JP2001168362A - Equipment and method of processing deposition film and deposition film processed by this method - Google Patents

Equipment and method of processing deposition film and deposition film processed by this method

Info

Publication number
JP2001168362A
JP2001168362A JP35091599A JP35091599A JP2001168362A JP 2001168362 A JP2001168362 A JP 2001168362A JP 35091599 A JP35091599 A JP 35091599A JP 35091599 A JP35091599 A JP 35091599A JP 2001168362 A JP2001168362 A JP 2001168362A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
deposited film
flexible substrate
substrate
processing
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP35091599A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshihito Yoshino
豪人 吉野
Tsutomu Murakami
勉 村上
Koji Tsuzuki
幸司 都築
Koichi Shimizu
孝一 清水
Yoshifumi Takeyama
祥史 竹山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP35091599A priority Critical patent/JP2001168362A/en
Publication of JP2001168362A publication Critical patent/JP2001168362A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an equipment and method of depositing a film which has a high mass-productivity. SOLUTION: The equipment and method of depositing a film includes a function (process) of removing at least a part of a deposition film by allowing fine particles 107 to collide against a flexible substrate 101 with the deposition film on the surface while feeding out the substrate 101.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、堆積膜およびその
加工装置および加工方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a deposited film, a processing apparatus and a processing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、CO2の増加による温室効果で地
球の温暖化が生じることが予測され、CO2を排出しな
いクリーンなエネルギーの要求がますます高まってい
る。CO2を排出しないエネルギー源としては原子力発
電が挙げられるが、放射性廃棄物の問題が解決されてお
らず、より安全性の高いクリーンなエネルギーが望まれ
ている。このような状況下において、クリーンエネルギ
ーの中でも特に太陽電池は、そのクリーンさと安全性と
取扱い易さといった点から非常に注目されている。
In recent years, is expected to global warming greenhouse of increased CO 2 occurs, clean energy requirements that do not emit CO 2 is increasingly. Nuclear power generation is an example of an energy source that does not emit CO 2 , but the problem of radioactive waste has not been solved, and clean energy with higher safety is desired. Under such circumstances, among the clean energies, solar cells are particularly attracting attention because of their cleanliness, safety, and ease of handling.

【0003】太陽電池の種類としては、結晶系太陽電
池、アモルファス系太陽電池、化合物半導体太陽電池
等、多種にわたる太陽電池が研究開発されている。これ
らの太陽電池の中でもアモルファスシリコン(微結晶を
含む)太陽電池のような薄膜太陽電池は大面積化が容易
で、かつ光吸収係数が大きく、また、Si材料費が少な
く済む等の優れた特徴を有していることから非常に注目
されている。しかしながら、未だ普及するには至ってお
らず、その最大の理由はコストが高い点にある。
[0003] As a kind of solar cell, various kinds of solar cells such as a crystalline solar cell, an amorphous solar cell and a compound semiconductor solar cell have been researched and developed. Among these solar cells, thin-film solar cells such as amorphous silicon (including microcrystal) solar cells have excellent features such as easy area enlargement, large light absorption coefficient, and low Si material cost. Has attracted a great deal of attention. However, it has not yet become widespread, and the biggest reason is its high cost.

【0004】太陽電池のコストを下げる為には、太陽電
池の構成部材自体を削減して材料コストを下げること
と、大量生産が可能な製造技術を開発することによる製
造コストの削減が挙げられる。
[0004] In order to reduce the cost of the solar cell, it is possible to reduce the material cost by reducing the components of the solar cell itself, and to reduce the manufacturing cost by developing a manufacturing technique capable of mass production.

【0005】このような太陽電池のコストダウン要求に
沿って様々な技術開発が行われている。
[0005] Various technologies have been developed in accordance with the demand for cost reduction of such solar cells.

【0006】こうした太陽電池のコストダウン技術のひ
とつに太陽電池のモノリシック化がある。以下、太陽電
池のモノリシック化について説明する。
One of the techniques for reducing the cost of such a solar cell is to make the solar cell monolithic. Hereinafter, monolithic solar cells will be described.

【0007】図2は公知のモノリシック太陽電池の一例
の概略図である。このようなモノリシック太陽電池の製
造方法としては、まず基板200上に絶縁層201を作
成する。基板200自体が絶縁性である場合には絶縁層
201は必ずしも設ける必要はない。次に絶縁層201
上に下地電極202を形成し、素子ごとに下地電極を分
離する為の開溝部205を形成する。次に、光起電力層
となる半導体層203を成膜し、同様に開溝部206を
形成する。この時、開溝部206は開溝部205と少し
ずれた状態で形成されている。さらに、表面電極204
を形成し、同様に開溝部207を開溝部206からさら
にずれた位置に形成する。素子が複数の領域に分離され
ると同時に、開溝部206部に表面電極204が充填さ
れた段階で直列接続が完成している。なお、この例にお
いては表面電極は透明であり、表面側から光入射するこ
とを前提に記述した。この方式は開溝部を設けるだけの
非常に簡単な工程で製造ができ、かつ太陽電池の直列化
に際しては直列化のための接続部品等の材料費が必要な
くなるために太陽電池の低コスト化には非常に有効な形
態である。
FIG. 2 is a schematic view of an example of a known monolithic solar cell. As a method for manufacturing such a monolithic solar cell, first, an insulating layer 201 is formed on a substrate 200. When the substrate 200 itself is insulative, the insulating layer 201 is not necessarily provided. Next, the insulating layer 201
A base electrode 202 is formed thereon, and a groove 205 for separating the base electrode is formed for each element. Next, a semiconductor layer 203 serving as a photovoltaic layer is formed, and a groove 206 is similarly formed. At this time, the groove portion 206 is formed slightly deviated from the groove portion 205. Further, the surface electrode 204
Is formed, and the groove 207 is similarly formed at a position further deviated from the groove 206. At the same time that the element is separated into a plurality of regions and the surface electrode 204 is filled in the groove portion 206, the series connection is completed. In this example, the description has been made on the assumption that the surface electrode is transparent and light enters from the surface side. This method can be manufactured with a very simple process of simply providing a groove, and when serializing solar cells, the cost of materials such as connecting parts for serialization is not required, so the cost of solar cells can be reduced. Is a very effective form.

【0008】このようなモノリシック太陽電池を製造す
るにおいては、開溝部を形成する為の製造技術が非常に
重要である。開溝部を設ける手段としては、従来からレ
ーザ光を用いて除去加工を行う方式(いわゆるレーザー
スクライブ方式)が用いられてきたが、装置が大掛かり
になって設備が高額になってしまうことや、高精度の位
置決めが必要であること、レーザーの走査速度の限界か
らタクトが遅い等の問題があり、製造コストが高価であ
るのが現状である。
In manufacturing such a monolithic solar cell, a manufacturing technique for forming a groove is very important. As a means for providing the groove, a method of performing removal processing using a laser beam (a so-called laser scribe method) has conventionally been used, but the equipment becomes large-scale and the equipment becomes expensive, There are problems such as the necessity of high-accuracy positioning and the slow tact due to the limitation of the laser scanning speed, and the manufacturing cost is high at present.

【0009】このようなレーザースクライブによる問題
点を解決する為に、最近では代替加工方法として微粒子
を衝突させることによって堆積膜除去を行う方法(以降
ブラスト法と略記する)が注目されている(特開平9−
260704号公報参照)。
In order to solve the problem caused by the laser scribing, a method of removing a deposited film by colliding fine particles (hereinafter abbreviated as a blast method) has recently attracted attention as an alternative processing method. Kaihei 9-
260704).

【0010】ブラスト法は、高速にスクライブが可能で
ある上に設備も大掛かりにならない可能性があることか
ら、レーザー加工での問題点を解決することができる可
能性がある加工技術である。
[0010] The blast method is a processing technique that can solve problems in laser processing because scribing can be performed at high speed and the equipment may not be large-scale.

【0011】図3にブラスト加工の概略図を示す。図3
(a)は、加工開始時の概略図で、(b)は加工終了時
の概略図である。基板300上に絶縁層301が形成さ
れている。さらにその上に下地電極302、半導体層3
03、表面電極304が形成されており、さらに表面電
極304上に加工したい形状が開口されたマスク305
が形成されている。このような状態で、上方に設置され
たノズル306から砥粒307を吹付けることによっ
て、マスクされていない部分の表面電極304が削り取
られ、図3(b)の如く半導体層付近に到達した時点で
加工が終了し、開溝部が完成する。この後、マスクは剥
離することによって、開溝形成が完成する。
FIG. 3 shows a schematic view of the blast processing. FIG.
(A) is a schematic diagram at the start of machining, and (b) is a schematic diagram at the end of machining. An insulating layer 301 is formed over a substrate 300. Furthermore, the base electrode 302 and the semiconductor layer 3
03, a mask 305 in which a surface electrode 304 is formed and a shape to be processed is opened on the surface electrode 304
Are formed. In this state, by spraying abrasive grains 307 from the nozzle 306 provided above, the unmasked surface electrode 304 is scraped off and reaches the vicinity of the semiconductor layer as shown in FIG. 3B. Then, the machining is completed, and the groove is completed. Thereafter, the mask is peeled off to complete the formation of the groove.

【0012】次に太陽電池のコストを下げるための別方
法である可撓性基板を繰り出しながら堆積膜を形成する
方法について記す。一例として米国特許4,400,4
09号特許明細書には、ロール状に巻かれた可撓性基板
を連続的に送り出しながら基板上に連続的に堆積膜を形
成する方法が記載されている。より具体的には、複数の
グロー放電領域を設け、前記基板が前記各グロー放電領
域を順次貫通する経路に沿ってグロー放電領域を配置
し、前記基板をその長手方向に連続的に搬送せしめるこ
とによって前記各グロー放電領域ごとに好適な導電型の
半導体層を堆積形成しつつ半導体接合を有する素子を連
続形成することができるとされている(以下、本堆積膜
形成法を“R to R”法と略記する。)。
Next, a method for forming a deposited film while feeding out a flexible substrate, which is another method for reducing the cost of a solar cell, will be described. One example is U.S. Pat.
No. 09 describes a method of continuously forming a deposited film on a substrate while continuously feeding a flexible substrate wound in a roll shape. More specifically, providing a plurality of glow discharge regions, arranging the glow discharge regions along a path through which the substrate sequentially passes through each of the glow discharge regions, and continuously transporting the substrate in its longitudinal direction. It is described that a device having a semiconductor junction can be continuously formed while depositing and forming a semiconductor layer of a suitable conductivity type for each of the glow discharge regions (hereinafter, this deposition film forming method is referred to as “R to R”). Abbreviated as law.).

【0013】該特許においてはR to R法でプラズ
マCVDを実施する装置が記載されているが、この装置
において作成される堆積膜は例えば光電変換を行うシリ
コン等からなる半導体膜が主体である。実際の膜形成の
際には図2の説明の際に記したように下地電極の作成、
表面電極の作成、さらには洗浄等も必要となる。基板自
体がロール状であることから、こうしたすべての工程が
一貫してR to R方式で実施されることが最も効率
的である。R to R方式は、前述のように連続的に
堆積膜を作成可能なことから従来のバッジ式の堆積膜作
成方法に比して量産に適する方式であると言える。
In this patent, an apparatus for performing plasma CVD by the R to R method is described, but a deposited film formed in this apparatus is mainly a semiconductor film made of silicon or the like for performing photoelectric conversion. At the time of actual film formation, as described in the description of FIG.
Preparation of a surface electrode, and further cleaning and the like are required. Since the substrate itself is in the form of a roll, it is most efficient that all such steps are performed consistently in an R to R manner. The R to R method can be said to be a method suitable for mass production as compared with the conventional badge-type deposited film forming method since the deposited film can be continuously formed as described above.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】以上記したように太陽
電池のコストダウンには太陽電池のブラスト法によるモ
ノリシック化およびR to R方法が効果的である。
As described above, monolithic solar cells by the blast method and the R to R method are effective in reducing the cost of the solar cells.

【0015】しかし、先に記した特開平9−26070
4号公報において開示された堆積膜に対するブラスト法
はR to R法で用いられる可撓性基板に対して適用
できない。
However, Japanese Patent Laid-Open No. 9-26070 described above.
The blast method for a deposited film disclosed in Japanese Patent Publication No. 4 cannot be applied to a flexible substrate used in the R to R method.

【0016】一方、堆積膜の膜形成をR to R法で
実施するにおいてはすべての工程をR to R法で一
環して行うことが効率化、量産化にあたって求められ
る。その意味でブラスト法をR to R方式にて実施
する具体的な方法および具体的な装置が求められてい
た。
On the other hand, when the deposition of the deposited film is performed by the R to R method, it is required for the efficiency and mass production that all the steps are performed in an integrated manner by the R to R method. In that sense, a specific method and a specific apparatus for performing the blast method by the R to R method have been demanded.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題を解
決するために鋭意検討を行った。その結果、堆積膜の加
工にあたってブラスト法およびR to R法を同時に
実施する具体的な方法を見出し、極めて量産性の高い堆
積膜の加工装置および加工方法を発明するに至った。
Means for Solving the Problems The present inventor has conducted intensive studies in order to solve the above-mentioned problems. As a result, a specific method for simultaneously performing the blast method and the R to R method in processing the deposited film was found, and a processing apparatus and a processing method for a deposited film having extremely high mass productivity were invented.

【0018】すなわち本発明の堆積膜加工装置は、表面
に堆積膜が形成された可撓性基板を繰り出しながら微粒
子を衝突させることによって前記堆積膜の少なくとも一
部を除去する機能を有することを特徴とする。
That is, the deposited film processing apparatus of the present invention has a function of removing at least a part of the deposited film by colliding fine particles while feeding out the flexible substrate having the deposited film formed on the surface. And

【0019】また本発明の堆積膜加工装置は、微粒子を
衝突させて一部が除去された堆積膜を有する可撓性基板
に残る不要物質を、該可撓性基板を繰り出しながら除去
する手段を有すること特徴とする。
Further, the apparatus for processing a deposited film according to the present invention includes means for removing unnecessary substances remaining on the flexible substrate having the deposited film partially removed by colliding with the fine particles while feeding out the flexible substrate. It is characterized by having.

【0020】また本発明の堆積膜加工装置は、表面に堆
積膜が形成された可撓性基板を繰り出しながら微粒子を
衝突させることによって前記堆積膜の少なくとも一部を
除去する手段と、微粒子を衝突させた後に前記可撓性基
板に残る不要物質を該可撓性基板を繰り出しながら除去
する手段とを有すること特徴とする。
Further, the apparatus for processing a deposited film of the present invention comprises means for removing at least a part of the deposited film by colliding fine particles while feeding out a flexible substrate having a deposited film formed on the surface thereof; Means for removing unnecessary substances remaining on the flexible substrate after the removal while feeding out the flexible substrate.

【0021】また本発明の堆積膜加工方法は、表面に堆
積膜が形成された可撓性基板を繰り出しながら微粒子を
衝突させることによって前記堆積膜の少なくとも一部を
除去することを特徴とする。
Further, the deposited film processing method of the present invention is characterized in that at least a part of the deposited film is removed by colliding fine particles while feeding out a flexible substrate having a deposited film formed on the surface.

【0022】また本発明の堆積膜加工方法は、表面に堆
積膜が形成された可撓性基板を繰り出しながら微粒子を
衝突させることによって前記堆積膜の少なくとも一部を
除去した後、前記可撓性基板に残る不要物質を該可撓性
基板を繰り出しながら除去すること特徴とする。
Further, in the method of processing a deposited film according to the present invention, the flexible substrate having a deposited film formed on its surface is made to collide with fine particles to remove at least a part of the deposited film. The method is characterized in that unnecessary substances remaining on the substrate are removed while feeding the flexible substrate.

【0023】また本発明の堆積膜は、表面に堆積膜が形
成された可撓性基板を繰り出しながら微粒子を衝突させ
ることによって堆積膜の少なくとも一部を除去して加工
したことを特徴とする。
Further, the deposited film of the present invention is characterized in that at least a part of the deposited film is removed by colliding fine particles while feeding out the flexible substrate having the deposited film formed on the surface.

【0024】また本発明の堆積膜は、表面に堆積膜が形
成された可撓性基板を繰り出しながら微粒子を衝突させ
ることによって堆積膜の少なくとも一部を除去した後、
前記可撓性基板に残る不要物質を該可撓性基板を繰り出
しながら除去して加工したこと特徴とする。
Further, the deposited film of the present invention removes at least a part of the deposited film by colliding fine particles while feeding out the flexible substrate having the deposited film formed on the surface.
An unnecessary substance remaining on the flexible substrate is removed and processed while feeding the flexible substrate.

【0025】上記本発明は、さらなる特徴として、「前
記可撓性基板の加工面と逆側の面を基板位置保持手段に
より保持しながら微粒子を衝突させる機能を有し、ま
た、前記可撓性基板の加工面と逆側の面を基板位置保持
手段により保持しながら微粒子を衝突させて加工する」
こと、「マスクを介して微粒子を衝突させることにより
前記堆積膜の選択的な除去を行う機能を有し、また、マ
スクを介して微粒子を衝突させることにより前記堆積膜
の選択的な除去を行って加工する」こと、「前記堆積膜
が太陽電池を構成する膜の少なくとも一部である」こ
と、を含むものである。
The present invention has a further feature that it has a function of causing particles to collide while holding a surface opposite to a processing surface of the flexible substrate by a substrate position holding means. Processing is performed by colliding fine particles while holding the surface opposite to the processing surface of the substrate by the substrate position holding means. "
, "Having a function of selectively removing the deposited film by colliding fine particles through a mask, and performing a selective removal of the deposited film by colliding fine particles through a mask. Process "and" the deposited film is at least a part of a film constituting a solar cell ".

【0026】また本発明の堆積膜加工装置は、基板上の
堆積膜にすでに形成された溝を検出し、衝突させる場所
を制御しながら微粒子を衝突させることで前記堆積膜の
少なくとも一部を除去する機能を有することを特徴とす
る。
Further, the deposited film processing apparatus of the present invention detects at least a groove already formed in the deposited film on the substrate, and removes at least a part of the deposited film by colliding fine particles while controlling the place of collision. It has a function to perform.

【0027】また本発明の堆積膜加工方法は、基板上の
堆積膜にすでに形成された溝を検出し、衝突させる場所
を制御しながら微粒子を衝突させて前記堆積膜の少なく
とも一部を除去することを特徴とする。
In the method of processing a deposited film according to the present invention, a groove already formed in the deposited film on the substrate is detected, and at least a part of the deposited film is removed by colliding fine particles while controlling the location of the collision. It is characterized by the following.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下に本発明の堆積膜およびその
加工装置および加工方法を説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a deposited film of the present invention, a processing apparatus and a processing method thereof will be described.

【0029】始めに本発明の基本的な構成要素であるR
to R方法にてブラスト法を実施する方法について
図1を用いながら説明する。図1はこうした堆積膜加工
装置の例を示す模式図である。
First, a basic component of the present invention, R
A method of performing the blast method by the toR method will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of such a deposited film processing apparatus.

【0030】図1において101は表面に(本図におい
ては下面に)堆積膜の形成された可撓性基板であり、送
り出しローラー102から繰り出されて巻き取りローラ
ー103に巻き取られる。104はブラスト工程が実施
される際に可撓性基板の位置を正確に保持することで、
安定した条件でブラスト作業を行うための基板位置保持
手段である支持ローラー。105は中空パイプであり、
ノズル106が設けられている。ここでブラストには砥
粒を用いた。ブラスト用の砥粒は中空パイプ105を通
ってノズル106から107に示したごとく噴出する。
噴出した砥粒は可撓性基板上の堆積膜を削り取る。この
ような本発明の堆積膜加工方法により本発明の堆積膜が
形成される。
In FIG. 1, reference numeral 101 denotes a flexible substrate having a deposited film formed on the surface thereof (on the lower surface in this figure). The flexible substrate 101 is unwound from a delivery roller 102 and wound up by a winding roller 103. 104 accurately holds the position of the flexible substrate when the blasting process is performed,
A support roller that is a substrate position holding unit for performing blast work under stable conditions. 105 is a hollow pipe,
A nozzle 106 is provided. Here, abrasive grains were used for blasting. Abrasive grains for blast are ejected through the hollow pipe 105 as shown by nozzles 106 to 107.
The ejected abrasive grains scrape off the deposited film on the flexible substrate. The deposited film of the present invention is formed by such a deposited film processing method of the present invention.

【0031】ここで、堆積膜の加工装置として、堆積膜
のある面を下面とし、かつ支持ローラー104を送り出
しローラー102と巻き取りローラー103より低い位
置に置いたが、これは噴出した砥粒が可撓性基板が巻き
取りローラーに巻き取られる前に自然落下することによ
り、砥粒が基板と共に巻き取られることを防止するため
である。
Here, as an apparatus for processing the deposited film, the surface on which the deposited film is located is the lower surface, and the support roller 104 is placed at a position lower than the feed roller 102 and the take-up roller 103. This is to prevent the abrasive grains from being wound up together with the substrate by naturally falling before the flexible substrate is wound up by the winding roller.

【0032】このような構成をとることにより、装置、
工程の簡略化が図れるが、必ずしも必須でなく目的とす
る堆積膜加工に支障がなけれなこのような構成とする必
要はなく自由に配置すれば良い。逆に、砥粒等の不要物
質が基板と共に巻き取られることを極度に嫌うならば更
に後に述べるように残留物質の除去工程を併用すること
が望ましい。
By adopting such a configuration, the device,
Although the process can be simplified, it is not always necessary and it is not necessary to adopt such a configuration that does not hinder the intended processing of the deposited film. Conversely, if it is extremely disliked that unnecessary substances such as abrasive grains are taken up together with the substrate, it is desirable to use a step of removing residual substances as described later.

【0033】堆積膜を削り取る厚み、場所等は目的に応
じて適宜選択すれば良い。厚みとしては、例えば堆積膜
の厚みのすべてを削り取っても良いし、あるいは、砥粒
で表面に凹凸形状を形成することが目的であるならば、
実質的には表面側のごく一部(例えば堆積膜の厚みの1
/100など)を削り取ればよい。このような削り取る
厚みの実際の制御は例えば、砥粒の粒径(番数)、砥粒
の材質、噴出する砥粒の量あるいは速度あるいは混合エ
アーの圧力などのパラメーターを最適に設定することで
行われる。もちろん、基板の送り速度(ステッピンクロ
ール方式を採用する場合には基板の停滞時間等)、噴出
ノズルと基板間の距離なども削り量制御のパラメーター
である。また削る場所については、例えば一定周期ごと
に砥粒の噴出と停止を繰り返す等の手法を用いれば堆積
膜の一部を線状に削り取るいわゆるスクライブすること
が可能である。ただし、一般に砥粒の噴出と停止を繰り
返して作成するスクライブ溝はその輪郭がはっきりしな
いので、輪郭がはっきりしている必要がある場合には後
に記すマスクと併用することが望ましい。特に、薄膜太
陽電池をモノリシックで作成する際のスクライブとして
はマスクとの併用が好ましい。
The thickness, location, and the like for shaving the deposited film may be appropriately selected according to the purpose. As the thickness, for example, the entire thickness of the deposited film may be scraped off, or if the purpose is to form an uneven shape on the surface with abrasive grains,
Substantially only a part of the surface side (for example, 1
/ 100). The actual control of the thickness to be cut off is performed by, for example, optimally setting parameters such as the particle size (number) of the abrasive grains, the material of the abrasive grains, the amount or speed of the abrasive grains to be ejected, and the pressure of the mixed air. Done. Of course, the feed rate of the substrate (e.g., the stagnant time of the substrate when the stepping roll method is adopted), the distance between the ejection nozzle and the substrate, and the like are also parameters of the shaving amount control. As for the place to be shaved, it is possible to perform so-called scribing, in which a part of the deposited film is shaved linearly by using a technique of repeatedly ejecting and stopping abrasive grains at regular intervals. However, since the outline of a scribe groove formed by repeatedly ejecting and stopping abrasive grains is generally not clear, it is desirable to use the mask together with a mask described later when the outline needs to be clear. In particular, it is preferable to use the thin film solar cell in combination with a mask as a scribe when the monolithic thin film solar cell is manufactured.

【0034】図1に示した模式図は本発明の最も基本的
な構成を現わしたのに対して、更に実際の作業性あるい
は量産性をさらに考慮した好適な装置を図4に示す。
While the schematic diagram shown in FIG. 1 shows the most basic configuration of the present invention, FIG. 4 shows a preferred apparatus further considering the actual workability or mass productivity.

【0035】図4において、400は表面に(本図にお
いては下面に)堆積膜の形成された可撓性基板であり、
送り出しローラー410から繰り出されて巻き取りロー
ラー420に巻き取られる。430はブラスト工程が実
施される際に可撓性基板の位置を正確に保持すること
で、安定した条件でブラスト作業を行うための基板位置
保持手段であり、下凸形状を有する。本例では基板位置
保持手段430に対して可撓性基板の裏面が押し付けら
れながら可撓性基板が滑って搬送されるために、基板位
置保持手段430は表面を滑らかに加工し、かつ摩擦の
少ない材料であることが望ましい。421は巻き取りモ
ーターであり、巻き取りローラー420を回転するため
に用いられる。411はテンションモーターであり、内
蔵するスリップクラッチ等と組み合わせて基板に所望の
バックテンションを発生させることで、基板のたるみを
防止している。440は巻きずれ防止ローラーであり、
懸架装置441を介してモーター442につながってい
る。443は基板巻きずれ検知センサーであり、巻きず
れ状態を検知してモーター442を駆動することによ
り、常に良好な巻き取り状態が維持可能となっている。
450は中空パイプであり、ノズル451が設けられて
いる。ブラスト用の砥粒は中空パイプ450を通ってノ
ズル451から452に示したごとく噴出する。噴出し
た砥粒は可撓性基板上の堆積膜を削り取る。このような
構成により可撓性基板上の堆積膜をより効率的に削り取
ることが可能となる。
In FIG. 4, reference numeral 400 denotes a flexible substrate having a deposited film formed on its surface (on the lower surface in this figure).
The paper is unwound from the delivery roller 410 and wound up by the winding roller 420. Reference numeral 430 is a substrate position holding means for accurately holding the position of the flexible substrate when the blasting step is performed, thereby performing the blasting operation under stable conditions, and has a downward convex shape. In this example, since the flexible substrate slides and is conveyed while the back surface of the flexible substrate is pressed against the substrate position holding unit 430, the substrate position holding unit 430 processes the surface smoothly and reduces friction. It is desirable that the material is small. A take-up motor 421 is used to rotate the take-up roller 420. Reference numeral 411 denotes a tension motor which generates a desired back tension on the substrate in combination with a built-in slip clutch or the like to prevent the substrate from sagging. 440 is a winding deviation prevention roller,
It is connected to a motor 442 via a suspension device 441. Reference numeral 443 denotes a substrate winding deviation detecting sensor, which can maintain a good winding state by detecting the winding deviation state and driving the motor 442.
450 is a hollow pipe provided with a nozzle 451. Abrasive grains for blast are ejected through the hollow pipe 450 as shown by nozzles 451 to 452. The ejected abrasive grains scrape off the deposited film on the flexible substrate. With such a configuration, the deposited film on the flexible substrate can be more efficiently scraped off.

【0036】図4に示した装置のメリットはブラスト作
業が行われる際に可撓性基板位置が広い面積に亘って基
板位置保持手段430に密着しているので、砥粒が噴出
して基板に衝突した結果によるビビリ等の発生が抑えら
れ、安定した条件でブラスト加工を行えることがある。
また、巻きずれ防止機構を有しているために長尺の可撓
性基板についても基板搬送中の基板横ずれ等が発生する
ことなく、長時間に亘って安定したブラスト加工が可能
となる。
The advantage of the apparatus shown in FIG. 4 is that when the blasting operation is performed, the flexible substrate position is in close contact with the substrate position holding means 430 over a wide area, so that the abrasive particles are ejected to the substrate. Occurrence of chatter or the like due to the collision may be suppressed, and blasting may be performed under stable conditions.
In addition, because of the winding displacement prevention mechanism, stable blasting can be performed for a long flexible substrate for a long time without causing lateral displacement of the substrate during the transfer of the substrate.

【0037】巻きずれ防止機構は図4に示したタイプの
他に、例えば図4における巻きずれ防止ローラー440
に代えて基板端2ケ所に独立した2ケのローラーを設け
て両ローラーの位置を微調整するタイプ、あるいは図4
における巻き取りローラー420そのものの回転軸を微
少に振りながら巻きずれを防止するタイプ等があるが、
どのようなタイプのものを用いてもよい。なお、図4で
説明したテンションローラー、巻きずれ防止ローラー等
は目的に応じて適宜採用すれば良い。
The winding deviation prevention mechanism is, for example, the type shown in FIG.
In place of the above, two independent rollers are provided at two places on the substrate end to finely adjust the positions of both rollers, or FIG.
There is a type that prevents the winding deviation while slightly rotating the rotation axis of the take-up roller 420 itself,
Any type may be used. Note that the tension roller, winding deviation prevention roller, and the like described with reference to FIG. 4 may be appropriately used depending on the purpose.

【0038】次に、本発明の不要物質の除去工程につい
て図5を用いて説明する。図5(a)は図4にて示した
本発明の堆積膜加工装置を基本として、ブラスト処理実
施後の基板に残る不要物質を除去するために気体を吹き
付ける機構を設けたものである。また、図5(b)は図
5(a)で示した装置に対して更に洗浄工程を加えたも
のである。以下、図5を用いて不要物質の除去工程につ
いて説明するが、両者で同一符号の部材は(a)および
(b)で共通しているので、説明は(a)の説明の際に
のみ行う。また、図4と重複する部材についても説明を
簡略化する。また図5は図面の簡略化のために図4にお
けるローラーの回転軸の延長方向から眺めた場合の平面
図とした。
Next, the step of removing unnecessary substances according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 (a) is based on the deposited film processing apparatus of the present invention shown in FIG. 4, and is provided with a mechanism for blowing gas to remove unnecessary substances remaining on the substrate after the blast processing. FIG. 5 (b) is obtained by further adding a cleaning step to the apparatus shown in FIG. 5 (a). Hereinafter, the step of removing the unnecessary substance will be described with reference to FIG. 5, but the members having the same reference numerals are the same in both cases (a) and (b), so the description will be made only in the description of (a). . Also, the description of the members overlapping with FIG. 4 will be simplified. FIG. 5 is a plan view when viewed from the direction of extension of the rotation axis of the roller in FIG. 4 for simplification of the drawing.

【0039】図5(a)を用いてブラスト実施後の基板
に残る不要物質を除去するために気体を吹き付ける機構
について説明する。図5(a)において500は可撓性
基板であり、送り出しローラー510から繰り出されて
巻き取りローラー520に巻き取られる。530は可撓
性基板の基板位置保持手段であり、540は巻きずれ防
止ローラーである。ブラスト用の砥粒はノズル550か
ら551に示したごとく噴出する。560はブラスト実
施後の基板に残る不要物質を除去するために吹き付ける
気体の噴出ノズル(以下“ノズル”と略記する)であ
る。ノズル560からは561に示すように気体が噴出
することで基板に残存する不要物質を吹き飛ばす。ここ
で用いられる気体としては例えば乾燥空気、窒素等が好
適であるが、目的に応じて他の気体を用いても良い。気
体は一般的には1ないし10kg/cm2程度の圧力が
与えられてノズルより噴出する。気体が噴出する直前に
フィルターを通して気体中のダスト、オイル等を除去し
ておくことが望ましい。
A mechanism for blowing gas to remove unnecessary substances remaining on the substrate after blasting will be described with reference to FIG. In FIG. 5A, reference numeral 500 denotes a flexible substrate, which is unwound from a delivery roller 510 and wound around a winding roller 520. Reference numeral 530 is a substrate position holding unit for the flexible substrate, and 540 is a winding deviation prevention roller. Abrasive particles for blast are ejected as shown by nozzles 550 to 551. Reference numeral 560 denotes a gas ejection nozzle (hereinafter, abbreviated as “nozzle”) for blowing gas to remove unnecessary substances remaining on the substrate after blasting. Unnecessary substances remaining on the substrate are blown off by ejecting gas from the nozzle 560 as indicated by 561. As the gas used here, for example, dry air, nitrogen or the like is suitable, but other gases may be used according to the purpose. The gas is generally given a pressure of about 1 to 10 kg / cm 2 and is ejected from the nozzle. It is desirable to remove dust, oil, and the like in the gas through a filter immediately before the gas is ejected.

【0040】次に図5(b)を用いてブラスト実施後の
基板に残る不要物質を除去するための洗浄機構について
説明する。図5(b)において570は洗浄漕であり、
内部に洗浄液571が満たされている。572は超音波
発振器であり、超音波洗浄を実施する場合に設けられ
る。洗浄後、基板に残存する洗浄液を除去するためにノ
ズル580より例えば乾燥空気、窒素等が581のごと
く基板に吹き付けられる。すみやかに洗浄液を乾燥させ
るためにこれらの気体を事前に暖めておく等の手段を用
いても良い。
Next, a cleaning mechanism for removing unnecessary substances remaining on the substrate after blasting will be described with reference to FIG. In FIG. 5B, reference numeral 570 denotes a washing tank,
The inside is filled with a cleaning liquid 571. An ultrasonic oscillator 572 is provided when performing ultrasonic cleaning. After the cleaning, for example, dry air, nitrogen, or the like is blown from the nozzle 580 to the substrate as indicated by 581 to remove the cleaning liquid remaining on the substrate. In order to quickly dry the cleaning liquid, a means such as preheating these gases may be used.

【0041】本説明において、気体により不要物質を吹
き飛ばす機構と洗浄機構はおのおの単独で用いられても
良いし、両者が同時に用いられても良い。もちろん、ノ
ズルを複数用いる、あるいは、ノズルを移動する等の手
段を用いて不要物質の量を減らすための工夫がなされて
良い。
In the present description, the mechanism for blowing off unnecessary substances by the gas and the cleaning mechanism may be used independently, or both may be used simultaneously. Of course, some measures may be taken to reduce the amount of the unnecessary substance by using a plurality of nozzles or moving the nozzles.

【0042】次に、本発明の別の構成要素であるマスク
を介して微粒子を衝突させることにより堆積膜の選択的
な除去を行う工程の例を図6を用いて説明する。
Next, an example of a process of selectively removing a deposited film by colliding fine particles through a mask, which is another component of the present invention, will be described with reference to FIG.

【0043】図6において図5と重複する部材について
は名称の説明のみにとどめる。図6において、600は
可撓性基板、610は送り出しローラー、620は巻き
取りローラー、630は可撓性基板の基板位置保持手
段、640は巻きずれ防止ローラー、650はブラスト
用の砥粒噴出ノズルであり651に示すごとく砥粒が噴
出する。660は不要物質除去のための気体の噴出ノズ
ル、670は洗浄漕、671は洗浄液、672は超音波
発振器、680は基板に残存する洗浄液を除去するため
の気体の噴出ノズルである。
In FIG. 6, members overlapping those in FIG. 5 will be described only in terms of names. In FIG. 6, 600 is a flexible substrate, 610 is a feed roller, 620 is a take-up roller, 630 is a means for holding the substrate position of the flexible substrate, 640 is an unwinding prevention roller, and 650 is an abrasive jet nozzle for blasting. Thus, abrasive grains are ejected as indicated by 651. 660 is a gas ejection nozzle for removing unnecessary substances, 670 is a cleaning tank, 671 is a cleaning solution, 672 is an ultrasonic oscillator, and 680 is a gas ejection nozzle for removing the cleaning solution remaining on the substrate.

【0044】図6に示す例ではドラム状のマスク652
が基板位置保持手段630と微少な間隙を持つように設
けられている。可撓性基板600は基板位置保持手段6
30とドラム状マスク652の間を通過する。ドラム状
のマスク652にはスリット653が設けられている。
可撓性基板600が基板位置保持手段630とドラム状
マスク652の間を通過する際には可撓性基板600は
ドラム状マスクと密着して可撓性基板の搬送に従ってド
ラム状マスクは回転する。従ってスリット653は可撓
性基板600の一定位置と接することになる。その間ノ
ズル650からはブラスト用の砥粒が噴出しているので
基板600の一定個所が削れる、すなわちスクライブさ
れることになる。スリット653がドラム状マスク周囲
の軸方向に平行に設けられている場合には可撓性基板6
00は直線状にスクライブされることになる。
In the example shown in FIG. 6, a drum-shaped mask 652 is used.
Are provided so as to have a small gap with the substrate position holding means 630. The flexible substrate 600 is provided with the substrate position holding means 6.
30 and between the drum-shaped mask 652. A slit 653 is provided in the drum-shaped mask 652.
When the flexible substrate 600 passes between the substrate position holding means 630 and the drum-shaped mask 652, the flexible substrate 600 comes into close contact with the drum-shaped mask and the drum-shaped mask rotates as the flexible substrate is transported. . Therefore, the slit 653 comes into contact with a fixed position of the flexible substrate 600. During that time, abrasive particles for blast are ejected from the nozzle 650, so that a certain portion of the substrate 600 is shaved, that is, scribed. When the slit 653 is provided in parallel with the axial direction around the drum-shaped mask, the flexible substrate 6
00 is scribed linearly.

【0045】654はセンサーであり、例えばモノリシ
ック太陽電池のように下地電極をスクライブした後に光
電変換層を堆積しさらに光電変換層に下地電極のスクラ
イブ溝よりわずかにずらした位置にスクライブを実施す
る際に、下地のスクライブ位置を検出するために用いら
れる。
Reference numeral 654 denotes a sensor, which is used for scribing a base electrode, for example, as in a monolithic solar cell, depositing a photoelectric conversion layer, and performing scribing on the photoelectric conversion layer at a position slightly shifted from a scribe groove of the base electrode. The scribe position is used to detect the scribe position of the base.

【0046】スクライブの様子を拡大して図7に示す。
700は可撓性基板、701は可撓性基板上に形成され
た堆積膜、710は基板位置保持手段、720は砥粒の
噴出ノズルであり721に示すごとく砥粒が噴出する。
ドラム状マスク722にはスリット723が設けられて
おり、スリット部723においてのみ砥粒が堆積膜を削
り、スクライブ溝730が作られる。
FIG. 7 is an enlarged view of the scribe.
700 is a flexible substrate, 701 is a deposited film formed on the flexible substrate, 710 is a substrate position holding means, and 720 is a nozzle for ejecting abrasive grains, as shown by 721.
A slit 723 is provided in the drum-shaped mask 722, and abrasive grains cut the deposited film only in the slit portion 723, and a scribe groove 730 is formed.

【0047】多層の堆積膜に対して上述のようなスクラ
イブ法を適用するためには、更に下地層のスクライブ位
置に対して上部層のスクライブの位置を規定するための
調整手段が必要である。このような調整手段の例につい
て図8を用いて説明する。
In order to apply the above-described scribe method to a multilayered deposited film, an adjusting means for further defining the scribe position of the upper layer with respect to the scribe position of the underlayer is required. An example of such an adjusting means will be described with reference to FIG.

【0048】図8において、800は基板位置保持手
段、801はドラム状マスク、802はドラム状マスク
のスリット、803は可撓性基板である。通常は図8
(a−1)に示したごとく可撓性基板が基板位置保持手
段800とドラム状マスク801の間隙を通過する。一
方、可撓性基板状のスクライブ溝の位置調整の必要が生
じた時には、図8(a−2)に示したごとくドラム状マ
スク全体が不図示の昇降機構によって804のように下
がり、可撓性基板803とドラム状マスク801とを滑
らすことによって両者の相対位置を調節可能である。
In FIG. 8, 800 is a substrate position holding means, 801 is a drum-shaped mask, 802 is a slit of a drum-shaped mask, and 803 is a flexible substrate. Usually Figure 8
As shown in (a-1), the flexible substrate passes through the gap between the substrate position holding means 800 and the drum-shaped mask 801. On the other hand, when it becomes necessary to adjust the position of the scribe groove of the flexible substrate, the entire drum-shaped mask is lowered as shown by 804 by a lifting mechanism (not shown) as shown in FIG. By sliding the conductive substrate 803 and the drum-shaped mask 801, the relative positions of the two can be adjusted.

【0049】別の位置調整機構の例を図8(b)に示
す。図8(b)において、801はドラム状マスクであ
り、図のように左右の半円筒状部材から構成されてい
る。左右の半円筒状部材は微少なクリアランス810を
持っており、クリアランスは調節機構811によって調
整される。その結果、ドラム状マスクの実質的な直径を
微少に変更可能となる。実際のスクライブ作業実施時に
スクライブ位置の変更の必要が生じた場合には、調節機
構811によってドラム状マスクの直径を調整すればド
ラムの回転に従ってマスク位置と下地のスクライブ位置
とのずれ量を所望のものにすることが可能である。
FIG. 8B shows another example of the position adjusting mechanism. In FIG. 8B, reference numeral 801 denotes a drum-shaped mask, which includes left and right semi-cylindrical members as shown. The left and right semi-cylindrical members have a minute clearance 810, and the clearance is adjusted by an adjusting mechanism 811. As a result, the substantial diameter of the drum-shaped mask can be slightly changed. If it is necessary to change the scribe position during the actual scribe operation, the adjustment mechanism 811 adjusts the diameter of the drum-shaped mask to adjust the deviation between the mask position and the scribe position of the base as the drum rotates. It is possible to make things.

【0050】以上図6から図8にて示した装置模式図を
例として選択的なスクライブおよびスクライブ位置の調
整方法について記したが、その方法は本例に限られるも
のではない。例えば、選択的なスクライブを実施する別
手段としてスクライブ工程に先立ってマスクを堆積膜に
貼り付けておき、スクライブ作業終了後にマスクを剥が
す方法もある。勿論、その他種々の適用可能な別手段を
用いても良い。
The selective scribing and the method of adjusting the scribing position have been described with reference to the apparatus schematic diagrams shown in FIGS. 6 to 8 as examples, but the method is not limited to this example. For example, as another means for performing selective scribing, there is a method in which a mask is attached to the deposited film before the scribing step, and the mask is peeled off after the scribing operation is completed. Of course, various other applicable means may be used.

【0051】以下に、本発明の各構成要素を取り上げて
解説する。
The components of the present invention will be described below.

【0052】(可撓性基板)可撓性基板としてはR t
o R方式で用いるために、通常ロール状で供給され
る。材質が絶縁物であるか導電物質であるかは基板上の
堆積膜の目的に応じて選択する。絶縁物の場合にはポリ
イミド、PET(ポリエチレンテレフタレート)等の樹
脂フィルムが好適であるし、導電物質の場合にはステン
レス、アルミニウム、銅、亜鉛鋼板、Niメッキ鋼板等
の薄板などが好適である。いずれにせよ堆積膜の堆積条
件、加工条件などに耐えうるものを選ぶ必要がある。ま
た、可撓性基板の表面は、鏡面であっても、適度な凹凸
が設けられていても構わない。
(Flexible substrate) Rt is used as a flexible substrate.
o For use in the R method, it is usually supplied in roll form. Whether the material is an insulator or a conductive material is selected according to the purpose of the deposited film on the substrate. In the case of an insulator, a resin film such as polyimide or PET (polyethylene terephthalate) is preferable, and in the case of a conductive material, a thin plate such as stainless steel, aluminum, copper, zinc steel plate, or Ni-plated steel plate is preferable. In any case, it is necessary to select a material that can withstand the deposition conditions and processing conditions of the deposited film. Further, the surface of the flexible substrate may be a mirror surface or may be provided with appropriate unevenness.

【0053】(堆積膜)堆積膜は基板上に形成されてな
んらかの機能を発揮する薄膜であればなんでも良いが、
R to R方式で量産時に効率的であることから、効
果を発揮するには大面積であることが好ましい堆積膜、
例えば光発電素子(太陽電池)などに対してが最も本発
明の効果が大きい。
(Deposited Film) The deposited film may be any thin film formed on a substrate and exhibiting some function.
A deposited film preferably having a large area to exhibit its effect, since it is efficient during mass production by the R to R method,
For example, the effect of the present invention is greatest for photovoltaic elements (solar cells) and the like.

【0054】(基板位置保持手段)図4において430
に示したような基板位置保持手段は可撓性基板との滑り
をよくするために例えば接触面を滑らかに加工した金
属、樹脂たとえばテフロン等が好ましい。また、こうし
た滑らせる手段以外にも例えばキャタピラーのように可
撓性基板と密着しながら回転することの可能な手段等を
用いても良い。
(Substrate position holding means) 430 in FIG.
The substrate position holding means as described in (1) is preferably made of, for example, a metal or resin such as Teflon having a smooth contact surface in order to improve the sliding with the flexible substrate. In addition, other than the sliding means, for example, a means such as a caterpillar which can rotate while being in close contact with the flexible substrate may be used.

【0055】(ブラスト)ブラストで用いられる材質に
特に限定はない。広くは固体、液体、気体いずれも使用
可能である。その中でも好適な材質として例えばSi
C、アルミナ、ホワイトアルミナ、炭酸カルシウム、ガ
ラスビーズ等の砥粒が用いられる。その粒径に特に制限
はないが、平均粒径0.1〜30μm程度が好適であ
る。他のパラメーター例えば加工時の噴出ノズルと堆積
膜間の距離としては、スクライブする場所の選択性、堆
積模作成装置の機械的な作成容易性などから距離0.1
から10cm程度が好適である。
(Blast) The material used for blast is not particularly limited. Broadly, any of solid, liquid and gas can be used. Among them, a preferable material is, for example, Si.
Abrasive grains such as C, alumina, white alumina, calcium carbonate, and glass beads are used. Although the particle size is not particularly limited, an average particle size of about 0.1 to 30 μm is preferable. Other parameters, such as the distance between the ejection nozzle and the deposited film during processing, may be set at a distance of 0.1 due to the selectivity of the scribing location and the ease of mechanical production of the deposition model producing apparatus.
To about 10 cm is preferred.

【0056】[0056]

【実施例】以下実施例により本発明を説明するが、本発
明は実施例により何ら制限されるものではない。
EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to the examples.

【0057】(実施例1)図4に示した本発明の堆積膜
加工装置を利用して本発明の堆積膜加工方法を実施し
た。以下、図4の解説の項で示した用語を用いる。
Example 1 The method for processing a deposited film of the present invention was carried out using the apparatus for processing a deposited film of the present invention shown in FIG. Hereinafter, the terms shown in the explanation section of FIG. 4 will be used.

【0058】可撓性基板としてはロール状に巻かれた幅
350mm、厚み0.125mmのステンレス基板を用
いた。本可撓性基板上には既に前工程にて1μm厚のア
ルミ/シリコン(Al:95%、Si:5%)膜が堆積
している。
As the flexible substrate, a stainless substrate having a width of 350 mm and a thickness of 0.125 mm wound in a roll shape was used. An aluminum / silicon (Al: 95%, Si: 5%) film having a thickness of 1 μm has already been deposited on the flexible substrate in the previous step.

【0059】このロール状に巻かれた可撓性基板を図4
の410に示したごとく送り出しローラーに取り付け
た。可撓性基板の一端を基板位置保持手段430の下部
を通過するようにしながら巻き取りローラー420に貼
り付けた。次にテンションローラー411を駆動して可
撓性基板にバックテンションをかけ、可撓性基板のたる
みをなくしておく。
The flexible substrate wound into a roll is shown in FIG.
And attached to the delivery roller as shown at 410. The flexible substrate was attached to the take-up roller 420 while passing one end of the flexible substrate under the substrate position holding means 430. Next, the tension roller 411 is driven to apply back tension to the flexible substrate, so that the flexible substrate is prevented from slackening.

【0060】一方、砥粒としては平均粒径が8μmのS
iCを用いた。SiCは5kg/cm2の圧縮空気と混
合してノズル451より噴出させた。ノズル451と可
撓性基板400の処理部間の距離は4cmとした。
On the other hand, the abrasive grains having an average grain size of 8 μm
iC was used. SiC was mixed with 5 kg / cm 2 of compressed air and ejected from the nozzle 451. The distance between the nozzle 451 and the processing section of the flexible substrate 400 was 4 cm.

【0061】以上の準備の後に、巻き取りモーター42
1を回転させ、ブラスト処理を開始した。送り速度は2
50mm毎分とした。40分間(10m)のブラスト処
理の後に砥粒の噴出を止め、巻き取りローラー420に
巻き取られた可撓性基板を取り外した。
After the above preparation, the winding motor 42
1 was rotated to start the blasting process. Feed speed is 2
50 mm / min. After the blasting for 40 minutes (10 m), the ejection of the abrasive grains was stopped, and the flexible substrate wound around the winding roller 420 was removed.

【0062】巻き取りローラーからブラスト処理の終了
した可撓性基板の一端を引き出し5cm角の正方形状の
サンプルを切り出した。本サンプルの断面形状を顕微鏡
観察したところのAl/Si膜の厚さは約2000Åで
あった。すなわち約8000Åが削り取られていた。
One end of the blast-treated flexible substrate was pulled out from the winding roller, and a square sample of 5 cm square was cut out. When the cross-sectional shape of this sample was observed with a microscope, the thickness of the Al / Si film was about 2000 °. That is, about 8000 mm was scraped off.

【0063】(比較例1)コンベア方式でブラスト処理
を実施した。実施例1と同様に、すでに前工程にて1μ
m厚のアルミ/シリコン(Al:95%、Si:5%)
膜が堆積した可撓性基板に対してコンベア方式のブラス
ト処理を行った。
(Comparative Example 1) A blast process was performed by a conveyor system. As in Example 1, 1 μm has already been used in the previous process.
m-thick aluminum / silicon (Al: 95%, Si: 5%)
A blast process of a conveyor system was performed on the flexible substrate on which the film was deposited.

【0064】本比較例にて使用した堆積膜形成装置の模
式図を図9に示す。図9に示す装置はロール状の可撓性
基板を繰り出しながら短冊状に切断しつつトレイ上に置
いていく装置(a)、並びにトレイ上に乗った短冊状の
基板をコンベアで送りながらブラスト処理を行う装置
(b)からなる。図9において、900は可撓性基板、
901は送り出しローラー、910はトレイ、911は
コンベア、912はコロ、920は可撓性基板をトレイ
に対しておさえる押し付けローラである。930は裁断
機であり昇降装置を有する。950はコンベア、951
はコロ、960はブラスト処理室、961はノズルであ
る。
FIG. 9 is a schematic view of the deposited film forming apparatus used in this comparative example. The apparatus shown in FIG. 9 is an apparatus (a) in which a roll-shaped flexible substrate is fed out, cut into strips and placed on a tray, and blast processing is performed while feeding a strip-shaped substrate on the tray by a conveyor. (B). In FIG. 9, 900 is a flexible substrate,
Reference numeral 901 denotes a delivery roller, 910 denotes a tray, 911 denotes a conveyor, 912 denotes a roller, and 920 denotes a pressing roller for holding the flexible substrate against the tray. A cutting machine 930 has a lifting device. 950 is a conveyor, 951
Denotes a roller, 960 denotes a blast processing chamber, and 961 denotes a nozzle.

【0065】可撓性基板900は送り出しローラー90
1から繰り出され、トレイ910上に乗りながら図中右
方向へ運ばれる。その後、可撓性基板は940に示すご
とく裁断機930により短冊状に切断され、トレイとと
もに次工程に移る。次工程ではノズル961より噴出す
る砥粒によりブラスト処理を施した。ブラスト処理はコ
ンベアによりトレイを250mm毎分の速度で搬送しな
がら実施した。
The flexible substrate 900 has a delivery roller 90
1 and is carried rightward in the figure while riding on the tray 910. Thereafter, the flexible substrate is cut into strips by a cutter 930 as shown at 940, and the process proceeds to the next step together with the tray. In the next step, blasting was performed with abrasive particles ejected from the nozzle 961. The blast processing was performed while the tray was being conveyed at a speed of 250 mm per minute by a conveyor.

【0066】本処理後の基板から5cm角の正方形状の
サンプルを切り出し、本サンプルの断面形状を顕微鏡観
察したところAl/Si膜は約8000Åが削り取られ
ていた。
A square sample of 5 cm square was cut out from the substrate after this treatment, and the cross-sectional shape of the sample was observed with a microscope. As a result, it was found that the Al / Si film had been cut off by about 8000 °.

【0067】本比較例においては単位長の基板の処理時
間そのものはR to R方式と変わらないものの、図
9(a)に示す裁断装置が必要なり、コストアップす
る。また、堆積模作成工程が複数ある場合、本裁断工程
以降は生産効率の高いロールRto R方式をとること
が出来ないので複数の堆積模作成工程全体でのコストが
上昇してしまう。更に、トレイ等の補助部材が必要にな
ることもデメリットである。
In this comparative example, although the processing time itself for a unit-length substrate is not different from that of the R to R method, a cutting device shown in FIG. 9A is required, and the cost is increased. In addition, when there are a plurality of deposition model making processes, the roll RtoR method with high production efficiency cannot be adopted after the main cutting process, so that the cost of the plurality of deposition model making processes as a whole increases. Another disadvantage is that an auxiliary member such as a tray is required.

【0068】(実施例2)図6に示す本発明の堆積膜加
工装置を用いてモノリシック太陽電池を作成した。
(Example 2) A monolithic solar cell was produced using the deposited film processing apparatus of the present invention shown in FIG.

【0069】全工程のフローを図10に示す。初めに図
10に従って全行程のアウトラインを説明する。
FIG. 10 shows the flow of all the steps. First, the outline of the entire process will be described with reference to FIG.

【0070】工程1)において可撓性基板の洗浄を行
う。工程2)において基板上に絶縁層を作成する。工程
3)において太陽電池の下地電極を作成する。工程4)
において下地電極を本発明の堆積膜加工方法にてスクラ
イブする。工程5)において半導体(光起電力)層を作
成する。工程6)において半導体層を本発明の堆積膜加
工方法にてスクライブする。工程7)にて上部(透明)
電極を作成する。工程8)にて上部電極を本発明の堆積
膜加工方法にてスクライブする。
In step 1), the flexible substrate is washed. In step 2), an insulating layer is formed on the substrate. In step 3), a base electrode for a solar cell is formed. Step 4)
Then, the underlying electrode is scribed by the method for processing a deposited film of the present invention. In step 5), a semiconductor (photovoltaic) layer is formed. In step 6), the semiconductor layer is scribed by the method for processing a deposited film of the present invention. Top (transparent) in step 7)
Create electrodes. In step 8), the upper electrode is scribed by the deposited film processing method of the present invention.

【0071】以上の工程はすべてR to R法にて実
施する。各層自体の堆積方法については本発明固有の方
法ではないので詳述はしないが、半導体層については米
国特許4,400,409号に準じた方法を用い、また
下地電極、上部電極の作成については同様にR to
Rにてスパッタを実行することにより作成した。
The above steps are all performed by the R to R method. The method of depositing each layer itself is not a specific method of the present invention, and therefore will not be described in detail. However, the method of conforming to US Pat. No. 4,400,409 is used for the semiconductor layer. Similarly, R to
It was created by performing sputtering at R.

【0072】以下に実施した上記工程の詳細を記す。The details of the above-described steps will be described below.

【0073】工程1)可撓性基板をR to R法で洗
浄した。洗浄液はオーカイト(商標名):(NaOH、
KOH混合)を用いて、洗浄後は純水にて洗浄液を洗い
落とした。その後エアーブローにて乾燥した後に改めて
ロール状に巻き取った。
Step 1) The flexible substrate was washed by the R to R method. The washing liquid was orchete (trade name): (NaOH,
After washing, the washing liquid was washed away with pure water. Then, after drying by air blow, it was rolled up again.

【0074】工程2)洗浄終了後の可撓性基板上にR
to R方式で絶縁層を形成した。反応性スパッタ法を
用いて酸化シリコン膜を3μm堆積した。膜堆積後は改
めてロール状に巻き取った。
Step 2) After cleaning, R is placed on the flexible substrate.
An insulating layer was formed by a toR method. A silicon oxide film was deposited to a thickness of 3 μm using a reactive sputtering method. After the film was deposited, it was rolled up again.

【0075】工程3)絶縁膜上に更に下地電極を作成し
た。下地電極はスパッタ法にて3000Å厚のアルミと
した。下地電極作成後同様にロール状に巻き取った。
Step 3) A base electrode was further formed on the insulating film. The base electrode was made of aluminum having a thickness of 3000 mm by sputtering. After the formation of the base electrode, it was similarly wound up in a roll.

【0076】工程4)図6に示した本発明の堆積膜加工
装置を用いて下地電極をスクライブした。下地電極を堆
積したロール状可撓性基板は送り出しローラー610に
セットされ、基板位置保持手段630とドラム状マスク
652との間隙を通った後に洗浄漕670を通過し、更
に乾燥した後に巻き取りローラー620に巻き取られ
る。ここでドラム状マスクのスリット653は、幅15
0μm、ピッチ10mmごとに設けた。また、スクライ
ブ条件としては、砥粒として平均粒径が10μmのアル
ミナを用い、ノズルと基板の処理部間の距離は3cmと
した。洗浄液671としては純水を用いた。また、基板
送り速度は300mm毎分とした。その結果、下地電極
には10mmピッチで幅約130μmのスクライブ溝が
作成された。
Step 4) The underlying electrode was scribed using the deposited film processing apparatus of the present invention shown in FIG. The roll-shaped flexible substrate on which the base electrode is deposited is set on a delivery roller 610, passes through a gap between the substrate position holding means 630 and the drum-shaped mask 652, passes through a cleaning tank 670, and is further dried and then taken up by a winding roller. 620. Here, the slit 653 of the drum-shaped mask has a width of 15 mm.
0 μm, provided every 10 mm pitch. As scribe conditions, alumina having an average particle diameter of 10 μm was used as abrasive grains, and the distance between the nozzle and the processing section of the substrate was 3 cm. Pure water was used as the cleaning liquid 671. The substrate feed speed was 300 mm / min. As a result, scribe grooves having a width of about 130 μm were formed in the base electrode at a pitch of 10 mm.

【0077】工程5)下地電極をスクライブした後にR
to R法にて可撓性基板上に半導体(光起電力)層
を堆積した。膜自体の作成方法としてはCVD法を用い
た。また、層構成としては下地電極側から順にN型アモ
ルファスシリコン層(200Å)、I型モルファスシリ
コン層(3200Å)、P型モルファスシリコン層(1
10Å)とした。半導体層形成後の可撓性基板は改めて
ロール状に巻き取った。
Step 5) After scribing the underlying electrode, R
A semiconductor (photovoltaic) layer was deposited on a flexible substrate by the toR method. The CVD method was used as a method for forming the film itself. In addition, as the layer structure, an N-type amorphous silicon layer (200 °), an I-type morphous silicon layer (3200 °), and a P-type morphous silicon layer (1
10 °). After the formation of the semiconductor layer, the flexible substrate was wound up again in a roll shape.

【0078】工程6)工程4と同様の方法にて半導体層
のスクライブを行った。基板送り速度を450mm毎分
とした以外はスクライブの条件は工程4と同様である。
なお、センサー654により下地電極のスクライブ位置
を検知し、半導体層のスクライブ位置は下地電極のスク
ライブ位置に対して100μmずれた位置に作成した。
半導体層スクライブ後の基板は巻き取りローラーに巻き
取った。
Step 6) The semiconductor layer was scribed in the same manner as in step 4. The scribing conditions are the same as in step 4, except that the substrate feed speed is 450 mm per minute.
The scribe position of the base electrode was detected by the sensor 654, and the scribe position of the semiconductor layer was created at a position shifted by 100 μm from the scribe position of the base electrode.
The substrate after the semiconductor layer scribe was wound on a winding roller.

【0079】工程7)スクライブ溝の作成された半導体
層上に更に上部(透明)電極を作成した。上部電極はス
パッタ法で作成したITO膜とした。ITO膜の厚さは
略700Åとした。
Step 7) An upper (transparent) electrode was further formed on the semiconductor layer where the scribe grooves were formed. The upper electrode was an ITO film formed by a sputtering method. The thickness of the ITO film was approximately 700 °.

【0080】工程8)工程6と同様の方法にて上部電極
のスクライブを行った。基板送り速度を500mm毎分
とした以外はスクライブの条件は工程6と同様である。
なお、センサー654により半導体層のスクライブ位置
を検知し、上部電極のスクライブ位置は半導体層のスク
ライブ位置に対して100μmずれた位置に作成した。
上部電極スクライブ後の可撓性基板は巻き取りローラー
に巻き取った。
Step 8) The upper electrode was scribed in the same manner as in step 6. The scribe conditions are the same as in step 6, except that the substrate feed speed is set to 500 mm per minute.
The scribe position of the semiconductor layer was detected by the sensor 654, and the scribe position of the upper electrode was created at a position shifted by 100 μm from the scribe position of the semiconductor layer.
The flexible substrate after the upper electrode scribe was wound on a winding roller.

【0081】以上で図2に示したようなモノリシック太
陽電池を構成する堆積膜が形成された。
As described above, a deposited film constituting the monolithic solar cell as shown in FIG. 2 was formed.

【0082】次に、上記工程で作成した堆積膜を繰り出
して約500mmごとに切断した。これは上記工程でモ
ノリシックされた太陽電池50直列分である。切断した
基板に対して電力取り出し端子を取り付け太陽電池特性
を測定したところ、良好な特性を得られた。
Next, the deposited film formed in the above step was fed out and cut at intervals of about 500 mm. This is the 50 series solar cells monolithic in the above process. A power extraction terminal was attached to the cut substrate, and solar cell characteristics were measured. As a result, good characteristics were obtained.

【0083】[0083]

【発明の効果】本発明によりブラスト法をR to R
方式にて実施する具体的な方法および具体的な装置が発
明された。その結果、堆積膜、特に太陽電池のモノリシ
ック化がR to R法で可能になり、太陽電池の量産
性が飛躍的に向上した。更にはその結果、太陽電池製造
コストの大幅な引き下げが可能となった。
According to the present invention, the blast method is changed from R to R.
A specific method and a specific device for implementing the method have been invented. As a result, monolithic deposition films, particularly solar cells, can be made by the R to R method, and the mass productivity of solar cells has been dramatically improved. Furthermore, as a result, the cost of manufacturing solar cells can be significantly reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の堆積膜加工装置の一例を示す模式図で
ある。
FIG. 1 is a schematic view showing an example of a deposited film processing apparatus according to the present invention.

【図2】モノリシック太陽電池の一例を説明するための
概略図である。
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an example of a monolithic solar cell.

【図3】ブラスト加工の加工開始時および加工終了時を
示す概略図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing the start and end of blasting.

【図4】本発明の堆積膜加工装置の別の例を示す模式図
である。
FIG. 4 is a schematic view showing another example of the deposited film processing apparatus of the present invention.

【図5】本発明の堆積膜加工装置の別の例を示す模式図
である。
FIG. 5 is a schematic view showing another example of the deposited film processing apparatus of the present invention.

【図6】マスクを介してブラスト法により堆積膜の選択
的な除去を行う本発明の堆積膜加工装置の一例を示す模
式図である。
FIG. 6 is a schematic view showing one example of a deposited film processing apparatus of the present invention for selectively removing a deposited film by a blast method via a mask.

【図7】図6の装置によるスクライブの様子を示す模式
図である。
FIG. 7 is a schematic diagram showing a scribe state by the apparatus of FIG. 6;

【図8】下地層のスクライブ位置に対してスクライブの
位置を規定するための調整手段を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing an adjusting means for defining a scribe position with respect to a scribe position of an underlayer.

【図9】コンベア方式で堆積膜を形成する装置を示す図
である。
FIG. 9 is a view showing an apparatus for forming a deposited film by a conveyor method.

【図10】モノリシック太陽電池を作成する全工程のフ
ローを示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a flow of all steps for producing a monolithic solar cell.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 可撓性基板 102 送り出しローラー 103 巻き取りローラー 104 支持ローラー 105 中空パイプ 106 ノズル 107 ブラスト用の砥粒がノズル106から噴出する
様子 200、300 基板 201、301 絶縁層 202、302 下地電極 203、303 半導体層 204、304 表面電極 205 下地電極の開溝部 206 半導体層の開溝部 207 表面電極の開溝部 305 マスク 306 ノズル 307 砥粒 400 可撓性基板 410 送り出しローラー 411 テンションモーター 420 巻き取りローラー 421 巻き取りモーター 430 基板位置保持手段 440 巻きずれ防止ローラー 441 懸架装置 442 モーター 443 基板巻きずれ検知センサー 450 中空パイプ 451 ノズル 452 ブラスト用の砥粒が中空パイプを通ってノズル
から噴出する様子 500 可撓性基板 510 送り出しローラー 520 巻き取りローラー 530 基板位置保持手段 540 巻きずれ防止ローラー 550 ノズル 551 砥粒が噴出する様子 560 ノズル 561 気体が噴出する様子 570 洗浄漕 571 洗浄液 572 超音波発振器 580 ノズル 581 気体が噴出する様子 600 可撓性基板 610 送り出しローラー 620 巻き取りローラー 630 可撓性基板の基板位置保持手段 640 巻きずれ防止ローラー 650 ブラスト用の砥粒噴出ノズル 651 気体が噴出する様子 652 ドラム状マスク 653 スリット 670 洗浄漕 671 洗浄液 672 超音波発振器 680 基板に残存する洗浄液を除去するためのノズル 700 可撓性基板 701 可撓性基板上に形成された堆積膜 710 基板位置保持手段 720 砥粒の噴出ノズル 722 ドラム状マスク 723 スリット 730 スクライブ溝 800 基板位置保持手段 801 ドラム状マスク 802 スリット 803 可撓性基板 810 クリアランス 811 クリアランス調節機構 900 可撓性基板 901 送り出しローラー 910 トレイ 911 コンベア 912 コロ 920 押し付けローラ 930 裁断機 950 コンベア 951 コロ 960 ブラスト処理室 961 ノズル
Reference Signs List 101 flexible substrate 102 feed-out roller 103 take-up roller 104 support roller 105 hollow pipe 106 nozzle 107 blasting abrasive particles for blast from nozzle 106 200, 300 substrate 201, 301 insulating layer 202, 302 base electrode 203, 303 Semiconductor layer 204, 304 Surface electrode 205 Base electrode open groove 206 Semiconductor layer open groove 207 Surface electrode open groove 305 Mask 306 Nozzle 307 Abrasive 400 Flexible substrate 410 Sending roller 411 Tension motor 420 Winding roller 421 Winding motor 430 Substrate position holding means 440 Rolling prevention roller 441 Suspension device 442 Motor 443 Substrate winding deviation detecting sensor 450 Hollow pipe 451 Nozzle 452 Abrasive particles for blasting Spout from the nozzle through the hollow pipe 500 Flexible substrate 510 Delivery roller 520 Take-up roller 530 Substrate position holding means 540 Rolling prevention roller 550 Nozzle 551 Abrasive grains spout 560 Nozzle 561 Gas spout 570 Cleaning tank 571 Cleaning liquid 572 Ultrasonic oscillator 580 Nozzle 581 Gas ejection 600 Flexible substrate 610 Delivery roller 620 Take-up roller 630 Flexible substrate substrate position holding means 640 Unwinding prevention roller 650 Abrasive grains for blasting Nozzle 651 Gas blowing 652 Drum mask 653 Slit 670 Cleaning tank 671 Cleaning liquid 672 Ultrasonic oscillator 680 Nozzle for removing cleaning liquid remaining on substrate 700 Flexible substrate 701 Flexible base Deposited film formed on plate 710 Substrate position holding means 720 Abrasive grain ejection nozzle 722 Drum mask 723 Slit 730 Scribe groove 800 Substrate position holding means 801 Drum mask 802 Slit 803 Flexible substrate 810 Clearance 811 Clearance adjustment mechanism 900 Flexible substrate 901 Delivery roller 910 Tray 911 Conveyor 912 Roller 920 Pressing roller 930 Cutting machine 950 Conveyor 951 Roller 960 Blast processing chamber 961 Nozzle

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 都築 幸司 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 清水 孝一 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 竹山 祥史 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 4K030 BA02 BA29 BA35 BB05 CA12 DA03 DA08 FA01 GA04 GA14 LA16 5F051 AA05 BA14 CA14 CB27 DA04 EA02 EA09 EA10 EA11 EA14 FA04 FA06 GA05 GA06  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Koji Tsuzuki, Inventor 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Koichi Shimizu 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inside (72) Inventor Yoshifumi Takeyama 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term (reference) 4K030 BA02 BA29 BA35 BB05 CA12 DA03 DA08 FA01 GA04 GA14 LA16 5F051 AA05 BA14 CA14 CB27 DA04 EA02 EA09 EA10 EA11 EA14 FA04 FA06 GA05 GA06

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表面に堆積膜が形成された可撓性基板を
繰り出しながら微粒子を衝突させることによって前記堆
積膜の少なくとも一部を除去する機能を有することを特
徴とする堆積膜加工装置。
1. A deposited film processing apparatus having a function of removing at least a part of the deposited film by colliding fine particles while feeding out a flexible substrate having a deposited film formed on a surface thereof.
【請求項2】 微粒子を衝突させて一部が除去された堆
積膜を有する可撓性基板に残る不要物質を、該可撓性基
板を繰り出しながら除去する手段を有すること特徴とす
る堆積膜加工装置。
2. A method of processing a deposited film, comprising means for removing unnecessary substances remaining on a flexible substrate having a deposited film partially removed by collision with fine particles while feeding out the flexible substrate. apparatus.
【請求項3】 表面に堆積膜が形成された可撓性基板を
繰り出しながら微粒子を衝突させることによって前記堆
積膜の少なくとも一部を除去する手段と、微粒子を衝突
させた後に前記可撓性基板に残る不要物質を該可撓性基
板を繰り出しながら除去する手段とを有すること特徴と
する堆積膜加工装置。
3. A means for removing at least a part of the deposited film by colliding particles while feeding out a flexible substrate having a deposited film formed on a surface thereof, and the flexible substrate after colliding the particles. Means for removing unnecessary substances remaining on the flexible substrate while feeding out the flexible substrate.
【請求項4】 前記可撓性基板の加工面と逆側の面を基
板位置保持手段により保持しながら微粒子を衝突させる
機能を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれ
かに記載の堆積膜加工装置。
4. The method according to claim 1, further comprising a function of causing particles to collide while holding a surface of the flexible substrate opposite to a processing surface by a substrate position holding means. Deposition film processing equipment.
【請求項5】 マスクを介して微粒子を衝突させること
により前記堆積膜の選択的な除去を行う機能を有するこ
とを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の堆積
膜加工装置。
5. The deposited film processing apparatus according to claim 1, further comprising a function of selectively removing the deposited film by colliding fine particles through a mask.
【請求項6】 前記堆積膜が太陽電池を構成する膜の少
なくとも一部であることを特徴とする請求項1乃至5の
いずれかに記載の堆積膜加工装置。
6. The deposited film processing apparatus according to claim 1, wherein the deposited film is at least a part of a film constituting a solar cell.
【請求項7】 表面に堆積膜が形成された可撓性基板を
繰り出しながら微粒子を衝突させることによって前記堆
積膜の少なくとも一部を除去することを特徴とする堆積
膜加工方法。
7. A method for processing a deposited film, wherein at least a part of the deposited film is removed by colliding fine particles while feeding out a flexible substrate having a deposited film formed on a surface thereof.
【請求項8】 表面に堆積膜が形成された可撓性基板を
繰り出しながら微粒子を衝突させることによって前記堆
積膜の少なくとも一部を除去した後、前記可撓性基板に
残る不要物質を該可撓性基板を繰り出しながら除去する
こと特徴とする堆積膜加工方法。
8. An unremovable substance remaining on the flexible substrate after removing at least a part of the deposited film by colliding particles while feeding out the flexible substrate having a deposited film formed on the surface. A method for processing a deposited film, comprising removing a flexible substrate while feeding it out.
【請求項9】 前記可撓性基板の加工面と逆側の面を基
板位置保持手段により保持しながら微粒子を衝突させる
ことを特徴とする請求項7又は8に記載の堆積膜加工方
法。
9. The method for processing a deposited film according to claim 7, wherein the fine particles collide while holding the surface of the flexible substrate opposite to the processing surface by a substrate position holding means.
【請求項10】 マスクを介して微粒子を衝突させるこ
とにより前記堆積膜の選択的な除去を行うことを特徴と
する請求項7乃至9のいずれかに記載の堆積膜加工方
法。
10. The method according to claim 7, wherein the deposited film is selectively removed by colliding fine particles through a mask.
【請求項11】 前記堆積膜が太陽電池を構成する膜の
少なくとも一部であることを特徴とする請求項7乃至1
0のいずれかに記載の堆積膜加工方法。
11. The film according to claim 7, wherein the deposited film is at least a part of a film constituting a solar cell.
0. The method for processing a deposited film according to any one of the above items.
【請求項12】 表面に堆積膜が形成された可撓性基板
を繰り出しながら微粒子を衝突させることによって堆積
膜の少なくとも一部を除去して加工したことを特徴とす
る堆積膜。
12. A deposition film characterized by removing and processing at least a part of the deposition film by colliding fine particles while feeding out a flexible substrate having a deposition film formed on a surface thereof.
【請求項13】 表面に堆積膜が形成された可撓性基板
を繰り出しながら微粒子を衝突させることによって堆積
膜の少なくとも一部を除去した後、前記可撓性基板に残
る不要物質を該可撓性基板を繰り出しながら除去して加
工したこと特徴とする堆積膜。
13. A flexible substrate having a deposited film formed on a surface thereof is fed, and at least a part of the deposited film is removed by colliding fine particles to remove unnecessary substances remaining on the flexible substrate. A deposited film obtained by removing and processing a conductive substrate while feeding it out.
【請求項14】 マスクを介して微粒子を衝突させるこ
とにより前記堆積膜の選択的な除去を行って加工したこ
とを特徴とする請求項12又は13に記載の堆積膜。
14. The deposited film according to claim 12, wherein the deposited film is processed by selectively removing the deposited film by colliding fine particles through a mask.
【請求項15】 前記堆積膜が太陽電池を構成する膜の
少なくとも一部であることを特徴とする請求項12乃至
14のいずれかに記載の堆積膜。
15. The deposited film according to claim 12, wherein the deposited film is at least a part of a film constituting a solar cell.
【請求項16】 基板上の堆積膜にすでに形成された溝
を検出し、衝突させる場所を制御しながら微粒子を衝突
させることで前記堆積膜の少なくとも一部を除去する機
能を有することを特徴とする堆積膜加工装置。
16. A function of detecting at least a groove already formed in a deposited film on a substrate and colliding fine particles while controlling the place of collision to remove at least a part of the deposited film. Film processing equipment.
【請求項17】 基板上の堆積膜にすでに形成された溝
を検出し、衝突させる場所を制御しながら微粒子を衝突
させて前記堆積膜の少なくとも一部を除去することを特
徴とする堆積膜加工方法。
17. A processing method for a deposited film, wherein a groove already formed in a deposited film on a substrate is detected, and at least a part of the deposited film is removed by colliding fine particles while controlling the place where the collision is made. Method.
JP35091599A 1999-12-10 1999-12-10 Equipment and method of processing deposition film and deposition film processed by this method Withdrawn JP2001168362A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35091599A JP2001168362A (en) 1999-12-10 1999-12-10 Equipment and method of processing deposition film and deposition film processed by this method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35091599A JP2001168362A (en) 1999-12-10 1999-12-10 Equipment and method of processing deposition film and deposition film processed by this method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001168362A true JP2001168362A (en) 2001-06-22

Family

ID=18413777

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35091599A Withdrawn JP2001168362A (en) 1999-12-10 1999-12-10 Equipment and method of processing deposition film and deposition film processed by this method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001168362A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010082644A1 (en) * 2009-01-16 2010-07-22 Fujifilm Corporation Scribing apparatus and scribing method
JP2014003130A (en) * 2012-06-18 2014-01-09 Honda Motor Co Ltd Method for manufacturing thin-film solar cell
KR20180069643A (en) * 2016-12-15 2018-06-25 엘지전자 주식회사 Washing Apparatus for Surface of Flexible Film

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010082644A1 (en) * 2009-01-16 2010-07-22 Fujifilm Corporation Scribing apparatus and scribing method
JP2010165879A (en) * 2009-01-16 2010-07-29 Fujifilm Corp Scribing apparatus and scribing method
EP2380214A1 (en) * 2009-01-16 2011-10-26 FUJIFILM Corporation Scribing apparatus and scribing method
CN102334200A (en) * 2009-01-16 2012-01-25 富士胶片株式会社 Scribing apparatus and scribing method
EP2380214A4 (en) * 2009-01-16 2012-07-18 Fujifilm Corp Scribing apparatus and scribing method
JP2014003130A (en) * 2012-06-18 2014-01-09 Honda Motor Co Ltd Method for manufacturing thin-film solar cell
KR20180069643A (en) * 2016-12-15 2018-06-25 엘지전자 주식회사 Washing Apparatus for Surface of Flexible Film
KR102667944B1 (en) * 2016-12-15 2024-05-23 엘지전자 주식회사 Washing Apparatus for Surface of Flexible Film

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5002018B2 (en) Optical film transport method and apparatus using the same
JP3431776B2 (en) Manufacturing method of solar cell substrate and solar cell substrate processing apparatus
US6068542A (en) Pad tape surface polishing method and apparatus
US10799981B2 (en) Laser processing system and method of use
US8231431B2 (en) Solar panel edge deletion module
US9548224B2 (en) Method and apparatus to control surface texture modification of silicon wafers for photovoltaic cell devices
JP2001168068A (en) Apparatus and method for machining deposition film and deposition film machined by that method
JP2000103548A (en) Device and method for carrying article, device and method for treating long stock, and manufacture of photoelectromotive element
JP3478075B2 (en) Laser processing cleaner
JP2001168362A (en) Equipment and method of processing deposition film and deposition film processed by this method
JP2008098267A (en) Method and device for developing treatment
KR101511584B1 (en) Feeding Apparatus for roll to roll manufacturing and feeding method for same
US6634934B1 (en) Method for cleaning polishing tool, polishing method polishing apparatus
JP2002126659A (en) Method and device for forming thin film pattern
JP2004327613A (en) Method and apparatus for cleaning
JP2002110588A (en) Chip manufacturing apparatus
JP4473995B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP5296978B2 (en) Solar cell panel manufacturing system and solar cell panel manufacturing method
JP2005014083A (en) Laser beam machining device and laser beam machining method
JP2007130641A (en) Method for manufacturing aluminum pipe
KR101603544B1 (en) Ribbon attaching apparatus for thin-film solar cells
JP2001044471A (en) Method and device for processing of deposit film and the deposit film processed by the method
KR20220052973A (en) Systems and methods for cutting metal films
JP2008300760A (en) Sheet pasting device
JP2004071039A (en) Manufacturing method of magnetic tape

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070306