JP2001222015A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

Info

Publication number
JP2001222015A
JP2001222015A JP2000398101A JP2000398101A JP2001222015A JP 2001222015 A JP2001222015 A JP 2001222015A JP 2000398101 A JP2000398101 A JP 2000398101A JP 2000398101 A JP2000398101 A JP 2000398101A JP 2001222015 A JP2001222015 A JP 2001222015A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
display device
crystal display
substrate
spacer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000398101A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Tada
正浩 多田
Masao Tanaka
雅男 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2000398101A priority Critical patent/JP2001222015A/en
Publication of JP2001222015A publication Critical patent/JP2001222015A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an active matrix liquid crystal display device capable of controlling the cell gap with high precision. SOLUTION: The liquid crystal display device is characterized by being provided with a pair of substrates respectively having an electrode formed on the one principal surface, a liquid crystal material held between the pair of the substrates arranged so that the electrodes are opposed to each other and a spacer to define the distance between the pair of the substrates, and by having a recessing part to receive a part of the spacer formed at least on a part of the one substrate out of the pair of the substrates.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型液晶表示装置に関する。
The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、液晶表示装置は、相対向する一
対の基板間のギャップが、表示特性に大きな影響を与え
る。液晶表示装置の液晶セルのセルギャップが均一でな
いと、表示の際に色むらが現れる。また、液晶材料とし
て、ツイステッド・ネマテック液晶を用いた場合には、
±0.1μm程度の小さいギャップを液晶セル全面にわ
たって形成する必要がある。
2. Description of the Related Art Generally, in a liquid crystal display device, a gap between a pair of substrates facing each other has a great influence on display characteristics. If the cell gap of the liquid crystal cell of the liquid crystal display device is not uniform, color unevenness appears during display. When a twisted nematic liquid crystal is used as a liquid crystal material,
It is necessary to form a small gap of about ± 0.1 μm over the entire surface of the liquid crystal cell.

【0003】図6および図7は、従来の液晶表示装置に
おけるセルギャップの制御方法を説明するための断面図
である。図6に示すように、基板111に配向膜112
を形成して配向処理を行った後、基板111の端部に印
刷等によってシール材層113を形成する。次に、図7
に示すように、基板111上に球状のスペーサー114
を散布する。スペーサー114は、例えば5μmφ程度
の粉末である。その後、もう一方の基板115をこの基
板111上に配置し、両基板111,115を加圧しな
がら加熱して両基板111,115をシールする。最後
に、予めシール部に設けられている開口部から内部を真
空排気した後に、液晶材料を注入して液晶表示装置とす
る。
FIGS. 6 and 7 are cross-sectional views for explaining a method of controlling a cell gap in a conventional liquid crystal display device. As shown in FIG.
After performing the alignment process, the sealing material layer 113 is formed on the end of the substrate 111 by printing or the like. Next, FIG.
As shown in FIG.
Spray. The spacer 114 is, for example, a powder having a diameter of about 5 μmφ. Thereafter, the other substrate 115 is placed on the substrate 111, and both the substrates 111 and 115 are heated while being pressurized to seal both the substrates 111 and 115. Finally, after evacuating the inside from an opening provided in the seal portion in advance, a liquid crystal material is injected to obtain a liquid crystal display device.

【0004】この従来の方法では、スペーサー114を
散布する際に、スペーサー114を所望の位置に配置す
ることが難しい。このため、スペーサー114が配線領
域上に位置してしまうことがある。特に、アクティブマ
トリクス型の液晶表示装置では、配線の厚さが1μm以
上となるので、この配線領域上にスペーサー114が位
置すると、図8に示すように、セルギャップは、スペー
サー114の外径と配線116の高さ約1μmとの和と
なる。その結果、スペーサー114が位置した配線領域
は、他の部分より厚くなり、セルギャップの制御が困難
となる。
In this conventional method, it is difficult to dispose the spacer 114 at a desired position when spraying the spacer 114. For this reason, the spacer 114 may be located on the wiring region. In particular, in an active matrix type liquid crystal display device, since the thickness of the wiring is 1 μm or more, when the spacer 114 is located on this wiring region, the cell gap is equal to the outer diameter of the spacer 114 as shown in FIG. This is the sum of the height of the wiring 116 and about 1 μm. As a result, the wiring region where the spacer 114 is located becomes thicker than other portions, and it becomes difficult to control the cell gap.

【0005】ところで、液晶表示装置の解像度を向上さ
せる技術として、従来からアクティブマトリクス駆動方
式がある。この方式を採用したアクティブマトリクス型
液晶表示装置は、一対の基板のうちの一方の基板に複数
の行選択線(アドレス線)および複数の列選択線(デー
タ線)を形成し、そのアドレス線とデータ線により区画
された領域内の各画素電極にトランジスタを設け、アド
レス線とデータ線の交点のトランジスタを選択し、この
トランジスタを介して画素電極を選択してスイッチング
するものである。この方式によりクロストークの少ない
コントラストの良い画像表示が得られる。しかしなが
ら、このアクティブマトリクス型液晶表示装置では、ア
ドレス線に断線が生じた場合、ここに接続されたトラン
ジスタが駆動しなくなり、直線状の表示欠陥が生ずると
いう欠点がある。
As a technique for improving the resolution of a liquid crystal display device, there is an active matrix driving method. In an active matrix type liquid crystal display device employing this method, a plurality of row selection lines (address lines) and a plurality of column selection lines (data lines) are formed on one of a pair of substrates. A transistor is provided for each pixel electrode in a region defined by the data line, a transistor at the intersection of the address line and the data line is selected, and the pixel electrode is selected and switched via this transistor. By this method, an image display with good contrast and little crosstalk can be obtained. However, this active matrix type liquid crystal display device has a drawback that when a disconnection occurs in an address line, a transistor connected to the address line does not operate and a linear display defect occurs.

【0006】このアドレス線の断線不良による表示欠陥
を補償する方法として、特開昭61−267782号公
報で開示されているように、従来は1つの画素電極に複
数個のトランジスタを設ける方法が採用されていた。図
9は表示欠陥の補償機能を持つ、従来のアクティブマト
リクス型液晶表示装置の構成を示す図である。図9にお
いて、120A,121A,122A,120B,12
1B,122Bはトランジスタを示し、130,13
1,132はアドレス線を示し、140,141はデー
タ線を示し、150,151,152は画素電極を示
す。
As a method of compensating for a display defect due to a disconnection failure of an address line, a method of providing a plurality of transistors for one pixel electrode has been conventionally employed as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-2677782. It had been. FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a conventional active matrix liquid crystal display device having a display defect compensation function. In FIG. 9, 120A, 121A, 122A, 120B, 12
1B and 122B denote transistors;
Reference numerals 1 and 132 indicate address lines, 140 and 141 indicate data lines, and 150, 151 and 152 indicate pixel electrodes.

【0007】このような回路を構成することにより、例
えば画素電極151に注目すると、アドレス線131が
断線して、トランジスタ121Bが駆動しなくても、ア
ドレス線130が正常であれば、トランジスタ121A
が駆動するために、画素電極150と同一の画像情報が
画素電極151に書き込まれ、直線状の表示欠陥を防ぐ
ことができる。
By configuring such a circuit, if attention is paid to, for example, the pixel electrode 151, even if the address line 131 is disconnected and the transistor 121B is not driven, if the address line 130 is normal, the transistor 121A
Is driven, the same image information as that of the pixel electrode 150 is written to the pixel electrode 151, and a linear display defect can be prevented.

【0008】図10は、上記の回路に対応したアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置のトランジスタの具体的な
構造を示す平面図である。図10において、130,1
31はアドレス線を示し、140はデータ線兼ドレイン
電極を示し、151は画素電極を示し、160A,16
0Bは半導体層を示し、170A,170Bはチャネル
形成絶縁膜を示し、180A,180Bはソース電極を
示す。
FIG. 10 is a plan view showing a specific structure of a transistor of an active matrix type liquid crystal display device corresponding to the above circuit. In FIG. 10, 130, 1
31 indicates an address line, 140 indicates a data line / drain electrode, 151 indicates a pixel electrode, and 160A and 16A.
0B indicates a semiconductor layer, 170A and 170B indicate channel forming insulating films, and 180A and 180B indicate source electrodes.

【0009】液晶表示装置の高微細化に伴いアドレス線
の数が増加すると、トランジスタが選択される時間が減
少するため、トランジスタのソース・ドレイン間の電流
を増加させる必要がある。しかしながら、この目的でゲ
ート電圧を増加させると、トランジスタの絶縁破壊が生
じ易くなる。また、チャネル長Lを短くすると、エッチ
ング不良の割合が高くなる恐れがある。このため、チャ
ネル幅Wを大きくとる方法が一般的であるが、図10か
ら明らかなように、アドレス線間に2つのトランジスタ
を構成することとなり、チャネル幅Wはアドレス線間の
距離の1/2以上に拡張することはできない。したがっ
て、十分な電流を画素電極に流すことができず、表示特
性が悪化する。この欠点は、アドレス線の欠陥を補償で
きるという利点よりも大きなものである。
When the number of address lines increases with the miniaturization of the liquid crystal display device, the time for selecting a transistor decreases, and it is necessary to increase the current between the source and drain of the transistor. However, if the gate voltage is increased for this purpose, dielectric breakdown of the transistor is likely to occur. Further, when the channel length L is shortened, there is a possibility that the rate of etching failure increases. For this reason, it is common to increase the channel width W. However, as is apparent from FIG. 10, two transistors are formed between the address lines, and the channel width W is 1/1 / the distance between the address lines. It cannot be extended beyond two. Therefore, a sufficient current cannot flow through the pixel electrode, and the display characteristics deteriorate. This disadvantage is greater than the advantage that address line defects can be compensated.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる点に鑑
みてなされたものであり、本発明の第1の発明は、セル
ギャップ制御を精度良く行うことができるアクティブマ
トリクス型液晶表示装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and a first invention of the present invention provides an active matrix type liquid crystal display device capable of performing cell gap control with high accuracy. The purpose is to do.

【0011】本発明の第2の発明は、簡単な構成でトラ
ンジスタの電流を増やし、アドレス線の断線不良を補償
しうるアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する
ことを目的としている。
A second object of the present invention is to provide an active matrix type liquid crystal display device capable of increasing the transistor current with a simple structure and compensating for a disconnection failure of an address line.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の発明は、
それぞれの一方の主面に電極が形成された一対の基板
と、前記電極が対向するようにして配置した前記一対の
基板間に挟持された液晶材料と、前記一対の基板間の間
隔を規定するスペーサーとを具備し、前記一対の基板の
一方の基板の少なくとも一部に前記スペーサーの一部を
収容する凹部が形成されていることを特徴とするアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
Means for Solving the Problems A first invention of the present invention is:
A pair of substrates each having an electrode formed on one main surface thereof, a liquid crystal material sandwiched between the pair of substrates arranged so that the electrodes face each other, and a distance between the pair of substrates are defined. An active matrix type liquid crystal display device comprising: a spacer; and a recess for accommodating a part of the spacer is formed in at least a part of one of the pair of substrates.

【0013】本発明の第2の発明は、複数のアドレス
線、前記複数のアドレス線と交差するように形成された
複数のデータ線、前記複数のアドレス線と複数のデータ
線とにより区画された領域内に形成された画素電極、並
びに前記画素電極、アドレス線、およびデータ線に接続
されたトランジスタを一方の主面に有する一対の基板
と、前記画素電極が内側になるようにして対向させた一
対の基板間に挟持された液晶材料とを具備し、前記トラ
ンジスタにより画素電極をスイッチングするアクティブ
マトリクス液晶表示装置において、前記トランジスタの
ゲートと前記画素電極を区画する一方のアドレス線との
間に設けられた第1のコンデンサと、前記トランジスタ
のゲートと前記画素電極を区画する他方のアドレス線と
の間に設けられた第2のコンデンサとを具備することを
特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供
する。
According to a second aspect of the present invention, a plurality of address lines, a plurality of data lines formed to intersect the plurality of address lines, and the plurality of address lines and a plurality of data lines are provided. A pair of substrates each having a pixel electrode formed in a region and transistors connected to the pixel electrode, the address line, and the data line on one main surface were opposed to each other such that the pixel electrode was inside. A liquid crystal material sandwiched between a pair of substrates, wherein an active matrix liquid crystal display device in which a pixel electrode is switched by the transistor is provided between a gate of the transistor and one address line that partitions the pixel electrode. And a second capacitor provided between the gate of the transistor and the other address line that partitions the pixel electrode. To provide an active matrix type liquid crystal display device characterized by comprising a capacitor.

【0014】本発明において、基板材料としては、ガラ
ス、シリコンウェハ等を用いることができる。また、電
極材料としては、ITO、ZnO、SnO2 等を用いる
ことができる。また、液晶材料としては、ネマティック
液晶等を用いることができる。また、スペーサー材料と
しては、ポリスチレン、ガラス等を用いることができ
る。
In the present invention, as a substrate material, glass, a silicon wafer or the like can be used. In addition, as the electrode material, ITO, ZnO, SnO 2 or the like can be used. As a liquid crystal material, a nematic liquid crystal or the like can be used. In addition, polystyrene, glass, or the like can be used as the spacer material.

【0015】本発明の第1の発明において、凹部が形成
される部分は、少なくとも一方の基板に形成された画素
電極と画素電極との間の配線領域に対応する他方の基板
の領域である。また、凹部の深さは、配線の高さと同じ
またはそれ以上であることが好ましい。
In the first aspect of the present invention, the portion where the concave portion is formed is a region of the other substrate corresponding to a wiring region between the pixel electrodes formed on at least one substrate. Further, the depth of the recess is preferably equal to or higher than the height of the wiring.

【0016】本発明の第2の発明において、第1および
第2のコンデンサはアドレス線上に形成されていること
が好ましい。このような構成にすることにより、2つの
コンデンサを設けても省スペース化を図ることができ
る。
In the second aspect of the present invention, it is preferable that the first and second capacitors are formed on an address line. With such a configuration, space can be saved even if two capacitors are provided.

【0017】本発明の第2の発明において、コンデンサ
の誘電体材料とトランジスタの絶縁膜材料が同じである
ことが好ましい。これにより、新たに工程を増やすこと
なく製造することができる。また、コンデンサ材料がア
ドレス線またはデータ線の材料と同じであることが好ま
しい。これにより、新たに工程を増やすことなく製造す
ることができる。
In the second aspect of the present invention, it is preferable that the dielectric material of the capacitor and the insulating film material of the transistor are the same. Thereby, it can be manufactured without newly adding a process. Further, it is preferable that the material of the capacitor is the same as the material of the address line or the data line. Thereby, it can be manufactured without newly adding a process.

【0018】[0018]

【作用】本発明の第1の発明は、一方の主面に電極が形
成された一対の基板と、その基板間に挟持された液晶材
料と、一対の基板間の間隔を規定するスペーサーとを具
備し、一方の基板の少なくとも一部にスペーサーの一部
を収容する凹部が形成されていることを特徴としてい
る。
According to a first aspect of the present invention, a pair of substrates having electrodes formed on one main surface, a liquid crystal material sandwiched between the substrates, and a spacer for defining a distance between the pair of substrates are provided. And a recess for accommodating a part of the spacer is formed in at least a part of the one substrate.

【0019】上記構成によれば、一方の基板に突出形成
された配線部にスペーサーが位置しても、スペーサーの
一部が対向する基板に形成された凹部に収容される。こ
れにより、配線部の突出量がその突出量以上の深さを有
する凹部により補償(キャンセル)され、基板全面にわ
たって、均一なギャップ制御を精度良く行うことができ
る。
According to the above configuration, even if the spacer is located on the wiring portion protrudingly formed on one substrate, a part of the spacer is accommodated in the concave portion formed on the opposing substrate. Thus, the protrusion amount of the wiring portion is compensated (canceled) by the concave portion having a depth equal to or greater than the protrusion amount, and uniform gap control can be accurately performed over the entire surface of the substrate.

【0020】本発明の第2の発明は、複数のアドレス
線、複数のデータ線、画素電極、並びにトランジスタを
一方の主面に有する一対の基板と、その基板間に挟持さ
れた液晶材料とを具備し、トランジスタにより画素電極
をスイッチングするアクティブマトリクス液晶表示装置
において、トランジスタのゲートと画素電極を区画する
一方のアドレス線との間に設けられた第1のコンデンサ
と、トランジスタのゲートと画素電極を区画する他方の
アドレス線との間に設けられた第2のコンデンサとを具
備することを特徴としている。
According to a second aspect of the present invention, a pair of substrates having a plurality of address lines, a plurality of data lines, pixel electrodes, and transistors on one main surface, and a liquid crystal material sandwiched between the substrates are provided. In an active matrix liquid crystal display device comprising a transistor for switching a pixel electrode, a first capacitor provided between a gate of the transistor and one address line for partitioning the pixel electrode, and a gate and a pixel electrode of the transistor are provided. A second capacitor provided between the second address line and the other address line.

【0021】上記構成では、コンデンサを介してゲート
電極には、画素電極を挟む両方のアドレス線により電圧
が印加されるため、アドレス線の断線を補償することが
できる。また、トランジスタ数が減るため、画素電極を
小さくすることなくチャネル幅を広くすることができ、
トランジスタにより多くの電流を流すことが可能にな
る。
In the above configuration, since a voltage is applied to the gate electrode via the capacitor by both address lines sandwiching the pixel electrode, disconnection of the address line can be compensated. Further, since the number of transistors is reduced, the channel width can be increased without reducing the pixel electrode,
More current can flow through the transistor.

【0022】本発明の第2の発明の最も好ましい態様
は、アドレス線をトランジスタのゲート電極と同一の材
料で形成し、コンデンサの下部電極をアドレス線とし、
その上にトランジスタのゲート絶縁膜と同一材料の誘電
体を、トランジスタのドレインと同一材料のアドレス線
と重ねることで形成し、コンデンサの上部電極をゲート
電極と接触させるようにして、1つの画素電極に対し、
1つのトランジスタと2つのコンデンサを設ける。さら
に、画素電極を挟む両方のアドレス線上にコンデンサを
形成することにより、トランジスタのゲート電極が相異
なる2つのコンデンサを介して画素電極を挟み、相異な
るアドレス線に接続されるようにする。このようにする
ことにより、製造プロセスが簡易となり、省スペース化
を図ることができる。
In a most preferred aspect of the second invention of the present invention, the address line is formed of the same material as the gate electrode of the transistor, and the lower electrode of the capacitor is used as the address line.
A dielectric of the same material as that of the gate insulating film of the transistor is formed thereon by overlapping with the address line of the same material as the drain of the transistor, and the upper electrode of the capacitor is brought into contact with the gate electrode to form one pixel electrode. Against
One transistor and two capacitors are provided. Furthermore, by forming a capacitor on both address lines sandwiching the pixel electrode, the gate electrode of the transistor is sandwiched between the pixel electrodes via two different capacitors and connected to different address lines. By doing so, the manufacturing process can be simplified and space can be saved.

【0023】[0023]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して具体
的に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.

【0024】(実施例1)図1は本発明の第1の発明の
アクティブマトリクス型液晶表示装置の一実施例を示す
断面図である。この実施例では、ブラックマトリクスの
場合について説明する。図中10はアクティブマトリク
ス基板を示す。アクティブマトリクス基板10上には、
高さ1μmである配線部11が形成されている。また、
アクティブマトリクス基板10と対面してカラーフィル
ター基板12が配置されている。このカラーフィルター
基板12の配線部対応領域には、深さ1μm(1μm以
上)の凹部13が形成されている。また、配線部11上
に位置し、凹部13内に収容されるようにして外径1μ
mのスペーサー14が支持されている。この場合、スペ
ーサー14の半径をr、凹部13の幅をx、凹部13の
深さをyとし、配線部11の高さを凹部13の深さyと
同じに設定したとき、凹部の寸法は下記数1に示す条件
式を満足することが必要である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of an active matrix type liquid crystal display device according to the first invention of the present invention. In this embodiment, a case of a black matrix will be described. In the figure, reference numeral 10 denotes an active matrix substrate. On the active matrix substrate 10,
The wiring portion 11 having a height of 1 μm is formed. Also,
A color filter substrate 12 is arranged facing the active matrix substrate 10. A recess 13 having a depth of 1 μm (1 μm or more) is formed in a region corresponding to the wiring portion of the color filter substrate 12. Further, it is located on the wiring portion 11 and is housed in the recess 13 so as to have an outer diameter of 1 μm.
m spacers 14 are supported. In this case, when the radius of the spacer 14 is r, the width of the recess 13 is x, the depth of the recess 13 is y, and the height of the wiring portion 11 is set to be the same as the depth y of the recess 13, the dimension of the recess is It is necessary to satisfy the following conditional expression (1).

【0025】[0025]

【数1】 (Equation 1)

【0026】図2はカラーフィルター基板12の構成を
示す断面図である。カラーフィルター基板12は、基体
12aと、その上に形成され、段切れ部を有するカラー
フィルター層12bと、凹部底部に形成されたブラック
マトリクス層12cと、カラーフィルター層12bおよ
びブラックマトリクス層12c上に形成されたオーバー
コート層12dと、その上に形成された透明導電層12
eとから構成されている。
FIG. 2 is a sectional view showing the structure of the color filter substrate 12. The color filter substrate 12 includes a substrate 12a, a color filter layer 12b formed thereon and having a stepped portion, a black matrix layer 12c formed at the bottom of the concave portion, and a color filter layer 12b and a black matrix layer 12c. The formed overcoat layer 12d and the transparent conductive layer 12 formed thereon
e.

【0027】このカラーフィルター基板12は、基体1
2a上にCr、エポキシ樹脂等からなるブラックマトリ
クス層12cを形成し、アクティブマトリクス基板10
の配線部11の幅以上の間隔をおいて、エポキシ系樹脂
顔料等を印刷することによりカラーフィルター層12b
を形成し、さらに、その上にエポキシ系樹脂等の透明樹
脂を用いてオーバーコート層12dを形成する。このと
き、透明樹脂の粘度を調節することにより、段切れ部を
被覆するオーバーコート層12dの形状を制御する。さ
らに、その上にITO等からなる透明導電層を形成す
る。
The color filter substrate 12 is formed on the base 1
2a, a black matrix layer 12c made of Cr, epoxy resin or the like is formed.
The color filter layer 12b is printed with an epoxy resin pigment or the like at an interval equal to or greater than the width of the wiring portion 11 of FIG.
Is formed, and an overcoat layer 12d is formed thereon using a transparent resin such as an epoxy resin. At this time, by adjusting the viscosity of the transparent resin, the shape of the overcoat layer 12d covering the stepped portion is controlled. Further, a transparent conductive layer made of ITO or the like is formed thereon.

【0028】上記構成のカラーフィルター基板12に、
通常の方法により、配向処理を行った後、カラーフィル
ター基板12の端部に印刷等によってシール材層15を
形成し、スペーサー14を散布した。さらに、アクティ
ブマトリクス基板10をカラーフィルター基板12に配
置し、両基板を加圧状態で加熱することによりシールし
た後、液晶材料を注入して図3に示すアクティブマトリ
クス型液晶表示装置を完成させた。
The color filter substrate 12 having the above structure is
After performing an orientation treatment by a usual method, a sealing material layer 15 was formed on an end portion of the color filter substrate 12 by printing or the like, and spacers 14 were sprayed. Further, the active matrix substrate 10 was placed on the color filter substrate 12, and both substrates were sealed by heating under pressure, and then liquid crystal material was injected to complete the active matrix type liquid crystal display device shown in FIG. .

【0029】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
は、スペーサー14が配線部11上に位置しても、カラ
ーフィルター基板12に形成された凹部13がスペーサ
ー14を許容するので、カラーフィルター基板12に影
響を与えることなく、従来のセルギャップ制御精度5μ
m±0.5μmに対し、±0.2μmでセルギャップ制
御を行うことができた。
In this active matrix type liquid crystal display device, even when the spacer 14 is located on the wiring portion 11, the recess 13 formed in the color filter substrate 12 allows the spacer 14, so that the color filter substrate 12 is not affected. The conventional cell gap control accuracy of 5μ
Cell gap control could be performed at ± 0.2 μm with respect to m ± 0.5 μm.

【0030】(実施例2)図4は本発明の第2の発明の
アクティブマトリクス型液晶表示装置の一実施例を示す
回路構成図である。図4において、20,21,22は
それぞれ第k−1行、第k行、第k+1行のアドレス線
を示す。30および31はそれぞれ第j−1列、および
第j列のデータ線を示す。40,41,42はそれぞれ
第(j,k−1)、第(j,k)、および第(j,k+
1)番目の画素の画素電極を示す。50,51,52は
それぞれ第(j,k−1)、第(j,k)、および第
(j,k+1)番目のトランジスタを示す。51A,5
1Bはコンデンサを示し、51Aはトランジスタ51の
ゲート電極とアドレス線20に、51Bはトランジスタ
51のゲート電極とアドレス線21にそれぞれ接続され
ている。他のコンデンサ50A,50B,52A,52
Bについても前記と同様に接続されている。
(Embodiment 2) FIG. 4 is a circuit diagram showing an embodiment of an active matrix type liquid crystal display device according to the second invention of the present invention. In FIG. 4, reference numerals 20, 21, and 22 denote address lines of the (k-1) th row, the kth row, and the (k + 1) th row, respectively. Numerals 30 and 31 denote data lines in the j-1st column and the jth column, respectively. 40, 41, and 42 are (j, k-1), (j, k), and (j, k +
1) The pixel electrode of the 1st pixel is shown. Reference numerals 50, 51, and 52 denote (j, k-1) th, (j, k), and (j, k + 1) th transistors, respectively. 51A, 5
1B denotes a capacitor, 51A is connected to the gate electrode of the transistor 51 and the address line 20, and 51B is connected to the gate electrode of the transistor 51 and the address line 21, respectively. Other capacitors 50A, 50B, 52A, 52
B is connected in the same manner as described above.

【0031】このように構成することにより、次に述べ
るようにアドレス線の一方が断線しても、画素電極には
画像信号が印加され、アドレス線断線不良を補償するこ
とができる。
With this configuration, even if one of the address lines is disconnected as described below, the image signal is applied to the pixel electrode, and the address line disconnection defect can be compensated.

【0032】次に、上記構成のアクティブマトリクス型
液晶表示装置の具体的な作用について説明する。アドレ
ス線は、線順次方式で上から下へ順次操作する。アドレ
ス線20を選択すると、コンデンサ50Bと51Aを介
してトランジスタ50,51のゲート電極に電圧が印加
され、トランジスタ50,51が導通し、このときにデ
ータ線30に送られた画像信号S(j,k−1)が画素
電極40および41の双方に送られる。画素電極41に
注目すると、これにはアドレス線20に引き続いてアド
レス線21が選択されたときに、データ線30に送られ
ている画像信号S(j,k)がトランジスタ51を介し
て送られるので、アドレス線20が選択されたときの画
像信号S(j,k−1)を直ちに書き換えてしまう。こ
の電圧は、次にアドレス線の操作が一巡してアドレス線
20が選択されるまで印加されるので、該当する画素電
極で形成される画素自身が保持される。このため、実質
的には、表示画素41には画像信号S(j,k)のみが
送られたのと等価であり、正しい表示をすることにな
る。
Next, a specific operation of the active matrix type liquid crystal display device having the above configuration will be described. The address lines are operated sequentially from top to bottom in a line sequential manner. When the address line 20 is selected, a voltage is applied to the gate electrodes of the transistors 50 and 51 via the capacitors 50B and 51A, and the transistors 50 and 51 are turned on. At this time, the image signal S (j , K-1) are sent to both the pixel electrodes 40 and 41. Focusing on the pixel electrode 41, the image signal S (j, k) sent to the data line 30 is sent via the transistor 51 when the address line 21 is selected following the address line 20. Therefore, the image signal S (j, k-1) when the address line 20 is selected is immediately rewritten. This voltage is applied until the next operation of the address line completes and the address line 20 is selected, so that the pixel itself formed by the corresponding pixel electrode is held. Therefore, this is substantially equivalent to the case where only the image signal S (j, k) is sent to the display pixel 41, and a correct display is performed.

【0033】ここで、アドレス線21が断線した場合を
考えると、アドレス線21が選択されたときの書き換え
が起こらないので、画素電極41は画像信号S(j,k
−1)を保持し、これを表示することとなり、直線状の
無表示状態にならない。このため、欠陥画素として目立
つのを防止できる。さらに、一般の画像については、隣
接する画素間での画像信号の相関は高いから、上記のよ
うに隣り合う画素への信号を表示することにより本来の
信号を表示したのと大差のない画像が表示される。した
がって、実用上ほとんど欠陥として検知できなくなる。
このように、アドレス線20が断線した場合にも、アド
レス線21が正常であれば、正常な表示をすることは明
らかである。なお、アドレス線20とアドレス線21が
同時に断線する確率は非常に少ない。
Here, considering the case where the address line 21 is disconnected, no rewriting occurs when the address line 21 is selected, so that the pixel electrode 41 receives the image signal S (j, k).
-1) is held and displayed, so that a linear non-display state does not occur. For this reason, it can be prevented from being noticeable as a defective pixel. Furthermore, for general images, since the correlation of the image signals between adjacent pixels is high, displaying the signals to the adjacent pixels as described above makes it possible to obtain an image that is not much different from displaying the original signal. Is displayed. Therefore, practically, it can hardly be detected as a defect.
As described above, even when the address line 20 is broken, if the address line 21 is normal, a normal display is apparent. The probability that the address line 20 and the address line 21 are disconnected at the same time is very low.

【0034】また、画素電極40,42についても全く
同様の動作が行われる。このようにして画素全体につい
て、アドレス線断線不良を補償できる。
The same operation is performed for the pixel electrodes 40 and 42. In this way, address line disconnection failure can be compensated for the entire pixel.

【0035】図5(A)は、本発明の第2の発明のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の一実施例の構造を示
す平面図であり、図5(B)は図5(A)におけるI−
I線に沿う断面図である。
FIG. 5A is a plan view showing the structure of one embodiment of the active matrix type liquid crystal display device according to the second invention of the present invention, and FIG. −
It is sectional drawing which follows the I line.

【0036】図5(A)に示すアクティブマトリクス型
液晶表示装置は次のようにして製造される。まず、ガラ
ス基板60上に、スパッタリング法によりMo、Ta、
Al等の金属を成膜し、フォトリソグラフィー法により
ゲート電極63、アドレス線20,21を形成する。次
いで、ゲート電極63上にシリコン酸化膜(SiOx)
またはシリコン窒化膜(SiNx)からなるゲート絶縁
膜65、アモルファスシリコン(a−Si)からなる半
導体膜68を、シリコン窒化膜からなるチャネル形成用
絶縁膜69を順次連続的にプラズマCVD法で成膜し、
チャネル形成用絶縁膜69を所定形状にパターニングす
る。
The active matrix type liquid crystal display device shown in FIG. 5A is manufactured as follows. First, on a glass substrate 60, Mo, Ta,
A metal such as Al is formed into a film, and the gate electrode 63 and the address lines 20 and 21 are formed by photolithography. Next, a silicon oxide film (SiOx) is formed on the gate electrode 63.
Alternatively, a gate insulating film 65 made of a silicon nitride film (SiNx), a semiconductor film 68 made of amorphous silicon (a-Si), and a channel forming insulating film 69 made of a silicon nitride film are sequentially and continuously formed by a plasma CVD method. And
The channel forming insulating film 69 is patterned into a predetermined shape.

【0037】次いで、リンがドープされたn+ a−Si
膜70をプラズマCVD法で成膜し、フォトリソグラフ
ィー法によりn+ a−Si膜70、半導体膜68、ゲー
ト絶縁膜65をチャネル形成用絶縁膜69より広くなる
ように連続的にパターニングする。
Next, n + a-Si doped with phosphorus
The film 70 is formed by a plasma CVD method, and the n + a-Si film 70, the semiconductor film 68, and the gate insulating film 65 are continuously patterned by photolithography so as to be wider than the channel forming insulating film 69.

【0038】次に、ITO等の透明電極材料を用いて画
素電極41を形成した後、アドレス線端部における電極
取出し部の上部のゲート絶縁膜65を一部除去する工程
においてゲート電極上部77A,77Bを除去する。さ
らに、Mo、Al等からなるデータ線兼ドレイン電極3
0をn+ a−Si膜70と接するように形成し、この工
程でソース電極73をn+ a−Si膜70および画素電
極と接するようにし形成する。同時に、コンデンサ上部
電極74Aを77Aおよびアドレス線20の両方に重な
るように形成し、コンデンサ上部電極74Bを77Bお
よびアドレス21の両方に重なるように形成する。最後
に、ドレイン・ソース間のn+ a−Si膜70を選択エ
ッチングにより除去してトランジスタを完成させる。
Next, after the pixel electrode 41 is formed by using a transparent electrode material such as ITO, a part of the gate insulating film 65 above the electrode lead-out portion at the end of the address line is partially removed. 77B is removed. Furthermore, a data line / drain electrode 3 made of Mo, Al, etc.
0 is formed so as to be in contact with the n + a-Si film 70, and in this step, the source electrode 73 is formed so as to be in contact with the n + a-Si film 70 and the pixel electrode. At the same time, the capacitor upper electrode 74A is formed so as to overlap both the 77A and the address line 20, and the capacitor upper electrode 74B is formed so as to overlap both the 77B and the address 21. Finally, the n + a-Si film 70 between the drain and the source is removed by selective etching to complete the transistor.

【0039】この構成における各アドレス線、データ
線、トランジスタ、コンデンサとの関係は図4に示す関
係を有しており、アドレス線欠陥不良を補償できる構成
を実現している。このように、トランジスタのチャネル
幅をアドレス線間の幅近くまで拡張することができるた
め、画素電極に流す電流が増加し、表示特性が良好とな
る。なお、コンデンサは、アドレス線上に形成されるた
めに、コンデンサが付加されることによる画素電極の縮
小は必要ない。さらに、コンデンサは、トランジスタの
形成と同時に形成されるために、従来に比べ工程が増加
することはない。
The relationship among each address line, data line, transistor, and capacitor in this configuration has the relationship shown in FIG. 4, and a configuration capable of compensating for an address line defect is realized. As described above, the channel width of the transistor can be increased to near the width between the address lines, so that the current flowing to the pixel electrode increases, and the display characteristics are improved. Since the capacitor is formed on the address line, it is not necessary to reduce the pixel electrode by adding the capacitor. Further, since the capacitor is formed simultaneously with the formation of the transistor, the number of steps is not increased as compared with the related art.

【0040】上記ようにして従来の約2倍の長さのチャ
ネル幅を有するトランジスタを構成したアクティブマト
リクス型液晶表示装置と、従来のアクティブマトリクス
型液晶表示装置を作製し、画素電極の電圧および電流を
測定した。各画素の電圧を測定したところ、アドレス線
に断線が生じている場所の画素には、この近傍の画素電
圧と同一の電圧が印加された。また、本発明のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置では、その画素電極に流れ
る最大電流は従来のものに比べ約2倍の値を示した。ま
た、本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、
従来のものより良好な表示特性を示した。
As described above, an active matrix type liquid crystal display device having a transistor having a channel width about twice as long as the conventional one and a conventional active matrix type liquid crystal display device are manufactured. Was measured. When the voltage of each pixel was measured, the same voltage as the pixel voltage in the vicinity was applied to the pixel where the address line was disconnected. Further, in the active matrix type liquid crystal display device of the present invention, the maximum current flowing through the pixel electrode showed a value about twice that of the conventional one. Further, the active matrix type liquid crystal display device of the present invention,
It showed better display characteristics than the conventional one.

【0041】[0041]

【発明の効果】以上説明した如く本発明の第1の発明の
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、一方の主面に
電極が形成された一対の基板と、その基板間に挟持され
た液晶材料と、一対の基板間の間隔を規定するスペーサ
ーとを具備し、一方の基板の少なくとも一部にスペーサ
ーを許容する凹部が形成されているので、高精度にセル
ギャップを制御でき、これにより表示特性を向上させ、
表示における色むらを防止することができる。
As described above, the active matrix type liquid crystal display device according to the first aspect of the present invention comprises a pair of substrates having electrodes formed on one main surface, and a liquid crystal material sandwiched between the substrates. A spacer that defines the distance between a pair of substrates, and a recess that allows the spacer is formed in at least a part of one of the substrates, so that the cell gap can be controlled with high precision, thereby improving the display characteristics. Improve
Color unevenness in display can be prevented.

【0042】また、本発明の第2の発明は、複数のアド
レス線、複数のデータ線、画素電極、並びにトランジス
タを一方の主面に有する一対の基板と、その基板間に挟
持された液晶材料とを具備し、トランジスタにより画素
電極をスイッチングするアクティブマトリクス液晶表示
装置において、トランジスタのゲートと画素電極を区画
する一方のアドレス線との間に設けられた第1のコンデ
ンサと、トランジスタのゲートと画素電極を区画する他
方のアドレス線との間に設けられた第2のコンデンサと
を具備するので、アドレス線が断線しても、直線状の表
示欠陥の発生を防止することができる。さらに、本発明
の第2の発明によれば、従来の製造工程を増やすことな
く、また、画素電極の面積を減らすことなく、トランジ
スタのチャネル長を拡張することができ、良好な表示特
性を得ることができる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal material sandwiched between a pair of substrates having a plurality of address lines, a plurality of data lines, pixel electrodes, and transistors on one main surface. A first capacitor provided between the gate of the transistor and one of the address lines for partitioning the pixel electrode, and the gate of the transistor and the pixel. Since the second capacitor is provided between the second address line and the other address line for partitioning the electrode, even if the address line is broken, it is possible to prevent a linear display defect from occurring. Further, according to the second aspect of the present invention, the channel length of the transistor can be expanded without increasing the number of conventional manufacturing steps and without reducing the area of the pixel electrode, and excellent display characteristics can be obtained. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の発明のアクティブマトリクス型
液晶表示装置の一実施例の一部を示す断面図。
FIG. 1 is a sectional view showing a part of an embodiment of an active matrix liquid crystal display device according to the first invention of the present invention.

【図2】図1におけるカラーフィルター基板の構成を示
す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a color filter substrate in FIG.

【図3】本発明の第1の発明のアクティブマトリクス型
液晶表示装置の一実施例を示す断面図。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an embodiment of the active matrix type liquid crystal display device according to the first invention of the present invention.

【図4】本発明の第2の発明のアクティブマトリクス型
液晶表示装置の一実施例を示す回路構成図。
FIG. 4 is a circuit diagram showing one embodiment of an active matrix type liquid crystal display device according to the second invention of the present invention.

【図5】(A)は本発明の第2の発明のアクティブマト
リクス型液晶表示装置のトランジスタ部を示す平面図、
(B)は(A)におけるI−I線に沿う断面図。
FIG. 5A is a plan view showing a transistor portion of an active matrix liquid crystal display device according to a second invention of the present invention;
(B) is a sectional view taken along line II in (A).

【図6】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
セルギャップ制御について説明するための断面図。
FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining cell gap control of a conventional active matrix liquid crystal display device.

【図7】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
セルギャップ制御について説明するための断面図。
FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining cell gap control of a conventional active matrix liquid crystal display device.

【図8】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
問題点を説明するための断面図。
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a problem of a conventional active matrix liquid crystal display device.

【図9】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
一例を示す回路構成図。
FIG. 9 is a circuit diagram showing an example of a conventional active matrix liquid crystal display device.

【図10】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
のトランジスタ部を示す平面図。
FIG. 10 is a plan view showing a transistor portion of a conventional active matrix liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…アクティブマトリクス基板、11…配線部、12
…カラーフィルター基板、12a…基体、12b…カラ
ーフィルター層、12c…ブラックマトリクス層、12
d…オーバーコート層、12e…透明導電層、13…凹
部、14…スペーサー、15…シール材層、20,2
1,22…アドレス線、30,31…データ線兼ドレイ
ン電極、40,41,42…画素電極、50,51,5
2…トランジスタ、50A,50B,51A,51B,
52A,52B…コンデンサ、60…ガラス基板、63
…ゲート電極、65…ゲート絶縁膜、68…半導体膜、
69…チャネル形成用絶縁膜、70…n+ a−Si膜、
77A,77B…ゲート電極上部。
10 Active matrix substrate, 11 Wiring unit, 12
... color filter substrate, 12a ... substrate, 12b ... color filter layer, 12c ... black matrix layer, 12
d: overcoat layer, 12e: transparent conductive layer, 13: concave portion, 14: spacer, 15: sealing material layer, 20, 2
1, 22 ... address line, 30, 31 ... data line / drain electrode, 40, 41, 42 ... pixel electrode, 50, 51, 5
2. Transistors, 50A, 50B, 51A, 51B,
52A, 52B: condenser, 60: glass substrate, 63
... gate electrode, 65 ... gate insulating film, 68 ... semiconductor film,
69: an insulating film for forming a channel; 70: an n + a-Si film;
77A, 77B: Above the gate electrode.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一主面に規則的に配置される複数の突出部
を有する第1基板と、前記第1基板にスペーサーを介し
て対面配置される第2基板と、これら基板間に挟持され
る液晶材料と、を備え、 前記第2基板は、前記第1基板の突出部に対応する位置
に前記スペーサーの一部を収納する凹部を備え、これに
より前記第1基板と前記第2基板との間隙は略一定に保
持されることを特徴とする液晶表示装置。
1. A first substrate having a plurality of projections regularly arranged on one principal surface, a second substrate facing the first substrate via a spacer, and sandwiched between the substrates. The second substrate has a concave portion for accommodating a part of the spacer at a position corresponding to the projecting portion of the first substrate, whereby the first substrate, the second substrate and The liquid crystal display device characterized in that the gap is kept substantially constant.
【請求項2】前記突出部は、前記第1基板に形成された
配線電極によりなることを特徴とする請求項1に記載の
液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the projecting portion is formed of a wiring electrode formed on the first substrate.
【請求項3】前記凹部は、前記第2基板に形成されたカ
ラーフィルター層の段切れ部により制御されてなること
を特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the concave portion is controlled by a stepped portion of a color filter layer formed on the second substrate.
【請求項4】前記スペーサーは球形状であることを特徴
とする請求項1に記載の液晶表示装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the spacer has a spherical shape.
【請求項5】前記スペーサーは、前記突出部の高さ以上
の深さで前記凹部に収納されることを特徴とする請求項
1に記載の液晶表示装置。
5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the spacer is accommodated in the recess at a depth greater than a height of the protrusion.
【請求項6】前記スペーサーが前記凹部に収納される深
さと、前記突出部の高さが同一であることを特徴とする
請求項5に記載の液晶表示装置。
6. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein the depth at which the spacer is housed in the recess and the height of the protrusion are the same.
JP2000398101A 2000-12-27 2000-12-27 Liquid crystal display device Pending JP2001222015A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000398101A JP2001222015A (en) 2000-12-27 2000-12-27 Liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000398101A JP2001222015A (en) 2000-12-27 2000-12-27 Liquid crystal display device

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34846693A Division JP3576586B2 (en) 1993-12-27 1993-12-27 Active matrix substrate and display device using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001222015A true JP2001222015A (en) 2001-08-17

Family

ID=18863131

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000398101A Pending JP2001222015A (en) 2000-12-27 2000-12-27 Liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001222015A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6924871B2 (en) 2002-10-25 2005-08-02 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device, method for fabricating liquid crystal device, and electronic apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6924871B2 (en) 2002-10-25 2005-08-02 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device, method for fabricating liquid crystal device, and electronic apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7557886B2 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR101254241B1 (en) Low-Cost Large-Screen Wide-Angle Fast-Response Active Matrix Liquid Crystal Display Apparatus and Method of Fabricating Active Matrix Substrate
US6998283B2 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR100469342B1 (en) Liquid Crystal Display Device
US20020126246A1 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device
US7671931B2 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
US6795142B2 (en) Liquid crystal display device having first color pixel with different Channel width/length ratio than second color pixel
KR100550703B1 (en) Fabricating method of electrooptical device and semiconductor device
KR20040028589A (en) Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US7687835B2 (en) Liquid crystal display panel
JP3956562B2 (en) Electro-optic device
US7936424B2 (en) Liquid crystal display panel with light leakage prevention film and method for manufacturing the same
US5835170A (en) Active matrix LCD with storage capacitors connected between the pixel electrode and gate lines, none of which is a gate line for driving the pixel
US8681307B2 (en) Insulated gate transistor, active matrix substrate, liquid crystal display device, and method for producing the same
US6900871B1 (en) Thin film transistor substrate of liquid crystal display and method of manufacture
JP3576586B2 (en) Active matrix substrate and display device using the same
JP2960268B2 (en) Active matrix liquid crystal panel, manufacturing method and driving method thereof, and active matrix liquid crystal display
US20050157226A1 (en) Integrated color filter and fabricating method thereof
KR100623443B1 (en) Multi-Domain Liquid Crystal Display Device
JP2001222015A (en) Liquid crystal display device
US20020085160A1 (en) Liquid crystal panel for liquid crystal display device and fabricating method for the same
KR0120399Y1 (en) Liquid crystal display device
KR100928491B1 (en) LCD and its manufacturing method
KR100487434B1 (en) Liquid Crystal Display Device and Method for Manufacturing the Same
JP2004233829A (en) Field sequential liquid crystal display