoreceptor by an optical image while performing a second charging of a polarity (for example, +) opposite to the first charging. A latent image forming step of forming a latent image on the high γ KIP photoreceptor, and after this latent image forming step, the entire high γ KIP photoreceptor holding the latent image is further photo-excited (exposed entirely) to retain the latent image. Or high γK
A charging step of performing a first charge of a certain polarity on the IP photoreceptor (high γ electrophotographic photoreceptor), and after this charging step, performing a second charge having a polarity opposite to the first charge by an optical image. A latent image forming step of exciting the high γ KIP photoconductor to form a latent image on the high γ KIP photoconductor, and after the latent image forming step,
Further, the entire high γ KIP photoconductor holding the latent image is photo-excited (overall exposure) to hold the latent image. The light image is from a laser.

【0020】一方高γKIP感光体を使い前記レ−ザ−
の発光量を変えることにより作られるトナ−・ドットの
径をコントロ−ルする方式は、レ−ザ−の発光位置を指
定すると同時にレ−ザ−の発光量を指定すれば良いので
あるから、単に電気回路的な改変で濃淡を表現する手段
が得られるのである。例えば、連続的に変化する濃淡
も、ただレ−ザ−電圧を滑らかに変えるだけで実現でき
る。これを固定径のレ−ザ−光を使って遂行しようとす
ると、光学系もポリゴンミラ−の回転も変えなければな
らない。このようなことは不能である。従来のカ−ルソ
ン法レ−ザ−・プリンタ−でも、トナ−・ドット径を変
える試みは皆無ではない。本発明者と同じ発明者(木下
康一)の発明(特公平6−3551号公報参照)では、
高γカ−ルソン法感光体を使って、レ−ザ−発光量を変
えトナ−・ドット径をコントロ−ルする方法が提案され
たが、この方法は、トナ−・ドット径を大きくする方向
には有用であるがトナ−・ドット径を小さくすることは
できない。結局トナ−・ドット径を大幅に変えることは
できず、トナ−・ドットのエッジも不明瞭になりがちで
あった。これに対して高γKIP法でレ−ザ−発光量を
変える方法は、作られるトナ−・ドットの1個1個が独
立していて、ドットのエッジが明瞭で鋭い。その結果オ
フセット印刷に匹敵する高品質の画像が得られる。
On the other hand, using a high γ KIP photoreceptor, the laser
The method of controlling the diameter of the toner dot formed by changing the light emission amount of the laser beam is to specify the light emission position of the laser at the same time as specifying the light emission position of the laser. It is possible to obtain a means of expressing light and shade simply by modifying the electric circuit. For example, a continuously changing shading can be realized only by smoothly changing the laser voltage. If this is to be accomplished using laser light of a fixed diameter, both the optical system and the rotation of the polygon mirror must be changed. This is not possible. Even with the conventional Carlson method laser printer, there are not few attempts to change the toner dot diameter. In the invention of the same inventor (Koichi Kinoshita) as the present inventor (see Japanese Patent Publication No. 6-3551),
A method has been proposed in which the toner dot diameter is controlled by changing the amount of laser light emission using a high-γ Carlson method photoreceptor, but this method is intended to increase the toner dot diameter. However, the toner dot diameter cannot be reduced. Eventually, the diameter of the toner dot could not be changed significantly, and the edges of the toner dot tended to be unclear. On the other hand, in the method of changing the amount of laser light emitted by the high γ KIP method, each of the toner dots produced is independent, and the edges of the dots are clear and sharp. The result is a high quality image comparable to offset printing.

【0021】[0021]

【発明の効果】請求項1又は4記載の電子写真感光体に
よれば、P型半導体微粉体とN型半導体微粉体を混合し
1013Ω-cm 以上の体積固有抵抗を持つバインダーで薄
層化した感光層により、高γ特性が得られると共に、安
定した潜像を得ることができる。また、請求項2記載の
電子写真方法によれば、P型半導体微粉体とN型半導体
微粉体を混合し1013Ω-cm 以上の体積固有抵抗を持つ
バインダーで薄層化した感光層により、高γ特性が得ら
れると共に、安定した潜像を得ることができる。また、
請求項3記載の電子写真方法によれば、電子写真感光体
にある極性の第1の帯電を行う第1の工程と、この第1
の工程の後、光を照射する第2の工程を設けたため、第
1の工程の帯電の結果出来るトラップが確実性を増し、
安定した潜像を得ることができる。また、請求項5記載
の電子写真感光体によれば、ローズベンガルで増感した
ZnO は照射された白色光で励起され、前歴のない画像が
得られ、感光体の繰返し使用に耐えることができる。ま
た、請求項6又は7記載の電子写真方法によれば、ドッ
トのエッジが明瞭で鋭い高品質の画像を得ることができ
る。
According to the electrophotographic photoreceptor of the present invention, a P-type semiconductor fine powder and an N-type semiconductor fine powder are mixed, and a thin layer is formed with a binder having a volume resistivity of 10 13 Ω-cm or more. By using the photosensitive layer, high γ characteristics can be obtained and a stable latent image can be obtained. According to the electrophotographic method of the present invention, the photosensitive layer is obtained by mixing a P-type semiconductor fine powder and an N-type semiconductor fine powder and thinning the mixture with a binder having a volume resistivity of 10 13 Ω-cm or more. A high γ characteristic can be obtained, and a stable latent image can be obtained. Also,
According to the electrophotographic method of the third aspect, a first step of performing a first charge of a certain polarity on the electrophotographic photoreceptor,
After the step, a second step of irradiating light is provided, so that the trap formed as a result of the charging in the first step increases certainty,
A stable latent image can be obtained. According to the electrophotographic photoreceptor of the present invention, sensitization was achieved with Rose Bengal.
ZnO is excited by the illuminated white light, provides an image with no previous history, and can withstand repeated use of the photoreceptor. According to the electrophotographic method of the sixth or seventh aspect, it is possible to obtain a high-quality image in which the edges of dots are clear and sharp.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、高γ特性を示す感光体の簡略化された
等価回路である。
FIG. 1 is a simplified equivalent circuit of a photoconductor showing a high γ characteristic.

【図2】図2(A)は、フタロシアニンを感光材料とす
る感光体の或る電界強度での光応答を計算した結果と実
測結果を示したものであり、図2(B)は、実測された
実数スケールをグラフにしたものである。
FIG. 2 (A) shows a calculation result and a measurement result of a light response at a certain electric field intensity of a photoreceptor using phthalocyanine as a photosensitive material, and FIG. 2 (B) shows a measurement result. It is a graph of the obtained real number scale.

【図3】図3は、本願発明の一実施例の感光体を構成す
るZnOとフタロシアニンの材料配置図である。
FIG. 3 is a material layout diagram of ZnO and phthalocyanine constituting a photoreceptor of one embodiment of the present invention.

【図4】図4(A)は作像の前段であるイレーザー動作
を示す図であり、図4(B)は作像段階を示す図であ
る。
FIG. 4A is a diagram illustrating an eraser operation which is a preceding stage of image formation, and FIG. 4B is a diagram illustrating an image formation stage.

【図5】図5は、理想に近い作像工程のコロナ配置を示
す図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a corona arrangement in an image forming process that is close to ideal.

【図6】図6は、本願発明の一実施例の高γKIP感光
体を計測装置に装着した図を示すものである。
FIG. 6 is a view showing a high γ KIP photosensitive member according to an embodiment of the present invention mounted on a measuring device.

【図7】図7は、本願発明の一実施例(実施例1)の感
光体の感度カーブを示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a sensitivity curve of the photoconductor of one embodiment (Example 1) of the present invention.

【図8】図8は、本願発明の一実施例の感光体のドット
潜像を示す図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a dot latent image of a photoconductor according to an embodiment of the present invention.

【図9】図9は、本願発明の他の実施例の方法を平板高
γKIP感光体に適用した例を示したものである。
FIG. 9 shows an example in which the method of another embodiment of the present invention is applied to a flat high γ KIP photoconductor.

【図10】図10は、本願発明の他の実施例の方法を高
γKIP円筒感光体に適用した例を示したものである。
FIG. 10 shows an example in which the method of another embodiment of the present invention is applied to a high γ KIP cylindrical photoreceptor.

【図11】図11は、本願発明の一実施例(実施例3)
の感光体の感度カーブを示す図である。
FIG. 11 is an embodiment (third embodiment) of the present invention;
FIG. 4 is a diagram showing a sensitivity curve of the photoconductor of FIG.

【図12】図12は、本願発明の一実施例の高γKIP
感光体を計測装置に装着した図を示すものである。
FIG. 12 shows a high γKIP according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 shows a diagram in which a photoconductor is mounted on a measuring device.

【図13】図13は、KIP 法に必要な分極電荷とKIP 法
に不必要で有害な電極近傍のトラップ電荷を模型的に表
現した図である。
FIG. 13 is a diagram schematically illustrating a polarization charge required for the KIP method and a trap charge near an electrode unnecessary and harmful to the KIP method.

【図14】図14は、図12の装置を使い実施例4で得
られた感光体の感光特性のグラフである。
FIG. 14 is a graph showing the photosensitive characteristics of the photosensitive member obtained in Example 4 using the apparatus shown in FIG.

【図15】図15(A)は、レーザーの光量分布を、
(B)はカールソン法潜像を、(C)は、高γKIP 法の
潜像をそれぞれ示している。
FIG. 15A is a graph showing a light amount distribution of a laser;
(B) shows a Carlson method latent image, and (C) shows a high γKIP method latent image.

【図16】図16は、高γKIP感光体の感光特性を示
す図である。
FIG. 16 is a diagram showing the photosensitive characteristics of a high γ KIP photoconductor.

【図17】図17は、レ−ザ−の発光量が変化した時の
光量分布を示す図である。
FIG. 17 is a diagram showing a light amount distribution when the light emission amount of the laser changes.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 P型半導体微粉体 2 N型半導体微粉体 1 P-type semiconductor fine powder 2 N-type semiconductor fine powder

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03G 5/09 101 G03G 5/147 502 5/147 502 15/02 102 15/02 102 15/24 15/043 B41J 3/00 M 15/04 G03G 15/04 120 15/24 Fターム(参考) 2C362 AA33 AA54 AA63 CA10 CB05 CB59 CB80 2H003 AA02 BB11 BB13 CC01 2H068 AA08 AA15 AA19 AA26 AA31 BA38 BA55 BA63 BA64 CA22 FA13 FB07 FB32 FC01 FC05 2H076 AB02 AB09 DA11 DA26 2H078 AA02 BB05 CC01 DD02 DD15 DD68 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G03G 5/09 101 G03G 5/147 502 5/147 502 15/02 102 15/02 102 15/24 15 / 043 B41J 3/00 M 15/04 G03G 15/04 120 15/24 F term (reference) 2C362 AA33 AA54 AA63 CA10 CB05 CB59 CB80 2H003 AA02 BB11 BB13 CC01 2H068 AA08 AA15 AA19 AA26 AA31 BA38 FB13 FC32 FA32 FC05 2H076 AB02 AB09 DA11 DA26 2H078 AA02 BB05 CC01 DD02 DD15 DD68

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】P型半導体微粉体とN型半導体微粉体を混
合し1013Ω-cm 以上の体積固有抵抗を持つバインダー
で薄層化した感光層と、 この感光層の表面に一体的に取り付けられた透明な電気
高絶縁層とを有することを特徴とする電子写真感光体。
1. A photosensitive layer obtained by mixing a P-type semiconductor fine powder and an N-type semiconductor fine powder and thinning it with a binder having a volume resistivity of 10 13 Ω-cm or more, and integrally with the surface of the photosensitive layer. An electrophotographic photoreceptor having a transparent electric high insulation layer attached thereto.
【請求項2】P型半導体微粉体とN型半導体微粉体を混
合し1013Ω-cm 以上の体積固有抵抗を持つバインダー
で薄層化した感光層と、 この感光層の表面に一体的に取り付けられた透明な電気
高絶縁層とを有する電子写真感光体とを備え、 この電子写真感光体にある極性の第1の帯電を行う第1
の工程と、 この第1の工程の後、前記第1の工程と逆極性の第2の
帯電を行いながら光像により前記電子写真感光体を励起
する第2の工程と、 この第2の工程の後、更に潜像を保持する前記電子写真
感光体全体を光励起する第3の工程とを備えていること
を特徴とする電子写真方法。
2. A photosensitive layer in which a P-type semiconductor fine powder and an N-type semiconductor fine powder are mixed and thinned with a binder having a volume resistivity of 10 13 Ω-cm or more; An electrophotographic photosensitive member having a transparent electric high insulation layer attached thereto; and a first charging device having a first polarity having a certain polarity on the electrophotographic photosensitive member.
And after the first step, a second step of exciting the electrophotographic photoreceptor with an optical image while performing a second charge having a polarity opposite to that of the first step; and a second step of And a third step of photo-exciting the entire electrophotographic photoreceptor holding the latent image.
【請求項3】P型半導体微粉体とN型半導体微粉体を混
合し1013Ω-cm 以上の体積固有抵抗を持つバインダー
で薄層化した感光層と、 この感光層の表面に一体的に取り付けられた透明な電気
高絶縁層とを有する電子写真感光体とを備え、 この電子写真感光体にある極性の第1の帯電を行う第1
の工程と、 この第1の工程の後、光を照射する第2の工程と、 この第2の工程の後、前記第1の工程と逆極性の第2の
帯電を行いながら光像により前記電子写真感光体を励起
する第3の工程と、 この第3の工程の後、更に潜像を保持する前記電子写真
感光体全体を光励起する第4の工程とを備えていること
を特徴とする電子写真方法。
3. A photosensitive layer obtained by mixing a P-type semiconductor fine powder and an N-type semiconductor fine powder and thinning it with a binder having a volume resistivity of 10 13 Ω-cm or more, and integrally with the surface of the photosensitive layer. An electrophotographic photosensitive member having a transparent electric high insulation layer attached thereto; and a first charging device having a first polarity having a certain polarity on the electrophotographic photosensitive member.
And after the first step, a second step of irradiating light, and after the second step, performing the second charging of the opposite polarity to that of the first step by the optical image A third step of exciting the electrophotographic photosensitive member, and after the third step, a fourth step of optically exciting the entire electrophotographic photosensitive member holding a latent image. Electrophotographic method.
【請求項4】P型半導体微粉体と、N型半導体微粉体
と、1013Ω-cm 以上の体積固有抵抗を持つバインダー
とを含んで、薄層化した感光層と、 この感光層と一体的に作られた1013Ω−cm以上の体積
固抵抗を有する透明な電気高絶縁層とを有することを特
徴とする電子写真感光体。
4. A photosensitive layer thinned to include a P-type semiconductor fine powder, an N-type semiconductor fine powder, and a binder having a volume resistivity of 10 13 Ω-cm or more, and an integrated photosensitive layer. An electrophotographic photoreceptor, comprising: a transparent electrically-high insulating layer having a volume solid resistance of 10 13 Ω-cm or more, which is formed by a method.
【請求項5】P型半導体微粉体をフタロシアニン、N型
半導体微粉体をローズベンガルで色素増感したZnOで
あることを特徴とする請求項4記載の電子写真感光体。
5. The electrophotographic photosensitive member according to claim 4, wherein the P-type semiconductor fine powder is phthalocyanine, and the N-type semiconductor fine powder is ZnO dye-sensitized with rose bengal.
【請求項6】P型半導体微粉体と、N型半導体微粉体
と、1013Ω-cm 以上の体積固有抵抗を持つバインダー
とを含んで、薄層化した感光層と、 この感光層と一体的に作られた1013Ω−cm以上の体積
固抵抗を有する透明な電気高絶縁層とを有する電子写真
感光体を備え、 前記電子写真感光体にある極性の第1の帯電を行う帯電
工程と、 この帯電工程の後、前記第1の帯電と逆極性の第2の帯
電を行いながら光像により前記電子写真感光体を励起し
て前記電子写真感光体に潜像を形成する潜像形成工程
と、 この潜像形成工程の後、更に潜像を保持する前記電子写
真感光体全体を光励起する潜像保持工程とを備えた電子
写真方法であって、 前記光像は、レ−ザ−によるものであり、 前記レ−ザ−の発光量を変えることにより作られるトナ
−・ドットの径をコントロ−ルすることを特徴とする電
子写真方法。
6. A thin photosensitive layer containing a P-type semiconductor fine powder, an N-type semiconductor fine powder, and a binder having a volume resistivity of 10 13 Ω-cm or more, and an integrated photosensitive layer. An electrophotographic photosensitive member having a transparent electrically high insulating layer having a volume solid resistance of 10 13 Ω-cm or more, and a first charging of a certain polarity on the electrophotographic photosensitive member. Forming a latent image on the electrophotographic photosensitive member by exciting the electrophotographic photosensitive member with a light image while performing second charging having a polarity opposite to that of the first charging after the charging step. And a latent image holding step of photo-exciting the entire electrophotographic photoreceptor for holding the latent image after the latent image forming step, wherein the optical image is a laser image. And a laser produced by changing the amount of light emitted from the laser. The diameter of Tsu bets control - an electrophotographic method which is characterized in that Le.
【請求項7】P型半導体微粉体と、N型半導体微粉体
と、1013Ω-cm 以上の体積固有抵抗を持つバインダー
とを含んで、薄層化した感光層と、 この感光層と一体的に作られた1013Ω−cm以上の体積
固抵抗を有する透明な電気高絶縁層とを有する電子写真
感光体を備え、 前記電子写真感光体にある極性の第1の帯電を行うと共
に前記電子写真感光体全体を光励起して分極状態を形成
する分極形成工程と、 この分極形成工程の後、前記第1の帯電と逆極性の第2
の帯電を行いながら光像により前記電子写真感光体を励
起して前記電子写真感光体に潜像を形成する潜像形成工
程と、 この潜像形成工程の後、更に潜像を保持する前記電子写
真感光体全体を光励起する潜像保持工程とを備えた電子
写真方法であって、 前記光像は、レ−ザ−によるものであり、 前記レ−ザ−の発光量を変えることにより作られるトナ
−・ドットの径をコントロ−ルすることを特徴とする電
子写真方法。
7. A thin photosensitive layer containing a P-type semiconductor fine powder, an N-type semiconductor fine powder, and a binder having a volume resistivity of 10 13 Ω-cm or more, and a photosensitive layer integrated with the photosensitive layer. An electrophotographic photosensitive member having a transparent electrically high insulating layer having a volume solid resistance of 10 13 Ω-cm or more, and performing a first charge of a certain polarity on the electrophotographic photosensitive member, A polarization forming step of photo-exciting the entire electrophotographic photoreceptor to form a polarization state; and after the polarization forming step, a second polarization having a polarity opposite to that of the first charging.
A latent image forming step of exciting the electrophotographic photoreceptor with a light image to form a latent image on the electrophotographic photoreceptor while charging the electrophotographic photoreceptor; A latent image holding step of photo-exciting the entire photographic photoreceptor, wherein the light image is generated by a laser, and is formed by changing a light emission amount of the laser. An electrophotographic method comprising controlling the diameter of a toner dot.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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