JP2001133285A - Revolution detection sensor - Google Patents

Revolution detection sensor

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JP2001133285A
JP2001133285A JP31685399A JP31685399A JP2001133285A JP 2001133285 A JP2001133285 A JP 2001133285A JP 31685399 A JP31685399 A JP 31685399A JP 31685399 A JP31685399 A JP 31685399A JP 2001133285 A JP2001133285 A JP 2001133285A
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JP
Japan
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magnetic
path changing
magnetic path
output
detection sensor
Prior art date
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Pending
Application number
JP31685399A
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Japanese (ja)
Inventor
Katsuya Ogiso
克也 小木曽
Masahiro Taniguchi
政弘 谷口
Masaharu Niimi
雅治 新美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aisin AW Co Ltd
Tokai Rika Co Ltd
Original Assignee
Aisin AW Co Ltd
Tokai Rika Co Ltd
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Publication date
Application filed by Aisin AW Co Ltd, Tokai Rika Co Ltd filed Critical Aisin AW Co Ltd
Priority to JP31685399A priority Critical patent/JP2001133285A/en
Publication of JP2001133285A publication Critical patent/JP2001133285A/en
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  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a revolution detection sensor provided with a comparison circuit for shaping wave form based on a threshold set to stably be 50 vs 50 duty ratio in the case of a large output variation due to temperature characteristics. SOLUTION: A revolution member arranging each magnetic path changing piece in the revolution direction so that the ratio of length in the revolution direction of magnetic path changing pieces 6a to 6c and the length of spaces 7a to 7c in the revolution direction is set to be 40 vs 60, and a first to third magnetic detector 13 to 15 arranged in a specific direction to the revolution member, are provided. An output circuit for obtaining waveform output in detecting the revolution motion of the magnetic path changing pieces 6a to 6c is constituted and is connected to a comparison circuit for shaping wave form based on a threshold setting the output signal of the output circuit to be 1/4 of output change width and duty ratio to be 50 vs 50.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、回転検出センサに
係り、詳しくは磁気検出素子に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a rotation detecting sensor, and more particularly, to a magnetic detecting element.

【0002】[0002]

【従来の技術】本出願人は、回転検出センサとして、回
転板の回転面の回転移動方向において、磁路形成のため
の磁路変更片の間隔長さと、磁路変更片の長さの比を5
0:50となるように各磁路変更片を立設し、同回転板
に対して、対向して配置されるとともに、所定向きに配
設されたバイアスマグネットと該バイアスマグネットを
検出する磁気抵抗素子とを備えた回転検出センサを提案
している。この回転検出センサは、回転中の回転板とと
もに一体に移動する磁路変更片にてバイアスマグネット
の磁束の向きが変更されたことを磁気抵抗素子にて検出
するようにされている。
2. Description of the Related Art As a rotation detecting sensor, the applicant of the present invention has a ratio of the distance between the length of the magnetic path changing piece and the length of the magnetic path changing piece in the direction of rotation of the rotating surface of the rotating plate. 5
Each magnetic path changing piece is erected so as to be 0:50, and a bias magnet and a magnetic resistance for detecting the bias magnet are disposed to face the rotating plate and arranged in a predetermined direction. Has proposed a rotation detection sensor having an element. The rotation detection sensor is configured to detect, by a magnetoresistive element, that the direction of the magnetic flux of the bias magnet is changed by a magnetic path changing piece that moves together with the rotating plate being rotated.

【0003】このような磁束の方向の変化により回転角
度を検出する回転検出センサ(回転角度センサ)におい
ては、例えば磁束の変化が90°ある場合に、飽和出力
が得られる。
In a rotation detection sensor (rotation angle sensor) for detecting a rotation angle based on a change in the direction of the magnetic flux, a saturation output is obtained when the change in the magnetic flux is 90 °, for example.

【0004】従来は、前記磁気抵抗素子にて検出された
信号を比較回路に入力し、同比較回路にて、検出したい
位置に閾値(スレッショルド)を合わせて、その閾値に
て所定のデューティ比を得られるようにしている。すな
わち、デューティ比50:50にするためにこの閾値を
センサ出力の約半分としている。前記閾値をこの値にし
ているのは、回転検出センサの出力変動が小さい場合、
この出力の半分の位置が最も出力変化が大きく、このた
め、デューティ比が最も安定するためである。
Conventionally, a signal detected by the magnetoresistive element is input to a comparison circuit, and the comparison circuit sets a threshold (threshold) at a position to be detected, and sets a predetermined duty ratio by the threshold. I am getting it. That is, this threshold is set to about half of the sensor output in order to make the duty ratio 50:50. The threshold is set to this value when the output fluctuation of the rotation detection sensor is small.
This is because the output change is the largest at a half position of the output, and therefore the duty ratio is most stable.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の回転
検出センサでは、温度特性によって、大きく出力変動が
ある場合、前記閾値を従来と同様に通常の半分の位置に
しておくと、却ってデューティ比が大きく変わる。その
ため、閾値を出力変動の1/5〜1/3にすることによ
り、デューティ比を安定させることが考えられる。する
と今度は、デューティ比は安定するが、デューティ比が
50:50にならない。
However, in the above-mentioned rotation detecting sensor, if the output fluctuates greatly due to temperature characteristics, setting the threshold value to a half of the normal position as in the prior art, on the contrary, will reduce the duty ratio. It changes greatly. Therefore, it is conceivable to stabilize the duty ratio by setting the threshold to 1/5 to 1/3 of the output fluctuation. Then, the duty ratio is stabilized, but the duty ratio does not become 50:50.

【0006】従って、デューティ比50:50でない場
合、このデューティ比の使用を前提とした回転位置を検
出制御させるプログラムのアルゴリズムが複雑で長いも
のとなってしまう。そのため一回ずつの演算にかかる時
間が多くなり、リアルタイムでの検出が難しくなってし
まうという問題が起こる。
Therefore, if the duty ratio is not 50:50, the algorithm of the program for detecting and controlling the rotational position on the premise of using the duty ratio becomes complicated and long. As a result, the time required for each operation increases, and there is a problem that detection in real time becomes difficult.

【0007】本発明の目的は、温度特性によって大きく
出力変動がある場合でも安定してデューティ比50:5
0となるように設定された閾値に基づいて波形成形する
比較回路を備えた回転検出センサを提供することにあ
る。
An object of the present invention is to provide a stable duty ratio of 50: 5 even when there is a large output fluctuation due to temperature characteristics.
An object of the present invention is to provide a rotation detection sensor including a comparison circuit for shaping a waveform based on a threshold set to be zero.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の発明は、回転移動方向に所定の間
隔毎に複数の磁路変更片を配置した回転部材と、前記回
転部材に対して所定の向きに配設された磁石と、該磁石
を検出する複数の磁気検知素子とを備え、前記各磁気検
知素子を構成する複数の磁気抵抗体の所定の配置と、同
各磁気抵抗体の相互間の所定の電気的な接続によって、
前記磁路変更片の回転移動の検出時に波形の出力を得る
出力回路を構成した回転検出センサにおいて、前記各磁
路変更片の間隔長さと、磁路変更片の回転移動方向の長
さの比が異なることを要旨とする。
In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 comprises a rotating member having a plurality of magnetic path changing pieces arranged at predetermined intervals in a rotational movement direction; A magnet disposed in a predetermined direction with respect to the member, and a plurality of magnetic sensing elements for detecting the magnets, a predetermined arrangement of a plurality of magnetic resistors constituting each of the magnetic sensing elements, By a predetermined electrical connection between the magnetoresistors,
In a rotation detection sensor that constitutes an output circuit that obtains a waveform output when detecting the rotational movement of the magnetic path changing piece, a ratio of an interval length of each magnetic path changing piece to a length of the magnetic path changing piece in a rotational movement direction. Are different.

【0009】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の回転検出センサにおいて、前記各磁路変更片の間隔長
さと、前記磁路変更片の回転移動方向の長さの比を65
〜55:35〜45となるように各磁路変更片を配置し
たことを要旨とする。
According to a second aspect of the present invention, in the rotation detecting sensor according to the first aspect, a ratio of an interval length of each of the magnetic path changing pieces to a length of the magnetic path changing pieces in the rotational movement direction is 65.
The gist is that the magnetic path changing pieces are arranged so as to be 55 to 35:45.

【0010】請求項3に記載の発明は、請求項1又は請
求項2に記載の回転検出センサにおいて、前記出力回路
は、デューティ比50:50となるように設定された閾
値に基づいて波形成形する比較回路に接続されているこ
とを要旨とする。
According to a third aspect of the present invention, in the rotation detecting sensor according to the first or second aspect, the output circuit forms a waveform based on a threshold set to have a duty ratio of 50:50. The gist is that they are connected to a comparison circuit.

【0011】請求項4に記載の発明は、請求項1又は請
求項2に記載の回転検出センサにおいて、前記出力回路
は、その出力信号を通常時の出力変化幅の1/5〜1/
3又は、2/3〜4/5であって、デューティ比50:
50となるように設定された閾値に基づいて波形成形す
る比較回路に接続されていることを要旨とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the rotation detection sensor according to the first or second aspect, the output circuit outputs an output signal of the rotation detection sensor from 1/5 to 1/1 of a normal output change width.
3 or 2/3 to 4/5 with a duty ratio of 50:
The gist is that it is connected to a comparison circuit that shapes a waveform based on a threshold value set to be 50.

【0012】請求項5に記載の発明は、請求項1乃至請
求項4のうちいずれか1項に記載の回転検出センサにお
いて、前記複数の磁気抵抗体は、前記磁路変更片の移動
によって生ずる前記磁石の磁束変化に応じて、磁気抵抗
が大きくなる第1の状態と、磁気抵抗が小さくなる第2
の状態を交互に繰り返すように配置されるとともに、2
つのグループに区分されて、両グループは、前記磁束変
化があったときには、互いに反対の状態となるように配
置され、前記出力回路は、前記両グループにそれぞれ属
する磁気抵抗体が電気的に接続されたブリッジ回路であ
ることを要旨とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the rotation detecting sensor according to any one of the first to fourth aspects, the plurality of magnetic resistors are generated by movement of the magnetic path changing piece. A first state in which the magnetic resistance increases in accordance with a change in the magnetic flux of the magnet, and a second state in which the magnetic resistance decreases.
Is arranged so as to alternately repeat the state of
When the magnetic flux changes, the two groups are arranged so as to be in opposite states to each other, and the output circuit is configured such that the magnetic resistors respectively belonging to the two groups are electrically connected. The gist is a bridge circuit.

【0013】請求項6に記載の発明は、請求項1乃至請
求項5のうちいずれか1項に記載の回転検出センサにお
いて、前記各磁路変更片の間隔長さと、磁路変更片の回
転移動方向の長さの比は60:40となるように磁路変
更片を配置したことを要旨とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the rotation detecting sensor according to any one of the first to fifth aspects, an interval between the magnetic path changing pieces and a rotation of the magnetic path changing pieces are provided. The gist is that the magnetic path changing pieces are arranged so that the length ratio in the moving direction is 60:40.

【0014】(作用)請求項1に記載の発明によれば、
各磁路変更片の間隔長さと、磁路変更片の回転移動方向
の長さとは、異なって配置されている。すると、出力回
路は、磁路変更片の間隔長さと、磁路変更片の回転移動
方向の長さの比に相当する波形の出力を得られることに
なる。
(Operation) According to the first aspect of the present invention,
The interval length between the magnetic path changing pieces and the length in the rotational movement direction of the magnetic path changing pieces are arranged differently. Then, the output circuit can obtain a waveform output corresponding to the ratio of the interval length of the magnetic path changing piece to the length of the magnetic path changing piece in the rotational movement direction.

【0015】請求項2に記載の発明によれば、請求項1
に記載の作用に加えて、各磁路変更片の間隔長さと、磁
路変更片の回転移動方向の長さの比を65〜55:35
〜45となるように各磁路変更片が配置されている。す
ると、出力回路は、65〜55:35〜45の比に相当
する波形の出力を得られることになる。
According to the invention described in claim 2, according to claim 1
In addition to the operation described in the above, the ratio between the interval length of each magnetic path changing piece and the length of the magnetic path changing piece in the rotational movement direction is 65 to 55:35.
The magnetic path changing pieces are arranged so as to be 45. Then, the output circuit can obtain an output having a waveform corresponding to a ratio of 65 to 55:35 to 45.

【0016】請求項3に記載の発明によれば、請求項1
又は請求項2に記載の発明の作用に加えて、前記出力回
路は、デューティ比50:50となるように設定された
閾値に基づいて波形成形する比較回路に接続されてい
る。すると、比較回路にはデューティ比50:50の信
号が入力される。
According to the third aspect of the present invention, the first aspect is provided.
Alternatively, in addition to the function of the invention described in claim 2, the output circuit is connected to a comparison circuit that shapes a waveform based on a threshold set to have a duty ratio of 50:50. Then, a signal having a duty ratio of 50:50 is input to the comparison circuit.

【0017】請求項4に記載の発明によれば、請求項1
乃至請求項3に記載のうちいずれか1項に記載の発明の
作用に加えて、出力回路はその出力信号を通常時の出力
変化幅の1/5〜1/3又は2/3〜4/5であって、
デューティ比が50:50となるように設定された閾値
に基づいて波形成形する比較回路に接続されている。
According to the invention described in claim 4, according to claim 1,
In addition to the operation of the invention described in any one of claims 3 to 3, the output circuit outputs the output signal to 1/5 to 1/3 or 2/3 to 4 / of the normal output change width. 5 and
It is connected to a comparison circuit that shapes a waveform based on a threshold value set so that the duty ratio is 50:50.

【0018】後記する実施形態の図6又は図10を参照
して説明すると、例えば通常時の出力変化幅Wの1/5
〜1/3又は2/3〜4/5の場合、出力回路から比較
回路に入力される出力波形は、図6又は図10のα1に
示す通りとなる。このとき、出力変動が生じた場合、同
図に示すようにα1からα2の波形に変化する。
Referring to FIG. 6 or FIG. 10 of an embodiment which will be described later, for example, 1/5 of the output change width W at normal time
In the case of 1 / to 又 は or / to /, the output waveform input from the output circuit to the comparison circuit is as indicated by α1 in FIG. 6 or FIG. At this time, when the output fluctuates, the waveform changes from α1 to α2 as shown in FIG.

【0019】しかし、通常時の出力変化幅Wの1/5〜
1/3又は2/3〜4/5のところにおいては、出力変
動がα1からα2に変わっても、他のところよりも変化
が小さい。従って、比較回路の閾値をこの通常時の出力
幅の1/5〜1/3又は2/3〜4/5としておくと、
誤差が少なくなり、安定したデューティ比50:50が
得られることになる。
However, the output change width W at normal time is 1/5 to 5
At 1/3 or 2/3 to 4/5, even if the output fluctuation changes from α1 to α2, the change is smaller than at other places. Therefore, if the threshold value of the comparison circuit is set to 1/5 to 1/3 or 2/3 to 4/5 of the normal output width,
The error is reduced, and a stable duty ratio of 50:50 is obtained.

【0020】請求項5に記載の発明によれば、請求項1
乃至請求項4のうちいずれか1項に記載の発明の作用に
加えて、回転部材の回転により、磁路変更片が移動する
と、その移動に応じて、2つのグループに区分された複
数の磁気抵抗体は、磁路変更片の移動によって生ずる磁
石の磁束変化に応じて、それぞれのグループにおいて、
互いに反対の状態となって、磁気抵抗が大きくなる第1
の状態と、磁気抵抗が小さくなる第2の状態を交互に繰
り返す。
According to the invention described in claim 5, according to claim 1,
In addition to the effect of the invention according to any one of claims 4 to 4, when the magnetic path changing piece moves by rotation of the rotating member, a plurality of magnetic fields divided into two groups according to the movement. In each group, the resistors are arranged in accordance with a change in the magnetic flux of the magnet caused by the movement of the magnetic path changing piece.
In the opposite state, the first magnetic resistance increases.
And the second state in which the magnetic resistance decreases are alternately repeated.

【0021】又、ブリッジ回路は、前記各磁気抵抗体の
磁気抵抗の変化に応じて、比較回路に検出信号を出力す
る。請求項6に記載の発明によれば、各磁路変更片の間
隔長さと、磁路変更片の回転移動方向の長さの比を6
0:40となるように各磁路変更片を配置することによ
り請求項1乃至請求項5のうちいずれか1項に記載の発
明の作用を実現する。
The bridge circuit outputs a detection signal to a comparison circuit in accordance with a change in the magnetic resistance of each of the magnetic resistors. According to the invention described in claim 6, the ratio of the interval length between the magnetic path changing pieces to the length in the rotational movement direction of the magnetic path changing pieces is 6
By arranging the magnetic path changing pieces so that 0:40, the operation of the invention described in any one of claims 1 to 5 is realized.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】(第1の実施形態)以下、本発明
を自動車のステアリングシャフトに設けられた回転位置
センサに具体化した第一実施形態を図1〜図7に従って
説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment) A first embodiment in which the present invention is embodied in a rotation position sensor provided on a steering shaft of an automobile will be described below with reference to FIGS.

【0023】図1は、回転位置センサの要部分解斜視図
である、回転検出センサとしての回転位置センサ1は、
鉄板よりなる回転部材としての回転板2と磁気検知部材
3とから構成されている。回転板2は、ステアリングシ
ャフト4の回転とともに、その軸心O(図2参照)を回
転中心に回転する。
FIG. 1 is an exploded perspective view of a main part of a rotation position sensor. A rotation position sensor 1 as a rotation detection sensor includes:
It comprises a rotating plate 2 as a rotating member made of an iron plate and a magnetic detecting member 3. The rotating plate 2 rotates around its axis O (see FIG. 2) as the rotation center of the steering shaft 4 rotates.

【0024】図2に示すように、前記回転板2の回転面
内の最外周部において、前記軸心Oを中心とする円弧状
の3個の磁路変更片6a,6b,6cが同回転板2から
延出成形されている。磁路変更片6a,6b,6cは、
一端から他端までが前記軸心Oからみて48度の角度を
なすように形成されている。
As shown in FIG. 2, three arc-shaped magnetic path changing pieces 6a, 6b and 6c around the axis O are rotated at the outermost periphery in the rotation plane of the rotary plate 2. It is extended from the plate 2. The magnetic path changing pieces 6a, 6b, 6c
The one end to the other end are formed so as to form an angle of 48 degrees with respect to the axis O.

【0025】又、各磁路変更片6a,6b,6cが互い
になす間隔(空間7a,7b,7c)は、前記軸心Oか
らみて72度の角度をなすように形成されている。つま
り、回転板2の回転面内の最外周部において、これらの
磁路変更片6a,6b,6cと、空間7a,7b,7c
が交互に存在することになる。このとき、磁路変更片6
a,6b,6cの回転移動方向の長さと空間7a,7
b,7cの回転移動方向の長さの比が40:60となっ
ている。
The intervals (spaces 7a, 7b, 7c) between the magnetic path changing pieces 6a, 6b, 6c are formed so as to form an angle of 72 degrees with respect to the axis O. In other words, these magnetic path changing pieces 6a, 6b, 6c and the spaces 7a, 7b, 7c
Alternately exist. At this time, the magnetic path changing piece 6
a, 6b, and 6c in the rotational movement direction and the spaces 7a, 7
The ratio of the lengths b and 7c in the rotational movement direction is 40:60.

【0026】又、回転板2の中心部には円柱状の磁路形
成凸部8が前記磁路変更片6a〜6cと同じ方向に同回
転板2から延出成形されている。従って、図3に示すよ
うに磁路変更片6a,6b,6cから軸心Oに向かって
回転板2を切断した場合の断面形状は、磁路変更片6
a,6b,6c、回転板2及び磁路形成凸部8とでコの
字状となる。
A cylindrical magnetic path forming projection 8 is formed at the center of the rotating plate 2 so as to extend from the rotating plate 2 in the same direction as the magnetic path changing pieces 6a to 6c. Therefore, as shown in FIG. 3, when the rotary plate 2 is cut from the magnetic path changing pieces 6 a, 6 b, 6 c toward the axis O, the cross-sectional shape is
a, 6b, 6c, the rotating plate 2 and the magnetic path forming projection 8 form a U-shape.

【0027】又、磁路形成凸部8には貫通孔9が形成さ
れ、前記ステアリングシャフト4が貫挿固着されてい
る。前記磁気検知部材3は、検知部本体10と支持アー
ム11とから構成されている。検知部本体10は、回転
板2に形成した磁路変更片6a,6b,6cの内側であ
って、その磁路変更片6a,6b,6cと磁路形成凸部
8との間に位置する空間内に配設される。
A through hole 9 is formed in the magnetic path forming projection 8, and the steering shaft 4 is fixedly inserted therethrough. The magnetic detecting member 3 includes a main body 10 and a support arm 11. The detection unit main body 10 is located inside the magnetic path changing pieces 6a, 6b, 6c formed on the rotating plate 2 and between the magnetic path changing pieces 6a, 6b, 6c and the magnetic path forming protrusions 8. It is arranged in the space.

【0028】検知部本体10は、3個の第1〜第3の磁
気検知体13,14,15が樹脂モールド材12にて封
止され、前記支持アーム11の先端部に固設されてい
る。支持アーム11の基端部は図示しない固定部材に固
定されている。
The detection unit main body 10 has three first to third magnetic detectors 13, 14, 15 sealed with a resin mold material 12 and fixed to the tip of the support arm 11. . The base end of the support arm 11 is fixed to a fixing member (not shown).

【0029】第1の磁気検知体13は、磁気検知素子と
しての第1磁気抵抗素子13aと磁石としての第1バイ
アスマグネット13bとから構成されている。第1バイ
アスマグネット13bは軸心O側がS極で外側がN極と
なるように配設されるとともに、第1磁気抵抗素子13
aに対して軸心O側で、且つ図2において時計回り方向
にオフセットさせて配置されている。
The first magnetic sensing element 13 includes a first magnetoresistive element 13a as a magnetic sensing element and a first bias magnet 13b as a magnet. The first bias magnet 13b is disposed so that the axial center O side is an S pole and the outside is an N pole,
2 and offset in the clockwise direction in FIG.

【0030】第1磁気抵抗素子13aは、第1バイアス
マグネット13bの磁束の向きによって、検出電圧が変
化する複数の磁気検出素子からなり、すなわち、図4に
示すような磁束の向きによってその抵抗値を変化する磁
気抵抗体としての4個の抵抗体R1,R2,R3,R4
を備えている。図5は抵抗体R1〜R4の配置を示す説
明図である。同図に示すように2個の抵抗体R1,R4
は、同じ方向に向かって配置され、抵抗体R2,R3は
前記抵抗体R1,R4の向く方向とは直交する方向に向
かって配置されている。図5において、m及びnは抵抗
体R1,R4及び抵抗体R2,R3が向かう方向を示す
それぞれの中心軸を示している、なお、各抵抗体R1〜
R4はNiCo薄膜を基板に対して折れ線状に成膜され
たものであり、同温度雰囲気下において抵抗値が同一と
なるように設定されている。なお、抵抗体R1〜R4は
雰囲気温度が上昇すると、感度が変化する感度温度特性
を備えている。この感度温度特性は、感度温度変化率と
抵抗温度変化率とが一致しているのが好ましい。
The first magnetic resistance element 13a is composed of a plurality of magnetic detection elements whose detection voltage changes depending on the direction of the magnetic flux of the first bias magnet 13b, that is, the resistance value of the first magnetic resistance element 13a depends on the direction of the magnetic flux as shown in FIG. Resistances R1, R2, R3, R4
It has. FIG. 5 is an explanatory diagram showing the arrangement of the resistors R1 to R4. As shown in the figure, two resistors R1 and R4
Are arranged in the same direction, and the resistors R2 and R3 are arranged in a direction orthogonal to the direction of the resistors R1 and R4. In FIG. 5, m and n indicate respective central axes indicating the directions in which the resistors R1 and R4 and the resistors R2 and R3 are directed.
R4 is formed by forming a NiCo thin film on the substrate in a polygonal line shape, and is set so that the resistance value is the same under the same temperature atmosphere. The resistors R1 to R4 have sensitivity temperature characteristics in which the sensitivity changes when the ambient temperature increases. In this sensitivity temperature characteristic, it is preferable that the rate of change in sensitivity temperature and the rate of change in resistance temperature match.

【0031】そして、本実施形態では、抵抗体R1〜R
4の角度中心線と、磁束の変化中心(図5において、A
線で示す)とは一致するように配置されている。抵抗体
R1〜R4の角度中心線とは、前記m,n線が交わる点
を基点とし、その基点を通るmnの成す角の二等分線で
ある。
In this embodiment, the resistors R1 to R
4 and the center of change of the magnetic flux (in FIG. 5, A
(Indicated by a line). The angle center line of the resistors R1 to R4 is a bisector of an angle formed by mn passing through the base point at a point where the m and n lines intersect.

【0032】なお、この実施形態での磁束の向きの範囲
は、磁束の向きが前記軸心Oから略半径方向に対し略+
45°の向きになるときから、前記略半径方向に対して
略−45°の向きになるときまでの範囲である。
The range of the direction of the magnetic flux in this embodiment is such that the direction of the magnetic flux is substantially +
This is a range from the time when the direction becomes 45 ° to the time when the direction becomes substantially −45 ° with respect to the substantially radial direction.

【0033】なお、図5は、回転板2の回転面側から磁
路変更片6aの突出方向に向けて抵抗体R1〜R4を見
た場合の説明図であり、図2は、その逆方向側から見た
場合の図となっているため、図2と図5とでは、抵抗体
R1,R4と抵抗体R2,R3の位置関係は左右反対と
なっている。
FIG. 5 is an explanatory view when the resistors R1 to R4 are viewed from the rotating surface side of the rotating plate 2 in the direction in which the magnetic path changing piece 6a protrudes, and FIG. 2 and FIG. 5, the positional relationship between the resistors R1 and R4 and the resistors R2 and R3 is opposite in FIG.

【0034】そして、磁束の向きが前記軸心Oから略半
径方向に対し略+45°の向きになるときは、抵抗体R
1,R4の抵抗値が小さくなるとともに、抵抗体R2,
R3の抵抗値が大きくなる。又、磁束の向きが前記略半
径方向に対して略−45°の向きになるとき、抵抗体R
1,R4の抵抗値が大きくなるとともに、抵抗体R2,
R3の抵抗値が小さくなる。なお、図5において、角度
は時計回り方向を+としている。
When the direction of the magnetic flux is substantially + 45 ° from the axis O with respect to the substantially radial direction, the resistor R
1 and R4, and the resistance of the resistor R2
The resistance value of R3 increases. When the direction of the magnetic flux is substantially -45 degrees with respect to the substantially radial direction, the resistor R
1 and R4 increase, and the resistor R2
The resistance value of R3 decreases. In FIG. 5, the angle is defined as + in the clockwise direction.

【0035】前記各抵抗体R1〜R4は図4に示すよう
に、4端子ブリッジ回路Bを構成するように接続され、
抵抗体R3側には、閾値調整用抵抗体R0が接続されて
いる。
The resistors R1 to R4 are connected to form a four-terminal bridge circuit B as shown in FIG.
The resistor R0 for threshold value adjustment is connected to the resistor R3 side.

【0036】前記抵抗体R1と抵抗体R2との接続点
(中点)aは、基板に設けられた比較回路としてのコン
パレータCPの反転入力端子に接続され、抵抗体R3と
抵抗体R4との接続点(中点)bは、同コンパレータC
Pの非反転入力端子に接続されている。前記抵抗体R1
と抵抗体R2とからなる回路は、出力回路を構成してい
る。又、閾値調整用抵抗体R0は抵抗体R4よりも小さ
い抵抗値を有し、抵抗体R1〜R4とは異なり、温度抵
抗変化の少ない材質で基板に形成されている。
A connection point (middle point) a between the resistor R1 and the resistor R2 is connected to an inverting input terminal of a comparator CP serving as a comparison circuit provided on the substrate, and is connected to the resistor R3 and the resistor R4. The connection point (middle point) b is the comparator C
It is connected to the non-inverting input terminal of P. The resistor R1
The circuit composed of the resistor R2 forms an output circuit. Further, the resistor R0 for threshold value adjustment has a smaller resistance value than the resistor R4, and unlike the resistors R1 to R4, is formed on the substrate with a material having a small temperature resistance change.

【0037】前記コンパレータCP、4端子ブリッジ回
路(抵抗体R1〜R4、抵抗体R0を含む)Bとにより
検出回路20が構成されている。なお、抵抗体R1,R
4は本発明のブリッジ回路を構成している。
The detection circuit 20 is constituted by the comparator CP and the four-terminal bridge circuit (including the resistors R1 to R4 and the resistor R0) B. The resistors R1, R
Reference numeral 4 denotes a bridge circuit according to the present invention.

【0038】前記検出回路20の抵抗体R1,R4は、
磁束の向きが前記軸心Oから略半径方向に対し略−45
°の向きになる場合、中点aの電位は、後述する閾値電
圧A1よりも大きいHレベルとなる(図6参照)。な
お、図6において、A0は中点aの飽和出力の1/2の
電位レベルを示している。又、Hは閾値電圧A1,A0
よりもハイレベル、Lは閾値電圧A1,A0よりもロー
レベルを示している。
The resistors R1 and R4 of the detection circuit 20 are
The direction of the magnetic flux is approximately -45 from the axis O with respect to the substantially radial direction.
In the case of the orientation of °, the potential of the middle point a becomes the H level higher than the threshold voltage A1 described later (see FIG. 6). In FIG. 6, A0 indicates a potential level that is の of the saturation output at the middle point a. H is the threshold voltage A1, A0.
L indicates a lower level than the threshold voltages A1 and A0.

【0039】又、磁束の向きが前記略半径方向に対して
略+45°の向きになる場合、中点aの電位は閾値電圧
A1よりもLレベルとなる(図6参照)。又、コンパレ
ータCPの基準電圧側となる中点bの電圧は下記のよう
に設定されている。すなわち、常温時の場合、移動(回
転)中の磁路変更片6a,6b,6cにより、中点aの
電圧の変化(α1で示す波形)が図6に示すように、通
常の出力変化幅Wの1/4程度において、デューティ比
が50:50となるときを中点bの電位に基づいた閾値
(スレッショルド)となるように、前記閾値調整用抵抗
体R0にて調整されている。なお、閾値(閾値電圧)A
1は、4端子ブリッジ回路Bに印加されている電圧をV
ccとするとき、Vcc*(R4+R0)/(R3+R
4+R0)となる。
When the direction of the magnetic flux is substantially + 45 ° with respect to the above-mentioned substantially radial direction, the potential at the middle point a is at the L level from the threshold voltage A1 (see FIG. 6). The voltage at the middle point b on the reference voltage side of the comparator CP is set as follows. That is, in the case of normal temperature, the change in the voltage at the middle point a (waveform indicated by α1) due to the magnetic path changing pieces 6a, 6b, and 6c during the movement (rotation) as shown in FIG. At about 1/4 of W, the threshold value adjusting resistor R0 is adjusted so that when the duty ratio becomes 50:50, the threshold value (threshold) is based on the potential at the middle point b. Note that a threshold (threshold voltage) A
1 indicates that the voltage applied to the four-terminal bridge circuit B is V
cc, Vcc * (R4 + R0) / (R3 + R
4 + R0).

【0040】なお、本実施形態での検出ポイントは移動
(回転)中の磁路変更片6a,6b,6cの回転方向の
エッジ部分である。又、前記閾値調整用抵抗体R0によ
り、中点bの電位が、閾値調整用抵抗体R0を省略した
場合の抵抗体R1〜R4からなる4端子ブリッジ回路に
おける中点bの電位よりも、図6に示すように下がり、
すなわち、閾値電圧(基準電圧)がA0レベルからA1
レベルまで下がるようにされている。
The detection point in this embodiment is the edge of the magnetic path changing pieces 6a, 6b, 6c in the rotating direction during the movement (rotation). Further, the potential of the middle point b is higher than the potential of the middle point b in the four-terminal bridge circuit including the resistors R1 to R4 when the threshold adjustment resistor R0 is omitted by the threshold adjustment resistor R0. As shown in 6,
That is, the threshold voltage (reference voltage) is changed from A0 level to A1 level.
It is going down to the level.

【0041】そして、この閾値電圧(基準電圧)A1
は、通常の出力変化幅の1/4のレベルとされるととも
に、この閾値電圧A1におけるデューティ比が通常時の
変化の場合において、50:50となるようにされてい
る。
The threshold voltage (reference voltage) A1
Is set to a level of 1/4 of the normal output change width, and the duty ratio at the threshold voltage A1 is set to 50:50 in the case of a normal change.

【0042】第2の磁気検知体14は、磁気検知素子と
しての第2磁気抵抗素子14aと磁石としての第2バイ
アスマグネット14bとから構成されている。第2磁気
抵抗素子14aと第2バイアスマグネット14bとの間
の配置関係は前記第1磁気抵抗素子13aと第1バイア
スマグネット13bとの間の配置関係と同じである。そ
して、第2磁気抵抗素子14aと第2バイアスマグネッ
ト14bは、それぞれ前記第1磁気抵抗素子13aと第
1バイアスマグネット13bに対して、図2において、
前記軸心Oを中心に時計回り方向に40度の位置に配設
される。
The second magnetic detector 14 includes a second magnetic resistance element 14a as a magnetic detection element and a second bias magnet 14b as a magnet. The positional relationship between the second magnetoresistive element 14a and the second bias magnet 14b is the same as the positional relationship between the first magnetoresistive element 13a and the first bias magnet 13b. Then, the second magnetoresistive element 14a and the second bias magnet 14b are respectively different from the first magnetoresistive element 13a and the first bias magnet 13b in FIG.
It is disposed at a position of 40 degrees clockwise about the axis O.

【0043】第2磁気抵抗素子14aは、前記第1磁気
抵抗素子13aの磁気抵抗体としての4個の抵抗体R
1,R2,R3,R4と同一構成及び同様に電気的に接
続された抵抗体を4個備えている。これらの抵抗体に
は、そのため第1磁気抵抗素子13aの4個の抵抗体R
1〜R4と同符号を付してその説明を省略する。
The second magnetoresistive element 14a includes four resistors R as the magnetoresistors of the first magnetoresistive element 13a.
1, R2, R3, and R4 have the same configuration and four resistors electrically connected in the same manner. These resistors therefore include the four resistors R of the first magnetoresistive element 13a.
The same reference numerals are assigned to 1 to R4, and the description is omitted.

【0044】又、第2磁気抵抗素子14aの抵抗体R1
〜R4は、第1磁気抵抗素子13aに設けられた抵抗体
R0と同様に設けられた抵抗体R0とともに、第1磁気
抵抗素子13aの場合と同様の4端子ブリッジ回路を構
成する。さらに、第2磁気抵抗素子14aの抵抗体R1
〜R4は、抵抗体R0、及びコンパレータCPととも
に、検出回路20を構成している。この検出回路20及
び4端子ブリッジ回路Bの作用は前記第1磁気抵抗素子
13aの場合の検出回路20と同様に機能(作用)す
る。
The resistor R1 of the second magnetoresistive element 14a
R4 together with the resistor R0 provided in the same manner as the resistor R0 provided in the first magnetoresistive element 13a constitute a four-terminal bridge circuit similar to that of the first magnetoresistive element 13a. Furthermore, the resistor R1 of the second magnetoresistive element 14a
R4 constitute a detection circuit 20 together with the resistor R0 and the comparator CP. The functions of the detection circuit 20 and the four-terminal bridge circuit B are the same as those of the detection circuit 20 in the case of the first magnetoresistive element 13a.

【0045】第3の磁気検知体15は、磁気検知素子と
しての第3磁気抵抗素子15aと磁石としての第3バイ
アスマグネット15bとから構成されている。第3磁気
抵抗素子15aと第3バイアスマグネット15bとの間
の配置関係は前記第1磁気抵抗素子13aと第1バイア
スマグネット13bとの間の配置関係と同じである。そ
して、第3磁気抵抗素子15aと第3バイアスマグネッ
ト15bは、それぞれ前記第1磁気抵抗素子13aと第
1バイアスマグネット13bに対して、図2において、
前記軸心Oを中心に反時計回り方向に40度の位置に配
設される。
The third magnetic sensing element 15 includes a third magnetic resistance element 15a as a magnetic sensing element and a third bias magnet 15b as a magnet. The positional relationship between the third magnetoresistive element 15a and the third bias magnet 15b is the same as the positional relationship between the first magnetoresistive element 13a and the first bias magnet 13b. The third magnetoresistive element 15a and the third bias magnet 15b are different from the first magnetoresistive element 13a and the first bias magnet 13b in FIG.
It is disposed at a position of 40 degrees counterclockwise about the axis O.

【0046】第3磁気抵抗素子15aは、前記第1磁気
抵抗素子13aの磁気抵抗体としての4個の抵抗体R
1,R2,R3,R4と同一構成及び同様に電気的に接
続された抵抗体を4個備えている。これらの抵抗体に
は、そのため第1磁気抵抗素子13aの4個の抵抗体R
1〜R4と同符号を付してその説明を省略する。
The third magnetoresistive element 15a includes four resistors R as the magnetoresistors of the first magnetoresistive element 13a.
1, R2, R3, and R4 have the same configuration and four resistors electrically connected in the same manner. These resistors therefore include the four resistors R of the first magnetoresistive element 13a.
The same reference numerals are assigned to 1 to R4, and the description is omitted.

【0047】又、第3磁気抵抗素子15aの抵抗体R1
〜R4は、第1磁気抵抗素子13aに設けられた抵抗体
R0と同様に設けられた抵抗体R0とともに、第1磁気
抵抗素子13aの場合と同様の4端子ブリッジ回路を構
成する。さらに、第3磁気抵抗素子15aの抵抗体R1
〜R4は、抵抗体R0、及びコンパレータCPととも
に、検出回路20を構成している。この検出回路20及
び4端子ブリッジ回路Bの作用は前記第1磁気抵抗素子
13aの場合の検出回路20と同様に機能(作用)す
る。
The resistor R1 of the third magnetoresistive element 15a
R4 together with the resistor R0 provided in the same manner as the resistor R0 provided in the first magnetoresistive element 13a constitute a four-terminal bridge circuit similar to that of the first magnetoresistive element 13a. Further, the resistor R1 of the third magnetoresistive element 15a
R4 constitute a detection circuit 20 together with the resistor R0 and the comparator CP. The functions of the detection circuit 20 and the four-terminal bridge circuit B are the same as those of the detection circuit 20 in the case of the first magnetoresistive element 13a.

【0048】そして、第1〜第3バイアスマグネット1
3b〜15bと磁路変更片6a〜6cとの相対位置関係
において、第1〜第3バイアスマグネット13b〜15
bの各々が、図2に示す第3バイアスマグネット15b
の位置に位置したとき、即ち、軸心OからN極を通る放
射線上(以下、外側方という)に磁路変更片6a〜6c
のいずれかがある場合には、それらの磁束は略半径方向
に対し略−45°の向きになる。これは、磁路変更片6
a〜6c、回転板2及び磁路形成凸部8とからなるコ字
状の磁路が形成され、第1〜第3バイアスマグネット1
3b〜15bのN極から磁束が磁路変更片6a〜6cに
引き寄せられるからである。その結果、磁束の向きは、
磁路変更片6a〜6c側、即ち略半径方向に対し略−4
5°の向きになる。つまり、磁路変更片6a〜6cは磁
路形成片となる。
The first to third bias magnets 1
3b to 15b and the first to third bias magnets 13b to 15b in the relative positional relationship between the magnetic path changing pieces 6a to 6c.
b is the third bias magnet 15b shown in FIG.
, That is, on the radiation passing from the axis O to the N pole (hereinafter referred to as “outside”), the magnetic path changing pieces 6a to 6c
In the case where there is any of the above, those magnetic fluxes are oriented at approximately -45 ° with respect to the approximately radial direction. This is the magnetic path changing piece 6
a to 6c, a rotating plate 2 and a magnetic path forming convex portion 8, a U-shaped magnetic path is formed, and the first to third bias magnets 1 are formed.
This is because magnetic flux is drawn from the N poles 3b to 15b to the magnetic path changing pieces 6a to 6c. As a result, the direction of the magnetic flux is
The magnetic path changing pieces 6a to 6c side, that is, approximately -4
5 ° orientation. That is, the magnetic path changing pieces 6a to 6c are magnetic path forming pieces.

【0049】従って、この場合には、4端子ブリッジ回
路Bの中点aの電圧はHレベルとなる。又、第1〜第3
バイアスマグネット13b〜15bと磁路変更片6a〜
6cとの相対位置関係において、第1〜第3バイアスマ
グネット13b〜15bの各々が、図2に示す第2バイ
アスマグネット14bの位置に位置したとき、即ち、N
極の外側方に磁路変更片6a〜6cのいずれかがない場
合には、それら磁束は略半径方向に対して略+45°の
向きとなる。これは、磁路を形成する磁路変更片6a〜
6cがないため、磁束は引き込まれるものがないからで
ある。その結果、磁束は放射状にのび、磁束の向きは略
半径方向に対して略+45°の向きとなる。
Therefore, in this case, the voltage at the middle point a of the four-terminal bridge circuit B becomes H level. Also, the first to third
Bias magnets 13b to 15b and magnetic path changing pieces 6a to
6c, when each of the first to third bias magnets 13b to 15b is located at the position of the second bias magnet 14b shown in FIG.
If any of the magnetic path changing pieces 6a to 6c is not on the outer side of the pole, those magnetic fluxes are oriented at approximately + 45 ° with respect to the substantially radial direction. This is because the magnetic path changing pieces 6a to 6
Because there is no 6c, there is no magnetic flux. As a result, the magnetic flux extends radially, and the direction of the magnetic flux is substantially + 45 ° with respect to the substantially radial direction.

【0050】従って、この場合には4端子ブリッジ回路
Bの中点aの電圧はLレベルの電圧を出力する。さら
に、第1〜第3バイアスマグネット13b〜15bと磁
路変更片6a〜6cとの相対位置関係において、第1〜
第3バイアスマグネット13b〜15bの各々が、図2
に示す第1バイアスマグネット13bの位置に位置した
ときであって、磁路変更片6a〜6cがない位置から磁
路変更片6a〜6cのいずれかの端を通過する時には、
それら磁束の向きは略半径方向に対して略+45°の向
きから略半径方向に対して略−45°の向きに変わる。
Therefore, in this case, the voltage at the middle point a of the four-terminal bridge circuit B outputs an L level voltage. Furthermore, in the relative positional relationship between the first to third bias magnets 13b to 15b and the magnetic path changing pieces 6a to 6c,
Each of the third bias magnets 13b to 15b corresponds to FIG.
And when passing from one end of the magnetic path changing pieces 6a to 6c from a position where the magnetic path changing pieces 6a to 6c do not exist,
The directions of the magnetic fluxes change from a direction of approximately + 45 ° with respect to the substantially radial direction to a direction of approximately −45 ° with respect to the substantially radial direction.

【0051】従って、この場合には、4端子ブリッジ回
路Bの中点aの電圧はLレベルからHレベルに立ち上が
る電圧を出力する。さらに、磁路変更片6a〜6cがあ
る位置からその端を通過する時には、それら磁束の向き
は略半径方向に対して略−45°の向きから略半径方向
に対して略+45°の向きに変わる。
Therefore, in this case, the voltage at the middle point a of the four-terminal bridge circuit B outputs a voltage rising from the L level to the H level. Further, when the magnetic path changing pieces 6a to 6c pass through the end from a certain position, the directions of the magnetic fluxes are changed from a direction of approximately −45 ° to a substantially radial direction to a direction of approximately + 45 ° to a substantially radial direction. change.

【0052】従って、この場合には、4端子ブリッジ回
路Bの中点aの電圧はHレベルからLレベルに立ち下が
る電圧を出力する。このようにして、4端子ブリッジ回
路Bの中点aの電位は、Hレベル、Lレベルとなり、検
出回路20のコンパレータCPによって基準電圧(閾値
電圧)となる側の中点bに基づいて立ち上がり及び立ち
下がりが急峻となる検出信号に波形成形される。
Therefore, in this case, the voltage at the middle point a of the four-terminal bridge circuit B outputs a voltage that falls from the H level to the L level. In this manner, the potential of the middle point a of the four-terminal bridge circuit B becomes H level and L level, and the comparator CP of the detection circuit 20 rises and rises based on the middle point b which becomes the reference voltage (threshold voltage). The waveform is shaped into a detection signal having a sharp fall.

【0053】上記の説明において、通常時の場合、中点
a点における出力波形は図6のα1に示す波形となる。
なお、図6において、L1区間のα1は、第1〜第3バ
イアスマグネット13b〜15bと磁路変更片6a〜6
cとの相対位置関係において、第1〜第3バイアスマグ
ネット13b〜15bの各々が、図2に示す第3バイア
スマグネット15bの位置に位置したときの波形となっ
ている。そして、L2区間のα2は、第1〜第3バイア
スマグネット13b〜15bと磁路変更片6a〜6cと
の相対位置関係において、第1〜第3バイアスマグネッ
ト13b〜15bの各々が、図2に示す第2バイアスマ
グネット14bの位置に位置したときの波形となってい
る。また、磁路変更片6a,6b,6cの回転移動方向
の長さと空間7a,7b,7cの回転移動方向の長さの
比が40:60となっているため、L1:L2=40:
60となっている。
In the above description, in the normal case, the output waveform at the middle point a is the waveform indicated by α1 in FIG.
In FIG. 6, α1 in the L1 section is the first to third bias magnets 13b to 15b and the magnetic path changing pieces 6a to 6b.
In relation to the relative positional relationship with c, the waveform is when each of the first to third bias magnets 13b to 15b is located at the position of the third bias magnet 15b shown in FIG. In the relative position relationship between the first to third bias magnets 13b to 15b and the magnetic path changing pieces 6a to 6c, α2 in the L2 section indicates that each of the first to third bias magnets 13b to 15b The waveform is when it is located at the position of the second bias magnet 14b shown. Further, since the ratio of the length of the magnetic path changing pieces 6a, 6b, 6c in the rotational movement direction to the length of the spaces 7a, 7b, 7c in the rotational movement direction is 40:60, L1: L2 = 40:
It is 60.

【0054】一方、大きく出力変動があり、中点a点に
おける出力波形が図6に示すα2になった場合、閾値電
圧A1における検出ポイントは、a1からa2に変わ
る。この場合、仮に従来と同じ抵抗体R1〜R4からな
る4端子ブリッジ回路の場合であって、閾値電圧A0と
したときには、図6に示すように検出ポイントは、b1
からb2に変わる。本実施形態での検出ポイントa1と
a2の差をd1とし、従来の場合の検出ポイントb1と
b2の差をd2とすると、d2>d1となる。これは、
出力変動が生じた場合であっても、出力波形の立ち上が
りに近傍となる出力変化幅Wの1/4付近では、その差
d1は比較的小さなものとなるのに対して、出力変化幅
Wの1/2ではその差d2は大きくなるためである。
On the other hand, when there is a large output fluctuation and the output waveform at the middle point a becomes α2 shown in FIG. 6, the detection point at the threshold voltage A1 changes from a1 to a2. In this case, assuming that the four-terminal bridge circuit is composed of the same resistors R1 to R4 as the conventional one, and the threshold voltage is A0, the detection point is b1 as shown in FIG.
To b2. If the difference between the detection points a1 and a2 in the present embodiment is d1, and the difference between the detection points b1 and b2 in the conventional case is d2, then d2> d1. this is,
Even when an output fluctuation occurs, the difference d1 is relatively small in the vicinity of 1/4 of the output change width W near the rising edge of the output waveform, whereas the difference d1 is relatively small. This is because the difference d2 becomes large at 1/2.

【0055】従って、本実施形態においては、出力変動
があった場合においても、得られるデューティ比が略5
0:50であり、尚かつ安定したものとなる。なお、図
7は出力変動が小さい場合を示しており、本実施形態に
おいては、閾値電圧A1であるため、出力変動前の場合
と同じデューティ比が得られることが分かる。
Therefore, in the present embodiment, even when the output fluctuates, the obtained duty ratio is approximately 5%.
0:50 and still stable. FIG. 7 shows a case where the output fluctuation is small. In this embodiment, since the threshold voltage is A1, it can be seen that the same duty ratio as that before the output fluctuation is obtained.

【0056】次に、上記のように構成した回転位置セン
サ1の特徴を以下に説明する。 (1) 本実施形態では、回転板2の回転面において、
磁路変更片6a,6b,6cの回転移動方向の長さと空
間7a,7b,7cの回転移動方向の長さの比が40:
60となるように回転板2に磁路変更片6a,6b,6
cを立設した。前記回転板2に対して、所定の向きにな
るように配置した第1〜第3バイアスマグネット13b
〜15b(磁石)と、第1〜第3バイアスマグネット1
3b〜15bを検出する磁気抵抗素子13a〜15a
(磁気検知素子)とを設けた。そして、磁気抵抗素子1
3a〜15aを構成する複数の抵抗体R1〜R4(磁気
抵抗体)の所定の配置と、各抵抗体R1〜R4の相互間
の所定の電気的な接続によって、磁路変更片6a〜6c
の回転移動の検出時に波形の出力を得る抵抗体R1と抵
抗体R2からなる回路(出力回路)を構成した。そし
て、出力回路は、その出力信号を通常時の出力変化幅W
の1/4程度であって、デューティ比が50:50とな
るように設定された閾値電圧A1に基づいて波形成形す
るコンパレータCP(比較回路)に接続した。
Next, the features of the rotational position sensor 1 configured as described above will be described below. (1) In the present embodiment, on the rotating surface of the rotating plate 2,
The ratio of the length of the magnetic path changing pieces 6a, 6b, 6c in the rotational movement direction to the length of the spaces 7a, 7b, 7c in the rotational movement direction is 40:
The magnetic path changing pieces 6a, 6b, 6
c. First to third bias magnets 13b arranged in a predetermined direction with respect to the rotating plate 2.
To 15b (magnet) and first to third bias magnets 1
Magneto-resistive elements 13a to 15a for detecting 3b to 15b
(Magnetic sensing element). And the magnetoresistive element 1
Magnetic path changing pieces 6a to 6c are formed by a predetermined arrangement of a plurality of resistors R1 to R4 (magnetic resistors) constituting 3a to 15a and a predetermined electrical connection between the resistors R1 to R4.
A circuit (output circuit) composed of a resistor R1 and a resistor R2 for obtaining a waveform output upon detection of the rotational movement of. Then, the output circuit converts the output signal into a normal output change width W.
And a comparator CP (comparing circuit) for shaping the waveform based on the threshold voltage A1 set so that the duty ratio is 50:50.

【0057】この結果、通常時の出力変化幅Wの1/4
程度のところにおいては、図6に示すように出力変動が
α1からα2の波形に変わっても、他のところよりも変
化が小さいため、コンパレータCPの閾値電圧A1をこ
の通常時の出力変化幅Wの1/4程度としておくと、誤
差が少なくなり、安定したデューティ比50:50を得
ることができる。
As a result, 出力 of the output change width W during normal operation is obtained.
In this case, even if the output variation changes from α1 to α2 as shown in FIG. 6, the variation is smaller than in other places. Therefore, the threshold voltage A1 of the comparator CP is set to the normal output variation width W. Is set to about 1/4, the error is reduced and a stable duty ratio of 50:50 can be obtained.

【0058】また、デューティ比50:50となるよう
にしているため、コンパレータCPから出力された信号
の後段での信号処理が行いやすくすることができる。 (2) 本実施形態では、複数の磁気抵抗体R1〜R4
を、磁路変更片6a〜6cの移動によって生ずる第1〜
第3バイアスマグネット13b〜15bの磁束変化に応
じて、磁気抵抗が大きくなる第1の状態と、磁気抵抗が
小さくなる第2の状態を交互に繰り返すように配置し、
2つのグループに区分されて、両グループは、磁束変化
があったときには、互いに反対の状態となるように配置
した。
Further, since the duty ratio is set to 50:50, it is possible to easily perform the signal processing at the subsequent stage of the signal output from the comparator CP. (2) In the present embodiment, the plurality of magnetic resistors R1 to R4
Are caused by the movement of the magnetic path changing pieces 6a to 6c.
A first state in which the magnetic resistance is increased and a second state in which the magnetic resistance is decreased are alternately arranged in accordance with a change in magnetic flux of the third bias magnets 13b to 15b.
It was divided into two groups, and both groups were arranged so as to be in opposite states when there was a change in magnetic flux.

【0059】そして、抵抗体R1と抵抗体R2からなる
回路(出力回路)は、両グループにそれぞれ属する抵抗
体R1,R2からなるハーフブリッジ回路とした。この
結果、回転板2の回転により、磁路変更片6a〜6cが
移動すると、その移動に応じて、2つのグループに区分
された複数の抵抗体R1,R2は、磁路変更片6a〜6
cの移動によって生ずる第1〜第3バイアスマグネット
13b〜15bの磁束に応じて、それぞれのグループに
おいて、互いに反対の状態となって、磁気抵抗が大きく
なる第1の状態と、磁気抵抗が小さくなる第2の状態を
交互に繰り返すことができる。
The circuit (output circuit) composed of the resistors R1 and R2 is a half bridge circuit composed of the resistors R1 and R2 belonging to both groups. As a result, when the magnetic path changing pieces 6a to 6c move due to the rotation of the rotating plate 2, the plurality of resistors R1 and R2 divided into two groups correspond to the movements.
According to the magnetic fluxes of the first to third bias magnets 13b to 15b generated by the movement of c, the respective groups are in a state opposite to each other, and a first state in which the magnetic resistance is increased, and a magnetic resistance is reduced. The second state can be alternately repeated.

【0060】又、抵抗体R1と抵抗体R2からなる回路
(ハーフブリッジ回路)は、各抵抗体R1,R2の磁気
抵抗の変化に応じて、コンパレータCPに検出信号を出
力できる。
Further, a circuit (half bridge circuit) composed of the resistor R1 and the resistor R2 can output a detection signal to the comparator CP according to a change in the magnetic resistance of each of the resistors R1 and R2.

【0061】(3) 本実施形態では外部からのノイズ
を低減させる磁路変更片6a〜6cは、回転板2と一体
に形成されているため、部品点数の増加はなく、組み付
け工数も増加することはない。
(3) In the present embodiment, since the magnetic path changing pieces 6a to 6c for reducing external noise are formed integrally with the rotating plate 2, the number of parts does not increase and the number of assembling steps also increases. Never.

【0062】(4) 又、本実施形態では検知部本体1
0を磁路変更片6a〜6cと磁路形成凸部8との間に位
置する空間内に配設したので、回転位置センサが大型化
することはない。
(4) In the present embodiment, the detection unit main body 1
Since 0 is disposed in the space located between the magnetic path changing pieces 6a to 6c and the magnetic path forming projection 8, the rotation position sensor does not increase in size.

【0063】(5) 本実施形態では、磁路変更片6
a,6b,6cの回転移動方向の長さと空間7a,7
b,7cの回転移動方向の長さとの比40:60に相当
する波形α1を得ることができる。
(5) In the present embodiment, the magnetic path changing piece 6
a, 6b, and 6c in the rotational movement direction and the spaces 7a, 7
It is possible to obtain a waveform α1 corresponding to a ratio of 40:60 to the length of b, 7c in the rotational movement direction.

【0064】(第2の実施形態)以下、本発明を自動車
のステアリングシャフトに設けられた回転位置センサに
具体化した第二実施形態を図1、図2及び、図8〜図1
3に従って説明する。なお、前記第一実施形態と共通の
部材については同符号を付すと共に、異なるところのみ
を説明する。
(Second Embodiment) A second embodiment in which the present invention is embodied in a rotational position sensor provided on a steering shaft of an automobile will be described below with reference to FIGS. 1, 2, and 8 to 1.
3 will be described. The same members as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and only different points will be described.

【0065】本実施形態の抵抗体R1〜R4の配置にお
いては、図9に示すように図5と比べると、抵抗体R
1,R4と抵抗体R2,R3の位置関係は左右反対とな
っている。
In the arrangement of the resistors R1 to R4 of the present embodiment, as shown in FIG.
The positional relationship between the resistors R1, R4 and the resistors R2, R3 is opposite to each other.

【0066】従って、磁束の向きが前記軸心Oから略半
径方向に対し略+45°の向きになるときは、抵抗体R
1,R4の抵抗値が大きくなるとともに、抵抗体R2,
R3の抵抗値が小さくなる。又、磁束の向きが前記略半
径方向に対して略−45°の向きになるとき、抵抗体R
1,R4の抵抗値が小さくなるとともに、抵抗体R2,
R3の抵抗値が大きくなる。なお、図9において、角度
は時計回り方向を+としている。
Therefore, when the direction of the magnetic flux is substantially + 45 ° from the axis O with respect to the substantially radial direction, the resistor R
1 and R4 increase, and the resistor R2
The resistance value of R3 decreases. When the direction of the magnetic flux is substantially -45 degrees with respect to the substantially radial direction, the resistor R
1 and R4, and the resistance of the resistor R2
The resistance value of R3 increases. Note that, in FIG. 9, the angle is + in the clockwise direction.

【0067】又、図9に示すように、前記検出回路20
の抵抗体R1,R4は、磁束の向きが前記軸心Oから略
半径方向に対し略−45°の向きになる場合、中点aの
電位は、A0よりも大きいLレベルとなる。磁束の向き
が前記略半径方向に対して略+45°の向きになる場
合、中点aの電位はA0よりもHレベルとなる。
Further, as shown in FIG.
When the direction of the magnetic flux of the resistors R1 and R4 is substantially -45 degrees from the axis O with respect to the substantially radial direction, the potential of the middle point a becomes the L level larger than A0. When the direction of the magnetic flux is substantially + 45 ° with respect to the above-described substantially radial direction, the potential at the middle point a is at an H level higher than A0.

【0068】又、図10に示すように、コンパレータC
Pの基準電圧側となる中点bの電圧は、出力変化幅Wの
3/4程度において、デューティ比が50:50となる
ときを中点bの電位に基づいた閾値(スレッショルド)
となるように、前記閾値調整用抵抗体R0にて調整され
ている。
Further, as shown in FIG.
The voltage at the middle point b, which is on the reference voltage side of P, is a threshold (threshold) based on the potential of the middle point b when the duty ratio becomes 50:50 in about / of the output change width W.
Is adjusted by the threshold value adjusting resistor R0 so that

【0069】前記各抵抗体R1〜R4は図8に示すよう
に、4端子ブリッジ回路Bを構成するように接続され、
抵抗体R4側には、閾値調整用抵抗体R0が接続されて
いる。
Each of the resistors R1 to R4 is connected to form a four-terminal bridge circuit B as shown in FIG.
The resistor R0 for threshold value adjustment is connected to the resistor R4.

【0070】さらに、前記閾値調整用抵抗体R0によ
り、中点bの電位が、閾値調整用抵抗体R0を省略した
場合の抵抗体R1〜R4からなる4端子ブリッジ回路に
おける中点bの電位よりも、図10に示すように上が
り、すなわち、閾値電圧(基準電圧)がA0レベルから
A1レベルまで上がるようにされている。
Further, the potential at the middle point b is made higher than the potential at the middle point b in the four-terminal bridge circuit composed of the resistors R1 to R4 when the threshold adjustment resistor R0 is omitted by the threshold adjustment resistor R0. 10, as shown in FIG. 10, that is, the threshold voltage (reference voltage) is increased from the A0 level to the A1 level.

【0071】そして、第1〜第3バイアスマグネット1
3b〜15bと磁路変更片6a〜6cとの相対位置関係
において、第1〜第3バイアスマグネット13b〜15
bの各々が、図2に示す第3バイアスマグネット15b
の位置に位置したとき、それらの磁束は略半径方向に対
し略−45°の向きになる。
Then, the first to third bias magnets 1
3b to 15b and the first to third bias magnets 13b to 15b in the relative positional relationship between the magnetic path changing pieces 6a to 6c.
b is the third bias magnet 15b shown in FIG.
, The magnetic fluxes are oriented at approximately −45 ° with respect to the substantially radial direction.

【0072】従って、この場合には、4端子ブリッジ回
路Bの中点aの電圧はLレベルとなる。又、第1〜第3
バイアスマグネット13b〜15bと磁路変更片6a〜
6cとの相対位置関係において、第1〜第3バイアスマ
グネット13b〜15bの各々が、図2に示す第2バイ
アスマグネット14bの位置に位置したとき、それら磁
束は略半径方向に対して略+45°の向きとなる。
Therefore, in this case, the voltage at the middle point a of the four-terminal bridge circuit B becomes L level. Also, the first to third
Bias magnets 13b to 15b and magnetic path changing pieces 6a to
6c, when each of the first to third bias magnets 13b to 15b is located at the position of the second bias magnet 14b shown in FIG. 2, their magnetic flux is substantially + 45 ° with respect to the substantially radial direction. Orientation.

【0073】従って、この場合には4端子ブリッジ回路
Bの中点aの電圧はHレベルの電圧を出力する。さら
に、第1〜第3バイアスマグネット13b〜15bと磁
路変更片6a〜6cとの相対位置関係において、第1〜
第3バイアスマグネット13b〜15bの各々が、図2
に示す第1バイアスマグネット13bの位置に位置した
ときであって、磁路変更片6a〜6cがない位置から磁
路変更片6a〜6cのいずれかの端を通過する時には、
それら磁束の向きは略半径方向に対して略+45°の向
きから略半径方向に対して略−45°の向きに変わる。
Accordingly, in this case, the voltage at the middle point a of the four-terminal bridge circuit B outputs an H level voltage. Furthermore, in the relative positional relationship between the first to third bias magnets 13b to 15b and the magnetic path changing pieces 6a to 6c,
Each of the third bias magnets 13b to 15b corresponds to FIG.
And when passing from one end of the magnetic path changing pieces 6a to 6c from a position where the magnetic path changing pieces 6a to 6c do not exist,
The directions of the magnetic fluxes change from a direction of approximately + 45 ° with respect to the substantially radial direction to a direction of approximately −45 ° with respect to the substantially radial direction.

【0074】従って、この場合には、4端子ブリッジ回
路Bの中点aの電圧はHレベルからLレベルに立ち下が
る電圧を出力する。さらに、磁路変更片6a〜6cがあ
る位置からその端を通過する時には、それら磁束の向き
は略半径方向に対して略−45°の向きから略半径方向
に対して略+45°の向きに変わる。
Accordingly, in this case, the voltage at the middle point a of the four-terminal bridge circuit B outputs a voltage that falls from the H level to the L level. Further, when the magnetic path changing pieces 6a to 6c pass through the end from a certain position, the directions of the magnetic fluxes are changed from a direction of approximately −45 ° to a substantially radial direction to a direction of approximately + 45 ° to a substantially radial direction. change.

【0075】従って、この場合には、4端子ブリッジ回
路Bの中点aの電圧はLレベルからHレベルに立ち上が
る電圧を出力する。図10に示すように通常時中点aに
おける出力波形α1が、大きく出力変動し、出力波形α
2になった場合、閾値電圧A1における検出ポイント
は、a1からa2に変わる。
Therefore, in this case, the voltage at the middle point a of the four-terminal bridge circuit B outputs a voltage which rises from the L level to the H level. As shown in FIG. 10, the output waveform α1 at the middle point a during normal time fluctuates greatly, and the output waveform α
When the number becomes 2, the detection point at the threshold voltage A1 changes from a1 to a2.

【0076】図10に示すように検出ポイントは、b1
からb2に変わる。本実施形態での検出ポイントa1と
a2の差をd1とし、従来の場合の検出ポイントb1と
b2の差をd2とすると、d2>d1となる。これは、
出力変動が生じた場合であっても、出力波形の立ち下が
りに近傍となる出力変化幅Wの3/4付近では、その差
d1は比較的小さなものとなるのに対して、出力変化幅
Wの1/2ではその差d2は大きくなるためである。
As shown in FIG. 10, the detection point is b1
To b2. If the difference between the detection points a1 and a2 in the present embodiment is d1, and the difference between the detection points b1 and b2 in the conventional case is d2, then d2> d1. this is,
Even when an output fluctuation occurs, the difference d1 is relatively small in the vicinity of 出力 of the output change width W near the fall of the output waveform, whereas the output change width W is relatively small. This is because the difference d2 becomes large at 1/2 of.

【0077】従って、本実施形態においては、出力変動
があった場合においても得られるデューティ比は略5
0:50であり、尚かつ安定したものとなる。なお、図
11は出力変動が小さい場合を示しており、本実施形態
においては、閾値電圧A1であるため、出力変動前の場
合と同じデューティ比が得られることが分かる。
Therefore, in the present embodiment, the duty ratio obtained even when the output fluctuates is approximately 5
0:50 and still stable. FIG. 11 shows a case where the output fluctuation is small. In this embodiment, since the threshold voltage is A1, it can be seen that the same duty ratio as that before the output fluctuation is obtained.

【0078】次に、上記のように構成した回転位置セン
サ1の特徴を以下に説明する。 (6) 本実施形態においては、前記第一実施形態と比
べ、抵抗体R1,R4と抵抗体R2,R3の位置関係は
左右反対となっている。そして、出力回路は、その出力
信号を通常時の出力変化幅Wの3/4程度であって、デ
ューティ比が50:50となるように設定された閾値電
圧A1に基づいて波形成形するコンパレータCP(比較
回路)に接続した。
Next, the features of the rotational position sensor 1 configured as described above will be described below. (6) In the present embodiment, the positional relationship between the resistors R1 and R4 and the resistors R2 and R3 is opposite to that of the first embodiment. Then, the output circuit forms the waveform of the output signal based on the threshold voltage A1 which is about / of the normal output change width W and the duty ratio is set to be 50:50. (Comparison circuit).

【0079】この結果、通常時の出力変化幅Wの3/4
程度のところにおいては、図10に示すように出力変動
がα1からα2の波形に変わっても、他のところよりも
変化が小さいため、コンパレータCPの閾値電圧A1を
この通常時の出力変化幅Wの3/4程度としておくと、
誤差が少なくなり、安定したデューティ比50:50を
得ることができる。
As a result, 3/4 of the output change width W during normal operation is obtained.
In this case, even if the output fluctuation changes from α1 to α2 as shown in FIG. 10, the change is smaller than in other places, so that the threshold voltage A1 of the comparator CP is set to the normal output change width W. About 3/4 of
Errors are reduced, and a stable duty ratio of 50:50 can be obtained.

【0080】また、デューティ比50:50となるよう
にしているため、コンパレータCPから出力された信号
の後段での信号処理が行いやすくすることができる。 (7) 本実施形態においては、前記(2)〜(5)と
同様の効果を奏する。
Further, since the duty ratio is set to 50:50, it is possible to easily perform the signal processing at the subsequent stage of the signal output from the comparator CP. (7) In the present embodiment, the same effects as (2) to (5) can be obtained.

【0081】尚、実施形態は上記に各実施形態に限定さ
れるものではなく、次のように変更してもよい。 (a) 前記第一実施形態では、回転板2の回転面にお
いて、磁路変更片6a,6b,6cの回転移動方向の長
さと空間7a,7b,7cの回転移動方向の長さの比が
40:60となるように回転板2に磁路変更片6a,6
b,6cを立設し、デューティ比50:50となるよう
に、中点aからの出力信号を通常時の出力変化幅Wの1
/4程度としていた。しかし、磁路変更片6a,6b,
6cの回転移動方向の長さと空間7a,7b,7cの回
転移動方向の長さの比が40:60に限定するものでは
なく、35〜45:65〜55までの範囲とし、そのと
きデューティ比50:50となるように、中点aからの
出力信号を通常時の出力変化幅Wの1/5〜1/3の範
囲内であればよい。
The embodiments are not limited to the above embodiments, but may be modified as follows. (A) In the first embodiment, the ratio of the length of the magnetic path changing pieces 6a, 6b, 6c in the rotational movement direction to the length of the spaces 7a, 7b, 7c in the rotational movement direction on the rotating surface of the rotating plate 2 is determined. The magnetic path changing pieces 6a, 6
b and 6c are erected, and the output signal from the middle point a is set to 1 of the normal output change width W so that the duty ratio becomes 50:50.
It was about / 4. However, the magnetic path changing pieces 6a, 6b,
The ratio of the length in the rotational movement direction of the space 6c to the length in the rotational movement direction of the spaces 7a, 7b, 7c is not limited to 40:60, but may be in the range of 35 to 45:65 to 55, and the duty ratio at that time The output signal from the middle point a may be within the range of 1/5 to 1/3 of the normal output change width W so that the ratio becomes 50:50.

【0082】このようにしても、前記(1)〜(4)と
同様の効果を奏する。又、磁路変更片6a,6b,6c
の回転移動方向の長さと空間7a,7b,7cの回転移
動方向の長さとの比35〜45:65〜55に相当する
波形α1を得ることができる。
In this case, the same effects as in the above (1) to (4) can be obtained. Also, the magnetic path changing pieces 6a, 6b, 6c
The waveform α1 corresponding to the ratio 35 to 45:65 to 55 of the length of the space 7a, 7b, 7c in the direction of rotation in the direction of rotation can be obtained.

【0083】(b) 前記第二実施形態では、回転板2
の回転面において、磁路変更片6a,6b,6cの回転
移動方向の長さと空間7a,7b,7cの回転移動方向
の長さの比が40:60となるように回転板2に磁路変
更片6a,6b,6cを立設し、デューティ比50:5
0となるように、中点aからの出力信号を通常時の出力
変化幅Wの3/4程度としていた。しかし、磁路変更片
6a,6b,6cの回転移動方向の長さと空間7a,7
b,7cの回転移動方向の長さの比が40:60に限定
するものではなく、35〜45:65〜55までの範囲
とし、そのときデューティ比50:50となるように、
中点aからの出力信号を通常時の出力変化幅Wの2/3
〜4/5の範囲内であればよい。
(B) In the second embodiment, the rotating plate 2
On the rotating plate 2 such that the ratio of the length of the magnetic path changing pieces 6a, 6b, 6c in the rotational movement direction to the length of the spaces 7a, 7b, 7c in the rotational movement direction is 40:60 on the rotating surface of The changing pieces 6a, 6b, 6c are erected, and the duty ratio is 50: 5.
The output signal from the middle point a is set to about / of the output change width W in the normal state so as to be 0. However, the lengths of the magnetic path changing pieces 6a, 6b, 6c in the rotational movement direction and the spaces 7a, 7
The ratio of the lengths of the b and 7c in the rotational movement direction is not limited to 40:60, but may be in the range of 35 to 45:65 to 55, so that the duty ratio is 50:50.
The output signal from the middle point a is 2/3 of the normal output change width W.
It may be within the range of 4/4/5.

【0084】このようにしても、前記(2)〜(4)、
(6)と同様の効果を奏する。又、磁路変更片6a,6
b,6cの回転移動方向の長さと空間7a,7b,7c
の回転移動方向の長さとの比35〜45:65〜55に
相当する波形α1を得ることができる。
In this case, the above (2) to (4),
The same effect as (6) is achieved. Also, the magnetic path changing pieces 6a, 6
b, 6c in the direction of rotation and space 7a, 7b, 7c
The waveform α1 corresponding to the ratio 35 to 45:65 to 55 with respect to the length in the rotational movement direction can be obtained.

【0085】[0085]

【発明の効果】以上詳述したように請求項1に記載の発
明によれば、各磁路変更片の間隔長さと、磁路変更片の
回転移動方向の長さとは、異なって配置されている。従
って、出力回路は、磁路変更片の間隔長さと、磁路変更
片の回転移動方向の長さの比に相当する波形の出力を得
ることができる。
As described above in detail, according to the first aspect of the present invention, the interval length between the magnetic path changing pieces and the length of the magnetic path changing pieces in the rotational movement direction are different from each other. I have. Therefore, the output circuit can obtain an output having a waveform corresponding to the ratio of the interval length of the magnetic path changing piece to the length of the magnetic path changing piece in the rotational movement direction.

【0086】請求項2に記載の発明によれば、請求項1
に記載の効果に加えて、各磁路変更片の間隔長さと、磁
路変更片の回転移動方向の長さの比を65〜55:35
〜45となるように各磁路変更片が配置されている。従
って、出力回路は、65〜55:35〜45の比に相当
する波形の出力を得られることになる。
According to the invention described in claim 2, according to claim 1
In addition to the effects described in the above, the ratio between the interval length of each magnetic path changing piece and the length of the magnetic path changing piece in the rotational movement direction is 65 to 55:35.
The magnetic path changing pieces are arranged so as to be 45. Therefore, the output circuit can obtain an output having a waveform corresponding to a ratio of 65 to 55:35 to 45.

【0087】請求項3に記載の発明によれば、請求項1
又は請求項2に記載の発明の効果に加えて、前記出力回
路は、デューティ比50:50となるように設定された
閾値に基づいて波形成形する比較回路に接続されてい
る。従って、比較回路にはデューティ比50:50の信
号が入力される。
According to the invention described in claim 3, according to claim 1
Alternatively, in addition to the effect of the invention described in claim 2, the output circuit is connected to a comparison circuit that shapes a waveform based on a threshold set to have a duty ratio of 50:50. Therefore, a signal having a duty ratio of 50:50 is input to the comparison circuit.

【0088】請求項4に記載の発明によれば、請求項1
乃至請求項3のうちいずれか1項に記載の発明の効果に
加えて、磁路変更片の間隔長さと、磁路変更片の回転移
動方向の長さの比を65〜55:35〜45となるよう
に各磁路変更片が配置さている。従って、比較回路の閾
値をこの通常時の出力幅の1/5〜1/3又は2/3〜
4/5において、大きな出力変動がある場合でも誤差の
少ない安定したデューティ比50:50を得ることがで
きる。
According to the invention set forth in claim 4, according to claim 1,
In addition to the effects of the invention according to any one of claims 3 to 3, the ratio of the interval length of the magnetic path changing piece to the length of the magnetic path changing piece in the rotational movement direction is 65 to 55:35 to 45. Each magnetic path changing piece is arranged so that Therefore, the threshold value of the comparison circuit is set to 1/5 to 1/3 or 2/3 to 2/3 of the normal output width.
At 4/5, a stable duty ratio of 50:50 with a small error can be obtained even when there is a large output fluctuation.

【0089】請求項5に記載の発明によれば、請求項1
乃至請求項4のうちいずれか1項に記載の発明の効果に
加えて、小さい磁束変化であっても、検出ポイントにお
いて、大きな出力変化が得られ、温度やその他の状態変
化によっても安定して角度の検出を行うことができる。
According to the invention set forth in claim 5, according to claim 1,
In addition to the effects of the invention described in any one of the fourth to fourth aspects, a large output change can be obtained at a detection point even with a small change in magnetic flux, and the output can be stably maintained even when the temperature or other state changes. Angle detection can be performed.

【0090】請求項6に記載の発明によれば、請求項1
乃至請求項5のうちいずれか1項に記載の発明の効果に
加えて、磁路変更片の間隔長さと、磁路変更片の移動回
転方向の長さの比を60:40となるように各磁路変更
片が配置されている。従って、比較回路の閾値をこの通
常時の出力変化幅の1/5〜1/3又は2/3〜4/5
において、大きな出力変動がある場合でも誤差の少ない
安定したデューティ比50:50を得ることができる。
According to the invention set forth in claim 6, according to claim 1,
In addition to the effect of the invention according to any one of claims 5 to 5, the ratio of the interval length of the magnetic path changing piece to the length of the magnetic path changing piece in the moving rotation direction is 60:40. Each magnetic path changing piece is arranged. Therefore, the threshold value of the comparison circuit is set to 1/5 to 1/3 or 2/3 to 4/5 of the normal output change width.
In this case, a stable duty ratio of 50:50 with a small error can be obtained even when there is a large output fluctuation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1実施形態における回転位置センサの要部分
解斜視図。
FIG. 1 is an exploded perspective view of a main part of a rotation position sensor according to a first embodiment.

【図2】同じく回転板と磁気抵抗素子の配置関係を示す
平面図。
FIG. 2 is a plan view showing an arrangement relationship between a rotating plate and a magnetoresistive element.

【図3】同じく回転位置センサの要部断面図。FIG. 3 is a sectional view of a main part of the rotation position sensor.

【図4】同じく磁気抵抗素子の等価回路。FIG. 4 is an equivalent circuit of a magnetoresistive element.

【図5】同じく抵抗体の配置関係を示す説明図。FIG. 5 is an explanatory diagram showing an arrangement relationship of resistors.

【図6】同じく中点の電圧の出力波形図。FIG. 6 is an output waveform diagram of a voltage at the middle point.

【図7】同じく出力変動が小さい場合の中点の出力波形
図。
FIG. 7 is an output waveform diagram at the middle point when the output fluctuation is small.

【図8】第2実施形態における磁気抵抗素子の等価回
路。
FIG. 8 is an equivalent circuit of a magnetoresistive element according to the second embodiment.

【図9】同じく抵抗体の配置関係を示す説明図。FIG. 9 is an explanatory diagram showing an arrangement relationship of resistors.

【図10】同じく中点の電圧の出力波形図。FIG. 10 is an output waveform diagram of a voltage at the middle point.

【図11】同じく出力変動が小さい場合の中点の出力波
形図。
FIG. 11 is an output waveform diagram at the middle point when the output fluctuation is small.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…回転検出センサとしての回転位置センサ、2…回転
部材としての回転板、6a,6b,6c…磁路変更片、
13a…磁気検知素子としての第1磁気抵抗素子、13
b…磁石としての第1バイアスマグネット、14a…磁
気検知素子としての第2磁気抵抗素子、14b…磁石と
しての第2バイアスマグネット、15a…磁気検知素子
としての第3磁気抵抗素子、15b…磁石としての第3
バイアスマグネット、R1〜R4…磁気抵抗体としての
抵抗体。
1 ... Rotation position sensor as rotation detection sensor, 2 ... Rotating plate as rotation member, 6a, 6b, 6c ... magnetic path changing piece
13a: a first magnetoresistive element as a magnetic sensing element, 13
b: a first bias magnet as a magnet; 14a: a second magnetoresistive element as a magnetic sensing element; 14b: a second bias magnet as a magnet; 15a: a third magnetoresistive element as a magnetic sensing element; The third
Bias magnets, R1 to R4: resistors as magnetic resistors.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷口 政弘 愛知県丹羽郡大口町豊田三丁目260番地 株式会社東海理化電機製作所内 (72)発明者 新美 雅治 愛知県安城市藤井町高根10番地 アイシ ン・エィ・ダブリュ 株式会社内 Fターム(参考) 2F063 AA35 CA40 DA05 DD04 EA03 GA52 GA68 GA69 KA02 KA04 2F077 AA45 CC02 NN04 NN23 PP14 QQ02 VV02  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Masahiro Taniguchi 3-260 Toyota, Oguchi-machi, Niwa-gun, Aichi Prefecture Inside Tokai Rika Electric Works, Ltd. 2F063 AA35 CA40 DA05 DD04 EA03 GA52 GA68 GA69 KA02 KA04 2F077 AA45 CC02 NN04 NN23 PP14 QQ02 VV02

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 回転移動方向に所定の間隔毎に複数の磁
路変更片を配置した回転部材と、前記回転部材に対して
所定の向きに配設された磁石と、該磁石を検出する複数
の磁気検知素子とを備え、 前記各磁気検知素子を構成する複数の磁気抵抗体の所定
の配置と、同各磁気抵抗体の相互間の所定の電気的な接
続によって、前記磁路変更片の回転移動の検出時に波形
の出力を得る出力回路を構成した回転検出センサにおい
て、 前記各磁路変更片の間隔長さと、磁路変更片の回転移動
方向の長さの比が異なることを特徴とする回転検出セン
サ。
1. A rotating member having a plurality of magnetic path changing pieces disposed at predetermined intervals in a rotational movement direction, a magnet disposed in a predetermined direction with respect to the rotating member, and a plurality of detecting magnets. A magnetic sensor element, and a predetermined arrangement of a plurality of magnetic resistors constituting each of the magnetic sensor elements, and a predetermined electrical connection between the respective magnetic resistors, the magnetic path changing piece has In a rotation detection sensor that constitutes an output circuit that obtains a waveform output upon detection of rotation movement, a ratio of an interval length of each of the magnetic path changing pieces and a length of the magnetic path changing piece in a rotational movement direction is different. Rotation detection sensor.
【請求項2】 前記各磁路変更片の間隔長さと、前記磁
路変更片の回転移動方向の長さの比を65〜55:35
〜45となるように各磁路変更片を配置した請求項1に
記載の回転検出センサ。
2. A ratio of an interval length of each magnetic path changing piece to a length of the magnetic path changing piece in a rotational movement direction is 65 to 55:35.
The rotation detection sensor according to claim 1, wherein the magnetic path change pieces are arranged so as to be −45.
【請求項3】 前記出力回路は、デューティ比50:5
0となるように設定された閾値に基づいて波形成形する
比較回路に接続されていることを特徴とする請求項1又
は請求項2に記載の回転検出センサ。
3. The output circuit has a duty ratio of 50: 5.
3. The rotation detection sensor according to claim 1, wherein the rotation detection sensor is connected to a comparison circuit that shapes a waveform based on a threshold value set to be zero.
【請求項4】 前記出力回路は、その出力信号を通常時
の出力変化幅の1/5〜1/3又は、2/3〜4/5で
あって、デューティ比50:50となるように設定され
た閾値に基づいて波形成形する比較回路に接続されてい
ることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の回転
検出センサ。
4. An output circuit according to claim 1, wherein said output signal is set to have a duty ratio of 50:50, which is 1/5 to 1/3 or 2/3 to 4/5 of a normal output change width. The rotation detection sensor according to claim 1, wherein the rotation detection sensor is connected to a comparison circuit that shapes a waveform based on a set threshold value.
【請求項5】 前記複数の磁気抵抗体(R1〜R4)
は、 前記磁路変更片の移動によって生ずる前記磁石の磁束変
化に応じて、磁気抵抗が大きくなる第1の状態と、磁気
抵抗が小さくなる第2の状態を交互に繰り返すように配
置されるとともに、2つのグループに区分されて、両グ
ループは、前記磁束変化があったときには、互いに反対
の状態となるように配置され、 前記出力回路は、前記両グループにそれぞれ属する磁気
抵抗体(R1〜R4)が電気的に接続されたブリッジ回
路である請求項1乃至請求項4のうちいずれか1項に記
載の回転検出センサ。
5. The plurality of magnetic resistors (R1 to R4)
Are arranged so as to alternately repeat a first state in which the magnetic resistance increases and a second state in which the magnetic resistance decreases according to a change in magnetic flux of the magnet caused by movement of the magnetic path changing piece. And the two groups are arranged so as to be in opposite states when the magnetic flux changes, and the output circuit includes a plurality of magnetic resistors (R1 to R4) respectively belonging to the two groups. 5) is a bridge circuit electrically connected, the rotation detection sensor according to any one of claims 1 to 4.
【請求項6】 前記各磁路変更片の間隔長さと、磁路変
更片の回転移動方向の長さの比は60:40となるよう
に磁路変更片を配置した請求項1乃至請求項5のうちい
ずれか1項に記載の回転検出センサ。
6. The magnetic path changing piece is arranged such that a ratio of an interval length of each magnetic path changing piece to a length in a rotational movement direction of the magnetic path changing piece is 60:40. 6. The rotation detection sensor according to any one of items 5.
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