JP2001094224A - Printed interconnection board and method of manufacturing printed interconnection board - Google Patents

Printed interconnection board and method of manufacturing printed interconnection board

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JP2001094224A
JP2001094224A JP27105099A JP27105099A JP2001094224A JP 2001094224 A JP2001094224 A JP 2001094224A JP 27105099 A JP27105099 A JP 27105099A JP 27105099 A JP27105099 A JP 27105099A JP 2001094224 A JP2001094224 A JP 2001094224A
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JP
Japan
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layer
wiring
forming
conductor
copper
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Fukukawa
弘 福川
Hideaki Fukuju
英明 福寿
Nobuo Tanaka
信雄 田中
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Kyocera Chemical Corp
Original Assignee
Toshiba Chemical Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a multilayer printed interconnection board which can be manufactured with a high yield of the wiring circuit made by precise process and has the excellent bonding performance of the circuit. SOLUTION: An inner insulating layer 8 is formed on the surface of a 1st inner wiring layer including a land 7. A blind via-hole 9 is drilled in the inner insulating layer 8. A vacuum deposition copper layer 10 is formed on the surface in a vacuum. A plating resist film 11 with a wiring circuit pattern is formed on the vacuum deposition copper layer 10. A copper plating layer 12 is formed through the pattern. The resist film 11 is removed and then an inner wiring circuit pattern is formed by selective etching.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板お
よびプリント配線板の製造方法に関する。
The present invention relates to a printed wiring board and a method for manufacturing a printed wiring board.

【0002】[0002]

【従来の技術】マルチメデイア時代に対応して、LSI
は、限りなく高集積化されている。これに伴いプリント
配線板には、小型化、極薄化、軽量化、高密度化、低コ
スト化などが要求されている。この要求を満足するプリ
ント配線板の製造技術としてビルドアップ型多層プリン
ト配線板が注目されている。
2. Description of the Related Art In response to the multi-media age, LSI
Are integrated as much as possible. Along with this, printed wiring boards are required to be reduced in size, extremely thinned, lighter, higher in density, lower in cost, and the like. As a technique for manufacturing a printed wiring board that satisfies this demand, a build-up type multilayer printed wiring board has attracted attention.

【0003】近年、携帯電話、インターネット携帯端
末、携帯パソコンなどの電子機器の軽薄短小化に伴な
い、プリント配線板の高多層化、高密度化の要求があ
る。
In recent years, as electronic devices such as mobile phones, Internet mobile terminals, and mobile personal computers have become lighter and thinner, there has been a demand for higher multilayer and higher density printed wiring boards.

【0004】一般に、積層型多層プリント配線板の製造
方法は次のとおりである。即ち、絶縁体基板の表裏面上
に内層回路板として使用する銅張り積層板(銅箔)を両
面、又は片面に設ける。配線回路パターンをマスクとし
て前記銅張り積層板(銅箔)を選択エッチングすること
により、内層配線層を形成した内層回路板を作製する。
この内層回路板を複数枚製造する。各内層回路板につい
て、上記電気回路パターンの銅箔表面を表面処理する。
[0004] In general, a method of manufacturing a laminated multilayer printed wiring board is as follows. That is, a copper-clad laminate (copper foil) used as an inner circuit board is provided on both sides or one side on the front and back surfaces of the insulator substrate. By selectively etching the copper-clad laminate (copper foil) using the wiring circuit pattern as a mask, an inner circuit board having an inner wiring layer formed thereon is manufactured.
A plurality of the inner layer circuit boards are manufactured. For each inner layer circuit board, the surface of the copper foil of the electric circuit pattern is surface-treated.

【0005】さらに、絶縁体基板の表裏面上に外層回路
板として使用する銅張り積層板(銅箔)を両面、又は片
面に設ける。
Further, a copper-clad laminate (copper foil) to be used as an outer circuit board is provided on both sides or one side on the front and back surfaces of the insulator substrate.

【0006】次に、内層回路板間に内層絶縁層としてプ
リプレグを介在させて積層する。さらに、最外層として
上下部に上記外層回路板を配置する。この積層状態でプ
レス冶具にセットし、加熱加圧することにより一体に形
成している。しかる後、最外層の銅箔に所定の電気配線
回路パターンの外層配線層を形成する。この外層配線層
について、銅箔表面の表面処理を行う。
[0006] Next, a prepreg is laminated as an inner insulating layer between the inner circuit boards. Further, the outer layer circuit boards are arranged at upper and lower portions as outermost layers. In this laminated state, it is set on a press jig, and heated and pressed to form an integral unit. Thereafter, an outer wiring layer having a predetermined electric wiring circuit pattern is formed on the outermost copper foil. This outer wiring layer is subjected to a surface treatment on the surface of the copper foil.

【0007】さらに、このように構成された積層板の上
下両面に銅箔付き樹脂シートを配して、再度プレス冶具
に装着して加熱加圧することにより一体に積層してい
る。このようにして、多層プリント配線板を製造してい
る。
[0007] Further, resin sheets with copper foil are arranged on the upper and lower surfaces of the laminate having the above-described configuration, and the laminate is again mounted on a press jig and heated and pressed to be integrally laminated. Thus, a multilayer printed wiring board is manufactured.

【0008】この多層プリント配線板の外層配線板にビ
アホールを形成する。即ち、ビアホール形成位置の最外
層の銅箔を選択エッチングにより除去する。次に、この
エッチング除去した位置に、レーザー光を照射して穴開
け加工を行う。この穴内壁面上に金属メッキ層を形成す
ることにより配線層間の電気的接続を行い、多層プリン
ト配線板を構成している。
A via hole is formed in an outer wiring board of the multilayer printed wiring board. That is, the outermost copper foil at the via hole formation position is removed by selective etching. Next, a hole is formed by irradiating a laser beam to the position where the etching has been removed. By forming a metal plating layer on the inner wall surface of the hole, electrical connection between wiring layers is performed, and a multilayer printed wiring board is formed.

【0009】複数の内層回路板、外層回路板に跨ってビ
アホールを形成する場合には、通常の積層型プリント配
線基板では、次のように形成している。即ち、銅箔付き
樹脂シートを上記多層プリント配線板の上下両面に配置
した状態で、上記プレス冶具に装着し、加熱加圧して一
体に成形した後、ビアホールを形成する工程を繰り返
し、複数層の層間接続用ビアホールを形成している。
In the case of forming a via hole over a plurality of inner circuit boards and outer circuit boards, an ordinary laminated printed wiring board is formed as follows. That is, in a state where the resin sheet with copper foil is arranged on both the upper and lower surfaces of the multilayer printed wiring board, the resin sheet is mounted on the press jig, heated and pressed, and integrally molded, and then a step of forming a via hole is repeated to form a plurality of layers. Via holes for interlayer connection are formed.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】プリント配線板の配線
回路の形成に銅箔を使用することは、密着性がよくリペ
ア性が良好であるという利点がある。しかしながら、銅
箔の上にさらにメッキ層を形成することにより電気回路
パターン形成の配線層を構成している。従って、この配
線層の厚さが厚くなり、微細加工による配線回路の形成
時には、歩留まり低下を引き起こす原因となっていた。
The use of copper foil for forming a wiring circuit on a printed wiring board has the advantage of good adhesion and good repairability. However, a wiring layer for forming an electric circuit pattern is formed by further forming a plating layer on the copper foil. Therefore, the thickness of the wiring layer becomes large, which causes a decrease in yield when forming a wiring circuit by fine processing.

【0011】特に、LSIにおいては、集積度15Gビ
ットまで製造の可能性がたち、年々集積度が向上し、こ
の集積度に対応してCSP(Chip Size Pa
ckaging)実装の量産化技術が確立し‘99年に
は一部機種で量産開始している。
In particular, in LSI, the possibility of manufacturing up to 15 Gbits of integration is increasing, and the degree of integration is improving year by year. In accordance with this degree of integration, CSP (Chip Size Pa)
The technology for mass production of packaging has been established, and mass production of some models started in 1999.

【0012】このCSP実装は、集積度が高くなるに応
じて、単位面積あたりの電極ピン数が増加することであ
る。この電極ピン数の増加は、はんだバンプ数の増加を
意味し、これを受けて実装するプリント配線板のLSI
実装部ランドパターンの形成に微細化技術が要求されて
いる。
The CSP mounting means that the number of electrode pins per unit area increases as the degree of integration increases. This increase in the number of electrode pins means an increase in the number of solder bumps.
A miniaturization technique is required for forming a mounting part land pattern.

【0013】これら上記の利点を生かしつつ、微細加工
による配線回路の形成を歩留まり良好に製造し得る方法
の開発が望まれていた。
[0013] It has been desired to develop a method capable of producing a wiring circuit by fine processing with a good yield while making use of these advantages.

【0014】本発明は、上記点に鑑みなされたもので、
微細加工が可能で、歩留まりが高く、且つ回路の密着性
の良いプリント配線板および多層プリント配線板の製造
方法を提供するものである。
The present invention has been made in view of the above points,
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a printed wiring board and a multilayer printed wiring board which can be finely processed, have a high yield, and have good circuit adhesion.

【0015】さらに、本発明は特にビルドアップ型多層
プリント配線板およびその製造方法に適用して好適なも
のである。
Further, the present invention is particularly suitable when applied to a build-up type multilayer printed wiring board and a method for manufacturing the same.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的、課題を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、、積層
型プリント配線板、ビルドアップ型多層プリント配線板
およびそれらの製造方法において、銅箔の代わりに真空
中で成膜された導体層によって給電層を含む配線層を形
成すると共に絶縁体基体へのの密着層として利用するこ
とによって、上記の目的を達成できることを見出し、本
発明を完成したものである。
The inventors of the present invention have made intensive studies to achieve the above objects and objects, and as a result, have found that a laminated printed wiring board, a build-up multilayer printed wiring board, and a method of manufacturing the same. It has been found that the above object can be achieved by forming a wiring layer including a power supply layer by a conductor layer formed in a vacuum in place of a copper foil and using the wiring layer as an adhesion layer to an insulator substrate, The present invention has been completed.

【0017】この発明のプリント配線板は、例えば、絶
縁体上に真空中で成膜された導体層と、この導体層上に
設けられた導体のメッキ層と、を具備し前記導体層およ
び導体のメッキ層の積層構造で配線層を構成したもので
ある。
The printed wiring board of the present invention comprises, for example, a conductor layer formed on an insulator in a vacuum, and a conductor plating layer provided on the conductor layer. The wiring layer is constituted by a laminated structure of the plating layers.

【0018】この発明のプリント配線板は、例えば、絶
縁体基板と、この絶縁基板上に設けられた銅の蒸着層
と、この銅の蒸着層上に銅のメッキ層が積層された配線
層からなる第1の配線と、この第1の配線および前記絶
縁基板上に設けられた絶縁体層と、この絶縁体層上に設
けられた銅の蒸着層および銅のメッキ層が積層された配
線層からなる第2の配線とを備えたものである。
The printed wiring board of the present invention comprises, for example, an insulating substrate, a copper vapor deposition layer provided on the insulating substrate, and a wiring layer in which a copper plating layer is laminated on the copper vapor deposition layer. A first wiring, an insulating layer provided on the first wiring and the insulating substrate, and a wiring layer formed by stacking a copper vapor deposition layer and a copper plating layer provided on the insulating layer And a second wiring comprising:

【0019】この発明のプリント配線板の製造方法は、
例えば、絶縁体上に真空中で導体層を成膜する工程と、
前記導体層上に導体のメッキ層を積層した配線層を形成
する工程と、前記配線層を選択的にエッチングして配線
回路パターンを形成する工程とを具備した方法にある。
The method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention comprises:
For example, a step of forming a conductor layer in a vacuum on an insulator,
The method includes a step of forming a wiring layer in which a conductive plating layer is laminated on the conductor layer, and a step of selectively etching the wiring layer to form a wiring circuit pattern.

【0020】この発明のプリント配線板の製造方法は、
例えば、絶縁体にブラインドビアホールを形成する工程
と、この工程により形成された前記ブラインドビアホー
ルを含む前記絶縁体上に真空中で導体層を形成する工程
と、前記導体膜上に導体のメッキ層を積層した配線層を
形成する工程と、前記配線層を選択的にエッチングして
配線回路パターンを形成する工程と、を具備した方法に
ある。
The method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention comprises:
For example, a step of forming a blind via hole in an insulator, a step of forming a conductor layer in a vacuum on the insulator including the blind via hole formed in this step, and a step of forming a conductor plating layer on the conductor film The method includes a step of forming a laminated wiring layer, and a step of selectively etching the wiring layer to form a wiring circuit pattern.

【0021】この発明のプリント配線板の製造方法は、
例えば、絶縁体上に真空中で導体層を形成する工程と、
前記導体層上に配線パターンのマスクパターンを形成す
る工程と、前記導体層上に導体のメッキ層を形成する工
程と、前記マスクパターンを除去する工程と、露出した
前記導体層を除去する工程とを具備した方法にある。こ
の発明のプリント配線板の製造方法は、例えば、真空中
で導体層を成膜する手段が真空蒸着、スパッタリング、
CVDなどである。
The method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention comprises:
For example, a step of forming a conductor layer in a vacuum on an insulator,
A step of forming a mask pattern of a wiring pattern on the conductor layer, a step of forming a plating layer of a conductor on the conductor layer, a step of removing the mask pattern, and a step of removing the exposed conductor layer The method comprises: In the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention, for example, means for forming a conductor layer in a vacuum is formed by vacuum evaporation, sputtering,
CVD and the like.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】次に、本発明をプリント配線板に
適用した実施形態を図1を参照して説明する。図1は、
プリント配線基板上に内層配線層を形成する製造工程
を、工程順に説明するための断面図である。
Next, an embodiment in which the present invention is applied to a printed wiring board will be described with reference to FIG. FIG.
FIG. 7 is a cross-sectional view for describing a manufacturing step of forming an inner wiring layer on a printed wiring board in the order of steps.

【0023】配線層第1層目の形成 絶縁体基板たとえばガラスエポキシ樹脂基板1の表裏面
上に配線回路を形成するための導体層を真空中で成膜す
る。この成膜手段はたとえば銅蒸着層2、3を形成す
る。この蒸着層2、3の厚さは例えば1μmである。こ
の蒸着層2、3はたとえば真空蒸着である。蒸着時の真
空度は5×10−5 トール以下の真空度が選択される。
この第1層目の導体層は1.5μm以下0.5μm以上
の薄い層を形成することにより、高精細、高密度の配線
を高歩留まりで実現できる。
Formation of First Layer of Wiring Layer A conductor layer for forming a wiring circuit is formed in vacuum on the front and back surfaces of an insulating substrate, for example, a glass epoxy resin substrate 1. This film forming means forms, for example, copper vapor deposited layers 2 and 3. The thickness of the vapor deposition layers 2 and 3 is, for example, 1 μm. These vapor deposition layers 2 and 3 are, for example, vacuum vapor deposition. The degree of vacuum at the time of vapor deposition is selected to be 5 × 10 −5 Torr or less.
By forming a thin layer of 1.5 μm or less and 0.5 μm or more for the first conductor layer, high-definition and high-density wiring can be realized with a high yield.

【0024】真空中で成膜する手段はさらにスパッタリ
ング、プラズマCVD、熱CVDなどの気相成長、エピ
タキシャル成長などである。上記表裏面の銅蒸着層2、
3の一方を内層配線層とする。
Means for forming a film in a vacuum include sputtering, plasma CVD, thermal CVD and other vapor phase growth, and epitaxial growth. The copper vapor deposition layer 2 on the front and back surfaces,
One of the three is an inner wiring layer.

【0025】レジスト膜の形成 この内層配線層側銅蒸着層2上に感光性レジスト例えば
メッキレジスト層4を塗布する。このメッキレジスト層
4は予め定められた内層配線回路パターンをマスクとし
て露光、現像される。このプロセスにより、メッキレジ
スト層4を選択的に除去する。この状態を(B)図に示
す。
Formation of a Resist Film A photosensitive resist, for example, a plating resist layer 4 is applied on the copper wiring layer 2 on the inner wiring layer side. The plating resist layer 4 is exposed and developed using a predetermined inner wiring circuit pattern as a mask. By this process, the plating resist layer 4 is selectively removed. This state is shown in FIG.

【0026】配線層第2層目の形成 次に、このメッキレジスト層4および露出した銅蒸着層
2上に導体の成膜例えば、銅のメッキ層5を(C)図に
示すように形成する。このメッキ手段は電解メッキが望
ましい。電解メッキすることにより、露出している上記
蒸着層2に主として電流が流れ、上記蒸着層2上に集中
的に上記メッキ層5を成膜できる。このメッキ層5の厚
さは上記蒸着層2、3より厚い例えば2μmである。次
にメッキレジスト層4を(D)図に示すようにエッチン
グして剥離する。
Next, a conductor is formed on the plating resist layer 4 and the exposed copper deposition layer 2, for example, a copper plating layer 5 is formed as shown in FIG. . This plating means is desirably electrolytic plating. By performing the electroplating, a current mainly flows through the exposed vapor deposition layer 2, and the plating layer 5 can be formed on the vapor deposition layer 2 in a concentrated manner. The thickness of the plating layer 5 is, for example, 2 μm, which is thicker than the vapor deposition layers 2 and 3. Next, the plating resist layer 4 is removed by etching as shown in FIG.

【0027】さらに、ソフトエッチングすることによ
り、(E)図に示すように内層配線回路パターンを形成
する。即ち、このソフトエッチングプロセスにより露出
した上記銅蒸着層2を除去する。このようにして、下地
として銅蒸着層2上に銅メッキ層5を被着した積層構造
からなる内層配線層6が構成される。ソフトエッチング
手段は、エッチング媒体として例えば酸性エッチング液
により液相エッチングする。
Further, by performing soft etching, an inner layer wiring circuit pattern is formed as shown in FIG. That is, the exposed copper deposited layer 2 is removed by the soft etching process. Thus, the inner wiring layer 6 having a laminated structure in which the copper plating layer 5 is applied on the copper vapor deposition layer 2 as a base is formed. The soft etching means performs liquid phase etching using, for example, an acidic etching solution as an etching medium.

【0028】上記実施形態において、上記絶縁体基板1
は上記の他たとえば紙基材―フェノール樹脂積層基板、
紙基材―エポキシ樹脂積層基板、紙基材―ポリエステル
樹脂積層基板、紙基材―テフロン樹脂積層基板、ガラス
基材―エポキシ樹脂積層基板、ガラス基材―ポリイミド
樹脂積層基板ガラス基材―BT(ビシマレイミドートリ
アジン)レジン樹脂積層基板、コンポジット樹脂基板な
どの合成樹脂基板やポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂
基板、セラミック基板など何れかの絶縁基板である。
In the above embodiment, the insulating substrate 1
Other than the above, for example, paper base material-phenolic resin laminated board,
Paper substrate-epoxy resin laminated substrate, paper substrate-polyester resin laminated substrate, paper substrate-Teflon resin laminated substrate, glass substrate-epoxy resin laminated substrate, glass substrate-polyimide resin laminated substrate glass substrate-BT ( (Bisimaleimide-triazine) An insulating substrate such as a synthetic resin substrate such as a resin resin laminated substrate or a composite resin substrate, a polyimide resin, a polyester resin substrate, or a ceramic substrate.

【0029】次に、この内層配線層6上に多層プリント
配線板を形成する実施形態について図2を参照して説明
する。図2は、ビルドアップ型プリント配線板の製造工
程を、工程順に説明するための断面図である。
Next, an embodiment in which a multilayer printed wiring board is formed on the inner wiring layer 6 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing process of the build-up type printed wiring board in the order of processes.

【0030】即ち、上記実施形態のプリント配線板上に
ビルドアップ層を形成し、内層配線層を形成する実施形
態を説明する。図1と同一部分は同一番号を付与して説
明する。上記内層配線層6中の一つのランド7と層間接
続する実施形態を説明する。内層絶縁層の形成内層絶縁
層(ビルドアップ層)を成膜する前工程として黒化還元
処理することにより、密着力を向上できる。この処理
後、上記内層配線層6上に内層絶縁体層(ビルドアップ
層)例えば感光性高分子エポキシ樹脂層8を図2(A)
に示すように厚さ例えば50μm成膜する。
That is, an embodiment in which a build-up layer is formed on the printed wiring board of the above embodiment and an inner wiring layer is formed will be described. The same parts as those in FIG. 1 are described with the same numbers. An embodiment for interlayer connection with one land 7 in the inner wiring layer 6 will be described. Formation of Inner Insulating Layer By performing a blackening reduction treatment as a pre-process for forming an inner insulating layer (build-up layer), adhesion can be improved. After this processing, an inner insulating layer (build-up layer), for example, a photosensitive polymer epoxy resin layer 8 is formed on the inner wiring layer 6 as shown in FIG.
As shown in FIG.

【0031】上記したように、(A)図では、内層配線
層6の一つのランド7を図示している。上記エポキシ樹
脂層8の成膜手段は例えばエポキシ樹脂液を塗布し、加
熱、乾燥させることにより成膜する。
As described above, one land 7 of the inner wiring layer 6 is shown in FIG. The film forming means of the epoxy resin layer 8 is formed by applying, for example, an epoxy resin liquid, heating and drying.

【0032】この塗布液は、例えば感光性高分子エポキ
シ樹脂にシラン系カップリング剤としてアミノエチル−
アミノプロピルトリメトキシシラン2WT%混合したビ
ルドアップ液である。上記カップリング剤としては、チ
タン系カップリング剤でもよい。次に、この塗布膜の硬
化温度は140℃乃至160℃である。例えば150℃
で60分間加熱して乾燥硬化させる。
The coating solution is prepared, for example, by adding aminoethyl- as a silane coupling agent to a photosensitive polymer epoxy resin.
It is a build-up liquid mixed with 2 WT% of aminopropyltrimethoxysilane. The coupling agent may be a titanium-based coupling agent. Next, the curing temperature of the coating film is 140 ° C. to 160 ° C. For example, 150 ° C
For 60 minutes to dry and cure.

【0033】ブラインドビアホール(非貫通穴)の形成 上記成膜されたエポキシ樹脂層8の上記ランド7に位置
合わせして、ブラインドビアホール9を深さ例えば約5
0μm形成する。このブラインドビアホール9はランド
7を底面とする穴である。このブラインドビアホール9
の形成手段は、たとえば、フォトエチングによる穴開け
手段、レーザー光による穴開け手段、ドリルによる穴開
け手段などである。上記フォトエチングによる穴開け手
段は、エポキシ樹脂層8面内の、総てのブラインドビア
ホール9について、同時に均一な穴開けを実行できる効
果がある。
Formation of blind via hole (non-through hole) The blind via hole 9 having a depth of about 5
0 μm is formed. The blind via hole 9 is a hole having the land 7 as a bottom surface. This blind beer hall 9
Are, for example, a hole drilling unit by photo-etching, a hole drilling unit by a laser beam, a hole drilling unit by a drill, and the like. The above-described hole forming means by photoetching has an effect that a uniform hole can be simultaneously formed in all the blind via holes 9 in the surface of the epoxy resin layer 8.

【0034】即ち、フォトビア加工法を用いた場合に
は、一つの面に予定されているブラインドビアホール4
のすべてについて同時にマスクパターニングしてフォト
エッチング、プラズマエッチングなどにより化学処理で
形成できる。このフォトエッチング時の露光量は、50
乃至700MJ/CM2が望ましい。このようにして形
成するブラインドビアホール9の直径は例えば30μm
〜500μmの範囲で選択される。
That is, when the photo via processing method is used, the blind via hole 4
Can be formed by chemical processing by photo-etching, plasma etching or the like by simultaneously mask patterning. The exposure amount during this photo-etching is 50
~ 700 MJ / CM2 is desirable. The diameter of the blind via hole 9 thus formed is, for example, 30 μm.
It is selected in the range of 500500 μm.

【0035】配線層第1層目の形成 上記ブラインドビアホール9を含む上記エポキシ樹脂層
8上に、真空中で成膜した導体層例えば銅の蒸着層10
を形成する。この成膜状態を(C)図に示す。この銅の
蒸着層10は、真空蒸着で厚さ例えば1μm形成する。
この真空蒸着時の真空度は5×10−5トール以下の真
空度が選択される。
Formation of First Layer of Wiring Layer On the epoxy resin layer 8 including the blind via holes 9, a conductor layer formed in a vacuum, for example, a copper evaporation layer 10
To form This film formation state is shown in FIG. The copper vapor deposition layer 10 is formed to a thickness of, for example, 1 μm by vacuum vapor deposition.
The degree of vacuum during this vacuum deposition is selected to be 5 × 10 −5 Torr or less.

【0036】この第1層は、真空中で成膜した導体層で
あり、下地の上記エポキシ樹脂層8との密着性を高くし
ている。。この導体層の厚さは加工上1.5μm乃至
0.5μmが適当である。この薄層は、高精細、高密度
の配線加工を可能にする。
The first layer is a conductor layer formed in a vacuum, and has high adhesion to the underlying epoxy resin layer 8. . The thickness of this conductor layer is suitably 1.5 μm to 0.5 μm in terms of processing. This thin layer enables high-definition, high-density wiring processing.

【0037】真空中での成膜手段は、真空蒸着の他、ス
パッタリング、プラズマCVDや熱CVD、エピタキシ
ャル成長などである。
Means for forming a film in a vacuum include sputtering, plasma CVD, thermal CVD, epitaxial growth and the like, in addition to vacuum deposition.

【0038】配線回路パターンの形成 上記銅の蒸着層10上に感光性レジスト膜例えばメッキ
レジスト膜11を成膜たとえば塗布する。このメッキレ
ジスト膜11を内層配線回路パターンをマスクとして露
光、現像処理する。この結果(D)図に示すように、メ
ッキレジスト膜11を選択的に除去する。即ち、ブライ
ンドビアホール9を含む配線回路パターンとなる部分の
メッキレジスト膜11を除去する。
Formation of Wiring Circuit Pattern A photosensitive resist film, for example, a plating resist film 11 is formed, for example, on the copper vapor deposition layer 10. The plating resist film 11 is exposed and developed using the inner wiring circuit pattern as a mask. As a result, the plating resist film 11 is selectively removed as shown in FIG. That is, the portion of the plating resist film 11 that becomes the wiring circuit pattern including the blind via holes 9 is removed.

【0039】次に、配線層の第2層を形成する。この第
2層は、導体層であればよく、例えば銅のメッキ層12
を厚さ例えば2μm成膜する。この第2層のメッキ層1
2は、上記蒸着層10の厚さより厚く形成する。この厚
さは、当該配線を流れる電流容量や、応力歪みなどに対
処した厚さが選択される。
Next, a second layer of a wiring layer is formed. The second layer may be a conductor layer, for example, a copper plating layer 12.
Is formed to a thickness of, for example, 2 μm. This second plating layer 1
2 is formed to be thicker than the thickness of the vapor deposition layer 10. As the thickness, a thickness corresponding to a current capacity flowing through the wiring, stress distortion, or the like is selected.

【0040】この結果、(E)図のように、銅の蒸着層
10上に銅のメッキ層12を成膜する。このメッキ層1
2はブラインドビアホール9の内壁面上にも同時に成膜
されている。この成膜手段は例えば露出した銅の蒸着層
10上に主として成膜するためには、電解メッキするこ
とが望ましい。この第2層目の形成手段は、第1層目の
蒸着層より厚く成膜する手段であれば何れでもよい。
As a result, a copper plating layer 12 is formed on the copper deposition layer 10 as shown in FIG. This plating layer 1
2 is also formed on the inner wall surface of the blind via hole 9 at the same time. For example, in order to mainly form a film on the exposed copper vapor deposition layer 10 by this film forming means, it is desirable to perform electrolytic plating. This second layer forming means may be any means for forming a film thicker than the first vapor deposition layer.

【0041】次に、上記メッキレジスト膜11を除去例
えば液相エッチングすることにより、(F)図に示すよ
うに銅の蒸着層10と銅のメッキ層12の積層が残る。
次に、露出した銅の蒸着層10を除去する。この除去手
段は、例えばソフトエッチング(アッシング)、酸性エ
ッチング液による液相エッチングなどである。
Next, the plating resist film 11 is removed, for example, by liquid phase etching, so that a laminate of a copper vapor deposition layer 10 and a copper plating layer 12 remains as shown in FIG.
Next, the exposed copper deposition layer 10 is removed. This removing means is, for example, soft etching (ashing), liquid phase etching with an acidic etching solution, or the like.

【0042】この結果(G)図に示すように銅の蒸着層
10と銅のメッキ層12の積層構造からなる内層配線回
路パターン13が形成される。同時にブラインドビアホ
ール9にも接続信頼性の高い層間接続体(給電層)が形
成されている。
As a result, an inner wiring circuit pattern 13 having a laminated structure of a copper vapor deposition layer 10 and a copper plating layer 12 is formed as shown in FIG. At the same time, an interlayer connector (power supply layer) with high connection reliability is also formed in the blind via hole 9.

【0043】さらに、多層のプリント配線板を製造する
場合には、図2(A)から(G)のようなプロセスを所
望する枚数回、ビルドアップ層、内層配線層などの成膜
プロセスを繰り返し実施することにより、多層プリント
配線板を得ることができる。上記実施形態において、上
記配線層6および配線回路パターン13のための導体と
しては、上記銅のほか金、銀、ニッケル、アルミニウ
ム、クロム、錫などの単独、または複合、積層系などで
ある。
Further, in the case of manufacturing a multilayer printed wiring board, the processes shown in FIGS. 2A to 2G are repeated as many times as desired to form a build-up layer, an inner wiring layer and the like. By carrying out, a multilayer printed wiring board can be obtained. In the above-described embodiment, the conductor for the wiring layer 6 and the wiring circuit pattern 13 may be, for example, gold, silver, nickel, aluminum, chromium, tin, or the like alone, or may be a composite or a laminate, in addition to the copper.

【0044】さらに、第1層目の上記蒸着手段は例えば
ランプ加熱蒸着、電子ビーム加熱蒸着など真空中の蒸着
であれば何れでも適用できる。蒸着された銅膜の粒子径
は0.007〜0.85μmの集合体が望ましい。蒸着
の膜厚は、0.5〜1.5μmが望ましい。さらにま
た、上記2層目の銅メッキ膜5、12については、電流
密度が3A/dmm以上の電気メッキによって成膜す
る。
Further, any of the above-mentioned vapor deposition means for the first layer can be applied as long as it is vapor deposition in a vacuum such as lamp heating vapor deposition and electron beam heating vapor deposition. An aggregate having a particle diameter of the deposited copper film of 0.007 to 0.85 μm is desirable. The thickness of the deposited film is desirably 0.5 to 1.5 μm. Furthermore, the second copper plating films 5 and 12 are formed by electroplating with a current density of 3 A / dmm 2 or more.

【0045】例えば、電流密度5A/dmmで電気メッ
キすることにより、厚さ例えば7μmの銅メッキ層を成
膜できる。電流密度が8A/dnmm以上では、メッキ
の膜質が悪い。この電気メッキの条件は例えば、硫酸銅
(CuSo.5HO)の濃度180〜242g/
L、硫酸(HSO)の濃度44〜62g/L、塩素
イオン(CL)20〜80mg/L、チオ尿素0.0
1g/L、デキストリン0.01g/Lの電解液で銅の
電気メッキプロセスを実行できる。
For example, by electroplating at a current density of 5 A / dmm 2 , a copper plating layer having a thickness of, for example, 7 μm can be formed. If the current density is 8 A / dnmm 2 or more, the plating film quality is poor. Conditions of the electroplating, for example, the concentration of copper sulfate (CuSo 4 .5H 2 O) 180~242g /
L, sulfuric acid (H 2 SO 4 ) concentration 44-62 g / L, chloride ion (CL ) 20-80 mg / L, thiourea 0.0
An electroplating process of copper can be performed with an electrolyte of 1 g / L and dextrin 0.01 g / L.

【0046】以上説明したように、この実施形態によれ
ば、配線層を積層構造にし、下地層として真空中で成膜
した導体層を用いたので、パターンメッキ工法の採用が
可能となり、微細な配線の電気回路を高歩留まりで製造
することが可能となる。
As described above, according to this embodiment, the wiring layer has a laminated structure, and the conductor layer formed in a vacuum is used as the underlayer. It becomes possible to manufacture wiring electric circuits with a high yield.

【0047】上記実施形態では、第1の導体層を蒸着な
ど真空中で処理、形成したので回路の密着性の良いビル
ドアップ型多層プリント配線板を製造することが可能と
なる。 さらに、上記実施形態では、配線層について、
銅の蒸着層上に銅のメッキ層を形成した同一導体の実施
形態について説明したが、同一の導体で構成しなくても
良い。異種たとえば、図3に示すように銅をスパッタリ
ングした厚さ例えば1μmの薄層31上にクロムのメッ
キ層32を厚さ例えば3μm形成してもよい。
In the above embodiment, since the first conductor layer is processed and formed in a vacuum such as vapor deposition, it is possible to manufacture a build-up type multilayer printed wiring board having good circuit adhesion. Further, in the above embodiment, the wiring layer
Although the embodiment of the same conductor in which the copper plating layer is formed on the copper vapor deposition layer has been described, it is not necessary to configure the same conductor. For example, as shown in FIG. 3, a chromium plating layer 32 having a thickness of, for example, 3 μm may be formed on a thin layer 31 having a thickness of, for example, 1 μm obtained by sputtering copper.

【0048】さらにまた、上記実施形態では、内層配線
回路パターンの形成と同時にブラインドビアホール9に
層間接続体を形成した実施形態について説明したが、ス
ルーホールがあるプリント配線板の場合には、同時にス
ルーホール内壁面にも形成できる。このスルーホールの
実施形態について、図4を参照して説明する。図4はス
ルーホールを形成する方法を工程順に示す断面図であ
る。
Further, in the above embodiment, the embodiment in which the interlayer connection body is formed in the blind via hole 9 simultaneously with the formation of the inner wiring circuit pattern has been described. It can also be formed on the inner wall of the hall. An embodiment of this through hole will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a method of forming a through hole in the order of steps.

【0049】絶縁体基板41の予め定められたスルーホ
ール形成位置に第1のスルーホール42を図1(A)に
示すように形成する。この形成方法は、レーザー光によ
る方法、フォトエッチングによる方法などである。上記
絶縁体基板41の表裏面上に第1の配線層である導体例
えば銅のCVD層43を(B)図に示すように成膜す
る。この成膜は真空中で成膜するメタルCVD膜であ
る。このCVD層43はスルーホール42の内壁面上に
も成膜されている。
A first through-hole 42 is formed at a predetermined through-hole forming position on the insulator substrate 41 as shown in FIG. This forming method includes a method using laser light, a method using photoetching, and the like. On the front and back surfaces of the insulator substrate 41, a conductor, for example, a copper CVD layer 43, which is a first wiring layer, is formed as shown in FIG. This film is a metal CVD film formed in a vacuum. This CVD layer 43 is also formed on the inner wall surface of the through hole 42.

【0050】このCVD膜43の内層配線層を形成する
面上に第2層目の配線層を成膜する。 この成膜は、銅
のメッキ層44を無電解メッキ法で(C)図のように形
成する。 次に、この銅のメッキ層44と上記銅のCV
D層43の積層構造により第1の内層配線層を構成す
る。この第1の内層配線層上にビルドアップ層即ち絶縁
体層45を、(D)図のように成膜例えば塗布する。
A second wiring layer is formed on the surface of the CVD film 43 on which the inner wiring layer is to be formed. In this film formation, a copper plating layer 44 is formed by an electroless plating method as shown in FIG. Next, the copper plating layer 44 and the copper CV
The first inner wiring layer is constituted by the laminated structure of the D layer 43. On the first inner wiring layer, a build-up layer, that is, an insulator layer 45 is formed, for example, as shown in FIG.

【0051】上記第1のスルーホール42に位置合わせ
して、上記絶縁体層45に第2のスルーホール46を穿
設する。この状態を(E)図に示す。次に、上記絶縁体
層45上に真空中で成膜例えば銅のCVD層47を成膜
する。この状態を(F)図に示す。このCVD層47上
に銅のメッキ層48を成膜する。このメッキ層48およ
び上記CVD層47の積層構造により第2の内層配線層
を構成する。このようにして、スルーホール42、46
を貫通した層間接続体が形成される。さらに、多層に構
成する場合には、(D)図から(G)図の工程を繰り返
すことにより、形成することができる。
A second through-hole 46 is formed in the insulating layer 45 so as to be aligned with the first through-hole 42. This state is shown in FIG. Next, a film, for example, a copper CVD layer 47 is formed on the insulator layer 45 in a vacuum. This state is shown in FIG. A copper plating layer 48 is formed on the CVD layer 47. The laminated structure of the plating layer 48 and the CVD layer 47 constitutes a second inner wiring layer. Thus, the through holes 42, 46
Is formed to penetrate through. Further, in the case of forming a multilayer structure, it can be formed by repeating the steps from FIG.

【0052】上記実施形態ではビルドアップ型多層プリ
ント配線板に適用した実施形態について説明したが、プ
リント配線板の配線層であれば何れにも適用できる。た
とえば、積層型多層配線板の内層配線層および外層配線
層に適用してもよい。この場合にも上記実施形態と同様
に微細な配線の電気回路を高歩留まりで形成することが
出来る。
In the above embodiment, an embodiment applied to a build-up type multilayer printed wiring board has been described. However, the present invention can be applied to any wiring layer of a printed wiring board. For example, the present invention may be applied to an inner wiring layer and an outer wiring layer of a multilayer multilayer wiring board. In this case, similarly to the above embodiment, an electric circuit with fine wiring can be formed with a high yield.

【0053】即ち、エポキシ樹脂基板上に図1に示すプ
ロセスで、表裏面に配線層を形成した配線基板を所望す
る複数枚用意し、各配線基板間にプリプレグを介在して
積層し、加熱、加圧して積層型多層プリント配線板を得
ることができる。
That is, a plurality of desired wiring boards having wiring layers formed on the front and back surfaces are prepared on an epoxy resin substrate by the process shown in FIG. 1, and a prepreg is interposed between the respective wiring boards and laminated. By applying pressure, a laminated multilayer printed wiring board can be obtained.

【0054】[0054]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
微細加工の配線回路を高歩留まりで製造することが可能
となる。
As described above, according to the present invention,
It is possible to manufacture a finely processed wiring circuit with a high yield.

【0055】さらに、密着性の良い配線回路のビルドア
ップ型多層プリント配線板を製造することが可能とな
る。
Further, it is possible to manufacture a build-up type multilayer printed wiring board of a wiring circuit having good adhesion.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は本発明をプリント配線基板上に第1の内
層配線層を形成する方法に適用した実施形態を工程順に
説明するための断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining an embodiment in which the present invention is applied to a method for forming a first inner wiring layer on a printed wiring board in the order of steps.

【図2】図2は図1の第1の内層配線層上に第2の内層
配線層を形成する方法に適用した実施形態を工程順に説
明するための断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining an embodiment applied to a method of forming a second inner wiring layer on the first inner wiring layer in FIG. 1 in the order of steps.

【図3】図3は図1に示す配線層の他の実施形態を説明
するための断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining another embodiment of the wiring layer shown in FIG. 1;

【図4】図4は、図2の他の実施形態を工程順に説明す
るための断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining another embodiment of FIG. 2 in the order of steps.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、8…エポキシ樹脂基板、 2、3、10…銅の蒸着層、 4、11…メッキレジスト層、 5、12、44、48…銅のメッキ層、 6…内層配線層、 7…ランド、 9…ブラインドビアホール、 13…配線回路パターン、 41…絶縁体基板 42、46…スルーホール 43、47…銅のCVD層 45…絶縁体層 1, 8: epoxy resin substrate, 2, 3, 10: copper evaporation layer, 4, 11: plating resist layer, 5, 12, 44, 48: copper plating layer, 6: inner wiring layer, 7: land, 9: Blind via hole, 13: Wiring circuit pattern, 41: Insulator substrate 42, 46 ... Through hole 43, 47 ... Copper CVD layer 45 ... Insulator layer

フロントページの続き (72)発明者 田中 信雄 埼玉県川口市領家5丁目14番25号 東芝ケ ミカル株式会社川口工場内 Fターム(参考) 4E351 AA03 AA04 AA07 BB01 BB32 BB33 BB35 CC02 CC03 CC06 DD04 DD05 DD06 DD10 DD12 DD17 DD19 GG11 Continued on the front page (72) Inventor Nobuo Tanaka 5-14-25 Ryoke, Kawaguchi-shi, Saitama F-term in Kawaguchi Plant of Toshiba Chemical Corporation 4E351 AA03 AA04 AA07 BB01 BB32 BB33 BB35 CC02 CC03 CC06 DD04 DD05 DD06 DD10 DD12 DD17 DD19 GG11

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁体上に真空中で成膜された導体層
と、この導体層上に設けられた導体のメッキ層とを具備
し、前記導体層および導体のメッキ層の積層構造で配線
層を構成してなることを特徴とするプリント配線板。
A conductor layer formed on the insulator in a vacuum, and a conductor plating layer provided on the conductor layer, wherein a wiring is formed in a laminated structure of the conductor layer and the conductor plating layer. A printed wiring board comprising a layer.
【請求項2】 絶縁体基板と、 この絶縁基板上に設けられた銅の蒸着層と、 この銅の蒸着層上に銅のメッキ層が積層された配線層か
らなる第1の配線と、 この第1の配線および前記絶縁基板上に設けられた絶縁
体層と、 この絶縁体層上に設けられた銅の蒸着層および銅のメッ
キ層が積層された配線層からなる第2の配線とを具備し
てなることを特徴とするプリント配線板。
2. A first wiring comprising an insulating substrate, a copper vapor deposition layer provided on the insulating substrate, and a wiring layer in which a copper plating layer is laminated on the copper vapor deposition layer; A first wiring and an insulating layer provided on the insulating substrate; and a second wiring formed of a wiring layer formed by stacking a copper vapor deposition layer and a copper plating layer provided on the insulating layer. A printed wiring board, comprising:
【請求項3】 絶縁体上に真空中で導体層を成膜する工
程と、 前記導体層上に導体のメッキ層を積層した配線層を形成
する工程と、 前記配線層を選択的にエッチングして配線回路パターン
を形成する工程と、 を具備してなることを特徴とするプリント配線板の製造
方法。
3. A step of forming a conductor layer on the insulator in a vacuum, a step of forming a wiring layer having a conductor plating layer laminated on the conductor layer, and selectively etching the wiring layer. Forming a wiring circuit pattern by using the above method.
【請求項4】 絶縁体にブラインドビアホールを形成す
る工程と、 この工程により形成されたブラインドビアホールを含む
前記絶縁体上に真空中で導体層を形成する工程と、 前記導体層上に導体のメッキ層を積層した配線層を形成
する工程と、 前記配線層を選択的にエッチングして配線回路パターン
を形成する工程と、 を具備してなることを特徴とするプリント配線板の製造
方法。
4. A step of forming a blind via hole in the insulator, a step of forming a conductor layer in a vacuum on the insulator including the blind via hole formed in this step, and plating a conductor on the conductor layer. A method for manufacturing a printed wiring board, comprising: a step of forming a wiring layer in which layers are stacked; and a step of selectively etching the wiring layer to form a wiring circuit pattern.
【請求項5】 絶縁体上に真空中で導体層を形成する工
程と、 前記導体層上に配線パターンのマスクパターンを形成す
る工程と、 前記導体層上に導体のメッキ層を形成する工程と、 前記マスクパターンを除去する工程と、 露出した前記導体層を除去する工程とを具備してなるこ
とを特徴とするプリント配線板の製造方法。
5. A step of forming a conductor layer on the insulator in a vacuum, a step of forming a mask pattern of a wiring pattern on the conductor layer, and a step of forming a conductor plating layer on the conductor layer. A method for manufacturing a printed wiring board, comprising: a step of removing the mask pattern; and a step of removing the exposed conductor layer.
【請求項6】 請求項3、4又は5記載のプリント配線
板の製造方法において、真空中で導体層を成膜する手段
は真空蒸着、スパッタリング、CVDであることを特徴
とするプリント配線板の製造方法。
6. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 3, wherein the means for forming the conductive layer in a vacuum is vacuum deposition, sputtering, or CVD. Production method.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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