JP2001111235A - Method of manufacturing flip-chip mounting high-density multilayer printed interconnection board - Google Patents

Method of manufacturing flip-chip mounting high-density multilayer printed interconnection board

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JP2001111235A
JP2001111235A JP29043499A JP29043499A JP2001111235A JP 2001111235 A JP2001111235 A JP 2001111235A JP 29043499 A JP29043499 A JP 29043499A JP 29043499 A JP29043499 A JP 29043499A JP 2001111235 A JP2001111235 A JP 2001111235A
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JP
Japan
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hole
copper foil
copper
holes
circuit
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JP29043499A
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Japanese (ja)
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Nobuyuki Ikeguchi
信之 池口
Kenichi Shimizu
賢一 清水
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Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the method of manufacturing a high-density multilayer printed interconnection board which has excellent heat radiation properties and hole connection reliability. SOLUTION: Pads, to which the bumps of a flip-chip, are formed on the surface layer of a multilayer printed interconnection board on which the flip-chip is mounted. The pads are connected to the circuits of respective layers with through-hole conductors with hole diameters of 25-300 μm. The inner layer circuits spread from the center parts into the surroundings of the printed interconnection board. The inner circuits are connected to solder ball pads, at least on the surface via the through-hole conductors. With this constitution, a method of manufacturing a high density multilayer printed interconnection board which has superior heat radiation properties and hole connection reliability and the high-density through-holes can be provided. Furthermore, by employing multifunctional ester cyanate resin composition as thermosetting resin, a high- density multilayer printed interconnection board which has superior heat-resistant properties, electrical insulating properties after a pressure cooker treatment, migration-resistant properties, etc., can be manufactured.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも3層の
銅箔層を有し、各層の接続を、少なくとも1孔以上レー
ザーで孔あけされた孔径25〜300μmのスルーホー
ル導体で接続する高密度多層プリント配線板の製造方法
に関する。得られたプリント配線板は、高密度の小型プ
リント配線板として、フリップチップを搭載し、小型、
軽量の新規な半導体プラスチックパッケージ用等に主に
使用される。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-density copper foil having at least three layers of copper foil, wherein each layer is connected by a through-hole conductor having a hole diameter of 25 to 300 .mu.m drilled by at least one hole with a laser. The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer printed wiring board. The obtained printed wiring board is mounted on a flip chip as a high-density small printed wiring board.
It is mainly used for new lightweight semiconductor plastic packages.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体プラスチックパッケージ等
に用いられる高密度のプリント配線板は、スルーホール
用の貫通孔をドリルであけていた。近年、ますますドリ
ルの径は小径となり、孔径が180μm以下となってきてお
り、このような小径の孔をあける場合、ドリル径が細い
ため、孔あけ時にドリルが曲がる、折れる、加工速度が
遅い等の欠点があり、生産性、信頼性等に問題のあるも
のであった。また、上下の銅箔にあらかじめネガフィル
ムを使用して所定の方法で同じ大きさの孔をあけてお
き、炭酸ガスレーザーで上下を貫通するスルーホールを
形成しようとすると、内層銅箔の位置ズレ、上下の孔の
位置のズレを生じ、接続不良、及び表裏のランドが形成
できない等の欠点があった。更には、内層として銅箔が
ある場合、表層の銅箔をエッチング除去して低エネルギ
ーで孔あけを行なっても、内層銅箔の孔あけができず
に、貫通孔が形成できなかった。メカニカルドリルでも
180μm以下の貫通孔を形成できるが、ドリルが曲がる、
孔あけ時のガラス繊維の割れによる銅メッキしみ込みな
どが見られ、孔壁間の信頼性は今一歩であった。また、
孔径180μm以下を有する高密度のプリント配線板は、フ
ォトビア方式等で形成可能であるが、本発明で得られる
ような、導通をすべて貫通孔で形成したプリント配線板
は作成できなかった。またメカニカルドリルで作成する
場合、孔壁間距離が100〜200μmの高密度になると、ド
リルによるガラス繊維のクラックが生じ、銅メッキの際
のメッキしみ込みが起こり、耐マイグレーション性等に
問題があった。
2. Description of the Related Art Hitherto, in high-density printed wiring boards used for semiconductor plastic packages and the like, through holes for through holes have been drilled. In recent years, the diameter of drills has become smaller and smaller, and the hole diameter has become 180 μm or less.When drilling such small holes, the drill diameter is small, so the drill bends, breaks, and the processing speed is slow when drilling. However, there are problems such as productivity and reliability. In addition, if holes of the same size are made in advance by using a negative film on the upper and lower copper foils by a predetermined method, and a through-hole that penetrates the upper and lower sides with a carbon dioxide gas laser is to be formed, the position of the inner layer copper foil will shift. In addition, there have been disadvantages such as displacement of the positions of the upper and lower holes, poor connection, and the inability to form front and rear lands. Further, when a copper foil was used as the inner layer, even if the surface layer copper foil was removed by etching to form a hole with low energy, the inner layer copper foil could not be formed and a through hole could not be formed. Even with a mechanical drill
180μm or less through hole can be formed, but drill bends,
Copper plating soaked due to breakage of glass fiber at the time of drilling was seen, and the reliability between the hole walls was just one step away. Also,
A high-density printed wiring board having a hole diameter of 180 μm or less can be formed by a photo via method or the like, but a printed wiring board obtained by the present invention, in which all conduction is formed by through holes, could not be produced. Also, when making with a mechanical drill, if the distance between the hole walls becomes 100-200 μm high density, the glass fiber cracks by the drill, plating infiltration at the time of copper plating occurs, and there is a problem in migration resistance etc. Was.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の問題
点を解決した、孔径300μm以下、特に180μm以下
の貫通孔で全層を接続したフリップチップ搭載用高密度
多層プリント配線板の製造方法に関する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to a method of manufacturing a high-density multilayer printed circuit board for flip chip mounting, in which all layers are connected by through holes having a hole diameter of 300 μm or less, particularly 180 μm or less. About.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明はフリップチップ
を搭載する多層プリント配線板において、フリップチッ
プのバンプを接続するパッドを表層に形成し、そのパッ
ドを孔径25〜300μmのスルーホール導体で各層の
回路と接続し、該内層の回路はプリント配線板の中央か
ら周囲に広がる回路となっており、該内層回路はスルー
ホール導体により、少なくとも裏面でハンダボールパッ
ドに接続している形態の高密度プリント配線板の製造方
法を提供する。本発明により提供される高密度プリント
配線板の製造方法は、次の工程からなる少なくとも3層
以上の銅箔層を有するフリップチップ搭載用ガラス布基
材高密度多層プリント配線板の製造方法である。 a. 両面銅張板(a)に孔径80μm以上180μm以
下の貫通孔は銅箔表面に孔あけ用補助材料を配置し、銅
箔を加工するに十分なエネルギーの炭酸ガスレーザーを
直接照射して孔あけ(B)を行い、その後必要に応じ銅箔
の一部をエッチング除去すると同時に孔周辺に発生した
銅箔バリをも溶解除去しする工程、 B. 必要に応じ、孔径25μm以上80μm未満の貫
通孔はエキシマレーザー、YAGレーザーで、及び/又は
孔径180μm超え300μm以下の貫通孔はメカニカ
ルドリルで孔あけを行い、ついで表面および孔内部を銅
メッキ(d1)する工程、 c. 両面銅張板の内層となる下面側銅箔に回路を形成し
た後、この回路面側にプリプレグ及び銅箔をこの順に配
置して積層成形し、 d. 上記a, B及びcの工程を必要回数繰り返して多層
板を得、該多層板の表裏を貫通する孔の導体(s)を各内
層の回路(t)と電気的に導通させておく工程、 e. 多層板の裏面のハンダボールパッド(l)及び表面の
フリップチップパッド(u)を設ける位置に貫通孔をあ
け、必要に応じ銅箔の一部をエッチング除去すると同時
に孔周辺の銅箔バリを溶解除去し、回路を形成してフリ
ップチップパッドとハンダボールパッドとを多層板の表
裏を貫通する孔に銅メッキして導体を介して電気的に導
通させる工程、 f. 少なくともフリップチップ搭載用パッド部(u)、
ハンダボールパッド部(l)以外に貴金属メッキを施す
工程。
According to the present invention, in a multilayer printed wiring board on which flip chips are mounted, pads for connecting flip chip bumps are formed on a surface layer, and the pads are formed by through-hole conductors having a hole diameter of 25 to 300 μm. The circuit of the inner layer is a circuit extending from the center of the printed wiring board to the periphery, and the inner layer circuit is connected to the solder ball pad at least on the back surface by a through hole conductor. Provided is a method for manufacturing a printed wiring board. The method for producing a high-density printed wiring board provided by the present invention is a method for producing a high-density multilayer printed wiring board for flip-chip mounting having at least three copper foil layers comprising the following steps. . a. For a through hole with a hole diameter of 80 μm or more and 180 μm or less on the double-sided copper-clad board (a), place an auxiliary material for drilling on the copper foil surface, and directly irradiate a carbon dioxide laser with sufficient energy to process the copper foil. Drilling (B), then, if necessary, etching and removing a part of the copper foil and, at the same time, dissolving and removing the copper foil burrs generated around the hole; B. If necessary, a hole diameter of 25 μm or more and less than 80 μm Through-holes are excimer laser, YAG laser, and / or through-holes with a diameter greater than 180 μm and less than 300 μm are drilled with a mechanical drill, and then the surface and the inside of the holes are plated with copper (d 1 ); c. After forming a circuit on the lower surface side copper foil which is the inner layer of the board, prepreg and copper foil are arranged in this order on the circuit surface side and laminated and formed. D. Repeat the above steps a, B and c as many times as necessary. Obtaining a multilayer board, said multilayer The conductor (s) of the hole passing through the front and back of the multilayer board is electrically connected to the circuit (t) of each inner layer, e. The solder ball pad (l) on the back surface of the multilayer board and the flip chip pad (u) on the front surface A hole is made at the position where the hole is to be formed. If necessary, a part of the copper foil is removed by etching, and at the same time, the copper burrs around the hole are dissolved and removed. A circuit is formed and a flip chip pad and a solder ball pad are laminated. A step of copper-plating a hole penetrating the front and back to electrically conduct through a conductor; f. At least a flip chip mounting pad (u);
A process of applying precious metal plating to parts other than the solder ball pad part (l).

【0005】孔径25μm以上180μm以下の貫通孔は、レ
ーザーで形成する。孔径25μm以上80μm未満は、エ
キシマレーザー、YAGレーザーが好ましい。80μm以上1
80μm以下の孔径の貫通孔は、銅箔表面に酸化金属処理
層又は薬液処理層を設けるか、或いは融点900℃以上
で、且つ結合エネルギーが300kJ/mol 以上の金属化合物
粉、カーボン粉、又は金属粉の1種或いは2種以上を3
〜97vol%を含む塗膜、或いはこれをシート状としたもの
を、好適には、総厚み30〜200μmの厚みで銅箔表面上に
配置し、炭酸ガスレーザーの出力が、好ましくは20〜60
mJ/パルスから選ばれるエネルギーの炭酸ガスレーザー
を直接照射してスルーホール用貫通孔を形成する。貫通
孔形成後、銅箔の表面は機械的研磨でバリをとることも
できるが、完全にバリを取るためには、好適には銅箔の
両表面を平面的にエッチングし、もとの金属箔を厚さ方
向に一部エッチング除去することにより、孔部に張り出
した銅箔バリもエッチング除去することが好ましい。こ
の方法によると、銅箔が薄くなるために、その後の金属
メッキでメッキアップして得られた表裏銅箔の細線の回
路形成において、ショートやパターン切れ等の不良の発
生もなく、高密度のプリント配線板を作成することがで
きる。この表裏銅箔のエッチングによる薄銅化の時に、
孔内部に露出した内層銅箔表面に付着する樹脂層を、好
適には少なくとも気相処理してから、エッチング除去す
る。孔内部は、銅メッキで50容積%以上好ましくは90
容積%以上充填して、積層成形による際の樹脂充填を容
易にする。また、最後の貫通孔の場合、表層の銅箔と孔
内部の銅箔の接続を行うことにより、接続の極めて優れ
た孔が得られるものである。加えて、加工速度はドリル
であける場合に比べて格段に速く、生産性も良好で、経
済性にも優れている。また、表裏、内層銅箔を接続する
フリップチップ周囲の貫通孔は孔径200μmの貫通孔を使
用するのが好ましい。この孔はメカニカルドリルであけ
るのが好適である。
A through hole having a hole diameter of 25 μm or more and 180 μm or less is formed by a laser. An excimer laser or a YAG laser is preferable for a pore diameter of 25 μm or more and less than 80 μm. 80 μm or more 1
A through hole with a pore size of 80 μm or less is provided with a metal oxide treatment layer or a chemical treatment layer on the copper foil surface, or a metal compound powder, carbon powder, or metal having a melting point of 900 ° C. or more and a binding energy of 300 kJ / mol or more. One or two or more types of powder
~ 97vol% of the coating film, or a sheet-like coating thereof, suitably placed on the copper foil surface with a total thickness of 30 ~ 200μm, the output of the carbon dioxide laser, preferably 20 ~ 60
A carbon dioxide laser of energy selected from mJ / pulse is directly irradiated to form a through hole for a through hole. After the through holes are formed, the surface of the copper foil can be deburred by mechanical polishing.However, in order to completely remove the deburr, preferably, both surfaces of the copper foil are etched flat and the original metal is removed. It is preferable to etch away the copper burrs protruding in the hole by partially etching away the foil in the thickness direction. According to this method, since the copper foil becomes thinner, in the circuit formation of the fine wire of the front and back copper foil obtained by plating up by the subsequent metal plating, there is no occurrence of defects such as short-circuits and pattern breaks, and high density A printed wiring board can be created. At the time of thinning copper by etching this front and back copper foil,
The resin layer adhering to the surface of the inner copper foil exposed inside the hole is preferably subjected to at least a gas phase treatment and then etched away. 50% by volume or more, preferably 90% by volume, of copper
Filling by volume% or more facilitates resin filling during lamination molding. In addition, in the case of the last through hole, a hole having extremely excellent connection can be obtained by connecting the copper foil in the surface layer and the copper foil inside the hole. In addition, the processing speed is much faster than when drilling, the productivity is good, and the economy is excellent. Further, it is preferable to use a through hole having a hole diameter of 200 μm as the through hole around the flip chip for connecting the inner and outer copper foils. This hole is preferably drilled with a mechanical drill.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】本発明は、少なくとも3層以上の
銅層を有するフリップチップ搭載用高密度プリント配線
板の製造方法に関する。フリップチップのバンプ接続用
パッドは、各内層と孔径25μm以上300μm以下のス
ルーホール導体で接続されており、各内層から周囲に広
がる回路は、最後に表裏貫通スルーホールで裏面のハン
ダボールパッド用回路に接続される形態となっている。
高密度にするためには、フリップチップ接続用パッドに
形成される貫通孔の径は小径の方が好ましく、一般には
25〜180μmである。孔径25μm以上80μm未満
の貫通孔は、好ましくはエキシマレーザー、YAGレーザ
ーで孔あけする。孔径80μm以上180μm以下の貫通孔
は、銅箔表面に酸化金属処理層又は薬液処理層を設ける
か、補助材料を配置し、好適には20〜60mJ/パルス から
選ばれた炭酸ガスレーザーエネルギーを用いて貫通孔を
形成する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention relates to a method for manufacturing a high-density printed wiring board for mounting a flip chip having at least three or more copper layers. The flip-chip bump connection pad is connected to each inner layer with a through-hole conductor with a hole diameter of 25 μm or more and 300 μm or less. The circuit extending from each inner layer to the periphery is finally a front-back through-hole through-hole circuit for the solder ball pad on the back. Connected.
In order to increase the density, the diameter of the through-hole formed in the flip-chip connection pad is preferably small, and generally 25 to 180 μm. The through-holes having a hole diameter of 25 μm or more and less than 80 μm are preferably formed by an excimer laser or a YAG laser. For through-holes with a hole diameter of 80 μm or more and 180 μm or less, a metal oxide treatment layer or a chemical treatment layer is provided on the copper foil surface, or an auxiliary material is arranged, and a carbon dioxide laser energy selected from 20 to 60 mJ / pulse is preferably used. To form a through hole.

【0007】本発明は、まず、両面銅張積層板を用い、
この表面に、フリップチップを搭載するパッドを形成す
る。このパッドはフリップチップ真下の貫通孔の上に形
成するか、貫通孔を避けて貫通孔と接続するようにして
パッドを形成する。貫通孔の上にパッドを形成するため
には、貫通孔内部を銅メッキで充填するか、通常のスル
ーホールメッキ後に孔内部を、金属フィラーを入れた穴
埋め樹脂で充填し、金属フィラー面を露出後にその上に
無電解メッキ、貴金属メッキを施してパッドを形成す
る。この貫通孔は銅メッキで内層の2層目の銅箔と接続
し、その接続した箇所からプリント配線板の周囲に広が
るように回路が形成された形態となっている。この2層
目の回路の銅箔を、必要により化学処理し、その回路の
外側にBステージシートを配置し、その外側に銅箔を置
き、加熱、加圧、好ましくは真空下に積層成形して多層
化する。この後、同じように貫通孔あけ、銅メッキ、下
側の回路を周囲に伸ばすようにして形成し、Bステージ
シート、銅箔を配置して積層成形することを繰り返して
多層板とする。この多層板作成において、スルーホール
メッキを行っており、上外層の銅箔厚みが12μm以上
になった場合、銅箔を薬液でエッチングして好適には1
2μm以下にする。12μm以下とすることにより、細
密回路が形成可能、炭酸ガスレーザーの孔あけが容易に
なる等の利点がある。
The present invention first uses a double-sided copper-clad laminate,
A pad for mounting a flip chip is formed on this surface. This pad is formed on the through hole immediately below the flip chip, or is formed so as to be connected to the through hole while avoiding the through hole. To form a pad on the through hole, fill the inside of the through hole with copper plating, or fill the inside of the hole with a filler resin with metal filler after normal through hole plating, exposing the metal filler surface Later, electroless plating and precious metal plating are performed thereon to form pads. The through hole is connected to the inner copper foil of the inner layer by copper plating, and a circuit is formed so as to spread from the connected portion to the periphery of the printed wiring board. The copper foil of the second layer circuit is chemically treated as necessary, a B-stage sheet is placed outside the circuit, the copper foil is placed outside the circuit, and laminated under heat, pressure, and preferably under vacuum. Multi-layer. Thereafter, similarly, through-holes are formed, copper plating is formed so as to extend the lower circuit to the periphery, and a B-stage sheet and copper foil are arranged and laminated to form a multilayer board. In the production of this multilayer board, through-hole plating is performed, and when the thickness of the copper foil of the upper and outer layers becomes 12 μm or more, the copper foil is etched with a chemical solution, preferably 1 μm.
Make it 2 μm or less. When the thickness is 12 μm or less, there are advantages that a fine circuit can be formed and that a carbon dioxide gas laser can be easily formed.

【0008】炭酸ガスレーザーによる孔あけにおいて、
レーザーを照射する面に、酸化金属処理層又は薬液処理
層を設けるか、融点900℃で、且つ結合エネルギー300kJ
/mol以上の酸化金属粉、カーボン、又は金属粉と水溶性
樹脂とを混合した塗料を、塗布して塗膜とするか、熱可
塑性フィルムの片面に、総厚み30〜200μm付着させて得
られる孔あけ用補助シートを配置し、好適には銅箔面に
接着させて、その上から炭酸ガスレーザーを直接銅箔表
面に照射し、銅箔を加工除去することによる、スルーホ
ール用貫通孔形成方法を使用するのが好ましい。
In drilling by a carbon dioxide laser,
Provide a metal oxide treatment layer or a chemical treatment layer on the surface to be irradiated with a laser, or have a melting point of 900 ° C and a binding energy of 300 kJ.
/ mol or more of metal oxide powder, carbon, or a mixture of a metal powder and a water-soluble resin, applied as a coating film, or obtained by attaching a total thickness of 30 to 200 μm to one surface of a thermoplastic film. Arrange an auxiliary sheet for drilling, preferably adhere to the copper foil surface, irradiate carbon dioxide laser directly on the copper foil surface from above, and process and remove the copper foil, forming through holes for through holes Preferably, a method is used.

【0009】本発明のレーザー孔あけ用補助シートは、
そのままでも使用可能である。しかし、孔あけ時に銅張
板の上に置いて、できるだけ密着させることが、孔の形
状を良好にするために好ましい。一般には、シートを銅
張板の上にテープ等で貼り付ける等の方法で固定、密着
して使用するが、より完全に密着するためには、得られ
たシートを、銅張板の表面に、樹脂付着した面を向け、
加熱、加圧下にラミネートするか、或いは樹脂表層面3
μm以下を水分で事前に湿らした後、室温にて加圧下に
ラミネートすることにより、銅箔表面との密着性が良好
となり、孔形状の良好なものが得られる。
[0009] The auxiliary sheet for laser drilling of the present invention comprises:
It can be used as it is. However, it is preferable to place it on a copper-clad plate and make the hole as close as possible when drilling holes in order to improve the shape of the holes. Generally, the sheet is fixed and adhered to the copper-clad board by a method such as pasting it with tape or the like, but in order to adhere more completely, the obtained sheet is attached to the surface of the copper-clad board. , Face the resin adhered,
Laminate under heat and pressure, or resin surface 3
By pre-wetting the μm or less with water and then laminating at room temperature under pressure, the adhesion to the copper foil surface becomes good, and a good hole shape can be obtained.

【0010】樹脂組成物として、水溶性でない、有機溶
剤に溶解可能な樹脂組成物も使用可能である。しかしな
がら、炭酸ガスレーザー照射で、孔周辺に樹脂が付着す
ることがあり、この樹脂の除去が、水ではなく有機溶剤
を必要とするため、加工上煩雑であり、又、後工程の汚
染等の問題点も生じるため、好ましくない。
As the resin composition, a resin composition that is not water-soluble and can be dissolved in an organic solvent can also be used. However, the carbon dioxide laser irradiation may cause the resin to adhere around the holes, and the removal of the resin requires an organic solvent instead of water, which is troublesome in processing, and also causes contamination in a post-process. It is not preferable because it causes problems.

【0011】本発明で使用する両面銅張板は、公知の有
機、無機基材補強の2層の銅箔層が両面に存在する両面
銅張板、またフィルム基材のもの等が使用可能である。
基材としては、一般に公知の、有機、無機の織布、不織
布が使用できる。具体的には、無機の繊維としては、
E、S、D、Mガラス等の繊維等が挙げらる。又、有機
繊維としては、全芳香族ポリアミド、液晶ポリエステ
ル、ポリベンザゾールの繊維等を用いた布が挙げられ
る。これらは、混抄でも良い。
The double-sided copper-clad board used in the present invention may be a double-sided copper-clad board having a known organic or inorganic substrate-reinforced two-layer copper foil layer on both sides, or a film-based board. is there.
As the substrate, generally known organic and inorganic woven fabrics and nonwoven fabrics can be used. Specifically, as inorganic fibers,
Fibers such as E, S, D, and M glass are exemplified. Examples of the organic fiber include a cloth using fibers of wholly aromatic polyamide, liquid crystal polyester, and polybenzazole. These may be mixed.

【0012】本発明で使用される両面銅張積層板、プリ
プレグに使用される熱硬化性樹脂組成物の樹脂として
は、一般に公知の熱硬化性樹脂が使用される。具体的に
は、エポキシ樹脂、多官能性シアン酸エステル樹脂、
多官能性マレイミドーシアン酸エステル樹脂、多官能性
マレイミド樹脂、不飽和基含有ポリフェニレンエーテル
樹脂等が挙げられ、1種或いは2種類以上が組み合わせて
使用される。出力の高い炭酸ガスレーザー照射による加
工でのスルーホール形状の点からは、ガラス転移温度が
150℃以上の熱硬化性樹脂組成物が好ましく、耐湿性、
耐マイグレーション性、吸湿後の電気的特性等の点から
多官能性シアン酸エステル樹脂組成物が好適である。
As the resin of the thermosetting resin composition used in the double-sided copper-clad laminate and prepreg used in the present invention, generally known thermosetting resins are used. Specifically, epoxy resin, polyfunctional cyanate ester resin,
Examples thereof include a polyfunctional maleimide-cyanate ester resin, a polyfunctional maleimide resin, and an unsaturated group-containing polyphenylene ether resin, and one or more of them are used in combination. In view of the shape of the through-hole in processing by high-output carbon dioxide laser irradiation, the glass transition temperature
A thermosetting resin composition of 150 ° C. or higher is preferable, moisture resistance,
A polyfunctional cyanate resin composition is preferred in terms of migration resistance, electrical properties after moisture absorption, and the like.

【0013】本発明の好適な熱硬化性樹脂分である多官
能性シアン酸エステル化合物とは、分子内に2個以上の
シアナト基を有する化合物である。具体的に例示する
と、1,3-又は1,4-ジシアナトベンゼン、1,3,5-トリシア
ナトベンゼン、1,3-、1,4-、1,6-、1,8-、2,6-又は2,7-
ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナトナフタレ
ン、4,4-ジシアナトビフェニル、ビス(4-ジシアナトフ
ェニル)メタン、2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパ
ン、2,2-ビス(3,5-ジブロモー4-シアナトフェニル)プロ
パン、ビス(4-シアナトフェニル)エーテル、ビス(4-シ
アナトフェニル)チオエーテル、ビス(4-シアナトフェニ
ル)スルホン、トリス(4-シアナトフェニル)ホスファイ
ト、トリス(4-シアナトフェニル)ホスフェート、及びノ
ボラックとハロゲン化シアンとの反応により得られるシ
アネート類などである。
The polyfunctional cyanate compound which is a preferred thermosetting resin component of the present invention is a compound having two or more cyanato groups in a molecule. Specific examples include 1,3- or 1,4-dicyanatobenzene, 1,3,5-tricyanatobenzene, 1,3-, 1,4-, 1,6-, 1,8-, 2 , 6- or 2,7-
Dicyanatonaphthalene, 1,3,6-tricyanatonaphthalene, 4,4-dicyanatobiphenyl, bis (4-dicyanatophenyl) methane, 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane, 2,2- Bis (3,5-dibromo-4-cyanatophenyl) propane, bis (4-cyanatophenyl) ether, bis (4-cyanatophenyl) thioether, bis (4-cyanatophenyl) sulfone, tris (4-cy (Anatophenyl) phosphite, tris (4-cyanatophenyl) phosphate, and cyanates obtained by reacting novolak with cyanogen halide.

【0014】これらのほかに特公昭41-1928、同43-1846
8、同44-4791、同45-11712、同46-41112、同47-26853及
び特開昭51-63149号公報等に記載の多官能性シアン酸エ
ステル化合物類も用いら得る。また、これら多官能性シ
アン酸エステル化合物のシアナト基の三量化によって形
成されるトリアジン環を有する分子量400〜6,000 のプ
レポリマーが使用される。このプレポリマーは、上記の
多官能性シアン酸エステルモノマーを、例えば鉱酸、ル
イス酸等の酸類;ナトリウムアルコラート等、第三級ア
ミン類等の塩基;炭酸ナトリウム等の塩類等を触媒とし
て重合させることにより得られる。このプレポリマー中
には一部未反応のモノマーも含まれており、モノマーと
プレポリマーとの混合物の形態をしており、このような
原料は本発明の用途に好適に使用される。一般には可溶
な有機溶剤に溶解させて使用する。
In addition to these, Japanese Patent Publication Nos. 41-1928 and 43-1846
8, polyfunctional cyanate compounds described in JP-A-44-4791, JP-A-45-11712, JP-A-46-41112, JP-A-47-26853 and JP-A-51-63149 can also be used. Further, a prepolymer having a molecular weight of 400 to 6,000 and having a triazine ring formed by trimerization of a cyanato group of these polyfunctional cyanate compounds is used. This prepolymer is obtained by polymerizing the above-mentioned polyfunctional cyanate ester monomer with a catalyst such as an acid such as a mineral acid or a Lewis acid; a base such as a tertiary amine such as sodium alcoholate; or a salt such as sodium carbonate. It can be obtained by: The prepolymer also contains some unreacted monomers and is in the form of a mixture of the monomer and the prepolymer, and such a raw material is suitably used for the purpose of the present invention. Generally, it is used after being dissolved in a soluble organic solvent.

【0015】エポキシ樹脂としては、一般に公知のもの
が使用できる。具体的には、液状或いは固形のビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂;ブタ
ジエン、ペンタジエン、ビニルシクロヘキセン、ジシク
ロペンチルエーテル等の二重結合をエポキシ化したポリ
エポキシ化合物類;ポリオール、水酸基含有シリコン樹
脂類とエポハロヒドリンとの反応によって得られるポリ
グリシジル化合物類等が挙げられる。これらは1種或い
は2種類以上が組み合わせて使用され得る。ポリイミド
樹脂としては、一般に公知のものが使用され得る。具体
的には、多官能性マレイミド類とポリアミン類との反応
物、特公昭57-005406 に記載の末端三重結合のポリイミ
ド類が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、単独でも
使用されるが、特性のバランスを考え、適宜組み合わせ
て使用するのが良い。
As the epoxy resin, a generally known epoxy resin can be used. Specifically, liquid or solid bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, alicyclic epoxy resin; butadiene, pentadiene, vinylcyclohexene, dicyclopentyl ether, etc. And polyglycidyl compounds obtained by reacting a polyol, a hydroxyl-containing silicone resin with an epohalohydrin, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. A generally known polyimide resin can be used. Specific examples include a reaction product of a polyfunctional maleimide and a polyamine, and a polyimide having a terminal triple bond described in JP-B-57-005406. These thermosetting resins may be used alone, but it is preferable to use them in an appropriate combination in consideration of the balance of properties.

【0016】本発明の熱硬化性樹脂組成物には、組成物
本来の特性が損なわれない範囲で、所望に応じて種々の
添加物を配合することができる。これらの添加物として
は、不飽和ポリエステル等の重合性二重結合含有モノマ
ー類及びそのプレポリマー類;ポリブタジエン、エポキ
シ化ブタジエン、マレイン化ブタジエン、ブタジエン-
アクリロニトリル共重合体、ポリクロロプレン、ブタジ
エン-スチレン共重合体、ポリイソプレン、ブチルゴ
ム、フッ素ゴム、天然ゴム等の低分子量液状〜高分子量
のelasticなゴム類;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リブテン、ポリ-4-メチルペンテン、ポリスチレン、AS
樹脂、ABS樹脂、MBS樹脂、スチレン-イソプレンゴ
ム、ポリエチレン-プロピレン共重合体、4-フッ化エチ
レン-6-フッ化エチレン共重合体類;ポリカーボネート、
ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエステ
ル、ポリフェニレンサルファイド等の高分子量プレポリ
マー若しくはオリゴマー;ポリウレタン等が例示され、
適宜使用される。また、その他、公知の無機、有機の充
填剤、染料、顔料、増粘剤、滑剤、消泡剤、分散剤、レ
ベリング剤、光増感剤、難燃剤、光沢剤、重合禁止剤、
チキソ性付与剤等の各種添加剤が、所望に応じて適宜組
み合わせて用いられる。必要により、反応基を有する化
合物は硬化剤、触媒が適宜配合される。特に、レーザー
加工のため、樹脂組成物に無機充填剤を添加し、さらに
黒色の染料或いは顔料を加えるのが好ましい。
Various additives can be added to the thermosetting resin composition of the present invention, if desired, as long as the inherent properties of the composition are not impaired. These additives include polymerizable double bond-containing monomers such as unsaturated polyesters and prepolymers thereof; polybutadiene, epoxidized butadiene, maleated butadiene, butadiene-
Low molecular weight liquid to high molecular weight elastic rubbers such as acrylonitrile copolymer, polychloroprene, butadiene-styrene copolymer, polyisoprene, butyl rubber, fluororubber, natural rubber; polyethylene, polypropylene, polybutene, poly-4-methyl Penten, polystyrene, AS
Resin, ABS resin, MBS resin, styrene-isoprene rubber, polyethylene-propylene copolymer, 4-fluoroethylene-6-fluoroethylene copolymers; polycarbonate,
Polyphenylene ether, polysulfone, polyester, high molecular weight prepolymer or oligomer such as polyphenylene sulfide; polyurethane and the like,
Used as appropriate. In addition, other known inorganic and organic fillers, dyes, pigments, thickeners, lubricants, defoamers, dispersants, leveling agents, photosensitizers, flame retardants, brighteners, polymerization inhibitors,
Various additives such as a thixotropy-imparting agent are appropriately used in combination as needed. If necessary, the compound having a reactive group is appropriately blended with a curing agent and a catalyst. In particular, for laser processing, it is preferable to add an inorganic filler to the resin composition and further add a black dye or pigment.

【0017】本発明の熱硬化性樹脂組成物は、それ自体
は加熱により硬化するが硬化速度が遅く、作業性、経済
性等に劣るため使用した熱硬化性樹脂に対して公知の熱
硬化触媒を用い得る。使用量は、熱硬化性樹脂100重量
部に対して0.005〜10重量部、好ましくは0.01〜5重量部
である。
The thermosetting resin composition of the present invention can be cured by heating itself, but has a low curing rate and is inferior in workability and economic efficiency. Can be used. The amount used is 0.005 to 10 parts by weight, preferably 0.01 to 5 parts by weight, per 100 parts by weight of the thermosetting resin.

【0018】本発明で使用する補助材料の中の、融点90
0℃以上で、且つ、結合エネルギー300kJ/mol 以上の金
属化合物としては、一般に公知のものが使用できる。具
体的には、酸化物としては、酸化チタン等のチタニア
類、酸化マグネシウム等のマグネシア類、酸化鉄等の鉄
酸化物、酸化ニッケル等のニッケル酸化物、二酸化マン
ガン、酸化亜鉛等の亜鉛酸化物、二酸化珪素、酸化アル
ミニウム、希土類酸化物、酸化コバルト等のコバルト酸
化物、酸化錫等のスズ酸化物、酸化タングステン等のタ
ングステン酸化物、等が挙げられる。非酸化物として
は、炭化珪素、炭化タングステン、窒化硼素、窒化珪
素、窒化チタン、窒化アルミニウム、硫酸バリウム、希
土類酸硫化物等、一般に公知のものが挙げられる。その
他、カーボンも使用できる。更に、その酸化金属粉の混
合物である各種ガラス類が挙げられる。又、カーボン粉
が挙げられ、更に銀、アルミニウム、ビスマス、コバル
ト、銅、鉄、マグネシウム、マンガン、モリブデン、ニ
ッケル、パラジウム、アンチモン、ケイ素、錫、チタ
ン、バナジウム、タングステン、亜鉛等の単体、或いは
それらの合金の金属粉が使用される。これらは一種或い
は二種以上が組み合わせて使用される。平均粒子径は、
特に限定しないが、1μm以下が好ましい。
The auxiliary material used in the present invention has a melting point of 90.
As the metal compound having a binding energy of 300 kJ / mol or more at 0 ° C. or more, generally known metal compounds can be used. Specifically, as the oxide, titania such as titanium oxide, magnesia such as magnesium oxide, iron oxide such as iron oxide, nickel oxide such as nickel oxide, manganese dioxide, zinc oxide such as zinc oxide , Silicon oxide, aluminum oxide, rare earth oxides, cobalt oxides such as cobalt oxide, tin oxides such as tin oxide, and tungsten oxides such as tungsten oxide. Examples of the non-oxide include generally known ones such as silicon carbide, tungsten carbide, boron nitride, silicon nitride, titanium nitride, aluminum nitride, barium sulfate, and rare earth oxysulfide. In addition, carbon can also be used. Further, various glasses which are a mixture of the metal oxide powders may be mentioned. In addition, carbon powders may be mentioned, and further, simple substances such as silver, aluminum, bismuth, cobalt, copper, iron, magnesium, manganese, molybdenum, nickel, palladium, antimony, silicon, tin, titanium, vanadium, tungsten, zinc and the like. An alloy metal powder is used. These may be used alone or in combination of two or more. The average particle size is
Although not particularly limited, 1 μm or less is preferable.

【0019】炭酸ガスレーザーの照射で分子が解離する
か、溶融して飛散するために、金属が孔壁等に付着し
て、半導体チップ、孔壁密着性等に悪影響を及ぼさない
ようなものが好ましい。Na,K,Clイオン等は、特
に半導体の信頼性に悪影響を及ぼすため、これらの成分
を含むものは好適でない。配合量は、3〜97容積%、好
適には5〜95容積%が使用され、好適には水溶性樹脂に
配合され、均一に分散される。
Since the molecules are dissociated or melted and scattered by the irradiation of the carbon dioxide laser, the metal does not adhere to the hole walls and the like, and does not adversely affect the semiconductor chip and the hole wall adhesion. preferable. Since Na, K, Cl ions and the like particularly adversely affect the reliability of the semiconductor, those containing these components are not suitable. The compounding amount is 3 to 97% by volume, preferably 5 to 95% by volume, and is preferably mixed with the water-soluble resin and uniformly dispersed.

【0020】補助材料の水溶性樹脂としては、特に制限
はしないが、混練して銅箔表面に塗布、乾燥した場合、
或いはシート状とした場合、剥離欠落しないものを選択
する。例えばポリビニルアルコール、ポリエステル、ポ
リエーテル、澱粉等、一般に公知のものが使用される。
The water-soluble resin of the auxiliary material is not particularly limited, but when kneaded, applied to the copper foil surface and dried,
Alternatively, in the case of a sheet shape, a material that does not lose peeling is selected. For example, generally known materials such as polyvinyl alcohol, polyester, polyether and starch are used.

【0021】金属化合物粉、カーボン粉、又は金属粉と
樹脂からなる組成物を作成する方法は、特に限定しない
が、ニーダー等で無溶剤にて高温で練り、熱可塑性フィ
ルム上にシート状に押し出して付着する方法、水に水溶
性樹脂を溶解させ、これに上記粉体を加え、均一に攪拌
混合して、これを用い、塗料として熱可塑性フィルム上
に塗布、乾燥して膜を形成する方法等、一般に公知の方
法が使用できる。厚みは、特に限定はしないが、一般に
は総厚み30〜200μmで使用する。それ以外に銅箔表面に
酸化金属処理層を設けてから同様に孔あけすることが可
能であるが、孔形状等の点からも上記補助材料を使用す
る方が好ましい。裏面は、貫通孔を形成した時に、炭酸
ガスレーザーのテーブルの損傷を避けるために裏面には
金属板の上に水溶性樹脂を付着させたバックアップシー
トを使用するのが好ましい。
The method for preparing a metal compound powder, a carbon powder, or a composition comprising a metal powder and a resin is not particularly limited, but it is kneaded at a high temperature without a solvent using a kneader or the like, and extruded into a sheet on a thermoplastic film. A method of dissolving a water-soluble resin in water, adding the powder to the mixture, stirring and mixing the mixture uniformly, and applying the mixture to a thermoplastic film as a paint, followed by drying to form a film. And other generally known methods. The thickness is not particularly limited, but is generally used in a total thickness of 30 to 200 μm. Alternatively, it is possible to form a hole similarly after providing a metal oxide treatment layer on the surface of the copper foil, but it is preferable to use the above-mentioned auxiliary material also from the viewpoint of the hole shape and the like. On the back side, it is preferable to use a backup sheet in which a water-soluble resin is adhered on a metal plate on the back side in order to avoid damage to the table of the carbon dioxide laser when the through-hole is formed.

【0022】銅箔面に加熱、加圧下にラミネートする場
合、補助材料、バックアップシートともに塗布樹脂層を
銅箔面に向け、ロールにて、温度は一般に40〜150℃、
好ましくは60〜120℃で、線圧は一般に0.5〜20kg、好
ましくは1〜10kgの圧力でラミネートし、樹脂層を溶
融させて銅箔面と密着させる。温度の選択は使用する水
溶性樹脂の融点で異なり、又、線圧、ラミネート速度に
よっても異なるが、一般には、水溶性樹脂の融点より5
〜20℃高い温度でラミネートする。又、室温で密着させ
る場合、塗布樹脂層表面3μm以下を、ラミネート前に水
分で湿らせて、水溶性樹脂を少し溶解させ、同様の圧力
でラミネートする。水分で湿らせる方法は特に限定しな
いが、例えばロールで水分を塗膜樹脂面に連続的に塗布
するようにし、その後、連続して銅張積層板の表面にラ
ミネートする方法、水分をスプレー式に連続して塗膜表
面に吹き付け、その後、連続して銅張積層板の表面にラ
ミネートする方法等が使用し得る。
When laminating on the copper foil surface under heating and pressure, both the auxiliary material and the backup sheet have the coating resin layer facing the copper foil surface, and the temperature is generally 40 to 150 ° C. with a roll.
Lamination is preferably performed at a temperature of 60 to 120 ° C. and a linear pressure of generally 0.5 to 20 kg, preferably 1 to 10 kg, and the resin layer is melted and brought into close contact with the copper foil surface. The choice of temperature depends on the melting point of the water-soluble resin used, and also depends on the linear pressure and the laminating speed.
Laminate at ~ 20 ° C higher temperature. In the case of close contact at room temperature, the surface of the coating resin layer of 3 μm or less is moistened with water before lamination to dissolve a small amount of the water-soluble resin, and is laminated under the same pressure. The method of moistening with water is not particularly limited, but, for example, a method in which water is continuously applied to the coating resin surface by a roll, and thereafter, a method of continuously laminating the surface of the copper-clad laminate, the water is sprayed. A method of continuously spraying the coating film surface and then continuously laminating the surface of the copper-clad laminate may be used.

【0023】基材補強銅張板は、まず上記補強基材に熱
硬化性樹脂組成物を含浸、乾燥させてBステージとし、
プリプレグを作成する。次に、このプリプレグを所定枚
数重ね、両面に銅箔を配置して、加熱、加圧下に積層成
形し、銅張板とする。銅箔の厚みは、両面銅張積層板に
おいては、3〜12μm、多層板の内層銅箔としては5〜
18μmである。両面処理箔も使用できる。
The substrate-reinforced copper clad board is first impregnated with a thermosetting resin composition and dried to form a B stage,
Create a prepreg. Next, a predetermined number of the prepregs are stacked, copper foils are arranged on both sides, and laminated under heat and pressure to form a copper clad board. The thickness of the copper foil is 3 to 12 μm for a double-sided copper-clad laminate, and 5 to
18 μm. Double-sided foils can also be used.

【0024】多層板は、好適にはガラス布基材補強した
両面銅張積層板に、レーザーで貫通孔あけし、必要によ
りデスミア処理を行い、銅メッキを施して、孔内部に銅
メッキを50容積%以上好ましくは90容積%以上充填さ
せ、この内層となる下(裏)面に回路を形成し、必要に
より銅箔表面処理後、その上に、Bステージのガラス基
材補強プリプレグを配置し、その外側に銅箔を置き、加
熱、加圧、好ましくは真空下に積層成形して銅張多層板
とする。これを繰り返して所定の層を有する多層板を作
成する。
The multilayer board is preferably made by drilling a through hole with a laser on a double-sided copper-clad laminate reinforced with a glass cloth base material, performing desmear treatment if necessary, applying copper plating, and applying copper plating inside the hole. At least 90% by volume, a circuit is formed on the lower (back) surface of the inner layer, and if necessary, after a copper foil surface treatment, a glass substrate reinforcing prepreg of the B stage is arranged thereon. Then, a copper foil is placed on the outside and laminated and formed under heat, pressure and preferably under vacuum to form a copper-clad multilayer board. This is repeated to form a multilayer board having a predetermined layer.

【0025】孔径80〜180μmの貫通孔を形成する場合、
両面銅張積層板の表面の銅箔上に酸化金属処理層を設け
るか、前記した補助材料を配置し、この上から、目的と
する径まで絞った、好ましくは20〜60mJ/パルスから選
ばれた高出力のエネルギーの炭酸ガスレーザー光を直接
照射することにより、銅箔を加工して孔あけを行う。炭
酸ガスレーザーを、出力20〜60mJ/パルス 照射して孔を
形成した場合、孔周辺はバリが発生する。これは、両面
銅張積層板では、特に問題でなく、そのまま銅メッキを
行なって孔内部の50容積%以上、好ましくは90容積%
以上を銅メッキし、同時に表層もメッキして銅箔厚みを
18μm以下、好ましくは12μm以下とする。この内層
となる下面の銅箔に回路を形成し、必要により銅箔表面
処理を施し、この上に、好ましくはガラス布基材プリプ
レグを配置し、その外側に銅箔を置き、積層成形して多
層板とする。本発明においては、上下層の導通は全て貫
通孔で行っているため、さらにその孔を順次銅メッキし
て多層化していくため表層の銅箔が厚くなる。炭酸ガス
レーザーで孔あけを実施していくためには、この表層の
銅箔をエッチングして12μm以下とすることが好まし
い。これを繰り返して目的の層を有する多層板を作成す
る。内層の銅箔は、フリップチップ搭載部下部から周囲
に回路を伸ばし、ランドを形成しておく。このランドの
中心に貫通孔をあけて各層を接続させるとともに、裏面
のハンダボールパッドに接続する回路部にも接続する形
態とする。こうすることにより、フリップチップから発
生した熱は上面に放熱するとともに、下面からはフリッ
プチップの放熱用バンプを通し、周囲に広がる内層回路
を通って下面のハンダボールを通ってマザーボードプリ
ント配線板に拡散するようにして放熱を行う。もちろん
この回路は信号伝播用にも用いる。
When forming a through hole having a hole diameter of 80 to 180 μm,
Providing a metal oxide treatment layer on the copper foil on the surface of the double-sided copper-clad laminate or disposing the above-mentioned auxiliary material, from above, narrowed down to the desired diameter, preferably selected from 20 to 60 mJ / pulse By directly irradiating a high-output energy carbon dioxide laser beam, the copper foil is processed and drilled. When a hole is formed by irradiating a carbon dioxide laser with an output of 20 to 60 mJ / pulse, burrs occur around the hole. This is not a problem for a double-sided copper-clad laminate, and copper plating is performed as it is to obtain 50% by volume or more, preferably 90% by volume of the inside of the hole.
The above is plated with copper, and the surface layer is also plated at the same time to increase the copper foil thickness.
It is 18 μm or less, preferably 12 μm or less. A circuit is formed on the copper foil on the lower surface serving as the inner layer, and a copper foil surface treatment is performed as necessary.On this, preferably, a glass cloth base material prepreg is arranged, and the copper foil is placed on the outside thereof, and laminated and formed. It is a multilayer board. In the present invention, since all the conduction of the upper and lower layers is performed by through holes, the holes are successively plated with copper to form a multilayer, so that the surface layer of the copper foil becomes thick. In order to carry out drilling with a carbon dioxide laser, it is preferable to etch the surface copper foil to 12 μm or less. By repeating this, a multilayer board having a target layer is prepared. The inner copper foil extends a circuit from the lower part of the flip chip mounting portion to the periphery to form a land. A through hole is made at the center of the land to connect the layers, and also to a circuit portion connected to the solder ball pad on the back surface. By doing so, the heat generated from the flip chip is radiated to the upper surface, from the lower surface through the flip chip heat radiation bumps, through the inner layer circuit spreading around, through the solder balls on the lower surface, and onto the motherboard printed wiring board Dissipates heat so that it diffuses. Of course, this circuit is also used for signal propagation.

【0026】また、非常に高密度の回路を形成するため
には、内層となる銅箔も含めて、表層の銅箔を薄くする
必要があり、好適には、炭酸ガスレーザー照射後、銅箔
の両表面を平面的に機械的、或いは薬液でエッチング
し、もとの金属箔の一部の厚さを除去することにより、
同時にバリも除去し、且つ、得られた銅箔は細密パター
ン形成に適しており、高密度のプリント配線板に適した
孔周囲の銅箔が残存したスルーホールメッキ用貫通孔を
形成する。この場合、機械研磨よりはエッチングの方
が、孔部のバリ除去、研磨による寸法変化等の点から好
適である。
In order to form a very high-density circuit, it is necessary to reduce the thickness of the surface copper foil including the copper foil serving as the inner layer. By etching both surfaces mechanically or chemically with two-dimensional surface, and removing part of the thickness of the original metal foil,
At the same time, burrs are removed, and the obtained copper foil is suitable for forming a fine pattern, and forms a through hole for through-hole plating in which the copper foil around the hole suitable for a high-density printed wiring board remains. In this case, etching is more preferable than mechanical polishing in terms of removing burrs from holes and dimensional change due to polishing.

【0027】本発明の孔部に発生した銅のバリをエッチ
ング除去する方法としては、特に限定しないが、例え
ば、特開平02-22887、同02-22896、同02-25089、同02-2
5090、同02-59337、同02-60189、同02-166789、同03-25
995、同03-60183、同03-94491、同04-199592、同04-263
488号公報で開示された、薬品で金属表面を溶解除去す
る方法(SUEP法と呼ぶ)による。エッチング速度
は、一般には0.02〜1.0μm/秒 で行う。
The method of etching and removing copper burrs generated in the holes according to the present invention is not particularly limited. For example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 02-22887, 02-22896, 02-25089 and 02-2.
5090, 02-59337, 02-60189, 02-166789, 03-25
995, 03-60183, 03-94491, 04-199592, 04-263
No. 488 discloses a method of dissolving and removing a metal surface with a chemical (referred to as a SUEP method). The etching rate is generally 0.02 to 1.0 μm / sec.

【0028】炭酸ガスレーザーは、赤外線波長域にある
9.3〜10.6μmの波長が一般に使用される。出力 は好ま
しくは、20〜60mJ/パルス にて銅箔を加工し、孔をあけ
る。エキシマレーザーは波長 248〜308μm、YAGレーザ
ーは波長 351〜355μmが一般に使用される。この波長は
これに限定されるものではない。加工速度は炭酸ガスレ
ーザーが格段に速く、経済的である。
The carbon dioxide laser is in the infrared wavelength range.
Wavelengths of 9.3 to 10.6 μm are commonly used. The output is preferably made by drilling a hole in the copper foil at 20-60 mJ / pulse. An excimer laser generally has a wavelength of 248 to 308 μm, and a YAG laser generally has a wavelength of 351 to 355 μm. This wavelength is not limited to this. The processing speed of the carbon dioxide laser is remarkably fast and economical.

【0029】炭酸ガスレーザーで貫通孔をあける場合、
最初から最後まで20〜60mJ/パルスから選ばれるエネル
ギーを照射するのが良い。もちろんこのエネルギー内で
孔あけ時にエネルギーを変えることは可能である。表層
の銅箔を除去する場合、より高いエネルギーを選ぶこと
により、照射ショット数が少なくてすみ、効率が良い。
中間の樹脂層を加工する場合、必ずしも高出力が必要で
はなく、基材及び樹脂により適宜選択できる。例えば出
力10〜35mJ/パルス から選ぶことも可能である。もち
ろん、最後まで高出力で加工することもできる。孔内部
に内層銅箔がある場合、ない場合で加工条件を変化させ
ることが可能である。
When drilling through holes with a carbon dioxide laser,
It is good to irradiate energy selected from 20 to 60 mJ / pulse from the beginning to the end. Of course, it is possible to change the energy during drilling within this energy. When removing the surface copper foil, by selecting a higher energy, the number of irradiation shots can be reduced and the efficiency is good.
When processing the intermediate resin layer, high output is not necessarily required, and it can be appropriately selected depending on the base material and the resin. For example, the output can be selected from 10 to 35 mJ / pulse. Of course, high-power processing can be performed until the end. The processing conditions can be changed with or without the inner layer copper foil inside the hole.

【0030】炭酸ガスレーザーで加工された孔内部の内
層銅箔には1μm程度の樹脂層が残存する場合が殆どであ
る。また、メカニカルドリルで孔あけした場合、スミア
が残る可能性があり、この樹脂層を除去することによ
り、さらなる銅メッキと内外層の銅との接続信頼性が良
くなる。樹脂層を除去するためには、デスミア処理等の
一般に公知の処理が可能であるが、液が小径の孔内部に
到達しない場合、内層の銅箔表面に残存する樹脂層の除
去残が発生し、銅メッキとの接続不良になる場合があ
る。従って、より好適には、まず気相で孔内部を処理し
て樹脂の残存層を完全に除去し、次いで孔内部を、好ま
しくは超音波を併用して湿潤処理する。
In most cases, a resin layer of about 1 μm remains in the inner layer copper foil inside the hole processed by the carbon dioxide laser. Further, when a hole is drilled with a mechanical drill, smear may remain. By removing this resin layer, the connection reliability between the further copper plating and the copper in the inner and outer layers is improved. In order to remove the resin layer, generally known treatments such as desmear treatment can be performed.However, when the liquid does not reach the inside of the small-diameter hole, the removal residue of the resin layer remaining on the copper foil surface of the inner layer occurs. Connection failure with copper plating may occur. Therefore, more preferably, the inside of the hole is first treated in the gas phase to completely remove the residual layer of the resin, and then the inside of the hole is wet-treated, preferably by using ultrasonic waves.

【0031】気相処理としては一般に公知の処理が使用
可能であるが、例えばプラズマ処理、低圧紫外線処理等
が挙げられる。プラズマは、高周波電源により分子を部
分的に励起し、電離させた低温プラズマを用いる。これ
は、イオンの衝撃を利用した高速の処理、ラジカル種に
よる穏やかな処理が一般には使用され、処理ガスとし
て、反応性ガス、不活性ガスが使用される。反応性ガス
としては、主に酸素が使用され、科学的に用面処理をす
る。不活性ガスとしては、主にアルゴンガスを使用す
る。このアルゴンガス等を使用し、物理的な表面処理を
行う。物理的な処理は、イオンの衝撃を利用して表面を
クリーニングする。低紫外線は、波長が短い領域の紫外
線であり、波長として、184.9nm、253.7nm がピークの
短波長域の波長を照射し、樹脂層を分解除去する。その
後、樹脂表面が疎水かされる場合が多いため、特に小径
孔の場合、超音波を併用して湿潤処理を行い、その後銅
メッキを行うことが好ましい。湿潤処理としては、特に
限定しないが、例えば過マンガン酸カリ水溶液、ソフト
エッチング用水溶液等によるものが挙げられる。
As the gas phase treatment, generally known treatments can be used, and examples thereof include a plasma treatment and a low-pressure ultraviolet treatment. As the plasma, low-temperature plasma in which molecules are partially excited by a high-frequency power source and ionized is used. For this, high-speed processing using ion bombardment and gentle processing using radical species are generally used, and reactive gases and inert gases are used as processing gases. Oxygen is mainly used as the reactive gas, and the surface is scientifically treated. As the inert gas, an argon gas is mainly used. Using this argon gas or the like, physical surface treatment is performed. Physical treatment uses ion bombardment to clean the surface. The low ultraviolet ray is an ultraviolet ray having a short wavelength region, and irradiates a short wavelength region having a peak at 184.9 nm and 253.7 nm, and decomposes and removes the resin layer. After that, since the resin surface is often made hydrophobic, it is preferable to perform the wet treatment using ultrasonic waves in combination with the copper plating, particularly in the case of small-diameter holes. The wetting treatment is not particularly limited, but includes, for example, an aqueous solution of potassium permanganate, an aqueous solution for soft etching, and the like.

【0032】孔内部は、必ずしも銅メッキで50容積%以
上充填しなくても電気的導通はとれる。銅メッキとして
は、一般に公知の銅メッキを採用できる。孔上部にパッ
ドを作成するためには、金属フィラーの入った穴埋め樹
脂を用い、穴埋め後に金属フィラー面を露出させ、この
上に銅メッキ、ニッケルメッキ、金メッキを行う。ある
いは、この孔の上を避けて、孔と接続するようにしてパ
ッドを形成する。
Electrical conduction can be obtained even if the inside of the hole is not necessarily filled with 50% by volume or more of copper plating. As the copper plating, generally known copper plating can be adopted. To form a pad on the top of the hole, a filling resin containing a metal filler is used. After filling the hole, the surface of the metal filler is exposed, and copper plating, nickel plating, and gold plating are performed thereon. Alternatively, a pad is formed so as to be connected to the hole, avoiding the hole.

【0033】[0033]

【実施例】以下に実施例、比較例で本発明を具体的に説
明する。尚、特に断らない限り、『部』は重量部を表
す。
The present invention will be specifically described below with reference to examples and comparative examples. Unless otherwise specified, “parts” indicates parts by weight.

【0034】実施例1 2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパン900部、ビス(4-
マレイミドフェニル)メタン100部を150℃に溶融させ、
撹拌しながら4時間反応させ、プレポリマーを得た。こ
れをメチルエチルケトンとジメチルホルムアミドの混合
溶剤に溶解した。これにビスフェノールA型エポキシ樹
脂(商品名:エピコート1001、油化シェルエポキシ<株>
製)400部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(商品
名:ESCN-220F、住友化学工業<株>製)600部を加え、均
一に溶解混合した。更に触媒としてオクチル酸亜鉛0.4
部を加え、溶解混合し、これに無機充填剤(商品名:焼成
タルク、日本タルク<株>製)500部、及び黒色顔料8部
を加え、均一撹拌混合してワニスAを得た。このワニス
を厚さ100μmのガラス織布に含浸し150℃で乾燥して、
ゲル化時間(at170℃)120秒、ガラス布の含有量が56重量
%のプリプレグ(プリプレグB)を作成した。また、ガラ
ス含有量44重量%のプリプレグCを作成した。
Example 1 900 parts of 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane,
100 parts of (maleimidophenyl) methane are melted at 150 ° C,
The mixture was reacted for 4 hours with stirring to obtain a prepolymer. This was dissolved in a mixed solvent of methyl ethyl ketone and dimethylformamide. Add bisphenol A type epoxy resin (trade name: Epicoat 1001, Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.)
) And 600 parts of a cresol novolac type epoxy resin (trade name: ESCN-220F, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) were uniformly mixed and dissolved. Further, as a catalyst, zinc octylate 0.4
Was added and dissolved and mixed. To this, 500 parts of an inorganic filler (trade name: calcined talc, manufactured by Nippon Talc Co., Ltd.) and 8 parts of a black pigment were added, followed by uniform stirring and mixing to obtain Varnish A. This varnish is impregnated with a glass woven fabric of 100 μm thickness and dried at 150 ° C.,
Gel time (at 170 ° C) 120 seconds, glass cloth content 56 weight
% Of prepreg (prepreg B) was prepared. Further, prepreg C having a glass content of 44% by weight was prepared.

【0035】厚さ35μmの銅キャリア付き3μmの電解銅
箔を、上記プリプレグB 1枚の上下に配置し、200℃、2
0kgf/cm2、30mmHg以下の真空下で2時間積層成形し、絶
縁層厚み100μmの両面銅張積層板Dを得た。その後、キ
ャリアの35μmの銅シートを剥離した。
3 μm electrolytic copper foil with a copper carrier having a thickness of 35 μm was placed above and below one prepreg B, and placed at 200 ° C.
Lamination molding was performed for 2 hours under a vacuum of 0 kgf / cm 2 and 30 mmHg or less to obtain a double-sided copper-clad laminate D having an insulating layer thickness of 100 μm. Thereafter, the 35 μm copper sheet of the carrier was peeled off.

【0036】一方、酸化金属粉として黒色酸化銅粉(平
均粒子径:0.8μm)800部に、ポリビニルアルコール粉
体を水に溶解したワニスに加え、均一に攪拌混合した。
これを厚さ50μmのポリエチレンテレフタレートフィル
ム片面上に、厚さ30μmとなるように塗布し、110℃で3
0分間乾燥して、金属化合物粉含有量45容積%の補助材
料Eを作成した。又、ポリビニルアルコール水溶液を厚
さ50μmのアルミニウム箔上に塗布乾燥して樹脂層厚
さ25μm付着したバックアップシートFを作成した。
上記両面板の片面に、補助材料E及びバックアップシー
トFの樹脂面が銅箔側を向くように配置し、100℃でラミ
ネートしてから、孔径100μmの孔を20mm角内の中央6mm
角内に44個直接炭酸ガスレーザーで、出力25mJ/パルス
でまず1ショット、次に出力を20mJ/パルス にして3ショ
ット照射して、70ブロックのスルーホール用貫通孔をあ
け、銅メッキを全体に10μm付着させ、孔内部を銅メッ
キで95容積%充填した。補助材料、バックアップシート
除去後、裏面に回路を形成し、黒色酸化銅処理層を設
け、その回路の上に上記プリプレグCを置き、その外側
に厚さ12μmの電解銅箔を配置し、前記と同様にして、
積層成形し3層板とした。
On the other hand, 800 parts of black copper oxide powder (average particle diameter: 0.8 μm) as a metal oxide powder was added to a varnish prepared by dissolving polyvinyl alcohol powder in water, and uniformly stirred and mixed.
This was coated on one side of a 50 μm-thick polyethylene terephthalate film so as to have a thickness of 30 μm.
After drying for 0 minutes, an auxiliary material E having a metal compound powder content of 45% by volume was prepared. Further, an aqueous solution of polyvinyl alcohol was applied on an aluminum foil having a thickness of 50 μm and dried to prepare a backup sheet F having a resin layer having a thickness of 25 μm.
On one side of the double-sided board, the auxiliary material E and the resin sheet of the backup sheet F are arranged so as to face the copper foil side, and laminated at 100 ° C., and a hole having a hole diameter of 100 μm is formed at the center of a 20 mm square within 6 mm.
Directly emit 44 shots in the corner with a direct carbon dioxide laser at 25 mJ / pulse for one shot, then at 20 mJ / pulse for 3 shots, drill through holes for 70 blocks of through holes, and coat the entire copper plating And the inside of the hole was filled with copper plating at 95% by volume. After removing the auxiliary material and the backup sheet, a circuit is formed on the back surface, a black copper oxide treatment layer is provided, the prepreg C is placed on the circuit, and an electrolytic copper foil having a thickness of 12 μm is arranged outside the circuit, and Similarly,
It was laminated and formed into a three-layer plate.

【0037】この3層板に、前記と同様に、孔径100μm
の貫通孔を52個あけた。この両面の銅箔層を、SUE
P処理にて孔周辺の銅箔のバリを除去するとともに、表
裏面の銅箔も4μmまで溶解した。銅メッキを全体に9μm
付着させ、この裏面に同様に回路形成、黒色酸化銅処理
を行い、プリプレグCを置き、12μm電解銅箔を配置
し、同様に積層成形して4層板とした。フリップチップ
搭載箇所下に同様に径100μmの貫通孔を48個あ
け、この4層板のフリップチップ搭載部の周囲に、内層
の銅箔と接続するようにして孔径150μmの貫通孔を炭酸
ガスレーザーであけた。これをプラズママシーンに入れ
て処理後、SUEP法にて表裏層銅箔を3μmまで溶解除去す
ると同時に内層銅箔に発生した銅箔バリをも溶解除去
し、銅メッキを10μm施してから、表裏を既存の方法に
て回路(ライン/スペース=50/50μm)、ソルダーボール
用ランド等を形成し、少なくともフリップチップ搭載用
パッド部、ハンダボールパッド部を除いてメッキレジス
トで被覆し、ニッケル、金メッキを施し、プリント配線
板を作成した。この上に大きさ6mm角のフリップチップ
を搭載した。評価結果を表1及び表2に示す。
The three-layer plate was provided with a pore size of 100 μm as described above.
52 through holes were drilled. The copper foil layers on both sides are
The burrs on the copper foil around the hole were removed by P treatment, and the copper foil on the front and back surfaces was also dissolved to 4 μm. 9μm copper plating
A circuit was formed and black copper oxide treatment was similarly performed on the back surface, prepreg C was placed, 12 μm electrolytic copper foil was arranged, and a laminate was formed in the same manner to form a four-layer plate. Similarly, 48 through holes with a diameter of 100 μm are formed under the flip chip mounting portion, and a 150 μm through hole having a hole diameter of 150 μm is formed around the flip chip mounting portion of the four-layer plate so as to be connected to an inner copper foil. Opened. After placing it in a plasma machine and dissolving and removing the front and back layer copper foil to 3 μm by the SUEP method, at the same time dissolving and removing the copper foil burr generated on the inner layer copper foil, applying 10 μm of copper plating, Form a circuit (line / space = 50 / 50μm), solder ball land, etc. by the existing method, cover with a plating resist except for at least the flip chip mounting pad and solder ball pad, and apply nickel and gold plating To make a printed wiring board. On top of this, a flip chip of 6 mm square was mounted. The evaluation results are shown in Tables 1 and 2.

【0038】実施例2 融点58℃の水溶性ポリエステル樹脂を水に溶解した樹脂
水溶液の中に、金属化合物粉(SiO257重量%、Mg
O 43重量%、平均粒子径:0.4μm)を加え、均一に攪拌
混合した後、これを50μmのポリエチレンテレフタレー
トフィルムに、厚さ20μmとなるように塗布し、110℃で
25分間乾燥し、金属化合物含有量70容積%のフィルム状
補助材料Gとした。一方、実施例1のプリプレグBを1
枚使用し、上下に12μmの電解銅箔を置き、同様に積層
成形し、両面銅張積層板を得た(図1(1))。この上
に上記孔あけ補助材料G,バックアップシートFを配置し
て、100℃のロールにて、線圧2kgfでラミネートし、密
着性の良好な塗膜を形成した。補助材料Gの上から、炭
酸ガスレーザーの出力35mJ/パルスにて3ショット照射し
て貫通孔60ホールをあけた(図1(2))。
Example 2 A metal compound powder (57% by weight of SiO 2 , Mg) was added to an aqueous resin solution prepared by dissolving a water-soluble polyester resin having a melting point of 58 ° C. in water.
O 43% by weight, average particle size: 0.4 μm), and uniformly stirred and mixed, and then applied to a 50 μm polyethylene terephthalate film so as to have a thickness of 20 μm.
After drying for 25 minutes, a film-shaped auxiliary material G having a metal compound content of 70% by volume was obtained. On the other hand, the prepreg B of Example 1 was replaced with 1
One sheet was used, and a 12 μm electrolytic copper foil was placed on the upper and lower sides and laminated and molded in the same manner to obtain a double-sided copper-clad laminate (FIG. 1 (1)). The above-mentioned drilling auxiliary material G and backup sheet F were arranged thereon, and were laminated with a roll of 100 ° C at a linear pressure of 2 kgf to form a coating film having good adhesion. Three shots were irradiated from above the auxiliary material G with an output of 35 mJ / pulse of a carbon dioxide gas laser, and 60 through holes were opened (FIG. 1 (2)).

【0039】表層の補助材料、バックアップシートを剥
離し、SUEP処理を行ない、プラズマ装置の中に入
れ、酸素気流中で10分、更にアルゴン気流中で5分処理
を行い、その後過マンガン酸カリ水溶液にて超音波併用
で湿潤処理を行なって、実施例1と同様にパルス銅メッ
キを行い、貫通孔内部を95容積%銅メッキで充填し、表
裏面には厚さ10μmの銅メッキを付着させた。
The auxiliary material for the surface layer and the backup sheet were peeled off, subjected to a SUEP treatment, placed in a plasma apparatus, and treated for 10 minutes in an oxygen stream and further for 5 minutes in an argon stream, and then an aqueous potassium permanganate solution Performed wet treatment with ultrasonic waves at the same time, perform pulse copper plating in the same manner as in Example 1, fill the inside of the through hole with 95% by volume copper plating, and attach 10 μm thick copper plating on the front and back surfaces Was.

【0040】この下面(裏)に回路を形成し、黒色酸化
銅処理層を設け、その外側に上記プリプレグCを1枚配
置し、その外側に12μmの電解銅箔を置き(図1
(3))、同様に積層成形した。この銅箔表面に上記補
助材料G,バックアップシートFを同様にラミネートして
から40mJ/パルスにて4ショット照射し、貫通孔を40ホー
ルあけた(図1(5))。この両側の銅箔をSUEPにて厚
さ3μmまで溶解し、銅メッキを施し、孔内部は87容積
%充填し、表裏層には銅メッキを厚さ10μm付着させ
た。下面に回路を形成した。これを繰り返して5層の多
層板を作成した(図1(6))。このフリップチップを
搭載する周囲に孔径200μの貫通孔を、フリップチップ
搭載部にあけられた貫通孔から周囲に広がる各層の回路
と接続するようにメカニカルドリルであけ、この孔内部
に孔埋め樹脂(商品名;BT-S730B、三菱ガス化学<株>
製)を充填し、120℃で1時間、更に160℃で2時間熱硬化
した(図2(7))。表裏を機械的に研磨した後、SUEP
法で表裏層の銅箔を3μmまで溶解し、デスミア処理後、
銅メッキを10μm付着させた。。これを用い、実施例1と
同様にプリント配線板とし、フリップチップを搭載し、
裏面にはハンダボールをパッドに接合し、プラスチック
パッケージを作成した(図2(8))。評価結果を表1
及び表2に示す。
A circuit is formed on the lower surface (back surface), a black copper oxide treatment layer is provided, one prepreg C is placed outside the layer, and a 12 μm electrolytic copper foil is placed outside the prepreg C (FIG. 1).
(3)) Similarly, lamination molding was performed. The above-mentioned auxiliary material G and the backup sheet F were similarly laminated on the surface of the copper foil, and then irradiated with 4 shots at 40 mJ / pulse to form 40 through holes (FIG. 1 (5)). The copper foils on both sides were melted by SUEP to a thickness of 3 μm, copper plating was applied, the inside of the hole was filled with 87% by volume, and copper plating was applied to the front and back layers to a thickness of 10 μm. A circuit was formed on the lower surface. This was repeated to form a five-layer multilayer board (FIG. 1 (6)). A mechanical drill is used to connect a through hole with a hole diameter of 200μ around this flip chip mounting part to the circuit of each layer extending from the through hole formed in the flip chip mounting part to the surroundings. Product name: BT-S730B, Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.
And heat-cured at 120 ° C. for 1 hour and further at 160 ° C. for 2 hours (FIG. 2 (7)). After mechanically polishing the front and back, SUEP
Dissolve the copper foil of the front and back layers to 3μm by the method, after desmearing,
Copper plating was applied to 10 μm. . Using this, a printed wiring board as in Example 1, mounted with a flip chip,
On the back surface, solder balls were bonded to the pads to form a plastic package (FIG. 2 (8)). Table 1 shows the evaluation results.
And Table 2.

【0041】比較例1 実施例1の両面銅張板を用い、表面処理を行なわずに炭
酸ガスレーザーで同様に孔あけを行なったが、孔はあか
なかった。
Comparative Example 1 Using the double-sided copper-clad board of Example 1, a hole was similarly formed by a carbon dioxide gas laser without performing a surface treatment, but no hole was formed.

【0042】比較例2 実施例1の両面銅張板を用い、表裏面の銅箔をエッチン
グにより孔径100μmの孔をあけ、炭酸ガスレーザーのエ
ネルギー15mJ/パルスにて実施例1と同じショット数で
孔あけを行なったが、ガラス繊維のケバが孔壁に見ら
れ、且つ表裏の孔位置に最大15μmのずれを生じ、その
後の多層化が実施できなかった。
Comparative Example 2 Using the double-sided copper-clad board of Example 1, holes of 100 μm in diameter were formed in the copper foils on the front and back surfaces by etching, and the same number of shots as in Example 1 was performed using a carbon dioxide gas laser at an energy of 15 mJ / pulse. Holes were drilled, but glass fiber fluff was found on the hole walls, and the positions of the holes on the front and back were shifted by a maximum of 15 μm, and subsequent multilayering could not be performed.

【0043】比較例3 エポキシ樹脂(商品名:エピコート5045)2,000部、ジシ
アンジアミド70部、2ーエチルイミダゾール2部をメチル
エチルケトンとジメチルホルムアミドの混合溶剤に溶解
し、攪拌混合して均一分散してワニスHを得た。これを
厚さ100μmのガラス織布に含浸、乾燥して、ゲル化時間
140秒(at170℃),ガラス含有量55重量%のプリプレグI
を作成した。また、厚さ50μmのガラ織布を使用し、ゲ
ル化間180秒、ガラス含有量33重量%のプリプレグJを得
た。このプリプレグIを1枚使用し、両面に12μmの電解
銅箔を置き、170℃、20kgf/cm2、30mmHg以下の真空下で
2時間積層成形して両面銅張積層板Kを得た。この銅張積
層板Kの上に回路を形成し、黒色酸化銅処理層を設け、
この上下にプリプレグJを各1枚置き、その外側に12μm
銅箔を置き、同様に積層成形して4層板を作成した。メ
カニカルドリルで孔径200μmの貫通孔を周囲にあ
け、デスミア処理後に、銅メッキを10μm付着させた。
これを用いて、プリント配線板を作成し、フリップチッ
プを搭載した。評価結果を表1及び表2に示す。
Comparative Example 3 2,000 parts of an epoxy resin (trade name: Epikote 5045), 70 parts of dicyandiamide, and 2 parts of 2-ethylimidazole were dissolved in a mixed solvent of methyl ethyl ketone and dimethylformamide, and the mixture was stirred, mixed and uniformly dispersed to prepare Varnish H. I got This is impregnated with a 100 μm thick glass woven fabric, dried, and gelled.
140 seconds (at 170 ° C), prepreg I with 55% by weight of glass
It was created. In addition, a prepreg J having a glass content of 33% by weight was obtained by using a glass woven cloth having a thickness of 50 μm and gelling for 180 seconds. The prepreg I used one, place the electrolytic copper foil of 12μm on both sides, 170 ℃, 20kgf / cm 2 , 30mmHg or less under vacuum
Lamination molding was performed for 2 hours to obtain a double-sided copper-clad laminate K. A circuit is formed on this copper clad laminate K, a black copper oxide treatment layer is provided,
Place one prepreg J on each of the upper and lower sides, and place 12 μm
The copper foil was placed and laminated and formed in the same manner to form a four-layer plate. A through hole having a hole diameter of 200 μm was formed around the periphery using a mechanical drill, and after desmearing, copper plating was applied to a thickness of 10 μm.
Using this, a printed wiring board was prepared, and a flip chip was mounted. The evaluation results are shown in Tables 1 and 2.

【0044】比較例4 実施例1の4層板(図3(1))において、内層のスル
ーホールとなる箇所の内層の銅箔をあらかじめエッチン
グにより孔径100μmの孔となるように銅箔を除去し、回
路を形成しておき、また最後に表裏の同位置も径100μm
で銅箔をエッチング除去しておき(図3(2))、炭酸
ガスレーザーのエネルギー10mJ/パルスにて貫通孔あけ
を行なった(図3(3))。その後は、SUEP処理を行わ
ずに、デスミア処理を1回施し、銅メッキを10μm施し
(図3(4))、表裏に回路を形成し、同様にプリント
配線板を作成し、フリップチップを搭載した。評価結果
を表1及び表2に示す。
COMPARATIVE EXAMPLE 4 In the four-layer plate of Example 1 (FIG. 3A), the copper foil of the inner layer at the portion to be the through hole of the inner layer was removed in advance by etching so that the hole had a hole diameter of 100 μm. And a circuit is formed, and finally the same position on both sides is 100 μm in diameter.
The copper foil was removed by etching (FIG. 3 (2)), and a through-hole was formed with a carbon dioxide laser energy of 10 mJ / pulse (FIG. 3 (3)). After that, a desmear treatment is applied once without SUEP treatment, copper plating is applied 10 μm (Fig. 3 (4)), circuits are formed on the front and back, a printed wiring board is created in the same way, and a flip chip is mounted. did. The evaluation results are shown in Tables 1 and 2.

【0045】[0045]

【表1】 [Table 1]

【0046】[0046]

【表2】 [Table 2]

【0047】<測定方法> 1)表裏、内層孔位置のズレ ワークサイズ250mm角内に、孔径100μmの孔を900孔/ブ
ロック として70ブロック(孔計63,000孔)作成した。
炭酸ガスレーザー及びメカニカルドリルで孔あけを行な
い、1枚の銅張板に63,000孔をあけた場合の表裏と内層
銅箔のズレの最大値を示した。 2)回路パターン切れ、及びショート 実施例、比較例で、孔のあいていない板を同様に作成
し、ライン/スペース=50/50μmの櫛形パターンを作成
した後、拡大鏡でエッチング後の200パターンを目視に
て観察し、パターン切れ、及びショートしているパター
ンの合計を分子に示した。 3)ガラス転移温度 DMA法にて測定した。 4)スルーホール・ヒートサイクル試験 各スルーホール孔に径250μmのランドを作成し、900孔
を表裏交互につなぎ、1サイクルが、260℃・ハンダ・浸
せき30秒→室温・5分 で、200サイクルまで実施し、抵
抗値の変化率の最大値を示した。 5)ランド周辺銅箔切れ 表裏の孔周辺に径250μmのランドを形成した時の、ラン
ド部分の銅箔欠けを観察した。 6)プレッシャークッカー処理後の絶縁抵抗値 端子間(ライン/スペース=50/50μm)の櫛形パターン
を作成し、この上に、それぞれ使用したプリプレグを配
置し、積層成形したものを、121℃・203kPa にて所定時
間処理した後、25℃・60%RH で2時間後処理を行い、500
VDCを印加して端子間の絶縁抵抗値を測定した。 7)耐マイグレーション性 上記6)の試験片を85℃・85%RH、50VDC印加して端子間の
絶縁抵抗値を測定した。 8)放熱性 パッケージを同一マザーボードプリント配線板にハンダ
ボールで接着させ、1000時間連続使用してから、パッケ
ージの温度を測定した。
<Measurement method> 1) Misalignment of inner and outer hole positions on the front and back side Within a work size of 250 mm square, 70 blocks (63,000 total holes) were prepared with 900 holes / block having a hole diameter of 100 μm.
Drilling was performed with a carbon dioxide laser and a mechanical drill, and the maximum value of deviation between the front and back surfaces and the inner layer copper foil when 63,000 holes were drilled in one copper clad plate was shown. 2) Circuit pattern breakage and short circuit In Examples and Comparative Examples, a plate with no holes was created in the same way, a comb pattern of line / space = 50/50 μm was created, and then 200 patterns were etched with a magnifying glass. Was visually observed, and the total of the broken pattern and the short-circuited pattern was shown in the molecule. 3) Glass transition temperature Measured by the DMA method. 4) Through-hole heat cycle test Create a land with a diameter of 250 μm in each through-hole, connect 900 holes alternately to the front and back, and cycle one cycle at 260 ° C, solder, immersion for 30 seconds → room temperature for 5 minutes, 200 cycles And the maximum value of the rate of change of the resistance value was shown. 5) Cut of copper foil around land When a land with a diameter of 250 μm was formed around the holes on the front and back, chipping of the copper foil at the land was observed. 6) Insulation resistance value after pressure cooker process A comb-shaped pattern between terminals (line / space = 50 / 50μm) was created, and the prepregs used were placed on each of them, and laminated and molded at 121 ° C and 203kPa. After processing for a predetermined time at, perform post-processing at 25 ° C and 60% RH for 2 hours, and
VDC was applied to measure the insulation resistance between the terminals. 7) Migration resistance The test piece of the above 6) was applied at 85 ° C. and 85% RH at 50 VDC, and the insulation resistance between the terminals was measured. 8) Heat dissipation The package was bonded to the same motherboard printed wiring board with solder balls and used continuously for 1000 hours, and then the temperature of the package was measured.

【0048】[0048]

【発明の効果】本発明によれば、少なくとも3層の銅箔
層を有するフリップチップ搭載用プリント配線板の製造
方法において、少なくともフリップチップ搭載部のパッ
ドを、各内層の銅箔回路と、孔径25〜300μmのスルー
ホールの導体で全て接続し、該内層回路を周囲に広がる
回路とし、この周囲に広がる回路を表裏貫通するスルー
ホール導体と接続し、このスルーホール導体を裏面の放
熱用及び信号伝播用等のハンダボールパッドに接続する
ランドに接続している形態の高密度多層プリント配線板
の製造方法が提供される。本発明によれば、孔径80μm
以上180μm以下の貫通孔を、銅箔表面に酸化金属処理層
又は薬液処理層を設けるか、融点900℃以上で、且つ結
合エネルギーが300kJ/mol 以上の金属化合物粉、カーボ
ン粉、又は金属粉の1種或いは2種以上を3〜97vol%を
含む孔あけ補助材料を配置し、この上から、好ましくは
20〜60mJ/パルスから選ばれたエネルギーの炭酸ガスレ
ーザーを直接照射して貫通孔あけを行ない、その後孔内
部の50容積%以上を銅メッキで充填し、この下面に回路
を形成し、さらにガラス布基材プリプレグ及び銅箔を配
置し、積層成形後にさらにスルーホール用貫通孔をあ
け、その後表層の銅箔の厚さ方向の一部の厚さを薬液で
エッチングで溶解し、同時に孔周辺に発生した銅箔バリ
をも溶解除去し、銅メッキし、上記積層成形、貫通孔あ
け、銅メッキの操作を必要回数繰り返す多層プリント配
線板の製造方法が提供される。本発明の製造方法によれ
ば、放熱性、孔接続信頼性に優れ、高密度であるプリン
ト配線板が提供される。本発明によれば、表層銅箔同士
の接続信頼性に優れた高密度多層プリント配線板の製造
方法が提供される。本発明によれば、さらに熱硬化性樹
脂として、多官能性シアン酸エステル樹脂組成物を用い
ることにより、耐熱性に優れ、且つ耐マイグレーション
性、プレッシャー後の電気絶縁性等の信頼性にも優れた
フリップチップ用プリント配線板が提供される。
According to the present invention, in a method of manufacturing a flip-chip mounting printed wiring board having at least three copper foil layers, at least a pad of the flip-chip mounting portion is formed with a copper foil circuit of each inner layer and a hole diameter. Connect all the 25-300μm through-hole conductors, make the inner layer circuit a circuit that spreads around, connect the circuit that spreads around with a through-hole conductor that penetrates the front and back, and use this through-hole conductor for heat dissipation on the back and signal A method for manufacturing a high-density multilayer printed wiring board connected to lands connected to solder ball pads for propagation or the like is provided. According to the present invention, the pore diameter is 80 μm
More than 180μm or less through-hole, a metal oxide treatment layer or a chemical treatment layer is provided on the copper foil surface, or a melting point of 900 ° C. or more, and a binding energy of 300 kJ / mol or more metal compound powder, carbon powder, or metal powder. One or two or more kinds of drilling auxiliary materials containing 3 to 97 vol% are arranged, and from above, preferably
A carbon dioxide laser with an energy selected from 20 to 60 mJ / pulse is directly irradiated to make a through hole, and then at least 50% by volume of the inside of the hole is filled with copper plating. Placing the cloth base material prepreg and copper foil, drilling a through-hole for further through-hole after lamination molding, then dissolving part of the thickness of the surface layer copper foil in the thickness direction by etching with a chemical solution, at the same time around the hole periphery Also provided is a method for manufacturing a multilayer printed wiring board in which the generated copper foil burrs are dissolved and removed, copper plating is performed, and the above-described operations of lamination molding, through-hole formation, and copper plating are repeated as necessary. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the manufacturing method of this invention, the printed wiring board which is excellent in heat dissipation and hole connection reliability, and is high density is provided. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the high density multilayer printed wiring board excellent in the connection reliability of surface layer copper foils is provided. According to the present invention, by using a polyfunctional cyanate resin composition as the thermosetting resin, the heat resistance is excellent, and the migration resistance and the electrical insulation after pressure are also excellent in reliability. A flip-chip printed wiring board is provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 実施例2の多層板の炭酸ガスレーザーによる
スルーホール用貫通孔あけ及びパルス銅メッキ(3)、
3層板作成、貫通孔あけ(5)及びパルス銅メッキ
(6)の工程図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a multilayer board according to a second embodiment of the present invention.
It is process drawing of a three-layer board preparation, through-hole drilling (5), and pulse copper plating (6).

【図2】 実施例2の5層板に成形後のガスレーザーに
よる貫通孔あけ、外周部のメカニカルドリルによる貫通
孔あけと樹脂による穴埋め及びパルス銅メッキ(7)、
及び半導体プラスチックパッケージ(8)作成の工程図
である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a five-layer plate of Example 2 in which through holes are formed by a gas laser after forming, through holes are formed in a peripheral portion by a mechanical drill, holes are filled with a resin, and pulse copper plating is performed (7).
And FIG. 10 is a process chart for producing a semiconductor plastic package (8).

【図3】 比較例4の多層板の炭酸ガスレーザーに
よる孔あけ及び銅メッキの工程図である(SUEP無
し)。
FIG. 3 is a process diagram of drilling and copper plating of a multilayer board of Comparative Example 4 with a carbon dioxide gas laser (without SUEP).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

a ガラス布基材両面銅張積層板 B 炭酸ガスレーザーで孔あけされた貫通孔 c 貫通孔部に発生した銅箔バリ d1,d2,d3,d4 貫通孔に銅メッキを充填したスルーホ
ール e プリプレグC f 銅箔 g 3層板に炭酸ガスレーザーで形成された貫通孔 h 発生したバリ i 穴埋め樹脂 j フリッチップ k フリップチップバンプ l ハンダボールパッド m ハンダボール n メッキレジスト o 4層板 p 炭酸ガスレーザーで孔あけされた貫通孔部 q ズレを生じた内層銅箔 r ズレを生じた貫通孔銅メッキ
was filled with copper plating to a glass fabric substrate double-sided copper-clad laminate B foil burrs d 1 generated in the through hole c through hole that is drilled in a carbon dioxide gas laser, d 2, d 3, d 4 through holes Through hole e Pre-preg C f Copper foil g Through-hole formed in carbon fiber laser on three-layer plate h Burr generated i Filler resin j Flip-up k Flip chip bump l Solder ball pad m Solder ball n Plating resist o Four-layer plate p Through-hole part drilled by carbon dioxide laser q Displaced inner layer copper foil r Displaced through-hole copper plating

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/12 H05K 1/18 L H05K 1/18 B23K 101:42 // B23K 101:42 H01L 23/12 N Fターム(参考) 4E068 AF01 AF02 CF01 CF03 DA11 5E336 BB03 BC02 BC12 BC14 CC58 EE01 GG03 GG12 5E346 AA42 CC04 CC08 CC32 DD22 EE09 EE13 FF07 FF13 FF24 FF45 GG15 HH07 HH08 HH17 HH18 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 23/12 H05K 1/18 L H05K 1/18 B23K 101: 42 // B23K 101: 42 H01L 23/12 NF term (reference) 4E068 AF01 AF02 CF01 CF03 DA11 5E336 BB03 BC02 BC12 BC14 CC58 EE01 GG03 GG12 5E346 AA42 CC04 CC08 CC32 DD22 EE09 EE13 FF07 FF13 FF24 FF45 GG15 HH07 HH08 HH17 HH18

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 次の工程からなる少なくとも3層以上の
銅箔層を有するフリップチップ搭載用ガラス布基材高密
度多層プリント配線板の製造方法、 a. 両面銅張板(a)に孔径80μm以上180μm以
下の貫通孔は銅箔表面に孔あけ用補助材料を配置し、銅
箔を加工するに十分なエネルギーの炭酸ガスレーザーを
直接照射して孔あけ(B)を行い、その後必要に応じ銅箔
の一部をエッチング除去すると同時に孔周辺に発生した
銅箔バリをも溶解除去しする工程、 B. 必要に応じ、孔径25μm以上80μm未満の貫
通孔はエキシマレーザー、YAGレーザーで、及び/又は
孔径180μm超え300μm以下の貫通孔はメカニカ
ルドリルで孔あけを行い、ついで表面および孔内部を銅
メッキ(d1)する工程、 c. 両面銅張板の内層となる下面側銅箔に回路を形成し
た後、この回路面側にプリプレグ及び銅箔をこの順に配
置して積層成形し、 d. 上記a, B及びcの工程を必要回数繰り返して多層
板を得、該多層板の表裏を貫通する孔の導体(s)を各内
層の回路(t)と電気的に導通させておく工程、 e. 多層板の裏面のハンダボールパッド(l)及び表面の
フリップチップパッド(u)を設ける位置に貫通孔をあ
け、必要に応じ銅箔の一部をエッチング除去すると同時
に孔周辺の銅箔バリを溶解除去し、回路を形成してフリ
ップチップパッドとハンダボールパッドとを多層板の表
裏を貫通する孔に銅メッキして導体を介して電気的に導
通させる工程、 f. 少なくともフリップチップ搭載用パッド部(u)、
ハンダボールパッド部(l)以外に貴金属メッキを施す
工程。
1. A method for producing a flip-chip mounting glass cloth substrate high-density multilayer printed wiring board having at least three copper foil layers comprising the following steps: a. For through-holes of 180 μm or less, an auxiliary material for drilling is placed on the copper foil surface, and a carbon dioxide laser of sufficient energy to process the copper foil is directly irradiated to perform drilling (B). A step of dissolving and removing copper foil burrs generated around the hole at the same time as etching away a part of the copper foil; B. If necessary, a through hole having a hole diameter of 25 μm or more and less than 80 μm is excimer laser, YAG laser, and / or Alternatively, a through hole with a hole diameter of more than 180 μm and less than 300 μm is drilled with a mechanical drill, and then the surface and the inside of the hole are plated with copper (d 1 ) .c. A circuit is formed on the lower surface side copper foil which is the inner layer of the double-sided copper clad board. form After that, the prepreg and the copper foil are arranged in this order on the circuit surface side and laminated and formed. D. The steps a, B and c are repeated as many times as necessary to obtain a multilayer board, and penetrate the front and back of the multilayer board. A step of electrically connecting the conductor (s) of the hole to the circuit (t) of each inner layer; e. A position where the solder ball pad (l) on the back surface of the multilayer board and the flip chip pad (u) on the front surface are provided. Drill through holes and, if necessary, remove part of the copper foil by etching and, at the same time, dissolve and remove copper foil burrs around the hole to form a circuit and pass flip chip pads and solder ball pads through the front and back of the multilayer board. Copper plating the holes and electrically conducting through the conductors; f. At least a flip chip mounting pad (u);
A process of applying precious metal plating to parts other than the solder ball pad part (l).
【請求項2】 表裏を貫通する孔の導体(s)が、フリッ
プチップパッド(u)と電気的に導通していることを特徴
とする請求項1記載の高密度多層プリント配線板の製造
方法。
2. The method for manufacturing a high-density multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the conductor (s) of the hole passing through the front and back is electrically connected to the flip chip pad (u). .
【請求項3】 各内層に至る孔(d1,d2,d3)が、フリッ
プチップパッド(u)と電気的に導通していることを特徴
とする請求項1記載の高密度多層プリント配線板の製造
方法。
3. The high-density multilayer print according to claim 1 , wherein the holes (d 1 , d 2 , d 3 ) reaching the respective inner layers are electrically connected to the flip chip pads (u). Manufacturing method of wiring board.
【請求項4】 炭酸ガスレーザーの照射前に、銅箔の表
面に酸化金属処理層又は薬液処理層を設けるか、或いは
融点900℃以上で、且つ結合エネルギーが300kJ/mol 以
上の金属化合物粉、カーボン粉、又は金属粉の1種或い
は2種以上を3〜97容積%を含む樹脂組成物を配置する
工程を設けることを特徴とする請求項1記載の高密度多
層プリント配線板の製造方法。
4. A metal oxide powder or a chemical treatment layer is provided on the surface of the copper foil before the irradiation with the carbon dioxide laser, or a metal compound powder having a melting point of 900 ° C. or more and a binding energy of 300 kJ / mol or more; 2. The method for producing a high-density multilayer printed wiring board according to claim 1, further comprising the step of arranging a resin composition containing 3 to 97% by volume of one or more of carbon powder and metal powder.
【請求項5】 各貫通孔を銅メッキで50容積%以上充填
することを特徴とする請求項1記載の高密度プリント配
線板の製造方法。
5. The method for manufacturing a high-density printed wiring board according to claim 1, wherein each through hole is filled with copper plating by 50% by volume or more.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP2023414A1 (en) * 2006-05-31 2009-02-11 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Led light source unit
EP2109156A1 (en) * 2007-01-30 2009-10-14 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Led light source unit
JP2011138873A (en) * 2009-12-28 2011-07-14 Cmk Corp Component built-in type multilayer printed circuit board and method of manufacturing the same

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