JP2001110787A - Pretreatment etching device and thin-film generating apparatus - Google Patents
Pretreatment etching device and thin-film generating apparatusInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本願の発明は、基板の表面に
所定の材料の薄膜を作成する技術に関し、特に、薄膜の
作成の前に基板の表面をエッチングする技術に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for forming a thin film of a predetermined material on a surface of a substrate, and more particularly to a technique for etching the surface of the substrate before forming the thin film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】基板の表面に所定の材料の薄膜を作成す
ることは、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の電子デバイス
やＬＣＤ（液晶ディスプレイ）等の表示装置の製造にお
いて盛んに行われている。このうち、配線用の導電材料
の成膜等では、スパッタリングによる成膜が多く行われ
ている。また、ゲート絶縁膜等の絶縁膜の作成では、化
学的気相成長（ＣＶＤ）による成膜が多く行われてい
る。2. Description of the Related Art Formation of a thin film of a predetermined material on the surface of a substrate is actively performed in the manufacture of electronic devices such as LSI (Large Scale Integrated Circuit) and display devices such as LCD (Liquid Crystal Display). . Of these, in film formation of a conductive material for wiring and the like, film formation by sputtering is often performed. In addition, in forming an insulating film such as a gate insulating film, film formation by chemical vapor deposition (CVD) is often performed.
【０００３】このような成膜技術においては、成膜に先
立ち、基板の表面をエッチングする前処理（以下、前処
理エッチングと呼ぶ）を行うことがある。前処理エッチ
ングは、多くの場合、基板の表面に形成されている薄膜
を除去する処理である。例えば、基板の表面には自然酸
化膜や保護膜が形成されていることがある。このような
薄膜が形成されている状態で成膜処理を行うと、作成さ
れる薄膜の品質が損なわれることがある。例えば、基板
の表面に絶縁性の自然酸化膜や保護膜が形成されている
状態で配線用の導電材料の成膜を行うと、下地である基
板の表面と配線用の導電膜との導通性が悪くなる問題が
ある。In such a film forming technique, a pre-treatment for etching the surface of the substrate (hereinafter, referred to as pre-treatment etching) may be performed prior to the film formation. The pretreatment etching is a treatment for removing a thin film formed on the surface of a substrate in many cases. For example, a natural oxide film or a protective film may be formed on the surface of the substrate. If the film forming process is performed in a state where such a thin film is formed, the quality of the formed thin film may be deteriorated. For example, when a conductive material for wiring is formed in a state in which an insulating natural oxide film or a protective film is formed on the surface of the substrate, the conductivity between the surface of the underlying substrate and the conductive film for wiring is formed. There is a problem that becomes worse.
【０００４】また、自然酸化膜や保護膜がある状態で成
膜を行うと、作成する薄膜の基板に対する密着性が悪く
なることもある。さらに、基板の表面にゴミや汚れが付
着している場合にも、基板に対する薄膜の密着性や導通
性等が悪化する。このようなことから、成膜に先立ち、
基板の表面をエッチングし、表面の自然酸化膜、保護
膜、又は、ゴミ等の異物を取り除く処理をしている。When a film is formed in the presence of a natural oxide film and a protective film, the adhesion of the thin film to the substrate may be deteriorated. Further, even when dust or dirt is attached to the surface of the substrate, the adhesion of the thin film to the substrate, the conductivity, and the like are deteriorated. Therefore, prior to film formation,
The surface of the substrate is etched to remove a natural oxide film, a protective film, or foreign matter such as dust on the surface.
【０００５】前処理エッチングは、基板が配置された処
理チャンバー内にガス放電によるプラズマを形成し、プ
ラズマ中のイオンを基板の表面に入射させるスパッタエ
ッチングの手法を採用している。そして、多くの場合、
低圧で高密度のプラズマが形成できることから、マグネ
トロン放電の構造を採用している。[0005] The pretreatment etching employs a sputter etching technique in which plasma is generated by gas discharge in a treatment chamber in which a substrate is placed, and ions in the plasma are incident on the surface of the substrate. And often,
Since a high-density plasma can be formed at low pressure, a magnetron discharge structure is employed.
【０００６】マグネトロン放電は、放電のための電界に
直交する磁界を設定し、電界と磁界との直交関係が周状
に連なるようにして電子をマグネトロン運動させながら
放電を維持するものである。マグネトロン放電による
と、電極の表面への衝突による電子の損失が少ないの
で、中性ガスを高効率でイオン化させることができ、よ
り低い圧力でもプラズマ密度を高くできる。このため、
基板の表面を汚損する可能性をより低くしつつ、充分な
速度で前処理エッチングを行うことができる特徴があ
る。In the magnetron discharge, a magnetic field perpendicular to the electric field for the discharge is set, and the discharge is maintained while the electrons are magnetron-moved so that the orthogonal relationship between the electric field and the magnetic field is continuous in a circumferential manner. According to the magnetron discharge, the electron loss due to the collision with the electrode surface is small, so that the neutral gas can be ionized with high efficiency, and the plasma density can be increased even at a lower pressure. For this reason,
There is a feature that pretreatment etching can be performed at a sufficient speed while reducing the possibility of soiling the surface of the substrate.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
前処理エッチングでは、基板の表面の各点におけるエッ
チング速度の分布（以下、エッチング速度分布）が均一
でない問題がある。このため、所定時間エッチングを行
った際、自然酸化膜又は保護膜等を充分除去できない未
エッチング箇所があったり、逆に、オーバーエッチング
となって下地である基板の表面を削ってしまう箇所があ
ったりする問題が生じている。本願の発明は、かかる課
題を解決するためになされたものであり、前処理エッチ
ングにおけるエッチング速度分布の均一性を改善すると
いう技術的意義を有する。However, in the conventional pretreatment etching, there is a problem that the distribution of the etching rate at each point on the surface of the substrate (hereinafter referred to as etching rate distribution) is not uniform. For this reason, when etching is performed for a predetermined time, there are unetched portions where the natural oxide film or the protective film cannot be sufficiently removed, or conversely, there are portions where overetching may cut the surface of the underlying substrate. Problem. The invention of the present application has been made to solve such a problem, and has a technical significance of improving the uniformity of the etching rate distribution in the pretreatment etching.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願の請求項１記載の発明は、基板の表面に薄膜を
作成する前に基板の表面をエッチングする前処理エッチ
ングを行う前処理エッチング装置であって、排気系を備
えた真空容器である前処理チャンバーと、前処理チャン
バー内にガスを導入するガス導入系と、前処理チャンバ
ー内に設けられた電極と、電極に電圧を印加して前処理
チャンバー内に電界を設定することでガスに放電を生じ
させる放電用電源と、放電用電源によって前処理チャン
バー内に設定された電界に直交する磁界を設定する磁石
ユニットと、放電により形成されたプラズマ中のイオン
が入射してエッチングが行われる位置に基板を保持する
基板ホルダーとを備えており、基板の表面に平行な面内
でのプラズマ密度の分布を均一にするよう磁石ユニット
をその中心軸に一致した自転軸の回りに回転させる自転
機構が設けられているという構成を有する。また、上記
課題を解決するため、請求項２記載の発明は、前記請求
項１の構成において、前記自転機構に加え、前記磁石ユ
ニットをその中心軸には一致しない公転軸の回りに回転
させる公転機構が設けられているとともに、自転軸と公
転軸との距離である偏心距離を変更する偏心距離変更機
構が設けられているという構成を有する。また、上記課
題を解決するため、請求項３記載の発明は、前記請求項
２の構成において、前記偏心距離変更機構は、前記自転
機構と前記公転機構とを前記公転軸には一致しない回転
軸の回りに回転させる回転機構であるという構成を有す
る。また、上記課題を解決するため、請求項４記載の発
明は、前記請求項３の構成において、前記自転機構にお
ける回転速度と前記公転機構における回転速度とを制御
して磁石ユニットの一点の軌跡のパターンを任意のもの
にする制御部を有するという構成を有する。また、上記
課題を解決するため、請求項５記載の発明は、前記請求
項３又は４の構成において、前記自転機構、前記公転機
構及び前記機構は、前記前処理チャンバーの外部に設け
られているという構成を有する。また、上記課題を解決
するため、請求項６記載の発明は、前記請求項１、２、
３、４又は５記載の前処理エッチング装置と、基板の表
面に薄膜を作成する処理を行う成膜チャンバーとを備え
た薄膜作成装置であって、前記前処理チャンバーから成
膜チャンバーに基板を大気に晒すことなく搬送する搬送
系を有しているという構成を有する。In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 of the present application provides a pre-process etching for etching a surface of a substrate before forming a thin film on the surface of the substrate. A pretreatment chamber which is a vacuum vessel equipped with an exhaust system, a gas introduction system for introducing gas into the pretreatment chamber, an electrode provided in the pretreatment chamber, and a voltage applied to the electrode. A power supply for discharging gas by setting an electric field in the pretreatment chamber, a magnet unit for setting a magnetic field perpendicular to the electric field set in the pretreatment chamber by the power supply for discharge, and a discharge unit. And a substrate holder that holds the substrate at a position where ions in the plasma that have been etched are incident upon being etched, and the plasma density in a plane parallel to the surface of the substrate is provided. Rotation mechanism for rotating the magnet unit so as to make uniform the fabric around the rotation axis coincides with the central axis thereof has a structure that is provided. According to another aspect of the present invention, in order to solve the above-described problem, in the configuration of the first aspect, in addition to the rotation mechanism, the magnet unit is rotated around a revolution axis that does not coincide with the center axis of the magnet unit. A mechanism is provided, and an eccentric distance changing mechanism for changing an eccentric distance which is a distance between the rotation axis and the revolution axis is provided. According to a third aspect of the present invention, in the configuration of the second aspect, the eccentric distance changing mechanism is configured such that the rotation mechanism and the revolving mechanism do not coincide with the revolving axis. It is a rotation mechanism that rotates around. According to a fourth aspect of the present invention, in order to solve the above problem, in the configuration of the third aspect, the rotation speed of the rotation mechanism and the rotation speed of the revolving mechanism are controlled to determine the locus of one point of the magnet unit. It has a configuration in which it has a control unit that makes the pattern arbitrary. According to a fifth aspect of the present invention, in order to solve the above problem, in the configuration of the third or fourth aspect, the rotation mechanism, the revolving mechanism, and the mechanism are provided outside the pretreatment chamber. It has the structure of. Further, in order to solve the above-mentioned problem, the invention according to claim 6 is based on claim 1, 2,
A thin film forming apparatus comprising: the pretreatment etching apparatus according to 3, 4 or 5; and a film formation chamber for performing a process of forming a thin film on the surface of the substrate, wherein the substrate is transferred from the pretreatment chamber to the film formation chamber by air. And a transport system that transports the wafers without exposing them.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態につ
いて説明する。まず、前処理エッチング装置の発明の実
施形態について説明する。図１は、実施形態の前処理エ
ッチング装置の正面断面概略図である。図１に示す装置
は、排気系１１を備えた真空容器である前処理チャンバ
ー１と、前処理チャンバー１内にガスを導入するガス導
入系２と、前処理チャンバー１内に設けられた電極３
と、電極３に電圧を印加して前処理チャンバー１内に電
界を設定することでガスに放電を生じさせる放電用電源
４と、放電用電源４によって前処理チャンバー１内に設
定された電界に直交する磁界を設定する磁石ユニット５
とを備えている。Embodiments of the present invention will be described below. First, an embodiment of the invention of a pretreatment etching apparatus will be described. FIG. 1 is a schematic front sectional view of a pretreatment etching apparatus according to an embodiment. The apparatus shown in FIG. 1 includes a pretreatment chamber 1 which is a vacuum vessel provided with an exhaust system 11, a gas introduction system 2 for introducing a gas into the pretreatment chamber 1, and an electrode 3 provided in the pretreatment chamber 1.
And a discharge power supply 4 for generating a discharge in the gas by applying a voltage to the electrode 3 to set an electric field in the pretreatment chamber 1, and an electric field set in the pretreatment chamber 1 by the discharge power supply 4. Magnet unit 5 for setting orthogonal magnetic fields
And
【００１０】前処理チャンバー１は、アルミ又はステン
レス等の金属製であり、電気的には接地されている。前
処理チャンバー１は、基板９の搬入搬出のための不図示
のゲートバルブを備えている。排気系１１は、ターボ分
子ポンプ等の真空ポンプを備えており、前処理チャンバ
ー１内を１０-5Ｐａ程度の到達圧力まで排気できるよう
構成されている。The pretreatment chamber 1 is made of metal such as aluminum or stainless steel, and is electrically grounded. The pre-processing chamber 1 includes a gate valve (not shown) for loading and unloading the substrate 9. The evacuation system 11 is provided with a vacuum pump such as a turbo molecular pump, and is configured to be able to evacuate the inside of the pretreatment chamber 1 to the ultimate pressure of about 10 −5 Pa.
【００１１】ガス導入系２は、放電に必要なアルゴン等
のガスを導入するようになっている。ガス導入系２は、
不図示の流量調整器を備えており、所定の流量でガスを
導入できるようになっている。The gas introduction system 2 introduces a gas such as argon necessary for electric discharge. Gas introduction system 2
A flow controller (not shown) is provided so that gas can be introduced at a predetermined flow rate.
【００１２】電極３は、本実施形態では、放電により形
成されたプラズマ中のイオンが入射してエッチングが行
われる位置に基板９を保持する基板ホルダーに兼用され
ている。即ち、電極３は、前処理チャンバー１内の下方
に設けた台状の部材である。基板９は、電極３の上に載
置されることで所定位置に保持される。尚、電極３の表
面に基板９を静電吸着する静電吸着機構が必要に応じて
設けられる。また、電極３と前処理チャンバー１との間
には絶縁材３１が設けられている。In the present embodiment, the electrode 3 is also used as a substrate holder that holds the substrate 9 at a position where ions in the plasma formed by the discharge enter and are etched. That is, the electrode 3 is a trapezoidal member provided below in the pretreatment chamber 1. The substrate 9 is held at a predetermined position by being placed on the electrode 3. Incidentally, an electrostatic chucking mechanism for electrostatically holding the substrate 9 on the surface of the electrode 3 is provided as necessary. Further, an insulating material 31 is provided between the electrode 3 and the pretreatment chamber 1.
【００１３】電極３が基板ホルダーを兼用しない構成を
採用することも可能である。例えば、台状の基板ホルダ
ーとは別に、これに対向する平板状の電極を前処理チャ
ンバー内に設け、この平板状の電極に高周波電圧を印加
するようにする構成が挙げられる。また、放電空間を取
り囲むコイル状の部材を電極として採用する構成も考え
られる。It is also possible to adopt a configuration in which the electrode 3 does not double as a substrate holder. For example, there is a configuration in which a plate-shaped electrode opposed to the plate-shaped substrate holder is provided in the pretreatment chamber, and a high-frequency voltage is applied to the plate-shaped electrode. Further, a configuration in which a coil-shaped member surrounding the discharge space is adopted as an electrode is also conceivable.
【００１４】放電用電源４には、本実施形態では、周波
数が４００ｋＨｚ〜７０ＭＨｚ程度、出力が５００〜７
００Ｗ程度の高周波電源が採用されている。異なる周波
数の二つの高周波電源が、放電用電源４として使用され
ることもある。放電用電源４は、不図示の整合器を介し
て電極３に高周波電力を与えるようになっている。電極
３に高周波電力が与えられると、接地電位である前処理
チャンバー１の器壁と電極３との間の空間に高周波電界
が設定される。ガス導入系２によって導入されたガスが
この高周波電界によって電離し、ガス放電が生じるよう
になっている。ガス放電によってプラズマが形成され、
プラズマ中のイオンが基板９の表面に入射することで、
基板９の表面の自然酸化膜等がスパッタエッチングされ
るようになっている。In this embodiment, the discharge power supply 4 has a frequency of about 400 kHz to 70 MHz and an output of 500 to 7
A high-frequency power supply of about 00 W is employed. Two high-frequency power supplies having different frequencies may be used as the discharge power supply 4. The discharge power supply 4 supplies high-frequency power to the electrode 3 via a matching device (not shown). When high-frequency power is applied to the electrode 3, a high-frequency electric field is set in the space between the electrode wall of the pretreatment chamber 1 and the electrode 3, which is a ground potential. The gas introduced by the gas introduction system 2 is ionized by the high-frequency electric field, and a gas discharge occurs. Plasma is formed by the gas discharge,
When ions in the plasma enter the surface of the substrate 9,
A natural oxide film on the surface of the substrate 9 is sputter-etched.
【００１５】また、本実施形態では、上記スパッタエッ
チングをより効率的にするため、基板９に自己バイアス
電圧を与える構成が採用されている。即ち、高周波電源
である放電用電源４がバイアス用コンデンサ４１を介し
て電極３に高周波電圧を印加する構成となっている。コ
ンデンサ等のキャパシタンスを介して電極３に高周波電
圧を印加すると、プラズマ中の電子とイオンの移動度の
違いから、電極３の表面は、高周波に負の直流分の電圧
を重畳したような電位変化となる。この直流分の電圧が
自己バイアス電圧である。自己バイアス電圧が与えられ
ると、殆ど接地電位であるプラズマとの間に電界が設定
される。この電界は、プラズマから基板９に向かって徐
々に低くなる勾配の電界である。この電界によってプラ
ズマ中のイオン（正電荷）が基板９に向かって加速さ
れ、効率よく基板９の表面に入射する。この結果、基板
９の表面の自然酸化膜等のスパッタエッチングがより効
率的に行われる。Further, in the present embodiment, in order to make the above sputter etching more efficient, a configuration for applying a self-bias voltage to the substrate 9 is employed. That is, the discharge power supply 4 which is a high-frequency power supply applies a high-frequency voltage to the electrode 3 via the bias capacitor 41. When a high-frequency voltage is applied to the electrode 3 through a capacitance such as a capacitor, the surface of the electrode 3 changes in potential as if a negative DC voltage was superimposed on the high frequency due to the difference in the mobility of electrons and ions in the plasma. Becomes This DC voltage is the self-bias voltage. When the self-bias voltage is applied, an electric field is set between the self-bias voltage and the plasma which is almost the ground potential. This electric field has a gradient that gradually decreases from the plasma toward the substrate 9. The ions (positive charges) in the plasma are accelerated toward the substrate 9 by this electric field, and efficiently enter the surface of the substrate 9. As a result, sputter etching of the natural oxide film or the like on the surface of the substrate 9 is performed more efficiently.
【００１６】バイアス用コンデンサ４１は、可変容量コ
ンデンサである。キャパシタンスの大きさを変えると、
自己バイアス電圧の大きさを調整することができる。従
って、バイアス用コンデンサ４１のキャパシタンスを任
意に調節して、最適な自己バイアス電圧が得られるよう
にする。尚、自己バイアス電圧が大きすぎると、イオン
が高いエネルギーで基板９の表面に入射して基板９の表
面を損傷したり、基板９中にイオンが混入したりする問
題が生ずることがある。また、自己バイアス電圧が小さ
すぎると、上記スパッタエッチングの効率化が充分にで
きなくなる場合がある。The bias capacitor 41 is a variable capacitor. By changing the size of the capacitance,
The magnitude of the self-bias voltage can be adjusted. Therefore, the capacitance of the bias capacitor 41 is arbitrarily adjusted so that an optimum self-bias voltage is obtained. If the self-bias voltage is too high, there is a problem that ions enter the surface of the substrate 9 with high energy to damage the surface of the substrate 9 or to mix ions into the substrate 9. If the self-bias voltage is too small, the efficiency of the sputter etching may not be sufficiently improved.
【００１７】磁石ユニット５は、中心磁石５１と、中心
磁石５１を取り囲む環状の周辺磁石５２と、中心磁石５
１及び周辺磁石５２とをつなぐヨーク５３とから構成さ
れている。この磁石ユニット５は、前処理チャンバー１
の外側、より具体的には、前処理チャンバー１の上壁部
の上側に設けられている。そして、上壁部を貫いて、図
１に示すように下方に突出した弧状の磁力線５４が設定
されるようになっている。The magnet unit 5 includes a center magnet 51, an annular peripheral magnet 52 surrounding the center magnet 51,
1 and a yoke 53 connecting the peripheral magnet 52 to the peripheral magnet 52. The magnet unit 5 includes the pretreatment chamber 1
, More specifically, above the upper wall of the pretreatment chamber 1. An arc-shaped magnetic force line 54 projecting downward through the upper wall portion as shown in FIG. 1 is set.
【００１８】前処理チャンバー１の上壁部は、電極３の
上面と平行である。従って、放電用電源４による電界
は、電極３と上壁部との間では図１に矢印Ｅで示すよう
に垂直方向である。一方、磁石ユニット５による磁力線
５４は、矢印Ｂで示すように、弧の下端部で電界に直交
する。従って、この部分で直交電磁界の構造が得られ、
マグネトロン放電が達成される。The upper wall of the pretreatment chamber 1 is parallel to the upper surface of the electrode 3. Accordingly, the electric field generated by the discharge power supply 4 is in a vertical direction between the electrode 3 and the upper wall as shown by the arrow E in FIG. On the other hand, the magnetic lines of force 54 of the magnet unit 5 are orthogonal to the electric field at the lower end of the arc, as shown by the arrow B. Therefore, the structure of the orthogonal electromagnetic field is obtained in this part,
A magnetron discharge is achieved.
【００１９】図２は、図１に示す磁石ユニット５の構成
を説明する平面図である。磁石ユニット５の中心磁石５
１は、平面視が台形である柱状の部材である。また、周
辺磁石５２は左右が若干膨らんだほぼ方形の輪郭を有す
る周状の磁石である。FIG. 2 is a plan view illustrating the configuration of the magnet unit 5 shown in FIG. Center magnet 5 of magnet unit 5
Reference numeral 1 denotes a columnar member that is trapezoidal in plan view. Further, the peripheral magnet 52 is a circumferential magnet having a substantially rectangular outline with a slightly expanded left and right side.
【００２０】さて、本実施形態の装置の大きな特徴点
は、磁石ユニット５に、自転機構６１、公転機構６２及
び偏心距離変更機構６３が設けられている点である。こ
の点について、図１及び図３を使用して説明する。図３
は、図１に示す装置の磁石ユニット５に設けられた自転
機構６１、公転機構６２及び偏心距離変更機構６３の詳
細を示す正面断面概略図である。自転機構６１、公転機
構６２及び偏心距離変更機構６３は、図１に示す機構ボ
ックス６４の内部に設けられている。図３は、この機構
ボックス６４内の詳細な構造を示している。The major feature of the apparatus of this embodiment is that the magnet unit 5 is provided with a rotation mechanism 61, a revolution mechanism 62 and an eccentric distance changing mechanism 63. This will be described with reference to FIGS. FIG.
FIG. 3 is a schematic front sectional view showing details of a rotation mechanism 61, a revolution mechanism 62 and an eccentric distance changing mechanism 63 provided in the magnet unit 5 of the device shown in FIG. 1. The rotation mechanism 61, the revolution mechanism 62, and the eccentric distance changing mechanism 63 are provided inside the mechanism box 64 shown in FIG. FIG. 3 shows a detailed structure inside the mechanism box 64.
【００２１】まず、自転機構６１の構成について説明す
る。自転機構６１は、ヨーク５３の背面に固定された保
持棒６１１と、保持棒６１１の端部に固定された自転用
第一ギア６１２と、自転用第一ギア６１２に噛み合う自
転用第二ギア６１３と、自転用第二ギア６１３を回転さ
せるモータなどの自転用駆動源６１４とから主に構成さ
れている。図３に示すように、保持棒６１１は、自転軸
６１Ａと磁石ユニット５の中心軸が一致するようにヨー
ク５３の背面に固定されている。自転用駆動源６１４が
駆動されると、自転用第二ギア６１３及び自転用第一ギ
ア６１２を介して保持棒６１１が回転し、これによって
磁石ユニット５４が全体に自転することになる。First, the structure of the rotation mechanism 61 will be described. The rotation mechanism 61 includes a holding rod 611 fixed to the back surface of the yoke 53, a first rotation gear 612 fixed to an end of the holding rod 611, and a second rotation gear 613 meshing with the first rotation gear 612. And a rotation driving source 614 such as a motor for rotating the rotation second gear 613. As shown in FIG. 3, the holding rod 611 is fixed to the back surface of the yoke 53 such that the rotation axis 61A and the center axis of the magnet unit 5 coincide. When the driving source for rotation 614 is driven, the holding rod 611 rotates via the second gear for rotation 613 and the first gear for rotation 612, whereby the magnet unit 54 rotates as a whole.
【００２２】次に公転機構６２について説明する。公転
機構６２は、保持棒６１１を挿通させるようにして設け
た筒状の公転用ブッシング６２１と、公転用ブッシング
６２１の端部に設けられた公転用第一ギア６２２と、公
転用第一ギア６２２に噛み合う公転用第二ギア６２３
と、公転用第二ギア６２３に連結された公転用駆動源６
２４とから主に構成されている。Next, the revolving mechanism 62 will be described. The revolving mechanism 62 includes a cylindrical revolving bushing 621 provided to allow the holding rod 611 to pass therethrough, a first revolving gear 622 provided at an end of the revolving bushing 621, and a first revolving gear 622. Reciprocating second gear 623 meshing with
And the revolution driving source 6 connected to the revolution second gear 623
24 mainly.
【００２３】公転用ブッシング６２１は、保持棒６１１
よりも若干大きな径の円柱状の内部空間を有し、この内
部空間に保持棒６１１を挿通させている。また、図２に
示すように公転用ブッシング６２１と保持棒６１１との
間には、上下に二つのベアリング６２０が設けられてい
る。公転用駆動源６２４が駆動されると、公転用第二ギ
ア６２３及び公転用第一ギア６２２を介して公転用ブッ
シング６２１が回転し、これによって、保持棒６１１、
自転用第一ギア６１２、自転用第二ギア６１３及び自転
用駆動源６１４が全体に公転軸６２Ａの回りに回転する
ことになる。この結果、磁石ユニット５４も公転軸６２
Ａの回りに回転するようになっている。The revolving bushing 621 includes a holding rod 611.
It has a cylindrical internal space having a diameter slightly larger than that of the internal space, and the holding rod 611 is inserted through this internal space. Also, as shown in FIG. 2, two bearings 620 are provided above and below between the revolution bushing 621 and the holding rod 611. When the revolution drive source 624 is driven, the revolution bushing 621 is rotated via the revolution second gear 623 and the revolution first gear 622, whereby the holding rod 611,
The first rotation gear 612, the second rotation gear 613, and the rotation drive source 614 rotate as a whole around the revolution shaft 62A. As a result, the magnet unit 54 also moves around the revolving shaft 62.
It rotates around A.
【００２４】図３に示すように、公転軸６２Ａは、自転
軸６１Ａには一致していない。自転軸６１Ａと公転軸６
２Ａとの距離は、偏心距離（図１及び図３中Ｌで示す）
である。尚、図１に示すように、公転軸６２Ａは、電極
３の上に載置された基板９の中心軸に一致するようにな
っている。As shown in FIG. 3, the revolution axis 62A does not coincide with the rotation axis 61A. Rotation axis 61A and revolution axis 6
The distance to 2A is the eccentric distance (shown by L in FIGS. 1 and 3).
It is. In addition, as shown in FIG. 1, the revolving axis 62 </ b> A coincides with the central axis of the substrate 9 placed on the electrode 3.
【００２５】次に、偏心距離変更機構６３の構成につい
て説明する。本実施形態の装置における偏心距離変更機
構６３は、自転機構６１と公転機構６２とを公転軸６２
Ａとは異なる回転軸６３Ａの回りに一体に回転させるこ
とによって偏心距離を変更するよう構成されている。即
ち、偏心距離変更機構６３は、公転用ブッシング６２１
を挿通させた筒状の偏心距離変更用ブッシング６３１
と、偏心距離変更用ブッシング６３１の外側面に固定さ
れた偏心距離変更用第一ギア６３２と、偏心距離変更用
第一ギア６３２に噛み合う偏心距離変更用第二ギア６３
３と、偏心距離変更用第二ギア６３３に連結された偏心
距離変更用駆動源６３４から主に構成されている。Next, the configuration of the eccentric distance changing mechanism 63 will be described. The eccentric distance changing mechanism 63 in the apparatus of the present embodiment is configured such that the rotation mechanism 61 and the revolution mechanism 62
The eccentric distance is configured to be changed by rotating integrally around a rotation shaft 63A different from A. That is, the eccentric distance changing mechanism 63 includes the orbiting bushing 621.
Bushing 631 for changing the eccentric distance, through which is inserted
An eccentric distance changing first gear 632 fixed to the outer surface of the eccentric distance changing bushing 631, and an eccentric distance changing second gear 63 meshing with the eccentric distance changing first gear 632.
3 and an eccentric distance changing drive source 634 connected to the eccentric distance changing second gear 633.
【００２６】偏心距離変更用ブッシング６３１は、公転
用ブッシング６２１の外径よりも若干大きな径の円柱状
の内部空間を有し、この内部空間に公転用ブッシング６
２１を挿通させている。偏心距離変更用ブッシング６３
１と公転用ブッシング６２１との間には、図３に示すよ
うに、上下に二つのベアリング６３０が設けられてい
る。The eccentric distance changing bushing 631 has a cylindrical internal space having a diameter slightly larger than the outer diameter of the revolving bushing 621.
21 is inserted. Bushing 63 for changing eccentric distance
As shown in FIG. 3, two bearings 630 are provided above and below between the bearing 1 and the revolution bushing 621.
【００２７】また、図３に示すように、機構ボックス６
４内には、取り付け板６５が設けられている。取り付け
板６５は、回転軸６３Ａを中心とした円筒状である。機
構ボックス６４の下板部には円形の開口が設けられてお
り、この開口の縁から上方に延びるようにして取り付け
板６５が固定されている。そして、偏心距離変更用ブッ
シング６３１の周辺部分には、図３に示すように取り付
け板６５が内部に位置する凹部が周状に形成されてい
る。この凹部も、回転軸６３Ａを中心とした円筒状の形
状である。尚、凹部の幅は取り付け板６５の厚さよりも
若干大きく、図３に示すように取り付け板６５の内面と
凹部の中心側の表面との間に上下に二つのベアリング６
３５が設けられている。尚、機構ボックス６４は、図１
に示すように、ボックス固定具６６によって前処理チャ
ンバー１に固定されている。Further, as shown in FIG.
A mounting plate 65 is provided in 4. The mounting plate 65 has a cylindrical shape centered on the rotation shaft 63A. A circular opening is provided in a lower plate portion of the mechanism box 64, and a mounting plate 65 is fixed so as to extend upward from an edge of the opening. In the peripheral portion of the eccentric distance changing bushing 631, a concave portion in which the mounting plate 65 is located is formed circumferentially as shown in FIG. This recess also has a cylindrical shape centered on the rotation shaft 63A. The width of the recess is slightly larger than the thickness of the mounting plate 65. As shown in FIG. 3, the two bearings 6 are arranged vertically between the inner surface of the mounting plate 65 and the surface on the center side of the recess.
35 are provided. The mechanism box 64 is the same as that shown in FIG.
As shown in (1), it is fixed to the pretreatment chamber 1 by a box fixing tool 66.
【００２８】偏心距離変更用ブッシング６３１は、ベア
リング６３５を介して回転可能に取り付け板６５に保持
された状態となっている。偏心距離変更用駆動源６３４
が駆動されると、偏心距離変更用第二ギア６３３及び偏
心距離変更用第一ギア６３２を介して偏心距離変更用ブ
ッシング６３１が回転し、この回転によって自転機構６
１と公転機構６２とが一体に回転軸６３Ａの回りに回転
するようになっている。The eccentric distance changing bushing 631 is rotatably held by the mounting plate 65 via a bearing 635. Eccentric distance change drive source 634
Is driven, the eccentric distance changing bushing 631 is rotated via the eccentric distance changing second gear 633 and the eccentric distance changing first gear 632, and this rotation causes the rotation mechanism 6 to rotate.
1 and the revolving mechanism 62 are integrally rotated around the rotation shaft 63A.
【００２９】この偏心距離変更機構６３による回転の回
転軸６３Ａは、公転軸６２Ａとは異なる位置に設定され
ており、公転軸６２Ａ及び自転軸６１Ａは回転軸６３Ａ
の回りに回転していくことになる。この際、自転の回転
速度及び公転の回転速度を適宜設定することにより、自
転軸６１Ａと公転軸６２Ａとの位置関係が周期的に変化
し、これによって偏心距離が変更されることになる。The rotating shaft 63A of the rotation by the eccentric distance changing mechanism 63 is set at a position different from the revolving shaft 62A, and the revolving shaft 62A and the rotating shaft 61A are connected to the rotating shaft 63A.
It will rotate around. At this time, by appropriately setting the rotation speed of the rotation and the rotation speed of the revolution, the positional relationship between the rotation shaft 61A and the revolution shaft 62A changes periodically, thereby changing the eccentric distance.
【００３０】上述した自転機構６１、公転機構６２及び
偏心距離変更機構６３は、いずれも、基板９の表面のエ
ッチング速度分布の均一性を改善する技術的意義があ
る。この点について以下に説明する。The above-described rotation mechanism 61, revolving mechanism 62 and eccentric distance changing mechanism 63 all have technical significance for improving the uniformity of the etching rate distribution on the surface of the substrate 9. This will be described below.
【００３１】スパッタエッチングは、前述した通りプラ
ズマ中のイオンが基板９の表面に入射することにより生
ずる。従って、エッチング速度分布は、プラズマ中のイ
オンの分布に依存する。プラズマ中のイオンの分布はプ
ラズマ密度分布と基本的に等価である。一方、本実施形
態のようにプラズマ中に磁界を設定する構成では、磁束
によって荷電粒子（電子及びイオン）が捉えられるた
め、プラズマ分布は磁束密度の分布に依存する。従っ
て、エッチング速度分布を均一にするには、基板９の表
面に平行な面内における磁束密度分布が均一になるよう
に磁界を設定すればよい。As described above, sputter etching occurs when ions in the plasma enter the surface of the substrate 9. Therefore, the etching rate distribution depends on the distribution of ions in the plasma. The distribution of ions in the plasma is basically equivalent to the plasma density distribution. On the other hand, in the configuration in which the magnetic field is set in the plasma as in the present embodiment, the charged particles (electrons and ions) are captured by the magnetic flux, and thus the plasma distribution depends on the distribution of the magnetic flux density. Therefore, in order to make the etching rate distribution uniform, the magnetic field may be set so that the magnetic flux density distribution in a plane parallel to the surface of the substrate 9 becomes uniform.
【００３２】しかしながら、マグネトロン放電を達成す
る磁石の構成において、このような面に均一な磁界を設
定することは一般的に難しい。マグネトロン放電の古典
的な構成は、ペニングの発明による同軸円筒形マグネト
ロン放電である。この構成では、中心軸である電極を周
回するように電子がマグネトロン運動し、電極の表面が
曲面になるので、基板９のような板状物に対する処理す
るには向いていない。このようなことから、本実施形態
のような平板マグネトロン放電の技術が開発された。平
板マグネトロン放電では、平板状の電極に平行な面内に
おいて電子が周状にマグネトロン運動する。従って、基
板９のような板状物の処理に向いている。However, it is generally difficult to set a uniform magnetic field on such a surface in the configuration of a magnet for achieving magnetron discharge. The classic configuration of a magnetron discharge is a coaxial cylindrical magnetron discharge according to the invention of Penning. In this configuration, electrons are magnetron-moved so as to go around the electrode, which is the central axis, and the surface of the electrode becomes a curved surface. Therefore, it is not suitable for processing a plate-like object such as the substrate 9. For this reason, a flat-plate magnetron discharge technique as in the present embodiment has been developed. In a flat plate magnetron discharge, electrons make a magnetron motion in a circumferential shape in a plane parallel to a flat electrode. Therefore, it is suitable for processing a plate-like object such as the substrate 9.
【００３３】しかしながら、平板マグネトロン放電で
は、電磁界の直交関係が成立して電子がマグネトロン運
動している周状の空間領域でのみ放電が強くなり、この
空間領域のプラズマ密度が高くなり易い。このため、こ
のような放電を利用した前処理エッチングでは、基板９
の表面のうち、プラズマ密度の高い周状の空間領域を望
む周状の表面領域でのみエッチング速度が速くなる傾向
がある。However, in a flat plate magnetron discharge, the orthogonal relationship between the electromagnetic fields is established, and the discharge becomes strong only in a circumferential space region where electrons are magnetron-moving, and the plasma density in this space region tends to increase. For this reason, in the pretreatment etching utilizing such discharge, the substrate 9
Of these surfaces, the etching rate tends to increase only in a peripheral surface region where a peripheral space region having a high plasma density is desired.
【００３４】図４は、本実施形態の構成において磁石ユ
ニット５を回転させない場合と回転させる場合とでエッ
チング速度分布がどのように異なるかを示すものであ
り、（１）が回転させない場合、（２）が回転させる場
合である。図４（１）に示すように、磁石ユニット５を
回転させない場合、電磁界の直交関係が成立している空
間領域の望む領域でエッチング速度が高くなる傾向があ
る。一方、自転機構６１及び自転機構６２を動作させて
磁石ユニット５を回転させると、図４（２）に示すよう
に、空間的には不均一であるプラズマ密度が時間的に均
一化される。つまり、時間平均したプラズマ密度は、基
板９の表面に平行な面内でより均一になる。このため、
基板９の表面に対するエッチング速度も、ある時間内で
時間平均するとより均一になり、均一なエッチングが行
えることになる。FIG. 4 shows how the etching rate distribution differs between the case where the magnet unit 5 is not rotated and the case where the magnet unit 5 is rotated in the configuration of the present embodiment. 2) is the case of rotating. As shown in FIG. 4A, when the magnet unit 5 is not rotated, the etching rate tends to increase in a desired region of the space region in which the orthogonal relationship between the electromagnetic fields is established. On the other hand, when the rotation mechanism 61 and the rotation mechanism 62 are operated to rotate the magnet unit 5, as shown in FIG. 4B, the spatially nonuniform plasma density is made uniform over time. That is, the time averaged plasma density becomes more uniform in a plane parallel to the surface of the substrate 9. For this reason,
The etching rate with respect to the surface of the substrate 9 becomes more uniform if the time is averaged within a certain period of time, and uniform etching can be performed.
【００３５】自転機構６１における自転速度及び公転機
構６２における公転速度は、時間平均したエッチング速
度が空間的により均一になるよう設定される。本実施形
態の装置では、さらに偏心距離変更機構６３が設けられ
ているので、時間平均エッチング速度の均一化がさらに
効果的に行えるようになっている。以下、この点につい
て説明する。The rotation speed of the rotation mechanism 61 and the rotation speed of the rotation mechanism 62 are set such that the time-averaged etching rate becomes spatially more uniform. In the apparatus of the present embodiment, since the eccentric distance changing mechanism 63 is further provided, the time-averaged etching rate can be made more uniform. Hereinafter, this point will be described.
【００３６】図５及び図６は、図３に示す自転機構６１
及び公転機構６２により自転及び公転する際の磁石ユニ
ット５上の一点の軌跡を示す概略図である。磁石ユニッ
ト５上の任意の点例えば周辺部分に位置する点ａ（図２
に示す）と自転軸６１Ａの近傍の点Ｐ（図２に示す）と
について、それぞれ磁石ユニット５が自転及び公転を行
った際にどのような軌跡を描くかについて検討してみ
る。この軌跡を描いたのが、図５及び図６であり、図５
が点ａの軌跡を示し、図６が点Ｐの軌跡を示している。FIGS. 5 and 6 show the rotation mechanism 61 shown in FIG.
FIG. 7 is a schematic diagram showing a locus of one point on the magnet unit 5 when rotating and revolving by the revolving mechanism 62. An arbitrary point on the magnet unit 5, for example, a point a located at a peripheral portion (FIG. 2)
) And a point P (shown in FIG. 2) near the rotation axis 61A will be examined as to what trajectory is drawn when the magnet unit 5 rotates and revolves. FIGS. 5 and 6 illustrate this locus, and FIG.
Shows the locus of point a, and FIG. 6 shows the locus of point P.
【００３７】まず、図５の（１）には前述した偏心距離
変更機構６３を動作させない場合、即ち、偏心距離Ｌが
一定の場合の点ａの軌跡を示している。また、図５の
（２）及び（３）には、偏心距離Ｌを変化させた場合の
点ａの軌跡を示している。図５の（１），（２），
（３）においてａ１，ａ２，ａ３が点ａの軌跡を示し、
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３が公転軸に対する自転軸の軌跡をそれ
ぞれ示している。尚、図５における点ａの原点は、図示
の都合上、図３の図示状態に対して９０度反時計回りに
ずらした位置となっている。図５の（２），（３）に示
す通り、偏心距離を変化させると点ａは偏心距離を変化
させない場合とは異なったパターンで移動するようにな
り、従って、磁石ユニット５によって形成される磁界も
異なったパターンで回転していくことになる。First, FIG. 5A shows the locus of the point a when the eccentric distance changing mechanism 63 is not operated, that is, when the eccentric distance L is constant. 5 (2) and 5 (3) show the locus of the point a when the eccentric distance L is changed. (1), (2),
In (3), a1, a2, and a3 indicate the locus of the point a,
L1, L2, and L3 indicate the trajectories of the rotation axis with respect to the revolution axis, respectively. Note that the origin of the point a in FIG. 5 is a position shifted by 90 degrees counterclockwise with respect to the illustrated state of FIG. 3 for convenience of illustration. As shown in (2) and (3) of FIG. 5, when the eccentric distance is changed, the point a moves in a different pattern from the case where the eccentric distance is not changed, and therefore, the point a is formed by the magnet unit 5. The magnetic field will also rotate in a different pattern.
【００３８】さらに、図６の（１）から（５）には、各
偏心距離Ｌにおける点Ｐの軌跡が示されている。まず、
図６の（１）には偏心距離Ｌを最大とし、この最大の値
で変化させずに磁石ユニット５を自転及び公転させた場
合の点Ｐの軌跡Ｐ１が示されている。また、図６（２）
には、偏心距離Ｌを最大の偏心距離Ｌmaxの１／２にし
た場合の点Ｐの軌跡Ｐ２が示されている。また、図６
（３）には、偏心距離Ｌを最大偏心距離Ｌmaxからその
１／２の距離の間で変化させた際の点Ｐの軌跡Ｐ３が示
されている。また、図６の（４）には、（３）の場合と
は異なるパターンで偏心距離を変化させた場合の点Ｐの
軌跡Ｐ４が示されている。更に、図６の（５）には、偏
心距離ゼロ、即ち、自転軸と公転軸とを一致させた場合
の点Ｐの軌跡Ｐ５が示されている。Further, (1) to (5) of FIG. 6 show the locus of the point P at each eccentric distance L. First,
FIG. 6A shows the locus P1 of the point P when the eccentric distance L is maximized and the magnet unit 5 rotates and revolves without changing at the maximum value. FIG. 6 (2)
Shows a locus P2 of the point P when the eccentric distance L is set to 1/2 of the maximum eccentric distance Lmax. FIG.
(3) shows the trajectory P3 of the point P when the eccentric distance L is changed from the maximum eccentric distance Lmax to a half of the maximum eccentric distance Lmax. FIG. 6D shows a locus P4 of the point P when the eccentric distance is changed in a different pattern from the case of FIG. Further, FIG. 6 (5) shows a locus P5 of the point P when the eccentric distance is zero, that is, when the rotation axis and the revolution axis are made to coincide with each other.
【００３９】この図６の各図に示すように、偏心距離を
いろいろと変化させ、その変化のパターンを更に変化さ
せることで、磁石ユニット５上の点Ｐは種々の様々な異
なった軌跡を取ることが分かる。このように、公転軸に
対する自転軸の偏心距離を適宜変化させることにより、
磁石ユニット５上の点は種々の様々なパターンで軌跡を
描くことになり、従って、磁石ユニット５による磁界も
種々の異なったパターンで回転させることができること
になる。As shown in FIGS. 6A and 6B, the point P on the magnet unit 5 takes various various trajectories by changing the eccentric distance variously and further changing the pattern of the change. You can see that. Thus, by appropriately changing the eccentric distance of the rotation axis with respect to the revolution axis,
The points on the magnet unit 5 will trace in various different patterns, so that the magnetic field by the magnet unit 5 can be rotated in various different patterns.
【００４０】公転軸に対する自転軸の偏心距離の変化の
させ方は、前述したように自転用駆動源６１４の回転速
度、公転用駆動源６２４の回転速度、更には偏心距離変
更駆動源６３４の回転速度を適宜選定して与えることに
より、任意のパターンとすることができる。従って、時
間平均エッチング速度分布がより均一になる望ましい回
転磁界のパターンを予め実験的に求めておき、そのよう
なパターンになるように各駆動源６１４，６２４，６３
４に制御部６０から制御信号を送る構成となっている。
尚、どのようなパターンにより時間平均エッチング速度
分布が最も均一化されるかは、圧力、ガスの種類、高周
波の周波数や電力、磁界強度等の条件により変わると考
えられる。いずれにしても、本実施形態の装置では、エ
ッチング速度分布の均一性が改善されるので、オーバー
エッチングや未エッチングの問題が抑制される。How to change the eccentric distance of the rotation axis with respect to the revolution axis depends on the rotation speed of the rotation drive source 614, the rotation speed of the revolution drive source 624, and the rotation of the eccentric distance change drive source 634, as described above. An arbitrary pattern can be obtained by appropriately selecting and giving the speed. Therefore, a desirable pattern of the rotating magnetic field at which the time-averaged etching rate distribution becomes more uniform is experimentally obtained in advance, and the driving sources 614, 624, 63 are designed so as to have such a pattern.
4, a control signal is sent from the control unit 60.
It is considered that the pattern in which the time-averaged etching rate distribution is most uniform by the pattern changes depending on conditions such as pressure, type of gas, high-frequency frequency, electric power, and magnetic field strength. In any case, in the apparatus of the present embodiment, the uniformity of the etching rate distribution is improved, so that the problems of over-etching and unetching are suppressed.
【００４１】次に、薄膜作成装置の発明の実施形態につ
いて説明する。薄膜作成装置の発明の実施形態は、上記
実施形態の前処理エッチング装置を備えた構成である。
図７は、薄膜作成装置の発明の実施形態の構成を示す平
面概略図である。Next, an embodiment of the invention of a thin film forming apparatus will be described. The embodiment of the invention of the thin film forming apparatus has a configuration including the pretreatment etching apparatus of the above embodiment.
FIG. 7 is a schematic plan view showing the configuration of an embodiment of the invention for a thin film forming apparatus.
【００４２】図７に示す薄膜作成装置は、クラスターツ
ール型の装置であり、中央に配置された搬送チャンバー
７１と、搬送チャンバー７１の周囲に設けられた複数の
処理チャンバー１，７２，７３，７４，７５，７６及び
二つのロードロックチャンバー７７とからなるチャンバ
ーレイアウトになっている。The thin film forming apparatus shown in FIG. 7 is a cluster tool type apparatus, and includes a transfer chamber 71 disposed at the center and a plurality of processing chambers 1, 72, 73 and 74 provided around the transfer chamber 71. , 75, 76 and two load lock chambers 77.
【００４３】各チャンバー１，７１，７２，７３，７
４，７５，７６，７７は、専用又は兼用の排気系（図７
中不図示）によって排気される真空容器である。中央の
搬送チャンバー７１に対して、各チャンバー１，７２，
７３，７４，７５，７６，７７は気密に接続されてお
り、その接続個所には、内部にゲートバルブが設けられ
たゲートバルブ室７９が介在している。そして、処理チ
ャンバー１は、前述した前処理チャンバー１に相当して
おり、この部分が上記実施形態の前処理エッチング装置
の構成となっている。Each chamber 1, 71, 72, 73, 7
4, 75, 76, 77 are dedicated or combined exhaust systems (FIG. 7).
(Not shown). Each chamber 1, 72,
73, 74, 75, 76, and 77 are air-tightly connected, and a gate valve chamber 79 having a gate valve provided therein is interposed at the connection point. The processing chamber 1 corresponds to the pre-processing chamber 1 described above, and this portion is the configuration of the pre-processing etching apparatus of the above embodiment.
【００４４】搬送チャンバー７１は、各処理チャンバー
１，７２，７３，７４，７５，７６を相互に気密に分離
して内部雰囲気の相互汚染を防止するとともに、各処理
チャンバー１，７２，７３，７４，７５，７６やロード
ロックチャンバー７７への基板搬送の経由空間となるも
のである。搬送チャンバー７１内には、搬送系を構成す
る搬送ロボット７８が設けられている。搬送ロボット７
８は、一方のロードロックチャンバー７７から基板９を
一枚ずつ取り出し、各処理チャンバー１，７２，７３，
７４，７５，７６に送って順次処理を行うことになって
いる。そして、最後の処理を終了した後、一方又は他方
のロードロックチャンバー７７に戻すようになってい
る。The transfer chamber 71 separates the processing chambers 1, 72, 73, 74, 75, and 76 from each other in a gas-tight manner to prevent mutual contamination of the internal atmosphere. , 75, 76 and the load lock chamber 77. In the transfer chamber 71, a transfer robot 78 constituting a transfer system is provided. Transfer robot 7
8 takes out the substrates 9 one by one from one of the load lock chambers 77, and treats each of the processing chambers 1, 72, 73,
The data is sent to 74, 75 and 76 for sequential processing. Then, after the last processing is completed, the processing is returned to one or the other load lock chamber 77.
【００４５】次に、処理チャンバー７２，７３，７４，
７５，７６の構成の一例について説明する。処理チャン
バー７２，７３，７４，７５，７６の構成は、成膜処理
の内容によって異なる。一例として、二つの層の間の相
互汚損を防止するバリア膜を作成する場合の構成につい
て説明する。Next, the processing chambers 72, 73, 74,
An example of the configuration of 75 and 76 will be described. The configuration of the processing chambers 72, 73, 74, 75, 76 differs depending on the content of the film forming process. As an example, a configuration in the case of forming a barrier film that prevents mutual contamination between two layers will be described.
【００４６】バリア膜を作成する場合、一つの処理チャ
ンバー７２は、成膜に先だって基板９を予備加熱するプ
リヒートチャンバーとして構成される。また、別の処理
チャンバー７３，７４は、スパッタリングによってバリ
ア膜を作成するよう構成される。バリア膜には、チタン
と窒化チタンの積層膜が採用されることが多く、この場
合は、一つの処理チャンバー７３でチタン薄膜を作成
し、別の一つの処理チャンバー７４で窒化チタン薄膜を
作成する。残りの二つの処理チャンバー７５，７６は、
予備のチャンバーであり、例えば基板の冷却が必要な場
合には冷却チャンバーとして構成される。When forming a barrier film, one processing chamber 72 is configured as a preheat chamber for preheating the substrate 9 prior to film formation. Further, the other processing chambers 73 and 74 are configured to create a barrier film by sputtering. In many cases, a stacked film of titanium and titanium nitride is used as the barrier film. In this case, a titanium thin film is formed in one processing chamber 73 and a titanium nitride thin film is formed in another processing chamber 74. . The remaining two processing chambers 75 and 76
This is a spare chamber, and is configured as a cooling chamber when the substrate needs to be cooled, for example.
【００４７】本実施形態の装置では、スパッタリングに
よる成膜を行うようになっている。成膜のための構成に
ついて、処理チャンバー７３を例にして説明する。図８
は、図７に示す薄膜作成装置における処理チャンバー７
３の構成を示す正面断面概略図である。図８に示すよう
に、処理チャンバー７３内には、所定位置で基板９を保
持する基板ホルダー７３１と、基板ホルダー７３１に対
向して設けられたターゲット７３２と、処理チャンバー
７３，７４内にガスを導入するガス導入系７３３とが設
けられている。In the apparatus of this embodiment, the film is formed by sputtering. A configuration for film formation will be described using the processing chamber 73 as an example. FIG.
Is a processing chamber 7 in the thin film forming apparatus shown in FIG.
FIG. 3 is a schematic front cross-sectional view showing a configuration of No. 3. As shown in FIG. 8, in the processing chamber 73, a substrate holder 731 for holding the substrate 9 at a predetermined position, a target 732 provided to face the substrate holder 731, and a gas in the processing chambers 73 and 74. A gas introduction system 733 for introduction is provided.
【００４８】ターゲット７３２は、成膜する材料より形
成されている。ターゲット７３２に負の高電圧又は高周
波電圧を印加するスパッタ電源７３４が設けられてい
る。ターゲット７３２の背後には、マグネトロンスパッ
タを可能する磁石ユニット７３５等から構成されてい
る。磁石ユニット７３５の構成は、前述した前処理エッ
チング装置におけるものとほぼ同様である。また、磁石
ユニット７３５も、図８中不図示の自転機構及び公転機
構により回転するようになっている。これらの機構は、
図３に示すものと同様である。尚、基板ホルダー７３１
には、基板９に自己バイアス電圧を与えるための高周波
電源７３７が整合器７３８を介して設けられている。The target 732 is formed of a material for forming a film. A sputtering power supply 734 for applying a negative high voltage or a high frequency voltage to the target 732 is provided. Behind the target 732, a magnet unit 735 capable of performing magnetron sputtering is provided. The configuration of the magnet unit 735 is almost the same as that in the pretreatment etching apparatus described above. The magnet unit 735 is also rotated by a rotation mechanism and a revolving mechanism not shown in FIG. These mechanisms
It is similar to that shown in FIG. The substrate holder 731
, A high frequency power supply 737 for applying a self-bias voltage to the substrate 9 is provided via a matching unit 738.
【００４９】所定のガスをガス導入系７３３により処理
チャンバー７３内に導入し、排気系７３６を制御して処
理チャンバー７３内の圧力を所定の値に調整する。この
状態で、スパッタ電源７３４を動作させてスパッタ放電
を生じさせる。ターゲットがスパッタされ、基板ホルダ
ー７３１上の基板９の表面に所定の薄膜が作成される。
窒化チタン膜を作成する場合には、チタン製のターゲッ
ト７３２を使用し、窒素ガスを導入してスパッタを行
う。A predetermined gas is introduced into the processing chamber 73 by the gas introduction system 733, and the pressure in the processing chamber 73 is adjusted to a predetermined value by controlling the exhaust system 736. In this state, the sputter power supply 734 is operated to generate sputter discharge. The target is sputtered to form a predetermined thin film on the surface of the substrate 9 on the substrate holder 731.
When a titanium nitride film is formed, sputtering is performed using a target 732 made of titanium and introducing a nitrogen gas.
【００５０】また、図７に示すように、大気側には外部
カセット８１が配置されている。そして、外部カセット
８１に収容されている未処理の基板９をロードロックチ
ャンバー７７のカセット７７１に搬送するとともに、処
理済みの基板９をカセット７７１から外部カセット８１
に搬送するオートローダ８２が設けられている。As shown in FIG. 7, an external cassette 81 is disposed on the atmosphere side. Then, the unprocessed substrates 9 stored in the external cassette 81 are transported to the cassette 771 of the load lock chamber 77, and the processed substrates 9 are transferred from the cassette 771 to the external cassette 81.
Is provided.
【００５１】次に、本実施形態の装置全体の動作につい
て、図７を使用して説明する。未処理の基板９は、オー
トローダ８２により、外部カセット８１からロードロッ
クチャンバー７７に搬送され、カセット７７１に収容さ
れる。ロードロックチャンバー７７内のカセット７７１
には、所定数の未処理の基板９が収容される。搬送ロボ
ット７８は、カセット７７１から一枚の基板９を取り出
し、各処理チャンバー７２，１，７３，７４，７５，７
６に送って順次成膜処理を行う。成膜処理が終わった基
板９は、ロードロックチャンバー７７内のカセット７７
１に戻される。そして、オートローダ８２により大気側
の外部カセット８１に取り出される。Next, the operation of the entire apparatus of the present embodiment will be described with reference to FIG. The unprocessed substrate 9 is transferred from the external cassette 81 to the load lock chamber 77 by the autoloader 82, and is stored in the cassette 771. Cassette 771 in load lock chamber 77
Accommodates a predetermined number of unprocessed substrates 9. The transfer robot 78 takes out one substrate 9 from the cassette 771 and processes each of the processing chambers 72, 1, 73, 74, 75, 7.
6 to sequentially perform a film forming process. The substrate 9 on which the film forming process has been completed is loaded into the cassette 77 in the load lock chamber 77.
Returned to 1. Then, it is taken out by the autoloader 82 to the external cassette 81 on the atmosphere side.
【００５２】本実施形態の薄膜作成装置では、前処理チ
ャンバー１で前処理エッチングが行われた基板９が、大
気に取り出されることなく真空中で搬送されて処理チャ
ンバー７３，７４に送られ、成膜が行われる。従って、
前処理エッチングによって清浄化された基板９の表面
は、大気によって再酸化される等の汚損が生じることが
なく、清浄な表面のままで成膜が行われる。このため、
成膜処理の品質が向上し、良質な薄膜を回路として使用
した良質な素子を製造することができる。In the thin film forming apparatus of the present embodiment, the substrate 9 which has been subjected to the pre-processing etching in the pre-processing chamber 1 is transported in vacuum without being taken out to the atmosphere and sent to the processing chambers 73 and 74, where it is formed. The membrane is made. Therefore,
The surface of the substrate 9 that has been cleaned by the pre-treatment etching does not suffer from contamination such as being re-oxidized by the atmosphere, and the film is formed while keeping the clean surface. For this reason,
The quality of the film forming process is improved, and a high-quality element using a high-quality thin film as a circuit can be manufactured.
【００５３】上述した各実施形態では、自転機構６１と
公転機構６２とが設けられた構成であったが、自転機構
６１のみでも効果がある。即ち、基板９の表面と平行な
面内でなるべく均一な磁界になるように磁石ユニット５
を構成した場合でも、完全に均一することはできない。
この場合、自転機構６１により磁石ユニット５を自転さ
せることで、円周方向の磁界が時間的に平均化される。
このため、円周方向でのプラズマ密度の不均一性を改善
することができる。In each of the embodiments described above, the rotation mechanism 61 and the revolving mechanism 62 are provided. However, the rotation mechanism 61 alone is effective. That is, the magnet unit 5 is set so that the magnetic field becomes as uniform as possible in a plane parallel to the surface of the substrate 9.
Even if it comprises, it cannot be made completely uniform.
In this case, the magnetic field in the circumferential direction is averaged over time by rotating the magnet unit 5 by the rotation mechanism 61.
Therefore, the non-uniformity of the plasma density in the circumferential direction can be improved.
【００５４】また、自転機構６１及び公転機構６２はギ
アによって直結して回転させる機構のものを採用した
が、ベルトなどによって運動を伝達する機構を採用して
も良い。また、偏心距離変更機構６３は、自転機構６１
及び回転機構６２を一体に回転させるものを例として示
したが、固定された公転機構６２に対して自転機構６１
のみを直線的に移動させるような、又は、回転して移動
させるような機構でもよい。Although the rotation mechanism 61 and the revolving mechanism 62 employ a mechanism that is directly connected to and rotated by gears, a mechanism that transmits motion by a belt or the like may be employed. The eccentric distance changing mechanism 63 includes a rotation mechanism 61.
And the rotation mechanism 62 is integrally rotated, but the rotation mechanism 61 is rotated with respect to the fixed revolving mechanism 62.
It is also possible to use a mechanism that linearly moves only the object or that rotates and moves only the object.
【００５５】尚、自転機構６１等が真空容器１外に配置
される実施形態の機構は、塵や埃などが発生しやすい機
構部分が真空容器１の外になるため、真空容器１内に塵
や埃を発生させることがない。従って、本実施形態の装
置は、これらの塵や埃による基板の汚損が未然に防止さ
れる点で優れている。The mechanism of the embodiment in which the rotation mechanism 61 and the like are disposed outside the vacuum vessel 1 has a mechanism in which dust and dirt are likely to be generated outside the vacuum vessel 1. No dust or dust is generated. Therefore, the device of the present embodiment is excellent in that the contamination of the substrate by these dusts and dirt is prevented.
【００５６】[0056]
【実施例】次に、上記実施形態に属する実施例を説明す
る。以下の説明では、基板９がシリコンウェーハであ
り、前処理エッチングが基板９の表面の自然酸化膜（Ｓ
ｉＯ2 ）を除去する処理である場合を例にする。この場
合、以下の条件により、前処理エッチングを行うと好適
である。 ガス：Ａｒ 圧力：５Ｐａ 高周波の周波数及び電力：６０ＭＨｚ，２００Ｗ 磁束密度：１００ガウス 尚、磁束密度は、真空容器１の上壁部から１０ｍｍ程度
下方のアーチ状の磁力線のピークの位置（図１中にＢp
で示す）における値である。このような条件でエッチン
グを行うと、６０秒程度の時間で基板９の表面の自然酸
化膜をほぼ完全に除去でき、問題となるオーバーエッチ
ングや未エッチングは生じない。Next, an example belonging to the above embodiment will be described. In the following description, the substrate 9 is a silicon wafer, and the pre-process etching is performed by using a natural oxide film (S
An example in which the processing is for removing iO 2 ) will be described. In this case, it is preferable to perform pretreatment etching under the following conditions. Gas: Ar Pressure: 5 Pa High frequency and power: 60 MHz, 200 W Magnetic flux density: 100 gauss The magnetic flux density is determined by the position of the peak of the arc-shaped magnetic field line about 10 mm below the upper wall of the vacuum vessel 1 (in FIG. 1). To Bp
). When etching is performed under such conditions, the natural oxide film on the surface of the substrate 9 can be almost completely removed in about 60 seconds, and there is no problem of over-etching or unetching.
【００５７】図９は、従来の構成による前処理エッチン
グと上記実施例による前処理エッチングとを比較した実
験の結果を示す図である。図９の（１）は従来の構成に
よる前処理エッチングであり、磁石ユニット５を全く回
転させない場合のエッチング量の分布、（２）は実施例
の構成によるエッチング量の分布を示している。尚、図
９の縦軸では、基板９の表面の各点におけるエッチング
量の平均値に対してエッチング量の多い方を−側、少な
い方を＋側にしている。また、図９の横軸は、基板９の
表面の位置を基板９の中心からの距離で示しており、基
板９の中心からある向きに離れる側を＋側、これとは反
対側を−側としている。FIG. 9 is a diagram showing the results of an experiment comparing pre-processing etching with the conventional configuration and pre-processing etching with the above embodiment. FIG. 9 (1) shows a pre-process etching with the conventional configuration, and shows the distribution of the etching amount when the magnet unit 5 is not rotated at all, and FIG. 9 (2) shows the distribution of the etching amount with the configuration of the embodiment. In addition, on the vertical axis of FIG. 9, the side with the larger amount of etching is the minus side and the side with the smaller amount is the plus side with respect to the average value of the etching amount at each point on the surface of the substrate 9. The horizontal axis in FIG. 9 indicates the position of the surface of the substrate 9 by the distance from the center of the substrate 9, the side away from the center of the substrate 9 in a certain direction is the + side, and the opposite side is the − side. And
【００５８】図９（１）に示すように、従来の構成で
は、エッチング量の分布は、±１０％と悪い。従来の構
成では、磁石ユニット５を回転させないことから、プラ
ズマ密度の分布は静的であり、従ってエッチング量の分
布はそのままエッチング速度の分布となっているものと
考えられる。つまり、従来の構成では±１０％という悪
いエッチング速度分布しか得られていない。尚、図９
（１）の従来の構成では、磁石ユニット５は、中心に配
置された円柱状の中心磁石５１と、中心磁石５１に対し
て同心状に配置された円環状の周辺磁石５２とから成る
構成である。As shown in FIG. 9A, in the conventional structure, the distribution of the etching amount is as bad as ± 10%. In the conventional configuration, since the magnet unit 5 is not rotated, the distribution of the plasma density is static, and therefore, the distribution of the etching amount is considered to be the distribution of the etching rate as it is. That is, in the conventional configuration, only a bad etching rate distribution of ± 10% was obtained. Note that FIG.
In the conventional configuration of (1), the magnet unit 5 has a configuration including a columnar center magnet 51 arranged at the center and an annular peripheral magnet 52 arranged concentrically with the center magnet 51. is there.
【００５９】一方、図１０（２）に示すように、実施例
の構成では、エッチング量の分布は±４％程度であり、
大幅に改善していることが判る。実施例では、前述した
ようにプラズマ密度が動的であることから、エッチング
量は時間平均エッチング速度に相当している。つまり、
実施例の構成によると、時間平均エッチング速度分布が
大幅に改善される。On the other hand, as shown in FIG. 10B, in the structure of the embodiment, the distribution of the etching amount is about ± 4%.
It turns out that it has improved significantly. In the embodiment, since the plasma density is dynamic as described above, the etching amount corresponds to the time average etching rate. That is,
According to the configuration of the embodiment, the time average etching rate distribution is greatly improved.
【００６０】[0060]
【発明の効果】以上説明した通り、本願の請求項１記載
の発明によれば、磁石ユニットを自転させる自転機構が
設けられているので、自転軸を中心とする円周方向にお
けるプラズマ密度の不均一性を改善することができる。
このため、未エッチング箇所やオーバーエッチングの発
生が抑制される。また、請求項２、３又は４記載の発明
によれば、上記効果に加え、公転機構とともに、自転軸
と公転軸との距離である偏心距離を変更する偏心距離変
更機構が設けられているので、磁界の分布の時間的変化
のパターンを任意のものにすることができる。このた
め、プラズマ密度を均一化させる効果をさらに高く得る
ことができる。また、請求項５記載の発明によれば、上
記効果に加え、自転機構等が真空容器外に配置されるの
で、真空容器内に塵や埃を発生させることがない。従っ
て、良質な素子の製造にさらに貢献することができる。
また、請求項６記載の発明によれば、前記請求項１乃至
５の効果を得ながら薄膜が作成できるとともに、前処理
エッチングが行われた基板が大気に取り出されることな
く真空中で搬送された後に成膜処理されるので、成膜処
理の品質が向上する。このため、良質な素子の製造にさ
らに貢献することができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, since the rotation mechanism for rotating the magnet unit is provided, the plasma density in the circumferential direction around the rotation axis is not affected. Uniformity can be improved.
Therefore, the occurrence of unetched portions and overetching is suppressed. According to the second, third or fourth aspect of the present invention, in addition to the above effects, the eccentric distance changing mechanism for changing the eccentric distance which is the distance between the rotation axis and the revolving axis is provided together with the revolving mechanism. The pattern of the temporal change in the distribution of the magnetic field can be arbitrary. Therefore, the effect of making the plasma density uniform can be further enhanced. According to the fifth aspect of the present invention, in addition to the above-described effects, since the rotation mechanism and the like are arranged outside the vacuum container, no dust or dust is generated in the vacuum container. Accordingly, it is possible to further contribute to the manufacture of a high quality device.
According to the invention of claim 6, a thin film can be formed while obtaining the effects of claims 1 to 5, and the substrate subjected to the pretreatment etching is transported in a vacuum without being taken out to the atmosphere. Since the film forming process is performed later, the quality of the film forming process is improved. For this reason, it is possible to further contribute to the manufacture of a high-quality element.
【図１】実施形態の前処理エッチング装置の正面断面概
略図である。FIG. 1 is a schematic front sectional view of a pretreatment etching apparatus according to an embodiment.
【図２】図１に示す磁石ユニット５の構成を説明する平
面図である。FIG. 2 is a plan view illustrating a configuration of a magnet unit 5 shown in FIG.
【図３】図１に示す装置の磁石ユニット５に設けられた
自転機構６１、公転機構６２及び偏心距離変更機構６３
の詳細を示す正面断面概略図である。3 shows a rotation mechanism 61, a revolution mechanism 62, and an eccentric distance changing mechanism 63 provided in the magnet unit 5 of the apparatus shown in FIG.
FIG. 4 is a schematic front cross-sectional view showing details of the first embodiment.
【図４】本実施形態の構成において磁石ユニット５を回
転させない場合と回転させる場合とでエッチング速度分
布がどのように異なるかを示すものであり、（１）が回
転させない場合、（２）が回転させる場合である。FIG. 4 shows how the etching rate distribution differs between a case where the magnet unit 5 is not rotated and a case where the magnet unit 5 is rotated in the configuration of the present embodiment. This is the case when rotating.
【図５】自転機構６１及び公転機構６２により自転及び
公転する際の磁石ユニット５上の一点ａの軌跡を示す概
略図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing a locus of a point a on the magnet unit 5 when the rotation mechanism 61 and the revolution mechanism 62 revolve and revolve.
【図６】自転機構６１及び公転機構６２により自転及び
公転する際の磁石ユニット５上の一点Ｐの軌跡を示す概
略図である。FIG. 6 is a schematic diagram showing a trajectory of a point P on the magnet unit 5 when rotating and revolving by a rotation mechanism 61 and a revolution mechanism 62.
【図７】薄膜作成装置の発明の実施形態の構成を示す平
面概略図である。FIG. 7 is a schematic plan view showing the configuration of an embodiment of the invention for a thin film forming apparatus.
【図８】図７に示す薄膜作成装置における処理チャンバ
ー７３の構成を示す正面断面概略図である。8 is a schematic front sectional view showing a configuration of a processing chamber 73 in the thin film forming apparatus shown in FIG.
【図９】従来の構成による前処理エッチングと実施例に
よる前処理エッチングとを比較した実験の結果を示す図
である。FIG. 9 is a diagram showing the results of an experiment comparing pretreatment etching with a conventional configuration and pretreatment etching with an example.
１ 前処理チャンバー １１ 排気系 ２ ガス導入系 ３ 電極 ４ 放電用電源 ４１ バイアス用コンデンサ ５ 磁石ユニット ６０ 制御部 ６１ 自転機構 ６２ 公転機構 ６３ 偏心距離変更機構 ９ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Pretreatment chamber 11 Exhaust system 2 Gas introduction system 3 Electrode 4 Discharge power supply 41 Bias capacitor 5 Magnet unit 60 Control part 61 Rotation mechanism 62 Revolution mechanism 63 Eccentric distance change mechanism 9 Substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K057 DA11 DB20 DD02 DE14 DM16 DM21 5F004 AA01 BA13 BB08 BB11 BC06 DA23 DB00 DB03 FA08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4K057 DA11 DB20 DD02 DE14 DM16 DM21 5F004 AA01 BA13 BB08 BB11 BC06 DA23 DB00 DB03 FA08
Claims (6)
表面をエッチングする前処理エッチングを行う前処理エ
ッチング装置であって、排気系を備えた真空容器である
前処理チャンバーと、前処理チャンバー内にガスを導入
するガス導入系と、前処理チャンバー内に設けられた電
極と、電極に電圧を印加して前処理チャンバー内に電界
を設定することでガスに放電を生じさせる放電用電源
と、放電用電源によって前処理チャンバー内に設定され
た電界に直交する磁界を設定する磁石ユニットと、放電
により形成されたプラズマ中のイオンが入射してエッチ
ングが行われる位置に基板を保持する基板ホルダーとを
備えており、 基板の表面に平行な面内でのプラズマ密度の分布を均一
にするよう磁石ユニットをその中心軸に一致した自転軸
の回りに回転させる自転機構が設けられていることを特
徴とする前処理エッチング装置。1. A pretreatment etching apparatus for performing a pretreatment etching for etching a surface of a substrate before forming a thin film on the surface of the substrate, the pretreatment chamber being a vacuum vessel having an exhaust system, A gas introduction system that introduces gas into the chamber, electrodes provided in the pretreatment chamber, and a discharge power supply that generates a discharge in the gas by applying a voltage to the electrodes and setting an electric field in the pretreatment chamber A magnet unit for setting a magnetic field orthogonal to an electric field set in the pretreatment chamber by a power supply for discharge, and a substrate for holding a substrate at a position where ions in plasma formed by discharge enter and are etched. A holder is provided, and the magnet unit is rotated around a rotation axis coinciding with its central axis so as to make the distribution of plasma density uniform in a plane parallel to the surface of the substrate. Processing etching device before, wherein a rotation mechanism for rotating is provided.
をその中心軸には一致しない公転軸の回りに回転させる
公転機構が設けられているとともに、自転軸と公転軸と
の距離である偏心距離を変更する偏心距離変更機構が設
けられていることを特徴とする請求項１記載の前処理エ
ッチング装置。2. In addition to the rotation mechanism, there is provided a rotation mechanism for rotating the magnet unit around a rotation axis which does not coincide with the center axis thereof, and an eccentric distance which is a distance between the rotation axis and the rotation axis. 2. The pretreatment etching apparatus according to claim 1, further comprising an eccentric distance changing mechanism for changing the distance.
と前記公転機構とを前記公転軸には一致しない回転軸の
回りに回転させる回転機構であることを特徴とする請求
項２記載の前処理エッチング装置。3. The eccentric distance changing mechanism is a rotating mechanism that rotates the rotation mechanism and the revolution mechanism around a rotation axis that does not coincide with the revolution axis. Processing etching equipment.
転機構における回転速度とを制御して磁石ユニットの一
点の軌跡のパターンを任意のものにする制御部を有する
ことを特徴とする請求項３記載の前処理エッチング装
置。4. A control unit for controlling a rotation speed of the rotation mechanism and a rotation speed of the revolving mechanism to change a pattern of a locus of one point of the magnet unit into an arbitrary pattern. Pretreatment etching equipment.
構は、前記前処理チャンバーの外部に設けられているこ
とを特徴とする請求項３又は４記載の前処理エッチング
装置。5. The pretreatment etching apparatus according to claim 3, wherein the rotation mechanism, the revolving mechanism, and the mechanism are provided outside the pretreatment chamber.
理エッチング装置と、基板の表面に薄膜を作成する処理
を行う成膜チャンバーとを備えた薄膜作成装置であっ
て、前記前処理チャンバーから成膜チャンバーに基板を
大気に晒すことなく搬送する搬送系を有していることを
特徴とする薄膜作成装置。6. A thin film forming apparatus comprising: the pretreatment etching apparatus according to claim 1; and a film forming chamber for performing a process of forming a thin film on a surface of a substrate. An apparatus for forming a thin film, comprising a transfer system for transferring a substrate from a pretreatment chamber to a film formation chamber without exposing the substrate to the atmosphere.
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|---|---|---|---|
| JP29183599A JP4437347B2 (en) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | Pretreatment etching apparatus and thin film forming apparatus |
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|---|---|---|---|
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