JP2001135908A - Wiring board - Google Patents

Wiring board

Info

Publication number
JP2001135908A
JP2001135908A JP31823799A JP31823799A JP2001135908A JP 2001135908 A JP2001135908 A JP 2001135908A JP 31823799 A JP31823799 A JP 31823799A JP 31823799 A JP31823799 A JP 31823799A JP 2001135908 A JP2001135908 A JP 2001135908A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring board
wiring
electrodes
electrically connected
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31823799A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yutaka Tanaka
豊 田中
Yosuke Furukawa
洋介 古川
Masayuki Toyama
昌之 外山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP31823799A priority Critical patent/JP2001135908A/en
Publication of JP2001135908A publication Critical patent/JP2001135908A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board where needlessly long wiring nor multilayer for the entire wiring board will not be required. SOLUTION: A semiconductor device 22 comprising a plurality of electrodes 42 is mounted on a wiring board 110. Here, a plurality of external electrodes 43 connected to the plurality of electrodes 42, a first wiring board 24 comprising a plurality of first mutual connections 46, and a second wiring board 26, which is provided so as to face the first wiring board 24, comprises a second mutual connection 44, are provided. The second mutual connection 26 is connected electrically to at least one of the external electrodes 43 in a mounting region, where a two-dimensional range is formed by a region where the plurality of external electrodes 43 are formed while being electrically connected to at least one of the first mutual connections 46 outside the mounting region.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板に関し、
特に、電極数が多い半導体装置を実装する配線基板に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring board,
In particular, the present invention relates to a wiring board on which a semiconductor device having a large number of electrodes is mounted.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の小型化および軽量化の
ため、システムのすべての機能を1つのチップに集積し
た半導体装置、いわゆるシステムLSIの開発が盛んに
行われている。また、システムLSIの機能の向上に伴
い、チップの大型化及び端子電極数の増加が進んでい
る。このような、半導体装置の大型化及び多電極化に伴
って、様々なタイプのパッケージが開発されている。な
お、本明細書では、半導体装置の端子電極を単に「電
極」という。
2. Description of the Related Art In recent years, in order to reduce the size and weight of electronic devices, semiconductor devices in which all functions of the system are integrated on a single chip, so-called system LSIs, have been actively developed. Further, as the functions of system LSIs have been improved, the size of chips and the number of terminal electrodes have been increasing. Various types of packages have been developed with the increase in the size and the number of electrodes of the semiconductor device. Note that in this specification, a terminal electrode of a semiconductor device is simply referred to as an “electrode”.

【0003】電極数が200程度の半導体装置には、低
コストで実現できるQFP(Quad Flat Pa
ckage)が一般的に採用されており、チップの大型
化に対応して、電極ピッチを0.3mm程度まで狭ピッ
チ化されたものが現在実現されている。しかし、実装の
容易性や信頼性を考慮すると、QFPにおいてこれ以上
の狭ピッチ化は困難である。
A semiconductor device having about 200 electrodes has a QFP (Quad Flat Pa) which can be realized at low cost.
Cage) is generally adopted, and a device in which the electrode pitch is narrowed down to about 0.3 mm in response to the increase in size of a chip is currently realized. However, in consideration of ease of mounting and reliability, it is difficult to further narrow the pitch in the QFP.

【0004】電極数が300を超える半導体装置には、
パッケージの下面にグリッドアレイ状(格子状)に電極
が配列されたPGA(Pin Grid Arra
y)、BGA(Ball Grid Array)ある
いはCSP(Chip SizePackage)が採
用される。PGAは、配線基板(プリント基板)を貫通
する穴に電極(ピン)を挿入して実装されるので、電極
ピッチはBGAやCSPに比較して広く、2.54mm
が一般的である。電極数が400を超える大規模な半導
体装置には、電極ピッチをさらに狭くすることが可能な
BGAあるいはCSPが採用され、標準化が近年進めら
れている。BGAの電極ピッチとしては1.27mm
が、CSPの電極ピッチとしては0.8mmが一般的で
ある。また、電極の配列形態としては、例えば、パッケ
ージの下面の外周付近から中心に向かって電極が4列ま
たは5列並べられているものや、パッケージの下面の全
面に電極が敷き詰められているものが開発されてきてい
る。なお、本明細書では、「PGA」や「CSP」は、
パッケージ又はそのようなパッケージを有する半導体装
置を指す。
In a semiconductor device having more than 300 electrodes,
PGA (Pin Grid Array) in which electrodes are arranged in a grid array (lattice form) on the lower surface of the package
y), BGA (Ball Grid Array) or CSP (Chip Size Package) is adopted. PGA is mounted by inserting electrodes (pins) into holes penetrating a wiring board (printed board), so the electrode pitch is wider than BGA or CSP, and is 2.54 mm.
Is common. For a large-scale semiconductor device having more than 400 electrodes, BGA or CSP capable of further narrowing the electrode pitch is adopted, and standardization has been advanced in recent years. 1.27 mm for BGA electrode pitch
However, the CSP electrode pitch is generally 0.8 mm. Further, as an arrangement form of the electrodes, for example, one in which four or five rows of electrodes are arranged from the vicinity of the outer periphery of the lower surface of the package toward the center, or one in which the electrodes are spread all over the lower surface of the package Is being developed. In this specification, “PGA” and “CSP” are:
A package or a semiconductor device having such a package.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】電極がグリッドアレイ
状に高密度に配置された半導体装置、特にBGAやCS
Pのような電極ピッチの狭い半導体装置を実装する場合
においては、半導体装置の電極と接続される外部電極が
形成された領域によって規定される2次元的な領域が投
影される配線基板の領域(以下「実装領域」という。)
内及び周辺の配線密度が他の領域よりも高くなり、配線
の引き出しが困難になる。特に、外部電極のうち実装領
域の中央に近いものほど外部電極と電気的に接続された
配線を引き出すのが困難になる。例えば、電極ピッチが
1.27mmより小さくなると、パターン設計の際に隣
接する外部電極間に1本しか配線を引けない場合があ
る。
A semiconductor device in which electrodes are arranged in a grid array at a high density, especially a BGA or CS
In the case of mounting a semiconductor device having a narrow electrode pitch such as P, a two-dimensional region defined by a region where external electrodes connected to the electrodes of the semiconductor device are formed is projected onto a region of the wiring board ( Hereinafter, it is referred to as “mounting area”.)
The wiring density inside and around is higher than in other regions, and it is difficult to draw out the wiring. In particular, it becomes more difficult for the external electrodes closer to the center of the mounting area to draw out the wiring electrically connected to the external electrodes. For example, when the electrode pitch is smaller than 1.27 mm, only one wiring may be drawn between adjacent external electrodes during pattern design.

【0006】そこで、配線密度の高い領域を迂回するよ
うに配線を形成したり、配線基板の配線層の数を増やす
ことによって配線を引き出す方法が、一般的に行われて
いる。
Therefore, a method of forming a wiring so as to bypass a region having a high wiring density or increasing the number of wiring layers of a wiring board to draw out the wiring is generally performed.

【0007】しかし、迂回するように配線を形成すると
配線長が長くなり、信号伝達時間が長くなるという問題
が生じる。また、配線基板の配線層の数を増やすと、一
部のために基板全体の多層化を行うことになり、無駄な
配線層が形成されるとともに製造コストが上昇するとい
う問題がある。
However, if the wiring is formed so as to bypass the wiring, the wiring length becomes longer, and there is a problem that the signal transmission time becomes longer. Further, when the number of wiring layers of the wiring substrate is increased, the entire substrate is multi-layered for a part of the wiring substrate, so that there is a problem that useless wiring layers are formed and the manufacturing cost increases.

【0008】また、特開平10−135378号公報
は、パッケージの外周に近い部分の電極ほど電極ピッチ
を広くすることによって配線基板の実装領域内の配線が
集中することを防ぐ技術を開示している。しかしなが
ら、この技術は、特殊な電極配列のパッケージを必要と
するので、一定ピッチで配列された電極を有する汎用性
の高い一般的なパッケージ(半導体装置)には適用でき
ない。
Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei 10-135378 discloses a technique for preventing the concentration of wiring in the mounting area of the wiring board by increasing the electrode pitch of the electrode closer to the outer periphery of the package. . However, since this technique requires a package having a special electrode arrangement, it cannot be applied to a general-purpose general-purpose package (semiconductor device) having electrodes arranged at a constant pitch.

【0009】本発明は、上述の問題を解決するためにな
されたものであり、一定ピッチのグリッドアレイ状に高
密度に配置された電極を有する汎用の半導体装置を実装
することを可能とする配線基板であって、不必要に長い
配線の形成または配線基板全体の多層化を必要としない
配線基板を提供することを目的とする。また、本発明
は、半導体装置を電気的に安定して動作させることが可
能であり、簡便に仕様を変更できる配線基板を提供する
ことを他の目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and has been made in view of the above circumstances. An object of the present invention is to provide a wiring board which does not require the formation of an unnecessarily long wiring or the multilayering of the entire wiring board. Another object of the present invention is to provide a wiring board that can operate a semiconductor device electrically stably and whose specifications can be easily changed.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の局面によ
る配線基板は、複数の電極を有する半導体装置が実装さ
れる配線基板であって、前記半導体装置の前記複数の電
極と接続される複数の外部電極と、複数の第1相互接続
を有する第1配線基板と、前記第1配線基板と対向する
ように配設され、第2相互接続を有する第2配線基板と
を有し、前記第2相互接続は、前記複数の外部電極が形
成された領域によって2次元的な範囲が規定される実装
領域内において、前記複数の外部電極のうちの少なくと
も1つの外部電極と電気的に接続され、かつ、前記実装
領域外において、前記複数の第1相互接続のうちの少な
くとも1つの第1相互接続と電気的に接続されており、
そのことによって上記目的が達成される。
A wiring board according to a first aspect of the present invention is a wiring board on which a semiconductor device having a plurality of electrodes is mounted, and is connected to the plurality of electrodes of the semiconductor device. A plurality of external electrodes, a first wiring board having a plurality of first interconnects, and a second wiring board disposed to face the first wiring board and having a second interconnect, The second interconnect is electrically connected to at least one external electrode of the plurality of external electrodes in a mounting area in which a two-dimensional range is defined by a region in which the plurality of external electrodes are formed. And, outside the mounting area, electrically connected to at least one first interconnect of the plurality of first interconnects;
Thereby, the above object is achieved.

【0011】前記複数の第1相互接続のうちの他の少な
くとも1つの第1相互接続は、前記複数の外部電極のう
ちの他の少なくとも1つの外部電極と前記実装領域内で
電気的に接続されていてもよい。
[0011] At least one other first interconnect of the plurality of first interconnects is electrically connected to at least one other external electrode of the plurality of external electrodes in the mounting area. May be.

【0012】前記複数の外部電極は、前記第2配線基板
の上面に形成されており、前記第1配線基板は、前記第
1配線基板の上面が前記第2配線基板の下面に対向する
ように配置されていてもよい。
[0012] The plurality of external electrodes are formed on an upper surface of the second wiring substrate, and the first wiring substrate is arranged such that an upper surface of the first wiring substrate faces a lower surface of the second wiring substrate. It may be arranged.

【0013】前記複数の外部電極は、前記第1配線基板
の上面に形成されており、前記第2配線基板は、前記第
2配線基板の上面が前記第1配線基板の下面に対向する
ように配置されていてもよい。
[0013] The plurality of external electrodes are formed on an upper surface of the first wiring substrate, and the second wiring substrate is formed such that an upper surface of the second wiring substrate faces a lower surface of the first wiring substrate. It may be arranged.

【0014】前記第2相互接続は、前記第1配線基板の
前記上面から前記下面に貫通するビアホールを介して、
前記少なくとも1つの外部電極と電気的に接続されてい
てもよい。
The second interconnect is connected via a via hole penetrating from the upper surface of the first wiring board to the lower surface.
It may be electrically connected to the at least one external electrode.

【0015】前記第2配線基板は、他の半導体装置の電
極と電気的に接続するための他の外部電極をさらに有
し、前記他の外部電極は、前記複数の外部電極のうちの
少なくとも1つと電気的に接続されていることが好まし
い。
The second wiring board further has another external electrode for electrically connecting to an electrode of another semiconductor device, and the other external electrode is at least one of the plurality of external electrodes. Preferably, they are electrically connected to one another.

【0016】前記第1配線基板および前記第2配線基板
のうちの少なくとも一方は、前記複数の外部電極のうち
の少なくとも1つと電気的に接続されたグランドパター
ンを有するグランド層および前記複数の外部電極のうち
の少なくとも1つと電気的に接続された電源パターンを
有する電源層のうちの少なくとも一方をさらに有しても
よい。
At least one of the first wiring board and the second wiring board has a ground layer having a ground pattern electrically connected to at least one of the plurality of external electrodes, and the plurality of external electrodes. At least one of a power supply layer having a power supply pattern electrically connected to at least one of the power supply layers.

【0017】前記第1配線基板は、前記下面に設けら
れ、前記複数の第1相互接続と電気的に接続された複数
の第1接続電極を有し、前記第2配線基板は、前記上面
に設けられ、前記第2相互接続と電気的に接続された複
数の第2接続電極を有し、前記実装領域内における前記
ビアホールと前記第2相互接続との電気的な接続および
前記実装領域外における前記第2相互接続と前記少なく
とも1つの第1相互接続との電気的な接続は、前記複数
の第1接続電極と前記複数の第2接続電極との間に選択
的に設けられた導電性接続部材を介して行われることが
好ましい。
The first wiring substrate has a plurality of first connection electrodes provided on the lower surface and electrically connected to the plurality of first interconnections, and the second wiring substrate has a structure on the upper surface. A plurality of second connection electrodes that are provided and electrically connected to the second interconnect, and electrically connect the via hole and the second interconnect in the mounting area and outside the mounting area. An electrical connection between the second interconnect and the at least one first interconnect is a conductive connection selectively provided between the plurality of first connection electrodes and the plurality of second connection electrodes. It is preferably performed via a member.

【0018】前記導電性接続部材は、導電性ゴムで形成
されていることが好ましい。
It is preferable that the conductive connecting member is made of conductive rubber.

【0019】本発明の第2の局面による配線基板は、複
数の電極を有する半導体装置が実装される配線基板であ
って、複数の第1相互接続を有する第1多層配線構造
と、前記第1多層配線構造の上面に形成された前記半導
体装置の前記複数の電極と接続される複数の外部電極
と、前記第1多層配線構造の下面の一部に接して設けら
れ、第2相互接続を有する第2配線構造とを有し、前記
第2相互接続は、前記複数の外部電極が形成された領域
によって2次元的な範囲が規定される実装領域内におい
て、前記複数の外部電極のうちの少なくとも1つの外部
電極と電気的に接続され、且つ、前記実装領域外におい
て、前記複数の第1相互接続のうちの少なくとも1つの
第1相互接続と電気的に接続されており、そのことによ
って上記目的が達成される。
A wiring board according to a second aspect of the present invention is a wiring board on which a semiconductor device having a plurality of electrodes is mounted, wherein the first multilayer wiring structure having a plurality of first interconnects and the first multilayer wiring structure are provided. A plurality of external electrodes connected to the plurality of electrodes of the semiconductor device formed on an upper surface of the multilayer wiring structure, and a second interconnect provided in contact with a part of the lower surface of the first multilayer wiring structure; A second wiring structure, wherein the second interconnect has at least one of the plurality of external electrodes in a mounting region in which a two-dimensional range is defined by a region where the plurality of external electrodes are formed. Electrically connected to one external electrode, and electrically connected to at least one first interconnect of the plurality of first interconnects outside the mounting area, thereby achieving the above object. Achieved That.

【0020】実装領域内に設けられた伝熱性部材をさら
に有し、前記伝熱性部材を介して放熱部材に接合されて
いることが好ましい。
It is preferable that the device further comprises a heat conductive member provided in the mounting area, and is joined to the heat radiating member via the heat conductive member.

【0021】本発明の第3の局面による配線基板は、複
数の電極を有する半導体装置が実装される配線基板であ
って、前記半導体装置の前記複数の電極と接続される複
数の外部電極と、それぞれが、前記複数の外部電極のう
ちの少なくとも1つとビアホールを介して電気的に接続
されている複数の配線層とを有し、前記複数の配線層
は、電源パターンを有する電源層及びグランドパターン
を有するグランド層のうちの少なくとも一方を有し、前
記電源層及び前記グランド層のうちの前記少なくとも一
方を貫通して形成される前記ビアホールの本数は、前記
電源層及び前記グランド層のうちの前記少なくとも一方
を貫通しないで形成される前記ビアホールの本数よりも
少なく、そのことによって上記目的が達成される。
A wiring board according to a third aspect of the present invention is a wiring board on which a semiconductor device having a plurality of electrodes is mounted, and a plurality of external electrodes connected to the plurality of electrodes of the semiconductor device; Each of the plurality of wiring layers includes a plurality of wiring layers electrically connected to at least one of the plurality of external electrodes via via holes, and the plurality of wiring layers includes a power supply layer having a power supply pattern and a ground pattern. Having at least one of the ground layers having the number of the via holes formed through at least one of the power layer and the ground layer, The number of the via holes formed without penetrating at least one of them is smaller than that, thereby achieving the above object.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施形態を説明する。以下の図面においては、簡単
さのために、実質的に同一の機能を有する構成要素を同
一の参照符号で示す。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, components having substantially the same function are denoted by the same reference numeral for simplicity.

【0023】(実施形態1)図1を参照しながら、実施
形態1の配線基板(実装基板)110を説明する。
(Embodiment 1) A wiring board (mounting board) 110 of Embodiment 1 will be described with reference to FIG.

【0024】図1は、アレイ状に配列された複数の電極
(端子電極)42を有する半導体装置(半導体部品)2
2が実装されている配線基板110を模式的に示す断面
図である。半導体装置22は例えばBGAである。
FIG. 1 shows a semiconductor device (semiconductor component) 2 having a plurality of electrodes (terminal electrodes) 42 arranged in an array.
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically illustrating a wiring board 110 on which a wiring board 2 is mounted. The semiconductor device 22 is, for example, a BGA.

【0025】配線基板110は、複数の配線及びビアホ
ール(第1相互接続)46を有する第1配線基板(メイ
ン配線基板)24と、配線(第2相互接続)44を有す
る第2配線基板(サブ配線基板または子基板)26とを
有している。第1配線基板24と第2配線基板26とは
別々に形成されている。半導体装置22の複数の電極4
2と接続される複数のランド(外部電極)43が第1配
線基板24の上面(実装面)24aに形成されている。
第2配線基板26は、第2配線基板の上面26aが第1
配線基板24の下面(背面)24bに対向するように、
第1配線基板24の下面24bと接することなく配置さ
れている。第2相互接続44は、半導体装置22の電極
42と接続される外部電極43が形成された領域によっ
て2次元的な範囲が規定される実装領域内において、接
続部材28を介して外部電極43と電気的に接続され、
かつ、実装領域外において、接続部材29を介して第1
相互接続46と電気的に接続されている。
The wiring substrate 110 includes a first wiring substrate (main wiring substrate) 24 having a plurality of wirings and via holes (first interconnections) 46 and a second wiring substrate (sub-wiring) having wirings (second interconnections) 44. Wiring board or daughter board) 26. The first wiring board 24 and the second wiring board 26 are formed separately. Plural electrodes 4 of semiconductor device 22
A plurality of lands (external electrodes) 43 connected to 2 are formed on the upper surface (mounting surface) 24 a of the first wiring board 24.
The second wiring board 26 has an upper surface 26a that is the first wiring board.
In order to face the lower surface (back surface) 24b of the wiring board 24,
The first wiring board 24 is arranged without being in contact with the lower surface 24b. The second interconnect 44 is connected to the external electrode 43 via the connection member 28 in a mounting area where a two-dimensional range is defined by a region where the external electrode 43 connected to the electrode 42 of the semiconductor device 22 is formed. Electrically connected,
In addition, outside the mounting area, the first
It is electrically connected to the interconnect 46.

【0026】なお、「相互接続」は、電気を伝導する構
成要素を指し、配線及びビアホール(インナービア、ビ
ア又はスルーホール)を含む。
The term "interconnect" refers to a component that conducts electricity and includes wiring and via holes (inner vias, vias or through holes).

【0027】上述のように、配線基板110において
は、外部電極43と実装領域外に形成されている第1相
互接続46とが、実装領域内から実装領域外へと延びる
第2相互接続44を介して電気的に接続されている。す
なわち、第2相互接続44を設けることによって、半導
体装置22の電極群112の下方に位置する第1配線基
板24の領域を迂回することができる。第2配線基板2
6に形成された第2相互接続44を介して、第1配線基
板24の実装領域外に形成された第1相互接続46に接
続される外部電極43は図示の例に限られず、勿論複数
の外部電極43を複数の第2相互接続を介して実装領域
外の複数の第1相互接続46に接続してもよい。このと
き、複数の外部電極43のうち実装領域の内側にある外
部電極43ほど、第2相互接続44を用いて迂回できる
領域が広くなるので、第1配線基板24の実装領域内の
配線密度を低くする効果が大きい。このように、本発明
による配線基板110を用いると、一定ピッチでグリッ
ドアレイ状に高密度に配置された電極42を有する汎用
の半導体装置22(例えばBGA)であっても、実装領
域及びその周辺の配線密度を効率的に低下させることが
できる。
As described above, in the wiring board 110, the external electrode 43 and the first interconnect 46 formed outside the mounting area are connected to the second interconnect 44 extending from the inside of the mounting area to the outside of the mounting area. Are electrically connected via That is, by providing the second interconnect 44, the region of the first wiring board 24 located below the electrode group 112 of the semiconductor device 22 can be bypassed. Second wiring board 2
The external electrodes 43 connected to the first interconnects 46 formed outside the mounting region of the first wiring board 24 via the second interconnects 44 formed in the first wiring board 24 are not limited to the example shown in FIG. The external electrode 43 may be connected to a plurality of first interconnects 46 outside the mounting area via a plurality of second interconnects. At this time, among the plurality of external electrodes 43, as the external electrode 43 is located inside the mounting area, the area that can be detoured by using the second interconnect 44 becomes wider, so that the wiring density in the mounting area of the first wiring board 24 is reduced. The effect of lowering is large. As described above, when the wiring substrate 110 according to the present invention is used, even in a general-purpose semiconductor device 22 (for example, a BGA) having the electrodes 42 arranged at high density in a grid array at a constant pitch, the mounting area and its periphery Can be efficiently reduced.

【0028】また、外部電極43に接続された配線を第
2配線基板26に形成された第2相互接続44を介して
実装領域外に引き出すことによって、電極群112に電
気的に接続され、第1配線基板24に形成される配線群
(不図示)を第1配線基板24内で迂回するよりも、配
線の長さを短くすることができる。従って、演算素子の
処理速度が100MHzを超えて高速化する今日でも、
配線が長いことによって信号の動作速度が遅くなるとい
う問題を回避できる。
The wiring connected to the external electrode 43 is drawn out of the mounting area through the second interconnect 44 formed on the second wiring board 26, so that the wiring is electrically connected to the electrode group 112. The length of the wiring can be reduced as compared with the case where the wiring group (not shown) formed on the one wiring substrate 24 is bypassed in the first wiring substrate 24. Therefore, even today, when the processing speed of the arithmetic element is increased beyond 100 MHz,
The problem that the operation speed of a signal is reduced due to the long wiring can be avoided.

【0029】さらに、第2配線基板26は、第2相互接
続44によるバイパスが必要な場所に選択的に設ければ
よく、第1配線基板24全体の多層化をする必要はな
い。すなわち、必要とされる最小限の大きさの第2配線
基板26を設けるだけで、第1配線基板24全体を多層
化したものと同等の機能を発揮する配線基板110が得
られる。したがって、配線基板110は、第1配線基板
24全体を多層化したものよりも低コストで製造でき
る。また、第2配線基板24の構成を変更するだけで配
線基板110の仕様を変更することができる。なお、図
1には、第2相互接続44として、実装領域内から実装
領域外に延びる1本の配線44を示したが、これに限ら
れず、任意の数の配線及びビアホールを介して外部電極
43を実装領域外の第1相互接続46と接続してもよ
い。
Further, the second wiring board 26 may be selectively provided at a place where a bypass by the second interconnect 44 is required, and it is not necessary to make the entire first wiring board 24 multilayer. That is, only by providing the required minimum size of the second wiring board 26, the wiring board 110 having the same function as that obtained by multilayering the entire first wiring board 24 can be obtained. Therefore, the wiring board 110 can be manufactured at a lower cost than the multilayered first wiring board 24. Further, the specifications of the wiring board 110 can be changed only by changing the configuration of the second wiring board 24. Although FIG. 1 shows one wiring 44 extending from the inside of the mounting area to outside of the mounting area as the second interconnect 44, the present invention is not limited to this, and the external electrode may be connected via an arbitrary number of wirings and via holes. 43 may be connected to a first interconnect 46 outside the mounting area.

【0030】次に、図2を参照しながら、本実施形態の
配線基板110をより具体化した配線基板120を説明
する。
Next, referring to FIG. 2, a description will be given of a wiring board 120 which is a more specific version of the wiring board 110 of the present embodiment.

【0031】図2は、半導体装置22とコネクタ136
とが実装されている配線基板120を示す断面図であ
る。
FIG. 2 shows the semiconductor device 22 and the connector 136.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a wiring board 120 on which the components are mounted.

【0032】配線基板120は、第1配線基板としての
4層プリント基板124と、第2配線基板としての2層
プリント基板126と、導電性接続部材128および1
29とを有している。4層プリント基板124と2層プ
リント基板126とはネジ137によって互いに固定さ
れている。4層プリント基板124の下面124bには
接続部材としてのランド(第1接続電極)121および
123が形成されており、2層プリント基板126の上
面126aにはランド(第2接続電極)132および1
33が形成されている。第1接続電極121と第2接続
電極133との間に導電性接続部材129が、第1接続
電極123と第2接続電極132との間に導電性接続部
材128が、それぞれ配置され、ネジ137の締めつけ
力によって、これらの間に挟持されている。
The wiring board 120 includes a four-layer printed board 124 as a first wiring board, a two-layer printed board 126 as a second wiring board, and conductive connecting members 128 and 1.
29. The four-layer printed board 124 and the two-layer printed board 126 are fixed to each other by screws 137. Lands (first connection electrodes) 121 and 123 as connection members are formed on the lower surface 124b of the four-layer printed circuit board 124, and lands (second connection electrodes) 132 and 1 are formed on the upper surface 126a of the two-layer printed circuit board 126.
33 are formed. A conductive connection member 129 is disposed between the first connection electrode 121 and the second connection electrode 133, and a conductive connection member 128 is disposed between the first connection electrode 123 and the second connection electrode 132. Is clamped between them by the tightening force.

【0033】4層プリント基板124は、コネクタ13
6と電気的に接続された第1相互接続としての第1配線
146と、上面124aに形成され、それぞれが、半導
体装置22の複数の電極42のうちの1つと半田付けに
よって電気的に接続された複数の外部電極43と、第1
接続電極121および123と、ビアホール125およ
び122とを有している。ビアホール122は、4層プ
リント基板124の上面124aから下面124bに貫
通し、外部電極43と第1接続電極123とを電気的に
接続している。ビアホール125は、第1配線146と
第1接続電極121とを電気的に接続している。
The four-layer printed circuit board 124 includes the connector 13
A first wiring 146 as a first interconnect electrically connected to the first wiring 6 and an upper surface 124a, each of which is electrically connected to one of the plurality of electrodes 42 of the semiconductor device 22 by soldering. And a plurality of external electrodes 43
It has connection electrodes 121 and 123 and via holes 125 and 122. The via hole 122 penetrates from the upper surface 124a to the lower surface 124b of the four-layer printed circuit board 124, and electrically connects the external electrode 43 and the first connection electrode 123. The via hole 125 electrically connects the first wiring 146 and the first connection electrode 121.

【0034】2層プリント基板126は、第2相互接続
としての第2配線144と、第2接続電極132および
133と、ビアホール101および102とを有してい
る。第2接続電極132および133は、2層プリント
基板126の上面126aに形成され、第1接続電極1
23および121に対向するようにそれぞれ配設されて
いる。ビアホール101は第2配線144と第2接続電
極132とを電気的に接続し、ビアホール102は第2
配線144と第2接続電極133とを電気的に接続して
いる。
The two-layer printed circuit board 126 has a second wiring 144 as a second interconnect, second connection electrodes 132 and 133, and via holes 101 and 102. The second connection electrodes 132 and 133 are formed on the upper surface 126a of the two-layer printed board 126, and the first connection electrodes
23 and 121 are disposed respectively. The via hole 101 electrically connects the second wiring 144 to the second connection electrode 132, and the via hole 102
The wiring 144 and the second connection electrode 133 are electrically connected.

【0035】第1接続電極123と第2接続電極132
との間および第1接続電極121と第2接続電極133
との間にそれぞれ挟持された導電性接続部材128およ
び129は、例えば導電性ゴムから形成され、第1接続
電極123および第2接続電極132を電気的に接続す
る。導電性ゴムから形成された導電性接続部材128お
よび129を用いると、ネジ137による機械的な締め
つけ力によって安定な電気的接続が得られるとともに、
接続のやり直しを簡単にできる利点がある。勿論、他の
導電性材料を用いてもよい。
The first connection electrode 123 and the second connection electrode 132
Between the first connection electrode 121 and the second connection electrode 133
The conductive connection members 128 and 129 sandwiched between the first and second connection electrodes are electrically connected to the first connection electrode 123 and the second connection electrode 132, for example. By using the conductive connecting members 128 and 129 formed of conductive rubber, a stable electric connection can be obtained by the mechanical tightening force of the screw 137, and
There is an advantage that the connection can be easily redone. Of course, other conductive materials may be used.

【0036】ビアホール122、第1接続電極123、
導電性接続部材128、第2接続電極132及びビアホ
ール101は実装領域内に形成されている。一方、ビア
ホール125、第1接続電極121、導電性接続部材1
29、第2接続電極133及びビアホール102は実装
領域外に形成されている。2層プリント基板126の第
2配線144(第2相互接続)は、実装領域内におい
て、ビアホール101、第2接続電極132、導電性接
続部材128、第1接続電極123及びビアホール12
2を介して外部電極43と電気的に接続され、かつ、実
装領域外において、ビアホール102、第2接続電極1
33、導電性接続部材129、第1接続電極121及び
ビアホール125を介して、4層プリント基板124の
第1配線146(第1相互接続)と電気的に接続されて
いる。
The via hole 122, the first connection electrode 123,
The conductive connection member 128, the second connection electrode 132, and the via hole 101 are formed in the mounting area. On the other hand, the via hole 125, the first connection electrode 121, the conductive connection member 1
29, the second connection electrode 133 and the via hole 102 are formed outside the mounting region. The second wiring 144 (second interconnection) of the two-layer printed circuit board 126 has a via hole 101, a second connection electrode 132, a conductive connection member 128, a first connection electrode 123, and a via hole 12 in the mounting area.
2, the via hole 102 and the second connection electrode 1 outside the mounting region.
33, the conductive connection member 129, the first connection electrode 121, and the via hole 125 are electrically connected to the first wiring 146 (first interconnection) of the four-layer printed circuit board 124.

【0037】上述のように、第2配線144を介して外
部電極43と第1配線146とを電気的に接続すること
によって、半導体装置22の電極群112の下方に位置
する4層プリント基板124の領域を迂回することがで
きる。このように、本発明による配線基板120を用い
ると、一定ピッチでグリッドアレイ状に高密度に配置さ
れた電極42を有する汎用の半導体装置22であって
も、実装領域及びその周辺の配線密度を効率的に低下さ
せることができる。
As described above, by electrically connecting the external electrode 43 and the first wiring 146 via the second wiring 144, the four-layer printed circuit board 124 located below the electrode group 112 of the semiconductor device 22 is formed. Area can be bypassed. As described above, when the wiring board 120 according to the present invention is used, even in the general-purpose semiconductor device 22 having the electrodes 42 arranged at high density in a grid array at a constant pitch, the wiring density in the mounting area and the periphery thereof is reduced. It can be reduced efficiently.

【0038】外部電極43のうち第2相互接続144と
電気的に接続される外部電極43の数および位置は、第
1配線基板124の実装領域に応じて適宜選択される。
複数の外部電極43のうち実装領域の内側にある外部電
極43を第2配線144に接続した場合ほど、迂回でき
る領域が広くなるので、4層プリント基板124の実装
領域内の配線密度を低くする効果が大きい。また、第2
相互接続144が、第1配線基板124の上面124a
から下面124bに貫通するビアホール122を介して
外部電極43と電気的に接続されていることによって
も、実装領域の配線密度を効果的に抑制できる。
The number and position of the external electrodes 43 electrically connected to the second interconnect 144 among the external electrodes 43 are appropriately selected according to the mounting area of the first wiring board 124.
When the external electrode 43 inside the mounting area among the plurality of external electrodes 43 is connected to the second wiring 144, the area that can be bypassed becomes wider, so that the wiring density in the mounting area of the four-layer printed circuit board 124 is reduced. Great effect. Also, the second
The interconnect 144 is formed on the upper surface 124 a of the first wiring board 124.
Electrically connected to the external electrode 43 via the via hole 122 penetrating through the lower surface 124b from the bottom, the wiring density in the mounting region can be effectively suppressed.

【0039】また、外部電極43に接続された配線を第
2配線基板126に形成された第2配線144介して実
装領域外に引き出すことによって、電極群112に電気
的に接続され、第1配線基板124に形成される配線群
(不図示)を第1配線基板124内で迂回するよりも、
配線の長さを短くすることができる。従って、配線が長
いことによって信号の動作速度が遅くなるという問題を
回避できる。
The wiring connected to the external electrode 43 is drawn out of the mounting area via the second wiring 144 formed on the second wiring board 126, and is electrically connected to the electrode group 112, and is connected to the first wiring. Rather than bypassing a wiring group (not shown) formed on the substrate 124 in the first wiring substrate 124,
The length of the wiring can be reduced. Therefore, it is possible to avoid the problem that the operation speed of the signal is reduced due to the long wiring.

【0040】さらに、2層プリント基板126は、第2
配線144によるバイパスが必要な場所に選択的に設け
ればよく、第1配線基板124全体の多層化をする必要
はない。すなわち、プリント基板を局所的に擬似的に多
層化すればよい。したがって、配線基板120は、第1
配線基板124全体を多層化したものよりも低コストで
製造できる。
Further, the two-layer printed circuit board 126 is
What is necessary is just to selectively provide in the place where the bypass by the wiring 144 is needed, and it is not necessary to make the whole 1st wiring board 124 multilayer. That is, the printed circuit board may be locally formed in a pseudo multilayer. Therefore, the wiring substrate 120 is
The wiring board 124 can be manufactured at a lower cost than a multilayer board.

【0041】また、4層プリント基板(第1配線基板)
124は、グランド層161および電源層163をさら
に有している。グランド層161は、複数の外部電極4
3のうちの少なくとも1つと電気的に接続されたグラン
ドパターンを有している。電源層163は、複数の外部
電極43のうちの少なくとも1つと電気的に接続された
電源パターンを有している。なお、グランドパターンお
よび電源パターンは、それぞれグランド層161および
電源層163の全面に形成されていてもよい。
Further, a four-layer printed circuit board (first wiring board)
Reference numeral 124 further includes a ground layer 161 and a power supply layer 163. The ground layer 161 includes a plurality of external electrodes 4.
3 has a ground pattern electrically connected to at least one of them. The power supply layer 163 has a power supply pattern electrically connected to at least one of the plurality of external electrodes 43. The ground pattern and the power supply pattern may be formed on the entire surface of the ground layer 161 and the power supply layer 163, respectively.

【0042】グランドパターンおよび電源パターンは、
一種のコンデンサとしての役割を果たすため、半導体装
置22内部で消費した電流の局所的かつ一時的な供給源
となる。このため、グランドパターンおよび電源パター
ンによって、半導体装置22を電気的に安定に動作させ
ることができる。なお、大きなパターン(グランドパタ
ーンまたは電源パターン)は、容量の大きなコンデンサ
のように機能し、小さなパターンは容量の小さなコンデ
ンサのように機能する。
The ground pattern and the power supply pattern
Since it serves as a kind of capacitor, it serves as a local and temporary supply source of current consumed inside the semiconductor device 22. Therefore, the semiconductor device 22 can be electrically operated stably by the ground pattern and the power supply pattern. A large pattern (a ground pattern or a power supply pattern) functions like a capacitor having a large capacitance, and a small pattern functions like a capacitor having a small capacitance.

【0043】4層プリント基板(第1配線基板)124
に限らず、2層プリント基板(第2配線基板)が、グラ
ンド層および電源層をさらに有していてもよい。一般
に、半導体装置22のグランド用電極および電源用電極
は、パッケージの最も内側に設けられることが多いの
で、これらの電極を第2相互接続を介して実装領域外に
引き出すことが好ましい。なお、グランドパターンと
は、電気的に接続された部材の電位を大地の電位と等し
くさせ、また、過大電流が半導体装置に流入するのを防
ぐための導体パターンである。
Four-layer printed circuit board (first wiring board) 124
Not limited to this, the two-layer printed board (second wiring board) may further include a ground layer and a power supply layer. In general, the ground electrode and the power supply electrode of the semiconductor device 22 are often provided on the innermost side of the package. Therefore, it is preferable that these electrodes be led out of the mounting area via the second interconnect. Note that the ground pattern is a conductor pattern for making the potential of electrically connected members equal to the potential of the ground and preventing an excessive current from flowing into the semiconductor device.

【0044】また、実施形態5で説明するように、電気
的な接続の安定性のパターンの観点から、グランドパタ
ーンや電源パターンを貫通するビアホールの数はできる
だけ少ない方が好ましい。従って、グランド層や電源層
は、配線基板の下層(実装面から遠い配線層)に形成さ
れることが好ましい。
As described in the fifth embodiment, it is preferable that the number of via holes penetrating the ground pattern and the power supply pattern be as small as possible from the viewpoint of the stability of electrical connection. Therefore, it is preferable that the ground layer and the power supply layer are formed below the wiring board (a wiring layer far from the mounting surface).

【0045】なお、第1配線基板および第2配線基板
は、それぞれ独立に公知の配線基板の製造方法で作製さ
れ得る。
The first wiring board and the second wiring board can be independently manufactured by a known wiring board manufacturing method.

【0046】(実施形態2)以下の実施形態では、実施
形態1と異なる点を主に説明し、実施形態1と共通する
点の説明は簡略化するか又は省略する。
(Embodiment 2) In the following embodiments, differences from Embodiment 1 will be mainly described, and description of points common to Embodiment 1 will be simplified or omitted.

【0047】実施形態2の配線基板は、半導体装置の複
数の電極と接続される外部電極が第2配線基板の上面に
形成されている点で、外部電極が第1配線基板の上面に
形成されている実施形態1の配線基板と主として異な
る。
The wiring board according to the second embodiment has an external electrode formed on the upper surface of the first wiring substrate in that external electrodes connected to a plurality of electrodes of the semiconductor device are formed on the upper surface of the second wiring substrate. This is mainly different from the wiring board of the first embodiment.

【0048】図3を参照しながら、実施形態2の配線基
板130を説明する。図3は、アレイ状に配列された複
数の電極42を有する半導体装置22が実装されている
配線基板130を模式的に示す断面図である。
The wiring board 130 according to the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a wiring board 130 on which the semiconductor device 22 having a plurality of electrodes 42 arranged in an array is mounted.

【0049】半導体装置22の複数の電極42と接続さ
れる複数の外部電極43が第2配線基板(サブ配線基板
または子基板)26の上面26aに形成されている。第
2配線基板26は、第1配線基板(メイン配線基板)2
4の上面24aが第2配線基板26の下面26bに対向
するように、第1配線基板24の上面24aと接するこ
となく配置されている。第2相互接続44は、実装領域
内において外部電極43と電気的に接続され、かつ、実
装領域外において接続部材を介して第1相互接続46と
電気的に接続されている。
A plurality of external electrodes 43 connected to the plurality of electrodes 42 of the semiconductor device 22 are formed on the upper surface 26 a of the second wiring board (sub wiring board or child board) 26. The second wiring board 26 includes a first wiring board (main wiring board) 2
4 is arranged so as to face the lower surface 26b of the second wiring substrate 26 without contacting the upper surface 24a of the first wiring substrate 24. The second interconnect 44 is electrically connected to the external electrode 43 inside the mounting area, and is electrically connected to the first interconnect 46 via a connecting member outside the mounting area.

【0050】第1配線基板24と第2配線基板26との
間には、複数の接続端子188が介在している。第2相
互接続44に電気的に接続されている外部電極43以外
の外部電極43は、第2配線基板24に形成されている
配線(不図示)に接続端子188を介して電気的に接続
されている。
A plurality of connection terminals 188 are interposed between the first wiring board 24 and the second wiring board 26. The external electrodes 43 other than the external electrodes 43 electrically connected to the second interconnect 44 are electrically connected to wiring (not shown) formed on the second wiring board 24 via the connection terminals 188. ing.

【0051】上述のように、配線基板130において
は、外部電極43と実装領域外に形成されている第1相
互接続46とが、実装領域内から実装領域外へと延びる
第2相互接続44を介して電気的に接続されている。す
なわち、第2相互接続44を設けることによって、半導
体装置22の電極群112の下方に位置する第1配線基
板24の領域を迂回することができる。第2配線基板2
6に形成された第2相互接続44を介して、第1配線基
板24の実装領域外に形成された第1相互接続46に接
続される外部電極43は図示の例に限られず、勿論複数
の外部電極43を複数の第2相互接続を介して実装領域
外の複数の第1相互接続46に接続してもよい。このよ
うに、本発明による配線基板130を用いると、一定ピ
ッチでグリッドアレイ状に高密度に配置された電極42
を有する汎用の半導体装置22(例えばBGA)であっ
ても、第1配線基板24の実装領域及びその周辺の配線
密度を効率的に低下させることができる。第1配線基板
24の実装領域及びその周辺の配線密度が低下している
ことは、接続端子188の数が外部電極43の数より少
ないことからも明らかである。
As described above, in the wiring board 130, the external electrode 43 and the first interconnect 46 formed outside the mounting area are connected to the second interconnect 44 extending from inside the mounting area to outside the mounting area. Are electrically connected via That is, by providing the second interconnect 44, the region of the first wiring board 24 located below the electrode group 112 of the semiconductor device 22 can be bypassed. Second wiring board 2
The external electrodes 43 connected to the first interconnects 46 formed outside the mounting region of the first wiring board 24 via the second interconnects 44 formed in the first wiring board 24 are not limited to the example shown in FIG. The external electrode 43 may be connected to a plurality of first interconnects 46 outside the mounting area via a plurality of second interconnects. As described above, when the wiring substrate 130 according to the present invention is used, the electrodes 42 arranged at high density in a grid array at a constant pitch are used.
The general-purpose semiconductor device 22 (e.g., BGA) having the above configuration can efficiently reduce the wiring density in the mounting area of the first wiring board 24 and the periphery thereof. The fact that the wiring density of the mounting area of the first wiring board 24 and the surrounding area is reduced is also evident from the fact that the number of the connection terminals 188 is smaller than the number of the external electrodes 43.

【0052】また、外部電極43に接続された配線を第
2配線基板26に形成された第2相互接続44を介して
実装領域外に引き出すことによって、電極群112に電
気的に接続され、第1配線基板24に形成される配線群
(不図示)を第1配線基板24内で迂回するよりも、配
線の長さを短くすることができる。従って、演算素子の
処理速度が100MHzを超えて高速化する今日でも、
配線が長いことによって信号の動作速度が遅くなるとい
う問題を回避できる。
The wiring connected to the external electrode 43 is drawn out of the mounting area via the second interconnect 44 formed on the second wiring board 26, so that the wiring is electrically connected to the electrode group 112. The length of the wiring can be reduced as compared with the case where the wiring group (not shown) formed on the one wiring substrate 24 is bypassed in the first wiring substrate 24. Therefore, even today, when the processing speed of the arithmetic element is increased beyond 100 MHz,
The problem that the operation speed of a signal is reduced due to the long wiring can be avoided.

【0053】さらに、第2配線基板26は、第2相互接
続44によるバイパスが必要な場所に選択的に設ければ
よく、第1配線基板24全体の多層化をする必要はな
い。すなわち、必要とされる最小限の大きさの第2配線
基板26を設けるだけで、第1配線基板24全体を多層
化したものと同等の機能を発揮する配線基板130が得
られる。したがって、配線基板130は、第1配線基板
24全体を多層化したものよりも低コストで製造でき
る。また、第2配線基板24の構成を変更するだけで配
線基板130の仕様を変更することができる。なお、図
3には、第2相互接続44として、実装領域内から実装
領域外に延びる1本の配線44を示したが、これに限ら
れず、任意の数の配線及びビアホールを介して外部電極
43を実装領域外の第1相互接続46と接続してもよ
い。
Further, the second wiring board 26 may be selectively provided at a place where a bypass by the second interconnect 44 is required, and it is not necessary to make the entire first wiring board 24 multilayer. That is, only by providing the required second size wiring board 26 of the minimum size, it is possible to obtain the wiring board 130 exhibiting the same function as the multilayered first wiring board 24 as a whole. Therefore, the wiring board 130 can be manufactured at a lower cost than the multilayered first wiring board 24 as a whole. Further, the specifications of the wiring board 130 can be changed only by changing the configuration of the second wiring board 24. Although FIG. 3 shows one wiring 44 extending from the inside of the mounting area to outside of the mounting area as the second interconnect 44, the present invention is not limited to this, and the external electrode may be connected via an arbitrary number of wirings and via holes. 43 may be connected to a first interconnect 46 outside the mounting area.

【0054】第2配線基板26に代えて、図4に示す第
2配線基板26′を用いることができる。図4は、半導
体装置22と他の半導体装置23とが実装されている第
2配線基板26′を示す断面図である。
Instead of the second wiring substrate 26, a second wiring substrate 26 'shown in FIG. 4 can be used. FIG. 4 is a sectional view showing a second wiring board 26 'on which the semiconductor device 22 and another semiconductor device 23 are mounted.

【0055】第2配線基板26′は、他の半導体装置2
3の電極23aと電気的に接続するための他の外部電極
41と、ビアホール104および105と、配線145
とをさらに有している。ビアホール104は、外部電極
41と配線145とを電気的に接続している。ビアホー
ル105は、複数の外部電極43のうちの1つと配線1
45とを電気的に接続している。すなわち、外部電極4
1は、ビアホール104と、配線145と、ビアホール
105とを介して複数の外部電極43のうちの1つと電
気的に接続されている。
The second wiring board 26 'is connected to another semiconductor device 2'.
Other external electrodes 41 for electrically connecting to the third electrode 23a, via holes 104 and 105, and wiring 145.
And further. The via hole 104 electrically connects the external electrode 41 and the wiring 145. The via hole 105 is connected to one of the plurality of external electrodes 43 and the wiring 1
45 is electrically connected. That is, the external electrode 4
Numeral 1 is electrically connected to one of the plurality of external electrodes 43 via the via hole 104, the wiring 145, and the via hole 105.

【0056】このように、狭ピッチで配列された電極4
2を有する半導体装置22を実装する際に生じる実装領
域内および周辺における局所的な配線密度の上昇を抑制
するために設けられる第2配線基板26に、さらなる半
導体装置23と接続される外部電極41を設け、半導体
装置22と半導体装置23とを第2配線基板26′に形
成された第2相互接続(105、145、104)を介
して接続することによって、配線基板26′の仕様を変
更することができる。例えば、図3に示した配線基板1
30の第1配線基板24を交換することなく第2配線基
板26を第2配線基板26′に交換するだけで配線基板
130の仕様を変更することができる。すなわち、第2
配線基板26の仕様を変更するだけで、配線基板130
に実装する半導体装置(電子部品)の種類や数の変更に
容易に対応できる。
As described above, the electrodes 4 arranged at a narrow pitch
The external electrodes 41 connected to the further semiconductor device 23 are provided on the second wiring substrate 26 provided for suppressing a local increase in the wiring density in and around the mounting region when the semiconductor device 22 having the semiconductor device 22 is mounted. And the specifications of the wiring board 26 ′ are changed by connecting the semiconductor device 22 and the semiconductor device 23 via the second interconnects (105, 145, 104) formed on the second wiring board 26 ′. be able to. For example, the wiring board 1 shown in FIG.
The specifications of the wiring board 130 can be changed only by replacing the second wiring board 26 with the second wiring board 26 'without replacing the first wiring board 24 of 30. That is, the second
By simply changing the specifications of the wiring board 26, the wiring board 130
It can easily respond to changes in the type and number of semiconductor devices (electronic components) to be mounted on the semiconductor device.

【0057】また、半導体装置22が有する複数の電極
42のうちの1つと半導体装置23が有する電極23a
とを、第1配線基板24が有する相互接続を介さずに電
気的に接続することができる。従って、半導体装置23
をさらに実装することによる第1配線基板24の実装領
域内の配線密度の上昇を防止することができる。
One of the plurality of electrodes 42 of the semiconductor device 22 and the electrode 23a of the semiconductor device 23
Can be electrically connected to each other without going through the interconnection of the first wiring board 24. Therefore, the semiconductor device 23
Can be prevented from increasing the wiring density in the mounting area of the first wiring board 24 due to the further mounting of.

【0058】次に、図5を参照しながら、本実施形態の
配線基板130をより具体化した配線基板140を説明
する。
Next, referring to FIG. 5, a description will be given of a wiring board 140 which is a more specific example of the wiring board 130 of this embodiment.

【0059】図5は、半導体装置22とコネクタ136
とが実装されている配線基板140を示す断面図であ
る。
FIG. 5 shows the semiconductor device 22 and the connector 136.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a wiring board 140 on which the components are mounted.

【0060】配線基板140は、2層プリント基板12
6と、4層プリント基板124と、材料が導電性ゴムで
ある導電性接続部材127とを有している。2層プリン
ト基板126と4層プリント基板124とはネジ137
によって互いに固定されている。2層プリント基板12
6の下面126bには接続部材としてのランド(第2接
続電極)134が形成されており、4層プリント基板1
24の上面124aにはランド(第1接続電極)135
が形成されている。第2接続電極134と第1接続電極
135との間に導電性接続部材127が配置され、ネジ
137の締めつけ力によって、これらの間に挟持されて
いる。
The wiring board 140 is a two-layer printed board 12
6, a four-layer printed circuit board 124, and a conductive connection member 127 made of conductive rubber. The two-layer printed board 126 and the four-layer printed board 124 have screws 137.
Are fixed to each other. Two-layer printed circuit board 12
6, a land (second connection electrode) 134 is formed as a connection member on the lower surface 126b of the four-layer printed circuit board 1.
A land (first connection electrode) 135 is provided on the upper surface 124a of
Are formed. A conductive connection member 127 is arranged between the second connection electrode 134 and the first connection electrode 135, and is sandwiched between them by the tightening force of the screw 137.

【0061】2層プリント基板126は、第2相互接続
としての第2配線144と、上面126aに形成され、
それぞれが半導体装置22の複数の電極42のうち1つ
と半田付けによって電気的に接続された複数の外部電極
43と、2層プリント基板126の下面126bに形成
された第2接続電極134と、ビアホール103および
102とを有している。ビアホール103は、第2配線
144と外部電極43とを電気的に接続している。ビア
ホール102は、第2配線144と第2接続電極134
とを電気的に接続している。
The two-layer printed circuit board 126 is formed on the second wiring 144 as a second interconnect and the upper surface 126a.
A plurality of external electrodes 43 each electrically connected to one of the plurality of electrodes 42 of the semiconductor device 22 by soldering; a second connection electrode 134 formed on the lower surface 126 b of the two-layer printed circuit board 126; 103 and 102. The via hole 103 electrically connects the second wiring 144 and the external electrode 43. The via hole 102 is formed between the second wiring 144 and the second connection electrode 134.
And are electrically connected.

【0062】4層プリント基板124は、コネクタ13
6と電気的に接続された第1配線146と、上面124
aに形成され、第2接続電極134に対向するように配
設された第1接続電極135と、ビアホール125とを
有している。ビアホール125は、第1配線146と第
1接続電極135とを電気的に接続している。
The four-layer printed circuit board 124 is
6, the first wiring 146 electrically connected to the
a, and has a first connection electrode 135 disposed opposite to the second connection electrode 134 and a via hole 125. The via hole 125 electrically connects the first wiring 146 and the first connection electrode 135.

【0063】第2接続電極134と第1接続電極135
との間に挟持された導電性接続部材127は、例えば導
電性ゴムから形成され、第2接続電極134と第1接続
電極135とを電気的に接続する。導電性ゴムから形成
された導電性接続部材127を用いると、ネジ137に
よる機械的な締めつけ力によって安定な電気的接続が得
られるとともに、接続のやり直しを簡単にできる利点が
ある。勿論、他の導電性材料を用いてもよい。
The second connection electrode 134 and the first connection electrode 135
Is formed of, for example, conductive rubber, and electrically connects the second connection electrode 134 and the first connection electrode 135. The use of the conductive connection member 127 made of conductive rubber has the advantages that a stable electrical connection can be obtained by the mechanical tightening force of the screw 137 and that the connection can be easily redone. Of course, other conductive materials may be used.

【0064】また、2層プリント基板126と4層プリ
ント基板124との間には、複数の接続端子188が介
在している。第2配線144に電気的に接続されている
外部電極43以外の外部電極43は、第2配線基板12
6に形成されている配線(不図示)に接続端子188を
介して電気的に接続されている。
A plurality of connection terminals 188 are interposed between the two-layer printed board 126 and the four-layer printed board 124. The external electrodes 43 other than the external electrodes 43 electrically connected to the second wiring 144 are connected to the second wiring board 12.
6 is electrically connected to the wiring (not shown) formed through the connection terminal 188.

【0065】ビアホール103は実装領域内に形成され
ており、ビアホール102、第2接続電極134、導電
性接続部材127、第1接続電極135及びビアホール
125は実装領域外に形成されている。2層プリント基
板126の第2配線144(第2相互接続)は、実装領
域内において、ビアホール103を介して外部電極43
と電気的に接続され、かつ、実装領域外において、ビア
ホール102、第2接続電極134、導電性接続部材1
27、第1接続電極135及びビアホール125を介し
て、4層プリント基板124の第1配線146(第1相
互接続)と電気的に接続されている。
The via hole 103 is formed in the mounting area, and the via hole 102, the second connection electrode 134, the conductive connection member 127, the first connection electrode 135, and the via hole 125 are formed outside the mounting area. The second wiring 144 (second interconnection) of the two-layer printed board 126 is connected to the external electrode 43 via the via hole 103 in the mounting area.
Via hole 102, second connection electrode 134, and conductive connection member 1 outside the mounting region.
27, it is electrically connected to the first wiring 146 (first interconnect) of the four-layer printed circuit board 124 via the first connection electrode 135 and the via hole 125.

【0066】上述のように、第2配線144を介して外
部電極43と第1配線146とを電気的に接続すること
によって、半導体装置22の電極群112の下方に位置
する4層プリント基板124の領域を迂回することがで
きる。このように、本発明による配線基板140を用い
ると、一定ピッチでグリッドアレイ状に高密度に配置さ
れた電極42を有する汎用の半導体装置22であって
も、実装領域及びその周辺の配線密度を効率的に低下さ
せることができる。第1配線基板124の実装領域及び
その周辺の配線密度が低下していることは、接続端子1
88の数が外部電極43の数より少ないことからも明ら
かである。
As described above, by electrically connecting the external electrode 43 and the first wiring 146 via the second wiring 144, the four-layer printed circuit board 124 located below the electrode group 112 of the semiconductor device 22 is formed. Area can be bypassed. As described above, when the wiring board 140 according to the present invention is used, even in the general-purpose semiconductor device 22 having the electrodes 42 arranged at high density in a grid array at a constant pitch, the wiring density in the mounting area and the periphery thereof is reduced. It can be reduced efficiently. The decrease in the wiring density of the mounting area of the first wiring board 124 and the periphery thereof is due to the connection terminal 1
It is clear from the fact that the number 88 is smaller than the number of the external electrodes 43.

【0067】外部電極43のうち第2相互接続144と
電気的に接続される外部電極43の数および位置は、第
1配線基板124の実装領域に応じて適宜選択される。
複数の外部電極43のうち実装領域の内側にある外部電
極43を第2配線144に接続した場合ほど、迂回でき
る領域が広くなるので、4層プリント基板124の実装
領域内の配線密度を低くする効果が大きい。
The number and position of the external electrodes 43 electrically connected to the second interconnect 144 among the external electrodes 43 are appropriately selected according to the mounting area of the first wiring board 124.
When the external electrode 43 inside the mounting area among the plurality of external electrodes 43 is connected to the second wiring 144, the area that can be bypassed becomes wider, so that the wiring density in the mounting area of the four-layer printed circuit board 124 is reduced. Great effect.

【0068】また、外部電極43に接続された配線を第
2配線基板126に形成された第2配線144介して実
装領域外に引き出すことによって、電極群112に電気
的に接続され、第1配線基板124に形成される配線群
(不図示)を第1配線基板124内で迂回するよりも、
配線の長さを短くすることができる。従って、配線が長
いことによって信号の動作速度が遅くなるという問題を
回避できる。
The wiring connected to the external electrode 43 is led out of the mounting area via the second wiring 144 formed on the second wiring board 126, so that the wiring is electrically connected to the electrode group 112 and the first wiring is formed. Rather than bypassing a wiring group (not shown) formed on the substrate 124 in the first wiring substrate 124,
The length of the wiring can be reduced. Therefore, it is possible to avoid the problem that the operation speed of the signal is reduced due to the long wiring.

【0069】さらに、2層プリント基板126は、第2
配線144によるバイパスが必要な場所に選択的に設け
ればよく、第1配線基板124全体の多層化をする必要
はない。すなわち、プリント基板を局所的に擬似的に多
層化すればよい。したがって、配線基板140は、第1
配線基板124全体を多層化したものよりも低コストで
製造できる。
Further, the two-layer printed circuit board 126 is
What is necessary is just to selectively provide in the place where the bypass by the wiring 144 is needed, and it is not necessary to make the whole 1st wiring board 124 multilayer. That is, the printed circuit board may be locally formed in a pseudo multilayer. Therefore, the wiring board 140 is
The wiring board 124 can be manufactured at a lower cost than a multilayer board.

【0070】また、4層プリント基板(第1配線基板)
124は、グランド層161および電源層163をさら
に有している。グランド層161は、複数の外部電極4
3のうちの少なくとも1つと電気的に接続されたグラン
ドパターンを有している。電源層163は、複数の外部
電極43のうちの少なくとも1つと電気的に接続された
電源パターンを有している。なお、グランドパターンお
よび電源パターンは、それぞれグランド層161および
電源層163の全面に形成されていてもよい。これによ
って、半導体装置22を電気的に安定に動作させること
ができる。また、2層プリント基板(第2配線基板)
が、グランド層および電源層をさらに有していてもよ
い。一般に、半導体装置22のグランド用電極および電
源用電極は、パッケージの最も内側に設けられることが
多いので、これらの電極を第2相互接続を介して実装領
域外に引き出すことが好ましい。
Further, a four-layer printed circuit board (first wiring board)
Reference numeral 124 further includes a ground layer 161 and a power supply layer 163. The ground layer 161 includes a plurality of external electrodes 4.
3 has a ground pattern electrically connected to at least one of them. The power supply layer 163 has a power supply pattern electrically connected to at least one of the plurality of external electrodes 43. The ground pattern and the power supply pattern may be formed on the entire surface of the ground layer 161 and the power supply layer 163, respectively. Thereby, the semiconductor device 22 can be electrically operated stably. Two-layer printed circuit board (second wiring board)
However, it may further have a ground layer and a power supply layer. In general, the ground electrode and the power supply electrode of the semiconductor device 22 are often provided on the innermost side of the package. Therefore, it is preferable that these electrodes be led out of the mounting area via the second interconnect.

【0071】また、実施形態5で説明するように、電気
的な接続の安定性のパターンの観点から、グランドパタ
ーンや電源パターンを貫通するビアホールの数はできる
だけ少ない方が好ましい。従って、グランド層や電源層
は、配線基板の下層(実装面から遠い配線層)に形成さ
れることが好ましい。
As described in the fifth embodiment, it is preferable that the number of via holes penetrating the ground pattern and the power supply pattern be as small as possible from the viewpoint of the stability of electrical connection. Therefore, it is preferable that the ground layer and the power supply layer are formed below the wiring board (a wiring layer far from the mounting surface).

【0072】なお、第1配線基板および第2配線基板
は、それぞれ独立に公知の配線基板の製造方法で作製さ
れ得る。
The first wiring board and the second wiring board can be independently manufactured by a known wiring board manufacturing method.

【0073】(実施形態3)図6に示す本実施形態の配
線基板170は、第2配線基板126が選択的に使用さ
れ得る複数の第2接続電極133aおよび133bを有
する点において図2に示した配線基板120と異なる。
(Embodiment 3) The wiring board 170 of this embodiment shown in FIG. 6 is different from the wiring board 170 shown in FIG. 2 in that the second wiring board 126 has a plurality of second connection electrodes 133a and 133b which can be selectively used. It is different from the wiring board 120 that has been used.

【0074】図6は、半導体装置22、半導体装置22
aおよび半導体装置22bが実装されている配線基板1
70を示す断面図である。
FIG. 6 shows the semiconductor device 22 and the semiconductor device 22.
a and the wiring board 1 on which the semiconductor device 22b is mounted
FIG.

【0075】4層プリント基板(第1配線基板)124
の上面124aには、複数の外部電極43、複数の外部
電極43a及び複数の外部電極43bが形成されてい
る。複数の外部電極43は、半導体装置22の複数の電
極42のうちの1つと半田付けによって電気的に接続さ
れている。複数の外部電極43aは、半導体装置22a
の複数の電極42aのうちの1つと半田付けによって電
気的に接続されている。複数の外部電極43bは、半導
体装置22の複数の電極42bのうちの1つと半田付け
によって電気的に接続されている。
Four-layer printed circuit board (first wiring board) 124
A plurality of external electrodes 43, a plurality of external electrodes 43a, and a plurality of external electrodes 43b are formed on the upper surface 124a of the first substrate. The plurality of external electrodes 43 are electrically connected to one of the plurality of electrodes 42 of the semiconductor device 22 by soldering. The plurality of external electrodes 43a are connected to the semiconductor device 22a.
Is electrically connected to one of the plurality of electrodes 42a by soldering. The plurality of external electrodes 43b are electrically connected to one of the plurality of electrodes 42b of the semiconductor device 22 by soldering.

【0076】4層プリント基板124の下面124bに
は、第1接続電極121a、121bおよび123が形
成されている。
The first connection electrodes 121a, 121b and 123 are formed on the lower surface 124b of the four-layer printed circuit board 124.

【0077】4層プリント基板124は、ビアホール1
22、ビアホール122aおよびビアホール122bを
さらに有している。ビアホール122は、外部電極43
および第1接続電極123を電気的に接続している。ビ
アホール122aは、外部電極43aおよび第1接続電
極121aを電気的に接続している。ビアホール122
bは、外部電極43bおよび第1接続電極121bを電
気的に接続している。
The four-layer printed circuit board 124 has a via hole 1
22, a via hole 122a and a via hole 122b. The via hole 122 is connected to the external electrode 43.
And the first connection electrode 123 are electrically connected. The via hole 122a electrically connects the external electrode 43a and the first connection electrode 121a. Via hole 122
“b” electrically connects the external electrode 43b and the first connection electrode 121b.

【0078】2層プリント基板126(第2配線基板)
の上面126aには、第1接続電極123、121aお
よび121bが第1接続電極123、121aおよび1
21bに対向するようにそれぞれ配設されている。
Two-layer printed board 126 (second wiring board)
The first connection electrodes 123, 121a and 121b are provided on the upper surface 126a of the first connection electrodes 123, 121a and 121b.
21b.

【0079】2層プリント基板126は、第2配線14
4と、ビアホール101、102aおよび102bをさ
らに有している。ビアホール101は、第2配線144
および第2接続電極132を電気的に接続している。ビ
アホール102aは、第2配線144および第2接続電
極133aを電気的に接続している。ビアホール102
bは、第2配線144および第2接続電極133bを電
気的に接続している。
The two-layer printed circuit board 126 is formed on the second wiring 14.
4 and via holes 101, 102a and 102b. The via hole 101 has the second wiring 144
And the second connection electrode 132 are electrically connected. The via hole 102a electrically connects the second wiring 144 and the second connection electrode 133a. Via hole 102
“b” electrically connects the second wiring 144 and the second connection electrode 133b.

【0080】4層プリント基板124と2層プリント基
板126とは、第1接続電極123と第2接続電極13
2との間に導電性接続部材128を挟み、かつ、第1接
続電極121aと第2接続電極133aとの間又は第1
接続電極121bと第2接続電極133bとの間のいず
れかに選択的に設けられた導電性接続部材129を挟ん
だ状態でネジ137によって互いに固定されている。
The four-layer printed circuit board 124 and the two-layer printed circuit board 126 include a first connection electrode 123 and a second connection electrode 13.
2 between the first connection electrode 121a and the second connection electrode 133a or between the first connection electrode 121a and the first connection electrode 133a.
The conductive connection member 129 selectively provided between the connection electrode 121b and the second connection electrode 133b is fixed to each other by screws 137 with the conductive connection member 129 interposed therebetween.

【0081】上述のように、半導体装置22の電極42
と電気的に接続する対象を、半導体装置22aの電極4
2aおよび半導体装置22bの電極42bのうちのいず
れにするかは、第1接続電極121aと第2接続電極1
33aとの間および第2接続電極121bと第2接続電
極133bとの間のうちのいずれに導電性接続部材12
9を設けるかに依る。すなわち、第1接続電極121a
と第2接続電極133aとの間に導電性接続部材129
を設けると、外部電極43、ビアホール122、第1接
続電極123、導電性接続部材128、第2接続電極1
32、ビアホール101、第2配線144(第2配線基
板の第2相互接続)、ビアホール102a、第2接続電
極133a、導電性接続部材129、第1接続電極12
1a、ビアホール122a(第1配線基板の第1相互接
続)及び外部電極43aを介して、半導体装置22の電
極42と半導体装置22aの電極42aとが電気的に接
続される。一方、第1接続電極121bと第2接続電極
133bとの間に導電性接続部材129を設けると、外
部電極43、ビアホール122、第1接続電極123、
導電性接続部材128、第2接続電極132、ビアホー
ル101、第2配線144(第2配線基板の第2相互接
続)、ビアホール102b、第2接続電極133b、導
電性接続部材129、第1接続電極121b、ビアホー
ル122b(第1配線基板の第1相互接続)及び外部電
極43bを介して、半導体装置22の電極42と半導体
装置22bの電極42bとが電気的に接続される。した
がって、複数のインタフェースモードを有する一群の半
導体装置を配線基板170に実装しても、配線基板17
0の構成要素を作りかえること無く、導電性接続部材を
設ける位置を単に変えることによって、機能の異なるシ
ステムを構成することができる。
As described above, the electrode 42 of the semiconductor device 22
The object electrically connected to the electrode 4 of the semiconductor device 22a
2a and the electrode 42b of the semiconductor device 22b are determined by the first connection electrode 121a and the second connection electrode 1b.
33a or between the second connection electrode 121b and the second connection electrode 133b.
9 is provided. That is, the first connection electrode 121a
Between the first connection electrode 133a and the conductive connection member 129
Is provided, the external electrode 43, the via hole 122, the first connection electrode 123, the conductive connection member 128, the second connection electrode 1
32, via hole 101, second wiring 144 (second interconnection of second wiring board), via hole 102a, second connection electrode 133a, conductive connection member 129, first connection electrode 12
The electrode 42 of the semiconductor device 22 and the electrode 42a of the semiconductor device 22a are electrically connected via the via 1a, the via hole 122a (the first interconnection of the first wiring board) and the external electrode 43a. On the other hand, when the conductive connection member 129 is provided between the first connection electrode 121b and the second connection electrode 133b, the external electrode 43, the via hole 122, the first connection electrode 123,
Conductive connection member 128, second connection electrode 132, via hole 101, second wiring 144 (second interconnection of second wiring board), via hole 102b, second connection electrode 133b, conductive connection member 129, first connection electrode The electrode 42 of the semiconductor device 22 and the electrode 42b of the semiconductor device 22b are electrically connected via the via 121b, the via hole 122b (first interconnection of the first wiring board) and the external electrode 43b. Therefore, even if a group of semiconductor devices having a plurality of interface modes are mounted on the wiring board 170,
A system having a different function can be configured by simply changing the position where the conductive connection member is provided without changing the zero component.

【0082】また、例えば、導電性ゴムから形成された
導電性接続部材129を用いると、ネジ137による機
械的な締めつけ力によって安定な電気的接続が得られる
とともに、導電性接続部材129の再利用や接続のやり
直しを簡単にできる利点がある。勿論、他の導電性材料
を用いてもよい。
Further, for example, when the conductive connecting member 129 made of conductive rubber is used, a stable electric connection can be obtained by the mechanical tightening force of the screw 137, and the conductive connecting member 129 can be reused. There is an advantage that the connection can be easily redone. Of course, other conductive materials may be used.

【0083】なお、第1接続電極と第2接続電極との組
の個数は、配線基板170のように3に限られない。
The number of sets of the first connection electrodes and the second connection electrodes is not limited to three as in the case of the wiring board 170.

【0084】(実施形態4)本実施形態の配線基板18
0は、図2に示した配線基板120の第1配線基板12
4と第2配線基板126とが一体に形成されたものに相
当する。第1配線基板124に対応する構成要素を第1
多層配線構造124′、第2多層配線基板126に対応
する構成要素を第2多層配線構造126′と呼ぶことに
する。
(Embodiment 4) Wiring board 18 of this embodiment
0 is the first wiring board 12 of the wiring board 120 shown in FIG.
4 and the second wiring board 126 are integrally formed. The components corresponding to the first wiring board 124 are first
Components corresponding to the multilayer wiring structure 124 'and the second multilayer wiring substrate 126 will be referred to as a second multilayer wiring structure 126'.

【0085】図7は、半導体装置22とコネクタ136
とが実装されている配線基板180を示す断面図であ
る。
FIG. 7 shows the semiconductor device 22 and the connector 136.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a wiring board 180 on which is mounted.

【0086】配線基板180は、第1多層配線構造とし
ての4層配線構造124′と、4層配線構造124′の
下面124′bの一部に接して設けられた第2多層配線
構造としての2層配線構造126′とを有している。す
なわち、配線基板180の構造は、4層配線構造12
4′の一部に2層分の配線構造126′aが追加された
ものと同等の構造である。4層配線構造124′の上面
124′aには、半導体装置22の複数の電極42のう
ちの1つと半田付けによって電気的に接続された複数の
外部電極43が形成されている。
The wiring board 180 has a four-layer wiring structure 124 'as the first multilayer wiring structure and a second multilayer wiring structure provided in contact with a part of the lower surface 124'b of the four-layer wiring structure 124'. And a two-layer wiring structure 126 '. That is, the structure of the wiring board 180 is the four-layer wiring structure 12.
This structure is equivalent to a structure in which a wiring structure 126'a for two layers is added to a part of 4 '. On the upper surface 124'a of the four-layer wiring structure 124 ', a plurality of external electrodes 43 electrically connected to one of the plurality of electrodes 42 of the semiconductor device 22 by soldering are formed.

【0087】4層配線構造124′は、コネクタ136
と電気的に接続された第1配線146を有している。2
層配線構造126′は、第2配線144を有している。
外部電極43と第2配線144とに電気的に接続された
ビアホール122a、及び第2配線144と第1配線1
46とに電気的に接続されたビアホール125aが、4
層配線構造124′及び2層配線構造126′を貫いて
形成されている。
The four-layer wiring structure 124 ′ has a connector 136.
And a first wiring 146 electrically connected to the first wiring 146. 2
The layer wiring structure 126 'has a second wiring 144.
Via hole 122a electrically connected to external electrode 43 and second wiring 144, and second wiring 144 and first wiring 1
Via hole 125a electrically connected to
It is formed through the layer wiring structure 124 'and the two-layer wiring structure 126'.

【0088】ビアホール122aは実装領域内に形成さ
れている。一方、ビアホール125aは実装領域外に形
成されている。第2多層配線構造126′の第2配線1
44(第2相互接続)は、実装領域内においてビアホー
ル122aを介して外部電極43と電気的に接続され、
かつ、実装領域外においてビアホール125aを介して
第1多層配線構造124′の第1配線146(第1相互
接続)と電気的に接続されている。
The via hole 122a is formed in the mounting area. On the other hand, the via hole 125a is formed outside the mounting area. Second wiring 1 of second multilayer wiring structure 126 '
44 (second interconnect) is electrically connected to the external electrode 43 via the via hole 122a in the mounting region,
In addition, outside the mounting region, it is electrically connected to the first wiring 146 (first interconnect) of the first multilayer wiring structure 124 'via the via hole 125a.

【0089】本実施形態の作用・効果は実施形態1の作
用・効果と同様である。
The operation and effect of this embodiment are the same as the operation and effect of the first embodiment.

【0090】さらに、4層配線構造124′と2層配線
構造126′とが一体となっているため、実施形態1か
ら実施形態3までの配線基板よりも実施形態4の配線基
板180のほうが構造上安定であり、信頼性が高い。
Further, since the four-layer wiring structure 124 'and the two-layer wiring structure 126' are integrated, the wiring board 180 of the fourth embodiment is more structurally structured than the wiring boards of the first to third embodiments. High stability and high reliability.

【0091】また、4層配線構造124′(第1多層配
線構造)と2層配線構造126′(第2多層配線構造)
とを一体成形することによって配線基板180を製造す
れば、第1配線基板と第2配線基板とを別々に成形する
ことによって製造する実施形態1から実施形態3までの
配線基板よりも製造コストをさらに低下させることがで
きる。
Further, a four-layer wiring structure 124 '(first multilayer wiring structure) and a two-layer wiring structure 126' (second multilayer wiring structure)
When the wiring board 180 is manufactured by integrally forming the first and second wiring boards, the manufacturing cost is lower than that of the wiring boards of the first to third embodiments manufactured by separately forming the first and second wiring boards. It can be further reduced.

【0092】(実施形態5)図8は、半導体装置22が
実装されている配線基板としての6層プリント基板19
0を示す断面図である。この配線基板190は、先の実
施形態における第1配線基板または第2配線基板であり
得る。
(Embodiment 5) FIG. 8 shows a six-layer printed circuit board 19 as a wiring board on which a semiconductor device 22 is mounted.
FIG. This wiring board 190 may be the first wiring board or the second wiring board in the above embodiment.

【0093】6層プリント基板190は、半導体装置2
2の複数の電極42のうちの1つに電気的に接続される
複数の外部電極43が配列された主面(実装面)190
aと、複数の外部電極43のうちの1つにビアホール1
98を介して電気的に接続された配線層199とを有し
ている。複数の配線層199は、電源用電極42Aに電
気的に接続される外部電極43aにビアホール198a
を介して電気的に接続される電源パターンを有する電源
層194と、グランド用電極42Bに電気的に接続され
る外部電極43bにビアホール198bを介して電気的
に接続されるグランドパターンを有するグランド層19
3とを有している。配線層199は、6層プリント基板
190の主面190aに近い方から2層目、3層目、4
層目、5層目に設けられている。グランド層193は、
6層プリント基板190の主面190aに近い方から4
層目に設けられている。電源層194は、6層プリント
基板190の主面190aに近い方から5層目に設けら
れている。
The six-layer printed circuit board 190 is a semiconductor device 2
Main surface (mounting surface) 190 on which a plurality of external electrodes 43 electrically connected to one of the two plurality of electrodes 42 are arranged
a and a via hole 1 in one of the plurality of external electrodes 43.
98, and a wiring layer 199 electrically connected thereto. The plurality of wiring layers 199 have via holes 198a formed in the external electrodes 43a electrically connected to the power supply electrodes 42A.
And a ground layer having a ground pattern electrically connected to the external electrode 43b electrically connected to the ground electrode 42B via the via hole 198b. 19
And 3. The wiring layer 199 includes a second layer, a third layer, and a fourth layer from the side closer to the main surface 190a of the six-layer printed board 190.
It is provided in the fifth layer and the fifth layer. The ground layer 193 is
4 from the side closer to the main surface 190a of the six-layer printed circuit board 190
It is provided in the layer. The power supply layer 194 is provided in the fifth layer from the side closer to the main surface 190a of the six-layer printed circuit board 190.

【0094】上述のように、グランド層193および電
源層194と比較して、配線基板190の主面190a
により近い方にグランド層193および電源層194の
いずれも有さない配線層195が設けられている。よっ
て、グランド層193を貫通するビアホール198は、
電源用電極42Aに電気的に接続される外部電極43a
と電源パターンとを電気的に接続している1本のビアホ
ール198aだけである。また、電源層194を貫通す
るビアホール198はない。つまり、外部電極43cと
グランド層193および電源層194のいずれも有さな
い配線層195とを電気的に接続しているビアホール1
98cは、グランド層193および電源層194のいず
れも貫通することなく形成されている。
As described above, the main surface 190 a of the wiring board 190 is different from the ground layer 193 and the power supply layer 194.
A wiring layer 195 having neither the ground layer 193 nor the power supply layer 194 is provided closer to. Therefore, the via hole 198 penetrating the ground layer 193 is
External electrode 43a electrically connected to power supply electrode 42A
There is only one via hole 198a that electrically connects the power supply pattern and the power supply pattern. Further, there is no via hole 198 penetrating the power supply layer 194. That is, the via hole 1 electrically connecting the external electrode 43c to the wiring layer 195 having neither the ground layer 193 nor the power supply layer 194.
98c is formed without penetrating both the ground layer 193 and the power supply layer 194.

【0095】一方、6層プリント基板190の主面19
0aに近い方から2層目および3層目にグランド層19
3および電源層194が設けられた配線基板の場合、グ
ランド層193および電源層194を貫通するビアホー
ル198cが多いため、電源層およびグランド層とのシ
ョートを防止するために各ビアホール198c周辺に設
けられたクリアランス領域によって、半導体装置22の
中心部に位置するパターン(電源パターンおよびグラン
ドパターン)が外部のパターンから切り離された状態に
なる。すなわち、グランド層193や電源層194が孤
立した島となる。
On the other hand, the main surface 19 of the six-layer printed circuit board 190
Ground layer 19 as the second and third layers from the side closer to 0a.
In the case of a wiring board provided with the power supply layer 3 and the power supply layer 194, there are many via holes 198c penetrating the ground layer 193 and the power supply layer 194. Therefore, the wiring board is provided around each via hole 198c to prevent a short circuit with the power supply layer and the ground layer. Due to the clearance area, the patterns (the power supply pattern and the ground pattern) located at the center of the semiconductor device 22 are separated from the external patterns. That is, the ground layer 193 and the power supply layer 194 are isolated islands.

【0096】本実施形態の配線基板190では、グラン
ド層193および電源層194のいずれも貫通すること
なくビアホール198cが形成されているため、グラン
ド用電極42Bと電源用電極42Aがパッケージの最内
周部分に位置するBGAを実装する場合であっても、ビ
アホール198によってグランド層193や電源層19
4が孤立した島となることを防止できる。すなわち、グ
ランド層193や電源層194の機能が、多くのビアホ
ールがグランド層193や電源層194を貫通している
場合よりも強化されている。よって、配線基板190に
実装される半導体装置22を電気的により安定に動作さ
せることができる。
In the wiring board 190 of this embodiment, since the via hole 198c is formed without penetrating both the ground layer 193 and the power supply layer 194, the ground electrode 42B and the power supply electrode 42A are formed on the innermost periphery of the package. Even when a BGA located in a portion is mounted, the ground layer 193 and the power supply layer 19 are formed by the via holes 198.
4 can be prevented from becoming an isolated island. That is, the functions of the ground layer 193 and the power supply layer 194 are enhanced as compared with the case where many via holes penetrate the ground layer 193 and the power supply layer 194. Therefore, the semiconductor device 22 mounted on the wiring board 190 can be electrically operated more stably.

【0097】なお、配線基板が複数の配線層を有し、配
線層が、電源パターンを有する電源層及びグランドパタ
ーンを有するグランド層のうちの少なくとも一方を有す
る場合には、複数の外部電極が配列された主面と電源層
及びグランド層のうちの少なくとも一方との間に配線層
のうちの半数以上が形成されていれば、電源層及びグラ
ンド層を貫通するビアホールが少ないため、配線基板に
実装された半導体装置を安定に動作させることができ
る。
When the wiring board has a plurality of wiring layers and the wiring layer has at least one of a power supply layer having a power supply pattern and a ground layer having a ground pattern, a plurality of external electrodes are arranged. If at least half of the wiring layers are formed between the main surface and at least one of the power supply layer and the ground layer, the number of via holes passing through the power supply layer and the ground layer is small, so that the wiring layer is mounted on the wiring board. Semiconductor device can be operated stably.

【0098】(実施形態6)図9は、アレイ状に配列さ
れた複数の電極42を有する半導体装置22とコネクタ
136とが実装されている配線基板160と筐体(放熱
部材)168と伝熱性クッション(伝熱性部材)169
とを示す断面図である。なお、配線基板160は、図2
に示した配線基板120とほぼ同様の構成を有している
ので、異なる点を主に説明する。
(Embodiment 6) FIG. 9 shows a wiring board 160 on which a semiconductor device 22 having a plurality of electrodes 42 arranged in an array and a connector 136 are mounted, a housing (heat dissipating member) 168, and a heat conductive member. Cushion (heat conductive member) 169
FIG. The wiring board 160 is the same as that shown in FIG.
Has substantially the same configuration as the wiring board 120 shown in FIG.

【0099】4層プリント基板124は、グランドパタ
ーンを有するグランド層161と、4層プリント基板1
24の上面124aに形成され、半導体装置22のグラ
ンド用電極42Bと例えば半田付けによって電気的に接
続された外部電極43aと、4層プリント基板124の
下面124bに形成された第1接続電極164と、外部
電極43aと第1接続電極164とグランド層161の
グランドパターンとに電気的に接続されたビアホール1
67とをさらに有している。
The four-layer printed circuit board 124 includes a ground layer 161 having a ground pattern and the four-layer printed circuit board 1.
An external electrode 43 a formed on the upper surface 124 a of the semiconductor device 22 and electrically connected to the ground electrode 42 B of the semiconductor device 22 by, for example, soldering, and a first connection electrode 164 formed on the lower surface 124 b of the four-layer printed circuit board 124. Via hole 1 electrically connected to external electrode 43 a, first connection electrode 164, and ground pattern of ground layer 161.
67.

【0100】2層プリント基板126は、2つの配線層
のうちの下層として形成されたグランドパターンを有す
るグランド層162と、2層プリント基板126の上面
126aに形成され、第1接続電極164に対向するよ
うに配設された第2接続電極166と、第2接続電極1
66とグランド層162のグランドパターンとに電気的
に接続されたビアホール159とをさらに有している。
The two-layer printed circuit board 126 is formed on the ground layer 162 having a ground pattern formed as a lower layer of the two wiring layers, and on the upper surface 126 a of the two-layer printed circuit board 126, and faces the first connection electrode 164. The second connection electrode 166 and the second connection electrode 1
66 and a via hole 159 electrically connected to the ground pattern of the ground layer 162.

【0101】4層プリント基板124と2層プリント基
板126とは、導電性接続128および129と、第1
接続電極164と第2接続電極166との間にさらに設
けられた導電性接続部材165とを挟んだ状態でネジ1
37によって固定されている。導電性接続部材165
は、導電性接続部材128および129と同様に導電性
ゴムから形成されていることが好ましい。2層プリント
基板126と筐体168とは、2層プリント基板126
の下面126bと筐体168との間に伝熱性ゴムから形
成された伝熱性部材169を挟んだ状態で互いに固定さ
れている。
The four-layer printed circuit board 124 and the two-layer printed circuit board 126 are connected to the conductive connections 128 and 129 and the first
In the state where the conductive connection member 165 further provided between the connection electrode 164 and the second connection electrode 166 is sandwiched, the screw 1
37. Conductive connection member 165
Is preferably made of conductive rubber like the conductive connection members 128 and 129. The two-layer printed board 126 and the housing 168 are
Are fixed to each other with a heat conductive member 169 formed of heat conductive rubber sandwiched between the lower surface 126b of the first member and the housing 168.

【0102】上述のように、伝熱性部材169が、配線
基板160と筐体168とに密着していることによっ
て、半導体装置22によって発生する熱は、2層プリン
ト基板126が有するグランド層162を通じて伝熱性
部材169へと流れ込んだ後、筐体168へと流れ込
む。これによって、半導体装置22の温度が上昇するこ
とを防ぐことができる。
As described above, since the heat conductive member 169 is in close contact with the wiring board 160 and the housing 168, the heat generated by the semiconductor device 22 is transmitted through the ground layer 162 of the two-layer printed board 126. After flowing into the heat conductive member 169, it flows into the housing 168. This can prevent the temperature of the semiconductor device 22 from rising.

【0103】なお、伝熱性ゴムとしては、例えば、高熱
伝導性シリコーンゴム(熱伝導率:3〜4×10-3ca
l/cm・sec・℃ 以上)が好ましい。放熱部材
は、発生した熱を放出するための構成要素を指し、筐体
を含む。筐体168は、例えば、アルミニウムや銅等の
金属材料から形成されている。また、配線基板160に
代えて配線基板140を用いて、第2配線基板124の
下面124bと筐体168の間に伝熱性部材169を配
置する構成としてもよい。
As the heat conductive rubber, for example, a high heat conductive silicone rubber (thermal conductivity: 3 to 4 × 10 −3 ca)
1 / cm · sec · ° C. or more). The heat radiation member refers to a component for releasing generated heat, and includes a housing. The housing 168 is formed of, for example, a metal material such as aluminum or copper. Further, a configuration may be adopted in which a heat conductive member 169 is disposed between the lower surface 124 b of the second wiring board 124 and the housing 168 by using the wiring board 140 instead of the wiring board 160.

【0104】多くの電極を有する半導体装置22は比較
的発熱量が多いので、配線基板160を実装領域内にお
いて伝熱性部材169を介して筐体に接触させることに
よって、効率的に放熱することができる。また、図9中
の配線基板160に代えて、先の実施形態の配線基板を
適宜用いることができる。
Since the semiconductor device 22 having many electrodes generates a relatively large amount of heat, the heat can be efficiently radiated by bringing the wiring board 160 into contact with the housing via the heat conductive member 169 in the mounting area. it can. Further, instead of the wiring board 160 in FIG. 9, the wiring board of the above embodiment can be appropriately used.

【0105】[0105]

【発明の効果】本発明によると、第2配線基板が有する
第2相互接続を介して外部電極と第1相互接続とを電気
的に接続することによって、半導体装置の電極群の下方
に位置する第1配線基板の領域を迂回することができる
ため、実装領域及びその周辺の配線密度を効率的に低下
させることができる配線基板が提供される。また、外部
電極に接続された配線を第2配線基板に形成された第2
相互接続を介して実装領域外に引き出すことによって、
電極群に電気的に接続され、第1配線基板に形成される
配線群を第1配線基板内で迂回するよりも配線の長さを
短くすることができるため、配線が長いことによって信
号の動作速度が遅くなるという問題を回避できる配線基
板が提供される。さらに、必要とされる最小限の大きさ
の第2配線基板を設けることによって、第1配線基板全
体を多層化したものと同等の機能を発揮する配線基板が
得られるため、第1配線基板全体を多層化したものより
も低コストで製造できる配線基板が提供される。
According to the present invention, the external electrodes and the first interconnect are electrically connected via the second interconnect of the second wiring board, thereby being located below the electrode group of the semiconductor device. Since the region of the first wiring substrate can be bypassed, a wiring substrate capable of efficiently reducing the wiring density in the mounting region and the periphery thereof is provided. Also, the wiring connected to the external electrode may be formed on the second wiring board formed on the second wiring board.
By pulling out of the mounting area through the interconnect,
Since the length of the wiring is electrically connected to the electrode group and can be shorter than that of the wiring group formed on the first wiring substrate in the first wiring substrate, the length of the wiring increases the signal operation. Provided is a wiring board capable of avoiding the problem that the speed is reduced. Further, by providing the required minimum size of the second wiring board, it is possible to obtain a wiring board having the same function as that obtained by multilayering the entire first wiring board. And a wiring board that can be manufactured at a lower cost than a multilayered board.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】アレイ状に配列された複数の電極(端子電極)
42を有する半導体装置(半導体部品)22が実装され
ている配線基板110を模式的に示す断面図である。
FIG. 1 shows a plurality of electrodes (terminal electrodes) arranged in an array.
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a wiring board 110 on which a semiconductor device (semiconductor component) 22 having a semiconductor device 42 is mounted.

【図2】半導体装置22とコネクタ136とが実装され
ている配線基板120を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a wiring board 120 on which a semiconductor device 22 and a connector 136 are mounted.

【図3】半導体装置22が実装されている配線基板13
0を模式的に示す断面図である。
FIG. 3 is a circuit board 13 on which a semiconductor device 22 is mounted;
FIG.

【図4】半導体装置22と他の半導体装置23とが実装
されている第2配線基板26′を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a second wiring board 26 'on which the semiconductor device 22 and another semiconductor device 23 are mounted.

【図5】半導体装置22とコネクタ136とが実装され
ている配線基板140を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a wiring board 140 on which the semiconductor device 22 and the connector 136 are mounted.

【図6】半導体装置22、半導体装置22aおよび半導
体装置22bとが実装されている配線基板170を示す
断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a wiring board 170 on which the semiconductor device 22, the semiconductor device 22a, and the semiconductor device 22b are mounted.

【図7】半導体装置22とコネクタ136とが実装され
ている配線基板180を示す断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a wiring board 180 on which the semiconductor device 22 and the connector 136 are mounted.

【図8】半導体装置22が実装されている配線基板とし
ての6層プリント基板190を示す断面図である。
FIG. 8 is a sectional view showing a six-layer printed circuit board 190 as a wiring board on which the semiconductor device 22 is mounted.

【図9】アレイ状に配列された複数の電極42を有する
半導体装置22とコネクタ136とが実装されている配
線基板160と筐体(放熱部材)168と伝熱性クッシ
ョン(伝熱性部材)169とを示す断面図である。
FIG. 9 shows a wiring board 160 on which a semiconductor device 22 having a plurality of electrodes 42 arranged in an array and a connector 136 are mounted, a housing (heat dissipating member) 168, and a heat conductive cushion (heat conductive member) 169. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

22、22a、22b、23 半導体装置(半導体部
品) 24 第1配線基板(メイン配線基板) 26、26′ 第2配線基板(サブ配線基板または子基
板) 42、42a、42b 電極(端子電極) 41、43、43a、43b、43c ランド(外部電
極) 44 第2相互接続 46 第1相互接続 101、102、102a、102b、103、12
2、122a、125、125a、159、167、1
98、198a、198b、198c ビアホール 110、120、130、140、160、170、1
80 配線基板 121、121a、121b、123、135、164
第1接続電極 124、124′ 4層プリント基板 126、126′ 2層プリント基板 127、128、129、165 導電性接続部材 132、133、133a、133b、134、166
第2接続電極 161、162 グランド層 163 電源層 168 筐体(放熱部材) 169 伝熱性クッション(伝熱性部材) 190 6層プリント基板 190a 複数の外部電極43が配列された主面 193 グランド層 194 電源層 199 配線層 201 電源層及びグランド層形成領域
22, 22a, 22b, 23 Semiconductor device (semiconductor component) 24 First wiring board (main wiring board) 26, 26 'Second wiring board (sub-wiring board or daughter board) 42, 42a, 42b Electrode (terminal electrode) 41 , 43, 43a, 43b, 43c Land (external electrode) 44 Second interconnect 46 First interconnect 101, 102, 102a, 102b, 103, 12
2, 122a, 125, 125a, 159, 167, 1
98, 198a, 198b, 198c Via holes 110, 120, 130, 140, 160, 170, 1
80 Wiring board 121, 121a, 121b, 123, 135, 164
First connection electrodes 124, 124 'Four-layer printed circuit board 126, 126' Two-layer printed circuit board 127, 128, 129, 165 Conductive connection members 132, 133, 133a, 133b, 134, 166
Second connection electrode 161, 162 Ground layer 163 Power supply layer 168 Housing (heat dissipating member) 169 Heat conductive cushion (heat conductive member) 190 Six-layer printed circuit board 190 a Main surface on which a plurality of external electrodes 43 are arranged 193 Ground layer 194 Power supply Layer 199 Wiring layer 201 Power supply layer and ground layer formation area

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 外山 昌之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5E317 AA11 AA24 CC11 CC25 CC53 CD25 CD27 GG14 5E336 AA04 AA09 AA14 BB03 BC15 BC34 CC32 CC36 CC58 DD02 EE03 EE12 GG30 5E338 AA03 BB25 CC04 CD05 EE23 5E344 AA02 AA09 AA12 AA19 AA22 BB02 CC09 CC23 CD12 DD02 DD07 EE13  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Masayuki Toyama 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. F term (reference) 5E317 AA11 AA24 CC11 CC25 CC53 CD25 CD27 GG14 5E336 AA04 AA09 AA14 BB03 BC15 BC34 CC32 CC36 CC58 DD02 EE03 EE12 GG30 5E338 AA03 BB25 CC04 CD05 EE23 5E344 AA02 AA09 AA12 AA19 AA22 BB02 CC09 CC23 CD12 DD02 DD07 EE13

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の電極を有する半導体装置が実装さ
れる配線基板であって、前記半導体装置の前記複数の電
極と接続される複数の外部電極と、複数の第1相互接続
を有する第1配線基板と、前記第1配線基板と対向する
ように配設され、第2相互接続を有する第2配線基板と
を有し、 前記第2相互接続は、前記複数の外部電極が形成された
領域によって2次元的な範囲が規定される実装領域内に
おいて、前記複数の外部電極のうちの少なくとも1つの
外部電極と電気的に接続され、かつ、前記実装領域外に
おいて、前記複数の第1相互接続のうちの少なくとも1
つの第1相互接続と電気的に接続されている配線基板。
1. A wiring board on which a semiconductor device having a plurality of electrodes is mounted, the first having a plurality of first electrodes and a plurality of external electrodes connected to the plurality of electrodes of the semiconductor device. A second wiring board provided with a second wiring board, which is provided to face the first wiring board and has a second interconnect, wherein the second interconnect is a region where the plurality of external electrodes are formed; Is electrically connected to at least one external electrode of the plurality of external electrodes within a mounting area defined by a two-dimensional range, and the plurality of first interconnects are outside the mounting area. At least one of
A wiring board electrically connected to the two first interconnects.
【請求項2】 前記複数の第1相互接続のうちの他の少
なくとも1つの第1相互接続は、前記複数の外部電極の
うちの他の少なくとも1つの外部電極と前記実装領域内
で電気的に接続されている請求項1に記載の配線基板。
2. The at least one first interconnect of the plurality of first interconnects is electrically connected to at least one other external electrode of the plurality of external electrodes in the mounting area. The wiring board according to claim 1, wherein the wiring board is connected.
【請求項3】 前記複数の外部電極は、前記第2配線基
板の上面に形成されており、前記第1配線基板は、前記
第1配線基板の上面が前記第2配線基板の下面に対向す
るように配置されている請求項1または2に記載の配線
基板。
3. The plurality of external electrodes are formed on an upper surface of the second wiring substrate, and the first wiring substrate has an upper surface of the first wiring substrate facing a lower surface of the second wiring substrate. 3. The wiring board according to claim 1, wherein the wiring board is arranged as follows.
【請求項4】 前記複数の外部電極は、前記第1配線基
板の上面に形成されており、前記第2配線基板は、前記
第2配線基板の上面が前記第1配線基板の下面に対向す
るように配置されている請求項1または2に記載の配線
基板。
4. The plurality of external electrodes are formed on an upper surface of the first wiring substrate, and the second wiring substrate has an upper surface of the second wiring substrate facing a lower surface of the first wiring substrate. 3. The wiring board according to claim 1, wherein the wiring board is arranged as follows.
【請求項5】 前記第2相互接続は、前記第1配線基板
の前記上面から前記下面に貫通するビアホールを介し
て、前記少なくとも1つの外部電極と電気的に接続され
ている請求項4に記載の配線基板。
5. The at least one external electrode according to claim 4, wherein the second interconnect is electrically connected to the at least one external electrode via a via hole penetrating from the upper surface of the first wiring board to the lower surface. Wiring board.
【請求項6】 前記第2配線基板は、他の半導体装置の
電極と電気的に接続するための他の外部電極をさらに有
し、前記他の外部電極は、前記複数の外部電極のうちの
少なくとも1つと電気的に接続されている請求項3に記
載の配線基板。
6. The second wiring board further includes another external electrode for electrically connecting to an electrode of another semiconductor device, wherein the other external electrode is one of the plurality of external electrodes. The wiring board according to claim 3, wherein the wiring board is electrically connected to at least one of the wiring boards.
【請求項7】 前記第1配線基板および前記第2配線基
板のうちの少なくとも一方は、前記複数の外部電極のう
ちの少なくとも1つと電気的に接続されたグランドパタ
ーンを有するグランド層、および前記複数の外部電極の
うちの少なくとも1つと電気的に接続された電源パター
ンを有する電源層のうちの少なくとも一方をさらに有す
る請求項1から6のいずれかに記載の配線基板。
7. A ground layer having a ground pattern electrically connected to at least one of the plurality of external electrodes, wherein at least one of the first wiring board and the second wiring board is provided. 7. The wiring board according to claim 1, further comprising at least one of a power supply layer having a power supply pattern electrically connected to at least one of the external electrodes.
【請求項8】 前記第1配線基板は、前記下面に設けら
れ、前記複数の第1相互接続と電気的に接続された複数
の第1接続電極を有し、 前記第2配線基板は、前記上面に設けられ、前記第2相
互接続と電気的に接続された複数の第2接続電極を有
し、 前記実装領域内における前記ビアホールと前記第2相互
接続との電気的な接続、および前記実装領域外における
前記第2相互接続と前記少なくとも1つの第1相互接続
との電気的な接続は、前記複数の第1接続電極と前記複
数の第2接続電極との間に選択的に設けられた導電性接
続部材を介して行われる請求項5に記載の配線基板。
8. The first wiring board includes a plurality of first connection electrodes provided on the lower surface and electrically connected to the plurality of first interconnects. A plurality of second connection electrodes provided on an upper surface and electrically connected to the second interconnect; and an electrical connection between the via hole and the second interconnect in the mounting area; An electrical connection between the second interconnect and the at least one first interconnect outside a region is selectively provided between the plurality of first connection electrodes and the plurality of second connection electrodes. The wiring board according to claim 5, wherein the wiring board is performed via a conductive connection member.
【請求項9】 前記導電性接続部材は、導電性ゴムで形
成されている請求項8に記載の配線基板。
9. The wiring board according to claim 8, wherein the conductive connection member is formed of conductive rubber.
【請求項10】 複数の電極を有する半導体装置が実装
される配線基板であって、複数の第1相互接続を有する
第1多層配線構造と、前記第1多層配線構造の上面に形
成された前記半導体装置の前記複数の電極と接続される
複数の外部電極と、前記第1多層配線構造の下面の一部
に接して設けられ、第2相互接続を有する第2配線構造
とを有し、 前記第2相互接続は、前記複数の外部電極が形成された
領域によって2次元的な範囲が規定される実装領域内に
おいて、前記複数の外部電極のうちの少なくとも1つの
外部電極と電気的に接続され、且つ、前記実装領域外に
おいて、前記複数の第1相互接続のうちの少なくとも1
つの第1相互接続と電気的に接続されている配線基板。
10. A wiring board on which a semiconductor device having a plurality of electrodes is mounted, wherein said first multilayer wiring structure has a plurality of first interconnects and said first multilayer wiring structure is formed on an upper surface of said first multilayer wiring structure. A plurality of external electrodes connected to the plurality of electrodes of the semiconductor device, and a second wiring structure provided in contact with a part of a lower surface of the first multilayer wiring structure and having a second interconnect, The second interconnect is electrically connected to at least one external electrode of the plurality of external electrodes in a mounting area in which a two-dimensional range is defined by a region in which the plurality of external electrodes are formed. And at least one of the plurality of first interconnects outside the mounting area.
A wiring board electrically connected to the two first interconnects.
【請求項11】 実装領域内に設けられた伝熱性部材を
さらに有し、前記伝熱性部材を介して放熱部材に接合さ
れる請求項1から10のいずれかに記載の配線基板。
11. The wiring board according to claim 1, further comprising a heat conductive member provided in the mounting area, and joined to the heat radiating member via the heat conductive member.
【請求項12】 複数の電極を有する半導体装置が実装
される配線基板であって、 前記半導体装置の前記複数の電極と接続される複数の外
部電極と、 それぞれが、前記複数の外部電極のうちの少なくとも1
つとビアホールを介して電気的に接続されている複数の
配線層と、を有し、 前記複数の配線層は、電源パターンを有する電源層及び
グランドパターンを有するグランド層のうちの少なくと
も一方を有し、 前記電源層及び前記グランド層のうちの前記少なくとも
一方を貫通して形成される前記ビアホールの本数は、前
記電源層及び前記グランド層のうちの前記少なくとも一
方を貫通しないで形成される前記ビアホールの本数より
も少ない配線基板。
12. A wiring board on which a semiconductor device having a plurality of electrodes is mounted, wherein: a plurality of external electrodes connected to the plurality of electrodes of the semiconductor device; At least one of
And a plurality of wiring layers electrically connected via via holes, wherein the plurality of wiring layers have at least one of a power supply layer having a power supply pattern and a ground layer having a ground pattern. The number of the via holes formed through the at least one of the power supply layer and the ground layer is the number of the via holes formed without passing through the at least one of the power supply layer and the ground layer. Wiring board less than the number.
JP31823799A 1999-11-09 1999-11-09 Wiring board Pending JP2001135908A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31823799A JP2001135908A (en) 1999-11-09 1999-11-09 Wiring board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31823799A JP2001135908A (en) 1999-11-09 1999-11-09 Wiring board

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001135908A true JP2001135908A (en) 2001-05-18

Family

ID=18096967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31823799A Pending JP2001135908A (en) 1999-11-09 1999-11-09 Wiring board

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001135908A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1705967B1 (en) Off-grid decoupling capacitor of ball grid array (BGA) devices and method
US7738259B2 (en) Shared via decoupling for area arrays components
JPS582054A (en) Semiconductor device
KR19980702622A (en) Thermally and electrically improved ball grid package
JPS6249989B2 (en)
JP5581933B2 (en) Package substrate, module using the same, and electric / electronic device
US6538213B1 (en) High density design for organic chip carriers
US20060055024A1 (en) Adapted leaded integrated circuit module
US20060097370A1 (en) Stepped integrated circuit packaging and mounting
JP2000216289A (en) Package for semiconductor device
US20190198446A1 (en) Printed wiring board
US5691569A (en) Integrated circuit package that has a plurality of staggered pins
US7438558B1 (en) Three-dimensional stackable die configuration for an electronic circuit board
JP2001135908A (en) Wiring board
JP2792494B2 (en) Integrated circuit mounting structure
JPH0823047A (en) Bga type semiconductor device
JPH09246684A (en) Bga mounting structure
JPH11112152A (en) Multilayered printed board for mounting flip chip
KR100276858B1 (en) Electronic package with enhanced pad design
US7167374B2 (en) Circuit substrate and electronic equipment
US6295220B1 (en) Memory bar and related circuits and methods
JP3153062B2 (en) Substrate for mounting electronic components
JP2001308531A (en) Multilayer printed wiring board
JP2003007914A (en) Semiconductor device
JPH11163489A (en) Mounting structure of electronic component