JP3648302B2

JP3648302B2 - Semiconductor laser drive device

Info

Publication number: JP3648302B2
Application number: JP29411595A
Authority: JP
Inventors: 圭一杉村
Original assignee: Ricoh Optical Industries Co Ltd
Current assignee: Ricoh Optical Industries Co Ltd
Priority date: 1995-11-13
Filing date: 1995-11-13
Publication date: 2005-05-18
Anticipated expiration: 2015-11-13
Also published as: JPH09139535A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体レーザ駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図４は半導体レーザの電流−光変換特性（以後Ｉ−Ｌ特性という）を示す。半導体レーザのスイッチング駆動において、そのスイッチング特性をよくするために一般に発振開始電流Ｉｔｈ程度のバイアス電流を半導体レーザに与え、半導体レーザ発光領域（ＬＤ発光領域）での光スイッチングが行われるようにしている。この半導体レーザに与えるバイアス電流は、多くの場合、実施の容易性から固定バイアス電流となっている。
また、ＣＰＵによって半導体レーザのＩ−Ｌ特性を測定して半導体レーザのバイアス電流を決定する装置が特開平３−１３２７７４号公報に記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
半導体レーザのＩ−Ｌ特性は、図５に示すように個々の半導体レーザでＩｔｈ、微分効率ηが異なるＩ−Ｌ特性Ａ、Ｂ・・・となるので、個々の半導体レーザに対して固定バイアス電流値を調整する必要が有り、その調整は煩雑であり、かつ、調整結果は必ずしも個々の半導体レーザに対して最適なものとは言い難い状態であった。
【０００４】
また、半導体レーザのＩ−Ｌ特性は、環境温度、経年変化によって電流−光変換効率が悪くなるように例えば図６に示すＩ−Ｌ特性ＣからＩ−Ｌ特性Ｄへ変化する。半導体レーザを点灯させるときにその発光光量を一定にすることが必要である場合には、半導体レーザの発光光量が一定になるように半導体レーザの発光光量を見ながら半導体レーザに流す電流を増減させるオートパワーコントロール（ＡＰＣ）が行われる。
【０００５】
半導体レーザに与えるバイアス電流を固定バイアス電流とする固定バイアス方式では、半導体レーザのスイッチング電流を図７に示すような半導体レーザのＩ−Ｌ特性Ｅでの値から図８に示すような半導体レーザのＩ−Ｌ特性Ｆでの値に増加させることになり、半導体レーザにバイアス電流を与えている効果が半導体レーザのＩ−Ｌ特性の変化により徐々に小さくなってしまう。
【０００６】
また、上記特開平３−１３２７７４号公報記載の装置では、ＣＰＵによって半導体レーザのＩ−Ｌ特性を測定して半導体レーザのバイアス電流を決定するので、大きなシステムとなり、高価な装置となる。
【０００７】
本発明は、上記問題点を改善し、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる半導体レーザ駆動装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、前記第１のカウンタのデータもしくは前記第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力する１個もしくは複数個のＤ／Ａコンバータとを含み、このＤ／Ａコンバータの出力信号に応じたバイアス電流を前記半導体レーザに流して前記半導体レーザの出力を検出し、この検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定するものである。
【０００９】
請求項２記載の発明は、半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、前記第１のカウンタもしくは前記第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力するＤ／Ａコンバータと、このＤ／Ａコンバータの出力にしたがってバイアス電流を発生して前記半導体レーザに流す電流源とを含み、前記半導体レーザの出力を検出してこの検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定するものである。
【００１０】
請求項３記載の発明は、半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、この第１のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第１のＤ／Ａコンバータと、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、この第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第２のＤ／Ａコンバータと、前記第１のＤ／Ａコンバータ及び前記第２のＤ／Ａコンバータのいずれかの信号にしたがってバイアス電流を発生して前記半導体レーザに流す電流源とを含み、前記半導体レーザの出力を検出してこの検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定するものである。
【００１１】
請求項４記載の発明は、半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、この第１のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第１のＤ／Ａコンバータと、この第１のＤ／Ａコンバータが出力する信号にしたがった電流を発生する第１の電流源と、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、この第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第２のＤ／Ａコンバータと、この第２のＤ／Ａコンバータが出力する信号にしたがった電流を発生する第２の電流源と、前記第１の電流源及び前記第２の電流源のいずれかの電流をバイアス電流として前記半導体レーザに流す信号切り換え器とを含み、前記半導体レーザの出力を検出してこの検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の第１実施形態例を示す。
この第１実施形態例の半導体レーザ駆動装置は、請求項１、４記載の発明の実施形態例であり、半導体レーザ１１にバイアス電流を供給するバイアス電流回路と、半導体レーザ１１にスイッチング電流を供給するスイッチング電流回路を有する。バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタ１２と、この第１のカウンタ１２のカウントデータにしたがった信号を出力する第１のＤ／Ａコンバータ１３と、この第１のＤ／Ａコンバータ１３が出力する信号にしたがった電流を発生する第１の電流源１４と、アップカウントモードとダウンカウントモードが切り換えられる第２のカウンタ１５と、この第２のカウンタ１５のカウントデータにしたがった信号を出力する第２のＤ／Ａコンバータ１６と、この第２のＤ／Ａコンバータが出力する信号にしたがった電流を発生する第２の電流源１７と、第１の電流源１４及び第２の電流源１７のいずれかの電流をバイアス電流Ｉｂとする信号切り換え器１８によって構成される。
【００１３】
また、スイッチング電流回路は、半導体レーザ１１にスイッチング電流Ｉｓｗを供給する電流源１９と、半導体レーザ点灯指示信号によって電流源１９からのスイッチング電流Ｉｓｗを半導体レーザ１１に流すスイッチング回路２０によって構成される。スイッチング回路２０が開いているときには電流源１９から供給されるスイッチング電流Ｉｓｗがスイッチング回路２０により阻止されて半導体レーザ１１には流れない。スイッチング回路２０が半導体レーザ点灯指示信号によって閉じると、電流源１９から供給されるスイッチング電流Ｉｓｗがスイッチング回路２０を通して半導体レーザ１１に流れる。半導体レーザ１１のスイッチング駆動時には、信号切り換え器１８が制御手段としてのコントロール回路２１により電流源１７側に切り換えられることで、半導体レーザ１１に電流源１７からバイアス電流が与えられる。
【００１４】
図９はバイアス電流Ｉｂと半導体レーザ１１の発光光量の変化の様子を示し、図１０はコントロール回路２１の処理フローを示す。バイアス電流Ｉｂの設定を行う場合には、コントロール回路２１は、スイッチング回路２０を開いた状態とすることで、半導体レーザ１１にスイッチング電流Ｉｓｗを供給しない状態とし、バイアス電流設定指示信号が入力されることにより、図１０に示すような処理フローを実行する。
【００１５】
すなわち、コントロール回路２１は、バイアス電流設定指示信号が入力されることにより、第１のカウンタ１２および第２のカウンタ１５をリセット状態とし、信号切り換え器１８を第１の電流源１４側に切り換えることで第１の電流源１４を半導体レーザ１１に接続した状態にする。したがって、第１のカウンタ１２のカウントデータが第１のＤ／Ａコンバータ１３によりアナログ信号に変換されて第１の電流源１４に印加され、第１の電流源１４の供給電流が０Ａに設定された状態となる。また、第２のカウンタ１５のカウントデータが第２のＤ／Ａコンバータ１６によりアナログ信号に変換されて第２の電流源１７に印加され、第２の電流源１７の供給電流が０Ａに設定された状態となる。
【００１６】
そして、コントロール回路２１は第１のカウンタ１２および第２のカウンタ１５を同時にイネーブル状態とし、第１のカウンタ１２および第２のカウンタ１５が同時に図示しない回路からのクロックのカウントを開始して第１の電流源１４および第２の電流源１７の設定電流が同じ勾配で増加を始める。このとき、第１のカウンタ１２はクロックを例えばアップカウントし、第２のカウンタ１５は例えばアップカウントモードでクロックをアップカウントする。第１の電流源１４が発生した電流は信号切り換え器１８を通して半導体レーザ１１に流れ、半導体レーザ１１はそのＩ−Ｌ特性にしたがって発光を始める。
【００１７】
半導体レーザ１１の発する光は光検出器２２に入射してその光量が光検出器２２により検出され、光検出器２２の出力信号が増幅器２３を経て第１のコンパレータ２４と第２のコンパレータ２５に伝えられる。第１のコンパレータ２４は、増幅器２３の出力電圧を基準電圧Ｖｒｅｆ１と比較することで、半導体レーザ１１の発光光量が第１の所定の光量Ｐａに達したことを検出する。また、第２のコンパレータ２５は、増幅器２３の出力電圧を基準電圧Ｖｒｅｆ２と比較することで、半導体レーザ１１の発光光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したことを検出する。
【００１８】
コントロール回路２１は、第１のコンパレータ２４の出力信号と第２のコンパレータ２５の出力信号が入力され、第１のコンパレータ２４の出力信号により半導体レーザ１１の発する光量が第１の所定の光量Ｐａに達したときに第２のカウンタ１５をアップカウントモードからダウンカウントモードに反転させる。したがって、第２のカウンタ１５はクロックをダウンカウントし、第２の電流源１７の供給電流が第２のカウンタ１５のカウントデータに応じて増加したときと同じ勾配で減少を始める。
【００１９】
その後、コントロール回路２１は、第２のコンパレータ２５の出力信号により半導体レーザ１１の発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに第２のカウンタ１５のカウントを停止させ、信号切り換え器１８を第２の電流源１７側に切り換えることで第２の電流源１７を半導体レーザ１１に接続し、バイアス電流Ｉｂの設定を終了してバイアス電流設定終了信号を外部へ出力する。
【００２０】
ここに、所定の第１の光量Ｐａと所定の第２の光量Ｐｂを（Ｐｂ≒２Ｐａ）とすることにより、Ｉｂ≒Ｉｔｈとすることができる。このため、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる。
【００２１】
このように、第１実施形態例は、請求項１記載の発明の実施形態例であって、半導体レーザ１１のスイッチング駆動時に該半導体レーザ１１にバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、半導体レーザ１１にスイッチング電流を与える電流源１９及びスイッチング回路２０からなるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタ１２と、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタ１５と、第１のカウンタ１２のカウントデータもしくは第２のカウンタ１５のカウントデータにしたがった信号を出力する１個もしくは複数個のＤ／Ａコンバータ１３、１６とを含み、このＤ／Ａコンバータ１３、１６の出力信号に応じたバイアス電流を半導体レーザ１１に流して半導体レーザ１１の出力を光検出器２２で検出し、この検出結果を用いてコントロール回路２１により第１のカウンタ１２及び第２のカウンタ１５を制御してバイアス電流を設定するので、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる。
【００２２】
また、第１実施形態例は、請求項４記載の発明の実施形態例であって、半導体レーザ１１のスイッチング駆動時に該半導体レーザ１１にバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、半導体レーザ１１にスイッチング電流を与える電流源１９及びスイッチング回路２０からなるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタ１２と、この第１のカウンタ１２のカウントデータにしたがった信号を出力する第１のＤ／Ａコンバータ１３と、この第１のＤ／Ａコンバータ１３が出力する信号にしたがった電流を発生する第１の電流源１４と、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタ１５と、この第２のカウンタ１５のカウントデータにしたがった信号を出力する第２のＤ／Ａコンバータ１６と、この第２のＤ／Ａコンバータ１６が出力する信号にしたがった電流を発生する第２の電流源１７と、第１の電流源１４及び第２の電流源１７のいずれかの電流をバイアス電流として半導体レーザ１１に流す信号切り換え器１８とを含み、半導体レーザ１１の出力を光検出器２２で検出してこの検出結果を用いてコントロール回路２１により第１のカウンタ１２及び第２のカウンタ１５を制御してバイアス電流を設定するので、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる。
【００２３】
図２は本発明の第２実施形態例を示す。
この第２実施形態例の半導体レーザ駆動装置は、請求項３記載の発明の実施形態例であり、上記第１実施形態例において、第１の電流源１４と第２の電流源１７を１つの電流源１４に統合したものである。電流源１４から供給される電流は半導体レーザ１１へ直接流れる。信号切り換え器１８は第１のＤ／Ａコンバータ１３及び第２のＤ／Ａコンバータ１６と電流源１４との間に設けられて第１のＤ／Ａコンバータ１３及び第２のＤ／Ａコンバータ１６のいずれかの出力信号を電流源１４に印加し、電流源１４が第１のＤ／Ａコンバータ１３及び第２のＤ／Ａコンバータ１６のいずれかの出力信号にしたがってバイアス電流を発生する。
【００２４】
コントロール回路２１は、バイアス電流Ｉｂの設定を行う場合には最初は信号切り換え器１８を第１のＤ／Ａコンバータ１３側に切り換えることで第１のＤ／Ａコンバータ１３の出力信号を電流源１４に印加し、その後第２のコンパレータ２５の出力信号により半導体レーザ１１の発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに信号切り換え器１８を第２のＤ／Ａコンバータ１６側に切り換えることで第２のＤ／Ａコンバータ１６の出力信号を電流源１４に印加する。
【００２５】
この第２実施形態例は、請求項３記載の発明の実施形態例であって、半導体レーザ１１のスイッチング駆動時に該半導体レーザ１１にバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、半導体レーザ１１にスイッチング電流を与える電流源１９及びスイッチング回路２０からなるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタ１２と、この第１のカウンタ１２のカウントデータにしたがった信号を出力する第１のＤ／Ａコンバータ１３と、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタ１５と、この第２のカウンタ１５のカウントデータにしたがった信号を出力する第２のＤ／Ａコンバータ１６と、第１のＤ／Ａコンバータ１３及び第２のＤ／Ａコンバータ１６のいずれかの信号にしたがってバイアス電流を発生して半導体レーザ１１に流す電流源１４とを含み、半導体レーザ１１の出力を光検出器２２で検出してこの検出結果を用いてコントロール回路２１により第１のカウンタ１２及び第２のカウンタ１５を制御してバイアス電流を設定するので、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる。
【００２６】
図３は本発明の第３実施形態例を示す。
この第３実施形態例の半導体レーザ駆動装置は、請求項２記載の発明の実施形態例であり、上記第２実施形態例において、第１のＤ／Ａコンバータ１３と第２のＤ／Ａコンバータ１６を１つのＤ／Ａコンバータ１３に統合したものである。Ｄ／Ａコンバータ１３からのアナログ信号は電流源１４へ直接印加される。信号切り換え器１８は第１のカウンタ１２及び第２のカウンタ１５とＤ／Ａコンバータ１３との間に設けられて第１のカウンタ１２及び第２のカウンタ１５のいずれかのカウントデータをＤ／Ａコンバータ１３に与え、Ｄ／Ａコンバータ１３が第１のカウンタ１２及び第２のカウンタ１５のいずれかのカウントデータをアナログ信号に変換する。
【００２７】
コントロール回路２１は、バイアス電流Ｉｂの設定を行う場合には最初は信号切り換え器１８を第１のカウンタ１２側に切り換えることで第１のカウンタ１２からのカウントデータをＤ／Ａコンバータ１３に与え、その後第２のコンパレータ２５の出力信号により半導体レーザ１１の発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに信号切り換え器１８を第２のカウンタ１５側に切り換えることで第２のカウンタ１５からのカウントデータをＤ／Ａコンバータ１３に与える。
【００２８】
この第３実施形態例は、請求項２記載の発明の実施形態例であって、半導体レーザ１１のスイッチング駆動時に該半導体レーザ１１にバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、半導体レーザ１１にスイッチング電流を与える電流源１９及びスイッチング回路２０からなるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタ１２と、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタ１５と、第１のカウンタ１２もしくは第２のカウンタ１５のデータにしたがった信号を出力するＤ／Ａコンバータ１３と、このＤ／Ａコンバータ１３の出力にしたがってバイアス電流を発生して半導体レーザ１１に流す電流源１４とを含み、半導体レーザ１１の出力を光検出器２２で検出してこの検出結果を用いてコントロール回路２１により第１のカウンタ１２及び第２のカウンタ１５を制御してバイアス電流を設定するので、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる。
【００２９】
【発明の効果】
以上のように請求項１記載の発明によれば、半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、前記第１のカウンタのデータもしくは前記第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力する１個もしくは複数個のＤ／Ａコンバータとを含み、このＤ／Ａコンバータの出力信号に応じたバイアス電流を前記半導体レーザに流して前記半導体レーザの出力を検出し、この検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定するので、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる。
【００３０】
請求項２記載の発明によれば、半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、前記第１のカウンタもしくは前記第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力するＤ／Ａコンバータと、このＤ／Ａコンバータの出力にしたがってバイアス電流を発生して前記半導体レーザに流す電流源とを含み、前記半導体レーザの出力を検出してこの検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定するので、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる。
【００３１】
請求項３記載の発明によれば、半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、この第１のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第１のＤ／Ａコンバータと、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、この第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第２のＤ／Ａコンバータと、前記第１のＤ／Ａコンバータ及び前記第２のＤ／Ａコンバータのいずれかの信号にしたがってバイアス電流を発生して前記半導体レーザに流す電流源とを含み、前記半導体レーザの出力を検出してこの検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定するので、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる。
【００３２】
請求項４記載の発明によれば、半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、この第１のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第１のＤ／Ａコンバータと、この第１のＤ／Ａコンバータが出力する信号にしたがった電流を発生する第１の電流源と、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、この第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第２のＤ／Ａコンバータと、この第２のＤ／Ａコンバータが出力する信号にしたがった電流を発生する第２の電流源と、前記第１の電流源及び前記第２の電流源のいずれかの電流をバイアス電流として前記半導体レーザに流す信号切り換え器とを含み、前記半導体レーザの出力を検出してこの検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定するので、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態例を示すブロック図である。
【図２】本発明の第２実施形態例を示すブロック図である。
【図３】本発明の第３実施形態例を示すブロック図である。
【図４】半導体レーザのＩ−Ｌ特性を説明するための図である。
【図５】半導体レーザのＩ−Ｌ特性のバラツキを説明するための図である。
【図６】半導体レーザのＩ−Ｌ特性の温度変化、経時変化を説明するための図である。
【図７】固定バイアス方式における半導体レーザのＩ−Ｌ特性と、バイアス電流、スイッチング電流および光出力の例を示す図である。
【図８】固定バイアス方式における半導体レーザのＩ−Ｌ特性と、バイアス電流、スイッチング電流および光出力の他の例を示す図である。
【図９】上記実施例におけるバイアス電流設定時のバイアス電流の変化、光出力の変化を説明するための図である。
【図１０】上記実施例におけるコントロール回路の処理フローを示すフローチャートである。
【符号の説明】
１１半導体レーザ
１２アップカウントもしくはダウンカウントをするカウンタ
１３、１６Ｄ／Ａコンバータ
１４、１７、１９電流源
１５アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられるカウンタ
１８信号切り換え器
２０スイッチング回路
２１コントロール回路
２２光検出器
２３増幅器
２４、２５コンパレータ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor laser driving device.
[0002]
[Prior art]
FIG. 4 shows current-light conversion characteristics (hereinafter referred to as IL characteristics) of the semiconductor laser. In switching driving of a semiconductor laser, in order to improve the switching characteristics, generally, a bias current of about the oscillation start current Ith is applied to the semiconductor laser so that optical switching is performed in the semiconductor laser emission region (LD emission region). . In many cases, the bias current applied to the semiconductor laser is a fixed bias current for ease of implementation.
Japanese Patent Laid-Open No. 3-132774 discloses an apparatus for determining the bias current of a semiconductor laser by measuring the IL characteristics of the semiconductor laser by a CPU.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
As shown in FIG. 5, the I-L characteristics of the semiconductor laser are I-L characteristics A, B... With different Ith and differential efficiency .eta. It is necessary to adjust the current value, the adjustment is complicated, and the adjustment result is not necessarily optimal for each semiconductor laser.
[0004]
Further, the IL characteristic of the semiconductor laser changes, for example, from the IL characteristic C shown in FIG. 6 to the IL characteristic D so that the current-light conversion efficiency deteriorates due to environmental temperature and aging. When it is necessary to make the amount of emitted light constant when turning on the semiconductor laser, the current flowing to the semiconductor laser is increased or decreased while observing the amount of emitted light of the semiconductor laser so that the amount of emitted light of the semiconductor laser becomes constant. Auto power control (APC) is performed.
[0005]
In the fixed bias method in which the bias current applied to the semiconductor laser is a fixed bias current, the switching current of the semiconductor laser is determined from the value of the IL characteristic E of the semiconductor laser as shown in FIG. The value of the IL characteristic F is increased, and the effect of applying a bias current to the semiconductor laser is gradually reduced by the change of the IL characteristic of the semiconductor laser.
[0006]
In the apparatus described in Japanese Patent Laid-Open No. 3-132774, the CPU measures the IL characteristic of the semiconductor laser to determine the bias current of the semiconductor laser, so that the system becomes a large system and an expensive apparatus.
[0007]
The present invention improves the above-mentioned problems, and can automatically set an appropriate bias current for an environment temperature, aging, and individual semiconductor laser of an IL characteristic of a semiconductor laser without providing an adjustment process, and is inexpensive. An object of the present invention is to provide a semiconductor laser driving device that can be realized in the following manner.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a semiconductor device comprising: a bias current circuit that applies a bias current to the semiconductor laser during switching driving of the semiconductor laser; and a switching current circuit that applies a switching current to the semiconductor laser. In the laser driving device, the bias current circuit includes a first counter that counts up or down, a second counter that is switched between an up count mode and a down count mode, and data of the first counter or the first counter. One or a plurality of D / A converters that output a signal according to the data of the counter of 2, and a bias current corresponding to the output signal of the D / A converter is caused to flow through the semiconductor laser. An output is detected, and the first result is detected using the detection result. Counter and controls the second counter is for setting the bias current.
[0009]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser driving device comprising: a bias current circuit that applies a bias current to the semiconductor laser during switching driving of the semiconductor laser; and a switching current circuit that applies a switching current to the semiconductor laser. The current circuit includes a first counter that counts up or down, a second counter that is switched between the up-count mode and the down-count mode, and a signal according to data of the first counter or the second counter. A D / A converter that outputs a bias current according to the output of the D / A converter and a current source that flows to the semiconductor laser. The output of the semiconductor laser is detected and the detection result is used. Control the first counter and the second counter. It is for setting the bias current by.
[0010]
According to a third aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser driving apparatus comprising: a bias current circuit that applies a bias current to the semiconductor laser during switching driving of the semiconductor laser; and a switching current circuit that applies a switching current to the semiconductor laser. The current circuit is switched between a first counter that counts up or down, a first D / A converter that outputs a signal according to data of the first counter, and an upcount mode and a downcount mode. A second counter, a second D / A converter that outputs a signal according to data of the second counter, and any one of the first D / A converter and the second D / A converter A current source for generating a bias current according to the signal and flowing the semiconductor laser; Wherein is for setting the semiconductor laser outputs the detection to the bias current by controlling the first counter and the second counter with the detection result of.
[0011]
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser driving device comprising: a bias current circuit that applies a bias current to the semiconductor laser during switching driving of the semiconductor laser; and a switching current circuit that applies a switching current to the semiconductor laser. The current circuit includes a first counter that counts up or down, a first D / A converter that outputs a signal according to data of the first counter, and an output from the first D / A converter A first current source that generates a current according to the signal to be output, a second counter that is switched between the up-count mode and the down-count mode, and a second D that outputs a signal according to the data of the second counter / A converter and the electric power according to the signal output by this second D / A converter A second current source that generates a signal, and a signal switch that causes one of the current from the first current source and the second current source to flow as a bias current to the semiconductor laser, and outputs an output from the semiconductor laser. The bias current is set by controlling the first counter and the second counter using the detection result.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
The semiconductor laser driving apparatus according to the first embodiment is an embodiment of the invention according to claims 1 and 4, and a bias current circuit for supplying a bias current to the semiconductor laser 11 and a switching current for supplying the semiconductor laser 11. A switching current circuit. The bias current circuit includes a first counter 12 that counts up or down, a first D / A converter 13 that outputs a signal according to the count data of the first counter 12, and the first D / A converter 13 generates a first current source 14 in accordance with a signal output, second counter 15 that switches between the up-count mode and the down-count mode, and the count data of the second counter 15 Therefore, the second D / A converter 16 that outputs a signal in accordance with the signal, the second current source 17 that generates a current according to the signal output from the second D / A converter, the first current source 14 and It is constituted by a signal switch 18 that uses any one of the currents from the second current source 17 as a bias current Ib.
[0013]
The switching current circuit includes a current source 19 that supplies a switching current Isw to the semiconductor laser 11 and a switching circuit 20 that causes the switching current Isw from the current source 19 to flow to the semiconductor laser 11 by a semiconductor laser lighting instruction signal. When the switching circuit 20 is open, the switching current Isw supplied from the current source 19 is blocked by the switching circuit 20 and does not flow to the semiconductor laser 11. When the switching circuit 20 is closed by the semiconductor laser lighting instruction signal, the switching current Isw supplied from the current source 19 flows to the semiconductor laser 11 through the switching circuit 20. At the time of switching driving of the semiconductor laser 11, the signal switching unit 18 is switched to the current source 17 side by the control circuit 21 as a control unit, whereby a bias current is applied to the semiconductor laser 11 from the current source 17.
[0014]
FIG. 9 shows how the bias current Ib and the amount of light emitted from the semiconductor laser 11 change, and FIG. 10 shows the processing flow of the control circuit 21. When setting the bias current Ib, the control circuit 21 opens the switching circuit 20 so that the switching current Isw is not supplied to the semiconductor laser 11 and a bias current setting instruction signal is input. As a result, a processing flow as shown in FIG. 10 is executed.
[0015]
That is, when the bias current setting instruction signal is input, the control circuit 21 resets the first counter 12 and the second counter 15 and switches the signal switch 18 to the first current source 14 side. Then, the first current source 14 is connected to the semiconductor laser 11. Therefore, the count data of the first counter 12 is converted into an analog signal by the first D / A converter 13 and applied to the first current source 14, and the supply current of the first current source 14 is set to 0A. It becomes the state. The count data of the second counter 15 is converted into an analog signal by the second D / A converter 16 and applied to the second current source 17, and the supply current of the second current source 17 is set to 0A. It becomes the state.
[0016]
Then, the control circuit 21 enables the first counter 12 and the second counter 15 simultaneously, and the first counter 12 and the second counter 15 simultaneously start counting clocks from a circuit (not shown). The set currents of the current source 14 and the second current source 17 start increasing with the same slope. At this time, the first counter 12 counts up the clock, for example, and the second counter 15 counts up the clock, for example, in the up-count mode. The current generated by the first current source 14 flows to the semiconductor laser 11 through the signal switcher 18, and the semiconductor laser 11 starts to emit light according to its IL characteristic.
[0017]
The light emitted from the semiconductor laser 11 enters the photodetector 22 and the amount of light is detected by the photodetector 22, and the output signal of the photodetector 22 passes through the amplifier 23 to the first comparator 24 and the second comparator 25. Reportedly. The first comparator 24 detects that the light emission amount of the semiconductor laser 11 has reached the first predetermined light amount Pa by comparing the output voltage of the amplifier 23 with the reference voltage Vref1. The second comparator 25 compares the output voltage of the amplifier 23 with the reference voltage Vref2, thereby detecting that the light emission amount of the semiconductor laser 11 has reached the second predetermined light amount Pb.
[0018]
The control circuit 21 receives the output signal of the first comparator 24 and the output signal of the second comparator 25, and the light amount emitted from the semiconductor laser 11 by the output signal of the first comparator 24 becomes the first predetermined light amount Pa. When reached, the second counter 15 is inverted from the up-count mode to the down-count mode. Therefore, the second counter 15 counts down the clock, and starts decreasing at the same slope as when the supply current of the second current source 17 increases according to the count data of the second counter 15.
[0019]
Thereafter, the control circuit 21 stops the counting of the second counter 15 when the light amount emitted from the semiconductor laser 11 reaches the second predetermined light amount Pb by the output signal of the second comparator 25, and the signal switcher 18. Is switched to the second current source 17 side to connect the second current source 17 to the semiconductor laser 11, the setting of the bias current Ib is completed, and a bias current setting end signal is output to the outside.
[0020]
Here, by setting the predetermined first light amount Pa and the predetermined second light amount Pb to (Pb≈2 Pa), it is possible to satisfy Ib≈Ith. For this reason, it is possible to automatically set an appropriate bias current for an ambient temperature of an IL characteristic of a semiconductor laser, an aging change, and an individual semiconductor laser without providing an adjustment process, and can be realized at low cost.
[0021]
As described above, the first embodiment is an embodiment of the invention described in claim 1, wherein a bias current circuit for applying a bias current to the semiconductor laser 11 during switching driving of the semiconductor laser 11, and the semiconductor laser 11 In the semiconductor laser driving device including a current source 19 for providing a switching current and a switching current circuit including a switching circuit 20, the bias current circuit includes a first counter 12 for up-counting or down-counting, an up-count mode, The second counter 15 switched to the down-count mode, and one or a plurality of D / A converters 13 and 16 for outputting a signal according to the count data of the first counter 12 or the count data of the second counter 15 The D / A converter 13, 1 A bias current corresponding to the output signal is supplied to the semiconductor laser 11 and the output of the semiconductor laser 11 is detected by the photodetector 22, and the first counter 12 and the second counter 15 are detected by the control circuit 21 using the detection result. Since the bias current is set by controlling the laser, it is possible to automatically set an appropriate bias current for the semiconductor laser with respect to the environmental temperature and aging of the IL characteristics and for each semiconductor laser without any adjustment process. Can be realized.
[0022]
Further, the first embodiment is claimed in the claims. 4 The embodiment of the described invention is a switching circuit comprising a bias current circuit for applying a bias current to the semiconductor laser 11 during switching driving of the semiconductor laser 11, and a current source 19 and a switching circuit 20 for applying a switching current to the semiconductor laser 11. In the semiconductor laser driving apparatus including a current circuit, the bias current circuit outputs a first counter 12 that counts up or down, and a signal that outputs a signal according to the count data of the first counter 12. D / A converter 13, a first current source 14 that generates a current according to a signal output from the first D / A converter 13, and a second counter that is switched between an up-count mode and a down-count mode 15 and the count data of the second counter 15 A second D / A converter 16 that outputs a signal according to the signal, a second current source 17 that generates a current according to a signal output from the second D / A converter 16, and a first current source 14 And a signal switching unit 18 that causes the current of any one of the second current sources 17 to flow to the semiconductor laser 11 as a bias current. The output of the semiconductor laser 11 is detected by the photodetector 22 and controlled using the detection result. Since the circuit 21 controls the first counter 12 and the second counter 15 to set the bias current, the ambient temperature of the IL characteristic of the semiconductor laser, the secular change, and the appropriate bias current for each semiconductor laser Can be automatically set without providing an adjustment step and can be realized at low cost.
[0023]
FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention.
The semiconductor laser driving apparatus according to the second embodiment is an embodiment of the invention described in claim 3, and in the first embodiment, the first current source 14 and the second current source 17 are combined into one. The current source 14 is integrated. The current supplied from the current source 14 flows directly to the semiconductor laser 11. The signal switching unit 18 is provided between the first D / A converter 13 and the second D / A converter 16 and the current source 14, and the first D / A converter 13 and the second D / A converter 16. Any one of the output signals is applied to the current source 14, and the current source 14 generates a bias current in accordance with the output signal from either the first D / A converter 13 or the second D / A converter 16.
[0024]
When setting the bias current Ib, the control circuit 21 first switches the signal switch 18 to the first D / A converter 13 side so that the output signal of the first D / A converter 13 is the current source 14. And then the signal switch 18 is switched to the second D / A converter 16 side when the light amount emitted from the semiconductor laser 11 reaches the second predetermined light amount Pb by the output signal of the second comparator 25. Then, the output signal of the second D / A converter 16 is applied to the current source 14.
[0025]
This second embodiment is an embodiment of the invention as set forth in claim 3, wherein a bias current circuit for applying a bias current to the semiconductor laser 11 during switching driving of the semiconductor laser 11, and a switching current to the semiconductor laser 11 are provided. In the semiconductor laser driving apparatus including the current source 19 for supplying and the switching current circuit including the switching circuit 20, the bias current circuit includes a first counter 12 that performs up-counting or down-counting, and the first counter 12. The first D / A converter 13 that outputs a signal according to the count data, the second counter 15 that is switched between the up-count mode and the down-count mode, and the signal according to the count data of the second counter 15 A second D / A converter 16 for output, and a first A current source 14 that generates a bias current in accordance with a signal from one of the A / A converter 13 and the second D / A converter 16 and flows it to the semiconductor laser 11, and detects the output of the semiconductor laser 11 by the photodetector 22. Then, using this detection result, the control circuit 21 controls the first counter 12 and the second counter 15 to set the bias current. Therefore, the ambient temperature of the IL characteristic of the semiconductor laser, the secular change, and the individual An appropriate bias current for the semiconductor laser can be automatically set without providing an adjustment step, and can be realized at low cost.
[0026]
FIG. 3 shows a third embodiment of the present invention.
The semiconductor laser driving apparatus according to the third embodiment is an embodiment of the invention as set forth in claim 2, and in the second embodiment, the first D / A converter 13 and the second D / A converter are provided. 16 is integrated into one D / A converter 13. The analog signal from the D / A converter 13 is directly applied to the current source 14. The signal switching unit 18 is provided between the first counter 12 and the second counter 15 and the D / A converter 13, and the count data of either the first counter 12 or the second counter 15 is converted to D / A. The D / A converter 13 converts the count data of either the first counter 12 or the second counter 15 into an analog signal.
[0027]
When setting the bias current Ib, the control circuit 21 first supplies the count data from the first counter 12 to the D / A converter 13 by switching the signal switch 18 to the first counter 12 side. Thereafter, when the amount of light emitted from the semiconductor laser 11 reaches the second predetermined light amount Pb by the output signal of the second comparator 25, the signal switch 18 is switched to the second counter 15 side to switch from the second counter 15. Is supplied to the D / A converter 13.
[0028]
The third embodiment is an embodiment of the invention described in claim 2, wherein a bias current circuit for applying a bias current to the semiconductor laser 11 during switching driving of the semiconductor laser 11, and a switching current to the semiconductor laser 11 are provided. In the semiconductor laser driving device including a current source 19 for supplying and a switching current circuit including a switching circuit 20, the bias current circuit includes a first counter 12 for up-counting or down-counting, an up-count mode, and a down-count mode. The D / A converter 13 that outputs a signal according to the data of the first counter 12 or the second counter 15, and the bias current according to the output of the D / A converter 13. Current source generated and passed to semiconductor laser 11 4, the output of the semiconductor laser 11 is detected by the photodetector 22, and the bias current is set by controlling the first counter 12 and the second counter 15 by the control circuit 21 using the detection result. In addition, the ambient temperature of the IL characteristic of the semiconductor laser, the secular change, and an appropriate bias current for each semiconductor laser can be automatically set without providing an adjustment step, and can be realized at low cost.
[0029]
【The invention's effect】
As described above, according to the first aspect of the present invention, the semiconductor laser includes the bias current circuit that applies a bias current to the semiconductor laser during switching driving of the semiconductor laser, and the switching current circuit that applies the switching current to the semiconductor laser. In the driving device, the bias current circuit includes a first counter that counts up or down, a second counter that is switched between an up count mode and a down count mode, and data of the first counter or the second counter. One or a plurality of D / A converters that output signals in accordance with the counter data of the counter, and a bias current corresponding to the output signal of the D / A converter is supplied to the semiconductor laser to output the semiconductor laser. And using the detection result, the first cowl The bias current is set by controlling the second counter and the second counter, and therefore there is a step of adjusting the bias temperature appropriate for each semiconductor laser and the ambient temperature and aging of the IL characteristics of the semiconductor laser. Can be set automatically and can be realized at low cost.
[0030]
According to the invention of claim 2, in a semiconductor laser driving device comprising a bias current circuit for applying a bias current to the semiconductor laser during switching driving of the semiconductor laser, and a switching current circuit for supplying a switching current to the semiconductor laser. The bias current circuit is based on data of a first counter that counts up or down, a second counter that is switched between an up-count mode and a down-count mode, and data of the first counter or the second counter. A D / A converter that outputs a detected signal and a current source that generates a bias current according to the output of the D / A converter and flows the current to the semiconductor laser. The output of the semiconductor laser is detected and the detection result is obtained. Using the first counter and the second count Since the bias current is set by controlling the semiconductor laser, it is possible to automatically set an appropriate bias current for the ambient temperature of the semiconductor laser, the aging characteristics, and an individual semiconductor laser without providing an adjustment process. It can be realized at low cost.
[0031]
According to the invention of claim 3, in a semiconductor laser driving device comprising a bias current circuit for applying a bias current to the semiconductor laser during switching driving of the semiconductor laser, and a switching current circuit for supplying a switching current to the semiconductor laser. The bias current circuit includes a first counter that counts up or down, a first D / A converter that outputs a signal according to data of the first counter, an up count mode, and a down count mode. A second counter that is switched, a second D / A converter that outputs a signal according to data of the second counter, and any of the first D / A converter and the second D / A converter The bias current is generated according to the signal and the current flowing through the semiconductor laser is The bias current is set by controlling the first counter and the second counter using the detection result, and the IL characteristic of the semiconductor laser is set. Therefore, it is possible to automatically set an appropriate bias current for each semiconductor laser without providing an adjustment process and to realize it at a low cost.
[0032]
According to the invention of claim 4, in a semiconductor laser driving device comprising: a bias current circuit that applies a bias current to the semiconductor laser during switching driving of the semiconductor laser; and a switching current circuit that applies a switching current to the semiconductor laser. The bias current circuit includes a first counter that counts up or down, a first D / A converter that outputs a signal according to data of the first counter, and the first D / A converter. A first current source that generates a current according to a signal output from the second counter, a second counter that is switched between the up-count mode and the down-count mode, and a second that outputs a signal according to the data of the second counter D / A converter and the signal output by this second D / A converter A second current source for generating a current, and a signal switch for flowing one of the current from the first current source and the second current source as a bias current to the semiconductor laser. Since the output is detected and the bias current is set by controlling the first counter and the second counter using the detection result, the ambient temperature of the IL characteristic of the semiconductor laser, the secular change and individual An appropriate bias current for the semiconductor laser can be automatically set without providing an adjustment step, and can be realized at low cost.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram illustrating a first exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a block diagram showing a third embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram for explaining IL characteristics of a semiconductor laser.
FIG. 5 is a diagram for explaining variations in IL characteristics of a semiconductor laser.
FIG. 6 is a diagram for explaining a temperature change and a change with time of an IL characteristic of a semiconductor laser.
FIG. 7 is a diagram illustrating an example of IL characteristics, bias current, switching current, and optical output of a semiconductor laser in a fixed bias method.
FIG. 8 is a diagram showing another example of IL characteristics of a semiconductor laser in a fixed bias system, a bias current, a switching current, and an optical output.
FIG. 9 is a diagram for explaining a change in bias current and a change in optical output when the bias current is set in the embodiment.
FIG. 10 is a flowchart showing a processing flow of the control circuit in the embodiment.
[Explanation of symbols]
11 Semiconductor laser
12 Counter that counts up or down
13, 16 D / A converter
14, 17, 19 Current source
15 Counter switched between up-count mode and down-count mode
18 Signal selector
20 Switching circuit
21 Control circuit
22 Photodetector
23 Amplifier
24, 25 Comparator

Claims

In a semiconductor laser driving apparatus, comprising: a bias current circuit that applies a bias current to the semiconductor laser during switching driving of the semiconductor laser; and a switching current circuit that applies a switching current to the semiconductor laser. A first counter that counts, a second counter that is switched between an up-count mode and a down-count mode, and one that outputs data according to the data of the first counter or the data of the second counter, or A plurality of D / A converters, a bias current corresponding to an output signal of the D / A converter is supplied to the semiconductor laser to detect the output of the semiconductor laser, and the detection result is used to detect the first Controlling the counter and the second counter to The semiconductor laser drive device and sets the bias current.

In a semiconductor laser driving apparatus, comprising: a bias current circuit that applies a bias current to the semiconductor laser during switching driving of the semiconductor laser; and a switching current circuit that applies a switching current to the semiconductor laser. A first counter that counts, a second counter that is switched between an up-count mode and a down-count mode, and a D / A converter that outputs a signal according to the data of the first counter or the second counter; A current source that generates a bias current in accordance with the output of the D / A converter and flows the semiconductor laser, detects the output of the semiconductor laser, and uses the detection result to detect the first counter and the first 2 counter to control the bias current Setting semiconductor laser driving device which is characterized in that.

In a semiconductor laser driving apparatus, comprising: a bias current circuit that applies a bias current to the semiconductor laser during switching driving of the semiconductor laser; and a switching current circuit that applies a switching current to the semiconductor laser. A first counter that counts, a first D / A converter that outputs a signal according to the data of the first counter, a second counter that is switched between an up-count mode and a down-count mode, 2 generates a bias current according to a signal of the second D / A converter that outputs a signal according to the data of the counter 2 and the signal of the first D / A converter or the second D / A converter. A current source that flows to the semiconductor laser. The semiconductor laser drive device outputs detected and controls the first counter and the second counter by using the detection result of and sets the bias current.

In a semiconductor laser driving apparatus, comprising: a bias current circuit that applies a bias current to the semiconductor laser during switching driving of the semiconductor laser; and a switching current circuit that applies a switching current to the semiconductor laser. A first counter for counting, a first D / A converter that outputs a signal according to the data of the first counter, and a current according to the signal output by the first D / A converter are generated A first current source that performs switching, a second counter that is switched between an up-count mode and a down-count mode, a second D / A converter that outputs a signal according to the data of the second counter, and the second A second current that generates a current according to a signal output from the D / A converter And a signal switching device for causing the current of one of the first current source and the second current source to flow as a bias current to the semiconductor laser, and detecting the output of the semiconductor laser and using the detection result And controlling the first counter and the second counter to set the bias current.