JP2001215695A - Photosensitive resin composition and method of producing the same - Google Patents

Photosensitive resin composition and method of producing the same

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JP2001215695A
JP2001215695A JP2000025142A JP2000025142A JP2001215695A JP 2001215695 A JP2001215695 A JP 2001215695A JP 2000025142 A JP2000025142 A JP 2000025142A JP 2000025142 A JP2000025142 A JP 2000025142A JP 2001215695 A JP2001215695 A JP 2001215695A
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JP
Japan
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organic group
group
aromatic
polyimide precursor
resin composition
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JP2000025142A
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Japanese (ja)
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Yuichi Noguchi
有一 野口
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Kyocera Chemical Corp
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Toshiba Chemical Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polyimide precursor developable with an aqueous alkali solution and having positive type pattern forming ability, and a method of stably producing the polyimide precursor. SOLUTION: The photosensitive resin composition contains (A) the polyimide precursor represented by formula 1 or 2 (where R1 is a tetravalent organic group such as a benzophenonetetracarboxylic acid dianhydride residue; R2 is a divalent organic group such as a diaminodiphenyl ether residue; R3 and R4 are each an alcoholic compound having a diazonaphtoquinone ring or an aromatic ring having a phenolic OH group; and (n) is an integer of >=1), (B) a dehydration condensing agent used in the synthesis of the polyimide precursor, e.g. diphenyl (2,3-dihydro-2-thioxo-3-benzoxazole)phosphonate, (C) a photosensitive agent which enhances sensitivity to active light, e.g. a diazonaphthoquinone compound and (D) a solvent.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス等
の製造において電気、電子絶縁材料として用いられるポ
リイミド系の感光性樹脂組成物およびその製造方法に関
するものであり、詳しくは、この感光性樹脂組成物は、
ICやLSI等の半導体素子上に成膜される絶縁保護膜
であって、微細パターンの加工が必要とされるものなど
に好ましく適用される。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polyimide-based photosensitive resin composition used as an electric or electronic insulating material in the production of semiconductor devices and the like, and a method for producing the same. Things are
It is preferably applied to an insulating protective film formed on a semiconductor element such as an IC or an LSI, which requires processing of a fine pattern.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ポリイミド樹脂は、その高い耐熱
性、耐薬品性、電気絶縁性、低誘電率等によって、半導
体を含む電気、電子分野への展開がなされており、半導
体デバイスの分野では、IC、LSI、超LSIのチッ
プの層間絶縁膜や表面保護膜として利用されている。し
かし、それら膜における従来のパターン形成方法では、
ポリイミド前駆体をウェーハ上に塗布・乾燥した後、フ
ォトレジストを用いてパターン蝕刻加工を行わなくては
ならず、また、有害物質であるヒドラジン溶液をポリイ
ミドエッチング液として使用しなくてはならなかった。
2. Description of the Related Art In recent years, polyimide resins have been developed in the fields of electricity and electronics, including semiconductors, due to their high heat resistance, chemical resistance, electrical insulation, low dielectric constant, and the like. , IC, LSI and VLSI chips are used as interlayer insulating films and surface protective films. However, in the conventional pattern forming method for these films,
After coating and drying the polyimide precursor on the wafer, pattern etching had to be performed using photoresist, and harmful hydrazine solution had to be used as the polyimide etching solution .

【0003】このため、ポリイミド前駆体に感光基を導
入し、ポリイミド自体のパターン形成を可能にする試み
が材料メーカー各社で行われており、幾つかの製品分野
において実用段階にきている。しかし、現在実用化され
ている感光性ポリイミドは、感光基をイオン結合でポリ
イミド前駆体に導入しているものと、エステル結合を介
して導入しているものに大別できるが、前者では、パタ
ーニングプロセスにおいて使用される露光装置に対して
感度が低く(溶解度差が低く)、また工程内で樹脂の溶
解性が低下するためにプロセスマージンが低い。また、
後者では、ポリイミド前駆体の製造に複雑な工程が必要
とされるうえに実用に耐え得る十分な高分子量のものが
得られれない。さらに、これらの樹脂は、ネガ型のパタ
ーン形成方式を採用しており、パターン形成の際には有
機溶剤によって現像しなくてはならず、環境保全の観点
から重大な問題となっている。
[0003] For this reason, attempts to introduce a photosensitive group into a polyimide precursor to enable pattern formation of the polyimide itself have been made by various material manufacturers, and are in the practical stage in some product fields. However, photosensitive polyimides currently in practical use can be broadly classified into those in which photosensitive groups are introduced into the polyimide precursor through ionic bonds and those in which photosensitive groups are introduced through ester bonds. The sensitivity is low (the solubility difference is low) with respect to the exposure apparatus used in the process, and the process margin is low because the solubility of the resin decreases in the process. Also,
In the latter case, a complicated process is required for the production of the polyimide precursor, and a high-molecular-weight product having a practically sufficient high molecular weight cannot be obtained. Further, these resins employ a negative pattern forming method, and must be developed with an organic solvent when forming a pattern, which is a serious problem from the viewpoint of environmental conservation.

【0004】最近、ポジ型感光性樹脂組成物として、ポ
リベンゾオキサゾールにジアゾナフトキノン化合物を添
加したものが提案されている。しかし、この樹脂組成物
は耐熱性、耐薬品性においてポリイミド樹脂より性能が
悪く、限られた半導体製品への適用しか出来ない。これ
らの問題からパターン形成の際にアルカリ水溶液が利用
でき、かつ、この現像液に対して非膨潤で高解像度化が
可能なポジ型感光性ポリイミド前駆体が強く要求されて
いる。
Recently, as a positive photosensitive resin composition, a composition in which a diazonaphthoquinone compound is added to polybenzoxazole has been proposed. However, this resin composition is inferior to polyimide resin in heat resistance and chemical resistance, and can be applied only to limited semiconductor products. From these problems, there is a strong demand for a positive photosensitive polyimide precursor that can use an aqueous alkaline solution at the time of pattern formation, and that does not swell with the developer and can increase the resolution.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前述
した従来の欠点を解消し、アルカリ水溶液にて現像が可
能なポジ型パターン形成能を有するポリイミド前駆体と
このポリイミド前駆体を安定して製造する方法を提供す
るものである。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above-mentioned conventional disadvantages and to provide a polyimide precursor having a positive pattern forming ability capable of being developed with an aqueous alkali solution and a stable polyimide precursor. It is intended to provide a manufacturing method.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を進めた結果、後述の樹脂組成
物と、その製造方法を採用することによって、上記目的
を達成できることを見いだし、本発明を完成したもので
ある。
Means for Solving the Problems As a result of intensive research aimed at achieving the above object, the present inventor has found that the above object can be achieved by employing a resin composition described below and a method for producing the same. The present invention has been completed.

【0007】即ち、本発明の感光性樹脂組成物は、
(A)次の一般式で示されるポリイミド前躯体、
That is, the photosensitive resin composition of the present invention comprises:
(A) a polyimide precursor represented by the following general formula:

【化3】 (但し、式中、R1 は、4価の芳香族基、複数の芳香族
環が単結合された4価の有機基、又は複数の芳香族環が
−O−、−CO−、−SO2 −若しくは−CH2−で結
合された4価の有機基であり、R2 は、2価の芳香族
基、複数の芳香族環が単結合された2価の有機基、又は
複数の芳香族環が−O−、−CO−、−SO 2 −若しく
は−CH2 −で結合された2価の有機基であり、R3
4 はジアゾナフトキノン環もしくはフェノール性OH
基をもつ芳香族環を有する有機基であり、nは1以上の
整数である) (B)上記の(A)ポリイミド前躯体を合成するにあた
り用いる脱水縮合剤、(C)活性光線に対する感度を向
上させる感光剤および(D)溶剤からなることを特徴と
する。
Embedded image(However, in the formula, R1Is a tetravalent aromatic group, a plurality of aromatic groups
A tetravalent organic group having a single bond or a plurality of aromatic rings
-O-, -CO-, -SOTwo-Or -CHTwoNegative
A combined tetravalent organic group,TwoIs divalent aromatic
Group, a divalent organic group in which a plurality of aromatic rings are single-bonded, or
Plural aromatic rings are -O-, -CO-, -SO Two-Young
Is -CHTwoA divalent organic group linked by-Three,
RFourIs a diazonaphthoquinone ring or phenolic OH
An organic group having an aromatic ring having a group, wherein n is one or more
(B) In synthesizing the above (A) polyimide precursor
Dehydrating condensing agent to be used, (C)
And (D) a solvent.
I do.

【0008】また、本発明の感光性樹脂組成物の製造方
法は、(1)下記一般式中に示されるR1 骨格をもつ酸
二無水物とR3 、R4 骨格をもつアルコール性化合物と
のエステル化反応工程、
Further, the method for producing the photosensitive resin composition of the present invention comprises the steps of (1) preparing an acid dianhydride having an R 1 skeleton and an alcoholic compound having an R 3 , R 4 skeleton represented by the following general formula: Esterification reaction step,

【化4】 (但し、式中、R1 は、4価の芳香族基、複数の芳香族
環が単結合された4価の有機基、又は複数の芳香族環が
−O−、−CO−、−SO2 −若しくは−CH2−で結
合された4価の有機基であり、R2 は、2価の芳香族
基、複数の芳香族環が単結合された2価の有機基、又は
複数の芳香族環が−O−、−CO−、−SO 2 −若しく
は−CH2 −で結合された2価の有機基であり、R3
4 はジアゾナフトキノン環もしくはフェノール性OH
基をもつ芳香族環を有する有機基であり、nは1以上の
整数である) (2)脱水縮合剤添加のもとで、(1)のエステル化反
応物と、上記一般式中のR2 骨格をもつジアミン化合物
との重縮合反応工程、(3)重縮合反応したポリイミド
前躯体の精製工程および(4)感光剤を含むポリイミド
前躯体溶液の調製工程からなることを特徴とする。
Embedded image(However, in the formula, R1Is a tetravalent aromatic group, a plurality of aromatic groups
A tetravalent organic group having a single bond or a plurality of aromatic rings
-O-, -CO-, -SOTwo-Or -CHTwoNegative
A combined tetravalent organic group,TwoIs divalent aromatic
Group, a divalent organic group in which a plurality of aromatic rings are single-bonded, or
Plural aromatic rings are -O-, -CO-, -SO Two-Young
Is -CHTwoA divalent organic group linked by-Three,
RFourIs a diazonaphthoquinone ring or phenolic OH
An organic group having an aromatic ring having a group, wherein n is one or more
(2) Under the addition of a dehydrating condensing agent, the esterification reaction of (1)
And R in the above general formulaTwoDiamine compound with skeleton
(3) Polycondensation-reacted polyimide
Precursor purification process and (4) polyimide containing photosensitizer
It is characterized by comprising a step of preparing a precursor solution.

【0009】以下、本発明を詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail.

【0010】まず、本発明の感光性樹脂組成物の製造方
法を、(1)〜(4)の工程順に説明する。
First, the method for producing the photosensitive resin composition of the present invention will be described in the order of steps (1) to (4).

【0011】(1)化4の式中のR1 骨格をもつ酸二無
水物とR3 、R4 骨格をもつ化合物とのエステル化反応
工程 本発明におけるポリイミド前躯体のR1 骨格をもつ酸成
分としては、例えば、ピロメリット酸、3,3′,4,
4′−ビフェニルテトラカルボン酸、2,3,3′,
4′−ビフェニルテトラカルボン酸、3,3′,4,
4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、4,4′−オ
キシジフタル酸、3,3′,4,4′−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン酸、2,2−ビス(3,4−ジカル
ボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,3,
6,7−ナフタレンテトラカルボン酸、1,2,5,6
−ナフタレンテトラカルボン酸、1,4,5,8−ナフ
タレンテトラカルボン酸、1,2,3,4−シクロブタ
ンテトラカルボン酸、1,2,3,4−ブタンテトラカ
ルボン酸、1,2,4,5−シクロペンタンテトラカル
ボン酸、1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボ
ン酸、3,3′,4,4′−ビシクロヘキシルテトラカ
ルボン酸、2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル
酢酸、3,4−ジカルボキシ−1,2,3,4−テトラ
ヒドロナフタレン−1−コハク酸等とその無水物が挙げ
られ、これらは単独又は混合して使用することかができ
る。
(1) An esterification reaction step between an acid dianhydride having an R 1 skeleton and a compound having an R 3 , R 4 skeleton in the formula (4): An acid having an R 1 skeleton of the polyimide precursor in the present invention As the component, for example, pyromellitic acid, 3,3 ′, 4,
4'-biphenyltetracarboxylic acid, 2,3,3 ',
4'-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3 ', 4
4'-benzophenonetetracarboxylic acid, 4,4'-oxydiphthalic acid, 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic acid, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane, 2,3
6,7-naphthalenetetracarboxylic acid, 1,2,5,6
-Naphthalenetetracarboxylic acid, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic acid, 1,2,4 , 5-cyclopentanetetracarboxylic acid, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4'-bicyclohexyltetracarboxylic acid, 2,3,5-tricarboxycyclopentylacetic acid, , 4-Dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1-succinic acid and its anhydrides, which can be used alone or in combination.

【0012】さらに、上記R1 骨格となる酸成分にエス
テル結合でジアゾナフトキノン環(A群)を導入し若し
くはフェノール性OH基をもつ芳香族環(B郡)を導入
するR3 、R4 骨格をもつアルコール性化合物として
は、例えば、A群
Further, R 3 and R 4 skeletons in which a diazonaphthoquinone ring (Group A) or an aromatic ring having a phenolic OH group (Group B) is introduced into the acid component serving as the R 1 skeleton through an ester bond. Examples of the alcoholic compound having

【化5】 B群Embedded image Group B

【化6】 等が挙げられる。Embedded image And the like.

【0013】A群とB群の導入比率は、エステル結合比
率で5:90〜30:70重量比であることが好まし
い。A群比率が高いと紫外線に対する感度が低下し、B
群比率が高いと得られるパターンが膨潤する。また、A
群、B群中の化合物は単独又は混合して使用することが
できる。
The introduction ratio of the groups A and B is preferably 5:90 to 30:70 by weight in terms of ester bond ratio. If the ratio of group A is high, the sensitivity to ultraviolet rays decreases, and B
When the group ratio is high, the obtained pattern swells. Also, A
The compounds in group B and group B can be used alone or as a mixture.

【0014】上記R1 骨格となる酸成分と上記R3 、R
4 骨格をもつアルコール性化合物とのエステル化反応
は、例えばR1 骨格をもつ酸二水物とR3 、R4 骨格を
もつアルコールで、反応溶媒としてはポリイミド前駆体
合成に良好な非プロトン性極性溶媒、例えばN−メチル
−2−ピロリドン等を用い、反応を円滑に行うための塩
基性触媒、例えばトリエチルアミン、ピリジン、トリエ
タノールアミン等の存在下、常温で行うのが好ましい。
この塩基性触媒は上記酸成分に対して1.5〜3.0倍
モル、好ましくは2.0〜2.5倍モルの範囲で使用す
ることができる。
The acid component serving as the R 1 skeleton and the R 3 , R
The esterification reaction with an alcoholic compound having a 4 skeleton is, for example, an acid dihydrate having an R 1 skeleton and an alcohol having an R 3 or R 4 skeleton. The reaction is preferably carried out at room temperature in the presence of a polar solvent, for example, N-methyl-2-pyrrolidone, etc., in the presence of a basic catalyst for smoothly carrying out the reaction, for example, triethylamine, pyridine, triethanolamine or the like.
This basic catalyst can be used in a range of 1.5 to 3.0 times mol, preferably 2.0 to 2.5 times mol of the above acid component.

【0015】また、上記R1 骨格となる酸成分にエステ
ル結合で導入されるR3 、R4 骨格は、アミド結合によ
って導入してもよい。
The R 3 and R 4 skeletons introduced into the acid component serving as the R 1 skeleton through an ester bond may be introduced through an amide bond.

【0016】(2)上記エステル化反応物と化4式中の
2 骨格となるジアミン化合物との重縮合反応 本発明に用いるR2 骨格となるジアミン成分としては、
例えば、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジア
ミン、2,4−ジアミノトルエン、2,5−ジアミノト
ルエン、2,6−ジアミノトルエン、3,5−ジアミノ
トルエン、1−メトキシ−2,4−ジアミノベンゼン、
1,4−ジアミノ−2−メトキシ−5−メチルベンゼ
ン、1,3−ジアミノ−4,6−ジメチルベンゼン、
3,5−ジアミノ安息香酸、2,5−ジアミノ安息香
酸、1,2−ジアミノナフタレン、1,4−ジアミノナ
フタレン、1,5−ジアミノナフタレン、1,6−ジア
ミノナフタレン、1,7−ジアミノナフタレン、1,8
−ジアミノナフタレン、2,3−ジアミノナフタレン、
2,6−ジアミノナフタレン、1,4−ジアミノ−2−
メチルナフタレン、1,5−ジアミノ−2−メチルナフ
タレン、1,3−ジアミノ−2−フェニルナフタレン、
2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、1,1
−ビス(4−アミノフェニル)エタン、4,4′−ジア
ミノジフェニルメタン、3,3′−ジメチル−4,4′
−ジアミノジフェニルメタン、3,3′,5,5′−テ
トラメチル−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、
3,3′−ジメチル−5,5′−ジエチル−4,4′−
ジアミノジフェニルメタン、3,3′,5,5′−テト
ラエチル−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、4,
4′−メチレンビス(シクロヘキシルアミン)、4,
4′−メチレンビス(3,3−ジメチル−シクロヘキシ
ルアミン)、2,4′−ジアミノジフェニルスルフィ
ド、4,4′−ジアミノジフェニルスルフィド、3,
3′−ジアミノジフェニルスルフォン、4,4′−ジア
ミノジフェニルスルフォン、4,4′−ジアミノベンズ
アニリド、3,3′−ジアミノジフェニルエーテル、
3,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ジ
アミノジフェニルエーテル、ビス(4−アミノフェニ
ル)ジエチルシラン、ビス(4−アミノフェニル)ジフ
ェニルシラン、ビス(4−アミノフェニル)−N−メチ
ルアミン、ビス(4−アミノフェニル)−N−フェニル
アミン、3,3′−ジアミノベンゾフェノン、4,4′
−ジアミノベンゾフェノン、2,6−ジアミノピリジ
ン、3,5−ジアミノピリジン、4,4′−ジアミノビ
フェニル、3,3′−ジアミノビフェニル、3,3′−
ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル、3,3′−
ジメトキシ−4,4′−ジアミノビフェニル、3,3′
−ジヒドロキシ−4,4′−ジアミノビフェニル、o−
トルイジンスルフォン、4,4′−ビス(4−アミノフ
ェノキシ)ビフェニル、2,2−ビス[4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルフォン、ビス
[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルフォ
ン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、
1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、9,
10−ビス(4−アミノフェニル)アントラセン、9,
9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン、2,2−
ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、1,1−ビス(4−アミノフェニル)−1−フ
ェニル−2,2,2−トリフルオロエタン、2,2−ビ
ス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフル
オロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−メチル
フェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4
−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロ
プロパン等が挙げられ、これらは単独又は2種以上混合
して使用することができる。また、これらの化合物は上
記エステル化合物に対して等モルで使用するのが好まし
いが、使用目的や最終粘度、分子量に合わせて0.5〜
1.5倍モルの範囲で使用することができる。
(2) Polycondensation reaction of the above esterification reaction product with a diamine compound serving as an R 2 skeleton in the chemical formula 4 The diamine component serving as an R 2 skeleton used in the present invention includes:
For example, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 2,4-diaminotoluene, 2,5-diaminotoluene, 2,6-diaminotoluene, 3,5-diaminotoluene, 1-methoxy-2,4-diaminobenzene ,
1,4-diamino-2-methoxy-5-methylbenzene, 1,3-diamino-4,6-dimethylbenzene,
3,5-diaminobenzoic acid, 2,5-diaminobenzoic acid, 1,2-diaminonaphthalene, 1,4-diaminonaphthalene, 1,5-diaminonaphthalene, 1,6-diaminonaphthalene, 1,7-diaminonaphthalene , 1,8
-Diaminonaphthalene, 2,3-diaminonaphthalene,
2,6-diaminonaphthalene, 1,4-diamino-2-
Methyl naphthalene, 1,5-diamino-2-methylnaphthalene, 1,3-diamino-2-phenylnaphthalene,
2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 1,1
-Bis (4-aminophenyl) ethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dimethyl-4,4 '
-Diaminodiphenylmethane, 3,3 ', 5,5'-tetramethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane,
3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-
Diaminodiphenylmethane, 3,3 ', 5,5'-tetraethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,
4'-methylenebis (cyclohexylamine), 4,
4'-methylenebis (3,3-dimethyl-cyclohexylamine), 2,4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,
3'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminobenzanilide, 3,3'-diaminodiphenylether,
3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, bis (4-aminophenyl) diethylsilane, bis (4-aminophenyl) diphenylsilane, bis (4-aminophenyl) -N-methylamine, bis (4-aminophenyl) -N-phenylamine, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4 '
-Diaminobenzophenone, 2,6-diaminopyridine, 3,5-diaminopyridine, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, 3,3'-
Dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-
Dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3 '
-Dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl, o-
Toluidine sulfone, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, bis [4- (4-
Aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4-
(4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene,
1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 9,
10-bis (4-aminophenyl) anthracene, 9,
9-bis (4-aminophenyl) fluorene, 2,2-
Bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (3-aminophenyl) hexafluoropropane, 1,1-bis (4-aminophenyl) -1-phenyl-2,2,2-trifluoroethane, 2,2-bis (3-amino -4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-methylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis [4
-(4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane and the like, and these can be used alone or as a mixture of two or more. These compounds are preferably used in an equimolar amount with respect to the above ester compound.
It can be used in the range of 1.5 moles.

【0017】次に本発明において、上記重縮合反応に使
用する脱水縮合剤について説明する。
Next, the dehydrating condensing agent used in the polycondensation reaction in the present invention will be described.

【0018】上記エステル化反応物とジアミン成分とを
重縮合法によって反応させる場合、通常は、酸クロライ
ドを用いて行われるが、半導体デバイスを含む電気、電
子分野においては、遊離したクロルイオンが製品信頼性
不良の原因となるため、酸クロライド法による重合を行
う場合には、重縮合後に純水にて十分洗浄する必要があ
る。また、脱水縮合剤として用いられるDCC(ジシク
ロヘキシルカルボジイミド)等のカルボジイミド誘導体
は、副反応の併発、ポリイミド前駆体のゲル化、
毒性等の問題があり、さらには副生成物として発生する
ウレアの完全な除去が困難である。そのため、反応系を
冷却したり、脱水縮合剤を数回に分けて添加したり、酸
成分とジアミン成分のモルバランスを崩すなどして使用
されている。また、他の方法として近年、本発明者らが
特許申請をしている脱水縮合剤としてジフェニル(2,
3−ジヒドロ−2−チオキソ−3−ベンゾオキサゾー
ル)ホスホナートおよびその誘導体、ジフェニル(2,
3−ジヒドロ−2−チオキソ−3−ベンゾチアゾール)
ホスホナートおよびその誘導体による重縮合法が挙げら
れ、この方法では、穏和な条件で安定した製造が可能で
あるため、高い解像度をもち、かつ高膜特性を有するポ
リイミド前駆体を得ることができる。これらは単独又は
2種以上混合して使用することができる。これらの添加
量は、上記エステル化合物に対して1〜3倍モルの範囲
で、好ましくは2〜2.5倍モルの範囲で使用すること
ができる。
When the esterification reaction product and the diamine component are reacted by the polycondensation method, the reaction is usually carried out using an acid chloride. In the electric and electronic fields including semiconductor devices, the free chloride ion is used as a product. When performing polymerization by the acid chloride method, it is necessary to sufficiently wash with pure water after the polycondensation, since this causes poor reliability. In addition, a carbodiimide derivative such as DCC (dicyclohexylcarbodiimide) used as a dehydration condensing agent causes simultaneous side reactions, gelation of a polyimide precursor,
There are problems such as toxicity, and it is difficult to completely remove urea generated as a by-product. Therefore, it is used for cooling a reaction system, adding a dehydrating condensing agent in several portions, or breaking a molar balance between an acid component and a diamine component. Further, as another method, diphenyl (2,2) has recently been used as a dehydration condensing agent for which the present inventors have filed a patent.
3-dihydro-2-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate and its derivatives, diphenyl (2,
3-dihydro-2-thioxo-3-benzothiazole)
A polycondensation method using a phosphonate or a derivative thereof is mentioned. In this method, stable production can be performed under mild conditions, and thus a polyimide precursor having high resolution and high film properties can be obtained. These can be used alone or in combination of two or more. These can be used in an amount of 1 to 3 moles, preferably 2 to 2.5 moles, per 1 mole of the ester compound.

【0019】本発明に用いるポリイミド前躯体の重縮合
反応の溶媒としては、例えば、N−メチルピロリドン、
N,N′−ジメチルアセトアミド、N,N′−ジメチル
ホルムアミド等の非プロトン性極性溶剤や、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン等が用いられ、これらは単独
又は2種以上混合して使用することができる。
As the solvent for the polycondensation reaction of the polyimide precursor used in the present invention, for example, N-methylpyrrolidone,
An aprotic polar solvent such as N, N'-dimethylacetamide and N, N'-dimethylformamide, cyclohexanone, cyclopentanone and the like are used, and these can be used alone or as a mixture of two or more.

【0020】(3)重縮合反応したポリイミド前躯体の
精製 得られたスラリー状高分子をメタノール、エタノール、
イソプロピルアルコール、水等の貧溶剤中で攪拌、洗浄
した後、析出した物を減圧乾燥して化4で示されるポリ
イミド前躯体が得られる。
(3) Purification of Polyimide Precursor After Polycondensation Reaction The obtained slurry polymer was treated with methanol, ethanol,
After stirring and washing in a poor solvent such as isopropyl alcohol and water, the precipitate is dried under reduced pressure to obtain a polyimide precursor represented by Chemical Formula 4.

【0021】(4)感光剤を含むポリイミド前躯体溶液
の調製 前述によって製造された樹脂組成物は、半導体デバイス
製造に使用される露光機の活性光線に対して感度を向上
させる目的で、生成されたポリイミド前躯体に以下例示
の感光剤を添加することができる。
(4) Preparation of Polyimide Precursor Solution Containing Photosensitizer The resin composition produced as described above is produced for the purpose of improving the sensitivity to actinic rays of an exposure machine used for semiconductor device production. The following photosensitizers can be added to the polyimide precursor.

【0022】[0022]

【化7】 Embedded image

【化8】 これら感光剤は、上記構造に限定されるものではない。
また、使用にあたっては単独又は2種以上混合して使用
することができる。その添加量は、1〜10重量部が好
ましい。添加量が1重量部未満であるとその効果がな
く、また10重量部を超えると得られる塗膜の特性が低
下する。
Embedded image These photosensitive agents are not limited to the above structure.
In use, they can be used alone or in combination of two or more. The addition amount is preferably 1 to 10 parts by weight. When the amount is less than 1 part by weight, the effect is not obtained.

【0023】また、本発明によって得られる樹脂組成物
は、溶剤に溶解した性状で使用されるが、溶解に使用さ
れる溶剤としては、例えば、N−メチルピロリドン、
N,N′−ジメチルアセトアミド、N,N′−ジメチル
ホルムアミド等の非プロトン性極性溶剤や、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、ジエチレングリコールジエ
チルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等が挙げら
れ、これらは単独又は2種以上混合して使用することが
できる。
The resin composition obtained by the present invention is used in the form dissolved in a solvent. Examples of the solvent used for dissolution include N-methylpyrrolidone,
Aprotic polar solvents such as N, N'-dimethylacetamide, N, N'-dimethylformamide, cyclohexanone, cyclopentanone, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate; Butyl lactate and the like can be mentioned, and these can be used alone or in combination of two or more.

【0024】次に、本発明の樹脂組成物の使用方法につ
いて説明する。
Next, the method of using the resin composition of the present invention will be described.

【0025】半導体デバイスへの適用を考えた場合、ま
ず、この樹脂組成物を対象とするウェーハ上にスピンコ
ーターを用いてコーティングし、次に90〜120℃で
塗膜を乾燥させる。得られた塗膜上にパターンが描画さ
れているマスクを透過させて365nm、436nmと
いった活性紫外線を照射する。次に、この塗膜をアルカ
リ水溶液、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、アンモニア等の無機ア
ルカリ水溶液やエチルアミン、n−プロピルアミン等の
一級アミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン
等の二級アミン、トリエチルアミン、メチルジメチルア
ミン等の三級アミン、ジメチルエタノールアミン、トリ
エタノールアミン等のアルコールアミン、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウム
ヒドロキシド等の四級アミンを使用して活性光線照射部
のみを溶解現像し、純水によってリンス洗浄する。現像
方式としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方
式が考えられる。これによって、対象とするウェーハ上
には所望するポジ型パターンを得ることができる。さら
に、この塗膜を熱処理させることによってこの樹脂組成
物をイミド化し、膜特性に優れるポリイミド膜を形成す
ることができる。
When application to a semiconductor device is considered, first, this resin composition is coated on a target wafer using a spin coater, and then the coating film is dried at 90 to 120 ° C. An active ultraviolet ray having a wavelength of 365 nm or 436 nm is irradiated through a mask having a pattern drawn on the obtained coating film. Next, this coating film is applied to an alkaline aqueous solution, for example, sodium hydroxide, potassium hydroxide,
Inorganic alkaline aqueous solutions such as sodium carbonate, potassium carbonate and ammonia; primary amines such as ethylamine and n-propylamine; secondary amines such as diethylamine and di-n-propylamine; tertiary amines such as triethylamine and methyldimethylamine; dimethyl Only the active light-irradiated portion is dissolved and developed using an alcoholamine such as ethanolamine and triethanolamine, and a quaternary amine such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, and rinsed with pure water. As a developing system, a system such as spray, paddle, immersion, and ultrasonic wave can be considered. Thereby, a desired positive pattern can be obtained on the target wafer. Further, by heat-treating the coating film, the resin composition can be imidized to form a polyimide film having excellent film properties.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例に基づいて
具体的に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be specifically described based on embodiments.

【0027】実施例1 窒素導入管を備えた反応フラスコに、ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物1mol、2LのN−メチル−
2−ピロリドン、1,2−ジアゾナフトキノン−4−ス
ルホン酸のp−ヒドロキシベンジルアルコールエステル
0.3mol、および4−ヒドロキシベンジルアルコー
ル1.8molを加えて攪拌し、続けて2.1molの
トリエチルアミンを30分間で滴下する。この状態で3
時間放置し、反応終了後に1molの4,4−ジアミノ
ジフェニルエーテルを加えて30分間攪拌溶解させる。
次に2.1molのジフェニル(2,3−ジヒドロ−2
−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを
5回に分けて添加し、その状態で5時間縮合反応させ
る。得られたスラリー状の混合物を大量のメタノール中
に投入して洗浄し、得られた固形樹脂を真空乾燥機によ
って12時間乾燥する。さらに乾燥した固形樹脂30g
を70gのN−メチル−2−ピロリドンに溶解させ、得
られたスラリー状物を1μm濾過してサンプル1とし
た。
Example 1 A reaction flask equipped with a nitrogen inlet tube was charged with 1 mol of benzophenonetetracarboxylic dianhydride and 2 L of N-methyl-
2-Pyrrolidone, 0.3 mol of p-hydroxybenzyl alcohol ester of 1,2-diazonaphthoquinone-4-sulfonic acid, and 1.8 mol of 4-hydroxybenzyl alcohol were added, followed by stirring, followed by addition of 30 mol of 2.1 mol of triethylamine. Drop in minutes. 3 in this state
After leaving the reaction for 1 hour, 1 mol of 4,4-diaminodiphenyl ether is added, and the mixture is stirred and dissolved for 30 minutes.
Then 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-2
-Thioxo-3-benzoxazole) phosphonate is added in five portions, and a condensation reaction is carried out for 5 hours in this state. The obtained slurry mixture is poured into a large amount of methanol for washing, and the obtained solid resin is dried by a vacuum dryer for 12 hours. 30 g of dried solid resin
Was dissolved in 70 g of N-methyl-2-pyrrolidone, and the obtained slurry was filtered at 1 μm to give Sample 1.

【0028】このサンプル1をスピンコーターを用いて
6インチシリコンウェーハ上にコートし、ベーク板にて
120℃で3分間加熱乾燥することによって膜厚10μ
mの塗膜を得た。この塗膜を365nmのみを透過させ
るフィルターを使用した紫外線露光機によって300m
j/cm2 のエネルギーでテストパターンを照射し、続
けて2.38%のTMAH(テトラメチルアンモニウム
ハイドライド)水溶液にて2分間のパドル現像を行っ
た。この操作によって塗膜の紫外線照射部のみを溶解さ
せたポジ型レリーフパターンを得ることができた。得ら
れたパターンを光学顕微鏡によって観察したところ、
1.0μmまでのパターンがシャープに形成されている
ことが確認できた。
This sample 1 was coated on a 6-inch silicon wafer using a spin coater, and dried by heating at 120 ° C. for 3 minutes on a bake plate to form a film having a thickness of 10 μm.
m was obtained. This coating film was 300 m thick by an ultraviolet exposure machine using a filter that transmits only 365 nm.
The test pattern was irradiated with an energy of j / cm 2 , followed by paddle development with a 2.38% aqueous solution of TMAH (tetramethylammonium hydride) for 2 minutes. By this operation, a positive relief pattern in which only the ultraviolet irradiation part of the coating film was dissolved was obtained. When the obtained pattern was observed with an optical microscope,
It was confirmed that the pattern up to 1.0 μm was formed sharply.

【0029】さらに、このパターンを150℃で1時
間、250℃で1時間、350℃で1時間の加熱処理を
行い、塗膜のイミド化を完結させた。このイミドパター
ンは、シリコンウェーハ上に強固に密着しており、パタ
ーンに樹脂クラックや剥離は観察されなかった。
Further, this pattern was subjected to a heat treatment at 150 ° C. for 1 hour, at 250 ° C. for 1 hour, and at 350 ° C. for 1 hour to complete the imidization of the coating film. This imide pattern was firmly adhered to the silicon wafer, and no resin crack or peeling was observed in the pattern.

【0030】実施例2 窒素導入管を備えた反応フラスコに、ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物1mol、2LのN−メチル−
2−ピロリドン、1,2−ジアゾナフトキノン−4−ス
ルホン酸のp−ヒドロキシベンジルアルコールエステル
0.3mol、および3,5−ジヒドロキシベンジルア
ルコール1.8molを加えて攪拌し、続けて2.1m
olのトリエチルアミンを30分間で滴下する。この状
態で3時間放置し、反応終了後に1molの4,4−ジ
アミノジフェニルエーテルを加えて30分間攪拌溶解さ
せる。次に2.1molのジフェニル(2,3−ジヒド
ロ−2−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナ
ートを5回に分けて添加し、その状態で5時間縮合反応
させる。得られたスラリー状の混合物を大量のメタノー
ル中に投入して洗浄し、得られた固形樹脂を真空乾燥機
によって12時間乾燥する。更に乾燥した固形樹脂30
gとベンゾフェノン型の2置換体ジアゾナフトキノン化
合物3gを67gのN−メチル−2−ピロリドンに溶解
させ、得られたスラリー状物を1μm濾過してサンプル
2とした。
Example 2 Into a reaction flask equipped with a nitrogen inlet tube, 1 mol of benzophenonetetracarboxylic dianhydride and 2 L of N-methyl-
2-Pyrrolidone, 0.3 mol of p-hydroxybenzyl alcohol ester of 1,2-diazonaphthoquinone-4-sulfonic acid, and 1.8 mol of 3,5-dihydroxybenzyl alcohol were added, and the mixture was stirred.
ol of triethylamine are added dropwise over 30 minutes. In this state, the mixture is left for 3 hours, and after completion of the reaction, 1 mol of 4,4-diaminodiphenyl ether is added and dissolved by stirring for 30 minutes. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-2-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate is added in five portions, and a condensation reaction is carried out for 5 hours in that state. The obtained slurry mixture is poured into a large amount of methanol for washing, and the obtained solid resin is dried by a vacuum dryer for 12 hours. Further dried solid resin 30
g and 3 g of a benzophenone-type disubstituted diazonaphthoquinone compound were dissolved in 67 g of N-methyl-2-pyrrolidone, and the resulting slurry was filtered at 1 μm to give Sample 2.

【0031】このサンプル2をスピンコーターを用いて
6インチシリコンウェーハ上にコートし、ベーク板にて
120℃で3分間加熱乾燥することによって膜厚10μ
mの塗膜を得た。この塗膜を365nmのみを透過させ
るフィルターを使用した紫外線露光機によって150m
j/cm2 のエネルギーでテストパターンを照射し、続
けて2.38%のTMAH(テトラメチルアンモニウム
ハイドライド)水溶液にて1分間のパドル現像を行っ
た。この操作によって塗膜の紫外線照射部のみを溶解さ
せたポジ型レリーフパターンを得ることができた。得ら
れたパターンを光学顕微鏡によって観察したところ、
1.0μmまでのパターンがシャープに形成されている
ことが確認できた。
Sample 2 was coated on a 6-inch silicon wafer using a spin coater, and dried by heating at 120 ° C. for 3 minutes on a baking plate to form a film having a thickness of 10 μm.
m was obtained. This coating film was exposed to an ultraviolet light using a filter that transmits only 365 nm to a thickness of 150 m.
The test pattern was irradiated with an energy of j / cm 2 , followed by paddle development with a 2.38% aqueous solution of TMAH (tetramethylammonium hydride) for 1 minute. By this operation, a positive relief pattern in which only the ultraviolet irradiation part of the coating film was dissolved was obtained. When the obtained pattern was observed with an optical microscope,
It was confirmed that the pattern up to 1.0 μm was formed sharply.

【0032】さらに、このパターンを150℃で1時
間、250℃で1時間、350℃で1時間の加熱処理を
行い、塗膜のイミド化を完結させた。このイミドパター
ンは、シリコンウェーハ上に強固に密着しており、パタ
ーンに樹脂クラックや剥離は観察されなかった。
Further, the pattern was subjected to a heat treatment at 150 ° C. for 1 hour, at 250 ° C. for 1 hour, and at 350 ° C. for 1 hour to complete the imidization of the coating film. This imide pattern was firmly adhered to the silicon wafer, and no resin crack or peeling was observed in the pattern.

【0033】比較例 窒素導入管を備えた反応フラスコに、ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物1mol、2LのN−メチル−
2−ピロリドン、およびp−ヒドロキシベンジルアルコ
ール2.1molを加えて攪拌し、続けて2.1mol
のトリエチルアミンを30分間で滴下する。この状態で
3時間放置し、反応終了後に1molの4,4−ジアミ
ノジフェニルエーテルを加えて30分間攪拌溶解させ
る。次に2.1molのジフェニル(2,3−ジヒドロ
−2−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナー
トを5回に分けて添加し、その状態で5時間縮合反応さ
せる。得られたスラリー状の混合物を大量のメタノール
中に投入して洗浄し、得られた固形樹脂を真空乾燥機に
よって12時間乾燥する。更に乾燥した固形樹脂30g
とベンゾフェノン型の2置換体ジアゾナフトキノン化合
物3gを67gのN−メチル−2−ピロリドンに溶解さ
せ、得られたスラリー状物を1μm濾過してサンプル3
とした。
Comparative Example A reaction flask equipped with a nitrogen inlet tube was charged with 1 mol of benzophenonetetracarboxylic dianhydride and 2 L of N-methyl-
2-Pyrrolidone and 2.1 mol of p-hydroxybenzyl alcohol were added and stirred, followed by 2.1 mol.
Of triethylamine is added dropwise over 30 minutes. In this state, the mixture is left for 3 hours, and after completion of the reaction, 1 mol of 4,4-diaminodiphenyl ether is added and dissolved by stirring for 30 minutes. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-2-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate is added in five portions, and a condensation reaction is carried out for 5 hours in that state. The obtained slurry mixture is poured into a large amount of methanol for washing, and the obtained solid resin is dried by a vacuum dryer for 12 hours. 30 g of dried solid resin
And 3 g of a disubstituted diazonaphthoquinone compound of the benzophenone type were dissolved in 67 g of N-methyl-2-pyrrolidone, and the resulting slurry was filtered at 1 μm to obtain a sample 3
And

【0034】このサンプル3をスピンコーターを用いて
6インチシリコンウェーハ上にコートし、ベーク板にて
120℃で3分間加熱乾燥することによって膜厚10μ
mの塗膜を得た。この塗膜を365nmのみを透過させ
るフィルターを使用した紫外線露光機によって300m
j/cm2 のエネルギーでテストパターンを照射し、続
けて2.38%のTMAH(テトラメチルアンモニウム
ハイドライド)水溶液にて1分間のパドル現像を行っ
た。この操作によって塗膜の紫外線照射部のみを溶解さ
せたポジ型レリーフパターンを得ることができた。得ら
れたパターンを光学顕微鏡によって観察したところ、1
5.0μmまでのパターンが形成されていることが確認
された。しかし、このパターンは膨潤していてシャープ
な形状ではなかった。
This sample 3 was coated on a 6-inch silicon wafer using a spin coater and dried by heating at 120 ° C. for 3 minutes on a bake plate to form a film having a thickness of 10 μm.
m was obtained. This coating film was 300 m thick by an ultraviolet exposure machine using a filter that transmits only 365 nm.
The test pattern was irradiated with an energy of j / cm 2 , followed by paddle development with a 2.38% aqueous solution of TMAH (tetramethylammonium hydride) for 1 minute. By this operation, a positive relief pattern in which only the ultraviolet irradiation part of the coating film was dissolved was obtained. Observation of the obtained pattern with an optical microscope revealed that
It was confirmed that a pattern up to 5.0 μm was formed. However, this pattern was swollen and not a sharp shape.

【0035】さらに、このパターンを150℃で1時
間、250℃で1時間、350℃で1時間の加熱処理を
行い、塗膜のイミド化を完結させた。このイミドパター
ンは、シリコンウェーハ上に強固に密着しており、パタ
ーンに樹脂クラックや剥離は観察されなかった。
Further, this pattern was subjected to a heat treatment at 150 ° C. for 1 hour, at 250 ° C. for 1 hour, and at 350 ° C. for 1 hour to complete the imidization of the coating film. This imide pattern was firmly adhered to the silicon wafer, and no resin crack or peeling was observed in the pattern.

【0036】[0036]

【発明の効果】本発明は、ポジ型のパターン形成能をも
つ感光性ポリイミド前駆体であり、パターン形成に関し
てはアルカリ性水溶液を使用することが可能である。こ
のため、得られるパターンの現像液に対する膨潤が少な
く、極めてシャープな高解像度パターンを得ることがで
きるだけではなく、これまで大量に発生していた有機溶
剤の産業廃棄物をも全廃することができる。また、最終
的に得られるポリイミド塗膜は、耐熱性や耐薬品性に優
れているため、通常使用されている半導体デバイス保護
膜と同等に使用することが可能となった。本発明は、感
光性樹脂組成物に使用される樹脂骨格そのものと、その
製造方法に関するものであるが、これらは全く新規の発
想に基くものであり、他に類のない非常に優れた発明で
あることが容易に理解できる。
The present invention is a photosensitive polyimide precursor having a positive pattern forming ability, and an alkaline aqueous solution can be used for pattern formation. For this reason, not only can the obtained pattern swell little in the developing solution, and not only can a very sharp high-resolution pattern be obtained, but also industrial waste of organic solvents that has been generated in large quantities can be completely eliminated. Further, the polyimide coating finally obtained is excellent in heat resistance and chemical resistance, so that it can be used in the same manner as a commonly used semiconductor device protective film. The present invention relates to the resin skeleton itself used in the photosensitive resin composition and a method for producing the resin skeleton, but these are based on a completely new idea, and are very unique inventions like no other. It is easy to understand.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03F 7/022 G03F 7/022 H01L 21/027 H01L 21/30 502R Fターム(参考) 2H025 AA00 AA01 AA06 AA07 AA08 AA10 AA20 AB16 AC01 AD03 BE01 BE02 BJ10 CC03 CC20 FA03 FA17 FA29 4J002 CM041 EV216 FD146 FD206 GP03 4J043 PA01 PC015 PC065 QB21 QB31 RA05 RA06 RA35 SA06 SA42 SA47 SA61 SA71 SA72 SB01 SB02 TA14 TA22 TA31 TA32 TA51 TA71 TA74 TB01 TB02 UA022 UA032 UA041 UA042 UA121 UA122 UA131 UA132 UA141 UA151 UA231 UA232 UA251 UA261 UA262 UA361 UB011 UB021 UB051 UB061 UB062 UB121 UB122 UB151 UB152 UB241 UB281 UB301 UB302 UB311 XA13 XA16 XA19 XB11 XB20 YA02 YA06 YB07 YB08 YB22 YB31 YB44 ZA06 ZA11 ZA12 ZA43 ZA46 ZB22 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G03F 7/022 G03F 7/022 H01L 21/027 H01L 21/30 502R F-term (Reference) 2H025 AA00 AA01 AA06 AA07 AA08 AA10 AA20 AB16 AC01 AD03 BE01 BE02 BJ10 CC03 CC20 FA03 FA17 FA29 4J002 CM041 EV216 FD146 FD206 GP03 4J043 PA01 PC015 PC065 QB21 QB31 RA05 RA06 RA35 SA06 SA42 SA47 SA61 SA71 SA72 SB01 SB02 TA14 TA02 TA31 UA1 TA21 TA04 TA03 TA04 UA121 UA122 UA131 UA132 UA141 UA151 UA231 UA232 UA251 UA261 UA262 UA361 UB011 UB021 UB051 UB061 UB062 UB121 UB122 UB151 UB152 UB241 UB281 ZUB30 UB301 UB302 UB311 XA13 XA16 XA19 XB12 XA19 XB16

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)次の一般式で示されるポリイミド
前躯体、 【化1】 (但し、式中、R1 は、4価の芳香族基、複数の芳香族
環が単結合された4価の有機基、又は複数の芳香族環が
−O−、−CO−、−SO2 −若しくは−CH2−で結
合された4価の有機基であり、R2 は、2価の芳香族
基、複数の芳香族環が単結合された2価の有機基、又は
複数の芳香族環が−O−、−CO−、−SO 2 −若しく
は−CH2 −で結合された2価の有機基であり、R3
4 はジアゾナフトキノン環もしくはフェノール性OH
基をもつ芳香族環を有する有機基であり、nは1以上の
整数である)(B)上記の(A)ポリイミド前躯体を合
成するにあたり用いる脱水縮合剤、(C)活性光線に対
する感度を向上させる感光剤および(D)溶剤からなる
ことを特徴とする感光性樹脂組成物。
(A) a polyimide represented by the following general formula:
Precursor,(However, in the formula, R1Is a tetravalent aromatic group, a plurality of aromatic groups
A tetravalent organic group having a single bond or a plurality of aromatic rings
-O-, -CO-, -SOTwo-Or -CHTwoNegative
A combined tetravalent organic group,TwoIs divalent aromatic
Group, a divalent organic group in which a plurality of aromatic rings are single-bonded, or
Plural aromatic rings are -O-, -CO-, -SO Two-Young
Is -CHTwoA divalent organic group linked by-Three,
RFourIs a diazonaphthoquinone ring or phenolic OH
An organic group having an aromatic ring having a group, wherein n is one or more
(B) The above (A) polyimide precursor is combined.
The dehydrating condensing agent used for forming
Consisting of a photosensitizer and a solvent (D) for improving sensitivity
A photosensitive resin composition comprising:
【請求項2】 (1)下記一般式中に示されるR1 骨格
をもつ酸二無水物とR3 、R4 骨格をもつアルコール性
化合物とのエステル化反応工程、 【化2】 (但し、式中、R1 は、4価の芳香族基、複数の芳香族
環が単結合された4価の有機基、又は複数の芳香族環が
−O−、−CO−、−SO2 −若しくは−CH2−で結
合された4価の有機基であり、R2 は、2価の芳香族
基、複数の芳香族環が単結合された2価の有機基、又は
複数の芳香族環が−O−、−CO−、−SO 2 −若しく
は−CH2 −で結合された2価の有機基であり、R3
4 はジアゾナフトキノン環もしくはフェノール性OH
基をもつ芳香族環を有する有機基であり、nは1以上の
整数である) (2)脱水縮合剤添加のもとで、(1)のエステル化反
応物と、上記一般式中のR2 骨格をもつジアミン化合物
との重縮合反応工程、(3)重縮合反応したポリイミド
前躯体の精製工程および(4)感光剤を含むポリイミド
前躯体溶液の調製工程からなることを特徴とする感光性
樹脂組成物の製造方法。
(1) R represented by the following general formula:1Skeleton
Acid dianhydride with RThree, RFourAlcoholic with skeleton
An esterification reaction step with a compound,(However, in the formula, R1Is a tetravalent aromatic group, a plurality of aromatic groups
A tetravalent organic group having a single bond or a plurality of aromatic rings
-O-, -CO-, -SOTwo-Or -CHTwoNegative
A combined tetravalent organic group,TwoIs divalent aromatic
Group, a divalent organic group in which a plurality of aromatic rings are single-bonded, or
Plural aromatic rings are -O-, -CO-, -SO Two-Young
Is -CHTwoA divalent organic group linked by-Three,
RFourIs a diazonaphthoquinone ring or phenolic OH
An organic group having an aromatic ring having a group, wherein n is one or more
(2) Under the addition of a dehydrating condensing agent, the esterification reaction of (1)
And R in the above general formulaTwoDiamine compound with skeleton
(3) Polycondensation-reacted polyimide
Precursor purification process and (4) polyimide containing photosensitizer
Photosensitivity characterized by comprising a precursor solution preparation process
A method for producing a resin composition.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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