JP2001175490A - Data transfer system - Google Patents

Data transfer system

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JP2001175490A
JP2001175490A JP36315899A JP36315899A JP2001175490A JP 2001175490 A JP2001175490 A JP 2001175490A JP 36315899 A JP36315899 A JP 36315899A JP 36315899 A JP36315899 A JP 36315899A JP 2001175490 A JP2001175490 A JP 2001175490A
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data
crc
data transfer
error
bit
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JP36315899A
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Yoshiji Oka
佳司 岡
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NEC Corp
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  • Detection And Correction Of Errors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a data transfer system for reducing the usage of a DRAM at transfer of data, whose CRC is operated between a semiconductor disk constituted of a DRAM and a host computer. SOLUTION: At transfer of data between a host device 100 and an electronic disk sub-system SS, equipped with a memory part 121 constituted of a DRAM CRC is operated as error check, and the presence or absence of an error which is the CRC result is added to data as a flag bit constituted of one bit, and the data are transferred and stored in the memory part 121. Therefore, since a CRC constituted of, for example, 24 bits is not added to the data, usage of the memory part can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、データ転送方式に
関し、特にCRCを行ったデータを、DRAMからなる
半導体ディスクとホストコンピュータとの間で転送する
場合に、DRAMの使用量を抑制したデータ転送方式に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a data transfer method, and more particularly to a data transfer method in which data subjected to CRC is transferred between a semiconductor disk composed of a DRAM and a host computer with a reduced amount of DRAM used. About the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、例えば汎用コンピュータ(メイン
フレーム)の分野で、文書等の大容量の情報を電子的に
保存する手段として、磁気ディスク装置(ハードディス
ク)や光ディスクが使用されていた。一方、近年の半導
体デバイスの価格低下に伴い、大容量情報の保存手段と
して半導体デバイスを用いた「半導体ディスク」が登場
してきた。半導体ディスクはデータ保持のために常にデ
ータのリフレッシュを要するDRAM(dynamic rando
m access memory)により構成し、その特徴は大容量
と高速性にある。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the field of general-purpose computers (mainframes), magnetic disk devices (hard disks) and optical disks have been used as means for electronically storing large amounts of information such as documents. On the other hand, with the recent decrease in the price of semiconductor devices, “semiconductor disks” using semiconductor devices as means for storing large-capacity information have appeared. A semiconductor disk is a DRAM (dynamic rando) that always requires data refresh for data retention.
m access memory), and its features are large capacity and high speed.

【0003】この半導体ディスクを使用した大容量・高
速の記憶装置を「電子ディスクサブシステム」と称す
る。電子ディスクサブシステムSSは、図5(A)に
示すように、次に説明する電子ディスク制御装置(ED
C)110と電子ディスク装置(EDU)120とを備
えて構成される。
A large-capacity, high-speed storage device using this semiconductor disk is called an "electronic disk subsystem". Electronic disk subsystem SS 0, as shown in FIG. 5 (A), the electronic disk controller described below (ED
C) 110 and an electronic disk unit (EDU) 120.

【0004】電子ディスク制御装置110は、電子ディ
スクサブシステムSS内のデータの信頼性を向上する
為に、上位装置(ホストコンピュータ)100から転送
された512バイト(64ワード)のデータ151を1
単位としてCRC(cyclicredundancy check、巡回冗
長検査)152を付加する機能を有する(図6(A)参
照)。そして、例えば24ビットのCRCを付加したデ
ータ(CRC付加データと称する)150(図6
(A))をDRAMからなるメモリ部(半導体ディス
ク)121を備えた電子ディスク装置120へ転送し、
このCRC付加データ150をメモリ部121へ格納す
る。ここに、メモリ部121は、図5(B)に示すよう
に、多ビット幅(例えば、4ビット)のDRAMを1単
位の記憶素子として構成され、メモリ部121全体では
例えば64Mビットである。
The electronic disk control device 110 converts 512-byte (64 words) data 151 transferred from the host device (host computer) 100 into one in order to improve the reliability of the data in the electronic disk subsystem SS 0 .
It has a function of adding a CRC (cyclic redundancy check) 152 as a unit (see FIG. 6A). Then, for example, data to which a 24-bit CRC is added (referred to as CRC additional data) 150 (FIG. 6)
(A)) to an electronic disk device 120 including a memory unit (semiconductor disk) 121 composed of a DRAM,
The CRC additional data 150 is stored in the memory unit 121. Here, as shown in FIG. 5B, the memory unit 121 is configured with a DRAM having a multi-bit width (for example, 4 bits) as one unit of storage element, and the entire memory unit 121 has, for example, 64 Mbits.

【0005】そして、上位装置100からのデータ転送
が途中で終了した場合には、書き込みデータが異常であ
ることを、CRCに「特別なコード」を書き込むことに
より正規のCRCを破壊し、異常認識を可能としている
(「破壊書き込み」と称する。図6(B)の破壊書き込
み153を参照)。
When the data transfer from the host device 100 is terminated halfway, it is determined that the write data is abnormal by writing a "special code" in the CRC to destroy the normal CRC and recognize the abnormality. (Referred to as “destructive writing”; see destructive writing 153 in FIG. 6B).

【0006】しかし、前記メモリ部121のように、多
ビット幅(例えば、4ビット)を1単位とするDRAM
で構成される記憶装置では、4ビット・1単位でDRA
Mが故障することが多い(複数ビットエラーと称する。
図7(A)参照)。しかも、2ビットのエラーを訂正す
るためには、15ビットのECC(誤り訂正符号、erro
r correcting code)を必要とするので、4ビットの
複数ビットエラーを訂正するにはECCとして30ビッ
ト(=15+15)が必要となり(図7(B)参照)、
メモリの有効活用ができない(無駄が多い)。
However, like the memory section 121, a DRAM having a multi-bit width (for example, 4 bits) as one unit is used.
In the storage device composed of
M often fails (referred to as a multiple bit error).
FIG. 7A). Further, in order to correct a 2-bit error, a 15-bit ECC (error correction code, erro
r correcting code), 30 bits (= 15 + 15) are required as ECC to correct a 4-bit multi-bit error (see FIG. 7B).
Memory cannot be used effectively (wasteful).

【0007】そこで、かかる複数ビットエラーに伴う無
駄の回避手段として、図8に示すように、ECCを付加
した1組・79ビット(=データ64ビット+ECC1
5ビット)のデータ(例えば、「D00 D01…E00」)が
同一のDRAMに格納されないように、分割して複数の
DRAM141,142…に書き込む手段(クロスビッ
ト方式)を採っている。このようにすると、少ないEC
Cでデータの訂正が可能なので、メモリを有効活用する
ことができる(無駄が無い)。
Therefore, as a means for avoiding waste associated with such a multi-bit error, as shown in FIG. 8, one set of 79 bits (= data 64 bits + ECC1) to which ECC is added.
(5 bits) data (for example, “D 00 D 01 ... E 00 ”) is divided and written into a plurality of DRAMs 141, 142... (Cross bit system) so as not to be stored in the same DRAM. In this way, less EC
Since data can be corrected in C, the memory can be used effectively (no waste).

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この分
割格納方法を採用すると、電子ディスク制御装置110
から電子ディスク装置120への最小転送数は、4{ワ
ード}単位でクロスビットしているので、4{ワード}
(前記79ビット構成のデータを{ワード}と記す)と
なる(図8の状態)。
However, if this divided storage method is adopted, the electronic disk controller 110
Since the minimum number of transfers to the electronic disk device 120 is cross-bit in units of 4 words, 4 bits
(The 79-bit data is referred to as {word}) (state in FIG. 8).

【0009】従って、CRC付加データ150(図6
(A))のCRC152の部分を格納する為に、CRC
152が数バイト(例えば24ビット)の場合でも、1
ワード(8バイト=64ビット)×DRAMのデータビ
ット数分(この場合は4ビットなので、64×4=25
6ビット)のメモリを使用しなければならなかった。こ
れでは、CRCエラーの検出のために無駄が多く、半導
体ディスクを有効活用しているとはいえない。
Accordingly, the CRC additional data 150 (FIG. 6)
In order to store the CRC 152 part of (A)), the CRC
Even if 152 is several bytes (for example, 24 bits), 1
Word (8 bytes = 64 bits) × the number of DRAM data bits (in this case, 4 bits, 64 × 4 = 25
6 bits) of memory had to be used. In this case, there is much waste in detecting the CRC error, and it cannot be said that the semiconductor disk is effectively utilized.

【0010】そこで本発明の課題は、CRCを行ったデ
ータを、DRAMからなる半導体ディスクとホストコン
ピュータとの間で転送する場合に、DRAMの使用量を
抑制したデータ転送方式を提供することである。
It is an object of the present invention to provide a data transfer method in which the amount of use of a DRAM is reduced when data subjected to CRC is transferred between a semiconductor disk comprising a DRAM and a host computer. .

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明は、複数の装置間でデータ転送を行う際にエラ
ーチェックとしてCRCを行い、そのCRC結果をデー
タに付加してデータ転送を行うデータ転送方式におい
て、前記CRC結果であるエラーの有無を、フラグビッ
トとしてデータに付加して転送することを特徴とする。
また、前記複数の装置は、ホストコンピュータと半導体
ディスクとを備えてなることを特徴とする。また、前記
半導体ディスクは、DRAMを備えてなることを特徴と
する。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention performs CRC as an error check when performing data transfer between a plurality of devices, and adds the CRC result to data to perform data transfer. In the data transfer method to be performed, the presence or absence of an error as the CRC result is added to the data as a flag bit and transferred.
Further, the plurality of devices include a host computer and a semiconductor disk. Further, the semiconductor disk is provided with a DRAM.

【0012】このようにすれば、例えばDRAMで構成
した半導体ディスクとホストコンピュータとの間でデー
タ転送を行う際に、CRC結果でエラーがあった場合
は、1ビットのCRCエラーフラグビットをデータに付
加して、DRAMに格納する。従って、CRC(例え
ば、24ビット)の格納のために、DRAMを無駄にす
ることがない。
In this way, for example, when data is transferred between a semiconductor disk constituted by a DRAM and a host computer, if there is an error in the CRC result, a 1-bit CRC error flag bit is added to the data. In addition, the data is stored in the DRAM. Therefore, the DRAM is not wasted for storing the CRC (for example, 24 bits).

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施例に基
づいて説明する。図1は本発明を適用する電子ディスク
サブシステムSSのブロック図である。なお、既に説明
した部分には同一符号を付し、重複記載を省略する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the illustrated embodiment. FIG. 1 is a block diagram of an electronic disk subsystem SS to which the present invention is applied. Note that the same reference numerals are given to the already described portions, and redundant description is omitted.

【0014】図1において、電子ディスク制御装置10
のCRC生成部11は、上位装置100より転送された
データ151(図6(A)参照)にCRC152を付加
し、電子ディスク装置20に転送する。電子ディスク装
置20のCRCチェック部21は、電子ディスク制御装
置10より転送されたデータ151とCRC152をチ
ェックし、エラーの有無を電子ディスク装置20のメモ
リライト制御部22に通知する。
In FIG. 1, an electronic disk control device 10
The CRC generator 11 adds a CRC 152 to the data 151 (see FIG. 6A) transferred from the host device 100 and transfers the data to the electronic disk device 20. The CRC check unit 21 of the electronic disk device 20 checks the data 151 and the CRC 152 transferred from the electronic disk control device 10 and notifies the memory write control unit 22 of the electronic disk device 20 of the presence or absence of the error.

【0015】電子ディスク装置20のメモリライト制御
部22は、データ151と共にCRCエラーフラグビッ
トにエラーの有無を示す1ビット構成のコードを格納す
る(図2参照)。メモリ部121は、メモリライト制御
部22より送られたデータ151およびCRCエラーフ
ラグ31と、CRCエラーフラグがセットされていた場
合はデータエラーを訂正するECC32を格納する。電
子ディスク装置20のメモリリード制御部23は、メモ
リ部121より読み出したCRCエラーフラグ31を電
子ディスク装置20のCRC生成部24に転送する。
The memory write control unit 22 of the electronic disk device 20 stores a code of one bit indicating presence or absence of an error in a CRC error flag bit together with the data 151 (see FIG. 2). The memory unit 121 stores the data 151 and the CRC error flag 31 sent from the memory write control unit 22, and the ECC 32 for correcting a data error when the CRC error flag is set. The memory read control unit 23 of the electronic disk device 20 transfers the CRC error flag 31 read from the memory unit 121 to the CRC generation unit 24 of the electronic disk device 20.

【0016】電子ディスク装置20のCRC生成部24
は、CRCエラーフラグ31によりエラーの有無をチェ
ックし、エラーが有ればCRCを不正にし、エラーが無
ければ再計算したCRCを電子ディスク制御装置10に
転送する。電子ディスク制御装置10のCRCチェック
部12は、電子ディスク装置20から送られてきたCR
Cをチェックし、エラーの有無を上位装置100に通知
する。
The CRC generator 24 of the electronic disk device 20
Checks the presence / absence of an error using the CRC error flag 31, if there is an error, invalidates the CRC, and if there is no error, transfers the recalculated CRC to the electronic disk control device 10. The CRC check unit 12 of the electronic disk control device 10 checks the CR transmitted from the electronic disk device 20
Check C, and notify the host device 100 of the presence or absence of the error.

【0017】次に図1の回路の動作について、図1〜図
4を参照して説明する。図2はデータにCRCエラーフ
ラグビット31とECC32を付加した場合の図、図3
は上位装置100から電子ディスクサブシステムSSへ
のデータ転送の動作フローチャート、図4は電子ディス
クサブシステムSSから上位装置100へのデータ転送
の動作フローチャートである。
Next, the operation of the circuit of FIG. 1 will be described with reference to FIGS. FIG. 2 shows a case where CRC error flag bit 31 and ECC 32 are added to data.
4 is an operation flowchart of data transfer from the host device 100 to the electronic disk subsystem SS, and FIG. 4 is an operation flowchart of data transfer from the electronic disk subsystem SS to the host device 100.

【0018】図3に示すように、通常、上位装置100
よりデータ151(図6(A)参照)が転送されてきた
場合(ステップS1)、電子ディスク制御装置10のC
RC生成部11によりデータ151にCRC152を付
加し、電子ディスク装置20に転送する(ステップS
2)。電子ディスク装置20のCRCチェック部21は
電子ディスク制御装置10より転送されたデータ151
及びCRC152をチェックし、エラーの有無を電子デ
ィスク装置20のメモリライト制御部22に通知する
(ステップS3)。
As shown in FIG.
When the data 151 (see FIG. 6A) is transferred (step S1), the C of the electronic disk control device 10
The CRC 152 is added to the data 151 by the RC generation unit 11 and transferred to the electronic disk device 20 (step S
2). The CRC check unit 21 of the electronic disk device 20 stores the data 151 transferred from the electronic disk controller 10.
And the CRC 152, and notifies the memory write control unit 22 of the electronic disk device 20 of the presence / absence of an error (step S3).

【0019】電子ディスク装置20のメモリライト制御
部22はエラーが通知されれば(ステップS4:エラー
有り)、データ151と共にCRCエラーフラグビット
に「エラーを示すコード」(図2のCRCエラーフラグ
ビット31参照)をメモリ部121に格納する(ステッ
プS5)。ステップS4でノーマルが通知されれば(ス
テップS4:エラー無し)、データ151と共にCRC
エラーフラグビットに「正常を示すコード」をメモリ部
121に格納する(ステップS6)。メモリ部121は
「正常を示すコード」の場合はメモリライト制御部22
より送られたデータ151,CRCエラーフラグ31を
格納し(ステップS7)、「エラーを示すコード」の場
合は、データ151とCRCエラーフラグ31を訂正す
る為のECC32を格納する(ステップS8)。
When the memory write control unit 22 of the electronic disk device 20 is notified of the error (step S4: there is an error), the data 151 and the CRC error flag bit are added to the “code indicating the error” (the CRC error flag bit in FIG. 2). 31 is stored in the memory unit 121 (step S5). If normal is notified in step S4 (step S4: no error), CRC is sent together with data 151.
The "code indicating normality" is stored in the memory unit 121 as the error flag bit (step S6). If the memory unit 121 is “code indicating normality”, the memory write control unit 22
The received data 151 and CRC error flag 31 are stored (step S7), and in the case of the "code indicating an error", the data 151 and the ECC 32 for correcting the CRC error flag 31 are stored (step S8).

【0020】次に、図4に示すように、上位装置100
へデータを転送する場合は(ステップS11)、電子デ
ィスク装置20のメモリリード制御部23は、メモリ部
121より読み出したCRCエラーフラグ31を電子デ
ィスク装置20のCRC生成部24に転送する(ステッ
プS12)。電子ディスク装置20のCRC生成部24
は、CRCエラーフラグ31によりエラーの有無をチェ
ックし(ステップS13)、エラーが有ればCRCを不
正にし(ステップS14)、エラーが無ければ再計算し
たCRCを電子ディスク制御装置10に転送する(ステ
ップS15)。電子ディスク制御装置10のCRCチェ
ック部12は、電子ディスク装置20から送られてきた
CRCをチェックし(ステップS16)、エラーの有無
を上位装置100に通知する(ステップS17)。
Next, as shown in FIG.
When the data is transferred to the electronic disk device 20 (step S11), the memory read control unit 23 of the electronic disk device 20 transfers the CRC error flag 31 read from the memory unit 121 to the CRC generation unit 24 of the electronic disk device 20 (step S12). ). CRC generation unit 24 of electronic disk device 20
Checks the presence or absence of an error using the CRC error flag 31 (step S13). If there is an error, invalidates the CRC (step S14). If there is no error, transfers the recalculated CRC to the electronic disk control device 10 (step S14). Step S15). The CRC check unit 12 of the electronic disk control device 10 checks the CRC sent from the electronic disk device 20 (step S16), and notifies the host device 100 of the presence or absence of an error (step S17).

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、C
RCエラーがある場合には、CRCエラーフラグビット
(1ビット)としてメモリ(DRAM)に格納し、CR
Cエラーを検出するようにしているので、例えば24ビ
ットを要するCRCをメモリ部に格納する必要が無くな
り、メモリの使用量を抑制できる。
As described above, according to the present invention, C
If there is an RC error, it is stored in a memory (DRAM) as a CRC error flag bit (1 bit),
Since the C error is detected, it is not necessary to store, for example, a CRC requiring 24 bits in the memory unit, and the amount of memory used can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】同実施例に適用するデータ転送の際のデータ構
成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a data configuration at the time of data transfer applied to the embodiment.

【図3】同実施例における、上位装置から電子ディスク
サブシステムへのデータ転送のフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart of data transfer from a higher-level device to an electronic disk subsystem in the embodiment.

【図4】同実施例における、電子ディスクサブシステム
から上位装置へのデータ転送のフローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart of data transfer from the electronic disk subsystem to a higher-level device in the embodiment.

【図5】従来例を説明する図であって、(A)は従来の
電子ディスクサブシステムのブロック図、(B)は電子
ディスクサブシステムを構成するメモリ部の概念図であ
る。
5A and 5B are diagrams illustrating a conventional example, in which FIG. 5A is a block diagram of a conventional electronic disk subsystem, and FIG. 5B is a conceptual diagram of a memory unit included in the electronic disk subsystem.

【図6】従来例におけるCRC結果のデータを示す図で
あって、(A)はデータにCRCを付加した概念図、
(B)は破壊書き込みをした場合の概念図である。
FIG. 6 is a diagram showing data of a CRC result in a conventional example, where (A) is a conceptual diagram in which a CRC is added to data,
(B) is a conceptual diagram when destructive writing is performed.

【図7】(A)は従来の多ビットDRAMの異常の概念
図、(B)は2ビットと4ビットが異常な場合に、EC
Cとして多くのビットを必要するす説明図である。
FIG. 7A is a conceptual diagram of an abnormality in a conventional multi-bit DRAM, and FIG. 7B is a diagram showing an EC when two and four bits are abnormal.
FIG. 4 is an explanatory diagram that requires many bits as C.

【図8】従来のクロスビットによりデータ格納を行う概
念図である。
FIG. 8 is a conceptual diagram for performing data storage using a conventional cross bit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

SS 電子ディスクサブシステム 10 電子ディスク制御装置 11 CRC生成部 12 CRCチェック部 20 電子ディスク装置 21 CRCチェック部 22 メモリライト制御部 23 メモリリード制御部 24 CRC生成部 31 CRCエラービット 32 ECC 100 上位装置 121 メモリ部 151 データ SS electronic disk subsystem 10 electronic disk control device 11 CRC generation unit 12 CRC check unit 20 electronic disk device 21 CRC check unit 22 memory write control unit 23 memory read control unit 24 CRC generation unit 31 CRC error bit 32 ECC 100 host device 121 Memory 151 data

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の装置間でデータ転送を行う際にエ
ラーチェックとしてCRCを行い、そのCRC結果をデ
ータに付加してデータ転送を行うデータ転送方式におい
て、 前記CRC結果であるエラーの有無を、フラグビットと
してデータに付加して転送することを特徴とするデータ
転送方式。
1. A data transfer method for performing a CRC as an error check when performing data transfer between a plurality of devices and adding the CRC result to data to perform data transfer. A data transfer method characterized in that the data is transferred by being added to data as flag bits.
【請求項2】 前記CRC結果のデータへの付加形式
は、破壊書き込み形式であることを特徴とする請求項1
記載のデータ転送方式。
2. The method according to claim 1, wherein a format of adding the CRC result to the data is a destructive writing format.
Data transfer method described.
【請求項3】 前記フラグビットは、1ビットであるこ
とを特徴とする請求項1または請求項2記載のデータ転
送方式。
3. The data transfer method according to claim 1, wherein the flag bit is one bit.
【請求項4】 前記複数の装置は、ホストコンピュータ
と半導体ディスクとを備えてなることを特徴とする請求
項1乃至請求項3の何れか一つに記載のデータ転送方
式。
4. The data transfer method according to claim 1, wherein the plurality of devices include a host computer and a semiconductor disk.
【請求項5】 前記半導体ディスクは、DRAMを備え
てなることを特徴とする請求項4記載のデータ転送方
式。
5. The data transfer method according to claim 4, wherein said semiconductor disk includes a DRAM.
【請求項6】 前記DRAMは、多ビット構成のDRA
Mであることを特徴とする請求項5記載のデータ転送方
式。
6. The DRAM has a multi-bit DRA.
6. The data transfer method according to claim 5, wherein M is M.
【請求項7】 前記多ビット構成のDRAMへのデータ
格納形式は、クロスビット形式であることを特徴とする
請求項6記載のデータ転送方式。
7. The data transfer method according to claim 6, wherein the data storage format of the multi-bit DRAM is a cross-bit format.
【請求項8】 複数の装置間でデータ転送を行う際にエ
ラーチェックとしてCRCを行い、そのCRC結果をデ
ータに付加してデータ転送を行うデータ転送方式におい
て、 転送されたデータのCRCを行う第1CRC手段と、 該第1CRC手段がエラーがあると判断した場合に、エ
ラーフラグを前記データに付加してメモリに格納する格
納手段と、 前記メモリから前記データを読み出し、エラーフラグ付
きデータの場合には2度目のCRCを行う第2CRC手
段とを備えたことを特徴とするデータ転送方式。
8. A data transfer method for performing CRC as an error check when performing data transfer between a plurality of devices and adding the CRC result to data to perform CRC of the transferred data. A first CRC means; a storage means for adding an error flag to the data when the first CRC means determines that there is an error; storing the data in a memory; reading the data from the memory; A data transfer method comprising a second CRC means for performing a second CRC.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2419979A (en) * 2004-11-04 2006-05-10 Sigmatel Inc System and method for reading non-volatile computer memory
US8645790B2 (en) 2010-11-08 2014-02-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Data processing device and method using error detection code, method of compensating for data skew, and semiconductor device having the data processing device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2419979A (en) * 2004-11-04 2006-05-10 Sigmatel Inc System and method for reading non-volatile computer memory
US7409623B2 (en) 2004-11-04 2008-08-05 Sigmatel, Inc. System and method of reading non-volatile computer memory
GB2419979B (en) * 2004-11-04 2008-08-27 Sigmatel Inc System and method of reading non-volatile computer memory
KR100873943B1 (en) * 2004-11-04 2008-12-12 시그마텔, 인크. System and method of reading non-volatile computer memory
US8645790B2 (en) 2010-11-08 2014-02-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Data processing device and method using error detection code, method of compensating for data skew, and semiconductor device having the data processing device

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