JP2001067720A - Optical recording medium - Google Patents

Optical recording medium

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JP2001067720A
JP2001067720A JP24567299A JP24567299A JP2001067720A JP 2001067720 A JP2001067720 A JP 2001067720A JP 24567299 A JP24567299 A JP 24567299A JP 24567299 A JP24567299 A JP 24567299A JP 2001067720 A JP2001067720 A JP 2001067720A
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recording
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group
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Application number
JP24567299A
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Inventor
Kunihisa Nagino
Toshinaka Nonaka
邦久 薙野
敏央 野中
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Toray Ind Inc
東レ株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a medium giving large signal amplitude and having excellent preservation durability and an erasing characteristic of a mark by forming a recording layer, which is used for recording, reproducing and erasing information by reversible phase transition between the amorphous phase and the crystal phase by irradiation with a laser beam having a specified wavelength or lower, and a first boundary layer from specified metal compounds respectively. SOLUTION: The recording layer of this optical recording medium, which is irradiated with the laser beam of 450 nm or lower and has a first inorganic protection layer, the first boundary layer, the recording layer and a second inorganic protection layer formed on a substrate in this order, is formed from the metal compound shown by the formula. In the formula, A is an element which is other than Ge, Sb and Te and selected from group 3A of the second period to group 6B of the sixth period of the periodic table of the elements; (x) satisfies 0.5<=(x)<=0.9; (y) satisfies 0.01<=(y)<=0.08 when (z) is 0 or 0.5<=(x)<=0.9; 0<=(y)<=0.08 when 0<(z)<=0.2. The first boundary layer is formed from carbon or a compound obtained by reacting the element selected from group 3A of the second period to group 6B of the sixth period with oxygen, carbon or nitrogen. This optical recording medium has large difference between the reflectance of the crystal phase and that of the amorphous phase when irradiated with the laser beam of 450 nm or lower.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is, by the irradiation of light,
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に関するものである。 Recording information, erasing, it relates to an optical information recording medium can be reproduced is. 特に、本発明は、記録情報の消去、 In particular, the present invention is, erasing recorded information,
書換機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な光ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相変化型光記録媒体に関するものである。 It has a rewriting function, fast and an information signal, a high-density recordable optical disc, optical card, to a rewritable phase-change optical recording medium such as an optical tape.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技術は、以下のごときものである。 Art Conventional rewritable phase-change optical recording medium is such that following. これらの光記録媒体は、テルルなどを主成分とする記録層を有し、記録時は、結晶状態の記録層に集束したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部分的に溶融する。 These optical recording medium has a recording layer mainly composed of tellurium, during recording, the laser light pulse focused on the recording layer in the crystalline state by irradiating short time to melt the recording layer partially. 溶融した部分は熱拡散により急冷され、固化し、アモルファス状態の記録マークが形成される。 The melted portion is rapidly cooled by thermal diffusion, solidified, recording marks in an amorphous state is formed. この記録マークの光線反射率は、結晶状態より低く、光学的に記録信号として再生可能である。 Light reflectance of the recording mark is lower than the crystalline state, it can be reproduced as an optically recording signals. また、消去時には、記録マーク部分にレーザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。 Further, at the time of erasing, by irradiating a laser beam to the recording mark part, the melting point of the recording layer below, by heating to the crystallization temperature or higher, the recording marks in the amorphous state is crystallized, back to the original unrecorded state .

【0003】これら書換可能相変化型光記録媒体の記録層の材料としては、Ge 2 Sb 2 Te [0003] As the material of the recording layers of these rewritable phase change type optical recording medium, Ge 2 Sb 2 Te 5などの合金(N.Yam 5 alloys such as (N.Yam
ada et al. Proc. Int. Symp. on Optical Memory 1987 ada et al. Proc. Int. Symp. on Optical Memory 1987
p61-66)が知られている。 p61-66) it is known. これらTe合金を記録層とした光記録媒体では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけで、円形の1ビームによる高速のオーバーライトが可能である。 In the optical recording medium with recording layer of these Te alloys, the crystallization rate is high, only modulates the irradiation power, which enables high-speed overwriting by circular one-beam.

【0004】第2903969号は、波長488nmのレーザーを用いて、Ge 2 Sb 2 Te [0004] No. 2,903,969, using a laser with a wavelength of 488nm, Ge 2 Sb 2 Te 5の記録層に、マーク間隔1.17μmでのマーク位置記録を行い、C/N 5 recording layer performs mark position recording mark interval 1.17 .mu.m, C / N
51dBと49dBを得たという技術が開示されている。 Technology that was obtained 51dB and 49dB is disclosed. この記録層では、記録マークの保存耐久性が低く実用にならないばかりでなく、マーク長が0.4μm以下では、実用上十分なC/Nが得られないという問題点があった。 In this recording layer, not only not to save the durability is low practical recording marks, at 0.4μm or less mark length, practically sufficient C / N is a problem that can not be obtained.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】450nm以下の波長のレーザーを用いた光記録システムでは、再生光に対する検出器の感度が、PDやDVD−RAMなどで用いられている赤色光の場合に比べ1/2近くに低下するため、再生信号振幅が大幅に低下し、C/Nが4〜8dB In an optical recording system using a 450nm following laser wavelength INVENTION SUMMARY is], the sensitivity of the detector with respect to the reproduction light, compared with the case of the red light is used in such PD and DVD-RAM 1 / 2 to lower close, the reproduction signal amplitude is greatly reduced, the C / N 4~8dB
も低くなるという問題点があった。 There is a problem that is also low.

【0006】本発明の目的は、450nmm以下で結晶と非晶の反射率差が大きいために、、大きな信号振幅が得られ、かつマークの保存耐久性に優れた記録層とそれに接する層として境界層を用いることで消去特性を向上さ、書換可能とした相変化型光記録媒体を提供することにある。 An object of the present invention, crystal and amorphous ,, large signal amplitude can be obtained due to a large difference in reflectance, and the boundary as a recording layer and a layer in contact therewith which is excellent in storage durability of the mark below 450nmm the erase characteristics improve is by using a layer is to provide a phase-change optical recording medium which enables rewriting.

【0007】 [0007]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は波長450nm以下のレーザー光を照射することによって、 Means for Solving the Problems] That is, by the present invention for irradiating a following laser light wavelength 450 nm,
情報の記録、消去、再生が可能であって、情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の可逆的な相変化により行われ、少なくとも基板上に第1無機保護層、記録層、第2無機保護層をこの順に備えた光記録媒体において、前記記録層が下記式(I) {(Ge 0.5 Te 0.5x (Sb 0.4 Te 0.61-x1-yz Sb yz (I) (ここで、Aは、Ge、Sb、Teを除く元素周期律表における第2周期から第6周期の3A族から6B族に属する元素を示し、x、y、zは数を示し、かつ次の関係式を満たす。 0.5≦x≦0.9、0.01≦y≦0.08、z=0 Recording information, erasing, a possible reproduction, recording and erasing of information is performed by reversible phase change between the amorphous phase and the crystalline phase, a first inorganic protective layer on at least on a substrate, a recording layer in the optical recording medium having a second inorganic protective layer in this order, said recording layer is represented by the following formula (I) {(Ge 0.5 Te 0.5) x (Sb 0.4 Te 0.6) 1-x} 1-yz Sb y a z (I) (wherein, a represents, Ge, Sb, represents an element belonging from the second period to group 6B from group 3A of the sixth period in the periodic table of the elements except Te, x, y, z represents a number and satisfies the following relationship. 0.5 ≦ x ≦ 0.9,0.01 ≦ y ≦ 0.08, z = 0
もしくは、0.5≦x≦0.9、0≦y≦0.08、0 Or, 0.5 ≦ x ≦ 0.9,0 ≦ y ≦ 0.08,0
<z≦0.2からなることを特徴とする光記録媒体である。 <It is an optical recording medium, comprising the z ≦ 0.2.

【0008】 [0008]

【発明の実施の形態】本発明者らは、鋭意研究を行うことにより、記録層を特定の材料とすることで、450n DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present inventors have found that by performing intense study, by making the recording layer to a specific material, 450n
m以下で結晶と非晶の反射率差を大きくすることができ、さらにはこれに接する層として硫化物を含まない特定の材料からなる境界層を用いることで、実用上十分大きなC/N、記録マークの保存安定性、1ビームダイレクトオーバーライトによる書換が可能な光記録媒体が得られることを見いだした。 m can be increased reflectance difference of crystal and amorphous below, furthermore by using a boundary layer comprising a specific material containing no sulfide as a layer in contact thereto, practically sufficiently large C / N, storage stability of the recording marks, it has been found that one beam direct overwrite rewritable due capable optical recording medium is obtained.

【0009】すなわち、本発明における光記録媒体の構成部材の代表的な層構成は、透明基板上に第1無機保護層、炭素層、記録層、炭素層、第2無機保護層、反射層の順に積層したものである。 [0009] That is, typical layer structure of the components of the optical recording medium of the present invention, the first inorganic protective layer on a transparent substrate, a carbon layer, recording layer, carbon layer, second inorganic protective layer, the reflective layer it is laminated in this order. 但しこれに限定するものではない。 But not limited to this.

【0010】以下に順をおって説明する。 [0010] will be described with step-by-step below. 第1無機保護層の材質として好適なものは、ZnSとSiO 2の混合物からなる膜である。 It is suitable as a material of the first inorganic protective layer, a film made of a mixture of ZnS and SiO 2. この材料は、残留応力が小さいため、繰り返しオーバーライトによるバースト劣化などが起きにくい。 This material, since residual stress is small, burst deterioration and hardly occurs due to repeated overwriting. また、ZnSとSiO 2と炭素の混合物は、膜の残留応力がさらに小さいこと、記録、消去の繰り返しによっても、記録感度、キャリア対ノイズ比(C Further, a mixture of ZnS and SiO 2 and carbon, be smaller residual stress of the film, recording, by the repetition of erasing, recording sensitivity, carrier-to-noise ratio (C
/N)、消去率などの劣化が起きにくいことからも特に好ましい。 / N), particularly preferable from the fact that does not occur easily deteriorate, such as the erasure rate. 膜の厚さは光学的な条件により決められるが、5〜500nmが好ましい。 The thickness of the film is determined by optical conditions, 5 to 500 nm are preferred. これより厚いと、クラックなどが生じることがあり、これより薄いと、オーバーライトの繰り返しにより基板が熱ダメージを受けやすく、繰り返し特性が劣化する。 If thicker than this, there is a crack, etc. occur, when the thickness is smaller than this, the substrate due to repeated overwriting susceptible to thermal damage, repetition characteristics are deteriorated. 膜の厚さの特に好ましい範囲は10nm以上200nm以下である。 A particularly preferred range for the thickness of the film is 10nm or more 200nm or less.

【0011】本発明では、上記の第1無機保護層と下記する記録層の間に第1境界層を設ける必要がある。 In the present invention, it is necessary to provide a first boundary layer between the recording layer below the first inorganic protective layer described above. これを設けることによって、高い消去率が得られ、1ビームダイレクトオーバーライトが可能となる。 By providing this, obtain high erasure rate, it is possible to 1 beam direct overwrite. その他にも、 Other than,
オーバーライトの繰り返しによるジッタの悪化、再生信号の振幅の低下を防ぐ効果がある。 Deterioration of the jitter due to repeated overwriting, the effect of preventing a decrease in the amplitude of the reproduced signal. この原因は、長時間放置しても、記録層における原子配列などの状態の変化や、無機保護層と記録層の反応を防げるからではないかと推定される。 This cause is also a long time left, changes in the conditions such as atomic arrangement in the recording layer, it is estimated whether not because prevent the reaction of the inorganic protective layer and the recording layer.

【0012】第1境界層としては、(1)元素周期律表における第2周期から第6周期の3A族から6B族に属する元素M1と酸素とが化合してなる物質、(2)元素周期律表における第2周期から第6周期の3A族から6 [0012] The first boundary layer, formed by compound and the (1) element M1 belonging from the second period in the periodic table of the elements in the Group 6B from Group 3A of the sixth period and oxygen material, (2) periodic a second period in the table from group 3A of the sixth cycle 6
B族に属する元素M2と炭素とが化合してなる物質、 Substances belonging element M2 and the carbon formed by compounds in B group,
(3)元素周期律表における第2周期から第6周期の3 (3) from the second period in the Periodic Table of the sixth cycle 3
A族から6B族に属する元素M3と窒素とが化合してなる物質、および(4)炭素のいずれかを用いる必要がある。 The element M3 and nitrogen belonging to Group 6B from A group is formed by compounds substance, and (4) it is necessary to use one of the carbon.

【0013】これらの中でも、記録層との長期保存時、 [0013] Among these, during long-term storage of the recording layer,
繰り返し時に剥離が起きにくいことから、炭素、アルミニウムと酸素の非化学量論組成化合物、クロムと窒素が化合した物質、チタンと窒素が化合した物質、ゲルマニウムと窒素の非化学量論組成化合物が好ましい。 Since the peeling does not occur easily during repetition, carbon, non-stoichiometry compound of aluminum and oxygen, chromium and nitrogen is compounded material, material titanium and nitrogen are compounded, non-stoichiometry compounds of germanium and nitrogen are preferred .

【0014】境界層に炭素を用いる場合、その厚さとしては、第1無機保護層から剥離し難いこと、また光学的な条件から、0.5nm以上10nm以下が好ましい。 [0014] When using the carbon in the boundary layer, as the thickness thereof, it hardly peeled off from the first inorganic protective layer, also from the optical conditions, preferably 0.5nm or 10nm or less.
厚さが、10nmを越えると、第1無機保護層や記録層と剥離しやすい。 Thickness, exceeds 10 nm, tends to peel the first inorganic protective layer and the recording layer. また、0.5nm未満では、均一の厚さに蒸着することが困難であり、かつ炭素膜を設けた効果が得られないことがある。 Further, it is less than 0.5 nm, it is difficult to deposit a uniform thickness, and may not obtain the effect of providing a carbon film. 炭素膜の蒸着速度などを鑑みると、0.5nm以上5nm以下が特に好ましい。 In view of the vapor deposition rate of the carbon film, particularly preferably 0.5nm or more 5nm or less.
0.5nm以上4nm以下であることが、繰り返し特性の点からさらにより好ましい。 It is even more preferred from the viewpoint of repeating properties at 0.5nm or 4nm or less.

【0015】炭素膜をスパッタで成膜する際には、導入ガスは、Arガスなどの希ガスだけでなく、水素を混ぜても良い。 [0015] When a film is formed by sputtering a carbon film, the introduction gas is not only rare gas such as Ar gas, may be mixed with hydrogen. また、他の材料を混合しても良いが、良好な特性を得るためには炭素を60mol%以上の割合で含んでいることが好ましい。 Further, it may be mixed with other materials, in order to obtain good properties preferably contains a proportion of more than 60 mol% of carbon.

【0016】本発明の記録層の組成は、下記式(I)の範囲にあることが必要である。 The composition of the recording layer of the present invention is required to be in the range of formula (I). {(Ge 0.5 Te 0.5x (Sb 0.4 Te 0.61-x1-yz Sb yz (I) ここで、Aは、Ge、Sb、Teを除く元素周期律表における第2周期から第6周期の3A族から6B族に属する元素すなわち、Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、 {(Ge 0.5 Te 0.5) x (Sb 0.4 Te 0.6) 1-x} in 1-yz Sb y A z ( I) wherein, A is, Ge, Sb, from the second period in the Periodic Table of Elements except Te elements belonging to group 6B from group 3A of the sixth period or, Al, Si, Sc, Ti, V, Cr,
Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、 Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge,
Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、C Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, C
d、In、Sn、La、Hf、Ta、W、Re、Ir、 d, In, Sn, La, Hf, Ta, W, Re, Ir,
Pt、Au、Tl、Pbから選ばれた少なくとも一種を示し、x、y、zは数を示し、かつ次の関係式を満たす。 Pt, Au, Tl, shows at least one selected from Pb, x, y, z represents a number, and satisfies the following relation.

【0017】0.5≦x≦0.9、0.01≦y≦0. [0017] 0.5 ≦ x ≦ 0.9,0.01 ≦ y ≦ 0.
08、z=0もしくは、0.5≦x≦0.9、0≦y≦ 08, z = 0 or, 0.5 ≦ x ≦ 0.9,0 ≦ y ≦
0.08、0<z≦0.2x<0.5では、結晶相と非晶相でのコントラストが小さくなり過ぎ、十分な信号強度を得られないことがあり、x>0.9の場合は、結晶化速度が遅くなり、消去特性が悪化し、1ビームダイレクトオーバーライトが困難になることがある。 0.08,0 In <z ≦ 0.2x <0.5, the contrast in the crystalline phase and the amorphous phase is too small, it may not provide sufficient signal strength, x> For 0.9 , the crystallization rate decreases, erasing characteristic is deteriorated, sometimes one beam direct overwriting becomes difficult. z=0かつ、y<0.01の場合は、アモルファスの安定性が低く、アーカイバル特性が悪くなる。 z = 0 and, in the case of y <0.01, the stability of the amorphous low, archival characteristic is deteriorated. y>0.08の場合、初期の消去特性が悪い場合や、オーバーライトシェルフが悪くなることがある。 For y> 0.08, if the initial erasure characteristics poor and sometimes overwrite shelf is deteriorated. z>0.2の場合、結晶化速度が遅くなり、消去特性が悪化し、1ビームダイレクトオーバーライトが困難になったり、相分離により繰り返し特性が大きく劣化したり、オーバーライトシェルフが悪くなったりすることがあり、z=0の場合はアモルファスの安定性が低く、アーカイバル特性が悪くなることがある。 z> For 0.2, or crystallization rate becomes slow, erasing characteristics are deteriorated, or become difficult one-beam direct overwrite, deteriorated greatly repetition characteristics by phase separation, worse overwriting shelf may be, in the case of z = 0 less stable amorphous, sometimes archival characteristic is deteriorated.

【0018】本発明の記録層の厚さとしては、5nm以上40nm以下であることが好ましい。 [0018] The thickness of the recording layer of the present invention is preferably 5nm or more 40nm or less. 記録層の厚さが上記よりも薄い場合は、繰返しオーバーライトによる記録特性の劣化が著しく、また、記録層の厚さが上記よりも厚い場合は、繰返しオーバーライトによる記録層の移動が起りやすくジッタの悪化が激しくなる。 If the thickness of the recording layer is thinner than the above, significantly deterioration of the recording characteristics due to repeated overwriting, and if the thickness of the recording layer is thicker than above tends to occur movement of the recording layer due to repeated overwriting deterioration of the jitter becomes severe. 特に、マーク長記録を採用する場合は、ピットポジション記録の場合に比べ、記録、消去による記録層の移動が起こりやすく、これを防ぐため、記録時の記録層の冷却をより大きくする必要があり、記録層の厚さは、好ましくは7nm In particular, when employing the mark length recording, compared with the case of the pit position recording, recording, tends to occur movement of the recording layer by erasing, to prevent this, it is necessary to increase the cooling of the recording time of the recording layer the thickness of the recording layer is preferably 7nm
〜35nm、より好ましくは7nm〜25nmである。 ~35Nm, more preferably 7Nm~25nm.

【0019】本発明の第2境界層の材質は、第1境界層の材料としてあげたものと同様のものでも良いし、異種の材料であってもよい。 The material of the second boundary layer of the present invention may be similar to those raised in the material of the first boundary layer, or may be of different materials.

【0020】第2境界層を用いる場合は、第1境界層のみを用いる場合に比べ、記録層の結晶化速度がより速くなり、アモルファスの安定特性が変化するため、必要な組成範囲が、0.02≦y≦0.08かつ、z=0、もしくは、0≦y≦0.08かつ 0.001≦z≦0. [0020] When using a second boundary layer, compared to using only the first boundary layer, the crystallization speed of the recording layer is faster, because the stability characteristics of amorphous changes, the composition range required, 0 .02 ≦ y ≦ 0.08 and, z = 0, or, 0 ≦ y ≦ 0.08 and 0.001 ≦ z ≦ 0.
2となる。 2 become. z=0かつ、y<0.02の場合は、アモルファスの安定性が低く、アーカイバル特性が悪くなる。 z = 0 and, in the case of y <0.02, the stability of the amorphous low, archival characteristic is deteriorated.
y>0.08の場合、長期保存後のオーバーライトが困難になることがある。 For y> 0.08, it may overwrite after a long-term storage is difficult. z>0.2の場合、結晶化速度が遅くなり、消去特性が悪化し、1ビームダイレクトオーバーライトが困難になることがある。 z> For 0.2, the crystallization speed is slower, the erase characteristic is deteriorated, sometimes one beam direct overwriting becomes difficult.

【0021】本発明の第2無機保護層の材質は、第1無機保護層の材料としてあげたものと同様のものでも良いし、異種の材料であってもよい。 The material of the second inorganic protective layer of the present invention may be similar to those raised in the material of the first inorganic protective layer may be of different materials. 厚さは、2nm以上5 Thickness, 2nm more than 5
0nm以下が好ましい。 0nm following is preferable. 第2無機保護層の厚さが上記より薄いと、クラック等の欠陥を生じ、繰り返し耐久性が低下するために好ましくない。 When the thickness of the second inorganic protective layer is thinner than the above, cause defects such as cracks, unfavorable for repetition durability is lowered. また、第2無機保護層の厚さが、上記より厚いと記録層の冷却度が低くなるために好ましくない。 Also, undesirable because the thickness of the second inorganic protective layer is thicker and the cooling of the recording layer than the decreases. 第2無機保護層の厚さは記録層の冷却に関し、より直接的に影響が大きく、より良好な消去特性や、繰り返し耐久性を得るために、また、特にマーク長記録の場合に良好な記録・消去特性を得るために、3 The thickness of the second inorganic protective layer relates cool the recording layer, more direct effect is large, and better erasing characteristics, in order to obtain the repetition durability, also particularly good recording when the mark length recording · to obtain the erase characteristics, 3
0nm以下がより効果的である。 0nm following is more effective. 光を吸収し、記録、消去に効率的に熱エネルギーとして用いることができることから、透明でない材料から形成されることも好ましい。 It absorbs light, recording, since it can be used as efficiently thermal energy to erase, is also preferably formed from a non-transparent material. 例えば、ZnSとSiO 2と炭素の混合物は、膜の残留応力が小さいこと、記録、消去の繰り返しによっても、記録感度、キャリア対ノイズ比(C/N)、消去率などの劣化が起きにくいことからも好ましい。 For example, a mixture of ZnS and SiO 2 and carbon, the residual stress of the film is small, recording, by the repetition of erasing, recording sensitivity, carrier-to-noise ratio (C / N), that is less likely to occur degradation such as erasure ratio from also preferred.

【0022】反射層の材質としては、光反射性を有する金属、合金、および金属と金属化合物の混合物などがあげられる。 Examples of the material for the reflective layer, a metal having light reflectivity, alloys, and the like mixture of metal and metal compound. 具体的には、Al、Au、Ag、Cuなどの高反射率の金属や、それを主成分とした合金、Al、S Specifically, Al, Au, Ag, high reflectivity metals and the like Cu, an alloy which was a main component, Al, S
iなどの窒化物、酸化物、カルコゲン化物などの金属化合物が好ましい。 Nitrides such as i, oxides, metallic compounds such as chalcogenide is preferred. Al、Au、Agなどの金属、及びこれらを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高くできることから特に好ましい。 Al, Au, metals such as Ag, and an alloy mainly containing these, light reflectivity high, and particularly preferred because it can increase the thermal conductivity. 特に、材料の価格が安くできることから、AlまたはAgを主成分とする合金が好ましい。 In particular, since the price of the material can be cheaper, alloy mainly containing Al or Ag are preferable. 反射層の厚さとしては、通常、おおむね10nm以上300nm以下である。 The thickness of the reflective layer, typically, is approximately 10nm or more 300nm or less. 記録感度を高く、再生信号強度が大きくできることから30nm以上200nm以下が好ましい。 High recording sensitivity, preferably 30nm or more 200nm or less because it can play the signal strength is greater.

【0023】次に、本発明の光記録媒体の製造方法について述べる。 [0023] Next, the process for producing the optical recording medium of the present invention. 第1無機保護層、第1境界層、記録層、第2境界層、第2無機保護層、反射層などを基板上に形成する方法としては、真空中での薄膜形成法、例えば真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などがあげられる。 The first inorganic protective layer, first boundary layer, recording layer, second boundary layer, as the method of the second inorganic protective layer, and reflective layer formed on the substrate, a thin film forming method in vacuum, for example, a vacuum deposition method , ion plating method, a sputtering method or the like, and the like. 特に組成、膜厚のコントロールが容易であることから、スパッタリング法が好ましい。 In particular compositions, since control of the film thickness is easy, sputtering method is preferable. 形成する記録層などの厚さの制御は、水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタリングすることで、容易に行える。 Control of the thickness of such a recording layer to be formed, in such a crystal oscillator film thickness meter, the deposition conditions by monitoring easily.

【0024】また、本発明の効果を著しく損なわない範囲において、反射層を形成した後、傷、変形の防止などのため、ZnS、SiO 2 、ZnS−SiO 2 、などの無機保護層あるいは紫外線硬化樹脂などの保護層などを必要に応じて設けてもよい。 Further, in not significantly impaired range the effects of the present invention, after forming the reflective layer, flaws, such as for prevention of deformation, ZnS, inorganic protective layer or an ultraviolet curing such SiO 2, ZnS-SiO 2, a protective layer such as a resin may be provided as necessary.

【0025】 [0025]

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。 EXAMPLES The following description will explain the present invention in the Examples. (分析,測定方法)反射層、記録層の組成は、ICP発光分析(セイコー電子工業(株)製)により確認した。 (Analysis, measurement methods) reflective layer, the composition of the recording layer was confirmed by ICP emission analysis (manufactured by Seiko Denshi Kogyo Co.).
記録層、無機保護層、反射層の形成中の膜厚は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。 Recording layer, the inorganic protective layer, the film thickness during the formation of the reflective layer was monitored by a quartz oscillator film thickness meter. また各層の厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察することにより測定した。 The thickness of each layer was measured by observing the cross section with a scanning or transmission electron microscope. 第1境界層および第2境界層2の組成はラザフォード後方散乱法(日新ハイボルテージ(株) The first boundary layer and the second composition of the boundary layer 2 Rutherford backscattering spectrometry (NHV Corporation
製、AN−2500)により調べた。 Ltd., was examined by AN-2500).

【0026】スパッタリングにより成膜した光記録媒体は、記録を行う前にあらかじめ波長830nmの半導体レーザのビームでディスク全面の記録層を結晶化し初期化した。 The optical recording medium was formed by sputtering, the recording layer of the whole disk surface is initialized to crystallize the semiconductor laser beam in advance wavelength 830nm before performing recording.

【0027】次に、グルーブに、線速度4.4m/秒の条件で、対物レンズの開口数0.6、半導体レーザの波長408nmの光学ヘッドを使用して、8/16変調の3T信号のC/Nを測定した。 Next, the groove, under the conditions of a linear velocity 4.4 m / sec, numerical aperture of 0.6 of the objective lens, using an optical head having a wavelength 408nm semiconductor laser, of 8/16 modulation 3T signal It was measured the C / N. この時、記録レーザー波形は、一般的なマルチパルスを用いた。 At this time, the recording laser waveform, using a general multi-pulse. また、この時のウィンドウ幅は、22.8nsとした(この場合の最短マーク長は0.3μmであった)。 Moreover, the window width at this time, was 22.8Ns (shortest mark length in this case was 0.3 [mu] m). 信号波形の振幅の低下、バースト欠陥の有無はオシロスコープにより観察した。 Reduction in amplitude of the signal waveform, presence or absence of a burst defect was observed by an oscilloscope.

【0028】(実施例1)厚さ0.6mm、直径12c [0028] (Example 1) thickness 0.6 mm, diameter 12c
m、0.64μmピッチ(ランド幅0.32μm、グルーブ幅0.32μm)のスパイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板を毎分30回転で回転させながら、スパッタを行った。 m, 0.64 .mu.m pitch (land width 0.32 [mu] m, the groove width 0.32 [mu] m) while rotating at 30 revolutions per minute polycarbonate substrate with spiral groove, and sputtering was carried out. まず、真空容器内を1×10 -3 Paまで排気した後、0.2PaのArガス零囲気中でSiO First, a vacuum chamber was exhausted to 1 × 10 -3 Pa, SiO in an Ar gas zero囲気in 0.2Pa
2を20mol%添加したZnSをスパッタし、基板上に膜厚130nmの第1無機保護層を形成した。 2 was sputtered ZnS added 20 mol%, thereby forming a first inorganic protective layer having a thickness of 130nm on the substrate. 次に炭素ターゲットをスパッタし、炭素層を2nm形成した。 Then sputtered carbon target was 2nm forming a carbon layer.
続いて、Ge、Sb、Teからなる合金ターゲットをスパッタして、厚さ12nm、組成Ge35.7Sb12.8Te Subsequently, Ge, Sb, by sputtering an alloy target consisting of Te, thickness 12 nm, the composition Ge35.7Sb12.8Te
51.5[すなわち{(Ge 0.5 Te 0.50.729 (Sb 0.4 51.5 [i.e. {(Ge 0.5 Te 0.5) 0.729 (Sb 0.4 T
0.60.2710.98 Sb 0.02 ]の記録層を得た。 to obtain a recording layer of e 0.6) 0.271} 0.98 Sb 0.02 ]. さらに第2境界層として炭素層を2nm形成し、第2無機保護層として第1無機保護層と同じZnS・SiO Further, the carbon layer was 2nm formed as a second boundary layer, the same ZnS · SiO the first inorganic protective layer as the second inorganic protective layer 2をスパッタして、20nm形成し、この上に、Al 97.5 Cr 2 by sputtering, and 20nm formed, on the, Al 97.5 Cr
2.5合金をスパッタして膜厚100nmの反射層を形成した。 2.5 alloy to form a reflective layer of sputtered to a thickness of 100 nm. このディスクを真空容器より取り出した後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂(大日本インキ(株)製SD−101)をスピンコートし、紫外線照射により硬化させて膜厚3μmの樹脂層を形成し、次にスクリーン印刷機を用いて遅効性の紫外線効果効果樹脂を塗布し、紫外線を照射した後、同様に作製したディスク2枚を貼り合わせて本発明の光記録媒体を得た。 After removal of the disk from the vacuum vessel, the acrylic ultraviolet curing resin to the reflecting layer (Dainippon SD-101 manufactured by Ink Co.) was spin-coated resin layer having a thickness of 3μm was cured by ultraviolet irradiation of formed, a slow-acting ultraviolet effects effects resin was applied and then using the screen printing machine, after being irradiated with ultraviolet rays to obtain an optical recording medium of the present invention by bonding two disk produced in the same manner.

【0029】C/NとDC消去率を測定したところ、それぞれ51dBと21dBと、いずれも実用レベルのC [0029] Measurement of the C / N and the DC erase ratio, a 51dB and 21dB respectively, both for practical use C
/N50dB、1ビームダイレクトオーバーライトが可能となる消去率20dBを上回る十分なものであった。 / N50dB, 1 was sufficient to exceed the erasure ratio 20dB beam direct overwrite is possible.
記録した状態のまま、90℃、相対湿度80%の条件で100時間放置した後、記録信号を再生し、C/Nを測定したところ、全く変化がなかった。 While the recorded state, 90 ° C., allowed to stand for 100 hours at 80% relative humidity conditions, it reproduces the recorded signal was measured for C / N, had no change. また、剥離によるバースト欠陥などもみられなかった。 Also, it did not seen such as burst defect due to separation.

【0030】(実施例2)記録層の組成をGe 36.2 Sb [0030] The composition of Example 2 the recording layer Ge 36.2 Sb
10.9 Te 52.5 Nb 0.4 [すなわち{(Ge 0.5 Te 10.9 Te 52.5 Nb 0.4 [i.e. {(Ge 0.5 Te 0.5 0.5)
0.729 (Sb 0.4 Te 0.60.2710.995 Sb 0.001 Nb 0.729 (Sb 0.4 Te 0.6) 0.271 } 0.995 Sb 0.001 Nb
0.004 ]とした以外は、実施例1と同様なディスクを作製した。 Except for using 0.004], it was prepared in the same manner as disk as in Example 1.

【0031】C/NとDC消去率を測定したところ、それぞれ51dBと21dBと実用レベル以上のものであった。 [0031] Measurement of the C / N and the DC erase ratio was respectively 51dB and 21dB as the practical level or higher. 記録した状態のまま、90℃、相対湿度80%の条件で100時間放置した後、記録信号を再生し、C/ While the recorded state, 90 ° C., allowed to stand for 100 hours at 80% relative humidity conditions, it reproduces the recorded signal, C /
Nを測定したところ、全く変化がなかった。 Measurement of the N, had no change. また、剥離によるバースト欠陥などもみられなかった。 Also, it did not seen such as burst defect due to separation. また、Nb In addition, Nb
の替わりにAl、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、 Al instead of, Si, Sc, Ti, V, Cr, Mn,
Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Y、Z Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Y, Z
r、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、S r, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, S
n、La、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、 n, La, Hf, Ta, W, Re, Ir, Pt, Au,
Tl、Pbを用いた場合でも、ほぼ同様な結果が得られた。 Tl, even when a Pb, were obtained substantially the same results.

【0032】(実施例3)記録層の組成をGe 25.0 Sb [0032] The composition of Example 3 recording layer Ge 25.0 Sb
21.6 Te 53.4 [すなわち{(Ge 0.5 Te 0.50. 51 (S 21.6 Te 53.4 [i.e. {(Ge 0.5 Te 0.5) 0. 51 (S
0.4 Te 0.60.490.98 Sb 0.02 ]とした以外は、実施例1と同様なディスクを作製した。 b 0.4 Te 0.6) 0.49} 0.98 except that the Sb 0.02] was prepared the same disk as in Example 1.

【0033】C/NとDC消去率を測定したところ、それぞれ50dBと21dBと実用レベル以上のものであった。 [0033] Measurement of the C / N and the DC erase ratio was of 50dB and 21dB or more practical level, respectively. 記録した状態のまま、90℃、相対湿度80%の条件で100時間放置した後、記録信号を再生し、C/ While the recorded state, 90 ° C., allowed to stand for 100 hours at 80% relative humidity conditions, it reproduces the recorded signal, C /
Nを測定したところ、全く変化がなかった。 Measurement of the N, had no change. また、剥離によるバースト欠陥などもみられなかった。 Also, it did not seen such as burst defect due to separation.

【0034】(実施例4)第1境界層と第2境界層をA [0034] (Example 4) first boundary layer and the second boundary layer A
lターゲットを酸素16.7%、アルゴン63.3%の混合ガスでスパッタして厚さ2nmのAl 22.50とした以外は実施例1と同様にしてディスクを作製した。 l target oxygen 16.7%, to prepare a disc except for using Al 2 O 2.50 thick 2nm by sputtering in a mixed gas of 63.3% argon in the same manner as in Example 1.

【0035】C/NとDC消去率を測定したところ、それぞれ51dBと22dBと実用レベル以上のものであった。 [0035] Measurement of the C / N and the DC erase ratio was respectively 51dB and 22dB as the practical level or higher. 記録した状態のまま、90℃、相対湿度80%の条件で100時間放置した後、記録信号を再生し、C/ While the recorded state, 90 ° C., allowed to stand for 100 hours at 80% relative humidity conditions, it reproduces the recorded signal, C /
Nを測定したところ、全く変化がなかった。 Measurement of the N, had no change. また、剥離によるバースト欠陥などもみられなかった。 Also, it did not seen such as burst defect due to separation.

【0036】(実施例5)第1境界層と第2境界層をT [0036] (Example 5) The first boundary layer and the second boundary layer T
iターゲットを窒素8.2%、アルゴン91.8%の混合ガスでスパッタして厚さ2nmのTiN0.87とした以外は実施例1と同様にしてディスクを作製した。 i targeting nitrogen 8.2%, to prepare a disc except that the TiN0.87 sputtering to a thickness of 2nm in a mixed gas of 91.8% argon in the same manner as in Example 1.

【0037】C/NとDC消去率を測定したところ、それぞれ50dBと21dBと実用レベル以上のものであった。 [0037] Measurement of the C / N and the DC erase ratio was of 50dB and 21dB or more practical level, respectively. 記録した状態のまま、90℃、相対湿度80%の条件で100時間放置した後、記録信号を再生し、C/ While the recorded state, 90 ° C., allowed to stand for 100 hours at 80% relative humidity conditions, it reproduces the recorded signal, C /
Nを測定したとことろ、全く変化がなかった。 Tokotoro of the measurement of the N, had no change. また、剥離によるバースト欠陥などもみられなかった。 Also, it did not seen such as burst defect due to separation.

【0038】(実施例6)第1境界層と第2境界層をC [0038] (Example 6) the first boundary layer and the second boundary layer C
rターゲットを窒素28.6%、アルゴン71.4%の混合ガスでスパッタして、厚さ2nmのCrN0.92とした以外は実施例1と同様にしてディスクを作製した。 r targeting 28.6% nitrogen, by sputtering in a mixed gas of 71.4% argon, to prepare a disc except that the CrN0.92 thickness 2nm in the same manner as in Example 1.

【0039】C/NとDC消去率を測定したところ、それぞれ51dBと20dBと実用レベル以上のものであった。 [0039] Measurement of the C / N and the DC erase ratio was respectively 51dB and 20dB those practical level or higher. 記録した状態のまま、90℃、相対湿度80%の条件で100時間放置した後、記録信号を再生し、C/ While the recorded state, 90 ° C., allowed to stand for 100 hours at 80% relative humidity conditions, it reproduces the recorded signal, C /
Nを測定したところ、全く変化がなかった。 Measurement of the N, had no change. また、剥離によるバースト欠陥などもみられなかった。 Also, it did not seen such as burst defect due to separation.

【0040】(実施例7)第1境界層と第2境界層をS [0040] (Example 7) first boundary layer and the second boundary layer S
iターゲットとSiCターゲッをアルゴンガスで同時スパッタして、厚さ2nmのSiC0.85とした以外は実施例1と同様にしてディスクを作製した。 i The target and SiC target was sputtered simultaneously in an argon gas to prepare a disk except that the SiC0.85 thickness 2nm in the same manner as in Example 1.

【0041】C/NとDC消去率を測定したところ、それぞれ51dBと22dBと実用レベル以上のものであった。 [0041] Measurement of the C / N and the DC erase ratio was respectively 51dB and 22dB as the practical level or higher. 記録した状態のまま、90℃、相対湿度80%の条件で100時間放置した後、記録信号を再生し、C/ While the recorded state, 90 ° C., allowed to stand for 100 hours at 80% relative humidity conditions, it reproduces the recorded signal, C /
Nを測定したところ、全く変化がなかった。 Measurement of the N, had no change. また、剥離によるバースト欠陥などもみられなかった。 Also, it did not seen such as burst defect due to separation.

【0042】(比較例1)記録層の組成をGe 2 Sb 2 [0042] The composition of (Comparative Example 1) recording layer Ge 2 Sb 2 T
5すなわち、(Ge 0.5 Te 0.50.444 (Sb 0. 4 Te e 5 That, (Ge 0.5 Te 0.5) 0.444 (Sb 0. 4 Te
0.60.556とした以外は、実施例1と同様にしてディスクを作製した。 Except for using 0.6) 0.556 to prepare a disk in the same manner as in Example 1.

【0043】C/NとDC消去率を測定したところ、それぞれ45dBと18dBと実用レベル以下のものであった。 [0043] Measurement of the C / N and the DC erase ratio was respectively 45dB and 18dB those practical level below. 記録した状態のまま、90℃、相対湿度80%の条件で100時間放置した後、記録信号を再生し、C/ While the recorded state, 90 ° C., allowed to stand for 100 hours at 80% relative humidity conditions, it reproduces the recorded signal, C /
Nを測定したところ、43dBと2dB低下していた。 Measurement of the N, was reduced 43dB and 2dB.

【0044】(比較例2)記録層の組成をGeTeすなわち、(Ge 0.5 Te 0.51.00 (Sb 0.4 Te 0.60.00 [0044] GeTe composition (Comparative Example 2) recording layer i.e., (Ge 0.5 Te 0.5) 1.00 (Sb 0.4 Te 0.6) 0.00
とした以外は、実施例1と同様にしてディスクを作製した。 Except that the can was produced disks in the same manner as in Example 1.

【0045】C/NとDC消去率を測定したところ、それぞれ51dBと15dBであった。 [0045] Measurement of the C / N and the DC erasure rate, were, respectively, 51dB and 15dB. C/Nは実用上十分であったが、消去率は実用レベル以下であった。 C / N was sufficient for practical use, but the erase ratio was below a practical level.

【0046】(比較例3)記録層の組成をGe 29.2 Sb [0046] The composition of (Comparative Example 3) recording layer Ge 29.2 Sb
28.7 Te 42.1 [すなわち{(Ge 0.5 Te 0.5 28.7 Te 42.1 [i.e. {(Ge 0.5 Te 0.5)
0. 729 (Sb 0.4 Te 0.60.2710.8 Sb 0.2 ]とした以外は、実施例1と同様なディスクを作製した。 Except that the 0. 729 (Sb 0.4 Te 0.6) 0.271} 0.8 Sb 0.2] was prepared the same disk as in Example 1.

【0047】C/NとDC消去率を測定したところ、それぞれ50dBと10dBであった。 [0047] Measurement of the C / N and the DC erase ratio was 50dB and 10dB, respectively. C/Nは実用上十分であったが、消去率は実用レベル以下であった。 C / N was sufficient for practical use, but the erase ratio was below a practical level.

【0048】 [0048]

【発明の効果】本発明の光記録媒体によれば、以下の効果が得られる。 According to the optical recording medium of the present invention, the following effects are obtained. (1)波長450nm以下のレーザー光を用いた記録においても実用上十分なC/Nが得られ、かつ1ビームダイレクトオーバーライトが可能である。 (1) practically sufficient C / N can be obtained even in the recording using the following laser light wavelength 450 nm, and it is possible one-beam direct overwrite. (2)記録後長時間放置しても、バースト欠陥の発生や、記録マークの消失がない。 (2) even after recording a long period of time allowed to stand, generation of burst defects, there is no loss of record mark. (3)スパッタ法により容易に製作できる。 (3) can be easily fabricated by sputtering.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H111 EA04 EA11 EA12 EA14 EA23 EA36 EA40 EA43 FA01 FA11 FA14 FA24 FA25 FA28 FB04 FB05 FB08 FB09 FB12 FB16 FB20 FB22 FB24 FB30 5D029 JA01 JB47 JC02 KC17 LA12 LA14 LA16 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of continued F-term (reference) 2H111 EA04 EA11 EA12 EA14 EA23 EA36 EA40 EA43 FA01 FA11 FA14 FA24 FA25 FA28 FB04 FB05 FB08 FB09 FB12 FB16 FB20 FB22 FB24 FB30 5D029 JA01 JB47 JC02 KC17 LA12 LA14 LA16

Claims (4)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】波長450nm以下のレーザー光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であって、情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の可逆的な相変化により行われ、少なくとも基板上に第1無機保護層、記録層に接する第1境界層、記録層、第2無機保護層をこの順に備えた光記録媒体において、前記記録層が下記式(I) {(Ge 0.5 Te 0.5x (Sb 0.4 Te 0.61-x1-yz Sb yz (I) (ここで、Aは、Ge、Sb、Teを除く元素周期律表における第2周期から第6周期の3A族から6B族に属する元素を示し、x、y、zは数を示し、かつ次の関係式を満たす。 0.5≦x≦0.9、0.01≦y≦0.08、z=0 By irradiating 1. A wavelength 450nm or less of the laser beam, the recording of information, erase, a possible reproduction, recording and erasing of information, reversible phase between amorphous and crystalline phases performed by the change, the first inorganic protective layer on at least on a substrate, a first boundary layer in contact with the recording layer, the recording layer, an optical recording medium having a second inorganic protective layer in this order, said recording layer is represented by the following formula (I ) {(Ge 0.5 Te 0.5) x (Sb 0.4 Te 0.6) 1-x} 1-yz Sb y a z (I) ( wherein, a represents, Ge, Sb, second in the periodic table excluding Te represents an element belonging to group 6B from group 3A of the sixth period of the periodic, x, y, z are indicated the number and satisfy the following relational expression. 0.5 ≦ x ≦ 0.9,0.01 ≦ y ≦ 0.08, z = 0
    もしくは、0.5≦x≦0.9、0≦y≦0.08、0 Or, 0.5 ≦ x ≦ 0.9,0 ≦ y ≦ 0.08,0
    <z≦0.2)からなり、前記第1境界層が、(1)元素周期律表における第2周期から第6周期の3A族から6B族に属する元素M1と酸素とが化合してなる物質、 Consists <z ≦ 0.2), wherein the first boundary layer, formed by compound and the (1) element M1 belonging from the second period in the periodic table of the elements in the Group 6B from Group 3A of the sixth period and oxygen material,
    (2)元素周期律表における第2周期から第6周期の3 (2) from the second period in the Periodic Table of the sixth cycle 3
    A族から6B族に属する元素M2と炭素とが化合してなる物質、(3)元素周期律表における第2周期から第6 Materials where the A group and the element M2 belonging to Group 6B of carbon formed by compounds, from the second cycle in (3) periodic table of the elements 6
    周期の3A族から6B族に属する元素M3と窒素とが化合してなる物質、および(4)炭素から選ばれた少なくとも1種からなることを特徴とする光記録媒体。 Element M3 belonging from Group 3A of the periodic in Group 6B and nitrogen is formed by compounds substance, and (4) an optical recording medium characterized by comprising at least one selected from carbon.
  2. 【請求項2】記録層に接する第2境界層を記録層と第2 Wherein the second boundary layer in contact with the recording layer recording layer and the second
    無機保護層との間に備え、前記第2境界層が、(1)元素周期律表における第2周期から第6周期の3A族から6B族に属する元素M1と酸素とが化合してなる物質、 Provided between the inorganic protective layer, the second boundary layer is formed by compounds is (1) an element M1 that belongs from the second period in the periodic table of the elements in the Group 6B from Group 3A of the sixth period and oxygen mass ,
    (2)元素周期律表における第2周期から第6周期の3 (2) from the second period in the Periodic Table of the sixth cycle 3
    A族から6B族に属する元素M2と炭素とが化合してなる物質、(3)元素周期律表における第2周期から第6 Materials where the A group and the element M2 belonging to Group 6B of carbon formed by compounds, from the second cycle in (3) periodic table of the elements 6
    周期の3A族から6B族に属する元素M3と窒素とが化合してなる物質、および(4)炭素から選ばれた少なくとも1種からなることを特徴とする請求項1記載の光記録媒体。 Element M3 belonging from Group 3A of the periodic in Group 6B and nitrogen is formed by compounds substance, and (4) an optical recording medium according to claim 1, characterized in that it consists of at least one selected from carbon.
  3. 【請求項3】第1境界層と第2境界層が炭素を主成分とする物質からなることを特徴とする請求項1記載の光記録媒体。 3. The optical recording medium according to claim 1, wherein the first boundary layer and the second boundary layer is characterized by comprising the material containing carbon as a main component.
  4. 【請求項4】記録最短マークの長さおよび/またはマーク間隔が0.4μm以下のマーク長記録に用いることを特徴とする請求項1記載の光記録媒体。 4. An optical recording medium according to claim 1, wherein the length and / or the mark interval recording the shortest mark is characterized by using the following mark length recording 0.4 .mu.m.
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