JP2001177387A - Load driver - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、バッテリなど電源
の逆接続保護機能を有する負荷駆動装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a load driving device having a function of protecting a power supply such as a battery from being reversely connected.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電気負荷を駆動制御するためのスイッチ
素子としてパワーＭＯＳトランジスタが用いられる。Ｍ
ＯＳトランジスタには、ソース領域とバックゲート領域
間およびドレイン領域とバックゲート領域間に各々寄生
ダイオードが形成され、従来一般にソース領域とバック
ゲート領域とを短絡して使用されるため、例えばＮチャ
ンネルのパワーＭＯＳトランジスタの場合は、ドレイン
側がカソードで、ソース側がアノードの寄生ダイオード
が形成されている。2. Description of the Related Art A power MOS transistor is used as a switch element for driving and controlling an electric load. M
In the OS transistor, a parasitic diode is formed between the source region and the back gate region and between the drain region and the back gate region, and is generally used by short-circuiting the source region and the back gate region. In the case of a power MOS transistor, a parasitic diode having a cathode on the drain side and an anode on the source side is formed.
【０００３】負荷を駆動するバッテリが正常に接続され
ている状態では、ＭＯＳトランジスタと並列に形成され
る寄生ダイオードが逆バアイスされるから、ＭＯＳトラ
ンジスタの作動に影響を与えない。しかし寄生ダイオー
ドが順方向となるようなバッテリの逆接続状態では、Ｍ
ＯＳトランジスタのオン、オフとは無関係に寄生ダイオ
ードを介して負荷に電流を流してしまうという不具合が
生じる。そのため、ＭＯＳトランジスタを用いた負荷駆
動装置では、バッテリを逆接続した場合に逆方向電流の
発生を防止する保護機能が必要になる。When a battery for driving a load is normally connected, a parasitic diode formed in parallel with the MOS transistor is reverse-biased, so that the operation of the MOS transistor is not affected. However, in the reverse connection state of the battery in which the parasitic diode is in the forward direction, M
There is a problem that a current flows to a load via a parasitic diode regardless of whether the OS transistor is on or off. Therefore, in a load driving device using a MOS transistor, a protection function for preventing generation of a reverse current when a battery is reversely connected is required.
【０００４】逆接続保護機能を有する負荷駆動装置とし
ては、例えば図５に示すような回路が特開平１１−１４
６５５８号公報に提案されている。この回路では、負荷
駆動手段として用いられるＭＯＳトランジスタ１２１
は、逆電流遮断用ＭＯＳトランジスタ１２０を介して負
荷１５０を駆動するようになっている。バッテリのプラ
ス端を電源端子１００に、マイナス端を接地された電源
端子１０１に接続した正常接続状態では、光スイッチ１
４１がオンするので、逆電流遮断用ＭＯＳトランジスタ
１２０がオンになる。これによって、ＭＯＳトランジス
タ１２１は駆動回路１１０を介して入力された制御信号
に従ってオンオフし、負荷１５０に流す電流を制御する
ことができる。As a load driving device having a reverse connection protection function, for example, a circuit as shown in FIG.
No. 6558 is proposed. In this circuit, a MOS transistor 121 used as a load driving unit is used.
Drives the load 150 via the reverse current interrupting MOS transistor 120. In a normal connection state where the positive terminal of the battery is connected to the power terminal 100 and the negative terminal is connected to the grounded power terminal 101, the optical switch 1
Since 41 is turned on, the reverse current cutoff MOS transistor 120 is turned on. Thus, the MOS transistor 121 is turned on / off according to the control signal input via the drive circuit 110, and can control the current flowing to the load 150.
【０００５】バッテリが逆接続されたときは、光スイッ
チ１４１がオフになり、逆電流遮断用ＭＯＳトランジス
タ１２０がオフになる。またこのとき寄生ダイオード１
３０はカソード側が高電圧となるから、逆バイアスされ
て、ＭＯＳトランジスタ１２１の寄生ダイオードは負荷
１５０に電流を流すことができず、負荷１５０を構成す
る電子機器などが逆方向電流で破壊されることがない。When the battery is reversely connected, the optical switch 141 is turned off and the reverse current cutoff MOS transistor 120 is turned off. At this time, the parasitic diode 1
30 is reverse-biased because the cathode side has a high voltage, the parasitic diode of the MOS transistor 121 cannot flow current to the load 150, and the electronic devices and the like constituting the load 150 are destroyed by the reverse current. There is no.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の装置にあっては、逆電流遮断用ＭＯＳトラ
ンジスタ１２０が負荷１５０とＭＯＳトランジスタ１２
１で構成される電流回路に直列に接続されているから、
バッテリが正常接続で、負荷１５０に電流が流れると
き、ＭＯＳトランジスタ１２０上で電圧降下が生じ、回
路の出力電圧が低くなるという問題があった。However, in the conventional device as described above, the reverse current cut-off MOS transistor 120 includes the load 150 and the MOS transistor 12.
Because it is connected in series to the current circuit composed of
When a current flows through the load 150 when the battery is connected normally, there is a problem that a voltage drop occurs on the MOS transistor 120 and the output voltage of the circuit decreases.
【０００７】この電圧降下を減らすために、逆電流遮断
用ＭＯＳトランジスタ１２０はＭＯＳトランジスタ１２
１と同等容量のものでなければならず、コストの上昇を
もたらす。また負荷を駆動する電流が大きく、ＭＯＳト
ランジスタ１２１に冷却装置を取り付けた場合には、Ｍ
ＯＳトランジスタ１２０にも冷却装置が必要になり、装
置全体の構造が複雑になるという問題があった。In order to reduce this voltage drop, the reverse current cutoff MOS transistor 120 is
It must be of the same capacity as 1, which leads to an increase in cost. When the current for driving the load is large and a cooling device is attached to the MOS transistor 121, M
A cooling device is also required for the OS transistor 120, and there is a problem that the structure of the entire device becomes complicated.
【０００８】さらに、上記のように１つの負荷に対して
１つの逆電流遮断用ＭＯＳトランジスタが必要なため、
例えば図６に示すように負荷２５０、２５１、２５２と
負荷が複数ある場合は、電源端子２００、２０１に接続
されるバッテリの逆接続に対処するため、それぞれの負
荷の駆動を行うＭ０Ｓトランジスタ２２１、２２３、２
２５の電流回路に逆電流遮断ＭＯＳトランジスタ２２
０、２２２、２２４を接続する必要があり、コストがさ
らに上昇し、装置の構成が複雑になるという問題があっ
た。本発明は、簡易な構成でバッテリ逆接保護を行い、
且つバッテリが正常接続時には電圧降下を起こさない負
荷駆動装置を提供することを目的としている。Further, since one reverse current cutoff MOS transistor is required for one load as described above,
For example, as shown in FIG. 6, when there are a plurality of loads 250, 251 and 252 and a plurality of loads, in order to cope with the reverse connection of the batteries connected to the power supply terminals 200 and 201, the MOS transistor 221 for driving each load is provided. 223, 2
25 reverse current cutoff MOS transistor 22
0, 222, and 224 need to be connected, which further increases the cost and complicates the configuration of the apparatus. The present invention performs a reverse battery connection protection with a simple configuration,
It is another object of the present invention to provide a load driving device that does not cause a voltage drop when a battery is normally connected.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】このため、請求項１記載
の発明は、負荷と該負荷への通電を制御するパワーＭＯ
Ｓトランジスタが直列に電源に接続された負荷駆動装置
において、パワーＭＯＳトランジスタのバックゲートを
ソース側に接続、遮断するスイッチ手段を有するものと
した。According to the present invention, a load and a power MO for controlling energization of the load are provided.
In a load drive device in which S transistors are connected in series to a power supply, a switch means for connecting and disconnecting the back gate of the power MOS transistor to the source side is provided.
【００１０】請求項２記載の発明は、パワーＭＯＳトラ
ンジスタがＮチャンネル型であり、負荷が電源プラス端
設定側と前記パワーＭＯＳトランジスタのドレインの間
に接続され、パワーＭＯＳトランジスタのソースが電源
マイナス端設定側に接続され、スイッチ手段は前記バッ
クゲートと電源マイナス端設定側の間に接続され、電源
の極性にしたがって開閉するように設定されているもの
とした。According to a second aspect of the present invention, the power MOS transistor is an N-channel type, a load is connected between the power supply positive terminal setting side and the drain of the power MOS transistor, and the source of the power MOS transistor has a power supply negative terminal. The switch means is connected to the setting side, and the switch means is connected between the back gate and the power supply minus end setting side, and is set to open and close according to the polarity of the power supply.
【００１１】請求項３記載の発明は、パワーＭＯＳトラ
ンジスタがＮチャンネル型であり、負荷が電源マイナス
端設定側とパワーＭＯＳトランジスタのソースの間に接
続され、パワーＭＯＳトランジスタのドレインが電源プ
ラス端設定側に接続され、スイッチ手段は前記バックゲ
ートと電源マイナス端設定側の間に接続され、電源の極
性にしたがって開閉するように設定されているものとし
た。According to a third aspect of the present invention, the power MOS transistor is an N-channel type, the load is connected between the power supply negative terminal setting side and the source of the power MOS transistor, and the drain of the power MOS transistor has the power supply positive terminal setting. And the switch means is connected between the back gate and the power supply negative terminal setting side, and is set to open and close according to the polarity of the power supply.
【００１２】請求項４記載の発明は、複数の負荷と各負
荷への通電をそれぞれ制御する複数のパワーＭＯＳトラ
ンジスタを備え、各負荷と対応するパワーＭＯＳトラン
ジスタとがそれぞれ直列に電源に接続された負荷駆動装
置において、前記複数のパワーＭＯＳトランジスタに共
通に設けられ、各バックゲートをソース側に接続、遮断
するスイッチ手段を有するものとした。According to a fourth aspect of the present invention, there are provided a plurality of loads and a plurality of power MOS transistors for respectively controlling energization to each load, and each load and the corresponding power MOS transistor are respectively connected to a power supply in series. In the load driving device, a switch means is provided commonly to the plurality of power MOS transistors, and connects and disconnects each back gate to the source side.
【００１３】請求項５記載の発明は、各パワーＭＯＳト
ランジスタがＮチャンネル型であり、各負荷が対応する
パワーＭＯＳトランジスタのドレインと電源プラス端設
定側の間に接続され、各パワーＭＯＳトランジスタのソ
ースが電源マイナス端設定側に接続され、前記スイッチ
手段は互いに接続された各パワーＭＯＳトランジスタの
バックゲートと電源マイナス端設定側の間に接続され、
電源の極性にしたがって開閉するように設定されている
ものとした。According to a fifth aspect of the present invention, each power MOS transistor is an N-channel type, each load is connected between the drain of the corresponding power MOS transistor and the power supply plus terminal setting side, and the source of each power MOS transistor is connected. Is connected to the power supply negative terminal setting side, and the switch means is connected between the back gate of each power MOS transistor connected to each other and the power supply negative terminal setting side,
The opening and closing are set according to the polarity of the power supply.
【００１４】請求項６記載の発明は、各パワーＭＯＳト
ランジスタがＮチャンネル型であり、各負荷が対応する
パワーＭＯＳトランジスタのソースと電源マイナス端設
定側の間に接続され、各パワーＭＯＳトランジスタのド
レインが電源プラス端設定側に接続され、前記スイッチ
手段は互いに接続された各パワーＭＯＳトランジスタの
バックゲートと電源マイナス端設定側の間に接続され、
電源の極性にしたがって開閉するように設定されている
ものとした。According to a sixth aspect of the present invention, each power MOS transistor is an N-channel type, each load is connected between the source of the corresponding power MOS transistor and the power supply minus end setting side, and the drain of each power MOS transistor is connected. Is connected to the power supply positive terminal setting side, and the switch means is connected between the back gate of each power MOS transistor connected to each other and the power supply negative terminal setting side,
The opening and closing are set according to the polarity of the power supply.
【００１５】[0015]
【効果】請求項１記載の発明では、負荷への通電を制御
するパワーＭＯＳトランジスタのバックゲートとソース
側の間にスイッチ手段が設けられ、スイッチ手段の制御
でバックゲートとソース側の接続を遮断することができ
る。バックゲートがソース側との接続を切り離された自
由状態では、ソースとドレインの間に形成される寄生ダ
イオードは、負荷に電流を流さないから、電源極性が逆
になったとき、スイッチ手段をオフさせることによって
逆方向の電流で負荷が破壊されることを防止することが
できる。According to the first aspect of the present invention, the switch means is provided between the back gate and the source side of the power MOS transistor for controlling the power supply to the load, and the connection between the back gate and the source side is cut off by the control of the switch means. can do. In the free state where the back gate is disconnected from the source, the parasitic diode formed between the source and drain does not conduct current to the load. By doing so, it is possible to prevent the load from being destroyed by the reverse current.
【００１６】請求項２記載の発明では、電源のプラス端
を電源プラス端設定側、マイナス端を電源マイナス端設
定側に接続した正常接続状態では、スイッチ手段によっ
てパワーＭＯＳトランジスタのバックゲートが電源マイ
ナス端経由でソースに接続されるから、パワーＭＯＳト
ランジスタはスイッチ素子として機能し、制御信号に従
ってオンオフすることによって、負荷に流す電流を制御
することができる。According to the second aspect of the present invention, in a normal connection state in which the positive terminal of the power supply is connected to the power supply positive terminal setting side and the negative terminal is connected to the power supply negative terminal setting side, the back gate of the power MOS transistor is switched by the switch means to the power supply negative terminal. Since the power MOS transistor is connected to the source via the end, the power MOS transistor functions as a switch element, and can be turned on / off according to a control signal to control the current flowing to the load.
【００１７】電源が逆接続されたときは、パワーＭＯＳ
トランジスタの駆動回路が機能せず、パワーＭＯＳトラ
ンジスタのゲート電位がバックゲート電位より所定電位
以上にならず、オンすることがない。そして、電源が逆
接続されると、ソースとバックゲートの間の寄生ダイオ
ードはカソード側が高電圧になる逆バイアス状態である
ため、電流が流れない。またドレインとバックゲートの
間の寄生ダイオードにとっては、アノード側が高電圧と
なる順方向であるが、バックゲートとソースに接続され
たスイッチ手段が遮断状態であるためドレイン、バック
ゲート間の寄生ダイオードにも電流が流れない。したが
って、電源が逆接続の場合、寄生ダイオードを含めてパ
ワーＭＯＳトランジスタを通して負荷に逆方向の電流が
流れることはない。When the power supply is reversely connected, the power MOS
The driving circuit of the transistor does not function, the gate potential of the power MOS transistor does not exceed the back gate potential by a predetermined potential or more, and the transistor does not turn on. When the power supply is reversely connected, no current flows through the parasitic diode between the source and the back gate, which is in a reverse bias state in which the cathode side has a high voltage. For the parasitic diode between the drain and the back gate, the anode side is in the forward direction where the voltage is high, but since the switch means connected to the back gate and the source is in the cut-off state, the parasitic diode between the drain and the back gate is No current flows. Therefore, when the power supply is reversely connected, no reverse current flows to the load through the power MOS transistor including the parasitic diode.
【００１８】このようにバックゲートとソース側間の接
続を制御するだけで、電源が逆接続のとき、逆方向電流
の発生を防止でき、よって負荷の電流回路に逆電流遮断
用ＭＯＳトランジスタを設けて電流を遮断するのと比べ
ると、構成が簡単でかかるコストが少ない。またスイッ
チ手段は負荷の電流通路に介在しないので、電源が正常
接続でパワーＭＯＳトランジスタが負荷を駆動する時、
電圧降下を招くことがないという効果が得られる。ま
た、バックゲートの電位制御にかかる電流が僅かなた
め、負荷を駆動する電流が大であっても、スイッチ手段
は小容量のものでよく、熱放散対策を施す必要もない。By controlling the connection between the back gate and the source side in this way, it is possible to prevent the generation of a reverse current when the power supply is reversely connected. Therefore, a reverse current cutoff MOS transistor is provided in the current circuit of the load. The configuration is simpler and the cost is lower than when the current is cut off. Also, since the switch means is not interposed in the current path of the load, when the power supply is normally connected and the power MOS transistor drives the load,
The effect of not causing a voltage drop is obtained. Further, since the current for controlling the potential of the back gate is small, even if the current for driving the load is large, the switch means may be of a small capacity, and it is not necessary to take measures against heat dissipation.
【００１９】請求項３記載の発明では、負荷がパワーＭ
ＯＳトランジスタのドレイン側に接続される上記請求項
２のものに対して、負荷をパワーＭＯＳトランジスタの
ソースと電源のマイナス端の間に接続した駆動装置にお
いて、パワーＭＯＳトランジスタのバックゲートは請求
項２と同じようにスイッチ手段によって、ソース側との
接続をオンオフできるようにしたから、この駆動方式で
も請求項２と同じ効果が得られる。According to the third aspect of the present invention, when the load is the power M
In the driving device in which the load is connected between the source of the power MOS transistor and the minus terminal of the power supply, the back gate of the power MOS transistor is connected to the drain of the OS transistor. Since the connection to the source side can be turned on and off by the switch means in the same manner as described above, the same effect as in claim 2 can be obtained in this driving method.
【００２０】請求項４記載の発明では、複数の負荷が独
立にパワーＭＯＳトランジスタで駆動されるように構成
され、これらのパワーＭＯＳトランジスタのバックゲー
トが共通のスイッチ手段によってソース側との接続をオ
ンオフされるようにしたから、上記請求項１のものと同
じ効果が得られるとともに、複数の負荷に対しても、１
つのスイッチ手段で対処することができ、負荷ごとに逆
電流遮断用ＭＯＳトランジスタが必要な従来のものと比
べると、構成がさらに簡単になり、かかるコストが少な
いという効果が得られる。According to the fourth aspect of the present invention, the plurality of loads are independently driven by the power MOS transistors, and the back gates of these power MOS transistors turn on / off the connection with the source side by common switch means. As a result, the same effect as that of the first aspect can be obtained, and one load can be applied to a plurality of loads.
One switch means can cope with this, and the configuration is further simplified and the cost is reduced as compared with the conventional one which requires a reverse current cutoff MOS transistor for each load.
【００２１】請求項５記載の発明では、上記請求項２の
駆動装置に対して、複数の負荷について１つのスイッチ
手段によってバックゲートとソースの間の接続をオンオ
フするので、負荷が多くても簡単な構成で請求項２と同
じ効果が得られる。According to the fifth aspect of the present invention, the connection between the back gate and the source is turned on / off by a single switch means for a plurality of loads with respect to the driving device of the second aspect, so that even if the load is large, it is simple. With such a configuration, the same effect as that of claim 2 can be obtained.
【００２２】請求項６記載の発明では、負荷がパワーＭ
０Ｓトランジスタのドレイン側に接続された請求項５に
対して、負荷をパワーＭＯＳトランジスタのソース側に
接続したもので、この場合にも各パワーＭＯＳトランジ
スタのバックゲートはスイッチ手段によって、ソース側
との接続をオンオフでき、請求項５と同じ効果が得られ
る。According to the sixth aspect of the present invention, when the load is the power M
The load is connected to the source side of the power MOS transistor in contrast to claim 5 connected to the drain side of the OSS transistor. In this case also, the back gate of each power MOS transistor is connected to the source side by switch means. The connection can be turned on and off, and the same effect as in claim 5 can be obtained.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を実施
例により説明する。図１は、第１の実施例の構成を示す
図である。負荷３５０を駆動する負荷駆動装置３１２
は、駆動回路３１０、パワーＭＯＳトランジスタ３２
０、ＭＯＳトランジスタ３２１および抵抗３４０から構
成される。負荷３５０は、一端がバッテリのプラス端子
を接続する電源端子３００（電源プラス端設定側）に、
他端が端子３０５を介してパワーＭＯＳトランジスタ３
２０のドレインに接続される。パワーＭＯＳトランジス
タ３２０のソースは端子３０３を介して、バッテリのマ
イナス端子を接続する電源端子３０１（電源マイナス端
設定側）と接続される。電源端子３０１は接地（グラウ
ンド）されている。駆動回路３１０は、入力端が端子３
０４、出力端がパワーＭＯＳトランジスタ３２０のゲー
トと接続される。端子３０４には、負荷３５０を駆動す
る制御信号が出力されるようになっている。駆動回路３
１０は、端子３０２、３０３と接続し、電源端子から電
源供給される。Embodiments of the present invention will be described below with reference to examples. FIG. 1 is a diagram showing the configuration of the first embodiment. Load driving device 312 for driving load 350
Are the drive circuit 310 and the power MOS transistor 32
0, a MOS transistor 321 and a resistor 340. One end of the load 350 is connected to the power supply terminal 300 (the power supply positive end setting side) to which the positive terminal of the battery is connected.
The other end is connected to the power MOS transistor 3 via the terminal 305.
20 connected to the drain. The source of the power MOS transistor 320 is connected via a terminal 303 to a power supply terminal 301 (a power supply negative terminal setting side) to which a minus terminal of the battery is connected. The power terminal 301 is grounded. The drive circuit 310 has an input terminal
04, the output terminal is connected to the gate of the power MOS transistor 320; A control signal for driving the load 350 is output to the terminal 304. Drive circuit 3
Numeral 10 is connected to terminals 302 and 303, and power is supplied from a power terminal.
【００２４】パワーＭＯＳトランジスタ３２０は、バッ
クゲートがソースと非短絡の構成で用い、バックゲート
がＭＯＳトランジスタ３２１のソースと接続されてい
る。ＭＯＳトランジスタ３２１のドレインが端子３０３
を介して接地された電源端子３０１に接続されるととも
に、ゲートが抵抗３４０を介して端子３０２から電源端
子３００と接続する。The power MOS transistor 320 has a structure in which the back gate is not short-circuited to the source, and the back gate is connected to the source of the MOS transistor 321. The drain of the MOS transistor 321 is connected to the terminal 303.
And the gate is connected from the terminal 302 to the power supply terminal 300 via the resistor 340.
【００２５】ＭＯＳトランジスタ３２１は、寄生ダイオ
ード３３１に並列に接続されるから、その寄生ダイオー
ド３３２によって負荷３５０に逆方向の電流が発生しな
いようにするために、寄生ダイオード３３２は、カソー
ドがＭＯＳトランジスタ３２０のバックゲート側、アノ
ードが端子３０３側にする必要がある。なお、ＭＯＳト
ランジスタ３２０のバックゲートと電源端子３０３との
間に接続するスイッチ素子としては、バイポーラトラン
ジスタなどＭＯＳトランジスタ以外のスイッチ素子を用
いてもよい。Since the MOS transistor 321 is connected in parallel to the parasitic diode 331, the parasitic diode 332 has a cathode connected to the MOS transistor 320 in order to prevent the parasitic diode 332 from generating a reverse current in the load 350. Must be on the back gate side and the anode on the terminal 303 side. As a switch element connected between the back gate of the MOS transistor 320 and the power supply terminal 303, a switch element other than a MOS transistor such as a bipolar transistor may be used.
【００２６】パワーＭＯＳトランジスタ３２０はＮチャ
ンネルのＭＯＳ型トランジスタで、ドレイン、ソースと
バックゲートの間に形成される寄生ダイオード３３０、
３３１はアノードがバックゲートに、カソードがドレイ
ン、ソース側に形成されている。ＭＯＳトランジスタ３
２１は、同じＮチャンネルのＭＯＳトランジスタで、バ
ックゲートがソースに接続された状態で用い、ソースに
アノード、ドレインにカソードの寄生ダイオード３３２
が形成されている。The power MOS transistor 320 is an N-channel MOS transistor, and includes a parasitic diode 330 formed between a drain, a source and a back gate.
331 has an anode formed on the back gate and a cathode formed on the drain and source sides. MOS transistor 3
Reference numeral 21 denotes an N-channel MOS transistor having a back gate connected to the source, and a parasitic diode 332 having an anode at the source and a cathode at the drain.
Are formed.
【００２７】バッテリのプラス端子を端子３００に、マ
イナス端子を端子３０１に接続した正常接続の場合は、
ＭＯＳトランジスタ３２１のゲートにプラスの電圧が印
可されるから、ＭＯＳトランジスタ３２１がオンになる
ことによって、パワーＭＯＳトランジスタ３２０のバッ
クゲートが端子３０３経由でソースに接続される。この
とき寄生ダイオード３３０は、アノードがグランドに接
続され、逆バイアス状態となる。バックゲートが端子３
０３に接続されることによって、パワーＭＯＳトランジ
スタ３２０は、端子３０４から入力され、駆動回路３１
０によってゲートに印可された制御信号に従ってオンオ
フして負荷３５０に流す電流を制御することができる。In the case of normal connection in which the positive terminal of the battery is connected to the terminal 300 and the negative terminal is connected to the terminal 301,
Since a positive voltage is applied to the gate of the MOS transistor 321, the back gate of the power MOS transistor 320 is connected to the source via the terminal 303 by turning on the MOS transistor 321. At this time, the anode of the parasitic diode 330 is connected to the ground, and the parasitic diode 330 is in a reverse bias state. Back gate is terminal 3
03, the power MOS transistor 320 is input from the terminal 304 and
A 0 allows the current flowing through the load 350 to be turned on and off in accordance with a control signal applied to the gate.
【００２８】一方バッテリが逆接続の場合、ＭＯＳトラ
ンジスタ３２１のゲート電位がソースより以下となるた
め、ＭＯＳトランジスタ３２１がオフ状態になって、パ
ワーＭＯＳトランジスタ３２０のバックゲートの電位は
不安定状態となる。また駆動回路３１０は逆接続状態で
は動作せず、パワーＭＯＳトランジスタ３２０をオンさ
せるために、パワーＭＯＳトランジスタ３２０のゲート
電圧を高くすることはない。このため、パワーＭＯＳト
ランジスタ３２０のゲート電圧がＭＯＳトランジスタ３
２０のバックゲート電圧より所定値以上高くならず、オ
フ状態となる。また、バッテリの電流に対して順方向に
なる寄生ダイオード３３０は寄生ダイオード３３１と寄
生ダイオード３３２を介してグランドに接続されている
が、寄生ダイオード３３１、寄生ダイオード３３２は逆
バイアス状態となるので、寄生ダイオードを通しても負
荷３５０に逆方向の電流が流されない。On the other hand, when the battery is reversely connected, the gate potential of the MOS transistor 321 is lower than that of the source, the MOS transistor 321 is turned off, and the potential of the back gate of the power MOS transistor 320 becomes unstable. . The drive circuit 310 does not operate in the reverse connection state, and does not increase the gate voltage of the power MOS transistor 320 to turn on the power MOS transistor 320. Therefore, the gate voltage of the power MOS transistor 320 is
It does not become higher than the back gate voltage of 20 by a predetermined value or more, and is turned off. Further, the parasitic diode 330 which becomes forward with respect to the battery current is connected to the ground via the parasitic diode 331 and the parasitic diode 332. However, since the parasitic diode 331 and the parasitic diode 332 are in a reverse bias state, the parasitic diode No current flows in the load 350 in the reverse direction through the diode.
【００２９】本実施例は、以上のように構成され、負荷
に流す電流を制御するパワーＭＯＳトランジスタ３２０
のバックゲートの電位をＭＯＳトランジスタ３２１が制
御することによって、逆方向電流の発生を防止するよう
にしたから、バッテリが正常接続で負荷を駆動するとき
に、負荷に流れる電流がＭＯＳトランジスタ３２１を通
らず、ＭＯＳトランジスタ３２１の存在で出力電圧の低
下が生じない。またパワーＭＯＳトランジスタ３２０の
バックゲートの電位を制御するパワーは極めて小さいか
ら、ＭＯＳトランジスタ３２１は小容量のものでよく、
たとえパワーＭＯＳトランジスタが冷却対策の必要な大
電流で負荷を駆動する場合でも、ＭＯＳトランジスタ３
２１には冷却対策を施す必要がない。極めて簡単な構成
で、かつ効果的に逆接続による破壊を防止できる。This embodiment is constructed as described above, and is a power MOS transistor 320 for controlling a current flowing to a load.
The reverse current is prevented from being generated by controlling the potential of the back gate of the MOS transistor 321 so that the current flowing through the load flows through the MOS transistor 321 when the battery is driven with the normal connection. Therefore, the output voltage does not decrease due to the presence of the MOS transistor 321. Further, since the power for controlling the potential of the back gate of the power MOS transistor 320 is extremely small, the MOS transistor 321 may have a small capacity.
Even if the power MOS transistor drives the load with a large current requiring cooling measures, the MOS transistor 3
It is not necessary to take cooling measures for 21. With a very simple configuration, destruction due to reverse connection can be effectively prevented.
【００３０】次に、第２の実施例について説明する。こ
の実施例は、負荷および負荷を駆動するパワーＭＯＳト
ランジスタが複数あった場合のもので、図２は、その構
成を示す図である。３つの負荷４５０、４５１、４５２
は、一端が電源端子４００（電源プラス端設定側）に接
続され、他端がそれぞれ端子４４１、４４２、４４３を
介してパワーＭＯＳトランジスタ４２０、４２１、４２
２のドレインに接続される。各パワーＭＯＳトランジス
タのソースが端子４０３を介して接地された電源端子４
０１（電源マイナス端設定側）に接続される。駆動回路
４１０、４１１、４１２は、それぞれのパワーＭＯＳト
ランジスタ４２０、４２１、４２２を駆動するもので、
入力端が端子４０４、４０５、４０６に接続され、出力
端がパワーＭＯＳトランジスタ４２０、４２１、４２２
のゲートに接続される。端子４０４、４０５、４０６に
制御信号が入力されるようになっている。Next, a second embodiment will be described. In this embodiment, there are a plurality of loads and a plurality of power MOS transistors for driving the loads. FIG. 2 is a diagram showing the configuration. Three loads 450, 451, 452
Has one end connected to the power supply terminal 400 (power supply plus end setting side) and the other end connected to the power MOS transistors 420, 421, and 42 via terminals 441, 442, and 443, respectively.
2 drain. A power supply terminal 4 in which the source of each power MOS transistor is grounded via a terminal 403
01 (power supply minus end setting side). The drive circuits 410, 411, and 412 drive the respective power MOS transistors 420, 421, and 422.
Input terminals are connected to terminals 404, 405, and 406, and output terminals are power MOS transistors 420, 421, and 422.
Connected to the gate. Control signals are input to the terminals 404, 405, and 406.
【００３１】パワーＭＯＳトランジスタ４２０、４２
１、４２２は、ＮチャンネルのＭＯＳトランジスタで、
バックゲートが非短絡の構成で用い、バックゲートがＭ
ＯＳトランジスタ４２３のソースと接続されている。Ｍ
ＯＳトランジスタ４２３のドレインが端子４０３を介し
て接地された電源端子４０１に接続され、ゲートが抵抗
４４０を介して端子４０２から電源端子４００と接続さ
れる。ＭＯＳトランジスタ４２３は、同じＮチャンネル
のＭＯＳトランジスタで、バックゲートとソースを短絡
した構成で用い、寄生ダイオード４３６のアノードがソ
ースに、カソードがドレインに接続された状態となって
いる。Power MOS transistors 420, 42
Reference numerals 1 and 422 denote N-channel MOS transistors.
When the back gate is used in a non-short circuit configuration,
It is connected to the source of the OS transistor 423. M
The drain of the OS transistor 423 is connected to the power terminal 401 grounded via the terminal 403, and the gate is connected from the terminal 402 to the power terminal 400 via the resistor 440. The MOS transistor 423 is the same N-channel MOS transistor with the back gate and the source short-circuited, and the parasitic diode 436 has an anode connected to the source and a cathode connected to the drain.
【００３２】バッテリのプラス端を電源端子４００に、
マイナス端を電源端子４０１に接続した正常接続状態で
は、ＭＯＳトランジスタ４２３のゲートにプラス電圧が
印可され、ＭＯＳトランジスタ４２３はオン状態になる
ことによって各パワーＭＯＳトランジスタのバックゲー
トが端子４０３でグランドと接続される。各パワーＭＯ
Ｓトランジスタのドレインとバックゲートの間の寄生ダ
イオード４３０、４３２、４３４はアノードがグランド
に接続され逆バイアスされているから、パワーＭＯＳト
ランジスタ４２０、４２１、４２２は、駆動回路４１
０、４１１、４１２からの制御信号に従って負荷を駆動
することができる。The positive terminal of the battery is connected to the power terminal 400,
In a normal connection state in which the minus end is connected to the power supply terminal 401, a positive voltage is applied to the gate of the MOS transistor 423, and the back gate of each power MOS transistor is connected to the ground at the terminal 403 by turning on the MOS transistor 423. Is done. Each power MO
Since the parasitic diodes 430, 432, and 434 between the drain and the back gate of the S transistor have their anodes connected to the ground and are reverse-biased, the power MOS transistors 420, 421, and 422
The load can be driven according to control signals from 0, 411, and 412.
【００３３】一方バッテリが逆接続の場合、ＭＯＳトラ
ンジスタ４２３のゲート電位がソースより以下となるた
め、ＭＯＳトランジスタ４２３がオフ状態になって、パ
ワーＭＯＳトランジスタ４２０、４２１、４２２のバッ
クゲートの電位は不安定状態となる。また駆動回路４１
０、４１１、４１２は逆接続状態では動作せず、パワー
ＭＯＳトランジスタ４２０、４２１、４２２をオンさせ
るために、パワーＭＯＳトランジスタ４２０、４２１、
４２２のゲート電圧を高くすることはない。このため、
パワーＭＯＳトランジスタ４２０、４２１、４２２のゲ
ート電圧が各々のバックゲート電圧より所定値以上高く
ならず、オフ状態となる。On the other hand, when the battery is reversely connected, the gate potential of the MOS transistor 423 is lower than the source, so that the MOS transistor 423 is turned off, and the potential of the back gate of the power MOS transistors 420, 421, and 422 is not It will be in a stable state. The drive circuit 41
0, 411, and 412 do not operate in the reverse connection state, and turn on the power MOS transistors 420, 421, and 422.
The gate voltage of 422 is not increased. For this reason,
The gate voltages of the power MOS transistors 420, 421, and 422 do not become higher than the respective back gate voltages by a predetermined value or more, and are turned off.
【００３４】また、バッテリに対して順方向の寄生ダイ
オード４３０、４３２、４３４が寄生ダイオード４３
１、４３３、４３５および寄生ダイオード４３６を介し
て端子４０３に接続されるが、寄生ダイオード４３１、
４３３、４３５および寄生ダイオード４３６は逆バイア
スされた状態となるので、寄生ダイオードを含めて各パ
ワーＭＯＳトランジスタを通して、負荷に逆方向の電流
が流されない。本実施例は、以上のように構成され、上
記第１の実施例と同じ効果が得られる他、複数のパワー
ＭＯＳトランジスタに対しても、１つのＭＯＳトランジ
スタ４２３ですべての負荷に逆電流が流れるのを防止す
ることができる効果を有する。The parasitic diodes 430, 432, and 434 in the forward direction with respect to the battery
1, 433, 435 and a parasitic diode 436, which are connected to the terminal 403.
Since 433 and 435 and the parasitic diode 436 are in a reverse-biased state, no current flows in the load in the reverse direction through each power MOS transistor including the parasitic diode. This embodiment is configured as described above, and in addition to obtaining the same effects as the above-described first embodiment, a single MOS transistor 423 allows reverse current to flow through all loads for a plurality of power MOS transistors. Has the effect of being able to prevent
【００３５】次に、第３の実施例について説明する。こ
の実施例は、負荷がパワーＭＯＳトランジスタのソース
側に接続されるものである。図３は、第３の実施例の構
成を示す図である。負荷５５０を駆動する負荷駆動装置
５６０は、駆動回路５１０、パワーＭＯＳトランジスタ
５２０、ＭＯＳトランジスタ５２１および昇圧回路５４
０から構成される。パワーＭＯＳトランジスタ５２０
は、ソースが端子５０６を介して負荷５５０の一端と接
続し、負荷５５０の他端が接地される。パワーＭＯＳト
ランジスタ５２０のドレインが端子５０２を介して電源
端子５０１（電源プラス端設定側）に接続される。Next, a third embodiment will be described. In this embodiment, a load is connected to the source side of a power MOS transistor. FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the third embodiment. A load driving device 560 that drives the load 550 includes a driving circuit 510, a power MOS transistor 520, a MOS transistor 521, and a booster circuit 54.
It consists of 0. Power MOS transistor 520
Has a source connected to one end of the load 550 via a terminal 506, and the other end of the load 550 is grounded. The drain of the power MOS transistor 520 is connected via a terminal 502 to a power supply terminal 501 (power supply positive terminal setting side).
【００３６】パワーＭＯＳトランジスタ５２０は、バッ
クゲートが非短絡の構成で用い、バックゲートがＭＯＳ
トランジスタ５２１のソースと接続される。ＭＯＳトラ
ンジスタ５２１のドレインが端子５０３を介して、接地
される電源端子５０５（電源マイナス端設定側）に接続
される。駆動回路５１０は、入力端が端子５０４に出力
端がパワーＭＯＳトランジスタ５２０のゲートに接続さ
れる。端子５０４には負荷５５０を駆動する制御信号が
入力されるようになっている。The power MOS transistor 520 has a configuration in which the back gate is not short-circuited, and the back gate is a MOS transistor.
Connected to the source of transistor 521. The drain of the MOS transistor 521 is connected via a terminal 503 to a power supply terminal 505 (power supply negative terminal setting side) which is grounded. Drive circuit 510 has an input terminal connected to terminal 504 and an output terminal connected to the gate of power MOS transistor 520. A control signal for driving the load 550 is input to the terminal 504.
【００３７】昇圧回路５４０は端子５０２、５０３と接
続し、端子５０１からのバッテリ電圧を昇圧し、昇圧し
た電圧を出力端から駆動回路５１０、ＭＯＳトランジス
タ５２１のゲートに出力するようになっている。昇圧す
る電圧は例えば絶対値としてバッテリ電圧より１０Ｖ高
いものとする。The booster circuit 540 is connected to the terminals 502 and 503, boosts the battery voltage from the terminal 501, and outputs the boosted voltage from the output terminal to the drive circuit 510 and the gate of the MOS transistor 521. The boosted voltage is, for example, 10 V higher than the battery voltage as an absolute value.
【００３８】パワーＭＯＳトランジスタ５２０はＮチャ
ンネルのＭＯＳトランジスタで、バックゲートが非短絡
の構成で用い、ドレイン、ソースとバックゲートの間に
形成される寄生ダイオード５３０、５３１は、アノード
がバックゲートに、カソードがドレイン、ソース側に形
成されている。ＭＯＳトランジスタ５２１は、同じＮチ
ャンネルのＭＯＳトランジスタで、バックゲートとソー
スを短絡した構成で用い、寄生ダイオード５３２はアノ
ードがソース側に、カソードがドレイン側に接続された
状態となっている。The power MOS transistor 520 is an N-channel MOS transistor having a back gate that is not short-circuited. Parasitic diodes 530 and 531 formed between the drain, source and back gate have anodes as back gates. A cathode is formed on the drain and source sides. The MOS transistor 521 is an N-channel MOS transistor having the same structure in which the back gate and the source are short-circuited. The parasitic diode 532 has an anode connected to the source and a cathode connected to the drain.
【００３９】バッテリのプラス端を電源端子５０１に、
マイナス端を電源端子５０５に接続した正常接続状態で
は、昇圧回路５４０はそのバッテリ電圧を１０Ｖ高く昇
圧して、ＭＯＳトランジスタ５２１のゲートに出力する
から、ＭＯＳトランジスタ５２１のゲート電位がソース
電位より高く、ＭＯＳトランジスタ５２１がオン状態に
なる。これによって、パワーＭＯＳトランジスタ５２０
のバックゲートが端子５０３でグランドに接続されると
ともに、カソードがドレインに形成される寄生ダイオー
ド５３０のアノードがグランドに接続されて逆バイアス
状態となる。したがってパワーＭＯＳトランジスタ５２
０は、駆動回路５１０からの制御信号で負荷５５０を駆
動することが可能になる。The positive terminal of the battery is connected to the power terminal 501,
In a normal connection state in which the minus end is connected to the power supply terminal 505, the booster circuit 540 boosts the battery voltage by 10 V and outputs the boosted battery voltage to the gate of the MOS transistor 521. Therefore, the gate potential of the MOS transistor 521 is higher than the source potential. MOS transistor 521 is turned on. Thereby, the power MOS transistor 520
Is connected to ground at terminal 503, and the anode of parasitic diode 530, whose cathode is formed at the drain, is connected to ground to be in a reverse bias state. Therefore, power MOS transistor 52
0 enables the load 550 to be driven by a control signal from the drive circuit 510.
【００４０】一方バッテリが逆接続の場合、昇圧回路５
４０は動作しないため、ＭＯＳトランジスタ５２１のゲ
ート電位がソースより高くならない。この結果ＭＯＳト
ランジスタ５２１がオフ状態になって、パワーＭＯＳト
ランジスタ５２０のバックゲートの電位は不安定状態と
なる。また駆動回路５１０は逆接続状態では動作せず、
パワーＭＯＳトランジスタ５２０をオンさせるために、
パワーＭＯＳトランジスタ５２０のゲート電圧を高くす
ることはない。このため、パワーＭＯＳトランジスタ５
２０のゲート電圧がバックゲート電圧より所定値以上高
くならず、オフ状態となる。On the other hand, when the battery is reversely connected,
Since the gate 40 does not operate, the gate potential of the MOS transistor 521 does not become higher than the source. As a result, MOS transistor 521 is turned off, and the potential of the back gate of power MOS transistor 520 becomes unstable. Further, the drive circuit 510 does not operate in the reverse connection state,
To turn on the power MOS transistor 520,
The gate voltage of the power MOS transistor 520 is not increased. Therefore, the power MOS transistor 5
The gate voltage of No. 20 does not become higher than the back gate voltage by a predetermined value or more, and the transistor is turned off.
【００４１】また順方向の寄生ダイオード５３０が寄生
ダイオード５３１を介して負荷５５０に接続されるが、
寄生ダイオード５３１は逆バイアス状態であるため、寄
生ダイオードを含めてパワーＭＯＳトランジスタを通し
て、負荷５５０に逆電流が流されない。本実施例は、以
上のように構成され、負荷がソースに接続された駆動装
置でも、上記第１の実施例と同じ効果が得られる。The forward parasitic diode 530 is connected to the load 550 via the parasitic diode 531.
Since the parasitic diode 531 is in a reverse bias state, no reverse current flows to the load 550 through the power MOS transistor including the parasitic diode. This embodiment is configured as described above, and the same effect as that of the first embodiment can be obtained even with the driving device in which the load is connected to the source.
【００４２】次に、第４の実施例について説明する。こ
の実施例は、負荷および負荷を駆動するパワーＭＯＳト
ランジスタが複数あった場合のもので、図４は、その構
成を示す図である。３つの負荷６５０、６５１、６５２
は、一端がそれぞれ端子６４１、６４２、６４３に、他
端が接地される。パワーＭＯＳトランジスタ６２０、６
２１、６２２は、それぞれソースが端子６４１、６４
２、６４３を介して負荷６５０、６５１、６５２と接続
され、ドレインが共通に端子６０２から電源端子６００
（電源プラス端設定側）に接続される。パワーＭＯＳト
ランジスタを駆動する駆動回路６１０、６１１、６１２
は、入力端が端子６０４、６０５、６０６に接続され、
出力端がそれぞれパワーＭＯＳトランジスタ６２０、６
２１、６２２のゲートに接続される。端子６０４、６０
５、６０６に負荷６５０、６５１、６５２の制御信号が
入力されるようになっている。Next, a fourth embodiment will be described. In this embodiment, there are a plurality of loads and a plurality of power MOS transistors for driving the loads. FIG. 4 is a diagram showing the configuration. Three loads 650, 651, 652
Has one end connected to terminals 641, 642, and 643, and the other end grounded. Power MOS transistors 620, 6
21 and 622 have terminals 641 and 64, respectively.
2, 643, and the loads 650, 651, 652, and the drain is commonly connected from the terminal 602 to the power supply terminal 600.
(Power supply positive terminal setting side). Drive circuits 610, 611, 612 for driving power MOS transistors
Has an input terminal connected to terminals 604, 605, and 606,
The output terminals are power MOS transistors 620 and 6 respectively.
21, 622 are connected to the gates. Terminals 604, 60
Control signals for the loads 650, 651, 652 are input to 5, 606.
【００４３】各パワーＭＯＳトランジスタ６２０、６２
１、６２２は、ＮチャンネルのＭＯＳトランジスタで、
バックゲートが非短絡の構成で用い、それぞれのバック
ゲートがＭＯＳトランジスタ６２３のソースに接続され
る。ＭＯＳトランジスタ６２３のドレインが端子６０３
から、接地された電源端子６０１（電源マイナス端設定
側）に接続される。Each power MOS transistor 620, 62
Reference numerals 1 and 622 denote N-channel MOS transistors.
The back gate is used in a non-short circuit configuration, and each back gate is connected to the source of the MOS transistor 623. The drain of the MOS transistor 623 is connected to the terminal 603
Is connected to the grounded power terminal 601 (the power source negative terminal setting side).
【００４４】パワーＭＯＳトランジスタ６２０、６２
１、６２２のソース、ドレインとバックゲートの間の寄
生ダイオード６３０、６３１、６３２、６３３、６３
４、６３５はアノードがバックゲート側に、カソードが
ソース、ドレイン側に形成されている。また同じＮチャ
ンネルのＭＯＳトランジスタ６２３は、バックゲートと
ソースとを短絡した構成で、ソース側にアノード、ドレ
イン側にカソードの寄生ダイオード６３６が形成されて
いる。昇圧回路６４０は端子６０２、端子６０３に接続
し、バッテリ電圧を昇圧して、駆動回路６１０、６１
１、６１２およびＭＯＳトランジスタ６２３のゲートに
出力するようになっている。昇圧電圧は例えば絶対値と
してバッテリ電圧より１０Ｖ高いものとする。Power MOS transistors 620 and 62
Parasitic diodes 630, 631, 632, 633, 63 between the source, drain and back gate of 1, 622
In Nos. 4 and 635, the anode is formed on the back gate side, and the cathode is formed on the source and drain sides. The same N-channel MOS transistor 623 has a configuration in which the back gate and the source are short-circuited, and a parasitic diode 636 having an anode on the source side and a cathode on the drain side. The booster circuit 640 is connected to the terminals 602 and 603, boosts the battery voltage, and drives the drive circuits 610 and 61.
1, 612 and the gate of the MOS transistor 623. The boosted voltage is, for example, 10 V higher than the battery voltage as an absolute value.
【００４５】バッテリのプラス端を電源端子６００に、
マイナス端を接地された電源端子６０１にした正常接続
の状態では、ＭＯＳトランジスタ６２３のゲートに昇圧
されたプラス電圧が印可されるから、ＭＯＳトランジス
タ６２３がオンになり、各パワーＭＯＳトランジスタの
バックゲートが端子６０６でグランドに接続される。各
パワーＭＯＳトランジスタのドレインとバックゲートの
間に形成される寄生ダイオード６３０、６３２、６３４
は、アノードがグランドに接続されて逆バイアス状態と
なる。したがって各パワーＭＯＳトランジスタはそれぞ
れの駆動回路からの制御信号で、負荷へ流す電流を制御
することができる。The positive terminal of the battery is connected to the power terminal 600,
In a normal connection state in which the negative terminal is connected to the grounded power supply terminal 601, the boosted positive voltage is applied to the gate of the MOS transistor 623, so that the MOS transistor 623 is turned on and the back gate of each power MOS transistor is turned on. The terminal 606 is connected to the ground. Parasitic diodes 630, 632, 634 formed between the drain and back gate of each power MOS transistor
Is in a reverse bias state with the anode connected to ground. Therefore, each power MOS transistor can control the current flowing to the load by the control signal from each drive circuit.
【００４６】一方、バッテリを逆接続したときは、昇圧
回路６４０は動作しないため、ＭＯＳトランジスタ６２
３のゲート電位がソースより高くなることがなく、ＭＯ
Ｓトランジスタ６２３はオフ状態になる。このときバッ
テリの電流に対して順方向になる寄生ダイオード６３
０、６３２、６３４が寄生ダイオード６３１、６３３、
６３５を介して負荷６５０、６５１、６５２に接続され
るが、寄生ダイオード６３１、６３３、６３５は逆バイ
アス状態にあるため、寄生ダイオードを含めてパワーＭ
ＯＳトランジスタ６２０、６２１、６２２を通して、負
荷６５０、６５１、６５２に逆方向の電流が流されな
い。On the other hand, when the battery is connected in reverse, the booster circuit 640 does not operate, so that the MOS transistor 62
3 does not become higher than the source and the MO
S transistor 623 is turned off. At this time, the parasitic diode 63 becomes forward with respect to the battery current.
0, 632, 634 are parasitic diodes 631, 633,
Although the parasitic diodes 631, 633, and 635 are connected to the loads 650, 651, and 652 through the 635, the parasitic diodes 631, 633, and 635 are in a reverse bias state.
No reverse current flows through the OS transistors 620, 621, and 622 to the loads 650, 651, and 652.
【００４７】本実施例は、以上のように構成され、上記
第３の実施例と同じ効果が得られる他、複数のパワーＭ
ＯＳトランジスタに対しても、１つのＭＯＳトランジス
タですべての負荷に逆電流が流れるのを防止することが
できるという効果を有する。上記各実施例では、駆動素
子としてＮチャンネルのＭＯＳトランジスタを用いた駆
動回路を説明したが、このほか、ＰチャンネルのＭＯＳ
トランジスタを用いても同様の効果が得られる。This embodiment is configured as described above, and provides the same effects as those of the third embodiment.
Also for the OS transistor, there is an effect that a reverse current can be prevented from flowing to all loads with one MOS transistor. In each of the above embodiments, the drive circuit using the N-channel MOS transistor as the drive element has been described.
The same effect can be obtained by using a transistor.
【図１】第１の実施例の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a first embodiment.
【図２】第２の実施例の構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a second embodiment.
【図３】第３の実施例の構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a third embodiment.
【図４】第４の実施例の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a fourth embodiment.
【図５】従来例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a conventional example.
【図６】他の従来例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing another conventional example.
１００、１０１ 電源端子 １０２ 端子 １１０ 駆動回路 １２０、１２１ ＭＯＳトランジスタ １３０、１３１ 寄生ダイオード １４１ 光スイッチ １５０ 負荷 ３００、３０１ 電源端子 ３０２、３０３、３０４、３０５ 端子 ３１０ 駆動回路 ３１２ 負荷駆動装置 ３２０ パワーＭＯＳトランジスタ ３２１ ＭＯＳトランジスタ ３３０、３３１、３３２ 寄生ダイオード ３４０ 抵抗 ３５０ 負荷 ４００、４０１ 電源端子 ４０２、４０３、４０４、４０５、４０６、４４１、４
４２、４４３ 端子 ４１０、４１１、４１２ 駆動回路 ４２０、４２１、４２２ パワーＭＯＳトランジスタ ４２３ ＭＯＳトランジスタ ４３０、４３１、４３２、４３３、４３４、４３５、４
３６ 寄生ダイオード ４４０ 抵抗 ４５０、４５１、４５２ 負荷 ５０１、５０５ 電源端子 ５０２、５０３、５０４、５０６ 端子 ５１０ 駆動回路 ５６０ 負荷駆動装置 ５２０ パワーＭＯＳトランジスタ ５２１ ＭＯＳトランジスタ ５３０、５３１、５３２ 寄生ダイオード ５４０ 昇圧回路 ５５０ 負荷 ６００、６０１ 電源端子 ６０２、６０３、６０４、６０５、６０６、６４１、６
４２、６４３ 端子 ６１０、６１１、６１２ 駆動回路 ６２０、６２１、６２２ パワーＭＯＳトランジスタ ６２３ ＭＯＳトランジスタ ６３０、６３１、６３２、６３３、６３４、６３５、６
３６ 寄生ダイオード ６５０、６５１、６５２ 負荷100, 101 Power supply terminal 102 Terminal 110 Drive circuit 120, 121 MOS transistor 130, 131 Parasitic diode 141 Optical switch 150 Load 300, 301 Power supply terminal 302, 303, 304, 305 Terminal 310 Drive circuit 312 Load drive device 320 Power MOS transistor 321 MOS transistors 330, 331, 332 Parasitic diode 340 Resistance 350 Load 400, 401 Power supply terminal 402, 403, 404, 405, 406, 441, 4
42,443 Terminal 410,411,412 Drive circuit 420,421,422 Power MOS transistor 423 MOS transistor 430,431,432,433,434,435,4
36 parasitic diode 440 resistance 450, 451, 452 load 501, 505 power supply terminal 502, 503, 504, 506 terminal 510 drive circuit 560 load drive device 520 power MOS transistor 521 MOS transistor 530, 531, 532 parasitic diode 540 booster circuit 550 load 600, 601 Power supply terminals 602, 603, 604, 605, 606, 641, 6
42, 643 Terminal 610, 611, 612 Drive circuit 620, 621, 622 Power MOS transistor 623 MOS transistor 630, 631, 632, 633, 634, 635, 6
36 Parasitic diode 650, 651, 652 Load
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｋ 17/687 Ｈ０３Ｋ 17/687 Ａ Ｆターム(参考） 5G003 BA01 DA02 FA05 GA01 5H410 BB03 CC02 DD02 EA11 EA31 EB01 EB37 FF03 FF22 KK01 LL01 5J055 AX31 AX44 AX64 BX16 CX19 DX13 DX17 DX22 DX53 DX55 EX11 EY01 EY12 EY17 EY21 EY29 EZ54 GX01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat ゛ (Reference) H03K 17/687 H03K 17/687 A F-term (Reference) 5G003 BA01 DA02 FA05 GA01 5H410 BB03 CC02 DD02 EA11 EA31 EB01 EB37 FF03 FF22 KK01 LL01 5J055 AX31 AX44 AX64 BX16 CX19 DX13 DX17 DX22 DX53 DX55 EX11 EY01 EY12 EY17 EY21 EY29 EZ54 GX01
Claims (7)
ＭＯＳトランジスタが直列に電源に接続された負荷駆動
装置において、前記パワーＭＯＳトランジスタのバック
ゲートをソース側に接続、遮断するスイッチ手段を有す
ることを特徴とする負荷駆動装置。1. A load driving device in which a load and a power MOS transistor for controlling energization of the load are connected in series to a power supply, comprising a switch means for connecting and disconnecting a back gate of the power MOS transistor to a source side. A load driving device characterized by the above-mentioned.
ンネル型であり、前記負荷が電源プラス端設定側と前記
パワーＭＯＳトランジスタのドレインの間に接続され、
前記パワーＭＯＳトランジスタのソースが電源マイナス
端設定側に接続され、前記スイッチ手段は前記バックゲ
ートと電源マイナス端設定側の間に接続され、前記電源
の極性にしたがって開閉するように設定されていること
を特徴とする請求項１記載の負荷駆動装置。2. The power MOS transistor is an N-channel type, wherein the load is connected between a power supply positive terminal setting side and a drain of the power MOS transistor,
The source of the power MOS transistor is connected to the power supply negative terminal setting side, and the switch means is connected between the back gate and the power supply negative terminal setting side, and is set to open and close according to the polarity of the power supply. The load drive device according to claim 1, wherein:
ンネル型であり、前記負荷が電源マイナス端設定側と前
記パワーＭＯＳトランジスタのソースの間に接続され、
前記パワーＭＯＳトランジスタのドレインが電源プラス
端設定側に接続され、前記スイッチ手段は前記バックゲ
ートと電源マイナス端設定側の間に接続され、前記電源
の極性にしたがって開閉するように設定されていること
を特徴とする請求項２記載の負荷駆動装置。3. The power MOS transistor is an N-channel type, and the load is connected between a power supply negative terminal setting side and a source of the power MOS transistor.
A drain of the power MOS transistor is connected to a power supply positive terminal setting side, and the switch means is connected between the back gate and a power supply negative terminal setting side, and is configured to open and close according to the polarity of the power supply. The load driving device according to claim 2, wherein:
制御する複数のパワーＭＯＳトランジスタを備え、各負
荷と対応するパワーＭＯＳトランジスタとがそれぞれ直
列に電源に接続された負荷駆動装置において、前記複数
のパワーＭＯＳトランジスタに共通に設けられ、各バッ
クゲートをソース側に接続、遮断するスイッチ手段を有
することを特徴とする負荷駆動装置。4. A load driving device, comprising: a plurality of loads; and a plurality of power MOS transistors for respectively controlling energization of each load, wherein each load and a corresponding power MOS transistor are respectively connected in series to a power supply. A load driving device, comprising: switch means provided in common for a plurality of power MOS transistors to connect and disconnect each back gate to a source side.
ャンネル型であり、各負荷が対応するパワーＭＯＳトラ
ンジスタのドレインと電源プラス端設定側の間に接続さ
れ、前記各パワーＭＯＳトランジスタのソースが電源マ
イナス端設定側に接続され、前記スイッチ手段は互いに
接続された各パワーＭＯＳトランジスタのバックゲート
と電源マイナス端設定側の間に接続され、前記電源の極
性にしたがって開閉するように設定されていることを特
徴とする請求項４記載の負荷駆動装置。5. Each of the power MOS transistors is an N-channel type, each load is connected between a drain of the corresponding power MOS transistor and a power supply plus terminal setting side, and a source of each of the power MOS transistors has a power supply minus terminal. The switch means is connected to a setting side, and the switch means is connected between a back gate of each power MOS transistor connected to each other and a power supply minus end setting side, and is set so as to open and close according to the polarity of the power supply. The load driving device according to claim 4, wherein
ャンネル型であり、各負荷が対応するパワーＭＯＳトラ
ンジスタのソースと電源マイナス端設定側の間に接続さ
れ、前記各パワーＭＯＳトランジスタのドレインが電源
プラス端設定側に接続され、前記スイッチ手段は互いに
接続された各パワーＭＯＳトランジスタのバックゲート
と電源マイナス端設定側の間に接続され、前記電源の極
性にしたがって開閉するように設定されていることを特
徴とする請求項５記載の負荷駆動装置。6. Each of the power MOS transistors is an N-channel type, each load is connected between a source of the corresponding power MOS transistor and a power supply negative terminal setting side, and a drain of each power MOS transistor is a power supply positive terminal. The switch means is connected to a setting side, and the switch means is connected between a back gate of each power MOS transistor connected to each other and a power supply minus end setting side, and is set so as to open and close according to the polarity of the power supply. The load driving device according to claim 5, wherein
ＯＳトランジスタであり、そのソースを前記バックゲー
トに、ドレインを電源マイナス端設定側に、ゲートを電
源プラス端設定側に接続されたものであることを特徴と
する請求項２、３、５または６記載の負荷駆動装置。7. The switch means is an N-channel type M.
7. An OS transistor, wherein the source is connected to the back gate, the drain is connected to the power supply negative terminal setting side, and the gate is connected to the power supply positive terminal setting side. The load driving device as described in the above.
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