JP2001148530A - 半導体レーザ安定光源装置、半導体レーザ安定光源装置のための引出し装置、半導体レーザ安定光源装置のための筐体装置、及び集積回路が実装された引出し式基板における静電気破壊等防止回路 - Google Patents

半導体レーザ安定光源装置、半導体レーザ安定光源装置のための引出し装置、半導体レーザ安定光源装置のための筐体装置、及び集積回路が実装された引出し式基板における静電気破壊等防止回路

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JP2001148530A
JP2001148530A JP32888699A JP32888699A JP2001148530A JP 2001148530 A JP2001148530 A JP 2001148530A JP 32888699 A JP32888699 A JP 32888699A JP 32888699 A JP32888699 A JP 32888699A JP 2001148530 A JP2001148530 A JP 2001148530A
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laser diode
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JP32888699A
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Yuji Nishizawa
勇司 西澤
Toshihiro Muto
敏弘 武藤
Takuya Furuya
卓也 古谷
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KYAROTTO SYSTEMS KK
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KYAROTTO SYSTEMS KK
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 現場での半導体レーザ素子の交換作業を容易
かつ安全に行うことができる半導体レーザ安定光源装
置、ならびに静電気破壊等を防止することのできる集積
回路が実装された引出し式基板を提供することにある。 【解決手段】 引出し基板201は筐体側のコネクタ基
板205に対して自由に抜き差しすることができる。同
基板上に実装されるLD素子212に接続される光ファ
イバ213の余剰部分は、同基板上のリール214に巻
き取って格納される。同基板上に設けられているリレー
群216は、同基板がコネクタ基板205から引き離さ
れた瞬間に、LD素子212を構成する信号ピンの必要
部分をショートさせるように動作する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ安定
光源装置における半導体レーザ素子の実装技術に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体レーザは、産業界の数多くの分野
で利用されており、安定したレーザ光を発生させること
のできる半導体レーザ安定光源装置が開発されている。
【0003】特に、安定ドライブ回路のみを搭載しマイ
コンを搭載せずに表示等を簡略化した安価で性能の良い
ものが、産業現場に納入されている。このような単純機
能の装置が普及する要因としては、安定光源装置自身の
表示はあくまでも目安であって正確にはパワーメータ等
で計測するためであるという事業がある。
【0004】このような安定光源装置において、半導体
レーザ素子は一般に装置内に内蔵されたものも多く、内
蔵の半導体レーザ素子から出力されたレーザ光は、同素
子に接続されている光ファイバを経由して装置側面等に
取り付けられている光出力端子などから外部に出力され
る。従って、半導体レーザ安定光源装置を目的の産業現
場に持ち込み、その光出力端子とレーザ光を必要とする
装置とを光ファイバで接続することにより、容易にレー
ザ光を利用することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このように、半導体レ
ーザの利用用途は広いが、半導体レーザとしては、様々
な波長や出力のものが要求される。
【0006】この場合に、1つの半導体レーザ素子で対
応できる範囲は限られているため、それ自身の交換が必
要になる場合がある。
【0007】しかし、上述した半導体レーザ素子を内蔵
した安定光源装置において半導体レーザ素子を交換する
ためには、安定光源装置を分解する必要があるため、そ
の利用現場で簡単には交換を行うことができないという
問題点を有していた。
【0008】安定光源装置の主要部であるドライバ回路
自体は様々な半導体レーザ素子に対応する構成とするこ
とができるのに対し、半導体レーザ素子の交換が煩雑で
あるために、1台の安定光源装置を複数仕様の半導体レ
ーザソースとして利用することが難しかったのである。
【0009】このような問題点に対して、半導体レーザ
素子を安定光源装置の上部に外付けできるようにした従
来技術が知られている。この装置では、半導体レーザ素
子を交換する際に、安定光源装置を分解する必要がない
という利点を有している。
【0010】しかしながら、この従来技術において交換
の対象となる半導体レーザ素子は、その安定光源装置用
の専用のものを使用する必要があるため、交換コストが
高くついてしまうという問題点を有していた。
【0011】現在では、図5に示されるように、半導体
レーザの発信部であるLD(レーザダイオード)素子5
01と、光ファイバ502と、光出力部503とが予め
一体に構成されている汎用の半導体レーザ素子が多く出
回っているが、上述の従来技術では、長めに確保されて
いる光ファイバ502がじゃまになったりし、かつ光フ
ァイバ502の切断溶着加工はコストが高くつくことか
ら、このような汎用の半導体レーザ素子を簡単に利用す
ることができなかった。
【0012】また、上述の従来技術において、半導体レ
ーザ素子の交換作業を現場で行うような場合に、半導体
レーザ素子を構成する集積回路チップやそれに接続され
ている光ファイバの扱いを誤ると、交換作業時に素子内
の回路が静電気等によって破壊されてしまったり、光フ
ァイバを破損してしまったりする恐れがあり、取扱に注
意を要するという問題点を有していた。
【0013】更に、半導体レーザ素子が安定光源装置の
上部に外付けされているため、現場において他の物体を
ぶつけたりして、半導体レーザ素子を構成する集積回路
チップやそれに接続されている光ファイバを破損する恐
れもあるという問題点を有していた。
【0014】なお、上述の静電気破壊等の問題は、半導
体集積回路を扱う場合に一般的に知られている問題であ
る。
【0015】本発明の課題は、現場での半導体レーザ素
子の交換作業を容易かつ安全に行うことができる半導体
レーザ安定光源装置、ならびに静電気破壊等を防止する
ことのできる集積回路が実装された引出し式基板を提供
することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の態様は、
半導体レーザの安定発光を行うための半導体レーザ安定
光源装置、それに使用される引出し装置又は筐体装置を
前提とする。
【0017】まず、筐体装置(101)は、レーザダイ
オードドライバ装置(208)と温度コントローラ装置
(207)を含む。
【0018】そして、引出し装置(102)は、筐体装
置に対して抜き差しが可能であって、レーザダイオード
素子(212)及びそれに接続されている光ファイバ
(213)と、そのレーザダイオード素子の信号ピンが
接続され筐体装置側のコネクタ基板(205)に対して
抜き差しが可能なコネクタ部材(211)とを基板上に
実装する。
【0019】上述の発明の構成において、引出し装置
は、レーザダイオード素子に接続されている光ファイバ
の余剰部分を収納するためのリール部材(214)を更
に含むように構成することができる。
【0020】また、上述の発明の構成において、引出し
装置は、レーザダイオード素子の信号ピンとコネクタ部
材との接続関係を変更するための接続変更回路(JP1
〜JP5)を更に含むように構成することができる。
【0021】また、上述の発明の構成において、引出し
装置は、コネクタ部材の所定の信号ピンの電気的状態を
監視することにより、その引出し装置が筐体装置側のコ
ネクタ基板から引き抜かれたとき又はその引出し装置に
対する電源供給が停止されたときに、その引出し装置に
実装されているレーザダイオード素子の必要な信号ピン
間の電位を等しくするために該信号ピン間をショートさ
せるショート回路(216)を更に含むように構成する
ことができる。
【0022】また、上述の発明の構成において、レーザ
ダイオード素子の各信号ピンはレーザダイオード素子を
構成する集積回路チップの上下中間部分に接続されてお
り、その集積回路チップは、各信号ピンが前記引出し装
置の基板上の端子部分に密着するように、その基板に空
けられた穴に埋め込まれる形態で装着され、集積回路チ
ップの上部に、各信号ピンを基板上の端子部分に密着さ
せるための端子固定板が設けられるように構成すること
ができる。
【0023】本発明の第2の態様は、集積回路とそれが
接続されるコネクタが実装され筐体装置側のコネクタ基
板に対して抜き差しが可能な引出し式基板において、そ
の集積回路の電気的破壊を防止するための回路を前提と
する。
【0024】そして、引出し式基板上に実装され、その
基板が筐体装置側のコネクタ基板から引き抜かれたとき
又はその基板に対する電源供給が停止されたときに、そ
の基板に実装されている必要な集積回路の必要な信号ピ
ン間の電位を等しくするために該信号ピン間をショート
させるショート回路を含む。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態について詳細に説明する。
【0026】図1は、本発明の実施の形態の半導体レー
ザ安定光源装置の外観図である。
【0027】本実施の形態においてまず、安定光源装置
筐体(以下単に、筐体という)101には、半導体レー
ザの出力状態をモニタする表示部105のほか、パワー
スイッチや調整つまみ等の各種スイッチが設けられてい
る。
【0028】そして本実施の形態は、筐体101に、光
出力コネクタ103が取り付けられている半導体レーザ
素子引出しユニット(以下単に、引出しユニット)10
2が挿入されており、そのユニットの両端に設けられて
いるネジ104をゆるめることによって、半導体レーザ
素子を引出しユニット102ごと簡単に交換することが
できる。これが本発明に関連する第1の特徴である。
【0029】図2は、本発明の実施の形態である半導体
レーザ安定光源装置の構成を示す平面図、図3(a) は同
じく正面図、図3(b) は同じく側面(正面から背面方向
を見て右側面)図である。
【0030】本実施の形態は、前述したように引出し基
板201を図1の引出しユニット102ごと自由に抜き
差しすることができると共に、引出し基板201上のL
D素子コネクタ215に装着するLD素子212として
は、図5に示したような汎用のものを使用することがで
きる。このとき、光ファイバ213のLD素子212が
接続されているのと反対の光出力部(特には図示しな
い)(図5の503に対応)は図1の光出力コネクタ1
03に接続されるが、光ファイバ213の余剰部分を引
出し基板201上のリール214に巻き取って格納でき
ることが、本発明に関連する第2の特徴である。この機
構によって、汎用の半導体レーザ素子を容易に利用する
ことが可能となり、多種多様な半導体レーザ安定光源装
置を安価に提供することが可能となる。
【0031】なおこのとき、図5に示されるように、汎
用的なLD素子212の一形態として、その各信号ピン
が同素子を構成する集積回路チップの上下中間部分から
突き出ているようなものがある。このような場合には、
図3(b) に示されるように、同集積回路チップが、各信
号ピンが引出し基板201の端子部分に密着するよう
に、同基板に空けられた穴に埋め込まれる形態で装着さ
れる。そして、その集積回路チップの上部に、各信号ピ
ンを同基板上の端子部分に密着させるための端子固定板
が設けられ、引出し基板201の下に突き出たLD素子
212部分に放熱板217が取り付けられる。これによ
り、十分な放熱効果を得ることが可能となる。
【0032】引出し基板201は、引出しレールブラケ
ット202に取り付けられたガイドレール203に沿っ
て、引出しユニット102ごと筐体101(共に図1)
内に挿入することができる。引出し基板201が装着さ
れた状態においては、引出し基板201はコネクタ21
1により筐体101(図1)側のコネクタ基板205と
接続され、LD素子212とLDドライバユニット20
8及び温度コントローラユニット207とが電気的に接
続され、レーザ光の発光及び発光制御が可能となる。
【0033】ここで、引出し基板201の脱着時に、静
電気等が発生してLD素子212が電気的に破壊される
恐れが生じる。これを防止するために、本実施の形態で
は、引出し基板201上に設けられているリレー群21
6が、筐体101側からの電源供給が停止した瞬間に、
LD素子212を構成する信号ピンの必要部分をそれら
の信号ピン間の電位を等しくするためにショートさせる
ように動作する。これにより、LD素子212の静電気
破壊等を心配することなく、引出し基板201を気軽に
抜き差しすることが可能となる。これが本発明に関連す
る第3の特徴である。この動作については、図4を使っ
て後述する。
【0034】直流電源ユニット204は、ACインレッ
ト209に接続されるACコードを介して入力されるA
C(交流)入力に基づいて、装置内の各部分に電源を供
給する。
【0035】ヒートシンク206は、温度コントローラ
ユニット207及びLDドライバユニット208から発
生した熱を放熱させる。またクーリングファン210
は、装置内全体を冷却させる。
【0036】LD素子コネクタ215下部に設けられる
放熱板217(図3(a) )は、LD素子212から発生
した熱を放熱させる。LD素子212は、特には図示し
ないが、ペルチェ素子によりその温度が制御されレーザ
発光の安定化が図られる。
【0037】図4は、本発明の実施の形態における引出
し基板201の部分の回路構成を示す図である。同図に
おいて、“LD K”はLD素子212内のレーザダイ
オードのカソード端子に対応する信号入力を、“LD
A”は同じくアノード端子に対応する信号入力をそれぞ
れ示す。また、“PD K”はLD素子212内のフィ
ードバック制御用のフォトダイオードのカソード端子に
対応する信号入力を、“PD A”は同じくアノード端
子に対応する信号入力をそれぞれ示す。また、“TH
1”と“TH2”は、共に温度制御用にLD素子212
内に設けられるサーミスタに対応する信号入力を示す。
また、“C+”と“C−”は、それぞれペルチェ素子の
給電端子を示す。また、“F.G”は、筐体アース(フ
レーム・グラウンド)を示す。更にNCは、無接続を示
す。
【0038】コネクタ211(図2参照)の各端子A
2、A4、A6、A8、B2、B4、B6、及びB8
は、それぞれ接地レベル(GND)に落とされる。
【0039】コネクタ211のA1端子とB1(CCL
IN)端子は、抵抗R7〜R11を擁するジャンパピ
ンJP8に接続され、このジャンパピンの端子間1−1
0、2−9、3−8、4−7、又は5−6の何れかを短
絡させることにより、クーラ電流を制御することができ
る(図4のテーブルT1参照)。
【0040】コネクタ211の端子A3は、抵抗R12
〜R14を擁するジャンパピンJP6に接続され、この
ジャンパピンの端子間1−6、2−5、又は3−4の何
れかを短絡させることにより、サーミスタ感度を制御す
ることができる(図4のテーブルT2参照)。
【0041】コネクタ211の端子A5と端子B5(P
D A)は、抵抗R1〜R6を擁するジャンパピンJP
7に接続され、このジャンパピンの端子間1−10、2
−9、3−8、4−7、又は5−6の何れかを短絡させ
ることにより、LD素子212内のフィードバック制御
用のフォトダイオードの感度を制御することができる
(図4のテーブルT3参照)。
【0042】コネクタ211の各端子B3、B5、B
7、B9(とB10とA9とA10)、B11(とB1
2とA11とA12)、B14(とB15とB16)、
A5、及びA14(とA15とA16)は、ジャンパピ
ンJP1〜5を介してLD素子212の各信号ピンに接
続される。なお、図面上省略されているが、B端子側の
“PD K”線は端子A5に、B端子側の“LD A”
線は端子A14(とA15とA16)に、それぞれ接続
されている。
【0043】基本的な接続形態としては、ペルチェ素子
の給電端子“C+”と“C−”がLD素子212に接続
され、“LD K”と“LD A”とによりLD素子2
12内のレーザダイオードが駆動され、“PD K”と
“PD A”とによりLD素子212内のフィードバッ
ク制御用のフォトダイオードが駆動され、“TH1”と
“TH2”とによりLD素子212内のサーミスタが駆
動される。
【0044】ただし、LD素子212としては、前述し
たように汎用のものを使用できるため、素子の信号ピン
配置がその種類によって異なる。それに対応するため
に、ジャンパピンJP1〜5が設けられている。
【0045】図4に示されるLD素子212の信号ピン
配置の例では、ジャンパピンJP1では端子1と4及び
端子2と3がそれぞれ短絡され、ジャンパピンJP2で
は端子2と7、端子3と6、及び端子4と5がそれぞれ
短絡されて端子1と8が開放され、ジャンパピンJP3
の端子1と2は開放され、ジャンパピンJP4では端子
2と3が短絡されて端子1と4は開放され、ジャンパピ
ンJP5の端子1と2は開放される。このようにジャン
パピンJP1〜5の接続が変更されることにより、異な
る信号ピン配置を有する汎用のLD素子212に対応す
ることが可能となる。
【0046】コネクタ211の端子B13は、リレー群
216の駆動入力に接続される。このリレー群216
は、端子B13の信号状態に応じて、ジャンパピンJP
1〜5を介して、LD素子212の“LD K”、“L
D A”、“PD K”、及び“PD A”の各信号ピ
ンを、それらの間の電位を等しくするために相互(及び
筐体アース)にショートさせる。
【0047】いま、図1の引出しユニット102が筐体
101に挿入されておりコネクタ211において引出し
基板201がコネクタ基板205に接続され電源が投入
されている状態においては、端子B13の信号レベルは
ローレベル(接地)を維持するため、リレー群216が
オンになり、LD素子212の“LD K”、“LD
A”、“PD K”、及び“PD A”の各信号ピンは
ショートされない。
【0048】一方、図1の引出しユニット102が筐体
101が抜かれておりコネクタ211において引出し基
板201がコネクタ基板205から引き離されている状
態、又は電源が投入されていない状態では、端子B13
の信号レベルはハイレベルを維持するため、リレー群2
16がオフになり、LD素子212の“LD K”、
“LD A”、“PD K”、及び“PD A”の各信
号ピンがショートされることになる。
【0049】これにより、引出しユニット102が筐体
101から引き抜かれて引出し基板201がコネクタ基
板205が引き離される時点においては、LD素子21
2の“LD K”、 “LD A”、“PD K”、及
び“PD A”の各信号ピンがショートされており、L
D素子212の静電気破壊が防止される。よって、ユー
ザは現場において、半導体レーザ素子を引出しユニット
102(図1)ごと気軽に交換することが可能になるの
である。これが前述した本発明に関連する第3の特徴で
ある。
【0050】以上説明した実施の形態では、LD素子2
12の信号ピンをショートさせる手段として、リレー群
216が使用されているが、本発明はこれに限られるも
のではなく、特性上問題がなければFET等の電子スイ
ッチング回路が使用されてもよい。
【0051】また、本発明における信号ピンをショート
させる技術は、半導体レーザ引出しユニットのみに限定
されるものではなく、集積回路チップが実装された引出
し式基板一般に適用することが可能である。
【0052】
【発明の効果】本発明によれば、レーザダイオード素子
を引出し装置ごと簡単に交換することが可能となる。
【0053】また、本発明によれば、光ファイバの余剰
部分を引出し基板上のリール部材に巻き取って格納でき
る。この機構によって、汎用の半導体レーザ素子を容易
に利用することが可能となり、多種多様な半導体レーザ
安定光源装置を安価に提供することが可能となる。
【0054】このような2つの特徴により、例えば現場
において、安定光源装置の筐体装置を1台だけ用意して
おき、異なる種類の引出し装置を交換しながら使用する
ことにより、1台の安定光源装置を複数仕様の半導体レ
ーザソースとして現場レベルで交換利用することが可能
となる。
【0055】また、メーカ側においても、安定光源装置
の筐体装置を共用品としてストックしておき、発注を受
けてから必要な引出し装置を筐体装置に挿入するだけ
で、顧客に対して、必要な半導体レーザ安定光源装置を
短いリードタイムで安価に提供することが可能となる。
【0056】また、引出し基板上での接続変更回路(ジ
ャンパピン等)の設定を変更するだけで、異なる種類の
レーザダイオード素子への交換にも容易に対応すること
が可能となる。
【0057】また、引出し式であることから、レーザダ
イオード素子が壊れたときの交換も迅速に行うことが可
能となる。
【0058】更に、引出し式であることから、現場にお
いて他の物体をぶつけたりしてレーザダイオード素子や
光ファイバを破損する恐れはないという効果も有する。
【0059】上述の特徴に加えて、本発明によれば、引
出し装置がコネクタ基板から引き離される時点におい
て、引出し装置上に実装されているショート回路(リレ
ー群等)が、レーザダイオード素子を構成する信号ピン
の必要部分がショートされているように動作する。これ
によって、レーザダイオード素子の静電気破壊等を心配
することなく、引出し装置を気軽に抜き差しすることが
可能となる。
【0060】一方、本発明によれば、集積回路とそれが
接続されるコネクタ部材が実装され筐体装置側のコネク
タ基板に対して抜き差しが可能な一般的な引出し式基板
においても、その基板がコネクタ基板から引き離される
時点において、その基板上に実装されているショート回
路が、集積回路を構成する信号ピンの必要部分がショー
トされているように動作する。これによって、集積回路
の静電気破壊等を心配することなく、引出し式基板を気
軽に抜き差しすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の外観図である。
【図2】本発明の実施の形態の構成図(平面図)であ
る。
【図3】本発明の実施の形態の構成図(正面図と側面
図)である。
【図4】本発明の実施の形態の回路構成図である。
【図5】汎用半導体レーザダイオード素子を示す図であ
る。
【符号の説明】
101 安定光源装置筐体 102 半導体レーザ素子引出しユニット 103 光出力コネクタ 104 ネジ 105 表示部 201 引出し基板 202 引出しレールブラケット 203 ガイドレール 204 直流電源ユニット 205 コネクタ基板 206 ヒートシンク 207 温度コントローラユニット 208 LDドライバユニット 209 ACインレット 210 クーリングファン 211 コネクタ 212 LD素子 213 光ファイバ 214 リール 215 LD素子コネクタ 216 リレー群 217 放熱板 218 端子固定板 JP1〜JP8 ジャンパピン
フロントページの続き (72)発明者 古谷 卓也 神奈川県相模原市千代田1丁目6番8号 株式会社キャロットシステムズ内 Fターム(参考) 5F073 FA01 FA30 GA02 GA23 (54)【発明の名称】 半導体レーザ安定光源装置、半導体レーザ安定光源装置のための引出し装置、半導体レーザ安定 光源装置のための筐体装置、及び集積回路が実装された引出し式基板における静電気破壊等防止 回路

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体レーザの安定発光を行うための半
    導体レーザ安定光源装置であって、 レーザダイオードドライバ装置と温度コントローラ装置
    を含む筐体装置と、 該筐体装置に対して抜き差しが可能であって、レーザダ
    イオード素子及びそれに接続されている光ファイバと、
    該レーザダイオード素子の信号ピンが接続され前記筐体
    装置側のコネクタ基板に対して抜き差しが可能なコネク
    タ部材とを基板上に実装した引出し装置と、 を含むことを特徴とする半導体レーザ安定光源装置。
  2. 【請求項2】 半導体レーザの安定発光を行うための半
    導体レーザ安定光源装置に使用される引出し装置であっ
    て、 レーザダイオードドライバ装置と温度コントローラ装置
    を含む筐体装置に対して抜き差しが可能であって、レー
    ザダイオード素子及びそれに接続されている光ファイバ
    と、該レーザダイオード素子の信号ピンが接続され前記
    筐体装置側のコネクタ基板に対して抜き差しが可能なコ
    ネクタ部材とを基板上に実装したことを特徴とする半導
    体レーザ安定光源装置のための引出し装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2の何れか1項に記載の装
    置であって、 前記引出し装置は、前記レーザダイオード素子に接続さ
    れている光ファイバの余剰部分を収納するためのリール
    部材を更に含む、 ことを特徴とする半導体レーザ安定光源装置。
  4. 【請求項4】 請求項1又は2の何れか1項に記載の装
    置であって、 前記引出し装置は、前記レーザダイオード素子の信号ピ
    ンと前記コネクタ部材との接続関係を変更するための接
    続変更回路を更に含む、 ことを特徴とする半導体レーザ安定光源装置。
  5. 【請求項5】 請求項1又は2の何れか1項に記載の装
    置であって、 前記引出し装置は、前記コネクタ部材の所定の信号ピン
    の電気的状態を監視することにより、該引出し装置が前
    記筐体装置側のコネクタ基板から引き抜かれたとき又は
    該引出し装置に対する電源供給が停止されたときに、該
    引出し装置に実装されている前記レーザダイオード素子
    の必要な信号ピン間の電位を等しくするために該信号ピ
    ン間をショートさせるショート回路を更に含む、 ことを特徴とする半導体レーザ安定光源装置。
  6. 【請求項6】 請求項1又は2の何れか1項に記載の装
    置であって、 前記レーザダイオード素子の各信号ピンは該レーザダイ
    オード素子を構成する集積回路チップの上下中間部分に
    接続されており、 該集積回路チップは、前記各信号ピンが前記引出し装置
    の基板上の端子部分に密着するように、該基板に空けら
    れた穴に埋め込まれる形態で装着され、 前記集積回路チップの上部に、前記各信号ピンを前記基
    板上の端子部分に密着させるための端子固定板が設けら
    れる、 ことを特徴とする半導体レーザ安定光源装置。
  7. 【請求項7】 半導体レーザの安定発光を行うための半
    導体レーザ安定光源装置に使用される筐体装置であっ
    て、 レーザダイオードドライバ装置と温度コントローラ装置
    とコネクタ基板とを含み、 レーザダイオード素子及びそれに接続されている光ファ
    イバと、該レーザダイオード素子の信号ピンが接続され
    たコネクタ部材とが実装される引出し装置が、該コネク
    タ部材を介して前記コネクタ基板に対して抜き差しされ
    る、 ことを特徴とする半導体レーザ安定光源装置のための筐
    体装置。
  8. 【請求項8】 集積回路とそれが接続されるコネクタ部
    材が実装され筐体装置側のコネクタ基板に対して抜き差
    しが可能な引出し式基板において、該集積回路の電気的
    破壊を防止するための回路であって、 前記引出し式基板上に実装され、該基板が前記筐体装置
    側のコネクタ基板から引き抜かれたとき又は該基板に対
    する電源供給が停止されたときに、該基板に実装されて
    いる必要な前記集積回路の必要な信号ピン間の電位を等
    しくするために該信号ピン間をショートさせるショート
    回路を含む、 ことを特徴とする集積回路が実装された引出し式基板に
    おける静電気破壊等防止回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2004241415A (ja) * 2003-02-03 2004-08-26 Nichia Chem Ind Ltd 光学装置
DE10362042B4 (de) * 2003-09-23 2009-01-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Lasergehäuse

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