JP2001199745A - 紫外線カットフィルタ膜の形成方法 - Google Patents

紫外線カットフィルタ膜の形成方法

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ultraviolet cut
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津代志 小杉
Koichi Sasakura
幸一 笹倉
Akinori Muranaka
晃憲 村中
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 良好なフィルタ膜を安定して形成することが
可能な紫外線カットフィルタ膜の形成方法を提供する。 【解決手段】 本方法は、透明基板22上に半導体材料
からなる紫外線カットフィルタ膜UVCを形成する紫外
線カットフィルタ膜の形成方法を対象とする。本方法に
おいては、噴出口SPを基板22の鉛直上方領域Rから
外れた位置に配置することで、加熱中の基板22から鉛
直方向に伝搬する対流熱の影響を受け難くし、噴出口S
P内での原料の反応を抑制することとした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外線カットフィ
ルタ膜の形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から太陽光に含まれる紫外線を遮蔽
する窓ガラスが要求されている。車両等に用いられる窓
ガラスには、紫外線カットフィルタ膜が設けられてい
る。これの形成方法として、ガラス板をランプ等で加熱
し、加熱されたガラス板上に膜の原料を噴霧することに
よって膜形成を行うものが知られている。
【0003】図5は、このような紫外線カットフィルタ
膜生成装置の構成図である。生成装置10は、図示しな
いモータによって矢印A方向に駆動されるフリーフロー
ライン11と、フリーフローライン11による搬送経路
上に配置された製膜装置10’を備えている。生成装置
10は、透明基板(ガラス板)2を載置してフリーフロ
ーライン11上を矢印B方向に搬送させるセラミック板
12を備えている。
【0004】製膜装置10’は、位置決めされたセラミ
ック板12に対して矢印C−D方向に往復走査移動し、
いわゆるスプレー熱分解法に係わる溶液をセラミック板
12上の透明基板2に噴霧するスプレーノズル装置13
と、透明基板2を上方より加熱するハロゲンランプ14
とを備えている。この方法においては、基板を加熱しな
がら、上方から原材料を噴霧する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しなしながら、従来の
紫外線カットフィルタ膜の形成においては、良好なフィ
ルタ膜が形成できない場合があった。本発明は、このよ
うな課題に鑑みてなされたものであり、良好なフィルタ
膜を安定して形成することが可能な紫外線カットフィル
タ膜の形成方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る紫外線カットフィルタ膜の形成方法
は、可視光に対して透明な基板上に半導体材料からなる
紫外線カットフィルタ膜を形成する紫外線カットフィル
タ膜の形成方法を対象とし、基板を加熱する加熱工程
と、半導体材料の原料噴霧用の噴霧口を基板の鉛直上方
の領域から外れた位置に配置し、加熱中の基板上に噴霧
口を介して原料を噴霧する噴霧工程とを備えることを特
徴とする。
【0007】本願発明者らは、噴出口内で材料が反応し
てしまう場合に上記不具合が発生することを見出した。
本発明の方法においては、噴出口を基板の鉛直上方領域
から外れた位置に配置することで、加熱中の基板から鉛
直方向に伝搬する対流熱の影響を受け難くし、噴出口内
での原料の反応を抑制することとした。
【0008】特に、基板の厚み方向は略水平であり、噴
霧口から噴出される原料の噴出方向は基板の厚み方向に
略一致する場合には、上記影響を最小にすることができ
ると共に、大型の基板にも噴霧工程を施しやすくなる。
【0009】また、基板は透明であって光吸収係数等が
比較的小さいので、光加熱等を用いた際の基板加熱効率
を向上させるためには、上記加熱工程は、紫外線カット
フィルタ膜の形成される側から基板を加熱することが望
ましい。
【0010】更に、紫外線カットフィルタ膜は、紫外線
の入射に感応してキャリアを発生するpn接合を有し、
pn接合は互いに隣接したp型半導体層膜およびn型半
導体層膜から構成される場合には、当該膜によって発電
或いは光検知を行うことができ、このような構造を有す
る紫外線カットフィルタ膜を備える前記ガラス板が、例
えば、建造物用、自動車用などの広い面積を有する窓ガ
ラスである場合には、大面積太陽電池や検出器を提供す
ることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る紫外線カット
フィルタ膜の形成方法の好適な実施形態について添付図
面を参照して説明する。なお、各図において、同一の要
素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【0012】図1は、本発明の実施形態に係る紫外線カ
ットフィルタ膜の形成装置1の正面図である。本装置1
は、製膜装置11とガラス板搬送装置12からなる。
【0013】図2は、ガラス板搬送装置12の側面図で
あって、図示しないモータによって、レール8に載置さ
れたローラ7は、アングル6を支えて矢印A−B方向
(水平方向)に駆動される。アングル6の下方には、吸
着装置5があり、長方形窓ガラス22を吸着して吊り下
げている。
【0014】吊り下げられて搬送された長方形窓ガラス
22と所定距離離れた状態で対向するように、製膜装置
11が設置されている。製膜装置11は、位置決めされ
た長方形窓ガラス22に対して矢印C−D方向(鉛直方
向)に往復走査移動し、スプレー熱分解法に係わる溶液
を長方形窓ガラス22にスプレーするスプレーノズル装
置3と、長方形窓ガラス22をスプレー側より加熱する
ハロゲンランプ4とを備えるものである。
【0015】本実施形態の紫外線カットフィルタ膜の形
成装置1にあっては、レール8に沿って、スプレー熱分
解法に係わる各種溶液に対応して上記のようなスプレー
ノズル装置3、ハロゲンランプ4を備える製膜装置11
を並べ備え、レール8に沿っで吊り下げられて搬送され
てくる長方形窓ガラス22上に、順次紫外線カットフィ
ルタ膜UVCを構成する各層を形成していくものであ
る。
【0016】なお、ガラス板搬送装置12は様々な変形
が可能である。レール8に変えて搬送ロボットを用い、
複数のスプレーノズル装置3間で長方形窓ガラス22を
吸着し移送させることもできる。この場合も吊り下げる
ことにより各装置の床占有面積が少なくて済む。スプレ
ー熱分解法に係わる各種溶液をスプレーするノズルを走
査する代わりに、このノズルを複数個用意して、長方形
窓ガラス22のスプレー対象面積に応じて各ノズルを予
め配置しておくことも考えられる。
【0017】また、長方形窓ガラス22の他に、図3に
示すような湾曲した自動車用フロントガラスヘも、本発
明の紫外線カットフィルタ膜の生成装置1を用いて、紫
外線カットフィルタ膜を生成できることになる。
【0018】以上、説明したように、本装置を用いた紫
外線カットフィルタ膜の形成方法は、可視光に対して透
明な基板22上に半導体材料からなる紫外線カットフィ
ルタ膜UVCを形成する紫外線カットフィルタ膜の形成
方法を対象とし、光加熱装置4によって原料噴霧側から
基板22を加熱し、半導体材料の原料噴霧用の噴霧口S
Pを基板22の鉛直上方の領域Rから外れた位置に配置
し、加熱中の基板上に噴霧口SPを介して原料を噴霧す
る。
【0019】本方法においては、噴出口SPを基板22
の鉛直上方領域Rから外れた位置に配置することで、加
熱中の基板22から鉛直方向に伝搬する対流熱の影響を
受け難くし、噴出口SP内での原料の反応を抑制するこ
ととした。
【0020】基板22の厚み方向は略水平であり、噴霧
口SPから噴出される原料の噴出方向は基板22の厚み
方向に略一致する場合には、上記影響を最小にすること
ができると共に、大型の基板22にも噴霧工程を施しや
すくなる。なお、本例では略とは±20度を意味するも
のとする。すなわち、基板2の厚み方向は水平に対して
傾いていてもよく、噴霧方向も基板表面に垂直な方向か
ら傾いていてもよい。
【0021】また、基板22は透明であって光吸収係数
等が比較的小さいので、光加熱等を用いた際の基板加熱
効率を向上させるため、上記加熱工程においては、紫外
線カットフィルタ膜UVCの形成される側から基板を加
熱した。
【0022】更に、本例の紫外線カットフィルタ膜UV
Cは、紫外線の入射に感応してキャリアを発生するpn
接合を有し、pn接合は互いに隣接したp型半導体層膜
およびn型半導体層膜から構成される。この膜は、光照
射に応答して発電或いは光検知を行うことができ、この
ような構造を有する紫外線カットフィルタ膜を備える前
記ガラス板が、例えば、建造物用、自動車用などの広い
面積を有する窓ガラスである場合には、大面積太陽電池
や検出器を提供することができる。
【0023】本発明の紫外線カットフィルタ膜の形成装
置1を用いて生成できる紫外線カットフィルタ膜につい
て説明する。
【0024】図4は、紫外線カットフィルタ膜UVCを
ガラス板22上に形成してなる長方形窓ガラス20の斜
視図である。すなわち、長方形窓ガラス20は透明な平
板状ガラスからなる透明ガラス板22を備えており、前
述の紫外線カットフィルタ膜UVCは、ガラス板22上
に順次積層された層23〜26から構成される。なお、
以下の説明において、特に断りのない限り、透明とは可
視光に対して透明であることを示すものとする。
【0025】透明ガラス板22の表面は、透明な導電性
膜からなる第1電極層23によって被覆され、この第1
電極層23上にn型TiO2層24が、n型TiO2層2
4上にp型NiO層25が形成されている。さらに、p
型NiO層25の表面は、透明な導電性膜からなる第2
電極層26によって被覆されている。
【0026】ここで、n型TiO2層24及びp型Ni
O層25は、紫外線の入射に感応するpn接合ダイオー
ドを構成すると共に、紫外線を遮蔽する紫外線カットフ
ィルタ膜として機能する。
【0027】n型TiO2層24、p型NiO層25及
び第2電極層26からなる積層体の一部は、層厚方向に
沿ってカットされており、第1電極層23の一部表面領
域が露出している。この第1電極層23の露出面には、
キャリア取出用の取出電極(配線)27が電気的に接続
されており、一方、第2電極層26上には取出電極(配
線)28が電気的に接続されている。これらの接続は、
導電性樹脂を接着剤とする接着、圧着又は融着等の手法
を用いて行う。取出電極28は、長方形のガラス表面内
において、取出電極27の対角位置に位置する。なお、
これらの取出電極27、28の取付けは、紫外線カット
フィルタ膜の生成後、別工程にて行われる。
【0028】n型TiO2層24、p型NiO層25
は、その境界にヘテロ接合のpn接合を構成している。
このpn接合に透明ガラス板22を介して紫外域(波長
300〜400nm)の光が入射すると、この入射光に
感応して電子−正孔対(キャリア)が発生する。発生し
たそれぞれのキャリアは、第1電極層23から取出し電
極を経て、及び、第2電極層26から取出電極28を経
て、光電流として外部に取り出せる。
【0029】透明ガラス板22を介して紫外域の光をp
n接合まで到達させて光吸収を行わせ、且つ、可視光に
対して窓ガラスとしての所定の透明度を得るためには、
透明ガラス板22、第1電極層23、n型TiO2層2
4、p型NiO層25及び第2電極層26の各エネルギ
ーバンドギャップを入射光の光エネルギー(これは光の
波長に反比例する)を考慮して設定しなければならな
い。少なくとも、紫外域の光を透明ガラス板22を介し
てpn接合まで到達させるためには、透明ガラス板22
及び第1電極層23のバンドギャップエネルギー(単
位:eV)を紫外域の光のエネルギー(単位:eV)よ
りも大きくしておかなければならない。
【0030】光のエネルギーE(単位:eV)と光の波
長λ(単位:nm)との間には、以下に示す式(1)の
関係が成立することが知られている。 E=C/λ (Cは、所定の係数)…(1) 紫外域の光の波長は、概ね、300〜400nmであ
る。したがって、上記観点から、各層の材料/エネルギ
バンドギャップを表1の通り設定した。
【0031】
【表1】
【0032】また、可視光透過の観点からは、各層の厚
みは薄いことが望ましいが、薄すぎる場合には、機械的
強度が低下し、また、pn接合を構成する部分では紫外
域の光の吸収効率が低下する。したがって、これらの観
点から、各層の厚み/好適な厚みの範囲は、表2のよう
に設定した。
【0033】
【表2】
【0034】以上、説明したように、上記紫外線カット
フィルタ膜の生成方法によれば、縦配置されたガラス板
の表面を所定の温度に加熱し、その表面に、紫外線カッ
トフィルタ膜を構成する半導体材料を含む原料を所定の
溶媒に溶解した溶液を噴霧状にスプレーすることで、所
望の紫外線カットフィルタ膜UVCを生成できる。溶液
が霧状態となるため、液たれも生じなく、良好に被膜を
生成できる。この結果、まず、400℃を越えるガラス
板と、これに対面する製膜装置11内のスプレーノズル
装置3、ハロゲンランプ4との間の高温空気は、上方に
排気され、スプレーノズル装置3及びハロゲンランプ4
が高温雰囲気中に晒されることが無くなり、製膜装置1
1における熱対策が大幅に軽減される。さらに、装置本
体の設置面積に制限されずに、この設置面積より大きな
表面積を有するガラス板に紫外線カットフィルタ膜を生
成できる為、建造物用あるいは、自動車用大型ガラス板
に従来よりも小型の装置で上記紫外線カットフィルタ膜
を生成することができる。
【0035】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をより具体的
に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるも
のではない。図4に示す構造の窓ガラス20を図1の装
置を用いて製造するため、透明ガラス板22として、3
mm厚のソーダガラス板を採用し、この上に、順次、ス
プレー熱分解法により、第1電極層23としてSn
2、n型TiO2層24としてTiO2、p型NiO層
25としてNiO、第2電極層26としてSnO2の膜
を生成していった。各層の膜厚は、0.8から1.0μ
mの間になるように条件設定した。
【0036】上記実施例に用いられる各層の製膜条件に
ついて詳細に説明する。
【0037】上記透明ガラス板22として、予めフツ素
ドープSn02からなる電極層付き透明ソーダガラス板
(旭硝子社製U膜:A110U80)を使用した。
【0038】上記実施例に用いられる各層は、上記のス
プレー熱分解法を用いて生成した。すなわち、溶媒中に
原料を溶解し、基板22を加熱しながら、上記噴出口S
Pから溶解した原料を基板22上に噴霧ことにより、基
板表面上で原料を反応させ、各層を形成した。各層の製
膜条件をそれぞれ表3,4,5,6に示す。
【0039】
【表3】
【0040】
【表4】
【0041】
【表5】
【0042】
【表6】
【0043】(評価及び結果)上記紫外線カットフィル
タ膜の製造時における噴出口の温度を測定したところ、
40℃であった。これは基板上に噴出口を配置した場合
の70℃と比較して著しく低く、噴出口内での原料反応
は抑制されているものと考えられる。
【0044】また、上記製膜条件によって製造した窓ガ
ラス20にソーラシュミレータ(山下電装株式会社製Y
SS−50)により、AM−1.5,140mW/cm
2の疑似太陽光を透明ガラス板22側から照射すると、
電極27と電極28との間に短絡電流が流れ、開放電圧
が測定できた。上記形成は複数回行ったが、短絡電流に
大きな変化は観察されなかった。
【0045】
【発明の効果】本発明によれば、良好なフィルタ膜を安
定して形成することが可能な紫外線カットフィルタ膜の
形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】紫外線カットフィルタ膜の形成装置1の正面図
である。
【図2】ガラス板搬送装置12の側面図である。
【図3】自動車用フロントガラスの正面図である。
【図4】紫外線カットフィルタ膜を生成し終えた長方形
窓ガラス20の斜視図である。
【図5】従来の紫外線カットフィルタ膜生成装置の構成
図である。
【符号の説明】
22…基板、UVC…紫外線カットフィルタ膜、4…加
熱装置、SP…噴出口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村中 晃憲 静岡県静岡市中吉田20番10号 スター精密 株式会社内 Fターム(参考) 2H048 CA05 CA06 CA09 CA13 CA17 CA27 4G059 AA01 AB02 AC07 EA02 EB06 GA02 GA04 GA12 5F051 BA14 CB30 DA03 DA07 HA16 5F088 AA02 CB20 GA02 HA05

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 可視光に対して透明な基板上に半導体材
    料からなる紫外線カットフィルタ膜を形成する紫外線カ
    ットフィルタ膜の形成方法において、前記基板を加熱す
    る加熱工程と、前記半導体材料の原料噴霧用の噴霧口を
    前記基板の鉛直上方の領域から外れた位置に配置し、加
    熱中の前記基板上に前記噴霧口を介して前記原料を噴霧
    する噴霧工程とを備えることを特徴とする紫外線カット
    フィルタ膜の形成方法。
  2. 【請求項2】 前記基板の厚み方向は略水平であり、前
    記噴霧口から噴出される前記原料の噴出方向は前記基板
    の厚み方向に略一致することを特徴とする請求項1記載
    の紫外線カットフィルタ膜の形成方法。
  3. 【請求項3】 前記加熱工程は、前記紫外線カットフィ
    ルタ膜の形成される側から前記基板を加熱することを特
    徴とする請求項1記載の紫外線カットフィルタ膜の形成
    方法。
  4. 【請求項4】 前記紫外線カットフィルタ膜は、紫外線
    の入射に感応してキャリアを発生するpn接合を有し、
    前記pn接合は互いに隣接したp型半導体層膜およびn
    型半導体層膜から構成されることを特徴とする請求項1
    記載の紫外線カットフィルタ膜の形成方法。
  5. 【請求項5】 前記紫外線カットフィルタ膜を備える前
    記ガラス板は、窓ガラスであることを特徴とする請求項
    4記載の紫外線カットフィルタ膜の形成方法。
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