JP2001126992A - Method of laminating semiconductor layer and laminating apparatus - Google Patents
Method of laminating semiconductor layer and laminating apparatusInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体層の積層方法
及び該積層装置に関し、より詳しくは、特にハイブリッ
ド型太陽電池の半導体層の積層方法及び積層装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for laminating semiconductor layers, and more particularly to a method and apparatus for laminating semiconductor layers of a hybrid solar cell.
【０００２】[0002]
【発明が解決しようとする課題】図５に示すように、太
陽電池パネル１は、透明絶縁基板２と、その透明絶縁基
板２の光入射面とは異なる面上に形成された透明電極層
３と、その透明電極層３の上に形成された光半導体層４
と、その光半導体層４の上に形成された裏面電極層５と
を備えて構成されている。そして、これら透明電極層
３、光半導体層４及び裏面電極層５が順次積層されると
ともに複数の領域に分離されて、光半導体素子６が構成
され、さらに、各光半導体素子６は互いに電気的に直列
又は並列に接続されている。この太陽電池パネル１の裏
面には、カバーフィルム７が充填剤８を介して配設され
ていて、光半導体層４などが保護されている。As shown in FIG. 5, a solar cell panel 1 comprises a transparent insulating substrate 2 and a transparent electrode layer 3 formed on a surface of the transparent insulating substrate 2 which is different from the light incident surface. And an optical semiconductor layer 4 formed on the transparent electrode layer 3
And a back electrode layer 5 formed on the optical semiconductor layer 4. Then, the transparent electrode layer 3, the optical semiconductor layer 4, and the back electrode layer 5 are sequentially laminated and divided into a plurality of regions to form an optical semiconductor element 6, and the optical semiconductor elements 6 are electrically connected to each other. Are connected in series or in parallel. A cover film 7 is provided on the back surface of the solar cell panel 1 with a filler 8 interposed therebetween to protect the optical semiconductor layer 4 and the like.
【０００３】この太陽電池パネル１を構成する光半導体
層４として、図６に示すように、アモルファスシリコン
半導体層９とポリシリコン半導体層１０を積層した構造
のいわゆるハイブリッド型が用いられている。このハイ
ブリッド型太陽電池は幅広い光の波長に対して高い吸収
率を有していることから、注目されている。As an optical semiconductor layer 4 constituting the solar cell panel 1, a so-called hybrid type having a structure in which an amorphous silicon semiconductor layer 9 and a polysilicon semiconductor layer 10 are stacked as shown in FIG. 6 is used. This hybrid solar cell has attracted attention because it has a high absorptance for a wide range of light wavelengths.
【０００４】ところで、アモルファスシリコン太陽電池
の半導体層の積層装置は、インライン型の積層装置が一
般的である。図７（ａ）に一例を示すように、インライ
ン型の積層装置は１１は、ローディング室１２、予熱室
１３、第１反応成膜室１４、第２反応成膜室１５、…第
９反応成膜室１７、第１０反応成膜室１８、及びアンロ
ーディング室１９を備え、各室は開閉可能な扉を備えて
構成されている。この積層装置１１を用いてｐｉｎ構造
のアモルファスシリコン太陽電池を製造する場合、第１
反応成膜室１４で基板上にｐ層を積層した後、第２反応
成膜室１５から第９反応成膜室１７の間で繰り返してｉ
層を積層し、更に第１０反応成膜室１８でｎ層を積層し
ている。ｉ層を繰り返して積層しているのは、ｉ層の膜
厚がｐ層及びｎ層と比較して厚いことと、ｉ層の１室に
おける成膜時間をｐ層及びｎ層の成膜時間に合わせるた
めである。このインライン型の積層装置をハイブリッド
型太陽電池の半導体層の積層装置に使用する場合、アモ
ルファスシリコン半導体層を積層した後、同様の工程で
ポリシリコン半導体層を積層していく必要がある。とこ
ろが、アモルファスシリコン半導体層を積層した後、そ
れを大気中に曝すと半導体層が劣化してしまうという課
題があった。In general, an in-line type laminating apparatus is used as a laminating apparatus for semiconductor layers of an amorphous silicon solar cell. As shown in FIG. 7A, the in-line type laminating apparatus 11 includes a loading chamber 12, a preheating chamber 13, a first reaction film formation chamber 14, a second reaction film formation chamber 15,. It comprises a film chamber 17, a tenth reaction film forming chamber 18, and an unloading chamber 19, each of which is provided with a door that can be opened and closed. When an amorphous silicon solar cell having a pin structure is manufactured using this laminating apparatus 11, the first
After laminating a p-layer on the substrate in the reaction film forming chamber 14, i is repeated between the second reaction film forming chamber 15 and the ninth reaction film forming chamber 17.
The layers are stacked, and an n-layer is further stacked in the tenth reaction film forming chamber 18. The reason why the i-layer is repeatedly laminated is that the thickness of the i-layer is thicker than that of the p-layer and the n-layer, and that the film formation time of the i-layer in one chamber is equal to the film formation time of the p-layer and the n-layer. In order to match. When this in-line type stacking device is used for a semiconductor layer stacking device of a hybrid solar cell, it is necessary to stack the amorphous silicon semiconductor layers and then stack the polysilicon semiconductor layers in the same process. However, when the amorphous silicon semiconductor layer is laminated and then exposed to the air, there is a problem that the semiconductor layer is deteriorated.
【０００５】このため、同図７（ｂ）に示すように、従
来の方法では全ての膜の反応成膜室１４乃至１８に続け
てさらに第１１反応成膜室２０、第１２反応成膜室２
１、…第２０反応成膜室２３を直列に接続していく必要
があり、非常に長い製造ラインとなってしまう。製造ラ
インが長くなると、設備を設ける敷地が限定されるだけ
でなく、装置コストが高くなると言う課題があった。し
かも、製造ラインが長いと、メンテナンスに時間がかか
り、また、急な故障に対して迅速な修理ができないなど
の課題もあった。For this reason, as shown in FIG. 7B, in the conventional method, the eleventh reaction film forming chamber 20, the twelfth reaction film forming chamber, 2
1, ... It is necessary to connect the twentieth reaction film forming chambers 23 in series, which results in a very long production line. When the production line becomes longer, not only the site where the equipment is installed is limited, but also the cost of the equipment increases. In addition, if the manufacturing line is long, there is a problem that it takes a long time for maintenance, and quick repair cannot be performed for a sudden failure.
【０００６】そこで、本発明者は特にハイブリッド型太
陽電池などの光電変換装置の製造において、アモルファ
スシリコン系半導体層を積層するのに使用した積層装置
を用いて、ポリシリコン系半導体層を積層することと
し、それに伴う種々の課題を解決するために鋭意検討を
重ねた結果、本発明をするに至ったのである。Accordingly, the present inventor has proposed to stack a polysilicon semiconductor layer using a stacking device used for stacking an amorphous silicon semiconductor layer, particularly in the manufacture of a photoelectric conversion device such as a hybrid solar cell. As a result of intensive studies to solve various problems associated therewith, the present invention has been made.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体層の
積層方法の要旨とするところは、基板上に所定構造のシ
リコン系半導体層を積層した後、そのシリコン系半導体
層の上に異種のシリコン系半導体層を積層する工程を含
む半導体層の積層方法において、成膜装置を用いて前記
シリコン系半導体層を積層する工程と、前記成膜装置の
積層条件を変更して前記異種のシリコン系半導体層を積
層する工程とを含むことにある。すなわち、本発明方法
は、同じ成膜装置を用いてシリコン系半導体層を積層し
た後、その上に異種のシリコン系半導体層を積層するこ
とにしたのである。The gist of the method for laminating a semiconductor layer according to the present invention is as follows. After a silicon-based semiconductor layer having a predetermined structure is laminated on a substrate, a different kind of semiconductor layer is formed on the silicon-based semiconductor layer. In a method of laminating a semiconductor layer including a step of laminating a silicon-based semiconductor layer, a step of laminating the silicon-based semiconductor layer using a film-forming apparatus, and a step of changing the laminating condition of the film-forming apparatus to the step of laminating the heterogeneous silicon-based And laminating a semiconductor layer. That is, according to the method of the present invention, after the silicon-based semiconductor layers are stacked using the same film forming apparatus, different types of silicon-based semiconductor layers are stacked thereon.
【０００８】本発明方法は、シリコン系半導体層とそれ
とは異種のシリコン系半導体層とを同じ成膜装置により
成膜条件を変更して積層することとしている。したがっ
て、成膜装置の搬入側から入れた基板上にシリコン系半
導体層を順次積層した後、その基板を成膜装置の搬出側
から取り出し、再度その成膜装置の搬入側に入れられ
る。そして、成膜条件を変更して先とは異種のシリコン
系半導体層を基板に順次積層した後、その基板を成膜装
置の搬出側から取り出す。In the method of the present invention, a silicon-based semiconductor layer and a silicon-based semiconductor layer different from the silicon-based semiconductor layer are stacked by changing the film forming conditions using the same film forming apparatus. Therefore, after the silicon-based semiconductor layers are sequentially stacked on the substrate inserted from the loading side of the film forming apparatus, the substrate is taken out from the unloading side of the film forming apparatus, and is again put into the loading side of the film forming apparatus. Then, after changing the film forming conditions, a silicon-based semiconductor layer different from the previous one is sequentially laminated on the substrate, and the substrate is taken out from the unloading side of the film forming apparatus.
【０００９】この成膜作業において、基板にシリコン系
半導体層を成膜して成膜装置から取り出した後、再度、
成膜装置に投入されるまでの間、基板に成膜されたシリ
コン系半導体層が大気に曝される場合は、本発明者らの
知見によると、この大気に曝される時間が短いほど、シ
リコン系半導体層が劣化させられることは少なく、劣化
の影響はなくなる。また、表層がｎ型のアモルファスシ
リコン系半導体層である場合、そのｎ層を再度薄い膜厚
で成膜したり、あるいはそのｎ層を微結晶で形成するこ
とにより、長時間大気に曝すことが可能となる。なお、
大気に曝す時間は１０分以内であると、ほとんど劣化す
ることはない。さらに、シリコン系半導体層が成膜され
た基板を成膜装置に再投入するまでの間、その基板を真
空下あるいは減圧下に置き、又は不活性ガスの雰囲気下
に置くことにより、長時間、シリコン系半導体層を劣化
させずに保管・搬送することができる。In this film forming operation, after a silicon-based semiconductor layer is formed on the substrate and taken out from the film forming apparatus,
In the case where the silicon-based semiconductor layer formed on the substrate is exposed to the atmosphere before being introduced into the film forming apparatus, according to the knowledge of the present inventors, the shorter the time of exposure to the atmosphere, the shorter the time. The silicon-based semiconductor layer is rarely deteriorated, and the influence of the deterioration is eliminated. Further, when the surface layer is an n-type amorphous silicon-based semiconductor layer, it is possible to expose the air to the air for a long time by forming the n-layer again with a thin film thickness or forming the n-layer with microcrystals. It becomes possible. In addition,
If the time of exposure to the air is within 10 minutes, there is almost no deterioration. Further, until the substrate on which the silicon-based semiconductor layer is formed is re-input to the film forming apparatus, the substrate is placed under vacuum or reduced pressure, or by placing it in an atmosphere of an inert gas for a long time. The silicon-based semiconductor layer can be stored and transported without deterioration.
【００１０】次に、本発明に係る半導体層の積層装置の
要旨とするところは、所定構造のシリコン系半導体層と
異種のシリコン系半導体層とを積層した半導体層を含む
半導体層の積層装置において、前記半導体層を積層する
成膜装置の搬出側と搬入側とを反応成膜室とは別に減
圧、真空又は不活性ガスで充満させられている気密な通
路で接続したことにある。また、本発明に係る半導体層
の積層装置の他の要旨とするところは、所定構造のシリ
コン系半導体層と異種のシリコン系半導体層とを積層し
た半導体層を含む半導体層の積層装置において、前記シ
リコン系半導体層を積層して得られた基板を成膜装置の
搬出側から収納し、且つ該成膜装置の搬出側と搬入側と
を往復させられるとともに、該基板を装置の搬入側に入
れる減圧、真空又は不活性ガスで充満させられている気
密な搬送車を含むことにある。いずれの発明装置におい
ても、上述の発明方法を実施することができる。The gist of the semiconductor layer laminating apparatus according to the present invention lies in a semiconductor layer laminating apparatus including a semiconductor layer in which a silicon-based semiconductor layer having a predetermined structure and a heterogeneous silicon-based semiconductor layer are laminated. Another feature is that the carry-out side and the carry-in side of the film forming apparatus for laminating the semiconductor layers are connected separately from the reaction film forming chamber by an airtight passage filled with a reduced pressure, a vacuum or an inert gas. According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor layer stacking apparatus including a semiconductor layer in which a silicon-based semiconductor layer having a predetermined structure and a different type of silicon-based semiconductor layer are stacked. The substrate obtained by stacking the silicon-based semiconductor layers is housed from the unloading side of the film forming apparatus, and is reciprocated between the unloading side and the loading side of the film forming apparatus, and the substrate is loaded into the loading side of the apparatus. It is to include a hermetic transport vehicle that is filled with reduced pressure, vacuum or inert gas. Any of the inventive devices can carry out the above-described inventive method.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】次に、本発明に係る半導体層の積
層方法及び積層装置の実施の形態をハイブリッド型太陽
電池を例に図面に基づいて詳しく説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a method and apparatus for laminating semiconductor layers according to the present invention will now be described in detail with reference to the drawings, taking a hybrid solar cell as an example.
【００１２】図１に示すように、本実施形態にかかるハ
イブリッド型太陽電池における半導体層の積層装置３０
は、アモルファスシリコン半導体層又はポリシリコン半
導体層の従来の積層装置と同様の構造の成膜装置３２
に、搬送室３４が配設されて構成されている。半導体層
を積層する成膜装置３２は、ローディング室３６、予熱
室３８、第１反応成膜室４０、第２反応成膜室４２、…
第Ｘ−１反応成膜室４６、第Ｘ反応成膜室４８、及びア
ンローディング室５０を備えている。そして、各室は図
示しない開閉可能な扉を備え、台車に載置固定された基
板はローディング室３６の扉を開けてその中に入り、そ
の後は各室と室との間の扉を開けることにより、隣の室
に移動することができ、最後にアンローディング室５０
の扉を開けることにより外部に搬出されるように構成さ
れている。一方、ローディング室３６とアンローディン
グ室５０とは搬送室３４によりつながっていて、図示し
ない扉を開けることにより、アンローディング室５０か
ら搬送室３４を通ってローディング室３６へ行くことが
できるように構成されている。As shown in FIG. 1, an apparatus 30 for stacking semiconductor layers in a hybrid solar cell according to the present embodiment.
Is a film forming apparatus 32 having a structure similar to that of a conventional laminating apparatus of an amorphous silicon semiconductor layer or a polysilicon semiconductor layer.
, A transfer chamber 34 is provided. The film forming apparatus 32 for stacking semiconductor layers includes a loading chamber 36, a preheating chamber 38, a first reaction film formation chamber 40, a second reaction film formation chamber 42,.
An X-1 reaction film formation chamber 46, an Xth reaction film formation chamber 48, and an unloading chamber 50 are provided. Each chamber is provided with an openable and closable door (not shown), and the substrate mounted and fixed on the cart opens the door of the loading chamber 36 and enters the chamber, and then opens the door between the chambers. Can be moved to the next room, and finally the unloading room 50
When the door is opened, it is carried out to the outside. On the other hand, the loading chamber 36 and the unloading chamber 50 are connected to each other by the transfer chamber 34, and the door (not shown) is opened so that the user can go from the unloading chamber 50 to the loading chamber 36 through the transfer chamber 34. Have been.
【００１３】ここで、ローディング室３６は積層装置３
０の内部を外気と遮断するための室であり、台車に載置
された基板が搬入扉を開けてローディング室３６に搬入
されると、扉が閉められ、内部の空気が排気されて減圧
又は真空にされる。次いで、ローディング室３６と予熱
室３８との間の扉が開けられ、台車に載置された基板が
予熱室３８内に搬入される。そして、この予熱室３８で
基板は、必要に応じて予備加熱されて所定の温度にまで
昇温させられる。Here, the loading chamber 36 is provided in the laminating apparatus 3
0 is a chamber for shutting off the inside of the vehicle from outside air, and when the substrate placed on the trolley opens the loading door and is loaded into the loading chamber 36, the door is closed and the internal air is exhausted to reduce the pressure or reduce the pressure. Vacuum is applied. Next, the door between the loading chamber 36 and the preheating chamber 38 is opened, and the substrate placed on the cart is carried into the preheating chamber 38. Then, in the preheating chamber 38, the substrate is preheated as necessary and heated to a predetermined temperature.
【００１４】次に、予熱室３８に続いて複数（Ｘ個）の
反応成膜室４０〜４８が設けられている。反応成膜室４
０〜４８は本例においてはアモルファスシリコン半導体
層及びポリシリコン半導体層を積層するのに適したたと
えばプラズマＣＶＤ装置などを備えている。すなわち、
第１反応成膜室４０〜第Ｘ反応成膜室４８は、高周波電
力を印加し得るカソードを備え、たとえばＳｉＨ4 ，Ｐ
Ｈ3 , Ｂ2 Ｈ6 ，Ｈ2などの反応ガスが積層する半導体
層の目的に応じて導入されるように構成されている。ま
た、反応成膜室４０〜４８は、積層する半導体層がアモ
ルファスシリコン半導体層であるか、あるいはポリシリ
コン半導体層であるかによって、成膜条件を適宜変更し
得るように構成されている。Next to the preheating chamber 38, a plurality (X) of reaction film forming chambers 40 to 48 are provided. Reaction film formation chamber 4
In the present embodiment, 0 to 48 are provided with, for example, a plasma CVD apparatus suitable for laminating an amorphous silicon semiconductor layer and a polysilicon semiconductor layer. That is,
The first to X-th reaction film formation chambers 40 to 48 are provided with cathodes to which high-frequency power can be applied, for example, SiH 4 , P
It is configured such that a reaction gas such as H 3 , B 2 H 6 , H 2 is introduced according to the purpose of the semiconductor layer to be laminated. Further, the reaction film forming chambers 40 to 48 are configured so that film forming conditions can be appropriately changed depending on whether the semiconductor layer to be laminated is an amorphous silicon semiconductor layer or a polysilicon semiconductor layer.
【００１５】したがって、たとえば第１反応成膜室４０
では基板にｐ型アモルファスシリコン半導体膜を成膜す
るために、ＳｉＨ4 ガスとＢ2 Ｈ6 ガスとが導入される
とともに、内圧が１３．３〜１３３．３Ｐａに維持さ
れ、所定の高周波電力が印加される。所定時間、プラズ
マ放電させることにより、基板上に所定の厚さのｐ型ア
モルファスシリコン半導体層が積層される。Therefore, for example, the first reaction film forming chamber 40
In order to form a p-type amorphous silicon semiconductor film on a substrate, SiH 4 gas and B 2 H 6 gas are introduced, the internal pressure is maintained at 13.3 to 133.3 Pa, and a predetermined high-frequency power is supplied. Applied. By performing plasma discharge for a predetermined time, a p-type amorphous silicon semiconductor layer having a predetermined thickness is stacked on the substrate.
【００１６】次いで、ｐ型アモルファスシリコン半導体
層が積層された基板はその次の第２反応成膜室４２に供
給される。第２反応成膜室４２はｉ型アモルファスシリ
コン半導体膜を成膜するために、ＳｉＨ4 ガスとＨ2 ガ
スとが導入されるとともに内圧が１３．３〜１３３．３
Ｐａに維持され、所定の高周波電力が印加される。ｉ層
の膜厚はｐ層、ｎ層の膜厚と比べて充分厚く、第２反応
成膜室４２だけでｉ層を形成するには長時間を必要と
し、ｐ層、ｎ層を成膜する第１反応成膜室４０及び第Ｘ
反応成膜室４８がほとんど停止状態になってしまう。こ
のため、第２反応成膜室４２における成膜時間をｐ層、
ｎ層の成膜時間と一致させる一方、必要な膜厚を得るた
めに、第３反応成膜室から第Ｘ−１反応成膜室４６まで
でｉ層を繰り返して積層することとしている。ｉ層を成
膜する反応成膜室の個数は適宜設定されることになる。Next, the substrate on which the p-type amorphous silicon semiconductor layer is laminated is supplied to the next second reaction film forming chamber 42. In order to form an i-type amorphous silicon semiconductor film, the second reaction film forming chamber 42 is supplied with SiH 4 gas and H 2 gas and has an internal pressure of 13.3 to 133.3.
Pa is maintained, and a predetermined high-frequency power is applied. The thickness of the i-layer is sufficiently larger than the thickness of the p-layer and the n-layer, and it takes a long time to form the i-layer only in the second reaction film forming chamber 42, and the p-layer and the n-layer are formed. The first reaction film forming chamber 40 and the X
The reaction film forming chamber 48 is almost stopped. Therefore, the film formation time in the second reaction film formation chamber 42 is set to the p-layer,
The i-layer is repeatedly laminated from the third reaction film formation chamber to the X-1th reaction film formation chamber 46 in order to obtain the required film thickness while keeping the film formation time of the n-layer. The number of reaction film forming chambers for forming the i-layer is appropriately set.
【００１７】ｉ層を所定の膜厚に成膜した後、その基板
を第Ｘ反応成膜室４８に移動させ、ｉ層の上にｎ層を成
膜する。第Ｘ反応成膜室４８にはｎ型アモルファスシリ
コン半導体層を成膜するために、ＳｉＨ4 ガスとＰＨ3
ガスとが導入されるとともに内圧が１３．３〜１３３．
３Ｐａに維持され、所定の高周波電力が印加される。所
定時間、プラズマ放電させることにより、基板上に所定
の厚さのｎ型アモルファスシリコン半導体層が積層され
る。After the i-layer is formed to a predetermined thickness, the substrate is moved to the X-th reaction film forming chamber 48, and an n-layer is formed on the i-layer. In order to form an n-type amorphous silicon semiconductor layer, SiH 4 gas and PH 3
The gas is introduced and the internal pressure is from 13.3 to 133.
The pressure is maintained at 3 Pa, and a predetermined high-frequency power is applied. By performing plasma discharge for a predetermined time, an n-type amorphous silicon semiconductor layer having a predetermined thickness is stacked on the substrate.
【００１８】このようにしてｐｉｎ型のアモルファスシ
リコン半導体層が積層された基板はアンローディング室
５０に搬出された後、さらに搬送室３４に搬出される。
アンローディング室５０は半導体層が積層された基板を
反応成膜室４８から外部に搬出するとき、反応成膜室４
８が外気の影響を受けないように遮断するためのもので
ある。また、アンローディング室５０は、基板を外気に
曝す前に、必要により基板の温度を下げるためにも用い
られる。本実施形態に係るアンローディング室５０に
は、成膜装置３２の外部に基板を搬出するための扉のほ
かに、搬送室３４に基板を搬出するための扉も設けられ
ている。したがって、アンローディング室５０から搬送
室３４に基板を搬出するときは、アンローディング室５
０内が搬送室３４内とほぼ同じ条件にされる。すなわ
ち、搬送室３４内が真空であるときはアンローディング
室５０内は真空のまま、扉が開けられる。また、搬送室
３４内が不活性ガスで充満させられているときは、アン
ローディング室５０内は同じ不活性ガスで充満させられ
た後、扉が開けられる。The substrate on which the pin type amorphous silicon semiconductor layers are stacked is carried out to the unloading chamber 50 and then carried out to the transfer chamber 34.
The unloading chamber 50 is used when the substrate on which the semiconductor layers are stacked is carried out of the reaction film forming chamber 48 to the outside.
Numeral 8 is for shutting off so as not to be affected by the outside air. The unloading chamber 50 is also used to lower the temperature of the substrate, if necessary, before exposing the substrate to the outside air. In the unloading chamber 50 according to this embodiment, a door for unloading the substrate to the transfer chamber 34 is provided in addition to a door for unloading the substrate to the outside of the film forming apparatus 32. Therefore, when unloading the substrate from the unloading chamber 50 to the transfer chamber 34, the unloading chamber 5
The inside of 0 is almost the same as the inside of the transfer chamber 34. That is, when the inside of the transfer chamber 34 is vacuum, the door is opened while the inside of the unloading chamber 50 is kept vacuum. When the inside of the transfer chamber 34 is filled with the inert gas, the inside of the unloading chamber 50 is filled with the same inert gas, and then the door is opened.
【００１９】搬送室３４は気密で、成膜装置３２の長さ
とほぼ同じ長さの構造をしていて、一方の側壁が成膜装
置３２のローディング室３６に、他方の側壁がアンロー
ディング室５０に接続されていて、基板を載置した台車
がアンローディング室５０からローディング室３６へ搬
送し得るように構成されている。搬送室３４内は前述し
たように、真空又は減圧させられているか、不活性ガス
が充満させられていて、長時間留置していても、基板に
積層された半導体層が劣化させられないようにされてい
る。この搬送室３４内に、台車が複数留置できるのが好
ましく、たとえば１ロット分の製造量を留置できるのが
好ましい。The transfer chamber 34 is airtight and has a structure having a length substantially equal to the length of the film forming apparatus 32. One side wall is in the loading chamber 36 of the film forming apparatus 32, and the other side wall is in the unloading chamber 50. , And is configured such that a carriage on which the substrate is placed can be transferred from the unloading chamber 50 to the loading chamber 36. As described above, the inside of the transfer chamber 34 is evacuated or depressurized, or is filled with an inert gas so that the semiconductor layer stacked on the substrate is not deteriorated even when the semiconductor layer is left for a long time. Have been. It is preferable that a plurality of carts can be stored in the transfer chamber 34, and it is preferable that, for example, a production amount for one lot can be stored.
【００２０】基板にｐ層、ｉ層、ｎ層から成るアモルフ
ァスシリコン半導体層が積層された後、その基板は搬送
室３４からローディング室３６へ搬入される。一方、反
応成膜室４０〜４８の成膜条件をポリシリコン半導体層
をｐ層、ｉ層、ｎ層の順に成膜し得るように設定する。
そして、前述と同様にしてアモルファスシリコン半導体
層が積層された基板を予熱室３８、第１反応成膜室４
０、…の順に送って、ｐ型ポリシリコン半導体層、ｉ型
ポリシリコン半導体層、ｎ型ポリシリコン半導体層を順
に積層する。次いで、得られたアモルファスシリコン半
導体層とポリシリコン半導体層とが積層された基板はア
ンローディング室５０から搬出され、次工程に送られ
る。After the amorphous silicon semiconductor layer including the p layer, the i layer, and the n layer is laminated on the substrate, the substrate is carried from the transfer chamber 34 to the loading chamber 36. On the other hand, the film forming conditions of the reaction film forming chambers 40 to 48 are set so that the polysilicon semiconductor layer can be formed in the order of the p layer, the i layer, and the n layer.
Then, the substrate on which the amorphous silicon semiconductor layer is stacked is moved to the preheating chamber 38 and the first reaction film forming chamber 4 in the same manner as described above.
.., The p-type polysilicon semiconductor layer, the i-type polysilicon semiconductor layer, and the n-type polysilicon semiconductor layer are sequentially stacked. Next, the substrate on which the obtained amorphous silicon semiconductor layer and polysilicon semiconductor layer are stacked is carried out of the unloading chamber 50 and sent to the next step.
【００２１】以上説明したように、本実施形態に係る積
層装置３０は、基板にアモルファスシリコン半導体層を
積層した後、その基板を同じ積層装置３０に投入して、
成膜条件を変更して、その上にポリシリコン半導体層を
成膜することとしている。したがって、積層装置３０を
アモルファスシリコン半導体の積層用とポリシリコン半
導体の積層用の二種類を配置する必要がなく、設備コス
トが安くなるだけでなく、設置面積を最小限にすること
ができる。また、積層装置３０の故障やメンテナンスに
対しても、従来と同様に容易である。As described above, the laminating apparatus 30 according to the present embodiment, after laminating an amorphous silicon semiconductor layer on a substrate, puts the substrate into the same laminating apparatus 30,
The film formation conditions are changed, and a polysilicon semiconductor layer is formed thereon. Therefore, it is not necessary to arrange two types of the laminating device 30 for laminating the amorphous silicon semiconductor and for laminating the polysilicon semiconductor, so that the equipment cost can be reduced and the installation area can be minimized. Also, failure and maintenance of the stacking device 30 are easy as in the related art.
【００２２】次に、本発明に係る半導体層の積層装置
は、図２に示すように、搬送室５２と半導体を積層する
成膜装置３２との接続部は、成膜装置３２の予熱室３８
であってもよい。搬送室５２内が真空に保たれている場
合は、基板を搬送室５２から予熱室３８に搬入すると
き、ローディング室３６を通過する必要はない。また、
搬送室５２内に留置されている基板の温度が充分高く、
予熱を必要としない場合は、同図に点線で示すように、
搬送室５２と第１反応成膜室４０とを接続し、搬送室５
２から直接第１反応成膜室４０に基板を搬入するように
構成することも可能である。なお、搬送室５２に予熱装
置を設けることも可能である。Next, in the semiconductor layer stacking apparatus according to the present invention, as shown in FIG. 2, the connecting portion between the transfer chamber 52 and the film forming apparatus 32 for stacking semiconductors is connected to the preheating chamber 38 of the film forming apparatus 32.
It may be. When the inside of the transfer chamber 52 is maintained in a vacuum, when the substrate is carried into the preheating chamber 38 from the transfer chamber 52, it is not necessary to pass the substrate through the loading chamber 36. Also,
The temperature of the substrate placed in the transfer chamber 52 is sufficiently high,
If preheating is not required, as indicated by the dotted line in the figure,
The transfer chamber 52 is connected to the first reaction film forming chamber 40, and the transfer chamber 5 is connected.
It is also possible to adopt a configuration in which the substrate is directly carried into the first reaction film forming chamber 40 from the second reaction film forming chamber 40. Note that a preheating device can be provided in the transfer chamber 52.
【００２３】さらに、図３に示すように、搬送室５２の
反対側の一端と半導体を積層する成膜装置３２とは、成
膜装置３２の反応成膜室に直接接続するものであっても
よい。すなわち、ｎ型半導体層を成膜する第Ｘ反応成膜
室４８に搬送室５２を接続し、基板にｎ型半導体層を成
膜した後、直ちにその基板を搬送室５２に搬出するよう
にしてもよい。この実施形態においては、搬送室５２内
は真空にされているのが好ましい。Further, as shown in FIG. 3, the one end on the opposite side of the transfer chamber 52 and the film forming apparatus 32 for stacking semiconductors may be directly connected to the reaction film forming chamber of the film forming apparatus 32. Good. That is, the transfer chamber 52 is connected to the X-th reaction film forming chamber 48 for forming the n-type semiconductor layer, and after the n-type semiconductor layer is formed on the substrate, the substrate is immediately carried out to the transfer chamber 52. Is also good. In this embodiment, the inside of the transfer chamber 52 is preferably evacuated.
【００２４】また、半導体を積層する成膜装置３２にお
いて、ｉ型半導体層を積層する反応成膜室の個数が少な
くできる場合、たとえばｉ型半導体層を成膜していた第
Ｘ−１反応成膜室４６でｎ型半導体層を成膜するように
したとき、同図３に点線で示すように、搬送室５２を第
Ｘ−１反応成膜室４６に接続することも可能である。同
様に、搬送室５２を適宜の反応成膜室に接続し得るよう
にすることも可能である。このとき、搬送室５２と反応
成膜室とを接続する接続室５４を移動可能に設け、接続
室５４を所定の位置に移動させて、搬送室５２と反応成
膜室とを接続するのが好ましい。In the film forming apparatus 32 for laminating semiconductors, when the number of reaction film forming chambers for laminating i-type semiconductor layers can be reduced, for example, the X-1 reaction film forming film for forming i-type semiconductor layers can be used. When the n-type semiconductor layer is formed in the film chamber 46, the transfer chamber 52 can be connected to the (X-1) th reaction film forming chamber 46 as shown by a dotted line in FIG. Similarly, the transfer chamber 52 can be connected to an appropriate reaction film forming chamber. At this time, a connection chamber 54 for connecting the transfer chamber 52 and the reaction film formation chamber is provided so as to be movable, and the connection chamber 54 is moved to a predetermined position to connect the transfer chamber 52 and the reaction film formation chamber. preferable.
【００２５】次に、図４に示すように、積層装置５６
は、半導体を積層する成膜装置３２の搬入側と排出側と
を往復させられる搬送車５８を備えて構成することも可
能である。この搬送車は一台であってもよいが、複数台
備えているのが好ましい。搬送車５８は成膜装置３２の
排出側、すなわちアンローディング室５０あるいは反応
成膜室の扉が設けられた所定位置に停止させられ、且つ
気密に接続させられる。そして、扉を開けてこの搬送車
５８に基板を載置した台車を１又は複数搬入した後、搬
送車５８は成膜装置３２の搬入側、すなわちローディン
グ室３６、予熱室３８又は第１反応成膜室４０のいずれ
かの扉が設けられた所定位置に停止させられ、且つ気密
に接続させられる。その後、扉を開けて、搬送車５８か
ら基板を載置した台車が成膜装置３２内に順に送り込ま
れるように構成されている。Next, as shown in FIG.
It is also possible to provide a carrier 58 that can reciprocate between the loading side and the discharging side of the film forming apparatus 32 for stacking semiconductors. The number of the transport vehicles may be one, but it is preferable that a plurality of the transport vehicles are provided. The transport vehicle 58 is stopped at the discharge side of the film forming apparatus 32, that is, at a predetermined position where a door of the unloading chamber 50 or the reaction film forming chamber is provided, and is connected in an airtight manner. Then, after the door is opened and one or a plurality of carts on which the substrates are placed are carried into the carrier 58, the carrier 58 is loaded on the loading side of the film forming apparatus 32, that is, the loading chamber 36, the preheating chamber 38 or the first reaction chamber. The membrane chamber 40 is stopped at a predetermined position where any door is provided, and is airtightly connected. Thereafter, the door is opened, and the carriage on which the substrate is placed is transported from the carrier 58 to the film forming apparatus 32 in order.
【００２６】したがって、基板が載置された台車は前述
同様に、まずローディング室３６に搬入された後、その
ローディング室３６内が真空にされ、次いで、予熱室３
８に搬入される。予熱した後、第１反応成膜室４０に移
され、ｐ層アモルファスシリコン半導体層が成膜された
後、順にｉ層アモルファスシリコン半導体層、ｎ層アモ
ルファスシリコン半導体層が成膜され、その後、アモル
ファスシリコン半導体層が成膜された基板は台車により
アンローディング室５０に移される。このアンローディ
ング室５０の側壁部に設けられた扉から台車は搬送車５
８に移送され、搬送車５８はローディング室３６の側壁
部に設けられた扉まで運ばれる。次に、扉を開けて搬送
車５８からローディング室３６に台車が移される。予熱
室３８及び反応成膜室の成膜条件をポリシリコン半導体
層の成膜条件に設定して、順次、アモルファスシリコン
半導体層の上にポリシリコン半導体層を積層する。この
ようにして、アモルファスシリコン半導体層の上にポリ
シリコン半導体層を積層した基板はアンローディング室
５０から成膜装置３２の外部に搬出されて、次工程に送
られる。Therefore, the carriage on which the substrates are placed is first carried into the loading chamber 36, and then the inside of the loading chamber 36 is evacuated.
8. After preheating, the film is transferred to the first reaction film forming chamber 40, and after the p-layer amorphous silicon semiconductor layer is formed, the i-layer amorphous silicon semiconductor layer and the n-layer amorphous silicon semiconductor layer are sequentially formed. The substrate on which the silicon semiconductor layer has been formed is transferred to the unloading chamber 50 by a cart. From the door provided on the side wall of the unloading chamber 50, the truck is moved to the carrier 5
The transport vehicle 58 is transported to the door provided on the side wall of the loading chamber 36. Next, the door is opened and the carriage is moved from the carrier 58 to the loading chamber 36. The film forming conditions of the preheating chamber 38 and the reaction film forming chamber are set to the film forming conditions of the polysilicon semiconductor layer, and the polysilicon semiconductor layer is sequentially stacked on the amorphous silicon semiconductor layer. In this way, the substrate in which the polysilicon semiconductor layer is laminated on the amorphous silicon semiconductor layer is carried out of the unloading chamber 50 to the outside of the film forming device 32 and sent to the next step.
【００２７】以上の実施形態においては、半導体を成膜
する成膜装置３２の全長にわたって搬送室を設ける必要
はなく、成膜装置３２の側壁周辺の一部に障害物があっ
て、搬送室を設置することができない場合に有利であ
る。In the above-described embodiment, it is not necessary to provide a transfer chamber over the entire length of the film forming apparatus 32 for forming a semiconductor. This is advantageous when it cannot be installed.
【００２８】次に、本発明者らの知見によれば、従来の
積層装置によってアモルファスシリコン半導体層とポリ
シリコン半導体層を成膜することも可能である。すなわ
ち、基板にアモルファスシリコン半導体層をｐ層、ｉ
層、ｎ層の順に積層した後、積層装置から取り出し、大
気に曝した状態で積層装置のローディング室側へ搬送し
且つ留置する。その後、その積層装置の成膜条件をポリ
シリコン半導体層の成膜条件にして、成膜された基板上
のｎ型アモルファスシリコン半導体層の上に、ポリシリ
コン半導体層をｐ層、ｉ層、ｎ層の順に積層する。この
とき、ｎ型アモルファスシリコン半導体層が大気に曝さ
れる時間が短ければ、このｎ層はほとんど劣化させられ
ることはなく、光電変換効率が低下することはほとんど
ない。特に、ｎ型アモルファスシリコン半導体層が大気
に曝される時間が約２０分以内、望ましくは１０分以
内、更に望ましくは５分以内であると劣化がほとんどな
い。Next, according to the knowledge of the present inventors, it is possible to form an amorphous silicon semiconductor layer and a polysilicon semiconductor layer by a conventional laminating apparatus. That is, an amorphous silicon semiconductor layer is formed on a substrate as a p-layer,
After laminating the layers in this order, the layers are taken out of the laminating apparatus, transported to the loading chamber side of the laminating apparatus while being exposed to the atmosphere, and stored. Thereafter, the film forming conditions of the laminating apparatus are set to the film forming conditions of the polysilicon semiconductor layer, and the polysilicon semiconductor layer is formed into a p layer, an i layer, and an n layer on the n type amorphous silicon semiconductor layer on the formed substrate. The layers are laminated in the order of layers. At this time, if the time during which the n-type amorphous silicon semiconductor layer is exposed to the air is short, the n-layer is hardly deteriorated, and the photoelectric conversion efficiency hardly decreases. In particular, when the time during which the n-type amorphous silicon semiconductor layer is exposed to the atmosphere is within about 20 minutes, preferably within 10 minutes, and more preferably within 5 minutes, there is almost no deterioration.
【００２９】また、アモルファスシリコン半導体層をｐ
層、ｉ層、ｎ層の順に積層するとき、ｎ層の厚みを薄く
成膜しておく。そして、成膜された基板を大気中に取り
出して留置した後、その基板にポリシリコン半導体層を
成膜する。このとき、ポリシリコン半導体層の成膜に先
立って、ｎ型アモルファスシリコン半導体層の上に再度
ｎ型アモルファスシリコン半導体層を薄く成膜した後、
ポリシリコン半導体層をｐ層、ｉ層、ｎ層の順に積層す
るのである。このように、ｎ型アモルファスシリコン半
導体層を大気に曝した場合であっても、再度、ｎ型アモ
ルファスシリコン半導体層をその上に積層することによ
って、劣化を防止することができ、光電変換効率の低下
を防ぐことができる。The amorphous silicon semiconductor layer is formed by p
When laminating a layer, an i-layer, and an n-layer in this order, the n-layer is formed to have a small thickness. Then, the substrate on which the film has been formed is taken out into the atmosphere and left therein, and then a polysilicon semiconductor layer is formed on the substrate. At this time, prior to the formation of the polysilicon semiconductor layer, a thin n-type amorphous silicon semiconductor layer is again formed on the n-type amorphous silicon semiconductor layer.
That is, a polysilicon semiconductor layer is laminated in the order of a p-layer, an i-layer, and an n-layer. As described above, even when the n-type amorphous silicon semiconductor layer is exposed to the air, the deterioration can be prevented by stacking the n-type amorphous silicon semiconductor layer thereon again, and the photoelectric conversion efficiency can be reduced. Drop can be prevented.
【００３０】さらに、アモルファスシリコン半導体層を
ｐ層、ｉ層、ｎ層の順に積層するとき、ｎ型アモルファ
スシリコン半導体層の上に、更にｎ型の微結晶シリコン
半導体層を積層しておくことにより、大気中に曝したと
き、ｎ層の劣化を防止することができる。本例の場合、
アモルファスシリコン半導体層の積層後、長時間、大気
に曝した状態で留置することができる。したがって、所
定量についてアモルファスシリコン半導体層を積層する
作業をした後、同じ積層装置を使ってポリシリコン半導
体層の成膜作業をすることができる。このとき、仕掛品
であるアモルファスシリコン半導体層を積層した基板を
特殊な装置で保管する必要はない。Further, when the amorphous silicon semiconductor layer is laminated in the order of the p layer, the i layer and the n layer, an n-type microcrystalline silicon semiconductor layer is further laminated on the n-type amorphous silicon semiconductor layer. In addition, when exposed to the atmosphere, the deterioration of the n-layer can be prevented. In this case,
After laminating the amorphous silicon semiconductor layer, it can be left in a state of being exposed to the air for a long time. Therefore, after performing the operation of laminating the amorphous silicon semiconductor layer for a predetermined amount, the film forming operation of the polysilicon semiconductor layer can be performed using the same laminating apparatus. At this time, it is not necessary to store the substrate on which the amorphous silicon semiconductor layer, which is the work-in-progress, is laminated by a special device.
【００３１】さらにまた、アモルファスシリコン半導体
層をｐ層、ｉ層、ｎ層の順に積層するとき、最後のｎ型
アモルファスシリコン半導体層に代えて、ｎ型の微結晶
シリコン半導体層を積層するのも好ましい。本例におい
ても、前述と同様の効果が得られる。Further, when the amorphous silicon semiconductor layer is laminated in the order of the p layer, the i layer, and the n layer, an n-type microcrystalline silicon semiconductor layer may be laminated instead of the last n-type amorphous silicon semiconductor layer. preferable. Also in this example, the same effects as described above can be obtained.
【００３２】上述のアモルファスシリコン半導体層とし
て、最も好ましい実施形態であるｐｉｎ型を例にして説
明したが、ｎｉｐ型、ｎｉ型、ｐｎ型、ＭＩＳ型、ヘテ
ロ接合型、ホモ接合型、ショットキバリア型、あるいは
これらを組み合わせた型などであってもよい。また、ポ
リシリコン半導体層についても同様である。The above-described amorphous silicon semiconductor layer has been described by taking the pin type, which is the most preferred embodiment, as an example. However, the nip type, ni type, pn type, MIS type, heterojunction type, homojunction type, Schottky barrier type Or a combination of these. The same applies to the polysilicon semiconductor layer.
【００３３】さらに、本発明は、アモルファスシリコン
半導体層とポリシリコン半導体層との組み合わせが最も
好ましいが、水素化アモルファスシリコン半導体層、水
素化アモルファスシリコンカーバイド半導体層、アモル
ファスシリコンナイトライド半導体層などとの組み合わ
せでも適用可能である。Further, in the present invention, a combination of an amorphous silicon semiconductor layer and a polysilicon semiconductor layer is most preferable. However, a combination of a hydrogenated amorphous silicon semiconductor layer, a hydrogenated amorphous silicon carbide semiconductor layer, an amorphous silicon nitride semiconductor layer, etc. A combination is also applicable.
【００３４】以上の手法で得られた半導体層を含む光電
変換装置は、幅広い光の波長に対して効率的に光電変換
し得るものであり、特に太陽電池や光センサなどに使用
されるが、限定されるものではない。その他、本発明は
その趣旨を逸脱しない範囲内で、当業者の知識に基づき
種々なる改良、修正、変形を加えた態様で実施し得るも
のである。The photoelectric conversion device including the semiconductor layer obtained by the above method is capable of efficiently performing photoelectric conversion with respect to a wide range of light wavelengths, and is particularly used for a solar cell or a light sensor. It is not limited. In addition, the present invention can be carried out in various modified, modified, and modified embodiments based on the knowledge of those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention.
【００３５】[0035]
【発明の効果】本発明に係る半導体層の積層方法及び積
層装置は、同じ積層装置を使用して異なる半導体層を成
膜することにしているため、成膜装置のラインの長さを
抑え、装置コストやメンテナンス性を高めることができ
る。According to the method and apparatus for laminating semiconductor layers according to the present invention, different semiconductor layers are formed by using the same laminating apparatus. Equipment cost and maintainability can be increased.
【図１】本発明に係る半導体層の積層装置の１実施形態
を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing one embodiment of a semiconductor layer laminating apparatus according to the present invention.
【図２】本発明に係る半導体層の積層装置の他の実施形
態を示す要部模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a main part of another embodiment of a semiconductor layer laminating apparatus according to the present invention.
【図３】本発明に係る半導体層の積層装置の更に他の実
施形態を示す要部模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram of a main part showing still another embodiment of a semiconductor layer laminating apparatus according to the present invention.
【図４】本発明に係る半導体層の積層装置の更に他の実
施形態を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing still another embodiment of the semiconductor layer laminating apparatus according to the present invention.
【図５】本発明が適用される太陽電池モジュールの１実
施形態を示す要部模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram of a main part showing one embodiment of a solar cell module to which the present invention is applied.
【図６】本発明が適用される光電変換装置の構成の１実
施形態を示す要部模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram of a main part showing one embodiment of a configuration of a photoelectric conversion device to which the present invention is applied.
【図７】（ａ）は従来の半導体層の積層装置の１例を示
す模式図であり、（ｂ）は考えられる半導体層の積層装
置の１例を示す模式図である。FIG. 7A is a schematic diagram illustrating an example of a conventional semiconductor layer stacking device, and FIG. 7B is a schematic diagram illustrating an example of a possible semiconductor layer stacking device.
３０，５６：積層装置 ３２：成膜装置 ３４，５２：搬送室 ３６：ローディング室 ３８：予熱室 ４０：第１反応成膜室 ４２：第２反応成膜室 ４６：第Ｘ−１反応成膜室 ４８：第Ｘ反応成膜室 ５０：アンローディング室 ５４：接続室 ５８：搬送車 30, 56: laminating apparatus 32: film forming apparatus 34, 52: transfer chamber 36: loading chamber 38: preheating chamber 40: first reaction film forming chamber 42: second reaction film forming chamber 46: X-1 reaction film forming Chamber 48: Xth reaction film formation chamber 50: Unloading chamber 54: Connection chamber 58: Carrier
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA17 AA20 BA29 BA30 BB03 BB05 BB13 HA01 KA08 LA17 5F045 AA09 AB02 AB03 AB04 AC01 AC19 AE19 CA13 DA52 EB08 EN04 5F051 AA03 AA04 AA05 BA14 BA17 CA16 CA22 CA24 DA04 DA17 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4K030 AA06 AA17 AA20 BA29 BA30 BB03 BB05 BB13 HA01 KA08 LA17 5F045 AA09 AB02 AB03 AB04 AC01 AC19 AE19 CA13 DA52 EB08 EN04 5F051 AA03 AA04 AA05 BA14 BA17 CA24 DA17
Claims (5)
を積層した後、そのシリコン系半導体層の上に異種のシ
リコン系半導体層を積層する工程を含む半導体層の積層
方法において、 成膜装置を用いて前記シリコン系半導体層を積層する工
程と、 前記成膜装置の積層条件を変更して前記異種のシリコン
系半導体層を積層する工程とを含むことを特徴とする半
導体層の積層方法。1. A method of laminating a semiconductor layer comprising a step of laminating a silicon-based semiconductor layer having a predetermined structure on a substrate, and then laminating a different-type silicon-based semiconductor layer on the silicon-based semiconductor layer. A step of laminating the silicon-based semiconductor layers by using the method described above, and a step of laminating the different kinds of silicon-based semiconductor layers by changing lamination conditions of the film forming apparatus.
を経て得られた基板を、減圧・真空下又は不活性ガス下
で該成膜装置の入口側へ搬送する工程を含むことを特徴
とする請求項１に記載する半導体層の積層方法。2. The method according to claim 1, further comprising a step of transporting the substrate obtained through the step of laminating the silicon-based semiconductor layers to an inlet side of the film forming apparatus under reduced pressure, vacuum or an inert gas. A method for laminating semiconductor layers according to claim 1.
モルファスシリコン系半導体層であり、前記異種のシリ
コン系半導体層がｐｉｎ型のポリシリコン系半導体層で
あることを特徴とする請求項１に記載する半導体層の積
層方法。3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the silicon-based semiconductor layer is a pin-type amorphous silicon-based semiconductor layer, and the heterogeneous silicon-based semiconductor layer is a pin-type polysilicon-based semiconductor layer. Of laminating semiconductor layers.
シリコン系半導体層とを積層した半導体層を含む半導体
層の積層装置において、前記半導体層を積層する成膜装
置の搬出側と搬入側とを反応成膜室とは別に減圧、真空
又は不活性ガスで充満させられている気密な通路で接続
したことを特徴とする半導体層の積層装置。4. A semiconductor layer stacking apparatus including a semiconductor layer in which a silicon-based semiconductor layer having a predetermined structure and a heterogeneous silicon-based semiconductor layer are stacked, wherein a carry-out side and a carry-in side of a film forming apparatus for stacking the semiconductor layers are provided. Characterized by being connected to an airtight passage filled with reduced pressure, vacuum or inert gas separately from the reaction film forming chamber.
シリコン系半導体層とを積層した半導体層を含む半導体
層の積層装置において、前記シリコン系半導体層を積層
して得られた基板を成膜装置の搬出側から収納し、且つ
該成膜装置の搬出側と搬入側とを往復させられるととも
に、該基板を成膜装置の搬入側に入れる減圧、真空又は
不活性ガスで充満させられている気密な搬送車を含むこ
とを特徴とする半導体層の積層装置。5. In a semiconductor layer stacking apparatus including a semiconductor layer in which a silicon-based semiconductor layer having a predetermined structure and a different type of silicon-based semiconductor layer are stacked, a substrate obtained by stacking the silicon-based semiconductor layers is formed. It is housed from the carry-out side of the apparatus, and is reciprocated between the carry-out side and the carry-in side of the film forming apparatus, and is filled with a reduced pressure, a vacuum, or an inert gas to put the substrate into the carry-in side of the film forming apparatus. An apparatus for stacking semiconductor layers, including an airtight carrier.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30329799A JP2001126992A (en) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | Method of laminating semiconductor layer and laminating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=17919269
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| JP30329799A Withdrawn JP2001126992A (en) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | Method of laminating semiconductor layer and laminating apparatus |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001126992A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US11133430B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-09-28 | Kaneka Corporation | Photoelectric conversion element production method |
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1999
- 1999-10-26 JP JP30329799A patent/JP2001126992A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070109 |