JP2001174784A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JP2001174784A
JP2001174784A JP35703599A JP35703599A JP2001174784A JP 2001174784 A JP2001174784 A JP 2001174784A JP 35703599 A JP35703599 A JP 35703599A JP 35703599 A JP35703599 A JP 35703599A JP 2001174784 A JP2001174784 A JP 2001174784A
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JP
Japan
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voltage
scanning
signal line
liquid crystal
crystal display
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Japanese (ja)
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Tomohiko Sato
友彦 佐藤
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Hitachi Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device wherein a potential fluctuation is not caused when the voltage applied to each scanning signal line is changed over from a selected scanning voltage to a non-selected scanning voltage. SOLUTION: This is a liquid crystal display device comprising plural pixels with pixel electrodes, plural scanning signal lines for applying selected scanning voltages or non-selected scanning voltages to the plural pixels, a liquid crystal display element having plural capacitance signal lines connected with the pixel electrode of each pixel via capacitance elements, and a scanning signal line driving means for sequentially supplying the selected scanning voltages to respective scanning signal lines, supplying the non-selected voltages to respective scanning signal lines when the selected scanning voltages are not supplied, and also supplying driving voltages to respective capacitance signal lines, and the scanning signal line driving means supplies a voltage to compensate for variation in potential caused on the pixel electrode of each pixel when the voltage applied to each scanning signal line is changed over to the non-selected scanning voltage from the selected scanning voltage in each capacitance signal line corresponding to each scanning signal line supplied with the non-selected voltage.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
わり、特に、多階調表示が可能な液晶表示装置の走査信
号線駆動手段(ゲートドライバ)に適用して有効な技術
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a technique which is effective when applied to a scanning signal line driving means (gate driver) of a liquid crystal display device capable of displaying multiple gradations.

【0002】[0002]

【従来の技術】画素毎に能動素子(例えば、薄膜トラン
ジスタ)を有し、この能動素子をスイッチング駆動する
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、ノート型パソ
コン等の表示装置として広く使用されている。このアク
ティブマトリクス型液晶表示装置は、能動素子を介して
画素電極に映像信号電圧(表示データに対応する階調電
圧;以下、階調電圧と称する。)を印加するため、各画
素間のクロストークがなく、単純マトリクス形液晶表示
装置のようにクロストークを防止するための特殊な駆動
方法を用いる必要がなく、多階調表示が可能である。こ
のアクティブマトリクス型液晶表示装置の1つに、TF
T(Thin Film Transister)方式の液晶表示パネル(T
FT−LCD)と、液晶表示パネルの周辺部に配置され
るドレインドライバおよびゲ−トドライバと、ドレイン
ドライバおよびゲ−トドライバを駆動するインタフェー
ス部とを備えるTFT方式の液晶表示モジュールが知ら
れている。なお、このような技術は、例えば、特願平8
−86668号に記載されている。
2. Description of the Related Art An active matrix type liquid crystal display device having an active element (for example, a thin film transistor) for each pixel and switchingly driving the active element is widely used as a display device of a notebook type personal computer or the like. This active matrix type liquid crystal display device applies a video signal voltage (a gray scale voltage corresponding to display data; hereinafter, referred to as a gray scale voltage) to a pixel electrode via an active element. There is no need to use a special driving method for preventing crosstalk unlike a simple matrix type liquid crystal display device, and multi-tone display is possible. TF is one of the active matrix type liquid crystal display devices.
T (T hin F ilm T ransister ) mode liquid crystal display panel of (T
2. Description of the Related Art A TFT-type liquid crystal display module including an FT-LCD, a drain driver and a gate driver arranged in a peripheral portion of a liquid crystal display panel, and an interface unit for driving the drain driver and the gate driver is known. I have. Incidentally, such a technique is disclosed in, for example, Japanese Patent Application No. Hei.
No.-86668.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】一般に、液晶層は、長
時間同じ電圧(直流電圧)が印加されていると、液晶層
の傾きが固定化され、結果として残像現象を引き起こ
し、液晶層の寿命を縮めることになる。これを防止する
ために、液晶表示モジュールおいては、液晶層に印加す
る電圧をある一定時間毎に交流化、即ち、コモン電極に
印加する電圧を基準にして、画素電極に印加する電圧
を、一定時間毎に正電圧側/負電圧側に変化させるよう
にしている。一方、TFT方式の液晶表示パネルでは、
画素電極とゲート信号線との間の寄生容量により、各画
素毎に設けられる能動素子(例えば、薄膜トランジス
タ)がオフとなったときに、画素電極の電位が変動する
(以下、単に、飛び込みと称する。)。そして、この飛
び込みにより、画素電極の電位が、正極性あるいは負極
性のいずれかに偏ると、正極性のときに液晶層に印加さ
れる電圧と、負極性のときに液晶層に印加される電圧と
が異なり、表示画像の色ずれが発生し、また、結果的
に、液晶層に直流電圧が印加されることになるので、最
悪の場合には、液晶層の焼き付けが生じるという問題点
があった。
Generally, when the same voltage (DC voltage) is applied to the liquid crystal layer for a long time, the inclination of the liquid crystal layer is fixed, and as a result, an afterimage phenomenon is caused and the life of the liquid crystal layer is reduced. Will be reduced. In order to prevent this, in the liquid crystal display module, the voltage applied to the liquid crystal layer is converted into an alternating voltage every certain time, that is, based on the voltage applied to the common electrode, the voltage applied to the pixel electrode is The voltage is changed to the positive voltage side / negative voltage side at regular intervals. On the other hand, in a TFT type liquid crystal display panel,
Due to the parasitic capacitance between the pixel electrode and the gate signal line, the potential of the pixel electrode fluctuates when an active element (for example, a thin film transistor) provided for each pixel is turned off (hereinafter, simply referred to as jump-in). .). When the potential of the pixel electrode is biased to either the positive polarity or the negative polarity due to the jump, the voltage applied to the liquid crystal layer when the polarity is positive and the voltage applied to the liquid crystal layer when the polarity is negative. Unlike the above, there is a problem that a color shift of a displayed image occurs and, as a result, a DC voltage is applied to the liquid crystal layer. In the worst case, the liquid crystal layer is burned. Was.

【0004】本発明は、前記従来技術の問題点を解決す
るためになされたものであり、本発明の目的は、液晶表
示装置において、各走査信号線に印加される電圧が選択
走査電圧から非選択走査電圧に変化した時に、各画素の
画素電極に電位変動が生じないようにすることが可能と
なる技術を提供することにある。本発明の他の目的は、
液晶表示装置において、最大振幅レベルが小さく、か
つ、電圧レベルが低電位側の階調電圧を、各画素の画素
電極に供給することが可能となる技術を提供することに
ある。本発明の前記目的と新規な特徴は、本明細書の記
述及び添付図面によって明らかになるであろう。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device in which a voltage applied to each scanning signal line is different from a selected scanning voltage. It is an object of the present invention to provide a technique capable of preventing a potential change from occurring in a pixel electrode of each pixel when the voltage changes to a selective scanning voltage. Another object of the present invention is to
It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device capable of supplying a grayscale voltage having a small maximum amplitude level and a low voltage level to a pixel electrode of each pixel. The above objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。即ち、本発明は、画素電極を有す
る複数の画素と、複数の画素に選択走査電圧、あるいは
非選択号電圧を印加する複数の走査信号線と、各画素の
画素電極と容量素子を介して接続される複数の容量信号
線とを有する液晶表示素子を有する液晶表示装置におい
て、非選択走査電圧が供給されている各走査信号線に対
応する各容量信号線に、各走査信号線に印加される電圧
が選択走査電圧から非選択走査電圧に変化した時に各画
素の画素電極に生じる電位変動を補償する駆動電圧、あ
るいは、各画素の画素電極に印加される電圧と対向電極
に印加される駆動電圧との間の電位差を大きくする駆動
電圧を供給することを特徴とする。前記手段によれば、
各走査信号線に印加される電圧が選択走査電圧から非選
択走査電圧に変化した時に、各画素の画素電極と走査信
号線との間の寄生容量により、各画素の画素電極に生じ
る電位変動を相殺することが可能となる。前記手段によ
れば、各画素の画素電極に印加される電圧と対向電極に
印加される駆動電圧との間の電位差を大きくすることが
できるので、各画素の画素電極に供給する階調電圧の電
圧レベルを低減することが可能となる。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows. That is, the present invention provides a method for connecting a plurality of pixels having pixel electrodes, a plurality of scanning signal lines for applying a selection scanning voltage or a non-selection voltage to the plurality of pixels, and a pixel electrode of each pixel via a capacitor. In a liquid crystal display device having a liquid crystal display element having a plurality of capacitance signal lines, a non-selection scanning voltage is applied to each capacitance signal line corresponding to each scanning signal line to which each scanning signal line is supplied. A drive voltage that compensates for potential fluctuations that occur at the pixel electrode of each pixel when the voltage changes from the selected scan voltage to the non-selective scan voltage, or a voltage applied to the pixel electrode of each pixel and a drive voltage applied to the counter electrode And a driving voltage for increasing a potential difference between the driving voltage and the driving voltage. According to the means,
When the voltage applied to each scanning signal line changes from the selection scanning voltage to the non-selection scanning voltage, the parasitic capacitance between the pixel electrode of each pixel and the scanning signal line causes the potential fluctuation occurring at the pixel electrode of each pixel. It is possible to offset. According to the above means, the potential difference between the voltage applied to the pixel electrode of each pixel and the drive voltage applied to the counter electrode can be increased, so that the grayscale voltage supplied to the pixel electrode of each pixel can be increased. The voltage level can be reduced.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】以下、本発明実施の形態を図面を
参照して説明する。なお、発明の実施の形態を説明する
ための全図において、同一機能を有するものは同一符号
を付け、その繰り返しの説明は省略する。 [実施の形態1] 〈本発明の実施の形態1の液晶表示モジュールの基本構
成〉図1は、本実施の形態のTFT方式の液晶表示モジ
ュールの基本構成を示すブロック図である。同図に示す
ように、本実施の形態の液晶表示モジュールは、液晶表
示パネル10と、表示制御装置110と、電源回路12
0と、ドレインドライバ部130と、ゲートドライバ部
140とから構成される。液晶表示パネル10は、画素
電極、薄膜トランジスタ等が形成されるTFT基板と、
対向電極、カラーフィルタ等が形成されるフィルタ基板
とを、所定の間隙を隔てて重ね合わせ、該両基板間の周
縁部近傍に枠状に設けたシール材により、両基板を貼り
合わせると共に、シール材の一部に設けた液晶封入口か
ら両基板間のシール材の内側に液晶を封入、封止し、さ
らに、両基板の外側に偏光板を貼り付けて構成される。
ドレインドライバ部130は、それぞれ半導体集積回路
装置(IC)で構成される複数のドレインドライバで構
成され、同様に、ゲートドライバ部140も、それぞれ
半導体集積回路装置(IC)で構成される複数のゲート
ドライバで構成される。これら複数のドレインドライバ
およびゲートドライバは、TFT基板のガラス基板上に
搭載される。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In all the drawings for describing the embodiments of the present invention, components having the same functions are denoted by the same reference numerals, and their repeated description will be omitted. First Embodiment <Basic Configuration of Liquid Crystal Display Module of First Embodiment of the Present Invention> FIG. 1 is a block diagram showing a basic configuration of a TFT type liquid crystal display module of the present embodiment. As shown in FIG. 1, the liquid crystal display module according to the present embodiment includes a liquid crystal display panel 10, a display control device 110, a power supply circuit 12
0, a drain driver section 130, and a gate driver section 140. The liquid crystal display panel 10 includes a TFT substrate on which a pixel electrode, a thin film transistor, and the like are formed;
A filter substrate on which a counter electrode, a color filter, and the like are formed is overlapped with a predetermined gap therebetween, and the two substrates are bonded together with a sealing material provided in a frame shape near a peripheral portion between the two substrates. Liquid crystal is sealed and sealed inside a seal material between the two substrates from a liquid crystal sealing opening provided in a part of the material, and further, a polarizing plate is stuck outside the two substrates.
The drain driver section 130 is composed of a plurality of drain drivers each composed of a semiconductor integrated circuit device (IC). Similarly, the gate driver section 140 is composed of a plurality of gates each composed of a semiconductor integrated circuit device (IC). Consists of a driver. The plurality of drain drivers and gate drivers are mounted on a glass substrate of a TFT substrate.

【0007】〈本実施の形態の液晶表示パネルの構成お
よびゲートドライバの構成〉図2は、本実施の形態の液
晶表示パネル10の等価回路を示す図である。なお、同
図には、本実施の形態のゲートドライバ40の容量信号
線駆動回路部の構成も図示してある。図2に示すよう
に、本願実施の形態の液晶表示パネル10は、マトリク
ス状に形成される複数の画素を有する。なお、図2で
は、3個の画素しか図示していないが、実際は、前記し
た如くマトリクス状に配置される。各画素は、隣接する
2本の信号線(ドレイン信号線(D)またはゲート信号
線(G))と、隣接する2本の信号線(ゲート信号線
(G)またはドレイン信号線(D))との交差領域内に
配置される。各画素は薄膜トランジスタ(TFT)を有
し、各画素の薄膜トランジスタ(TFT)のソース電極
は、画素電極(ITO1)に接続される。また、画素電
極(ITO1)とコモン電極(ITO2)との間に液晶
層が設けられるので、画素電極(ITO1)とコモン電
極(ITO2)との間には、液晶容量(CLC)が等価的
に接続される。さらに、薄膜トランジスタ(TFT)の
ソース電極と、容量信号線(STG)とソース電極(I
TO1)との間に保持容量(CSTG)が形成される。
なお、図2は、縦電界方式の液晶表示パネルの等価回路
を示しており、図2において、ARは表示領域である。
<Structure of Liquid Crystal Display Panel and Gate Driver of the Present Embodiment> FIG. 2 is a diagram showing an equivalent circuit of the liquid crystal display panel 10 of the present embodiment. FIG. 3 also shows the configuration of the capacitance signal line drive circuit section of the gate driver 40 according to the present embodiment. As shown in FIG. 2, the liquid crystal display panel 10 according to the embodiment of the present application has a plurality of pixels formed in a matrix. Although FIG. 2 shows only three pixels, they are actually arranged in a matrix as described above. Each pixel includes two adjacent signal lines (a drain signal line (D) or a gate signal line (G)) and two adjacent signal lines (a gate signal line (G) or a drain signal line (D)). And is arranged in the intersection area with. Each pixel has a thin film transistor (TFT), and a source electrode of the thin film transistor (TFT) of each pixel is connected to the pixel electrode (ITO1). Since a liquid crystal layer is provided between the pixel electrode (ITO1) and the common electrode (ITO2), a liquid crystal capacitance (CLC) is equivalently provided between the pixel electrode (ITO1) and the common electrode (ITO2). Connected. Further, a source electrode of a thin film transistor (TFT), a capacitance signal line (STG) and a source electrode (I
TO1), a storage capacitor (CSTG) is formed.
Note that FIG. 2 shows an equivalent circuit of a vertical electric field type liquid crystal display panel. In FIG. 2, AR is a display area.

【0008】本実施の形態の液晶表示パネル10におい
て、列方向に配置された各画素の薄膜トランジスタ(T
FT)のドレイン電極は、それぞれドレイン信号線
(D)に接続され、各ドレイン信号線(D)は、列方向
の各画素の液晶層に階調電圧を印加するドレインドライ
バ部130の対応するドレインドライバに接続される。
また、行方向に配置された各画素における薄膜トランジ
スタ(TFT)のゲート電極は、それぞれゲート信号線
(G)に接続され、各ゲート信号線(G)は、1水平走
査時間、行方向の各画素の薄膜トランジスタ(TFT)
のゲート電極に走査駆動電圧(Highレベル(以下、
単に、Hレベルと称する。)の選択走査電圧およびLo
wレベル(以下、単に、Lレベルと称する。)の非選択
走査電圧)を供給するゲートドライバ40に接続され
る。また、本実施の形態では、容量信号線(STG)も
ゲートドライバ40に接続される。
In the liquid crystal display panel 10 of the present embodiment, the thin film transistor (T) of each pixel arranged in the column direction
FT) are connected to drain signal lines (D), respectively, and each drain signal line (D) is connected to a corresponding drain of the drain driver unit 130 that applies a gradation voltage to the liquid crystal layer of each pixel in the column direction. Connected to driver.
The gate electrodes of the thin film transistors (TFTs) in the pixels arranged in the row direction are connected to gate signal lines (G), respectively. Each gate signal line (G) is connected to each pixel in the row direction for one horizontal scanning time. Thin film transistor (TFT)
The scanning drive voltage (High level (hereinafter, referred to as “high level”)
Simply referred to as H level. ) Selection scan voltage and Lo
It is connected to a gate driver 40 that supplies a w-level (hereinafter, simply referred to as L level) non-selective scanning voltage. In the present embodiment, the capacitance signal line (STG) is also connected to the gate driver 40.

【0009】〈本実施の形態の液晶表示モジュール動作
概要〉表示制御装置110は、1個の半導体集積回路
(LSI)から構成され、コンピュータ本体側から送信
されてくるクロック信号、ディスプレイタイミング信
号、水平同期信号、垂直同期信号の各表示制御信号およ
び表示用デ−タ(R・G・B)を基に、ドレインドライ
バ部130、およびゲートドライバ部140のそれぞれ
のドレインドライバとゲートドライバとを制御・駆動す
る。ゲートドライバ40は、表示制御装置110から送
出されるフレーム開始指示信号(FLM)およびシフト
クロック(CL3)に基づき、1水平走査時間毎に、順
次液晶表示パネル10の各ゲート信号線(G)にHレベ
ルの選択走査電圧を供給する。これにより、液晶表示パ
ネル10の各ゲート信号線(G)に接続された複数の薄
膜トランジスタ(TFT)が、1水平走査時間の間導通
する。ドレインドライバは、表示制御装置110から送
出されるスタートパルス(表示データ取込開始信号)、
および表示データラッチ用クロック(CL2)に基づ
き、表示制御装置110から送出される表示データを順
次ラッチする。また、ドレインドライバは、表示制御装
置110から送出される出力タイミング制御用クロック
(CL1)に基づき、ラッチした表示データに対応する
階調電圧をそれぞれのドレイン信号線(D)に供給す
る。以上の動作により、液晶表示パネル10に画像が表
示される。図1に示す電源回路120は、各ドレインド
ライバに、正極性の階調基準電圧と、負極性の階調基準
電圧とを供給するとともに、ゲートドライバ40に、薄
膜トランジスタ(TFT)のゲート電極に印加する走査
駆動電圧を供給する。
<Outline of Operation of Liquid Crystal Display Module of Present Embodiment> The display control device 110 is composed of one semiconductor integrated circuit (LSI), and receives a clock signal, a display timing signal, and a horizontal signal transmitted from the computer body. The drain driver and the gate driver of the drain driver unit 130 and the gate driver unit 140 are controlled based on the display control signals of the synchronization signal and the vertical synchronization signal and the display data (RGB). Drive. The gate driver 40 sequentially supplies the gate signal lines (G) of the liquid crystal display panel 10 for each horizontal scanning time based on the frame start instruction signal (FLM) and the shift clock (CL3) sent from the display control device 110. An H level selective scanning voltage is supplied. Thereby, a plurality of thin film transistors (TFTs) connected to each gate signal line (G) of the liquid crystal display panel 10 conduct for one horizontal scanning time. The drain driver includes a start pulse (display data capture start signal) transmitted from the display control device 110,
The display data sent from the display control device 110 is sequentially latched based on the display data latch clock (CL2). Further, the drain driver supplies a gray scale voltage corresponding to the latched display data to each drain signal line (D) based on the output timing control clock (CL1) sent from the display control device 110. By the above operation, an image is displayed on the liquid crystal display panel 10. The power supply circuit 120 shown in FIG. 1 supplies a gray scale reference voltage of positive polarity and a gray scale reference voltage of negative polarity to each drain driver, and applies the same to a gate driver 40 to a gate electrode of a thin film transistor (TFT). Scan driving voltage to be supplied.

【0010】〈図1に示す液晶表示モジュールの交流化
駆動方法〉一般に、液晶層は、長時間同じ電圧(直流電
圧)が印加されていると、液晶層の傾きが固定化され、
結果として残像現象を引き起こし、液晶層の寿命を縮め
ることになる。これを防止するために、液晶表示モジュ
ールおいては、液晶層に印加する電圧をある一定時間毎
に交流化、即ち、コモン電極(ITO2)に印加する電
圧を基準にして、画素電極(ITO1)に印加する電圧
を、一定時間毎に正電圧側/負電圧側に変化させるよう
にしている。この液晶層に交流電圧を印加する駆動方法
として、コモン対称法とコモン反転法の2通りの方法が
知られている。コモン対称法とは、コモン電極に印加さ
れる電圧を一定とし、画素電極(ITO1)に印加する
電圧を、コモン電極(ITO2)に印加される電圧を基
準にして、交互に正(以下、この場合を正極性とい
う)、負(以下、この場合を負極性という)に反転させ
る方法である。このコモン対称法では、低消費電力と表
示品質の点で優れているドット反転法あるいはNライン
反転法が使用可能である。
<Method of AC Drive of Liquid Crystal Display Module shown in FIG. 1> Generally, when the same voltage (DC voltage) is applied to the liquid crystal layer for a long time, the inclination of the liquid crystal layer is fixed.
As a result, an afterimage phenomenon is caused, and the life of the liquid crystal layer is shortened. In order to prevent this, in the liquid crystal display module, the voltage applied to the liquid crystal layer is converted into an alternating voltage at certain time intervals, that is, the pixel electrode (ITO1) is turned on based on the voltage applied to the common electrode (ITO2). Is changed to the positive voltage side / negative voltage side at regular time intervals. As a driving method for applying an AC voltage to the liquid crystal layer, two methods, a common symmetry method and a common inversion method, are known. The common symmetry method is a method in which the voltage applied to the common electrode is fixed, and the voltage applied to the pixel electrode (ITO1) is alternately positive (hereinafter, referred to as the voltage) applied to the common electrode (ITO2). This is a method of inverting the case to a positive polarity and negative (hereinafter, this case is referred to as a negative polarity). In this common symmetric method, a dot inversion method or an N-line inversion method, which is excellent in terms of low power consumption and display quality, can be used.

【0011】前記Nライン反転法では、Nライン(例え
ば、1ライン)毎に、画素電極(ITO1)に印加する
電圧が、交互に正極性あるいは負極性とされる。したが
って、このNライン反転法では、1ライン内の画素電極
(ITO1)の電圧は、すべて正極性あるいは負極性と
なる。前記ドット反転法では、奇数フレームの奇数ライ
ンにおいて、奇数番目のドレイン信号線(D)(即ち、
奇数番目の画素電極(ITO1))に負極性の階調電圧
を、また、偶数番目のドレイン信号線(D)(即ち、偶
数番目の画素電極(ITO1)に正極性の階調電圧を供
給する。さらに、奇数フレームの偶数ラインにおいて、
奇数番目のドレイン信号線(D)に正極性の階調電圧
を、また、偶数番目のドレイン信号線(D)に負極性の
階調電圧を供給する。そして、各ライン毎の極性はフレ
ーム毎に反転され、即ち、偶数フレームの奇数ラインで
は、奇数番目のドレイン信号線(D)に正極性の階調電
圧が、また、偶数番目のドレイン信号線(D)に負極性
の階調電圧が供給される。さらに、偶数フレームの偶数
ラインでは、奇数番目のドレイン信号線(D)に負極性
の階調電圧が、また、偶数番目のドレイン信号線(D)
に正極性の階調電圧が供給される。本発明は、前記ドッ
ト反転法あるいはNライン反転法のどちらにも適用可能
である。
In the N-line inversion method, the voltage applied to the pixel electrode (ITO1) is alternately positive or negative for every N lines (for example, one line). Therefore, in the N-line inversion method, the voltage of the pixel electrode (ITO1) in one line is all positive or negative. In the dot inversion method, an odd-numbered drain signal line (D) (ie, an odd-numbered drain signal line (D))
A negative gradation voltage is supplied to the odd-numbered pixel electrode (ITO1), and a positive gradation voltage is supplied to the even-numbered drain signal line (D) (that is, the even-numbered pixel electrode (ITO1)). Further, in the even line of the odd frame,
A positive gradation voltage is supplied to the odd-numbered drain signal lines (D), and a negative gradation voltage is supplied to the even-numbered drain signal lines (D). The polarity of each line is inverted for each frame. That is, in the odd lines of the even frames, the gray scale voltage of the positive polarity is applied to the odd drain signal lines (D), and the even drain signal lines ( D) is supplied with a negative gradation voltage. Further, in the even-numbered lines of the even-numbered frame, a negative gradation voltage is applied to the odd-numbered drain signal lines (D), and the even-numbered drain signal lines (D)
Is supplied with a positive gradation voltage. The present invention is applicable to both the dot inversion method and the N-line inversion method.

【0012】〈図1に示す液晶表示パネルの1画素分の
等価回路〉図3は、本実施の形態の液晶表示パネル10
の1画素分の等価回路を示す図である。なお、実際は、
容量信号線(STG)がゲート信号線(G)と平行に設
けられているが、説明の都合上、図3では、容量信号線
(STG)がゲート信号線(G)と直交するように図示
している。図4は、従来の液晶表示モジュールおよび本
発明の各実施の形態の液晶表示モジュールにおける画素
電極(ITO1)の電位変動を説明するためのタイムチ
ャートである。以下、交流化駆動方法として、画素電極
(ITO1)に印加する電圧を、1フレーム毎に、正極
性と負極性とに変化させる1フレーム反転法を適用した
場合を例に挙げて、従来の液晶表示モジュールおよび本
実施の形態の液晶表示モジュールにおける画素電極(I
TO1)の電位変動を説明する。従来の液晶表示モジュ
ールでは、容量信号線(STG)に、コモン電極(IT
O2)に印加される固定電位のVcomの電圧が印加さ
れている。正極性の階調電圧の書き込み時に、従来の液
晶表示モジュールでは、ゲート信号線(G)に供給され
る走査信号電圧がHレベルの選択走査電圧になると、薄
膜トランジスタ(TFT)がオンとなり、画素電極(I
TO1)の電圧は、ドレイン信号線(D)から供給され
る階調電圧(図4のVDh)となる。また、ゲート信号
線(G)に供給される走査信号電圧がLレベルの非選択
走査電圧になると、薄膜トランジスタ(TFT)がオフ
となり、画素電極(ITO1)はフロ−ティング状態と
なる。しかしながら、この時、画素電極(ITO1)と
ゲート信号線(G)との間の寄生容量(Cgl)によ
り、ゲート信号線(G)に供給される走査信号電圧のH
レベルからLレベルへの変化に追随して、画素電極(I
TO1)の電位が変動し(以下、単に、飛び込みと称す
る。)、画素電極(ITO1)の電圧は、ドレイン信号
線(D)から供給される階調電圧(図4のVDh)より
も低い電圧となる。
<Equivalent circuit for one pixel of the liquid crystal display panel shown in FIG. 1> FIG. 3 shows a liquid crystal display panel 10 of the present embodiment.
3 is a diagram showing an equivalent circuit for one pixel of FIG. In fact,
Although the capacitance signal line (STG) is provided in parallel with the gate signal line (G), for convenience of explanation, FIG. 3 shows that the capacitance signal line (STG) is orthogonal to the gate signal line (G). Is shown. FIG. 4 is a time chart for explaining a potential change of the pixel electrode (ITO1) in the conventional liquid crystal display module and the liquid crystal display module of each embodiment of the present invention. Hereinafter, a conventional liquid crystal will be described as an example of a case where a one-frame inversion method in which a voltage applied to a pixel electrode (ITO1) is changed to a positive polarity and a negative polarity for each frame is applied as an alternating drive method. The pixel electrode (I) in the display module and the liquid crystal display module of the present embodiment.
The potential fluctuation of TO1) will be described. In a conventional liquid crystal display module, a common electrode (IT) is connected to a capacitance signal line (STG).
The voltage of the fixed potential Vcom applied to O2) is applied. In the conventional liquid crystal display module at the time of writing the positive gradation voltage, when the scanning signal voltage supplied to the gate signal line (G) becomes the H level selective scanning voltage, the thin film transistor (TFT) is turned on, and the pixel electrode is turned on. (I
The voltage of TO1) is the gradation voltage (VDh in FIG. 4) supplied from the drain signal line (D). Further, when the scanning signal voltage supplied to the gate signal line (G) becomes a non-selective scanning voltage of L level, the thin film transistor (TFT) is turned off, and the pixel electrode (ITO1) enters a floating state. However, at this time, the parasitic capacitance (Cgl) between the pixel electrode (ITO1) and the gate signal line (G) causes the scanning signal voltage H supplied to the gate signal line (G) to be high.
Following the change from the level to the L level, the pixel electrode (I
The voltage of the pixel electrode (ITO1) is lower than the gradation voltage (VDh in FIG. 4) supplied from the drain signal line (D). Becomes

【0013】同様に、負極性の階調電圧の書き込み時に
も、ゲート信号線(G)に供給される走査信号電圧がH
レベルの選択走査電圧のときに、画素電極(ITO1)
の電圧は、ドレイン信号線(D)から供給される階調電
圧(図4のVDl)となるが、ゲート信号線(G)に供
給される走査信号電圧がLレベルの非選択走査電圧にな
ると、前記飛び込みにより、画素電極(ITO1)の電
圧は、ドレイン信号線(D)から供給される階調電圧
(図4のVDl)よりも低い電圧となる。なお、図4で
は、ゲート信号線(G)に選択走査電圧が供給されると
きの画素電極(ITO1)の電圧と、ゲート信号線
(G)に非選択走査電圧が供給されるときの画素電極
(ITO1)の電圧との間の電位差をVGで表してい
る。液晶表示パネル10に、少なくとも2フレーム期間
内に、液晶表示パネル10に同じ画像を表示する場合、
正極性の階調電圧と、コモン電極(ITO2)に印加さ
れるVcomの電圧との間の電位差、および負極性の階
調電圧と、コモン電極(ITO2)に印加されるVco
mの電圧との間の電位差は、同じにする必要がある。
Similarly, at the time of writing the negative gradation voltage, the scanning signal voltage supplied to the gate signal line (G) becomes H level.
When the level is selected, the pixel electrode (ITO1)
Becomes the gradation voltage (VDl in FIG. 4) supplied from the drain signal line (D), but when the scanning signal voltage supplied to the gate signal line (G) becomes the L-level non-selective scanning voltage. Due to the jump, the voltage of the pixel electrode (ITO1) becomes lower than the gradation voltage (VD1 in FIG. 4) supplied from the drain signal line (D). In FIG. 4, the voltage of the pixel electrode (ITO1) when the selection scanning voltage is supplied to the gate signal line (G) and the pixel electrode when the non-selection scanning voltage is supplied to the gate signal line (G). The potential difference from the voltage of (ITO1) is represented by VG. When displaying the same image on the liquid crystal display panel 10 within at least two frame periods,
The potential difference between the positive gradation voltage and the voltage of Vcom applied to the common electrode (ITO2), the negative gradation voltage and Vco applied to the common electrode (ITO2)
The potential difference from the voltage of m must be the same.

【0014】しかしながら、図4に示すように、ゲート
信号線(G)に選択走査電圧が供給されるときの画素電
極(ITO1)の電圧と、ゲート信号線(G)に非選択
走査電圧が供給されるときの画素電極(ITO1)の電
圧との間に、VGの電位差が生じると、正極性の階調電
圧と、コモン電極(ITO2)に印加されるVcomの
電圧との間の電位差、および負極性の階調電圧と、コモ
ン電極(ITO2)に印加されるVcomの電圧との間
の電位差が同じにならない。そのため、画素電極(IT
O1)の電位が、正極性あるいは負極性のいずれかに偏
ることになり、結果的に、液晶層に直流電圧が印加され
ることになり、前記した如く、液晶表示パネル10の表
示画像に色ずれが発生したり、最悪の場合には、液晶層
の焼き付けが生じるという問題点があった。
However, as shown in FIG. 4, when the selection scanning voltage is supplied to the gate signal line (G), the voltage of the pixel electrode (ITO1) and the non-selection scanning voltage are supplied to the gate signal line (G). When a potential difference of VG occurs between the voltage of the pixel electrode (ITO1) and the voltage of Vcom applied to the common electrode (ITO2), a potential difference of VG is generated between the pixel voltage and the voltage of the pixel electrode (ITO1). The potential difference between the negative gradation voltage and the voltage of Vcom applied to the common electrode (ITO2) is not the same. Therefore, the pixel electrode (IT
The potential of O1) is biased toward either the positive polarity or the negative polarity. As a result, a DC voltage is applied to the liquid crystal layer, and the color displayed on the liquid crystal display panel 10 is changed as described above. In the worst case, there is a problem that the liquid crystal layer is burned.

【0015】本実施の形態でも、図2に示すように、ゲ
ートドライバ40内のシフトレジスタ回路(S/R)か
らゲート信号線(G)に順次Hレベルの選択走査電圧を
供給する。しかしながら、本実施の形態では、ゲート信
号線(G)にHレベルの選択走査電圧が供給されるとき
に、NMOS型トランジスタ(以下、単に、NMOSと
称する。)(NM11)がオンとなり、容量信号線(S
TG)にVslの電圧が供給され、また、ゲート信号線
(G)にLレベルの非選択走査電圧が供給されるとき
に、PMOS型トランジスタ(以下、単に、PMOSと
称する。)(PM11)がオンとなり、容量信号線(S
TG)にVshの電圧が供給される。ここで、Vslの
電圧は、コモン電極(ITO2)に印加されるVcom
の電圧と同電位で、Vshの電圧とVslの電圧との電
位差は、前記VGの電圧と同じである。本実施の形態で
は、保持容量(CSTG)により、容量信号線(ST
G)に供給されるVslの電圧からVshの電圧への変
化に追随して、画素電極(ITO1)の電位を上昇させ
ることができる。したがって、本実施の形態では、図4
の実施例1に示すように、ゲート信号線(G)に選択走
査電圧が供給されるときの画素電極(ITO1)の電圧
と、ゲート信号線(G)に非選択走査電圧が供給される
ときの画素電極(ITO1)の電圧とを同じくすること
ができ、従来の液晶表示モジュールのように、液晶表示
パネル10の表示画像に色ずれが発生したり、最悪の場
合には、液晶層の焼き付けが生じるのを防止することが
可能となる。なお、前記説明では、1フレーム反転法を
適用した場合について説明したが、前記したドット反転
法にも適用可能であることはいうまでもない。また、ゲ
ートドライバ140から、容量信号線(STG)にVs
lおよびVshの電圧を供給するようにしたが、これに
限らず、容量信号線(STG)にVslおよびVshの
電圧を供給するための専用の回路を設けるようにしても
よい。
Also in this embodiment, as shown in FIG. 2, an H level selective scanning voltage is sequentially supplied from the shift register circuit (S / R) in the gate driver 40 to the gate signal line (G). However, in the present embodiment, when the H-level selection scanning voltage is supplied to the gate signal line (G), the NMOS transistor (hereinafter simply referred to as NMOS) (NM11) is turned on, and the capacitance signal is output. Line (S
When a voltage of Vsl is supplied to TG) and a non-selective scanning voltage of L level is supplied to the gate signal line (G), a PMOS transistor (hereinafter simply referred to as PMOS) (PM11). Is turned on, and the capacitance signal line (S
TG) is supplied with the voltage Vsh. Here, the voltage of Vsl is Vcom applied to the common electrode (ITO2).
And the potential difference between the voltage Vsh and the voltage Vsl is the same as the voltage VG. In this embodiment mode, the capacitance signal line (ST) is controlled by the storage capacitor (CSTG).
The potential of the pixel electrode (ITO1) can be increased following the change from the voltage Vsl supplied to G) to the voltage Vsh. Therefore, in the present embodiment, FIG.
As shown in Example 1, the voltage of the pixel electrode (ITO1) when the selection scanning voltage is supplied to the gate signal line (G) and the case where the non-selection scanning voltage is supplied to the gate signal line (G) Can be made equal to the voltage of the pixel electrode (ITO1), and a color shift occurs in the display image of the liquid crystal display panel 10 as in a conventional liquid crystal display module. Can be prevented from occurring. In the above description, the case where the one-frame inversion method is applied has been described. However, it is needless to say that the one-frame inversion method is also applicable. Also, Vs is applied from the gate driver 140 to the capacitance signal line (STG).
Although the voltages of 1 and Vsh are supplied, the present invention is not limited to this, and a dedicated circuit for supplying the voltages of Vsl and Vsh to the capacitance signal line (STG) may be provided.

【0016】[実施の形態2] 〈本発明の実施の形態の液晶表示モジュールの特徴的構
成〉本実施の形態の液晶表示モジュールは、図4の実施
例2に示すように、正極性の階調電圧の書き込み時で、
ゲート信号線(G)にLレベルの選択走査電圧が供給さ
れるときに、容量信号線(STG)にVshの電圧より
も高電位のVshh(Vshh>Vsh)を供給し、ま
た、負極性の階調電圧の書き込み時で、ゲート信号線
(G)にLレベルの選択走査電圧が供給されるときに、
容量信号線(STG)にVslの電圧よりも低電位のV
sll(Vsll<Vsl)を供給する。これにより、
本実施の形態では、保持容量(CSTG)により、容量
信号線(STG)に供給されるVsllの電圧からVs
hhの電圧への変化に追随して、画素電極(ITO1)
の電位を、前記実施の形態1の場合よりもさらに高電位
側にシフトさせることができ、同様に、容量信号線(S
TG)に供給されるVshhの電圧からVsllの電圧
への変化に追随して、画素電極(ITO1)の電位をさ
らに低電位側にシフトさせることができる。
Embodiment 2 <Characteristic Configuration of Liquid Crystal Display Module of Embodiment of the Present Invention> A liquid crystal display module of the present embodiment has a positive polarity floor as shown in Embodiment 2 of FIG. When writing the adjustment voltage,
When an L-level selection scanning voltage is supplied to the gate signal line (G), Vshh (Vshh> Vsh) higher than the voltage of Vsh is supplied to the capacitance signal line (STG), and a negative polarity is supplied. At the time of writing the gradation voltage, when an L-level selection scanning voltage is supplied to the gate signal line (G),
A lower potential V is applied to the capacitance signal line (STG) than the voltage Vsl.
sll (Vsll <Vsl). This allows
In this embodiment, the storage capacitor (CSTG) changes the voltage of Vsll supplied to the capacitance signal line (STG) to Vs
Following the change to the voltage of hh, the pixel electrode (ITO1)
Can be shifted to a higher potential side than in the case of the first embodiment. Similarly, the capacitance signal line (S
The potential of the pixel electrode (ITO1) can be further shifted to a lower potential side following the change from the voltage Vshh supplied to the TG) to the voltage Vsll.

【0017】したがって、本実施の形態では、ドレイン
信号線(D)に供給される正極性のVDhの階調電圧
と、ドレイン信号線(D)に供給される負極性のVDl
の階調電圧との間の電圧(VD)を、画素電極(ITO
1)に生じる正極性の階調電圧と、画素電極(ITO
1)に生じる負極性の階調電圧との間の電位差(VD
D)よりも小さくすることができる。このように、本実
施の形態では、ドレイン信号線(D)に供給される各階
調電圧の電圧レベルを低減することができるので、ドレ
インドライバ内の駆動回路として、低耐圧トランジスタ
素子を使用する低耐圧駆動回路が使用できるとともに、
低耐圧の薄膜トランジスタ(TFT)を使用することが
可能となる。これにより、消費電力を低減することが可
能となる。さらに、前記実施の形態1で述べたVGの電
圧も低減することが可能となる。
Therefore, in the present embodiment, the positive VDh gradation voltage supplied to the drain signal line (D) and the negative VDl supplied to the drain signal line (D)
Is applied to the pixel electrode (ITO).
1) and the pixel electrode (ITO)
1) and the potential difference (VD
It can be smaller than D). As described above, in the present embodiment, since the voltage level of each grayscale voltage supplied to the drain signal line (D) can be reduced, a low-voltage transistor element using a low-voltage transistor element is used as a drive circuit in the drain driver. Withstand voltage drive circuit can be used,
It becomes possible to use a thin film transistor (TFT) having a low withstand voltage. Thus, power consumption can be reduced. Further, the VG voltage described in the first embodiment can be reduced.

【0018】図5は、本実施の形態のゲートドライバ4
0の容量信号駆動回路を示す回路図である。図6は、図
5に示す容量線駆動回路により、各ゲート信号線(G)
および容量信号線(STG)に供給される電圧波形を示
す波形図である。以下、図5に示すゲートドライバ40
の容量信号駆動回路の動作について説明する。同図に示
すように、奇数番目の容量信号線(STG1,STG
3)は、インバータ(IV1,IV2)を介してNMO
S(NM23)と接続されているので、表示開始前に、
リセット信号(RST)がHレベルとなり、NMOS
(NM23)がオンとなると、奇数番目の容量信号線
(STG1,STG3)には、Vsllの駆動電圧が供
給される。したがって、PMOS(PM21)がオン、
NMOS(NM21)がオフとなる。この場合に、ゲー
ト信号線(G1)には、Lレベルの非選択走査電圧が供
給されているので、PMOS(PM21)と直列に接続
されるPMOS(PM22)、および、NMOS(NM
21)と直列に接続されるNMOS(NM22)はオフ
となっている。
FIG. 5 shows the gate driver 4 of the present embodiment.
FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a capacitance signal drive circuit of 0. FIG. 6 shows each gate signal line (G) by the capacitance line driving circuit shown in FIG.
FIG. 4 is a waveform diagram showing a voltage waveform supplied to a capacitor signal line (STG). Hereinafter, the gate driver 40 shown in FIG.
The operation of the capacitance signal drive circuit of FIG. As shown in the figure, odd-numbered capacitance signal lines (STG1, STG
3) NMO via inverters (IV1, IV2)
S (NM23), so before starting display,
The reset signal (RST) becomes H level and the NMOS
When (NM23) is turned on, a drive voltage of Vsll is supplied to the odd-numbered capacitance signal lines (STG1, STG3). Therefore, the PMOS (PM21) is turned on,
The NMOS (NM21) turns off. In this case, since the gate signal line (G1) is supplied with the L-level non-selective scanning voltage, the PMOS (PM22) connected in series with the PMOS (PM21) and the NMOS (NM)
The NMOS (NM22) connected in series with 21) is off.

【0019】今、ゲート信号線(G1)に、Hレベルの
選択走査電圧が供給されると、PMOS(PM22)と
NMOS(NM22)とはともにオンとなり、これによ
り、ノード(N1)は、Vshhの電圧となる。そし
て、再び、ゲート信号線(G1)に、Lレベルの非選択
走査電圧が供給されると、PMOS(PM22)とNM
OS(NM22)はともにオフとなるとともに、トラン
スファゲート回路(TG)がオンとなるので、インバー
タ(IV1)には、ノード(N1)のVshhの電圧が
印加されるので、容量信号線(STG1)には、Vsh
hの駆動電圧が供給される。それにより、PMOS(P
M21)がオフ、NMOS(NM21)がオンとなる。
1フレームが終了して、次のフレームとなり、再度、ゲ
ート信号線(G1)に、Hレベルの選択走査電圧が供給
されると、ノード(N1)はVsllの電圧とされるの
で、次のフレームでは、容量信号線(STG1)には、
Vsllの駆動電圧が供給される。このように、奇数番
目の容量信号線(STG1,STG3)には、交互に、
VshhとVsllの駆動電圧が印加される。
Now, when the selection scanning voltage at the H level is supplied to the gate signal line (G1), both the PMOS (PM22) and the NMOS (NM22) are turned on, whereby the node (N1) is connected to the Vshhh. Voltage. When the L-level non-selection scanning voltage is supplied to the gate signal line (G1) again, the PMOS (PM22) and the NM
Since both the OS (NM22) is turned off and the transfer gate circuit (TG) is turned on, the voltage of the node (N1) Vshh is applied to the inverter (IV1), so that the capacitance signal line (STG1) Has Vsh
h drive voltage is supplied. Thereby, the PMOS (P
M21) is turned off, and the NMOS (NM21) is turned on.
When one frame is completed, the next frame is started. When the H level selective scanning voltage is supplied to the gate signal line (G1) again, the node (N1) is set to the voltage of Vsll. Then, the capacitance signal line (STG1)
A driving voltage of Vsll is supplied. Thus, the odd-numbered capacitance signal lines (STG1, STG3) are alternately
Drive voltages of Vshh and Vsll are applied.

【0020】偶数番目の容量信号線(STG2)は、イ
ンバータ(IV2)を介してNMOS(NM23)と接
続されているので、表示開始前に、リセット信号(RS
T)がHレベルとなり、NMOS(NM23)がオンと
なると、偶数数番目の容量信号線(STG2)には、V
shhの駆動電圧が供給される。したがって、PMOS
(PM21)がオフ、NMOS(NM21)がオンとな
る。今、ゲート信号線(G2)に、Hレベルの選択走査
電圧が供給されると、PMOS(PM22)とNMOS
(NM22)はともにオンとなり、これにより、ノード
(N1)は、Vsllの電圧となる。そして、再び、ゲ
ート信号線(G2)に、Lレベルの非選択走査電圧が供
給されると、PMOS(PM22)とNMOS(NM2
2)はともにオフとなるとともに、トランスファゲート
回路(TG)がオンとなるので、インバータ(IV1)
には、ノード(N1)のVsllの電圧が印加されるの
で、容量信号線(STG2)には、Vsllの駆動電圧
が供給される。それにより、PMOS(PM21)がオ
ン、NMOS(NM21)がオフとなる。1フレームが
終了して、次のフレームとなり、再度、ゲート信号線
(G1)に、Hレベルの選択走査電圧が供給されると、
ノード(N1)はVshhの電圧とされるので、次のフ
レームでは、容量信号線(STG2)には、Vshhの
駆動電圧が供給される。このように、偶数番目の容量信
号線(STG2)には、交互に、VsllとVshhの
駆動電圧が印加される。
The even-numbered capacitance signal line (STG2) is connected to the NMOS (NM23) via the inverter (IV2), so that the reset signal (RS
T) goes high and the NMOS (NM23) turns on, the even-numbered capacitance signal line (STG2)
Shh drive voltage is supplied. Therefore, the PMOS
(PM21) is turned off, and the NMOS (NM21) is turned on. Now, when an H level selection scanning voltage is supplied to the gate signal line (G2), the PMOS (PM22) and the NMOS (PM22)
(NM22) are both turned on, so that the voltage of the node (N1) becomes Vsll. When the L-level non-selection scanning voltage is supplied to the gate signal line (G2) again, the PMOS (PM22) and the NMOS (NM2)
2) are both turned off and the transfer gate circuit (TG) is turned on, so that the inverter (IV1)
Is applied with the voltage of Vsll at the node (N1), so that the driving signal of Vsll is supplied to the capacitance signal line (STG2). Thereby, the PMOS (PM21) is turned on and the NMOS (NM21) is turned off. When one frame is completed, the next frame is started, and when the H level selective scanning voltage is supplied to the gate signal line (G1) again,
Since the node (N1) is set at the voltage of Vshh, the drive signal of Vshh is supplied to the capacitance signal line (STG2) in the next frame. As described above, the drive voltages of Vsll and Vshh are alternately applied to the even-numbered capacitance signal lines (STG2).

【0021】図7は、本実施の形態の液晶表示モジュー
ルにおいて、交流化駆動方法として1ライン反転法を採
用した場合の液晶表示パネルの等価回路を示す回路図で
ある。図8は、本実施の形態の液晶表示モジュールにお
いて、交流化駆動方法としてドット反転法を採用した場
合の液晶表示パネルの等価回路を示す回路図である。図
8に示すように、交流化駆動方法としてドット反転法を
採用する場合には、各ラインの奇数番目の保持容量(C
STG1,CSTG3,CSTG5)を次段の容量信号
線(STG)に接続し、偶数番目の保持容量(CSTG
2,CSTG4,CSTG6)を当段の容量信号線(S
TG)に接続する。そして、前述したように、隣接する
容量信号線(STG)に供給される駆動電圧は、Vsh
hあるいはVsllであるので、ドット反転法で駆動す
ることができる。但し、前記図4に示すタイミングチャ
ートと異なり、保持容量(CSTG1,CSTG3,C
STG5)が、次段の容量信号線に接続される画素電極
(ITO1)の電位が高電位側あるいは低電位側にシフ
トされるタイミングは、次段のゲート信号線(G)が、
Hレベルの選択走査電圧からLレベルの非選択走査電圧
に変化したときとなる。
FIG. 7 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the liquid crystal display panel when the one-line inversion method is employed as the AC driving method in the liquid crystal display module of the present embodiment. FIG. 8 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a liquid crystal display panel in a case where a dot inversion method is employed as an AC driving method in the liquid crystal display module of the present embodiment. As shown in FIG. 8, when the dot inversion method is adopted as the AC driving method, the odd-numbered storage capacitors (C
STG1, CSTG3, and CSTG5) are connected to the next-stage capacitance signal line (STG), and the even-numbered storage capacitors (CSTG) are connected.
2, CSTG4, CSTG6) to the capacitance signal line (S
TG). As described above, the drive voltage supplied to the adjacent capacitance signal line (STG) is Vsh
h or Vsll, it can be driven by the dot inversion method. However, unlike the timing chart shown in FIG. 4, the storage capacitors (CSTG1, CSTG3, CTG
STG5) shifts the potential of the pixel electrode (ITO1) connected to the next-stage capacitance signal line to the high potential side or the low potential side at the timing when the next-stage gate signal line (G)
This is when the H-level selected scanning voltage changes to the L-level non-selected scanning voltage.

【0022】前述したように、本実施の形態では、ドレ
イン信号線(D)に供給される各階調電圧の電圧レベル
を低減することができるので、ドレインドライバ内の駆
動回路として、低耐圧トランジスタ素子を使用する低耐
圧駆動回路が使用できるとともに、低耐圧の薄膜トラン
ジスタ(TFT)を使用することが可能となる。したが
って、本発明は、薄膜トランジスタ(TFT)をポリシ
リコン素子で作製するポリシリコン型の液晶表示モジュ
ール、あるいは、図9に示すような、薄膜トランジスタ
(TFT)ばかりでなく、水平走査回路230および垂
直走査回路240をTFT基板上に低温ポリシリコン素
子で作製する周辺回路内蔵ポリシリコン型の液晶表示モ
ジュールに有効である。
As described above, in this embodiment, since the voltage level of each gray scale voltage supplied to the drain signal line (D) can be reduced, a low breakdown voltage transistor element is used as a drive circuit in the drain driver. Can be used, and a thin film transistor (TFT) having a low withstand voltage can be used. Accordingly, the present invention is not limited to a polysilicon type liquid crystal display module in which a thin film transistor (TFT) is formed by a polysilicon element, or a horizontal scanning circuit 230 and a vertical scanning circuit as shown in FIG. 240 is effective for a polysilicon type liquid crystal display module with a built-in peripheral circuit manufactured by a low-temperature polysilicon element on a TFT substrate.

【0023】さらに、本発明は、IPS方式の液晶表示
モジュール(横電界方式の液晶表示モジュール)にも有
効である。図12は、従来のIPS方式の液晶表示モジ
ュールにおける、ドレインドライバからドレイン信号線
(D)に供給される階調電圧の電圧レベルを示すグラフ
であり、図13は、従来のIPS方式の液晶表示モジュ
ールにおける、画素電極(PX)の階調電圧の電圧レベ
ルを示すグラフである。図13に示すように、従来のI
PS方式の液晶表示モジュールでは、画素電極(PX)
に印加される正極性の階調電圧の最大電圧レベルと負極
性の階調電圧の最大電圧レベルとの差(以下、単に、最
大振幅レベルという。)は15Vと大きく、図12に示
すように、この最大振幅レベルの階調電圧をドレインド
ライバからドレイン信号線(D)に供給するようにして
いる。このように、IPS方式の液晶表示モジュールの
場合、液晶駆動電圧が高いために、高電圧の駆動回路お
よび高耐圧の薄膜トランジスタ(TFT)を使用する必
要があった。
Further, the present invention is also effective for an IPS type liquid crystal display module (a horizontal electric field type liquid crystal display module). FIG. 12 is a graph showing a voltage level of a gray scale voltage supplied from a drain driver to a drain signal line (D) in a conventional IPS mode liquid crystal display module, and FIG. 13 is a conventional IPS mode liquid crystal display module. 6 is a graph showing a voltage level of a gradation voltage of a pixel electrode (PX) in a module. As shown in FIG.
In the PS type liquid crystal display module, the pixel electrode (PX)
The difference between the maximum voltage level of the positive-polarity gray scale voltage and the maximum voltage level of the negative-polarity gray scale voltage (hereinafter, simply referred to as the maximum amplitude level) is as large as 15 V, as shown in FIG. The grayscale voltage having the maximum amplitude level is supplied from the drain driver to the drain signal line (D). As described above, in the case of the IPS mode liquid crystal display module, since the liquid crystal driving voltage is high, it is necessary to use a high voltage driving circuit and a high withstand voltage thin film transistor (TFT).

【0024】図10は、本発明をIPS方式の液晶表示
モジュールに適用した場合における、ドレインドライバ
からドレイン信号線(D)に供給される階調電圧の電圧
レベルを示すグラフであり、図11は、本発明を適用し
たIPS方式の液晶表示モジュールにおける、画素電極
(PX)の階調電圧の電圧レベルを示すグラフである。
本実施の形態では、蓄積容量(Cstg)により、容量
信号線(STG)に供給されるVsllの電圧からVs
hhの電圧への変化に追随して、画素電極(PX)の電
位を高電位側にシフトさせることができ、同様に、容量
信号線(STG)に供給されるVshhの電圧からVs
llの電圧への変化に追随して、画素電極(PX)の電
位を低電位側にシフトさせることができる。したがっ
て、本発明を、IPS方式の液晶表示モジュールに適用
した場合には、図10に示すように、ドレインドライバ
からドレイン信号線(D)に、従来のIPS方式の液晶
表示モジュールに比して、最大振幅レベルが小さく、か
つ、電圧レベルが低電位側の階調電圧を供給し、容量信
号線(STG)に供給される駆動電圧の変化に追随し
て、画素電極(PX)の電位を、従来のIPS方式の液
晶表示モジュールのように、最大振幅レベルの大きい階
調電圧へとシフトさせることが可能となる。このよう
に、本発明を、IPS方式の液晶表示モジュールに適用
した場合には、従来のように、高電圧の駆動回路および
高耐圧の薄膜トランジスタ(TFT)を使用する必要が
なく、低電圧の駆動回路および低耐圧の薄膜トランジス
タ(TFT)を使用することが可能となる。
FIG. 10 is a graph showing the voltage level of the gray scale voltage supplied from the drain driver to the drain signal line (D) when the present invention is applied to the IPS mode liquid crystal display module. 4 is a graph showing a voltage level of a gradation voltage of a pixel electrode (PX) in an IPS type liquid crystal display module to which the present invention is applied.
In the present embodiment, the storage capacitor (Cstg) reduces the voltage of Vsll supplied to the capacitance signal line (STG) to Vs
The potential of the pixel electrode (PX) can be shifted to the higher potential side following the change to the voltage of hh, and similarly, the voltage of Vshh supplied to the capacitance signal line (STG) is changed to Vs
The potential of the pixel electrode (PX) can be shifted to a lower potential side following the change to the voltage of ll. Therefore, when the present invention is applied to the IPS mode liquid crystal display module, as shown in FIG. 10, the drain driver is connected to the drain signal line (D) as compared with the conventional IPS mode liquid crystal display module. A grayscale voltage having a small maximum amplitude level and a low voltage level is supplied, and the potential of the pixel electrode (PX) is changed according to a change in the drive voltage supplied to the capacitance signal line (STG). As in a conventional IPS type liquid crystal display module, it is possible to shift to a gradation voltage having a large maximum amplitude level. As described above, when the present invention is applied to the IPS mode liquid crystal display module, it is not necessary to use a high-voltage driving circuit and a high-breakdown-voltage thin film transistor (TFT) unlike the related art, and the low-voltage driving is not required. A circuit and a thin-film transistor (TFT) having a low withstand voltage can be used.

【0025】図14は、本発明が適用されるIPS方式
の液晶表示モジュールの液晶表示パネルの等価回路を示
す図である。同図に示すように、本発明が適用されるI
PS方式の液晶表示モジュールの液晶表示パネルでは、
対向電極(CT)に駆動電圧(Vcom)を印加するた
めの対向電極信号線(CL)に加えて、容量信号線(S
TG)が設けられる。図15は、図14に示す液晶表示
パネルの各電極構成を示す図であり、図16は、図15
に示すA−B線に沿った断面構造を示す断面図である。
図15、図16に示す液晶表示パネルでは、TFT基板
(SUB1)側に、対向電極(CT)、対向電極(C
T)に駆動電圧(Vcom)を印加するための対向電極
信号線(CL)が設けられる。また、対向電極(CT)
との間でTFT基板(SUB1)と略平行な電界を液晶
層(LC)に印加する画素電極(PX)は、スルーホー
ル(SH1)を介して、最下層に形成される薄膜トラン
ジスタ(TFT)のソース領域(SD1)と接続され
る。薄膜トランジスタ(TFT)のドレイン領域は、ス
ルーホール(SH2)を介してドレイン信号線(D)に
接続される。したがって、画素電極(PX)と対向電極
(CT)と間に、液晶容量(Cpix)が等価的に接続
される。なお、図16において、SUB2はフィルタ基
板、GRASはTFT基板(SUB1)のガラス基板で
ある。
FIG. 14 is a diagram showing an equivalent circuit of a liquid crystal display panel of an IPS type liquid crystal display module to which the present invention is applied. As shown in FIG.
In the liquid crystal display panel of the PS type liquid crystal display module,
In addition to a counter electrode signal line (CL) for applying a drive voltage (Vcom) to the counter electrode (CT), a capacitance signal line (S
TG) is provided. FIG. 15 is a diagram showing the configuration of each electrode of the liquid crystal display panel shown in FIG. 14, and FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure along the line AB shown in FIG.
In the liquid crystal display panel shown in FIGS. 15 and 16, a counter electrode (CT) and a counter electrode (C) are provided on the TFT substrate (SUB1) side.
A counter electrode signal line (CL) for applying a drive voltage (Vcom) to T) is provided. Also, the counter electrode (CT)
A pixel electrode (PX) for applying an electric field substantially parallel to the TFT substrate (SUB1) to the liquid crystal layer (LC) between the TFT substrate (SUB1) and the thin film transistor (TFT) formed in the lowermost layer through the through hole (SH1). Connected to source area (SD1). The drain region of the thin film transistor (TFT) is connected to a drain signal line (D) via a through hole (SH2). Therefore, a liquid crystal capacitance (Cpix) is equivalently connected between the pixel electrode (PX) and the counter electrode (CT). In FIG. 16, SUB2 is a filter substrate, and GRAS is a glass substrate of a TFT substrate (SUB1).

【0026】ここで、ドレイン信号線(D)は、層間絶
縁膜(SZ1)を介して、対向電極(CT)(または、
対向電極信号線(CL)、あるいは、画素電極(P
X))が形成される層の下側の層に形成される。また、
層間絶縁膜(SZ2)を介して、ドレイン信号線(D)
が形成される層の下側の層に形成される容量信号線(S
TG)は、画素電極(PX)の下側に延長される突出部
(STGa)を有し、さらに、薄膜トランジスタ(TF
T)のソース領域(SD1)も、画素電極(PX)の下
側に延長される突出部(SD1a)を有する。ここで、
画素電極(PX)の突出部(STGa)と、薄膜トラン
ジスタ(TFT)のソース領域(SD1)の突出部(S
D1a)との間には、層間絶縁膜(SZ3)が設けられ
る。これにより、画素電極(PX)の突出部(STG
a)と画素電極(PX)、および、画素電極(PX)の
突出部(STGa)と薄膜トランジスタ(TFT)のソ
ース領域(SD1)の突出部(SD1a)との間に蓄積
容量(Cstg)が形成される。以上、本発明者によっ
てなされた発明を、前記発明の実施の形態に基づき具体
的に説明したが、本発明は、前記発明の実施の形態に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは勿論である。
Here, the drain signal line (D) is connected to the counter electrode (CT) (or
The counter electrode signal line (CL) or the pixel electrode (P
X)) is formed in a layer below the layer in which is formed. Also,
Drain signal line (D) via interlayer insulating film (SZ2)
The capacitance signal line (S
TG) has a protrusion (STGa) extending below the pixel electrode (PX), and further has a thin film transistor (TF).
The source region (SD1) of T) also has a protruding portion (SD1a) extending below the pixel electrode (PX). here,
The protrusion (STGa) of the pixel electrode (PX) and the protrusion (S1) of the source region (SD1) of the thin film transistor (TFT).
D1a), an interlayer insulating film (SZ3) is provided. Thereby, the projection (STG) of the pixel electrode (PX)
a) and the pixel electrode (PX), and a storage capacitor (Cstg) formed between the protrusion (STGa) of the pixel electrode (PX) and the protrusion (SD1a) of the source region (SD1) of the thin film transistor (TFT). Is done. As described above, the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment of the present invention. However, the present invention is not limited to the embodiment of the invention, and does not depart from the gist of the invention. It goes without saying that various changes can be made in.

【0027】[0027]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 (1)本発明の液晶表示装置によれば、各走査信号線に
印加される電圧が選択走査電圧から非選択走査電圧に変
化した時に、各画素の画素電極に電位変動が生じるの防
止することが可能となる。 (2)本発明の液晶表示装置によれば、最大振幅レベル
が小さく、かつ、電圧レベルが低電位側の階調電圧を、
各画素の画素電極に供給することが可能となる。
The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. (1) According to the liquid crystal display device of the present invention, when the voltage applied to each scanning signal line changes from the selected scanning voltage to the non-selected scanning voltage, it is possible to prevent a potential change from occurring in the pixel electrode of each pixel. Becomes possible. (2) According to the liquid crystal display device of the present invention, a grayscale voltage having a small maximum amplitude level and a low voltage level is
It can be supplied to the pixel electrode of each pixel.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1のTFT方式の液晶表示
モジュールの基本構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a basic configuration of a TFT-type liquid crystal display module according to Embodiment 1 of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態1の液晶表示パネルの等価
回路を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an equivalent circuit of the liquid crystal display panel according to Embodiment 1 of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態1の液晶表示パネルの1画
素分の等価回路を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating an equivalent circuit for one pixel of the liquid crystal display panel according to Embodiment 1 of the present invention.

【図4】従来の液晶表示モジュールと本発明の各実施の
形態の液晶表示モジュールにおける画素電極(ITO
1)の電位変動を説明するためのタイムチャートであ
る。
FIG. 4 shows a pixel electrode (ITO) in a conventional liquid crystal display module and the liquid crystal display module of each embodiment of the present invention.
5 is a time chart for explaining the potential fluctuation of 1).

【図5】本発明の実施の形態2のゲートドライバの容量
信号駆動回路を示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a capacitance signal drive circuit of a gate driver according to a second embodiment of the present invention.

【図6】図5に示す容量線駆動回路により、各ゲート信
号線(G)および容量信号線(STG)に供給される電
圧波形を示す波形図である。
6 is a waveform diagram showing a voltage waveform supplied to each gate signal line (G) and capacitance signal line (STG) by the capacitance line drive circuit shown in FIG.

【図7】本発明の実施の形態2の液晶表示モジュールに
おいて、交流化駆動方法として1ライン反転法を採用し
た場合の液晶表示パネルの等価回路を示す回路図であ
る。
FIG. 7 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a liquid crystal display panel in a case where a one-line inversion method is employed as an AC driving method in the liquid crystal display module according to the second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の実施の形態2の液晶表示モジュールに
おいて、交流化駆動方法としてドット反転法を採用した
場合の液晶表示パネルの等価回路を示す回路図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a liquid crystal display panel in a case where a dot inversion method is employed as an AC driving method in the liquid crystal display module according to the second embodiment of the present invention.

【図9】本発明を周辺回路内蔵ポリシリコン型の液晶表
示モジュールに適用した場合の液晶表示パネルの等価回
路を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing an equivalent circuit of a liquid crystal display panel when the present invention is applied to a polysilicon type liquid crystal display module with a built-in peripheral circuit.

【図10】本発明をIPS方式の液晶表示モジュールに
適用した場合における、ドレインドライバからドレイン
信号線(D)に供給される階調電圧の電圧レベルを示す
グラフである。
FIG. 10 is a graph showing a voltage level of a gray scale voltage supplied from a drain driver to a drain signal line (D) when the present invention is applied to an IPS type liquid crystal display module.

【図11】本発明をIPS方式の液晶表示モジュールに
適用した場合おける、画素電極(PX)の階調電圧の電
圧レベルを示すグラフである。
FIG. 11 is a graph showing a voltage level of a gradation voltage of a pixel electrode (PX) in a case where the present invention is applied to an IPS mode liquid crystal display module.

【図12】従来のIPS方式の液晶表示モジュールにお
ける、ドレインドライバからドレイン信号線(D)に供
給される階調電圧の電圧レベルを示すグラフである。
FIG. 12 is a graph showing a voltage level of a gray scale voltage supplied to a drain signal line (D) from a drain driver in a conventional IPS mode liquid crystal display module.

【図13】従来のIPS方式の液晶表示モジュールにお
ける、画素電極(PX)の階調電圧の電圧レベルを示す
グラフである。
FIG. 13 is a graph showing a voltage level of a gradation voltage of a pixel electrode (PX) in a conventional IPS mode liquid crystal display module.

【図14】本発明が適用されるIPS方式の液晶表示モ
ジュールの液晶表示パネルの等価回路を示す図である。
FIG. 14 is a diagram showing an equivalent circuit of a liquid crystal display panel of an IPS type liquid crystal display module to which the present invention is applied.

【図15】図14に示す液晶表示パネルの各電極構成を
示す図である。
15 is a diagram showing the configuration of each electrode of the liquid crystal display panel shown in FIG.

【図16】図15に示すA−B線に沿った断面構造を示
す断面図である。
16 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along line AB shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…液晶表示パネル(TFT−LCD)、40…ゲー
トドライバ、110…表示制御装置、120…電源回
路、130…ドレインドライバ部、140…ゲートドラ
イバ部、230…水平走査回路、240…垂直走査回
路、D…ドレイン信号線(映像信号線または垂直信号
線)、G…ゲート信号線(走査信号線または水平信号
線)、ITO1,PX…画素電極、ITO2…コモン電
極、CT…対向電極、CL…対向電極信号線、STG…
容量信号線、STGa…容量信号線(STG)に形成さ
れる突出部、LC…液晶層、TFT…薄膜トランジス
タ、CLC,Cpix…液晶容量、CSTG…保持容量、
Cstg…蓄積容量、PM…PMOSトランジスタ、N
M…NMOSトランジスタ、TG…トランスファゲート
回路、IV…インバータ、SUB1…TFT基板、SU
B2…フィルタ基板、GRAS…ガラス基板、SD1…
ソース領域、SD1a…ソース領域(SD1)に形成さ
れる突出部、AR…表示領域、SH…スルーホール、S
Z…層間絶縁膜、Cgl…寄生容量。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Liquid crystal display panel (TFT-LCD), 40 ... Gate driver, 110 ... Display control device, 120 ... Power supply circuit, 130 ... Drain driver part, 140 ... Gate driver part, 230 ... Horizontal scanning circuit, 240 ... Vertical scanning circuit , D: drain signal line (video signal line or vertical signal line), G: gate signal line (scanning signal line or horizontal signal line), ITO1, PX: pixel electrode, ITO2: common electrode, CT: counter electrode, CL: Counter electrode signal line, STG ...
Capacitance signal line, STGa: Projection formed on capacitance signal line (STG), LC: Liquid crystal layer, TFT: Thin film transistor, CLC, Cpix: Liquid crystal capacitance, CSTG: Storage capacitance,
Cstg: storage capacitance, PM: PMOS transistor, N
M: NMOS transistor, TG: transfer gate circuit, IV: inverter, SUB1: TFT substrate, SU
B2: Filter substrate, GRAS: Glass substrate, SD1 ...
Source region, SD1a: Projection formed in source region (SD1), AR: Display region, SH: Through hole, S
Z: interlayer insulating film; Cgl: parasitic capacitance.

フロントページの続き Fターム(参考) 2H093 NA16 NA79 NC13 NC16 NC18 NC23 NC26 NC34 NC67 ND07 ND33 ND58 NE03 NF05 5C006 AA16 AA22 AC27 AC28 AF42 AF44 AF50 BB16 BC03 BC06 BC12 BF03 BF04 BF15 BF42 FA26 FA34 FA37 FA56 5C080 AA10 BB05 CC03 DD05 DD18 EE29 EE30 FF03 FF11 JJ02 JJ04 JJ05 JJ06 5C094 AA03 AA05 AA55 BA03 BA43 CA19 CA25 EA03 EA04 EA07 EA10 GA10 Continued on the front page F term (reference) 2H093 NA16 NA79 NC13 NC16 NC18 NC23 NC26 NC34 NC67 ND07 ND33 ND58 NE03 NF05 5C006 AA16 AA22 AC27 AC28 AF42 AF44 AF50 BB16 BC03 BC06 BC12 BF03 BF04 BF15 BF42 FA26 FA34 FA37 FA05 DDC EE29 EE30 FF03 FF11 JJ02 JJ04 JJ05 JJ06 5C094 AA03 AA05 AA55 BA03 BA43 CA19 CA25 EA03 EA04 EA07 EA10 GA10

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 互いに対向して配置される2枚の基板
と、前記2枚の基板間に挟持される液晶層とを有する液
晶表示素子で、 画素電極を有する複数の画素と、 前記複数の画素に選択走査電圧、あるいは非選択号電圧
を印加する複数の走査信号線と、 前記各画素の画素電極と容量素子を介して接続される複
数の容量信号線とを有する液晶表示素子と、 前記各走査信号線に順次選択走査電圧を供給するととも
に、前記選択走査電圧を供給していない時に前記各走査
信号線に非選択号電圧を供給する走査信号線駆動手段
と、 前記各容量信号線に駆動電圧を供給する容量信号線駆動
手段とを有する液晶表示装置であって、 前記容量信号線駆動手段は、前記非選択走査電圧が供給
されている各走査信号線に対応する前記各容量信号線
に、前記各走査信号線に印加される電圧が前記選択走査
電圧から非選択走査電圧に変化した時に前記各画素の画
素電極に生じる電位変動を補償する駆動電圧を供給する
ことを特徴とする液晶表示装置。
1. A liquid crystal display element comprising: two substrates disposed to face each other; and a liquid crystal layer sandwiched between the two substrates; a plurality of pixels having pixel electrodes; A plurality of scanning signal lines for applying a selection scanning voltage or a non-selection signal voltage to a pixel; and a liquid crystal display element having a plurality of capacitance signal lines connected to a pixel electrode of each pixel via a capacitance element; A scanning signal line driving unit that sequentially supplies a selection scanning voltage to each scanning signal line, and supplies a non-selection signal voltage to each scanning signal line when the selection scanning voltage is not supplied, to each of the capacitance signal lines. A capacitance signal line driving unit that supplies a driving voltage, wherein the capacitance signal line driving unit is configured to control each of the capacitance signal lines corresponding to each of the scanning signal lines to which the non-selection scanning voltage is supplied. In addition, each of the scanning signals A liquid crystal display device for supplying a drive voltage for compensating for a potential change occurring in a pixel electrode of each pixel when a voltage applied to a signal line changes from the selected scanning voltage to a non-selected scanning voltage.
【請求項2】 互いに対向して配置される2枚の基板
と、前記2枚の基板間に挟持される液晶層とを有する液
晶表示素子で、 画素電極を有する複数の画素と、 前記複数の画素に選択走査電圧、あるいは非選択号電圧
を印加する複数の走査信号線と、 前記各画素の画素電極と容量素子を介して接続される複
数の容量信号線とを有する液晶表示素子と、 前記各走査信号線に順次選択走査電圧を供給するととも
に、前記選択走査電圧を供給していない時に前記各走査
信号線に非選択号電圧を供給し、かつ、前記各容量信号
線に駆動電圧を供給する走査信号線駆動手段とを有する
液晶表示装置であって、 前記走査信号線駆動手段は、前記非選択走査電圧が供給
されている各走査信号線に対応する前記各容量信号線
に、前記各走査信号線に印加される電圧が前記選択走査
電圧から非選択走査電圧に変化した時に前記各画素の画
素電極に生じる電位変動を補償する電圧を供給すること
を特徴とする液晶表示装置。
2. A liquid crystal display element comprising: two substrates disposed to face each other; and a liquid crystal layer sandwiched between the two substrates; a plurality of pixels having pixel electrodes; A plurality of scanning signal lines for applying a selection scanning voltage or a non-selection signal voltage to a pixel; and a liquid crystal display element having a plurality of capacitance signal lines connected to a pixel electrode of each pixel via a capacitance element; While sequentially supplying a selection scanning voltage to each scanning signal line, supplying a non-selection signal voltage to each scanning signal line when the selection scanning voltage is not supplied, and supplying a driving voltage to each of the capacitance signal lines A scanning signal line driving unit, wherein the scanning signal line driving unit is configured to provide the capacitance signal lines corresponding to the scanning signal lines to which the non-selective scanning voltage is supplied, Applied to the scanning signal line The liquid crystal display device and supplying the voltage to compensate for the potential variation occurring in the pixel electrode of each pixel when the pressure is changed to a non-selected scanning voltage from the selected scanning voltage.
【請求項3】 互いに対向して配置される2枚の基板
と、前記2枚の基板間に挟持される液晶層とを有する液
晶表示素子で、 画素電極を有する複数の画素と、 前記複数の画素に選択走査電圧、あるいは非選択号電圧
を印加する複数の走査信号線と、 前記各画素の画素電極と容量素子を介して接続される複
数の容量信号線と、 対向電極とを有する液晶表示素子と、 前記各走査信号線に順次選択走査電圧を供給するととも
に、前記選択走査電圧を供給していない時に前記各走査
信号線に非選択号電圧を供給する走査信号線駆動手段
と、 前記各容量信号線に駆動電圧を供給する容量信号線駆動
手段とを有する液晶表示装置であって、 前記容量信号線駆動手段は、前記非選択走査電圧が供給
されている各走査信号線に対応する前記各容量信号線
に、前記各画素の画素電極に印加される電圧と前記対向
電極に印加される駆動電圧との間の電位差を大きくする
駆動電圧を供給することを特徴とする液晶表示装置。
3. A liquid crystal display device comprising: two substrates disposed to face each other; and a liquid crystal layer sandwiched between the two substrates; a plurality of pixels having pixel electrodes; A liquid crystal display having a plurality of scanning signal lines for applying a selection scanning voltage or a non-selection voltage to a pixel, a plurality of capacitance signal lines connected to a pixel electrode of each pixel via a capacitance element, and a counter electrode. A scanning signal line driving unit that sequentially supplies a selection scanning voltage to each of the scanning signal lines, and supplies a non-selection signal voltage to each of the scanning signal lines when the selection scanning voltage is not supplied; A capacitance signal line driving unit for supplying a driving voltage to the capacitance signal line, wherein the capacitance signal line driving unit corresponds to each scanning signal line to which the non-selective scanning voltage is supplied. For each capacitance signal line The liquid crystal display device and supplying the potential difference increasing driving voltage between the drive voltage applied to the counter electrode and the voltage applied to the pixel electrode of each pixel.
【請求項4】 互いに対向して配置される2枚の基板
と、前記2枚の基板間に挟持される液晶層とを有する液
晶表示素子で、 画素電極を有する複数の画素と、 前記複数の画素に選択走査電圧、あるいは非選択号電圧
を印加する複数の走査信号線と、 前記各走査信号線毎に設けられ、前記各画素の画素電極
と容量素子を介して接続される複数の容量信号線と、 対向電極とを有する液晶表示素子と、 前記各走査信号線に順次選択走査電圧を供給するととも
に、前記選択走査電圧を供給していない時に前記各走査
信号線に非選択号電圧を供給し、かつ、前記各容量信号
線に駆動電圧を供給する走査信号線駆動手段とを有する
液晶表示装置であって、 前記走査信号線駆動手段は、前記非選択走査電圧が供給
されている各走査信号線に対応する前記各容量信号線
に、前記各画素の画素電極に印加される電圧と前記対向
電極に印加される駆動電圧との間の電位差を大きくする
駆動電圧を供給することを特徴とする液晶表示装置。
4. A liquid crystal display device comprising: two substrates disposed to face each other; and a liquid crystal layer sandwiched between the two substrates; a plurality of pixels having pixel electrodes; A plurality of scanning signal lines for applying a selection scanning voltage or a non-selection voltage to a pixel; a plurality of capacitance signals provided for each of the scanning signal lines and connected to a pixel electrode of each of the pixels via a capacitance element And a liquid crystal display element having a counter electrode, and sequentially supplying a selection scanning voltage to each of the scanning signal lines, and supplying a non-selection signal voltage to each of the scanning signal lines when the selection scanning voltage is not supplied. And a scanning signal line driving unit for supplying a driving voltage to each of the capacitance signal lines, wherein the scanning signal line driving unit is configured to perform each of the scans to which the unselected scanning voltage is supplied. Each of the above corresponding to the signal line A liquid crystal display device, wherein a driving voltage for increasing a potential difference between a voltage applied to a pixel electrode of each pixel and a driving voltage applied to the counter electrode is supplied to a capacitance signal line.
【請求項5】 前記対向電極は、前記1画素内に複数設
けられていることを特徴とする請求項3または請求項4
に記載の液晶表示装置。
5. The pixel according to claim 3, wherein a plurality of the counter electrodes are provided in one pixel.
3. The liquid crystal display device according to 1.
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