JP2001202645A - Laser control circuit for optical disk device - Google Patents

Laser control circuit for optical disk device

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JP2001202645A
JP2001202645A JP2000012339A JP2000012339A JP2001202645A JP 2001202645 A JP2001202645 A JP 2001202645A JP 2000012339 A JP2000012339 A JP 2000012339A JP 2000012339 A JP2000012339 A JP 2000012339A JP 2001202645 A JP2001202645 A JP 2001202645A
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circuit
voltage value
target voltage
semiconductor laser
target
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JP2000012339A
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Japanese (ja)
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Satoshi Miyagawa
智 宮川
Norio Imai
則夫 今井
Kazuo Manabe
和男 真鍋
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser controller with which an abnormal emission power is not outputted without using a switching circuit operating at high speed, when changing an emission power. SOLUTION: An arithmetic and logic unit 5 suppresses the variation of the laser driving current by the transient characteristic of an APC circuit 4 and the emission power by changing a target voltage value so that an intermediate target voltage value is formed between the initial target voltage value and the final target voltage value, as a target voltage value for specifying a target power in the APC circuit.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク装置に
使用されている半導体レーザのレーザ制御回路に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser control circuit for a semiconductor laser used in an optical disk drive.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の光ディスク装置の半導体レーザ出
射パワー制御は、例えば特開平5−94633号公報に
示すように、半導体レーザとレーザ駆動回路との間に、
スイッチとそれに並列に制限抵抗を設け、半導体レーザ
からの出射パワーの異常またはレーザ駆動回路の駆動電
流の異常を検知した場合には、前記スイッチをオフにし
て、制限抵抗を介して半導体レーザに電流を供給するよ
うに構成されている。
2. Description of the Related Art As described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-94633, for example, a semiconductor laser emission power control of a conventional optical disk apparatus is performed between a semiconductor laser and a laser driving circuit.
A switch and a limiting resistor are provided in parallel with the switch. When an abnormality in the output power from the semiconductor laser or an abnormality in the driving current of the laser drive circuit is detected, the switch is turned off, and the current is supplied to the semiconductor laser through the limiting resistor. Is provided.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】このように半導体レー
ザの異常な出射パワー、異常な駆動電流に対する制御
は、異常な出射パワーおよび異常な駆動電流を検知した
後に動作するものであり、異常を瞬時に判断して保護回
路を動作させるための保護信号を生成する必要があり、
さらに、半導体レーザが破壊する前に高速に動作するス
イッチ回路が必要となるという問題がある。
As described above, the control for the abnormal output power and abnormal drive current of the semiconductor laser is performed after detecting the abnormal output power and the abnormal drive current. It is necessary to generate a protection signal for operating the protection circuit
Further, there is a problem that a switch circuit that operates at high speed is required before the semiconductor laser is broken.

【0004】本発明は出射パワーを変化させる場合に、
高速に動作するスイッチ回路などを使用しなくても異常
な出射パワーを出力することのないレーザ制御回路を提
供することを目的とする。
According to the present invention, when the output power is changed,
It is an object of the present invention to provide a laser control circuit that does not output abnormal emission power without using a switch circuit that operates at high speed.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
光ディスク装置のレーザ制御回路は、半導体レーザの出
射パワーを光検出器でモニタして電圧信号に変換し、こ
のモニタ電圧値を目標電圧値に一致させるようにAPC
回路を介して前記半導体レーザへ電力を供給する光ディ
スク装置のレーザ制御回路において、前記APC回路の
目標電圧値を設定する目標電圧設定回路と、前記目標電
圧設定回路から出力する目標電圧値を演算する演算回路
を備え、前記演算回路を、前記半導体レーザの出射パワ
ーを変化させる場合に、前記半導体レーザの出射パワー
変化前の前記目標電圧設定回路の目標電圧値を初期目標
電圧値とし、前記半導体レーザの出射パワー変化後の前
記目標電圧設定回路の目標電圧値を最終目標電圧値とし
て、前記初期目標電圧値と前記最終目標電圧値との間に
中間目標電圧値が形成されるように前記目標電圧値を変
化させるように構成したことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a laser control circuit for an optical disk apparatus, wherein an output power of a semiconductor laser is monitored by a photodetector and converted into a voltage signal. APC to match the voltage value
In a laser control circuit of an optical disk device for supplying power to the semiconductor laser via a circuit, a target voltage setting circuit for setting a target voltage value of the APC circuit and a target voltage value output from the target voltage setting circuit are calculated. An arithmetic circuit, wherein when the emission power of the semiconductor laser is changed, a target voltage value of the target voltage setting circuit before an emission power change of the semiconductor laser is set as an initial target voltage value, and the semiconductor laser Setting the target voltage value of the target voltage setting circuit after the change of the emission power as a final target voltage value, such that an intermediate target voltage value is formed between the initial target voltage value and the final target voltage value. It is characterized in that it is configured to change the value.

【0006】本発明の請求項2記載の光ディスク装置の
レーザ制御回路は、請求項1において、前記光検出器か
ら出力されるモニタ電圧値を検出する第1の電圧検出回
路を備え、前記演算回路を、前記半導体レーザの出射パ
ワーを変化させた後、前記第1の電圧検出回路で前記光
検出器のモニタ電圧値を検出した検出電圧値と、前記半
導体レーザが目的の出射パワーを出力するときに検出す
る前記第1の電圧検出回路の検出電圧値とを比較して一
致していない場合に前記目標電圧設定回路の目標電圧値
を補正するように構成したことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a laser control circuit for an optical disk device according to the first aspect, further comprising a first voltage detection circuit for detecting a monitor voltage value output from the photodetector, and the arithmetic circuit When the output voltage of the semiconductor laser is changed, a detection voltage value obtained by detecting the monitor voltage value of the photodetector by the first voltage detection circuit, and when the semiconductor laser outputs a target output power And comparing the detected voltage value with the detected voltage value of the first voltage detecting circuit, and correcting the target voltage value of the target voltage setting circuit when they do not coincide with each other.

【0007】本発明の請求項3記載の光ディスク装置の
レーザ制御回路は、請求項1において、前記演算回路
を、前記目標電圧設定回路の目標電圧値を校正データに
基づいて変化させて前記半導体レーザの出射パワーを制
御するように構成したことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the laser control circuit of the optical disk device according to the first aspect, the arithmetic circuit changes the target voltage value of the target voltage setting circuit based on calibration data. Characterized in that it is configured to control the output power of

【0008】本発明の請求項4記載の光ディスク装置の
レーザ制御回路は、請求項1において、前記目標電圧設
定回路の目標電圧と前記第1の電圧検出回路の検出電圧
との校正結果を記憶する記憶回路を備え、前記演算回路
を、前記半導体レーザの出射パワーを変化させるときの
目標出射パワーに対して、前記目標電圧設定回路の最終
目標電圧値および中間目標電圧値を設定する場合に、前
記記憶回路に記憶してある前記校正結果から前記最終目
標電圧値および前記中間目標電圧値を決定するよう構成
したことを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, a laser control circuit for an optical disk device according to the first aspect stores a calibration result between a target voltage of the target voltage setting circuit and a detection voltage of the first voltage detection circuit. A memory circuit, wherein the arithmetic circuit sets a final target voltage value and an intermediate target voltage value of the target voltage setting circuit with respect to a target emission power when changing the emission power of the semiconductor laser; It is characterized in that the final target voltage value and the intermediate target voltage value are determined from the calibration result stored in a storage circuit.

【0009】本発明の請求項5記載の光ディスク装置の
レーザ制御回路は、請求項1において、前記演算回路
を、前記半導体レーザの出射パワーを変化させるとき
に、前記目標電圧設定回路に設定する初期目標電圧値と
最終目標電圧値との差が、所定値以下である場合に前記
中間目標電圧値を設定しないように構成したことを特徴
とする。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a laser control circuit for an optical disk device according to the first aspect, wherein the arithmetic circuit is set to the target voltage setting circuit when the emission power of the semiconductor laser is changed. When the difference between the target voltage value and the final target voltage value is equal to or smaller than a predetermined value, the intermediate target voltage value is not set.

【0010】本発明の請求項6記載の光ディスク装置の
レーザ制御回路は、請求項1において、前記演算回路
を、前記半導体レーザの出射パワーを変化させるとき
に、前記第1の電圧検出回路で前記光検出器のモニタ電
圧値を検出し、前記第1の電圧検出回路の検出電圧値が
異常であった場合に前記APC回路の動作の停止を命令
するよう構成したことを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the laser control circuit of the optical disk apparatus according to the first aspect, the first voltage detection circuit is configured to control the operation circuit by the first voltage detection circuit when changing the emission power of the semiconductor laser. A monitor voltage value of the photodetector is detected, and when the detected voltage value of the first voltage detection circuit is abnormal, a command is issued to stop the operation of the APC circuit.

【0011】本発明の請求項7記載の光ディスク装置の
レーザ制御回路は、請求項1において、前記APC回路
の出力電圧値を検出する第2の電圧検出回路を備え、前
記演算回路を、前記半導体レーザの出射パワーを変化さ
せるときに、前記第2の電圧検出回路で前記APC回路
の出力電圧値を検出し、前記第2の電圧検出回路の検出
電圧値が異常であった場合に前記APC回路の動作の停
止を命令するよう構成したことを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a laser control circuit for an optical disk device according to the first aspect, further comprising a second voltage detecting circuit for detecting an output voltage value of the APC circuit, wherein the arithmetic circuit is provided with the semiconductor circuit. When changing the output power of the laser, the output voltage value of the APC circuit is detected by the second voltage detection circuit, and when the detection voltage value of the second voltage detection circuit is abnormal, the APC circuit is detected. Characterized in that it is configured to instruct the stop of the operation.

【0012】本発明の請求項8記載の光ディスク装置の
レーザ制御回路は、請求項1において、前記APC回路
の出力電圧値を検出する第2の電圧検出回路を備え、前
記APC回路の出力と前記半導体レーザの間に前記半導
体レーザに流れ込む電流値を制限する電流リミッタを備
え、前記演算回路を、前記第2の電圧検出回路の検出電
圧値が異常であった場合に前記APC回路の動作を停止
するように構成したことを特徴とする。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a laser control circuit for an optical disk device according to the first aspect, further comprising a second voltage detecting circuit for detecting an output voltage value of the APC circuit, A current limiter for limiting a current value flowing into the semiconductor laser between the semiconductor lasers, wherein the operation circuit stops the operation of the APC circuit when a detection voltage value of the second voltage detection circuit is abnormal; It is characterized by having comprised so that it may perform.

【0013】本発明の請求項9記載の光ディスク装置の
レーザ制御回路は、請求項8において、前記演算回路
を、前記電流リミッタの制限値を前記目標電圧設定回路
の目標電圧値に応じて変化させるように構成したことを
特徴とする。
According to a ninth aspect of the present invention, in the laser control circuit of the optical disk device according to the eighth aspect, the arithmetic circuit changes a limit value of the current limiter according to a target voltage value of the target voltage setting circuit. It is characterized by having such a configuration.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施の形態を図
1〜図5に基づいて説明する。 (実施の形態1)図1と図2は本発明の(実施の形態
1)を示す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS. (Embodiment 1) FIGS. 1 and 2 show (Embodiment 1) of the present invention.

【0015】光ディスク装置における半導体レーザ10
へ流入する電流量に応じて出射パワーを変化させるレー
ザ制御回路は、次のように構成されている。図1におい
て、1は光エネルギーを電気エネルギーに変換する受光
素子(フォトディテクタ)で、制御対象である半導体レ
ーザ10の光エネルギーを検出するように配置されてい
る。2はI−V変換器で、受光素子1で発生する電流値
を電圧値に変化する。この実施の形態では、受光素子1
とI−V変換器2とで光検出器3を構成している。
Semiconductor laser 10 in optical disk drive
The laser control circuit that changes the emission power according to the amount of current flowing into the laser is configured as follows. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a light receiving element (photodetector) for converting light energy into electric energy, and is arranged to detect light energy of a semiconductor laser 10 to be controlled. Reference numeral 2 denotes an IV converter that changes a current value generated in the light receiving element 1 into a voltage value. In this embodiment, the light receiving element 1
And the IV converter 2 constitute a photodetector 3.

【0016】4はAPC(Auto Power Control)回路
で、光検出器3と目標電圧設定回路8からの入力電圧差
に応じて出力電圧値を制御するような回路で、2つの入
力電圧差が無くなるように出力電圧値が決定される。
Reference numeral 4 denotes an APC (Auto Power Control) circuit which controls an output voltage value in accordance with an input voltage difference between the photodetector 3 and the target voltage setting circuit 8, and eliminates two input voltage differences. Thus, the output voltage value is determined.

【0017】5はマイクロコンピュータで構成される演
算回路で、外部から入力されるディジタル信号に対して
後述の演算処理を行う。6は第1の電圧検出回路で、例
えば、A/Dコンバータのように入力された電圧値をデ
ィジタル量に変換する。前記目標電圧設定回路8は、例
えば、D/Aコンバータのように入力されたディジタル
信号に応じた電圧を出力する。
Reference numeral 5 denotes an arithmetic circuit constituted by a microcomputer, which performs arithmetic processing described later on a digital signal input from the outside. Reference numeral 6 denotes a first voltage detection circuit, which converts an input voltage value into a digital value like an A / D converter, for example. The target voltage setting circuit 8 outputs a voltage according to the input digital signal such as a D / A converter.

【0018】9は記憶回路で、例えば半導体メモリのよ
うにデータを記憶・読み出しする回路で、演算回路5の
動作に必要なデータが記憶されている。半導体レーザ1
0には、APC回路4からレーザ駆動電流が供給され、
その電流量を変化させることにより出射パワーが変化す
る。半導体レーザ10の出射パワーは、受光素子1によ
り電流量に変換され、その電流量はI−V変換器2によ
って電圧値に変換される。つまり、半導体レーザ10の
出射パワーを、光検出器3から出力されるモニタ電圧値
でモニタすることができる。
Reference numeral 9 denotes a storage circuit which stores and reads out data such as a semiconductor memory, for example, and stores data necessary for the operation of the arithmetic circuit 5. Semiconductor laser 1
0 is supplied with a laser drive current from the APC circuit 4,
By changing the amount of current, the output power changes. The output power of the semiconductor laser 10 is converted into a current amount by the light receiving element 1, and the current amount is converted into a voltage value by the IV converter 2. That is, the output power of the semiconductor laser 10 can be monitored by the monitor voltage value output from the photodetector 3.

【0019】このモニタ電圧と目標電圧設定回路8で設
定された目標電圧がAPC回路4に入力され、APC回
路4は、モニタ電圧が目標電圧よりも小さい場合には出
力されるレーザ駆動電流を増加し、逆に大きい場合には
レーザ駆動電流を減少するように自動制御し、最終的に
モニタ電圧と目標電圧が一致するようなレーザ駆動電流
を出力する。
The monitor voltage and the target voltage set by the target voltage setting circuit 8 are input to the APC circuit 4. The APC circuit 4 increases the output laser drive current when the monitor voltage is lower than the target voltage. On the other hand, if it is larger, the laser drive current is automatically controlled so as to decrease, and a laser drive current that finally matches the monitor voltage and the target voltage is output.

【0020】半導体レーザ10を、消灯状態から再生パ
ワーで点灯させる場合について従来の場合と比較して説
明する。従来の方法では、図2(a)に示すように、目
標電圧設定回路の目標電圧値を初期目標電圧値(=0)
から最終目標電圧値(半導体レーザ10が目標出射パワ
ーで点灯するときの目標電圧値)まで変化させる。この
とき、モニタ電圧と目標電圧との電圧差が大きいため、
APC回路4から出力されるレーザ駆動電流は急激に増
加する。
The case where the semiconductor laser 10 is turned on with the reproduction power from the light-off state will be described in comparison with the conventional case. In the conventional method, as shown in FIG. 2A, the target voltage value of the target voltage setting circuit is set to an initial target voltage value (= 0).
To the final target voltage value (the target voltage value when the semiconductor laser 10 is turned on with the target emission power). At this time, since the voltage difference between the monitor voltage and the target voltage is large,
The laser drive current output from the APC circuit 4 increases rapidly.

【0021】このレーザ駆動電流の増加に対して、半導
体レーザ10からの出射パワーが増加し、目標の出射パ
ワーに達する。しかし、レーザ駆動電流の変化に対する
モニタ電圧の追従に遅れ(以下、「APC回路の過渡特
性」と表記)があるため、一時的に目標の出射パワーよ
り高い出射パワーが出力される。
In response to the increase in the laser drive current, the output power from the semiconductor laser 10 increases and reaches the target output power. However, since there is a delay in following the monitor voltage with respect to the change in the laser drive current (hereinafter, referred to as “transient characteristics of the APC circuit”), an emission power higher than the target emission power is temporarily output.

【0022】このとき、半導体レーザ10の焦点距離に
配置された光ディスクに対してビームを照射することに
なるため、光ディスクに対して損傷を与える危険性があ
る。さらには、半導体レーザ10にも大きな駆動電流が
流入するために、半導体レーザ10自体を破壊する恐れ
がある。
At this time, since the beam is applied to the optical disc arranged at the focal length of the semiconductor laser 10, there is a risk of damaging the optical disc. Furthermore, since a large driving current flows into the semiconductor laser 10, the semiconductor laser 10 itself may be destroyed.

【0023】これに対してこの実施の形態では、図2
(b)に示すように、半導体レーザ10を消灯状態から
再生パワーで点灯させる場合に、消灯時の目標電圧設定
回路8の目標電圧値である初期目標電圧値(=0)と目
標再生パワー出射時の目標電圧値である最終目標電圧値
に対して、例えば、7つの中間目標電圧値を設けてい
る。この中間目標電圧値の数はこれに限定されない。
On the other hand, in this embodiment, FIG.
As shown in (b), when the semiconductor laser 10 is turned on with the reproduction power from the light-off state, the initial target voltage value (= 0) which is the target voltage value of the target voltage setting circuit 8 at the time of the light-off, and the target reproduction power emission. For example, seven intermediate target voltage values are provided for the final target voltage value that is the target voltage value at the time. The number of the intermediate target voltage values is not limited to this.

【0024】最終目標電圧値および中間目標電圧値は、
予め決められた出射パワーと目標電圧値との関係から、
演算回路5の演算により決定される。そして、演算回路
5から入力される設定値に応じて目標電圧設定回路8の
出力電圧を各中間目標電圧値および最終目標電圧値に変
化させる。
The final target voltage value and the intermediate target voltage value are
From the relationship between the predetermined output power and the target voltage value,
It is determined by the operation of the operation circuit 5. Then, the output voltage of the target voltage setting circuit 8 is changed to each intermediate target voltage value and final target voltage value according to the set value input from the arithmetic circuit 5.

【0025】半導体レーザ10を消灯状態から再生パワ
ー出射状態に変化させる場合に、まず、目標電圧設定回
路8の目標電圧値を、初期目標電圧値から最も近い中間
目標電圧値に変化させる。このとき、APC回路4に入
力される光検出器3のモニタ電圧値と目標電圧設定回路
8の目標電圧値との差が小さいために、APC回路の過
渡特性によるレーザ駆動電流の異常変動および出射パワ
ーの異常発光を抑えることができる。
When the semiconductor laser 10 is changed from the off state to the reproducing power emission state, first, the target voltage value of the target voltage setting circuit 8 is changed from the initial target voltage value to the closest intermediate target voltage value. At this time, since the difference between the monitor voltage value of the photodetector 3 input to the APC circuit 4 and the target voltage value of the target voltage setting circuit 8 is small, abnormal fluctuation and emission of the laser drive current due to the transient characteristics of the APC circuit. Abnormal power emission can be suppressed.

【0026】順次、目標電圧値を、最終目標電圧値に近
づける方向で、中間目標電圧値に更新することにより、
最終的に、安定して半導体レーザ10の出射パワーを目
標再生パワーまで変化させることができる。
By sequentially updating the target voltage value to an intermediate target voltage value in a direction approaching the final target voltage value,
Finally, the emission power of the semiconductor laser 10 can be stably changed to the target reproduction power.

【0027】中間目標電圧値の数に制限はなく、APC
回路の過渡特性によるレーザ駆動電流および出射パワー
の異常変動を抑え、かつ、半導体レーザ10の出射パワ
ーを目標の出射パワーに速やかに収束するように設定す
ることができる。
There is no limit to the number of intermediate target voltage values.
It can be set so that abnormal fluctuations in the laser drive current and the output power due to the transient characteristics of the circuit are suppressed, and the output power of the semiconductor laser 10 is quickly converged to the target output power.

【0028】なお、図2(b)では中間目標電圧値の変
化幅が一定であるが、中間目標電圧値の変化幅が一定で
ある必要はなく、APC回路の過渡特性によるレーザ駆
動電流および出射パワーの異常変動を抑え、かつ、半導
体レーザ10の出射パワーを目標の出射パワーに速やか
に収束するように設定することができる。
In FIG. 2B, the change width of the intermediate target voltage value is constant. However, the change width of the intermediate target voltage value does not need to be constant, and the laser drive current and the emission due to the transient characteristics of the APC circuit. It is possible to suppress abnormal fluctuation of the power and set the emission power of the semiconductor laser 10 to quickly converge to the target emission power.

【0029】また、図2(b)では目標電圧値の更新時
間間隔が一定であるが、目標電圧値の更新時間間隔が一
定である必要はなく、APC回路の過渡特性によるレー
ザ駆動電流および出射パワーの異常変動を抑え、かつ、
半導体レーザ10の出射パワーを目標の出射パワーに速
やかに収束するように設定することができる。
In FIG. 2B, the update time interval of the target voltage value is constant. However, the update time interval of the target voltage value does not need to be constant, and the laser drive current and the emission due to the transient characteristics of the APC circuit. Suppress abnormal fluctuation of power, and
The output power of the semiconductor laser 10 can be set so as to quickly converge to the target output power.

【0030】さらに、演算回路5の構成を詳細に説明す
る。半導体レーザ10を消灯状態から再生パワーで点灯
させる場合に、目標とする再生パワーを出力するような
目標電圧設定回路8の最終目標電圧値は、予め決められ
た出射パワーと目標電圧値との関係より、演算回路5の
演算により決定される。しかし、回路の電圧オフセット
や部品のバラツキ等によって、目標とする再生パワーが
出力されない場合がある。そのときの出射パワーを、光
検出器3でモニタし、光検出器3から出力されるモニタ
電圧値を第1の電圧検出回路6で検出して、その検出電
圧値を演算回路5に入力する。
Further, the configuration of the arithmetic circuit 5 will be described in detail. When the semiconductor laser 10 is turned on with the reproduction power from the off state, the final target voltage value of the target voltage setting circuit 8 that outputs the target reproduction power is determined by the relationship between the predetermined emission power and the target voltage value. Thus, it is determined by the operation of the arithmetic circuit 5. However, a target reproduction power may not be output due to a voltage offset of a circuit, a variation in components, or the like. The output power at that time is monitored by the photodetector 3, the monitor voltage value output from the photodetector 3 is detected by the first voltage detection circuit 6, and the detected voltage value is input to the arithmetic circuit 5. .

【0031】この演算回路5では、入力された検出電圧
値を、目標再生パワーで出射した場合に検出される第1
の電圧検出回路6の既知の電圧値と比較する。もし、検
出電圧値が、目標再生パワーに対応する電圧値よりも小
さい場合には、演算回路5から目標電圧設定回路8に対
して、目標電圧値を予め決められた規定電圧値だけ上げ
るように設定を変更する。
In the arithmetic circuit 5, the first detected voltage value detected when the input detection voltage value is output at the target reproduction power is output.
Is compared with a known voltage value of the voltage detection circuit 6 of FIG. If the detected voltage value is smaller than the voltage value corresponding to the target reproduction power, the arithmetic circuit 5 raises the target voltage value to the target voltage setting circuit 8 by a predetermined specified voltage value. Change settings.

【0032】逆に、検出電圧値が、目標再生パワーに対
応する電圧値よりも大きい場合には、目標電圧値を予め
決められた規定電圧値だけ下げるように設定を変更す
る。回路の電圧オフセットや部品のバラツキ等があって
も、目標電圧設定回路8から出力される目標電圧値を補
正することで、半導体レーザ10から目標とする再生パ
ワーに近い出射パワーを出力できる。
Conversely, when the detected voltage value is higher than the voltage value corresponding to the target reproduction power, the setting is changed so that the target voltage value is lowered by a predetermined voltage value. Even if there is a voltage offset of the circuit or variation in components, by correcting the target voltage value output from the target voltage setting circuit 8, it is possible to output the emission power close to the target reproduction power from the semiconductor laser 10.

【0033】(実施の形態2)上記の(実施の形態1)
では、回路の電圧オフセットや部品のバラツキ等があっ
てもできるだけ目標とする再生パワーが出力されるよう
に、目標電圧設定回路8から出力される目標電圧値を予
め決められた規定電圧値だけ補正することによって半導
体レーザ10からの実際の出射パワーを目標とする再生
パワーに近づけたが、この(実施の形態2)では半導体
レーザ10からの実際の出射パワーを目標とする再生パ
ワーにより近づけることができる。
(Embodiment 2) The above (Embodiment 1)
Then, the target voltage value output from the target voltage setting circuit 8 is corrected by a predetermined specified voltage value so that the target reproduction power is output as much as possible even if there is a voltage offset of the circuit or variation of components. By doing so, the actual emission power from the semiconductor laser 10 is brought closer to the target reproduction power. In this (Embodiment 2), the actual emission power from the semiconductor laser 10 can be made closer to the target reproduction power. it can.

【0034】この(実施の形態2)の演算回路5は、
(実施の形態1)における目標電圧設定回路8の出力補
正に関する部分だけが次のように構成されている。例え
ば、半導体レーザ10を消灯状態から再生パワーで点灯
させる場合に、目標とする再生パワーを出力するような
目標電圧設定回路8の最終目標電圧値は、予め決められ
た出射パワーと目標電圧値との関係より、演算回路5の
演算により決定される。しかし、回路の電圧オフセット
や部品のバラツキ等によって、目標とする再生パワーが
出力されない場合がある。そこでこの実施の形態の演算
回路5は、光ディスク装置のシステム電源がオン状態に
切り換えられるたびに、出射パワーと目標電圧設定回路
8の目標電圧値との校正動作を実行し、運転中は前記校
正結果に基づいて回路の電圧オフセットおよび部品のバ
ラツキによる影響を除去するように構成されている。
The arithmetic circuit 5 of this (Embodiment 2)
Only the part relating to the output correction of the target voltage setting circuit 8 in the first embodiment is configured as follows. For example, when the semiconductor laser 10 is turned on with the reproduction power from the off state, the final target voltage value of the target voltage setting circuit 8 that outputs the target reproduction power is determined by a predetermined emission power and target voltage value. Is determined by the operation of the arithmetic circuit 5. However, a target reproduction power may not be output due to a voltage offset of a circuit, a variation in components, or the like. Therefore, the arithmetic circuit 5 of this embodiment executes a calibration operation between the output power and the target voltage value of the target voltage setting circuit 8 every time the system power supply of the optical disk device is switched to the ON state. It is configured to eliminate the influence of the voltage offset of the circuit and the variation of the components based on the result.

【0035】出射パワーと目標電圧値との関係の校正
は、第1の電圧検出回路6で検出した検出電圧と目標電
圧との関係を校正することで実現する。その手順は、演
算回路5に第1の電圧検出回路6の検出電圧を入力して
モニタし、検出電圧値が予め決められた所定値に一致す
るように、目標電圧設定回路8に対する設定値を変化さ
せてAPC回路4に入力する目標電圧値を変化させる。
出射パワーと目標電圧値との校正は、少なくとも1点以
上で行い、この校正データを演算回路5から記憶回路9
に記憶する。校正データとしては、第1の電圧検出回路
6の検出電圧値が所定値と一致したときの演算回路5か
ら目標電圧設定回路8に対して設定した設定値である。
The calibration of the relationship between the output power and the target voltage value is realized by calibrating the relationship between the detection voltage detected by the first voltage detection circuit 6 and the target voltage. The procedure is as follows. The detection voltage of the first voltage detection circuit 6 is input to the arithmetic circuit 5 and monitored, and the set value for the target voltage setting circuit 8 is changed so that the detected voltage value matches a predetermined value. The target voltage value input to the APC circuit 4 is changed by changing the target voltage value.
The calibration of the emission power and the target voltage value is performed at at least one point, and this calibration data is stored in the arithmetic circuit 5 and the storage circuit 9.
To memorize. The calibration data is a set value set for the target voltage setting circuit 8 from the arithmetic circuit 5 when the detected voltage value of the first voltage detection circuit 6 matches a predetermined value.

【0036】光ディスク装置の運転中には、半導体レー
ザ10を消灯状態から再生パワーで点灯させる場合に、
記憶回路9に記憶している校正データを演算回路5が読
み出し、目標再生パワーに対する最終目標電圧値および
中間目標電圧値を、校正データから導出した近似式によ
り決定する。
During the operation of the optical disk device, when the semiconductor laser 10 is turned on with the reproducing power from the light-off state,
The arithmetic circuit 5 reads the calibration data stored in the storage circuit 9, and determines the final target voltage value and the intermediate target voltage value for the target reproduction power by an approximate expression derived from the calibration data.

【0037】例えば、図3のように所定パワーA,Bに
対して目標電圧値A,Bの2点の校正データがある場合
には、校正データの直線近似によって、目標再生パワー
に対する最終目標電圧および中間目標電圧a,bを決定
することができる。
For example, when there are two points of calibration data of the target voltage values A and B for the predetermined powers A and B as shown in FIG. 3, the final target voltage with respect to the target reproduction power is obtained by linear approximation of the calibration data. And the intermediate target voltages a and b can be determined.

【0038】しかし、初期目標電圧値と最終目標電圧値
の差が小さい場合には、APC回路の過渡特性による出
射パワーの変動が小さいため、出射パワーの目標出射パ
ワーへの収束速度を考慮して、中間目標電圧値は設定し
ないように構成されている。
However, when the difference between the initial target voltage value and the final target voltage value is small, the fluctuation of the output power due to the transient characteristics of the APC circuit is small. Therefore, the convergence speed of the output power to the target output power is taken into consideration. , The intermediate target voltage value is not set.

【0039】このように光ディスク装置のシステム電源
がオン状態に切り換えられるたびに演算回路5が校正デ
ータを収集し、その校正データに基づいて目標電圧設定
回路8を制御するので、回路の電圧オフセットや部品の
バラツキ等があっても目標とする再生パワーを出力でき
る。
As described above, the arithmetic circuit 5 collects the calibration data every time the system power supply of the optical disk device is turned on, and controls the target voltage setting circuit 8 based on the calibration data. The target reproduction power can be output even if there is a variation in parts.

【0040】(実施の形態3)図4は(実施の形態3)
の光ディスク装置を示し、前記(実施の形態1)または
(実施の形態2)におけるAPC回路4と演算回路5だ
けが異なっている。
(Embodiment 3) FIG. 4 shows (Embodiment 3).
The optical disc device of the present embodiment is different from the above-mentioned (Embodiment 1) or (Embodiment 2) only in the APC circuit 4 and the arithmetic circuit 5.

【0041】この(実施の形態3)の演算回路は、半導
体レーザ10を消灯状態から再生パワーで点灯させる場
合に、第1の電圧検出回路6の検出電圧を監視する。演
算回路5に入力された検出電圧値が、目標再生パワー相
当の検出電圧値からある所定値以上ずれている場合に
は、半導体レーザ10が異常発光していると判断して、
演算回路5からAPC回路4のスイッチ12に対してA
PC停止信号を発生する。なお、図4ではスイッチ12
が等価回路で表されているが、具体的には、APC回路
4にAPC停止信号が入力された場合には半導体レーザ
10の駆動を速やかに停止するように構成されている。
The arithmetic circuit of the third embodiment monitors the detection voltage of the first voltage detection circuit 6 when the semiconductor laser 10 is turned on with the reproduction power from the off state. When the detected voltage value input to the arithmetic circuit 5 deviates from the detected voltage value corresponding to the target reproduction power by a predetermined value or more, it is determined that the semiconductor laser 10 is emitting abnormal light.
A is applied to the switch 12 of the APC circuit 4 from the arithmetic circuit 5 by A
Generate a PC stop signal. Note that in FIG.
Is represented by an equivalent circuit. Specifically, when the APC stop signal is input to the APC circuit 4, the driving of the semiconductor laser 10 is stopped immediately.

【0042】また、上記の具体例では演算回路5は第1
の電圧検出回路6の検出電圧を監視してAPC回路4の
APC動作を停止させたが、これは次のように構成して
も同様に実現できる。
In the above specific example, the arithmetic circuit 5 is the first
The APC operation of the APC circuit 4 is stopped by monitoring the detection voltage of the voltage detection circuit 6 described above, but this can be similarly realized by the following configuration.

【0043】この場合には、図4に示すようにAPC回
路4の出力電圧を検出する第2の電圧検出回路7を設け
る。第2の電圧検出回路7は、例えば、A/Dコンバー
タのように入力された電圧値をディジタル量に変換する
ものである。第2の電圧検出回路7の検出電圧を演算回
路5に入力して監視する。演算回路5に入力された検出
電圧値が、ある電圧値を超える場合には、APC回路4
から半導体レーザ10に異常に大きな電流が流入すると
判断して、演算回路5からAPC回路4に対してAPC
停止信号を発生する。APC回路4にAPC停止信号が
入力された場合には、速やかにAPCを停止する。
In this case, a second voltage detecting circuit 7 for detecting the output voltage of the APC circuit 4 is provided as shown in FIG. The second voltage detection circuit 7 converts an input voltage value into a digital value like an A / D converter, for example. The detection voltage of the second voltage detection circuit 7 is input to the arithmetic circuit 5 and monitored. If the detected voltage value inputted to the arithmetic circuit 5 exceeds a certain voltage value, the APC circuit 4
It is determined that an abnormally large current flows into the semiconductor laser 10 from the
Generate a stop signal. When an APC stop signal is input to the APC circuit 4, the APC is stopped immediately.

【0044】(実施の形態4)図5は(実施の形態4)
の光ディスク装置を示し、前記(実施の形態4)におけ
るAPC回路4と半導体レーザ10の間に電流リミッタ
11を設け、目標電圧設定回路8の出力する目標電圧に
応じて演算回路5が電流リミッタ11を制御している点
だけが異なっている。
(Embodiment 4) FIG. 5 shows (Embodiment 4).
The current limiter 11 is provided between the APC circuit 4 and the semiconductor laser 10 in the above (Embodiment 4), and the arithmetic circuit 5 changes the current limiter 11 according to the target voltage output from the target voltage setting circuit 8. The only difference is that you control

【0045】具体的には、半導体レーザ10を消灯状態
から再生パワーで点灯させる場合に、APC回路の過渡
特性によって、APC回路4から半導体レーザ10に異
常に大きな電流が流入し、半導体レーザ10を破壊、ま
たは異常発光により焦点距離に配置された光ディスクに
損傷を与える危険性があるため、APC回路4と半導体
レーザ10の間に電流リミッタ11が設けられている。
Specifically, when the semiconductor laser 10 is turned on with the reproduction power from the off state, an abnormally large current flows from the APC circuit 4 into the semiconductor laser 10 due to the transient characteristics of the APC circuit, and the semiconductor laser 10 is turned off. A current limiter 11 is provided between the APC circuit 4 and the semiconductor laser 10 because there is a risk that the optical disc disposed at the focal length may be damaged due to destruction or abnormal light emission.

【0046】この電流リミッタ11によって、半導体レ
ーザ10に流れる電流値が制限されるため、APC回路
4の出力が異常である場合にも、半導体レーザ10の破
壊保護および出射パワー制限が実現できる。
The current limiter 11 limits the value of the current flowing through the semiconductor laser 10, so that even if the output of the APC circuit 4 is abnormal, protection of the semiconductor laser 10 from destruction and emission power limitation can be realized.

【0047】電流リミッタ11は、例えば、トランジス
タ13と基準電圧値を設定する可変電圧源14で構成さ
れ、可変電圧源14は演算回路5によって制御される。
APC回路4の出力電圧が、基準電圧+VBE(ベース−
エミッタ間電圧)を超えた場合には電流の一部がトラン
ジスタ13に流れ込むため、半導体レーザ10に流れ込
む電流値は一定値を超えることはない。
The current limiter 11 comprises, for example, a transistor 13 and a variable voltage source 14 for setting a reference voltage value. The variable voltage source 14 is controlled by the arithmetic circuit 5.
The output voltage of the APC circuit 4 is equal to the reference voltage + V BE (base−
If the voltage exceeds the emitter-emitter voltage, a part of the current flows into the transistor 13, and the current flowing into the semiconductor laser 10 does not exceed a certain value.

【0048】電流リミッタ11の動作状態は、第2の電
圧検出回路7の検出電圧を演算回路5で監視することで
判断し、検出電圧値が、基準電圧+VBE以上である場合
に動作状態、それ以下である場合に停止状態と判断す
る。電流リミッタ11が動作状態である場合には、演算
回路5からAPC回路4に対してAPC停止信号を発生
する。APC回路4にAPC停止信号が入力された場合
には、速やかにAPCを停止する。
The operating state of the current limiter 11 is determined by monitoring the detected voltage of the second voltage detecting circuit 7 by the arithmetic circuit 5, and when the detected voltage value is equal to or higher than the reference voltage + V BE , If it is less than that, it is determined to be in the stopped state. When the current limiter 11 is operating, the arithmetic circuit 5 generates an APC stop signal to the APC circuit 4. When an APC stop signal is input to the APC circuit 4, the APC is stopped immediately.

【0049】なお、上記の各実施の形態は、消灯状態か
ら再生パワーへの変化だけでなく、例えば再生パワーを
変えて種類の異なる光ディスクを再生する光ディスク装
置においては、再生パワーを変化させる場合に、例えば
記録可能な光ディスク装置においては、再生から記録、
または、記録から再生へ切り換える際にパワーを変化さ
せる場合にも、同様な制御動作を行うことができる。ま
た、半導体レーザ10の出射パワーを増加させるだけで
なく、減少させる場合にも同様な制御動作を行うことが
できる。
The above embodiments are not limited to the case where the reproducing power is changed in an optical disk apparatus which reproduces different types of optical disks by changing the reproducing power, in addition to the change from the unlit state to the reproducing power. For example, in a recordable optical disk device, from reproduction to recording,
Alternatively, the same control operation can be performed when the power is changed when switching from recording to reproduction. Further, the same control operation can be performed not only when the emission power of the semiconductor laser 10 is increased but also when it is decreased.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上のように本発明の光ディスク装置の
レーザ制御回路によれば、半導体レーザからの出射パワ
ーを変化させる場合に、APC回路の目標電圧値を段階
的に更新して、APC回路の過渡特性によるレーザ駆動
電流の急激な変動および異常な出射パワーの出力を抑制
することができる。
As described above, according to the laser control circuit of the optical disk apparatus of the present invention, when the output power from the semiconductor laser is changed, the target voltage value of the APC circuit is updated stepwise, Abrupt fluctuations in the laser drive current and abnormal output power output due to the transient characteristics of the above.

【0051】また、APC回路の目標電圧値と出射パワ
ーの校正を、半導体レーザを点灯させる前に実施するた
めに、回路の電圧オフセットや部品のバラツキおよび経
時変化によって発生する目標出射パワーと実際の出射パ
ワーとの誤差を補正することができる。
Further, since the calibration of the target voltage value and the emission power of the APC circuit is performed before the semiconductor laser is turned on, the target emission power generated by the voltage offset of the circuit, the variation of parts, and the change with time are compared with the actual emission power. An error with the output power can be corrected.

【0052】また、レーザ駆動電流および出射パワーを
監視することによって、APC回路の過渡特性によるレ
ーザ駆動電流異常および出射パワー異常を検知した場合
には、APC回路の動作を停止することができる。
Further, by monitoring the laser drive current and the emission power, when the laser drive current abnormality and the emission power abnormality due to the transient characteristics of the APC circuit are detected, the operation of the APC circuit can be stopped.

【0053】また、半導体レーザとAPC回路の間に、
電流リミッタを設けることにより、半導体レーザへの異
常駆動電流の流入を防止することができる。
Further, between the semiconductor laser and the APC circuit,
By providing the current limiter, it is possible to prevent the abnormal drive current from flowing into the semiconductor laser.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の(実施の形態1)の光ディスク装置の
レーザ制御回路の構成図
FIG. 1 is a configuration diagram of a laser control circuit of an optical disc device according to a first embodiment of the present invention;

【図2】一般的な制御方法と同実施の形態における出射
パワー制御状況を示す特性図
FIG. 2 is a characteristic diagram showing a general control method and an output power control state in the embodiment.

【図3】本発明の(実施の形態2)の光ディスク装置の
レーザ制御回路におけるAPC回路目標電圧値と出射パ
ワーとの校正および最終目標電圧値と中間目標電圧値の
決定の説明図
FIG. 3 is an explanatory diagram of calibration of an APC circuit target voltage value and emission power and determination of a final target voltage value and an intermediate target voltage value in the laser control circuit of the optical disc device according to the second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の(実施の形態3)の光ディスク装置の
レーザ制御回路の構成図
FIG. 4 is a configuration diagram of a laser control circuit of the optical disc device according to the third embodiment of the present invention.

【図5】本発明の(実施の形態4)の光ディスク装置の
レーザ制御回路の構成図
FIG. 5 is a configuration diagram of a laser control circuit of the optical disc device according to (Embodiment 4) of the present invention;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 受光素子 2 I−V変換器 3 光検出器 4 APC(Auto Power Control)回路 5 演算回路 6 第1の電圧検出回路 7 第2の電圧検出回路 8 目標電圧設定回路 9 記憶回路 10 半導体レーザ 11 電流リミッタ 12 スイッチ 13 トランジスタ 14 可変電圧源 REFERENCE SIGNS LIST 1 light receiving element 2 IV converter 3 photodetector 4 APC (Auto Power Control) circuit 5 arithmetic circuit 6 first voltage detection circuit 7 second voltage detection circuit 8 target voltage setting circuit 9 storage circuit 10 semiconductor laser 11 Current limiter 12 Switch 13 Transistor 14 Variable voltage source

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 真鍋 和男 香川県高松市古新町8番地の1 松下寿電 子工業株式会社内 Fターム(参考) 5D119 AA33 AA34 BA01 DA01 DA05 FA05 HA12 HA44 HA68 5F073 BA05 EA15 EA27 FA01 GA02 GA12  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Kazuo Manabe, Inventor Kazuo Manabe, 8-8 Koshinmachi, Takamatsu City, Kagawa Prefecture F-term (reference) 5D119 AA33 AA34 BA01 DA01 DA05 FA05 HA12 HA44 HA68 5F073 BA05 EA15 EA27 FA01 GA02 GA12

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体レーザの出射パワーを光検出器でモ
ニタして電圧信号に変換し、このモニタ電圧値を目標電
圧値に一致させるようにAPC回路を介して前記半導体
レーザへ電力を供給する光ディスク装置のレーザ制御回
路において、 前記APC回路の目標電圧値を設定する目標電圧設定回
路と、前記目標電圧設定回路から出力する目標電圧値を
演算する演算回路を備え、 前記演算回路を、前記半導体レーザの出射パワーを変化
させる場合に、前記半導体レーザの出射パワー変化前の
前記目標電圧設定回路の目標電圧値を初期目標電圧値と
し、前記半導体レーザの出射パワー変化後の前記目標電
圧設定回路の目標電圧値を最終目標電圧値として、前記
初期目標電圧値と前記最終目標電圧値との間に中間目標
電圧値が形成されるように前記目標電圧値を変化させる
ように構成した光ディスク装置のレーザ制御回路。
An output power of a semiconductor laser is monitored by a photodetector and converted into a voltage signal, and power is supplied to the semiconductor laser via an APC circuit so that the monitored voltage value matches a target voltage value. A laser control circuit for an optical disc device, comprising: a target voltage setting circuit that sets a target voltage value of the APC circuit; and a calculation circuit that calculates a target voltage value output from the target voltage setting circuit. When changing the emission power of the laser, the target voltage value of the target voltage setting circuit before the change of the emission power of the semiconductor laser is set as the initial target voltage value, and the target voltage setting circuit after the change of the emission power of the semiconductor laser is changed. With the target voltage value as the final target voltage value, the intermediate target voltage value is formed between the initial target voltage value and the final target voltage value. Laser control circuitry configured optical disc device so as to vary the target voltage value.
【請求項2】前記光検出器から出力されるモニタ電圧値
を検出する第1の電圧検出回路を備え、 前記演算回路を、前記半導体レーザの出射パワーを変化
させた後、前記第1の電圧検出回路で前記光検出器のモ
ニタ電圧値を検出した検出電圧値と、前記半導体レーザ
が目的の出射パワーを出力するときに検出する前記第1
の電圧検出回路の検出電圧値とを比較して一致していな
い場合に前記目標電圧設定回路の目標電圧値を補正する
ように構成した請求項1記載の光ディスク装置のレーザ
制御回路。
A first voltage detection circuit for detecting a monitor voltage value output from the photodetector, wherein the operation circuit changes the first voltage after changing an emission power of the semiconductor laser. A detection voltage value obtained by detecting a monitor voltage value of the photodetector by a detection circuit; and a first voltage value detected when the semiconductor laser outputs a target emission power.
2. The laser control circuit for an optical disk device according to claim 1, wherein the target voltage value of the target voltage setting circuit is corrected when the detected voltage values of the target voltage setting circuit do not match.
【請求項3】前記演算回路を、前記目標電圧設定回路の
目標電圧値を校正データに基づいて変化させて前記半導
体レーザの出射パワーを制御するように構成した請求項
1記載の光ディスク装置のレーザ制御回路。
3. The laser for an optical disk device according to claim 1, wherein said arithmetic circuit is configured to control the emission power of said semiconductor laser by changing a target voltage value of said target voltage setting circuit based on calibration data. Control circuit.
【請求項4】前記目標電圧設定回路の目標電圧と前記第
1の電圧検出回路の検出電圧との校正結果を記憶する記
憶回路を備え、前記演算回路を、前記半導体レーザの出
射パワーを変化させるときの目標出射パワーに対して、
前記目標電圧設定回路の最終目標電圧値および中間目標
電圧値を設定する場合に、前記記憶回路に記憶してある
前記校正結果から前記最終目標電圧値および前記中間目
標電圧値を決定するよう構成した請求項1記載の光ディ
スク装置のレーザ制御回路。
4. A storage circuit for storing a calibration result between a target voltage of said target voltage setting circuit and a detection voltage of said first voltage detection circuit, wherein said arithmetic circuit changes emission power of said semiconductor laser. For the target output power at the time,
When setting the final target voltage value and the intermediate target voltage value of the target voltage setting circuit, the final target voltage value and the intermediate target voltage value are determined from the calibration result stored in the storage circuit. A laser control circuit for an optical disk device according to claim 1.
【請求項5】前記演算回路を、前記半導体レーザの出射
パワーを変化させるときに、前記目標電圧設定回路に設
定する初期目標電圧値と最終目標電圧値との差が、所定
値以下である場合に前記中間目標電圧値を設定しないよ
うに構成した請求項1記載の光ディスク装置のレーザ制
御回路。
5. A method according to claim 1, wherein when the output power of said semiconductor laser is changed by said arithmetic circuit, a difference between an initial target voltage value and a final target voltage value set in said target voltage setting circuit is equal to or less than a predetermined value. 2. A laser control circuit for an optical disk device according to claim 1, wherein said intermediate target voltage value is not set.
【請求項6】前記演算回路を、前記半導体レーザの出射
パワーを変化させるときに、前記第1の電圧検出回路で
前記光検出器のモニタ電圧値を検出し、前記第1の電圧
検出回路の検出電圧値が異常であった場合に前記APC
回路の動作の停止を命令するよう構成した請求項1記載
の光ディスク装置のレーザ制御回路。
6. The first voltage detection circuit detects a monitor voltage value of the photodetector by the first voltage detection circuit when changing the emission power of the semiconductor laser. If the detected voltage value is abnormal, the APC
2. The laser control circuit for an optical disk device according to claim 1, wherein the laser control circuit is configured to instruct the operation of the circuit to stop.
【請求項7】前記APC回路の出力電圧値を検出する第
2の電圧検出回路を備え、前記演算回路を、前記半導体
レーザの出射パワーを変化させるときに、前記第2の電
圧検出回路で前記APC回路の出力電圧値を検出し、前
記第2の電圧検出回路の検出電圧値が異常であった場合
に前記APC回路の動作の停止を命令するよう構成した
請求項1記載の光ディスク装置のレーザ制御回路。
7. A semiconductor device comprising: a second voltage detection circuit for detecting an output voltage value of the APC circuit; wherein the arithmetic circuit is adapted to detect the output voltage value of the semiconductor laser by changing the output power of the semiconductor laser. 2. The laser for an optical disk device according to claim 1, wherein an output voltage value of the APC circuit is detected, and when the detected voltage value of the second voltage detection circuit is abnormal, a command to stop the operation of the APC circuit is issued. Control circuit.
【請求項8】前記APC回路の出力電圧値を検出する第
2の電圧検出回路を備え、前記APC回路の出力と前記
半導体レーザの間に前記半導体レーザに流れ込む電流値
を制限する電流リミッタを備え、前記演算回路を、前記
第2の電圧検出回路の検出電圧値が異常であった場合に
前記APC回路の動作を停止するように構成した請求項
1記載の光ディスク装置のレーザ制御回路。
8. A semiconductor device comprising: a second voltage detection circuit for detecting an output voltage value of the APC circuit; and a current limiter for limiting a current value flowing into the semiconductor laser between an output of the APC circuit and the semiconductor laser. 2. The laser control circuit according to claim 1, wherein the arithmetic circuit is configured to stop the operation of the APC circuit when the detected voltage value of the second voltage detection circuit is abnormal.
【請求項9】前記演算回路を、前記電流リミッタの制限
値を前記目標電圧設定回路の目標電圧値に応じて変化さ
せるように構成した請求項8記載の光ディスク装置のレ
ーザ制御回路。
9. The laser control circuit according to claim 8, wherein the arithmetic circuit is configured to change a limit value of the current limiter according to a target voltage value of the target voltage setting circuit.
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