JP3616287B2 - Rotation detection sensor - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回転検出センサに係り、詳しくは磁気検知素子を備えた回転検出センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
本出願人は、回転体の回転を検出するための回転検出センサとして、図9に示す回転位置センサを提案している。回転位置センサ1はモータのモータ軸の回転角度を検出するものであって、鉄板よりなる回転板2と磁気検知部材3とから構成されている。回転板2は、モータ軸4の回転とともに、その軸心Oを回転中心に回転する。回転板2は円板状の基板部2aを備え、基板部2aが回転面を構成する。基板部2aの最外周部において、前記軸心Oを中心とする円弧状の3個の磁路変更片6a,6b,6cが同回転板2から延出形成されている。各磁路変更片6a,6b,6cが互いになす間隔は、前記軸心Oからみて60度の角度に設定されている。従って、回転板2の回転面内の最外周部において、軸心Oからみて60度の角度毎にこれらの磁路変更片6a,6b,6cと、これら磁路変更片6a,6b,6cが形成されていない空間7a,7b,7cが交互に存在している。
【0003】
又、基板部2aの中心部には磁路変更片としての円柱状の磁路形成凸部8が前記磁路変更片6a〜6cと同じ方向に同回転板2から延出形成されている。
従って、図10に示すように、磁路変更片6a,6b,6cから軸心Oに向かって回転板2を切断した場合の断面形状は、磁路変更片6a,6b,6c、基板部2a及び磁路形成凸部8とでコの字状となる。
【0004】
又、磁路形成凸部8には貫通孔9が形成され、前記モータ軸4が貫挿固着されている。
前記磁気検知部材3は、検知部本体10と支持アーム11とから構成されている。図9に示すように、検知部本体10は、回転板2に形成した磁路変更片6a,6b,6cの内側であって、その磁路変更片6a,6b,6cと磁路形成凸部8との間に位置する空間内に配設される。検知部本体10は複数の磁気検知体13を樹脂モールド材12にて封止することにより構成されている。各磁気検知体13は、回転板2に対して対向して配置されるとともに所定の向きに配設されたバイアスマグネット13bと該バイアスマグネット13bの磁束を検出する磁気抵抗素子13aとを備えている。そして、この回転位置センサ1は、回転中の回転板2とともに一体に移動する磁路変更片6a,6b,6cの各端部が検出ポイントとなっており、これらの検出ポイントが各磁気検知体13と対応する位置を通過する際にバイアスマグネット13bの磁束の向きが変更されたことを磁気抵抗素子13aにて検出するようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、回転位置センサ1は磁路変更片6a,6b,6cの端部の検出ポイントにてバイアスマグネット13bの磁束の向きが大きく変化するように、検知部本体10の内外両側を挟むように基板部2aの外端及び内端に対して磁路変更片6a,6b,6c及び磁路形成凸部8を設けている。そのため、回転板2の質量が大きいものとなる。従って、例えばモータ軸の回転を検出するためにこの回転位置センサ1を使用すると、回転板2の質量が大きいためモータに負荷がかかり、しかも、高速回転させると磁路変更片6a,6b,6cの空気抵抗が大きくなるため、電流消費が増大するという問題がある。
【0006】
このような問題を解決するために、磁路変更片6a,6b,6c又は磁路形成凸部8を省略することが考えられる。しかし、この場合には、バイアスマグネット13bの一方の磁極側にしか磁路変更片又は磁路形成凸部が存在しないため、検出ポイントにおける磁束の向きの変化は小さく、検出精度が低下するという問題がある。
【0007】
本発明は、上記問題を解消するためになされたものであって、その目的は、検出精度を確保しつつ、回転板を軽量化して回転体の負荷を低減することができる回転検出センサを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、基板部の周方向に所定の角度間隔に複数の磁路変更片を立設した回転板と、前記回転板の基板部の回転面に対して所定の向きに配設された磁石と、該磁石の磁束を検出する磁気検知素子とを備えた磁気検知部材と、前記磁気検知素子に対して相対回転不能に配設され、かつ、前記回転板の回転に伴って前記磁路変更片が前記磁石と対応する位置に配置されたとき、前記磁路変更片と協働して前記磁石の磁束の磁路を形成する磁性体とを備え、前記回転板の回転に伴って前記磁路変更片が前記磁石と対応する位置に配置されたとき、前記磁路変更片と前記基板部と前記磁性体とでコの字状の磁路が形成される回転検出センサを要旨とする。
【0009】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の回転検出センサにおいて、前記磁気検知部材は、前記磁路変更片と前記磁性体との間に配置されていることを要旨とする。
【0010】
請求項3に記載の発明は、請求項1及び2のいずれかに記載の回転検出センサにおいて、前記磁性体、磁石、磁気検知素子及び磁路変更片の順に配置されていることを要旨とする。
【0012】
【発明の実施の形態】
(第1実施形態)
以下、本発明を回転位置センサに具体化した第1実施形態を図1〜図4に従って説明する。なお、説明の便宜上、図9に示した従来形態と共通の部材について符号を同じにしてその説明を一部省略する。
【0013】
図1は、モータのモータ軸の回転角度を検出するための回転位置センサの要部分解斜視図である。回転位置センサ21は鉄板よりなる回転板22と磁気検知部材23とから構成されている。回転板22は、モータ軸24の回転とともに、その軸心Oを回転中心に回転する。回転板22は小径の円板状の基板部22aを備え、基板部22aの周方向において、前記軸心Oを中心とする扇形状の3個の磁路変更片26a,26b,26cが同回転板22から延出形成されている。各磁路変更片26a,26b,26cが互いになす間隔は、前記軸心Oからみて60度の角度に設定されている。従って、回転板22の基板部22aの回転面内の外周部において、軸心Oからみて60度の角度毎にこれらの磁路変更片26a,26b,26cと、これら磁路変更片26a,26b,26cが形成されていない空間27a,27b,27cが交互に存在している。
【0014】
又、基板部22aには貫通孔29が形成され、前記モータ軸24が貫挿固着されている。
前記磁気検知部材23は、検知部本体30と支持アーム31とを備えている。検知部本体30は、回転板22に形成した磁路変更片26a,26b,26cの外側であって、磁路変更片26a,26b,26cに近接した位置に配設される。
【0015】
検知部本体30は、3個の第1〜第3の磁気検知体33,34,35の一部が樹脂モールド材32にて封止され、前記支持アーム31の先端部に固設されている。支持アーム31の基端部は図示しない固定部材に固定されている。
【0016】
第1の磁気検知体33は、第1磁気抵抗素子33aと、第1バイアスマグネット33bと、磁性体としての第1導磁板33cとから構成されている。第1バイアスマグネット33bは軸心O側がN極で外側がS極となるように配設されるとともに、第1磁気抵抗素子33aに対して軸心O側で、且つ図2において時計回り方向にオフセットさせて配置されている。第1導磁板33cは検知部本体30の外側において、前記第1バイアスマグネット33bに対応して前記樹脂モールド材32の表面に貼着されており、第1磁気抵抗素子33aに対して相対回転不能となっている。第1導磁板33cは鉄系金属よりなり、前記第1バイアスマグネット33bの磁束の磁路を形成するようになっている。
【0017】
従って、回転板22が回転されて磁路変更片26a,26b,26cが第1バイアスマグネット33bと対応する位置に配置された場合には、図3に示すように各磁路変更片26a,26b,26cと、第1バイアスマグネット33bと、第1導磁板33cとで間欠したコの字状の磁路が形成される。
【0018】
第1磁気抵抗素子33aは、第1バイアスマグネット33bの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素子であって、図4に示すような磁束の向きによってその抵抗値が変化する4個の抵抗体R1,R2,R3,R4を備えている。2個の抵抗体R1,R4のグループは、同じ配列方向に向かって配置され、2個の抵抗体R2,R3のグループは前記抵抗体R1,R4の向く配列方向とは直交する配列方向に向かって配置されている。
【0019】
なお、各抵抗体R1〜R4はNi−CO薄膜を基板に対してジグザグ状にすなわち、折れ線状に成膜されている。抵抗体R1〜R4は、同温度雰囲気下において抵抗値が同一となるように設定されている。なお、抵抗体R1〜R4は雰囲気温度が上昇すると、感度が変化する感度温度特性を備えている。この感度温度特性は、感度温度変化率と抵抗温度変化率とが一致しているのが好ましい。
【0020】
そして、磁束の向きが前記軸心Oから略半径方向に対し略+45°の向きになるときは、抵抗体R1,R4は抵抗値が大きくなる第1の状態になるとともに、抵抗体R2,R3は抵抗値が小さくなる第2の状態になる。又、磁束の向きが前記略半径方向に対して略−45度の向きになるとき、抵抗体R1,R4は抵抗値が小さくなる第2の状態になるとともに、抵抗体R2,R3は抵抗値が大きくなる第1の状態となる。これらの状態は、磁束の変化に応じて交互に生ずる。
【0021】
前記各抵抗体R1〜R4は図4に示すようにブリッジ回路としての4端子ブリッジ回路Bを構成するように接続されている。
前記抵抗体R1と抵抗体R2との接続点(中点)aは、回路基板に設けられたコンパレータCPの非反転入力端子に接続され、抵抗体R3と抵抗体R4との接続点(中点)bは、同コンパレータCPの反転入力端子に接続されている。
【0022】
前記コンパレータCP、4端子ブリッジ回路Bとにより検出回路DCが構成されている。
前記検出回路DCのブリッジ回路Bを構成する抵抗体R1,R4は、磁束の向きが前記軸心Oから略半径方向に対し略−45°の向きになる場合、中点aの電位は、A0よりも大きいHレベルとなる。又、磁束の向きが前記略半径方向に対して略+45度の向きになる場合、中点aの電位はA0よりも小さいLレベルとなる。なお、A0は中点aの飽和出力の1/2の電圧レベルである。
【0023】
なお、本実施形態での検出ポイントPは移動(回転)中の磁路変更片6a,6b,6cの回転方向のエッジ部分である。
第2の磁気検知体34は、第2磁気抵抗素子34aと、第2バイアスマグネット34bと、磁性体としての第2導磁板34cとから構成されている。第2磁気抵抗素子34aと第2バイアスマグネット34bとの間の配置関係は前記第1磁気抵抗素子33aと第1バイアスマグネット33bとの間の配置関係と同じである。そして、第2磁気抵抗素子34aと第2バイアスマグネット34bとは、それぞれ前記第1磁気抵抗素子33aと第1バイアスマグネット33bとに対して、図2において、前記軸心Oを中心に時計回り方向に40度の位置に配設される。第2導磁板34cは検知部本体30の外側において、前記第2バイアスマグネット34bに対応して前記樹脂モールド材32の表面に貼着されており、第2磁気抵抗素子34aに対して相対回転不能となっている。第2導磁板34cは鉄系金属よりなり、前記第2バイアスマグネット34bの磁束の磁路を形成するようになっている。
【0024】
従って、回転板22が回転されて磁路変更片26a,26b,26cが第2バイアスマグネット34bと対応する位置に配置された場合には、図3に示された前記第1バイアスマグネット33bと同様に、各磁路変更片26a,26b,26cと、第2バイアスマグネット34bと、第2導磁板34cとで間欠したコの字状の磁路が形成される。
【0025】
第2磁気抵抗素子34aは、前記第1磁気抵抗素子33aと同様に第2バイアスマグネット34bの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素子であって、前記第1磁気抵抗素子33aの4個の抵抗体R1,R2,R3,R4と同一構成及び同様に電気的に接続された抵抗体を4個備えている。第2磁気抵抗素子34aの抵抗体R1〜R4は、第1磁気抵抗素子13aの場合と同様の4端子ブリッジ回路を構成する。さらに、第2磁気抵抗素子14aの抵抗体R1〜R4は、コンパレータCPとともに、検出回路DCを構成している。この検出回路DC及びブリッジ回路Bは前記第1磁気抵抗素子33aの場合の検出回路DCと同様に機能(作用)する。
【0026】
第3の磁気検知体35は、第3磁気抵抗素子35aと、第3バイアスマグネット35bと、磁性体としての第3導磁板35cとから構成されている。第3磁気抵抗素子35aと第3バイアスマグネット35bとの間の配置関係は前記第1磁気抵抗素子33aと第1バイアスマグネット33bとの間の配置関係と同じである。そして、第3磁気抵抗素子35aと第3バイアスマグネット35bとは、それぞれ前記第1磁気抵抗素子33aと第1バイアスマグネット33bとに対して、図2において、前記軸心Oを中心に反時計回り方向に40度の位置に配設される。第3導磁板35cは検知部本体30の外側において、前記第3バイアスマグネット35bに対応して前記樹脂モールド材32の表面に貼着されており、第3磁気抵抗素子35aに対して相対回転不能となっている。第3導磁板35cは鉄系金属よりなり、前記第3バイアスマグネット35bの磁束の磁路を形成するようになっている。
【0027】
従って、回転板22が回転されて磁路変更片26a,26b,26cが第3バイアスマグネット35bと対応する位置に配置された場合には、図3に示された前記第1バイアスマグネット33bと同様に、各磁路変更片26a,26b,26cと、第3バイアスマグネット35bと、第3導磁板35cとで間欠したコの字状の磁路が形成される。
【0028】
第3磁気抵抗素子35aは、前記第1磁気抵抗素子33aと同様に第3バイアスマグネット35bの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素子であって、前記第1磁気抵抗素子33aの4個の抵抗体R1,R2,R3,R4と同一構成及び同様に電気的に接続された抵抗体を4個備えている。第3磁気抵抗素子35aの抵抗体R1〜R4は、第1磁気抵抗素子33aの場合と同様の4端子ブリッジ回路を構成する。さらに、第3磁気抵抗素子35aの抵抗体R1〜R4は、コンパレータCPとともに、検出回路DCを構成している。この検出回路DC及びブリッジ回路Bは前記第1磁気抵抗素子33aの場合の検出回路DCと同様に機能(作用)する。
【0029】
そして、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bと磁路変更片26a〜26cとの相対位置関係において、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bが、図2に示す第3バイアスマグネット35bの位置に位置したとき、即ち、N極の前方に磁路変更片26a〜26cのいずれかがある場合には、それら第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bの磁束の向きは磁束は半径方向の向きとなる。これは、磁路変更片26a〜26c、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35b及び第1〜第3導磁板33c〜35cとからなるコ宇状の磁路が形成され、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bのN極から磁束が磁路変更片26a〜26cに引き寄せられるからである。その結果、磁束の向きは、磁路変更片26a〜26c側、即ち半径方向の向きとなる。
【0030】
従って、この場合には、4端子ブリッジ回路Bの中点aの電圧はHレベルとなる。
又、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bと磁路変更片26a〜26cとの相対位置関係において、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bが、図2に示す第2バイアスマグネット34bの位置に位置したとき、即ち、N極の前方に磁路変更片26a〜26cのいずれもない場合には、それら第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bの磁束は半径方向に対して45度の向きとなる。これは、磁路を形成する磁路変更片26a〜26cがないため、磁束は引き込まれるものがないからである。その結果、磁束は放射状にのび、磁束の向きは半径方向に対して45度の向きとなる。
【0031】
従って、この場合には、4端子ブリッジ回路Bの中点aの電圧はLレベルとなる。
さらに、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bと磁路変更片26a〜26cとの相対位置関係において、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bの各々が、図2に示す第1バイアスマグネット33bの位置に位置して、N極の前方に磁路変更片26a〜26cのいずれもない状態から磁路変更片26a〜26cのいずれかの端部が通過する時には、それら第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bの磁束の向きは半径方向に対して45度の向きから半径方向の向きに変わる。
【0032】
従って、この場合には、4端子ブリッジ回路Bの中点aの電圧はLレベルからHレベルに立ち上がる電圧となる。
また、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bと磁路変更片26a〜26cとの相対位置関係において、第1〜第3磁気抵抗素子33a〜35aの前方に磁路変更片26a〜26cのいずれかが位置する状態から磁路変更片26a〜26cのいずれかの端部が通過する時には、それら第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bの磁束の向きは半径方向から45度の向きに変わる。
【0033】
従って、この場合には、4端子ブリッジ回路Bの中点aの電圧はHレベルからLレベルに立ち下がる電圧となる。
このようにして、4端子ブリッジ回路Bの中点aの電位は、Hレベル、Lレベルとなり、検出回路DCのコンパレータCPによって基準電圧(閾値電圧)となる側の中点bの電位と比較される。このコンパレータCPによって、中点aの電位が中点bの電位よりも大きい時Hレベル、中点aの電位が中点bの電位未満の時Lレベルとなる立ち上がり及び立ち下がりが急峻となる検出信号に波形整形される。
【0034】
次に、上記のように構成した回転位置センサ21の特徴について説明する。
(1)本実施形態では、回転板22は小径の基板部22aの外周に複数(3つ)の扇形状の磁路変更片26a,26b,26cを延出形成し、回転板22の外周部に磁気検知部材23を配置した。
【0035】
従って、本実施形態の回転板22は従来の回転板2と比較して質量を小さくすることができる。よって、例えばモータ軸24の回転を検出するためにこの回転位置センサ21を使用する場合、モータにかかる負荷を低減して電流消費の増大を抑制することができる。
【0036】
(2)本実施形態では、第1〜第3磁気抵抗素子33a〜35aと第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bと第1〜第3導磁板33c〜35cとからなる検知部本体30を回転板22の外周部に配設した。
【0037】
従って、本実施形態の回転位置センサ21によれば、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bのN極の前方に磁路変更片26a〜26cが配置されると、それら第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bの磁束の向きは半径方向の向きとなる。これは、磁路変更片26a〜26c及び第1〜第3導磁板33c〜35cによって磁路が形成され、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bのN極から磁束が磁路変更片26a〜26cに引き寄せられるからである。その結果、磁束の向きは、磁路変更片26a〜26c側、即ち半径方向の向きとなる。そのため、第1〜第3磁気抵抗素子33a〜35aの検出出力が小さくなるのを抑制して検出精度を確保でき、安定してモータ軸24の角度の検出を行うことができるようになる。
【0038】
(第2実施形態)
次に、第2実施形態の回転位置センサを図5に従って説明する。なお、説明の便宜上、図3に示した第1実施形態と共通の部材について符号を同じにしてその説明を一部省略する。
【0039】
第2実施形態は、第1実施形態の構成を変更したものである。この回転位置センサ41では、磁気検知部材42の検知部本体43の構成が異なっている。すなわち、検知部本体43は3個の第1〜第3の磁気検知体33,34,35を備えている。第1の磁気検知体33は、第1磁気抵抗素子33aと、第1バイアスマグネット33bと、磁性体としての補助磁石44とから構成されており、検知部本体30に貼着した第1〜第3導磁板33c〜35cは省略されている。
【0040】
補助磁石44は第1バイアスマグネット33bに離間して対向配置されるとともに、第1バイアスマグネット33bとともに前記第1磁気抵抗素子33aを挟むように配置されており、補助磁石44は第1磁気抵抗素子33a及び第1バイアスマグネット33bとともに樹脂モールド材32で封止されている。また、第1バイアスマグネット33bは軸心O側がN極で外側がS極となるように配設されているのに対し、補助磁石44は軸心O側がS極で外側がN極となるように配設されている。従って、第1バイアスマグネット33bのN極から流出する磁束は補助磁石44のS極に流入し、補助磁石44のN極から流出する磁束は第1バイアスマグネット33bのS極に流入する。第2及び第3の磁気検知体34,35も、第1の磁気検知体33と同様に、磁気抵抗素子34a,35aと、バイアスマグネット34b,35bと、補助磁石44とから構成されている。
【0041】
そして、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bのN極の前方に磁路変更片26a〜26cがある場合には、磁路変更片26a,26b,26c、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35b及び補助磁石44とで間欠したコの字状の磁路が形成される。そのため、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bのN極からの磁束の一部が磁路変更片26a〜26cに引き寄せられ、磁束の向きは、磁路変更片26a〜26c側、即ち半径方向の向きとなる。その結果、第1〜第3磁気抵抗素子33a〜35aの検出出力が大きくなる。
【0042】
このように、本実施形態の回転位置センサ41では、第1実施形態と同様の作用及び効果に加えて、検知部本体43内に設けた補助磁石44によって第1〜第3磁気抵抗素子33a〜35aの検出出力が小さくなるのを抑制して検出精度を確保でき、安定してモータ軸24の角度の検出を行うことができるようになる。
【0043】
(第3実施形態)
次に、第3実施形態の回転位置センサを図6〜図8に従って説明する。なお、説明の便宜上、図1に示した第1実施形態と共通の部材については符号を同じにしてその説明を一部省略する。
【0044】
図6は、モータのモータ軸の回転角度を検出するための回転位置センサの要部分解斜視図である。回転位置センサ51は鉄板よりなる回転板52と磁気検知部材55とから構成されている。回転板52は、モータ軸24の回転とともに、その軸心Oを回転中心に回転する。回転板52は円板状の基板部52aを備え、基板部52aの最外端部において前記軸心Oを中心とする円弧状の3個の磁路変更片53a,53b,53cが同回転板52から延出形成されている。各磁路変更片53a,53b,53cが互いになす間隔は、前記軸心Oからみて60度の角度に設定されている。従って、回転板52の基板部52aの回転面内の外周部において、軸心Oからみて60度の角度毎にこれらの磁路変更片53a,53b,53cと、これら磁路変更片53a,53b,53cが形成されていない空間54a,54b,54cが交互に存在している。
【0045】
又、基板部52aには貫通孔29が形成され、前記モータ軸24が貫挿固着されている。
前記磁気検知部材55は、検知部本体56と支持アーム31とを備えている。検知部本体56は、回転板52に形成した磁路変更片53a,53b,53cの内側に配設される。
【0046】
検知部本体56は、3個の第1〜第3の磁気検知体57,58,59の一部が樹脂モールド材32にて封止されている。
第1の磁気検知体57は、第1磁気抵抗素子33aと、第1バイアスマグネット33bと、磁性体としての第1導磁板60とから構成されている。第1バイアスマグネット33bは軸心O側がS極で外側がN極となるように配設されるとともに、第1磁気抵抗素子33aに対して軸心O側で、且つ図7において時計回り方向にオフセットさせて配置されている。第1導磁板60は検知部本体56の内側において、前記第1バイアスマグネット33bに対応して前記樹脂モールド材32の表面に貼着されており、第1磁気抵抗素子33aに対して相対回転不能となっている。第1導磁板60は鉄系金属よりなり、前記第1バイアスマグネット33bの磁束の磁路を形成するようになっている。
【0047】
従って、回転板52が回転されて磁路変更片53a,53b,53cが第1バイアスマグネット33bと対応する位置に配置された場合には、図8に示すように各磁路変更片53a,53b,53cと、基板部52aと、第1導磁板60とで間欠したコの字状の磁路が形成される。
【0048】
第2の磁気検知体58は、第2磁気抵抗素子34aと、第2バイアスマグネット34bと、磁性体としての第2導磁板61とから構成されている。第2磁気抵抗素子34aと第2バイアスマグネット34bとの間の配置関係は前記第1磁気抵抗素子33aと第1バイアスマグネット33bとの間の配置関係と同じである。そして、第2磁気抵抗素子34aと第2バイアスマグネット34bとは、それぞれ前記第1磁気抵抗素子33aと第1バイアスマグネット33bとに対して、図7において、前記軸心Oを中心に時計回り方向に40度の位置に配設される。第2導磁板61は検知部本体56の内側において、前記第2バイアスマグネット34bに対応して前記樹脂モールド材32の表面に貼着されており、第2磁気抵抗素子34aに対して相対回転不能となっている。第2導磁板61は鉄系金属よりなり、前記第2バイアスマグネット34bの磁束の磁路を形成するようになっている。
【0049】
従って、回転板52が回転されて磁路変更片53a,53b,53cが第2バイアスマグネット34bと対応する位置に配置された場合には、図8に示された前記第1バイアスマグネット33bと同様に、各磁路変更片53a,53b,53cと、基板部52aと、第2導磁板61とで間欠したコの字状の磁路が形成される。
【0050】
第3の磁気検知体59は、第3磁気抵抗素子35aと、第3バイアスマグネット35bと、磁性体としての第3導磁板62とから構成されている。第3磁気抵抗素子35aと第3バイアスマグネット35bとの間の配置関係は前記第1磁気抵抗素子33aと第1バイアスマグネット33bとの間の配置関係と同じである。そして、第3磁気抵抗素子35aと第3バイアスマグネット35bとは、それぞれ前記第1磁気抵抗素子33aと第1バイアスマグネット33bとに対して、図7において、前記軸心Oを中心に反時計回り方向に40度の位置に配設される。第3導磁板62は検知部本体56の内側において、前記第3バイアスマグネット35bに対応して前記樹脂モールド材32の表面に貼着されており、第3磁気抵抗素子35aに対して相対回転不能となっている。第3導磁板62は鉄系金属よりなり、前記第3バイアスマグネット35bの磁束の磁路を形成するようになっている。
【0051】
従って、回転板52が回転されて磁路変更片53a,53b,53cが第3バイアスマグネット35bと対応する位置に配置された場合には、図8に示された前記第1バイアスマグネット33bと同様に、各磁路変更片53a,53b,53cと、基板部52aと、第3導磁板62とで間欠したコの字状の磁路が形成される。
【0052】
そして、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bと磁路変更片53a〜53cとの相対位置関係において、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bの各々が、図7に示す第3バイアスマグネット35bの位置に位置したとき、即ち、N極の前方に磁路変更片53a〜53cのいずれかがある場合には、それら第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bの磁束の向きは磁束は半径方向の向きとなる。これは、磁路変更片53a〜53c、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35b及び第1〜第3導磁板33c〜35cとからなるコ宇状の磁路が形成され、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bのN極から磁束が磁路変更片53a〜53cに引き寄せられるからである。その結果、磁束の向きは、磁路変更片53a〜53c側、即ち半径方向の向きとなる。
【0053】
従って、この場合には、4端子ブリッジ回路Bの中点aの電圧はHレベルとなる。
又、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bと磁路変更片53a〜53cとの相対位置関係において、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bの各々が、図7に示す第2バイアスマグネット34bの位置に位置したとき、即ち、N極の前方に磁路変更片53a〜53cのいずれもない場合には、それら第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bの磁束は半径方向に対して45度の向きとなる。これは、磁路を形成する磁路変更片53a〜53cがないため、磁束は引き込まれるものがないからである。その結果、磁束は放射状にのび、磁束の向きは半径方向に対して45度の向きとなる。
【0054】
従って、この場合には、4端子ブリッジ回路Bの中点aの電圧はLレベルとなる。
さらに、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bと磁路変更片53a〜53cとの相対位置関係において、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bの各々が、図7に示す第1バイアスマグネット33bの位置に位置して、N極の前方に磁路変更片53a〜53cのいずれもない状態から磁路変更片53a〜53cのいずれかの端部が通過する時には、それら第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bの磁束の向きは半径方向に対して45度の向きから半径方向の向きに変わる。
【0055】
従って、この場合には、4端子ブリッジ回路Bの中点aの電圧はLレベルからHレベルに立ち上がる電圧となる。
又、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bと磁路変更片26a〜26cとの相対位置関係において、第1〜第3磁気抵抗素子33a〜35aの前方に磁路変更片53a〜53cのいずれかが位置する状態から磁路変更片53a〜53cのいずれかの端部が通過する時には、それら第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bの磁束の向きは半径方向から45度の向きに変わる。
【0056】
従って、この場合には、4端子ブリッジ回路Bの中点aの電圧はHレベルからLレベルに立ち下がる電圧となる。
このようにして、4端子ブリッジ回路Bの中点aの電位は、Hレベル、Lレベルとなり、検出回路DCのコンパレータCPによって基準電圧(閾値電圧)となる側の中点bの電位と比較される。このコンパレータCPによって、中点aの電位が中点bの電位よりも大きい時Hレベル、中点aの電位が中点bの電位未満の時Lレベルとなる立ち上がり及び立ち下がりが急峻となる検出信号に波形整形される。
【0057】
次に、上記のように構成した回転位置センサ51の特徴について説明する。
(1)本実施形態では、回転板52は基板部52aの最外端部にのみ複数(3つ)の円弧状の磁路変更片53a,53b,53cを延出形成し、回転板52の内側に磁気検知部材55を配置した。
【0058】
従って、本実施形態の回転板52は従来の回転板2と比較して質量を小さくすることができる。よって、例えばモータ軸24の回転を検出するためにこの回転位置センサ51を使用する場合、モータにかかる負荷を低減して電流消費の増大を抑制することができる。
【0059】
(2)本実施形態では、第1〜第3磁気抵抗素子33a〜35aと第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bと第1〜第3導磁板60〜62とからなる検知部本体56を回転板52の内側に配設した。
【0060】
従って、本実施形態の回転位置センサ51によれば、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bのN極の前方に磁路変更片53a〜53cが配置されると、それら第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bの磁束の向きは半径方向の向きとなる。これは、磁路変更片53a〜53c、基板部52a及び第1〜第3導磁板60〜62によって磁路が形成され、第1〜第3バイアスマグネット33b〜35bのN極から磁束が磁路変更片53a〜53cに引き寄せられるからである。その結果、磁束の向きは、磁路変更片53a〜53c側、即ち半径方向の向きとなる。そのため、第1〜第3磁気抵抗素子33a〜35aの検出出力が小さくなるのを抑制して検出精度を確保でき、安定してモータ軸24の角度の検出を行うことができるようになる。
【0061】
なお、実施の形態は、以下のように変更してもよい。
・ 上記第1実施形態においては、第1〜第3導磁板33c〜35cを検知部本体30に貼着したが、第1〜第3導磁板33c〜35cを樹脂モールド材32にて封止してもよい。この場合にも、第1実施形態と同様の作用及び効果を得ることができる。又、第2実施形態においては、第1〜第3導磁板60〜62を検知部本体56に貼着したが、第1〜第3導磁板60〜62を樹脂モールド材32にて封止してもよい。この場合にも、第2実施形態と同様の作用及び効果を得ることができる。
【0062】
・ 上記第3実施形態における導磁板60〜62に代えて、第2実施形態における補助磁石44を樹脂モールド材32内に封止してもよい。この場合にも、上記第2実施形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。
【0063】
・ 上記第2実施形態における補助磁石44に代えて、鉄系金属を用いてもよい。この場合にも上記第2実施形態とほぼ同様の作用及び効果を得ることができる。
【0064】
次に、上記した実施の形態から把握できる請求項に記載した発明以外の技術的思想について記載する。
(イ) 前記磁気検知部材の前記磁気検知素子は磁束の向きによってその出力信号のレベルが変化する磁気抵抗素子である。
【0066】
【発明の効果】
以上詳述したように、各請求項に記載の発明によれば、検出精度を確保しつつ、回転板の軽量化を図って回転体の負荷を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態の回転位置センサの要部分解斜視図。
【図2】同じく第1実施形態の回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【図3】同じく第1実施形態の回転位置センサの要部断面図。
【図4】同じく第1実施形態の磁気抵抗素子の等価回路図。
【図5】第2実施形態の回転位置センサの要部断面図。
【図6】第3実施形態の回転位置センサの要部分解斜視図。
【図7】同じく第3実施形態の回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【図8】同じく第3実施形態の回転位置センサの要部断面図。
【図9】従来の回転位置センサの分解斜視図。
【図10】従来の回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【符号の説明】
21,41,51…回転検出センサとしての回転位置センサ、22,52…回転板、22a,52a…基板部、23,42,55…磁気検知部材、24…回転体としてのモータ軸、26a,26b,26c,53a,53b,53c…磁路変更片、27a,27b,27c,54a,54b,54c…空間、30,43,56…検知部本体、33,34,35,57,58,59…第1〜第3の磁気検知体、33a,34a,35a…磁気検知素子としての第1〜第3磁気抵抗素子、33b,34b,35b…磁石としての第1〜第3バイアスマグネット、33c,34c,35c,60,61,62…磁性体としての導磁板、44…磁性体としての補助磁石。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a rotation detection sensor, and more particularly to a rotation detection sensor provided with a magnetic detection element.
[0002]
[Prior art]
The present applicant has proposed a rotational position sensor shown in FIG. 9 as a rotation detection sensor for detecting the rotation of the rotating body. The
[0003]
Further, a cylindrical magnetic path forming convex portion 8 as a magnetic path changing piece is formed at the center portion of the
Therefore, as shown in FIG. 10, when the
[0004]
A through
The
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, the
[0006]
In order to solve such a problem, it is conceivable to omit the magnetic
[0007]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a rotation detection sensor that can reduce the load on the rotating body by reducing the weight of the rotating plate while ensuring the detection accuracy. There is to do.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention, there is provided a rotating plate in which a plurality of magnetic path changing pieces are erected at predetermined angular intervals in the circumferential direction of the substrate portion, and in a predetermined direction with respect to the rotating surface of the substrate portion of the rotating plate. A magnetic detection member including a magnet disposed therein, a magnetic detection element for detecting a magnetic flux of the magnet, and a non-rotatable relative to the magnetic detection element, and accompanying the rotation of the rotating plate A magnetic body that forms a magnetic path of the magnetic flux of the magnet in cooperation with the magnetic path changing piece when the magnetic path changing piece is disposed at a position corresponding to the magnet.When the magnetic path changing piece is disposed at a position corresponding to the magnet as the rotating plate rotates, a U-shaped magnetic path is formed by the magnetic path changing piece, the substrate portion, and the magnetic body. FormedThe gist of the rotation detection sensor is as follows.
[0009]
The invention according to
[0010]
The gist of the invention described in
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment in which the present invention is embodied in a rotational position sensor will be described with reference to FIGS. For convenience of explanation, the same reference numerals are used for members that are the same as those in the conventional embodiment shown in FIG.
[0013]
FIG. 1 is an exploded perspective view of a main part of a rotational position sensor for detecting a rotational angle of a motor shaft of a motor. The
[0014]
A through
The
[0015]
In the detection unit
[0016]
The first
[0017]
Therefore, when the
[0018]
The first
[0019]
Each of the resistors R1 to R4 is formed by forming a Ni—CO thin film in a zigzag manner on the substrate, that is, in a polygonal line shape. The resistors R1 to R4 are set to have the same resistance value under the same temperature atmosphere. The resistors R1 to R4 have sensitivity temperature characteristics that change in sensitivity when the ambient temperature rises. In this sensitivity temperature characteristic, it is preferable that the sensitivity temperature change rate and the resistance temperature change rate coincide with each other.
[0020]
When the direction of the magnetic flux is approximately + 45 ° from the axis O with respect to the approximately radial direction, the resistors R1 and R4 are in the first state in which the resistance value increases and the resistors R2 and R3 are in the first state. Becomes a second state in which the resistance value becomes small. When the direction of the magnetic flux is approximately −45 degrees with respect to the approximately radial direction, the resistors R1 and R4 are in the second state in which the resistance value is reduced, and the resistors R2 and R3 are the resistance value. Is in a first state in which becomes large. These states occur alternately in response to changes in magnetic flux.
[0021]
The resistors R1 to R4 are connected so as to constitute a four-terminal bridge circuit B as a bridge circuit as shown in FIG.
A connection point (middle point) a between the resistor R1 and the resistor R2 is connected to a non-inverting input terminal of a comparator CP provided on the circuit board, and a connection point (middle point) between the resistor R3 and the resistor R4. ) B is connected to the inverting input terminal of the comparator CP.
[0022]
The comparator CP and the four-terminal bridge circuit B constitute a detection circuit DC.
In the resistors R1 and R4 constituting the bridge circuit B of the detection circuit DC, when the direction of the magnetic flux is approximately −45 ° from the axis O with respect to the approximately radial direction, the potential at the midpoint a is A0. The H level is larger than that. Further, when the direction of the magnetic flux is approximately +45 degrees with respect to the approximately radial direction, the potential at the midpoint a is L level smaller than A0. A0 is a voltage level that is ½ of the saturation output at the midpoint a.
[0023]
In the present embodiment, the detection point P is an edge portion in the rotation direction of the magnetic
The second
[0024]
Accordingly, when the
[0025]
Similarly to the first
[0026]
The third
[0027]
Accordingly, when the
[0028]
Similarly to the first
[0029]
In the relative positional relationship between the first to
[0030]
Therefore, in this case, the voltage at the midpoint “a” of the four-terminal bridge circuit B is at the H level.
Further, in the relative positional relationship between the first to
[0031]
Therefore, in this case, the voltage at the midpoint a of the four-terminal bridge circuit B is L level.
Further, in the relative positional relationship between the first to
[0032]
Accordingly, in this case, the voltage at the midpoint a of the four-terminal bridge circuit B is a voltage that rises from the L level to the H level.
Further, in the relative positional relationship between the first to
[0033]
Therefore, in this case, the voltage at the midpoint a of the four-terminal bridge circuit B is a voltage that falls from the H level to the L level.
In this way, the potential at the middle point a of the four-terminal bridge circuit B becomes H level and L level, and is compared with the potential at the middle point b on the side that becomes the reference voltage (threshold voltage) by the comparator CP of the detection circuit DC. The This comparator CP detects that the rising and falling edges are steep when the potential at the middle point a is higher than the potential at the middle point b, and when the potential at the middle point a is lower than the potential at the middle point b. Waveform shaping to signal.
[0034]
Next, features of the
(1) In this embodiment, the rotating
[0035]
Therefore, the rotating
[0036]
(2) In the present embodiment, the detection unit
[0037]
Therefore, according to the
[0038]
(Second Embodiment)
Next, the rotational position sensor of 2nd Embodiment is demonstrated according to FIG. For convenience of explanation, the same reference numerals are used for members common to the first embodiment shown in FIG. 3, and a part of the explanation is omitted.
[0039]
In the second embodiment, the configuration of the first embodiment is changed. In this
[0040]
The
[0041]
When the magnetic
[0042]
As described above, in the
[0043]
(Third embodiment)
Next, the rotational position sensor of 3rd Embodiment is demonstrated according to FIGS. For convenience of explanation, members common to the first embodiment shown in FIG.
[0044]
FIG. 6 is an exploded perspective view of the main part of the rotational position sensor for detecting the rotational angle of the motor shaft of the motor. The
[0045]
A through
The magnetic detection member 55 includes a detection unit
[0046]
In the detection unit
The first magnetic detector 57 includes a first
[0047]
Therefore, when the
[0048]
The second
[0049]
Therefore, when the
[0050]
The third
[0051]
Accordingly, when the
[0052]
In the relative positional relationship between the first to
[0053]
Therefore, in this case, the voltage at the midpoint “a” of the four-terminal bridge circuit B is at the H level.
Further, in the relative positional relationship between the first to
[0054]
Therefore, in this case, the voltage at the midpoint a of the four-terminal bridge circuit B is L level.
Further, in the relative positional relationship between the first to
[0055]
Accordingly, in this case, the voltage at the midpoint a of the four-terminal bridge circuit B is a voltage that rises from the L level to the H level.
Further, in the relative positional relationship between the first to
[0056]
Therefore, in this case, the voltage at the midpoint a of the four-terminal bridge circuit B is a voltage that falls from the H level to the L level.
In this way, the potential at the middle point a of the four-terminal bridge circuit B becomes H level and L level, and is compared with the potential at the middle point b on the side that becomes the reference voltage (threshold voltage) by the comparator CP of the detection circuit DC. The This comparator CP detects that the rising and falling edges are steep when the potential at the middle point a is higher than the potential at the middle point b, and when the potential at the middle point a is lower than the potential at the middle point b. Waveform shaping to signal.
[0057]
Next, features of the
(1) In the present embodiment, the rotating
[0058]
Therefore, the rotating
[0059]
(2) In the present embodiment, the detection unit
[0060]
Therefore, according to the
[0061]
The embodiment may be modified as follows.
In the first embodiment, the first to third
[0062]
In place of the
[0063]
In place of the
[0064]
Next, technical ideas other than the invention described in the claims that can be grasped from the above-described embodiment will be described.
(I)PreviousThe magnetic sensing element of the magnetic sensing member is a magnetoresistive element whose output signal level changes depending on the direction of the magnetic flux.The
[0066]
【The invention's effect】
As detailed above,eachClaimIn termsAccording to the described invention, the load on the rotating body can be reduced by reducing the weight of the rotating plate while ensuring the detection accuracy.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an exploded perspective view of a main part of a rotational position sensor according to a first embodiment.
FIG. 2 is a plan view showing the positional relationship between the rotary plate and the magnetic detection member of the first embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the main part of the rotational position sensor of the first embodiment.
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the magnetoresistive element according to the first embodiment.
FIG. 5 is a cross-sectional view of a main part of a rotational position sensor according to a second embodiment.
FIG. 6 is an exploded perspective view of a main part of a rotational position sensor according to a third embodiment.
FIG. 7 is a plan view showing the positional relationship between a rotating plate and a magnetic detection member according to the third embodiment.
FIG. 8 is a cross-sectional view of a principal part of a rotational position sensor according to the third embodiment.
FIG. 9 is an exploded perspective view of a conventional rotational position sensor.
FIG. 10 is a plan view showing a positional relationship between a conventional rotating plate and a magnetic detection member.
[Explanation of symbols]
21, 41, 51... Rotational position sensor as a rotation detection sensor, 22, 52... Rotating plate, 22 a, 52 a ... Substrate part, 23, 42, 55 ... Magnetic detection member, 24. 26b, 26c, 53a, 53b, 53c ... magnetic path changing piece, 27a, 27b, 27c, 54a, 54b, 54c ... space, 30, 43, 56 ... detector body, 33, 34, 35, 57, 58, 59 ... 1st-3rd magnetic detection body, 33a, 34a, 35a ... 1st-3rd magnetoresistive element as a magnetic detection element, 33b, 34b, 35b ... 1st-3rd bias magnet as a magnet, 33c, 34c, 35c, 60, 61, 62... Magnetic guide plate as a magnetic body, 44... Auxiliary magnet as a magnetic body.
Claims (3)
前記回転板の基板部の回転面に対して所定の向きに配設された磁石と、該磁石の磁束を検出する磁気検知素子とを備えた磁気検知部材と、
前記磁気検知素子に対して相対回転不能に配設され、かつ、前記回転板の回転に伴って前記磁路変更片が前記磁石と対応する位置に配置されたとき、前記磁路変更片と協働して前記磁石の磁束の磁路を形成する磁性体とを備え、
前記回転板の回転に伴って前記磁路変更片が前記磁石と対応する位置に配置されたとき、前記磁路変更片と前記基板部と前記磁性体とでコの字状の磁路が形成される回転検出センサ。A rotating plate in which a plurality of magnetic path changing pieces are erected at predetermined angular intervals in the circumferential direction of the substrate portion;
A magnetic detection member comprising a magnet disposed in a predetermined direction with respect to the rotation surface of the substrate portion of the rotating plate, and a magnetic detection element for detecting a magnetic flux of the magnet;
When the magnetic path changing piece is arranged so as not to rotate relative to the magnetic sensing element, and the magnetic path changing piece is arranged at a position corresponding to the magnet as the rotating plate rotates, the magnetic path changing piece cooperates. A magnetic body that works to form a magnetic path of the magnetic flux of the magnet ,
When the magnetic path changing piece is arranged at a position corresponding to the magnet as the rotating plate rotates, a U-shaped magnetic path is formed by the magnetic path changing piece, the substrate portion, and the magnetic body. rotation detection sensor that will be.
前記磁気検知部材は、前記磁路変更片と前記磁性体との間に配置されている回転検出センサ。The rotation detection sensor according to claim 1,
The said magnetic detection member is a rotation detection sensor arrange | positioned between the said magnetic path change piece and the said magnetic body.
前記磁性体、磁石、磁気検知素子及び磁路変更片の順に配置されている回転検出センサ。In the rotation detection sensor according to any one of claims 1 and 2,
The rotation detection sensor arrange | positioned in order of the said magnetic body, a magnet, a magnetic detection element, and a magnetic path change piece.
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