JP2001127363A - Ase light source - Google Patents

Ase light source

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JP2001127363A
JP2001127363A JP23515199A JP23515199A JP2001127363A JP 2001127363 A JP2001127363 A JP 2001127363A JP 23515199 A JP23515199 A JP 23515199A JP 23515199 A JP23515199 A JP 23515199A JP 2001127363 A JP2001127363 A JP 2001127363A
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JP
Japan
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light
transmission medium
optical transmission
light source
ase
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JP23515199A
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Japanese (ja)
Inventor
Hidenori Mimura
榮紀 三村
Yukio Noda
行雄 野田
Tetsuya Nakai
哲哉 中井
Toshio Tani
俊男 谷
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KDDI Corp
Original Assignee
DDI Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the number of the parts of an ASE light source. SOLUTION: With one end of an Er-added optical fiber 30, a reflecting mirror 32 is connected, and with the other end of the fiber 30, an optical isolator 34 for preventing any incident light from the external is connected. Between the Er-added optical fiber 30 and the optical isolator 34, a WDM coupler 38 for introducing into the Er-added optical fiber 30 an excitation light outputted from an exciting semiconductor laser 36 is interposed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、1.52μm〜
1.62μm帯にわたる広い発光波長域を持つASE
(Amplifed Spontaneous Emi
ssion)光源に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
ASE with wide emission wavelength range over 1.62 μm band
(Amplified Spontaneous Emi
session) light source.

【従来の技術】1.52〜1.62μm帯ASE光源
は、S. P. Parry, R.DiMuro,
K. J. Cordena, A,Robbinso
n,S. J. Wilson and N.E.Jo
lley:’High power,80nm opt
ical noise source usinga
single Erbium doped silic
a fibre’,Optical Amplifie
rs and Their Application
s, Techn. Dig. 128/TuD3−
1,july27−29,1998,Colorado
に記載されている。図3を参照して、その構成と動作を
簡単に説明する。
2. Description of the Related Art An ASE light source in the 1.52 to 1.62 μm band is disclosed in S.A. P. Parry, R .; DiMuro,
K. J. Cordena, A, Robbinso
n, S. J. Wilson and N.W. E. FIG. Jo
lley: 'High power, 80 nm opt
ical noise source usinga
single Erbium doped silic
a fiber ', Optical Amplifier
rs and Their Application
s, Techn. Dig. 128 / TuD3-
1, July 27-29, 1998, Colorado
It is described in. The configuration and operation will be briefly described with reference to FIG.

【0002】Er添加石英ファイバ10の両側にそれぞ
れWDMカップラ12,14を配置し、一方のWDMカ
ップラ12には励起用の0.98μm帯半導体レーザ1
6を接続し、他方のWDMカップラ14には励起用の
1.48μm帯半導体レーザ18を接続する。即ち、E
r添加石英ファイバ12を、一方の側から0.98μm
帯レーザ光で励起し、他の側から1.48μm帯レーザ
光で励起する。Er添加石英ファイバ10の一端はオー
プンになっており、他端は光アイソレータ20を介し
て、ASE光を導入すべき光素子又は光ファイバに接続
する。
[0002] WDM couplers 12 and 14 are disposed on both sides of an Er-doped quartz fiber 10, and one WDM coupler 12 has a 0.98 μm band semiconductor laser 1 for excitation.
6, and the other WDM coupler 14 is connected to a 1.48 μm band semiconductor laser 18 for excitation. That is, E
The r-doped quartz fiber 12 is 0.98 μm from one side.
Excitation is performed with the laser light in the band, and the other side is excited with laser light in the 1.48 μm band. One end of the Er-doped quartz fiber 10 is open, and the other end is connected via an optical isolator 20 to an optical element or an optical fiber into which ASE light is to be introduced.

【0003】Er添加ファイバを励起光で励起した場
合、Er濃度とファイバ長の積が小さければ、Cバンド
と呼ばれる1.52〜1.56μm帯のASE光が得ら
れ、積が大きければ、Lバンドと呼ばれる1.57〜
1.62μm帯のASE光が得られる現象は、よく知ら
れている。この装置は、2個の励起光源を使用すること
により、1本のファイバでCバンドとLバンドの両方の
ASE光を得られるようにしたものである。石英ファイ
バ10にドープされているErは、通常の光増幅用ED
Fより高濃度(励起光の吸収が約14dB/m)であ
り、ファイバ10の長さは51mと長い。
When an Er-doped fiber is excited by pump light, if the product of the Er concentration and the fiber length is small, ASE light in the 1.52 to 1.56 μm band called the C band is obtained. 1.57 called band
The phenomenon of obtaining ASE light in the 1.62 μm band is well known. This apparatus uses two excitation light sources so that ASE light in both the C band and the L band can be obtained with one fiber. Er doped in the quartz fiber 10 is an ordinary ED for optical amplification.
The concentration is higher than F (excitation light absorption is about 14 dB / m), and the length of the fiber 10 is as long as 51 m.

【0004】このような高Er濃度で長尺のファイバ1
0を前方から励起すると、1.57μm〜1.62μm
帯(Lバンド)のASE光が発生し、ファイバ10から
取り出すことができる。他方、1.48μm帯半導体レ
ーザ18は、ファイバ10の後方、即ち、目的の出力光
とは逆方向に進行する方向で、Er添加ファイバ10を
励起する。後方励起では、ファイバ10が高Er濃度で
長尺であっても、ファイバ10の出力端部分で強い励起
光が存在するので、そこで発生する1.52μm〜1.
56μm帯(Cバンド)のASE光を効率的に取り出す
ことができる。すなわち、1.48μmの後方励起によ
り、1.52〜1.56μm帯(Cバンド)のASE光
を得ることができる。
[0004] Such a long fiber 1 having a high Er concentration is used.
When 0 is excited from the front, 1.57 μm to 1.62 μm
An ASE light in a band (L band) is generated and can be extracted from the fiber 10. On the other hand, the 1.48 μm band semiconductor laser 18 excites the Er-doped fiber 10 behind the fiber 10, that is, in the direction traveling in the direction opposite to the target output light. In the backward pumping, even if the fiber 10 has a high Er concentration and is long, strong pumping light exists at the output end of the fiber 10, so that 1.52 .mu.m-1.
ASE light in the 56 μm band (C band) can be efficiently extracted. That is, ASE light in the 1.52 to 1.56 μm band (C band) can be obtained by backward excitation of 1.48 μm.

【0005】このようにして、全体として、1.52〜
1.62μm帯(Cバンド及びLバンド)という広い帯
域のASE光を得ることができる。
[0005] Thus, as a whole, 1.52 to 1.52
ASE light in a wide band of 1.62 μm band (C band and L band) can be obtained.

【0006】米国特許第4,938,556号には、光
カップラと反射ミラーを使用することにより強いASE
光を得る方法が記載されている。しかし、ASE光の波
長帯を拡大する手段は、記載されていない。米国特許第
5,185,749号には、3準位レーザ元素を発光材
として利用し、50%以上の量子効率を得る方法が記載
されている。しかし、ASE光の波長帯を拡大する手段
は記載されていない。
US Pat. No. 4,938,556 discloses a stronger ASE by using an optical coupler and a reflecting mirror.
A method for obtaining light is described. However, no means for expanding the wavelength band of the ASE light is described. U.S. Pat. No. 5,185,749 describes a method in which a three-level laser element is used as a light emitting material to obtain a quantum efficiency of 50% or more. However, there is no description of means for expanding the wavelength band of the ASE light.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従来のASE光源は、
発光波長域を1.52〜1.62μmと広くするため
に、2個の励起用半導体レーザ16,18及び2個のW
DMカップラ12,14を必要としている。また、Er
添加石英ファイバ10は、51mという長尺のものであ
る必要があった。従って、従来例は、高価であるという
欠点がある。
The conventional ASE light source is
In order to widen the emission wavelength range from 1.52 to 1.62 μm, two pumping semiconductor lasers 16 and 18 and two W
DM couplers 12 and 14 are required. Also, Er
The doped silica fiber 10 had to be as long as 51 m. Therefore, the conventional example has a disadvantage that it is expensive.

【0008】そこで、本発明は、より安価なASE光源
を提示することを目的とする。
Therefore, an object of the present invention is to present a cheaper ASE light source.

【0009】本発明はまた、より少ない部品点数で、広
い波長範囲をカバーできるASE光源を提示することを
目的とする。
Another object of the present invention is to provide an ASE light source capable of covering a wide wavelength range with a smaller number of components.

【0010】本発明は更に、励起用半導体レーザ及びW
DMカップラを各1個しか必要としないASE光源を提
示することを目的とする。
[0010] The present invention further provides a semiconductor laser for excitation and W
It is intended to present an ASE light source that requires only one DM coupler each.

【0011】本発明は更に、光増幅ファイバをより短く
できるASE光源を提示することを目的とする。
Another object of the present invention is to provide an ASE light source that can shorten the optical amplification fiber.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明に係るASE光源
は、3準位レーザ元素である発光材を具備する光伝送媒
体と、当該発光材を励起して発光させる励起光を発生す
る励起光源と、当該光伝送媒体の一側から、当該励起光
源の出力する励起光を当該光伝送媒体に導入する光カッ
プラと、当該光伝送媒体の他側に配置され、当該光伝送
媒体から出力する光を当該光伝送媒体に戻す反射ミラー
とを具備することを特徴とする。
An ASE light source according to the present invention includes an optical transmission medium including a light emitting material that is a three-level laser element, and an excitation light source that generates excitation light that excites the light emitting material to emit light. And an optical coupler that introduces, from one side of the optical transmission medium, the excitation light output from the excitation light source into the optical transmission medium, and a light that is disposed on the other side of the optical transmission medium and outputs from the optical transmission medium. And a reflection mirror for returning the light to the optical transmission medium.

【0013】励起光により励起されて発光材が発生する
光のうち、グランド・ステート・アブソープション(g
round state absorption、以
下、GSAと略す。)が小さな長波長帯の光は、反射ミ
ラーで反射されて伝送媒体に再入射し、励起光と逆方向
に進行する短波長帯の光と共に、光伝送部材の一側から
ASE光となって外部に出力される。長波長帯の光を光
伝送媒体を2回伝送することにより、光伝送媒体が短く
ても長波長帯のASE光を発生させることができる。
The ground state absorption (g) of the light that is excited by the excitation light to generate a luminescent material is included.
round state absorption (hereinafter abbreviated as GSA). ) Is reflected by the reflection mirror, re-enters the transmission medium, and becomes ASE light from one side of the optical transmission member together with the short-wavelength light traveling in the opposite direction to the excitation light. Output to the outside. By transmitting light in a long wavelength band twice through an optical transmission medium, ASE light in a long wavelength band can be generated even if the optical transmission medium is short.

【0014】光伝送媒体の一側から励起光を導入し、増
幅ゲインとGSAが共に大きなCバンドのASE光と、
増幅ゲインとGSAが共に小さなLバンドのASE光の
2つの波長帯の光を発生させる。
An excitation light is introduced from one side of the optical transmission medium, and C-band ASE light having large amplification gain and GSA is provided.
Both the amplification gain and the GSA generate light in two wavelength bands of ASE light in the L band, which are small.

【0015】光伝送媒体の長さ、発光材の添加量及び励
起光強度を、光伝送媒体の少なくとも一部で、Cバンド
光にとっては減衰、Lバンド光にとっては増幅となるよ
うに調節することにより、これら2つの波長帯のASE
光をほぼ均等に出力させることができる。これにより、
広い波長帯のASE光を容易に得られるようになる。
The length of the optical transmission medium, the amount of the light-emitting material added, and the intensity of the excitation light are adjusted so that at least a part of the optical transmission medium is attenuated for C-band light and amplified for L-band light. ASE of these two wavelength bands
Light can be output almost uniformly. This allows
ASE light in a wide wavelength band can be easily obtained.

【0016】光伝送媒体への戻り光を防止する光アイソ
レータを設けることにより、レーザ発振を抑制でき、よ
り高い出力のASE光を得られるようになる。
By providing an optical isolator for preventing return light to the optical transmission medium, laser oscillation can be suppressed, and higher output ASE light can be obtained.

【0017】光伝送媒体から外部に出力される光の波長
に対する強度分布を調整する光強度調整部材を設けるこ
とにより、ASE光の波長分布をより均一にすることが
できる。また、光部品のばらつきを吸収して、安定な品
質のASE光源を得られるようになる。光強度調整部材
は、光伝送媒体と同じもの、または、光学多層膜を利用
する利得等化フィルタからなる。前者の場合、用意すべ
き部品数が少なくなり、後者の場合、出力光の波長に対
する光強度分布として良好特性が得やすい。
By providing a light intensity adjusting member for adjusting the intensity distribution with respect to the wavelength of light output from the optical transmission medium to the outside, the wavelength distribution of the ASE light can be made more uniform. In addition, it becomes possible to obtain a stable quality ASE light source by absorbing variations in optical components. The light intensity adjusting member is the same as the optical transmission medium or a gain equalizing filter using an optical multilayer film. In the former case, the number of components to be prepared is reduced, and in the latter case, good characteristics are easily obtained as the light intensity distribution with respect to the wavelength of the output light.

【0018】光伝送媒体は、例えば、発光材を添加され
た光ファイバからなる。フッ化物ファイバは、ファイバ
長を著しく短くできる利点がある。また、フッ化物ファ
イバは、Er添加した1.52〜1.62μm帯ASE
光源の場合、増幅利得の波長依存性が小さいので、レー
ザ発振をより抑制できると共に、より高い出力のASE
光を得られる。
The optical transmission medium is made of, for example, an optical fiber to which a luminescent material is added. Fluoride fibers have the advantage that the fiber length can be significantly reduced. The fluoride fiber is an ASE 1.52 to 1.62 μm band doped with Er.
In the case of a light source, since the wavelength dependence of the amplification gain is small, laser oscillation can be further suppressed and an ASE having a higher output can be obtained.
You can get light.

【0019】発光材は、GSAを生じる、例えば、Er
及びTm等の希土類元素からなる。
The luminescent material produces GSA, for example, Er.
And rare earth elements such as Tm.

【0020】[0020]

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0021】図1は、本発明の第1実施例の概略構成ブ
ロック図を示す。本実施例では、所定長さのEr添加光
ファイバ30の一端に反射ミラー32を接続すると共
に、Er添加光ファイバ30の他端には、Er添加光フ
ァイバ30への戻り光によるレーザ発振を防止するため
に光アイソレータ34が接続されている。
FIG. 1 is a schematic block diagram of a first embodiment of the present invention. In the present embodiment, the reflection mirror 32 is connected to one end of the Er-doped optical fiber 30 having a predetermined length, and the other end of the Er-doped optical fiber 30 is used to prevent laser oscillation due to light returning to the Er-doped optical fiber 30. For this purpose, an optical isolator 34 is connected.

【0022】Er添加光ファイバ30の長さとEr濃度
は、最適に調節する必要がある。最適の長さは、あるE
r濃度のファイバを前方励起したときに出射する1.5
7〜1.62μmのLバンドのASE光強度が最大とな
るファイバ長の約1/2である。Erの濃度とファイバ
長は反比例の関係にある。例えば、シングルモードフッ
化物ファイバの場合では、Er濃度が2000ppmの
とき、ファイバ長は9〜12mが適合範囲である。
The length and Er concentration of the Er-doped optical fiber 30 need to be adjusted optimally. The optimal length is some E
1.5 emitted when forward-excitation of r-concentration fiber
The ASE light intensity of the L band of 7 to 1.62 μm is about の of the fiber length at which the ASE light intensity becomes maximum. The concentration of Er and the fiber length are in inverse proportion. For example, in the case of a single mode fluoride fiber, when the Er concentration is 2000 ppm, a fiber length of 9 to 12 m is a suitable range.

【0023】Er添加光ファイバ30と光アイソレータ
34の間には、励起用半導体レーザ36から出力される
励起光をEr添加光ファイバ30に向けて導入するWD
Mカップラ38が配置されている。励起用半導体レーザ
36の波長は、0.98μmでも1.48μmでもよ
い。
A WD for introducing the pumping light output from the pumping semiconductor laser 36 toward the Er-doped optical fiber 30 is provided between the Er-doped optical fiber 30 and the optical isolator 34.
An M coupler 38 is provided. The wavelength of the semiconductor laser 36 for excitation may be 0.98 μm or 1.48 μm.

【0024】本実施例の動作を説明する。励起用半導体
レーザ36から出力される励起光は、WDMカップラ3
4によりEr添加光ファイバ30に導入される。励起光
は、Er添加光ファイバ30を反射ミラー32に向かっ
て伝搬するにつれ減衰し、その間に、Er添加光ファイ
バ30のErイオンが励起され、Cバンド及びLバンド
の両方の光を発生する。
The operation of this embodiment will be described. The pumping light output from the pumping semiconductor laser 36 is supplied to the WDM coupler 3.
4 is introduced into the Er-doped optical fiber 30. The pumping light is attenuated as it propagates through the Er-doped optical fiber 30 toward the reflection mirror 32, during which the Er ions of the Er-doped optical fiber 30 are excited to generate both C-band and L-band light.

【0025】Er添加光ファイバ30で発生した光に
は、反射ミラー32に向かって進む光と、逆方向の光ア
イソレータ34に向かって進む光の2種類がある。以下
の説明では、Er添加光ファイバ30で発生された光が
光アイソレータ34に向かう方向を+z方向又はプラス
方向と呼び、反射ミラー32に向かう方向を−z方向又
はマイナス方向と呼ぶことにする。
There are two types of light generated in the Er-doped optical fiber 30, light traveling toward the reflection mirror 32 and light traveling toward the optical isolator 34 in the opposite direction. In the following description, the direction in which light generated by the Er-doped optical fiber 30 travels toward the optical isolator 34 is referred to as a + z direction or a plus direction, and the direction toward the reflection mirror 32 is referred to as a −z direction or a minus direction.

【0026】プラス及びマイナスの何れの方向にしろ、
発生した光は、Er添加光ファイバ30を伝搬すると
き、励起光が強ければ増幅され、弱ければ減衰する。こ
れは、Erが3準位レーザ元素であるために起こる現象
である。すなわち、励起光が強ければ反転分布の形成に
よる誘導放出が起こり、励起光が弱ければGSAによる
減衰が生じるからである。しかし、増幅ゲインとGSA
には波長依存性があり、波長が長くなるにつれ増幅ゲイ
ンは小さいが弱い励起光でも増幅できる。本発明では、
増幅ゲイン及びGSAの波長依存性を利用して、ASE
光源の広帯域化を実現している。
In any of the plus and minus directions,
When the generated light propagates through the Er-doped optical fiber 30, the pump light is amplified if it is strong, and is attenuated if it is weak. This is a phenomenon that occurs because Er is a three-level laser element. That is, if the excitation light is strong, stimulated emission occurs due to the formation of population inversion, and if the excitation light is weak, attenuation by GSA occurs. However, amplification gain and GSA
Has a wavelength dependence, and as the wavelength becomes longer, the amplification gain is smaller, but it is possible to amplify even weak pump light. In the present invention,
By utilizing the wavelength dependence of amplification gain and GSA, ASE
Broadband light source is realized.

【0027】Er添加光ファイバ30で発生してマイナ
ス方向に伝搬する光のうち、長波長成分は、Er添加光
ファイバ30内で増幅され、反射ミラー32で反射され
てEr添加光ファイバ30に再入射する。Er添加光フ
ァイバ30に再入射した光は、Er添加光ファイバ30
をプラス方向に伝搬する間に更に増幅されて長波長成分
の強いASE光となる。Er添加光ファイバ30から出
た光は、光アイソレータ34を透過して外部に出射され
る。
Of the light generated in the Er-doped optical fiber 30 and propagating in the negative direction, the long wavelength component is amplified in the Er-doped optical fiber 30, reflected by the reflection mirror 32, and returned to the Er-doped optical fiber 30. Incident. The light re-entering the Er-doped optical fiber 30 is
Is further amplified while propagating in the plus direction, and becomes ASE light having a long wavelength component. Light emitted from the Er-doped optical fiber 30 passes through the optical isolator 34 and is emitted to the outside.

【0028】他方、Er添加光ファイバ30で発生して
最初からプラス方向に伝搬する光は、Er添加光ファイ
バ30内で増幅されて短波長成分の強いASE光にな
り、光アイソレータ34に入射する。
On the other hand, light generated in the Er-doped optical fiber 30 and propagated in the plus direction from the beginning is amplified in the Er-doped optical fiber 30 to become ASE light having a strong short wavelength component, and is incident on the optical isolator 34. .

【0029】Er添加光ファイバ30内でErイオンに
より発生する1.52〜1.62μm帯光は、Cバンド
(1.52〜1.56μm帯)とLバンド(1.57〜
1.62μm帯)2つの波長帯に区分して考えることが
できる。
The 1.52 to 1.62 μm band light generated by Er ions in the Er-doped optical fiber 30 has C band (1.52 to 1.56 μm band) and L band (1.57 to 1.57 μm band).
(1.62 μm band) It can be considered to be divided into two wavelength bands.

【0030】短波長のCバンド光は、ゲインが大きいが
GSAによる減衰も大きいという特徴を持つ。マイナス
方向に伝搬する光は、Er添加光ファイバ30を進むに
つれて励起光が弱くなるので、GSAによって急激に減
衰してしまい、殆ど出力されない。しかし、プラス方向
に伝搬する光は、励起光強度の強い方向に進むので、増
幅され、ASE光となって出射される。
The short-wavelength C-band light is characterized in that it has a large gain but a large attenuation due to GSA. The light propagating in the minus direction becomes weaker as the excitation light becomes weaker as it travels through the Er-doped optical fiber 30, so that it is rapidly attenuated by GSA, and is hardly output. However, the light propagating in the plus direction travels in the direction in which the intensity of the excitation light is high, and is thus amplified and emitted as ASE light.

【0031】長波長のLバンド光は、ゲインは小さい
が、GSAによる減衰も小さいという特徴を持つ。Er
濃度とファイバ長を適切に設定することで、励起光強度
の弱い反射ミラー32に近い部分が、Cバンド光にとっ
ては減衰領域であっても、Lバンド光にとっては増幅領
域になり得る。即ち、Lバンドにとってはファイバ30
の全体が増幅領域となるので、マイナス方向に伝搬した
光は、反射ミラー32によって反射され、Er添加光フ
ァイバ30を往復する間に強く増幅され、ASE光とな
って出射される。
The long-wavelength L-band light has a characteristic that the gain is small but the attenuation by GSA is small. Er
By appropriately setting the concentration and the fiber length, a portion close to the reflection mirror 32 where the excitation light intensity is weak can be an attenuation region for C-band light but an amplification region for L-band light. That is, for the L band, the fiber 30
Becomes the amplification region, so that the light propagating in the minus direction is reflected by the reflection mirror 32, strongly amplified while reciprocating through the Er-doped optical fiber 30, and emitted as ASE light.

【0032】Er濃度とファイバ長を調節することによ
り、CバンドとLバンドの光強度の割合を変更できる。
例えば、Lバンド光に対しても減衰領域ができるように
Er濃度とファイバ長の積を大きくすると、Lバンド光
の強度が低下し、相対的にCバンド光が強くなる。逆
に、Cバンドの減衰領域を少なくするようにEr濃度と
ファイバ長の積を小さくすると、Cバンド光が急激に強
くなる。
By adjusting the Er concentration and the fiber length, the ratio of the light intensity in the C band and the L band can be changed.
For example, if the product of the Er concentration and the fiber length is increased so that an attenuating region is formed even for the L-band light, the intensity of the L-band light decreases and the intensity of the C-band light relatively increases. Conversely, when the product of the Er concentration and the fiber length is reduced so as to reduce the C band attenuation region, the C band light sharply increases.

【0033】Cバンド及びLバンドの光強度を最も均一
にできるファイバ30のファイバ長は、同じEr濃度の
ファイバを一方の側から励起したときに他方の側で出射
するLバンドのASE光強度が最大となるファイバ長の
約1/2である。Erの濃度とファイバ長は反比例の関
係にあるので、Er濃度が増加すれば、ファイバ長はよ
り短くて良い。シングルモードフッ化物ファイバの場合
には、ErFの重量比をppmで表示したときに、 Er濃度(ppm)×ファイバ長(m)=18000〜
24000(ppm・m) が適切な範囲である。
The fiber length of the fiber 30 that can make the light intensities of the C band and the L band most uniform is such that the L band ASE light intensity emitted from the other side when the fiber having the same Er concentration is excited from one side is emitted. It is about 1/2 of the maximum fiber length. Since the Er concentration and the fiber length are inversely proportional, the fiber length may be shorter if the Er concentration increases. In the case of a single mode fluoride fiber, when the weight ratio of ErF 3 is expressed in ppm, Er concentration (ppm) × fiber length (m) = 18,000-
24000 (ppm · m) is an appropriate range.

【0034】このように、Er添加光ファイバ30で発
生した光で最初にマイナス方向に伝搬した光はLバンド
が優勢になり、最初からプラス方向に伝搬する光はCバ
ンドが優勢になっている。Er添加光ファイバ30から
光アイソレータ34に入射する光の波長特性は、これら
の合成になる。Er添加光ファイバ30から光アイソレ
ータ34に入射する光の波長特性、即ち、LバンドとC
バンドの強度比は、Er添加光ファイバ30の長さ(並
びにEr添加量及び励起強度)により調節できる。
As described above, in the light generated in the Er-doped optical fiber 30, the light initially propagating in the minus direction is dominant in the L band, and the light propagating in the positive direction from the beginning is dominant in the C band. . The wavelength characteristics of light incident on the optical isolator 34 from the Er-doped optical fiber 30 are a combination of these. Wavelength characteristics of light incident on the optical isolator 34 from the Er-doped optical fiber 30, ie, L band and C
The band intensity ratio can be adjusted by the length of the Er-doped optical fiber 30 (and the amount of Er added and the excitation intensity).

【0035】光アイソレータ34は、Er添加光ファイ
バ30がレーザ発振するのを防止する役目を果たす。こ
れにより、より高い出力パワーのASE光を得ることが
できる。低い出力パワーで良い場合には、光アイソレー
タ34を省略してもよい。
The optical isolator 34 serves to prevent the Er-doped optical fiber 30 from oscillating by laser. Thereby, ASE light with higher output power can be obtained. If a low output power is sufficient, the optical isolator 34 may be omitted.

【0036】本実施例で得られるASE光のLバンド成
分とCバンド成分の強度比を平準化したければ、図2に
示すように、光アイソレータ34の先に、波長に依存す
る利得、又は減衰率を有する光強度等化器40を配置す
ればよい。図1と同じ構成要素には同じ符号を付してあ
る。光強度等化器40は、例えば、WDM伝送で使用さ
れている光ファイバ増幅器の利得を平坦化するための光
学多層膜を利用した利得等化フィルタ、又はEr添加光
ファイバ30と同様のEr添加光ファイバからなる。後
者の場合、Er添加光ファイバの長さは、Erドープ量
にも依存するが、石英ファイバの場合で0〜2m程度、
フッ化物ファイバで0〜1m程度と見込まれる。
If it is desired to equalize the intensity ratio between the L band component and the C band component of the ASE light obtained in this embodiment, as shown in FIG. What is necessary is just to arrange | position the light intensity equalizer 40 which has a rate. The same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. The light intensity equalizer 40 is, for example, a gain equalizing filter using an optical multilayer film for flattening the gain of an optical fiber amplifier used in WDM transmission, or an Er-doped optical fiber similar to the Er-doped optical fiber 30. It consists of an optical fiber. In the latter case, the length of the Er-doped optical fiber depends on the amount of Er doping, but is about 0 to 2 m in the case of a quartz fiber,
It is expected to be about 0 to 1 m for fluoride fiber.

【0037】光強度等化器40は、レーザ発振をもたら
すような反射が発生しないという条件下では、光アイソ
レータ34とEr添加光ファイバ30の間に配置しても
良い。
The light intensity equalizer 40 may be arranged between the optical isolator 34 and the Er-doped optical fiber 30 under the condition that no reflection causing laser oscillation occurs.

【0038】発光材としてErを例示したが、これは一
例であり、3準位レーザ元素であれば利用可能である。
Although the luminous material is exemplified by Er, this is an example, and any three-level laser element can be used.

【0039】本発明によるASE光源は、光カップラ、
光アイソレータ及び光ファイバグレーティング等の光部
品の損失波長特性、偏波モード分散及び偏波依存性損失
等の測定に利用でき、また、システム実験におけるノイ
ズ源としても利用できる。即ち、本発明によるASE光
源は、各種光部品の測定、及び光波長多重通信システム
の実験に利用でき、光エレクトロニクス及び通信分野に
大きな貢献をもたらすことができる。
The ASE light source according to the present invention comprises an optical coupler,
It can be used to measure loss wavelength characteristics, polarization mode dispersion and polarization dependent loss of optical components such as optical isolators and optical fiber gratings, and can also be used as a noise source in system experiments. That is, the ASE light source according to the present invention can be used for measurement of various optical components and experiments of an optical wavelength division multiplexing communication system, and can greatly contribute to the optoelectronics and communication fields.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上の説明から容易に理解できるよう
に、本発明によれば、従来よりも少ない部品点数で、且
つ、簡単な構造でより広い波長範囲のASE光を得るこ
とができる。
As can be easily understood from the above description, according to the present invention, ASE light in a wider wavelength range can be obtained with a smaller number of parts and a simple structure than before.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1実施例の概略構成ブロック図で
ある。
FIG. 1 is a schematic block diagram of a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の変更実施例の概略構成ブロック図で
ある。
FIG. 2 is a schematic block diagram of a modified embodiment of the present invention.

【図3】 従来例の概略構成ブロック図である。FIG. 3 is a schematic configuration block diagram of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:Er添加石英ファイバ 12,14:WDMカップラ 16:0.98μm帯半導体レーザ 18:1.48μm帯半導体レーザ 20:光アイソレータ 30:Er添加光ファイバ 32:反射ミラー 34:光アイソレータ 36:励起用半導体レーザ 38:WDMカップラ 40:光強度等化器 10: Er-doped quartz fiber 12, 14: WDM coupler 16: 0.98 μm band semiconductor laser 18: 1.48 μm band semiconductor laser 20: Optical isolator 30: Er-doped optical fiber 32: Reflection mirror 34: Optical isolator 36: For excitation Semiconductor laser 38: WDM coupler 40: Light intensity equalizer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中井 哲哉 埼玉県上福岡市大原二丁目1番15号株式会 社ケイディディ研究所内 (72)発明者 谷 俊男 埼玉県上福岡市大原二丁目1番15号株式会 社ケイディディ研究所内 Fターム(参考) 5F072 AB09 AK06 JJ01 JJ08 KK07 KK30 PP07 RR01 SS01 YY17 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tetsuya Nakai 2-1-1-15 Ohara, Kamifukuoka City, Saitama Prefecture Inside Kadeidi Laboratory Co., Ltd. (72) Toshio Tani 2-1-1 Ohara, Kamifukuoka City, Saitama Prefecture No. 5 F072 AB09 AK06 JJ01 JJ08 KK07 KK30 PP07 RR01 SS01 YY17

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 3準位レーザ元素発光材を具備する光伝
送媒体と、 当該発光材を励起して発光させる励起光を発生する励起
光源と、 当該光伝送媒体の一側から、当該励起光源の出力する励
起光を当該光伝送媒体に導入する光カップラと、 当該光伝送媒体の他側に配置され、当該光伝送媒体から
出力する光を当該光伝送媒体に戻す反射ミラーと、とを
具備することを特徴とするASE光源。
1. An optical transmission medium including a three-level laser element light emitting material, an excitation light source that generates excitation light that excites the light emitting material and emits light, and an excitation light source from one side of the optical transmission medium. An optical coupler that introduces the excitation light output from the optical transmission medium into the optical transmission medium; and a reflection mirror that is disposed on the other side of the optical transmission medium and returns the light output from the optical transmission medium to the optical transmission medium. An ASE light source characterized in that:
【請求項2】 更に、外部から当該光伝送媒体への光入
射を防止する光アイソレータを具備する請求項1に記載
のASE光源。
2. The ASE light source according to claim 1, further comprising an optical isolator for preventing light from entering the optical transmission medium from outside.
【請求項3】 更に、当該光伝送媒体の当該一側から当
該光伝送媒体の外部に出力される光の、波長に対する強
度分布を調整する光強度調整部材を具備する請求項1又
は2に記載のASE光源。
3. The optical transmission medium according to claim 1, further comprising a light intensity adjusting member that adjusts an intensity distribution with respect to a wavelength of light output from the one side of the optical transmission medium to the outside of the optical transmission medium. ASE light source.
【請求項4】 当該光強度調整部材が、当該光伝送媒体
と同じ組成からなる請求項3に記載のASE光源。
4. The ASE light source according to claim 3, wherein the light intensity adjusting member has the same composition as the optical transmission medium.
【請求項5】 当該光強度調整部材が、光学多層膜を利
用した利得等化フィルタからなる請求項3に記載のAS
E光源。
5. The AS according to claim 3, wherein the light intensity adjusting member comprises a gain equalizing filter using an optical multilayer film.
E light source.
【請求項6】 当該光伝送媒体が、当該発光材を添加さ
れた光ファイバからなる請求項1乃至5の何れか1項に
記載のASE光源。
6. The ASE light source according to claim 1, wherein the optical transmission medium comprises an optical fiber doped with the luminescent material.
【請求項7】 当該発光材が希土類元素からなる請求項
1乃至6の何れか1項に記載のASE光源。
7. The ASE light source according to claim 1, wherein said luminescent material is made of a rare earth element.
【請求項8】 当該光伝送媒体の長さ、当該発光材の添
加量及び励起光強度を、当該光伝送媒体の少なくとも一
部で、短波長側の光に対して減衰、長波長側の光に対し
て増幅となるように調節した請求項1に記載のASE光
源。
8. The optical transmission medium according to claim 1, wherein the length of the light transmission medium, the amount of the light emitting material added, and the intensity of the excitation light are attenuated with respect to the light of the short wavelength side and the light of the long wavelength side in at least part of the optical transmission medium. The ASE light source according to claim 1, wherein the ASE light source is adjusted to amplify the ASE.
【請求項9】 当該発光材がErであり、当該光伝送媒
体がシングルモードフッ化物ファイバである請求項8に
記載のASE光源。
9. The ASE light source according to claim 8, wherein the luminescent material is Er, and the optical transmission medium is a single mode fluoride fiber.
【請求項10】 当該発光材の濃度と当該光伝送媒体の
長さを、ErFの重量比をppmで表示したときに、 Er濃度(ppm)×ファイバ長(m)=18000〜
24000(ppm・m) とした請求項9に記載のASE光源。
The 10. The length of the concentration and the optical transmission medium of the light-emitting material, when viewing the weight ratio of ErF 3 in ppm, Er concentration (ppm) × fiber length (m) = 18000~
The ASE light source according to claim 9, wherein the ASE light source is 24000 (ppm · m).
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002329907A (en) * 2001-04-26 2002-11-15 Kyocera Corp Wide-band ase light source
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CN102946044A (en) * 2012-11-30 2013-02-27 清华大学 All fiber broadband superfluorescence light source

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