JP2001106595A - Device for cleaning and drying silicon raw material - Google Patents

Device for cleaning and drying silicon raw material

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JP2001106595A
JP2001106595A JP28265099A JP28265099A JP2001106595A JP 2001106595 A JP2001106595 A JP 2001106595A JP 28265099 A JP28265099 A JP 28265099A JP 28265099 A JP28265099 A JP 28265099A JP 2001106595 A JP2001106595 A JP 2001106595A
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raw material
silicon raw
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憲治 堀
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To continuously and easily clean a silicon raw material and to obtain the silicon raw material low in contamination caused by fine particles. SOLUTION: This device for cleaning and drying a silicon raw material is preferably equipped with a liquid-permeable endless belt 12 for carrying a powdery or lumpy silicon raw material 11, a hopper 13 for supplying the silicon raw material to the belt 12, a cleaning solution spraying device 14 for spraying a cleaning solution 18 onto the silicon raw material 11 on the belt to clean the silicon raw material 11, an ultrapure water spraying device 16 for spraying ultrapure water onto the silicon raw material to wash off the cleaning solution 18 stuck on the silicon raw material 11 and a drier 17 for blowing warm air to the silicon raw material to dry the silicon raw material. It is possible to constitute the belt 12 with a first belt, a second belt and a third belt. It is preferable that a liquid bath 21 is provided oppositely to the cleaning solution spraying device 14, and a water collecting bath 28 is provided oppositely to the ultrapure water spraying device 16, and further the ultrapure water spraying device 16 is constituted of a first spraying device 26 and a second spraying device 27.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はチョクラルスキー法
によりシリコン単結晶を製造するための原料である塊状
又は粒状の多結晶シリコン(ポリシリコン)、単結晶シ
リコンを洗浄し乾燥する装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for cleaning and drying massive or granular polycrystalline silicon (polysilicon), which is a raw material for producing a silicon single crystal by the Czochralski method, and single crystal silicon. is there.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイス用のシリコン単結晶は主
にチョクラルスキー法(以下、CZ法という。)を用い
て製造されている。このCZ法は塊状又は粒状の多結晶
シリコン又は単結晶シリコンなどのシリコン原料を炉内
の石英るつぼ内で融解させ、得られた融液に種結晶を浸
漬し、この種結晶を引上げてシリコン単結晶を成長させ
る方法である。CZ法で所望の引上げを行うことができ
なかった単結晶シリコンも本発明のシリコン原料となり
得る。多結晶シリコン又は単結晶シリコンなどのシリコ
ン原料は活性な性質を有するため、石英るつぼに投入す
るまで、プラスチック製の袋に入れられ密封される。し
かし密封の前後において、空気中の酸素と反応してシリ
コン原料の表面には酸化膜が形成され易い。この酸化膜
はシリコン原料の表面に付着している有機物、微粒子又
は金属不純物を含んで形成されたり、或いは酸化膜の形
成後に酸化膜の表面に有機物、微粒子又は金属不純物が
付着したりする。これらの中で特に微粒子が付着したま
まシリコン原料を石英るつぼに入れ、融解すると、CZ
法で作られたシリコン単結晶の無転位の成長が阻害され
て、いわゆるフリー化率(シリコン原料から無転位の単
結晶シリコンが得られる割合)が低下する問題がある。
2. Description of the Related Art A silicon single crystal for a semiconductor device is manufactured mainly by a Czochralski method (hereinafter, referred to as a CZ method). In the CZ method, a bulk or granular silicon material such as polycrystalline silicon or single crystal silicon is melted in a quartz crucible in a furnace, a seed crystal is immersed in the obtained melt, and the seed crystal is pulled up to obtain a silicon single crystal. This is a method of growing crystals. Single-crystal silicon that could not be pulled as desired by the CZ method can also be a silicon raw material of the present invention. Since a silicon raw material such as polycrystalline silicon or single crystal silicon has an active property, it is put in a plastic bag and sealed until it is put into a quartz crucible. However, before and after sealing, an oxide film is easily formed on the surface of the silicon raw material by reacting with oxygen in the air. The oxide film is formed to include organic substances, fine particles, or metal impurities attached to the surface of the silicon raw material, or organic substances, fine particles, or metal impurities adhere to the surface of the oxide film after the oxide film is formed. Of these, the silicon raw material is placed in a quartz crucible with fine particles attached, and when melted, CZ
There is a problem that the dislocation-free growth of the silicon single crystal produced by the method is hindered, and the so-called free rate (the rate at which dislocation-free single-crystal silicon is obtained from a silicon raw material) is reduced.

【0003】この問題を解決するために、従来、石英る
つぼに入れる前にシリコン原料をかごに入れ、このかご
をフッ酸と硝酸の混酸が貯えられた洗浄槽に浸漬した
後、引上げ、次に超純水が貯えられたリンス槽にかごを
浸漬し、引上げることにより、シリコン原料を洗浄して
いる。この従来の洗浄方法でシリコン原料の入ったかご
を繰返し、洗浄槽に浸漬していくと、洗浄液中に微粒子
が堆積するようになり、シリコン原料の洗浄効果が低下
するため、この洗浄槽を複数設け、新しい洗浄液を定期
的に補給し、かつ所定量のシリコン原料を洗浄した後、
すべての洗浄液を新しい洗浄液に入替えている。
In order to solve this problem, conventionally, a silicon raw material is put into a basket before being put into a quartz crucible, and this basket is immersed in a washing tank containing a mixed acid of hydrofluoric acid and nitric acid, and then pulled up. The silicon raw material is washed by immersing the basket in a rinsing tank containing ultrapure water and pulling it up. When the basket containing the silicon material is repeatedly used in this conventional cleaning method and immersed in the cleaning tank, fine particles accumulate in the cleaning liquid, and the cleaning effect of the silicon raw material is reduced. After regularly replenishing a new cleaning solution and cleaning a predetermined amount of silicon material,
All cleaning solutions have been replaced with new cleaning solutions.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、シリコン原料
をかごに入れて洗浄槽に浸漬し、引上げた後更にリンス
槽にかごを浸漬して引上げることは、シリコン原料を連
続して処理することができず、比較的大量のシリコン原
料を洗浄する場合にはその浸漬、引上げ操作及びシリコ
ン原料のかごへの入替え作業等を繰り返し行わなければ
ならず、その作業が比較的困難であった。また、上述し
た方法によっても、シリコン原料の洗浄を繰返し行っ
て、新液に入替える前には、微粒子の濃度が高まり、前
述したフリー化率の低下を招く不具合もある。本発明の
目的は、シリコン原料を連続的にかつ比較的容易に洗浄
しうるシリコン原料の洗浄乾燥装置を提供することにあ
る。本発明の別の目的は、フリー化率を増大させるシリ
コン原料の洗浄乾燥装置を提供することにある。
However, immersing a silicon raw material in a basket, immersing it in a cleaning tank, pulling it up, and then immersing the basket in a rinsing tank and pulling up the silicon raw material involves continuously treating the silicon raw material. When washing a relatively large amount of silicon raw material, the immersion, pulling up operation, replacement of the silicon raw material into a basket, and the like have to be repeatedly performed, which is relatively difficult. Also, according to the above-described method, before the silicon material is repeatedly cleaned and replaced with a new solution, the concentration of the fine particles increases, and there is a problem that the free ratio is reduced as described above. An object of the present invention is to provide an apparatus for cleaning and drying a silicon raw material that can continuously and relatively easily clean the silicon raw material. Another object of the present invention is to provide an apparatus for cleaning and drying a silicon raw material, which increases the free ratio.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
図1に示すように、粒状又は塊状のシリコン原料11を
運搬する通液性無端のベルト12と、ベルト12の上流
端の上方に設けられシリコン原料11を貯えかつベルト
12にシリコン原料11を供給するホッパ13と、ホッ
パ13より下流側のベルト12の上方に設けられベルト
12上のシリコン原料11に洗浄液18を噴射してシリ
コン原料11を洗浄する洗浄液噴射装置14と、洗浄液
噴射装置14より下流側のベルト12の上方に設けられ
ベルト12上のシリコン原料11に超純水19を噴射し
てシリコン原料11に付着した洗浄液18を洗い落す超
純水噴射装置16と、超純水噴射装置16より下流側の
ベルト12の下流端の上方に設けられベルト12上のシ
リコン原料11に温風を当ててシリコン原料11を乾燥
する乾燥装置17とを備えたシリコン原料の洗浄乾燥装
置である。
The invention according to claim 1 is
As shown in FIG. 1, a liquid-permeable endless belt 12 for transporting a granular or massive silicon raw material 11, a silicon raw material 11 provided above an upstream end of the belt 12 and storing the silicon raw material 11, and supplying the silicon raw material 11 to the belt 12. A cleaning liquid ejecting device 14 provided above the belt 12 on the downstream side of the hopper 13 to inject the cleaning liquid 18 onto the silicon raw material 11 on the belt 12 to clean the silicon raw material 11; An ultrapure water injection device 16 provided above the side belt 12 to inject ultrapure water 19 onto the silicon raw material 11 on the belt 12 to wash off the cleaning liquid 18 attached to the silicon raw material 11; A drying device 17 provided above the downstream end of the belt 12 on the further downstream side and drying the silicon raw material 11 by irradiating the silicon raw material 11 on the belt 12 with hot air. A cleaning and drying apparatus of the silicon material having a.

【0006】この請求項1に係る発明では、ベルト12
の上流側にホッパ13から供給されたシリコン原料11
は、ベルト12の下流端に至る間に洗浄されかつ乾燥さ
れる。この結果、シリコン原料を連続的に洗浄すること
ができる。シリコン原料の洗浄液18としては、フッ酸
と硝酸の混合溶液や、フッ酸と溶存オゾン水溶液の混合
溶液等が挙げられる。フッ酸と硝酸を洗浄液に用いるこ
とにより、比較的短時間の洗浄が可能であり、フッ酸と
溶存オゾン水溶液を用いることにより、高純度の洗浄液
の使用が可能でり、両者ともシリコン原料の表面に付着
した微粒子、不純物等を除去することができる。
In the invention according to the first aspect, the belt 12
Raw material 11 supplied from the hopper 13 on the upstream side of
Is washed and dried while reaching the downstream end of the belt 12. As a result, the silicon raw material can be continuously cleaned. Examples of the cleaning liquid 18 for the silicon raw material include a mixed solution of hydrofluoric acid and nitric acid, and a mixed solution of hydrofluoric acid and a dissolved ozone aqueous solution. By using hydrofluoric acid and nitric acid for the cleaning liquid, cleaning for a relatively short time is possible, and by using hydrofluoric acid and an aqueous solution of dissolved ozone, it is possible to use a high-purity cleaning liquid. It is possible to remove fine particles, impurities and the like attached to the surface.

【0007】請求項5に係る発明は、図2に示すよう
に、粒状又は塊状のシリコン原料11を運搬する通液性
無端の第1ベルト51と、第1ベルト51の上流端の上
方に設けられシリコン原料11を貯えかつ第1ベルト5
1にシリコン原料11を供給するホッパ13と、ホッパ
13より下流側の第1ベルト51の上方に設けられ第1
ベルト51上のシリコン原料11に洗浄液18を噴射し
てシリコン原料11を洗浄する洗浄液噴射装置14と、
第1ベルト51の下流端の下方に設けられ洗浄したシリ
コン原料11を運搬する通液性無端の第2ベルト52
と、第2ベルト52の上方に設けられ第2ベルト52上
のシリコン原料11に超純水19を噴射してシリコン原
料11に付着した洗浄液18を洗い落す超純水噴射装置
16と、第2ベルト52の下流端の下方に設けられ洗浄
液18を洗い落したシリコン原料11を運搬する通液性
無端の第3ベルト53と、第3ベルト53の上方に設け
られベルト53上のシリコン原料11に温風を当ててシ
リコン原料11を乾燥する乾燥装置17とを備えたシリ
コン原料の洗浄乾燥装置である。
The invention according to claim 5 is, as shown in FIG. 2, provided with a liquid-permeable endless first belt 51 for transporting a granular or massive silicon raw material 11 and an upper end above the upstream end of the first belt 51. And the first belt 5 for storing the silicon raw material 11
A hopper 13 that supplies the silicon raw material 11 to the first belt 1 and a first belt 51 that is provided above the first belt 51 downstream of the hopper 13.
A cleaning liquid spraying device 14 for spraying the cleaning liquid 18 onto the silicon raw material 11 on the belt 51 to clean the silicon raw material 11;
A liquid-permeable endless second belt 52 provided below the downstream end of the first belt 51 and transporting the cleaned silicon raw material 11.
An ultrapure water injection device 16 provided above the second belt 52 for injecting ultrapure water 19 onto the silicon raw material 11 on the second belt 52 to wash off the cleaning liquid 18 attached to the silicon raw material 11; A liquid-permeable endless third belt 53 provided below the downstream end of the belt 52 for conveying the silicon raw material 11 from which the cleaning liquid 18 has been washed off, and a silicon raw material 11 on the belt 53 provided above the third belt 53 A drying apparatus 17 for drying the silicon raw material 11 by irradiating warm air thereto.

【0008】この請求項5に係る発明では、第1ベルト
51の上流側にホッパ13から供給されたシリコン原料
11は、第3ベルト53の下流端に至る間に洗浄され、
リンスされ、かつ乾燥され、シリコン原料を連続的に洗
浄することができる。特にシリコン原料11を搭載しか
つ移動させるベルトを第1、第2及び第3ベルト51,
52,53により構成するので、それぞれのベルトの配
置の自由度が増大し、請求項1に係る単一のベルトを真
直ぐに配置することが困難な場合に有効である。
In the invention according to claim 5, the silicon raw material 11 supplied from the hopper 13 to the upstream side of the first belt 51 is washed while reaching the downstream end of the third belt 53,
It can be rinsed and dried to continuously clean the silicon raw material. In particular, the first, second and third belts 51, on which the silicon raw material 11 is loaded and moved
Since the belts are constituted by the belts 52 and 53, the degree of freedom in arranging the respective belts is increased, which is effective when it is difficult to arrange the single belt according to claim 1 straight.

【0009】請求項2に係る発明は、請求項1に係る発
明であって、洗浄液噴射装置14に対向してベルト12
の下方に設けられベルト12を通過した洗浄液18を回
収して貯える液槽21と、超純水噴射装置16に対向し
てベルト12の下方に設けられベルト12を通過した超
純水19を受ける集水槽28とを更に備えたシリコン原
料の洗浄乾燥装置である。請求項6に係る発明は、請求
項5に係る発明であって、洗浄液噴射装置14に対向し
て第1ベルト51の下方に設けられ第1ベルト51を通
過した洗浄液を回収して貯える液槽21と、超純水噴射
装置16に対向して第2ベルト52の下方に設けられ第
2ベルト52を通過した超純水19を受ける集水槽28
とを更に備えたシリコン原料の洗浄乾燥装置である。こ
の請求項2及び請求項6に係る発明では、洗浄液18や
超純水の回収が可能になり、それらが飛散することを防
止してその洗浄液等の有効利用を図ることができる。
The invention according to a second aspect is the invention according to the first aspect, wherein the belt 12 faces the cleaning liquid ejecting device 14.
And a liquid tank 21 that collects and stores the cleaning liquid 18 that has passed through the belt 12, and receives the ultrapure water 19 that has been provided below the belt 12 and that has passed through the belt 12 so as to face the ultrapure water injection device 16. This is a cleaning and drying apparatus for silicon raw materials further including a water collecting tank 28. The invention according to claim 6 is the invention according to claim 5, wherein the liquid tank is provided below the first belt 51 so as to face the cleaning liquid ejecting device 14, and collects and stores the cleaning liquid passing through the first belt 51. 21 and a water collecting tank 28 provided below the second belt 52 so as to face the ultrapure water injection device 16 and receive the ultrapure water 19 passing through the second belt 52.
And a device for cleaning and drying a silicon raw material. According to the second and sixth aspects of the present invention, the cleaning liquid 18 and ultrapure water can be recovered, so that they can be prevented from being scattered, and the cleaning liquid and the like can be effectively used.

【0010】請求項3に係る発明は、請求項1又は2に
係る発明であって、超純水噴射装置16がホッパ側に設
けられた第1噴射装置26と乾燥装置側に設けられた第
2噴射装置27とを備え、第1噴射装置26の超純水の
温度が25〜50℃であり、第2噴射装置27の超純水
の温度が第1噴射装置26の超純水より高温の50〜9
0℃であるシリコン原料の洗浄乾燥装置である。請求項
7に係る発明は、請求項5又は6に係る発明であって、
第2ベルト52が第1ベルト51の下流端の下方に設け
られた通液性無端の主ベルト52dと主ベルト52dの
下流端の下方に設けられた通液性無端の補助ベルト52
eとからなり、補助ベルト52eの下流端の下方に第3
ベルト53が設けられ、超純水噴射装置16が主ベルト
52dの上方に設けられた第1噴射装置26と補助ベル
ト52eの上方に設けられた第2噴射装置27とを備
え、第1噴射装置26の超純水の温度が25〜50℃で
あり、第2噴射装置27の超純水の温度が第1噴射装置
26の超純水より高温の50〜90℃であるシリコン原
料の洗浄乾燥装置である。
[0010] The invention according to claim 3 is the invention according to claim 1 or 2, wherein the ultrapure water injection device 16 is provided on the hopper side and the first injection device 26 is provided on the drying device side. And the temperature of the ultrapure water of the first injector 26 is 25 to 50 ° C., and the temperature of the ultrapure water of the second injector 27 is higher than the temperature of the ultrapure water of the first injector 26. 50-9
This is a washing and drying apparatus for silicon raw materials at 0 ° C. The invention according to claim 7 is the invention according to claim 5 or 6,
The liquid-permeable endless main belt 52d provided below the downstream end of the first belt 51 with the second belt 52 and the liquid-permeable endless auxiliary belt 52 provided below the downstream end of the main belt 52d.
e below the downstream end of the auxiliary belt 52e.
A belt 53 is provided, and the ultrapure water injection device 16 includes a first injection device 26 provided above the main belt 52d and a second injection device 27 provided above the auxiliary belt 52e. Cleaning and drying of a silicon raw material in which the temperature of the ultrapure water at 26 is 25 to 50 ° C and the temperature of the ultrapure water of the second injection device 27 is 50 to 90 ° C, which is higher than the ultrapure water of the first injection device 26 Device.

【0011】この請求項3及び請求項7に係る発明で
は、第1及び第2噴射装置26,27により超純水を噴
射して洗浄液を洗い落とすことにより、シリコン原料1
1の表面に付着した微粒子、不純物等をより効率良く除
去することができる。また、第2噴射装置27の超純水
の温度を第1噴射装置26の超純水の温度より高くする
ことにより、いわゆるゆすぎの効果が向上し、かつシリ
コン原料11自体の温度が高まり後の乾燥装置17にお
けるシリコン原料11の乾燥が容易になる。請求項4に
係る発明は、請求項1ないし3いずれかに係る発明であ
って、液槽21の排出管21aに設けられ液槽21に貯
えられた洗浄液18をフィードバック管23を介して洗
浄液噴射装置の噴射ノズル14から噴射させる循環ポン
プ22と、排出管21a又はフィードバック管23のい
ずれか一方又は双方に設けられたフィルタ24とを備え
たシリコン原料の洗浄乾燥装置である。
According to the third and seventh aspects of the present invention, the ultra-pure water is sprayed by the first and second spraying devices 26 and 27 to wash off the cleaning liquid, so that the silicon raw material 1
The fine particles, impurities, and the like attached to the surface of No. 1 can be more efficiently removed. Further, by making the temperature of the ultrapure water of the second injection device 27 higher than the temperature of the ultrapure water of the first injection device 26, the so-called rinsing effect is improved, and the temperature of the silicon raw material 11 itself is increased. Drying of the silicon raw material 11 in the drying device 17 is facilitated. The invention according to claim 4 is the invention according to any one of claims 1 to 3, wherein the cleaning liquid 18 provided in the discharge pipe 21a of the liquid tank 21 and the cleaning liquid 18 stored in the liquid tank 21 is injected through the feedback pipe 23. This is a silicon raw material washing / drying apparatus provided with a circulation pump 22 for jetting from an injection nozzle 14 of the apparatus, and a filter 24 provided in one or both of a discharge pipe 21a and a feedback pipe 23.

【0012】請求項9に係る発明は、請求項5ないし8
いずれかに係る発明であって、液槽21の排出管21a
に設けられ液槽21に貯えられた洗浄液18をフィード
バック管23を介して洗浄液噴射装置の噴射ノズル14
から噴射させる循環ポンプ22と、排出管21a又はフ
ィードバック管23のいずれか一方又は双方に設けられ
たフィルタ24とを備えたシリコン原料の洗浄乾燥装置
である。この請求項4及び請求項9に係る発明では、フ
ィルタ24により液槽21に回収された洗浄液18から
シリコン原料の破砕片を除去し、このフィルタ24によ
り洗浄液18に微粒子が堆積することを防止して、この
装置により洗浄したシリコン原料から単結晶シリコンを
育成したときにそのフリー化率を増大させる。なお、排
出管21aにフィルタ24を設ければ、循環ポンプ22
が吸引する洗浄液18からフィルタ24が微粒子を除去
するので、循環ポンプ18の損傷を防止することもでき
る。
The invention according to claim 9 is the invention according to claims 5 to 8
The invention according to any of the above, wherein the discharge pipe 21a of the liquid tank 21
The cleaning liquid 18 stored in the liquid tank 21 is supplied to the injection nozzle 14 of the cleaning liquid injection device through a feedback pipe 23.
This is a washing and drying apparatus for a silicon raw material, comprising a circulation pump 22 for jetting from a nozzle and a filter 24 provided on one or both of the discharge pipe 21a and the feedback pipe 23. According to the fourth and ninth aspects of the present invention, crushed pieces of the silicon raw material are removed from the cleaning liquid 18 collected in the liquid tank 21 by the filter 24, and the filter 24 prevents fine particles from being deposited on the cleaning liquid 18. Thus, when single crystal silicon is grown from the silicon raw material cleaned by this apparatus, its free ratio is increased. If the filter 24 is provided in the discharge pipe 21a, the circulation pump 22
Since the filter 24 removes the fine particles from the cleaning liquid 18 sucked by the pump, the damage of the circulation pump 18 can be prevented.

【0013】請求項8に係る発明は、請求項5ないし7
いずれかに係る発明であって、図2に示すように、ベル
ト51,52,53下流端に到来したシリコン原料11
をベルト51,52,53裏面に追従させないように阻
止する原料離脱手段54,55,56,57が第1ベル
ト51、第2ベルト52及び第3ベルト53の下流端又
はその近傍にそれぞれ設けられたシリコン原料の洗浄乾
燥装置である。この請求項8に係る発明では、シリコン
原料11を搭載しかつ移動させるベルトを第1、第2及
び第3ベルト51,52,53により構成した場合のそ
れぞれのベルト51,52,53の裏面にシリコン原料
11が追従することを有効に防止することができる。
The invention according to claim 8 is the invention according to claims 5 to 7
As shown in FIG. 2, the silicon raw material 11 arriving at the downstream ends of the belts 51, 52, 53
Material releasing means 54, 55, 56, 57 for preventing the toner from following the rear surfaces of the belts 51, 52, 53 are provided at or near the downstream ends of the first belt 51, the second belt 52, and the third belt 53, respectively. It is a washing and drying device for silicon raw materials. In the invention according to claim 8, when the belt on which the silicon raw material 11 is mounted and moved is constituted by the first, second and third belts 51, 52, 53, the belts 51, 52, 53 are formed on the back surfaces thereof. It is possible to effectively prevent the silicon raw material 11 from following.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面に基づいて説明する。図1に示すように、この実施
の形態ではシリコン原料の洗浄乾燥装置10は、粒状又
は塊状のシリコン原料11を運搬する通液性無端のベル
ト12と、ベルト12にシリコン原料11を供給するホ
ッパ13と、シリコン原料11を洗浄する洗浄液噴射装
置14と、シリコン原料11に付着した洗浄液を洗い落
す超純水噴射装置16と、そのシリコン原料11を乾燥
する乾燥装置17とを備える。ベルト12は耐薬品性の
ポリテトラフルオロエチレン(商品名:テフロン)によ
り作られたメッシュサイズが0.5mmの網であり、洗
浄液噴射装置14により噴射される洗浄液18及び超純
水噴射装置16により噴射される超純水19を通液可能
に構成される。このベルト12は駆動ローラ12a、従
動ローラ12b、補助ローラ12c、張力調整ローラ1
2d及び一対の折り返しローラ12e,12fにより張
設され、駆動ローラ12aの回転により図1の実線矢印
で示す方向に移動可能に構成される。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, in this embodiment, an apparatus 10 for cleaning and drying a silicon raw material includes a liquid-permeable endless belt 12 for conveying a granular or massive silicon raw material 11, and a hopper for supplying the silicon raw material 11 to the belt 12. 13, a cleaning liquid spraying device 14 for cleaning the silicon raw material 11, an ultrapure water spraying device 16 for cleaning off the cleaning liquid adhered to the silicon raw material 11, and a drying device 17 for drying the silicon raw material 11. The belt 12 is a mesh having a mesh size of 0.5 mm made of chemical-resistant polytetrafluoroethylene (trade name: Teflon), and is formed by a cleaning liquid 18 sprayed by a cleaning liquid spraying device 14 and an ultrapure water spraying device 16. The jetted ultrapure water 19 is configured to be able to pass through. The belt 12 includes a driving roller 12a, a driven roller 12b, an auxiliary roller 12c, and a tension adjusting roller 1.
2d and a pair of folding rollers 12e and 12f, and are configured to be movable in a direction indicated by a solid arrow in FIG. 1 by rotation of the driving roller 12a.

【0015】ホッパ13は下部開口部にバルブ13aが
設けられた容器であって、ベルト12の上流端の上方に
設けられる。このホッパ13は、シリコン原料11を貯
えかつバルブ13aを開放することによりベルト12に
シリコン原料11を供給可能に構成される。供給された
シリコン原料11は、図示しないスクレーパによりベル
ト12上で原料11の厚さがほぼ均一になるようにベル
ト12の幅方向に広がるようになっている。ここで、シ
リコン原料11の厚さは3〜8mm程度が好ましい。
The hopper 13 is a container provided with a valve 13a at a lower opening, and is provided above the upstream end of the belt 12. The hopper 13 is configured to be able to store the silicon raw material 11 and supply the silicon raw material 11 to the belt 12 by opening the valve 13a. The supplied silicon raw material 11 is spread in the width direction of the belt 12 by a scraper (not shown) so that the thickness of the raw material 11 becomes substantially uniform on the belt 12. Here, the thickness of the silicon raw material 11 is preferably about 3 to 8 mm.

【0016】洗浄液噴射装置14は、ホッパ13より下
流側のベルト12の上方に設けられ、ホッパ13からベ
ルト12上に供給されたシリコン原料11に洗浄液18
を噴射してシリコン原料11を洗浄するように構成され
る。この実施の形態における洗浄液噴射装置14は、噴
射口14aがベルト12上に供給されたシリコン原料1
1に臨むようにベルト12の上方に設けられた洗浄液噴
射ノズルであって、そのノズル14に対向するベルト1
2の下方には、そのノズル14により噴射されベルト1
2を通過した洗浄液18を回収して貯える液槽21が設
けられる。洗浄液噴射装置14である洗浄液噴射ノズル
には、洗浄液を圧送する循環ポンプ22の吐出口がフィ
ードバック管23を介して接続され、循環ポンプ22の
吸引口には液槽21の排出管21aが接続される。ま
た、フィードバック管23にはフィルタ24が設けられ
る。循環ポンプ22は、液槽21に貯えられた洗浄液1
8を排出管21aを介して吸引し、フィードバック管2
3を介してフィルタ24に通過させた後洗浄液噴射装置
14である洗浄液噴射ノズルからベルト12上のシリコ
ン原料11に噴射するように構成される。
The cleaning liquid spraying device 14 is provided above the belt 12 on the downstream side of the hopper 13, and cleans the silicon raw material 11 supplied onto the belt 12 from the hopper 13 with the cleaning liquid 18.
To clean the silicon raw material 11. The cleaning liquid ejecting apparatus 14 according to the present embodiment is configured such that the ejection port 14 a is provided with the silicon raw material 1 supplied on the belt 12.
A cleaning liquid jet nozzle provided above the belt 12 so as to face the belt 1, and the belt 1 facing the nozzle 14
2 is ejected by the nozzle 14 of the belt 1
A liquid tank 21 is provided for collecting and storing the cleaning liquid 18 that has passed through the cleaning liquid 18. A discharge port of a circulation pump 22 for pressure-feeding the cleaning liquid is connected to a cleaning liquid injection nozzle, which is the cleaning liquid injection device 14, via a feedback pipe 23, and a discharge pipe 21a of a liquid tank 21 is connected to a suction port of the circulation pump 22. You. The feedback tube 23 is provided with a filter 24. The circulating pump 22 is used for cleaning liquid 1 stored in the liquid tank 21.
8 is sucked through the discharge pipe 21a, and the feedback pipe 2
After passing through the filter 24 through the filter 3, the cleaning liquid injection device 14 is configured to inject the cleaning liquid injection nozzle 14 onto the silicon raw material 11 on the belt 12.

【0017】超純水噴射装置16は、洗浄液噴射装置1
4より下流側のベルト12の上方に設けられベルト12
上のシリコン原料11に超純水19を噴射してシリコン
原料11に付着した洗浄液18を洗い落すように構成さ
れる。この実施の形態における超純水噴射装置16は、
第1噴射装置26と第2噴射装置27とにより構成さ
れ、第1噴射装置26はホッパ13側に設けられ、第2
噴射装置27は乾燥装置17側に設けられる。第1及び
第2噴射装置26,27はそれぞれ超純水19を貯留す
る貯留槽26a,27aと、その超純水19を圧送する
ポンプ26b,27bと、そのポンプ26b,27bに
より圧送されたそれぞれの貯留槽26a,27aにおけ
る超純水19をベルト12上のシリコン原料11に噴射
可能な純水噴射ノズル26c,27cを有し、それぞれ
の貯留槽26a,27aには図示しない純水温度調整装
置がそれぞれ設けられる。図示しないそれぞれの純水温
度調整装置は、第1噴射装置26の超純水19の温度を
25〜50℃、第2噴射装置27の超純水19の温度を
第1噴射装置26の超純水19より高温の50〜90℃
に設定するようにそれぞれ構成される。なお、超純水噴
射装置16に対向するベルト12の下方には、その超純
水噴射装置16により噴射されベルト12を通過した超
純水を受ける集水槽28,28がそれぞれ設けられ、こ
の集水槽28,28が受けた超純水は、その後排水され
るように構成される。
The ultrapure water injection device 16 includes the cleaning liquid injection device 1.
The belt 12 provided above the belt 12 downstream of
The cleaning liquid 18 attached to the silicon raw material 11 is washed off by spraying ultrapure water 19 onto the upper silicon raw material 11. The ultrapure water injection device 16 in this embodiment is
The first injection device 26 includes a first injection device 26 and a second injection device 27. The first injection device 26 is provided on the hopper 13 side.
The injection device 27 is provided on the drying device 17 side. The first and second injection devices 26 and 27 are respectively storage tanks 26a and 27a for storing ultrapure water 19, pumps 26b and 27b for pumping the ultrapure water 19, and pumped by the pumps 26b and 27b, respectively. Has pure water injection nozzles 26c and 27c capable of injecting the ultrapure water 19 in the storage tanks 26a and 27a onto the silicon raw material 11 on the belt 12, and each storage tank 26a and 27a has a pure water temperature controller (not shown). Are respectively provided. Each of the pure water temperature adjustment devices (not shown) adjusts the temperature of the ultrapure water 19 of the first injection device 26 to 25 to 50 ° C. and the temperature of the ultrapure water 19 of the second injection device 27 to the ultrapure water of the first injection device 26. 50-90 ° C higher than water 19
Respectively. In addition, below the belt 12 facing the ultrapure water injection device 16, water collecting tanks 28, 28 for receiving ultrapure water injected by the ultrapure water injection device 16 and passing through the belt 12 are provided, respectively. The ultrapure water received by the water tanks 28, 28 is configured to be drained thereafter.

【0018】乾燥装置17は、超純水噴射装置16より
下流側のベルト12の下流端の上方に設けられベルト1
2上のシリコン原料11に80〜150℃の温風又は熱
風を当ててシリコン原料11を乾燥するように構成され
る。この実施の形態における乾燥装置17は、エア吹き
出し管を有するブロア17aとそのエア吹き出し管に設
けられたヒータ17bとそのヒータ17bにより熱せら
れたエアをベルト12上のシリコン原料11に吹き付け
る温風ノズル17cとを有する。また、ベルト12の下
流端である駆動ローラ12aの下方には洗浄及び乾燥さ
れたシリコン原料11を受けるるつぼ29が計量器31
の上に配置される。
The drying device 17 is provided above the downstream end of the belt 12 on the downstream side of the ultrapure water injection device 16.
The silicon raw material 11 is dried by applying hot air or hot air at 80 to 150 ° C. to the silicon raw material 11 above. The drying device 17 in this embodiment includes a blower 17 a having an air blowing pipe, a heater 17 b provided in the air blowing pipe, and a hot air nozzle for blowing air heated by the heater 17 b to the silicon raw material 11 on the belt 12. 17c. A crucible 29 for receiving the washed and dried silicon raw material 11 is provided below the drive roller 12 a, which is the downstream end of the belt 12.
Placed on top of

【0019】このような構成の洗浄乾燥装置を用いてシ
リコン原料11を洗浄する方法について説明する。この
実施の形態では、予め液槽21にフッ酸と硝酸の混酸か
らなる洗浄液18が貯えられ、第1及び第2噴射装置2
6,27のそれぞれの貯留槽26a,27aに超純水1
9が貯えられる。図示しない純水温度調整装置により第
1噴射装置26の超純水の温度は25〜50℃に調整さ
れ、第2噴射装置27の超純水の温度は第1噴射装置の
超純水より高温の50〜90℃に調整される。計量器3
1の上には空のるつぼ29を配置しておく。次に駆動ロ
ーラ12aを回転させてベルト12を図1の実線矢印方
向に0.1〜0.5m/分程度の速度で移動させるとと
もに、循環ポンプ22を運転して液槽の洗浄液18をフ
ィルタ24を通過させた後洗浄液噴射装置14である洗
浄液噴射ノズルから噴射させる。また、第1噴射装置2
6と第2噴射装置27のポンプ26b,27bを運転し
て貯留槽26a,27aに貯留された超純水19を純水
噴射ノズル26c,27cから噴射させる。
A method for cleaning the silicon raw material 11 using the cleaning / drying apparatus having such a configuration will be described. In this embodiment, a cleaning liquid 18 composed of a mixed acid of hydrofluoric acid and nitric acid is stored in a liquid tank 21 in advance, and the first and second injection devices 2 are stored.
Ultrapure water 1 is stored in each of storage tanks 26a and 27a.
9 are stored. The temperature of the ultrapure water of the first injection device 26 is adjusted to 25 to 50 ° C. by a pure water temperature controller (not shown), and the temperature of the ultrapure water of the second injection device 27 is higher than the ultrapure water of the first injection device. Is adjusted to 50 to 90 ° C. Scale 3
An empty crucible 29 is placed on 1. Next, the driving roller 12a is rotated to move the belt 12 in the direction of the solid line arrow in FIG. 1 at a speed of about 0.1 to 0.5 m / min, and the circulating pump 22 is operated to filter the cleaning liquid 18 in the liquid tank. After passing through 24, the cleaning liquid is injected from a cleaning liquid injection nozzle which is the cleaning liquid injection device 14. Also, the first injection device 2
6 and the pumps 26b and 27b of the second injection device 27 are operated to inject the ultrapure water 19 stored in the storage tanks 26a and 27a from the pure water injection nozzles 26c and 27c.

【0020】この状態で、ホッパ13のバルブ13aを
開放し、ホッパ13に貯えられた塊状の多結晶シリコン
又はCZ法で所望の引上げが行われなかった単結晶シリ
コンの塊状物などのシリコン原料11をベルト12上に
供給する。ベルト12上に供給されたシリコン原料11
はベルト12の移動とともに移動して洗浄液噴射装置1
4の下方に位置した状態で、その洗浄液噴射装置14に
より洗浄液18が噴射される。洗浄液18が噴射される
と、先ずシリコン原料11の0.1〜0.4mm程度の
大きさの細かい破砕片が洗浄液18とともに液槽21に
移動しベルト12上から排除される。またシリコン原料
11の表面に形成された酸化膜が洗浄液18によりエッ
チング除去され、酸化膜中又は酸化膜表面に付着してい
た微粒子等が洗浄液18とともに液槽21に移動してシ
リコン原料11の表面から除去される。液槽21に回収
された洗浄液18は循環ポンプ22で再び洗浄液噴射ノ
ズル14に圧送される際にフィルタ24でろ過され、細
かい破砕片はこのフィルタ24で捕集される。これによ
り微粒子のない清浄化した洗浄液18が再び洗浄液噴射
ノズル14から噴射される。
In this state, the valve 13a of the hopper 13 is opened, and the silicon raw material 11 such as lump polycrystalline silicon stored in the hopper 13 or lump of single crystal silicon that has not been subjected to the desired pulling by the CZ method is obtained. On the belt 12. Silicon raw material 11 supplied on belt 12
Moves with the movement of the belt 12 to move the cleaning liquid ejecting device 1
The cleaning liquid 18 is jetted by the cleaning liquid jetting device 14 in a state of being located below the cleaning liquid 18. When the cleaning liquid 18 is sprayed, first, fine crushed pieces of the silicon raw material 11 having a size of about 0.1 to 0.4 mm move to the liquid tank 21 together with the cleaning liquid 18 and are removed from the belt 12. Further, the oxide film formed on the surface of the silicon raw material 11 is removed by etching with the cleaning liquid 18, and fine particles or the like adhering to the oxide film or on the surface of the oxide film move to the liquid tank 21 together with the cleaning liquid 18 and the surface of the silicon raw material 11 Removed from The cleaning liquid 18 collected in the liquid tank 21 is filtered by the filter 24 when it is again fed to the cleaning liquid injection nozzle 14 by the circulation pump 22, and fine crushed pieces are collected by the filter 24. As a result, the cleaned cleaning liquid 18 without fine particles is jetted again from the cleaning liquid jet nozzle 14.

【0021】このように洗浄されたシリコン原料11は
ベルトの移動とともに移動して超純水噴射装置16の下
方に位置した状態で、その超純水噴射装置16により超
純水19が噴射される。第1噴射装置26により噴射さ
れた超純水19は塊状のシリコン原料11の間を通過し
て洗浄液18及び残留する微粒子等を洗い流し、第2噴
射装置27により噴射された高温の超純水19は、第1
噴射装置26による超純水で洗い流せなかった洗浄液1
8及び残留する微粒子等を更に洗い流す。このように第
1及び第2噴射装置26,27により超純水を噴射して
洗浄液を洗い落とすことにより、シリコン原料11の表
面に付着した微粒子、不純物等をより効率良く除去する
ことができる。また、第2噴射装置27の超純水の温度
は第1噴射装置26の超純水の温度より高いので、いわ
ゆるゆすぎの効果が向上し、かつ後の乾燥装置17にお
けるシリコン原料11の乾燥が容易になる。
The silicon raw material 11 thus washed moves with the movement of the belt and is located below the ultrapure water injection device 16, and the ultrapure water 19 is injected by the ultrapure water injection device 16. . The ultrapure water 19 injected by the first injection device 26 passes between the bulk silicon raw materials 11 to wash away the cleaning liquid 18 and remaining fine particles and the like, and the high-temperature ultrapure water 19 injected by the second injection device 27 Is the first
Cleaning liquid 1 that could not be washed away with ultrapure water by the injection device 26
8 and the remaining fine particles are further washed away. By injecting ultrapure water with the first and second injection devices 26 and 27 to wash away the cleaning liquid, fine particles, impurities, and the like attached to the surface of the silicon raw material 11 can be more efficiently removed. Further, since the temperature of the ultrapure water of the second injection device 27 is higher than the temperature of the ultrapure water of the first injection device 26, the effect of so-called rinsing is improved, and the drying of the silicon raw material 11 in the drying device 17 can be performed later. It will be easier.

【0022】その後、シリコン原料11はベルト12の
移動とともに移動して乾燥装置17の下方に位置した状
態で温風が吹き付けられて乾燥され、ベルト12の下流
端から自重により落下し、乾燥したシリコン原料11は
るつぼ29に入れられ、計量器31で計量される。図示
しないが、このるつぼ29に入れられた所定重量のシリ
コン原料11はそのるつぼ29とともに単結晶育成装置
にその後入れられ、その単結晶育成装置の内部で融解さ
れる。
Thereafter, the silicon raw material 11 moves with the movement of the belt 12 and is dried by being blown with hot air while being positioned below the drying device 17, and falls by its own weight from the downstream end of the belt 12 to dry the silicon raw material 11. The raw material 11 is put in the crucible 29 and weighed by the measuring device 31. Although not shown, a predetermined weight of the silicon raw material 11 put in the crucible 29 is then put into the single crystal growing apparatus together with the crucible 29 and melted inside the single crystal growing apparatus.

【0023】次に本発明の別の実施の形態について説明
する。図面中上述した実施の形態と同一符号は同一部品
を示し、繰り返しての説明を省略する。図2に示すよう
に、この実施の形態におけるシリコン原料の洗浄乾燥装
置50は、粒状又は塊状のシリコン原料11を運搬する
通液性無端の第1ベルト51と、第1ベルト51の下流
端の下方に設けられシリコン原料11を運搬する通液性
無端の第2ベルト52と、第2ベルト52の下流端の下
方に設けられシリコン原料11を運搬する通液性無端の
第3ベルト53とを備える。それぞれのベルト51,5
2,53は耐薬品性のポリテトラフルオロエチレン(商
品名:テフロン)により作られたメッシュサイズが0.
5mmの網であり、洗浄液噴射装置14により噴射され
る洗浄液18及び超純水噴射装置16により噴射される
超純水19をそれぞれ通液可能に構成される。これらの
ベルト51,52,53はそれぞれ駆動ローラ51a,
52a,53a、従動ローラ51b,52b,53b及
び駆動ローラ近傍に設けられた張力調整ローラ51c,
52c,53cにより張設され、駆動ローラ51a,5
2a,53aの回転によりそれぞれシリコン原料11を
搭載して移動可能に構成される。
Next, another embodiment of the present invention will be described. In the drawings, the same reference numerals as those of the above-described embodiment denote the same parts, and a repeated description will be omitted. As shown in FIG. 2, a cleaning and drying apparatus 50 for a silicon raw material in this embodiment includes a liquid-permeable endless first belt 51 that transports a granular or massive silicon raw material 11, and a downstream end of the first belt 51. A liquid-permeable endless second belt 52 provided below and transporting the silicon raw material 11 and a liquid-permeable endless third belt 53 provided below the downstream end of the second belt 52 and transporting the silicon raw material 11 are provided. Prepare. Each belt 51,5
Nos. 2, 53 have a mesh size of 0.1 made of chemically resistant polytetrafluoroethylene (trade name: Teflon).
The mesh is a 5 mm net, and is configured to be able to pass the cleaning liquid 18 injected by the cleaning liquid injection device 14 and the ultrapure water 19 injected by the ultrapure water injection device 16 respectively. These belts 51, 52, 53 are respectively driven rollers 51a,
52a, 53a, driven rollers 51b, 52b, 53b, and tension adjusting rollers 51c provided near the driving rollers.
The driving rollers 51a, 5c are stretched by 52c, 53c.
The silicon raw material 11 is mounted and movable by rotation of 2a and 53a.

【0024】第1ベルト51の上流端の上方にはシリコ
ン原料11を貯えかつ第1ベルト51にシリコン原料1
1を供給するホッパ13が設けられ、ホッパ13より下
流側の第1ベルト51の上方には第1ベルト51上のシ
リコン原料11に洗浄液18を噴射してシリコン原料1
1を洗浄する洗浄液噴射装置14が設けられる。第2ベ
ルト52は洗浄液噴射装置14により洗浄されたシリコ
ン原料11を運搬可能に構成され、第2ベルト52の上
方には第2ベルト52上のシリコン原料11に超純水1
9を噴射してシリコン原料11に付着した洗浄液18を
洗い落す超純水噴射装置16が設けられる。この実施の
形態における第2ベルト52は、第1ベルト51の下流
端の下方に設けられた通液性無端の主ベルト52dと、
この主ベルト52dの下流端の下方に設けられた通液性
無端の補助ベルト52eとから構成される。また、超純
水噴射装置16は主ベルト52dの上方に設けられた第
1噴射装置26と、補助ベルト52eの上方に設けられ
た第2噴射装置27とを備え、第1噴射装置26の超純
水19の温度は25〜50℃に、第2噴射装置27の超
純水の温度は第1噴射装置26の超純水より高温の50
〜90℃に調整される。
Above the upstream end of the first belt 51, a silicon raw material 11 is stored, and
The cleaning liquid 18 is sprayed onto the silicon material 11 on the first belt 51 above the first belt 51 downstream of the hopper 13 to supply the silicon material 1.
1 is provided with a cleaning liquid injection device 14 for cleaning. The second belt 52 is configured to be capable of transporting the silicon raw material 11 cleaned by the cleaning liquid spraying device 14. Above the second belt 52, the ultrapure water 1 is added to the silicon raw material 11 on the second belt 52.
An ultrapure water injection device 16 is provided for injecting 9 and washing away the cleaning liquid 18 attached to the silicon raw material 11. The second belt 52 in this embodiment includes a liquid-permeable endless main belt 52d provided below the downstream end of the first belt 51,
A liquid-permeable endless auxiliary belt 52e is provided below the downstream end of the main belt 52d. Further, the ultrapure water injection device 16 includes a first injection device 26 provided above the main belt 52d and a second injection device 27 provided above the auxiliary belt 52e. The temperature of the pure water 19 is 25 to 50 ° C., and the temperature of the ultrapure water of the second injection device 27 is higher than that of the ultrapure water of the first injection device 26.
Adjusted to ~ 90 ° C.

【0025】第3ベルト53は第2ベルト52の下流端
の下方、即ち、補助ベルト52eの下流端の下方に設け
られる。この第3ベルト53は超純水噴射装置16によ
りリンスされたシリコン原料11を運搬可能に構成さ
れ、第3ベルト53の上方にはこの第3ベルト53上の
シリコン原料11に80〜150℃の温風又は熱風を当
ててそのシリコン原料11を乾燥する乾燥装置17が備
えられる。洗浄液噴射装置14に対向して第1ベルト5
1の下方にはこの第1ベルト51を通過した洗浄液18
を回収して貯える液槽21が設けられ、超純水噴射装置
16に対向して第2ベルト52の下方にはこの第2ベル
ト52を通過した超純水19を受ける集水槽28が備え
られる。また、液槽21の排出管21aにはこの液槽2
1に貯えられた洗浄液18をフィードバック管23を介
して洗浄液噴射装置である洗浄液噴射ノズル14から噴
射させる循環ポンプ22が備えられ、フィードバック管
23にはフィルタ24が設けられる。
The third belt 53 is provided below the downstream end of the second belt 52, that is, below the downstream end of the auxiliary belt 52e. The third belt 53 is configured to be able to transport the silicon raw material 11 rinsed by the ultrapure water jetting device 16. Above the third belt 53, the silicon raw material 11 on the third belt 53 is heated to 80 to 150 ° C. A drying device 17 is provided for drying the silicon raw material 11 with hot air or hot air. The first belt 5 faces the cleaning liquid ejecting device 14.
The cleaning liquid 18 passing through the first belt 51 is located below the cleaning belt 18.
A liquid tank 21 for collecting and storing the ultrapure water 19 is provided, and a water collecting tank 28 for receiving the ultrapure water 19 passing through the second belt 52 is provided below the second belt 52 so as to face the ultrapure water injection device 16. . The liquid tank 2 is connected to the discharge pipe 21a of the liquid tank 21.
A circulation pump 22 is provided for injecting the cleaning liquid 18 stored in 1 from a cleaning liquid injection nozzle 14 as a cleaning liquid injection device via a feedback pipe 23, and a filter 24 is provided in the feedback pipe 23.

【0026】第1ベルト51、第2ベルトの主ベルト5
2dと補助ベルト52e及び第3ベルト53の下流端に
は、ベルト下流端に到来したシリコン原料11をそれぞ
れのベルト51,52a,52b及び53の裏面に追従
させないように阻止する原料離脱手段54,55,5
6,57が設けられる。それぞれの原料離脱手段54,
55,56,57は駆動ローラ51a,52a,53a
と張力調整ローラ51c,52c,53cに掛け渡され
たベルト51,52a,52b及び53の斜め上方に設
けられる。これらの原料離脱手段54,55,56,5
7は同一構造であるので、第1ベルト51の下流端に設
けられた原料離脱手段54を代表して以下に説明する。
The first belt 51 and the main belt 5 of the second belt
2d, the auxiliary belt 52e, and the downstream end of the third belt 53, at a downstream end of the silicon raw material 11, the raw material detaching means 54 for preventing the silicon raw material 11 arriving at the downstream end of the belt from following the back surfaces of the respective belts 51, 52a, 52b and 53. 55,5
6, 57 are provided. Each raw material separation means 54,
55, 56, 57 are drive rollers 51a, 52a, 53a
And the belts 51, 52a, 52b, and 53, which are stretched over the tension adjusting rollers 51c, 52c, and 53c. These raw material separation means 54, 55, 56, 5
Since 7 has the same structure, a description will be given below on behalf of the raw material separation means 54 provided at the downstream end of the first belt 51.

【0027】図3に示すように、原料離脱手段54は駆
動ローラ51aと張力調整ローラ51cに掛け渡された
ベルト51の斜め上方に設けられた離脱ノズル54aを
有する。このノズル54aは噴射口54bがそのベルト
51に臨むように設けられる。このノズル54aは第2
ベルトの主ベルト52dの上方に設けられた第1噴射装
置26の純水噴射ノズル26cに連結管54cを介して
接続され、第1噴射装置26により超純水19が噴射さ
れると同時にこの離脱ノズル54aからその超純水19
が第1ベルト51に向かって噴射されるように構成され
る。
As shown in FIG. 3, the material separating means 54 has a separating nozzle 54a provided diagonally above the belt 51 stretched over the driving roller 51a and the tension adjusting roller 51c. The nozzle 54a is provided such that the injection port 54b faces the belt 51. This nozzle 54a is
It is connected via a connecting pipe 54c to the pure water injection nozzle 26c of the first injection device 26 provided above the main belt 52d of the belt. The ultrapure water 19 from the nozzle 54a
Is injected toward the first belt 51.

【0028】図2に戻って、原料離脱手段54,55,
56,57は同一構造であるが、それぞれの離脱ノズル
54a,55a,56a,57aから噴射されるものは
異なる。即ち、第1ベルト51の下流端に設けられた原
料離脱手段54及び第2ベルトの主ベルト52dの下流
端に設けられた原料離脱手段55では超純水19が噴射
される。一方、補助ベルト52eの下流端に設けられた
原料離脱手段56及び第3ベルト53の下流端に設けら
れた原料離脱手段57では乾燥装置17による温風が噴
射される。
Returning to FIG. 2, the raw material separation means 54, 55,
Although 56 and 57 have the same structure, what is ejected from each of the separation nozzles 54a, 55a, 56a and 57a is different. That is, the ultrapure water 19 is jetted from the raw material separating means 54 provided at the downstream end of the first belt 51 and the raw material separating means 55 provided at the downstream end of the main belt 52d of the second belt. On the other hand, in the raw material separating means 56 provided at the downstream end of the auxiliary belt 52e and the raw material separating means 57 provided at the downstream end of the third belt 53, the hot air from the drying device 17 is injected.

【0029】このような構成の洗浄乾燥装置50を用い
たシリコン原料11の洗浄は、予め液槽21に洗浄液1
8を貯え、第1及び第2噴射装置26,27のそれぞれ
の貯留槽26a,27aに超純水19を貯える。次にそ
れぞれのベルト51,52,53の駆動ローラ51a,
52a,53aを回転させてそれぞれのベルト12を移
動させる。これとともに、循環ポンプ22を運転して液
槽21の洗浄液18を洗浄液噴射ノズル14から噴射さ
せ、第1噴射装置26と第2噴射装置27により超純水
19を噴射させる。
The cleaning of the silicon raw material 11 using the cleaning / drying apparatus 50 having the above-described structure is carried out in advance.
8, and ultrapure water 19 is stored in the storage tanks 26a, 27a of the first and second injection devices 26, 27, respectively. Next, the driving rollers 51a of the respective belts 51, 52, 53,
The belts 12 are moved by rotating 52a and 53a. At the same time, the circulation pump 22 is operated to cause the cleaning liquid 18 in the liquid tank 21 to be injected from the cleaning liquid injection nozzle 14, and the ultrapure water 19 is injected by the first injection device 26 and the second injection device 27.

【0030】この状態で、ホッパ13のバルブ13aを
開放し、シリコン原料11を第1ベルト51上に供給す
る。第1ベルト51上に供給されたシリコン原料11は
洗浄液噴射装置14の下方に位置した状態で洗浄液18
が噴射され、シリコン原料11が洗浄される。洗浄され
たシリコン原料11は第1ベルト51の下流端から自重
により第2ベルト52の上流端に落下移動する。第2ベ
ルト52に移動したシリコン原料11は第2ベルト52
の移動とともに移動して超純水噴射装置16の下方に位
置した状態で、その超純水噴射装置16により超純水1
9が噴射され、シリコン原料に付着した洗浄液18が洗
い落とされる。この実施の形態では、第2ベルトの主ベ
ルト52d上のシリコン原料11は第1噴射装置26に
より超純水19が噴射され、主ベルト52dの下流端か
ら補助ベルト52eの上流端に落下移動したシリコン原
料11には第2噴射装置27により超純水が噴射され
る。
In this state, the valve 13 a of the hopper 13 is opened to supply the silicon raw material 11 onto the first belt 51. The silicon raw material 11 supplied onto the first belt 51 is supplied with the cleaning liquid 18 under the cleaning liquid ejecting device 14.
Is sprayed to clean the silicon raw material 11. The cleaned silicon raw material 11 drops from the downstream end of the first belt 51 to the upstream end of the second belt 52 by its own weight. The silicon raw material 11 moved to the second belt 52 is
The ultrapure water injection device 16 moves with the movement of the ultrapure water injection device 16 and the ultrapure water 1
9 is sprayed, and the cleaning liquid 18 attached to the silicon raw material is washed away. In this embodiment, the silicon material 11 on the main belt 52d of the second belt is injected with the ultrapure water 19 by the first injection device 26, and drops from the downstream end of the main belt 52d to the upstream end of the auxiliary belt 52e. Ultrapure water is injected into the silicon raw material 11 by the second injection device 27.

【0031】第1ベルト51の下流端から第2ベルト5
2である主ベルト52dの上流端に落下移動する際、及
び主ベルト52dの下流端から補助ベルト52eの上流
端に落下移動する際、それぞれの下流端に設けられた原
料離脱手段54,55はシリコン原料11がそれぞれの
ベルト51,52aの裏面に追従させないように阻止す
る。具体的に、第1ベルト51の裏面にシリコン原料1
1が追従した場合には、折り返された第1ベルトの斜め
上方の離脱ノズル54aから超純水19が第1ベルト5
1に向かって噴射され、第1ベルト51の裏面に追従し
たシリコン原料11はその超純水19の噴射により第1
ベルト51から引き離され主ベルト52d上に移動させ
られる。同様に主ベルト52dの裏面にシリコン原料1
1が追従した場合には、折り返された主ベルト52dの
斜め上方の離脱ノズル55aから超純水19が主ベルト
52dに向かって噴射され、主ベルト52dの裏面に追
従したシリコン原料11はその超純水19の噴射により
主ベルト52dから引き離され補助ベルト52e上に移
動させられる。
From the downstream end of the first belt 51 to the second belt 5
2, when falling to the upstream end of the main belt 52d, and when falling from the downstream end of the main belt 52d to the upstream end of the auxiliary belt 52e, the raw material separation means 54, 55 provided at each downstream end is The silicon raw material 11 is prevented from following the back surfaces of the respective belts 51 and 52a. Specifically, the silicon raw material 1 is placed on the back surface of the first belt 51.
When the first belt 5 follows, the ultrapure water 19 is supplied from the separation nozzle 54a obliquely above the folded first belt to the first belt 5
The silicon raw material 11 sprayed toward the first belt 51 and following the back surface of the first belt 51 is
The belt is separated from the belt 51 and moved onto the main belt 52d. Similarly, the silicon raw material 1 is placed on the back surface of the main belt 52d.
When the main belt 52d follows, the ultrapure water 19 is sprayed toward the main belt 52d from the separation nozzle 55a obliquely above the folded main belt 52d, and the silicon raw material 11 that has followed the back surface of the main belt 52d is superimposed. The jet of the pure water 19 separates the main belt 52d from the main belt 52d and moves the main belt 52d onto the auxiliary belt 52e.

【0032】その後、シリコン原料11は補助ベルト5
2eの下流端から第3ベルト53の上流端に落下移動
し、第3ベルト53の移動とともに移動して乾燥装置1
7の下方に位置した状態で温風が吹き付けられて乾燥さ
れ、第3ベルト53の下流端から自重により落下し、乾
燥したシリコン原料11はるつぼ29に入れられ、計量
器31で計量される。このるつぼ29に入れられた所定
重量のシリコン原料11はそのるつぼ29とともに単結
晶育成装置に入れられた後、その単結晶育成装置の内部
で融解される。補助ベルト52eの下流端から第3ベル
ト53の上流端に落下移動する際、及び第3ベルトの下
流端からるつぼ29に落下移動する際、それぞれの下流
端に設けられた原料離脱手段56,57によりシリコン
原料11がそれぞれのベルト52e,53の裏面に追従
させないように阻止する。
After that, the silicon raw material 11 is
2e, falls from the downstream end to the upstream end of the third belt 53, moves with the movement of the third belt 53, and
7 is dried by blowing hot air on it, and falls by its own weight from the downstream end of the third belt 53. The dried silicon raw material 11 is put into the crucible 29 and weighed by the measuring device 31. The silicon material 11 having a predetermined weight placed in the crucible 29 is put into a single crystal growing apparatus together with the crucible 29 and then melted inside the single crystal growing apparatus. When dropping and moving from the downstream end of the auxiliary belt 52e to the upstream end of the third belt 53, and when dropping and moving from the downstream end of the third belt to the crucible 29, the raw material detaching means 56, 57 provided at each downstream end. This prevents the silicon raw material 11 from following the back surfaces of the respective belts 52e and 53.

【0033】具体的に、補助ベルト52eの裏面にシリ
コン原料11が追従した場合には、折り返された補助ベ
ルト52eの斜め上方の離脱ノズル56aから温風が補
助ベルト52eに向かって噴射され、補助ベルト52e
の裏面に追従したシリコン原料11はその温風の噴射に
より補助ベルト52eから引き離され第3ベルト53上
に移動させられる。同様に第3ベルト53の裏面にシリ
コン原料11が追従した場合には、折り返された第3ベ
ルト53の上方の離脱ノズル57aから温風又は熱風が
第3ベルト53に向かって噴射され、第3ベルト53の
裏面に追従したシリコン原料11はその温風又は熱風の
噴射により第3ベルト53から引き離され、るつぼ29
に移動させられる。これ以外のシリコン原料11の洗浄
方法は前述した実施の形態と同様であるので、繰返しの
説明を省略する。
Specifically, when the silicon raw material 11 follows the back surface of the auxiliary belt 52e, warm air is blown toward the auxiliary belt 52e from the separation nozzle 56a obliquely above the folded auxiliary belt 52e. Belt 52e
The silicon raw material 11 that has followed the back surface is separated from the auxiliary belt 52e by the injection of the warm air and is moved onto the third belt 53. Similarly, when the silicon raw material 11 follows the back surface of the third belt 53, warm air or hot air is injected from the separation nozzle 57 a above the folded third belt 53 toward the third belt 53, The silicon raw material 11 following the back surface of the belt 53 is separated from the third belt 53 by the injection of the warm air or the hot air, and
It is moved to. The other method of cleaning the silicon raw material 11 is the same as that of the above-described embodiment, and the description thereof will not be repeated.

【0034】なお、上記実施の形態では洗浄液としてフ
ッ酸と硝酸の混酸を用いたが、フッ酸と溶存オゾン水溶
液の混合液を洗浄液としてもよい。前者の混酸はエッチ
ング速度が速く洗浄時間が短時間で済む利点があるが、
後者の混合液はそれぞれ高純度のフッ酸及び溶存オゾン
水溶液の入手が容易で洗浄液自体の純度を高くすること
ができ、洗浄効果に優れる。また、上記実施の形態では
フィードバック管23にフィルタ24を設けたが、フィ
ルタ24は液槽21の排出管21aに設けてもよく、排
出管21a及びフィードバック管23の双方に設けても
よい。また、上記実施の形態では塊状のシリコン原料1
1を用いたが、粒状でもよい。更に、上記別の実施の形
態では原料離脱手段54,55,56,57を第1ベル
ト51、第2ベルト52及び第3ベルト53の下流端に
それぞれ設けたが、原料離脱手段54,55,56,5
7は、第1ベルト51、第2ベルト52及び第3ベルト
53の下流端の近傍にそれぞれ設けてもよい。
In the above embodiment, a mixed acid of hydrofluoric acid and nitric acid is used as the cleaning liquid, but a mixed liquid of hydrofluoric acid and a dissolved ozone aqueous solution may be used as the cleaning liquid. The former mixed acid has the advantage that the etching rate is high and the cleaning time is short, but
The latter mixed solution can easily obtain high-purity hydrofluoric acid and an aqueous solution of dissolved ozone, and can increase the purity of the cleaning solution itself, thereby being excellent in the cleaning effect. In the above-described embodiment, the filter 24 is provided in the feedback pipe 23. However, the filter 24 may be provided in the discharge pipe 21a of the liquid tank 21, or may be provided in both the discharge pipe 21a and the feedback pipe 23. In the above embodiment, the bulk silicon raw material 1
Although 1 was used, it may be granular. Further, in the above-described another embodiment, the material separating means 54, 55, 56, 57 are provided at the downstream ends of the first belt 51, the second belt 52, and the third belt 53, respectively. 56,5
7 may be provided near the downstream ends of the first belt 51, the second belt 52, and the third belt 53, respectively.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上述べたように、本発明の洗浄乾燥装
置は、粒状又は塊状のシリコン原料を運搬する通液性無
端のベルトと、そのベルトにシリコン原料を供給するホ
ッパと、ベルト上のシリコン原料に洗浄液を噴射してシ
リコン原料を洗浄する洗浄液噴射装置と、そのシリコン
原料に超純水を噴射してシリコン原料に付着した洗浄液
を洗い落す超純水噴射装置と、そのシリコン原料に温風
を当ててシリコン原料を乾燥する乾燥装置とを備えたの
で、ベルトの上流側にホッパから供給されたシリコン原
料は、ベルトの下流端に至る間に洗浄されかつ乾燥され
る。この結果、シリコン原料を連続的に洗浄することが
できる。ベルトが第1、第2及び第3ベルトから構成さ
れる装置であっても同様にシリコン原料を連続的に洗浄
することができる。特にベルトを第1、第2及び第3ベ
ルトにより構成すれば、それぞれのベルトの配置の自由
度が増大し、単一のベルトを真直ぐに配置することが困
難な場合に有効である。この場合、シリコン原料をベル
ト裏面に追従させないように阻止する原料離脱手段を設
ければ、その追従を防止することができる。
As described above, the washing and drying apparatus of the present invention comprises a liquid-permeable endless belt for conveying granular or massive silicon raw material, a hopper for supplying the silicon raw material to the belt, A cleaning liquid spraying device for spraying a cleaning liquid onto the silicon raw material to clean the silicon raw material, an ultrapure water spraying device for spraying ultrapure water onto the silicon raw material to wash away the cleaning liquid adhering to the silicon raw material, Since a drying device for drying the silicon raw material by blowing air is provided, the silicon raw material supplied from the hopper on the upstream side of the belt is washed and dried while reaching the downstream end of the belt. As a result, the silicon raw material can be continuously cleaned. Even if the belt is an apparatus composed of the first, second, and third belts, the silicon raw material can be continuously washed similarly. In particular, when the belts are constituted by the first, second, and third belts, the degree of freedom in arranging the respective belts increases, which is effective when it is difficult to arrange a single belt straight. In this case, if a raw material detaching means for preventing the silicon raw material from following the back surface of the belt is provided, the following can be prevented.

【0036】また、洗浄液噴射装置に対向してベルトの
下方に液槽を設け、超純水噴射装置に対向してベルトの
下方に集水槽を設ければ、洗浄液や超純水の回収が可能
になり、それらが飛散することを防止してその洗浄液等
のの有効利用を図ることができる。また、超純水噴射装
置を第1噴射装置と第2噴射装置とにより構成すれば、
シリコン原料の表面に付着した微粒子、不純物等をより
効率良く除去することができる。この場合、第2噴射装
置の超純水の温度を第1噴射装置の超純水より高温にす
れば、いわゆるゆすぎの効果が向上し、かつ後の乾燥装
置におけるシリコン原料の乾燥が容易になる。
Further, if a liquid tank is provided below the belt opposite to the cleaning liquid injection device, and a water collecting tank is provided below the belt opposite to the ultrapure water injection device, the cleaning liquid and ultrapure water can be collected. Thus, they can be prevented from being scattered, and the cleaning liquid and the like can be effectively used. Further, if the ultrapure water injection device is configured by the first injection device and the second injection device,
Fine particles, impurities, and the like attached to the surface of the silicon raw material can be more efficiently removed. In this case, if the temperature of the ultrapure water of the second injection device is made higher than that of the ultrapure water of the first injection device, the so-called rinsing effect is improved, and the drying of the silicon raw material in the subsequent drying device becomes easy. .

【0037】更に、液槽に貯えられた洗浄液をフィード
バック管を介して洗浄液噴射装置の噴射ノズルから噴射
させる循環ポンプを液槽の排出管に設け、その排出管又
はフィードバック管のいずれか一方又は双方にフィルタ
を設ければ、フィルタが液槽に回収された洗浄液からシ
リコン原料の破砕片を除去して洗浄液に微粒子が堆積す
ることを防止するので、この装置により洗浄したシリコ
ン原料から単結晶シリコンを育成したときにそのフリー
化率を増大させることができる。なお、排出管にフィル
タを設ければ、循環ポンプが吸引する洗浄液からフィル
タが微粒子を除去するので、循環ポンプが損傷すること
を防止することもできる。
Further, a circulating pump for injecting the cleaning liquid stored in the liquid tank from the injection nozzle of the cleaning liquid injection device through a feedback pipe is provided at the discharge pipe of the liquid tank, and either one or both of the discharge pipe and the feedback pipe are provided. If a filter is provided, the filter removes crushed pieces of silicon raw material from the cleaning liquid collected in the liquid tank to prevent fine particles from being deposited on the cleaning liquid. When bred, the free ratio can be increased. In addition, if a filter is provided in the discharge pipe, the filter removes the fine particles from the cleaning liquid sucked by the circulating pump, so that it is possible to prevent the circulating pump from being damaged.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のシリコン原料の洗浄乾燥装置の構成
図。
FIG. 1 is a configuration diagram of an apparatus for cleaning and drying a silicon raw material according to the present invention.

【図2】本発明の別のシリコン原料の洗浄乾燥装置の構
成図。
FIG. 2 is a configuration diagram of another apparatus for cleaning and drying a silicon raw material according to the present invention.

【図3】その別の洗浄乾燥装置の原料離脱手段を示す拡
大図。
FIG. 3 is an enlarged view showing a raw material detaching means of another washing and drying apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 シリコン原料 12 ベルト 13 ホッパ 14 洗浄液噴射装置 16 超純水噴射装置 17 乾燥装置 18 洗浄液 19 超純水 21 液槽 21a 排出管 22 循環ポンプ 23 フィードバック管 24 フィルタ 26 第1噴射装置 27 第2噴射装置 28 集水槽 51 第1ベルト 52 第2ベルト 52d 主ベルト 52e 補助ベルト 53 第3ベルト 54,55,56,57 原料離脱手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Silicon raw material 12 Belt 13 Hopper 14 Cleaning liquid injection device 16 Ultrapure water injection device 17 Drying device 18 Cleaning liquid 19 Ultrapure water 21 Liquid tank 21a Discharge pipe 22 Circulation pump 23 Feedback pipe 24 Filter 26 First injection device 27 Second injection device 28 Water collecting tank 51 First belt 52 Second belt 52d Main belt 52e Auxiliary belt 53 Third belt 54, 55, 56, 57 Material separation means

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 粒状又は塊状のシリコン原料(11)を運搬
する通液性無端のベルト(12)と、 前記ベルト(12)の上流端の上方に設けられ前記シリコン
原料(11)を貯えかつ前記ベルト(12)にシリコン原料(11)
を供給するホッパ(13)と、 前記ホッパ(13)より下流側の前記ベルト(12)の上方に設
けられ前記ベルト(12)上のシリコン原料(11)に洗浄液(1
8)を噴射して前記シリコン原料(11)を洗浄する洗浄液噴
射装置(14)と、 前記洗浄液噴射装置(14)より下流側の前記ベルト(12)の
上方に設けられ前記ベルト(12)上のシリコン原料(11)に
超純水(19)を噴射して前記シリコン原料(11)に付着した
洗浄液(18)を洗い落す超純水噴射装置(16)と、 前記超純水噴射装置(16)より下流側の前記ベルト(12)の
下流端の上方に設けられ前記ベルト(12)上のシリコン原
料(11)に温風を当てて前記シリコン原料(11)を乾燥する
乾燥装置(17)とを備えたシリコン原料の洗浄乾燥装置。
1. A liquid-permeable endless belt (12) for conveying a granular or massive silicon raw material (11), and provided above an upstream end of the belt (12) for storing the silicon raw material (11); Silicon raw material (11) for the belt (12)
And a cleaning liquid (1) provided to the silicon raw material (11) on the belt (12) provided above the belt (12) downstream of the hopper (13).
A cleaning liquid ejecting device (14) for injecting the silicon material (11) by injecting the cleaning liquid (8); and a cleaning liquid ejecting device (14) provided above the belt (12) downstream of the cleaning liquid ejecting device (14). An ultrapure water injection device (16) for injecting ultrapure water (19) into the silicon raw material (11) to wash off the cleaning liquid (18) attached to the silicon raw material (11), and the ultrapure water injection device ( 16) a drying device (17) provided above the downstream end of the belt (12) on the downstream side of the belt (12) to dry the silicon raw material (11) by blowing hot air on the silicon raw material (11) on the belt (12); ) For cleaning and drying silicon raw materials.
【請求項2】 洗浄液噴射装置(14)に対向してベルト(1
2)の下方に設けられ前記ベルト(12)を通過した洗浄液(1
8)を回収して貯える液槽(21)と、超純水噴射装置(16)に
対向して前記ベルト(12)の下方に設けられ前記ベルト(1
2)を通過した超純水(19)を受ける集水槽(28)とを更に備
えた請求項1記載のシリコン原料の洗浄乾燥装置。
2. A belt (1) facing a cleaning liquid injection device (14).
The cleaning liquid (1) provided below the belt (12) and provided under the belt (12)
8) and a liquid tank (21) for collecting and storing the same, and the belt (1) provided below the belt (12) so as to face the ultrapure water injection device (16).
The apparatus according to claim 1, further comprising a water collecting tank (28) for receiving the ultrapure water (19) passed through 2).
【請求項3】 超純水噴射装置(16)がホッパ側に設けら
れた第1噴射装置(26)と乾燥装置側に設けられた第2噴
射装置(27)とを備え、前記第1噴射装置(26)の超純水の
温度が25〜50℃であり、前記第2噴射装置(27)の超
純水の温度が前記第1噴射装置(26)の超純水より高温の
50〜90℃である請求項1又は2記載のシリコン原料
の洗浄乾燥装置。
3. The ultrapure water injection device (16) includes a first injection device (26) provided on a hopper side and a second injection device (27) provided on a drying device side, wherein the first injection is performed. The temperature of the ultrapure water of the device (26) is 25 to 50 ° C, and the temperature of the ultrapure water of the second injection device (27) is higher than the temperature of the ultrapure water of the first injection device (26). The apparatus for cleaning and drying a silicon raw material according to claim 1, wherein the temperature is 90 ° C. 4.
【請求項4】 液槽(21)の排出管(21a)に設けられ前記
液槽(21)に貯えられた洗浄液(18)をフィードバック管(2
3)を介して洗浄液噴射装置の噴射ノズル(14)から噴
射させる循環ポンプ(22)と、前記排出管(21a)又は
フィードバック管(23)のいずれか一方又は双方に設けら
れたフィルタ(24)とを備えた請求項1ないし3いずれか
記載のシリコン原料の洗浄乾燥装置。
4. A cleaning liquid (18) provided in a discharge pipe (21a) of a liquid tank (21) and stored in the liquid tank (21) through a feedback pipe (2).
A circulation pump (22) for injecting from the injection nozzle (14) of the cleaning liquid injection device via 3), and a filter (24) provided in one or both of the discharge pipe (21a) and the feedback pipe (23). The apparatus for cleaning and drying a silicon raw material according to any one of claims 1 to 3, further comprising:
【請求項5】 粒状又は塊状のシリコン原料(11)を運搬
する通液性無端の第1ベルト(51)と、 前記第1ベルト(51)の上流端の上方に設けられ前記シリ
コン原料(11)を貯えかつ前記第1ベルト(51)にシリコン
原料(11)を供給するホッパ(13)と、 前記ホッパ(13)より下流側の前記第1ベルト(51)の上方
に設けられ前記第1ベルト(51)上のシリコン原料(11)に
洗浄液(18)を噴射して前記シリコン原料(11)を洗浄する
洗浄液噴射装置(14)と、 前記第1ベルト(51)の下流端の下方に設けられ前記洗浄
したシリコン原料(11)を運搬する通液性無端の第2ベル
ト(52)と、 前記第2ベルト(52)の上方に設けられ前記第2ベルト(5
2)上のシリコン原料(11)に超純水(19)を噴射して前記シ
リコン原料(11)に付着した洗浄液(18)を洗い落す超純水
噴射装置(16)と、 前記第2ベルト(52)の下流端の下方に設けられ前記洗浄
液(18)を洗い落したシリコン原料(11)を運搬する通液性
無端の第3ベルト(53)と、 前記第3ベルト(53)の上方に設けられ前記ベルト(53)上
のシリコン原料(11)に温風を当てて前記シリコン原料(1
1)を乾燥する乾燥装置(17)とを備えたシリコン原料の洗
浄乾燥装置。
5. A liquid-permeable endless first belt (51) for conveying a granular or massive silicon raw material (11), and said silicon raw material (11) provided above an upstream end of said first belt (51). ) And a hopper (13) for supplying a silicon raw material (11) to the first belt (51); and a hopper (13) provided above the first belt (51) downstream of the hopper (13). A cleaning liquid spraying device (14) for cleaning the silicon raw material (11) by spraying a cleaning liquid (18) onto the silicon raw material (11) on the belt (51); and a cleaning liquid jetting device (14) below the downstream end of the first belt (51). A liquid-permeable endless second belt (52) for conveying the washed silicon raw material (11); and a second belt (5) provided above the second belt (52).
2) an ultrapure water injection device (16) for injecting ultrapure water (19) to the upper silicon material (11) to wash off the cleaning liquid (18) attached to the silicon material (11); A liquid-permeable endless third belt (53) provided below the downstream end of (52) and transporting the silicon raw material (11) from which the cleaning liquid (18) has been washed away, and above the third belt (53) Hot air is applied to the silicon raw material (11) on the belt (53).
An apparatus for washing and drying silicon raw materials, comprising: a drying apparatus (17) for drying 1).
【請求項6】 洗浄液噴射装置(14)に対向して第1ベル
ト(51)の下方に設けられ前記第1ベルト(51)を通過した
洗浄液を回収して貯える液槽(21)と、超純水噴射装置(1
6)に対向して第2ベルト(52)の下方に設けられ前記第2
ベルト(52)を通過した超純水(19)を受ける集水槽(28)と
を更に備えた請求項5記載のシリコン原料の洗浄乾燥装
置。
6. A liquid tank (21) provided below the first belt (51) opposite to the cleaning liquid injection device (14) for collecting and storing the cleaning liquid passing through the first belt (51). Pure water injection device (1
6) is provided below the second belt (52) so as to face the second belt (52).
The apparatus according to claim 5, further comprising a water collecting tank (28) for receiving the ultrapure water (19) passed through the belt (52).
【請求項7】 第2ベルト(52)が第1ベルト(51)の下流
端の下方に設けられた通液性無端の主ベルト(52d)と前
記主ベルト(52d)の下流端の下方に設けられた通液性無
端の補助ベルト(52e)とからなり、前記補助ベルト(52e)
の下流端の下方に第3ベルト(53)が設けられ、 超純水噴射装置(16)が主ベルト(52d)の上方に設けられ
た第1噴射装置(26)と補助ベルト(52e)の上方に設けら
れた第2噴射装置(27)とを備え、前記第1噴射装置(26)
の超純水の温度が25〜50℃であり、前記第2噴射装
置(27)の超純水の温度が前記第1噴射装置(26)の超純水
より高温の50〜90℃である請求項5又は6記載のシ
リコン原料の洗浄乾燥装置。
7. A liquid-permeable endless main belt (52d) provided below a downstream end of the first belt (51) and a second belt (52) below a downstream end of the main belt (52d). A liquid-permeable endless auxiliary belt (52e) provided, wherein the auxiliary belt (52e)
A third belt (53) is provided below the downstream end of the main belt (52d). An ultrapure water injection device (16) is provided between the first injection device (26) provided above the main belt (52d) and the auxiliary belt (52e). A second injection device (27) provided above, and the first injection device (26).
The temperature of the ultrapure water is 25 to 50C, and the temperature of the ultrapure water of the second injection device (27) is 50 to 90C, which is higher than the ultrapure water of the first injection device (26). The apparatus for cleaning and drying a silicon raw material according to claim 5.
【請求項8】 ベルト(51,52,53)下流端に到来したシリ
コン原料(11)をベルト(51,52,53)裏面に追従させないよ
うに阻止する原料離脱手段(54,55,56,57)が第1ベルト
(51)、第2ベルト(52)及び第3ベルト(53)の下流端又は
その近傍にそれぞれ設けられた請求項5ないし7いずれ
か記載のシリコン原料の洗浄乾燥装置。
8. A material separation means (54, 55, 56, 54) for preventing the silicon material (11) arriving at the downstream end of the belt (51, 52, 53) from following the back surface of the belt (51, 52, 53). 57) is the first belt
The apparatus according to any one of claims 5 to 7, wherein the apparatus (51) is provided at or near the downstream end of the second belt (52) and the third belt (53).
【請求項9】 液槽(21)の排出管(21a)に設けられ前記
液槽(21)に貯えられた洗浄液(18)をフィードバック管(2
3)を介して洗浄液噴射装置の噴射ノズル(14)から噴射さ
せる循環ポンプ(22)と、前記排出管(21a)又はフィード
バック管(23)のいずれか一方又は双方に設けられたフィ
ルタ(24)とを備えた請求項5ないし8いずれか記載のシ
リコン原料の洗浄乾燥装置。
9. A feedback pipe (2) provided in a discharge pipe (21a) of a liquid tank (21) and storing a cleaning liquid (18) stored in the liquid tank (21).
A circulation pump (22) for injecting from the injection nozzle (14) of the cleaning liquid injection device via 3), and a filter (24) provided on one or both of the discharge pipe (21a) and the feedback pipe (23) The apparatus for cleaning and drying a silicon raw material according to any one of claims 5 to 8, further comprising:
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