JP2001151861A - Epoxy resin composition and semiconductor device - Google Patents
Epoxy resin composition and semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、封止用エポキシ樹
脂組成物及びこのエポキシ樹脂組成物にて封止してなる
半導体装置に関し、詳しくは耐半田性に優れた電子部品
や半導体装置等を得るための技術に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sealing epoxy resin composition and a semiconductor device sealed with the epoxy resin composition, and more particularly to an electronic component or a semiconductor device having excellent solder resistance. It relates to the technology to obtain.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、ダイオード、トランジスタ、
集積回路等の電気・電子部品等の半導体装置等の封止方
法として、例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等によ
る封止方法や、ガラス、金属、セラミック等を用いたハ
ーメチッックシール法が採用されてきているが、近年で
は、信頼性の向上と共に大量生産性やコストメリットの
あるエポキシ樹脂を用いた低圧トランスファー成形によ
る樹脂封止が主流を占めている。2. Description of the Related Art Conventionally, diodes, transistors,
As a method for sealing semiconductor devices such as electric and electronic components such as integrated circuits, for example, a sealing method using epoxy resin or silicone resin, or a hermetic sealing method using glass, metal, ceramic, or the like is adopted. However, in recent years, resin sealing by low-pressure transfer molding using an epoxy resin, which has improved reliability and mass productivity and cost advantages, has become the mainstream.
【０００３】このようなエポキシ樹脂を用いる封止法に
おける成形材料としては、クレゾールノボラック型樹脂
を硬化剤成分とするエポキシ樹脂組成物が最も一般的に
使用されている。As a molding material in such a sealing method using an epoxy resin, an epoxy resin composition containing a cresol novolak type resin as a curing agent component is most commonly used.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＣ、
ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の電子部品等の半導体装置の高密度
化、高集積化に伴って、封止樹脂の薄肉化のためには、
これまでのエポキシ樹脂組成物では必ずしも満足に対応
することができなくなってきている。SUMMARY OF THE INVENTION However, IC,
With the increase in the density and integration of semiconductor devices such as electronic components such as LSI and VLSI, in order to reduce the thickness of the sealing resin,
Conventional epoxy resin compositions have not always been able to respond satisfactorily.
【０００５】また、近年、環境問題により半田（Ｓｎ／
Ｐｂ合金）に含まれる鉛が人体に及ぼす影響が懸念され
るため、鉛を含まない半田（鉛フリー半田）が開発され
ており、鉛の代替品としてはビスマス（Ｂｉ）、インジ
ウム（Ｉｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等が検討されて
いるが、鉛フリー半田の融点は従来の半田の融点（１８
３℃）より高くなるため、従来より実装時のリフロー温
度（従来は約２４０℃）が更に高温となる。In recent years, due to environmental problems, solder (Sn /
There is a concern about the effect of lead contained in Pb alloy) on the human body. Therefore, lead-free solder (lead-free solder) has been developed, and bismuth (Bi), indium (In), Silver (Ag), copper (Cu), etc. are being studied, but the melting point of lead-free solder is the melting point of conventional solder (18
3 ° C.), the reflow temperature during mounting (conventionally about 240 ° C.) becomes higher than before.
【０００６】従って、近年主流となっている表面実装用
デバイス（表面実装用半導体装置）において、実装時の
半導体装置自体が急激に高温過酷な環境下に曝されるこ
ととなり、パッケージクラックの発生が避けられない事
態となっている。すなわち、封止成形後の半導体装置の
等の保管中に吸湿した水分が、高温に曝される際に急激
に気化膨脹し、封止樹脂がこれに耐えきれずにパッケー
ジにクラックが生じるものである。Therefore, in a surface mounting device (surface mounting semiconductor device), which has become mainstream in recent years, the semiconductor device itself at the time of mounting is rapidly exposed to a high-temperature and severe environment, and package cracks are generated. It is an unavoidable situation. That is, moisture absorbed during storage of a semiconductor device or the like after encapsulation molding evaporates and expands abruptly when exposed to high temperatures, and the encapsulation resin cannot withstand this, causing cracks in the package. is there.
【０００７】一方、封止用のエポキシ樹脂組成物につい
ては、耐熱性、密着性の向上等の検討がされ、実際にこ
れらの特性の改善が為されてきているが、特に低応力性
や、上記した通りの耐吸湿半田クラック性の向上につい
ては、いまだ満足できる状況にはなっていない。On the other hand, epoxy resin compositions for encapsulation have been studied to improve heat resistance and adhesion, and these properties have been actually improved. Regarding the improvement of the moisture absorption solder crack resistance as described above, the situation has not yet been satisfactory.
【０００８】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、従来の封止用エポキシ樹脂組成物の欠点を改善
し、耐吸湿半田クラック性を向上して高温リフローに対
応できる新しい樹脂封止用のエポキシ樹脂組成物、及び
このエポキシ樹脂組成物にて封止されてなる半導体装置
を提供することを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above points, and has been made in consideration of the above-mentioned problems, and has been made in consideration of the above-described problems, and has been made in view of the above circumstances. It is an object of the present invention to provide an epoxy resin composition for stopping and a semiconductor device sealed with the epoxy resin composition.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、フェノール樹
脂と、無機充填材と、下記一般式（１）に示されるイン
デンオリゴマーとを含有し、無機充填材の含有量を９０
〜９４質量％として成ることを特徴とするものである。The epoxy resin composition according to the first aspect of the present invention comprises an epoxy resin, a phenol resin, an inorganic filler, and an indene oligomer represented by the following general formula (1). And the content of the inorganic filler is 90
９４94% by mass.
【００１０】[0010]
【化２】 Embedded image
【００１１】また請求項２の発明は、請求項１の構成に
加えて、一般式（１）で示されるインデンオリゴマーの
含有量を、０．０５〜２．５質量％として成ることを特
徴とするものである。According to a second aspect of the present invention, in addition to the first aspect, the content of the indene oligomer represented by the general formula (1) is set to 0.05 to 2.5% by mass. Is what you do.
【００１２】また本発明の請求項３に係るエポキシ樹脂
組成物は、請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂組成物
にて封止されて成ることを特徴とするものである。Further, the epoxy resin composition according to claim 3 of the present invention is characterized by being sealed with the epoxy resin composition according to claim 1 or 2.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。尚、本明細書においては、エポキシ樹脂組成物の
加熱硬化成形物を硬化成形体と呼称することがあり、半
導体装置等における封止材として成形された硬化成形体
を封止樹脂と呼称することがある。Embodiments of the present invention will be described below. In this specification, a heat-cured molded product of an epoxy resin composition may be referred to as a cured molded product, and a cured molded product molded as a sealing material in a semiconductor device or the like may be referred to as a sealing resin. There is.
【００１４】エポキシ樹脂成分としては、例えばｏ−ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポ
キシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポ
キシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ブロム含
有エポキシ樹脂等を用いることができ、これらを単独で
用いても、２種類以上を併用してもよい。組成物中のエ
ポキシ樹脂の含有量は、７〜３５質量％とすることが好
ましい。特にビフェニル型エポキシ樹脂を使用すると、
半導体装置の耐リフロー性の向上に有効である。Examples of the epoxy resin component include o-cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, and bromine-containing. Epoxy resins and the like can be used, and these may be used alone or in combination of two or more. The content of the epoxy resin in the composition is preferably from 7 to 35% by mass. Especially when using biphenyl type epoxy resin,
This is effective for improving the reflow resistance of the semiconductor device.
【００１５】エポキシ樹脂成分の硬化剤としては、フェ
ノールノボラック、クレゾールノボラック、フェノール
アラルキル、ナフトールアラルキル等の各種の多価フェ
ノール化合物やナフトール化合物を用いることができ
る。硬化剤全体の配合量は、通常エポキシ樹脂成分に対
して、当量比で０．５〜１．５、好ましくは０．８〜
１．２の範囲で配合される。As the curing agent for the epoxy resin component, various polyhydric phenol compounds such as phenol novolak, cresol novolak, phenol aralkyl, and naphthol aralkyl, and naphthol compounds can be used. The compounding amount of the entire curing agent is usually 0.5 to 1.5, preferably 0.8 to 1.5 in equivalent ratio to the epoxy resin component.
It is blended in the range of 1.2.
【００１６】また、硬化促進剤としては、例えば、トリ
フェニルホスフィン等の有機ホスフィン類、１，８−ジ
アザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等の三級
アミン類、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミ
ダゾール等のイミダゾール化合物等を挙げることができ
る。Examples of the curing accelerator include organic phosphines such as triphenylphosphine, tertiary amines such as 1,8-diaza-bicyclo (5,4,0) undecene-7, and 2-methylimidazole. And imidazole compounds such as 2-phenylimidazole.
【００１７】無機充填材としては、例えば結晶シリカ、
溶融シリカ、アルミナ、窒化ケイ素等の粉末が挙げられ
る。この無機充填材は、単独で用いても、２種類以上を
併用してもよい。また無機充填材は、エポキシ樹脂組成
物全量に対して９０〜９４質量％の割合で配合するもの
であり、無機充填材の配合量がこの範囲に満たないと、
半導体装置の耐リフロー性の向上の効果が充分に得られ
ないおそれがあり、またこの範囲を超えて配合すると、
エポキシ樹脂組成物の成形性が悪化して、良好な硬化成
形体が得られないおそれがある。As the inorganic filler, for example, crystalline silica,
Powders such as fused silica, alumina, silicon nitride and the like can be mentioned. These inorganic fillers may be used alone or in combination of two or more. Further, the inorganic filler is blended at a ratio of 90 to 94% by mass based on the total amount of the epoxy resin composition, and if the blending amount of the inorganic filler is less than this range,
There is a possibility that the effect of improving the reflow resistance of the semiconductor device may not be sufficiently obtained.
There is a possibility that the moldability of the epoxy resin composition deteriorates and a good cured molded article cannot be obtained.
【００１８】離型剤としては、カルナバワックス、ステ
アリン酸、モンタン酸、カルボキシル基含有ポリオレフ
ィン等を用いることができる。As the release agent, carnauba wax, stearic acid, montanic acid, carboxyl group-containing polyolefin and the like can be used.
【００１９】また、その他、添加物として、γ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリ
ング剤、難燃剤、着色剤、シリコーン可とう剤等を配合
することができる。ここでシランカップリング剤として
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを配合す
ると、エポキシ樹脂組成物にて封止した半導体装置の耐
リフロー性を特に向上することができる。In addition, other additives such as a silane coupling agent such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, a flame retardant, a colorant, and a silicone flexible agent can be added. Here, when γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane is blended as a silane coupling agent, the reflow resistance of the semiconductor device sealed with the epoxy resin composition can be particularly improved.
【００２０】また更に本発明では、上記式（１）に示す
インデンオリゴマーを配合するものである。このインデ
ンオリゴマーの配合量は、０．０５〜２．５質量％の範
囲とすることが好ましく、配合量がこの範囲に満たない
と、半導体装置の耐リフロー性の向上の効果が充分に得
られないおそれがあり、またこの範囲を超えて配合する
と、エポキシ樹脂組成物のゲルタイムが長くなって、硬
化成形時の成形時間が長くなってしまい、成形性が悪化
するおそれがある。Further, in the present invention, the indene oligomer represented by the above formula (1) is blended. The compounding amount of the indene oligomer is preferably in the range of 0.05 to 2.5% by mass. If the compounding amount is less than this range, the effect of improving the reflow resistance of the semiconductor device can be sufficiently obtained. If the epoxy resin composition is added beyond this range, the gel time of the epoxy resin composition becomes longer, the molding time during curing molding becomes longer, and the moldability may be deteriorated.
【００２１】本発明のエポキシ樹脂組成物を調製するに
あたっては、調製されるエポキシ樹脂組成物の性状が液
体状である場合は上記の各成分を所望の割合で配合した
ものを溶解混合し、又は溶融混合した後３本ロール等で
溶融混練して液体状のエポキシ樹脂組成物を得ることが
できる。また調製されるエポキシ樹脂組成物の性状が固
体状である場合は上記の各成分を所望の割合で配合した
ものをミキサー、ブレンダー等で均一に混合した後、ニ
ーダーやロール等で加熱・混練することにより、目的と
するエポキシ樹脂組成物を得ることができる。また必要
に応じて冷却固化した後粉砕して粉末状のエポキシ樹脂
組成物を得ることもでき、更にこの粉末を打錠してタブ
レット状のエポキシ樹脂組成物を得ることもできる。In preparing the epoxy resin composition of the present invention, when the properties of the epoxy resin composition to be prepared are liquid, a mixture of the above components in a desired ratio is dissolved and mixed, or After melt-mixing, the mixture is melt-kneaded with three rolls or the like to obtain a liquid epoxy resin composition. When the properties of the epoxy resin composition to be prepared are solid, after mixing the above components in a desired ratio, the mixture is uniformly mixed with a mixer, a blender or the like, and then heated and kneaded with a kneader or a roll. Thereby, the desired epoxy resin composition can be obtained. If necessary, the mixture may be cooled and solidified and then pulverized to obtain a powdery epoxy resin composition, and the powder may be tabletted to obtain a tablet-like epoxy resin composition.
【００２２】このようにして得られるエポキシ樹脂組成
物は、その硬化成形体が優れた耐吸湿半田クラック性を
有することとなり、半導体装置の封止樹脂として適用し
た場合に、鉛フリー半田を用いた場合のような高温リフ
ローにおいても、パッケージクラックの発生や、リード
フレーム又は半導体チップと封止樹脂との剥離の発生を
防止することができるものである。The epoxy resin composition obtained in this manner has a cured molded article having excellent resistance to moisture-absorbing solder cracks. When the epoxy resin composition is used as a sealing resin for semiconductor devices, lead-free solder is used. Even in a high-temperature reflow as in the case, it is possible to prevent the occurrence of package cracks and the occurrence of peeling between the lead frame or the semiconductor chip and the sealing resin.
【００２３】本発明のエポキシ樹脂組成物を用い、基板
やリードフレーム上に搭載した半導体素子と結線部分を
封止することにより半導体装置を得るにあたっては、例
えば先ず４２アロイや銅等の金属製のリードフレーム上
に、半導体素子をダイボンディングする。次にＡｕ等の
細線ワイヤを用いたワイヤボンディング法等でリードフ
レームと半導体素子を結線する。次に本発明のエポキシ
樹脂組成物を用いてトランスファー成形等により封止樹
脂を成形し、半導体素子とワイヤを封止するものであ
る。In order to obtain a semiconductor device by using the epoxy resin composition of the present invention to seal a connection portion between a semiconductor element mounted on a substrate or a lead frame, for example, first, a metal alloy such as 42 alloy or copper is used. A semiconductor element is die-bonded on the lead frame. Next, the lead frame and the semiconductor element are connected by a wire bonding method using a thin wire such as Au. Next, a sealing resin is molded by transfer molding or the like using the epoxy resin composition of the present invention to seal the semiconductor element and the wire.
【００２４】[0024]
【実施例】以下、本発明を実施例によって詳述する。The present invention will be described below in detail with reference to examples.
【００２５】（実施例１〜６、比較例１，２）各実施例
及び比較例につき、表１に示す成分を配合し、ミキサー
で均一に混合した後、ニーダーで加熱・混練し、更に冷
却固化した後粉砕して粉末状のエポキシ樹脂組成物を得
た。(Examples 1 to 6, Comparative Examples 1 and 2) For each of Examples and Comparative Examples, the components shown in Table 1 were blended, uniformly mixed with a mixer, heated and kneaded with a kneader, and further cooled. After solidification, the mixture was pulverized to obtain a powdery epoxy resin composition.
【００２６】ここで、表中に示すビスフェノール型エポ
キシ樹脂は油化シェルエポキシ株式会社製の品番「Ｙ−
４０００Ｈ」（エポキシ当量１９２）、ジシクロペンタ
ジエン型エポキシ樹脂は大日本インキ化学工業株式会社
製の品番「ＨＰ７２００」（エポキシ当量２６４）、フ
ェノールアラルキル樹脂は住金ケミカル株式会社製の品
番「ＨＥ１００Ｃ」（水酸基当量１６９）、式（１）に
示すインデンオリゴマーは新日鐵化学株式会社製の品番
「ＩＰ−１２０」（式中のＸは水酸基）である。Here, the bisphenol type epoxy resin shown in the table is manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd. under the product number "Y-
4000H "(epoxy equivalent 192), dicyclopentadiene type epoxy resin is Dainippon Ink & Chemicals, Inc. product number" HP7200 "(epoxy equivalent 264), and phenol aralkyl resin is Sumikin Chemical Co., Ltd. product number" HE100C "(hydroxyl group). The equivalent weight of 169) and the indene oligomer represented by the formula (1) are Nippon Steel Chemical Co., Ltd. product number “IP-120” (X in the formula is a hydroxyl group).
【００２７】次に、銅製のリードフレーム上に、半導体
素子を搭載し、上記のエポキシ樹脂組成物を用いて、金
型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、保持時間９０
秒間の条件でトランスファー成形した後、１７５℃で６
時間アフターキュアーを行って樹脂封止し、１４ｍｍ×
２０ｍｍ×１．８ｍｍの評価用のＱＦＰ（ｑｕａｄｆｌ
ａｔ ｐａｃｋａｇｅ）を作製した。Next, a semiconductor element is mounted on a lead frame made of copper, and a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 6.9 MPa, and a holding time of 90 mm are formed using the above-mentioned epoxy resin composition.
After transfer molding under the condition of
After-curing for hours and sealing with resin, 14mm ×
20 mm x 1.8 mm QFP (quadfl) for evaluation
at package).
【００２８】（評価試験） ・スパイラルフロー試験 各実施例及び比較例におけるエポキシ樹脂組成物につい
て、ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用し、型温１７０
℃、注入圧力６．９ＭＰａの条件で、スパイラルフロー
試験を行った。 ・ゲルタイム測定 各実施例及び比較例におけるエポキシ樹脂組成物につい
て、キュラストメータ（ＪＣＲ製）にて型温１７０℃の
条件でゲルタイムを測定した。 ・耐リフロー試験 各実施例及び比較例における評価用のＱＦＰを、８５℃
／８５％ＲＨの条件下で１６８時間吸湿させた後、ピー
ク温度が２４５℃及び２６５℃のはんだリフロー装置で
リフロー加熱した。(Evaluation test) Spiral flow test The epoxy resin composition in each of Examples and Comparative Examples was tested using a mold conforming to the EMMI standard, and a mold temperature of 170.
A spiral flow test was performed under the conditions of ° C and an injection pressure of 6.9 MPa. -Gel time measurement The gel time of the epoxy resin composition in each of the examples and comparative examples was measured using a curast meter (manufactured by JCR) at a mold temperature of 170 ° C. -Reflow resistance test The QFP for evaluation in each of Examples and Comparative Examples was measured at 85 ° C.
After 168 hours of moisture absorption under the condition of / 85% RH, reflow heating was performed with a solder reflow apparatus having peak temperatures of 245 ° C and 265 ° C.
【００２９】処理後のパッケージのダイパット面を超音
波検査装置にて走査して剥離の有無を確認すると共に、
パッケージを切断して切断面を実体顕微鏡にて観察して
クラックの有無を確認した。表中の分母に総サンプル
数、分子に剥離又はクラックが発生したサンプル数を示
す。The die pad surface of the processed package is scanned with an ultrasonic inspection device to check for the presence or absence of peeling.
The package was cut, and the cut surface was observed with a stereoscopic microscope to check for cracks. In the table, the denominator indicates the total number of samples, and the numerator indicates the number of samples having peeled or cracked.
【００３０】以上の結果を表１に示す。Table 1 shows the above results.
【００３１】[0031]
【表１】 [Table 1]
【００３２】表１から明らかなように、各実施例では、
式（１）に示すインデンオリゴマーを用いない比較例
１，２及び無機充填材の配合量が少ない比較例３よりも
耐半田リフロー性が向上した。As is clear from Table 1, in each embodiment,
The solder reflow resistance was improved as compared with Comparative Examples 1 and 2 using no indene oligomer shown in the formula (1) and Comparative Example 3 in which the amount of the inorganic filler was small.
【００３３】また、各実施例中において、式（１）に示
すインデンオリゴマーの配合量が多い実施例４と比べ
て、他の実施例ではゲルタイムが短縮されており、硬化
時間が短縮されて、良好な成形性を有するものであるこ
とが確認された。In each of the examples, the gel time was shortened and the curing time was shortened in the other examples as compared with Example 4 in which the amount of the indene oligomer represented by the formula (1) was large. It was confirmed that it had good moldability.
【００３４】[0034]
【発明の効果】上記のように、本発明に係るエポキシ樹
脂組成物は、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂と、無機
充填材と、上記一般式（１）に示されるインデンオリゴ
マーとを含有し、無機充填材の含有量を９０〜９４質量
％として成るため、硬化成形体の耐吸湿半田クラック性
を向上することができ、半導体装置の樹脂封止のために
好適に用いることができるものである。As described above, the epoxy resin composition according to the present invention contains an epoxy resin, a phenol resin, an inorganic filler, and an indene oligomer represented by the above general formula (1). Since the content of the filler is set to 90 to 94% by mass, the moisture-absorbing solder crack resistance of the cured molded body can be improved and can be suitably used for resin sealing of a semiconductor device.
【００３５】また請求項２の発明は、一般式（１）で示
されるインデンオリゴマーの含有量を、０．０１〜２．
５質量％として成るため、硬化成形体の耐吸湿半田クラ
ック性を更に向上することができるものである。The invention of claim 2 provides the indene oligomer represented by the general formula (1) in an amount of 0.01 to 2.0.
Since the content is 5% by mass, the moisture absorption resistance of the cured molded article can be further improved.
【００３６】また本発明の請求項３に係る半導体装置
は、請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂組成物にて封
止されて成るため、耐吸湿半田クラック性を向上するこ
とができ、鉛フリー半田を用いる場合のような高温リフ
ローに対応することができるものである。Further, the semiconductor device according to claim 3 of the present invention is sealed with the epoxy resin composition according to claim 1 or 2, so that the solder crack resistance against moisture absorption can be improved, and It is possible to cope with high-temperature reflow such as when free solder is used.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者 小畑 洋介 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 杉山 弘志 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 4J036 AA01 AA05 AD07 AD08 AD21 AE07 AF08 DB11 DB16 DC03 DC10 FA03 FA05 FA11 FB01 FB07 FB08 JA07 4M109 AA01 CA21 EA02 EB18 EB19 EC05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 23/31 (72) Inventor Yosuke Obata 1048 Odakadoma, Kadoma City, Osaka Matsushita Electric Works, Ltd. (72 ) Inventor Hiroshi Sugiyama 1048 Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture F-term in Matsushita Electric Works Co., Ltd. (reference)
Claims (3)
機充填材と、下記一般式（１）に示されるインデンオリ
ゴマーとを含有し、無機充填材の含有量を９０〜９４質
量％として成ることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 【化１】 An epoxy resin, a phenol resin, an inorganic filler, and an indene oligomer represented by the following general formula (1), wherein the content of the inorganic filler is 90 to 94% by mass. A characteristic epoxy resin composition. Embedded image
マーの含有量を、０．０１〜２．５質量％として成るこ
とを特徴とする請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物。2. The epoxy resin composition according to claim 1, wherein the content of the indene oligomer represented by the general formula (1) is 0.01 to 2.5% by mass.
成物にて封止されて成ることを特徴とする半導体装置。3. A semiconductor device which is sealed with the epoxy resin composition according to claim 1.
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|---|---|---|---|
| JP33355299A JP2001151861A (en) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | Epoxy resin composition and semiconductor device |
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Cited By (5)
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