JP2001188615A - Voltage supply device, and semiconductor device using the voltage supply device, electro-optical device and electronic equipment lising the semiconductor device - Google Patents

Voltage supply device, and semiconductor device using the voltage supply device, electro-optical device and electronic equipment lising the semiconductor device

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JP2001188615A
JP2001188615A JP2000281726A JP2000281726A JP2001188615A JP 2001188615 A JP2001188615 A JP 2001188615A JP 2000281726 A JP2000281726 A JP 2000281726A JP 2000281726 A JP2000281726 A JP 2000281726A JP 2001188615 A JP2001188615 A JP 2001188615A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a voltage supply device capable of highly accurately and quickly obtaining necessary charging voltage without requiring any offset cancel circuit. SOLUTION: The voltage supply device supplies voltage to a load capacitor to charge the load capacitor with prescribed voltage within a prescribed charging period. The voltage supply device is provided with a DAC 70, a voltage follower circuit 72 for converting voltage from the DAC 70 into impedance and outputting the impedance to a 1st switching element Q1 connected between the circuit 72 and the load capacitor, a by-pass line 205 for supplying the voltage from the DAC 70 directly to the load capacitor without passing the circuit 72 and the element Q1, and a 2nd switching element Q2 connected to the way of the by-pass line 205. In the first half period of the charging period, voltage output is switched to an output only from the circuit 72 by turning on the element Q1 and turning of the element Q2, and in the latter half period, the voltage output is switched to an output only from the DAC 70 by turning off the element Q1 and turning on the element Q2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電圧供給装置を用
いた半導体装置並びにそれを用いた電気光学装置及び電
子機器に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a semiconductor device using a voltage supply device, and an electro-optical device and an electronic apparatus using the same.

【0002】[0002]

【背景技術】現在、高精度な供給電圧が要求される機器
として、例えば液晶表示装置が挙げられる。
2. Description of the Related Art At present, devices requiring a high-precision supply voltage include, for example, liquid crystal display devices.

【0003】アクティブマトリックス型液晶表示装置ま
たは単純マトリックス型液晶表示装置では、液晶パネル
の多階調化(多色化)、印加電圧の高精度化が進んでい
る。
In an active matrix type liquid crystal display device or a simple matrix type liquid crystal display device, a liquid crystal panel has a multi-gradation (multi-color) and an applied voltage with higher precision.

【0004】液晶パネルの多階調化のため、例えば、ア
クティブマトリックス型液晶表示装置であるTFT(T
hin Film Transistor)液晶装置で
は、RGB(赤・緑・青)3色のデータ信号の各データ
が、例えば6ビットデータ(64階調表示、約26万
色)または8ビットデータ(256階調表示、約167
7万色)で構成される。
In order to increase the number of gradations of a liquid crystal panel, for example, an active matrix type liquid crystal display device such as a TFT (T
In a thin film transistor (LCD) liquid crystal device, each data of RGB (red, green, and blue) data signals is, for example, 6-bit data (64 gradation display, approximately 260,000 colors) or 8-bit data (256 gradation display). , About 167
70,000 colors).

【0005】また、上述の多階調化に伴い、それに比例
して、多段階の電圧レベルが必要とされるため、各電圧
レベルをより高精度に設定する技術が求められている。
[0005] Further, with the increase in the number of gray scales described above, a multi-step voltage level is required in proportion to the gray scale. Therefore, a technique for setting each voltage level with higher accuracy is required.

【0006】液晶パネルにおける印加電圧−パネル透過
率の特性によれば、透過率が50%に近い中間レベルで
は、印加電圧に対するパネル透過率の変化が大きく、パ
ネル透過率が100%または0%に近づくほど、印加電
圧に対するパネル透過率の変化が小さくなる。したがっ
て、パネル透過率が中間レベルのところでは、特に印加
電圧の僅かなズレによる階調変化が顕著に表れる。この
パネル透過率のズレを抑えるためにも、より高精度な液
晶印加電圧の供給が求められる。
According to the characteristics of the applied voltage-panel transmittance in the liquid crystal panel, at an intermediate level where the transmittance is close to 50%, the change in the panel transmittance with respect to the applied voltage is large, and the panel transmittance becomes 100% or 0%. As the distance approaches, the change in panel transmittance with respect to the applied voltage decreases. Therefore, when the panel transmittance is at an intermediate level, a gradation change due to a slight deviation of the applied voltage is particularly remarkable. In order to suppress the shift of the panel transmittance, it is required to supply a liquid crystal application voltage with higher accuracy.

【0007】この求められる液晶印加電圧のばらつきの
許容値は、例えば、64階調表示では±5mV、256
階調表示では±1〜2mVとなっており、多階調表示に
なるにつれ、より精度の高い液晶印加電圧が求められる
ことになる。一般のICチップにおけるしきい値電圧V
THのばらつきが、数十mV〜数百mVの許容範囲があ
るのにも比べて、多階調表示を行う液晶表示装置では許
容範囲をさらに厳しく設定しなければならない。また、
今後のさらなる多階調化によっても、より高精度な液晶
印加電圧への調整方法が必要になってくると思われる。
The allowable value of the variation in the applied voltage of the liquid crystal is, for example, ± 5 mV for 256 gradation display, 256
In the case of gradation display, the voltage is ± 1 to 2 mV. As the display becomes multi-gradation, more accurate liquid crystal application voltage is required. Threshold voltage V in general IC chip
In contrast to the variation of TH having an allowable range of several tens mV to several hundred mV, the allowable range must be set more strictly in a liquid crystal display device that performs multi-tone display. Also,
It is expected that a method for adjusting the voltage applied to the liquid crystal with higher precision will be required even in the future with further increase in the number of gradations.

【0008】このような状況に鑑みて、従来より、例え
ば液晶パネルの駆動回路における複数の階調発生電圧の
生成方法については、電圧選択方式や時分割方式、デジ
タル−アナログ変換方式等による液晶印加電圧生成法が
公知である。
In view of such circumstances, conventionally, for example, a method of generating a plurality of gradation generation voltages in a driving circuit of a liquid crystal panel has been based on a voltage selection method, a time division method, a digital-analog conversion method, or the like. Voltage generation methods are known.

【0009】上述のデジタル−アナログ変換器を用いた
方式(以下、DAC方式)の従来の電圧供給装置を図4
に示す。
FIG. 4 shows a conventional voltage supply apparatus of the type using a digital-to-analog converter (hereinafter referred to as a DAC type).
Shown in

【0010】DAC70からの出力が入力されるボルテ
ージフォロア回路72は、インピーダンス変換器として
働き、理想的なボルテージフォロア回路72の場合で
は、非反転入力端子に入力されるノード201の電圧
は、反転入力端子に入力されるノード202の電圧と等
しくなる。しかし、従来、オフセットキャンセル回路に
よる補正をしていないボルテージフォロア回路72の動
作においては、主にトランジスタ個々の性能のばらつき
等に起因して、入出力間にオフセットが生じるため、ノ
ード201とノード202との間の電圧に差が生じるこ
とになる。
The voltage follower circuit 72 to which the output from the DAC 70 is input functions as an impedance converter. In the case of the ideal voltage follower circuit 72, the voltage of the node 201 input to the non-inverting input terminal is equal to the inverting input voltage. It becomes equal to the voltage of the node 202 input to the terminal. However, conventionally, in the operation of the voltage follower circuit 72 which has not been corrected by the offset cancel circuit, an offset occurs between the input and the output mainly due to a variation in the performance of each transistor. Will be different.

【0011】図4は上記の課題を解決するための電圧供
給装置を示している。ボルテージフォロア回路72の非
反転入力端子201にはDAC70からの出力が供給さ
れ、反転入力端子202にボルテージフォロア回路72
の出力が帰還される。ボルテージフォロア回路72の出
力線と非反転入力端子201とを結ぶ配線途中には、ス
イッチング素子Q10、容量C10及びスイッチング素
子Q12が直列に接続されている。反転入力端子202
に接続された負帰還線途中には、スイッチング素子Q1
のみが存在している。また、容量C10とスイッチング
素子Q11とに対して、スイッチング素子Q10が並列
に接続されている。
FIG. 4 shows a voltage supply device for solving the above-mentioned problem. The output from the DAC 70 is supplied to the non-inverting input terminal 201 of the voltage follower circuit 72, and the voltage follower circuit 72 is supplied to the inverting input terminal 202.
Is fed back. A switching element Q10, a capacitor C10, and a switching element Q12 are connected in series along a line connecting the output line of the voltage follower circuit 72 and the non-inverting input terminal 201. Inverting input terminal 202
In the middle of the negative feedback line connected to the switching element Q1
Only exists. The switching element Q10 is connected in parallel to the capacitor C10 and the switching element Q11.

【0012】第1の期間にスイッチング素子Q11がオ
フし、スイッチング素子Q10及びスイッチング素子Q
12がオンすることにより、ボルテージフォロア回路7
2の入出力間のオフセット電圧が、容量C10にチャー
ジされる。第2の期間にスイッチング素子Q11がオン
し、スイッチング素子Q10及びスイッチング素子Q1
2がオフすることにより、容量C10にチャージされた
オフセットキャンセル分の電荷がボルテージフォロア回
路72の反転入力端子202に重畳されて帰還される。
In the first period, the switching element Q11 turns off, and the switching element Q10 and the switching element Q
12 is turned on, the voltage follower circuit 7
The offset voltage between the input and output of No. 2 is charged in the capacitor C10. During the second period, the switching element Q11 is turned on, and the switching element Q10 and the switching element Q1 are turned on.
When 2 is turned off, the charge of the offset cancellation charged in the capacitor C10 is superimposed on the inverting input terminal 202 of the voltage follower circuit 72 and fed back.

【0013】このように、ボルテージフォロア回路72
の出力線と非反転入力端子201とを結ぶ配線途中に、
オフセットキャンセル用の容量C10を設けて、オフセ
ット分の逆の電圧を与えることにより、オフセットを相
殺する方法が採られていた。
As described above, the voltage follower circuit 72
In the middle of the wiring connecting the output line and the non-inverting input terminal 201,
A method has been adopted in which a capacitor C10 for offset cancellation is provided and a reverse voltage for the offset is applied to offset the offset.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】上述の図4に示す従来
のDAC方式でのデータドライバでは、オフセットキャ
ンセル回路として、容量C10をチップに内蔵する必要
があった。しかし、ボルテージフォロア回路72の入力
容量よりも十分に大きい容量C10が必要になるため
に、大きな面積が必要となる。このオフセットキャンセ
ル容量が小さすぎると、ボルテージフォロア回路72内
の入力容量にはノイズとしてみなされ、出力電圧にノイ
ズが重畳してしまうからである。
In the data driver of the conventional DAC system shown in FIG. 4, it is necessary to incorporate the capacitor C10 into the chip as an offset canceling circuit. However, a large area is required because a capacitance C10 that is sufficiently larger than the input capacitance of the voltage follower circuit 72 is required. If the offset cancel capacitance is too small, the input capacitance in the voltage follower circuit 72 is regarded as noise, and the noise is superimposed on the output voltage.

【0015】また、オフセット電圧をオフセットキャン
セル容量C10にチャージするのには、通常3〜5μs
程度を要してしまう。
In order to charge the offset voltage to the offset canceling capacitor C10, it usually takes 3 to 5 μs.
It takes some time.

【0016】この種のアクティブマトリックス型液晶装
置では、一ラインの画素数を増やして、高精細な表示を
行なうと、一水平走査期間(選択期間)を短く設定せざ
るを得ない。例えば、SXGAの高精細表示では選択期
間が8〜12μsと短くなる。
In this type of active matrix type liquid crystal device, if the number of pixels in one line is increased to perform high-definition display, one horizontal scanning period (selection period) must be set short. For example, in the SXGA high-definition display, the selection period is as short as 8 to 12 μs.

【0017】この場合、上述のオフセットキャンセル用
の容量C10にチャージする期間が、選択期間中に占有
されると、オフセットキャンセルするための時間を確保
することが困難となる。
In this case, if the period for charging the offset canceling capacitor C10 is occupied during the selection period, it becomes difficult to secure a time for offset canceling.

【0018】本発明は、上述のような問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的は、オフセットキャンセル
回路を必要とせずに、高精度かつ迅速に、必要な充電電
圧を得ることができる電圧供給装置並びにそれを用いた
半導体装置、電気光学装置及び電子機器を提供すること
にある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to obtain a required charging voltage with high accuracy and speed without the need for an offset canceling circuit. An object of the present invention is to provide a voltage supply device and a semiconductor device, an electro-optical device, and an electronic device using the same.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明の一態様に係る電
圧供給装置は、負荷容量に電圧を供給して、所定の充電
期間内に前記負荷容量に所定の電圧を充電させるもので
ある。この電圧供給装置は、電圧供給源と、前記電圧供
給源からの電圧をインピーダンス変換して出力するイン
ピーダンス変換回路と、前記インピーダンス変換回路と
前記負荷容量との間に接続された第1のスイッチング素
子と、前記電圧供給源からの電圧を、前記インピーダン
ス変換回路及び前記第1のスイッチング素子を経由せず
に前記負荷容量に供給するバイパス線と、前記バイパス
線途中に接続された第2のスイッチング素子とを有す
る。そして、前記充電期間の前半期間に前記第1のスイ
ッチング素子をオン、前記第2のスイッチング素子をオ
フさせ、前記充電時間の後半期間に前記第1のスイッチ
ング素子をオフ、前記第2のスイッチング素子をオンさ
せている。
A voltage supply device according to one aspect of the present invention supplies a voltage to a load capacitance and charges the load capacitance with a predetermined voltage within a predetermined charging period. The voltage supply device includes a voltage supply source, an impedance conversion circuit that converts a voltage from the voltage supply source into impedance and outputs the voltage, and a first switching element connected between the impedance conversion circuit and the load capacitance. A bypass line that supplies a voltage from the voltage supply source to the load capacitance without passing through the impedance conversion circuit and the first switching element; and a second switching element connected in the middle of the bypass line. And Then, the first switching element is turned on and the second switching element is turned off in the first half period of the charging period, and the first switching element is turned off in the second half period of the charging time, and the second switching element is turned on. Is turned on.

【0020】本発明によれば、充電期間の前半期間にて
インピーダンス変換回路からの出力電圧を第1のスイッ
チング素子を介して負荷容量に供給している。このと
き、インピーダンス変換回路の入力電圧、出力電圧間に
オフセットがあった場合、インピーダンス変換回路から
の出力電圧を負荷容量に供給し続けても、負荷容量には
所定の電圧が充電されないことになる。
According to the present invention, the output voltage from the impedance conversion circuit is supplied to the load capacitance via the first switching element during the first half of the charging period. At this time, if there is an offset between the input voltage and the output voltage of the impedance conversion circuit, the predetermined voltage is not charged to the load capacitance even if the output voltage from the impedance conversion circuit is continuously supplied to the load capacitance. .

【0021】そこで、充電期間の後半期間では、電圧供
給経路をバイパス経路に切り換え、電圧出力源からの電
圧を、インピーダンス変換回路を経由せずに直接に負荷
容量に供給している。このため、負荷容量にはオフセッ
ト分だけ不足していた電圧が補われて供給され、所定の
電圧になるように充電することが可能となる。なお、電
圧出力源から負荷容量に供給される単位時間当たりの電
荷量は、インピーダンス変換されないため少なくなる。
しかし、インピーダンス変換回路からの出力電圧によっ
て充分な電圧まで負荷容量を充電させておけば、充電期
間内に負荷容量を所定の電圧になるまで充電させること
が可能となる。
Therefore, in the latter half of the charging period, the voltage supply path is switched to the bypass path, and the voltage from the voltage output source is directly supplied to the load capacitance without passing through the impedance conversion circuit. For this reason, the voltage that was insufficient for the offset is supplied to the load capacity and supplied, and charging can be performed to a predetermined voltage. Note that the amount of charge per unit time supplied from the voltage output source to the load capacitance is reduced because the impedance is not converted.
However, if the load capacity is charged to a sufficient voltage by the output voltage from the impedance conversion circuit, it becomes possible to charge the load capacity to a predetermined voltage within the charging period.

【0022】また本発明によれば、従来技術にて用いて
いたオフセットキャンセル用の容量が不要になるため、
その分の面積が不要となり、オフセットキャンセル用の
容量にオフセット電圧をチャージする時間も不要とな
る。
Further, according to the present invention, since the offset canceling capacity used in the prior art is not required,
That area is not required, and the time for charging the offset canceling capacitor with the offset voltage is not required.

【0023】本発明においては、前記第1のスイッチン
グ素子及び前記第2のスイッチング素子は、共にオフす
る期間が設定されていることが好ましい。こうすると、
バイパス線を経由した電圧出力源からの電圧が、インピ
ーダンス変換回路に正帰還されることを防止できる。
In the present invention, it is preferable that a period in which the first switching element and the second switching element are both turned off is set. In this case,
The voltage from the voltage output source via the bypass line can be prevented from being positively fed back to the impedance conversion circuit.

【0024】本発明においては、インピーダンス変換回
路に電源電圧を供給する電源線に接続された第3のスイ
ッチング素子をさらに設けることが好ましい。この第3
のスイッチング素子は、第1のスイッチング素子のオフ
動作と同期してオフされる。こうすると、インピーダン
ス変換回路の出力が不要な時には、それへの電源供給を
遮断することができ、消費電力を低減できる。
In the present invention, it is preferable to further provide a third switching element connected to a power supply line for supplying a power supply voltage to the impedance conversion circuit. This third
Are turned off in synchronization with the off operation of the first switching element. With this configuration, when the output of the impedance conversion circuit is unnecessary, power supply to the output can be cut off, and power consumption can be reduced.

【0025】本発明に用いられるインピーダンス変換回
路は、ボルテージフォロア回路にて構成されることがで
きる。このボルテージフォロア回路に供給される電源電
位をVDD、接地電位をVEEとし、電源電位VDDに
近い入力電圧または、接地電位VEEに近い電圧が入力
された時に、この種のボルテージフォロア回路は入力電
圧に対して出力電圧がリニアな特性を示さない、出力電
圧が飽和する特性を有するものがある。この場合、ボル
テージフォロア回路の出力電圧の飽和領域では、第1の
スイッチング素子をオフ、第2のスイッチング素子をオ
ンさせて、バイパス線を経由して電圧出力源の電圧を負
荷容量に供給することが好ましい。こうすると、ボルテ
ージフォロア回路において、低い入力電圧または高い入
力電圧に対して出力電圧が飽和する飽和領域では、電圧
出力源からの電圧を直接出力することで、リニアな出力
電圧を供給することができるようなる。
The impedance conversion circuit used in the present invention can be constituted by a voltage follower circuit. The power supply potential supplied to this voltage follower circuit is set to VDD, and the ground potential is set to VEE. When an input voltage close to the power supply potential VDD or a voltage close to the ground potential VEE is input, this type of voltage follower circuit sets the input voltage to On the other hand, there is a type in which the output voltage does not show a linear characteristic and has a characteristic in which the output voltage is saturated. In this case, in the saturation region of the output voltage of the voltage follower circuit, the first switching element is turned off, the second switching element is turned on, and the voltage of the voltage output source is supplied to the load capacitance via the bypass line. Is preferred. With this configuration, in the voltage follower circuit, in a saturation region where the output voltage is saturated with respect to a low input voltage or a high input voltage, a linear output voltage can be supplied by directly outputting the voltage from the voltage output source. Will be.

【0026】上記のようなボルテージフォロア回路を用
いながらリニアな出力電圧を生成するには、電圧出力源
の出力電圧とボルテージフォロア回路の出力電圧とを比
較する比較器を有することが好ましい。この比較器の比
較結果に基づいて、第1、第2のスイッチング素子の状
態を制御でき、飽和電圧に代えて電圧出力源の電圧を出
力することができる。
In order to generate a linear output voltage while using the voltage follower circuit as described above, it is preferable to have a comparator for comparing the output voltage of the voltage output source with the output voltage of the voltage follower circuit. Based on the comparison result of the comparator, the states of the first and second switching elements can be controlled, and the voltage of the voltage output source can be output instead of the saturation voltage.

【0027】本発明の他の態様は、上述した電圧供給装
置を有する半導体装置を定義している。この半導体装置
は、オフセットキャンセル用の容量が不要であるので、
その面積分だけチップサイズを縮小できるか、あるいは
その面積分に他の素子を集積することで高集積化が果た
せる。
Another embodiment of the present invention defines a semiconductor device having the above-described voltage supply device. Since this semiconductor device does not require a capacitor for offset cancellation,
Either the chip size can be reduced by the area, or high integration can be achieved by integrating other elements in the area.

【0028】本発明のさらに他の態様は、上述の電圧供
給装置が搭載された半導体装置と、電気光学素子を用い
た表示部とを有する電気光学装置であり、半導体装置を
表示部の信号線を駆動する駆動ICとして用いている。
電圧供給装置から出力される電圧を表示部の信号線を介
して電気光学素子に供給することで、正確な駆動電圧を
電気光学素子に供給できる。
Still another aspect of the present invention is an electro-optical device having a semiconductor device on which the above-described voltage supply device is mounted, and a display unit using an electro-optical element. Are used as drive ICs for driving.
By supplying the voltage output from the voltage supply device to the electro-optical element via the signal line of the display unit, an accurate drive voltage can be supplied to the electro-optical element.

【0029】この場合、電気光学素子を電圧供給装置か
らの段階的な電圧に基づいて階調駆動してもよい。この
とき、電圧出力源は、ディジタル階調信号をアナログ電
圧に変換するDAコンバータにて構成することができ
る。このような場合、電気光学素子に供給されるべき所
望の階調電圧値に対して(LSB)/2に相当する電圧
幅の範囲内の電圧であって、かつ所望の階調電圧値の9
0%以上の電圧が負荷容量に充電された時以降に、充電
期間の前半期間を終了させることが好ましい。この前半
期間にて上述の充分な電圧を電気光学素子に供給してお
けば、その後半期間にDAコンバータからの電圧を直接
に負荷容量に供給しても、電気光学素子への印加電圧を
所望の階調電圧まで到達させることができ、しかも電気
光学素子での階調が異なってしまうことも防止される。
In this case, the electro-optical element may be driven in gray scale based on a stepwise voltage from a voltage supply device. At this time, the voltage output source can be configured by a DA converter that converts a digital gray scale signal into an analog voltage. In such a case, a voltage within a voltage range corresponding to (LSB) / 2 with respect to a desired gradation voltage value to be supplied to the electro-optical element, and a desired gradation voltage value of 9
It is preferable that the first half of the charging period be ended after the voltage of 0% or more has been charged to the load capacity. If the above-described sufficient voltage is supplied to the electro-optical element in the first half period, the voltage applied to the electro-optical element can be controlled even if the voltage from the DA converter is directly supplied to the load capacitor in the second half period. , And it is also possible to prevent the gradation in the electro-optical element from being different.

【0030】本発明のさらに他の態様は、上述した電気
光学装置を有する電子機器を定義している。この電気光
学装置を電子機器の表示部として用いれば、画質の改善
を図ることができる。
According to still another aspect of the present invention, an electronic apparatus having the above-described electro-optical device is defined. If this electro-optical device is used as a display unit of an electronic apparatus, image quality can be improved.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0032】<第1の実施形態> (液晶装置の説明)図1は液晶パネル装置とその周辺回
路を含めた全体の構成図を示している。
<First Embodiment> (Explanation of Liquid Crystal Device) FIG. 1 shows an overall configuration diagram including a liquid crystal panel device and its peripheral circuits.

【0033】図1において、液晶パネル20は、例えば
TFT型液晶パネルである。
In FIG. 1, the liquid crystal panel 20 is, for example, a TFT type liquid crystal panel.

【0034】この液晶パネル20を駆動する回路とし
て、アドレス線(走査線)に接続されたゲートドライバ
IC40(走査線ドライバIC)と、データ線(信号
線)に接続されたデータドライバIC30(信号線ドラ
イバIC)とが設けられている。これらのゲートドライ
バIC40、データドライバIC30は、電源回路46
から所定の電圧が供給されるとともに、信号制御回路4
2から供給される信号に基づいて、データ線21、ゲー
ト線22を駆動するものである。実際はデータドライバ
IC30、ゲートドライバIC40ともに、複数のIC
にて構成されている。また、階調電圧回路部44は、デ
ータドライバIC30での階調駆動に必要な基準電圧を
供給する。液晶容量25は、画素電極24とコモン電極
23との間に液晶を封入することで形成されている。コ
モン電極駆動回路48は、コモン電極23にコモン電圧
を供給する。
As circuits for driving the liquid crystal panel 20, a gate driver IC 40 (scanning line driver IC) connected to an address line (scanning line) and a data driver IC 30 (signal line) connected to a data line (signal line) are provided. Driver IC). The gate driver IC 40 and the data driver IC 30 include a power supply circuit 46.
And a signal control circuit 4
The data line 21 and the gate line 22 are driven based on the signal supplied from the second line 2. Actually, both the data driver IC 30 and the gate driver IC 40 have a plurality of ICs.
It consists of. Further, the gradation voltage circuit section 44 supplies a reference voltage required for gradation driving in the data driver IC 30. The liquid crystal capacitance 25 is formed by sealing liquid crystal between the pixel electrode 24 and the common electrode 23. The common electrode drive circuit 48 supplies a common voltage to the common electrode 23.

【0035】なお本発明は、TFT型液晶パネルに適用
されるものに限らず、液晶を含む電気光学素子を用い
た、他の表示パネルにも用いることができる。
The present invention is not limited to the one applied to the TFT type liquid crystal panel, but can be applied to other display panels using an electro-optical element containing a liquid crystal.

【0036】(データ線駆動回路の説明)図2は図1の
液晶パネル20を駆動するためのデータドライバIC3
0の構成図を示しており、図3は図1の液晶パネル20
中のデータ線21を駆動する駆動波形の一例を示してい
る。
(Description of Data Line Driving Circuit) FIG. 2 shows a data driver IC 3 for driving the liquid crystal panel 20 of FIG.
FIG. 3 shows a configuration diagram of the liquid crystal panel 20 of FIG.
An example of a driving waveform for driving the middle data line 21 is shown.

【0037】図2は、データ線出力21として例えば3
00本の出力線を有する、3色64階調表示用のデータ
ドライバIC30の内部ブロック図を示している。
FIG. 2 shows that the data line output 21 is, for example, 3
FIG. 2 shows an internal block diagram of a data driver IC 30 for three colors and 64 gradations having 00 output lines.

【0038】図2に示すデータドライバIC30は、信
号制御回路42から供給されるRGB信号の各6ビット
の表示データを、同様に信号制御回路42から供給され
るクロック信号φ1のタイミングに基づき、順次、入力
ラッチ回路50にてラッチする。100クロック分のク
ロック信号φ1の表示データ(RGB×6ビット×10
0クロック分の信号)は、100ビットのシフトレジス
タ51を介して、ラインラッチ回路52の内部に取込ま
れる。さらに上記の表示データはラッチ回路53にラッ
チパルスLPのタイミングで取込まれる。そして、この
ラッチ回路53の表示データは6ビットのDAC54に
よってアナログ信号に変換され、さらにボルテージフォ
ロア回路55によってインピーダンス変換されて液晶パ
ネル20のデータ線21に供給される。
The data driver IC 30 shown in FIG. 2 sequentially converts the 6-bit display data of the RGB signals supplied from the signal control circuit 42 based on the timing of the clock signal φ1 similarly supplied from the signal control circuit 42. , Are latched by the input latch circuit 50. Display data of the clock signal φ1 for 100 clocks (RGB × 6 bits × 10
The signal for 0 clock) is taken into the line latch circuit 52 via the shift register 51 of 100 bits. Further, the display data is taken into the latch circuit 53 at the timing of the latch pulse LP. Then, the display data of the latch circuit 53 is converted into an analog signal by the 6-bit DAC 54, impedance-converted by the voltage follower circuit 55, and supplied to the data line 21 of the liquid crystal panel 20.

【0039】ここで、図3に示すように、6ビットのD
AC54では64レベルの階調電圧を発生するが、外部
から例えば10レベルの電圧V1〜V10が供給され
る。この基準電圧V1〜V10は、階調電圧回路部44
から供給される。DAC54では例えば、RGBの各6
ビットの表示データの中で上位の3ビットデータで、1
0レベルの基準電圧V1〜V10によって分割された電
圧範囲のうちの一つを選択する。例えば、基準電圧V4
とV5の間を選択する。次に、下位3ビットデータによ
り、上位3ビットデータによって特定されたある電圧の
範囲、例えばV4〜V5レベルの間の8つの電圧レベル
の一つであるV34レベルを選択する。
Here, as shown in FIG. 3, a 6-bit D
The AC 54 generates a 64-level grayscale voltage, and for example, 10-level voltages V1 to V10 are supplied from the outside. The reference voltages V1 to V10 are supplied to the gradation voltage circuit section 44.
Supplied from In the DAC 54, for example, each of RGB 6
The upper 3 bits of the bit display data, 1
One of the voltage ranges divided by the 0-level reference voltages V1 to V10 is selected. For example, the reference voltage V4
And V5. Next, a range of a certain voltage specified by the upper three-bit data, for example, a V34 level which is one of eight voltage levels between V4 and V5 levels is selected based on the lower three-bit data.

【0040】(電圧供給装置について)図5は、DAC
70による出力をボルテージフォロア回路72を介して
TFT型液晶パネルのデータ線に出力する電圧供給装置
58の回路図を示している。
(Regarding Voltage Supply Apparatus) FIG.
FIG. 7 is a circuit diagram of a voltage supply device 58 that outputs an output from the TFT 70 to a data line of a TFT type liquid crystal panel via a voltage follower circuit 72.

【0041】なお、図5に示すDAC70は、一つのデ
ータ線21に接続されており、図2に示すDAコンバー
タ54は、複数のDAC70から構成されている。ボル
テージフォロア回路72とボルテージフォロア回路55
との関係も同様である。
The DAC 70 shown in FIG. 5 is connected to one data line 21, and the DA converter 54 shown in FIG. Voltage follower circuit 72 and voltage follower circuit 55
The relationship is the same.

【0042】図5の回路では、ボルテージフォロア回路
72は非反転入力端子201にDAC70からの出力が
供給され、反転入力端子202には、ボルテージフォロ
ア回路72の出力が帰還して供給される。ボルテージフ
ォロア回路72と負荷容量(データ線21の配線容量、
液晶容量25等)との間の出力線上には、第1のスイッ
チング素子Q1が設けられている。また、DAC70か
らの電圧を、ボルテージフォロア回路72及び前記第1
のスイッチング素子Q1を経由せずに負荷容量供給する
バイパス線205上に、第2のスイッチング素子Q2が
接続されている。
In the circuit of FIG. 5, the output from the DAC 70 is supplied to the non-inverting input terminal 201 of the voltage follower circuit 72, and the output of the voltage follower circuit 72 is supplied to the inverting input terminal 202 by feedback. The voltage follower circuit 72 and the load capacitance (the wiring capacitance of the data line 21,
A first switching element Q1 is provided on the output line between the first switching element Q1 and the liquid crystal capacitor 25). The voltage from the DAC 70 is supplied to the voltage follower circuit 72 and the first
The second switching element Q2 is connected to the bypass line 205 that supplies the load capacitance without passing through the switching element Q1.

【0043】第2のスイッチング素子Q2には、第1の
コントロール信号発生回路74からコントロール信号が
供給されオンオフ制御される。第1のスイッチング素子
Q1にはインバータINV1が接続され、第1のコント
ロール信号発生回路74からの出力が反転して供給さ
れ、第1のスイッチング素子Q1がオンオフ制御され
る。このコントロール信号は、例えば、後述する図6
(b)に示すように、データのラッチパルスLPに同期
したタイミングに基づいて出力される信号CNT1であ
る。
A control signal is supplied to the second switching element Q2 from the first control signal generation circuit 74, and the second switching element Q2 is on / off controlled. The inverter INV1 is connected to the first switching element Q1, and the output from the first control signal generation circuit 74 is inverted and supplied, so that the first switching element Q1 is on / off controlled. This control signal is, for example, as shown in FIG.
As shown in (b), the signal CNT1 is output based on the timing synchronized with the data latch pulse LP.

【0044】図6(a)は、従来のDAC方式による電
圧供給に用いられるラッチパルスLP、ゲート線への供
給電圧VX1、VX2、データ線への出力電圧の波形図
を示している。1フレーム期間において、ゲート線22
の選択期間にデータ線21を介して液晶容量25にチャ
ージされる電圧波形は出力VY1のようになっている。
FIG. 6A shows a waveform diagram of a latch pulse LP used for voltage supply by the conventional DAC system, supply voltages VX1 and VX2 to the gate line, and an output voltage to the data line. In one frame period, the gate line 22
The voltage waveform charged to the liquid crystal capacitor 25 via the data line 21 during the selection period is as shown by the output VY1.

【0045】このデータ線21に印加される電圧は、今
日の液晶パネルの多階調化・多色化に伴い、より高精度
な電圧が求められている。しかし、図6(a)に示すよ
うに、ボルテージフォロア回路を介して出力される電圧
には、オフセットによる入出力電圧のばらつきにより、
必要な階調電位に達しないために、高精度な階調電位の
設定が困難であることがしばしばであった。
As for the voltage applied to the data line 21, a more accurate voltage is required as the number of gradations and the number of colors of the liquid crystal panel are increased. However, as shown in FIG. 6A, the voltage output via the voltage follower circuit is affected by the variation of the input / output voltage due to the offset.
Since the required gradation potential is not reached, it is often difficult to set a high-precision gradation potential.

【0046】すなわち、図6(a)に示すように、選択
期間tの間に階調電位に達せず、δ電位だけ不足する電
位が、液晶容量25にチャージされてしまうことにな
る。なお、図4のようにオフセットキャンセル回路を設
けることにより、オフセットによる入出力変化を補正で
きるが、そのための容量C10の面積の拡大、必要階調
電位に到達させる速さの点等で問題があった。
That is, as shown in FIG. 6A, the liquid crystal capacitor 25 is charged with a potential which does not reach the gradation potential during the selection period t and is insufficient by δ potential. Although the input / output change due to the offset can be corrected by providing the offset canceling circuit as shown in FIG. 4, there is a problem in that the area of the capacitor C10 for that purpose is enlarged, and the speed at which the required gradation potential is reached is obtained. Was.

【0047】そこで本実施の形態では、このボルテージ
フォロア回路による出力能力の限界に着目し、階調電位
出力がある程度保たれる時点で、ボルテージフォロア回
路の出力に代えて、DAC70からの出力を液晶容量2
5に供給するように切換えている。
Therefore, in the present embodiment, attention is paid to the limit of the output capability of the voltage follower circuit, and when the gradation potential output is maintained to some extent, the output from the DAC 70 is replaced with the liquid crystal output instead of the output of the voltage follower circuit. Capacity 2
5 has been switched.

【0048】以下、図6(b)において、本実施の形態
に係るTFT型液晶パネル装置のデータドライバの動作
を、図5を参照しながら説明する。
Referring to FIG. 6B, the operation of the data driver of the TFT type liquid crystal panel device according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

【0049】ここで、仕様上一定ではないが、TFT型
液晶装置おけるDAC方式によるボルテージフォロア回
路72の出力は、必要電圧値の99%超まで増幅される
のに、選択期間のほぼ半分の時間が要される。例えば、
12Vを必要とする液晶ドライバーでは、ボルテージフ
ォロア回路72の出力によって、Q=12×C(Cは負
荷容量)の電荷量をチャージしなければならない。選択
期間の前半期間の終端までに入力電圧と出力電圧の差が
10mVまでになっていたとすると、選択期間の後半期
間でチャージしなければならない負荷容量(電荷量)
は、Q=0.01×Cとなる。結局、DAC70の出力
に切換えた場合、必要電荷量Qに対して、1/1200
(約0.1%)の電荷量を供給することで、必要な階調
を得ることができる。選択期間tはパネルによっても異
なるが、高精細なSXGAの表示だと通常8〜12μs
程度である。
The output of the voltage follower circuit 72 of the TFT type liquid crystal device using the DAC system is amplified to more than 99% of a required voltage value, although it is not constant in the specification, but it takes almost half of the selection period. Is required. For example,
In a liquid crystal driver requiring 12 V, an electric charge of Q = 12 × C (C is a load capacitance) must be charged by the output of the voltage follower circuit 72. Assuming that the difference between the input voltage and the output voltage is up to 10 mV by the end of the first half of the selection period, the load capacitance (charge amount) that must be charged in the second half of the selection period
Is Q = 0.01 × C. As a result, when the output is switched to the output of the DAC 70, the required charge amount Q is 1/1200
By supplying the charge amount (about 0.1%), a necessary gradation can be obtained. The selection period t varies depending on the panel, but a high-definition SXGA display usually takes 8 to 12 μs.
It is about.

【0050】ラッチパルスLP間の選択期間tに亘っ
て、ゲートドライバIC40により、一本のゲート線2
1に電圧VX1が印加され、トランジスタがオンする。
これにより、液晶パネル20内の液晶容量25に充電可
能な状態になる。データドライバIC30では、ラッチ
パルスLPと同期して出力されるコントロール信号CN
T1によって、第1のスイッチング素子Q1がオンし、
第2のスイッチング素子Q2がオフする。このため、ボ
ルテージフォロア回路72からデータ線21へ電圧VY
2が出力される。この電圧VY2は、データ線21を介
して液晶容量25にチャージされ、その液晶容量25へ
のチャージの経時的変化は、第1の期間t1では例えば
必要電圧の99%を超える点Aにまで達している。
During the selection period t between the latch pulses LP, one gate line 2 is
1 is applied with the voltage VX1, and the transistor is turned on.
As a result, the liquid crystal capacity 25 in the liquid crystal panel 20 can be charged. In the data driver IC 30, the control signal CN output in synchronization with the latch pulse LP
By T1, the first switching element Q1 is turned on,
The second switching element Q2 turns off. Therefore, the voltage VY is applied from the voltage follower circuit 72 to the data line 21.
2 is output. This voltage VY2 is charged to the liquid crystal capacitance 25 via the data line 21, and the change over time of the charge to the liquid crystal capacitance 25 reaches, for example, a point A exceeding 99% of the required voltage in the first period t1. ing.

【0051】第2の期間t2では、第1のスイッチング
素子Q1がオフし、第2のスイッチング素子Q2がオン
し、ボルテージフォロア回路72の出力が遮断されるこ
とにより、DAC70の出力が直接、データ線21を介
して液晶容量25にチャージされる。このときDAC7
0では、供給できる単位時間当りの電荷量が少ないが、
出力電圧に影響を及ぼす能動負荷が小さく、液晶容量2
5へのチャージもほとんど完了されているため、選択期
間t内に、十分な電圧を液晶容量25にチャージするこ
とが可能となる。
In the second period t2, the first switching element Q1 is turned off, the second switching element Q2 is turned on, and the output of the voltage follower circuit 72 is cut off. The liquid crystal capacitance 25 is charged via the line 21. At this time, DAC7
At 0, the amount of charge that can be supplied per unit time is small,
The active load affecting the output voltage is small, and the liquid crystal capacitor 2
5 is almost completely completed, so that a sufficient voltage can be charged to the liquid crystal capacitor 25 within the selection period t.

【0052】ここで、ボルテージフォロア回路72の入
出力間のオフセットとして、例えば、10mVが発生し
た場合、必要階調電圧の10mV手前で切換える必要が
生じる。ボルテージフォロア回路72とDAC70の電
流駆動能力の比率の設計にもよるが、その比が1/10
0だと、図6(b)の点Aが必要電圧の99%に達した
時に切換タイミングを設定することが妥当である。
Here, when, for example, 10 mV is generated as an offset between the input and output of the voltage follower circuit 72, it is necessary to switch the voltage 10 mV before the necessary gradation voltage. Depending on the design of the ratio of the current drive capability of the voltage follower circuit 72 and the DAC 70, the ratio is 1/10
If it is 0, it is appropriate to set the switching timing when the point A in FIG. 6B reaches 99% of the required voltage.

【0053】このように、選択期間tの前半期間t1で
は、ボルテージフォロア回路72の出力によって、単位
時間当りの電荷量を多く供給して、ある程度の電圧まで
液晶容量25を充電させる。選択期間tの後半期間t2
では、DAC70の出力を直接に液晶容量25に供給す
ることによって、オフセットキャンセル回路を必要とせ
ずに、高精度な出力電圧を迅速に得ることが可能となっ
た。
As described above, in the first half period t1 of the selection period t, a large amount of charge per unit time is supplied by the output of the voltage follower circuit 72 to charge the liquid crystal capacitor 25 to a certain voltage. The latter half period t2 of the selection period t
Thus, by directly supplying the output of the DAC 70 to the liquid crystal capacitor 25, a high-precision output voltage can be quickly obtained without requiring an offset canceling circuit.

【0054】また、ボルテージフォロア回路72の出力
と、DAC70の出力を切換えるタイミングについて、
必要階調電圧の90%以上の電圧が液晶容量25に充電
され、かつ必要電圧との電圧差が1/2LSB(Lea
st Significant Bit)の電圧幅の範
囲内に設定した場合の動作について、図7を用いて説明
する。
The timing at which the output of the voltage follower circuit 72 and the output of the DAC 70 are switched is described below.
A voltage of 90% or more of the necessary gradation voltage is charged in the liquid crystal capacitor 25, and a voltage difference from the necessary voltage is L LSB (Lea).
The operation when the voltage is set within the range of the voltage width of (st Significant Bit) will be described with reference to FIG.

【0055】図7は、図3に示す液晶印加電圧の波形図
の基準電圧V3とV4の間の拡大図を示している。
FIG. 7 is an enlarged view between the reference voltages V3 and V4 of the waveform diagram of the liquid crystal applied voltage shown in FIG.

【0056】所要の液晶表示を得るために、例えば、電
圧VAだけの液晶印加電圧が必要な場合を想定する。本
実施の形態では、ボルテージフォロア回路72によっ
て、必要電圧VAに対して1/2LSBに相当する電圧
VLSBの幅の範囲(電圧VLSBからVAの範囲)で
あって、かつ、電圧VAの90%以上にあたる電圧を、
液晶印加電圧として得る必要がある。図7は、必要電圧
VAの90%にあたるVADにおける電圧を満たし、か
つ、電圧VAに対して(LSB)/2の電圧幅の範囲内
にある電圧VLSBが前半期間t1にチャージされ、後
半期間t2に電圧VAまでチャージされる例を示してい
る。
It is assumed that, for example, a liquid crystal application voltage of only the voltage VA is required to obtain a required liquid crystal display. In the present embodiment, the voltage follower circuit 72 has a range of the width of the voltage VLSB corresponding to L LSB with respect to the required voltage VA (the range of the voltage VLSB to VA), and 90% or more of the voltage VA. Voltage
It needs to be obtained as a liquid crystal applied voltage. FIG. 7 shows that the voltage VLSB which satisfies the voltage in VAD which is 90% of the required voltage VA and which is within the voltage width of (LSB) / 2 with respect to the voltage VA is charged in the first half period t1 and in the second half period t2 Shows an example in which the voltage is charged up to the voltage VA.

【0057】これにより、必要な液晶表示が保証され、
不足電圧分をDAC70による出力で補い、精度の高い
出力電圧が選択期間t内に得られるようになる。
This ensures the necessary liquid crystal display,
The insufficient voltage is compensated for by the output of the DAC 70, and a highly accurate output voltage can be obtained within the selection period t.

【0058】なお、ボルテージフォロア72の出力と、
電圧出力源70の出力を切換える切換タイミングについ
て、例えば、階調をある程度保証する点を、切換タイミ
ングとして設定すること等が考えられる。
The output of the voltage follower 72 and
Regarding the switching timing at which the output of the voltage output source 70 is switched, for example, it is conceivable that a point at which the gradation is guaranteed to some extent is set as the switching timing.

【0059】<第2の実施形態>図8は、図5に示す構
成を有する電圧供給装置の変形例を示している。
<Second Embodiment> FIG. 8 shows a modification of the voltage supply device having the configuration shown in FIG.

【0060】図8に示すように、第1のスイッチング素
子Q1を制御する第1のコントロール信号発生回路74
と、第2のスイッチング素子Q2を制御する第2のコン
トロール信号発生回路75を有し、第1のスイッチング
素子Q1と第2のスイッチング素子Q2とが独立に制御
される構成となっている。
As shown in FIG. 8, a first control signal generating circuit 74 for controlling the first switching element Q1 is provided.
And a second control signal generating circuit 75 for controlling the second switching element Q2, so that the first switching element Q1 and the second switching element Q2 are controlled independently.

【0061】図8の実施による波形図を図9に示す。FIG. 9 shows a waveform chart according to the embodiment of FIG.

【0062】図9において、データドライバIC30か
らラッチパルスLPと同期して出力されるコントロール
信号CNT1によって、第1のスイッチング素子Q1が
オンする。コントロール信号CNT2によって第2のス
イッチング素子Q2がオフされる。このとき、第1のス
イッチング素子Q1と第2のスイッチング素子Q2に、
同時にオフとなる期間θが設定されるように、コントロ
ール信号CNT2は制御されている。
In FIG. 9, the control signal CNT1 output from the data driver IC 30 in synchronization with the latch pulse LP turns on the first switching element Q1. The second switching element Q2 is turned off by the control signal CNT2. At this time, the first switching element Q1 and the second switching element Q2 include:
The control signal CNT2 is controlled so that the period θ during which the switch is simultaneously turned off is set.

【0063】コントロール信号CNT1,CNT2によ
りボルテージフォロア72の出力からDAC70の出力
に切換り、出力VY2のような液晶印加電圧の波形を示
すことになる。
The output of the voltage follower 72 is switched to the output of the DAC 70 by the control signals CNT1 and CNT2, and the waveform of the liquid crystal applied voltage such as the output VY2 is shown.

【0064】図8に示す構成によれば、第1のスイッチ
ング素子Q1と第2のスイッチング素子Q2が、同時に
オンする状態に設定されることを防止できる。これによ
り、さらに、ボルテージフォロア回路72の出力が第2
のスイッチング素子Q2を介してボルテージフォロア回
路72の非反転入力端子201に帰還し、発振してしま
う現象を未然に防ぐことができるようになる。
According to the configuration shown in FIG. 8, it is possible to prevent the first switching element Q1 and the second switching element Q2 from being turned on at the same time. As a result, the output of the voltage follower circuit 72 is
The switching element Q2 returns to the non-inverting input terminal 201 of the voltage follower circuit 72 to prevent the oscillation phenomenon.

【0065】<第3の実施形態>図10の回路では、図
5における回路に加えて、ボルテージフォロア回路72
の電源端子間に第3のスイッチング素子Q3を設けてい
る。この第3のスイッチング素子Q3は、第1のスイッ
チング素子Q1と同期したコントロール信号CNT1の
制御を受ける構成になっている。なお、DAC70及び
ボルテージフォロア回路72の動作は図5の回路と同様
である。
<Third Embodiment> In the circuit of FIG. 10, in addition to the circuit of FIG.
The third switching element Q3 is provided between the power supply terminals of. The third switching element Q3 is configured to receive control of a control signal CNT1 synchronized with the first switching element Q1. The operations of the DAC 70 and the voltage follower circuit 72 are the same as those of the circuit of FIG.

【0066】ここで、ボルテージフォロア回路72の出
力からDAC70の出力に切換ることによって、第1の
スイッチング素子Q1がオフすることによりボルテージ
フォロア回路72の出力は遮断されてしまう。そこで、
第1のスイッチング素子Q1がオフするタイミングに同
期して、第3のスイッチング素子Q3をオフさせて、ボ
ルテージフォロア回路72への電源供給を遮断する。
Here, by switching from the output of the voltage follower circuit 72 to the output of the DAC 70, the output of the voltage follower circuit 72 is cut off by turning off the first switching element Q1. Therefore,
The third switching element Q3 is turned off in synchronization with the timing at which the first switching element Q1 is turned off, and the power supply to the voltage follower circuit 72 is cut off.

【0067】これにより、ボルテージフォロア回路72
の出力を利用しない期間には、電源供給を遮断すること
によって消費電力を低減することができる。
Thus, the voltage follower circuit 72
In a period in which the output of the power supply is not used, power consumption can be reduced by cutting off the power supply.

【0068】<第4の実施形態>ボルテージフォロア回
路72の回路構成として、例えば図12に示すような回
路を挙げることができる。図12の回路は、AB級演算
増幅をするボルテージフォロア回路72の回路図を示し
ており、主に差動増幅部91、出力増幅部92、入力部
93とから構成されている。図12は、N型MOSトラ
ンジスタQN1からQN31を、P型MOSトランジス
タQP1からQP31を有して構成されている。DAC
70から供給される電圧が、入力部93の入力電圧VI
Nとして入力される。出力増幅部92では最終段の増幅
を行ない、出力電圧VOUTを負荷容量に供給する。
<Fourth Embodiment> As a circuit configuration of the voltage follower circuit 72, for example, a circuit as shown in FIG. 12 can be mentioned. The circuit shown in FIG. 12 is a circuit diagram of a voltage follower circuit 72 for performing class AB operation amplification, and mainly includes a differential amplifier 91, an output amplifier 92, and an input unit 93. FIG. 12 includes N-type MOS transistors QN1 to QN31 and P-type MOS transistors QP1 to QP31. DAC
70 is equal to the input voltage VI of the input unit 93.
N. The output amplifier 92 amplifies the final stage and supplies the output voltage VOUT to the load capacitance.

【0069】ボルテージフォロア回路72の入力電圧V
INに対する出力電圧VOUTの入出力特性を図11に
示す。
Input voltage V of voltage follower circuit 72
FIG. 11 shows input / output characteristics of the output voltage VOUT with respect to IN.

【0070】図中のVDDはボルテージフォロア回路7
2の電源電位を、VEEは接地電位を示している。
VDD in the figure is a voltage follower circuit 7
2, and VEE indicates a ground potential.

【0071】図11では、図12の出力増幅段92にお
ける、しきい値電圧VTHNであるN型MOSトランジ
スタQN31の動作に起因して、入力電圧VINが0か
らVTHNの範囲内で、リニアな入出力特性227が得
られず、飽和出力特性225を示してしまう。同様に、
出力増幅段92におけるしきい値電圧VTHP(負電
圧)のP型MOSトランジスタQP31の動作に起因し
て、入力電圧VINが(VDD+VTHP)からVDD
の範囲内で、リニアな入出力特性223が得られず、飽
和出力特性221を示してしまう。
In FIG. 11, the input voltage VIN falls within the range of 0 to VTHN due to the operation of the N-type MOS transistor QN31 having the threshold voltage VTHN in the output amplification stage 92 of FIG. The output characteristic 227 is not obtained, and the saturation output characteristic 225 is shown. Similarly,
Due to the operation of the P-type MOS transistor QP31 of the threshold voltage VTHP (negative voltage) in the output amplifying stage 92, the input voltage VIN changes from (VDD + VTHP) to VDD.
Within the range, the linear input / output characteristic 223 cannot be obtained, and the saturated output characteristic 221 is shown.

【0072】これは、図12において、入力電圧VIN
が0Vからしきい値電圧VTHNの範囲で変化すると
き、出力増幅部92におけるN型MOSトランジスタQ
N31のゲートに接続されている、P型MOSトランジ
スタQP21のドレインとなるノード212では、ノー
ド212の電位が、ソースにあたるノード213の電位
よりも低くなる。結果として、しきい値電圧VTHN以
下ではN型MOSトランジスタQN31がオフする方向
に動作し、電流を流すことができなくなる。このため、
出力電圧VOUTが飽和してしまう。
This is because, in FIG. 12, the input voltage VIN
Changes in the range of 0 V to the threshold voltage VTHN, the N-type MOS transistor Q
At the node 212 connected to the gate of N31 and serving as the drain of the P-type MOS transistor QP21, the potential of the node 212 is lower than the potential of the node 213 corresponding to the source. As a result, when the threshold voltage is lower than VTHN, the N-type MOS transistor QN31 operates in a direction in which it is turned off, so that current cannot flow. For this reason,
The output voltage VOUT is saturated.

【0073】また、入力電圧VINが(VDD+VTH
P)から電源電位VDDの範囲で変化するとき、出力増
幅部92におけるP型MOSトランジスタQP31のゲ
ートに接続されている、N型MOSトランジスタQN1
のドレインとなるノード210では、ノード212の電
位が、ソースにあたるノード211の電位よりも高くな
る。結果として、しきい値電圧(VDD+VTHP)以
上ではP型MOSトランジスタQP31がオフする方向
に動作し、電流を流すことができなくなる。このため、
出力電圧VOUTが飽和してしまう。
When the input voltage VIN is (VDD + VTH)
When the potential changes from P) to the power supply potential VDD, the N-type MOS transistor QN1 connected to the gate of the P-type MOS transistor QP31 in the output amplifier 92.
The potential of the node 212 becomes higher than the potential of the node 211 corresponding to the source. As a result, when the voltage is equal to or higher than the threshold voltage (VDD + VTHP), the P-type MOS transistor QP31 operates in a direction in which the transistor turns off, so that current cannot flow. For this reason,
The output voltage VOUT is saturated.

【0074】このしきい値電圧VTHN、VTHPに起
因して出力電圧が飽和する入出力特性の改善した回路を
図13に示す。
FIG. 13 shows a circuit having an improved input / output characteristic in which the output voltage is saturated due to the threshold voltages VTHN and VTHP.

【0075】なお、このしきい値電圧VTHN、VTH
Pは、MOSトランジスタ素子固有のしきい値電圧に加
えて、ボルテージフォロア回路72内の定電流回路の影
響等を受けて変化している。N型MOSトランジスタQ
N11、QN12、P型MOSトランジスタQP11、
QP12により、定電流が流れているためにオフセット
分の電圧が重畳することになる。このため、本実施の形
態では、このオフセット分の電圧を考慮したしきい値電
圧VTHN、VTHPを想定する。
The threshold voltages VTHN, VTH
P changes under the influence of the constant current circuit in the voltage follower circuit 72 in addition to the threshold voltage inherent to the MOS transistor element. N-type MOS transistor Q
N11, QN12, P-type MOS transistor QP11,
Due to the QP12, the voltage corresponding to the offset is superimposed because the constant current is flowing. Therefore, in the present embodiment, threshold voltages VTHN and VTHP are assumed in consideration of the voltage corresponding to the offset.

【0076】図13の回路では、ボルテージフォロア回
路72のノード203における入力電圧と、ノード20
4における出力電圧とを比較する比較器76が追加され
ている。この比較器76の比較結果に基づき、第1のコ
ントロール信号発生回路74を介して、第1のスイッチ
ング素子Q1、第2のスイッチング素子Q2のゲートに
コントロール信号を供給する。
In the circuit shown in FIG. 13, the input voltage at the node 203 of the voltage follower
A comparator 76 for comparing with the output voltage at 4 is added. Based on the comparison result of the comparator 76, a control signal is supplied to the gates of the first switching element Q1 and the second switching element Q2 via the first control signal generation circuit 74.

【0077】比較器76は、ノード204における出力
電圧VOUTが、ノード203における、入力電圧(V
IN±ΔV)(ΔV:任意の誤差設定値)の範囲に入っ
たかどうかを比較する。第1のコントロール信号発生回
路74を介してコントロール信号が発信される。これに
より、第1のスイッチング素子Q1はオフ、第2のスイ
ッチング素子Q2はオンとなり、DAC70の出力が出
力電圧VOUTとなる。なお、出力電圧VOUTが入力
電圧VINに対して、オーバーシュートまたはアンダー
シュートし、誤差設定値±ΔVの許容範囲を上回るまた
は下回ることがある。この場合、これを考慮した許容範
囲(VIN±ΔV)を設定するか、出力電圧VOUTの
ゲインを大きくとり、出力電圧VOUTが、ある一定の
電圧を交差した回数をカウントすることにより、コント
ロール信号が発信されるタイミングを設定できる。
The comparator 76 determines that the output voltage VOUT at the node 204 is equal to the input voltage (V
IN ± ΔV) (ΔV: any error set value) is compared. A control signal is transmitted via the first control signal generation circuit 74. As a result, the first switching element Q1 is turned off, the second switching element Q2 is turned on, and the output of the DAC 70 becomes the output voltage VOUT. Note that the output voltage VOUT may overshoot or undershoot with respect to the input voltage VIN, and may exceed or fall below the allowable range of the error set value ± ΔV. In this case, the control signal is set by setting an allowable range (VIN ± ΔV) taking this into consideration or increasing the gain of the output voltage VOUT and counting the number of times the output voltage VOUT crosses a certain voltage. The transmission timing can be set.

【0078】また、本実施の形態の変形例として、図1
4のような検出方法が考えられる。
As a modification of this embodiment, FIG.
A detection method such as 4 is conceivable.

【0079】図14は、第1の比較器77、第2の比較
器78、OR回路79を含んで構成されている。ボルテ
ージフォロア回路72の入力電圧VINを、ノード20
3での電圧と、第1の比較器77、第2の比較器78で
設定された各基準電圧との比較信号を、OR回路79に
供給する。OR回路79は少なくとも第1の比較器77
または第2の比較器78の一方のハイレベルの信号を受
けた時、第1のコントロール信号発生回路74を介し
て、第1のスイッチング素子Q1、第2のスイッチング
素子Q2にコントロール信号を供給する。
FIG. 14 includes a first comparator 77, a second comparator 78, and an OR circuit 79. The input voltage VIN of the voltage follower circuit 72 is
A comparison signal between the voltage at 3 and the reference voltages set by the first comparator 77 and the second comparator 78 is supplied to the OR circuit 79. The OR circuit 79 includes at least the first comparator 77
Alternatively, when one high-level signal of the second comparator 78 is received, a control signal is supplied to the first switching element Q1 and the second switching element Q2 via the first control signal generation circuit 74. .

【0080】ここで、例えば、第1の比較器77の基準
電圧として、図11のボルテージフォロア回路72の入
出力特性において、ノード203における入力電圧VI
Nが、しきい値電圧(VDD+VTHP)となる境界点
が設定される。しきい値電圧(VDD+VTHP)以上
の電圧が入力されると、第1の比較器77からハイレベ
ルの信号が出力され、OR回路79に供給される。第2
の比較器78からはロウレベルの信号が出力され、OR
回路79に供給される。OR回路79からはハイレベル
の信号が出力され、第1のコントロール信号発生回路7
4を介して、コントロール信号を発信する。第1のスイ
ッチング素子Q1はオフ、第2のスイッチング素子Q2
はオンとなり、DAC70の出力が出力電圧VOUTと
なる。同様に、第2の比較器78の基準電圧として、図
11のボルテージフォロア回路72の入出力特性におい
て、ノード203における入力電圧VINが、しきい値
電圧VTHNとなる境界点に設定される。しきい値電圧
VTHN以下の電圧が入力されると、第2の比較器78
からハイレベルの信号が出力され、第1の比較器77か
らはロウレベルの信号が出力される。OR回路79から
はハイレベルの信号が出力され、第1のコントロール信
号発生回路74を介して、コントロール信号を発信す
る。第1のスイッチング素子Q1はオフ、第2のスイッ
チング素子Q2はオンとなり、DAC70の出力が出力
電圧VOUTとなる。
Here, for example, as the reference voltage of the first comparator 77, in the input / output characteristics of the voltage follower circuit 72 in FIG.
A boundary point where N is the threshold voltage (VDD + VTHP) is set. When a voltage equal to or higher than the threshold voltage (VDD + VTHP) is input, a high-level signal is output from the first comparator 77 and supplied to the OR circuit 79. Second
Outputs a low level signal from the comparator 78 of
The signal is supplied to a circuit 79. A high level signal is output from the OR circuit 79 and the first control signal generation circuit 7
The control signal is transmitted via the control signal 4. The first switching element Q1 is off, the second switching element Q2
Is turned on, and the output of the DAC 70 becomes the output voltage VOUT. Similarly, as the reference voltage of the second comparator 78, the input voltage VIN at the node 203 in the input / output characteristics of the voltage follower circuit 72 in FIG. 11 is set at the boundary point where the threshold voltage VTHN is reached. When a voltage equal to or lower than the threshold voltage VTHN is input, the second comparator 78
Outputs a high-level signal, and the first comparator 77 outputs a low-level signal. A high-level signal is output from the OR circuit 79, and a control signal is transmitted via the first control signal generation circuit 74. The first switching element Q1 is turned off, the second switching element Q2 is turned on, and the output of the DAC 70 becomes the output voltage VOUT.

【0081】これらの動作により、入力電圧が0からV
THNの範囲内で、または、(VDD+VTHP)から
VDDの範囲内で、比較器76の出力を変化させ、この
タイミングでボルテージフォロア回路72の出力を遮断
し、DAC70の出力に切換えれば、出力電圧が飽和す
る出力特性221に代えてリニアな出力特性223を、
または、出力特性225に代えて出力特性227を確保
することができるようになる。
By these operations, the input voltage is changed from 0 to V
When the output of the comparator 76 is changed within the range of THN or within the range of (VDD + VTHP) to VDD, the output of the voltage follower circuit 72 is cut off at this timing, and the output is switched to the output of the DAC 70. Is replaced by a linear output characteristic 223 instead of the output characteristic 221 at which
Alternatively, the output characteristic 227 can be secured in place of the output characteristic 225.

【0082】この電圧供給装置58をDAC方式を有す
るTFT液晶装置に用いた場合、オフセットキャンセル
回路を必要とせずに、高精度な出力電圧を得ることが可
能となる。さらに、入力電圧が0Vから電源電圧VDD
の範囲までを、飽和せずに出力電圧として得ることがで
きるようになり、より広い範囲での電圧利用が図れる。
When this voltage supply device 58 is used in a TFT liquid crystal device having a DAC system, a highly accurate output voltage can be obtained without requiring an offset cancel circuit. Further, the input voltage is changed from 0V to the power supply voltage VDD.
Can be obtained as an output voltage without saturation, and voltage utilization in a wider range can be achieved.

【0083】<第5の実施形態>図15は、図13に示
す構成を有する電圧供給装置に、さらにボルテージフォ
ロア回路72の電源電圧をオンオフさせる、第3のスイ
ッチング素子を含んだ回路を示している。
<Fifth Embodiment> FIG. 15 shows a circuit including a third switching element for turning on and off the power supply voltage of the voltage follower circuit 72 in the voltage supply device having the configuration shown in FIG. I have.

【0084】図15に示すように、DAC70の出力を
出力電圧として供給する期間中、ボルテージフォロア回
路72自体の電源をオフさせることができる。これによ
り低消費電力化が図ることができる。
As shown in FIG. 15, the power supply of the voltage follower circuit 72 itself can be turned off while the output of the DAC 70 is supplied as the output voltage. Thus, low power consumption can be achieved.

【0085】また本発明は、例えば、携帯電話、ゲーム
機器、電子手帳、パーソナルコンピュータ、ワードプロ
セッサ、テレビ、カーナビゲーション装置など各種の電
子機器に適用することができる。
The present invention can be applied to various electronic devices such as a mobile phone, a game device, an electronic organizer, a personal computer, a word processor, a television, and a car navigation device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、本発明が適用される液晶装置を示す概
略説明図である。
FIG. 1 is a schematic explanatory view showing a liquid crystal device to which the present invention is applied.

【図2】図2は、従来のデータドライバICのブロック
図である。
FIG. 2 is a block diagram of a conventional data driver IC.

【図3】図3は、図2に示す従来のデータドライバIC
の出力特性図である。
FIG. 3 is a conventional data driver IC shown in FIG. 2;
3 is an output characteristic diagram of FIG.

【図4】図4は、図2に示す従来のボルテージフォロア
回路を用いた電圧供給装置の構成例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration example of a voltage supply device using the conventional voltage follower circuit illustrated in FIG. 2;

【図5】図5は、本発明の第1の実施形態に係る電圧供
給装置を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a voltage supply device according to the first embodiment of the present invention.

【図6】図6(a)は図4に示す電圧供給装置の動作波
形図、図6(b)は図5に示す電圧供給装置の動作波形
図である。
6A is an operation waveform diagram of the voltage supply device shown in FIG. 4, and FIG. 6B is an operation waveform diagram of the voltage supply device shown in FIG.

【図7】図7は、選択期間の前半、後半期間と、液晶容
量に充電される電圧との関係を示す図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a relationship between a first half and a second half of a selection period and a voltage charged to a liquid crystal capacitor;

【図8】図8は、本発明の第2の実施形態に係る電圧供
給装置を示す図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a voltage supply device according to a second embodiment of the present invention.

【図9】図9は、図8に示す電圧供給装置の動作波形図
である。
FIG. 9 is an operation waveform diagram of the voltage supply device shown in FIG. 8;

【図10】図10は、本発明の第3の実施形態に係る電
圧供給装置を示す図である。
FIG. 10 is a diagram illustrating a voltage supply device according to a third embodiment of the present invention.

【図11】図11は、本発明の第4の実施形態に用いら
れるボルテージフォロアの入出力特性を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing input / output characteristics of a voltage follower used in a fourth embodiment of the present invention.

【図12】図12は、図11に示す特性を有するボルテ
ージフォロアの回路図である。
FIG. 12 is a circuit diagram of a voltage follower having the characteristics shown in FIG.

【図13】図13は、図12に示すボルテージフォロア
を含む本発明の第4の実施形態に係る電圧供給装置を示
す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a voltage supply device according to a fourth embodiment of the present invention including the voltage follower shown in FIG.

【図14】図14は、図13に示す電圧供給装置の変形
例を示す図である。
FIG. 14 is a diagram illustrating a modification of the voltage supply device illustrated in FIG. 13;

【図15】図15は、本発明の第5の実施形態に係る電
圧供給装置を示す図である。
FIG. 15 is a diagram illustrating a voltage supply device according to a fifth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 表示装置 20 液晶パネル 21 データ線 22 ゲート線 23 コモン電極 24 液晶電極 25 液晶容量 30 データドライバIC 40 ゲートドライバIC 42 信号制御回路 44 階調電圧回路 46 電源回路 48 コモン電極駆動回路 50 入力ラッチ回路 51 シフトレジスタ 52 ラインラッチ回路 53 ラッチ回路 54 DAコンバータ 55 ボルテージフォロア回路 58 電圧供給装置 70 DAコンバータ 72 ボルテージフォロア回路 73 コントロール信号発生回路 74 第1のコントロール信号発生回路 75 第2のコントロール信号発生回路 76 比較器 77 第1の比較器 78 第2の比較器 Reference Signs List 10 display device 20 liquid crystal panel 21 data line 22 gate line 23 common electrode 24 liquid crystal electrode 25 liquid crystal capacitance 30 data driver IC 40 gate driver IC 42 signal control circuit 44 gradation voltage circuit 46 power supply circuit 48 common electrode drive circuit 50 input latch circuit Reference Signs List 51 shift register 52 line latch circuit 53 latch circuit 54 DA converter 55 voltage follower circuit 58 voltage supply device 70 DA converter 72 voltage follower circuit 73 control signal generation circuit 74 first control signal generation circuit 75 second control signal generation circuit 76 Comparator 77 First comparator 78 Second comparator

─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成12年10月19日(2000.10.
19)
[Submission date] October 19, 2000 (2000.10.
19)

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【特許請求の範囲】[Claims]

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H093 NA16 NA53 NC03 NC05 NC25 NC34 NC49 NC58 ND39 ND43 ND49 ND54 5C006 AA16 AC11 AC21 AF43 AF82 BB16 BC12 BF03 BF04 FA41 5C080 AA10 BB05 DD22 EE29 FF11 JJ02 JJ04 JJ05 5H410 BB04 CC02 DD02 DD05 EA11 EA12 EA37 EB16 EB37 FF03 FF25 GG07  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H093 NA16 NA53 NC03 NC05 NC25 NC34 NC49 NC58 ND39 ND43 ND49 ND54 5C006 AA16 AC11 AC21 AF43 AF82 BB16 BC12 BF03 BF04 FA41 5C080 AA10 BB05 DD22 EE29 FF11 JJ02 JJ04 JJ05 JJ05 JJ05 JJ05 JJ05 JJ05 JJ05 DD04 EA11 EA12 EA37 EB16 EB37 FF03 FF25 GG07

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 負荷容量に電圧を供給して、所定の充電
期間内に前記負荷容量に所定の電圧を充電させる電圧供
給装置において、 電圧供給源と、 前記電圧供給源からの電圧をインピーダンス変換して出
力するインピーダンス変換回路と、 前記インピーダンス変換回路と前記負荷容量との間に接
続された第1のスイッチング素子と、 前記電圧供給源からの電圧を、前記インピーダンス変換
回路及び前記第1のスイッチング素子を経由せずに前記
負荷容量に供給するバイパス線と、 前記バイパス線途中に接続された第2のスイッチング素
子と、を有し、 前記充電期間の前半期間に前記第1のスイッチング素子
をオン、前記第2のスイッチング素子をオフさせ、前記
充電時間の後半期間に前記第1のスイッチング素子をオ
フ、前記第2のスイッチング素子をオンさせることを特
徴とする電圧供給装置。
1. A voltage supply device for supplying a voltage to a load capacitance and charging the load capacitance with a predetermined voltage within a predetermined charging period, comprising: a voltage supply source; and impedance converting the voltage from the voltage supply source. And a first switching element connected between the impedance conversion circuit and the load capacitance; and a voltage from the voltage supply source, the impedance conversion circuit and the first switching. A bypass line for supplying the load capacitance without passing through an element; and a second switching element connected in the middle of the bypass line, wherein the first switching element is turned on during a first half of the charging period. Turning off the second switching element and turning off the first switching element during the latter half of the charging time; A voltage supply device for turning on a switching element.
【請求項2】 請求項1において、 前記第1のスイッチング素子及び前記第2のスイッチン
グ素子は、共にオフする状態が設定されていることを特
徴とする電圧供給装置。
2. The voltage supply device according to claim 1, wherein both the first switching element and the second switching element are set in an off state.
【請求項3】 請求項1または2において、 前記インピーダンス変換回路に電源電圧を供給する電源
線に接続された第3のスイッチング素子を有し、 前記第3のスイッチング素子は、前記第1のスイッチン
グ素子のオフ動作と同期してオフされることを特徴とす
る電圧供給装置。
3. The switching device according to claim 1, further comprising a third switching element connected to a power supply line that supplies a power supply voltage to the impedance conversion circuit, wherein the third switching element is configured to perform the first switching operation. A voltage supply device which is turned off in synchronization with an off operation of an element.
【請求項4】 請求項1乃至3のいずれかにおいて、 前記インピーダンス変換回路は、ボルテージフォロア回
路にて構成され、 前記ボルテージフォロア回路に供給される電源電圧の電
源電位をVDD、接地電位をVEEとし、前記電源電位
VDDに近い入力電圧が入力された時に、前記ボルテー
ジフォロア回路は、前記入力電圧に対して出力電圧がリ
ニアな特性を示さない、前記出力電圧が飽和する特性を
有し、 前記ボルテージフォロア回路の前記出力電圧の飽和領域
では、前記第1のスイッチング素子をオフ、前記第2の
スイッチング素子をオンさせて、前記バイパス線を経由
して前記電圧出力源の電圧を前記負荷容量に供給するこ
とを特徴とする電圧供給装置。
4. The impedance conversion circuit according to claim 1, wherein the impedance conversion circuit is constituted by a voltage follower circuit, wherein a power supply potential of a power supply voltage supplied to the voltage follower circuit is VDD, and a ground potential is VEE. When an input voltage close to the power supply potential VDD is input, the voltage follower circuit has a characteristic that the output voltage does not show a linear characteristic with respect to the input voltage, and the output voltage saturates; In the saturation region of the output voltage of the follower circuit, the first switching element is turned off, the second switching element is turned on, and the voltage of the voltage output source is supplied to the load capacitance via the bypass line. A voltage supply device.
【請求項5】 請求項1乃至3のいずれかにおいて、 前記インピーダンス変換回路は、ボルテージフォロア回
路にて構成され、 前記ボルテージフォロア回路に供給される電源電圧の電
源電位をVDD、接地電位をVEEとし、前記接地電位
VEEに近い入力電圧が入力された時に、前記ボレテー
ジフォロア回路は、前記入力電圧に対して出力電圧がリ
ニアな特性を示さない、前記出力電圧が飽和する特性を
有し、 前記ボルテージフォロア回路の前記出力電圧の飽和領域
では、前記充電期間中に亘って、前記第1のスイッチン
グ素子をオフ、前記第2のスイッチング素子をオンさせ
て、前記バイパス線を経由して前記電圧出力源の電圧を
前記負荷容量に供給することを特徴とする電圧供給装
置。
5. The voltage conversion circuit according to claim 1, wherein the impedance conversion circuit is configured by a voltage follower circuit, wherein a power supply potential of the power supply voltage supplied to the voltage follower circuit is VDD, and a ground potential is VEE. When an input voltage close to the ground potential VEE is input, the voltage follower circuit has a characteristic that the output voltage does not exhibit a linear characteristic with respect to the input voltage, and the output voltage is saturated. In the saturation region of the output voltage of the voltage follower circuit, the first switching element is turned off and the second switching element is turned on during the charging period, and the voltage output is output via the bypass line. A voltage supply device for supplying a source voltage to the load capacitance.
【請求項6】 請求項4または5において、 前記電圧出力源の出力電圧と前記ボルテージフォロア回
路の出力電圧とを比較する比較器を有し、 前記比較器の比較結果に基づいて、前記第1、第2のス
イッチング素子の状態を制御することを特徴とする電圧
供給装置。
6. The device according to claim 4, further comprising: a comparator that compares an output voltage of the voltage output source with an output voltage of the voltage follower circuit, based on a comparison result of the comparator. A voltage supply device for controlling a state of the second switching element.
【請求項7】 請求項1乃至6のいずれかに記載の電圧
供給装置を有することを特徴とする半導体装置。
7. A semiconductor device comprising the voltage supply device according to claim 1.
【請求項8】 電気光学素子を用いた表示部と、前記表
示部の信号線を駆動する駆動ICとを有し、 前記駆動ICは、負荷容量に電圧を供給して、所定の充
電期間内に前記負荷容量に所定の電圧を充電させる電圧
供給装置を有し、 前記電圧供給装置は、 電圧供給源と、 前記電圧供給源からの電圧をインピーダンス変換して出
力するインピーダンス変換回路と、 前記インピーダンス変換回路と前記負荷容量との間に接
続された第1のスイッチング素子と、 前記電圧供給源からの電圧を、前記インピーダンス変換
回路及び前記第1のスイッチング素子を経由せずに前記
負荷容量に供給するバイパス線と、 前記バイパス線途中に接続された第2のスイッチング素
子と、を有し、 前記充電期間の前半期間に前記第1のスイッチング素子
をオン、前記第2のスイッチング素子をオフさせ、前記
充電時間の後半期間に前記第1のスイッチング素子をオ
フ、前記第2のスイッチング素子をオンさせることを特
徴とする電気光学装置。
8. A display unit using an electro-optical element, and a drive IC for driving a signal line of the display unit, wherein the drive IC supplies a voltage to a load capacitance and supplies a voltage to a load capacitor within a predetermined charging period. A voltage supply device for charging the load capacitance with a predetermined voltage, the voltage supply device includes: a voltage supply source; an impedance conversion circuit that converts a voltage from the voltage supply source into an impedance and outputs the converted voltage; A first switching element connected between a conversion circuit and the load capacitance; and a voltage from the voltage supply source supplied to the load capacitance without passing through the impedance conversion circuit and the first switching element. And a second switching element connected in the middle of the bypass line, wherein the first switching element is turned on and turned on during the first half of the charging period. Turns off the second switching element, wherein the latter period of the charging time first off the switching element, an electro-optical device, characterized in that turning on the second switching element.
【請求項9】 請求項8において、 前記電気光学素子は前記電圧供給装置からの段階的な電
圧に基づいて階調駆動され、 前記電圧出力源は、ディジタル階調信号をアナログ電圧
に変換するDAコンバータにて構成され、 前記電気光学素子に供給されるべき所望の階調電圧値に
対して(LSB)/2に相当する電圧幅の範囲内の電圧
であって、かつ前記所望の階調電圧値の90%以上の電
圧が前記負荷容量に充電された時以降に、前記前半期間
が終了されることを特徴とする電気光学装置。
9. The DA according to claim 8, wherein the electro-optical element is driven for gradation based on a stepwise voltage from the voltage supply device, and the voltage output source converts a digital gradation signal to an analog voltage. A voltage within a voltage range corresponding to (LSB) / 2 with respect to a desired gradation voltage value to be supplied to the electro-optical element, and the desired gradation voltage The electro-optical device according to claim 1, wherein the first half period is terminated after a voltage of 90% or more of the value is charged to the load capacitance.
【請求項10】 請求項8または9に記載の電気光学装
置を有することを特徴とする電子機器。
10. An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 8.
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