JP2001150162A - Method of laser beam machining for ceramic material and machine - Google Patents

Method of laser beam machining for ceramic material and machine

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JP2001150162A
JP2001150162A JP34164699A JP34164699A JP2001150162A JP 2001150162 A JP2001150162 A JP 2001150162A JP 34164699 A JP34164699 A JP 34164699A JP 34164699 A JP34164699 A JP 34164699A JP 2001150162 A JP2001150162 A JP 2001150162A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of a machining of ceramic material by which method a strain is given without causing a crack even when a defect exists inside. SOLUTION: In the machining method where a strain is given by irradiating a ceramic plate 11 with a pulsed laser beam emitted from a YAG pulse laser beam oscillator 10, a pulsed laser beam having a smaller cross section compared to the cross section of the ceramic plate is radiated several times upon over the whole area of the irradiated zone of the ceramic plate thus a crack generation of the ceramic plate is prevented.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を使用し
てセラミック板に歪みを与えるための加工方法及び加工
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing method and a processing apparatus for applying distortion to a ceramic plate using a laser beam.

【0002】[0002]

【従来の技術】セラミック材料、特に一辺が数mm〜数
十mm程度のサイズを持つセラミック薄板に制御された
歪みを発生させるような加工が要求されている。具体的
な一例をあげれば、セラミック薄板を凸形状に歪ませる
ような加工である。そして、このような加工方法の1つ
としてレーザ照射加工が提案されている。レーザ照射加
工にも2種類あり、第1の方法では、セラミック薄板の
面積に比べて十分小さく集光させたレーザビームにより
セラミック薄板の表面の一部を除去し(削り)、圧縮応
力を発生させることで歪みを発生させる。第2の方法で
は、セラミック薄板の面積と同程度の断面積を持つレー
ザビームを照射し、セラミック薄板の表面に焼けを発生
させることにより引っ張り応力を発生させて歪みを生ず
るようにしている。
2. Description of the Related Art There is a demand for a process for generating a controlled strain in a ceramic material, particularly a ceramic thin plate having a side of several mm to several tens mm. As a specific example, the processing is such that a ceramic thin plate is distorted into a convex shape. Laser irradiation processing has been proposed as one of such processing methods. There are also two types of laser irradiation processing. In the first method, a part of the surface of the ceramic thin plate is removed (cut) by a laser beam focused sufficiently smaller than the area of the ceramic thin plate to generate a compressive stress. This causes distortion. In the second method, a laser beam having a cross-sectional area substantially equal to the area of the ceramic thin plate is irradiated to generate a scorch on the surface of the ceramic thin plate to generate a tensile stress, thereby causing distortion.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の第1の
方法では表面除去のため粉塵が発生するという問題があ
る。一方、上記の第2の方法では、大面積照射のためセ
ラミック薄板の内部に欠陥部分が存在すると、その欠陥
部分に応力が加わる確率が高くなり、割れが発生すると
いう欠点がある。これは、セラミック薄板が脆性材料で
あるために脆く、しかもある確率でその内部に欠陥部分
が持つことが避けられないという事情による。従って、
上記の第2の方法では、上記のある確率で決まる確率で
割れが発生し、歩留まりに制約を生ずることが避けられ
ない。
However, the first method described above has a problem that dust is generated due to surface removal. On the other hand, the above-mentioned second method has a drawback that if a defective portion exists inside the ceramic thin plate due to irradiation of a large area, the probability of applying stress to the defective portion increases, and cracks occur. This is due to the fact that the ceramic thin plate is brittle because it is a brittle material, and it is unavoidable that there is a certain probability of having a defective portion therein. Therefore,
In the above-mentioned second method, cracks occur at a probability determined by the above-mentioned certain probability, and it is inevitable that the yield is restricted.

【0004】そこで、本発明の課題は、内部に欠陥部分
が存在していたような場合でも、割れを発生すること無
く歪みを与えることのできるセラミック材料の加工方法
及び加工装置を提供することにある。
It is an object of the present invention to provide a method and an apparatus for processing a ceramic material capable of giving a strain without generating a crack even when a defect portion is present inside. is there.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、レーザ発振器
からのパルス状レーザ光をセラミック板に照射して歪み
を与える加工方法において、前記セラミック板の面積に
比べて小さい断面積を持つ前記パルス状レーザ光を、前
記セラミック板の照射領域の全域にわたるように複数回
照射することにより、前記セラミック板の割れを防止す
ることを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a processing method for irradiating a ceramic plate with pulsed laser light from a laser oscillator to apply distortion, wherein the pulse having a smaller cross-sectional area than the area of the ceramic plate is provided. By irradiating the laser beam a plurality of times so as to cover the entire irradiation area of the ceramic plate, cracks in the ceramic plate are prevented.

【0006】本加工方法においては、前記パルス状レー
ザ光は、四角形あるいは線状の断面形状を持ち、前記四
角形あるいは線状の断面形状を持つ前記パルス状レーザ
光をガルバノスキャナにより振らせることにより、前記
セラミック板の照射領域の全域にわたる複数回の照射を
行うことを特徴とする。
In this processing method, the pulsed laser light has a square or linear cross section, and the pulsed laser light having the square or linear cross section is swung by a galvano scanner. A plurality of irradiations are performed over the entire irradiation area of the ceramic plate.

【0007】本発明による加工装置は、パルス状レーザ
発振器と、該パルス状レーザ発振器から出射されたパル
ス状レーザ光の断面形状を規定するためのマスク手段
と、該マスク手段を通過した前記パルス状レーザ光を振
らせるためのガルバノスキャナと、該ガルバノスキャナ
で振られたパルス状レーザ光を、ステージ上に搭載され
たセラミック板上に結像させるための結像レンズとを含
み、前記マスク手段は、前記パルス状レーザ光の断面積
を前記セラミック板の面積に比べて小さい断面積にする
ためのものであり、前記ガルバノスキャナは、前記小さ
い断面積を持つパルス状レーザ光を、前記セラミック板
の照射領域の全域にわたるように複数回照射することを
特徴とする。
A processing apparatus according to the present invention comprises a pulsed laser oscillator, mask means for defining a cross-sectional shape of a pulsed laser beam emitted from the pulsed laser oscillator, and the pulsed laser beam passing through the mask means. A galvano scanner for oscillating the laser light, and an imaging lens for imaging the pulsed laser light oscillated by the galvano scanner on a ceramic plate mounted on a stage, wherein the mask means The cross-sectional area of the pulsed laser light is for making the cross-sectional area smaller than the area of the ceramic plate, the galvano scanner, the pulsed laser light having the small cross-sectional area, Irradiation is performed a plurality of times so as to cover the entire irradiation region.

【0008】本加工装置においては、前記ガルバノスキ
ャナと前記結像レンズとの間に、コリメーションレンズ
が配置される。
In this processing apparatus, a collimation lens is disposed between the galvano scanner and the imaging lens.

【0009】本加工装置においてはまた、前記レーザ発
振器と前記マスク手段との間に、前記レーザ発振器から
のパルス状レーザ光の断面積におけるエネルギー強度を
均一にするための均一光学系が配置される。
In the present processing apparatus, a uniform optical system is provided between the laser oscillator and the mask means for equalizing the energy intensity in the cross-sectional area of the pulsed laser light from the laser oscillator. .

【0010】本加工装置においては更に、前記ステージ
はX軸方向、Y軸方向に可動であり、前記セラミック板
は、前記ステージ上に複数個搭載される。
In the present processing apparatus, the stage is movable in the X-axis direction and the Y-axis direction, and a plurality of the ceramic plates are mounted on the stage.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】はじめに、本発明がなされるに至
った背景について説明する。前に述べた第2の方法で
は、レーザ光の照射を1回でほぼ全面に行う大面積照射
であるために、セラミック板の内部に存在する欠陥部分
に応力が加わる確率が高くなり、割れが発生し易くな
る。また、照射面積が大きいほどセラミック板の中央部
分の内部応力が大きいため、割れが発生し易い。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, the background of the present invention will be described. In the second method described above, since laser irradiation is performed in a large area in which laser irradiation is performed on almost the entire surface at one time, the probability that stress is applied to a defect existing inside the ceramic plate increases, and cracks occur. It is easy to occur. In addition, the larger the irradiation area, the greater the internal stress in the central portion of the ceramic plate, so that cracks are likely to occur.

【0012】そこで、本発明では、セラミック板に照射
されるレーザ光の断面積を小さくして1回の照射による
入熱量を小さくし、この小面積の照射をセラミック板の
照射領域の全域にわたるように複数回行うようにしたこ
とを特徴とする。
Therefore, in the present invention, the cross-sectional area of the laser beam applied to the ceramic plate is reduced to reduce the amount of heat input by one irradiation, and the irradiation of this small area is performed over the entire irradiation area of the ceramic plate. Is performed a plurality of times.

【0013】次に、図1を参照して、本発明によるレー
ザ加工装置の実施の形態について説明する。本形態によ
るレーザ加工装置は、YAGパルスレーザ発振器10か
らのパルス状レーザ光をセラミック板11に照射して歪
みを与える加工装置であり、小断面積を持つパルス状レ
ーザ光を、ガルバノスキャナ13によりセラミック板1
1における照射領域、ここではそのほぼ全面にわたるよ
うに複数回照射することで歪みを与えるようにしてい
る。セラミック板11は、X軸方向及びY軸方向に可動
のステージ12上に一列当たり複数個でかつ複数列が配
列されている。
Next, an embodiment of a laser processing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. The laser processing apparatus according to the present embodiment is a processing apparatus that applies a pulsed laser beam from a YAG pulsed laser oscillator 10 to a ceramic plate 11 to apply distortion, and a pulsed laser beam having a small cross-sectional area is output by a galvano scanner 13. Ceramic plate 1
Irradiation is performed a plurality of times so as to cover the irradiation area 1 in this case, almost over the entire area, thereby giving distortion. A plurality of ceramic plates 11 are arranged in a row on a stage 12 movable in the X-axis direction and the Y-axis direction.

【0014】YAGパルスレーザ発振器10の出射側に
は、パルス状レーザ光の断面積におけるエネルギー強度
を均一にするための均一光学系18を配置している。均
一光学系18は、YAGパルスレーザ発振器10を使用
する場合には、光ファイバで実現することができる。す
なわち、YAGレーザ光は光ファイバで伝送することが
でき、光ファイバはそこを伝送するレーザ光の強度分布
を均一にする作用があるからである。この他、均一光学
系18は、他の周知の光学系、例えばカライドスコープ
と呼ばれるもので実現することもできる。
On the emission side of the YAG pulse laser oscillator 10, there is arranged a uniform optical system 18 for making the energy intensity in the sectional area of the pulsed laser light uniform. When the YAG pulse laser oscillator 10 is used, the uniform optical system 18 can be realized by an optical fiber. That is, the YAG laser light can be transmitted by an optical fiber, and the optical fiber has an effect of making the intensity distribution of the laser light transmitted therethrough uniform. In addition, the uniform optical system 18 can be realized by another well-known optical system, for example, a so-called kaleidoscope.

【0015】均一光学系18を出たパルス状レーザ光
は、マスク14によりその断面積がセラミック板11の
面積に比べて小さい断面積に整形される。その形状は、
後で説明されるように、四角形あるいは線状等である。
The pulsed laser light that has exited the uniform optical system 18 is shaped by the mask 14 into a cross-sectional area smaller than the area of the ceramic plate 11. Its shape is
As will be described later, the shape is rectangular or linear.

【0016】ガルバノスキャナ13は、マスク14で整
形された小断面積を持つパルス状レーザ光を振らせてセ
ラミック板11のほぼ全面にわたるように複数回照射す
るものである。ガルバノスキャナ13は、良く知られて
いるように、モータによる回転駆動軸に反射鏡を取り付
けて成る、いわゆるガルバノミラーと呼ばれるもので、
ここでは2つのガルバノミラーを組合わせることでパル
ス状レーザ光をステージ12上においてX軸方向とこれ
に直角なY軸方向に振らせることのできる2軸タイプの
ガルバノスキャナを用いている。なお、図1では、1個
のガルバノミラーのみを象徴的に示している。
The galvano scanner 13 oscillates a pulsed laser beam having a small cross-sectional area shaped by a mask 14 and irradiates the laser beam a plurality of times so as to cover almost the entire surface of the ceramic plate 11. As is well known, the galvano scanner 13 is a so-called galvano mirror in which a reflecting mirror is attached to a rotary drive shaft driven by a motor.
Here, a two-axis type galvano scanner is used in which a pulsed laser beam can be swung on the stage 12 in the X-axis direction and the Y-axis direction perpendicular thereto by combining two galvanometer mirrors. In FIG. 1, only one galvanomirror is symbolically shown.

【0017】ガルバノスキャナ13の反射側には、コリ
メーションレンズ17が配置されている。コリメーショ
ンレンズ17は、ガルバノスキャナ13から斜めに入射
するパルス状レーザ光をコリメーションレンズ17の光
軸に平行にするためのものである。これは、ガルバノス
キャナ13によりパルス状レーザ光は様々な角度方向に
振られるので、コリメーションレンズ17の光軸から離
れたパルス状レーザ光ほど光軸から離れていってしまう
からである。このため、コリメーションレンズ17は、
ガルバノスキャナ13のスキャン範囲をカバーし得る大
きさの径を持つ。
On the reflection side of the galvano scanner 13, a collimation lens 17 is arranged. The collimation lens 17 is for making pulsed laser light obliquely incident from the galvano scanner 13 parallel to the optical axis of the collimation lens 17. This is because the pulsed laser light is swung in various angular directions by the galvano scanner 13, so that the pulsed laser light that is farther from the optical axis of the collimation lens 17 is farther from the optical axis. For this reason, the collimation lens 17
It has a diameter large enough to cover the scanning range of the galvano scanner 13.

【0018】コリメーションレンズ17とステージ12
との間には、マスク14で規定されたパターンを持つパ
ルス状レーザ光をセラミック板11上に焦点を結ぶよう
に結像させるための結像レンズ15、16とが配置され
ている。結像レンズ15、16は、それらの焦点距離を
選択することで、マスク14で規定されたパターンのセ
ラミック板11上での縮小比を任意に選択することがで
きる。
The collimation lens 17 and the stage 12
Between them, image forming lenses 15 and 16 for forming an image of the pulsed laser light having a pattern defined by the mask 14 so as to focus on the ceramic plate 11 are arranged. The imaging lenses 15 and 16 can arbitrarily select a reduction ratio of the pattern defined by the mask 14 on the ceramic plate 11 by selecting their focal lengths.

【0019】上記の各要素の間に、反射ミラー21、2
2、23、24を介在させることでYAGパルスレーザ
発振器10からステージ12までの光路が形成されてい
る。なお、図1では、コリメーションレンズ17からの
パルス状レーザ光が反射ミラー22から外れるように描
かれているが、コリメーションレンズ17からのパルス
状レーザ光の光路を拡大して描いているためである。実
際には、ガルバノスキャナ13によるスキャン範囲は数
cm程度のエリアであり、反射ミラー22はこれによる
パルス状レーザ光の入射位置変化に十分に対応できる。
The reflection mirrors 21 and 2
An optical path from the YAG pulse laser oscillator 10 to the stage 12 is formed by interposing 2, 23 and 24. In FIG. 1, the pulsed laser light from the collimation lens 17 is drawn so as to deviate from the reflection mirror 22, but this is because the optical path of the pulsed laser light from the collimation lens 17 is enlarged. . Actually, the scanning range of the galvano scanner 13 is an area of about several cm, and the reflection mirror 22 can sufficiently cope with the change in the incident position of the pulsed laser light.

【0020】本形態においては更に、コリメーションレ
ンズ17から外れた位置に、ダンパ25が配置されてい
る。ダンパ25は、ステージ12側へのパルス状レーザ
光照射が行われない間のパルス状レーザ光を照射するた
めのものであり、パルス状レーザ光照射による発熱を防
ぐために水冷等による冷却手段が設けられている。この
ようなダンパ25を使用する理由については後述する。
In this embodiment, a damper 25 is arranged at a position off the collimation lens 17. The damper 25 is for irradiating pulsed laser light to the stage 12 while pulsed laser light irradiation is not performed, and a cooling means such as water cooling is provided to prevent heat generation due to pulsed laser light irradiation. Have been. The reason for using such a damper 25 will be described later.

【0021】更に、反射ミラー24として、可視光を透
過するものを用い、その上方に反射ミラー26を介して
観察光学系27を配置している。観察光学系27には通
常、CCDカメラが使用され、加工中のセラミック板1
1を観察したり、ステージ12の位置決め動作に利用さ
れる。また、反射ミラー24はパルス状レーザ光のごく
一部を透過するものを使用して、その透過側にエネルギ
ーモニタ28を配置している。エネルギーモニタ28
は、そこに入射する1発毎のパルス状レーザ光のエネル
ギー値を監視する。この監視結果は、例えば本加工装置
の制御装置(図示せず)に送ることにより、エネルギー
値が低すぎるというような異常があった場合には、再度
セラミック板11の同じ領域にパルス状レーザ光の照射
を行わせるというような制御を行うことができる。ある
いは、上記のような異常があっても上記のような制御を
行わない場合には、エネルギー値の低いパルス状レーザ
光の照射が行われたセラミック板11に加工不良発生の
可能性があることを知らせることができる。
Further, a reflection mirror 24 that transmits visible light is used, and an observation optical system 27 is disposed above the reflection mirror 24 via a reflection mirror 26. Usually, a CCD camera is used for the observation optical system 27, and the ceramic plate 1 being processed is used.
1 is used for observation and the positioning operation of the stage 12. The reflection mirror 24 transmits a very small part of the pulsed laser light, and the energy monitor 28 is disposed on the transmission side. Energy monitor 28
Monitors the energy value of each pulsed laser beam incident thereon. This monitoring result is sent to, for example, a control device (not shown) of the present processing apparatus, and when there is an abnormality such as an energy value being too low, the pulsed laser light is again applied to the same area of the ceramic plate 11. Can be controlled. Alternatively, if the above control is not performed even if there is an abnormality as described above, there is a possibility that a processing defect may occur in the ceramic plate 11 irradiated with the pulsed laser beam having a low energy value. Can be notified.

【0022】以上のような構成による加工装置の加工動
作について説明する。連続発振しているYAGパルスレ
ーザ発振器10からのパルス状レーザ光は、反射ミラー
21を経由して均一光学系18によりその断面積に関し
て均一なエネルギー強度を持つようにされる。均一光学
系18を出たパルス状レーザ光は、マスク14により小
面積を持つパルス状レーザ光に整形される。この小面積
を持つパルス状レーザ光は、ガルバノスキャナ13で振
られ、更にコリメーションレンズ17でその光軸に平行
なパルス状レーザ光にされる。このパルス状レーザ光
は、反射ミラー22、23を経由して結像レンズ15に
入射する。結像レンズ15を通過したパルス状レーザ光
は反射ミラー24を経由し、結像レンズ16を通して所
定の縮小比でセラミック板11の所定の位置に照射され
る。
The processing operation of the processing apparatus having the above configuration will be described. The pulsed laser light from the continuously oscillating YAG pulse laser oscillator 10 is made to have a uniform energy intensity with respect to its cross-sectional area by the uniform optical system 18 via the reflection mirror 21. The pulsed laser light that has exited the uniform optical system 18 is shaped by the mask 14 into a pulsed laser light having a small area. The pulsed laser light having this small area is oscillated by the galvano scanner 13 and further converted into a pulsed laser light parallel to the optical axis by the collimation lens 17. This pulsed laser light enters the imaging lens 15 via the reflection mirrors 22 and 23. The pulsed laser light that has passed through the imaging lens 15 passes through the reflection mirror 24 and is applied to a predetermined position of the ceramic plate 11 at a predetermined reduction ratio through the imaging lens 16.

【0023】特に、ガルバノスキャナ13によるスキャ
ン動作により、小面積を持つパルス状レーザ光がステー
ジ12上にある特定の1つのセラミック板11のほぼ全
面にわたるように複数回照射される。この間、ステージ
12は移動しない。
In particular, the scanning operation by the galvano scanner 13 irradiates the pulsed laser light having a small area a plurality of times so as to cover almost the entire surface of one specific ceramic plate 11 on the stage 12. During this time, the stage 12 does not move.

【0024】図2は、マスク14により、セラミック板
11の面積より十分に小さな長四角形の断面積を持つパ
ルス状レーザ光に整形されたパルス状レーザ光でセラミ
ック板11の全面にわたるように照射する場合の照射パ
ターンを示している。ガルバノスキャナ13は、図2中
に矢印で示される順序で長四角形の断面積を持つパルス
状レーザ光を振らせてセラミック板11に照射すること
により、セラミック板11の全面を照射することができ
る。勿論、この照射パターンは、ガルバノミラー13の
スキャンを制御することにより任意の形状にすることが
できる。
FIG. 2 shows that the mask 14 is used to irradiate the entire surface of the ceramic plate 11 with a pulsed laser beam shaped into a pulsed laser beam having a rectangular cross-sectional area sufficiently smaller than the area of the ceramic plate 11. The irradiation pattern in the case is shown. The galvano scanner 13 can irradiate the entire surface of the ceramic plate 11 by oscillating and irradiating the ceramic plate 11 with a pulsed laser beam having a rectangular cross-sectional area in the order indicated by the arrow in FIG. . Of course, this irradiation pattern can be formed into any shape by controlling the scanning of the galvanomirror 13.

【0025】1つのセラミック板11に対する複数回の
パルス状レーザ光の全面照射が終了すると、ステージ1
2が移動して次のセラミック板11がパルス状レーザ光
の照射域、すなわちガルバノスキャナ13のスキャン域
にくるようにされる。
When the entire surface of the ceramic plate 11 is irradiated with the pulsed laser light a plurality of times, the stage 1
2 is moved so that the next ceramic plate 11 comes to the irradiation area of the pulsed laser beam, that is, the scan area of the galvano scanner 13.

【0026】ガルバノスキャナ13は、ステージ12の
移動の間は、ダンパ25の方へパルス状レーザ光を入射
させるようにしている。一方、加工中、YAGパルスレ
ーザ発振器10は発振させ続けるようにしている。YA
Gパルスレーザ発振器10を発振させ続けるのは、パル
ス状レーザ光のエネルギー安定性確保のためである。す
なわち、ステージ12の移動の間、YAGパルスレーザ
発振器10の発振を停止させるようにすると、パルス状
レーザ光のエネルギーが変動してしまう。例えば、1〜
3Hzで発振周期が変動する場合には±15%、3Hz
の発振では±7%、20Hzの発振では±3%、100
Hzの発振では、±2%というように、単位面積当たり
の照射エネルギーが変動してしまうので、YAGパルス
レーザ発振器10は連続発振させておく方が好ましい。
これが、ダンパ25を使用する理由である。
The galvano scanner 13 emits pulsed laser light toward the damper 25 during the movement of the stage 12. On the other hand, during processing, the YAG pulse laser oscillator 10 is kept oscillating. YA
The reason why the G-pulse laser oscillator 10 keeps oscillating is to secure the energy stability of the pulsed laser light. That is, if the oscillation of the YAG pulse laser oscillator 10 is stopped during the movement of the stage 12, the energy of the pulsed laser light fluctuates. For example, 1
± 15% when the oscillation cycle fluctuates at 3 Hz, 3 Hz
± 7% for 20Hz oscillation, ± 3% for 20Hz oscillation, 100%
In the case of oscillation at Hz, the irradiation energy per unit area fluctuates, such as ± 2%. Therefore, it is preferable that the YAG pulse laser oscillator 10 be continuously oscillated.
This is the reason for using the damper 25.

【0027】上記のように、セラミック板11に対し、
その大きさに比べて小さな長四角形等の任意の形状のパ
ルス状レーザ光を任意の照射パターンで照射することに
より、割れを発生させることなく十分な歪みを与えるこ
とができる。割れに関しては、1回の照射面積が効いて
くるので、1回の照射面積はできるだけ小さい方が好ま
しい。
As described above, the ceramic plate 11
By irradiating a pulsed laser beam having an arbitrary shape such as a rectangular shape smaller than the size in an arbitrary irradiation pattern, a sufficient distortion can be given without generating a crack. Since a single irradiation area is effective for cracking, it is preferable that the single irradiation area be as small as possible.

【0028】図3は、マスク14により、セラミック板
11の面積より十分に小さな線状の断面積を持つパルス
状レーザ光に整形されたパルス状レーザ光でセラミック
板11の全面にわたるように照射する場合のパターンを
示している。ガルバノスキャナ13は、図3中に矢印で
示される順序で線状の断面積を持つパルス状レーザ光を
振らせてセラミック板11に照射することにより、セラ
ミック板11の全面を照射することができる。この場
合、ガルバノスキャナ13は、2軸タイプである必要は
無く、1つのガルバノミラーにより一軸方向にスキャン
する機能を有するものでも良い。
FIG. 3 shows that the mask 14 irradiates the entire surface of the ceramic plate 11 with a pulsed laser beam shaped into a pulsed laser beam having a linear cross-sectional area sufficiently smaller than the area of the ceramic plate 11. The pattern of the case is shown. The galvano scanner 13 can irradiate the entire surface of the ceramic plate 11 by oscillating and irradiating the ceramic plate 11 with pulsed laser light having a linear cross-sectional area in the order indicated by the arrow in FIG. . In this case, the galvanometer scanner 13 does not need to be a two-axis type, and may have a function of scanning in one axis direction by one galvanometer mirror.

【0029】なお、線状の断面積を持つパルス状レーザ
光に整形する場合、単なるレーザ光の通過穴を持つマス
クでは、入射するパルス状レーザ光の断面積のサイズよ
り大きな長さサイズを持つ線状の断面積に整形すること
はできない。この場合には、周知の光学手段、例えばシ
リンドリカルレンズをマスク手段として用いることによ
り、ある断面積を持つパルス状レーザ光を、それより大
きな長さサイズを持つ線状の断面積に整形することがで
きる。また、歪みを与えるというのは、セラミック板が
凸あるいは凹となるように加工するということだけでな
く、セラミック板に製造工程において生じている凸ある
いは凹の変形を修正するように加工することをも意味す
る。レーザ発振器は、YAGパルスレーザ発振器に限ら
ず、YLFパルスレーザ発振器等の他のレーザ発振器を
使用することもできる。
When the laser beam is shaped into a pulsed laser beam having a linear cross-sectional area, a mask having a simple laser beam passage hole has a length size larger than the cross-sectional area of the incident pulsed laser beam. It cannot be shaped into a linear cross section. In this case, by using a well-known optical means, for example, a cylindrical lens as a mask means, it is possible to shape the pulsed laser light having a certain cross-sectional area into a linear cross-sectional area having a longer length size. it can. In addition, giving distortion means not only processing the ceramic plate to be convex or concave, but also processing the ceramic plate to correct the deformation of the convex or concave generated in the manufacturing process. Also means. The laser oscillator is not limited to the YAG pulse laser oscillator, and another laser oscillator such as a YLF pulse laser oscillator can be used.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、セラミック板に対して、その大きさに比べて小さな
断面積を持つパルス状レーザ光を照射領域の全面にわた
るように複数回照射することにより、内部に欠陥部分が
存在しているようなセラミック板の場合でも、割れを発
生させることなく十分な歪みを与えることができる。し
たがって、本発明によれば歩留まりの高いセラミック材
料の加工方法及び加工装置を提供することができる。
As described above, according to the present invention, a ceramic plate is irradiated with a pulsed laser beam having a smaller cross-sectional area than its size a plurality of times so as to cover the entire irradiation region. By doing so, even in the case of a ceramic plate having a defective portion inside, a sufficient distortion can be given without generating cracks. Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a method and an apparatus for processing a ceramic material having a high yield.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明によるセラミック材料の加工装置の構成
を示した図である。
FIG. 1 is a view showing a configuration of a processing apparatus for a ceramic material according to the present invention.

【図2】本発明によりセラミック板に照射されるパルス
状レーザ光の照射パターンの一例を示した図である。
FIG. 2 is a diagram showing an example of an irradiation pattern of a pulsed laser beam applied to a ceramic plate according to the present invention.

【図3】本発明によりセラミック板に照射されるパルス
状レーザ光の照射パターンの他の例を示した図である。
FIG. 3 is a diagram showing another example of an irradiation pattern of a pulsed laser beam applied to a ceramic plate according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 YAGパルスレーザ発振器 11 セラミック板 12 ステージ 13 ガルバノスキャナ 14 マスク 15、16 結像レンズ 17 コリメーションレンズ 18 均一光学系 21〜24、26 反射ミラー 25 ダンパ 27 観察光学系 28 エネルギーモニタ Reference Signs List 10 YAG pulse laser oscillator 11 ceramic plate 12 stage 13 galvano scanner 14 mask 15, 16 imaging lens 17 collimation lens 18 uniform optical system 21 to 24, 26 reflection mirror 25 damper 27 observation optical system 28 energy monitor

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザ発振器からのパルス状レーザ光を
セラミック板に照射して歪みを与える加工方法におい
て、前記セラミック板の面積に比べて小さい断面積を持
つ前記パルス状レーザ光を、前記セラミック板の照射領
域の全域にわたるように複数回照射することにより、前
記セラミック板の割れを防止することを特徴とするレー
ザによるセラミック材料の加工方法。
1. A processing method for irradiating a ceramic plate with pulsed laser light from a laser oscillator to apply distortion to the ceramic plate, wherein the pulsed laser light having a smaller cross-sectional area than the area of the ceramic plate is applied to the ceramic plate. A ceramic material processing method using a laser, wherein the ceramic plate is prevented from cracking by irradiating the ceramic plate a plurality of times so as to cover the entire irradiation area of the ceramic material.
【請求項2】 請求項1記載のセラミック材料の加工方
法において、前記パルス状レーザ光は、四角形あるいは
線状の断面形状を持つことを特徴とするレーザによるセ
ラミック材料の加工方法。
2. The method for processing a ceramic material according to claim 1, wherein the pulsed laser beam has a square or linear cross section.
【請求項3】 請求項2記載のセラミック材料の加工方
法において、前記四角形あるいは線状の断面形状を持つ
前記パルス状レーザ光をガルバノスキャナにより振らせ
ることにより、前記セラミック板の照射領域の全域にわ
たる複数回の照射を行うことを特徴とするレーザによる
セラミック材料の加工方法。
3. The method for processing a ceramic material according to claim 2, wherein the pulsed laser light having a rectangular or linear cross section is swung by a galvano scanner to cover the entire irradiation area of the ceramic plate. A method for processing a ceramic material by using a laser, wherein irradiation is performed a plurality of times.
【請求項4】 請求項3記載のセラミック材料の加工方
法において、前記レーザ発振器と前記ガルバノスキャナ
との間に、前記パルス状レーザ光の断面形状を規定する
ためのマスク手段が配置されていることを特徴とするレ
ーザによるセラミック材料の加工方法。
4. The method for processing a ceramic material according to claim 3, wherein a mask means for defining a cross-sectional shape of the pulsed laser light is disposed between the laser oscillator and the galvano scanner. A method of processing a ceramic material by using a laser.
【請求項5】 パルス状レーザ発振器と、 該パルス状レーザ発振器から出射されたパルス状レーザ
光の断面形状を規定するためのマスク手段と、 該マスク手段を通過した前記パルス状レーザ光を振らせ
るためのガルバノスキャナと、 該ガルバノスキャナで振られたパルス状レーザ光を、ス
テージ上に搭載されたセラミック板上に結像させるため
の結像レンズとを含み、 前記マスク手段は、前記パルス状レーザ光の断面積を前
記セラミック板の面積に比べて小さい断面積にするため
のものであり、 前記ガルバノスキャナは、前記小さい断面積を持つパル
ス状レーザ光を、前記セラミック板の照射領域の全域に
わたるように複数回照射することを特徴とするレーザに
よるセラミック材料の加工装置。
5. A pulsed laser oscillator, mask means for defining a cross-sectional shape of the pulsed laser light emitted from the pulsed laser oscillator, and pulsating the pulsed laser light passing through the mask means. A galvano scanner, and an imaging lens for imaging the pulsed laser light oscillated by the galvano scanner on a ceramic plate mounted on a stage, wherein the mask means includes the pulsed laser. It is for making the cross-sectional area of the light a smaller cross-sectional area than the area of the ceramic plate, and the galvano scanner emits the pulsed laser light having the smaller cross-sectional area over the entire irradiation area of the ceramic plate. And a laser processing apparatus for processing a ceramic material by laser.
【請求項6】 請求項5記載のセラミック材料の加工装
置において、前記ガルバノスキャナと前記結像レンズと
の間に、コリメーションレンズが配置されていることを
特徴とするレーザによるセラミック材料の加工装置。
6. The apparatus according to claim 5, wherein a collimation lens is disposed between the galvano scanner and the imaging lens.
【請求項7】 請求項5あるいは6記載のセラミック材
料の加工装置において、前記レーザ発振器と前記マスク
手段との間に、前記レーザ発振器からのパルス状レーザ
光の断面積におけるエネルギー強度を均一にするための
均一光学系が配置されていることを特徴とするレーザに
よるセラミック材料の加工装置。
7. The ceramic material processing apparatus according to claim 5, wherein an energy intensity in a cross-sectional area of the pulsed laser light from the laser oscillator is made uniform between the laser oscillator and the mask means. For processing a ceramic material by means of a laser, wherein a uniform optical system is arranged for the purpose.
【請求項8】 請求項5〜7のいずれかに記載のセラミ
ック材料の加工装置において、前記ステージはX軸方
向、Y軸方向に可動であり、前記セラミック板は、前記
ステージ上に複数個搭載されていることを特徴とするレ
ーザによるセラミック材料の加工装置。
8. The apparatus for processing a ceramic material according to claim 5, wherein the stage is movable in an X-axis direction and a Y-axis direction, and a plurality of the ceramic plates are mounted on the stage. An apparatus for processing a ceramic material using a laser.
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