JP2001083933A - Capacitive display panel driving device - Google Patents

Capacitive display panel driving device

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JP2001083933A
JP2001083933A JP25736199A JP25736199A JP2001083933A JP 2001083933 A JP2001083933 A JP 2001083933A JP 25736199 A JP25736199 A JP 25736199A JP 25736199 A JP25736199 A JP 25736199A JP 2001083933 A JP2001083933 A JP 2001083933A
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JP
Japan
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voltage
display panel
scanning
data
scan
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Application number
JP25736199A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Kinoshita
弘之 木下
Masahiko Osada
雅彦 長田
Masaaki Kawauchi
正明 川内
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Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress heat generation of a capacitive display panel without decreasing scan frequency. SOLUTION: Scan-side drivers IC2, 3 receive the supply of a voltage required to drive a scan electrode from a switching power supply 5 via voltage supply lines L1, L2, and output a pulse-like scan voltage to the scan electrode of an EL display panel 1 to sequentially perform scanning. A data-side drivers IC4 receives the supply of a voltage required to drive a data electrode from the switching power supply 5 via voltage supply lines L3, L4, and outputs a pulse- like scan voltage to the data electrode. A reactor 9 and a resistor 10 are inserted in series between the switching power supply 5 and the scan-side drivers IC2, 3. Because this reactor 9 reduces especially a high-grade harmonic component of a driving current, heat generation of the EL display panel 1 can be suppressed without decreasing the pulse width.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の走査電極と
複数のデータ電極との交差領域に形成された容量性表示
素子からなる表示パネルを駆動する容量性表示パネル駆
動装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a capacitive display panel driving apparatus for driving a display panel including capacitive display elements formed at intersections between a plurality of scanning electrodes and a plurality of data electrodes.

【発明が解決しようとする課題】この種の表示パネルと
して、例えば走査電極とデータ電極とが直交配置され、
その各交差位置に容量性表示素子であるEL(Electro
Luminescence)素子が形成された単純ドットマトリクス
型のEL表示パネルがある。このEL表示パネルを線順
次走査方式で駆動する場合、走査電極とデータ電極とに
パルス状の電圧を印加する。このとき、各EL素子には
それらの合成電圧が印加される。
As a display panel of this type, for example, scanning electrodes and data electrodes are arranged orthogonally.
At each intersection, a capacitive display element EL (Electro
Luminescence) is a simple dot matrix type EL display panel in which elements are formed. When the EL display panel is driven by a line-sequential scanning method, a pulse-like voltage is applied to the scanning electrodes and the data electrodes. At this time, the combined voltage is applied to each EL element.

【0002】このEL素子は、ガラス基板上に走査電極
に相当する透明電極、第1の絶縁層、発光層、第2の絶
縁層、およびデータ電極としての背面電極が積層された
構成をなしており容量性を有している(図4参照)。し
かし、EL素子には等価的に直列抵抗が存在し、この等
価直列抵抗に電流が流れることにより損失が発生する。
また、この等価直列抵抗はEL素子の誘電正接(tan
δ)を増加させる。
This EL device has a structure in which a transparent electrode corresponding to a scanning electrode, a first insulating layer, a light emitting layer, a second insulating layer, and a back electrode as a data electrode are laminated on a glass substrate. It has a capacitance (see FIG. 4). However, the EL element has a series resistance equivalently, and a loss occurs when a current flows through the equivalent series resistance.
The equivalent series resistance is the dielectric loss tangent (tan) of the EL element.
δ) is increased.

【0003】従って、EL素子にパルス電圧が繰り返し
印加されてパルス状の電流が流れると、前記等価直列抵
抗で生じる損失によりEL表示パネルが発熱する。そし
て、この発熱によってEL表示パネルの温度が上昇する
と、EL素子の有する耐圧が低下したり、背面電極と保
護ガラスとの接着面に剥がれが生じるなどして、EL表
示パネルの信頼性が低下してしまう。
Accordingly, when a pulse voltage is repeatedly applied to the EL element and a pulse-like current flows, the EL display panel generates heat due to the loss generated by the equivalent series resistance. Then, when the temperature of the EL display panel rises due to this heat generation, the withstand voltage of the EL element is reduced, and the bonding surface between the back electrode and the protective glass is peeled off, so that the reliability of the EL display panel is reduced. Would.

【0004】こうしたEL表示パネルの発熱を抑制する
のに有効な手段として、特開昭58−113986号公
報に開示されたものがある。この手段は、各走査電極と
これら各走査電極を駆動する走査電極駆動回路との間に
それぞれリアクトルを介在させ、このリアクトルとEL
素子とで生じるLC共振を利用することにより走査電極
駆動回路の耐電圧を低減するものである。このようにリ
アクトルを介在させると、EL素子に流れる電流のうち
高調波成分が小さくなるため、その分EL素子での損失
が低減するという効果も期待できる。
As an effective means for suppressing such heat generation of the EL display panel, there is one disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-113986. This means interposes a reactor between each scanning electrode and a scanning electrode driving circuit for driving each of the scanning electrodes.
The withstand voltage of the scan electrode drive circuit is reduced by utilizing LC resonance generated between the element and the element. When the reactor is interposed in this way, the higher harmonic component of the current flowing through the EL element is reduced, so that the effect of reducing the loss in the EL element can be expected.

【0005】しかしながら、上記手段では、所期の目的
上リアクトルのインダクタンスがEL素子の静電容量と
共振するように選定されるので、この共振条件を満足す
るために必要なパルス電圧の印加時間(パルス幅)はあ
る一定値に一意に決定されてしまう。このため、上記共
振条件を維持したまま、上記構成をさらに多くのEL素
子を備えたEL表示パネルに適用しようとすると、パル
ス幅が一定であるために走査電極の数が増加した分だけ
走査周波数が低下し、フリッカなどが発生する。このフ
リッカの発生を防止するには、EL表示パネル毎に共振
条件を調整すれば良いが、所望する走査周波数の下で共
振条件を満たすインダクタンスを決定する作業は極めて
手間を要する。
However, in the above-mentioned means, the inductance of the reactor is selected so as to resonate with the capacitance of the EL element for the intended purpose. Therefore, the pulse voltage application time required to satisfy this resonance condition ( Pulse width) is uniquely determined to a certain constant value. Therefore, if the above configuration is applied to an EL display panel having more EL elements while maintaining the above resonance condition, the scanning frequency is increased by the increased number of scanning electrodes because the pulse width is constant. And flickering occurs. In order to prevent the occurrence of flicker, the resonance condition may be adjusted for each EL display panel. However, the operation of determining an inductance that satisfies the resonance condition at a desired scanning frequency requires a lot of trouble.

【0006】また、EL表示パネルの発熱を抑制するの
に有効な別の手段として、特開平10−63198号公
報に開示されたものがある。この手段は、各走査電極の
電極端子と走査電極駆動回路との間にそれぞれ補正抵抗
を介在させ、配線部のパターン抵抗値のばらつきによっ
て発生する輝度むらを低減するものである。この場合、
補正抵抗の抵抗値を大きく設定することで、EL素子に
流れる電流を低減し、EL表示パネルの発熱を抑えるこ
とが可能となる。
Another means effective for suppressing heat generation of the EL display panel is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-63198. This means interposes a correction resistor between the electrode terminal of each scan electrode and the scan electrode drive circuit, and reduces uneven brightness caused by variation in the pattern resistance value of the wiring portion. in this case,
By setting the resistance value of the correction resistor large, it is possible to reduce the current flowing through the EL element and suppress the heat generation of the EL display panel.

【0007】しかしながら、抵抗値を大きくすると、パ
ルス状の走査電圧の立上り時間が長くなるので、発光に
必要な電圧がEL素子に印加されている時間が短くなっ
てしまい輝度の低下をもたらす。これを防止するにはパ
ルス幅を増やせばよいが、その結果走査周波数が低下し
フリッカが発生してしまう。
However, when the resistance value is increased, the rise time of the pulse-like scanning voltage is prolonged, so that the time during which the voltage required for light emission is applied to the EL element is shortened, resulting in a decrease in luminance. To prevent this, the pulse width may be increased, but as a result, the scanning frequency decreases and flicker occurs.

【0008】本発明は上記事情を鑑みてなされたもの
で、その目的は、走査周波数を低下せることなく、容量
性表示パネルの発熱を抑制することができる容量性表示
パネル駆動装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a capacitive display panel driving device capable of suppressing heat generation of a capacitive display panel without lowering a scanning frequency. It is in.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために請求項1に記載した手段を採用できる。この手段
によれば、走査電極駆動回路は、第1の電源から第1の
電圧の供給を受けて各走査電極に所定の順序に従ってパ
ルス状の走査電圧を出力し、データ電極駆動回路は、第
2の電源から第2の電圧の供給を受けて走査電極の走査
に同期して各走査電極下の容量性表示素子にデータ電圧
を出力する。
To achieve the above object, the means described in claim 1 can be employed. According to this means, the scan electrode drive circuit receives the supply of the first voltage from the first power supply, and outputs a pulse-like scan voltage to each scan electrode in a predetermined order. The second voltage is supplied from the second power supply and the data voltage is output to the capacitive display element below each scan electrode in synchronization with the scan of the scan electrode.

【0010】その結果、走査電極とデータ電極とに挟ま
れた各容量性表示素子には、これら走査電圧とデータ電
圧との合成電圧であるパルス状の電圧(パルス電圧)が
繰り返し印加される。この場合、第1の電源と走査電極
駆動回路との間にリアクトルが挿入されているので、当
該パルス電圧に基づき容量性表示素子に流れる電流の高
調波成分が低減する。容量性表示素子には等価的に直列
抵抗成分が存在し、電流の高調波成分が低減することで
その分の損失が減少する。その結果、表示パネルの発熱
を抑えることができる。
As a result, a pulse-like voltage (pulse voltage) which is a composite voltage of the scanning voltage and the data voltage is repeatedly applied to each capacitive display element sandwiched between the scanning electrode and the data electrode. In this case, since the reactor is inserted between the first power supply and the scan electrode drive circuit, the harmonic component of the current flowing through the capacitive display element based on the pulse voltage is reduced. A series resistance component is equivalently present in the capacitive display element, and the harmonic component of the current is reduced, thereby reducing the loss. As a result, heat generation of the display panel can be suppressed.

【0011】また、本手段によれば、走査電極駆動回路
と各走査電極との間にそれぞれ抵抗を挿入して容量性表
示素子に流れる電流の高調波成分を低減する従来の手段
に比べ、走査電圧の立上り時間が短くなり、前記パルス
電圧のパルス幅の減少が小さい。従って、走査周波数を
比較的高く設定しても所望する輝度を得やすくなり、フ
リッカの発生を防止できる。
Further, according to this means, the scanning is performed in comparison with the conventional means for reducing the harmonic component of the current flowing through the capacitive display element by inserting a resistor between the scanning electrode driving circuit and each scanning electrode. The rise time of the voltage is shortened, and the decrease in the pulse width of the pulse voltage is small. Therefore, even if the scanning frequency is set relatively high, it is easy to obtain the desired luminance, and the occurrence of flicker can be prevented.

【0012】請求項2に記載した手段によれば、第1の
電源と走査電極駆動回路との間にリアクトルと抵抗とが
直列に挿入されているので、リアクトルの走査電極駆動
回路側端子に現れる電圧のオーバーシュートが抑制さ
れ、走査電極駆動回路に必要とされる耐圧を下げること
ができる。
According to the second aspect of the present invention, since the reactor and the resistor are inserted in series between the first power supply and the scan electrode drive circuit, the reactor appears at the scan electrode drive circuit side terminal of the reactor. Voltage overshoot is suppressed, and the withstand voltage required for the scan electrode driving circuit can be reduced.

【0013】請求項3に記載した手段によれば、走査電
極駆動回路と複数の走査電極との間にそれぞれ抵抗が挿
入されているので、請求項2に記載した手段と同様にオ
ーバーシュートが抑制され、走査電極駆動回路に必要と
される耐圧を下げることができる。
According to the third aspect of the present invention, since the resistors are inserted between the scan electrode driving circuit and the plurality of scan electrodes, the overshoot is suppressed as in the second aspect. Thus, the withstand voltage required for the scan electrode driving circuit can be reduced.

【0014】請求項4に記載した手段によれば、第1の
電源と走査電極駆動回路との間に加え、第2の電源とデ
ータ電極駆動回路との間にもリアクトルを挿入したの
で、容量性表示素子に流れる電流の高調波成分が一層低
減する。これにより、容量性表示素子の損失が減少し表
示パネルの発熱が一層抑えられる。
According to the fourth aspect of the present invention, the reactor is inserted between the second power supply and the data electrode driving circuit in addition to the connection between the first power supply and the scanning electrode driving circuit. Harmonic components of the current flowing through the non-volatile display element are further reduced. Thereby, the loss of the capacitive display element is reduced, and the heat generation of the display panel is further suppressed.

【0015】請求項5に記載した手段によれば、第2の
電源と前記データ電極駆動回路との間にリアクトルが挿
入されているので、請求項1に記載した手段と同様の作
用によって表示パネルの発熱を抑えることができる。ま
た、データ電圧の立上り時間が比較的短くなるので、走
査周波数を高く設定することができ、フリッカの発生を
防止できる。
According to the fifth aspect of the present invention, since the reactor is inserted between the second power supply and the data electrode driving circuit, the display panel has the same operation as the first aspect. Heat generation can be suppressed. Further, since the rise time of the data voltage is relatively short, the scanning frequency can be set high, and the occurrence of flicker can be prevented.

【0016】請求項6に記載した手段によれば、第2の
電源とデータ電極駆動回路との間にリアクトルと抵抗と
が直列に挿入されているので、リアクトルのデータ電極
駆動回路側端子に現れる電圧のオーバーシュートが抑制
され、データ電極駆動回路に必要とされる耐圧を下げる
ことができる。
According to the sixth aspect of the present invention, since the reactor and the resistor are inserted in series between the second power supply and the data electrode driving circuit, they appear at the data electrode driving circuit side terminal of the reactor. Voltage overshoot is suppressed, and the withstand voltage required for the data electrode drive circuit can be reduced.

【0017】請求項7に記載した手段によれば、データ
電極駆動回路と複数のデータ電極との間にそれぞれ抵抗
が挿入されているので、請求項6に記載した手段と同様
にオーバーシュートが抑制され、データ電極駆動回路に
必要とされる耐圧を下げることができる。
According to the seventh aspect of the present invention, since the resistors are inserted between the data electrode driving circuit and the plurality of data electrodes, the overshoot is suppressed in the same manner as the sixth aspect. Thus, the withstand voltage required for the data electrode driving circuit can be reduced.

【0018】請求項8に記載した手段によれば、走査電
極駆動回路と複数の走査電極との間またはデータ電極駆
動回路と複数のデータ電極との間に挿入される抵抗は、
表示パネル内に成膜により形成されているので、任意の
抵抗値を有する抵抗の形成が容易となる。
According to the means described in claim 8, the resistance inserted between the scan electrode drive circuit and the plurality of scan electrodes or between the data electrode drive circuit and the plurality of data electrodes is:
Since it is formed by film formation in the display panel, it is easy to form a resistor having an arbitrary resistance value.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】(第1の実施形態)以下、本発明
をEL表示パネルの駆動に適用した第1の実施形態につ
いて図1ないし図7を参照しながら説明する。図4には
EL素子(本発明でいう容量性表示素子に相当)の模式
的な断面構造が示されている。画素としてのEL素子1
00は、ガラス基板101の上に透明電極102を設
け、その上に順に第1絶縁層103、発光層104、お
よび第2絶縁層105の各薄膜を形成し、さらにその上
に背面電極106を設けることにより形成されている。
背面電極106の上面には、例えば耐熱温度120℃の
アクリル系接着剤により保護ガラス(図示せず)が接着
されている。
(First Embodiment) A first embodiment in which the present invention is applied to driving of an EL display panel will be described below with reference to FIGS. FIG. 4 shows a schematic cross-sectional structure of an EL element (corresponding to a capacitive display element according to the present invention). EL element 1 as a pixel
00, a transparent electrode 102 is provided on a glass substrate 101, and a thin film of a first insulating layer 103, a light emitting layer 104, and a second insulating layer 105 is sequentially formed thereon, and a back electrode 106 is further formed thereon. It is formed by providing.
A protective glass (not shown) is adhered to the upper surface of the back electrode 106 by, for example, an acrylic adhesive having a heat resistance temperature of 120 ° C.

【0020】このEL素子100は、透明電極102と
背面電極106との間に発光しきい値電圧以上のパルス
状の駆動電圧を印加することにより発光し、その光はガ
ラス基板101を通して取り出されるようになってい
る。この場合、発光を安定させる目的から、後述するよ
うに駆動電圧の極性を所定タイミング毎に反転する交流
電圧駆動を行う。また、背面電極106を透明電極とす
れば、発光した光を背面電極106側からも取り出すこ
とが可能となる。
The EL element 100 emits light by applying a pulsed driving voltage higher than the light emission threshold voltage between the transparent electrode 102 and the back electrode 106, and the light is extracted through the glass substrate 101. It has become. In this case, for the purpose of stabilizing the light emission, as described later, an AC voltage drive in which the polarity of the drive voltage is inverted at predetermined timings is performed. If the back electrode 106 is a transparent electrode, emitted light can be extracted from the back electrode 106 side.

【0021】上記構造を有するEL素子100は、電気
的には図5に示す等価回路により表すことができる。す
なわち、第1絶縁層103、第2絶縁層105は、それ
ぞれ抵抗103aとコンデンサ103bとの直列回路、
抵抗105aとコンデンサ105bとの並列回路として
表すことができる。また、発光層104は、抵抗104
aとコンデンサ104bとの直列回路に対し、互いに逆
方向のツェナーダイオード104c、104dと抵抗1
04eとの直列回路が並列に接続された回路として表す
ことができる。
The EL element 100 having the above structure can be electrically represented by an equivalent circuit shown in FIG. That is, the first insulating layer 103 and the second insulating layer 105 are respectively a series circuit of the resistor 103a and the capacitor 103b,
It can be represented as a parallel circuit of a resistor 105a and a capacitor 105b. The light-emitting layer 104 includes a resistor 104
a and a capacitor 104b, a zener diode 104c, 104d and a resistor 1
04e can be represented as a circuit connected in parallel.

【0022】ここで、抵抗103a、104a、105
aは、誘電体ヒステリシス損などによる損失を等価的に
示すもので、以下において等価直列抵抗と称す。また、
ツェナーダイオード104c、104dは、EL素子1
00のクランプ電圧を等価的に示すものである。このよ
うに、EL素子100は、ほぼ容量性を示すものの等価
直列抵抗などの損失分が存在するために誘電損失が発生
し、誘電正接(tanδ)が0とはならない。
Here, the resistors 103a, 104a, 105
“a” equivalently indicates a loss due to a dielectric hysteresis loss or the like, and is hereinafter referred to as an equivalent series resistance. Also,
The Zener diodes 104c and 104d are connected to the EL element 1
00 is equivalently shown. As described above, although the EL element 100 is almost capacitive, a loss such as an equivalent series resistance is present, so that a dielectric loss occurs, and the dielectric loss tangent (tan δ) does not become zero.

【0023】図3にはEL表示パネルおよびその駆動回
路の具体的な電気的構成が示されている。EL表示パネ
ル1は、図4に示す透明電極102および背面電極10
6を行列状に複数配置し、それぞれ走査電極およびデー
タ電極としてマトリクス表示を行うように構成されてい
る。すなわち、奇数行に走査電極201、202、…が
形成され、偶数行に走査電極301、302、…が形成
され、列方向にデータ電極401、402、…が形成さ
れている。
FIG. 3 shows a specific electrical configuration of the EL display panel and its driving circuit. The EL display panel 1 includes a transparent electrode 102 and a back electrode 10 shown in FIG.
6 are arranged in a matrix and are configured to perform matrix display as scanning electrodes and data electrodes, respectively. Are formed in odd-numbered rows, scan electrodes 301, 302,... Are formed in even-numbered rows, and data electrodes 401, 402,.

【0024】これら走査電極201、301、202、
302、…とデータ電極401、402、403、…と
の各交差領域には、図4に示した構造を有する画素とし
てのEL素子111、112、…、121、122、…
がマトリクス状に形成されている。図3において、EL
素子111、112、…はコンデンサの記号を用いて表
されている。
These scanning electrodes 201, 301, 202,
The EL elements 111, 112,..., 121, 122,... As pixels having the structure shown in FIG.
Are formed in a matrix. In FIG. 3, EL
The elements 111, 112,... Are represented using the symbol of a capacitor.

【0025】このEL表示パネル1は、走査側ドライバ
IC2、3(本発明でいう走査電極駆動回路に相当)と
データ側ドライバIC4(本発明でいうデータ電極駆動
回路に相当)とにより駆動されるようになっている。走
査側ドライバIC2および3は、走査側電圧供給回路6
から電圧供給線L1、L2を介して走査電極の駆動に必
要な電圧の供給を受け、それぞれ走査電極201、20
2、…、および走査電極301、302、…にパルス状
の走査電圧を出力する回路である。
The EL display panel 1 is driven by scanning driver ICs 2 and 3 (corresponding to a scanning electrode driving circuit according to the present invention) and data driver IC 4 (corresponding to a data electrode driving circuit according to the present invention). It has become. The scanning side driver ICs 2 and 3 include a scanning side voltage supply circuit 6
Supply of voltages necessary for driving the scan electrodes via the voltage supply lines L1 and L2 from the scan electrodes 201 and 20 respectively.
, And a circuit for outputting a pulsed scanning voltage to the scanning electrodes 301, 302,.

【0026】走査側ドライバIC2はプッシュプルタイ
プの駆動回路であり、電圧供給線L1に接続されたPチ
ャネル型のMOSFET21a、22a、…と電圧供給
線L2に接続されたNチャネル型のMOSFET21
b、22b、…とが、それぞれ走査電極201、20
2、…に対してプッシュプル回路を構成している。これ
らMOSFET21a、21b、22a、22b、…に
はそれぞれ寄生ダイオード21c、21d、22c、2
2d、…が逆並列に接続されている。
The scanning driver IC2 is a push-pull type driving circuit, and includes P-channel MOSFETs 21a, 22a,... Connected to the voltage supply line L1, and N-channel MOSFETs 21 connected to the voltage supply line L2.
, 22b,... correspond to the scanning electrodes 201, 20 respectively.
2,... Constitute a push-pull circuit. These MOSFETs 21a, 21b, 22a, 22b,... Have parasitic diodes 21c, 21d, 22c,
Are connected in antiparallel.

【0027】この走査側ドライバIC2は、MOSFE
T21a、21b、22a、22b、…の各ゲートを駆
動するためのゲート駆動回路20を備えている。ゲート
駆動回路20は、制御回路からアイソレーション回路
(何れも図示せず)を介して制御信号を入力し、それに
基づいてMOSFET21a、21b、22a、22
b、…のゲートに対し所定レベルのゲート電圧を出力す
るようになっている。
The scanning driver IC2 is a MOSFE
A gate drive circuit 20 for driving each gate of T21a, 21b, 22a, 22b,... Is provided. The gate drive circuit 20 receives a control signal from the control circuit via an isolation circuit (none is shown), and based on the control signal, the MOSFETs 21a, 21b, 22a, 22
A gate voltage of a predetermined level is output to the gates b,.

【0028】走査側ドライバIC3も、走査側ドライバ
IC2と同様な構成を有している。すなわち、MOSF
ET31a、32a、…とMOSFET31b、32b
とが、それぞれ走査電極301、302、…に対してプ
ッシュプル回路を構成するとともに、MOSFET31
a、31b、32a、32b、…には、それぞれ寄生ダ
イオード31c、31d、32c、32d、…が逆並列
に接続されている。また、走査側ドライバIC3は、M
OSFET31a、31b、32a、32b、…の各ゲ
ートを駆動するためのゲート駆動回路30を備えてい
る。
The scanning driver IC3 has the same configuration as the scanning driver IC2. That is, MOSF
ET31a, 32a, ... and MOSFET31b, 32b
Form a push-pull circuit for the scan electrodes 301, 302,.
are connected in anti-parallel to parasitic diodes 31c, 31d, 32c, 32d, respectively. The scanning driver IC3 is M
A gate drive circuit 30 for driving the gates of the OSFETs 31a, 31b, 32a, 32b,.

【0029】一方、データ側ドライバIC4は、図1に
示すスイッチング電源5から電圧供給線L3、L4を介
してデータ電極の駆動に必要な電圧(Vm)の供給を受
け、データ電極401、402、…にパルス状のデータ
電圧を出力する回路である。このデータ側ドライバIC
4は、上記した走査側ドライバIC2、3と同様の構成
を備えている。すなわち、電圧供給線L3に接続された
Pチャネル型のMOSFET41a、42a、…と電圧
供給線L4に接続されたNチャネル型のMOSFET4
1b、42b、…とが、それぞれ走査電極401、40
2、…に対してプッシュプル回路を構成している。これ
らMOSFET41a、41b、42a、42b、…に
は寄生ダイオードが逆並列に接続されている。また、デ
ータ側ドライバIC4は、MOSFET41a、41
b,42a、42b、…の各ゲートを駆動するためのゲ
ート駆動回路40を備えている。
On the other hand, the data side driver IC 4 receives the supply of the voltage (Vm) necessary for driving the data electrodes from the switching power supply 5 shown in FIG. 1 via the voltage supply lines L3 and L4. .. Are circuits for outputting pulsed data voltages. This data side driver IC
Reference numeral 4 has the same configuration as the above-described scanning driver ICs 2 and 3. That is, P-channel MOSFETs 41a, 42a,... Connected to the voltage supply line L3 and N-channel MOSFETs 4 connected to the voltage supply line L4.
1b, 42b,... Correspond to the scanning electrodes 401, 40, respectively.
2,... Constitute a push-pull circuit. Parasitic diodes are connected in anti-parallel to these MOSFETs 41a, 41b, 42a, 42b,. The data-side driver IC 4 includes MOSFETs 41a, 41
, 42a, 42b,... are provided with a gate drive circuit 40.

【0030】図1は、EL表示パネル1の駆動装置(以
下、EL表示装置と称す)の概略的な電気的構成を示し
ている。この図1において、EL表示装置7(本発明で
いう容量性表示パネル駆動装置に相当)は、上述したE
L表示パネル1、走査側ドライバIC2、3、データ側
ドライバIC4の他、スイッチング電源5、走査側電圧
供給回路6、および図示しない制御回路から構成されて
いる。
FIG. 1 shows a schematic electrical configuration of a driving device of the EL display panel 1 (hereinafter, referred to as an EL display device). In FIG. 1, an EL display device 7 (corresponding to a capacitive display panel driving device according to the present invention) has the above-mentioned E display device.
In addition to the L display panel 1, the scanning driver ICs 2, 3, and the data driver IC 4, the switching power supply 5, the scanning voltage supply circuit 6, and a control circuit (not shown) are provided.

【0031】第1および第2の電源としてのスイッチン
グ電源5は、第1の電圧に相当する直流電圧(Vr−V
m)、第2の電圧に相当する直流電圧Vm、および走査
側ドライバIC2、3のゲート駆動回路20、30を動
作させるための駆動制御電圧Vcを生成するようになっ
ている。直流電圧(Vr−Vm)、直流電圧Vm、およ
び駆動制御電圧Vcは、一例としてそれぞれ210V、
45V、および5Vに選定されている。なお、電圧Vr
(=255V)はEL素子100を発光させるときの書
き込み電圧であり、電圧(Vr−Vm)と電圧Vrとの
間にEL素子100の発光しきい値電圧が存在する。
The switching power supply 5 as the first and second power supplies receives a DC voltage (Vr-V) corresponding to the first voltage.
m), a DC voltage Vm corresponding to the second voltage, and a drive control voltage Vc for operating the gate drive circuits 20 and 30 of the scan driver ICs 2 and 3 are generated. The DC voltage (Vr-Vm), the DC voltage Vm, and the drive control voltage Vc are, for example, 210 V,
45V and 5V are selected. The voltage Vr
(= 255 V) is a writing voltage when the EL element 100 emits light, and the light emission threshold voltage of the EL element 100 exists between the voltage (Vr−Vm) and the voltage Vr.

【0032】このスイッチング電源5は、フライバック
方式の回路構成をなしている。すなわち、バッテリ8の
正側端子に接続された端子F1と接地端子との間には高
周波トランス51の一次コイル51pとNチャネル型の
MOSFET52とが直列に接続されている。制御用I
C53は、このMOSFET52のスイッチングを制御
するICで、その電源端子Vcc は端子F1に接続され、
その出力信号端子Eoは抵抗54aを介してMOSFET
52のゲートに接続されている。また、MOSFET5
2のゲートは抵抗54bを介して接地端子に接続されて
いる。
The switching power supply 5 has a flyback type circuit configuration. That is, the primary coil 51p of the high-frequency transformer 51 and the N-channel MOSFET 52 are connected in series between the terminal F1 connected to the positive terminal of the battery 8 and the ground terminal. Control I
C53 is an IC for controlling the switching of the MOSFET 52, and its power supply terminal Vcc is connected to the terminal F1.
The output signal terminal Eo is connected to the MOSFET via the resistor 54a.
52 are connected to the gate. MOSFET5
The second gate is connected to the ground terminal via the resistor 54b.

【0033】一方、高周波トランス51は3つの二次コ
イル51a、51b、51cを備えている。このうち二
次コイル51aにはダイオード55aとコンデンサ56
aとからなる整流平滑回路が接続され、端子F2(正
側)とF3(負側)との間に直流電圧Vmが出力される
ようになっている。これら端子F2、F3には、それぞ
れ電圧供給線L3、L4が接続されており、さらに後述
する走査側電圧供給回路6の端子T3、T4が接続され
ている。
On the other hand, the high-frequency transformer 51 has three secondary coils 51a, 51b, 51c. The secondary coil 51a includes a diode 55a and a capacitor 56.
The rectifying / smoothing circuit composed of a is connected to output a DC voltage Vm between the terminals F2 (positive side) and F3 (negative side). These terminals F2 and F3 are connected to voltage supply lines L3 and L4, respectively, and further connected to terminals T3 and T4 of a scanning side voltage supply circuit 6 described later.

【0034】端子F3は接地されており、端子F2と接
地端子との間に分圧用の抵抗57aと57bとが直列に
接続されるとともに、その分圧点が制御用IC53のフ
ィードバック端子FBに接続されている。制御用IC53
は、予め設定されている指令電圧とこのフィードバック
端子FBに入力される電圧とが等しくなるようにMOSF
ET52へのゲート出力信号のデューティ比をPWM制
御するようになっている。
The terminal F3 is grounded. Voltage dividing resistors 57a and 57b are connected in series between the terminal F2 and the ground terminal, and the voltage dividing point is connected to the feedback terminal FB of the control IC 53. Have been. Control IC 53
Is set so that the preset command voltage is equal to the voltage input to the feedback terminal FB.
The duty ratio of the gate output signal to the ET 52 is PWM controlled.

【0035】二次コイル51bにはダイオード55bと
コンデンサ56bとからなる整流平滑回路が接続され、
端子F4(正側)とF5(負側)との間に駆動制御電圧
Vcが出力されるようになっている。
A rectifying / smoothing circuit including a diode 55b and a capacitor 56b is connected to the secondary coil 51b.
The drive control voltage Vc is output between the terminals F4 (positive side) and F5 (negative side).

【0036】また、二次コイル51cにはダイオード5
5cとコンデンサ56cとからなる整流平滑回路が接続
され、端子F6(正側)とF7(負側)との間に直流電
圧(Vr−Vm)が出力されるようになっている。端子
F6はリアクトル9および抵抗10を直列に介して後述
する走査側電圧供給回路6の端子T1に接続され、端子
F7は走査側電圧供給回路6の端子T2に接続されてい
る。
The secondary coil 51c has a diode 5
A rectifying / smoothing circuit including the capacitor 5c and the capacitor 56c is connected, and a DC voltage (Vr-Vm) is output between the terminals F6 (positive side) and F7 (negative side). The terminal F6 is connected to a terminal T1 of a later-described scanning-side voltage supply circuit 6 via a reactor 9 and a resistor 10 in series, and the terminal F7 is connected to a terminal T2 of the scanning-side voltage supply circuit 6.

【0037】図2は、その走査側電圧供給回路6の電気
的構成を示している。直流電圧(Vr−Vm)が与えら
れる端子T1、T2は、それぞれ端子T5、T6に接続
されている。これら端子T5、T6には、それぞれ電圧
供給線L1、L2が接続されている。端子T1と接地端
子との間には、寄生ダイオード61bを有するNチャネ
ル型のMOSFET61aが接続されており、そのゲー
トはリアクトル62aを介して端子S1に接続されてい
る。また、MOSFET61aのゲート・ソース間には
コンデンサ62bが接続されており、これらリアクトル
62aとコンデンサ62bはフィルタ回路62を構成し
ている。
FIG. 2 shows the electrical configuration of the scanning-side voltage supply circuit 6. Terminals T1 and T2 to which a DC voltage (Vr-Vm) is applied are connected to terminals T5 and T6, respectively. Voltage supply lines L1 and L2 are connected to these terminals T5 and T6, respectively. An N-channel MOSFET 61a having a parasitic diode 61b is connected between the terminal T1 and the ground terminal, and its gate is connected to the terminal S1 via a reactor 62a. A capacitor 62b is connected between the gate and the source of the MOSFET 61a, and the reactor 62a and the capacitor 62b constitute a filter circuit 62.

【0038】端子T3とT2との間には、寄生ダイオー
ド63bを有するPチャネル型のMOSFET63aが
接続されており、そのゲート・ソース間にはフィルタ回
路62と同様にリアクトル64aとコンデンサ64bと
からなるフィルタ回路64が接続されている。MOSF
ET63aのソースとリアクトル64aの反ゲート側端
子との間には抵抗65と図示極性のツェナーダイオード
66とが並列に接続されており、リアクトル64aの反
ゲート側端子と端子S2との間にはコンデンサ67が接
続されている。
A P-channel MOSFET 63a having a parasitic diode 63b is connected between the terminals T3 and T2, and includes a reactor 64a and a capacitor 64b between the gate and the source, similarly to the filter circuit 62. The filter circuit 64 is connected. MOSF
A resistor 65 and a Zener diode 66 of the illustrated polarity are connected in parallel between the source of the ET 63a and the opposite gate side terminal of the reactor 64a, and a capacitor is provided between the opposite gate side terminal of the reactor 64a and the terminal S2. 67 are connected.

【0039】なお、図3の走査側電圧供給回路6に示す
スイッチ6a、6bは、MOSFET61a、63aの
オンオフ動作を等価的に表したもので、後述の説明から
明らかになるように、正フィールド駆動時にはスイッチ
6aが上側(Vr)、スイッチ6bが下側(Vm)に切
り替えられた状態となり、負フィールド駆動時にはスイ
ッチ6aが下側(接地電圧)、スイッチ6bが上側(−
Vr+Vm)に切り替えられた状態となる。
The switches 6a and 6b shown in the scanning-side voltage supply circuit 6 in FIG. 3 equivalently represent the on / off operation of the MOSFETs 61a and 63a. Sometimes, the switch 6a is switched to the upper side (Vr) and the switch 6b is switched to the lower side (Vm). During the negative field driving, the switch 6a is switched to the lower side (ground voltage), and the switch 6b is switched to the upper side (-Vm).
(Vr + Vm).

【0040】次に、本実施形態の作用について説明す
る。まず、図6に示すタイミングチャートを用いて、E
L表示装置7の駆動方法について説明する。EL素子1
11、112、…を安定して発光させるためには、走査
電極201、301、202、302、…とデータ電極
401、402、…との間に交流電圧を印加する必要が
ある。そこで、EL表示装置7は、EL表示パネル1の
全走査電極についての走査期間(1フィールド)毎に、
走査側電圧供給回路6のMOSFET61a、63aを
切り替えて、EL素子111、112、…に正極性の駆
動電圧を印加する正フィールド駆動と負極性の駆動電圧
を印加する負フィールド駆動とを交互に繰り返し行って
いる(フィールド反転駆動)。以下、正フィールド駆動
と負フィールド駆動とを分けて説明する。
Next, the operation of the present embodiment will be described. First, using the timing chart shown in FIG.
A driving method of the L display device 7 will be described. EL element 1
In order to stably emit light from the electrodes 11, 112,..., It is necessary to apply an AC voltage between the scan electrodes 201, 301, 202, 302,. Therefore, the EL display device 7 performs the following for each scanning period (one field) for all the scanning electrodes of the EL display panel 1.
By switching the MOSFETs 61a and 63a of the scanning-side voltage supply circuit 6, positive field driving for applying a positive driving voltage to the EL elements 111, 112,... And negative field driving for applying a negative driving voltage are alternately repeated. (Field inversion drive). Hereinafter, the positive field drive and the negative field drive will be described separately.

【0041】(正フィールド駆動)図2に示す端子S
1、S2に共にロウレベル(接地電圧)の信号が与えら
れると、MOSFET61aがオフ、MOSFET63
aがオンとなる。これにより、電圧供給線L1、L2の
電圧はそれぞれVr、Vmとなる。制御回路(図示せ
ず)は、データ側ドライバIC4におけるPチャネル側
のMOSFET41a、42a、…をオンにする。
(Positive Field Driving) Terminal S shown in FIG.
When a low level (ground voltage) signal is applied to both S1 and S2, the MOSFET 61a is turned off and the MOSFET 63
a turns on. As a result, the voltages of the voltage supply lines L1 and L2 become Vr and Vm, respectively. The control circuit (not shown) turns on the P-channel MOSFETs 41a, 42a,... In the data driver IC4.

【0042】その結果、走査電極201、301、…は
寄生ダイオード21d、31d、…の作用によってオフ
セット電圧Vmとなり、データ電極401、402、…
もMOSFET41a、42a、…を通して電圧Vmと
なる。従って、この状態では全てのEL素子111、1
12、…の駆動電圧は0Vとなり発光しない。
As a result, the scanning electrodes 201, 301,... Become offset voltage Vm by the action of the parasitic diodes 21d, 31d,.
Also attains the voltage Vm through the MOSFETs 41a, 42a,. Therefore, in this state, all the EL elements 111, 1
The drive voltage of 12,... Becomes 0 V and no light is emitted.

【0043】その後、制御回路は、走査側ドライバIC
2のMOSFET21aをオンにし、第1行目の走査電
極201の電圧を電圧Vrにする(時刻t1)。この
時、他の走査電極301、202、…は、MOSFET
31a、31b、22a、22b、…が全てオフ状態に
保持されていることによりフローティング状態とされて
いる。
Thereafter, the control circuit operates as a scanning driver IC.
The second MOSFET 21a is turned on, and the voltage of the scan electrode 201 in the first row is set to the voltage Vr (time t1). At this time, the other scan electrodes 301, 202,.
.. Are floating because all 31a, 31b, 22a, 22b,.

【0044】一方、データ側ドライバIC4において
は、表示データに基づいて、走査電極201上のEL素
子111、112、…のうち発光させるEL素子(例え
ばEL素子111)のデータ電極に接続されたPチャネ
ル側のMOSFET(MOSFET41a)をオフと
し、Nチャネル側のMOSFET(MOSFET41
b)をオンとする(時刻t1)。また、発光させないE
L素子のデータ電極に接続されたPチャネル側のMOS
FETはオン状態のまま保持し、Nチャネル側のMOS
FETはオフ状態のまま保持する。
On the other hand, in the data-side driver IC 4, based on the display data, of the EL elements 111, 112,... The MOSFET on the channel side (MOSFET 41a) is turned off, and the MOSFET on the N channel side (MOSFET 41a) is turned off.
b) is turned on (time t1). In addition, E which does not emit light
P-channel MOS connected to data electrode of L element
The FET is kept on, and the N-channel MOS
The FET is kept off.

【0045】その結果、発光させるEL素子は、そのデ
ータ電極の電圧が接地電圧となり、電極間に発光しきい
値電圧より高い電圧Vrが印加されて発光する。また、
発光させないEL素子は、そのデータ電極の電圧がオフ
セット電圧Vmとなり、電極間に発光しきい値電圧より
も低い電圧(Vr−Vm)が印加されるので発光しな
い。
As a result, the EL element that emits light emits light when the voltage of its data electrode becomes the ground voltage and a voltage Vr higher than the light emission threshold voltage is applied between the electrodes. Also,
An EL element that does not emit light does not emit light because the voltage of its data electrode becomes the offset voltage Vm and a voltage (Vr-Vm) lower than the emission threshold voltage is applied between the electrodes.

【0046】その後、制御回路は、MOSFET21a
をオフして走査電極201を一旦フローティング状態と
した後、時刻t2においてMOSFET21bをオンす
ることにより、EL素子111、112、…の電極間に
蓄積された電荷を放電させ、走査電極201上の全EL
素子111、112、…を非発光とする。
Thereafter, the control circuit sets the MOSFET 21a
Are turned off, and the scan electrode 201 is once set in a floating state, and at time t2, the MOSFET 21b is turned on to discharge electric charges accumulated between the electrodes of the EL elements 111, 112,. EL
The elements 111, 112, ... do not emit light.

【0047】続いて、制御回路は、時刻t3から第2行
目の走査電極301の走査を開始する。図6には、EL
素子121を非発光とする場合が示されている。すなわ
ち、EL素子121のデータ電極401に接続されたM
OSFET41aをオン状態のまま保持し、MOSFE
T41bをオフ状態のまま保持する。この場合、EL素
子121の走査電極301の電圧がVrとなり、データ
電極401の電圧がオフセット電圧Vmとなる。その結
果、EL素子121の電極間には発光しきい値電圧より
も低い電圧(Vr−Vm)が印加されるので、EL素子
121は非発光となる。以降、同様にして最後の走査電
極に至るまで上記動作を繰り返すことにより、線順次走
査が行われる。
Subsequently, the control circuit starts scanning the scan electrodes 301 in the second row from time t3. FIG.
The case where the element 121 does not emit light is shown. That is, the M connected to the data electrode 401 of the EL element 121
The OSFET 41a is kept in the ON state, and the MOSFE
T41b is kept off. In this case, the voltage of the scanning electrode 301 of the EL element 121 becomes Vr, and the voltage of the data electrode 401 becomes the offset voltage Vm. As a result, a voltage (Vr-Vm) lower than the light emission threshold voltage is applied between the electrodes of the EL element 121, so that the EL element 121 does not emit light. Thereafter, line-sequential scanning is performed by repeating the above operation until the last scanning electrode is reached.

【0048】(負フィールド駆動)図2に示す端子S
1、S2に共にハイレベル(5V)の信号が与えられる
と、MOSFET61aがオン、MOSFET63aが
オフとなる。これにより、電圧供給線L1、L2はそれ
ぞれ接地電圧、−Vr+Vmとなる。制御回路(図示せ
ず)は、データ側ドライバIC4におけるNチャネル側
のMOSFET41b、42b、…をオンにする。その
結果、走査電極201、301、…およびデータ電極4
01、402、…はともに接地電圧となる。従って、こ
の状態では全てのEL素子111、112、…の駆動電
圧が0Vとなり発光しない。
(Negative field drive) Terminal S shown in FIG.
When a high-level (5 V) signal is applied to both S1 and S2, the MOSFET 61a is turned on and the MOSFET 63a is turned off. As a result, the voltage supply lines L1 and L2 become the ground voltage and -Vr + Vm, respectively. The control circuit (not shown) turns on the N-channel MOSFETs 41b, 42b,... In the data driver IC4. As a result, the scanning electrodes 201, 301,.
Are all ground voltages. Therefore, in this state, the driving voltages of all the EL elements 111, 112,.

【0049】その後、制御回路は、正フィールド駆動と
同様の走査方法により線順次走査を行う。この場合、制
御回路は、順次選択した行の走査電極に接続されたNチ
ャネル側のMOSFETをオンとし、その走査電極に
(−Vr+Vm)の電圧を印加する。一方、制御回路
は、発光させるEL素子のデータ電極に接続されたPチ
ャネル側およびNチャネル側のMOSFETをそれぞれ
オンおよびオフとし、そのデータ電極の電圧をオフセッ
ト電圧Vmにする。また、制御回路は、発光させないE
L素子のデータ電極に接続されたPチャネル側およびN
チャネル側のMOSFETをそれぞれオフおよびオンの
まま保持し、そのデータ電極の電圧を接地電圧に保つ。
Thereafter, the control circuit performs line-sequential scanning by the same scanning method as in the normal field driving. In this case, the control circuit turns on the N-channel MOSFET connected to the scan electrodes of the sequentially selected row, and applies a voltage of (−Vr + Vm) to the scan electrodes. On the other hand, the control circuit turns on and off the P-channel and N-channel MOSFETs connected to the data electrode of the EL element to emit light, respectively, and sets the voltage of the data electrode to the offset voltage Vm. Further, the control circuit does not emit light.
P channel side connected to the data electrode of the L element and N
The MOSFETs on the channel side are kept off and on, respectively, and the voltage of the data electrode is kept at the ground voltage.

【0050】その結果、発光させるEL素子(例えばE
L素子111)は、その電極間に絶対値が発光しきい値
電圧を越える電圧(−Vr)が印加されて発光する。ま
た、発光させないEL素子は、その電極間に絶対値が発
光しきい値電圧より低い電圧(−Vr+Vm)が印加さ
れるので発光しない。
As a result, an EL element (for example, E
The L element 111) emits light when a voltage (-Vr) whose absolute value exceeds the light emission threshold voltage is applied between its electrodes. An EL element that does not emit light does not emit light because a voltage (−Vr + Vm) whose absolute value is lower than the emission threshold voltage is applied between its electrodes.

【0051】以上説明した正フィールド駆動および負フ
ィールド駆動は、それぞれ例えば480Hzの周波数で
行われる。そして、正フィールド駆動および負フィール
ド駆動は交互に繰り返され、しかも正フィールド駆動と
負フィールド駆動とではEL素子111、112、…に
印加されるパルス状の電圧極性が逆になる。従って、E
L素子111、112、…に印加される駆動電圧には、
240Hzの基本波成分とその高調波成分とが含まれて
いる。
The positive field drive and the negative field drive described above are each performed at a frequency of, for example, 480 Hz. The positive field drive and the negative field drive are alternately repeated, and the polarity of the pulse voltage applied to the EL elements 111, 112,... Is reversed between the positive field drive and the negative field drive. Therefore, E
The driving voltages applied to the L elements 111, 112,.
A fundamental component of 240 Hz and its harmonic components are included.

【0052】さて、一般にEL素子100の等価直列抵
抗103a、104a、105a(図5参照)で発生す
る損失Pdは、これら等価直列抵抗103a、104
a、105aの合成値(以下、等価直列抵抗値と称す)
をRc、電流をIdとして次の(1)式で表すことがで
きる。 Pd=Id・Rc ・・・(1)
The loss Pd generally generated by the equivalent series resistances 103a, 104a, 105a (see FIG. 5) of the EL element 100 is equal to the equivalent series resistances 103a, 104
a, 105a (hereinafter referred to as equivalent series resistance value)
Is expressed as Rc and the current as Id. Pd = Id 2 · Rc (1)

【0053】また、EL素子100の静電容量(コンデ
ンサ103b、104b、105bの合成値)をC、誘
電正接をtanδ、角周波数をωとすると、次の(2)
式の関係式が成り立つ。 tanδ=ω・C・R ・・・(2)
If the capacitance (combined value of the capacitors 103b, 104b, 105b) of the EL element 100 is C, the dielectric loss tangent is tan δ, and the angular frequency is ω, the following (2)
The relational expression of the expression holds. tan δ = ω · C · R (2)

【0054】これら(1)式と(2)式とを用いると、
EL素子100で発生する損失Pdは(3)式のように
なる。 Pd=Id・tanδ/(ω・C) ・・・(3)
Using these equations (1) and (2),
The loss Pd generated in the EL element 100 is as shown in the equation (3). Pd = Id 2 · tan δ / (ω · C) (3)

【0055】この(3)式で用いられる電流Idは、ス
イッチング電源5からEL素子111、112、…に流
れる電流経路のインピーダンス(以下、回路インピーダ
ンスと称す)に応じて変化し、この回路インピーダンス
が大きいほど電流Idが減少して損失Pdが低減する。
しかしながら、基本波成分および低次の高調波成分に対
する回路インピーダンスを高めると、後述するように駆
動電圧の立上り時間が長くなりEL素子100の輝度が
低下する。このため、高次の高調波成分についての回路
インピーダンスのみを高める必要がある。
The current Id used in the equation (3) changes according to the impedance of the current path flowing from the switching power supply 5 to the EL elements 111, 112,... (Hereinafter referred to as circuit impedance). As the value is larger, the current Id decreases and the loss Pd decreases.
However, if the circuit impedance with respect to the fundamental component and the lower harmonic components is increased, the rise time of the drive voltage becomes longer as described later, and the luminance of the EL element 100 decreases. For this reason, it is necessary to increase only the circuit impedance for high-order harmonic components.

【0056】そこで、スイッチング電源5の端子F6と
走査側電圧供給回路6の端子T1との間にリアクトル9
が挿入された回路形態(本実施形態)の場合と、リアク
トル9が挿入されていない従来の回路形態の場合とにつ
いて、特に高次の高調波成分についての回路インピーダ
ンスZを計算し、両者における損失Pdの大きさを比較
する。
Therefore, the reactor 9 is connected between the terminal F6 of the switching power supply 5 and the terminal T1 of the scanning-side voltage supply circuit 6.
In the case of the circuit configuration in which is inserted (this embodiment), and in the case of the conventional circuit configuration in which the reactor 9 is not inserted, the circuit impedance Z is calculated, particularly for higher-order harmonic components, and the loss in both cases is calculated. Compare the magnitude of Pd.

【0057】なお、以下の計算においては、配線抵抗、
MOSFETのオン抵抗、EL表示パネル1の電極端子
部(図示せず)の抵抗、抵抗10など回路の直列合成抵
抗値をRとする。
In the following calculation, the wiring resistance,
Let R be the on-resistance of the MOSFET, the resistance of the electrode terminal portion (not shown) of the EL display panel 1, and the series combined resistance of the circuit such as the resistor 10.

【0058】(A)リアクトル9が挿入されている場
合:本実施形態の構成 Z=(R+(ωL−1/ωC)1/2 ここで、比較的高次の高調波成分については、ωL>>
1/ωCの関係が成立することから、回路インピーダン
スZは近似的に次の(4)式により求まる。 Z=(R+(ωL)1/2 ・・・(4)
(A) When the reactor 9 is inserted: Configuration of the present embodiment Z = (R 2 + (ωL−1 / ωC) 2 ) 1/2 Here, a relatively high-order harmonic component Is ωL >>
Since the relationship of 1 / ωC holds, the circuit impedance Z is approximately determined by the following equation (4). Z = (R 2 + (ωL) 2 ) 1/2 (4)

【0059】(B)リアクトル9が挿入されていない場
合:従来の構成 Z=(R+(1/ωC)1/2 ここで、比較的高次の高調波成分については、1/ωC
=0の関係が成立することから、回路インピーダンスZ
は近似的に次の(5)式により求まる。 Z=R ・・・(5)
(B) When no reactor 9 is inserted: Conventional configuration Z = (R 2 + (1 / ωC) 2 ) 1/2 Here, the relatively high-order harmonic component is 1 / ωC
= 0, the circuit impedance Z
Is approximately determined by the following equation (5). Z = R (5)

【0060】(4)式と(5)式とから分かるように、
リアクトル9を挿入することにより、高次の高調波成分
についてスイッチング電源5からEL素子111、11
2、…に流れる電流経路の回路インピーダンスを大きく
することができる。これに対し、リアクトル9を挿入し
ない場合には、高次の高調波成分に対する回路インピー
ダンスのみを選択的に増大させることができない。
As can be seen from equations (4) and (5),
By inserting the reactor 9, the switching power supply 5 supplies EL elements 111 and 11 for higher-order harmonic components.
The circuit impedance of the current path flowing through 2,... Can be increased. On the other hand, when the reactor 9 is not inserted, it is not possible to selectively increase only the circuit impedance with respect to higher-order harmonic components.

【0061】また、リアクトル9を挿入した場合には、
直列合成抵抗値Rが小さい場合あるいはほぼ0の場合で
あっても、比較的高次の高調波成分について大きなイン
ピーダンスを持たせることができる。従って、リアクト
ル9を挿入した場合、そのインダクタンスは比較的小さ
い値に設定できる。
When the reactor 9 is inserted,
Even when the series combined resistance value R is small or almost zero, a relatively high-order harmonic component can have a large impedance. Therefore, when the reactor 9 is inserted, its inductance can be set to a relatively small value.

【0062】さて、回路インピーダンスZにおいてリア
クトル9によるインピーダンスが支配的となる条件は次
の(6)式のようになる。 ωL>R ・・・(6)
The condition in which the impedance of the reactor 9 is dominant in the circuit impedance Z is as shown in the following equation (6). ωL> R (6)

【0063】そこで、本願発明者らは以下の仕様を有す
るEL表示パネル1を用いて試験を実施し、4μHのリ
アクトル9を用いた場合にEL表示パネル1の発熱抑制
効果が十分に現れることを見出した。なお、この場合の
直列合成抵抗値Rは820Ωであった。 走査電極数=64 データ電極数=100 1画素(EL素子)あたりの静電容量=15pF tanδ=0.18 走査電圧の基本周波数=240Hz(正、負フィールド
周波数=480Hz)
Therefore, the inventors of the present invention conducted tests using the EL display panel 1 having the following specifications, and confirmed that the effect of suppressing the heat generation of the EL display panel 1 was sufficiently exhibited when the reactor 9 of 4 μH was used. I found it. In this case, the series combined resistance value R was 820Ω. Number of scanning electrodes = 64 Number of data electrodes = 100 Capacitance per pixel (EL element) = 15 pF tan δ = 0.18 Basic frequency of scanning voltage = 240 Hz (positive and negative field frequencies = 480 Hz)

【0064】上記(6)式においてL=4μH、R=8
20Ωを用いて計算すると、以下の条件式を得る。 R/L<2.05×10 ・・・(7) この(7)式で得られるωは、RL直列回路におけるカ
ットオフ周波数に相当するもので、少なくとも(2.0
5×10)程度の角周波数よりも高い角周波数成分に
ついて低減すれば、EL表示パネル1の発熱抑制効果が
現れることを意味している。従って、直列合成抵抗値R
が変化した場合には、上記(7)式を満たすようにリア
クトル9のインダクタンスを決定すれば良い。
In the above equation (6), L = 4 μH, R = 8
When the calculation is performed using 20Ω, the following conditional expression is obtained. R / L <2.05 × 10 8 (7) ω obtained by the equation (7) is equivalent to the cutoff frequency in the RL series circuit, and is at least (2.0
This means that if the angular frequency component higher than the angular frequency of about 5 × 10 8 ) is reduced, the effect of suppressing the heat generation of the EL display panel 1 appears. Therefore, the series combined resistance value R
Is changed, the inductance of the reactor 9 may be determined so as to satisfy the above equation (7).

【0065】続いて、走査電圧の波形について図7を用
いて説明する。なお、EL素子100の駆動電圧は走査
電圧とデータ電圧との合成電圧となるため、その駆動電
圧波形は走査電圧の波形とほぼ等しくなる。
Next, the waveform of the scanning voltage will be described with reference to FIG. Since the driving voltage of the EL element 100 is a composite voltage of the scanning voltage and the data voltage, the driving voltage waveform is almost equal to the scanning voltage waveform.

【0066】図7(a)は、EL表示パネル1を全点灯
させた場合において、1フィールド中最後に走査される
走査電極の走査電圧の実測波形を示している。縦軸は5
0V/div、横軸は50μs/divで、時刻ta付
近で正フィールド駆動から負フィールド駆動へと切り替
わっている。当該最後に走査される走査電極は、時刻t
bにおいて走査されている。また、ほぼ30μs周期で
現れるパルス状の波形は、全点灯の状態で他の走査電極
が走査されることにより生じる電圧変動である。なお、
この試験で用いたEL表示パネル1は、約200Vの駆
動電圧で発光するものである。
FIG. 7A shows an actually measured waveform of the scan voltage of the scan electrode scanned last in one field when the EL display panel 1 is fully lit. The vertical axis is 5
At 0 V / div, the horizontal axis is 50 μs / div, and the mode is switched from the positive field drive to the negative field drive near time ta. The last scan electrode scanned at time t
b. The pulse-like waveform that appears at a cycle of approximately 30 μs is a voltage fluctuation caused by scanning other scanning electrodes in the fully lit state. In addition,
The EL display panel 1 used in this test emits light at a drive voltage of about 200V.

【0067】図7(b)に実線で示す波形は、図7
(a)の時刻tbにおける走査電圧の拡大波形である。
EL表示装置7は、容量性のEL素子111、112、
…に対しリアクトル9を用いて高次の高調波成分のみを
低減しているので、この実線の波形で示すように走査電
圧の立上り時間は比較的短くなる。
The waveform shown by the solid line in FIG.
7A is an enlarged waveform of a scanning voltage at time tb in FIG.
The EL display device 7 includes capacitive EL elements 111, 112,
Since only the higher-order harmonic components are reduced by using the reactor 9, the rise time of the scanning voltage is relatively short as shown by the waveform of the solid line.

【0068】この場合、容量性であるEL素子111、
112、…に対し誘導性であるリアクトル9を用いると
回路が振動的となって、リアクトル9の走査側電圧供給
回路6側の端子にはオーバーシュート電圧が発生する。
そこで、EL表示装置7では、リアクトル9と走査側電
圧供給回路6との間に抵抗10を挿入することで、この
オーバーシュート電圧を低減している。
In this case, the capacitive EL element 111,
If the reactor 9 that is inductive to 112,... Is used, the circuit becomes oscillating, and an overshoot voltage is generated at the terminal of the reactor 9 on the scanning side voltage supply circuit 6 side.
Therefore, in the EL display device 7, the overshoot voltage is reduced by inserting the resistor 10 between the reactor 9 and the scanning-side voltage supply circuit 6.

【0069】一方、図7(b)に破線で示す波形は、リ
アクトル9を用いず抵抗を挿入した従来構成における走
査電圧の波形を示している。抵抗は全周波数成分につい
て同じインピーダンスを有するため、高次の高周波成分
のみならず基本波成分や比較的低次の周波数成分をも低
減してしまい、走査電圧の立上り時間は比較的長くな
る。その結果、EL素子111、112、…の駆動電圧
の実効的なパルス幅が短くなり、輝度の低下をもたら
す。
On the other hand, the waveform shown by the broken line in FIG. 7B shows the waveform of the scanning voltage in the conventional configuration in which the resistor is inserted without using the reactor 9. Since the resistance has the same impedance for all frequency components, not only high-order high-frequency components but also fundamental wave components and relatively low-order frequency components are reduced, and the rise time of the scanning voltage is relatively long. As a result, the effective pulse width of the driving voltage of the EL elements 111, 112,... Becomes short, and the luminance is reduced.

【0070】以上述べたように、走査電極201、30
1、…とデータ電極401、402、…とがマトリクス
状に複数配置され各交差領域にEL素子111、11
2、…が形成された本実施形態のEL表示装置7は、走
査電極の駆動に必要な直流電圧(Vr−Vm)を出力す
るスイッチング電源5の出力端子F6と走査側電圧供給
回路6の端子T1との間にリアクトル9と抵抗10とが
直列に挿入されている点に特徴を有する。
As described above, the scanning electrodes 201 and 30
, And a plurality of data electrodes 401, 402,... Are arranged in a matrix, and EL elements 111, 11
The EL display device 7 of the present embodiment in which 2,... Are formed has an output terminal F6 of the switching power supply 5 for outputting a DC voltage (Vr−Vm) necessary for driving the scanning electrodes, and a terminal of the scanning-side voltage supply circuit 6. It is characterized in that a reactor 9 and a resistor 10 are inserted in series between T1.

【0071】リアクトル9は、線順次走査においてEL
素子111、112、…に流れるパルス状の駆動電流の
うち特に高次の高調波成分を低減するよう作用するの
で、その分EL素子111、112、…の等価直列抵抗
で発生する損失が低減する。これにより、EL表示パネ
ル1の発熱が減少し温度上昇を抑えることができる。そ
の結果、EL素子111、112、…の耐圧低下が抑え
られ、また背面電極106と保護ガラスとの接着面に剥
がれが生じにくくなるなど、EL表示装置7の信頼性が
向上する。
Reactor 9 is used for line sequential scanning.
.. Acts particularly to reduce high-order harmonic components of the pulsed drive current flowing through the elements 111, 112,..., And accordingly, the loss generated by the equivalent series resistance of the EL elements 111, 112,. . Thereby, the heat generation of the EL display panel 1 is reduced, and the temperature rise can be suppressed. As a result, the reliability of the EL display device 7 is improved, for example, the reduction of the withstand voltage of the EL elements 111, 112,... Is suppressed, and the adhesion surface between the back electrode 106 and the protective glass is hardly peeled off.

【0072】また、リアクトル9は、基本波成分および
低次の高調波成分についてはインピーダンスが小さく、
これらの成分を減少させることがないので、走査電極2
01、301、…に印加されるパルス状の走査電圧の立
上り時間を比較的短くすることができる。EL素子11
1、112、…の駆動電圧は走査電圧とデータ電圧との
合成電圧であるため、駆動電圧の立上り時間も比較的短
くなる。従って、駆動電圧が発光しきい値電圧以上とな
る実効的なパルス幅は殆ど短縮されることがなく、輝度
の低下を防止することができる。
The reactor 9 has a small impedance with respect to the fundamental wave component and low-order harmonic components,
Since these components are not reduced, the scanning electrode 2
The rise time of the pulse-like scanning voltage applied to 01, 301,... Can be made relatively short. EL element 11
Since the drive voltages 1, 112,... Are combined voltages of the scan voltage and the data voltage, the rise time of the drive voltage is relatively short. Therefore, the effective pulse width at which the drive voltage becomes equal to or higher than the light emission threshold voltage is hardly reduced, and a decrease in luminance can be prevented.

【0073】さらに、リアクトル9に対し抵抗10が直
列に接続されているので、リアクトル9の走査側電圧供
給回路6側の端子に生ずるオーバーシュート電圧を抑え
ることができる。これにより、走査側ドライバIC2、
3を構成するMOSFET21a、21b、…、31
a、31b、…の耐圧を下げることができ、EL表示装
置7のコストを低減することができる。
Further, since the resistor 10 is connected in series to the reactor 9, an overshoot voltage generated at a terminal of the reactor 9 on the scanning side voltage supply circuit 6 side can be suppressed. Thereby, the scanning driver IC2,
, 31 constituting MOSFETs 3a, 3b,.
can be reduced, and the cost of the EL display device 7 can be reduced.

【0074】(第2の実施形態)本発明をEL表示パネ
ルの駆動に適用した第2の実施形態について図8を参照
しながら説明する。この図8は、EL表示装置11の概
略的な電気的構成を示すもので、前述のEL表示装置7
について示した図1と同一構成部分については同一符号
を付している。
(Second Embodiment) A second embodiment in which the present invention is applied to driving of an EL display panel will be described with reference to FIG. FIG. 8 shows a schematic electrical configuration of the EL display device 11.
The same reference numerals are given to the same components as those shown in FIG.

【0075】このEL表示装置11において、スイッチ
ング電源5の端子F6と走査側電圧供給回路6の端子T
1との間にはリアクトル9が挿入されている。また、走
査側ドライバIC2、3(図3参照)の各出力端子と走
査電極201、301、202、…との間には、EL表
示パネル1の外部に位置して、それぞれ抵抗71、7
2、73、…が挿入されている。
In the EL display device 11, the terminal F6 of the switching power supply 5 and the terminal T of the scanning-side voltage supply circuit 6
A reactor 9 is inserted between the reactor 9 and the reactor 1. Also, between each output terminal of the scanning driver ICs 2 and 3 (see FIG. 3) and the scanning electrodes 201, 301, 202,...
2, 73,... Are inserted.

【0076】このような構成によっても、走査電圧に応
じてスイッチング電源5からEL素子111、112、
…に流れる電流は、リアクトル9と抵抗71(または7
2、73、…)とを通過するので、第1の実施形態と同
様にして高次の高調波成分が低減し、EL表示パネル1
の発熱を抑制できる。また、EL表示装置7の抵抗10
に替えて抵抗71、72、73、…を備えているので、
オーバーシュート電圧の抑制効果も得られる。
With such a configuration, the switching power supply 5 supplies the EL elements 111, 112,
.. Flows through the reactor 9 and the resistor 71 (or 7).
, 73,...), The higher-order harmonic components are reduced as in the first embodiment, and the EL display panel 1
Heat generation can be suppressed. The resistance 10 of the EL display device 7
Are replaced by resistors 71, 72, 73,.
The effect of suppressing the overshoot voltage is also obtained.

【0077】(第3の実施形態)図9には、本発明をE
L表示パネルの駆動に適用した第3の実施形態が示され
ている。ここに示すEL表示装置12のEL表示パネル
1は、走査電極201、301、…(図3参照)がIT
Oなどの透明導電膜で形成されたものである。これら走
査電極201、301、…は、例えば前述の特開平10
−63198号公報に示されているように、データ電極
401、402、…に対し直交配置された走査電極部
と、この走査電極部から走査電極端子部に至る引回し配
線部とを有するようにパターン形成されている。
(Third Embodiment) FIG. 9 shows the third embodiment of the present invention.
A third embodiment applied to driving of an L display panel is shown. The EL display panel 1 of the EL display device 12 shown here has scanning electrodes 201, 301,.
It is formed of a transparent conductive film such as O. These scanning electrodes 201, 301,...
As shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-198, a scanning electrode portion orthogonal to the data electrodes 401, 402,... And a lead wiring portion extending from the scanning electrode portion to the scanning electrode terminal portion are provided. The pattern is formed.

【0078】この構成によれば、前記引回し配線部が抵
抗81、82、83、…として作用するので、第1およ
び第2の実施形態と同様にして、オーバーシュート電圧
を抑制することができる。また、ITOなどの透明導電
膜を使用すると、比較的容易に所望する抵抗値を得るこ
とができる。
According to this configuration, since the leading wiring portion acts as the resistors 81, 82, 83,..., The overshoot voltage can be suppressed as in the first and second embodiments. . When a transparent conductive film such as ITO is used, a desired resistance value can be obtained relatively easily.

【0079】(第4の実施形態)図10は、本発明の第
4の実施形態であるEL表示装置13の概略的な電気的
構成を示している。このEL表示装置13は、第1の実
施形態に示したEL表示装置7に比較し、スイッチング
電源5の端子F6と走査側電圧供給回路6の端子T1と
の間にリアクトル9のみが挿入されている点に差異があ
る。
(Fourth Embodiment) FIG. 10 shows a schematic electrical configuration of an EL display device 13 according to a fourth embodiment of the present invention. This EL display device 13 is different from the EL display device 7 shown in the first embodiment in that only the reactor 9 is inserted between the terminal F6 of the switching power supply 5 and the terminal T1 of the scanning-side voltage supply circuit 6. Are different.

【0080】例えば、配線抵抗、MOSFET21a、
21b、31a、31b、…、61a、63aなどのオ
ン抵抗、EL表示パネル1の電極端子部などの直列合成
抵抗の値が十分に大きい場合には、この直列合成抵抗に
よって振動が抑えられる。従って、そのような場合に
は、このEL表示装置13を用いることで、オーバーシ
ュート電圧を抑えつつEL表示パネル1の発熱を抑制可
能となる。
For example, wiring resistance, MOSFET 21a,
When the values of the on-resistance such as 21b, 31a, 31b,..., 61a, and 63a and the series combined resistance of the electrode terminals of the EL display panel 1 are sufficiently large, vibration is suppressed by the series combined resistance. Therefore, in such a case, by using the EL display device 13, it is possible to suppress the overshoot voltage and to suppress the heat generation of the EL display panel 1.

【0081】(第5の実施形態)図11は、本発明の第
5の実施形態であるEL表示装置14の概略的な電気的
構成を示している。このEL表示装置14は、スイッチ
ング電源5の端子F2とデータ側ドライバIC4との間
にリアクトル9と抵抗10とを挿入したことを特徴とす
る。
(Fifth Embodiment) FIG. 11 shows a schematic electrical configuration of an EL display device 14 according to a fifth embodiment of the present invention. The EL display device 14 is characterized in that a reactor 9 and a resistor 10 are inserted between the terminal F2 of the switching power supply 5 and the data driver IC4.

【0082】本構成によれば、リアクトル9と抵抗10
とを介してEL素子111、112、…(図3参照)の
データ電極401、402、…に流れるパルス状の駆動
電流のうち特に高次の高調波成分が低減するので、第1
の実施形態と同様にEL表示パネル1の発熱抑制効果を
得ることができる。
According to this configuration, reactor 9 and resistor 10
(See FIG. 3), the high-order harmonic components among the pulse-like drive currents flowing through the data electrodes 401, 402,... Of the EL elements 111, 112,.
As in the embodiment, the effect of suppressing heat generation of the EL display panel 1 can be obtained.

【0083】(第6の実施形態)図12は、本発明の第
6の実施形態であるEL表示装置15の概略的な電気的
構成を示している。このEL表示装置15は、スイッチ
ング電源5の出力端子F6と走査側電圧供給回路6の端
子T1との間ならびにスイッチング電源5の出力端子F
2とデータ側ドライバIC4との間に、それぞれリアク
トル9a、抵抗10aおよびリアクトル9b、抵抗10
bが直列に挿入されている点に特徴を有する。
(Sixth Embodiment) FIG. 12 shows a schematic electrical configuration of an EL display device 15 according to a sixth embodiment of the present invention. The EL display device 15 is provided between the output terminal F6 of the switching power supply 5 and the terminal T1 of the scanning-side voltage supply circuit 6 and the output terminal F of the switching power supply 5.
2 and the data side driver IC 4, a reactor 9 a, a resistor 10 a and a reactor 9 b,
The feature is that b is inserted in series.

【0084】上記構成によれば、走査電極201、30
1、…に流れる電流およびデータ電極401、402、
…に流れる電流から高次の高調波成分が低減されるの
で、前記各実施形態に比べEL表示パネル1の発熱抑制
効果がより大きくなる。
According to the above configuration, the scanning electrodes 201 and 30
The current and data electrodes 401, 402,
, The higher-order harmonic components are reduced from the current flowing through..., And the effect of suppressing the heat generation of the EL display panel 1 is greater than in the above embodiments.

【0085】(その他の実施形態)なお、本発明は、上
記各実施形態に限定されるものではなく、次のように変
形または拡張が可能である。第5の実施形態において、
第2の実施形態と同様に、抵抗10に替えて、データ側
ドライバIC4の各出力端子とデータ電極401、40
2、…との間にそれぞれ抵抗を挿入する構成としても良
い。また、第3の実施形態と同様に、これらの抵抗をI
TOなどの透明導電膜で形成するようにしても良い。
(Other Embodiments) The present invention is not limited to the above embodiments, but can be modified or expanded as follows. In a fifth embodiment,
Similarly to the second embodiment, each output terminal of the data-side driver IC 4 and the data electrodes 401 and 40 are replaced with the resistor 10.
It is good also as a structure which inserts a resistance between 2 and each. Further, similarly to the third embodiment, these resistors are set to I
It may be formed of a transparent conductive film such as TO.

【0086】第6の実施形態において、配線抵抗、MO
SFET21a、21b、31a、31b、…、61
a、63aなどのオン抵抗、EL表示パネル1の電極端
子部などの直列合成抵抗の値が十分に大きい場合には、
抵抗10aまたは10bを除いても良い。
In the sixth embodiment, the wiring resistance, MO
SFETs 21a, 21b, 31a, 31b, ..., 61
When the values of the on-resistance such as a and 63a and the series combined resistance such as the electrode terminal of the EL display panel 1 are sufficiently large,
The resistor 10a or 10b may be omitted.

【0087】上記各実施形態では、マトリクス型のEL
表示パネル1を駆動する構成としたが、セグメント型の
EL表示パネルを駆動する構成の場合にも適用できる。
また、上述した各手段は、EL表示パネルに限らず容量
性を有する表示素子により構成される表示パネルであれ
ば同様にして適用可能である。
In each of the above embodiments, the matrix type EL
Although the configuration in which the display panel 1 is driven has been described, the present invention can also be applied to a configuration in which a segment-type EL display panel is driven.
In addition, the above-described units are not limited to the EL display panel, and can be similarly applied to a display panel including a display element having capacitance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態を示すEL表示装置の
概略的な電気的構成図
FIG. 1 is a schematic electrical configuration diagram of an EL display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】走査側電圧供給回路の電気的構成図FIG. 2 is an electrical configuration diagram of a scanning-side voltage supply circuit.

【図3】EL表示パネルおよびその駆動回路の電気的構
成図
FIG. 3 is an electrical configuration diagram of an EL display panel and a driving circuit thereof.

【図4】EL素子の模式的な断面構造図FIG. 4 is a schematic cross-sectional structure diagram of an EL element.

【図5】EL素子の電気的特性を電気回路により等価的
に示す図
FIG. 5 is a diagram equivalently showing electric characteristics of an EL element by an electric circuit.

【図6】EL表示パネルの駆動タイミングチャートFIG. 6 is a drive timing chart of an EL display panel.

【図7】走査電圧の実測波形図(a)とその拡大波形図
(b)
7A and 7B are an actually measured waveform diagram of a scanning voltage and an enlarged waveform diagram thereof;

【図8】本発明の第2の実施形態を示す図1相当図FIG. 8 is a view corresponding to FIG. 1, showing a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第3の実施形態を示す図1相当図FIG. 9 is a view corresponding to FIG. 1, showing a third embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第4の実施形態を示す図1相当図FIG. 10 is a view corresponding to FIG. 1, showing a fourth embodiment of the present invention;

【図11】本発明の第5の実施形態を示す図1相当図FIG. 11 is a view corresponding to FIG. 1, showing a fifth embodiment of the present invention;

【図12】本発明の第6の実施形態を示す図1相当図FIG. 12 is a view corresponding to FIG. 1, showing a sixth embodiment of the present invention;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1はEL表示パネル(表示パネル)、2、3は走査側ド
ライバIC(走査電極駆動回路)、4はデータ側ドライ
バIC(データ電極駆動回路)、5はスイッチング電源
(第1の電源、第2の電源)、7、11〜15はEL表
示装置(容量性表示パネル駆動装置)、9、9a、9b
はリアクトル、10、10a、10b、71、72、7
3、…、81、82、83、…は抵抗、100、11
1、112、…はEL素子(容量性表示素子)、20
1、301、202、302、…は走査電極、401、
402、403、…はデータ電極である。
1 is an EL display panel (display panel), 2 and 3 are scanning driver ICs (scan electrode driving circuits), 4 is data driver ICs (data electrode driving circuits), and 5 is a switching power supply (first power supply, second power supply). , And 11 to 15 are EL display devices (capacitive display panel driving devices), 9, 9a, and 9b.
Are reactors, 10, 10a, 10b, 71, 72, 7
, 81, 82, 83, ... are resistors, 100, 11
1, 112,... Are EL elements (capacitive display elements), 20
1, 301, 202, 302,... Are scanning electrodes, 401,
Reference numerals 402, 403,... Denote data electrodes.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川内 正明 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会 社デンソー内 Fターム(参考) 5C080 AA06 BB05 DD26 EE25 FF07 FF12 JJ02 JJ03 JJ04 JJ06 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Masaaki Kawauchi 1-1-1 Showa-cho, Kariya-shi, Aichi F-term in DENSO Corporation (reference) 5C080 AA06 BB05 DD26 EE25 FF07 FF12 JJ02 JJ03 JJ04 JJ04 JJ06

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の走査電極と複数のデータ電極とが
交差する領域に容量性表示素子が形成される表示パネル
と、 前記走査電極に走査電圧を出力する走査電極駆動回路
と、 前記データ電極にデータ電圧を出力するデータ電極駆動
回路と、 前記走査電極駆動回路に対し前記走査電圧に相当する第
1の電圧を出力する第1の電源と、 前記データ電極駆動回路に対し前記データ電圧に相当す
る第2の電圧を出力する第2の電源とを備えた容量性表
示パネル駆動装置において、 前記第1の電源と前記走査電極駆動回路との間にリアク
トルを挿入したことを特徴とする容量性表示パネル駆動
装置。
1. A display panel in which a capacitive display element is formed in a region where a plurality of scan electrodes and a plurality of data electrodes intersect, a scan electrode driving circuit that outputs a scan voltage to the scan electrodes, and a data electrode. A data electrode driving circuit that outputs a data voltage to the scanning electrode driving circuit; a first power supply that outputs a first voltage corresponding to the scanning voltage to the scanning electrode driving circuit; and a data voltage corresponding to the data electrode driving circuit. A capacitive display panel driving device comprising a second power supply for outputting a second voltage to be applied, wherein a reactor is inserted between the first power supply and the scan electrode driving circuit. Display panel drive.
【請求項2】 前記第1の電源と前記走査電極駆動回路
との間にリアクトルに加え当該リアクトルと直列に抵抗
を挿入したことを特徴とする請求項1記載の容量性表示
パネル駆動装置。
2. The capacitive display panel driving device according to claim 1, wherein a resistor is inserted between the first power supply and the scan electrode driving circuit in addition to the reactor in series with the reactor.
【請求項3】 前記走査電極駆動回路と前記複数の走査
電極との間にそれぞれ抵抗を挿入したことを特徴とする
請求項1記載の容量性表示パネル駆動装置。
3. The capacitive display panel driving device according to claim 1, wherein a resistor is inserted between the scanning electrode driving circuit and the plurality of scanning electrodes.
【請求項4】 前記第2の電源と前記データ電極駆動回
路との間にリアクトルを挿入したことを特徴とする請求
項1ないし3の何れかに記載の容量性表示パネル駆動装
置。
4. The capacitive display panel driving device according to claim 1, wherein a reactor is inserted between said second power supply and said data electrode driving circuit.
【請求項5】 複数の走査電極と複数のデータ電極とが
交差する領域に容量性表示素子が形成される表示パネル
と、 前記走査電極に走査電圧を出力する走査電極駆動回路
と、 前記データ電極にデータ電圧を出力するデータ電極駆動
回路と、 前記走査電極駆動回路に対し前記走査電圧に相当する第
1の電圧を出力する第1の電源と、 前記データ電極駆動回路に対し前記データ電圧に相当す
る第2の電圧を出力する第2の電源とを備えた容量性表
示パネル駆動装置において、 前記第2の電源と前記データ電極駆動回路との間にリア
クトルを挿入したことを特徴とする容量性表示パネル駆
動装置。
5. A display panel in which a capacitive display element is formed in a region where a plurality of scan electrodes and a plurality of data electrodes intersect, a scan electrode driving circuit for outputting a scan voltage to the scan electrodes, and a data electrode. A data electrode driving circuit that outputs a data voltage to the scanning electrode driving circuit; a first power supply that outputs a first voltage corresponding to the scanning voltage to the scanning electrode driving circuit; and a data voltage corresponding to the data electrode driving circuit. A capacitive display panel driving device including a second power supply for outputting a second voltage to be applied, wherein a reactor is inserted between the second power supply and the data electrode driving circuit. Display panel drive.
【請求項6】 前記第2の電源と前記データ電極駆動回
路との間にリアクトルに加え当該リアクトルと直列に抵
抗を挿入したことを特徴とする請求項5記載の容量性表
示パネル駆動装置。
6. The capacitive display panel driving device according to claim 5, wherein a resistor is inserted between the second power supply and the data electrode driving circuit in addition to the reactor in series with the reactor.
【請求項7】 前記データ電極駆動回路と前記複数のデ
ータ電極との間にそれぞれ抵抗を挿入したことを特徴と
する請求項5記載の容量性表示パネル駆動装置。
7. The capacitive display panel driving device according to claim 5, wherein a resistor is inserted between the data electrode driving circuit and the plurality of data electrodes.
【請求項8】 前記抵抗は、表示パネル内に成膜により
形成されていることを特徴とする請求項3または7記載
の容量性表示パネル駆動装置。
8. The capacitive display panel driving device according to claim 3, wherein the resistor is formed in the display panel by film formation.
【請求項9】 前記容量性表示素子はEL素子であるこ
とを特徴とする請求項1ないし8の何れかに記載の容量
性表示パネル駆動装置。
9. The capacitive display panel driving device according to claim 1, wherein said capacitive display element is an EL element.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008529041A (en) * 2005-01-24 2008-07-31 アイファイアー・テクノロジー・コープ Energy efficient column driver for electroluminescent displays
CN110188386A (en) * 2019-04-26 2019-08-30 南方电网科学研究院有限责任公司 Alternating current system harmonic impedance partitioning method, device, equipment and storage medium

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