JP2001085401A - 真空処理装置およびそのクリーニング方法 - Google Patents
真空処理装置およびそのクリーニング方法Info
- Publication number
- JP2001085401A JP2001085401A JP25823699A JP25823699A JP2001085401A JP 2001085401 A JP2001085401 A JP 2001085401A JP 25823699 A JP25823699 A JP 25823699A JP 25823699 A JP25823699 A JP 25823699A JP 2001085401 A JP2001085401 A JP 2001085401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing chamber
- electrode
- cleaning
- substrate
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板を連続で処理することにより、処
理室内に堆積した反応生成物を効率よく除去する方法、
及び装置構成を提供する。 【解決手段】 基板処理感覚を１枚からＮ枚毎にクリー
ニングを行い、かつ処理室内面、電極に反応生成物を除
去するため物理的スパッタリングを行う。連続処理にお
いて異物発生のない、安定して半導体基板を処理できる
半導体製造装置のクリーニング方法と装置を提供でき
る。
理室内に堆積した反応生成物を効率よく除去する方法、
及び装置構成を提供する。 【解決手段】 基板処理感覚を１枚からＮ枚毎にクリー
ニングを行い、かつ処理室内面、電極に反応生成物を除
去するため物理的スパッタリングを行う。連続処理にお
いて異物発生のない、安定して半導体基板を処理できる
半導体製造装置のクリーニング方法と装置を提供でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空処理装置装置
およびそのクリーニング方法に係り、特に、半導体基
板、液晶基板などを処理するプラズマエッチング装置、
プラズマ生膜装置を用いた真空ポンプを有する減圧容器
（以下処理室と称す）のクリーニング方法と基板を設置
する電極のクリーニング方法に関する。
およびそのクリーニング方法に係り、特に、半導体基
板、液晶基板などを処理するプラズマエッチング装置、
プラズマ生膜装置を用いた真空ポンプを有する減圧容器
（以下処理室と称す）のクリーニング方法と基板を設置
する電極のクリーニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術は、基板にイオンを引き込む装
置構成にはなっておらず、処理室内面、電極に付着した
反応生成物（有機物、無機物ｍまたはその複合物）を完
全には除去できない。
置構成にはなっておらず、処理室内面、電極に付着した
反応生成物（有機物、無機物ｍまたはその複合物）を完
全には除去できない。
【０００３】よって、連続処理を実施することにより、
除去しきれない反応生成物が蓄積し異物多発にいたり、
製品歩留まり低下にいたる。
除去しきれない反応生成物が蓄積し異物多発にいたり、
製品歩留まり低下にいたる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記除去し
きれない、処理室内面、電極に附着した反応生成物を科
学的、電気的、または複合させることにより除去を行な
うことを目的とし長期的に製品を処理し、異物発生の少
ない、製品歩留まりの高い装置を提供することにある。
きれない、処理室内面、電極に附着した反応生成物を科
学的、電気的、または複合させることにより除去を行な
うことを目的とし長期的に製品を処理し、異物発生の少
ない、製品歩留まりの高い装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、真空ポ
ンプを有する処理室、プラズマを発生させる機構、前記
処理室にガスを導入する機構、前記処理室に処理する基
板を搬入する機構、前記処理室内で基板を処理するため
に電極を有する機構、及び前記基板を電極に固定する機
構を具備する真空処理装置における、前記処理室内をク
リーニングするクリーニング方法であって、該処理室で
基板を処理する前後で、クリーニングを有する工程と、
該処理室を大気から減圧した後クリーニングを有する工
程と、該処理室を大気にする前にクリーニングを有する
工程と、該処理室で基板を複数枚処理する工程で、１枚
からＮ枚まででクリーニングを有する工程、とを含むこ
とを特徴とする。
ンプを有する処理室、プラズマを発生させる機構、前記
処理室にガスを導入する機構、前記処理室に処理する基
板を搬入する機構、前記処理室内で基板を処理するため
に電極を有する機構、及び前記基板を電極に固定する機
構を具備する真空処理装置における、前記処理室内をク
リーニングするクリーニング方法であって、該処理室で
基板を処理する前後で、クリーニングを有する工程と、
該処理室を大気から減圧した後クリーニングを有する工
程と、該処理室を大気にする前にクリーニングを有する
工程と、該処理室で基板を複数枚処理する工程で、１枚
からＮ枚まででクリーニングを有する工程、とを含むこ
とを特徴とする。
【０００６】本発明のクリーニング方法は、 １）処理室内面を化学的に、電気的にクリーニングする
工程 または、 ２）電極表面を化学的に、電気的にクリーニングする工
程 を含む。
工程 または、 ２）電極表面を化学的に、電気的にクリーニングする工
程 を含む。
【０００７】化学的にクリーニングする場合には、酸
素、三塩化ホウ素、塩素 ６弗化硫黄、３弗化窒素、一
酸化炭素、二酸化炭素、ＮＯガスを使用した方法で反応
性性物を除去する。
素、三塩化ホウ素、塩素 ６弗化硫黄、３弗化窒素、一
酸化炭素、二酸化炭素、ＮＯガスを使用した方法で反応
性性物を除去する。
【０００８】電気的にクリーニングする場合には、処理
室内面、電極表面にイオンを引き込むことにより物理的
スパッタリングで反応生成物を除去するとともに、反応
生成物極表面におけるイオンエネルギー入射で前記クリ
ーニングガスと反応させ反応生成物を除去する。
室内面、電極表面にイオンを引き込むことにより物理的
スパッタリングで反応生成物を除去するとともに、反応
生成物極表面におけるイオンエネルギー入射で前記クリ
ーニングガスと反応させ反応生成物を除去する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を説明す
る。図１に本発明の一実施例を示す。本図のプラズマ発
生方法は、マイクロ波を利用したエッチング装置の一例
である。処理される基板は本図には記載されていない
が、他に設置された搬入室から処理室１の真空を破るこ
となく処理室１の電極３に設置される 。
る。図１に本発明の一実施例を示す。本図のプラズマ発
生方法は、マイクロ波を利用したエッチング装置の一例
である。処理される基板は本図には記載されていない
が、他に設置された搬入室から処理室１の真空を破るこ
となく処理室１の電極３に設置される 。
【００１０】処理室１は本図には記載されていないが、
流量制御されたガスコントローラにより処理室１に導入
され、圧力を調整した後、マイクロ波発振管５により発
振されたマイクロ波は導波管６を伝播し処理室１に導入
され、電磁コイルより発生する磁場により処理室真空内
で電子がＥＣＲ運動を行いプラズマが発生する。電極３
に接続された高周波電源４は電極を負に極性し、プラズ
マで発生したイオンを電極４に垂直に引き込み電極４に
設置された基板５をエッチング処理する。基板５の処理
が終了した後、基板５は前記搬入室を介し、大気へ搬出
される。７は圧力制御機である。
流量制御されたガスコントローラにより処理室１に導入
され、圧力を調整した後、マイクロ波発振管５により発
振されたマイクロ波は導波管６を伝播し処理室１に導入
され、電磁コイルより発生する磁場により処理室真空内
で電子がＥＣＲ運動を行いプラズマが発生する。電極３
に接続された高周波電源４は電極を負に極性し、プラズ
マで発生したイオンを電極４に垂直に引き込み電極４に
設置された基板５をエッチング処理する。基板５の処理
が終了した後、基板５は前記搬入室を介し、大気へ搬出
される。７は圧力制御機である。
【００１１】処理室１は次のウエハをさらにエッチング
処理することにより、処理室内１の内面はエッチングに
より生成された反応物が附着する。ある枚数 最低１枚
ごと最大数百枚ごとに前記プラズマクリーニングガスを
導入し、処理室内１に附着した反応生成物を状況する。
処理することにより、処理室内１の内面はエッチングに
より生成された反応物が附着する。ある枚数 最低１枚
ごと最大数百枚ごとに前記プラズマクリーニングガスを
導入し、処理室内１に附着した反応生成物を状況する。
【００１２】除去する処理室内領域は、真空室内すべて
の内面、及び電極の処理室内に位置する面である。
の内面、及び電極の処理室内に位置する面である。
【００１３】電極については、ウエハを設置しクリーニ
ングを行なう方法、ウエハを設置せずクリーニングを行
なう。
ングを行なう方法、ウエハを設置せずクリーニングを行
なう。
【００１４】また、ウエハを設置しない場合は、電極上
に処理室面内に附着した反応生成物がクリーニングによ
り除去されたものが再附着するので、高周波を電極にか
け基板設置面をスパッタクリーニングする。電極に印可
する高周波の電力量、時間は電極材料に適切な時間を設
定する。
に処理室面内に附着した反応生成物がクリーニングによ
り除去されたものが再附着するので、高周波を電極にか
け基板設置面をスパッタクリーニングする。電極に印可
する高周波の電力量、時間は電極材料に適切な時間を設
定する。
【００１５】クリーニング中に上記電極への高周波印可
時間は独自に設定できる。
時間は独自に設定できる。
【００１６】なお、本発明は、次のような特徴を有す
る。
る。
【００１７】（１）真空ポンプを有する減圧容器（以下
処理室と称す）、プラズマを発生させる機構、前期減圧
容器にガスを導入する機構、前期減圧容器に処理する基
板を搬入する機構、前記減圧容器内で基板を処理するた
めに電極を有する機構、基板を電極に固定する機構を具
備する装置において、処理室内をクリーニングする方法
で １）該処理室で基板を処理する前後で、クリーニングを
有する工程 ２）該処理室を大気から減圧した後クリーニングを有す
る工程 ３）該処理室を大気にする前にクリーニングを有する工
程 ４）該処理室で基板を複数枚処理する工程で、１枚から
Ｎ枚まででクリーニングを有する工程を含む方法。
処理室と称す）、プラズマを発生させる機構、前期減圧
容器にガスを導入する機構、前期減圧容器に処理する基
板を搬入する機構、前記減圧容器内で基板を処理するた
めに電極を有する機構、基板を電極に固定する機構を具
備する装置において、処理室内をクリーニングする方法
で １）該処理室で基板を処理する前後で、クリーニングを
有する工程 ２）該処理室を大気から減圧した後クリーニングを有す
る工程 ３）該処理室を大気にする前にクリーニングを有する工
程 ４）該処理室で基板を複数枚処理する工程で、１枚から
Ｎ枚まででクリーニングを有する工程を含む方法。
【００１８】（２）該処理室の基板固定方法が機械的方
法、電気的方法（例えば静電的方法）による（１）記載
の方法。
法、電気的方法（例えば静電的方法）による（１）記載
の方法。
【００１９】（３）該処理室の内壁側に無機質材料、有
機材質のカバー材料を具備した構成の（１）記載の方
法。
機材質のカバー材料を具備した構成の（１）記載の方
法。
【００２０】（４）該処理室にクリーニングガスとして
酸素、三塩化ホウ素、塩素６弗化硫黄、３弗化窒素、一
酸化炭素、二酸化炭素、ＮＯガスの少なくとも１種類の
ガスを導入しクリーニングを行なう前記（１）記載の方
法。
酸素、三塩化ホウ素、塩素６弗化硫黄、３弗化窒素、一
酸化炭素、二酸化炭素、ＮＯガスの少なくとも１種類の
ガスを導入しクリーニングを行なう前記（１）記載の方
法。
【００２１】（５）該処理室の基板を設置する電極表面
の材質が、酸化された金属材料、または硬質材料の構成
である前記（１）記載の方法。
の材質が、酸化された金属材料、または硬質材料の構成
である前記（１）記載の方法。
【００２２】（６）該処理室で発生させるプラズマの生
成方法がマイクロ波と磁場を利用しＥＣＲ（electron s
ycrotorn resonance）を利用し発生させる構成、または
高周波電力を使用しカソード、アノードを設置した構成
の前記（１）記載の方法。
成方法がマイクロ波と磁場を利用しＥＣＲ（electron s
ycrotorn resonance）を利用し発生させる構成、または
高周波電力を使用しカソード、アノードを設置した構成
の前記（１）記載の方法。
【００２３】（７）前記（６）で発生させたプラズマで
生成されるイオンを前記電極に電気的に引き込む構成を
具備した装置構成である前記（１）記載の方法。
生成されるイオンを前記電極に電気的に引き込む構成を
具備した装置構成である前記（１）記載の方法。
【００２４】（８）プラズマで生成されるイオンを該処
理室内側面、上部に電気的に引き込む構成を具備する装
置構成の前記（１）記載の方法。
理室内側面、上部に電気的に引き込む構成を具備する装
置構成の前記（１）記載の方法。
【００２５】（９）プラズマで生成されるイオンを前記
電極に電気的に引き込む構成が、電気的に直流、交流そ
れぞれ使用可能な構成を具備する装置構成である前記
（１）記載の方法。
電極に電気的に引き込む構成が、電気的に直流、交流そ
れぞれ使用可能な構成を具備する装置構成である前記
（１）記載の方法。
【００２６】（１０）前記（２）から（９）を具備する
装置構成で、該処理室を排気する箇所に、温度的に基板
を処理した反応生成物が固体化する温度を有する（温度
制御可能）機構である装置の前記（１）記載の方法。
装置構成で、該処理室を排気する箇所に、温度的に基板
を処理した反応生成物が固体化する温度を有する（温度
制御可能）機構である装置の前記（１）記載の方法。
【００２７】１）反応生成物が固体化する温度を有する
（温度制御可能）機構の箇所が処理室ないであることを
特徴とする装置。
（温度制御可能）機構の箇所が処理室ないであることを
特徴とする装置。
【００２８】２）反応生成物が固体化する温度を有する
（温度制御可能）機構の箇所が処理室排気ポンプから大
気側に具備されていることを特徴とする装置。
（温度制御可能）機構の箇所が処理室排気ポンプから大
気側に具備されていることを特徴とする装置。
【００２９】（１１）該処理室で前記（１）のクリーニ
ング方法で、電極に引き込むイオン量をクリーニング中
に変化させることを特徴とする前記（１）記載の方法。
ング方法で、電極に引き込むイオン量をクリーニング中
に変化させることを特徴とする前記（１）記載の方法。
【００３０】（１２）該処理室でプラズマ位置に電極を
移動させる機構を有した装置の前記（１）記載の方法。
移動させる機構を有した装置の前記（１）記載の方法。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、電気的には、処理室内
面、電極表面にイオンを引き込むことにより物理的スパ
ッタリングで反応生成物を除去するとともに、反応生成
物極表面におけるイオンエネルギー入射で前記クリーニ
ングガスと反応させ反応生成物を除去することにより処
理室内面に反応生成物を附着させることなく半導体基板
を処理でき、異物の発生なく、安定した性能を提供し、
安定した製品歩留まりを提供できる。
面、電極表面にイオンを引き込むことにより物理的スパ
ッタリングで反応生成物を除去するとともに、反応生成
物極表面におけるイオンエネルギー入射で前記クリーニ
ングガスと反応させ反応生成物を除去することにより処
理室内面に反応生成物を附着させることなく半導体基板
を処理でき、異物の発生なく、安定した性能を提供し、
安定した製品歩留まりを提供できる。
【図１】本発明の方法を用いた、半導体基板を処理する
為のエッチング装置の断面図をしめす。
為のエッチング装置の断面図をしめす。
【図２】本発明のクリーニングシーケンスの一実施例で
あるシーケンスを示す。
あるシーケンスを示す。
１…処理室、２…処理室内面材料、３…電極、４…高周
波電極、５…マイクロ波発振管、６…導波管、７…圧力
制御機
波電極、５…マイクロ波発振管、６…導波管、７…圧力
制御機
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松本 英治 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸事業所内 (72)発明者 金清 任光 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸事業所内 (72)発明者 藤本 幸太郎 山口県下松市大字東豊井794番地 日立テ クノエンジニアリング株式会社笠戸事業所 内 (72)発明者 萱野 淳一 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸事業所内 (72)発明者 吉田 篤 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸事業所内 (72)発明者 中司 孝則 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸事業所内 (72)発明者 六反 豊弘 山口県下松市大字東豊井794番地 日立笠 戸エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 佐藤 仁昭 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸事業所内 Ｆターム(参考） 4K030 DA06 FA02 FA03 GA02 KA08 KA22 KA41 KA45 KA46 5F004 AA15 BA04 BA14 BB11 BB21 BB22 BB29 BC02 DA00 DA04 DA11 DA17 DA18 DA26
Claims (15)
- 【請求項１】真空ポンプを有する処理室、プラズマを発
生させる機構、前記処理室にガスを導入する機構、前記
処理室に処理する基板を搬入する機構、前記処理室内で
基板を処理するために電極を有する機構、及び前記基板
を電極に固定する機構を具備する真空処理装置におけ
る、前記処理室内をクリーニングするクリーニング方法
であって、 該処理室で基板を処理する前後で、クリーニングを有す
る工程と、 該処理室を大気から減圧した後クリーニングを有する工
程と、 該処理室を大気にする前にクリーニングを有する工程
と、 該処理室で基板を複数枚処理する工程で、１枚からＮ枚
まででクリーニングを有する工程、 とを含むことを特徴とするクリーニング方法。 - 【請求項２】前記処理室の基板固定方法が、機械的方法
もしくは、電気的方法（例えば静電的方法）であること
を特徴とする請求項１記載のクリーニング方法。 - 【請求項３】前記処理室にクリーニングガスとして酸
素、三塩化ホウ素、塩素、６弗化硫黄、３弗化窒素、一
酸化炭素、二酸化炭素、ＮＯガスの少なくとも１種類の
ガスを導入しクリーニングを行なうことを特徴とする請
求項１記載のクリーニング方法。 - 【請求項４】前記処理室の基板を設置する電極表面の材
質が、酸化された金属材料、または硬質材料の構成であ
ることを特徴とする請求項１記載のクリーニング方法。 - 【請求項５】前記処理室で発生させるプラズマを、マイ
クロ波と磁場を利用しＥＣＲ（electron sycrotorn res
onance）を利用した構成、または高周波電力を使用しカ
ソード、アノードを設置した構成により生成することを
特徴とする請求項１記載のクリーニング方法。 - 【請求項６】前記発生させたプラズマで生成されるイオ
ンを前記電極に電気的に引き込むことを特徴とする請求
項５記載のクリーニング方法。 - 【請求項７】前記プラズマで生成されるイオンを該処理
室内側面、上部に電気的に引き込むことを特徴とする請
求項５記載のクリーニング方法。 - 【請求項８】前記処理室で電極に引き込むイオン量をク
リーニング中に変化させることを特徴とする請求項６記
載のクリーニング方法。 - 【請求項９】真空ポンプを有する処理室、プラズマを発
生させる機構、前記処理室にガスを導入する機構、前記
処理室に処理する基板を搬入する機構、前記処理室内で
基板を処理するために電極を有する機構、及び前記基板
を電極に固定する機構を具備する真空処理装置におい
て、 前記プラズマで生成されるイオンを前記電極に電気的に
引き込む構成を備えたことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項１０】前記プラズマで生成されるイオンを前記
電極に電気的に引き込む構成が、電気的に直流、交流そ
れぞれ使用可能な構成を具備する構成であることを特徴
とする請求項９記載の真空処理装置。 - 【請求項１１】前記処理室の内壁側に無機質材料、有機
材質のカバー材料を具備したことを特徴とする請求項９
記載の真空処理装置。 - 【請求項１２】前記処理室を排気する箇所に、温度的に
基板を処理した反応生成物が固体化する温度を有する
（温度制御可能）機構であることを特徴とする請求項９
記載の真空処理装置。 - 【請求項１３】前記反応生成物が固体化する温度を有す
る（温度制御可能）機構を前記処理室内に設けたことを
特徴とする請求項１２記載の真空処理装置。 - 【請求項１４】前記反応生成物が固体化する温度を有す
る（温度制御可能）機構を前記処理室排気ポンプから大
気側に設けたことを特徴とする請求項１２記載の真空処
理装置。 - 【請求項１５】前記処理室でプラズマ位置に電極を移動
させる機構を有したことを特徴とする請求項９記載の真
空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25823699A JP2001085401A (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 真空処理装置およびそのクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25823699A JP2001085401A (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 真空処理装置およびそのクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085401A true JP2001085401A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17317426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25823699A Pending JP2001085401A (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 真空処理装置およびそのクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001085401A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008277746A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-11-13 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2010092976A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Ulvac Japan Ltd | 吸着力回復方法、吸着力低下防止方法 |
-
1999
- 1999-09-13 JP JP25823699A patent/JP2001085401A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008277746A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-11-13 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| TWI474372B (zh) * | 2007-03-30 | 2015-02-21 | Hitachi High Tech Corp | Plasma processing device |
| JP2010092976A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Ulvac Japan Ltd | 吸着力回復方法、吸着力低下防止方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03218627A (ja) | プラズマエッチング方法及び装置 | |
| JPH07335626A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JP2007324154A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6240728A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| US6545245B2 (en) | Method for dry cleaning metal etching chamber | |
| JP2000068252A (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
| JP2001085401A (ja) | 真空処理装置およびそのクリーニング方法 | |
| JPH1050666A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4224374B2 (ja) | プラズマ処理装置の処理方法およびプラズマ処理方法 | |
| JP2001250814A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH1140502A (ja) | 半導体製造装置のドライクリーニング方法 | |
| JPH07211489A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置及び該装置のクリーニング方法 | |
| JPH1116895A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3595885B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ装置 | |
| JP2005150606A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4351980B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2009249680A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| JPH08311666A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP2001085402A (ja) | 真空処理装置及びそのクリーニング方法 | |
| JPH10229074A (ja) | マイクロ波プラズマエッチング装置 | |
| JPH07273086A (ja) | プラズマ処理装置及び該装置を用いたプラズマ処理方法 | |
| JP2002043289A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP2000355768A (ja) | プラズマｃｖｄ装置におけるクリーニング方法 | |
| JPH07183284A (ja) | 薄層をエッチングするための装置および方法 | |
| JP4686668B2 (ja) | プラズマ処理方法と装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060830 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060907 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060907 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060911 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060908 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080807 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090728 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20090828 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090828 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091124 |