JP2001143319A - Optical disk medium - Google Patents

Optical disk medium

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JP2001143319A
JP2001143319A JP32571699A JP32571699A JP2001143319A JP 2001143319 A JP2001143319 A JP 2001143319A JP 32571699 A JP32571699 A JP 32571699A JP 32571699 A JP32571699 A JP 32571699A JP 2001143319 A JP2001143319 A JP 2001143319A
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JP
Japan
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film
optical disk
disk medium
recording
substrate
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JP32571699A
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Japanese (ja)
Inventor
Hidetsugu Kariyada
英嗣 苅屋田
Mitsuya Okada
満哉 岡田
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To normally detect regular ID signals and to ensure stable recording and reproducing action by decreasing an ID ghost generated during the recording and reproducing action of an optical disk medium. SOLUTION: This optical disk medium has a substrate and a phase transition recording film which is formed on the substrate and gives rise to an optically detectable change in a reflected light quantity when the film is irradiated with a laser beam. The value of the total stress generated in the optical disk medium after the medium is subjected to an initialization treatment to uniformly crystallize the phase transition recording film described above exists in a range from -0.2 [N/cm] to +0.8 [N/cm] when the tensile stress direction is defined as a positive sign and the compressive stress direction as a negative sign.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク媒体に
係り、特に、記録領域が複数のゾーンで分割されると共
に、各ゾーンにはゾーンを識別するためのID部が設け
られている光ディスク媒体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical disk medium, and more particularly to an optical disk medium in which a recording area is divided into a plurality of zones and each zone is provided with an ID section for identifying the zone. .

【0002】[0002]

【従来の技術】現在、レーザ光を用いた光情報記録再生
方式は、大容量の情報を非接触且つ高速にアクセス可能
であるため、大容量メモリとして各所で実用化がなされ
ている。
2. Description of the Related Art At present, an optical information recording / reproducing method using a laser beam is practically used in various places as a large-capacity memory because large-capacity information can be accessed in a non-contact manner and at a high speed.

【0003】この光情報記録再生方式を用いた光学式情
報記録再生媒体(光ディスク媒体)としては、コンパク
トディスクやレーザディスクとして知られている再生専
用型、ユーザ自身で記録ができる追記型、及びユーザ側
で繰返し記録再生が可能な書換型に分類される。
[0003] Optical information recording / reproducing media (optical disc media) using this optical information recording / reproducing method include a read-only type known as a compact disc and a laser disc, a write-once type that allows recording by a user, and a Side is classified as a rewritable type capable of repeated recording and reproduction.

【0004】追記型及び書換型の光学式情報記録再生媒
体はコンピュータの外部メモリや文書、画像ファイルと
して使用されつつある。
[0004] Write-once and rewritable optical information recording / reproducing media are being used as external memories of computers, documents, and image files.

【0005】光ディスク媒体は、凹凸状の案内溝からな
る情報トラックを区分して形成された複数のゾーンと、
これら各ゾーン内にプリピットにより形成されたID部
とが予め設けられた基板上に、記録膜やその記録膜を保
護するための保護膜及び記録再生特性調整用として設け
られた金属反射膜等を順次積層して形成される。
[0005] The optical disk medium has a plurality of zones formed by dividing information tracks each formed of an uneven guide groove;
A recording film, a protective film for protecting the recording film, a metal reflection film provided for adjusting recording / reproducing characteristics, and the like are formed on a substrate provided with an ID portion formed by prepits in each of these zones in advance. It is formed by sequentially laminating.

【0006】書換型の光ディスク媒体には、レーザ光の
照射により記録膜の結晶−非結晶間の相変化を利用した
相変化型光ディスクと、垂直磁化膜の磁化方向の変化を
利用した光磁気ディスクがある。
[0006] Rewritable optical disk media include a phase-change optical disk utilizing a phase change between crystal and non-crystal of a recording film by irradiating a laser beam, and a magneto-optical disk utilizing a change in the magnetization direction of a perpendicular magnetization film. There is.

【0007】このうち、相変化型光ディスクは、情報を
記録する際に光磁気ディスクのように外部磁界が必要な
く、更に記録情報の重ね書き、即ちオーバライトが容易
に可能なことから、今後、書換型の光ディスク媒体の主
流になることが期待されている。
[0007] Of these, the phase-change type optical disk does not require an external magnetic field when recording information like a magneto-optical disk, and furthermore, it is possible to easily overwrite, ie, overwrite, the recorded information. It is expected that rewritable optical disk media will become mainstream.

【0008】相変化型光ディスクの記録再生方法は、記
録膜に高パワーのレーザ光を照射し、記録膜温度を局所
的に上昇させることにより、記録膜の結晶−非結晶間の
相変化を起こさせて記録を行う。
In a recording / reproducing method for a phase change optical disk, a high power laser beam is applied to a recording film to locally raise the temperature of the recording film, thereby causing a phase change between the crystal and the non-crystal of the recording film. And record.

【0009】このとき、一般的なレーザ光のパワーを2
つのレベル間で変化させ、記録時には記録膜の温度を融
点以上に上昇させることが可能なパワーのレーザ光を記
録膜に照射し、その照射部分が冷却時に非晶質状態とな
る。そして、情報を消去する場合には、記録膜の温度が
結晶化温度以上、融点以下の温度に達するようなパワー
のレーザ光を照射する。
At this time, the power of a general laser beam is 2
The recording film is irradiated with a laser beam having a power capable of raising the temperature of the recording film to the melting point or higher during recording, and the irradiated portion becomes amorphous when cooled. When erasing information, a laser beam having a power such that the temperature of the recording film reaches a temperature higher than the crystallization temperature and lower than the melting point is applied.

【0010】また、記録した情報の再生には、記録時に
比べ、比較的低パワーのレーザ光を照射し、情報記録部
の光学定数の変化を反射光強度差として検出することに
より行われている。
Reproduction of recorded information is performed by irradiating a laser beam having relatively low power as compared with recording, and detecting a change in an optical constant of the information recording section as a reflected light intensity difference. .

【0011】相変化型光ディスクの記録膜には、カルコ
ゲナイド系材料であるGeSbTe系、InSbTe系
及びAgInSbTe系等が用いられている。これらの
記録膜はいずれも抵抗加熱真空蒸着法、電子ビーム真空
蒸着法、スパッタリング法等の成膜方法が用いられる。
For a recording film of a phase change type optical disc, chalcogenide-based materials such as GeSbTe-based, InSbTe-based and AgInSbTe-based materials are used. For these recording films, a film forming method such as a resistance heating vacuum evaporation method, an electron beam vacuum evaporation method, and a sputtering method is used.

【0012】相変化型光ディスクの記録膜に情報の記
録、消去を行うためには、予め記録膜を初期化しておく
必要がある。これは、成膜直後の記録膜の状態は一種の
非晶質状態にあり、この記録膜に記録を行って、非晶質
の記録部を形成するためには、記録膜全体を結晶質にす
るための初期化処理が必要である。
In order to record and erase information on the recording film of the phase change optical disk, it is necessary to initialize the recording film in advance. This is because the state of the recording film immediately after film formation is a kind of amorphous state. In order to perform recording on this recording film and form an amorphous recording portion, the entire recording film is made crystalline. An initialization process is required to perform this operation.

【0013】初期化処理は、通常、記録もしくは再生を
行うレーザ光とは別の高出力のレーザ光、すなわち、記
録もしくは再生を行うレーザ光の出力の数十倍から数百
倍の高出力レーザ光を用いて、相変化型光ディスクの記
録膜全面を短時間で均一に結晶化させるものである。
Normally, the initialization process is performed by using a high-power laser beam different from the laser beam for recording or reproduction, that is, a high-power laser beam of several tens to several hundred times the output of the laser beam for recording or reproduction. Using light, the entire surface of the recording film of the phase change optical disk is uniformly crystallized in a short time.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術では、基板上に形成された記録膜や保護膜等の伸縮に
よる基板の反りが案内溝に歪みを発生させる。このた
め、ゾーン境界に隣接したID部(プリピット部)から
の影響とみられる擬似信号(以下「IDゴースト」と呼
ぶ)が、レーザ光をガイドする案内溝からの信号である
トラックエラー信号に重畳して検出されるという問題が
生じている。そして、このIDゴーストの大きさによっ
ては、正規のID信号を正常に検出することができない
ため、記録再生動作ができなくなるという不都合が生じ
る。
However, in the prior art, warping of the substrate due to expansion and contraction of a recording film, a protective film, and the like formed on the substrate causes distortion in the guide groove. For this reason, a pseudo signal (hereinafter referred to as “ID ghost”) which is considered to be affected by an ID portion (pre-pit portion) adjacent to the zone boundary is superimposed on a track error signal which is a signal from a guide groove for guiding a laser beam. Has been detected. Then, depending on the size of the ID ghost, a normal ID signal cannot be normally detected, so that there is a disadvantage that the recording / reproducing operation cannot be performed.

【0015】更に、相変化型光ディスクでは、高出力の
レーザ光を用いて記録膜を初期化することによって基板
が熱の影響を受けて歪みを生じるため、IDゴーストが
一層大きくなるという不都合が生じる。
Further, in the phase-change type optical disk, since the substrate is affected by heat and is distorted by initializing the recording film using a high-output laser beam, the ID ghost is further increased. .

【0016】[0016]

【発明の目的】本発明は、かかる従来技術の有する不都
合を改善し、特に、IDゴーストを低減することにより
正規のID信号を正常に検出し、安定した記録再生動作
を行うことができる光ディスク媒体を提供することを、
その目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to improve the disadvantages of the prior art, and in particular, to reduce the number of ID ghosts so that a normal ID signal can be normally detected and a stable recording / reproducing operation can be performed. To provide
With that purpose.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1記載の本発明では、基板と、この基板上に
成膜され且つレーザ光を照射したときに光学的に検出可
能な反射光量変化を生じる相変化記録膜とを備えた光デ
ィスク媒体において、相変化記録膜を一様に結晶化する
初期化処理が施された後の光ディスク媒体に生じる全応
力の値が、引っ張り応力方向を正符号、圧縮応力方向を
負符号として、−0.2〔N/cm〕から+0.8〔N
/cm〕までの範囲にある、という構成を採用してい
る。
To achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a substrate and a reflection film formed on the substrate and optically detectable when irradiated with a laser beam. In an optical disc medium having a phase change recording film that causes a change in the amount of light, the value of the total stress generated in the optical disc medium after the initialization process for uniformly crystallizing the phase change recording film is determined by the tensile stress direction. When the positive sign and the compressive stress direction are negative signs, -0.2 [N / cm] to +0.8 [N
/ Cm].

【0018】このため、この請求項1記載の本発明で
は、初期化処理後の光ディスク媒体に生じる全応力の値
を上記範囲にあるとしたので、基板の反り量が小さく、
案内溝の歪みを抑えることができる。
Therefore, according to the present invention, since the value of the total stress generated in the optical disk medium after the initialization processing is within the above range, the amount of warpage of the substrate is small,
The distortion of the guide groove can be suppressed.

【0019】請求項2記載の本発明では、基板と、この
基板上に成膜され且つレーザ光を照射したときに光学的
に検出可能な反射光量変化を生じる相変化記録膜とを備
えた光ディスク媒体において、光ディスク媒体に生じる
全応力の値が、引っ張り応力方向を正符号、圧縮応力方
向を負符号として、相変化記録膜を一様に結晶化する初
期化処理が施される前では−0.5〔N/cm〕から0
〔N/cm〕までの範囲にあり、初期化処理が施された
後では−0.2〔N/cm〕から+0.8〔N/cm〕
までの範囲にある、という構成を採用している。
According to the second aspect of the present invention, an optical disk comprising a substrate and a phase-change recording film which is formed on the substrate and generates a change in the amount of reflected light which can be detected optically when irradiated with a laser beam. In the medium, the value of the total stress generated in the optical disk medium is -0 before the initialization process for uniformly crystallizing the phase change recording film with the tensile stress direction being a positive sign and the compressive stress direction being a negative sign. 0.5 [N / cm] to 0
[N / cm], and -0.2 [N / cm] to +0.8 [N / cm] after the initialization process is performed.
The range is up to.

【0020】このため、この請求項2記載の本発明で
は、初期化処理前に生じる全応力の値が上記範囲にある
光ディスク媒体は、初期化処理後には上記範囲に全応力
の値が収まることを実験的に確認した。このような光デ
ィスク媒体は、基板の反り量が小さく、案内溝の歪みを
抑えることができる。
Therefore, according to the present invention, in the optical disk medium in which the value of the total stress generated before the initialization processing is within the above range, the value of the total stress falls within the above range after the initialization processing. Was confirmed experimentally. In such an optical disk medium, the amount of warpage of the substrate is small, and distortion of the guide groove can be suppressed.

【0021】請求項3記載の本発明では、請求項1又は
2記載の発明において、基板と相変化記録膜との間に保
護膜を設ける、という構成を採用している。
According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect, a structure is provided in which a protective film is provided between the substrate and the phase change recording film.

【0022】このため、この請求項3記載の本発明で
は、前述した請求項1又は2と同等の機能を有するほか
更に、保護膜は、情報を記録または消去する際に相変化
記録膜に生じる相変化による伸縮が基板に反りや歪み等
を与えるのを緩和する働きをする。
Therefore, according to the third aspect of the present invention, in addition to having the same function as that of the first or second aspect, a protective film is formed on the phase change recording film when recording or erasing information. It functions to reduce expansion and contraction due to the phase change from giving the substrate warpage or distortion.

【0023】請求項4記載の本発明では、請求項3記載
の発明において、保護膜は二酸化シリコンからなる、と
いう構成を採用している。
According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect of the invention, the protective film is made of silicon dioxide.

【0024】このため、この請求項4記載の本発明で
は、前述した請求項3記載の発明と同等の機能を有する
ほか更に、二酸化シリコンは、その物性により内部応力
の値を容易にコントロールして形成することができる。
Therefore, in the present invention described in claim 4, in addition to having the same function as the above-described invention described in claim 3, silicon dioxide can easily control the value of internal stress by its physical properties. Can be formed.

【0025】請求項5記載の本発明では、凹凸状の案内
溝からなる情報トラックに設けられた記録領域を複数に
分割してなる複数のゾーンと、この各ゾーンに設けられ
たID部とを備えた光ディスク媒体において、ゾーン間
に情報の記録及び再生を行わないガードトラックを少な
くとも1本備える、という構成を採用している。
According to the fifth aspect of the present invention, a plurality of zones obtained by dividing a recording area provided on an information track formed of an uneven guide groove into a plurality of sections and an ID section provided in each of the zones are provided. In the provided optical disc medium, a configuration is adopted in which at least one guard track for not recording and reproducing information is provided between zones.

【0026】このため、この請求項5記載の本発明で
は、ガードトラックを設けることによってゾーン間の距
離を大きくすることができる。
Therefore, according to the present invention, the distance between zones can be increased by providing a guard track.

【0027】請求項6記載の本発明では、請求項5記載
の発明において、ガードトラックは情報トラックと同じ
凹凸状の案内溝からなる、という構成を採用している。
According to a sixth aspect of the present invention, in the fifth aspect of the invention, the guard track is formed of the same concave and convex guide groove as the information track.

【0028】このため、この請求項6記載の本発明で
は、請求項5記載の発明と同等の機能を有するほか更
に、ガードトラックが情報トラックと同じ形状からなる
ことから、ガードトラックは情報トラックと同様にレー
ザ光をガイドすることができる。
Therefore, according to the present invention described in claim 6, in addition to having the same function as the invention described in claim 5, the guard track has the same shape as the information track. Similarly, laser light can be guided.

【0029】[0029]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
従って説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0030】〔第1の実施形態〕第1の実施形態を、図
1を用いて説明する。この図1は、本発明の第1の実施
形態に係る光ディスク媒体の単板構造の部分断面図であ
る。
[First Embodiment] A first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a single-plate structure of an optical disc medium according to a first embodiment of the present invention.

【0031】図1において、符号11はポリカーボネイ
ド製の基板を示す。ポリカーボネイド製基板11の表面
には、凹凸状の案内溝からなる情報トラックと、この情
報トラックを複数のゾーンごとに分割するためのプリピ
ットからなるID部とが予め形成されている。
In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a substrate made of polycarbonate. On the surface of the substrate 11 made of polycarbonate, an information track composed of an uneven guide groove and an ID part composed of prepits for dividing the information track into a plurality of zones are formed in advance.

【0032】このポリカーボネイド製の基板11上に
は、第1の保護膜12が成膜される。第1の保護膜12
には誘電体膜が用いられ、ここではSiO膜(二酸化
シリコン膜)によって形成される。
A first protective film 12 is formed on the substrate 11 made of polycarbonate. First protective film 12
Is a dielectric film, which is formed here by a SiO 2 film (silicon dioxide film).

【0033】この成膜された第1の保護膜12上には、
第2の保護膜13が成膜される。第2の保護膜13には
誘電体膜が用いられ、ここではZnS−SiO膜によ
って形成される。
On the first protective film 12 thus formed,
The second protective film 13 is formed. The second protective layer 13 a dielectric film is used, here formed by a ZnS-SiO 2 film.

【0034】この成膜された第2の保護膜13上には、
相変化記録膜14が成膜される。相変化記録膜14には
カルコゲナイド系材料が用いられ、ここではGeSb
Te膜によって形成される。
On the second protective film 13 thus formed,
The phase change recording film 14 is formed. A chalcogenide-based material is used for the phase change recording film 14, and here, Ge 2 Sb
Formed by 2 Te 5 film.

【0035】この成膜された相変化記録膜14上には、
第3の保護膜15が成膜される。第3の保護膜15には
誘電体膜が用いられ、ここでは第2の保護膜13と同様
にZnS−SiO膜によって形成される。
On the formed phase change recording film 14,
The third protective film 15 is formed. A dielectric film is used for the third protective film 15, and here is formed of a ZnS—SiO 2 film similarly to the second protective film 13.

【0036】この成膜された第3の保護膜15上には、
反射膜16が成膜される。反射膜16には金属膜が用い
られ、ここではAlTi合金膜によって形成される。こ
の一連の成膜プロセスの後、反射膜16上には紫外線硬
化樹脂17が塗布される。
On the third protective film 15 thus formed,
The reflection film 16 is formed. A metal film is used for the reflection film 16, and is formed of an AlTi alloy film here. After this series of film forming processes, an ultraviolet curable resin 17 is applied on the reflective film 16.

【0037】以上のように形成される本実施形態に係る
光ディスク媒体に生じる全応力の値は、引っ張り応力方
向を正符号、圧縮応力方向を負符号として、初期化処理
後においては−0.2〔N/cm〕から+0.8〔N/
cm〕までの範囲にある。更に、望ましくは、初期化処
理前においては−0.5〔N/cm〕から0〔N/c
m〕までの範囲にある。
The value of the total stress generated in the optical disk medium according to the present embodiment formed as described above is such that the tensile stress direction is a positive sign, the compressive stress direction is a negative sign, and -0.2 after initialization. [N / cm] to +0.8 [N /
cm]. Further, desirably, before the initialization process, -0.5 [N / cm] to 0 [N / c]
m].

【0038】ここで、上記光ディスク媒体に生じる全応
力の値とは、基板11上に成膜された符号12乃至16
の膜の内部に生じる基板半径方向の合成応力にその膜厚
を乗じた値であり、成膜前後での基板11の反り量の差
から求められる。そして、基板11が符号12乃至16
の膜を引っ張ろうとする場合の全応力が引っ張り応力で
あり、圧縮しようとする場合の全応力が圧縮応力であ
る。
Here, the value of the total stress generated in the optical disk medium is defined by reference numerals 12 to 16 formed on the substrate 11.
The value obtained by multiplying the resultant stress in the substrate radial direction generated inside the film by the film thickness is obtained from the difference in the amount of warpage of the substrate 11 before and after the film formation. Then, the substrate 11 has reference numerals 12 to 16
The total stress when trying to pull the film is tensile stress, and the total stress when trying to compress the film is compressive stress.

【0039】光ディスク媒体は、図1に示された単板構
造の他、ディスク貼り合わせ用の接着剤(紫外線硬化樹
脂等)を用いて密着貼り合わせ構造となる。
The optical disk medium has a single-plate structure shown in FIG. 1 and a close bonding structure using a disk bonding adhesive (an ultraviolet curing resin or the like).

【0040】第1の実施形態における光ディスク媒体
は、以上のように構成されていることから、基板の反り
量が小さく、案内溝の歪みを抑えることができるので、
記録再生動作の際のIDゴーストが低く抑えられて安定
した記録再生動作を行うことができる。
Since the optical disk medium according to the first embodiment is configured as described above, the amount of warpage of the substrate is small and the distortion of the guide groove can be suppressed.
An ID ghost during the recording / reproducing operation is suppressed to a low level, and a stable recording / reproducing operation can be performed.

【0041】図1に示されている符号12乃至16の各
膜は、具体的には、インライン型のスパッタ装置を用い
て下記手順により成膜した。
Each of the films denoted by reference numerals 12 to 16 shown in FIG. 1 was specifically formed by the following procedure using an in-line type sputtering apparatus.

【0042】まず、SiO膜(誘電体膜)からなる第
1の保護膜12は、Siターゲットを用い、アルゴンガ
ス中に酸素ガスを混合した混合ガス雰囲気中でターゲッ
トと基板間距離15〔cm〕、パワー密度2.74〔W
/cm〕、全ガス圧0.2〔Pa〕、酸素ガス分圧
0.06〔Pa〕により厚さが100〔nm〕となるよ
うに成膜した。
First, the first protective film 12 made of a SiO 2 film (dielectric film) is formed by using a Si target and a distance between the target and the substrate of 15 cm in a mixed gas atmosphere in which an oxygen gas is mixed with an argon gas. ], Power density 2.74 [W
/ Cm 2 ], a total gas pressure of 0.2 [Pa], and an oxygen gas partial pressure of 0.06 [Pa] so as to have a thickness of 100 [nm].

【0043】続いて、ZnS−SiO膜(誘電体膜)
からなる第2の保護膜13は、ZnS−SiOターゲ
ットを用い、アルゴンガス雰囲気中でターゲットと基板
間距離15〔cm〕、パワー密度2.2〔W/c
〕、ガス圧0.5〔Pa〕によって厚さが20〔n
m〕となるように成膜した。
Subsequently, a ZnS-SiO 2 film (dielectric film)
The second protective film 13 is made of a ZnS—SiO 2 target, and has a distance between the target and the substrate of 15 cm in an argon gas atmosphere and a power density of 2.2 W / c.
m 2 ] and a gas pressure of 0.5 [Pa] and a thickness of 20 [n].
m].

【0044】続いて、GeSbTe膜からなる厚
さ18〔nm〕の記録膜14は、GeSbTe
ーゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中でターゲットと
基板間距離15〔cm〕、パワー密度0.27〔W/c
〕、ガス圧1.0〔Pa〕で成膜した。
[0044] Subsequently, Ge 2 Sb 2 Te 5 recording film made of the film thickness of 18 [nm] 14, Ge 2 Sb 2 Te 5 with a target, the target and the substrate distance 15 in an argon gas atmosphere [cm ], Power density 0.27 [W / c
m 2 ] and a gas pressure of 1.0 [Pa].

【0045】続いて、ZnS−SiO膜(誘電体膜)
からなる厚さ20〔nm〕の第3の保護膜15は第2の
保護膜13と同じ条件によって厚さが20〔nm〕とな
るように成膜した。
Subsequently, a ZnS-SiO 2 film (dielectric film)
The third protective film 15 having a thickness of 20 [nm] was formed under the same conditions as the second protective film 13 so as to have a thickness of 20 [nm].

【0046】続いて、AlTi合金膜からなる厚さ70
〔nm〕の反射膜16は、Tiを2〔wt%〕含有する
AlTi合金ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中
でターゲットと基板間距離15〔cm〕、パワー密度
1.6〔W/cm〕、ガス圧0.08〔Pa〕によっ
て厚さが70〔nm〕となるように成膜した。なお、各
膜の成膜時間は適宜、所望の膜厚になるように調整し
た。
Subsequently, a thickness 70 of an AlTi alloy film
The reflective film 16 of [nm] uses an AlTi alloy target containing 2 [wt%] of Ti, a distance between the target and the substrate of 15 [cm] in an argon gas atmosphere, and a power density of 1.6 [W / cm 2 ]. The film was formed to have a thickness of 70 [nm] under a gas pressure of 0.08 [Pa]. Note that the film formation time of each film was appropriately adjusted to a desired film thickness.

【0047】上述した形成方法において、SiO膜か
らなる第1の保護膜12の成膜時に用いるスパッタガス
圧を0.06〔Pa〕から1.0〔Pa〕の範囲で変化
させた複数の光ディスク媒体を作製した。
In the above-described forming method, a plurality of sputtering gas pressures used for forming the first protective film 12 made of a SiO 2 film are changed in the range of 0.06 [Pa] to 1.0 [Pa]. An optical disk medium was manufactured.

【0048】また、第1の保護膜の内部応力を測定する
ことを目的として、SiO膜単層を第1の保護膜成膜
時のスパッタガス圧と同様の範囲で成膜し、このSiO
膜単層の内部応力と、光ディスク媒体の全応力とを測
定した。
For the purpose of measuring the internal stress of the first protective film, a single layer of SiO 2 film is formed in the same range as the sputtering gas pressure at the time of forming the first protective film.
The internal stress of the two- layer single layer and the total stress of the optical disk medium were measured.

【0049】図2は、SiO膜成膜時のスパッタガス
圧とSiO膜単層の内部応力の関係を示している。図
2より、スパッタガス圧の増加に伴い、SiO膜単層
の内部応力は増加し、スパッタガス圧が0.3〔Pa〕
近傍で内部応力の符号が負から正へと変化し、内部応力
が圧縮応力から引っ張り応力に変化していることが判
る。
[0049] Figure 2 shows the relationship between the internal stress of the SiO 2 film formation time of the sputtering gas pressure and the SiO 2 film monolayer. From FIG. 2, the internal stress of the SiO 2 film single layer increases as the sputtering gas pressure increases, and the sputtering gas pressure becomes 0.3 [Pa].
In the vicinity, the sign of the internal stress changes from negative to positive, and it can be seen that the internal stress changes from compressive stress to tensile stress.

【0050】図3は、SiO膜単層の内部応力と光デ
ィスク媒体の全応力との関係を示している。図3より、
SiO膜の内部応力の増加に伴い、光ディスク媒体の
全応力も増加し、SiO膜単層の内部応力が1.7×
10〔N/cm〕近傍で、光ディスク媒体の全応力
が圧縮側から引張り側に変化していることが判る。
FIG. 3 shows the relationship between the internal stress of the single layer of the SiO 2 film and the total stress of the optical disk medium. From FIG.
As the internal stress of the SiO 2 film increases, the total stress of the optical disk medium also increases, and the internal stress of the single layer of the SiO 2 film becomes 1.7 ×
In the vicinity of 10 4 [N / cm 2 ], it can be seen that the total stress of the optical disk medium changes from the compression side to the tension side.

【0051】次に、SiO膜(第1の保護膜12)成
膜時のスパッタガス圧を0.06〔Pa〕から1.0
〔Pa〕の範囲で変化させて複数の光ディスク媒体を作
製し、これらの光ディスク媒体の初期化前後におけるI
D部(プリピット部)近傍でのIDゴースト量を測定し
た。
Next, the sputtering gas pressure at the time of forming the SiO 2 film (first protective film 12) is changed from 0.06 [Pa] to 1.0.
A plurality of optical disc media were manufactured by changing the range of [Pa], and I / O before and after initialization of these optical disc media were performed.
The amount of the ID ghost near the portion D (pre-pit portion) was measured.

【0052】初期化処理は、光ディスク媒体を線速度1
1.3〔m/sec〕で回転させ、700〔mW〕のレ
ーザ光を照射して光ディスク媒体の記録膜全面を初期化
した。このとき、光ヘッドの送りピッチは6〔μm/回
転〕とした。
In the initialization processing, the optical disk medium is set at a linear velocity of 1
The disk was rotated at 1.3 [m / sec] and irradiated with a laser beam of 700 [mW] to initialize the entire recording film of the optical disk medium. At this time, the feed pitch of the optical head was 6 [μm / rotation].

【0053】ここで、測定したIDゴースト量の定義
を、図4及び5を用いて説明する。図4は、本実施例に
係る光ディスクのゾーン境界でのID部の配置を示して
いる。
Here, the definition of the measured ID ghost amount will be described with reference to FIGS. FIG. 4 shows an arrangement of ID portions at zone boundaries of the optical disc according to the present embodiment.

【0054】図4において、符号41(黒いい部分)は
案内溝凹部、符号42(白い部分)は案内溝凸部を示
す。また、符号43(斜線部分)はID部−Aを示す。
このID部−A:43を有するゾーンに隣接してID部
−B:44(斜線部分)を有するゾーンがある。この2
つのゾーンの境界からID部−A:43を有するゾーン
側に3トラック離れた案内溝凹部に焦点を合わせ、その
時のトラックエラー信号をモニターした。
In FIG. 4, reference numeral 41 (black portion) indicates a guide groove concave portion, and reference numeral 42 (white portion) indicates a guide groove convex portion. Reference numeral 43 (hatched portion) indicates the ID part-A.
There is a zone having an ID portion -B: 44 (hatched portion) adjacent to the zone having the ID portion -A: 43. This 2
Focusing was performed on the guide groove recessed three tracks away from the boundary of the two zones toward the zone having the ID portion -A: 43, and the track error signal at that time was monitored.

【0055】図5は、IDゴースト量の定義に関する諸
量を示している。図5において、符号51はトラックエ
ラー信号を示している。そして、符号52はトラックジ
ャンプ信号、符号53はID部−A:43からの信号、
符号54はゾーン境界に隣接したID部−B:44から
漏洩する擬似信号(IDゴースト)を示している。
FIG. 5 shows various quantities related to the definition of the ID ghost quantity. In FIG. 5, reference numeral 51 denotes a track error signal. Reference numeral 52 denotes a track jump signal, reference numeral 53 denotes a signal from the ID unit-A: 43,
Reference numeral 54 denotes a pseudo signal (ID ghost) leaked from the ID part-B: 44 adjacent to the zone boundary.

【0056】ここで、IDゴースト量の測定は、IDゴ
ースト54の振幅55:βを測定し、トラックジャンプ
信号52の振幅56:αとの比によってIDゴースト量
を定義する。即ち、IDゴースト量は(β/α)×10
0〔%〕として測定評価した。
Here, the ID ghost amount is measured by measuring the amplitude 55: β of the ID ghost 54 and defining the ID ghost amount by the ratio to the amplitude 56: α of the track jump signal 52. That is, the ID ghost amount is (β / α) × 10
The measurement was evaluated as 0 [%].

【0057】図6は、SiO膜(第1の誘電体膜1
2)の成膜時に用いるスパッタガス圧を0.06〔P
a〕から1.0〔Pa〕の範囲で変化させて作製した光
ディスク媒体の全応力の値とIDゴースト量の関係を示
している。
FIG. 6 shows an SiO 2 film (first dielectric film 1).
The sputtering gas pressure used in the film formation of 2) is 0.06 [P
4 shows the relationship between the total stress value and the amount of ID ghost of an optical disk medium manufactured by changing the range from a) to 1.0 [Pa].

【0058】図6において、A1乃至A5の●印は、初
期化前の光ディスク媒体のIDゴースト量を測定してプ
ロットしたものであり、横軸の全応力の値は、光ディス
ク媒体と同一バッチで成膜した応力測定用試料から求め
たものである。
In FIG. 6, the circles A1 to A5 represent the measured and plotted ID ghost amounts of the optical disk medium before initialization, and the values of the total stress on the horizontal axis represent the same batch as the optical disk medium. It was determined from the formed stress measurement sample.

【0059】この●印を結んだ曲線より、IDゴースト
量は、光ディスク媒体の全応力の値が圧縮応力側(負方
向)または引っ張り応力側(正方向)に増加するに伴い
増加している。このことから、IDゴースト発生の一要
因として、光ディスク媒体の全応力が寄与していること
が判る。
According to the curve connecting the black circles, the ID ghost amount increases as the total stress value of the optical disk medium increases toward the compressive stress side (negative direction) or the tensile stress side (positive direction). From this, it can be seen that the total stress of the optical disk medium contributes as one factor of the occurrence of the ID ghost.

【0060】一方、図6におけるB1乃至B5の○印
は、A1乃至A5に対応した各光ディスク媒体を前述し
た方法で初期化した後に測定したIDゴースト量をプロ
ットしたものである。
On the other hand, the circles B1 to B5 in FIG. 6 plot the ID ghost amounts measured after the optical disk media corresponding to A1 to A5 were initialized by the method described above.

【0061】ここで、この○印の横軸の全応力の値は、
以下に示す手順を用いて求めた。光ディスク媒体の初期
化処理は、前述したように、高出力のレーザ光を短時間
照射しながら行われるのが一般的である。しかしなが
ら、応力測定用試料に同様の条件で初期化処理を施すこ
とができないため、図6での●印の全応力を測定した応
力測定用試料を加熱炉に入れて、初期化処理と類似した
温度サイクルを経験させ、初期化前の全応力と比較し、
その変化量を求めた。
Here, the value of the total stress on the abscissa axis of the circle is
It was determined using the following procedure. As described above, the initialization process of the optical disk medium is generally performed while irradiating a high-power laser beam for a short time. However, since the initialization process cannot be performed on the stress measurement sample under the same conditions, the stress measurement sample in which the total stress indicated by the black circle in FIG. Experiencing the temperature cycle, comparing with the total stress before initialization,
The amount of change was obtained.

【0062】この測定に用いた試料は、図6において、
全応力の符号がマイナス(圧縮応力)のものとプラス
(引張り応力)のものとを2種類選定した。具体的に
は、SiO膜からなる第1の保護膜12の成膜時のガ
ス圧が0.09〔Pa〕、成膜直後の全応力が−0.8
79〔N/cm〕の試料と、ガス圧が0.8〔Pa〕、
+0.321〔N/cm〕の試料を選定し、20〔℃〕
から200〔℃〕の範囲で加熱及び冷却を施した。この
とき、昇温の温度勾配は+5〔℃/分〕、降温の温度勾
配は−5〔℃/分〕とした。
The sample used for this measurement is shown in FIG.
Two types were selected, one having a minus sign (compressive stress) and the other having a plus sign (tensile stress). Specifically, the gas pressure at the time of forming the first protective film 12 made of a SiO 2 film is 0.09 [Pa], and the total stress immediately after the film formation is −0.8.
79 [N / cm] sample, gas pressure 0.8 [Pa],
+0.321 [N / cm] sample is selected and 20 [° C]
The heating and cooling were performed in the range of from 200 ° C. to 200 ° C. At this time, the temperature gradient for raising the temperature was +5 [° C./min], and the temperature gradient for lowering the temperature was -5 [° C./min].

【0063】上述したように、温度サイクルを20
〔℃〕から200〔℃〕の範囲としたのは次の理由によ
る。即ち、初期化処理は記録膜の温度が結晶化温度以上
且つ融点以下の温度に達するようなパワーのレーザ光を
照射することにより行われる。本実施例の記録膜である
GeSbTeの結晶化温度は160〔℃〕から1
70〔℃〕の範囲にあるため、加熱炉での温度範囲を2
0〔℃〕から200〔℃〕までとしたのである。
As mentioned above, a temperature cycle of 20
The range of [° C.] to 200 [° C.] is as follows. That is, the initialization process is performed by irradiating a laser beam having such a power that the temperature of the recording film reaches a temperature higher than the crystallization temperature and lower than the melting point. The crystallization temperature of Ge 2 Sb 2 Te 5 , which is the recording film of the present embodiment, ranges from 160 ° C. to 1 ° C.
70 ° C., the temperature range in the heating furnace is 2
The temperature was set from 0 [° C] to 200 [° C].

【0064】図7は、上述した2種類の応力測定用試料
に20〔℃〕から200〔℃〕の範囲で加熱、冷却を施
した場合の全応力の変化量と温度の関係を示している。
図7において、■印はSiO膜(第1の保護膜12)
成膜時のガス圧が0.09〔Pa〕、□印は0.8〔P
a〕の試料の全応力の変化量を示している。
FIG. 7 shows the relationship between the amount of change in total stress and the temperature when the above two types of stress measurement samples are heated and cooled in the range of 20 ° C. to 200 ° C. .
In FIG. 7, a mark “■” indicates an SiO 2 film (first protective film 12).
The gas pressure during film formation was 0.09 [Pa],
a) shows the amount of change in the total stress of the sample.

【0065】図7より、初期化前の全応力が圧縮応力で
ある■印の試料、引っ張り応力である□印のいずれの試
料も、加熱降温後の全応力の変化量は+0.4〔N/c
m〕程度であり、加熱降温により全応力は引っ張り応力
側に変化することが判る。
As shown in FIG. 7, the change in the total stress after the heating and cooling was +0.4 [N] for each of the samples marked with ■ where the total stress before initialization was the compressive stress and the sample marked with □ where the total stress was the tensile stress. / C
m], and it can be seen that the total stress changes to the tensile stress side by heating and cooling.

【0066】このことから、初期化前の全応力が圧縮応
力ないし引っ張り応力のいずれであっても、初期化処理
を施すことによって、光ディスク媒体の全応力の値は
0.4〔N/cm〕程度引っ張り応力側に増加すること
が判る。
Therefore, even if the total stress before the initialization is either the compressive stress or the tensile stress, the value of the total stress of the optical disk medium is 0.4 [N / cm] by performing the initialization process. It can be seen that the degree increases to the tensile stress side.

【0067】この結果を用いることにより、図6におけ
る○印の横軸の全応力の値は、初期化前の全応力の値
(●印の横軸の値)に一律に0.4〔N/cm〕を加え
た値である。
By using this result, the value of the total stress on the abscissa in FIG. 6 is 0.4 [N] uniformly to the value of the total stress before initialization (the value on the abscissa in ●). / Cm].

【0068】図6より、評価を行ったガス圧の範囲で
は、いずれの光ディスク媒体も、初期化前に比べて初期
化後のIDゴースト量が2〜3ポイント程度増加してい
ることが判る。
From FIG. 6, it can be seen that in the range of gas pressures evaluated, the amount of ID ghost after initialization is increased by about 2 to 3 points in all optical disk media as compared to before the initialization.

【0069】以上のことから、IDゴーストを発生させ
る一要因として光ディスク媒体の全応力の大きさが寄与
しているが、初期化処理による全応力の変化分のみでI
Dゴースト量の変化を完全には説明できない。
As described above, although the magnitude of the total stress of the optical disk medium contributes as one factor for generating the ID ghost, the change in the total stress due to the initialization processing causes the I stress.
The change in the D ghost amount cannot be completely explained.

【0070】つまり、初期化処理によって全応力は引っ
張り応力側(符号がプラス側)に0.4〔N/cm〕程
度増加すること及び図6の●印が描くグラフから、全応
力の値の大きさのみによってIDゴースト量が決まるの
であれば、初期化前に圧縮応力側にある光ディスク媒体
は初期化後にはIDゴースト量は減少し、初期化前に引
っ張り応力側にある光ディスク媒体は初期化後にはID
ゴースト量は増加するはずである。
That is, from the graph that the total stress increases by about 0.4 [N / cm] to the tensile stress side (the sign is plus side) by the initialization process, and from the graph drawn by the black circle in FIG. If the amount of the ID ghost is determined only by the size, the optical disk medium on the compressive stress side before the initialization has a reduced amount of the ID ghost after the initialization, and the optical disk medium on the tensile stress side before the initialization has been initialized. After ID
The amount of ghosts should increase.

【0071】しかしながら、図6において○印が示すよ
うに、初期化前に圧縮応力側にある光ディスク媒体のI
Dゴースト量も、初期化後には増加している。従って、
IDゴーストの発生要因は、光ディスク媒体の全応力の
値の大小および方向(符号)のみでは説明できず、全応
力以外にもIDゴーストを発生させる要因があることが
推定される。
However, as shown by a circle in FIG. 6, the I.D.
The amount of D ghost also increases after initialization. Therefore,
The cause of the ID ghost cannot be explained only by the magnitude and direction (sign) of the value of the total stress of the optical disk medium, and it is presumed that there is a factor other than the total stress that causes the ID ghost.

【0072】この要因の一つとして、初期化時の昇降温
による基板の熱変形が考えられる。以下に、このことを
検証するために実施した実験について説明する。相変化
型光ディスクに用いられている記録膜は、初期化処理に
より非晶質から結晶質に相変化するため、膜の体積変化
に伴う内部応力の変化があることが推定される。
One of the factors is considered to be thermal deformation of the substrate due to temperature rise and fall during initialization. Hereinafter, an experiment performed to verify this will be described. Since the recording film used in the phase-change optical disk changes its phase from amorphous to crystalline by the initialization process, it is presumed that there is a change in the internal stress due to the change in the volume of the film.

【0073】そこで、このように顕著な応力変化等が見
られる記録膜を省いた膜構成の試料媒体を用いて初期化
処理を行い、IDゴースト量を測定した。ここで、初期
化時の条件は、記録膜がない膜構成のため熱吸収率が悪
いので、通常の初期化で用いるレーザパワーよりも大き
なパワーをかけると共にディスクの回転速度を遅くし、
試料媒体の温度がより高くなるようにした。
Therefore, an initialization process was performed using a sample medium having a film configuration in which the recording film in which such a remarkable stress change or the like was observed was omitted, and the amount of ID ghost was measured. Here, the condition at the time of initialization is that since the heat absorption rate is poor due to the film configuration without the recording film, a larger power than the laser power used in the normal initialization is applied and the rotation speed of the disk is reduced,
The temperature of the sample medium was higher.

【0074】この試料媒体の構成は、基板上に厚さ60
〔nm〕のSiO膜を設け、さらにその上に厚さ30
0〔nm〕のAlTi膜を設けたものであり、SiO
膜は大きな圧縮応力を有するようにガス圧を0.09
〔Pa〕として成膜を行った。
The structure of this sample medium has a thickness of 60
[Nm] SiO 2 film is provided, and a thickness of 30 nm is further formed thereon.
0 having thereon a AlTi film [nm], SiO 2
The gas pressure is set to 0.09 so that the membrane has a large compressive stress.
Film formation was performed as [Pa].

【0075】図8は、初期化回数を1回〜4回の範囲で
変化させた場合の試料媒体のIDゴースト量を測定して
プロットした図である。図8において、初期化回数:0
とは、未初期化の状態即ち成膜直後でのIDゴースト量
を示している。ここで、各々の初期化は同一測定箇所に
おいて繰返し行い、初期化回数の増加に伴うIDゴース
ト量の推移を調べたものである。
FIG. 8 is a diagram plotting the measured amount of the ID ghost of the sample medium when the number of initializations is changed in the range of 1 to 4 times. In FIG. 8, the number of times of initialization: 0
Indicates an uninitialized state, that is, the amount of ID ghost immediately after film formation. Here, each initialization is repeatedly performed at the same measurement location, and the transition of the ID ghost amount with the increase in the number of initializations is examined.

【0076】図8より、初期化回数の増加または初期化
時のレーザパワーが大きな条件ほど、IDゴースト量は
増加している。このことから、光ディスク媒体に熱負荷
を与える初期化を行うことにより、IDゴースト量が増
加することを確認できた。
FIG. 8 shows that the amount of ID ghost increases as the number of times of initialization increases or the laser power at the time of initialization increases. From this, it was confirmed that the amount of ID ghost increases by performing initialization for applying a thermal load to the optical disk medium.

【0077】従って、初期化時の条件としては、光ディ
スク媒体への熱負荷を極力抑制し、IDゴースト量の増
加がより少ない条件を選定することが望ましいといえ
る。
Therefore, it can be said that it is desirable to select a condition at the time of initialization in which the thermal load on the optical disk medium is suppressed as much as possible and the increase in the amount of ID ghost is smaller.

【0078】以上のことから、IDゴーストは、光ディ
スク媒体の全応力の大きさと、初期化処理に伴うこの全
応力の変化と、レーザ光による熱負荷等との複合要因に
よって発生しているものと推定される。
From the above, it can be concluded that the ID ghost is caused by a combined factor of the magnitude of the total stress of the optical disk medium, the change of the total stress due to the initialization process, and the thermal load by the laser beam. Presumed.

【0079】ここで、光ディスク媒体の記録再生動作に
影響を及ぼすIDゴースト量の大きさについて述べる。
実際のドライブでのR/W(記録再生動作)評価では、
ID境界部(ゾーン境界部)から3トラック離れたとこ
ろにおいてIDゴースト量が7〔%〕以下であれば、誤
検出を回避できることが判っている。
Here, the magnitude of the ID ghost amount which affects the recording / reproducing operation of the optical disk medium will be described.
In an R / W (recording / reproducing operation) evaluation in an actual drive,
It has been found that erroneous detection can be avoided if the ID ghost amount is 7% or less at a position three tracks away from the ID boundary (zone boundary).

【0080】従って、図6より、光ディスク媒体の初期
化後の全応力の値が、−0.2〔N/cm〕から+0.
8〔N/cm〕の範囲にあれば、IDゴースト量は7
〔%〕以下に抑えられ、正常な記録再生動作を行うこと
ができる。
Accordingly, from FIG. 6, the value of the total stress after the initialization of the optical disk medium is changed from -0.2 [N / cm] to +0.
If it is in the range of 8 [N / cm], the ID ghost amount is 7
[%] Or less, and a normal recording / reproducing operation can be performed.

【0081】更に、初期化前の全応力としては、−0.
7〔N/cm〕から+0.5〔N/cm〕の範囲にあれ
ば、初期化後の全応力の値は上述した−0.2〔N/c
m〕から+0.8〔N/cm〕の範囲に収まることが推
定される。
Further, as the total stress before the initialization, -0.
If it is in the range of 7 [N / cm] to +0.5 [N / cm], the value of the total stress after the initialization is −0.2 [N / c].
m] to +0.8 [N / cm].

【0082】ただし、全応力が−0.6〔N/cm〕以
下の比較的大きな圧縮応力であると、基板11と第1の
保護膜12との間で膜の剥離がみられることがある。ま
た、初期化前の全応力が引っ張り応力側にあると、初期
化条件の選定によってはIDゴースト量が極度に増加す
ること等から、初期化前の全応力の値の範囲としては、
−0.5〔N/cm〕から0〔N/cm〕の範囲にある
ことが望ましい。
However, if the total stress is a relatively large compressive stress of -0.6 [N / cm] or less, peeling of the film between the substrate 11 and the first protective film 12 may be observed. . Also, if the total stress before initialization is on the tensile stress side, the amount of ID ghost increases extremely depending on the selection of the initialization conditions, etc.
It is desirable to be in the range of -0.5 [N / cm] to 0 [N / cm].

【0083】本実施形態では、SiO膜からなる第1
の保護膜12の形成条件を調整して光ディスク媒体の全
応力の値を変化させた例を述べたが、光ディスク媒体を
構成するその他の膜の応力を同様に変化させると全応力
の値は変化する。従って、相変化型光ディスクを構成す
る各々の膜の応力を慎重に調整し、全応力の値が上述し
た範囲になるようにコントロールする必要がある。
[0083] In this embodiment, the first consisting of SiO 2 film
Although the example in which the value of the total stress of the optical disk medium is changed by adjusting the formation condition of the protective film 12 of the above description, the value of the total stress changes when the stress of the other films constituting the optical disk medium is similarly changed. I do. Therefore, it is necessary to carefully adjust the stress of each film constituting the phase change optical disk and control the value of the total stress to be within the above-mentioned range.

【0084】〔第2の実施形態〕第2の実施形態を、図
9及び図10を用いて説明する。図9は、本発明の第2
の実施形態に係る光ディスク媒体の一部分におけるガー
ドトラックの配置を示している。
[Second Embodiment] A second embodiment will be described with reference to FIGS. 9 and 10. FIG. 9 shows a second embodiment of the present invention.
10 shows an arrangement of guard tracks in a part of the optical disc medium according to the embodiment.

【0085】図9において、符号91(黒い部分)は案
内溝凹部、符号92(白い部分)は案内溝凸部を示す。
符号93(斜線部分)はID部−Cを示し、このID部
−C:93によってゾーン−C:94が区別されてい
る。また、符号95(斜線部分)はID部−Dを示し、
このID部−D:95によってゾーン−D:96が区別
されている。そして、ゾーン−C:94とゾーン−D:
96との間には、ガードトラック97が設けられてい
る。
In FIG. 9, reference numeral 91 (black portion) indicates a guide groove concave portion, and reference numeral 92 (white portion) indicates a guide groove convex portion.
Reference numeral 93 (hatched portion) indicates an ID portion-C, and the ID portion-C: 93 distinguishes the zone-C: 94. Reference numeral 95 (hatched portion) indicates an ID portion -D,
The ID-D: 95 distinguishes the zone-D: 96. Then, zone-C: 94 and zone-D:
A guard track 97 is provided between the guard track 97 and the guard track 97.

【0086】ガードトラック97は、符号91及び92
の案内溝と同様に凹部と凸部とで形成され、少なくとも
1本備えられるが、5本から10本の範囲で備えられる
ことが好ましい。
The guard tracks 97 are denoted by reference numerals 91 and 92.
As in the case of the guide groove described above, it is formed of a concave portion and a convex portion, and at least one is provided, but it is preferable that the number is provided in the range of 5 to 10.

【0087】第2の実施形態における光ディスク媒体
は、以上のように構成されていることから、ゾーン間の
距離が大きくなり、記録再生動作の際のIDゴーストが
低く抑えられるので、安定した記録再生動作を行うこと
ができる。
Since the optical disk medium according to the second embodiment is configured as described above, the distance between the zones is increased, and the ID ghost during the recording / reproducing operation is suppressed to be low. Actions can be taken.

【0088】次に、この第2の実施形態の具体例を、図
1、図9及び図10を用いて説明する。厚さ0.6〔m
m〕、直径120〔mm〕のポリカーボネイト製基板を
用い、図9に示されているガードトラック97の本数を
1本から20本の範囲で変化させた5種類の基板を作製
した。
Next, a specific example of the second embodiment will be described with reference to FIGS. 1, 9 and 10. 0.6 [m thick
m], and using a polycarbonate substrate having a diameter of 120 [mm], five types of substrates were manufactured in which the number of guard tracks 97 shown in FIG. 9 was changed from 1 to 20.

【0089】この各々の基板上に、前述した第1の実施
形態と同様に、図1に示された符号11乃至16の各膜
を、インライン型スパッタ装置を用いて下記手順により
形成した。
On each of the substrates, films 11 to 16 shown in FIG. 1 were formed by the following procedure using an in-line type sputtering apparatus in the same manner as in the first embodiment.

【0090】まず、SiO膜(誘電体膜)からなる厚
さ100〔nm〕の第1の保護膜12は、Siターゲッ
トを用い、アルゴンガス中に酸素ガスを混合した混合ガ
ス雰囲気中で、ターゲットと基板との距離15〔c
m〕、パワー密度2.74〔W/cm〕、全ガス圧
0.2〔Pa〕、酸素ガス分圧0.06〔Pa〕で成膜
した。
First, the first protective film 12 having a thickness of 100 [nm] made of a SiO 2 film (dielectric film) is formed by using an Si target in a mixed gas atmosphere in which oxygen gas is mixed with argon gas. Distance between target and substrate 15 [c
m], a power density of 2.74 [W / cm 2 ], a total gas pressure of 0.2 [Pa], and a partial pressure of oxygen gas of 0.06 [Pa].

【0091】続いて、ZnS−SiO膜(誘電体膜)
からなる厚さ20〔nm〕の第2の保護膜13は、Zn
S−SiOターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中
でターゲットと基板間距離15〔cm〕、パワー密度
2.2〔W/cm〕、ガス圧0.5〔Pa〕で成膜し
た。
Subsequently, a ZnS-SiO 2 film (dielectric film)
The 20 nm thick second protective film 13 made of Zn
Using S-SiO 2 target, target and substrate distance 15 in an argon gas atmosphere (cm), the power density 2.2 [W / cm 2], was deposited with the gas pressure of 0.5 [Pa].

【0092】続いて、GeSbTe膜からなる厚
さ18〔nm〕の相変化記録膜14は、GeSb
ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中でターゲ
ットと基板間距離15〔cm〕、パワー密度0.27
〔W/cm〕、ガス圧1.0〔Pa〕で成膜した。
Subsequently, a phase change recording film 14 of 18 nm thick made of a Ge 2 Sb 2 Te 5 film is used as a Ge 2 Sb 2 T
e 5 target, distance between target and substrate 15 cm in argon gas atmosphere, power density 0.27
[W / cm 2 ] and a gas pressure of 1.0 [Pa] were formed.

【0093】続いて、ZnS−SiO膜(誘電体膜)
からなる厚さ20〔nm〕の第3の保護膜15は、第2
の保護膜13と同じ条件で成膜した。
Subsequently, a ZnS-SiO 2 film (dielectric film)
The third protective film 15 having a thickness of 20 [nm] made of
The protective film 13 was formed under the same conditions.

【0094】続いて、AlTi合金膜からなる厚さ70
〔nm〕の反射膜16は、Tiを2〔wt%〕含有する
AlTi合金ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中
でターゲットと基板間距離15〔cm〕、パワー密度
1.6〔W/cm〕、ガス圧0.08〔Pa〕で成膜
した。なお、各々の膜の成膜時間は適宜、所望の膜厚に
なるように調整した。
Subsequently, a thickness 70 of an AlTi alloy film
The reflective film 16 of [nm] uses an AlTi alloy target containing 2 [wt%] of Ti, a distance between the target and the substrate of 15 [cm] in an argon gas atmosphere, and a power density of 1.6 [W / cm 2 ]. The film was formed at a gas pressure of 0.08 [Pa]. Note that the film formation time of each film was appropriately adjusted to a desired film thickness.

【0095】そして、これらの膜を形成した後、ディス
ク貼り合わせ用の接着剤(紫外線硬化樹脂等)を用いて
密着張り合わせ構造とし、ガードトラックの本数が異な
る5種類の光ディスク媒体を作製した。
After these films were formed, an adhesive bonding structure (such as an ultraviolet curable resin) for bonding disks was used to form an adhesive bonding structure, and five types of optical disk media having different numbers of guard tracks were manufactured.

【0096】この5種類の光ディスク媒体を用いて、初
期化条件を適宜変化させ、いずれの光ディスク媒体にお
いてもほぼ同等の記録再生特性が得られるように初期化
を行い、ゾーン−C:94のゾーン−D:96側の境界
における案内溝凹部にて、IDゴースト量を各々測定し
た。
Using these five types of optical disk media, initialization conditions are appropriately changed, and initialization is performed so that substantially the same recording / reproducing characteristics can be obtained in any of the optical disk media. -D: The ID ghost amount was measured at the guide groove concave portion at the boundary on the 96 side.

【0097】図10は、この測定結果を示している。こ
の図10において、初期化条件の線速とは、初期化時の
ディスクの回転数を示す。また、初期化時の光ヘッドの
送りピッチは、6〔μm/回転〕で固定した。
FIG. 10 shows the measurement results. In FIG. 10, the linear velocity of the initialization condition indicates the rotation speed of the disk at the time of initialization. The feed pitch of the optical head during initialization was fixed at 6 [μm / rotation].

【0098】図10より、初期化の条件によっては、媒
体−3のようにゾーンD:96の境界から10本のガー
ドトラックを隔てたトラックにおいても、IDゴースト
量は7〔%〕以上もあることが判る。これは、第1の実
施形態において述べたように、初期化時の熱負荷による
IDゴーストが観測されたものである。
FIG. 10 shows that depending on the initialization condition, the ID ghost amount is as much as 7 [%] or more even in a track such as the medium-3 separated by 10 guard tracks from the boundary of the zone D: 96. You can see that. This is an ID ghost due to a heat load at the time of initialization, as described in the first embodiment.

【0099】ただし、ガードトラックの本数が多いほ
ど、即ちIDゴーストを測定しているゾーン−C:94
の境界のトラックが、ゾーン−D:96の境界から離れ
るに伴いIDゴースト量は減少しており、15トラック
以上離れると、いずれの初期化条件においてもIDゴー
スト量は7〔%〕以下となっていることが判る。
However, the larger the number of guard tracks, that is, the zone-C: 94 where the ID ghost is being measured.
The amount of ID ghost decreases as the track at the boundary of # moves away from the boundary of zone-D: 96. When the track is separated by more than 15 tracks, the amount of ID ghost becomes 7% or less under any initialization conditions. You can see that

【0100】これらのことから、各々のID部によって
分割されているゾーン境界に、5本から20本程度のガ
ードトラック(情報の記録再生動作を行わないダミート
ラック)を設けることにより、初期化条件として光ディ
スク媒体に大きな熱負荷がかかる条件を選択した場合で
も、IDゴーストの影響を受けず安定した記録再生動作
を行うことができる光ディスク媒体を得ることができる
ことが判る。
From these facts, it is possible to provide about 5 to 20 guard tracks (dummy tracks that do not perform the information recording / reproducing operation) at the zone boundaries divided by the respective ID portions, to thereby achieve the initialization condition. As a result, it can be understood that an optical disk medium capable of performing a stable recording / reproducing operation without being affected by an ID ghost can be obtained even when a condition in which a large heat load is applied to the optical disk medium is selected.

【0101】ただし、基板面積には制約があるため、ガ
ードトラックの本数が多くなると、光ディスク媒体に記
録できる情報量が少なくなる。このことから、ガードト
ラックの本数としては、5本から10本程度が望まし
い。また同時に、光ディスク媒体に加わる熱負荷が少な
く、IDゴースト量が顕著に多くならない初期化条件を
選定することも必須である。
However, since the substrate area is limited, as the number of guard tracks increases, the amount of information that can be recorded on the optical disk medium decreases. For this reason, the number of guard tracks is desirably about 5 to 10 tracks. At the same time, it is also essential to select an initialization condition in which the thermal load applied to the optical disk medium is small and the amount of ID ghost does not significantly increase.

【0102】なお、本発明では、相変化記録膜、Al合
金反射膜等の組成や、光ディスク媒体の各々の膜厚およ
び張り合わせ方は、以上のべた第1及び第2の実施形態
のものに限定されるものではなく、所望の記録再生特性
および用途に応じて適宜選択される。そして、光ディス
ク媒体の全応力の値を上述した範囲になるように調整す
ることにより、同様の効果があることは確認済みであ
る。
In the present invention, the composition of the phase change recording film, the Al alloy reflection film, etc., the thickness of each optical disk medium and the method of bonding are limited to those of the first and second embodiments. However, it is selected as appropriate according to the desired recording / reproducing characteristics and intended use. It has been confirmed that the same effect can be obtained by adjusting the value of the total stress of the optical disk medium so as to be in the above-described range.

【0103】更に、第2の実施形態では、レーザ光の照
射による昇温、冷却等によって結晶質と非晶質との間の
構造変化および光学的性質の変化を生じる記録膜を備え
た光ディスク媒体である相変化型光ディスクに関して記
述したが、垂直磁化膜の磁化方向の変化を利用した記録
膜を備えた光磁気ディスクやその他の光ディスク媒体に
関しても同様の効果がある。
Further, in the second embodiment, an optical disk medium provided with a recording film which causes a structural change between crystalline and amorphous and a change in optical properties by heating, cooling, etc. by laser light irradiation Although the description has been made with respect to the phase-change type optical disk described above, the same effect can be obtained with respect to a magneto-optical disk or other optical disk medium having a recording film utilizing a change in the magnetization direction of the perpendicular magnetization film.

【0104】[0104]

【発明の効果】請求項1及び請求項2記載の発明によれ
ば、初期化処理後の光ディスク媒体に生じる全応力の値
を、前述した範囲にあるとしたので、光ディスク媒体の
基板の反り量が小さく、案内溝の歪みが抑えられる。そ
の結果、IDゴーストが低減され、正規のID信号を正
常に検出して安定した記録再生動作を行う信頼性の高い
光ディスク媒体を得ることができる。
According to the first and second aspects of the present invention, since the value of the total stress generated in the optical disk medium after the initialization processing is within the above-described range, the amount of warpage of the substrate of the optical disk medium is set. And the distortion of the guide groove is suppressed. As a result, an ID ghost is reduced, and a highly reliable optical disk medium that normally detects a normal ID signal and performs a stable recording / reproducing operation can be obtained.

【0105】請求項2記載の発明によれば、上述した効
果に加えて更に、初期化処理前に生じる全応力の値が前
述した範囲にあるとしたので、初期化処理後には前述し
た範囲に全応力の値が収まる。このため、初期化処理を
施すことによって初期化後の全応力の値が前述した範囲
外へと変動することを防ぎ、初期化による光ディスク媒
体の不良品の発生を防止することができる。
According to the second aspect of the present invention, in addition to the above-described effects, the value of the total stress generated before the initialization processing falls within the above-described range. The value of the total stress falls. Therefore, by performing the initialization process, it is possible to prevent the value of the total stress after the initialization from fluctuating outside the above-mentioned range, and to prevent the occurrence of defective optical disk media due to the initialization.

【0106】請求項3記載の発明によれば、前述した請
求項1又は2の発明の効果に加えて、保護膜は、情報を
記録または消去する際に相変化記録膜に生じる相変化に
よる伸縮が基板に反りや歪み等を与えるのを緩和する働
きをするので、繰り返しの記録消去動作によるIDゴー
ストの増大を防ぐことができ、長期間、安定して記録再
生動作をすることができる。
According to the third aspect of the present invention, in addition to the effects of the first or second aspect of the present invention, the protective film expands and contracts due to a phase change occurring in the phase change recording film when information is recorded or erased. Acts to alleviate the warping, distortion, and the like of the substrate, so that an increase in ID ghost due to repeated recording / erasing operations can be prevented, and stable recording / reproducing operations can be performed for a long period of time.

【0107】請求項4記載の発明によれば、前述した請
求項3の発明の効果に加えて、二酸化シリコンは、その
内部応力の値を容易にコントロールして形成することが
できるので、光ディスク媒体の全応力の値を上述した所
定の範囲に容易に収めることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, in addition to the effect of the third aspect of the present invention, since silicon dioxide can be formed by easily controlling the value of its internal stress, an optical disk medium can be formed. Can easily fall within the above-mentioned predetermined range.

【0108】請求項5記載の発明によれば、ゾーン間の
距離がガードトラックによって大きくなるので、IDゴ
ーストが低減され、正規のID信号を正常に検出して安
定した記録再生動作を行う信頼性の高い光ディスク媒体
を得ることができる。
According to the fifth aspect of the present invention, since the distance between the zones is increased by the guard track, the ID ghost is reduced, and the reliability of normally detecting a normal ID signal and performing a stable recording / reproducing operation. An optical disk medium with high performance can be obtained.

【0109】請求項6記載の発明によれば、前述した請
求項5記載の発明の効果に加えて、ガードトラックが情
報トラックと同じ形状からなることから、ガードトラッ
クは情報トラックと同様にレーザ光をガイドすることが
できるので、記録再生動作の際のトラッキングをスムー
ズに行うことができる。
According to the sixth aspect of the present invention, in addition to the effect of the fifth aspect of the present invention, the guard track has the same shape as the information track. Can be smoothly guided during the recording / reproducing operation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態に係る光ディスク媒体の単板
構造の部分断面図である。
FIG. 1 is a partial sectional view of a single-plate structure of an optical disc medium according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施形態において、SiO
成膜時のスパッタガス圧とSiO膜単層の内部応力と
の関係を示した図である。
In a first embodiment of the present invention; FIG is a diagram showing the relationship between the internal stress of the SiO 2 film formation time of the sputtering gas pressure and the SiO 2 film monolayer.

【図3】本発明の第1の実施形態において、SiO
単層の内部応力と光ディスク媒体の全応力との関係を示
した図である。
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between an internal stress of a single layer of a SiO 2 film and a total stress of an optical disk medium in the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1の実施形態に係る光ディスク媒体
のゾーン境界のID部の配置を示した図である。
FIG. 4 is a diagram showing an arrangement of ID portions at zone boundaries of the optical disc medium according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第1の実施形態において、IDゴース
ト量の定義に関する諸量を示した図である。
FIG. 5 is a diagram showing various quantities related to the definition of an ID ghost quantity in the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1の実施形態において、SiO
(第1の保護膜)の成膜時に用いるスパッタガス圧を
0.06〔Pa〕から1.0〔Pa〕の範囲で変化させ
て作製した光ディスクの全応力とIDゴースト量の関係
を示した図である。
FIG. 6 is a graph showing a change in a sputtering gas pressure used in forming a SiO 2 film (first protective film) in a range of 0.06 [Pa] to 1.0 [Pa] in the first embodiment of the present invention. FIG. 5 is a diagram showing a relationship between the total stress and the amount of ID ghost of an optical disk manufactured by the above method.

【図7】本発明の第1の実施形態において、光ディスク
媒体の全応力の変化量と温度との関係について示した図
である。
FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the amount of change in the total stress of the optical disk medium and the temperature in the first embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第1の実施形態において、初期化回数
を1回〜4回の範囲で変化させた場合の試料媒体のID
ゴースト量を測定してプロットした図である。
FIG. 8 shows the ID of the sample medium when the number of times of initialization is changed in the range of 1 to 4 times in the first embodiment of the present invention.
It is the figure which measured and plotted the ghost amount.

【図9】本発明の第2の実施形態に係る光ディスク媒体
の一部分におけるガードトラックの配置を示した図であ
る。
FIG. 9 is a diagram showing an arrangement of guard tracks in a part of an optical disc medium according to a second embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第2の実施形態において、IDゴー
スト量の測定結果を示した表である。
FIG. 10 is a table showing measurement results of an ID ghost amount in the second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 ポリカーボネイト製基板 12 SiO膜からなる第1の保護膜 13 ZnS−SiO膜からなる第2の保護膜 14 相変化記録膜 15 ZnS−SiO膜からなる第3の保護膜 91 案内溝凹部 92 案内溝凸部 93 ID部−C 94 ゾーン−C 95 ID部−D 96 ゾーン−D 97 ガードトラックReference Signs List 11 Polycarbonate substrate 12 First protective film made of SiO 2 film 13 Second protective film made of ZnS-SiO 2 film 14 Phase change recording film 15 Third protective film made of ZnS-SiO 2 film 91 Guide groove recess 92 Guide groove convex part 93 ID part-C 94 Zone-C 95 ID part-D 96 Zone-D 97 Guard track

フロントページの続き Fターム(参考) 5D029 HA07 LA14 LB04 LC11 WA01 WD16 5D090 AA01 BB05 CC06 CC11 CC14 DD02 FF45 GG17 GG27 Continued on the front page F term (reference) 5D029 HA07 LA14 LB04 LC11 WA01 WD16 5D090 AA01 BB05 CC06 CC11 CC14 DD02 FF45 GG17 GG27

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板と、この基板上に成膜され且つレー
ザ光を照射したときに光学的に検出可能な反射光量変化
を生じる相変化記録膜とを備えた光ディスク媒体におい
て、 前記相変化記録膜を一様に結晶化する初期化処理が施さ
れた後の当該光ディスク媒体に生じる全応力の値が、引
っ張り応力方向を正符号、圧縮応力方向を負符号とし
て、−0.2〔N/cm〕から+0.8〔N/cm〕ま
での範囲にあることを特徴とする光ディスク媒体。
1. An optical disk medium comprising: a substrate; and a phase change recording film formed on the substrate and causing a change in the amount of reflected light that is optically detectable when irradiated with a laser beam. The value of the total stress generated in the optical disk medium after the initialization process for uniformly crystallizing the film is -0.2 [N / N, where the tensile stress direction is a positive sign and the compressive stress direction is a negative sign. cm] to +0.8 [N / cm].
【請求項2】 基板と、この基板上に成膜され且つレー
ザ光を照射したときに光学的に検出可能な反射光量変化
を生じる相変化記録膜とを備えた光ディスク媒体におい
て、 当該光ディスク媒体に生じる全応力の値が、引っ張り応
力方向を正符号、圧縮応力方向を負符号として、前記相
変化記録膜を一様に結晶化する初期化処理が施される前
では−0.5〔N/cm〕から0〔N/cm〕までの範
囲にあり、前記初期化処理が施された後では−0.2
〔N/cm〕から+0.8〔N/cm〕までの範囲にあ
ることを特徴とする光ディスク媒体。
2. An optical disk medium comprising: a substrate; and a phase change recording film formed on the substrate and producing a change in the amount of reflected light that is optically detectable when irradiated with a laser beam. Before the initialization process for uniformly crystallizing the phase change recording film, the value of the generated total stress is set to -0.5 [N / cm] to 0 [N / cm], and -0.2 after the initialization process is performed.
An optical disc medium characterized by being in the range of [N / cm] to +0.8 [N / cm].
【請求項3】 前記基板と前記相変化記録膜との間に、
保護膜を設けたことを特徴とする請求項1又は2記載の
光ディスク媒体。
3. Between the substrate and the phase change recording film,
3. The optical disk medium according to claim 1, further comprising a protective film.
【請求項4】 前記保護膜は二酸化シリコンからなるこ
とを特徴とする請求項3記載の光ディスク媒体。
4. The optical disk medium according to claim 3, wherein said protective film is made of silicon dioxide.
【請求項5】 凹凸状の案内溝からなる情報トラックに
設けられた記録領域を複数に分割してなる複数のゾーン
と、この各ゾーンに設けられたID部とを備えた光ディ
スク媒体において、 前記ゾーン間に、情報の記録及び再生を行わないガード
トラックを少なくとも1本備えたことを特徴とする光デ
ィスク媒体。
5. An optical disc medium comprising: a plurality of zones obtained by dividing a recording area provided on an information track formed of an uneven guide groove into a plurality of zones; and an ID section provided in each of the zones. An optical disc medium, comprising at least one guard track for not recording and reproducing information between zones.
【請求項6】 前記ガードトラックは、前記情報トラッ
クと同じ凹凸状の案内溝からなることを特徴とする請求
項5記載の光ディスク媒体。
6. The optical disk medium according to claim 5, wherein the guard track is formed of the same concave and convex guide groove as the information track.
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