JP2001099863A - Probe and probe card using the same - Google Patents

Probe and probe card using the same

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JP2001099863A
JP2001099863A JP28107299A JP28107299A JP2001099863A JP 2001099863 A JP2001099863 A JP 2001099863A JP 28107299 A JP28107299 A JP 28107299A JP 28107299 A JP28107299 A JP 28107299A JP 2001099863 A JP2001099863 A JP 2001099863A
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JP
Japan
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probe
wiring pattern
substrate
contact
probe card
Prior art date
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JP28107299A
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Japanese (ja)
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Masao Okubo
昌男 大久保
Kazumasa Okubo
和正 大久保
Hiroshi Iwata
浩 岩田
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Japan Electronic Materials Corp
Original Assignee
Japan Electronic Materials Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-reliability probe card which allows the probe to be changed, if the probe fails. SOLUTION: The probe card comprises probes 100 contacted to electrodes 910 of a semiconductor integrated circuit 900 of an object to be measured such as LSI chips, etc., a board 200 having wiring patterns (not shown), a means 300 provided on the backside of the board 200 for supporting the probes 100, and a microconnector 400 to be a means for electrically connecting the probes 100 to the wiring pattern, and the probe 100 has an elastic part 130 formed like a flat plate between a rear end connection 120 and a top end contact 110.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、測定対象物である
LSI等の半導体集積回路の電気的諸特性を測定する際
に用いられるプローブカードに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe card used for measuring various electrical characteristics of a semiconductor integrated circuit such as an LSI to be measured.

【0002】[0002]

【従来の技術】ウエハ上に形成されたLSI等の半導体
集積回路の電気的諸特性を測定する際に用いられるプロ
ーブカードは、カンチレバータイプと称される横向きの
プローブを使用する横型タイプと、垂直型と称される縦
型のプローブを使用する縦型タイプとの2種類がある。
カンチレバータイプのプローブカードは、微細化、高速
化、高集積化してきた最近の半導体集積回路の多チップ
の同時測定には不利である。この最近の多チップの同時
測定に適したものとして縦型プローブカードが注目され
ている。これは、縦型プローブカードの方がカンチレバ
ータイプよりプローブ密度を高くすることができるとと
もに、プローブの配置の自由度が高いためである。
2. Description of the Related Art A probe card used for measuring various electrical characteristics of a semiconductor integrated circuit such as an LSI formed on a wafer includes a horizontal type using a horizontal probe called a cantilever type and a vertical type. There are two types, a vertical type using a vertical probe called a type.
The cantilever type probe card is disadvantageous for simultaneous measurement of multiple chips of a recent semiconductor integrated circuit which has been miniaturized, increased in speed, and highly integrated. A vertical probe card has attracted attention as a material suitable for the recent simultaneous measurement of multiple chips. This is because the vertical probe card can have a higher probe density than the cantilever type and has a higher degree of freedom in the arrangement of the probes.

【0003】この図5に示す従来の縦型プローブカード
Cには、数百〜数千本のプローブ950が使用されてい
る。このプローブ950の中腹部には、横方向に向かっ
て突出した横向き略く字形状の弾力部951が設けられ
ている。この弾力部951は、プローブ950が半導体
集積回路900の電極910に接触した場合に変形して
プローブ950と電極との間の接触圧を確保するための
ものである。
The conventional vertical probe card C shown in FIG. 5 uses hundreds to thousands of probes 950. At the middle part of the probe 950, a resilient portion 951 having a substantially rectangular shape in the lateral direction protruding in the lateral direction is provided. The elastic portion 951 deforms when the probe 950 comes into contact with the electrode 910 of the semiconductor integrated circuit 900 to secure a contact pressure between the probe 950 and the electrode.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た縦型プローブカードには、以下のような問題点があ
る。すなわち、数百〜数千本のプローブ950のうち、
1本でも不具合を起こした場合、その交換が困難という
問題点である。すなわち、プローブ950には前記弾力
部951が形成されているため、弾力部951を上側支
持板961と下側支持板962とで挟み込んだ支持手段
960の存在により、上方向にも下方向にも引き抜くこ
とができないのである。
However, the above-described vertical probe card has the following problems. That is, among hundreds to thousands of probes 950,
The problem is that if even one of them fails, its replacement is difficult. That is, since the elastic portion 951 is formed in the probe 950, the elastic member 951 is sandwiched between the upper support plate 961 and the lower support plate 962, so that the elastic member 951 can be moved upward or downward. They cannot be pulled out.

【0005】この問題点を解消したプローブとして、弾
力部の代わりに、図6に示すように、プローブ990の
一部991を他の部分より細く形成したタイプもある。
これであれば、プローブ991を上方向にも下方向にも
引き抜くことができる。
As a probe which has solved this problem, there is a type in which a part 991 of a probe 990 is formed thinner than other parts, as shown in FIG. 6, instead of an elastic part.
In this case, the probe 991 can be pulled out both upward and downward.

【0006】しかしながら、このタイプのプローブで
は、細く形成された部分の座屈が弾性限界に近いため、
時として塑性変形を起こすおそれがあり、信頼性に欠け
るという問題点がある。
[0006] However, in this type of probe, the buckling of the thinly formed portion is close to the elastic limit.
There is a problem that plastic deformation sometimes occurs, and reliability is lacking.

【0007】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、不都合が生じても交換が簡単でり、しかも信頼性の
高いプローブと、これを用いたプローブカードとを提供
することを目的としている。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a probe which can be easily replaced even if a problem occurs and which has high reliability, and a probe card using the probe. I have.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明に係るプローブ
は、測定対称物の電極に接触する接触部と、プローブカ
ードを構成する基板の配線パターンに接続される接続部
と、前記接触部と接続部との間に設けられた弾力部とを
備えており、前記弾力部は、平板化されたものである。
According to the present invention, there is provided a probe comprising: a contact portion for contacting an electrode of an object to be measured; a connection portion for connection to a wiring pattern of a substrate constituting a probe card; And an elastic part provided between the elastic part and the elastic part. The elastic part is flattened.

【0009】また、本発明に係るプローブカードは、測
定対象物の電極に接触するプローブと、配線パターンが
形成された基板と、この基板の裏面側に設けられ、前記
プローブを支持する支持手段と、前記プローブと配線パ
ターンとの間を電気的に接続する接続手段とを備えてお
り、前記プローブは、後端の接続部と先端の接触部との
間に平板化された弾力部を有している。
A probe card according to the present invention comprises a probe in contact with an electrode of an object to be measured, a substrate on which a wiring pattern is formed, and support means provided on the back side of the substrate and supporting the probe. Connecting means for electrically connecting the probe and the wiring pattern, wherein the probe has a flattened elastic portion between a rear end connecting portion and a front end contacting portion. ing.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図1は本発明の第1の実施の形態
に係るプローブカードの概略的断面図、図2は本発明の
第1の実施の形態に係るプローブカードに用いられるプ
ローブの概略的斜視図、図3は本発明の第2の実施の形
態に係るプローブカードの概略的断面図、図4は本発明
の第2の実施の形態に係るプローブカードに用いられる
マイクロコネクタの概略的斜視図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a probe card according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing a probe used in the probe card according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a schematic perspective view, FIG. 3 is a schematic sectional view of a probe card according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a schematic of a micro connector used in the probe card according to the second embodiment of the present invention. FIG.

【0011】なお、図1及び図3では、プローブカード
A、Bには、作図の都合上、プローブ100、600は
3本しか描かれてないが、実際には数百本から数千本の
プローブ100、600がある。
In FIG. 1 and FIG. 3, only three probes 100 and 600 are drawn on the probe cards A and B for the sake of drawing. However, actually, several hundred to several thousand probes are shown. There are probes 100 and 600.

【0012】本発明の第1の実施の形態に係るプローブ
カードAは、測定対象物であるLSIチップ等の半導体
集積回路900の電極910に接触するプローブ100
と、配線パターン(図示省略)が形成された基板200
と、この基板200の裏面側に設けられ、前記プローブ
100を支持する支持手段300と、前記プローブ10
0と配線パターンとの間を電気的に接続する接続手段と
してのマイクロコネクタ400とを備えており、前記プ
ローブ100は、後端の接続部120と先端の接触部1
10との間に平板化された弾力部130を有している。
The probe card A according to the first embodiment of the present invention includes a probe 100 which is in contact with an electrode 910 of a semiconductor integrated circuit 900 such as an LSI chip which is an object to be measured.
200 on which a wiring pattern (not shown) is formed
A support means 300 provided on the back side of the substrate 200 for supporting the probe 100;
And a micro connector 400 as a connecting means for electrically connecting between the probe 100 and the wiring pattern. The probe 100 includes a connecting portion 120 at a rear end and a contact portion 1 at a front end.
The elastic part 130 is flattened between the elastic part 10 and the elastic part 130.

【0013】このプローブカードAは、複数個の半導体
集積回路900を同時に測定することができるようにな
っている。
The probe card A can measure a plurality of semiconductor integrated circuits 900 simultaneously.

【0014】プローブ100は、直径が約80μmのタ
ングステン等からなる細線から構成されている。このプ
ローブ100の弾力部130は、図2(A)に示すよう
に、前記細線を叩くことによって平板化して形成されて
いる。すなわち、プローブ100の先端の接触部110
と後端の接続部120とは、叩かれずに残った細線のま
まである。ただし、接触部110の先端は先鋭化されて
いる。
The probe 100 is composed of a thin wire made of tungsten or the like having a diameter of about 80 μm. As shown in FIG. 2 (A), the elastic portion 130 of the probe 100 is flattened by hitting the thin line. That is, the contact portion 110 at the tip of the probe 100
And the connecting portion 120 at the rear end remain as a thin line left without being hit. However, the tip of the contact portion 110 is sharpened.

【0015】弾力部130は、他の部分、すなわち、接
触部110や接続部120より細くなっているので、接
触部110と接続部120との間に垂直方向の力が加え
られると変形するようになっている。
Since the elastic portion 130 is thinner than the other portions, that is, the contact portion 110 and the connecting portion 120, the elastic portion 130 is deformed when a vertical force is applied between the contact portion 110 and the connecting portion 120. It has become.

【0016】なお、弾力部130を形成する他の方法と
しては、ロールで潰す方法もある。また、フォトリソグ
ラフィー技術を用いた電鋳法で初めから平板化された弾
力部130を有するプローブ100を形成する方法もあ
る。
As another method of forming the elastic portion 130, there is a method of crushing with a roll. There is also a method of forming the probe 100 having the elastic portion 130 which is flattened from the beginning by an electroforming method using a photolithography technique.

【0017】一方、前記基板200は、プローブ100
の増加に伴って積層化されており、各層に配線パターン
が形成されている。また、この基板200には貫通孔2
10が開設されている。この貫通孔210は、後述する
マイクロコネクタ400の尾部420が貫通する部分で
ある。
On the other hand, the substrate 200
And the wiring pattern is formed in each layer. The substrate 200 has a through hole 2
Ten have been established. The through hole 210 is a portion through which a tail 420 of the micro connector 400 described later penetrates.

【0018】前記支持手段300は、隣接するプローブ
100同士が接触しないようにするとともに、多数本の
プローブ100の接触部110の位置がずれないように
するためのものであって、基板200の下面から垂下さ
れた支持部材310と、この支持部材130によって、
基板200と平行に支持された上側支持板320及び下
側支持板330とから構成される。
The support means 300 serves to prevent adjacent probes 100 from contacting each other and to prevent the positions of the contact portions 110 of a large number of probes 100 from shifting. With the support member 310 suspended from the support member 130,
It comprises an upper support plate 320 and a lower support plate 330 supported in parallel with the substrate 200.

【0019】前記上側支持板320及び下側支持板33
0とは、隣接するプローブ100同士の接触による短絡
を防止するものであるから、当然、絶縁性を有する素
材、例えばセラミックス等から構成されている。
The upper support plate 320 and the lower support plate 33
Since 0 is for preventing a short circuit due to contact between adjacent probes 100, the probe is naturally made of a material having an insulating property, for example, ceramics or the like.

【0020】前記下側支持板330には、半導体集積回
路900の電極910の配置に対応した下側貫通孔33
1が開設されている。また、前記上側支持板320に
は、前記基板200の貫通孔210に対応した上側貫通
孔321が開設されている。前記上側貫通孔321はプ
ローブ100の接続部120が、前記下側貫通孔331
はプローブ100の接触部110がそれぞれ挿入される
部分である。
The lower support plate 330 has a lower through hole 33 corresponding to the arrangement of the electrode 910 of the semiconductor integrated circuit 900.
1 has been established. The upper support plate 320 has an upper through hole 321 corresponding to the through hole 210 of the substrate 200. The upper through hole 321 is connected to the connection portion 120 of the probe 100 by the lower through hole 331.
Are portions where the contact portions 110 of the probe 100 are respectively inserted.

【0021】ここで、1つのプローブ100が挿入され
る下側貫通孔331と上側貫通孔321とは鉛直線上に
はない。すなわち、図1に示すように、下側貫通孔33
1と上側貫通孔321とはずれているのである。この上
側貫通孔321と下側貫通孔331とのずれは、プロー
ブ100の弾力部130を弓なり(図2(B)に示すよ
うな略S字形状)に変形させるために意図的に設けられ
たものである。すなわち、両貫通孔321、331がず
れていると、必然的に弾力部130は変形する。しか
も、弾力部130は平板化されたものであるから弓なり
に変形する。
Here, the lower through hole 331 into which one probe 100 is inserted and the upper through hole 321 are not on a vertical line. That is, as shown in FIG.
1 and the upper through-hole 321 are displaced. The deviation between the upper through-hole 321 and the lower through-hole 331 is intentionally provided to deform the elastic portion 130 of the probe 100 into a bow shape (substantially S shape as shown in FIG. 2B). Things. That is, if the two through holes 321 and 331 are displaced, the elastic portion 130 is inevitably deformed. In addition, since the elastic portion 130 is flattened, it deforms like a bow.

【0022】プローブ100は、上側支持板320の上
側貫通孔321から接続部120を突出させた状態で上
側支持板320にシリコン樹脂500等によって固定さ
れている。
The probe 100 is fixed to the upper support plate 320 with a silicon resin 500 or the like in a state where the connecting portion 120 is projected from the upper through hole 321 of the upper support plate 320.

【0023】一方、基板200の貫通孔210は、前記
上側支持板320の上側貫通孔321の真上に位置して
いる。
On the other hand, the through hole 210 of the substrate 200 is located just above the upper through hole 321 of the upper support plate 320.

【0024】ところで、前記マイクロコネクタ400
は、パラジウム合金、ニッケルタングステン合金や銅ベ
リリウム合金から構成されており、プローブ100の後
端側の接続部120が挿入される筒部410と、この筒
部410から突出し、前記配線パターンに接続される尾
部420とを有している。前記筒部410は、内径が約
80μmに設定された上端が閉塞された円筒形状に形成
されている。また、前記尾部420は、筒部410の閉
塞された上端から突出されている。この尾部420は、
基板200の貫通孔210に挿入されて前記配線パター
ンに電気的に接続される。
Incidentally, the micro connector 400
Is made of a palladium alloy, a nickel tungsten alloy, or a copper beryllium alloy, and has a cylindrical portion 410 into which the connecting portion 120 on the rear end side of the probe 100 is inserted, and which projects from the cylindrical portion 410 and is connected to the wiring pattern. Tail 420. The cylindrical portion 410 is formed in a cylindrical shape with an inner diameter set to about 80 μm and an upper end closed. Further, the tail part 420 protrudes from the closed upper end of the cylindrical part 410. This tail 420
It is inserted into the through hole 210 of the substrate 200 and is electrically connected to the wiring pattern.

【0025】このマイクロコネクタ400には、Ni−
W系、Fe−W系の電解析出合金が用いられる場合もあ
る。これらの合金は、アモルファス又はナノ結晶構造を
有し、高硬度、高熱安定性に優れている。
The micro connector 400 has a Ni-
In some cases, a W-based or Fe-W-based electrolytic deposition alloy is used. These alloys have an amorphous or nanocrystalline structure, and are excellent in high hardness and high thermal stability.

【0026】次に、このように構成されたプローブカー
ドよる半導体集積回路900の電気的諸特性の測定につ
いて説明する。吸着テーブル920に多数の半導体集積
回路900が形成されたウエハを吸着させる。そして、
前記プローブカードAと吸着テーブル920とを相対的
に接近させて、半導体集積回路900の電極910にプ
ローブ100の接触部110を接触させる。両者が接触
してからもプローブカードAと吸着テーブル920とを
相対的に接近させる。この接近(オーバードライブと称
する)によってプローブ100に上向きの力が加えら
れ、プローブ100の弾力部130が変形する。この弾
力部130の変形によってプローブ100と電極910
との間の接触圧が確保される。
Next, measurement of various electrical characteristics of the semiconductor integrated circuit 900 using the probe card configured as described above will be described. The wafer on which a number of semiconductor integrated circuits 900 are formed is sucked to the suction table 920. And
The probe card A and the suction table 920 are relatively approached to each other, and the contact portion 110 of the probe 100 is brought into contact with the electrode 910 of the semiconductor integrated circuit 900. Even after the two touch, the probe card A and the suction table 920 are relatively approached. This approach (referred to as overdrive) applies an upward force to the probe 100, and the elastic portion 130 of the probe 100 is deformed. The probe 100 and the electrode 910 are deformed by the deformation of the elastic part 130.
And the contact pressure between them.

【0027】この状態で、プローブカードAに接続され
たテスター(図示省略)と半導体集積回路900との間
に電気的信号を遣り取りすることで複数個の半導体集積
回路900の電気的諸特性の測定を同時に行う。
In this state, an electric signal is exchanged between a tester (not shown) connected to the probe card A and the semiconductor integrated circuit 900 to measure various electric characteristics of the plurality of semiconductor integrated circuits 900. At the same time.

【0028】このサイクルの測定が終了したならば、プ
ローブ100と電極910との接触を解除し、次の半導
体集積回路900の電極910にプローブ100を接触
させる。
When the measurement of this cycle is completed, the contact between the probe 100 and the electrode 910 is released, and the probe 100 is brought into contact with the electrode 910 of the next semiconductor integrated circuit 900.

【0029】多数回の使用によって不具合がプローブ1
00に発生した場合には、不具合を生じたプローブ10
0を交換する。すなわち、プローブ100と上側支持板
320とを固定しているシリコン樹脂500を除去し、
プローブ100を下側に引っ張るとプローブ100はマ
イクロコネクタ400から外れるから、プローブ100
を容易に取り外すことができる。
Probe 1 is defective due to multiple use
If it occurs at 00, the failed probe 10
Replace 0. That is, the silicon resin 500 fixing the probe 100 and the upper support plate 320 is removed,
When the probe 100 is pulled downward, the probe 100 comes off the micro connector 400.
Can be easily removed.

【0030】その後、新たなプローブ100を下側支持
板330の下側貫通孔331から挿入し、対応するマイ
クロコネクタ400に接続部120を挿入し、シリコン
樹脂500で上側支持板320に固定する。これによっ
てプローブ100の交換が完了する。
After that, a new probe 100 is inserted through the lower through hole 331 of the lower support plate 330, the connecting portion 120 is inserted into the corresponding micro connector 400, and fixed to the upper support plate 320 with the silicon resin 500. Thus, the replacement of the probe 100 is completed.

【0031】なお、上述した第1の実施の形態では、プ
ローブ100は弾力部130を初めから弓なりに変形さ
せた状態で支持手段300に取り付けられるとして説明
したが、次のようなことも可能である。
In the above-described first embodiment, the probe 100 is described as being attached to the support means 300 in a state where the elastic part 130 is deformed into a bow shape from the beginning, but the following is also possible. is there.

【0032】すなわち、支持手段300を構成する上側
支持板320の上側貫通孔321と、これに対応する下
側支持板330の下側貫通孔331とを同一の鉛直線上
に位置させた状態でプローブ100を取り付け、その
後、上側支持板320と下側支持板330とを横方向に
ずらせることで、弾力部130を弓なりに変形させるこ
とも可能である。この方が、プローブ100の支持手段
300への取り付けが容易である。
That is, the probe is set with the upper through hole 321 of the upper support plate 320 constituting the support means 300 and the corresponding lower through hole 331 of the lower support plate 330 located on the same vertical line. The elastic portion 130 can be deformed like an arc by attaching the upper support plate 100 and thereafter displacing the upper support plate 320 and the lower support plate 330 in the lateral direction. This makes it easier to attach the probe 100 to the support means 300.

【0033】上述した第1の実施の形態に係るプローブ
カードAでは、プローブ100に平板化された弾性部1
30が設けられていたが、次に説明する第2の実施の形
態に係るプローブカードBでは、マイクロコネクタ70
0に平板化された弾性部730が形成されている点が特
徴的である。
In the probe card A according to the first embodiment described above, the probe 100 has a flat elastic part 1.
However, in the probe card B according to the second embodiment described below, the micro connector 70 is provided.
It is characteristic that an elastic portion 730 flattened to zero is formed.

【0034】この第2の実施の形態に係るプローブカー
ドBは、図3に示すように、測定対象物としてのLSI
等の半導体集積回路900の電極910に接触するプロ
ーブ600と、配線パターン(図示省略)が形成された
基板800と、この基板800の裏面側に設けられ、前
記プローブ600を支持する支持手段300と、前記プ
ローブ600と配線パターンとの間を電気的に接続する
接続手段としてのマイクロコネクタ700とを備えてお
り、前記マイクロコネクタ700は、プローブ600の
後端側の接続部620が挿入される筒部710と、この
筒部710から突出し、前記配線パターンに接続される
尾部720とを有しており、前記尾部720は弓形に変
形した弾力部730を有している。
As shown in FIG. 3, the probe card B according to the second embodiment has an LSI as an object to be measured.
A probe 800 that contacts the electrode 910 of the semiconductor integrated circuit 900, a substrate 800 on which a wiring pattern (not shown) is formed, and support means 300 provided on the back side of the substrate 800 and supporting the probe 600. And a micro connector 700 as connection means for electrically connecting the probe 600 to the wiring pattern. The micro connector 700 is a cylinder into which a connection portion 620 on the rear end side of the probe 600 is inserted. It has a portion 710 and a tail portion 720 protruding from the cylindrical portion 710 and connected to the wiring pattern. The tail portion 720 has an elastic portion 730 deformed into an arc shape.

【0035】前記プローブ600は、前記プローブ10
0より極端に短く、支持手段300を構成する下側支持
板330の下側貫通孔331を貫通した状態で、下側支
持板330の上面から接続部620が突出する程度の長
さに設定されている。このプローブ600は、シリコン
樹脂500によって下側支持板330に固定される。
The probe 600 includes the probe 10
It is extremely shorter than 0, and is set to such a length that the connecting portion 620 protrudes from the upper surface of the lower support plate 330 in a state of penetrating the lower through hole 331 of the lower support plate 330 constituting the support means 300. ing. The probe 600 is fixed to the lower support plate 330 by the silicon resin 500.

【0036】前記基板800は、第1の実施の形態で説
明した基板200と略同一である。ただし、貫通孔21
0に相当するものはなく、下面に配線パターンと接続さ
れたパッド810が形成されている。このパッド810
の配置パターンは、上側支持板320の上側貫通孔32
1の配置パターンと同一になっている。
The substrate 800 is substantially the same as the substrate 200 described in the first embodiment. However, the through hole 21
There is no equivalent to 0, and a pad 810 connected to the wiring pattern is formed on the lower surface. This pad 810
The arrangement pattern of the upper through holes 32 of the upper support plate 320
1 is the same as the arrangement pattern.

【0037】また、前記支持手段300は、隣接するプ
ローブ600同士が接触しないようにするとともに、多
数本のプローブ600の接触部610の位置がずれない
ようにするためのものであって、基板800の下面から
垂下された支持部材310と、この支持部材310によ
って、基板800と平行に支持された上側支持板320
及び下側支持板330とから構成される。
The support means 300 serves to prevent adjacent probes 600 from contacting each other and to prevent the positions of the contact portions 610 of a large number of probes 600 from shifting. A support member 310 suspended from the lower surface of the substrate, and an upper support plate 320 supported in parallel with the substrate 800 by the support member 310
And the lower support plate 330.

【0038】前記上側支持板320及び下側支持板33
0とは、隣接するプローブ600同士の接触による短絡
を防止するものであるから、当然、絶縁性を有する素
材、例えばセラミックス等から構成されている。
The upper support plate 320 and the lower support plate 33
Since 0 is for preventing a short circuit due to contact between adjacent probes 600, it is naturally made of a material having an insulating property, for example, ceramics or the like.

【0039】前記下側支持板330には、半導体集積回
路900の電極910の配置に対応した下側貫通孔33
1が開設されている。また、前記上側支持板320に
は、前記基板800のパッド810に対応した上側貫通
孔321が開設されている。前記上側貫通孔321は後
述するマイクロコネクタ700の尾部720が、前記下
側貫通孔331はプローブ600がそれぞれ挿入される
部分である。
The lower support plate 330 has a lower through hole 33 corresponding to the arrangement of the electrode 910 of the semiconductor integrated circuit 900.
1 has been established. The upper support plate 320 has an upper through hole 321 corresponding to the pad 810 of the substrate 800. The upper through hole 321 is a portion into which a tail 720 of a micro connector 700 described later is inserted, and the lower through hole 331 is a portion into which a probe 600 is inserted.

【0040】ここで、1つのプローブ600が挿入され
る下側貫通孔331と、これに対応するマイクロコネク
タ700の尾部710が挿入される上側貫通孔321と
は鉛直線上にはない。すなわち、図3に示すように、下
側貫通孔331と上側貫通孔321とはずれているので
ある。この上側貫通孔321と下側貫通孔331とのず
れは、マイクロコネクタ700の弾力部730を弓なり
(図4(B)に示すように略S字形状)に変形させるた
めに意図的に設けられたものである。すなわち、両貫通
孔321、331がずれていると、必然的に弾力部73
0は変形する。
Here, the lower through hole 331 into which one probe 600 is inserted and the corresponding upper through hole 321 into which the tail 710 of the micro connector 700 is inserted are not on a vertical line. That is, as shown in FIG. 3, the lower through hole 331 and the upper through hole 321 are shifted. The displacement between the upper through-hole 321 and the lower through-hole 331 is intentionally provided to deform the elastic portion 730 of the micro connector 700 into a bow shape (substantially S shape as shown in FIG. 4B). It is a thing. That is, if the two through holes 321 and 331 are shifted, the elastic portion 73
0 is deformed.

【0041】前記マイクロコネクタ700は、パラジウ
ム合金や銅ベリリウム合金から構成されており、プロー
ブ600の後端側の接続部620が挿入される筒部71
0と、この筒部710から突出し、前記配線パターンに
接続される尾部710とを有している。ここまでは、第
1の実施の形態におけるマイクロコネクタ700と同一
である。しかし、この第2の実施の形態におけるマイク
ロコネクタ700では、前記尾部720に弓形に変形し
た弾力部730が形成されている点で相違する。
The micro connector 700 is made of a palladium alloy or a copper beryllium alloy, and has a cylindrical portion 71 into which a connecting portion 620 at the rear end of the probe 600 is inserted.
0 and a tail 710 protruding from the cylindrical portion 710 and connected to the wiring pattern. Up to this point, the configuration is the same as that of the micro connector 700 according to the first embodiment. However, the micro connector 700 according to the second embodiment is different from the micro connector 700 in that a bow-shaped elastic portion 730 is formed on the tail portion 720.

【0042】次に、このように構成されたプローブカー
ドよる半導体集積回路900の電気的諸特性の測定につ
いて説明する。吸着テーブル920に多数の半導体集積
回路900が形成されたウエハを吸着させる。そして、
前記プローブカードBと吸着テーブル920とを相対的
に接近させて、半導体集積回路900の電極910にプ
ローブ600の接触部610を接触させる。両者が接触
してからもプローブカードBと吸着テーブル920とを
相対的に接近させる。この接近(オーバードライブと称
する)によってプローブ600に上向きの力が加えられ
る。すると、プローブ600は自身を下側支持板330
に固定しているシリコン樹脂500に逆らって上方向へ
と変位する。このプローブ600の上方向への変位によ
って、マイクロコネクタ700の弾力部730が変形す
る。この弾力部730の変形によってプローブ600と
電極910との間の接触圧が確保される。
Next, measurement of various electrical characteristics of the semiconductor integrated circuit 900 using the probe card configured as described above will be described. The wafer on which a number of semiconductor integrated circuits 900 are formed is sucked to the suction table 920. And
The probe card B and the suction table 920 are relatively approached to each other, and the contact portion 610 of the probe 600 is brought into contact with the electrode 910 of the semiconductor integrated circuit 900. Even after the two touch, the probe card B and the suction table 920 are relatively approached. This approach (referred to as overdrive) applies an upward force to the probe 600. Then, the probe 600 moves itself to the lower support plate 330.
Is displaced upward against the silicon resin 500 fixed to the substrate. Due to the upward displacement of the probe 600, the elastic portion 730 of the micro connector 700 is deformed. Due to the deformation of the elastic portion 730, a contact pressure between the probe 600 and the electrode 910 is secured.

【0043】この状態で、プローブカードBに接続され
たテスター(図示省略)と半導体集積回路900との間
に電気的信号を遣り取りすることで複数個の半導体集積
回路900の電気的諸特性の測定を同時に行う。
In this state, electric signals are exchanged between a tester (not shown) connected to the probe card B and the semiconductor integrated circuit 900 to measure various electric characteristics of the plurality of semiconductor integrated circuits 900. At the same time.

【0044】このサイクルの測定が終了したならば、プ
ローブ600と電極910との接触を解除し、次の半導
体集積回路900の電極910にプローブ600を接触
させる。
When the measurement of this cycle is completed, the contact between the probe 600 and the electrode 910 is released, and the probe 600 is brought into contact with the electrode 910 of the next semiconductor integrated circuit 900.

【0045】多数回の使用によって不具合がプローブ6
00に発生した場合には、不具合を生じたプローブ60
0を交換する。すなわち、プローブ600と上側支持板
320とを固定しているシリコン樹脂500を除去し、
プローブ600を下側に引っ張るとプローブ600はマ
イクロコネクタ700から外れるとともに、下側支持板
330からも外れる。
The probe 6 failed due to many uses.
If it occurs at 00, the failed probe 60
Replace 0. That is, the silicon resin 500 fixing the probe 600 and the upper support plate 320 is removed,
When the probe 600 is pulled downward, the probe 600 comes off the micro connector 700 and also comes off the lower support plate 330.

【0046】その後、新たなプローブ600を下側支持
板330の下側貫通孔331から挿入し、対応するマイ
クロコネクタ700に接続部620を挿入し、シリコン
樹脂500で下側支持板330に固定する。これによっ
てプローブ600の交換が完了する。
After that, a new probe 600 is inserted from the lower through hole 331 of the lower support plate 330, the connection portion 620 is inserted into the corresponding micro connector 700, and fixed to the lower support plate 330 with the silicon resin 500. . Thus, the replacement of the probe 600 is completed.

【0047】なお、上述した第2の実施の形態では、マ
イクロコネクタ700は弾力部730を初めから弓なり
に変形させた状態で支持手段300に取り付けられると
して説明したが、次のようなことも可能である。
In the above-described second embodiment, the micro connector 700 is described as being attached to the support means 300 in a state where the elastic portion 730 is deformed like a bow from the beginning, but the following is also possible. It is.

【0048】すなわち、支持手段300を構成する上側
支持板320の上側貫通孔321と、これに対応する下
側支持板330の下側貫通孔331とを同一の鉛直線上
に位置させた状態でマイクロコネクタ700を取り付
け、その後、上側支持板320と下側支持板330とを
横方向にずらせることで、弾力部730を弓なりに変形
させることも可能である。この方が、マイクロコネクタ
700の支持手段300への取り付けが容易である。
That is, the upper through-hole 321 of the upper support plate 320 constituting the support means 300 and the corresponding lower through-hole 331 of the lower support plate 330 are positioned on the same vertical line. By attaching the connector 700 and thereafter displacing the upper support plate 320 and the lower support plate 330 in the horizontal direction, it is also possible to deform the elastic portion 730 in a bow shape. This makes it easier to attach the micro connector 700 to the support means 300.

【0049】[0049]

【発明の効果】本発明に係るプローブは、測定対称物の
電極に接触する接触部と、プローブカードを構成する基
板の配線パターンに接続される接続部と、前記接触部と
接続部との間に設けられた弾力部とを備えており、前記
弾力部は、平板化されたものである。
According to the probe of the present invention, a contact portion that contacts an electrode of an object to be measured, a connection portion that is connected to a wiring pattern of a substrate constituting a probe card, and a connection portion between the contact portion and the connection portion. And an elastic portion provided in the elastic member, and the elastic portion is flattened.

【0050】このため、このプローブであると、弾力部
に従来のような塑性変形が生じることがないので信頼性
が高い。また、プローブの交換の際に、平板化された部
分がプローブの抜き取りに障害となることがないので、
交換が容易である。
For this reason, this probe has high reliability because plastic deformation does not occur in the elastic portion as in the prior art. Also, when replacing the probe, the flattened part does not hinder the extraction of the probe,
Easy to replace.

【0051】一方、本発明に係るプローブカードは、測
定対象物の電極に接触するプローブと、配線パターンが
形成された基板と、この基板の裏面側に設けられ、前記
プローブを支持する支持手段と、前記プローブと配線パ
ターンとの間を電気的に接続する接続手段とを備えてお
り、前記プローブは、後端の接続部と先端の接触部との
間に平板化された弾力部を有している。
On the other hand, the probe card according to the present invention comprises a probe contacting an electrode of an object to be measured, a substrate on which a wiring pattern is formed, and support means provided on the back side of the substrate and supporting the probe. Connecting means for electrically connecting the probe and the wiring pattern, wherein the probe has an elastic portion flattened between a connecting portion at a rear end and a contact portion at a front end. ing.

【0052】このため、プローブに不都合が生じた場合
でも、不都合の生じたプローブのみの交換が容易であ
る。
Therefore, even if a problem occurs in the probe, it is easy to replace only the probe in which the problem occurs.

【0053】また、前記プローブの弾力部は、接触部と
接続部との間で弓なりに変形されていると、オーバード
ライブが加えられると弾力部が変形の変形が生じるた
め、測定対象物の電極とプローブとの間の接触圧を確保
することができる。
Further, if the elastic portion of the probe is deformed in a bow shape between the contact portion and the connecting portion, the elastic portion is deformed when an overdrive is applied. Contact pressure between the probe and the probe can be secured.

【0054】さらに、前記接続手段は、プローブの後端
側の接続部が挿入される筒部と、この筒部から突出し、
前記配線パターンに接続される尾部とを有するマイクロ
コネクタであると、基板の配線パターンとプローブとの
電気的接続が容易になる。具体的には、プローブの後端
の接続部をマイクロコネクタの筒部に挿入するだけで、
両者の接触、ひいてはプローブと基板の配線パターンと
の電気的接続が確保されるのである。これは、プローブ
の交換作業にとっても好都合である。
Further, the connecting means includes a tubular portion into which the connecting portion on the rear end side of the probe is inserted, and a projecting portion protruding from the tubular portion.
A micro connector having a tail connected to the wiring pattern facilitates electrical connection between the wiring pattern on the substrate and the probe. Specifically, just insert the connection part of the rear end of the probe into the cylindrical part of the micro connector,
The contact between the two, and the electrical connection between the probe and the wiring pattern on the substrate, is ensured. This is convenient for the operation of exchanging the probe.

【0055】また、本発明に係る他のプローブカード
は、測定対象物の電極に接触するプローブと、配線パタ
ーンが形成された基板と、この基板の裏面側に設けら
れ、前記プローブと配線パターンとの間を電気的に接続
する接続手段と、この接続手段及び前記プローブを支持
する支持手段とを備えており、前記接続手段は、プロー
ブの後端側の接続部が挿入される筒部と、この筒部から
突出し、前記配線パターンに接続される尾部とを有する
マイクロコネクタであり、前記尾部は弓形に変形した弾
力部を有している。
Another probe card according to the present invention comprises a probe in contact with an electrode of an object to be measured, a substrate on which a wiring pattern is formed, and a substrate provided on the back side of the substrate. Connecting means for electrically connecting between, and a supporting means for supporting the connecting means and the probe, the connecting means, a cylindrical portion into which a connecting portion on the rear end side of the probe is inserted, A micro connector protruding from the cylindrical portion and having a tail portion connected to the wiring pattern, wherein the tail portion has an elastic portion deformed into an arc shape.

【0056】このように、プローブではなく、マイクロ
コネクタに弓形に変形した弾力部を形成しても、オーバ
ードライブによる接触圧の確保は可能である。しかも、
プローブの交換は、単にマイクロコネクタの筒部へのプ
ローブの抜き差しのみで完了するので、より交換作業が
単純化される。
As described above, even if an elastic portion deformed in an arc shape is formed on the micro connector instead of the probe, the contact pressure can be ensured by overdrive. Moreover,
Since the replacement of the probe is completed simply by inserting and removing the probe from the tube portion of the micro connector, the replacement operation is further simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係るプローブカー
ドの概略的断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a probe card according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施の形態に係るプローブカー
ドに用いられるプローブの概略的斜視図である。
FIG. 2 is a schematic perspective view of a probe used for the probe card according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2の実施の形態に係るプローブカー
ドの概略的断面図である。
FIG. 3 is a schematic sectional view of a probe card according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2の実施の形態に係るプローブカー
ドに用いられるマイクロコネクタの概略的斜視図であ
る。
FIG. 4 is a schematic perspective view of a micro connector used for a probe card according to a second embodiment of the present invention.

【図5】従来の縦型プローブカードの概略的断面図であ
る。
FIG. 5 is a schematic sectional view of a conventional vertical probe card.

【図6】従来の縦型プローブカードに用いられるプロー
ブの概略的正面図である。
FIG. 6 is a schematic front view of a probe used in a conventional vertical probe card.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 プローブ 110 接触部 120 接続部 130 弾力部 200 基板 300 支持手段 400 マイクロコネクタ(接続手段) 410 筒部 420 尾部 900 半導体集積回路(測定対象物) 910 電極 REFERENCE SIGNS LIST 100 probe 110 contact part 120 connecting part 130 elastic part 200 substrate 300 supporting means 400 micro connector (connecting means) 410 cylindrical part 420 tail part 900 semiconductor integrated circuit (measurement object) 910 electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩田 浩 兵庫県尼崎市西長洲町2丁目5番13号 日 本電子材料株式会社内 Fターム(参考) 2G003 AA07 AA10 AG03 AG04 AG12 AH00 2G011 AA17 AA21 AB06 AB07 AB08 AC05 AC14 AE03 AE22 AF01 AF07 4M106 AA01 AA02 BA01 BA14 DD03 DD09 DD10 DD18  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing from the front page (72) Inventor Hiroshi Iwata 2-5-113, Nishi-Nagasu-cho, Amagasaki-shi, Hyogo Japan Electronic Materials Co., Ltd. F-term (reference) 2G003 AA07 AA10 AG03 AG04 AG12 AH00 2G011 AA17 AA21 AB06 AB07 AB08 AC05 AC14 AE03 AE22 AF01 AF07 4M106 AA01 AA02 BA01 BA14 DD03 DD09 DD10 DD18

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 測定対称物の電極に接触する接触部と、
プローブカードを構成する基板の配線パターンに接続さ
れる接続部と、前記接触部と接続部との間に設けられた
弾力部とを具備しており、前記弾力部は、平板化された
ものであることを特徴とするプローブ。
A contact portion for contacting an electrode of an object to be measured;
The probe card has a connection portion connected to a wiring pattern of a substrate, and an elastic portion provided between the contact portion and the connection portion, and the elastic portion is a flat plate. A probe, characterized in that:
【請求項2】 測定対象物の電極に接触するプローブ
と、配線パターンが形成された基板と、この基板の裏面
側に設けられ、前記プローブを支持する支持手段と、前
記プローブと配線パターンとの間を電気的に接続する接
続手段とを具備しており、前記プローブは、後端の接続
部と先端の接触部との間に平板化された弾力部を有して
いることを特徴とするプローブカード。
2. A probe in contact with an electrode of an object to be measured, a substrate on which a wiring pattern is formed, a supporting means provided on the back side of the substrate and supporting the probe, and Connection means for electrically connecting the probe and the probe, wherein the probe has a flattened elastic portion between the rear end connection portion and the front end contact portion. Probe card.
【請求項3】 前記プローブの弾力部は、接触部と接続
部との間で弓なりに変形されていることを特徴とする請
求項2記載のプローブカード。
3. The probe card according to claim 2, wherein the elastic portion of the probe is deformed like a bow between the contact portion and the connection portion.
【請求項4】 前記接続手段は、プローブの後端側の接
続部が挿入される筒部と、この筒部から突出し、前記配
線パターンに接続される尾部とを有するマイクロコネク
タであることを特徴とする請求項2又は3記載のプロー
ブカード。
4. The micro connector according to claim 1, wherein said connecting means is a micro connector having a tubular portion into which a connecting portion on a rear end side of the probe is inserted, and a tail projecting from said tubular portion and connected to said wiring pattern. The probe card according to claim 2 or 3, wherein
【請求項5】 測定対象物の電極に接触するプローブ
と、配線パターンが形成された基板と、この基板の裏面
側に設けられ、前記プローブと配線パターンとの間を電
気的に接続する接続手段と、この接続手段及び前記プロ
ーブを支持する支持手段とを具備しており、前記接続手
段は、プローブの後端側の接続部が挿入される筒部と、
この筒部から突出し、前記配線パターンに接続される尾
部とを有するマイクロコネクタであり、前記尾部は弓形
に変形した弾力部を有していることを特徴とするプロー
ブカード。
5. A probe provided in contact with an electrode of an object to be measured, a substrate on which a wiring pattern is formed, and connection means provided on the back side of the substrate for electrically connecting the probe and the wiring pattern. And a connecting means and a supporting means for supporting the probe, wherein the connecting means is a cylindrical portion into which a connecting portion on the rear end side of the probe is inserted,
A probe card, comprising: a micro connector having a tail protruding from the cylindrical portion and connected to the wiring pattern, wherein the tail has an elastic portion deformed into an arc shape.
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