JP2001183321A - Method for evaluating photocatalytic film - Google Patents

Method for evaluating photocatalytic film

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JP2001183321A
JP2001183321A JP37332099A JP37332099A JP2001183321A JP 2001183321 A JP2001183321 A JP 2001183321A JP 37332099 A JP37332099 A JP 37332099A JP 37332099 A JP37332099 A JP 37332099A JP 2001183321 A JP2001183321 A JP 2001183321A
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film
light
photocatalytic film
photocatalytic
evaluating
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JP37332099A
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Japanese (ja)
Inventor
Akira Nakayama
明 中山
Takashi Omori
隆 大森
Eiji Suzuki
栄二 鈴木
Satoshi Nomura
聡 野村
Yuji Matsumoto
祐司 松本
Hideomi Koinuma
秀臣 鯉沼
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Horiba Ltd
Research Institute of Innovative Technology for the Earth RITE
Original Assignee
Horiba Ltd
Research Institute of Innovative Technology for the Earth RITE
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for evaluating a photocatalyst capable of simply, quickly, accurately and effectively evaluating the photocatalyst. SOLUTION: An optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring device 1 has a sensor surface 8 on one surface of a semiconductor substrate 6 and emits a light 5 to the substrate 6. In this case, a shielding film 61 having liquid containability is provided to be contacted with the surface 8, and impregnated with a solution 81 for bringing about a catalytic reaction. Further, a transparent board 31 in which a photocatalytic film 32 is deposited by a combinatorial synthesis is provided above the film 61 so that the film 32 is contacted with the film 61. Thus, the film 32 is evaluated based on the change of a pH in the film 32 when irradiating the film 32 with an ultraviolet ray or a visible light 52 through the board 31.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、光触媒膜の評価
方法(ハイスループットスクリーニング)に関する。
The present invention relates to a method for evaluating a photocatalytic film (high-throughput screening).

【0002】[0002]

【発明の背景】近年、次世代のエネルギー源として水素
ガス(H2 ガス)を利用することが研究されている。こ
の水素ガスは、水に例えばNaOHなどの触媒を添加し
て電気分解すると、 H2 O→H+ +OH- なる化学反応式で表されるように、水がH+ (水素イオ
ン)とOH- (水酸イオン)とに分解され、生じたH+
を集めることにより、水素ガスが得られる。
BACKGROUND ART In recent years, utilization of hydrogen gas (H 2 gas) as a next-generation energy source has been studied. The hydrogen gas, the electrolysis by addition of a catalyst, such as water, for example NaOH, H 2 O → H + + OH - becomes as represented by chemical reaction formula, water is H + and (hydrogen ion) OH - (Hydroxyl ion) and H +
, Hydrogen gas is obtained.

【0003】しかしながら、上記水素ガスの生成方法は
電気エネルギーが必要であり、コストがかかる。そこ
で、最近においては、TiO2 のような光触媒を用い、
紫外光照射、望ましくは可視光照射により、前記反応を
起こして水素ガス製造を行うことが考えられている。
[0003] However, the above-described method for producing hydrogen gas requires electric energy and is costly. Therefore, recently, using a photocatalyst such as TiO 2 ,
It has been considered that the above reaction is caused by ultraviolet light irradiation, preferably visible light irradiation, to produce hydrogen gas.

【0004】近年、可視光領域での光触媒活性に優れた
材料開発が精力的に進められているが、微量な添加元素
の成分の相違、形成条件の相違、さらには触媒構造の相
違などにより、光触媒の触媒能力は大きく異なる。この
ような相違を有する触媒を一度に大量に合成するための
コンビナトリアル合成法の手法も検討され始めている。
In recent years, materials with excellent photocatalytic activity in the visible light region have been energetically developed. However, due to differences in components of trace amounts of added elements, differences in formation conditions, and differences in catalyst structures, etc. The catalytic ability of photocatalysts varies greatly. A combinatorial synthesis method for synthesizing a large amount of catalysts having such a difference at once has been studied.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】そこで、従来の光触媒
活性評価においては、水中に粉末を分散したり、水中に
薄膜を設置して、紫外光などを照射し、発生する酸素ま
たは水素の量を評価するという手法が行われてきたが、
この手法では、基板の中に微細な領域で異なる組成や構
造を有するコンビナトリアル合成法で作成した試料の領
域ごとにおける触媒活性を評価することは困難または不
可能である。
Therefore, in the conventional photocatalytic activity evaluation, the amount of oxygen or hydrogen generated by dispersing a powder in water or installing a thin film in water and irradiating ultraviolet light or the like is measured. Although the method of evaluating has been performed,
With this method, it is difficult or impossible to evaluate the catalytic activity in each region of a sample prepared by a combinatorial synthesis method having a different composition and structure in a fine region in a substrate.

【0006】この発明は、上述の事柄に留意してなされ
たもので、その目的は、コンビナトリアル合成法で形成
した多量の光触媒の触媒能力の評価を、簡便かつ迅速
に、しかも、精度よく確実に行うことができる光触媒膜
の評価方法を提供することである。
The present invention has been made in view of the above-mentioned matters, and an object of the present invention is to evaluate the catalytic ability of a large amount of a photocatalyst formed by a combinatorial synthesis method simply, quickly, and accurately. An object of the present invention is to provide a method for evaluating a photocatalytic film that can be performed.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の光触媒膜の評価方法は、半導体基板の一
方の面にセンサ面を有するとともに、前記半導体基板に
対して光を照射するように構成した光走査型二次元濃度
分布測定装置の前記センサ面に、液体含有性を有する遮
光膜を当接するようにして設け、この遮光膜に触媒反応
を起こす溶液をしみ込ませ、さらに、この遮光膜の上方
に、コンビナトリアル合成法によって光触媒膜を堆積さ
せた透明基板を、前記光触媒膜が遮光膜に接触するよう
にして設け、前記透明基板を通して紫外光または可視光
を照射したときの前記光触媒膜におけるpHの変化に基
づいて前記光触媒膜を評価するようにしている(請求項
1)。
In order to achieve the above object, a method for evaluating a photocatalytic film according to the present invention has a sensor surface on one surface of a semiconductor substrate and irradiates the semiconductor substrate with light. A light-shielding film having a liquid content is provided in contact with the sensor surface of the optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring device configured as described above, and a solution that causes a catalytic reaction is impregnated in the light-shielding film. Above the film, a transparent substrate on which a photocatalytic film is deposited by a combinatorial synthesis method is provided so that the photocatalytic film is in contact with the light-shielding film, and the photocatalytic film when irradiated with ultraviolet light or visible light through the transparent substrate. The photocatalyst film is evaluated based on the change in pH at (1).

【0008】上記光触媒膜の評価方法においては、光走
査型二次元濃度分布測定装置のセンサ面に、液体含有性
を有する遮光膜を当接するようにして設け、この遮光膜
に触媒反応を起こす溶液をしみ込ませ、コンビナトリア
ル合成法によって光触媒膜を堆積させた透明基板を、そ
の光触媒膜が遮光膜に接触するように設け、その状態で
紫外線または可視光を照射させ、センサ面上においてH
2 Oの分解反応を起こさせながらpHの変化を観察する
ものである。
In the above method for evaluating a photocatalytic film, a light-shielding film having a liquid content is provided in contact with a sensor surface of an optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring device, and a solution causing a catalytic reaction on the light-shielding film is provided. And a transparent substrate on which a photocatalytic film is deposited by a combinatorial synthesis method is provided so that the photocatalytic film is in contact with the light-shielding film, and is irradiated with ultraviolet light or visible light in that state, and H is applied on the sensor surface.
A change in pH is observed while causing a decomposition reaction of 2 O.

【0009】そして、前記液体含有性を有する遮光膜と
しては、黒く染めた濾紙やメンブレンフィルタあるいは
厚さ1mm以下の黒スポンジやポーラスアルミナなどが
好適であり、この膜にしみ込ませる溶液としては、0.
1MKCl相当の導電率を有し、酸化または還元作用の
ある溶液が好ましく、このような溶液として、例えば
0.1MKClおよびFe2 (SO4 3 を含む溶液が
ある。
As the light-shielding film having the liquid content, a filter paper or a membrane filter dyed black or a black sponge or porous alumina having a thickness of 1 mm or less is suitable. .
A solution having a conductivity equivalent to 1 M KCl and having an oxidizing or reducing action is preferable. Examples of such a solution include a solution containing 0.1 M KCl and Fe 2 (SO 4 ) 3 .

【0010】そして、この発明の光触媒膜の評価方法
は、次のようにして行ってもよい。すなわち、透明基板
の表面にコンビナトリアル合成法によって堆積された光
触媒膜に、触媒反応を起こす溶液を滴下した後、前記光
触媒膜に紫外光または可視光を照射して触媒反応を行わ
せ、その後、前記透明基板を、半導体基板の一方の面に
センサ面を有するとともに、前記半導体基板に対して光
を照射するように構成した光走査型二次元濃度分布測定
装置の前記センサ面の上方に、前記光触媒膜が前記セン
サ面の上面に設けた液体層に接触するようにして設けた
ときの前記光触媒膜におけるpHの変化に基づいて前記
光触媒膜を評価するのである(請求項2)。
The method for evaluating a photocatalyst film according to the present invention may be performed as follows. That is, after dropping a solution that causes a catalytic reaction on the photocatalytic film deposited by the combinatorial synthesis method on the surface of the transparent substrate, the photocatalytic film is irradiated with ultraviolet light or visible light to cause a catalytic reaction, and then, A transparent substrate, having a sensor surface on one surface of a semiconductor substrate, and the photocatalyst above the sensor surface of an optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring device configured to irradiate light to the semiconductor substrate. The photocatalytic film is evaluated based on a change in pH of the photocatalytic film when the film is provided so as to be in contact with the liquid layer provided on the upper surface of the sensor surface (claim 2).

【0011】この場合は、透明基板にコンビナトリアル
合成法によって形成された光触媒膜に紫外光または可視
光を照射して触媒反応を起こさせ、その後、透明基板
を、前記センサ面に設けられた液体層に、光触媒膜が当
接するようにして、pHの変化を観察するものである。
In this case, a photocatalytic film formed on the transparent substrate by a combinatorial synthesis method is irradiated with ultraviolet light or visible light to cause a catalytic reaction. Thereafter, the transparent substrate is placed on the liquid layer provided on the sensor surface. Then, a change in pH is observed with the photocatalyst film in contact with the photocatalyst film.

【0012】前記液体層としては、例えば寒天ゲルやポ
リアクリルアミドゲルなどを用いるのが好ましい。
As the liquid layer, it is preferable to use, for example, agar gel or polyacrylamide gel.

【0013】そして、いずれの光触媒膜の評価方法にお
いても、pHの変化は、pHの異なる領域が検出される
までの時間、反応から一定時間後に形成されたpH変化
の領域のサイズやその領域でのpH値(プロトン量)な
どを解析することにより、触媒活性間後に形成されるp
H領域のサイズや、pH変化領域でさらに生じているp
H値などを解析することにより、把握することができ
る。
In any of the methods for evaluating a photocatalytic film, the change in pH depends on the time until a region having a different pH is detected, the size of the pH change region formed after a certain period of time after the reaction, and the region. By analyzing the pH value (proton amount) of p
The size of the H region and the p that is further generated in the pH change region
It can be grasped by analyzing the H value and the like.

【0014】この発明の光触媒膜の評価方法において
は、触媒膜における反応を画像イメージにより視覚化
し、瞬時に定性的な触媒活性を把握することができると
ともに、pHの変化に基づいて光触媒膜の触媒能力を数
値的に把握することができる。
In the method for evaluating a photocatalyst film according to the present invention, the reaction in the catalyst film is visualized by an image image, and qualitative catalytic activity can be grasped instantaneously. The ability can be grasped numerically.

【0015】そして、この発明の光触媒膜の評価方法に
おいては、透明基板に複数(多数)の光触媒膜を設けて
あっても、各光触媒膜の触媒能力を迅速かつ同時に把握
することができ、コンビナトリアル合成法によって形成
される光触媒膜を効率よくしかも精度よく評価すること
ができる。
In the method for evaluating a photocatalyst film according to the present invention, even if a plurality of (many) photocatalyst films are provided on a transparent substrate, the catalytic ability of each photocatalyst film can be quickly and simultaneously grasped, and the combinatorial The photocatalytic film formed by the synthesis method can be evaluated efficiently and accurately.

【0016】また、請求項2の光触媒膜の評価方法は、
請求項1のそれに比べて、光のセンサ面への影響を全く
考慮せずに測定を行うことができるといった利点があ
る。
The method for evaluating a photocatalyst film according to claim 2 is characterized in that:
Compared with the first aspect, there is an advantage that the measurement can be performed without considering the influence of light on the sensor surface at all.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】図1〜図3は、この発明の第1の
実施の形態を示す。まず、この発明の光触媒膜の評価方
法に用いられる光走査型二次元濃度分布測定装置1につ
いて、図1を参照しながら説明する。
1 to 3 show a first embodiment of the present invention. First, an optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring apparatus 1 used in the photocatalytic film evaluation method of the present invention will be described with reference to FIG.

【0018】図1において、2は測定装置本体で、セン
サ部3とこれに光4を照射するための光照射部5とから
なる。
In FIG. 1, reference numeral 2 denotes a measuring device main body, which comprises a sensor section 3 and a light irradiating section 5 for irradiating the sensor section 3 with light 4.

【0019】前記センサ部3は、例えばシリコンなどの
半導体よりなる基板6の一方の面(図示例では上面)に
SiO2 層7、Si3 4 層8を熱酸化、CVDなどの
手法によって順次形成してなるもので、H+ に応答する
ように形成されている。9はセンサ部3のセンサ面(こ
の場合、Si3 4 層8)を含み、これに臨むようにし
て設けられるセル機能を有するセンサホルダで、樹脂材
料あるいは他の適宜の材料よりなり、溶液やゲルなどを
センサ面8に接触させた状態で収容できるように構成さ
れている。なお、センサ面8は例えば30mm四方の大
きさである。
The sensor section 3 is formed by sequentially applying a SiO 2 layer 7 and a Si 3 N 4 layer 8 on one surface (upper surface in the illustrated example) of a substrate 6 made of a semiconductor such as silicon by a method such as thermal oxidation or CVD. Formed so as to respond to H + . Reference numeral 9 denotes a sensor holder which includes the sensor surface of the sensor unit 3 (in this case, the Si 3 N 4 layer 8) and has a cell function provided so as to face the sensor surface. And the like can be accommodated in a state of being in contact with the sensor surface 8. The sensor surface 8 is, for example, 30 mm square.

【0020】そして、10,11はセンサ面8に臨むよ
うにして設けられる対極、比較電極で、後述するポテン
ショスタット16に接続されている。また、12は半導
体基板6に設けられる電流信号取出し用のオーミック電
極で、後述する電流−電圧変換器17および演算増幅回
路18を介してポテンショスタット16に接続されてい
る。
Reference numerals 10 and 11 are counter electrodes and reference electrodes provided to face the sensor surface 8, and are connected to a potentiostat 16 described later. Reference numeral 12 denotes an ohmic electrode for extracting a current signal provided on the semiconductor substrate 6, and is connected to a potentiostat 16 via a current-voltage converter 17 and an operational amplifier circuit 18, which will be described later.

【0021】また、13はセンサ部3を二次元方向、つ
まり、X方向(図示例では左右方向)とY方向(図示例
では、紙面に垂直な方向)に走査するセンサ部走査装置
で、光照射部5からのセンサ部3への光4の照射を妨げ
ないように構成され、光走査制御装置14からの信号に
よって制御される。
Reference numeral 13 denotes a sensor unit scanning device that scans the sensor unit 3 in a two-dimensional direction, that is, an X direction (horizontal direction in the illustrated example) and a Y direction (a direction perpendicular to the paper surface in the illustrated example). It is configured so as not to hinder the irradiation of the light 4 from the irradiation unit 5 to the sensor unit 3, and is controlled by a signal from the optical scanning control device 14.

【0022】前記光照射部5は、例えばレーザ光源から
なるとともに、半導体基板6の下面側(センサ面8とは
反対側)に設けられており、後述するインタフェースボ
ード19を介して後述するコンピュータ20の制御信号
によって、センサ部走査装置13によって二次元方向に
走査されるセンサ部3の半導体基板6に対して最適なビ
ーム径になるように調整されたレーザ光4を断続的に照
射するように構成されている。
The light irradiating section 5 is composed of, for example, a laser light source, and is provided on the lower surface side of the semiconductor substrate 6 (opposite to the sensor surface 8). In accordance with the control signal, the semiconductor substrate 6 of the sensor unit 3 which is scanned in the two-dimensional direction by the sensor unit scanning device 13 is intermittently irradiated with the laser beam 4 adjusted to have the optimum beam diameter. It is configured.

【0023】15は測定装置本体2を制御するための制
御ボックスであって、半導体基板6に適宜のバイアス電
圧を印加するためのポテンショスタット16、半導体基
板6に形成されたオーミック電極12から取り出される
電流信号を電圧信号に変換する電流−電圧変換器17、
この電流−電圧変換器17からの信号が入力される演算
増幅回路18、この演算増幅回路18と信号を授受した
り、センサ部走査制御装置14に対する制御信号を出力
するインタフェースボード19などよりなる。
Reference numeral 15 denotes a control box for controlling the measuring apparatus main body 2, a potentiostat 16 for applying an appropriate bias voltage to the semiconductor substrate 6, and a control box 15 taken out from the ohmic electrode 12 formed on the semiconductor substrate 6. A current-voltage converter 17, which converts a current signal into a voltage signal,
It comprises an operational amplifier circuit 18 to which a signal from the current-voltage converter 17 is input, an interface board 19 for transmitting and receiving signals to and from the operational amplifier circuit 18 and outputting a control signal to the sensor unit scanning control device 14.

【0024】20は各種の制御や演算を行うとともに、
画像処理機能を有する制御・演算部としてのコンピュー
タ、21は例えばキーボードやマウスなどの入力装置、
22はカラーディスプレイなどの表示装置、23はメモ
リ装置である。
Reference numeral 20 performs various controls and calculations,
A computer as a control / arithmetic unit having an image processing function; 21 is an input device such as a keyboard and a mouse;
22, a display device such as a color display; and 23, a memory device.

【0025】ここで、上記構成の光走査型二次元濃度分
布測定装置1を用いたこの発明の光触媒膜の評価方法を
説明する前に、光触媒膜の形成方法を、図3を参照しな
がら簡単に説明する。
Before describing the method for evaluating a photocatalyst film of the present invention using the optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring apparatus 1 having the above-described configuration, the method for forming a photocatalyst film will be briefly described with reference to FIG. Will be described.

【0026】図3(A)に示すように、紫外光を通過さ
せる透明な基板31を用意する。この透明基板31は、
例えばSrTiO3 (チタン酸ストロンチウム)やAl
2 3 (アルミナ)よりなり、例えば15mm×15m
m程度の大きさ(厚さは0.25〜0.5mm程度)で
ある。
As shown in FIG.
A transparent substrate 31 to be prepared is prepared. This transparent substrate 31
For example, SrTiOThree(Strontium titanate) or Al
TwoO Three(Alumina), for example, 15 mm x 15 m
m (thickness is about 0.25 to 0.5mm)
is there.

【0027】そして、適宜の手法を用いて、前記透明基
板31の一方の面上に、TiO2 をエピタキシャル成長
させ、複数の光触媒膜32を形成する(図3(B)参
照)。この光触媒膜32の一つの大きさは、例えば2m
m×2mm程度(厚さは10-4mm程度)であり、同図
(C)に示すように、例えば9つ形成され、それぞれの
形成条件をコンビナトリアル合成法によって僅かずつ異
ならせてある。例えば、形成時の温度や圧力、添加する
他の物質やその量などが異なるようにするのである。こ
れらの光触媒膜32のそれぞれを、例えば透明基板31
に形成した目印33を基準にして、コンピュータ20に
登録しておく。
[0027] Then, by using the appropriate method, on one surface of the transparent substrate 31, a TiO 2 is epitaxially grown to form a plurality of photocatalytic film 32 (see FIG. 3 (B)). One size of the photocatalytic film 32 is, for example, 2 m
The size is about mx 2 mm (the thickness is about 10 -4 mm). For example, as shown in FIG. 3C, nine pieces are formed, and the forming conditions are slightly different depending on the combinatorial synthesis method. For example, the temperature and pressure at the time of formation, other substances to be added, and the amounts thereof are made different. Each of these photocatalytic films 32 is, for example,
Is registered in the computer 20 on the basis of the mark 33 formed in the computer 20.

【0028】次に、透明基板31上に形成された光触媒
膜32の触媒能力の評価する手法を、図1および図2を
も参照しながら説明する。
Next, a method for evaluating the catalytic ability of the photocatalytic film 32 formed on the transparent substrate 31 will be described with reference to FIGS.

【0029】図1において、41は一方の面に複数の光
触媒膜32を形成した透明基板31(以下、これをサン
プル34という)を保持するためのサンプル保持部材
で、センサホルダ9の上面に着脱自在に設けられ、セン
サホルダ9の一方の上面9aに載置される基台42枢着
された第1挟持部43と、センサホルダ9の他方の上面
9bに載置された基台44に螺着されたねじ部材45に
よって水平方向に移動する第2挟持部材46とからな
り、サンプル34の透明基板31の一対の対辺を着脱自
在に挟持するように構成されている。
In FIG. 1, reference numeral 41 denotes a sample holding member for holding a transparent substrate 31 having a plurality of photocatalyst films 32 formed on one surface (hereinafter referred to as a sample 34). A first holding portion 43, which is freely provided and is mounted on one upper surface 9 a of the sensor holder 9 and is pivotally mounted, and a base 44 mounted on the other upper surface 9 b of the sensor holder 9 are screwed. The second holding member 46 moves in the horizontal direction by the attached screw member 45, and is configured to detachably hold a pair of opposite sides of the transparent substrate 31 of the sample 34.

【0030】また、図1において、51は強力な紫外線
(UV)52を発するUV光源で、少なくともサンプル
34の全面を照射できるように構成されている。
In FIG. 1, reference numeral 51 denotes a UV light source that emits strong ultraviolet rays (UV) 52, and is configured to irradiate at least the entire surface of the sample 34.

【0031】前記サンプル34における光触媒膜32の
評価を行うには、まず、図2(A)に示すように、セン
サ面8の上面に水分を含むことができるが、UV光52
を透過させない液体含有性を有する遮光膜61を密着さ
せる。この遮光膜61としては、黒く染めた濾紙やメン
ブレンフィルタあるいは厚さ1mm以下の黒スポンジま
たはポーラスアルミナなどを用いることができる。そし
て、この遮光膜61に、0.1MKCl相当の導電率を
有し、酸化または還元作用のある溶液、例えば0.1M
KIおよびFe2 (SO4 3 を含む溶液を適量しみ込
ませる。
In order to evaluate the photocatalyst film 32 in the sample 34, first, as shown in FIG. 2A, moisture can be contained on the upper surface of the sensor surface 8;
A light-shielding film 61 having a liquid-containing property that does not allow light to pass therethrough is adhered. As the light shielding film 61, a filter paper or a membrane filter dyed black or a black sponge or porous alumina having a thickness of 1 mm or less can be used. The light-shielding film 61 has a conductivity equivalent to 0.1 M KCl and a solution having an oxidizing or reducing action, for example, 0.1 M KCl.
An appropriate amount of a solution containing KI and Fe 2 (SO 4 ) 3 is impregnated.

【0032】なお、前記溶液を予めしみ込ませてある遮
光膜61を、センサ面8に密着するように配置してもよ
い。
The light-shielding film 61 in which the solution has been impregnated may be arranged so as to be in close contact with the sensor surface 8.

【0033】そして、図3に示すようにして製作された
サンプル34を、その光触媒膜32が遮光膜61に密着
するようにして、前記サンプル保持部材41によって保
持する。この場合、サンプル34における全ての光触媒
膜32を遮光膜61と完全に密着させる。
Then, the sample 34 manufactured as shown in FIG. 3 is held by the sample holding member 41 such that the photocatalytic film 32 is in close contact with the light shielding film 61. In this case, all the photocatalyst films 32 in the sample 34 are completely adhered to the light shielding film 61.

【0034】前記状態で、UV光源51からUV光52
をサンプル34に照射すると、このUV光52は、透明
基板31を通過して9つの光触媒膜32に至る。このU
V光52の照射を受けた光触媒膜32においては、H2
Oの分解反応を起こし、これによってH+ が生じ、光触
媒膜32のセンサ面8に接している部分のpHに変化が
生ずる。このpH変化は、微小な領域でのみ計測できる
ものであり、前記光走査型二次元濃度分布測定装置1に
よって検出可能な変化である。
In the above state, the UV light source 51 sends the UV light 52
Is irradiated on the sample 34, the UV light 52 passes through the transparent substrate 31 and reaches the nine photocatalyst films 32. This U
In the photocatalytic film 32 irradiated with the V light 52, H 2
O is decomposed to generate H + , and the pH of the portion of the photocatalytic film 32 that is in contact with the sensor surface 8 changes. This pH change can be measured only in a minute area, and is a change that can be detected by the optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring device 1.

【0035】そこで、図1および図2(B)に示すよう
に、対極10、比較電極11を、遮光膜61に到達する
ように装着し、半導体基板6に空乏層が発生するよう
に、ポテンショスタット16からの直流電圧を比較電極
11とオーミック電極12との間に印加して、半導体基
板6に所定のバイアス電圧を印加する。この状態で半導
体基板6に対してレーザ光4を一定周期(例えば、10
kHz)で断続的に照射することによって半導体基板6
に交流光電流を発生させる。このレーザ光4の断続照射
は、コンピュータ20の制御信号がインタフェースボー
ド19を介して入力されることによって行われる。前記
光電流は、半導体基板6の照射点に対向する点で、セン
サ面8に接している遮光膜61におけるpHを反映した
値であり、その値を測定することにより、この部分での
pH値を知ることができる。
Therefore, as shown in FIGS. 1 and 2B, the counter electrode 10 and the reference electrode 11 are mounted so as to reach the light-shielding film 61, and the potential is set so that a depletion layer is generated in the semiconductor substrate 6. A DC voltage from the stat 16 is applied between the comparison electrode 11 and the ohmic electrode 12 to apply a predetermined bias voltage to the semiconductor substrate 6. In this state, the laser light 4 is applied to the semiconductor substrate 6 at a constant cycle (for example, 10
kHz), the semiconductor substrate 6 is illuminated intermittently.
To generate an AC photocurrent. The intermittent irradiation of the laser light 4 is performed by inputting a control signal of the computer 20 through the interface board 19. The photocurrent is a value reflecting the pH of the light-shielding film 61 in contact with the sensor surface 8 at a point facing the irradiation point of the semiconductor substrate 6, and by measuring the value, the pH value at this portion You can know.

【0036】さらに、センサ部走査装置13によって、
センサ部3を二次元方向(X,Y方向)に移動させるこ
とにより、半導体基板6にはレーザ光4が二次元方向に
走査されるようにして照射され、遮光膜61における位
置信号(X,Y)と、その場所で観測された交流光電流
値により、表示装置22の画面上に、図2(C)に示す
ように、遮光膜61に形成されるpH分布の状態を表す
二次元画像71が表示される。
Further, by the sensor section scanning device 13,
By moving the sensor unit 3 in the two-dimensional direction (X, Y directions), the semiconductor substrate 6 is irradiated with the laser beam 4 so as to be scanned in the two-dimensional direction, and the position signal (X, Y), and a two-dimensional image showing the state of the pH distribution formed on the light-shielding film 61 on the screen of the display device 22 as shown in FIG. 71 is displayed.

【0037】前記画像表示は、例えば次のようにして行
われる。今、イメージサイズが2cm×2cmとし、ピ
クセルサイズが100μmであるとすると、各測定点
(200×200)でのpH値は、測定点の位置座標に
対応して並べられる。並べられた値は、グレースケール
またはカラースケールに対応させて、例えばSTM(走
査型トンネル顕微鏡)像に類する化学画像71として表
示される。
The image display is performed, for example, as follows. Assuming now that the image size is 2 cm × 2 cm and the pixel size is 100 μm, the pH values at each measurement point (200 × 200) are arranged corresponding to the position coordinates of the measurement points. The arranged values are displayed as a chemical image 71 similar to, for example, an STM (scanning tunneling microscope) image corresponding to a gray scale or a color scale.

【0038】そして、前記コンピュータ20において
は、光触媒膜32において触媒反応を生じさせてから、
pH値がセンサ面8によって検出されるまでの時間や、
一定時間後に形成されるpH変化領域のサイズや、pH
変化領域内にさらに生じているpH分布などを解析する
ことができる。
Then, in the computer 20, after a catalytic reaction occurs in the photocatalytic film 32,
the time until the pH value is detected by the sensor surface 8,
The size of the pH change region formed after a certain time, pH
It is possible to analyze the pH distribution and the like that further occur in the change region.

【0039】上述の説明から理解されるように、この発
明の光触媒膜の評価方法で用いる光走査型二次元濃度分
布測定装置1は、微小な領域における微小なpH変化を
も的確にしかも迅速に把握することができ、これを画像
処理して表示装置22の画面上に二次元画像71として
表示することができる。したがって、この発明の光触媒
膜の評価方法によれば、従来に比べて簡便にしかも迅速
に光触媒膜32の評価を行うことができる。
As will be understood from the above description, the optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring apparatus 1 used in the method for evaluating a photocatalytic film of the present invention can accurately and quickly detect even a small pH change in a very small area. This can be grasped, image-processed, and displayed on the screen of the display device 22 as a two-dimensional image 71. Therefore, according to the method for evaluating a photocatalyst film of the present invention, the evaluation of the photocatalyst film 32 can be performed more easily and quickly than in the past.

【0040】すなわち、遮光膜61におけるpH分布を
観察することにより、光触媒膜32内におけるプロトン
の動きを観察することができ、これに基づいて、光触媒
膜32の触媒能力を定量的に評価することができ、それ
らを評価する指標を得ることができる。言い換えれば、
光触媒膜32をその実体に即して直接的に評価すること
ができ、したがって、光触媒膜32の触媒能力を精度よ
く確実に評価することができる。
That is, by observing the pH distribution in the light-shielding film 61, it is possible to observe the movement of protons in the photocatalytic film 32, and to quantitatively evaluate the catalytic ability of the photocatalytic film 32 based on this. And an index for evaluating them can be obtained. In other words,
The photocatalytic film 32 can be directly evaluated in accordance with its substance, and therefore, the catalytic ability of the photocatalytic film 32 can be accurately and reliably evaluated.

【0041】そして、上記光触媒膜の評価方法において
は、微小な領域における微小なpH変化をも的確にしか
も迅速に把握することができ、これを画像処理して表示
装置22の上に二次元画像71として表示するものであ
るので、複数の光触媒膜32の触媒能力を個別に測定す
ることができ、より細かな評価を行うことができる。
In the above-described method for evaluating a photocatalytic film, even a minute pH change in a minute region can be accurately and promptly grasped. Since it is indicated as 71, the catalytic ability of the plurality of photocatalyst films 32 can be measured individually, and more detailed evaluation can be performed.

【0042】図4は、この発明の第2の実施の形態を示
すもので、この実施の形態における光触媒膜の評価方法
は、上述の第1の実施の形態と異なり、触媒反応を光走
査型二次元濃度分布測定装置1のセンサ面8において行
なうのではなく、別の部位で行い、触媒反応が進んでい
るサンプル34を、センサ面8に設けられた液体層に、
光触媒膜が当接して載置し、光触媒膜32におけるpH
の変化を観察するものである。
FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention. The method for evaluating a photocatalytic film in this embodiment differs from the first embodiment in that the catalytic reaction is performed by an optical scanning type. Rather than being performed on the sensor surface 8 of the two-dimensional concentration distribution measuring device 1, it is performed on another site, and the sample 34 in which the catalytic reaction has progressed is applied to the liquid layer provided on the sensor surface 8.
The photocatalyst film was placed in contact with the photocatalyst film,
Observe the change in

【0043】この実施の形態において用いる部材は、第
1の実施の形態において用いた部材と同様のものを用い
る。すなわち、図4(A)に示すように、サンプル34
を、光触媒膜32が上方になるようにしてUV光源51
の下方に設ける。そして、触媒反応を起こす溶液、すな
わち、0.1MKCl相当の導電率を有し、酸化または
還元作用のある溶液、例えば0.1MKClおよびFe
2 (SO4 3 を含む溶液81を適宜の部材82を用い
て、各光触媒膜32に例えば0.1μlずつ滴下する。
そして、前記UV光源51によって各光触媒膜32の全
面を照射する。これによって、光触媒膜32においては
触媒反応が行なわれ、H2 Oの分解反応が行なわれ、H
+ が生ずる。
The members used in this embodiment are the same as the members used in the first embodiment. That is, as shown in FIG.
To the UV light source 51 so that the photocatalyst film 32 faces upward.
Provided below. Then, a solution causing a catalytic reaction, that is, a solution having a conductivity equivalent to 0.1 M KCl and having an oxidizing or reducing action, for example, 0.1 M KCl and Fe
A solution 81 containing 2 (SO 4 ) 3 is dropped on each photocatalyst film 32 by, for example, 0.1 μl using an appropriate member 82.
Then, the entire surface of each photocatalytic film 32 is irradiated by the UV light source 51. As a result, a catalytic reaction is performed in the photocatalytic film 32, and a decomposition reaction of H 2 O is performed.
+ Occurs.

【0044】次いで、前記センサ面8の上面に、0.1
MKCl相当の導電率を有するゲルフィルム91を密着
するようにして設ける。このゲルフィルム91は、例え
ば0.1MKClと1.5%の寒天を含む溶液を適宜の
温度で加熱した後、冷却することにより形成できる。
Next, the upper surface of the sensor surface 8
A gel film 91 having a conductivity equivalent to MKCl is provided in close contact. The gel film 91 can be formed, for example, by heating a solution containing 0.1 M KCl and 1.5% agar at an appropriate temperature and then cooling.

【0045】そして、前記ゲルフィルム91の上面に、
光触媒膜32において触媒反応が生じているサンプル3
4を、その光触媒膜32をゲルフィルム91に密着する
ようにして設ける。そして、図4(B)に示すように、
対極10、比較電極11を、ゲルフィルム91に到達す
るように装着して、所定のバイアス電圧を印加すると、
上記第1の実施の形態と同様に、表示装置22の上に二
次元画像71が表示される(図4(C)参照)。
Then, on the upper surface of the gel film 91,
Sample 3 in which a catalytic reaction has occurred in the photocatalytic film 32
4 is provided such that the photocatalyst film 32 is in close contact with the gel film 91. Then, as shown in FIG.
When the counter electrode 10 and the comparative electrode 11 are mounted so as to reach the gel film 91 and a predetermined bias voltage is applied,
As in the first embodiment, a two-dimensional image 71 is displayed on the display device 22 (see FIG. 4C).

【0046】なお、上述の光走査型二次元濃度分布測定
装置1において、比較電極11を省略し、対極10を介
してバイアス電圧を印加してもよい。但し、比較電極1
1を設けていた場合の方が半導体基板6にバイアス電圧
をより安定に印加することができる。
In the optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring apparatus 1 described above, the comparison electrode 11 may be omitted and a bias voltage may be applied via the counter electrode 10. However, reference electrode 1
1 can more stably apply a bias voltage to the semiconductor substrate 6.

【0047】そして、上記光走査型二次元濃度分布測定
装置1において、センサ部3をX,Y方向に移動させる
のに代えて、光照射部5に光照射部走査装置を設け、光
照射部5をX,Y方向に移動させるようにしてもよく、
また、光照射部5とセンサ部3との間にレーザ光走査装
置を設け、レーザ光4をX,Y方向に移動させるように
してもよい。
In the light scanning type two-dimensional density distribution measuring apparatus 1, instead of moving the sensor unit 3 in the X and Y directions, a light irradiation unit scanning device is provided in the light irradiation unit 5, 5 may be moved in the X and Y directions,
Further, a laser beam scanning device may be provided between the light irradiation unit 5 and the sensor unit 3 to move the laser beam 4 in the X and Y directions.

【0048】さらに、上記光走査型二次元濃度分布測定
装置1においては、光照射部5によるレーザ光4を半導
体基板6のセンサ面8とは反対側から照射するようにし
ていたが、これに代えて、センサ面8側から照射するよ
うにしてもよい。そして、光照射部5として、例えば特
開平8−213580号公報に示されるように、半導体
基板6に組み込まれた光照射部を採用してもよい。
Further, in the optical scanning type two-dimensional density distribution measuring apparatus 1, the laser beam 4 from the light irradiating section 5 is irradiated from the side opposite to the sensor surface 8 of the semiconductor substrate 6. Alternatively, irradiation may be performed from the sensor surface 8 side. As the light irradiating section 5, a light irradiating section incorporated in the semiconductor substrate 6 may be employed as shown in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-213580.

【0049】そして、上記光触媒膜の評価方法において
は、光触媒膜32に対してUV光源51からのUV光5
2を照射しているが、これに代えて、太陽光など可視光
を照射するようにしてもよい。また、光触媒膜32に照
射する光の波長を段階的または連続的に変化させるよう
にしてもよく、その場合、どの波長を境にしてpHが変
化するのかなどを観察し、これを触媒能力評価の指標と
することができる。
In the method for evaluating the photocatalyst film, the photocatalyst film 32 is irradiated with the UV light 5 from the UV light source 51.
In this case, visible light such as sunlight may be irradiated instead. In addition, the wavelength of the light applied to the photocatalyst film 32 may be changed stepwise or continuously. In this case, the wavelength at which the pH changes is observed, and this is used to evaluate the catalytic ability. Index.

【0050】また、透明基板31には前記9を越える個
数の光触媒膜32を形成してもよく、逆に、光触媒膜3
2を一つだけ設けてもよい。
Further, the number of photocatalyst films 32 exceeding nine may be formed on the transparent substrate 31.
Only two may be provided.

【0051】なお、上述の各実施の形態においては、コ
ンビナトリアル合成法によって形成された光触媒膜32
を評価するものであったが、この発明はこれに限られる
ものではなく、コンビナトリアル合成法によって合成さ
れる他の材料(金属や機能性膜)の評価にも同様に適用
することができる。
In each of the above embodiments, the photocatalytic film 32 formed by the combinatorial synthesis method is used.
However, the present invention is not limited to this, and can be similarly applied to the evaluation of other materials (metals and functional films) synthesized by a combinatorial synthesis method.

【0052】[0052]

【発明の効果】この発明の光触媒膜の評価方法によれ
ば、コンビナトリアル合成法によって合成された光触媒
膜など材料の触媒機能を、極めて簡便かつ迅速に、しか
も、精度よく確実に評価することができ、新規で有用な
光触媒膜の研究・開発に大きく寄与することができる。
According to the method for evaluating a photocatalyst film of the present invention, the catalytic function of a material such as a photocatalyst film synthesized by a combinatorial synthesis method can be evaluated very simply, quickly and accurately. Can greatly contribute to the research and development of new and useful photocatalytic films.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施の形態の光触媒膜の評価方法に用い
る装置の全体構成を概略的に示す図である。
FIG. 1 is a diagram schematically showing an entire configuration of an apparatus used for a method for evaluating a photocatalytic film according to a first embodiment.

【図2】前記評価方法を説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining the evaluation method.

【図3】前記評価方法に用いるサンプルの製造方法を概
略的に示す図である。
FIG. 3 is a diagram schematically showing a method of manufacturing a sample used in the evaluation method.

【図4】第2の実施の形態の光触媒膜の評価方法を説明
するための図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a method for evaluating a photocatalytic film according to a second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…光走査型二次元濃度分布測定装置、4…光、6…半
導体基板、8…センサ面、31…透明基板、32…光触
媒膜、52…紫外光、61…遮光膜、81…触媒反応を
起こす溶液、91…液体層。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical scanning type two-dimensional density distribution measuring apparatus, 4 ... Light, 6 ... Semiconductor substrate, 8 ... Sensor surface, 31 ... Transparent substrate, 32 ... Photocatalytic film, 52 ... Ultraviolet light, 61 ... Light shielding film, 81 ... Catalytic reaction , A liquid layer that causes the

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大森 隆 京都府相楽郡木津町木津川台9丁目2番地 財団法人地球環境産業技術研究機構内 (72)発明者 鈴木 栄二 京都府相楽郡木津町木津川台9丁目2番地 財団法人地球環境産業技術研究機構内 (72)発明者 野村 聡 京都府京都市南区吉祥院宮の東町2番地 株式会社堀場製作所内 (72)発明者 松本 祐司 神奈川県横浜市青葉区青葉台1丁目6番1 号 アーバンリゾート青葉台101号室 (72)発明者 鯉沼 秀臣 東京都杉並区荻窪3丁目47番8号 Fターム(参考) 2G060 AA08 AA20 AE18 AE40 AF03 AG11 HC10 4G069 AA20 BA48A CC33 EA08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Takashi Omori 9-2 Kizugawadai, Kizu-cho, Kizu-cho, Soraku-gun, Kyoto Prefecture Within the Institute for Research on Global Environmental Technology (72) Eiji Suzuki Kizugawadai, Kizu-cho, Satsura-gun, Kyoto 9-chome No.2 Within the Research Institute for Innovative Technology for the Earth (72) Inventor Satoshi Nomura 2 Higashi-cho, Kichijoin-gu, Minami-ku, Kyoto, Kyoto Prefecture Within Horiba, Ltd. (72) Inventor Yuji Matsumoto Aoba-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 1-6-1 Aobadai Urban Resort Aobadai Room 101 (72) Inventor Hideomi Koinuma 3-47-8 Ogikubo, Suginami-ku, Tokyo F-term (reference) 2G060 AA08 AA20 AE18 AE40 AF03 AG11 HC10 4G069 AA20 BA48A CC33 EA08

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体基板の一方の面にセンサ面を有す
るとともに、前記半導体基板に対して光を照射するよう
に構成した光走査型二次元濃度分布測定装置の前記セン
サ面に、液体含有性を有する遮光膜を当接するようにし
て設け、この遮光膜に触媒反応を起こす溶液をしみ込ま
せ、さらに、この遮光膜の上方に、コンビナトリアル合
成法によって光触媒膜を堆積させた透明基板を、前記光
触媒膜が遮光膜に接触するようにして設け、前記透明基
板を通して紫外光または可視光を照射したときの前記光
触媒膜におけるpHの変化に基づいて前記光触媒膜を評
価するようにしたことを特徴とする光触媒膜の評価方
法。
1. A semiconductor substrate having a sensor surface on one surface and a liquid-containing two-dimensional concentration distribution measuring device configured to irradiate the semiconductor substrate with light. A light-shielding film having a photocatalytic film is provided in contact with the light-shielding film, and a solution causing a catalytic reaction is impregnated into the light-shielding film. The film is provided so as to be in contact with the light-shielding film, and the photocatalytic film is evaluated based on a change in pH in the photocatalytic film when ultraviolet light or visible light is irradiated through the transparent substrate. Evaluation method of photocatalytic film.
【請求項2】 透明基板の表面にコンビナトリアル合成
法によって堆積された光触媒膜に、触媒反応を起こす溶
液を滴下した後、前記光触媒膜に紫外光または可視光を
照射して触媒反応を行わせ、その後、前記透明基板を、
半導体基板の一方の面にセンサ面を有するとともに、前
記半導体基板に対して光を照射するように構成した光走
査型二次元濃度分布測定装置の前記センサ面の上方に、
前記光触媒膜が前記センサ面の上面に設けた液体層に接
触するようにして設けたときの前記光触媒膜におけるp
Hの変化に基づいて前記光触媒膜を評価するようにした
ことを特徴とする光触媒膜の評価方法。
2. A solution causing a catalytic reaction is dropped on a photocatalytic film deposited on a surface of a transparent substrate by a combinatorial synthesis method, and then the photocatalytic film is irradiated with ultraviolet light or visible light to cause a catalytic reaction, Then, the transparent substrate,
Having a sensor surface on one surface of the semiconductor substrate, above the sensor surface of the optical scanning type two-dimensional concentration distribution measuring device configured to irradiate the semiconductor substrate with light,
P in the photocatalytic film when the photocatalytic film is provided so as to contact a liquid layer provided on the upper surface of the sensor surface.
A method for evaluating a photocatalytic film, wherein the photocatalytic film is evaluated based on a change in H.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002031612A (en) * 2000-07-14 2002-01-31 Japan Atom Energy Res Inst Method for evaluating photocatalytic performance by measuring quantity of pulse light excited surface hole
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