JP2001127135A - Vacuum treatment apparatus - Google Patents

Vacuum treatment apparatus

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JP2001127135A
JP2001127135A JP30595999A JP30595999A JP2001127135A JP 2001127135 A JP2001127135 A JP 2001127135A JP 30595999 A JP30595999 A JP 30595999A JP 30595999 A JP30595999 A JP 30595999A JP 2001127135 A JP2001127135 A JP 2001127135A
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JP
Japan
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substrate
vacuum
processing
supply valve
valve bodies
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JP30595999A
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Japanese (ja)
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Akihiko Ito
藤 昭 彦 伊
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Shibaura Mechatronics Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To sufficiently increase the treatment speed of a vacuum treatment apparatus so that replacement of treated substrates and untreated substrates does not become a rate-determining stage in the whole work. SOLUTION: There are provide a plurality of vacuum treatment chambers 2A, 2B,..., 2G positioned in the outer periphery of a vacuum conveyer chamber 3, a load-lock chamber 1 which is positioned in the outer periphery of the vacuum conveyer chamber 3 and has a vacuum-side opening 1a and atmosphere-side opening 1b and a substrate supply device 40 which conveys untreated substrates into the load-lock chamber 1 and conveys treated substrates out of the load-lock chamber 1. The substrate supply device 40 is provided with at least three supply valve bodies 41 which have a holding mechanism 42 for holding a substrate and can air-tightly close the atmosphere-side opening 1b, and a supply valve body drive device 43 for successively moving at least three supply valve bodies among a position P1 opposed to the atmosphere-side opening 1b, position P2 at which a treated substrate is removed and position P3 at which untreated substrate is received.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対して成膜
処理等の真空処理を実施するための複数の真空処理室を
備えた真空処理装置に関する。
The present invention relates to a vacuum processing apparatus having a plurality of vacuum processing chambers for performing a vacuum process such as a film forming process on a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程、液晶表示パネル製造工
程、或いは光ディスク製造工程等の各種の工程におい
て、シリコンウエハ等の基板の表面処理を行うために真
空処理装置が使用されている。この真空処理装置は、真
空空間内に配置された基板に対してスパッタリング、エ
ッチング、ベーキング、或いはアッシング等の処理を行
って、基板の表面に薄膜を形成したり、基板表面に形成
された薄膜に微細加工を施したりするための装置であ
る。
2. Description of the Related Art In various processes such as a semiconductor manufacturing process, a liquid crystal display panel manufacturing process, and an optical disc manufacturing process, a vacuum processing apparatus is used to perform a surface treatment of a substrate such as a silicon wafer. This vacuum processing apparatus performs a process such as sputtering, etching, baking, or ashing on a substrate disposed in a vacuum space to form a thin film on the surface of the substrate or to form a thin film on the surface of the substrate. This is an apparatus for performing fine processing.

【0003】真空処理装置として、真空槽内に複数の処
理室を備え、これら複数の処理室に基板を順次シーケン
シャルに移送して基板の表面処理を行うものが提案され
ている。
[0003] As a vacuum processing apparatus, there has been proposed a vacuum processing apparatus having a plurality of processing chambers in a vacuum chamber and sequentially transferring the substrates to the plurality of processing chambers to perform surface treatment of the substrates.

【0004】図2は複数の処理室を備えた従来の真空処
理装置の一例を示しており、平面形状がほぼ八角形のハ
ウジング10の内側には、内部を真空排気可能な真空搬
送室3が形成されている。この真空搬送室3の一辺に
は、真空搬送室3の内部に基板を搬入し又は搬出するた
めのロードロック室1が配置形成され、残りの7辺には
7個の真空処理室2A、2B…2Gが等角度間隔で配置
形成されている。そして、これらの真空処理室2A、2
B…2Gの内部で、基板に対してスパッタリング、エッ
チング、ベーキング、或いはアッシング等の真空処理が
実施される。
FIG. 2 shows an example of a conventional vacuum processing apparatus having a plurality of processing chambers. Inside a housing 10 having a substantially octagonal planar shape, a vacuum transfer chamber 3 capable of evacuating the inside is provided. Is formed. On one side of the vacuum transfer chamber 3, a load lock chamber 1 for loading or unloading a substrate into or from the vacuum transfer chamber 3 is arranged and formed. On the remaining seven sides, seven vacuum processing chambers 2A and 2B are provided. ... 2G are formed at equal angular intervals. And, these vacuum processing chambers 2A, 2A
B. Inside the 2G, a vacuum process such as sputtering, etching, baking, or ashing is performed on the substrate.

【0005】真空処理室2A、2B…2Gの真空搬送室
3に面する側には、基板を出し入れするための同形同大
の開口部2aがそれぞれ形成されている。ロードロック
室1の真空搬送室3に面する側には、開口部2aと同形
同大の真空側開口部1aが形成されている。また、各真
空処理室2には、ターボ分子ポンプ(図示せず)が接続
されて内部を真空排気できると共に、所定の真空処理を
行うための加工装置14A、14B…14Gが設置され
ている。
On the side of the vacuum processing chambers 2A, 2B... 2G facing the vacuum transfer chamber 3, there are formed openings 2a of the same shape and the same size for inserting and removing substrates. On the side of the load lock chamber 1 facing the vacuum transfer chamber 3, a vacuum side opening 1a having the same shape and the same size as the opening 2a is formed. Each vacuum processing chamber 2 is connected to a turbo-molecular pump (not shown) so that the inside can be evacuated, and processing devices 14A, 14B... 14G for performing a predetermined vacuum processing are installed.

【0006】真空搬送室3の底部には、環状の回転テー
ブル15が回転可能に配置され、この回転テーブル15
の外周には大歯車18が形成されている。この大歯車1
8には駆動小歯車19が噛み合っている。
At the bottom of the vacuum transfer chamber 3, an annular rotary table 15 is rotatably arranged.
A gear 18 is formed on the outer periphery of the gear. This large gear 1
A driving small gear 19 meshes with 8.

【0007】回転テーブル15の上面には8台のバルブ
開閉機構25が回転テーブル15の円周方向に沿って配
設されており、これらのバルブ開閉機構25はロードロ
ック室1と7個の真空処理室2A、2B…2Gに対応す
るように配置されている。各バルブ開閉機構25には、
ロードロック室1及び真空処理室2A、2B…2Gのそ
れぞれの開口部1a、2aを閉鎖可能な処理用バルブ体
26が設けられている。
On the upper surface of the rotary table 15, eight valve opening / closing mechanisms 25 are provided along the circumferential direction of the rotary table 15, and these valve opening / closing mechanisms 25 are provided in the load lock chamber 1 and the seven vacuum chambers. It is arranged so as to correspond to the processing chambers 2A, 2B... 2G. Each valve opening / closing mechanism 25 includes:
A processing valve body 26 capable of closing the respective openings 1a, 2a of the load lock chamber 1 and the vacuum processing chambers 2A, 2B... 2G is provided.

【0008】各処理用バルブ体26は、ロードロック室
1及び真空処理室2A、2B…2Gの各開口部1a、2
aを閉鎖したときにロードロック室1及び真空処理室2
A、2B…2Gの内部に面する内面26aを有し、この
内面26aには、基板を保持するための保持機構である
4個のディスクホルダ28が回転(自転)可能に設けら
れている。
Each of the processing valve bodies 26 is provided with an opening 1a, 2a of the load lock chamber 1 and the vacuum processing chambers 2A, 2B.
a when the load lock chamber 1 and the vacuum processing chamber 2 are closed.
A, 2B... 2G have an inner surface 26a facing the inside thereof. Four disk holders 28, which are holding mechanisms for holding the substrate, are provided on the inner surface 26a in a rotatable (rotable) manner.

【0009】また、ロードロック室1の大気側には、基
板をロードロック室1内に搬入するための基板供給装置
29が設けられており、この基板供給装置29は一対の
供給用バルブ体30を有し、各供給用バルブ体30は、
4枚の基板を同時に保持するための4つのディスクホル
ダ31を備えている。また、供給用バルブ体30は、ロ
ードロック室1の大気側開口部1bに対向する位置P1
0にある時に、大気側開口部1bに対して進退動作する
ことにより、この大気側開口部1bを気密に閉鎖した
り、開放したりすることができる。
On the atmosphere side of the load lock chamber 1, a substrate supply device 29 for carrying a substrate into the load lock chamber 1 is provided. The substrate supply device 29 includes a pair of supply valve bodies 30. And each supply valve body 30 has
It has four disk holders 31 for holding four substrates at the same time. Further, the supply valve body 30 is located at a position P1 facing the atmosphere side opening 1b of the load lock chamber 1.
When it is at 0, the air-side opening 1b can be closed or opened in an airtight manner by moving forward and backward with respect to the air-side opening 1b.

【0010】そして、ロードロック室1の大気側開口部
1bに対向する位置P10と、処理済みの基板と未処理
の基板との交換を行う位置P11との間で、一対の供給
用バルブ体30を回転移動させることにより、ロードロ
ック室1の内部に4枚一組で未処理の基板を搬入すると
共に、処理済みの基板を搬出する。
A pair of supply valve bodies 30 is provided between a position P10 facing the atmosphere side opening 1b of the load lock chamber 1 and a position P11 for exchanging a processed substrate with an unprocessed substrate. Are rotated to move the unprocessed substrates into the load lock chamber 1 as a set of four substrates and unload the processed substrates.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】そして、上述した従来
の真空処理装置においては、供給用バルブ体30に保持
されている処理済みの基板を取り外して未処理の基板と
交換する際には、処理済みの基板を取り外した供給用バ
ルブ体30をそのままの位置P11として、引き続きこ
の供給用バルブ体30に未処理の基板を取り付けるよう
にしていた。
In the above-described conventional vacuum processing apparatus, when the processed substrate held in the supply valve body 30 is removed and replaced with an unprocessed substrate, the processing is performed. The supply valve body 30 from which the used substrate has been removed is set to the position P11 as it is, and an unprocessed substrate is continuously attached to the supply valve body 30.

【0012】つまり、従来の真空処理装置では、処理済
みの基板の取り出し位置と、未処理の基板の取り付け位
置とを同一位置P11として、同一の供給用バルブ体3
0に対して交換作業を行うようにしていた。
That is, in the conventional vacuum processing apparatus, the same supply valve body 3 is set by setting the position where the processed substrate is taken out and the position where the unprocessed substrate is attached to the same position P11.
0 was replaced.

【0013】したがって、処理済みの基板の取り外し作
業と未処理の基板の取り付け作業とを同時に実施するこ
とができない。このため、真空処理装置による処理速度
(タクト)をあげようとしたときに、基板の交換作業に
かかる時間が、作業全体の中での律速となってしまい、
処理速度を十分に高めることができなかった。
Therefore, the work of removing the processed substrate and the work of attaching the unprocessed substrate cannot be performed simultaneously. For this reason, when trying to increase the processing speed (tact) by the vacuum processing apparatus, the time required for the substrate replacement work becomes a rate-limiting factor in the entire work.
The processing speed could not be increased sufficiently.

【0014】本発明は、上述した事情を考慮してなされ
たものであって、処理済みの基板と未処理の基板との交
換作業が作業全体の中の律速段階とはならず、真空処理
装置の処理速度を十分に高めることができる真空処理装
置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and the work of exchanging a processed substrate and an unprocessed substrate is not a rate-determining step in the whole work. It is an object of the present invention to provide a vacuum processing apparatus capable of sufficiently increasing the processing speed of the vacuum processing.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、内部を真空排気可能な真空搬送室と、前
記真空搬送室の外周に配置され、前記真空搬送室に面し
た側にある真空側開口部及びこの真空側開口部に対向し
た位置にある大気側開口部を有するロードロック室と、
前記真空搬送室の外周に配置され、前記真空搬送室に面
した側に各開口部を有する複数の真空処理室と、前記真
空搬送室の内部に配置された回転テーブルと、前記回転
テーブルに取り付けられ、前記真空側開口部及び前記各
開口部を閉鎖可能な複数の処理用バルブ体と、前記各処
理用バルブ体に設けられ、基板を保持する各保持機構
と、複数の前記処理用バルブ体を進退駆動して前記各処
理用バルブ体による前記真空側開口部及び前記各開口部
の閉鎖状態及び開放状態を切り替える複数のバルブ開閉
機構と、前記ロードロック室に未処理の前記基板を搬入
すると共に処理済みの前記基板を前記ロードロック室か
ら搬出するための基板供給装置と、を備え、前記基板供
給装置は、前記基板を保持する保持機構を有し前記大気
側開口部を気密に閉鎖可能な少なくとも3体の供給用バ
ルブ体と、前記少なくとも3体の供給用バルブ体を、前
記大気側開口部に対向する位置、処理済みの前記基板を
取り外す位置、及び未処理の前記基板を取り付ける位置
の間で順次移動させるための供給用バルブ体駆動装置
と、を備えたことを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a vacuum transfer chamber capable of evacuating the inside, and a vacuum transfer chamber disposed on an outer periphery of the vacuum transfer chamber and facing the vacuum transfer chamber. A load lock chamber having a vacuum side opening and an atmosphere side opening at a position facing the vacuum side opening,
A plurality of vacuum processing chambers disposed on the outer periphery of the vacuum transfer chamber and having respective openings on the side facing the vacuum transfer chamber, a rotary table disposed inside the vacuum transfer chamber, and attached to the rotary table. A plurality of processing valve bodies capable of closing the vacuum-side opening and each of the openings; a plurality of holding mechanisms provided on the processing valve bodies for holding a substrate; and a plurality of the processing valve bodies. A plurality of valve opening / closing mechanisms for switching between the closed state and the open state of the vacuum side opening and each opening by each of the processing valve bodies by driving the processing valve bodies, and loading the unprocessed substrate into the load lock chamber. A substrate supply device for carrying out the processed substrate from the load lock chamber together with the substrate supply device, the substrate supply device having a holding mechanism for holding the substrate, and hermetically closing the atmosphere-side opening. At least three possible supply valve bodies, and a position facing the atmosphere side opening, a position for removing the processed substrate, and attaching the unprocessed substrate to the at least three supply valve bodies. And a supply valve body driving device for sequentially moving between the positions.

【0016】また、好ましくは、前記供給用バルブ体駆
動装置は、前記少なくとも3体の供給用バルブ体を同時
に回転駆動するものであり、前記少なくとも3体の供給
用バルブ体は、前記供給用バルブ体駆動装置による回転
駆動の回転軸心を中心とする同一円周に沿って等角度間
隔で配設されている。
Preferably, the supply valve body driving device simultaneously rotates and drives the at least three supply valve bodies, and the at least three supply valve bodies include the supply valve body. They are arranged at equal angular intervals along the same circumference around the rotation axis of the rotational drive by the body drive device.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
真空処理装置について図1を参照して説明する。なお、
図2に示した従来の真空処理装置と同一構成要素には同
一符号を付して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In addition,
The same components as those of the conventional vacuum processing apparatus shown in FIG.

【0018】図1に示したように本実施形態による真空
処理装置は、図2に示した従来の真空処理装置と同様
に、平面形状がほぼ八角形のハウジング10の内側に
は、内部を真空排気可能な真空搬送室3が形成されてい
る。この真空搬送室3の一辺には、真空搬送室3の内部
に基板を搬入し又は搬出するためのロードロック室1が
配置形成され、残りの7辺には7個の真空処理室2A、
2B…2Gが等角度間隔で配置形成されている。そし
て、これらの真空処理室2A、2B…2Gの内部で、基
板に対してスパッタリング、エッチング、ベーキング、
或いはアッシング等の真空処理が実施される。
As shown in FIG. 1, the vacuum processing apparatus according to the present embodiment, like the conventional vacuum processing apparatus shown in FIG. An evacuable vacuum transfer chamber 3 is formed. On one side of the vacuum transfer chamber 3, a load lock chamber 1 for loading or unloading a substrate into or from the vacuum transfer chamber 3 is arranged and formed. On the remaining seven sides, seven vacuum processing chambers 2A,
2B are formed at equal angular intervals. Then, inside these vacuum processing chambers 2A, 2B... 2G, sputtering, etching, baking,
Alternatively, vacuum processing such as ashing is performed.

【0019】真空処理室2A、2B…2Gの真空搬送室
3に面する側には、基板を出し入れするための同形同大
の開口部2aがそれぞれ形成されている。ロードロック
室1の真空搬送室3に面する側には、開口部2aと同形
同大の真空側開口部1aが形成されている。また、各真
空処理室2には、ターボ分子ポンプ(図示せず)が接続
されて内部を真空排気できると共に、所定の真空処理を
行うための加工装置14A、14B…14Gが設置され
ている。
On the side of the vacuum processing chambers 2A, 2B,... 2G facing the vacuum transfer chamber 3, there are formed openings 2a of the same shape and the same size for loading and unloading substrates. On the side of the load lock chamber 1 facing the vacuum transfer chamber 3, a vacuum side opening 1a having the same shape and the same size as the opening 2a is formed. Each vacuum processing chamber 2 is connected to a turbo-molecular pump (not shown) so that the inside can be evacuated, and processing devices 14A, 14B... 14G for performing a predetermined vacuum processing are installed.

【0020】真空搬送室3の底部には、環状の回転テー
ブル15が回転可能に配置され、この回転テーブル15
の外周には大歯車18が形成されている。この大歯車1
8には駆動小歯車19が噛み合っている。
An annular rotary table 15 is rotatably arranged at the bottom of the vacuum transfer chamber 3.
A gear 18 is formed on the outer periphery of the gear. This large gear 1
A driving small gear 19 meshes with 8.

【0021】回転テーブル15の上面には8台のバルブ
開閉機構25が回転テーブル15の円周方向に沿って配
設されており、これらのバルブ開閉機構25はロードロ
ック室1と7個の真空処理室2A、2B…2Gに対応す
るように配置されている。各バルブ開閉機構25には、
ロードロック室1及び真空処理室2A、2B…2Gのそ
れぞれの開口部1a、2aを閉鎖可能な処理用バルブ体
26が設けられている。
Eight valve opening / closing mechanisms 25 are arranged on the upper surface of the rotary table 15 along the circumferential direction of the rotary table 15. These valve opening / closing mechanisms 25 are connected to the load lock chamber 1 and the seven vacuum It is arranged so as to correspond to the processing chambers 2A, 2B... 2G. Each valve opening / closing mechanism 25 includes:
A processing valve body 26 capable of closing the respective openings 1a, 2a of the load lock chamber 1 and the vacuum processing chambers 2A, 2B... 2G is provided.

【0022】各処理用バルブ体26は、ロードロック室
1及び真空処理室2A、2B…2Gの各開口部1a、2
aを閉鎖したときにロードロック室1及び真空処理室2
A、2B…2Gの内部に面する内面26aを有し、この
内面26aには、基板を保持するための保持機構である
4個のディスクホルダ28が回転(自転)可能に設けら
れている。
Each processing valve body 26 has an opening 1a, 2B of the load lock chamber 1 and the vacuum processing chambers 2A, 2B.
a when the load lock chamber 1 and the vacuum processing chamber 2 are closed.
A, 2B... 2G have an inner surface 26a facing the inside thereof. Four disk holders 28, which are holding mechanisms for holding the substrate, are provided on the inner surface 26a in a rotatable (rotable) manner.

【0023】そして、本実施形態による真空処理装置に
おいては、ロードロック室1の大気側に、基板をロード
ロック室1内に搬入し、又は搬出するための基板供給装
置40が設けられている。この基板供給装置40は3体
の供給用バルブ体41を有し、各供給用バルブ体41
は、4枚の基板を同時に保持するための4つのディスク
ホルダ(保持機構)42を備えている。また、供給用バ
ルブ体41は、ロードロック室1の大気側開口部1bに
対向する位置P1にある時に、大気側開口部1bに対し
て進退動作することにより、この大気側開口部1bを気
密に閉鎖したり、開放したりすることができる。
In the vacuum processing apparatus according to the present embodiment, a substrate supply device 40 for loading or unloading a substrate into or from the load lock chamber 1 is provided on the atmosphere side of the load lock chamber 1. This substrate supply device 40 has three supply valve bodies 41, and each supply valve body 41
Has four disk holders (holding mechanisms) 42 for holding four substrates at the same time. Further, when the supply valve body 41 is at a position P1 facing the atmosphere side opening 1b of the load lock chamber 1, the supply valve body 41 moves forward and backward with respect to the atmosphere side opening 1b, thereby sealing the atmosphere side opening 1b. Can be closed or opened.

【0024】基板供給装置40は、さらに、3体の供給
用バルブ体41を、大気側開口部1bに対向する位置P
1、処理済みの基板を取り外す位置P2、及び未処理の
基板を取り付ける位置P3の間で順次移動させるための
供給用バルブ体駆動装置43を備えている。
The substrate supply device 40 further moves the three supply valve bodies 41 to a position P facing the atmosphere side opening 1b.
1. A supply valve driving device 43 for sequentially moving between a position P2 for removing a processed substrate and a position P3 for attaching an unprocessed substrate is provided.

【0025】また、3体の供給用バルブ体41は、供給
用バルブ体駆動装置43による回転駆動の回転軸心Oを
中心とする同一円周に沿って等角度間隔、つまり120
度間隔で配設されている。
Further, the three supply valve bodies 41 are equiangularly spaced along the same circumference around the rotation axis O of rotation by the supply valve body driving device 43, that is, 120.
It is arranged at intervals of degrees.

【0026】次に、本実施形態による真空処理装置の作
用について説明する。まず、ロードロック室1の大気側
開口部1bを気密に閉鎖している供給用バルブ体41に
よってロードロック室1内に4枚一組で基板を搬入し、
ロードロック室1の内部を真空排気した後、ロードロッ
ク室1の真空側開口部1aを閉鎖している処理用バルブ
体26の各ディスクホルダ28に各基板を受け渡す。
Next, the operation of the vacuum processing apparatus according to the present embodiment will be described. First, a set of four substrates is loaded into the load lock chamber 1 by the supply valve body 41 that hermetically closes the air opening 1b of the load lock chamber 1,
After the inside of the load lock chamber 1 is evacuated, each substrate is transferred to each disk holder 28 of the processing valve body 26 that closes the vacuum side opening 1a of the load lock chamber 1.

【0027】次に、処理用バルブ体26をバルブ開閉機
構25によって開方向に駆動する。すべての処理用バル
ブ体26を開放したら、駆動小歯車19を駆動して回転
テーブル15を所定量だけ回転させ、4枚の基板を保持
した処理用バルブ体26を例えば真空処理室2Aの位置
まで移送する。
Next, the processing valve body 26 is driven by the valve opening / closing mechanism 25 in the opening direction. When all the processing valve bodies 26 are opened, the drive small gear 19 is driven to rotate the rotary table 15 by a predetermined amount, and the processing valve bodies 26 holding the four substrates are moved to, for example, the position of the vacuum processing chamber 2A. Transfer.

【0028】次に、すべての処理用バルブ体26をバル
ブ開閉機構25によって閉方向に駆動し、開口部1a、
2aを処理用バルブ体26によって閉鎖する。すべての
処理用バルブ体26を閉鎖したら、加工装置14A、1
4B…14Gを作動させて基板に対して所定の処理を実
施する。
Next, all the processing valve bodies 26 are driven in the closing direction by the valve opening / closing mechanism 25, and the openings 1a,
2a is closed by the processing valve body 26. When all the processing valve bodies 26 are closed, the processing devices 14A, 1
4B... 14G are operated to perform predetermined processing on the substrate.

【0029】所定の処理が終了したら処理用バルブ体2
6を開放し、回転テーブル15を回転させて次の真空処
理室2Bに基板を移送して、上記と同様の手順によって
所定の処理を行い、以後、同様にして他の真空処理室2
C、2D…2Gにおいて順次所定の処理を実施する。
When the predetermined processing is completed, the processing valve 2
6, the rotary table 15 is rotated, the substrate is transferred to the next vacuum processing chamber 2B, and a predetermined process is performed in the same procedure as described above.
Predetermined processing is sequentially performed in C, 2D... 2G.

【0030】なお、基板は、必ずしも真空処理室2Aか
ら2Gまで順次搬送して処理を行う必要はなく、また、
必ずしも複数の真空処理室2A、2B…2Gの全てにお
いて処理を行う必要もない。要するに、所望の処理を実
施できるような処理シーケンスを選択して所定の処理を
実施すればよい。
It is not always necessary to transport the substrate sequentially from the vacuum processing chambers 2A to 2G for processing.
It is not always necessary to perform the processing in all of the plurality of vacuum processing chambers 2A, 2B... 2G. In short, it is only necessary to select a processing sequence that can execute a desired process and execute the predetermined process.

【0031】上述したように、複数の真空処理室2A、
2B…2G間での基板の移送は、基板を処理用バルブ体
26に保持させた状態で回転テーブル15を回転させる
ことによって行うことができるので、真空処理室2A、
2B…2G内、或いは真空搬送室3内において基板の受
け渡し動作を行う必要がない。したがって、基板の受け
渡しの失敗が無くなると共に、基板の移送に要する時間
が大幅に短縮される。
As described above, the plurality of vacuum processing chambers 2A,
The transfer of the substrate between 2B... 2G can be performed by rotating the rotary table 15 with the substrate held by the processing valve body 26, so that the vacuum processing chamber 2A,
2B... It is not necessary to perform the substrate transfer operation in 2G or in the vacuum transfer chamber 3. Therefore, the failure in transferring the substrate is eliminated, and the time required for transferring the substrate is greatly reduced.

【0032】上記の手順によって基板に一連の真空処理
を実施した後、回転テーブル15を駆動して、処理済の
基板を保持した処理用バルブ体26をロードロック室1
の前まで移動させる。次に、バルブ開閉機構25によっ
てすべての処理用バルブ体26を閉方向に駆動する。処
理済の基板をロードロック室1内に搬入したら、ロード
ロック室1の大気側開口部1bを気密に閉鎖している供
給用バルブ体41によって処理済みの基板を処理用バル
ブ体26から受け取る。
After a series of vacuum processes are performed on the substrate by the above procedure, the turntable 15 is driven to move the processing valve body 26 holding the processed substrate to the load lock chamber 1.
Move to before. Next, all the processing valve bodies 26 are driven in the closing direction by the valve opening / closing mechanism 25. When the processed substrate is loaded into the load lock chamber 1, the processed substrate is received from the processing valve body 26 by the supply valve body 41 that hermetically closes the air opening 1 b of the load lock chamber 1.

【0033】次に、ロードロック室1をベントして真空
状態を解除し、処理済みの基板を受け取った供給用バル
ブ体41を大気側開口部1bから後退させた後、供給用
バルブ体駆動装置43によって3体の供給用バルブ体4
1を同時に120度回転させる。すると、P1、P2、
P3の各位置にあった各供給用バルブ体41は、P2、
P3、P1の位置にそれぞれ移動する。
Next, the load lock chamber 1 is vented to release the vacuum, and the supply valve body 41 having received the processed substrate is retracted from the atmosphere side opening 1b. 43, three supply valve bodies 4
1 are simultaneously rotated 120 degrees. Then, P1, P2,
Each supply valve body 41 at each position of P3 is P2,
It moves to the position of P3 and P1, respectively.

【0034】次に、P2の位置に来た供給用バルブ体4
1から処理済みの基板を取り外す。そして、位置P2に
おける基板取り外し作業と並行して、位置P3にある供
給用バルブ体41に対して未処理の基板を取り付ける。
このように、基板の取り外し作業と取り付け作業とを別
々の位置P2、P3において同時に実施する。
Next, the supply valve body 4 at the position P2
1. Remove the processed substrate from 1. Then, in parallel with the substrate removal operation at the position P2, an unprocessed substrate is attached to the supply valve body 41 at the position P3.
In this manner, the substrate removal operation and the substrate installation operation are performed simultaneously at different positions P2 and P3.

【0035】以上述べたように本実施形態による真空処
理装置によれば、供給用バルブ体駆動装置43によっ
て、3体の供給用バルブ体41を、大気側開口部1bに
対向する位置P1、処理済みの基板を取り外す位置P
2、及び未処理の基板を取り付ける位置P3の間で順次
移動させることができるので、処理済みの基板の取り外
し作業と未処理の基板の取付作業とを別々の位置P2、
P3において同時に実施することができる。
As described above, according to the vacuum processing apparatus of the present embodiment, the three supply valve bodies 41 are moved by the supply valve body driving device 43 to the processing position P1 facing the atmosphere side opening 1b at the processing position P1. Position P to remove the already used board
2 and the unprocessed substrate can be sequentially moved between the positions P3 where the unprocessed substrates are to be mounted.
It can be performed simultaneously at P3.

【0036】このため、基板の交換作業の時間が大幅に
短縮され、基板交換作業が作業全体の中の律速段階とな
ることがなく、これにより、真空処理装置の処理速度を
十分に高めることが可能となる。
As a result, the time required for the substrate exchange operation is greatly reduced, and the substrate exchange operation does not become a rate-determining step in the entire operation. This makes it possible to sufficiently increase the processing speed of the vacuum processing apparatus. It becomes possible.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上述べたように本発明による真空処理
装置によれば、供給用バルブ体駆動装置によって、少な
くとも3体の供給用バルブ体を、大気側開口部に対向す
る位置、処理済みの基板を取り外す位置、及び未処理の
基板を取り付ける位置の間で順次移動させることができ
るので、処理済みの基板の取り外し作業と未処理の基板
の取付作業とを別々の位置において同時に実施すること
ができる。
As described above, according to the vacuum processing apparatus of the present invention, at least three supply valve bodies are moved by the supply valve body driving device to the position facing the atmosphere side opening, and Since the substrate can be sequentially moved between the position where the substrate is removed and the position where the unprocessed substrate is mounted, the work of removing the processed substrate and the work of mounting the unprocessed substrate can be performed simultaneously at different positions. it can.

【0038】このため、基板の交換作業の時間が大幅に
短縮され、基板交換作業が作業全体の中の律速段階とな
ることがなく、これにより、真空処理装置の処理速度を
十分に高めることが可能となる。
Therefore, the time required for the substrate exchange operation is greatly reduced, and the substrate exchange operation does not become a rate-determining step in the entire operation, whereby the processing speed of the vacuum processing apparatus can be sufficiently increased. It becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態による真空処理装置の概略
構成を示した平断面図。
FIG. 1 is a plan sectional view showing a schematic configuration of a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来の真空処理装置の概略構成を示した平断面
図。
FIG. 2 is a plan sectional view showing a schematic configuration of a conventional vacuum processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ロードロック室 1a ロードロック室の真空側開口部 1b ロードロック室の大気側開口部 2A、2B…2G 真空処理室 2a 真空処理室の開口部 3 真空搬送室 15 回転テーブル 26 処理用バルブ体 25 バルブ開閉機構 28、42 ディスクホルダ(保持機構) 40 基板供給装置 41 供給用バルブ体 43 供給用バルブ体駆動装置 P1 大気側開口部1bに対向する位置 P2 処理済みの基板を取り外す位置 P3 未処理の基板を取り付ける位置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Load lock chamber 1a Vacuum side opening of load lock chamber 1b Atmospheric side opening of load lock chamber 2A, 2B ... 2G Vacuum processing chamber 2a Opening of vacuum processing chamber 3 Vacuum transfer chamber 15 Rotary table 26 Processing valve body 25 Valve opening / closing mechanism 28, 42 Disk holder (holding mechanism) 40 Substrate supply device 41 Supply valve body 43 Supply valve body drive device P1 Position facing air side opening 1b P2 Position to remove processed substrate P3 Unprocessed Board mounting position

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/3065 H01L 21/205 5F103 // H01L 21/205 21/302 B Fターム(参考) 4K029 JA01 KA01 KA09 4K057 DA20 DM36 5F004 BC06 BD01 BD02 BD05 BD07 CA05 5F031 GA47 MA04 MA07 MA13 MA28 MA29 MA32 NA05 NA09 5F045 BB10 DP13 DQ17 EB08 EN05 5F103 BB36 BB38 RR02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/3065 H01L 21/205 5F103 // H01L 21/205 21/302 BF term (Reference) 4K029 JA01 KA01 KA09 4K057 DA20 DM36 5F004 BC06 BD01 BD02 BD05 BD07 CA05 5F031 GA47 MA04 MA07 MA13 MA28 MA29 MA32 NA05 NA09 5F045 BB10 DP13 DQ17 EB08 EN05 5F103 BB36 BB38 RR02

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】内部を真空排気可能な真空搬送室と、前記
真空搬送室の外周に配置され、前記真空搬送室に面した
側にある真空側開口部及びこの真空側開口部に対向した
位置にある大気側開口部を有するロードロック室と、前
記真空搬送室の外周に配置され、前記真空搬送室に面し
た側に各開口部を有する複数の真空処理室と、前記真空
搬送室の内部に配置された回転テーブルと、前記回転テ
ーブルに取り付けられ、前記真空側開口部及び前記各開
口部を閉鎖可能な複数の処理用バルブ体と、前記各処理
用バルブ体に設けられ、基板を保持する各保持機構と、
複数の前記処理用バルブ体を進退駆動して前記各処理用
バルブ体による前記真空側開口部及び前記各開口部の閉
鎖状態及び開放状態を切り替える複数のバルブ開閉機構
と、前記ロードロック室に未処理の前記基板を搬入する
と共に処理済みの前記基板を前記ロードロック室から搬
出するための基板供給装置と、を備え、前記基板供給装
置は、前記基板を保持する保持機構を有し前記大気側開
口部を気密に閉鎖可能な少なくとも3体の供給用バルブ
体と、前記少なくとも3体の供給用バルブ体を、前記大
気側開口部に対向する位置、処理済みの前記基板を取り
外す位置、及び未処理の前記基板を取り付ける位置の間
で順次移動させるための供給用バルブ体駆動装置と、を
備えたことを特徴とする真空処理装置。
1. A vacuum transfer chamber capable of evacuating the inside, a vacuum-side opening disposed on the outer periphery of the vacuum transfer chamber and facing the vacuum transfer chamber, and a position opposed to the vacuum-side opening. A load lock chamber having an opening on the atmosphere side, a plurality of vacuum processing chambers arranged on the outer periphery of the vacuum transfer chamber, each having an opening on a side facing the vacuum transfer chamber, and an inside of the vacuum transfer chamber. A plurality of processing valve bodies attached to the rotation table and capable of closing the vacuum-side opening and each of the openings; provided on each of the processing valve bodies to hold a substrate. Each holding mechanism,
A plurality of valve opening / closing mechanisms for moving the plurality of processing valve bodies forward and backward to switch between the closed state and the open state of the vacuum side opening and the respective opening parts by the respective processing valve bodies; A substrate supply device for carrying in the substrate for processing and carrying out the processed substrate from the load lock chamber, wherein the substrate supply device has a holding mechanism for holding the substrate, and has a holding mechanism for holding the substrate. At least three supply valve bodies capable of closing the opening in an airtight manner, and the at least three supply valve bodies are located at a position facing the atmosphere side opening, a position where the processed substrate is removed, and A supply valve body driving device for sequentially moving the substrate between the positions at which the substrate is mounted in the processing.
【請求項2】前記供給用バルブ体駆動装置は、前記少な
くとも3体の供給用バルブ体を同時に回転駆動するもの
であり、 前記少なくとも3体の供給用バルブ体は、前記供給用バ
ルブ体駆動装置による回転駆動の回転軸心を中心とする
同一円周に沿って等角度間隔で配設されていることを特
徴とする請求項1記載の真空処理装置。
2. The supply valve body driving device for simultaneously rotating and driving the at least three supply valve bodies, wherein the at least three supply valve bodies are the supply valve body drive devices. 2. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the vacuum processing apparatuses are arranged at equal angular intervals along the same circumference centered on the rotation axis of the rotation drive.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100409273C (en) * 2004-02-13 2008-08-06 爱德牌工程有限公司 Apparatus for manufacturing flat display
CN108179396A (en) * 2018-01-09 2018-06-19 温州职业技术学院 Annular cycle continuous vacuum coating device
CN108277471A (en) * 2018-01-09 2018-07-13 温州职业技术学院 Vertical circumferential cycle continous way vapor deposition apparatus
DE102009018700B4 (en) * 2008-09-01 2020-02-13 Singulus Technologies Ag Coating line and method for coating

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