JP2001201330A - 位置決め装置および位置決め方法 - Google Patents
位置決め装置および位置決め方法Info
- Publication number
- JP2001201330A JP2001201330A JP2000011212A JP2000011212A JP2001201330A JP 2001201330 A JP2001201330 A JP 2001201330A JP 2000011212 A JP2000011212 A JP 2000011212A JP 2000011212 A JP2000011212 A JP 2000011212A JP 2001201330 A JP2001201330 A JP 2001201330A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffracted light
- silicon wafer
- intensity
- positioning
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面にパターンが形成されたシリコンウェハ
１のθ方向の位置決めを容易に行うことができる位置決
め装置および位置決め方法を提供する。 【解決手段】 シリコンウェハ１の表面の回路パターン
２ａ〜２ｎに照射手段によりレーザ光を投光する。回路
パターン２ａ〜２ｎにより反射した前記レーザ光の回折
光は、受光スクリーン３により拡散された後、受光素子
４によって受光される。この受光信号から前記回折光の
強度を求めるとともに、該求められた回折光強度と、設
定した回折光強度か、又は予め正しい位置に配置された
シリコンウェハ表面にレーザ光を照射しその回折光から
求めておいた回折光強度とを比較する。この比較結果の
偏差出力は、シリコンウェハ１のθ角度のずれ量（正し
い位置からのずれ量）に相当し、該偏差出力が零になる
ようにシリコンウェハ１を回転させて位置を補正する。
１のθ方向の位置決めを容易に行うことができる位置決
め装置および位置決め方法を提供する。 【解決手段】 シリコンウェハ１の表面の回路パターン
２ａ〜２ｎに照射手段によりレーザ光を投光する。回路
パターン２ａ〜２ｎにより反射した前記レーザ光の回折
光は、受光スクリーン３により拡散された後、受光素子
４によって受光される。この受光信号から前記回折光の
強度を求めるとともに、該求められた回折光強度と、設
定した回折光強度か、又は予め正しい位置に配置された
シリコンウェハ表面にレーザ光を照射しその回折光から
求めておいた回折光強度とを比較する。この比較結果の
偏差出力は、シリコンウェハ１のθ角度のずれ量（正し
い位置からのずれ量）に相当し、該偏差出力が零になる
ようにシリコンウェハ１を回転させて位置を補正する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ、
チップスケールパッケージ（ＣＳＰ）、ボールグリッド
アレイ（ＢＧＡ）、マルチチップモジュール（ＭＣＭ）
の基準マーク、ランド、バンプのθ角位置ずれ等を認識
し位置決めを行う位置決め装置および位置決め方法に関
する。
チップスケールパッケージ（ＣＳＰ）、ボールグリッド
アレイ（ＢＧＡ）、マルチチップモジュール（ＭＣＭ）
の基準マーク、ランド、バンプのθ角位置ずれ等を認識
し位置決めを行う位置決め装置および位置決め方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣには、例えば図７に示すような回路
パターンを形成するために例えば図８のような認識マー
クが付与されている。ＩＣなどの半導体チップのウェハ
にバンプ印刷を行う場合において、前記ＩＣに付与され
た認識マークを基準とし、ステッパによりステップ露光
を行っているので、ウェハ全体に対しては認識マークを
付与しないことが一般的である。
パターンを形成するために例えば図８のような認識マー
クが付与されている。ＩＣなどの半導体チップのウェハ
にバンプ印刷を行う場合において、前記ＩＣに付与され
た認識マークを基準とし、ステッパによりステップ露光
を行っているので、ウェハ全体に対しては認識マークを
付与しないことが一般的である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ウェハの認識マークと
ＩＣの認識マークでは、ほぼ一桁スケールの違いがあ
り、ウェハにバンプ印刷するときは概略の位置を決めて
おくためにウェハの角度を決めておく必要がある。
ＩＣの認識マークでは、ほぼ一桁スケールの違いがあ
り、ウェハにバンプ印刷するときは概略の位置を決めて
おくためにウェハの角度を決めておく必要がある。
【０００４】また従来、印刷装置や検査装置にウェハな
どの基板を搬入する場合に、印刷、検査するウェハ定位
置に対して、搬入したウェハの位置が、図９に示すよう
にＸ、Ｙ方向だけでなくθ方向（角度）にずれることが
ある。この場合、例えばＩＣ上に形成されたＸ、Ｙ方向
のパターンの間隔に基づいてθ方向のずれを回転補正す
ることは非常に難しいものであった。
どの基板を搬入する場合に、印刷、検査するウェハ定位
置に対して、搬入したウェハの位置が、図９に示すよう
にＸ、Ｙ方向だけでなくθ方向（角度）にずれることが
ある。この場合、例えばＩＣ上に形成されたＸ、Ｙ方向
のパターンの間隔に基づいてθ方向のずれを回転補正す
ることは非常に難しいものであった。
【０００５】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
その目的は、θ方向（角度）に対して容易に位置決めを
行うことができる位置決め装置および位置決め方法を提
供することにある。
その目的は、θ方向（角度）に対して容易に位置決めを
行うことができる位置決め装置および位置決め方法を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】（１）上記の課題を解決
するための本発明の位置決め装置は、表面にパターンが
形成された基板に対してレーザ光を照射する照射手段
と、前記レーザ光の回折光を検出する回折光検出手段
と、前記回折光検出手段で検出された回折光に応じて前
記基板の位置を決定する位置決め手段とを備えたことを
特徴としている。
するための本発明の位置決め装置は、表面にパターンが
形成された基板に対してレーザ光を照射する照射手段
と、前記レーザ光の回折光を検出する回折光検出手段
と、前記回折光検出手段で検出された回折光に応じて前
記基板の位置を決定する位置決め手段とを備えたことを
特徴としている。
【０００７】また上記の課題を解決するための本発明の
位置決め方法は、表面にパターンが形成された基板に対
してレーザ光を照射するとともに、該レーザ光の回折光
を検出し、前記検出された回折光に応じて前記基板の位
置を決定することを特徴としている。 （２）レーザ光を、例えばウェハなどの基板表面に照射
したときの回折光を、例えば拡散板などにより拡散し、
検出する。この検出された回折光の強度と、設定回折光
強度、又は予め正しい位置に配置されたウェハ表面にレ
ーザ光を照射しその回折光から求めておいた回折光強度
とを比較し、その偏差に基づいてウェハの位置を補正す
ることにより、θ方向（角度）に対する位置決定が容易
に行われる。
位置決め方法は、表面にパターンが形成された基板に対
してレーザ光を照射するとともに、該レーザ光の回折光
を検出し、前記検出された回折光に応じて前記基板の位
置を決定することを特徴としている。 （２）レーザ光を、例えばウェハなどの基板表面に照射
したときの回折光を、例えば拡散板などにより拡散し、
検出する。この検出された回折光の強度と、設定回折光
強度、又は予め正しい位置に配置されたウェハ表面にレ
ーザ光を照射しその回折光から求めておいた回折光強度
とを比較し、その偏差に基づいてウェハの位置を補正す
ることにより、θ方向（角度）に対する位置決定が容易
に行われる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下図面を参照しながら本発明の
実施形態例を説明する。図１は本発明の位置決め装置お
よび位置決め方法の原理を表しており、図２は本発明の
位置決め装置のブロック図である。これらの図において
１は、その表面に、等間隔に微細に形成された回路パタ
ーン２ａ〜２ｎを有したシリコンウェハである。このシ
リコンウェハ１の表面には図２の照射手段１１によりレ
ーザ光が投光される。
実施形態例を説明する。図１は本発明の位置決め装置お
よび位置決め方法の原理を表しており、図２は本発明の
位置決め装置のブロック図である。これらの図において
１は、その表面に、等間隔に微細に形成された回路パタ
ーン２ａ〜２ｎを有したシリコンウェハである。このシ
リコンウェハ１の表面には図２の照射手段１１によりレ
ーザ光が投光される。
【０００９】シリコンウェハ１表面の回路パターン２ａ
〜２ｎにより反射した前記レーザ光の回折光は、シリコ
ンウェハ１から所定距離隔てて対向配設された受光スク
リーン３により拡散された後、回折光検出手段１２とし
ての受光素子４によって受光される。この受光信号は位
置決め手段１３の回折光強度演算部１３ａに導かれる。
〜２ｎにより反射した前記レーザ光の回折光は、シリコ
ンウェハ１から所定距離隔てて対向配設された受光スク
リーン３により拡散された後、回折光検出手段１２とし
ての受光素子４によって受光される。この受光信号は位
置決め手段１３の回折光強度演算部１３ａに導かれる。
【００１０】回折光強度演算部１３ａは、前記受光素子
４で検出された回折光の強度を求めるとともに、該検出
された回折光強度と、設定した回折光強度か、又は予め
正しい位置に配置されたシリコンウェハ表面にレーザ光
を照射しその回折光から求めておいた回折光強度とを比
較する。
４で検出された回折光の強度を求めるとともに、該検出
された回折光強度と、設定した回折光強度か、又は予め
正しい位置に配置されたシリコンウェハ表面にレーザ光
を照射しその回折光から求めておいた回折光強度とを比
較する。
【００１１】ここでシリコンウェハ１表面の回路パター
ン２ａ〜２ｎで反射するレーザ光の回折光の様子は図３
のとおりであり、回路パターン２ａ〜２ｎから発生する
回折光パターンは図４〜図６のとおりである。図３にお
いて図１と同一部分は同一符号をもって示しており、図
４は予め正しい位置に配置したシリコンウェハ表面にレ
ーザ光を照射したときのその回折光のパターンの画像を
示し、図５、図６はシリコンウェハを図４の位置から所
定角度回転したときの回折光パターンの画像を示してい
る。また図４〜図６においてレーザビームの大きさは２
ｍｍ径、パターンサイズは１２０μｍ径である。
ン２ａ〜２ｎで反射するレーザ光の回折光の様子は図３
のとおりであり、回路パターン２ａ〜２ｎから発生する
回折光パターンは図４〜図６のとおりである。図３にお
いて図１と同一部分は同一符号をもって示しており、図
４は予め正しい位置に配置したシリコンウェハ表面にレ
ーザ光を照射したときのその回折光のパターンの画像を
示し、図５、図６はシリコンウェハを図４の位置から所
定角度回転したときの回折光パターンの画像を示してい
る。また図４〜図６においてレーザビームの大きさは２
ｍｍ径、パターンサイズは１２０μｍ径である。
【００１２】前記図４と図５、図６からわかるように、
シリコンウェハ１の回転角度（θ角）に応じて回折光の
様子、すなわち回折光強度が異なるので、図４と例えば
図５、図６の回折パターンの回折光強度を比較すること
により、検出したシリコンウェハ１が正しい（所望の）
位置に配置されているか、及びずれている場合はどの程
度ずれているか等がわかる。
シリコンウェハ１の回転角度（θ角）に応じて回折光の
様子、すなわち回折光強度が異なるので、図４と例えば
図５、図６の回折パターンの回折光強度を比較すること
により、検出したシリコンウェハ１が正しい（所望の）
位置に配置されているか、及びずれている場合はどの程
度ずれているか等がわかる。
【００１３】したがって回折光強度演算部１３ａの偏差
出力はシリコンウェハ１のθ角度のずれ量（正しい位置
からのずれ量）に相当し、位置決め手段１３は前記偏差
出力が零になるようにシリコンウェハ１を回転させて位
置を補正する。これによって、シリコンウェハ１のθ方
向（角度）の位置決定が容易に行える。
出力はシリコンウェハ１のθ角度のずれ量（正しい位置
からのずれ量）に相当し、位置決め手段１３は前記偏差
出力が零になるようにシリコンウェハ１を回転させて位
置を補正する。これによって、シリコンウェハ１のθ方
向（角度）の位置決定が容易に行える。
【００１４】尚前記位置決め時には、前記レーザ光の回
折光の検出を、例えば前記シリコンウェハ１上の２箇所
で行い、それら回折光強度に基づいて位置を決定する
（回転角度を決める）ようにしても良い。
折光の検出を、例えば前記シリコンウェハ１上の２箇所
で行い、それら回折光強度に基づいて位置を決定する
（回転角度を決める）ようにしても良い。
【００１５】尚本発明はシリコンウェハ１の位置決めに
適用するに限らず、フリップチップ、チップスケールパ
ッケージ（ＣＳＰ）、ボールグリッドアレイ（ＢＧ
Ａ）、マルチチップモジュール（ＭＣＭ）等の位置決め
にも適用することができる。またさらに、例えば研削面
加工したものや、表面に一方向に加工されたヘアライン
加工物に対しても適用することができ、それらの場合も
前記と同様の作用、効果を奏する。
適用するに限らず、フリップチップ、チップスケールパ
ッケージ（ＣＳＰ）、ボールグリッドアレイ（ＢＧ
Ａ）、マルチチップモジュール（ＭＣＭ）等の位置決め
にも適用することができる。またさらに、例えば研削面
加工したものや、表面に一方向に加工されたヘアライン
加工物に対しても適用することができ、それらの場合も
前記と同様の作用、効果を奏する。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、レーザの
回折現象を用い、回折光強度を利用して基板の位置を決
めるようにしたので、基板、例えばシリコンウェハのθ
方向（角度）の位置決定、位置補正が容易に行える。
回折現象を用い、回折光強度を利用して基板の位置を決
めるようにしたので、基板、例えばシリコンウェハのθ
方向（角度）の位置決定、位置補正が容易に行える。
【００１７】また位置決定、位置補正に要する時間は短
いので、ＩＣなどの半導体チップのウェハにバンプ印刷
を行う場合の処理時間が短縮される。
いので、ＩＣなどの半導体チップのウェハにバンプ印刷
を行う場合の処理時間が短縮される。
【図１】本発明の一実施形態例を示す全体構成図。
【図２】本発明の一実施形態例のブロック図。
【図３】本発明の一実施形態例の要部斜視図。
【図４】本発明の一実施形態例による回折光パターンの
画像の一例を示す説明図。
画像の一例を示す説明図。
【図５】本発明の一実施形態例による回折光パターンの
画像の他の例を示す説明図。
画像の他の例を示す説明図。
【図６】本発明の一実施形態例による回折光パターンの
画像の他の例を示す説明図。
画像の他の例を示す説明図。
【図７】シリコンウェハ上の回路パターンを示す平面
図。
図。
【図８】ＩＣ上の認識マークを示す平面図。
【図９】位置決め時のθ角度ずれを示す説明図。
１…シリコンウェハ、２ａ〜２ｎ…回路パターン、３…
受光スクリーン、４…受光素子、１１…照射手段、１２
…回折光検出手段、１３…位置決め手段、１３ａ…回折
光強度演算部。
受光スクリーン、４…受光素子、１１…照射手段、１２
…回折光検出手段、１３…位置決め手段、１３ａ…回折
光強度演算部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA03 AA07 AA20 AA39 BB02 CC19 CC25 FF48 GG04 HH13 JJ05 JJ14 JJ15 PP13 QQ25 TT02
Claims (2)
- 【請求項１】 表面にパターンが形成された基板に対し
てレーザ光を照射する照射手段と、前記レーザ光の回折
光を検出する回折光検出手段と、前記回折光検出手段で
検出された回折光に応じて前記基板の位置を決定する位
置決め手段とを備えたことを特徴とする位置決め装置。 - 【請求項２】 表面にパターンが形成された基板に対し
てレーザ光を照射するとともに、該レーザ光の回折光を
検出し、前記検出された回折光に応じて前記基板の位置
を決定することを特徴とする位置決め方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000011212A JP2001201330A (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | 位置決め装置および位置決め方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000011212A JP2001201330A (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | 位置決め装置および位置決め方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001201330A true JP2001201330A (ja) | 2001-07-27 |
Family
ID=18539105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000011212A Pending JP2001201330A (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | 位置決め装置および位置決め方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001201330A (ja) |
-
2000
- 2000-01-20 JP JP2000011212A patent/JP2001201330A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5118957A (en) | Method and apparatus for precisely detecting surface position of a patterned wafer | |
| KR101187061B1 (ko) | Ｉｃ 제조 동안 다중층 오버레이 측정 및 교정 기법 | |
| JP3402750B2 (ja) | 位置合わせ方法及びそれを用いた素子の製造方法 | |
| JP2004006895A (ja) | スキャタロメトリ識別法を利用したオーバーレイ測定 | |
| US5073918A (en) | Angle detector device for silicon wafers | |
| US4558225A (en) | Target body position measuring method for charged particle beam fine pattern exposure system | |
| US4702606A (en) | Position detecting system | |
| TWI274965B (en) | Wafer aligner with wee (wafer edge exposure) function | |
| US20150116686A1 (en) | Edge-dominant alignment method in exposure scanner system | |
| JPH0480762A (ja) | 位置検出装置及びその検出方法 | |
| US20050259272A1 (en) | Method of wafer height mapping | |
| JP3244783B2 (ja) | 位置合わせ装置及び方法、並びにこれを用いた露光装置と半導体デバイス製造方法 | |
| JP2001201330A (ja) | 位置決め装置および位置決め方法 | |
| JPH1126379A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH07130641A (ja) | 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| JP3313543B2 (ja) | 露光装置用位置合せ装置及び位置合わせ方法 | |
| JPH10209010A (ja) | 荷電ビーム露光方法，荷電ビーム露光装置およびパレット | |
| JP3547554B2 (ja) | 露光時のウェハ傾き検出方法 | |
| JPH0239520A (ja) | レジスト膜厚の測定方法 | |
| JPH0630332B2 (ja) | 位置決め装置、及び該装置を用いた基板の位置決め方法 | |
| KR100834222B1 (ko) | 반도체 웨이퍼용 노광 장치의 프리 얼라인먼트 방법 | |
| JPS632346A (ja) | ワ−ク位置検出方法およびその位置検出装置ならびにワ−ク | |
| JPS6254434A (ja) | 露光方法 | |
| KR200197856Y1 (ko) | 칩 수평도 측정 반도체장치 | |
| JPH02152220A (ja) | 位置合せ方法 |