JP2001213678A - 導電性セラミックス及びその製造方法 - Google Patents

導電性セラミックス及びその製造方法

Info

Publication number
JP2001213678A
JP2001213678A JP2000019678A JP2000019678A JP2001213678A JP 2001213678 A JP2001213678 A JP 2001213678A JP 2000019678 A JP2000019678 A JP 2000019678A JP 2000019678 A JP2000019678 A JP 2000019678A JP 2001213678 A JP2001213678 A JP 2001213678A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carbon
ceramic
oxide
carbon source
raw material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000019678A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahiko Okada
能彦 岡田
Takeo Okaya
建夫 大萱
Makoto Uno
誠 宇野
Nakamaro Hiyoudou
仲麻呂 兵頭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WICERA CO Ltd
Original Assignee
WICERA CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WICERA CO Ltd filed Critical WICERA CO Ltd
Priority to JP2000019678A priority Critical patent/JP2001213678A/ja
Publication of JP2001213678A publication Critical patent/JP2001213678A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5001Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with carbon or carbonisable materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/90Electrical properties
    • C04B2111/94Electrically conducting materials

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、製造が容易で常温で安定した導電
性を示し、安全性の高い導電性セラミックスを提供する
ことを可能にすることを目的としている。 【解決手段】 アルミナ系セラミックスの原料を成形し
て焼成したアルミナ板1を粉末木炭上に載置して接触さ
せた状態で1400℃以上の還元雰囲気で熱処理するよ
うに構成したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性を有するセ
ラミックス及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来から電気的絶縁性を有するセラミッ
クスは各種の電子部品や電気材料等に使用されている。
【0003】例えば、アルファーアルミナ系セラミック
スの製造においては、微粉のアルミナ原料に各種の添加
材を混合して粉砕した後にバインダー(粘結剤)と称さ
れる高分子有機化合物を混合し、スプレードライヤーを
使って造粒した後、この造粒物をプレス成形した後に高
温の酸化雰囲気での焼成によりセラミックス化する。
【0004】また、スプレードライヤーを使用せずに水
分調整後に押し出し成形し、或いは、三次元方向の水圧
を付与して成形処理した後、同様に高温の酸化雰囲気で
の焼成によりセラミックス化する場合もある。
【0005】従来から酸化物系として取り扱われてきた
アルミナ系セラミックスは、当然、酸化雰囲気で熱処理
するものといった固定概念が出来上がっており、通常、
焼成は高温の酸化雰囲気で行われているのが現状であ
る。
【0006】一方、最近では、導電性を有するセラミッ
クスの研究開発がなされており、その一例としては超伝
導材料として研究されている稀金属を使用したものや、
ガンマーアルミナとナトリウムを組み合わせたもの、或
いは各種の金属及びその酸化物を使用したもの等の研究
報告がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の導電性セラミックスでは導電性を示す温度範囲
が限定されており、常温で導電性を示すものの開発が望
まれていた。また、多くの研究がなされている金属酸化
物系では、その安定性や有害性が懸念されるといった問
題があった。
【0008】本発明は前記課題を解決するものであり、
その目的とするところは、製造が容易で常温で安定した
導電性を示し、安全性の高い導電性セラミックスを提供
せんとするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明に係る導電性セラミックスは、酸化物系セラミ
ックスの表面に炭素を含む層を形成したことを特徴とす
る。
【0010】上記構成によれば、電気的絶縁性を有する
酸化物系セラミックスの表面に導電性を有する炭素を含
む層を形成したことでセラミックスの物理的、化学的な
特性を保持した上で導電性を付与することが出来る。
【0011】また、酸化物系セラミックスの原料を成形
した成形物の表面に炭素源を接触させた状態で焼成して
該炭素源から遊離した炭素を浸透させた場合には、酸化
物系セラミックスの表面に液体、粉末、固体等の炭素源
を接触させた状態で焼成することで、該炭素源が高温領
域で蒸発して酸化物系セラミックスに炭素が浸透する。
【0012】これにより、電気的絶縁性を有する酸化物
系セラミックスの表面に導電性を有する炭素を含む層を
容易に形成することが出来る。
【0013】また、炭素は還元雰囲気、真空雰囲気或い
は不活性ガス中雰囲気でセラミックスを焼成する際の1
400℃以上の高温度にも耐えることが出来、有害性も
なく安全で空気中で安定な物質であるため有利である。
【0014】また、酸化物系セラミックスの原料を成形
して焼成した焼成物の表面に炭素源を接触させた状態で
熱処理して該炭素源から遊離した炭素を浸透させた場合
には、一旦焼成した酸化物系セラミックスの表面に液
体、粉末、固体等の炭素源を接触させた状態で熱処理す
ることで、該炭素源が高温領域で蒸発して、一旦焼成さ
れた酸化物系セラミックスに炭素が浸透する。
【0015】これにより、一旦焼成された電気的絶縁性
を有する酸化物系セラミックスの表面に導電性を有する
炭素を含む層を容易に形成することが出来る。
【0016】また、炭素は還元雰囲気、真空雰囲気或い
は不活性ガス中雰囲気で一旦焼成したセラミックスを熱
処理する際の1400℃以上の高温度にも耐えることが
出来、有害性もなく安全で空気中で安定な物質であるた
め有利である。
【0017】また、前記酸化物系セラミックスの原料を
成形した成形物の表面、または前記酸化物系セラミック
スの原料を成形して焼成した焼成物の表面に粉末炭素源
を接触させて該粉末炭素源から遊離した炭素を浸透させ
れば好ましい。
【0018】また、前記酸化物系セラミックスの原料を
成形した成形物、または前記酸化物系セラミックスの原
料を成形して焼成した焼成物を粉末炭素源内に埋設した
状態で該粉末炭素源から遊離した炭素を浸透させれば好
ましい。
【0019】また、前記酸化物系セラミックスの原料
が、アルミナ系セラミックスの原料である場合には好ま
しい。
【0020】また、炭素は高温度条件では酸化して炭酸
ガスとして大気中に放出されてしまうことから前記酸化
物系セラミックスの原料を成形した成形物の焼成、また
は酸化物系セラミックスの原料を成形して焼成した焼成
物の熱処理を、還元雰囲気、真空雰囲気或いは不活性ガ
ス中雰囲気のうちのいずれかで行うことで炭素源の酸化
を防止することが出来る。特に還元雰囲気では炭素源の
蒸発現象を促進することが出来、好ましい。
【0021】また、前記炭素源が、高温の還元雰囲気で
炭素として存在し得る天然或いは合成の有機物であれば
好ましい。
【0022】また、本発明に係る導電性セラミックスの
製造方法は、酸化物系セラミックスの原料を成形した
後、その成形物の表面に炭素源を接触させた状態で、且
つ1400℃以上の還元雰囲気、真空雰囲気或いは不活
性ガス中雰囲気のうちのいずれかで焼成したことを特徴
とする。
【0023】また、本発明に係る導電性セラミックスの
他の製造方法は、酸化物系セラミックスの原料を成形し
た後、その成形物を焼成し、その焼成物の表面に炭素源
を接触させた状態で、且つ1400℃以上の還元雰囲
気、真空雰囲気或いは不活性ガス中雰囲気のうちのいず
れかで熱処理したことを特徴とする。
【0024】上記各製造方法によれば、炭素源が酸化す
ることなく導電性セラミックスを容易に製造することが
出来る。
【0025】また、前記酸化物系セラミックスの原料を
成形した成形物を焼成する際に使用する容器、または前
記酸化物系セラミックスの原料を成形して焼成した焼成
物を熱処理する際に使用する容器が、炭素製容器で構成
された場合には、酸化物系セラミックスへの炭素源から
遊離した炭素の浸透を安定化させることが出来、好まし
い。
【0026】また、前記酸化物系セラミックスの原料を
成形した成形物を焼成する際に使用する容器と該焼成さ
れる成形物との間、または前記酸化物系セラミックスの
原料を成形して焼成した焼成物を熱処理する際に使用す
る容器と該熱処理される燃焼物との間に炭素製部材を敷
設した場合には、該炭素製部材により酸化物系セラミッ
クスへの炭素源から遊離した炭素の浸透を安定化させる
ことが出来、好ましい。
【0027】
【発明の実施の形態】図により本発明に係る導電性セラ
ミックス及びその製造方法の一実施形態を具体的に説明
する。図1は本発明に係る導電性セラミックスの一例と
してアルミナ板を粉末木炭上に載置した状態で熱処理し
て炭素源から遊離した炭素を浸透させた導電性セラミッ
クス組成を示す電子顕微鏡写真図、図2は本発明に係る
導電性セラミックスの一例としてアルミナ板を粉末木炭
上に載置した状態で熱処理して炭素源から遊離した炭素
を浸透させた導電性セラミックス組成を示す拡大写真図
である。
【0028】また、図3は本発明に係る導電性セラミッ
クスの一例としてアルミナ板を粉末木炭上或いはグラフ
ァイト上に夫々載置した状態で熱処理して該アルミナ板
に炭素源から遊離した炭素を浸透させた夫々の導電性セ
ラミックスの電圧−電流特性を示す図である。
【0029】図1及び図2は本発明に係る導電性セラミ
ックスとして酸化物セラミックスの一例であるアルミナ
系セラミックスの原料となるアルミナ原料を成形して焼
成した焼成物となる厚さ1mm程度のアルミナ板1を、炭
素製容器となるグラファイト製容器内に敷設された炭素
源となる粉末木炭上に載置して該アルミナ板1の下面を
粉末木炭に接触させ、そのアルミナ板1及び粉末木炭を
還元雰囲気として窒素ガスを絶えず導入した電気炉にて
昇温速度1000℃/60分で1600℃の一定温度で
2時間熱処理し、同還元雰囲気で常温まで降温して得ら
れた片面炭素浸透した導電性セラミックスの組成を示
す。
【0030】図1は倍率が100倍の電子顕微鏡写真図
であり、図2は倍率が100倍の拡大写真図である。各
図の下部に示された指標長さは100μmである。図1
において、黒色の部分は炭素粒2を示し、黒色以外の白
色等その他の部分はアルミナの結晶粒3を示す。
【0031】図1及び図2に示されたアルミナ板1は、
図1及び図2の左側面に粉末木炭を接触させて熱処理し
たものであり、1mmの厚さのアルミナ板1の図1及び図
2の左側面から800μm程度の深さまで炭素粒2が浸
透して該アルミナ板1の表面に炭素を含む層1aを形成
している。
【0032】純粋な炭素は蒸発する成分は少ないが、木
炭、カーボンブラック、グラファイト等の工業品では高
温領域での蒸発成分を有しており、特に高温の還元雰囲
気では蒸発現象が顕著である。そして、高温領域で蒸発
した炭素源がアルミナ板1の表面から浸透して片側表面
に導電性を有する炭素を含む層1aを形成する。
【0033】また、アルミナ板1の図1及び図2の右側
面から200μm程度の深さまではアルミナの結晶粒3
が揃った層1bが形成されている。
【0034】また、X線回折ではアルミナと炭素が反応
した生成物は確認出来なかった。即ち、アルミナと炭素
との両者の化学反応はなく、夫々が有する物理的、化学
的特性は1600℃の高温の還元雰囲気での熱処理後も
阻害されていないと考えられる。
【0035】従って、電気的絶縁性を有するアルミナ
と、導電性を有する炭素とで構成された導電性セラミッ
クスにおいて、電気は炭素のみを通電するものと思わ
れ、通電の際には最も近接した炭素粒2の間で電子のや
り取りが行われると考えられる。
【0036】また、アルミナの結晶粒3の大きさや密度
の違いに関係なく炭素源から遊離した炭素が浸透して炭
素粒2を含む層1aが形成されていた。即ち、アルミナ
系セラミックスは高温の還元雰囲気で炭素源を容易に受
け入れる特性を有することが判明した。
【0037】図3は前述と同様にアルミナ系セラミック
スの原料となるアルミナ原料を成形して焼成した焼成物
となるアルミナ板1を炭素源として粉末木炭上或いはグ
ラファイト上に夫々載置して該アルミナ板1の下面を粉
末木炭或いはグラファイトに接触させ、そのアルミナ板
1及び粉末木炭或いはグラファイトを還元雰囲気として
窒素ガスを絶えず導入した電気炉にて昇温速度1000
℃/60分で1600℃の一定温度で2時間熱処理し、
同還元雰囲気で常温まで降温して得られた片面炭素浸透
した導電性セラミックスの電圧−電流特性を測定したも
のである。
【0038】図3において、Aは炭素源として粉末木炭
を使用して得られた導電性セラミックスのテストピース
の電圧−電流特性を測定したもの、Bは炭素源としてグ
ラファイトを使用して得られた導電性セラミックスのテ
ストピースの電圧−電流特性を測定したものたものであ
る。
【0039】測定した導電性セラミックスのテストピー
スA,Bは夫々幅10mm、厚さ1mm(断面積10m
m2)、長さ50mmを有する短冊状に成形されたものを使
用し、該テストピースA,Bに直流電流計を直列に接続
し、その両端に定電圧直流電源により直流定電圧を印加
して、常温で各テストピースA,Bを流れる電流値を測
定することにより導電性セラミックスのテストピース
A,Bの夫々の電圧−電流特性を測定したものである。
【0040】図3の横軸は電圧(V)、縦軸は電流(m
A)を示す。定電圧直流電源により夫々のテストピース
A,Bに印加する電圧を、2V、5V、10V、20
V、30V、40Vに変化させ、各テストピースA,B
に直列に接続された電流計の値を測定した。
【0041】図3に示されたように、導電性セラミック
スである各テストピースA,Bの電圧−電流特性は、直
流電圧2Vから40Vの範囲で略一定の傾きを有して略
直線状に変化することが判明した。これにより、導電性
セラミックスの電気抵抗値は印加される電圧(流れる電
流)の値に関わらず安定した略一定の値を示すことが判
明した。
【0042】従って、導電性セラミックスが電気抵抗体
として各種の電気回路、電子回路等に組み込まれた際に
一般的に印加される電圧領域で安定した電気抵抗値を示
す電気抵抗体として機能し得ることが判明した。
【0043】また、導電性セラミックスである各テスト
ピースA,Bの電気抵抗値は、常温でテストピースAは
10kΩ程度、テストピースBは30kΩ〜40kΩ程
度の値を示す。
【0044】また、浸透させる炭素源として残留揮発成
分の多い粉末木炭を使用したテストピースAの場合と、
炭素源としてグラファイトを使用したテストピースBの
場合と比較すると、図3に示すように粉末炭素を使用し
たテストピースAの方が電気抵抗値を低く設定すること
が出来、使用する炭素源の種類を適宜選択することで導
電性セラミックスの電気抵抗値を所望の値に変化させる
ことが出来、更にその電気抵抗値は図3に示すように安
定して略一定の値を示すことが判明した。
【0045】使用する炭素源の種類を変える以外にも、
炭素源から遊離した炭素の浸透時間や加熱時の熱量を適
宜制御することで導電性セラミックスの電気抵抗値を所
望の値に変化させることが出来る。
【0046】他の利用可能な用途としては、電気抵抗値
が固定式、或いは可変式の電気抵抗体、電気配線部品、
各種センサの感知部、帯電防止材料、微生物付着防止材
料等の電気関連分野の他に、炭素の特性を活かしたベア
リングや軸受部品等にも適用可能である。
【0047】特に酸化物系セラミックスの互いに異なる
面側に炭素源を接触して該炭素源から遊離した炭素を浸
透させた場合や同一面に縞状に炭素源から遊離した炭素
を浸透させた場合には、夫々に異なった極性、或いは異
なった大きさの電流を流すことが出来、多機能の導電性
セラミックスとして構成することが出来る。
【0048】尚、酸化物系セラミックスの原料として
は、前述したアルミナ系セラミックスの原料の他に、シ
リカ系セラミックス、ジルコニア系セラミックス、アル
ミナ・シリカ系セラミックス、酸化セリウム系セラミッ
クス、マグネシア系セラミックス、チタニア系セラミッ
クス、ムライト系セラミックス、スピネル系セラミック
ス、コージエライト系セラミックス等の原料が適用可能
であり、その際の焼成或いは熱処理時の温度は、夫々の
原料特性による。
【0049】また、酸化物系セラミックスの表面に炭素
を含む層を形成すれば良く、酸化物系セラミックスの表
面に炭素源を接触させて該炭素源から遊離した炭素を浸
透させる以外にも酸化物系セラミックスの表面に炭素源
として粉末状のカーボンブラックと樹脂とを混合したカ
ーボンブラックインクを焼き付けて酸化物系セラミック
スの表面に炭素を含む層を形成したものでも良い。
【0050】これにより、電気的絶縁性を有する酸化物
系セラミックスの表面に導電性を有する炭素を含む層を
形成したことでセラミックスの物理的、化学的な特性を
保持した上で導電性を付与することが出来る。
【0051】また、酸化物系セラミックスの原料を成形
して焼成した焼成物の表面に炭素源を接触させた状態で
熱処理して該炭素源から遊離した炭素を浸透させた場合
には、一旦焼成した酸化物系セラミックスの表面に重油
やアスファルト乳剤等の液体或いは木炭、コークス、グ
ラファイト等の粉末や固体等の炭素源を接触させた状態
で熱処理することで、該炭素源が高温領域で蒸発して酸
化物系セラミックスに炭素を浸透させることが出来、こ
れにより、一旦焼成された電気的絶縁性を有する酸化物
系セラミックスの表面に導電性を有する炭素を含む層を
容易に形成することが出来る。
【0052】また、炭素は還元雰囲気、真空雰囲気或い
は不活性ガス中雰囲気で一旦焼成したセラミックスを熱
処理する際の1400℃以上の高温度にも耐えることが
出来、有害性もなく安全で空気中で安定な物質であるた
め有利である。
【0053】また、酸化物系セラミックスの原料を成形
した成形物の表面に炭素源を接触させた状態で焼成して
該炭素源から遊離した炭素を浸透させた場合には、酸化
物系セラミックスの表面に重油やアスファルト乳剤等の
液体或いは木炭、コークス、グラファイト等の粉末や固
体等の炭素源を接触させた状態で焼成することで、該炭
素源が高温領域で蒸発して酸化物系セラミックスに炭素
を浸透させることが出来、これにより、電気的絶縁性を
有する酸化物系セラミックスの表面に導電性を有する炭
素を含む層を容易に形成することが出来る。
【0054】また、炭素は還元雰囲気、真空雰囲気或い
は不活性ガス中雰囲気でセラミックスを焼成する際の1
400℃以上の高温度にも耐えることが出来、有害性も
なく安全で空気中で安定な物質であるため有利である。
【0055】また、酸化物系セラミックスの原料を成形
した成形物の表面、または酸化物系セラミックスの原料
を成形して焼成した焼成物の表面に粉末炭素源を接触さ
せて該粉末炭素源から遊離した炭素を浸透させれば好ま
しい。
【0056】また、酸化物系セラミックスの原料を成形
した成形物、または酸化物系セラミックスの原料を成形
して焼成した焼成物を粉末炭素源内に埋設した状態で該
粉末炭素源から遊離した炭素を浸透させれば好ましい。
【0057】また、酸化物系セラミックスの原料が、ア
ルミナ系セラミックスの原料である場合には好ましい。
酸化物系セラミックスの原料としてアルミナ系セラミッ
クスの原料を使用する際には、比重を調整するために、
含有率30%以下の珪石やカオリン等の添加物を適宜添
加しても良い。
【0058】また、炭素は高温度条件では酸化して炭酸
ガスとして大気中に放出されてしまうことから酸化物系
セラミックスの原料を成形した成形物の表面に炭素源を
接触させた状態で焼成する際の雰囲気、或いは酸化物系
セラミックスの原料を成形して焼成した焼成物の表面に
炭素源を接触させた状態で熱処理する際の雰囲気は、炭
素源が酸化するのを防止するために酸素や空気を遮断し
た雰囲気で焼成、或いは熱処理すれば良く、1400℃
以上の水素ガス中や炭化水素ガス中等の還元雰囲気で焼
成、或いは熱処理を行っても良いし、1400℃以上の
真空雰囲気で焼成、或いは熱処理を行っても良いし、1
400℃以上の窒素ガス中やアルゴンガス中等の不活性
ガス中雰囲気で焼成、或いは熱処理を行っても良い。
【0059】これにより、炭素源の酸化を防止すること
が出来る。特に還元雰囲気では炭素源の蒸発現象を促進
することが出来、より好ましい。
【0060】また、炭素源としては、前述した粉末木炭
やグラファイトの他に高温の還元雰囲気で炭素として存
在し得る天然或いは合成の各種の有機物であれば好まし
く、他にコークス等の粉末やカーボンブラック等が適用
可能である。
【0061】また、導電性セラミックスの製造方法とし
て、酸化物系セラミックスの原料を成形した後、その成
形物の表面に炭素源を接触させた状態で、且つ1400
℃以上の還元雰囲気、真空雰囲気或いは不活性ガス中雰
囲気のうちのいずれかで焼成すれば好ましい。
【0062】また、導電性セラミックスの他の製造方法
として、酸化物系セラミックスの原料を成形した後、そ
の成形物を焼成し、その焼成物の表面に炭素源を接触さ
せた状態で、且つ1400℃以上の還元雰囲気、真空雰
囲気或いは不活性ガス中雰囲気のうちのいずれかで熱処
理すれば好ましい。
【0063】上記各製造方法によれば、炭素源が酸化す
ることなく導電性セラミックスを容易に製造することが
出来る。
【0064】また、酸化物系セラミックスの原料を成形
した成形物を焼成する際に使用する容器、または酸化物
系セラミックスの原料を成形して焼成した焼成物を熱処
理する際に使用する容器が、炭素製容器で構成された場
合には、酸化物系セラミックスへの炭素源から遊離した
炭素の浸透を安定化させることが出来、好ましい。
【0065】また、酸化物系セラミックスの原料を成形
した成形物を焼成する際に使用するアルミナ製等の容器
と該焼成される成形物との間、または酸化物系セラミッ
クスの原料を成形して焼成した焼成物を熱処理する際に
使用するアルミナ製等の容器と該熱処理される燃焼物と
の間に炭素製部材を敷設した場合には、該炭素製部材に
より酸化物系セラミックスへの炭素源から遊離した炭素
の浸透を安定化させることが出来、好ましい。
【0066】上記構成によれば、製造が容易で常温で安
定した導電性を示し、安全性の高い導電性セラミックス
を提供することが出来る。
【0067】また、導電性を示す温度範囲が限定されて
いた従来の導電性セラミックスと比較して、常温で且つ
広い温度範囲で安定した導電性を得ることが出来、金属
酸化物系のような不安定性や有害性がなく好ましい。
【0068】
【発明の効果】本発明は、上述の如き構成と作用とを有
するので、製造が容易で常温で安定した導電性を示し、
安全性の高い導電性セラミックスを提供することが出来
る。
【0069】即ち、電気的絶縁性を有する酸化物系セラ
ミックスの表面に導電性を有する炭素を含む層を形成し
たことでセラミックスの物理的、化学的な特性を保持し
た上で導電性を付与することが出来る。
【0070】また、酸化物系セラミックスの原料を成形
した成形物の表面に炭素源を接触させた状態で焼成して
該炭素源から遊離した炭素を浸透させた場合には、酸化
物系セラミックスの表面に液体、粉末、固体等の炭素源
を接触させた状態で焼成することで、該炭素源が高温領
域で蒸発して酸化物系セラミックスに炭素が浸透する。
【0071】これにより、電気的絶縁性を有する酸化物
系セラミックスの表面に導電性を有する炭素を含む層を
容易に形成することが出来る。
【0072】また、炭素は還元雰囲気、真空雰囲気或い
は不活性ガス中雰囲気でセラミックスを焼成する際の1
400℃以上の高温度にも耐えることが出来、有害性も
なく安全で空気中で安定な物質であるため有利である。
【0073】また、酸化物系セラミックスの原料を成形
して焼成した焼成物の表面に炭素源を接触させた状態で
熱処理して該炭素源から遊離した炭素を浸透させた場合
には、一旦焼成した酸化物系セラミックスの表面に液
体、粉末、固体等の炭素源を接触させた状態で熱処理す
ることで、該炭素源が高温領域で蒸発して一旦焼成され
た酸化物系セラミックスに炭素が浸透する。
【0074】これにより、一旦焼成された電気的絶縁性
を有する酸化物系セラミックスの表面に導電性を有する
炭素を含む層を容易に形成することが出来る。
【0075】また、炭素は還元雰囲気、真空雰囲気或い
は不活性ガス中雰囲気で一旦焼成したセラミックスを熱
処理する際の1400℃以上の高温度にも耐えることが
出来、有害性もなく安全で空気中で安定な物質であるた
め有利である。
【0076】また、炭素は高温度条件では酸化して炭酸
ガスとして大気中に放出されてしまうことから酸化物系
セラミックスの原料を成形した成形物の焼成、または酸
化物系セラミックスの原料を成形して焼成した焼成物の
熱処理を、還元雰囲気、真空雰囲気或いは不活性ガス中
雰囲気のうちのいずれかで行うことで炭素源の酸化を防
止することが出来る。特に還元雰囲気では炭素源の蒸発
現象を促進することが出来、好ましい。
【0077】また、本発明に係る導電性セラミックスの
製造方法によれば、炭素源が酸化することなく導電性セ
ラミックスを容易に製造することが出来る。
【0078】また、酸化物系セラミックスの原料を成形
した成形物を焼成する際に使用する容器、または酸化物
系セラミックスの原料を成形して焼成した焼成物を熱処
理する際に使用する容器が、炭素製容器で構成された場
合には、酸化物系セラミックスへの炭素源から遊離した
炭素の浸透を安定化させることが出来、好ましい。
【0079】また、酸化物系セラミックスの原料を成形
した成形物を焼成する際に使用する容器と該焼成される
成形物との間、または酸化物系セラミックスの原料を成
形して焼成した焼成物を熱処理する際に使用する容器と
該熱処理される燃焼物との間に炭素製部材を敷設した場
合には、該炭素製部材により酸化物系セラミックスへの
炭素源から遊離した炭素の浸透を安定化させることが出
来、好ましい。
【0080】また、導電性を示す温度範囲が限定されて
いた従来の導電性セラミックスと比較して、常温で且つ
広い温度範囲で安定した導電性を得ることが出来、金属
酸化物系のような不安定性や有害性がなく好ましい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る導電性セラミックスの一例として
アルミナ板を粉末木炭上に載置した状態で熱処理して炭
素源から遊離した炭素を浸透させた導電性セラミックス
組成を示す電子顕微鏡写真図である。
【図2】本発明に係る導電性セラミックスの一例として
アルミナ板を粉末木炭上に載置した状態で熱処理して炭
素源から遊離した炭素を浸透させた導電性セラミックス
組成を示す拡大写真図である。
【図3】本発明に係る導電性セラミックスの一例として
アルミナ板を粉末木炭上或いはグラファイト上に夫々載
置した状態で熱処理して該アルミナ板に炭素源から遊離
した炭素を浸透させた夫々の導電性セラミックスの電圧
−電流特性を示す図である。
【符号の説明】
1…アルミナ板 1a…炭素を含む層 1b…アルミナの結晶粒層 2…炭素粒 3…アルミナの結晶粒 A,B…テストピース
フロントページの続き (72)発明者 宇野 誠 岐阜県瑞浪市宮前町1−56 株式会社ウイ ング・ハイセラ内 (72)発明者 兵頭 仲麻呂 東京都新宿区西新宿1丁目22番2号 羽田 ヒューム管株式会社内 Fターム(参考) 5G301 DA18 DA33 DE10

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 酸化物系セラミックスの表面に炭素を含
    む層を形成したことを特徴とする導電性セラミックス。
  2. 【請求項2】 酸化物系セラミックスの原料を成形した
    成形物の表面に炭素源を接触させた状態で焼成して該炭
    素源から遊離した炭素を浸透させたことを特徴とする導
    電性セラミックス。
  3. 【請求項3】 酸化物系セラミックスの原料を成形して
    焼成した焼成物の表面に炭素源を接触させた状態で熱処
    理して該炭素源から遊離した炭素を浸透させたことを特
    徴とする導電性セラミックス。
  4. 【請求項4】 前記酸化物系セラミックスの原料を成形
    した成形物の表面、または前記酸化物系セラミックスの
    原料を成形して焼成した焼成物の表面に粉末炭素源を接
    触させて該粉末炭素源から遊離した炭素を浸透させたこ
    とを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の導
    電性セラミックス。
  5. 【請求項5】 前記酸化物系セラミックスの原料を成形
    した成形物、または前記酸化物系セラミックスの原料を
    成形して焼成した焼成物を粉末炭素源内に埋設した状態
    で該粉末炭素源から遊離した炭素を浸透させたことを特
    徴とする請求項4に記載の導電性セラミックス。
  6. 【請求項6】 前記酸化物系セラミックスの原料は、ア
    ルミナ系セラミックスの原料であることを特徴とする請
    求項1〜5のいずれか1項に記載の導電性セラミック
    ス。
  7. 【請求項7】 前記酸化物系セラミックスの原料を成形
    した成形物の焼成、または酸化物系セラミックスの原料
    を成形して焼成した焼成物の熱処理は、還元雰囲気、真
    空雰囲気或いは不活性ガス中雰囲気のうちのいずれかで
    行うことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記
    載の導電性セラミックス。
  8. 【請求項8】 前記炭素源は、高温の還元雰囲気で炭素
    として存在し得る天然或いは合成の有機物であることを
    特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の導電性
    セラミックス。
  9. 【請求項9】 酸化物系セラミックスの原料を成形した
    後、その成形物の表面に炭素源を接触させた状態で、且
    つ1400℃以上の還元雰囲気、真空雰囲気或いは不活
    性ガス中雰囲気のうちのいずれかで焼成したことを特徴
    とする導電性セラミックスの製造方法。
  10. 【請求項10】 酸化物系セラミックスの原料を成形し
    た後、その成形物を焼成し、その焼成物の表面に炭素源
    を接触させた状態で、且つ1400℃以上の還元雰囲
    気、真空雰囲気或いは不活性ガス中雰囲気のうちのいず
    れかで熱処理したことを特徴とする導電性セラミックス
    の製造方法。
  11. 【請求項11】 前記酸化物系セラミックスの原料を成
    形した成形物を焼成する際に使用する容器、または前記
    酸化物系セラミックスの原料を成形して焼成した焼成物
    を熱処理する際に使用する容器は、炭素製容器であるこ
    とを特徴とする請求項9または請求項10に記載の導電
    性セラミックスの製造方法。
  12. 【請求項12】 前記酸化物系セラミックスの原料を成
    形した成形物を焼成する際に使用する容器と該焼成され
    る成形物との間、または前記酸化物系セラミックスの原
    料を成形して焼成した焼成物を熱処理する際に使用する
    容器と該熱処理される燃焼物との間に炭素製部材を敷設
    したことを特徴とする請求項9または請求項10に記載
    の導電性セラミックスの製造方法。
JP2000019678A 2000-01-28 2000-01-28 導電性セラミックス及びその製造方法 Pending JP2001213678A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000019678A JP2001213678A (ja) 2000-01-28 2000-01-28 導電性セラミックス及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000019678A JP2001213678A (ja) 2000-01-28 2000-01-28 導電性セラミックス及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001213678A true JP2001213678A (ja) 2001-08-07

Family

ID=18546334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000019678A Pending JP2001213678A (ja) 2000-01-28 2000-01-28 導電性セラミックス及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001213678A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014009848A1 (en) * 2012-07-09 2014-01-16 Koninklijke Philips N.V. Method of treating a surface layer of a device consisting of alumina and respective device, particularly x-ray tube component
JPWO2018155637A1 (ja) * 2017-02-27 2019-12-26 京セラ株式会社 耐食性部材

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014009848A1 (en) * 2012-07-09 2014-01-16 Koninklijke Philips N.V. Method of treating a surface layer of a device consisting of alumina and respective device, particularly x-ray tube component
CN104428272A (zh) * 2012-07-09 2015-03-18 皇家飞利浦有限公司 处理由氧化铝组成的装置的表面层的方法及相应的装置,特别是x射线管组件
JP2015529616A (ja) * 2012-07-09 2015-10-08 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ アルミナで構成される装置の表面層を処理する方法、及び当該方法に対応する装置、特にx線管の部品
JPWO2018155637A1 (ja) * 2017-02-27 2019-12-26 京セラ株式会社 耐食性部材
US11208359B2 (en) 2017-02-27 2021-12-28 Kyocera Corporation Corrosion-resistant member

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Esposito et al. Enhanced mass diffusion phenomena in highly defective doped ceria
Wang et al. Ferroelectric characteristics of ytterbium-doped barium zirconium titanate ceramics
Liu et al. Significance of interfaces in solid-state cells with porous electrodes of mixed ionic–electronic conductors
Muccillo et al. Densification and enhancement of the grain boundary conductivity of gadolinium-doped barium cerate by ultra fast flash grain welding
Chinarro et al. Bulk and grain boundary conductivity of Ca0. 97Ti1− xFexO3− δ materials
Gaur et al. Flash sintering of (La, Sr)(Co, Fe) O3–Gd‐doped CeO2 composite
Liu et al. Microstructure and DC electrical conductivity of spinel nickel ferrite sintered in air and nitrogen atmospheres
Jiang et al. An improved direct current sintering technique for proton conductor–BaZr0. 1Ce0. 7Y0. 1Yb0. 1O3: The effect of direct current on sintering process
Medvedev et al. Structural, thermomechanical and electrical properties of new (1− x) Ce0. 8Nd0. 2O2− δ–xBaCe0. 8Nd0. 2O3− δ composites
Moure et al. Non-ohmic behaviour and switching phenomena in YMnO3-based ceramic materials
Wang et al. Effect of sintering atmospheres on the microstructure and dielectric properties of Yb/Mg co-doped BaTiO3 ceramics
Cao Effect of Sr and Al or Fe co-doping on the sinterability and conductivity of lanthanum silicate oxyapatite electrolytes for solid oxide fuel cells
Dwivedi et al. Dielectric relaxation in valence compensated solid solution Sr0. 65La0. 35Ti0. 65Co0. 35O3
Kostogloudis et al. Electronic conductivity in the Pr1− xSrxCo1− yMnyO3− δ system
Zha et al. Processing and electrical properties of doped-LaGaO3 by gelcasting
Eguchi et al. Effect of Microstructures on the Ionic Conductivity of Ceria‐Calcia Oxides
Reimann et al. Low‐Temperature Sintered NTC Thermistor Ceramics for Thick‐Film Temperature Sensors
Parkash et al. Electrical conduction behaviour of cobalt substituted BaSnO3
JP2001213678A (ja) 導電性セラミックス及びその製造方法
Saha et al. Preparation of bixbyite phase (MnxFe1− x) 2O3 for NTC thermistor applications
Wang et al. Improvement in the sintering and electrical properties of strontium-and magnesium-doped lanthanum gallate by MoO3 dopant
JP2001199764A (ja) 導電性セラミックス及びその製造方法
Clark et al. The influence of grain boundary impedances on the p-type conductivity of undoped BaTiO3 ceramics
Murashkina et al. Single phase materials based on Co-doped SrTiO3 for mixed ionic-electronic conductors applications
Li et al. Densification below 1000° C and grain growth behaviors of yttria doped ceria ceramics

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061211

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091211

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100119

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100525