JP3102431B1 - Optical recording medium - Google Patents
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- JP3102431B1 JP3102431B1 JP2000018539A JP2000018539A JP3102431B1 JP 3102431 B1 JP3102431 B1 JP 3102431B1 JP 2000018539 A JP2000018539 A JP 2000018539A JP 2000018539 A JP2000018539 A JP 2000018539A JP 3102431 B1 JP3102431 B1 JP 3102431B1
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Abstract
【要約】
【課題】 長時間放置しても、良好なオーバーライト特
性がえられ、なおかつ、バースト欠陥の発生や記録マー
クの消失がない、保存耐久性に優れた書換可能相変化光
記録媒体の提供。
【解決手段】 基板上に第1誘電体層、記録層、第2誘
電体層、反射層をこの順に備えた光記録媒体において、
記録層と第1誘電体層の間に記録層と接するように、炭
素を主成分とする層を設けるとともに、記録層が下記式
(I)
{(Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x}1-y-zSbyAz (I)
(ここで、Aは、Ge、Sb、Teを除く元素周期律表
における第2周期から第6周期の3A族から6B族に属
する元素を示し、x、y、zは数を示し、かつ次の関係
式を満たす。
0.2≦x≦0.8、0.01≦y≦0.08、z=0
もしくは、0.2≦x≦0.8、0≦y≦0.08、0
<z≦0.2)からなり、かつ記録層の厚さが7nm以
上35nm以下であることを特徴とする。[PROBLEMS] To provide a rewritable phase-change optical recording medium which has excellent overwriting durability, has good overwrite characteristics even after being left for a long time, has no occurrence of burst defects and does not lose recording marks. Offer. SOLUTION: An optical recording medium provided with a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, and a reflective layer on a substrate in this order,
A layer containing carbon as a main component is provided between the recording layer and the first dielectric layer so as to be in contact with the recording layer, and the recording layer has the following formula (I) I (Ge 0.5 Te 0.5 ) x (Sb 0.4 Te 0.6 ) 1-x} 1-yz Sb y a z (I) ( wherein, a represents belongs, Ge, Sb, the group 6B of the second period in the periodic table of the elements from group 3A of the sixth period, except for Te elemental And x, y, and z each represent a number and satisfy the following relational expression: 0.2 ≦ x ≦ 0.8, 0.01 ≦ y ≦ 0.08, z = 0 or 0.2 ≦ x ≦ 0.8, 0 ≦ y ≦ 0.08, 0
<Z ≦ 0.2), and the thickness of the recording layer is 7 nm or more and 35 nm or less.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。特に、本発明は、記録情報の消去、
書換機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可
能な光ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相
変化型光記録媒体に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to
The present invention relates to an optical information recording medium capable of recording, erasing, and reproducing information. In particular, the present invention provides a method for erasing recorded information,
The present invention relates to a rewritable phase-change optical recording medium, such as an optical disk, an optical card, or an optical tape, having a rewritable function and capable of recording an information signal at high speed and high density.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。これらの光記録媒体
は、テルルなどを主成分とする記録層を有し、記録時
は、結晶状態の記録層に集束したレーザー光パルスを短
時間照射し、記録層を部分的に溶融する。溶融した部分
は熱拡散により急冷され、固化し、アモルファス状態の
記録マークが形成される。この記録マークの光線反射率
は、結晶状態より低く、光学的に記録信号として再生可
能である。また、消去時には、記録マーク部分にレーザ
ー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の温
度に加熱することによって、アモルファス状態の記録マ
ークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。2. Description of the Related Art The technology of a conventional rewritable phase-change optical recording medium is as follows. These optical recording media have a recording layer mainly containing tellurium or the like, and at the time of recording, a focused laser light pulse is applied to the crystalline recording layer for a short time to partially melt the recording layer. The melted portion is quenched by thermal diffusion and solidified to form an amorphous recording mark. The light reflectance of this recording mark is lower than that of the crystalline state and can be reproduced optically as a recording signal. At the time of erasing, the recording mark is irradiated with a laser beam and heated to a temperature below the melting point of the recording layer and above the crystallization temperature to crystallize the amorphous recording mark and return to the original unrecorded state. .
【0003】これら書換可能相変化型光記録媒体の記録
層の材料としては、Ge2Sb2Te 5などの合金(N.Yam
ada et al. Proc. Int. Symp. on Optical Memory 1987
p61-66)が知られている。これらTe合金を記録層と
した光記録媒体では、結晶化速度が速く、照射パワーを
変調するだけで、円形の1ビームによる高速のオーバー
ライトが可能である。[0003] Recording on these rewritable phase-change optical recording media
The material of the layer is GeTwoSbTwoTe FiveSuch as alloys (N.Yam
ada et al. Proc. Int. Symp. on Optical Memory 1987
p61-66) are known. These Te alloys are used as a recording layer.
Optical recording media, the crystallization speed is high and the irradiation power is low.
High speed over with one circular beam just by modulating
Lighting is possible.
【0004】この記録層を、利用した光記録媒体とし
て、例えば、ポリカーボネート樹脂などで成形された透
明な基板の上に、第1誘電体層/記録層/第2誘電体層
/金属反射層の順に設けた4層構成がある。誘電体層の
役割は、記録時に記録層に変形、開口が発生することを
防ぐことであり、また、反射層の役割は、光学的な干渉
効果により再生時の信号コントラストを改善することで
ある。This recording layer is used as an optical recording medium, for example, on a transparent substrate formed of a polycarbonate resin or the like, a first dielectric layer / recording layer / second dielectric layer / metal reflective layer. There is a four-layer configuration provided in order. The role of the dielectric layer is to prevent deformation and opening of the recording layer at the time of recording, and the role of the reflective layer is to improve signal contrast at the time of reproduction by an optical interference effect. .
【0005】この書換可能相変化型光記録媒体における
課題は、以下のようなものである。すなわち、従来のデ
ィスク構造では、繰り返しオーバーライトに伴い、再生
信号振幅の低下(コントラストの低下)が生じ、ジッタ
特性が悪化する問題点があった。保護膜のクラックの成
長によるバースト欠陥が生じることもある。[0005] Problems in this rewritable phase change type optical recording medium are as follows. That is, the conventional disk structure has a problem that the amplitude of the reproduced signal (contrast decreases) occurs due to repeated overwriting, and the jitter characteristics deteriorate. Burst defects may occur due to the growth of cracks in the protective film.
【0006】また、従来の構成では、以下のような問題
もあった。まず、記録したディスクを長時間放置すると
(以降、アーカイバルと呼ぶ)記録マークが消失した
り、誘電体層が記録層と剥離し、バースト欠陥が生じた
りすることがあった。また、すでに信号が記録してある
ディスクを長時間放置した後に、信号の記録してあるト
ラックにオーバーライトを行うと(以降、オーバーライ
トシェルフと呼ぶ)、ジッタ特性が悪化し、エラーとな
ってしまう問題があった。このため、ディスクの保存耐
久性に問題があった。Further, the conventional configuration has the following problems. First, if the recorded disk is left for a long time (hereinafter, referred to as an archival), the recording mark may be lost, or the dielectric layer may be separated from the recording layer to cause a burst defect. Also, if a disc on which a signal is already recorded is left for a long time and then overwriting is performed on a track on which a signal is recorded (hereinafter referred to as an overwrite shelf), jitter characteristics deteriorate and an error occurs. There was a problem. For this reason, there was a problem in the storage durability of the disk.
【0007】上記の問題点は、従来のピットポジション
記録にかわり高密度記録であるマーク長記録を行う場合
に、特に顕著になる。[0007] The above problem becomes particularly remarkable when performing mark length recording, which is high-density recording, instead of conventional pit position recording.
【0008】たとえば、記録層に接するように炭素を配
置した構造については、国際公開WO96/17344
号明細書に開示してある。この内容は、第2誘電体層に
炭素や、炭素に金属または半金属を添加したものであ
る。こうすることにより、記録層における結晶状態での
光吸収量を非晶状態の光吸収量より大きくし、記録マー
クの大きさのばらつきを小さくするというものである。
しかし、このディスク構成では、上記の繰り返しオーバ
ーライト特性、および保存耐久性について十分でないと
いう問題点があった。For example, for a structure in which carbon is arranged so as to be in contact with a recording layer, see WO 96/17344.
In the specification. This content is obtained by adding carbon to the second dielectric layer or adding metal or metalloid to carbon. By doing so, the amount of light absorption in the crystalline state in the recording layer is made larger than the amount of light absorption in the amorphous state, and the variation in the size of the recording marks is reduced.
However, this disk configuration has a problem that the above repetitive overwrite characteristics and storage durability are not sufficient.
【0009】特開平3−100936号公報は、基板/
誘電体層/記録層/炭素層/誘電体層の順に積層した光
記録媒体に関するものである。炭素層が光吸収性を持つ
ために、ディスクを高感度化できるというものである。
しかし、この構成では、上記の繰り返しオーバーライト
特性、保存耐久性についての問題を解決できないという
問題点があった。Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 3-100936 discloses a substrate /
The present invention relates to an optical recording medium in which a dielectric layer / recording layer / carbon layer / dielectric layer is laminated in this order. This is because the sensitivity of the disk can be increased because the carbon layer has a light absorbing property.
However, this configuration has a problem that the above-described problems of the repetitive overwrite characteristics and the storage durability cannot be solved.
【0010】特開平2−139283号公報には、基板
/透明体層(ZnSまたはZnS・C)/炭素層(10
nm以下)/記録層(組成:Ge2Sb2Te5、厚み:
60nm)/炭素層(10nm以下)/透明体層/反射
層という光記録媒体を開示している。しかし、この構成
では、高密度記録であるエッジ記録を行った場合、繰り
返しオーバーライト特性、および保存耐久性が十分でな
いといった問題点があった。Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-139283 discloses a substrate / transparent body layer (ZnS or ZnS.C) / carbon layer (10
nm) / recording layer (composition: Ge 2 Sb 2 Te 5 , thickness:
An optical recording medium of 60 nm) / carbon layer (10 nm or less) / transparent layer / reflective layer is disclosed. However, this configuration has a problem that, when edge recording, which is high-density recording, is performed, repetitive overwrite characteristics and storage durability are not sufficient.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ジッ
タ特性の悪化、コントラストの低下、バースト欠陥の発
生などの、繰り返しオーバーライトによる劣化が少ない
書換可能相変化型光記録媒体を提供することにある。さ
らには、アーカイバル、オーバーライトシェルフ特性に
優れた書換可能相変化型光記録媒体を提供することにあ
る。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a rewritable phase-change type optical recording medium which causes little deterioration due to repetitive overwriting, such as deterioration of jitter characteristics, deterioration of contrast and occurrence of burst defects. It is in. Another object of the present invention is to provide a rewritable phase-change optical recording medium having excellent archival and overwrite shelf characteristics.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の第1
発明は光を照射することによって、情報の記録、消去、
再生が可能であって、情報の記録および消去が、非晶相
と結晶相の間の可逆的な相変化により行われ、少なくと
も基板上に第1誘電体層、記録層、第2誘電体層、反射
層をこの順に備えた光記録媒体において、記録層と第1
誘電体層の間に記録層と接するように、炭素を主成分と
する層を設けるとともに、前記記録層が下記式(I) {(Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x}1-y-zSbyAz (I) (ここで、Aは、Ge、Sb、Teを除く元素周期律表
における第2周期から第6周期の3A族から6B族に属
する元素を示し、x、y、zは数を示し、かつ次の関係
式を満たす。 0.2≦x≦0.8、0.01≦y≦0.08、z=0 もしくは、0.2≦x≦0.8、0≦y≦0.08、0
<z≦0.2)からなることを特徴とする光記録媒体で
ある。That is, the first aspect of the present invention is as follows.
The invention irradiates light to record, erase,
Reproducible, and recording and erasing of information is performed by a reversible phase change between an amorphous phase and a crystalline phase, and at least a first dielectric layer, a recording layer, and a second dielectric layer are formed on a substrate. , An optical recording medium having a reflective layer in this order, the recording layer and the first layer.
So as to be in contact with the recording layer between the dielectric layers, with a layer containing carbon as a main component, the recording layer is represented by the following formula (I) {(Ge 0.5 Te 0.5) x (Sb 0.4 Te 0.6) 1-x } 1-yz Sb y a z (I) ( wherein, a is indicated Ge, Sb, an element which belongs from the second period to the group 6B from group 3A of the sixth period in the periodic table of the elements except Te, x , Y, and z indicate numbers and satisfy the following relational expressions: 0.2 ≦ x ≦ 0.8, 0.01 ≦ y ≦ 0.08, z = 0 or 0.2 ≦ x ≦ 0. 8, 0 ≦ y ≦ 0.08, 0
<Z ≦ 0.2).
【0013】また、本発明の第2発明は光を照射するこ
とによって、情報の記録、消去、再生が可能であって、
情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の可逆的
な相変化により行われ、少なくとも基板上に第1誘電体
層、記録層、第2誘電体層、反射層をこの順に備えた光
記録媒体において、記録層と第1誘電体層の間に記録層
と接するように、炭素を主成分とする層を設けるととも
に、記録層と第2誘電体層の間に炭素を主成分とする
層、炭素と酸素を主成分とする層、炭素と窒素を主成分
とする層、炭素と酸素と窒素を主成分とする層から選ば
れた層を設け、さらに、前記記録層が下記式(II) {(Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x}1-y-zSbyAz (II) (ここで、Aは、Ge、Sb、Teを除く元素周期律表
における第2周期から第6周期の3A族から6B族に属
する元素を示し、x、y、zは数を示し、かつ次の関係
式を満たす。 0.2≦x≦0.95、0.01≦y≦0.08、z=
0 もしくは、0.2≦x≦0.95、0≦y≦0.08、
0<z≦0.2)からなることを特徴とする光記録媒体
である。According to a second aspect of the present invention, information can be recorded, erased and reproduced by irradiating light,
Recording and erasing of information are performed by a reversible phase change between an amorphous phase and a crystalline phase, and at least a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, and a reflective layer are provided in this order on a substrate. In the optical recording medium, a layer containing carbon as a main component is provided between the recording layer and the first dielectric layer so as to be in contact with the recording layer, and the carbon is used as a main component between the recording layer and the second dielectric layer. A layer composed mainly of carbon and oxygen, a layer composed mainly of carbon and nitrogen, and a layer selected from layers composed mainly of carbon, oxygen and nitrogen. formula (II) {(Ge 0.5 Te 0.5) x (Sb 0.4 Te 0.6) 1-x} 1-yz Sb y a z (II) ( wherein, a is the periodic table, excluding Ge, Sb, and Te Represents elements belonging to groups 3A to 6B in the second to sixth periods, x, y, and z represent numbers, and the following relationship: Meet. 0.2 ≦ x ≦ 0.95,0.01 ≦ y ≦ 0.08, z =
0 or 0.2 ≦ x ≦ 0.95, 0 ≦ y ≦ 0.08,
0 <z ≦ 0.2).
【0014】また、本発明の第3発明は、光を照射する
ことによって、情報の記録、消去、再生が可能であっ
て、情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の可
逆的な相変化により行われ、少なくとも基板上に第1誘
電体層、記録層、第2誘電体層、反射層をこの順に備え
た光記録媒体において、記録層と第1誘電体層の間に記
録層と接するように、炭素を主成分とする層を設けると
ともに、記録層と第2誘電体層の間に窒化ゲルマニウム
を主成分とする層から選ばれた層を設け、さらに、前記
記録層が下記式(III) {(Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x}1-y-zSbyAz (III) (ここで、Aは、Ge、Sb、Teを除く元素周期律表
における第2周期から第6周期の3A族から6B族に属
する元素を示し、x、y、zは数を示し、かつ次の関係
式を満たす。 0.2≦x≦0.95、0.01≦y≦0.08、z=
0 もしくは、0.2≦x≦0.95、0≦y≦0.08、
0<z≦0.2)からなり、かつ記録層の厚さが7nm
以上、35nm以下であることを特徴とする光記録媒体
である。According to a third aspect of the present invention, information can be recorded, erased, and reproduced by irradiating light, and information recording and erasing can be performed by reversing between an amorphous phase and a crystalline phase. In an optical recording medium having at least a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, and a reflective layer in this order on a substrate, the optical recording medium is disposed between the recording layer and the first dielectric layer. A layer mainly composed of carbon is provided so as to be in contact with the recording layer, and a layer selected from a layer mainly composed of germanium nitride is provided between the recording layer and the second dielectric layer; periodic but following formula (III) {(Ge 0.5 Te 0.5) x (Sb 0.4 Te 0.6) 1-x} 1-yz Sb y a z (III) ( wherein, a is excluding, Ge, Sb, and Te X, y indicate elements belonging to groups 3A to 6B of the second to sixth periods in the law table; z represents a number, and satisfies the following relationship. 0.2 ≦ x ≦ 0.95,0.01 ≦ y ≦ 0.08, z =
0 or 0.2 ≦ x ≦ 0.95, 0 ≦ y ≦ 0.08,
0 <z ≦ 0.2) and the thickness of the recording layer is 7 nm.
As described above, the optical recording medium has a thickness of 35 nm or less.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】本発明が解決しようとする課題で
ある繰り返しオーバーライトによる劣化、すなわちジッ
タ特性の悪化、、コントラストの低下の原因は、第1誘
電体層の成分が繰り返しオーバーライトすることによ
り、記録層へ染み出してくるものであると考えられてい
る。また、オーバーライトシェルフにより、ジッタ特性
が劣化する直接の原因は、消去特性が劣化するためであ
る。この消去特性が劣化する原因は、記録マーク(非晶
相)を長時間放置することにより、原子配列などの状態
が変化するか、もしくは、誘電体層と記録層が反応する
などの理由が考えられる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The problem to be solved by the present invention, which is caused by repetitive overwriting, that is, the deterioration of jitter characteristics and the reduction of contrast is caused by the repetitive overwriting of the components of the first dielectric layer. Therefore, it is considered that the material seeps into the recording layer. The direct cause of the deterioration of the jitter characteristic due to the overwrite shelf is that the erasing characteristic is deteriorated. The cause of the deterioration of the erasing characteristics is considered to be that the state of the atomic arrangement changes when the recording mark (amorphous phase) is left for a long time, or that the dielectric layer and the recording layer react. Can be
【0016】本発明者らは、鋭意研究を行うことによ
り、炭素層を第1誘電体層と記録層の間に設けると、繰
り返しオーバーライトによる劣化を改良でき、さらに、
オーバーライトシェルフによるジッタ特性の悪化を改良
できることを見出した。The present inventors have made intensive studies and found that when a carbon layer is provided between the first dielectric layer and the recording layer, deterioration due to repeated overwriting can be improved, and
It has been found that the deterioration of the jitter characteristic due to the overwrite shelf can be improved.
【0017】すなわち、本発明における光記録媒体の構
成部材の代表的な層構成は、透明基板上に第1誘電体
層、炭素層、記録層、第2誘電体層、反射層の順に積層
したもの、もしくは、第1誘電体層、炭素層、記録層、
炭素層、第2誘電体層、反射層の順に積層したものであ
る。但しこれに限定するものではない。That is, a typical layer configuration of the constituent members of the optical recording medium according to the present invention is such that a first dielectric layer, a carbon layer, a recording layer, a second dielectric layer, and a reflective layer are laminated in this order on a transparent substrate. Or a first dielectric layer, a carbon layer, a recording layer,
It is formed by laminating a carbon layer, a second dielectric layer, and a reflective layer in this order. However, it is not limited to this.
【0018】以下に順をおって説明する。第1誘電体層
の材質として好適なものは、ZnSとSiO2の混合物
からなる膜である。この材料は、残留応力が小さいた
め、繰り返しオーバーライトによるバースト劣化などが
起きにくい。この材料において、SiO2のmol比の
好ましい範囲は10mol%以上、30mol%以下で
ある。特に好ましい範囲は、15mol%以上25mo
l%以下である。また、ZnSとSiO2 と炭素の混合
物は、膜の残留応力がさらに小さいこと、記録、消去の
繰り返しによっても、記録感度、キャリア対ノイズ比
(C/N)、消去率などの劣化が起きにくいことからも
特に好ましい。膜の厚さは光学的な条件により決められ
るが、5〜500nmが好ましい。これより厚いと、ク
ラックなどが生じることがあり、これより薄いと、オー
バーライトの繰り返しにより基板が熱ダメージを受けや
すく、繰り返し特性が劣化することがある。膜の厚さの
特に好ましい範囲は10nm以上200nm以下であ
る。The description will be made in the following order. A preferable material for the first dielectric layer is a film made of a mixture of ZnS and SiO 2 . Since this material has a small residual stress, burst deterioration due to repeated overwriting is unlikely to occur. In this material, the preferable range of the molar ratio of SiO 2 is 10 mol% or more and 30 mol% or less. A particularly preferred range is from 15 mol% to 25 mo.
1% or less. In addition, the mixture of ZnS, SiO 2, and carbon has a smaller residual stress in the film and hardly causes deterioration in recording sensitivity, carrier-to-noise ratio (C / N), erasure rate, and the like even when recording and erasing are repeated. It is particularly preferable from this. The thickness of the film is determined by optical conditions, but is preferably from 5 to 500 nm. If the thickness is larger than this, cracks and the like may occur. If the thickness is smaller than this, the substrate is easily damaged by heat due to repeated overwriting, and the repetition characteristics may be deteriorated. A particularly preferred range of the film thickness is from 10 nm to 200 nm.
【0019】本発明では、上記の第1誘電体層と下記す
る記録層の間に炭素を主成分とする膜を設ける必要があ
る。本発明において主成分とするとは、その成分が膜中
に存在する他のどの成分よりも多量に存在することをい
う。これを設けることによって、オーバーライトの繰り
返しによるジッタの悪化、再生信号の振幅の低下を防ぐ
ことができる。この原因としては、これらの膜が、第1
誘電体層から記録層への第1誘電体層構成成分の拡散を
防ぐ、バリア層の役割を果たしているものであると考え
られる。さらには、炭素を主成分とする膜を設けること
によって、オーバーライトシェルフによるジッタ特性の
悪化を改良できる。この原因は、長時間放置しても、記
録層における原子配列などの状態の変化や、誘電体層と
記録層の反応を防げるからではないかと推定される。In the present invention, it is necessary to provide a film containing carbon as a main component between the first dielectric layer and the recording layer described below. In the present invention, the term "main component" means that the component is present in a larger amount than any other component present in the film. By providing this, it is possible to prevent deterioration of jitter due to repetition of overwriting and a decrease in amplitude of a reproduced signal. This is because these films are the first
It is considered that it functions as a barrier layer that prevents the diffusion of the first dielectric layer component from the dielectric layer to the recording layer. Further, by providing a film containing carbon as a main component, deterioration of jitter characteristics due to the overwrite shelf can be improved. It is presumed that the cause of this is that even if the recording layer is left for a long time, a change in the state of the recording layer such as the atomic arrangement and a reaction between the dielectric layer and the recording layer can be prevented.
【0020】この、炭素膜の厚さとしては、第1誘電体
層から剥離し難いこと、また光学的な条件から、0.5
nm以上10nm以下が好ましい。厚さが、10nmを
越えると、第1誘電体層や記録層と剥離しやすい。ま
た、0.5nm未満では、均一の厚さに蒸着することが
困難であり、かつ炭素膜を設けた効果が得られないこと
がある。炭素膜の蒸着速度などを鑑みると、0.5nm
以上5nm以下が特に好ましい。0.5nm以上4nm
以下であることが、繰り返し特性の点からさらにより好
ましい。The thickness of the carbon film is set to 0.5 because of the difficulty in peeling from the first dielectric layer and the optical condition.
It is preferably from 10 nm to 10 nm. When the thickness exceeds 10 nm, it is easy to peel off from the first dielectric layer and the recording layer. On the other hand, when the thickness is less than 0.5 nm, it is difficult to deposit the film to a uniform thickness, and the effect of providing the carbon film may not be obtained. Considering the deposition rate of the carbon film, 0.5 nm
It is particularly preferably at least 5 nm and at most 5 nm. 0.5 nm or more and 4 nm
The following is even more preferable from the viewpoint of the repetition characteristics.
【0021】繰り返し特性の点から、炭素層の膜厚に好
ましい範囲が存在することの理由、メカニズムは下述の
ようなことと考えられる。From the viewpoint of the repetition characteristics, the reason why there is a preferable range in the thickness of the carbon layer and the mechanism are considered as follows.
【0022】図1、2はそれぞれ二つの積層試料、すな
わち、No.A:Ge−Sb−Te(7nm)/C(2
nm)/ZnS−SiO2(93nm)/基板(図1)
と、No.B:Ge−Sb−Te(7nm)/C(5n
m)/ZnS−SiO2(93nm)/基板(図2)、
のオージェ電子分光法(装置にはPERKIN ELM
ER社製の”PHI−670”を使用)により測定した
デプス・プロファイルのチャートである。横軸はArイ
オンを照射しスパッタエッチングしながら表面から試料
を掘り進んでいった時間を表しており、試料表面からの
深さ、言い換えれば層の厚さに対応するもので、縦軸は
それぞれの元素から検出されるオージェ電子のピーク強
度に対応するものである。すなわち、表面からの厚さに
対応して存在する元素の比率を表したものである。図3
は、No.A試料がGe−Sb−Te層と炭素層の境
界、炭素層の厚さ方向の中央、炭素層とZnS−SiO
2層の境界に該当するスパッタ時間1.0分、1.8
分、3.2分での炭素のKLLオージェ電子スペクトルの
チャートであり、図4は、No.B試料がGe−Sb−
Te層と炭素層の境界、炭素層の厚さ方向の中央、炭素
層とZnS−SiO2層の境界に該当するスパッタ時間
1.4分、3.8分、6.4分での炭素のKLLオージェ
電子スペクトルのチャートである。図3、図4ともそれ
ぞれの3つのスペクトルの形状が異なっていることがわ
かる。それぞれの図の炭素層の厚さ方向の中央からのス
ペクトルはグラファイトのものと同定される。炭素層と
ZnS−SiO2層の境界からのスペクトルにはカーバ
イドに由来するとされるショルダーピークが266eV
付近に認められ、炭素がZnS−SiO2層と化学結合
していることがわかる。Ge−Sb−Te層と炭素層の
境界からのスペクトルは、炭素層の中央からのスペクト
ルと炭素層とZnS−SiO2層の境界からのスペクト
ルの中間的なものになっており、炭素とGe−Sb−T
eとの間に化学結合に近い相互作用が存在することがわ
かる。図5、6は図1、2の各々の炭素のスペクトル
を、Ge−Sb−Te層と炭素層の境界からのスペクト
ル、炭素層の厚さ方向の中央からのスペクトル、炭素層
とZnS−SiO2層の境界からのスペクトルの3成分
に分解したチャートを示す。図5と図6の比較から、炭
素層が厚いNo.Bの試料は、No.Aの試料に比べて
炭素層の中央からのスペクトルの成分、すなわちグラフ
ァイト成分の層が主に厚くなっていることがわかる。1 and 2 respectively show two laminated samples, that is, No. 2 samples. A: Ge-Sb-Te (7 nm) / C (2
nm) / ZnS-SiO 2 (93 nm) / substrate (FIG. 1)
And No. B: Ge-Sb-Te (7 nm) / C (5n
m) / ZnS—SiO 2 (93 nm) / substrate (FIG. 2)
Auger electron spectroscopy (PERKIN ELM
7 is a chart of a depth profile measured by using "PHI-670" manufactured by ER Corporation). The horizontal axis represents the time during which the sample was excavated from the surface while irradiating with Ar ions and sputter etching, and corresponds to the depth from the sample surface, in other words, the thickness of the layer. Corresponds to the peak intensity of Auger electrons detected from the elements of the above. That is, it represents the ratio of the elements present corresponding to the thickness from the surface. FIG.
Is No. The sample A is the boundary between the Ge—Sb—Te layer and the carbon layer, the center in the thickness direction of the carbon layer, the carbon layer and the ZnS—SiO
Sputter time 1.0 min, 1.8 at the boundary between two layers
FIG. 4 is a chart of the KLL Auger electron spectrum of carbon at 3.2 minutes and 3.2 minutes. Sample B is Ge-Sb-
Carbon at sputtering time of 1.4 minutes, 3.8 minutes, and 6.4 minutes corresponding to the boundary between the Te layer and the carbon layer, the center in the thickness direction of the carbon layer, and the boundary between the carbon layer and the ZnS—SiO 2 layer. 5 is a chart of a KLL Auger electron spectrum. 3 and 4 that the shapes of the three spectra are different from each other. The spectrum from the center in the thickness direction of the carbon layer in each figure is identified as graphite. In the spectrum from the boundary between the carbon layer and the ZnS—SiO 2 layer, a shoulder peak attributed to carbide is 266 eV.
This is observed in the vicinity, and it is understood that carbon is chemically bonded to the ZnS—SiO 2 layer. The spectrum from the boundary between the Ge—Sb—Te layer and the carbon layer is intermediate between the spectrum from the center of the carbon layer and the spectrum from the boundary between the carbon layer and the ZnS—SiO 2 layer. -Sb-T
It can be seen that there is an interaction close to a chemical bond with e. FIGS. 5 and 6 show the spectra of each carbon in FIGS. 1 and 2, the spectrum from the boundary between the Ge—Sb—Te layer and the carbon layer, the spectrum from the center in the thickness direction of the carbon layer, and the carbon layer and ZnS—SiO 2. 4 shows a chart decomposed into three components of a spectrum from a boundary between two layers. From the comparison between FIG. 5 and FIG. B sample was No. It can be seen that the component of the spectrum from the center of the carbon layer, that is, the layer of the graphite component is mainly thicker than the sample of A.
【0023】上記の結果から、炭素層は接しているGe
−Sb−Te記録層とZnS−SiO2誘電体層と化学
結合やそれに近い相互作用により比較的強固に結合して
いるため、繰り返し記録時に界面で剥離などが起きにく
いと考えられる。しかし、炭素層の厚さが厚くなると厚
さ方向の中央付近に存在する強度の弱いグラファイト成
分層が厚くなるため、繰り返し時にこの部分の破壊が起
きやすくバーストエラーが発生し易くなると考えられ
る。From the above results, the carbon layer is in contact with Ge
Due to the relatively tightly bound by -sb-Te recording layer and the ZnS-SiO 2 dielectric layer and a chemical bond or interaction close to it, such as peeling at the interface is considered unlikely to occur during repeated recording. However, when the thickness of the carbon layer is increased, the graphite component layer having a low strength near the center in the thickness direction is increased in thickness, so that it is considered that this portion is easily broken at the time of repetition and a burst error is likely to occur.
【0024】炭素層がGe−Sb−Te記録層とZnS
−SiO2誘電体層と比較的強固に結合しているため、
長期保存時の層間剥離が発生しにくくなっており、この
ことは長期保存安定性を高めることにも寄与していると
考えられる。The carbon layer is composed of a Ge—Sb—Te recording layer and ZnS
Due to the relatively tightly bound to -SiO 2 dielectric layer,
Delamination during long-term storage is less likely to occur, which is thought to contribute to enhancing long-term storage stability.
【0025】炭素膜をスパッタで成膜する際には、導入
ガスは、Arガスなどの希ガスだけでなく、水素を混ぜ
ても良い。また、他の材料を混合しても良いが、良好な
特性を得るためには炭素を60mol%以上の割合で含
んでいることが好ましい。When the carbon film is formed by sputtering, the introduced gas may be a mixture of hydrogen as well as a rare gas such as Ar gas. Further, other materials may be mixed, but in order to obtain good characteristics, it is preferable that carbon is contained in a proportion of 60 mol% or more.
【0026】本発明の第1発明において、第1保護層と
記録層の間のみに炭素を主成分とする層を設ける場合に
は、記録層の組成は、下記式(I)の範囲にあることが
必要である。 {(Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x}1-y-zSbyAz (I) ここで、Aは、Ge、Sb、Teを除く元素周期律表に
おける第2周期から第6周期の3A族から6B族に属す
る元素すなわち、Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、
Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、
Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、C
d、In、Sn、La、Hf、Ta、W、Re、Ir、
Pt、Au、Tl、Pbから選ばれた少なくとも一種を
示し、x、y、zは数を示し、かつ次の関係式を満た
す。In the first invention of the present invention, when a layer mainly composed of carbon is provided only between the first protective layer and the recording layer, the composition of the recording layer falls within the range of the following formula (I). It is necessary. {(Ge 0.5 Te 0.5) x (Sb 0.4 Te 0.6) 1-x} in 1-yz Sb y A z ( I) wherein, A is, Ge, Sb, from the second period in the Periodic Table of Elements except Te Elements belonging to Group 3A to Group 6B in the sixth period, that is, Al, Si, Sc, Ti, V, Cr,
Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge,
Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, C
d, In, Sn, La, Hf, Ta, W, Re, Ir,
It indicates at least one selected from Pt, Au, Tl, and Pb, x, y, and z indicate numbers and satisfy the following relational expression.
【0027】 0.2≦x≦0.8、0.01≦y≦0.08、z=0 もしくは、0.2≦x≦0.8、0≦y≦0.08、0
<z≦0.2。0.2 ≦ x ≦ 0.8, 0.01 ≦ y ≦ 0.08, z = 0 or 0.2 ≦ x ≦ 0.8, 0 ≦ y ≦ 0.08, 0
<Z ≦ 0.2.
【0028】x<0.2では、結晶相と非晶相でのコン
トラストが小さくなり過ぎ、十分な信号強度を得られ
ず、x>0.8の場合は、結晶化速度が遅くなり、消去
特性が悪化し、線速5m/s以上かつ最短マーク長0.
7μm以下の条件で、ダイレクトオーバーライトが困難
になる。When x <0.2, the contrast between the crystalline phase and the amorphous phase is too small to obtain a sufficient signal intensity. When x> 0.8, the crystallization speed becomes slow, and The characteristics deteriorate, the linear velocity is 5 m / s or more, and the shortest mark length
Under conditions of 7 μm or less, direct overwriting becomes difficult.
【0029】z=0かつ、y<0.01の場合は、アモ
ルファスの安定性が低く、アーカイバル特性が悪くな
る。y>0.08の場合、初期の消去特性が悪くなった
り、オーバーライトシェルフが悪くなる。z>0.2の
場合、結晶化速度が遅くなり、消去特性が悪化し、線速
5m/s以上かつ最短マーク長0.7μm以下の条件
で、ダイレクトオーバーライトが困難になったり、相分
離により繰り返し特性が大きく劣化したり、オーバーラ
イトシェルフが悪くなり、y=0で、z=0の場合はア
モルファスの安定性が低く、アーカイバル特性が悪くな
る。When z = 0 and y <0.01, the stability of the amorphous is low, and the archival characteristics are poor. If y> 0.08, the initial erasing characteristics deteriorate and the overwrite shelf deteriorates. When z> 0.2, the crystallization speed is reduced, the erasing characteristics are deteriorated, and it becomes difficult to perform direct overwriting or phase separation under the condition that the linear velocity is 5 m / s or more and the shortest mark length is 0.7 μm or less. , The repetition characteristics are greatly deteriorated, and the overwrite shelf is deteriorated. When y = 0 and z = 0, the stability of the amorphous is low and the archival characteristics are deteriorated.
【0030】本発明の第2発明において、記録層の基板
側に炭素を主成分とする膜を用い、さらに記録層の反射
層側に炭素や、炭素と酸素、炭素と窒素、あるいは、炭
素と窒素と酸素を主成分とした膜のいずれかを用いる場
合は、記録層の結晶化速度がより速くなるので、必要な
組成範囲が、下記式(II)の範囲となる。 {(Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x}1-y-zSbyAz (II) ここで、Aは、Ge、Sb、Teを除く元素周期律表に
おける第2周期から第6周期の3A族から6B族に属す
る元素、すなわち、Al、Si、Sc、Ti、V、C
r、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、G
e、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、
Cd、In、Sn、La、Hf、Ta、W、Re、I
r、Pt、Au、Tl、Pbから選ばれた少なくとも一
種を示し、x、y、zは数を示し、かつ次の関係式を満
たす。In the second aspect of the present invention, a film containing carbon as a main component is used on the substrate side of the recording layer, and carbon, carbon and oxygen, carbon and nitrogen, or carbon and carbon is formed on the reflective layer side of the recording layer. When any one of the films containing nitrogen and oxygen as main components is used, the crystallization speed of the recording layer becomes higher, and the necessary composition range is the range of the following formula (II). {(Ge 0.5 Te 0.5) x (Sb 0.4 Te 0.6) 1-x} in 1-yz Sb y A z ( II) wherein, A is, Ge, Sb, from the second period in the Periodic Table of Elements except Te Elements belonging to Group 6A to Group 6B in the sixth period, ie, Al, Si, Sc, Ti, V, C
r, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, G
e, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag,
Cd, In, Sn, La, Hf, Ta, W, Re, I
At least one selected from r, Pt, Au, Tl, and Pb is shown, x, y, and z are numbers and satisfy the following relational expression.
【0031】0.2≦x≦0.95、0.01≦y≦
0.08、z=0 もしくは、0.2≦x≦0.95、0≦y≦0.08、
0<z≦0.2。0.2 ≦ x ≦ 0.95, 0.01 ≦ y ≦
0.08, z = 0 or 0.2 ≦ x ≦ 0.95, 0 ≦ y ≦ 0.08,
0 <z ≦ 0.2.
【0032】x<0.2では、コントラストが小さくな
り過ぎ、十分な信号強度を得られず、x>0.95の場
合は、結晶化速度が遅くなり、消去特性が悪化し、線速
5m/s以上かつ最短マーク長0.7μm以下の条件
で、ダイレクトオーバーライトが困難になる。z=0か
つ、y<0.01の場合は、アモルファスの安定性が低
く、アーカイバル特性が悪くなる。y>0.08の場
合、長期保存後のオーバーライトが困難になる。z=0
の時、yの範囲は、0.02≦y≦0.08である。z
>0.2の場合、結晶化速度が遅くなり、消去特性が悪
化し、線速5m/s以上かつ最短マーク長0.7μm以
下の条件でダイレクトオーバーライトが困難になる。When x <0.2, the contrast is too small to obtain a sufficient signal intensity, and when x> 0.95, the crystallization speed is reduced, the erasing characteristics are deteriorated, and the linear velocity is 5 m. / S and the shortest mark length of 0.7 μm or less, direct overwriting becomes difficult. When z = 0 and y <0.01, the stability of the amorphous is low, and the archival characteristics are poor. When y> 0.08, overwriting after long-term storage becomes difficult. z = 0
In this case, the range of y is 0.02 ≦ y ≦ 0.08. z
If> 0.2, the crystallization speed becomes slow, the erasing characteristics deteriorate, and direct overwriting becomes difficult under the condition that the linear velocity is 5 m / s or more and the shortest mark length is 0.7 μm or less.
【0033】本発明の第3発明において記録層の基板側
に炭素を主成分とする膜を用い、さらに記録層の反射層
側に窒化ゲルマニウムを主成分とした膜のいずれかを用
いる場合も、記録層の結晶化速度がより速くなるので、
必要な組成範囲が、下記式(III)の範囲となる。 {(Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x}1-y-zSbyAz (III) ここで、Aは、Ge、Sb、Teを除く元素周期律表に
おける第2周期から第6周期の3A族から6B族に属す
る元素、すなわち、Al、Si、Sc、Ti、V、C
r、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、G
e、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、
Cd、In、Sn、La、Hf、Ta、W、Re、I
r、Pt、Au、Tl、Pbから選ばれた少なくとも一
種を示し、x、y、zは数を示し、かつ次の関係式を満
たす。In the third aspect of the present invention, when a film containing carbon as a main component is used on the substrate side of the recording layer and any of films containing germanium nitride as a main component is used on the reflection layer side of the recording layer, Since the crystallization speed of the recording layer is faster,
The necessary composition range is the range of the following formula (III). {(Ge 0.5 Te 0.5) x (Sb 0.4 Te 0.6) 1-x} in 1-yz Sb y A z ( III) wherein, A is, Ge, Sb, from the second period in the Periodic Table of Elements except Te Elements belonging to Group 6A to Group 6B in the sixth period, ie, Al, Si, Sc, Ti, V, C
r, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, G
e, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag,
Cd, In, Sn, La, Hf, Ta, W, Re, I
At least one selected from r, Pt, Au, Tl, and Pb is shown, x, y, and z are numbers and satisfy the following relational expression.
【0034】0.2≦x≦0.95、0.01≦y≦
0.08、z=0 もしくは、0.2≦x≦0.95、0≦y≦0.08、
0<z≦0.2。0.2 ≦ x ≦ 0.95, 0.01 ≦ y ≦
0.08, z = 0 or 0.2 ≦ x ≦ 0.95, 0 ≦ y ≦ 0.08,
0 <z ≦ 0.2.
【0035】x<0.2では、コントラストが小さくな
り過ぎ、十分な信号強度を得られず、x>0.95の場
合は、結晶化速度が遅くなり、消去特性が悪化し、線速
5m/s以上かつ最短マーク長0.7μm以下の条件
で、ダイレクトオーバーライトが困難になる。z=0か
つ、y<0.01の場合は、アモルファスの安定性が低
く、アーカイバル特性が悪くなる。y>0.08の場
合、長期保存後のオーバーライトが困難になる。z=0
の時、yの好ましい範囲は、0.02≦y0.08であ
る。z>0.2の場合、結晶化速度が遅くなり、消去特
性が悪化し、線速5m/s以上かつ最短マーク長0.7
μm以下の条件でダイレクトオーバーライトが困難にな
る。When x <0.2, the contrast becomes too small to obtain a sufficient signal intensity. When x> 0.95, the crystallization speed becomes slow, the erasing characteristics deteriorate, and the linear velocity becomes 5 m. / S and the shortest mark length of 0.7 μm or less, direct overwriting becomes difficult. When z = 0 and y <0.01, the stability of the amorphous is low, and the archival characteristics are poor. When y> 0.08, overwriting after long-term storage becomes difficult. z = 0
In this case, the preferable range of y is 0.02 ≦ y0.08. When z> 0.2, the crystallization speed is reduced, the erasing characteristics are deteriorated, the linear velocity is 5 m / s or more, and the shortest mark length is 0.7.
Direct overwrite becomes difficult under the condition of μm or less.
【0036】また、上記記録層組成範囲と記録特性の関
係は、DVD Specifications for Rewritable Disc/ Part
1.Physical Specifications Ver. 1.0に記載されてい
る規格に則ったディスク及び評価方法に於いて、上記の
傾向がより明瞭に現れる。The relationship between the composition range of the recording layer and the recording characteristics is described in DVD Specifications for Rewritable Disc / Part.
1. The above tendency appears more clearly in the disc and evaluation method according to the standard described in Physical Specifications Ver. 1.0.
【0037】本発明の記録層の厚さとしては、5nm以
上40nm以下であることが好ましい。記録層の厚さが
上記よりも薄い場合は、結晶部とアモルファス部のコン
トラストが十分に取れなかったり、繰返しオーバーライ
トによる記録特性の劣化が著しい。また、記録層の厚さ
が上記よりも厚い場合は、繰返しオーバーライトによる
記録層の移動が起りやすくジッタの悪化が激しくなる。
特に、マーク長記録を採用する場合は、ピットポジショ
ン記録の場合に比べ、記録、消去による記録層の移動が
起こりやすく、これを防ぐため、記録時の記録層の冷却
をより大きくする必要があり、記録層の厚さは、7nm
〜35nmの範囲となる。より好ましくは7nm〜25
nmである。The recording layer of the present invention preferably has a thickness of 5 nm or more and 40 nm or less. If the thickness of the recording layer is smaller than the above, sufficient contrast between the crystal part and the amorphous part cannot be obtained, or the recording characteristics are significantly deteriorated due to repeated overwriting. If the thickness of the recording layer is larger than the above, the recording layer is likely to move due to repeated overwriting, and the jitter is greatly deteriorated.
In particular, when mark length recording is adopted, the recording layer is more likely to move due to recording and erasing than when pit position recording is used.To prevent this, it is necessary to further increase the cooling of the recording layer during recording. The thickness of the recording layer is 7 nm
It is in the range of 3535 nm. More preferably, 7 nm to 25
nm.
【0038】本発明の第2誘電体層の材質は、第1誘電
体層の材料としてあげたものと同様のものでも良いし、
異種の材料であってもよい。厚さは、2nm以上50n
m以下が好ましい。第2誘電体層の厚さが上記より薄い
と、クラック等の欠陥を生じ、繰り返し耐久性が低下す
るために好ましくない。また、第2誘電体層の厚さが、
上記より厚いと記録層の冷却度が低くなるために好まし
くない。第2誘電体層の厚さは記録層の冷却に関し、よ
り直接的に影響が大きく、より良好な消去特性や、繰り
返し耐久性を得るために、また、特にマーク長記録の場
合に良好な記録・消去特性を得るために、30nm以下
がより効果的である。光を吸収し、記録、消去に効率的
に熱エネルギーとして用いることができることから、透
明でない材料から形成されることも好ましい。例えば、
ZnSとSiO2 と炭素の混合物は、膜の残留応力が小
さいこと、記録、消去の繰り返しによっても、記録感
度、キャリア対ノイズ比(C/N)、消去率などの劣化
が起きにくく、オーバーライトシェルフにるジッタ特性
の悪化をより改善できることからも好ましい。The material of the second dielectric layer of the present invention may be the same as that of the first dielectric layer,
Different materials may be used. Thickness is 2nm or more and 50n
m or less is preferable. If the thickness of the second dielectric layer is smaller than the above, defects such as cracks occur, and the durability of the second dielectric layer is undesirably reduced. Further, the thickness of the second dielectric layer is
If the thickness is larger than the above, the cooling degree of the recording layer becomes low, which is not preferable. The thickness of the second dielectric layer has a more direct effect on the cooling of the recording layer, and in order to obtain better erasure characteristics and repetition durability, and particularly to achieve good recording in the case of mark length recording. -In order to obtain erasing characteristics, 30 nm or less is more effective. Since it absorbs light and can be efficiently used as thermal energy for recording and erasing, it is also preferable to be formed from a non-transparent material. For example,
The mixture of ZnS, SiO 2, and carbon has low residual stress in the film and hardly causes deterioration in recording sensitivity, carrier-to-noise ratio (C / N), erasure rate, etc., even when recording and erasing are repeated, and overwriting. It is also preferable because deterioration of jitter characteristics in the shelf can be further improved.
【0039】また、記録層と第2誘電体層の間に炭素を
主成分とする層、または、炭素と酸素を主成分とする
膜、または、炭素と酸素と窒素を主成分とする層を設け
ることも好ましい。こうすることによって、オーバーラ
イトシェルフによるジッタ特性の悪化をより改善できた
り、結晶化速度を向上できたりする。この層の厚みとし
て好ましい範囲は、0.5nm以上10nm以下であ
る。厚さが、10nmを越えると、第2誘電体層や記録
層と剥離しやすい。また、0.5nm未満では、均一の
厚さに蒸着することが困難であり、かつこれらの層を設
けた効果が得られないことがある。蒸着速度などを鑑み
ると、0.5nm以上、5nm以下が特に好ましい。A layer mainly composed of carbon, a film mainly composed of carbon and oxygen, or a layer mainly composed of carbon, oxygen and nitrogen is provided between the recording layer and the second dielectric layer. It is also preferable to provide them. By doing so, the deterioration of the jitter characteristic due to the overwrite shelf can be further improved, and the crystallization speed can be improved. A preferred range for the thickness of this layer is 0.5 nm or more and 10 nm or less. If the thickness exceeds 10 nm, it is easy to peel off from the second dielectric layer and the recording layer. On the other hand, if the thickness is less than 0.5 nm, it is difficult to deposit the film to a uniform thickness, and the effect of providing these layers may not be obtained. In consideration of the deposition rate and the like, the thickness is particularly preferably 0.5 nm or more and 5 nm or less.
【0040】同様に、記録層と第2誘電体層の間に窒化
ゲルマニウムを主成分とする層を設けることも好まし
い。こうすることにより、オーバーライトシェルフによ
るジッタ特性の悪化をより改善できたり、結晶化速度を
向上できたりする。この層の厚みの好ましい範囲は、
0.5nm以上、50nm以下である。これより薄い
と、均一の厚さに蒸着することが困難である。また、こ
れより厚いと、記録層の冷却速度が低くなり、結果的に
繰り返しオーバーライト耐久性が劣化することがある。
厚さのより好ましい範囲は、0.5nm以上、20nm
以下である。Similarly, it is preferable to provide a layer containing germanium nitride as a main component between the recording layer and the second dielectric layer. By doing so, the deterioration of the jitter characteristic due to the overwrite shelf can be further improved, and the crystallization speed can be improved. The preferred range of the thickness of this layer is
It is 0.5 nm or more and 50 nm or less. If the thickness is smaller than this, it is difficult to deposit the film to a uniform thickness. On the other hand, if the thickness is larger than this, the cooling rate of the recording layer decreases, and as a result, the overwrite durability may be repeatedly deteriorated.
A more preferable range of the thickness is 0.5 nm or more and 20 nm.
It is as follows.
【0041】なお、窒化ゲルマニウムをGeNxと表記
した場合のxの範囲は、0.4≦x≦1.3の間である
ことが好ましい。x<0.4の範囲であると、繰り返し
オーバーライトによる記録特性の劣化が著しいことがあ
る。x>1.3の範囲であると、オーバーライトシェル
フ特性を十分に向上できなかったり、クラックなどが発
生しやすく保存耐久性が十分でないことがある。The range of x when germanium nitride is described as GeNx is preferably in the range of 0.4 ≦ x ≦ 1.3. When x <0.4, the recording characteristics may be significantly deteriorated due to repeated overwriting. If x> 1.3, the overwrite shelf characteristics may not be sufficiently improved, cracks may easily occur, and storage durability may not be sufficient.
【0042】反射層の材質としては、光反射性を有する
金属、合金、および金属と金属化合物の混合物などがあ
げられる。具体的には、Al、Au、Ag、Cuなどの
高反射率の金属や、それを主成分とした合金、Al、S
iなどの窒化物、酸化物、カルコゲン化物などの金属化
合物が好ましい。Al、Au、Agなどの金属、及びこ
れらを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝
導率を高くできることから特に好ましい。特に、材料の
価格が安くできることから、AlまたはAgを主成分と
する合金が好ましい。反射層の厚さとしては、通常、お
おむね10nm以上300nm以下である。記録感度を
高く、再生信号強度が大きくできることから30nm以
上200nm以下が好ましい。Examples of the material for the reflective layer include metals and alloys having light reflectivity, and mixtures of metals and metal compounds. Specifically, a metal having a high reflectivity, such as Al, Au, Ag, or Cu, an alloy containing the same as a main component, Al, S
Metal compounds such as nitrides, oxides, and chalcogenides such as i are preferable. Metals such as Al, Au, and Ag, and alloys containing these as main components are particularly preferable because of their high light reflectivity and high thermal conductivity. In particular, an alloy containing Al or Ag as a main component is preferable because the price of the material can be reduced. The thickness of the reflective layer is generally about 10 nm or more and 300 nm or less. The thickness is preferably 30 nm or more and 200 nm or less because the recording sensitivity is high and the reproduction signal intensity can be increased.
【0043】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。第1誘電体層、炭素層、記録層、第2誘電
体層、反射層などを基板上に形成する方法としては、真
空中での薄膜形成法、例えば真空蒸着法、イオンプレー
ティング法、スパッタリング法などがあげられる。特に
組成、膜厚のコントロールが容易であることから、スパ
ッタリング法が好ましい。形成する記録層などの厚さの
制御は、水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタリ
ングすることで、容易に行える。Next, a method for manufacturing the optical recording medium of the present invention will be described. As a method for forming the first dielectric layer, the carbon layer, the recording layer, the second dielectric layer, the reflective layer, and the like on the substrate, a thin film forming method in a vacuum, for example, a vacuum deposition method, an ion plating method, a sputtering method, Law. In particular, the sputtering method is preferable because the composition and the film thickness can be easily controlled. The thickness of the recording layer or the like to be formed can be easily controlled by monitoring the deposited state with a quartz crystal film thickness meter or the like.
【0044】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、反射層を形成した後、傷、変形の防止など
のため、ZnS、SiO2 、ZnS−SiO2 、などの
誘電体層あるいは紫外線硬化樹脂などの保護層などを必
要に応じて設けてもよい。After the reflective layer is formed within a range that does not significantly impair the effects of the present invention, a dielectric layer of ZnS, SiO 2 , ZnS—SiO 2 , etc. A protective layer such as a resin may be provided as necessary.
【0045】[0045]
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。 (分析,測定方法)反射層、記録層の組成は、ICP発
光分析(セイコー電子工業(株)製)により確認した。
記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚は、水晶振動
子膜厚計によりモニターした。また各層の厚さは、走査
型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察することによ
り測定した。スパッタリングにより成膜した光記録媒体
は、記録を行う前にあらかじめ波長830nmの半導体
レーザのビームでディスク全面の記録層を結晶化し初期
化した。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on embodiments. (Analysis and Measurement Method) The compositions of the reflective layer and the recording layer were confirmed by ICP emission analysis (manufactured by Seiko Instruments Inc.).
The film thickness during the formation of the recording layer, the dielectric layer, and the reflective layer was monitored with a quartz crystal film thickness meter. The thickness of each layer was measured by observing the cross section with a scanning or transmission electron microscope. In the optical recording medium formed by sputtering, the recording layer on the entire surface of the disk was crystallized and initialized with a beam of a semiconductor laser having a wavelength of 830 nm before recording.
【0046】実施例1から24および比較例1から20
においては記録特性を下記の条件1で測定した。実施例
25の記録特性は、条件2で測定した。Examples 1 to 24 and Comparative Examples 1 to 20
In, recording characteristics were measured under the following condition 1. The recording characteristics of Example 25 were measured under the condition 2.
【0047】条件1:グルーブに、線速度6m/秒の条
件で、対物レンズの開口数0.6、半導体レーザの波長
680nmの光学ヘッドを使用して、8/16変調のラ
ンダムパターンをマーク長記録によって10万回オーバ
ーライトした。この時、記録レーザー波形は、一般的な
マルチパルスを用いた。また、この時のウィンドウ幅
は、34nsとした(この場合の最短マーク長は0.6
3μmであった)。記録パワー、消去パワーは各ディス
クで最適なパワーにした。ジッタはタイムインターバル
アナライザにより測定した。信号波形の振幅の低下、バ
ースト欠陥の有無はオシロスコープにより観察した。Condition 1: A random pattern of 8/16 modulation was formed on a groove by using an optical head having a numerical aperture of an objective lens of 0.6 and a wavelength of a semiconductor laser of 680 nm under a condition of a linear velocity of 6 m / sec. Overwriting was performed 100,000 times by recording. At this time, the recording laser waveform used was a general multi-pulse. The window width at this time was 34 ns (the shortest mark length in this case was 0.6 ns).
3 μm). Recording power and erasing power were optimized for each disk. Jitter was measured by a time interval analyzer. The decrease in the amplitude of the signal waveform and the presence or absence of a burst defect were observed with an oscilloscope.
【0048】条件2:グルーブに線速度8.2m/秒の
条件で、対物レンズの開口数0.6、半導体レーザの波
長660nmの光学ヘッドを使用して、8/16変調の
ランダムパターンのマーク長記録を行った。この時、記
録レーザー波形は、一般的なマルチパルスを用いた。ま
た、この時のウィンドウ幅は、17nsとした(この場
合の最短マーク長は0.42μmであった)。記録パワ
ー、消去パワーは各ディスクで最適なパワーにした。ジ
ッタはタイムインターバルアナライザにより測定した。Condition 2: 8/16 modulation random pattern mark using an optical head having a numerical aperture of 0.6 of an objective lens and a wavelength of 660 nm of a semiconductor laser under the condition that the groove has a linear velocity of 8.2 m / sec. A long record was made. At this time, the recording laser waveform used was a general multi-pulse. The window width at this time was 17 ns (the shortest mark length in this case was 0.42 μm). Recording power and erasing power were optimized for each disk. Jitter was measured by a time interval analyzer.
【0049】(実施例1)厚さ0.6mm、直径12c
m、1.48μmピッチ(ランド幅0.74μm、グル
ーブ幅0.74μm)のスパイラルグルーブ付きポリカ
ーボネート製基板を毎分30回転で回転させながら、ス
パッタを行った。まず、真空容器内を1×10-3Paま
で排気した後、0.2PaのArガス零囲気中でSiO
2 を20mol%添加したZnSをスパッタし、基板上
に膜厚95nmの第1誘電体層を形成した。次に炭素タ
ーゲットをスパッタし、炭素層を2nm形成した。続い
て、Ge、Sb、Teからなる合金ターゲットをスパッ
タして、厚さ20nm、組成Ge17.1Sb27.6Te55.3
[すなわち{(Ge0.5Te0.5)0.349(Sb0.4Te
0.6)0.651}0.979Sb0.021]の記録層を得た。さらに
第2誘電体層として第1誘電体層と同じZnS・SiO
2をスパッタして、16nm形成し、この上に、Al
97.5Cr2.5合金をスパッタして膜厚150nmの反射
層を形成した。このディスクを真空容器より取り出した
後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂(大日本
インキ(株)製SD−101)をスピンコートし、紫外
線照射により硬化させて膜厚3μmの樹脂層を形成し、
次にスクリーン印刷機を用いて遅効性の紫外線硬化樹脂
を塗布し、紫外線を照射した後、同様に作製したディス
ク2枚を貼り合わせて本発明の光記録媒体を得た。(Example 1) thickness 0.6 mm, diameter 12c
m, 1.48 μm pitch (land width 0.74 μm, glue
Polycarbonate with spiral groove of groove width 0.74μm)
While rotating the substrate made of carbonate at 30 revolutions per minute,
Went putter. First, 1 × 10-3Pa
And then exhausted with SiO 2 in a 0.2 Pa Ar gas atmosphere.
Two Is sputtered with ZnS added with 20 mol%
A first dielectric layer having a thickness of 95 nm was formed on the first dielectric layer. Next, carbon
The target was sputtered to form a carbon layer of 2 nm. Continued
Then, an alloy target made of Ge, Sb, and Te is sputtered.
To a thickness of 20 nm and a composition Ge17.1Sb27.6Te55.3
[That is, {(Ge0.5Te0.5)0.349(Sb0.4Te
0.6)0.651}0.979Sb0.021Was obtained. further
The same ZnS.SiO as the first dielectric layer as the second dielectric layer
TwoIs sputtered to form a film having a thickness of 16 nm.
97.5Cr2.5Sputtering alloy to reflect 150nm film
A layer was formed. This disk was taken out of the vacuum container
Then, on this reflective layer, acrylic UV curable resin (Dainippon
Ink Co., Ltd. SD-101) is spin-coated and ultraviolet
Cured by radiation to form a 3 μm thick resin layer,
Next, use a screen printing machine to apply a slow-acting UV curable resin.
And irradiating it with ultraviolet light.
The optical recording medium of the present invention was obtained by laminating the two recording media.
【0050】10万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ3.09nsであり、ウインドウ幅の9%と
実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、10回
オーバーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変化が
なく、バースト欠陥も見られなかった。また、このディ
スクに1回記録を行い、その時のバイトエラーレートを
測ったところ2.5×10-5であった。記録した状態の
まま、乾燥(加湿などの湿度調整を行っていない空気
中)、80℃の条件で100時間放置した。この後、同
じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、3.0
×10-5とほとんど変化がなかった。さらに、この部分
を1回オーバーライトしたところ、バイトエラーレート
は、4.1×10-5とほとんど変化がないことが確認で
きた。この時のジッタは、3.40nsであり、ウィン
ドウ幅の10%と良好な値であった。さらに、同様のデ
ィスクを90℃、相対湿度80%の条件で140時間放
置した。放置前と放置後のバイトエラーレートは、それ
ぞれ1.5×10-5と2.0×10-5であり、ほとんど
変化がなく、また、剥離によるバースト欠陥などはみら
れなかった。The jitter after overwriting 100,000 times was measured and found to be 3.09 ns, which is 9% of the window width, which is sufficiently small for practical use. The amplitude of the signal hardly changed compared to the amplitude of the signal after 10 times of overwriting, and no burst defect was observed. Further, recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was measured to be 2.5 × 10 −5 . In the recorded state, it was dried (in the air without humidity adjustment such as humidification) and left at 80 ° C. for 100 hours. Thereafter, when the byte error rate of the same part was measured, it was 3.0.
There was almost no change at 10-5 . Furthermore, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was 4.1 × 10 −5 and hardly changed. The jitter at this time was 3.40 ns, which was a good value of 10% of the window width. Further, the same disk was left at 90 ° C. and a relative humidity of 80% for 140 hours. The byte error rates before and after standing were 1.5 × 10 −5 and 2.0 × 10 −5 , respectively, and there was almost no change, and no burst defects due to peeling were observed.
【0051】(実施例2)反射層の組成をAl98.0Hf
1.8Pd0.2とした以外は、実施例1と同様にして光記録
媒体を得た。実施例1と同様な測定を行ったところ、ほ
ぼ、同じ結果が得られた。Example 2 The composition of the reflective layer was changed to Al 98.0 Hf.
An optical recording medium was obtained in the same manner as in Example 1 except that 1.8 Pd 0.2 was used. When the same measurement as in Example 1 was performed, almost the same result was obtained.
【0052】(実施例3)記録層の組成を(Ge2Sb2
Te5)0.99Nb0.01[すなわち、{(Ge0.5T
e0.5)0.444(Sb0.4Te0.6)0.556}0.990Nb
0.010]とした以外は、実施例1と同様にしてディスク
を作製した。10万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、3.41nsであり、ウインドウ幅の10
%と実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、1
0回オーバーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変
化がなく、バースト欠陥も見られなかった。また、この
ディスクに1回記録を行い、その時のバイトエラーレー
トを測ったところ1.5×10-5であった。記録した状
態のまま、乾燥(加湿などの湿度調節を行っていない空
気中)、80℃の条件で100時間放置した。この後、
同じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、1.
5×10-5とほとんど変化がなかった。さらに、この部
分を1回オーバーライトしたところ、バイトエラーレー
トは、2.1×10-5とほとんど変化がないことが確認
できた。この時のジッタは、3.83nsであり、ウィ
ンドウ幅の10%と良好な値であった。Example 3 The composition of the recording layer was changed to (Ge 2 Sb 2
Te 5 ) 0.99 Nb 0.01 [that is, {(Ge 0.5 T
e 0.5 ) 0.444 (Sb 0.4 Te 0.6 ) 0.556 } 0.990 Nb
0.010 ], and a disk was produced in the same manner as in Example 1. The jitter after overwriting 100,000 times was 3.41 ns.
%, Which was sufficiently small for practical use. The amplitude of the signal is 1
There was almost no change compared to the amplitude of the signal after 0 overwrites, and no burst defect was observed. Further, recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was 1.5 × 10 −5 . In the recorded state, the substrate was dried (in the air without humidity control such as humidification) and left at 80 ° C. for 100 hours. After this,
When the byte error rate of the same part was measured,
There was almost no change at 5 × 10 −5 . Further, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was almost unchanged at 2.1 × 10 −5 . The jitter at this time was 3.83 ns, which was a good value of 10% of the window width.
【0053】また、Nbの替わりにAl、Si、Sc、
Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Z
n、Ga、Ge、Y、Zr、Mo、Ru、Rh、Pd、
Ag、Cd、In、Sn、La、Hf、Ta、W、R
e、Ir、Pt、Au、Tl、Pbを用いた場合でも、
ほぼ同様な結果が得られた。In place of Nb, Al, Si, Sc,
Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Z
n, Ga, Ge, Y, Zr, Mo, Ru, Rh, Pd,
Ag, Cd, In, Sn, La, Hf, Ta, W, R
Even when e, Ir, Pt, Au, Tl, and Pb are used,
Almost similar results were obtained.
【0054】(実施例4)SiO2 を20mol%添加
したZnSターゲットと、炭素ターゲットを同時にスパ
ッタすることにより、第2誘電体層の組成を{(Zn
S)80(SiO2)2 0}90C10とした以外は、実施例1
と同様にしてディスクを作製した。Example 4 The composition of the second dielectric layer was changed to Δ (Zn) by simultaneously sputtering a ZnS target to which 20 mol% of SiO 2 was added and a carbon target.
S) 80 (except that the SiO 2) 2 0} 90 C 10 is Example 1
A disk was produced in the same manner as described above.
【0055】10万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、3.75であり、ウインドウ幅の11%と
実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、10回
オーバーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変化が
なく、バースト欠陥も見られなかった。また、このディ
スクに1回記録を行い、その時のバイトエラーレートを
測ったところ1.5×10-5であった。記録した状態の
まま、乾燥(加湿などの湿度調節を行っていない空気
中)、80℃の条件で100時間放置した。この後、同
じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、1.8
×10-5とほとんど変化がなかった。さらに、この部分
を1回オーバーライトしたところ、バイトエラーレート
は、2.1×10-5とほとんど変化がないことが確認で
きた。この時のジッタは、3.05nsであり、ウィン
ドウ幅の9%と良好な値であった。さらに、同様のディ
スクを90℃、相対湿度80%の条件で140時間放置
した。放置前と放置後のバイトエラーレートは、それぞ
れ2.5×10-5と2.8×10-5であり、ほとんど変
化がなく、また、剥離によるバースト欠陥などはみられ
なかった。When the jitter after overwriting 100,000 times was measured, it was 3.75, which was confirmed to be 11% of the window width and sufficiently small for practical use. The amplitude of the signal hardly changed compared to the amplitude of the signal after 10 times of overwriting, and no burst defect was observed. Further, recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was 1.5 × 10 −5 . In the recorded state, the substrate was dried (in the air without humidity control such as humidification) and left at 80 ° C. for 100 hours. After that, when the byte error rate of the same part was measured, it was 1.8.
There was almost no change at 10-5 . Further, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was almost unchanged at 2.1 × 10 −5 . The jitter at this time was 3.05 ns, which was a good value of 9% of the window width. Further, the same disk was left at 90 ° C. and a relative humidity of 80% for 140 hours. The byte error rates before and after standing were 2.5 × 10 −5 and 2.8 × 10 −5 , respectively, and there was almost no change, and no burst defect due to peeling was observed.
【0056】(実施例5)記録層と第2誘電体層の間に
厚さ2nmの炭素膜を挿入し、記録層の組成をGe16.2
Sb30.8Te53.2[すなわち{(Ge0.5Te0.5)
0.345(Sb0.4Te0. 6)0.655}0.941Sb0.059]とし
た以外は実施例1と同様にしてディスクを作製した。(Example 5) A carbon film having a thickness of 2 nm was inserted between the recording layer and the second dielectric layer, and the composition of the recording layer was changed to Ge 16.2
Sb 30.8 Te 53.2 [that is, Δ (Ge 0.5 Te 0.5 )
0.345 except that the (Sb 0.4 Te 0. 6) 0.655 } 0.941 Sb 0.059] was prepared disks in the same manner as in Example 1.
【0057】10万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、3.05nsであり、ウインドウ幅の9%
と実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、10
回オーバーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変化
がなく、バースト欠陥も見られなかった。また、このデ
ィスクに1回記録を行い、その時のバイトエラーレート
を測ったところ0.8×10-5であった。記録した状態
のまま、乾燥(加湿などの湿度調節を行っていない空気
中)、80℃の条件で100時間放置した。この後、同
じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、1.0
×10-5とほとんど変化がなかった。さらに、この部分
を1回オーバーライトしたところ、バイトエラーレート
は、0.8×10-5とほとんど変化がないことが確認で
きた。この時のジッタは、2.55nsであり、ウィン
ドウ幅の7.5%と良好な値であった。さらに、同様の
ディスクを90℃、相対湿度80%の条件で140時間
放置した。放置前と放置後のバイトエラーレートは、そ
れぞれ1.0×10-5と1.2×10-5であり、ほとん
ど変化がなく、また、剥離によるバースト欠陥などはみ
られなかった。The jitter measured after overwriting 100,000 times was 3.05 ns, which was 9% of the window width.
It was confirmed that it was small enough for practical use. The signal amplitude is 10
There was almost no change in the amplitude of the signal after the overwrite, and no burst defect was observed. Further, recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was 0.8 × 10 −5 . In the recorded state, the substrate was dried (in the air without humidity control such as humidification) and left at 80 ° C. for 100 hours. Thereafter, when the byte error rate of the same part was measured,
There was almost no change at 10-5 . Furthermore, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was 0.8 × 10 −5 and hardly changed. The jitter at this time was 2.55 ns, a good value of 7.5% of the window width. Further, the same disk was left at 90 ° C. and a relative humidity of 80% for 140 hours. The byte error rates before and after the standing were 1.0 × 10 −5 and 1.2 × 10 −5 , respectively, and there was almost no change, and no burst defect due to peeling was observed.
【0058】(実施例6)炭素ターゲットをスパッタす
る際の条件として、圧力0.2Pa、アルゴン:酸素=
9:1の混合ガスでスパッタを行い、厚さ2nmの炭素
と酸素を主成分とする膜を記録層と第2誘電体層との間
に挿入した以外は、実施例1と同様にしてディスクを作
製した。(Example 6) As conditions for sputtering a carbon target, a pressure of 0.2 Pa, argon: oxygen =
A disk was formed in the same manner as in Example 1 except that sputtering was performed with a 9: 1 mixed gas, and a film having a thickness of 2 nm and containing carbon and oxygen as main components was inserted between the recording layer and the second dielectric layer. Was prepared.
【0059】10万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、3.39nsであり、ウインドウ幅の10
%と実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、1
0回オーバーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変
化がなく、バースト欠陥も見られなかった。また、この
ディスクに1回記録を行い、その時のバイトエラーレー
トを測ったところ1.0×10-5であった。記録した状
態のまま、乾燥(加湿などの湿度調節を行っていない空
気中)、80℃の条件で100時間放置した。この後、
同じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、1.
0×10-5とほとんど変化がなかった。さらに、この部
分を1回オーバーライトしたところ、バイトエラーレー
トは、0.9×10-5とほとんど変化がないことが確認
できた。この時のジッタは、2.71nsであり、ウィ
ンドウ幅の8.0%と良好な値であった。さらに、同様
のディスクを90℃、相対湿度80%の条件で140時
間放置した。放置前と放置後のバイトエラーレートは、
それぞれ2.2×10-5と2.5×10-5であり、ほと
んど変化がなく、また、剥離によるバースト欠陥などは
みられなかった。When the jitter after 100,000 times of overwriting was measured, it was 3.39 ns.
%, Which was sufficiently small for practical use. The amplitude of the signal is 1
There was almost no change compared to the amplitude of the signal after 0 overwrites, and no burst defect was observed. Further, recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was 1.0 × 10 −5 . In the recorded state, the substrate was dried (in the air without humidity control such as humidification) and left at 80 ° C. for 100 hours. After this,
When the byte error rate of the same part was measured,
There was almost no change to 0 × 10 −5 . Furthermore, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was 0.9 × 10 −5 and hardly changed. The jitter at this time was 2.71 ns, which was a good value of 8.0% of the window width. Further, the same disk was left at 90 ° C. and a relative humidity of 80% for 140 hours. The byte error rates before and after
The values were 2.2 × 10 −5 and 2.5 × 10 −5 , respectively, and there was almost no change, and no burst defect due to peeling was observed.
【0060】(実施例7)炭素ターゲットをスパッタす
る際の条件として、圧力0.2Pa、アルゴン:酸素:
窒素=8:1:1の混合ガスでスパッタを行い、厚さ2
nmの炭素と酸素と窒素を主成分とする膜を記録層と第
2誘電体層との間に挿入した以外は、実施例1と同様に
してディスクを作製した。Example 7 Conditions for sputtering a carbon target were a pressure of 0.2 Pa, argon: oxygen:
Sputtering was performed with a mixed gas of nitrogen = 8: 1: 1, and the thickness was 2
A disc was produced in the same manner as in Example 1 except that a film mainly composed of carbon, oxygen and nitrogen of nm was inserted between the recording layer and the second dielectric layer.
【0061】10万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、3.41nsであり、ウインドウ幅の10
%と実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、1
0回オーバーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変
化がなく、バースト欠陥も見られなかった。また、この
ディスクに1回記録を行い、その時のバイトエラーレー
トを測ったところ2.5×10-5であった。記録した状
態のまま、乾燥(加湿などの湿度調節を行っていない空
気中)、80℃の条件で100時間放置した。この後、
同じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、3.
5×10-5とほとんど変化がなかった。さらに、この部
分を1回オーバーライトしたところ、バイトエラーレー
トは、2.5×10-5とほとんど変化がないことが確認
できた。この時のジッタは、2.72nsであり、ウィ
ンドウ幅の8.0%と良好な値であった。When the jitter after 100,000 times of overwriting was measured, it was 3.41 ns.
%, Which was sufficiently small for practical use. The amplitude of the signal is 1
There was almost no change compared to the amplitude of the signal after 0 overwrites, and no burst defect was observed. Further, recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was measured to be 2.5 × 10 −5 . In the recorded state, the substrate was dried (in the air without humidity control such as humidification) and left at 80 ° C. for 100 hours. After this,
The byte error rate of the same part was measured.
There was almost no change at 5 × 10 −5 . Further, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was almost unchanged at 2.5 × 10 −5 . The jitter at this time was 2.72 ns, which was a good value of 8.0% of the window width.
【0062】(実施例8)炭素層の厚さを0.5nmと
した他は実施例1と同様にしてディスクを作製した。1
0万回オーバーライト後のジッタを測定したところ、
3.77とウインドウは幅の11%と実用上十分小さい
ことが確認できた。信号の振幅は、10回オーバーライ
ト後の信号振幅と比べてほとんど変化が無く、バースト
欠陥も見られなかった。Example 8 A disk was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the carbon layer was changed to 0.5 nm. 1
When the jitter after overwriting 100,000 times was measured,
It was confirmed that the window was 3.77, which was 11% of the width, which was sufficiently small for practical use. The signal amplitude hardly changed compared to the signal amplitude after overwriting 10 times, and no burst defect was observed.
【0063】また、このディスクに1回記録を行い、そ
の時のバイトエラーレートを測ったところ2.0×10
-5であった。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節
を行っていない空気中、80℃の条件で100時間放置
した。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定し
たところ、3.5×10-5とほとんど変化がなかった。
さらに、この部分を1回オーバーライトしたところ、バ
イトエラーレートは、2.0×10-5とほとんど変化が
ないことが確認できた。この時のジッタは、2.75n
sであり、ウィンドウ幅の8.0%と良好な値であっ
た。The recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was measured.
-5 . In a state where the humidity was not adjusted such as humidification, the sample was left for 100 hours at 80 ° C. in the recorded state. After that, when the byte error rate of the same portion was measured, it was almost unchanged at 3.5 × 10 −5 .
Further, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was almost unchanged at 2.0 × 10 −5 . The jitter at this time is 2.75n
s, which was a good value of 8.0% of the window width.
【0064】(実施例9)炭素層の厚さを1.0nmと
した他は実施例1と同様にしてディスクを作製した。1
0万回オーバーライト後のジッタを測定したところ、
3.10とウインドウは幅の9.1%と実用上十分小さ
いことが確認できた。信号の振幅は、10回オーバーラ
イト後の信号振幅と比べてほとんど変化が無く、バース
ト欠陥も見られなかった。Example 9 A disk was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the carbon layer was changed to 1.0 nm. 1
When the jitter after overwriting 100,000 times was measured,
3.10, that is, 9.1% of the width of the window, was confirmed to be sufficiently small for practical use. The signal amplitude hardly changed compared to the signal amplitude after overwriting 10 times, and no burst defect was observed.
【0065】また、このディスクに1回記録を行い、そ
の時のバイトエラーレートを測ったところ3.0×10
-5であった。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節
を行っていない空気中、80℃の条件で100時間放置
した。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定し
たところ、3.5×10-5とほとんど変化がなかった。
さらに、この部分を1回オーバーライトしたところ、バ
イトエラーレートは、3.1×10-5とほとんど変化が
ないことが確認できた。この時のジッタは、2.82n
sであり、ウィンドウ幅の8.2%と良好な値であっ
た。Further, recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was measured.
-5 . In a state where the humidity was not adjusted such as humidification, the sample was left for 100 hours at 80 ° C. in the recorded state. After that, when the byte error rate of the same portion was measured, it was almost unchanged at 3.5 × 10 −5 .
Furthermore, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was 3.1 × 10 -5 and hardly changed. The jitter at this time is 2.82n
s, which was a good value of 8.2% of the window width.
【0066】(実施例10)炭素層の厚さを1.5nm
とした他は実施例1と同様にしてディスクを作製した。
10万回オーバーライト後のジッタを測定したところ、
3.05とウインドウは幅の8.9%と実用上十分小さ
いことが確認できた。信号の振幅は、10回オーバーラ
イト後の信号振幅と比べてほとんど変化が無く、バース
ト欠陥も見られなかった。Example 10 The thickness of the carbon layer was 1.5 nm.
A disk was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
Jitter was measured after overwriting 100,000 times.
It was confirmed that the window was 3.05 and 8.9% of the width was sufficiently small for practical use. The signal amplitude hardly changed compared to the signal amplitude after overwriting 10 times, and no burst defect was observed.
【0067】また、このディスクに1回記録を行い、そ
の時のバイトエラーレートを測ったところ1.0×10
-5であった。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節
を行っていない空気中、80℃の条件で100時間放置
した。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定し
たところ、1.5×10-5とほとんど変化がなかった。
さらに、この部分を1回オーバーライトしたところ、バ
イトエラーレートは、2.0×10-5とほとんど変化が
ないことが確認できた。この時のジッタは、2.65n
sであり、ウィンドウ幅の7.7%と良好な値であっ
た。The recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was measured.
-5 . In a state where the humidity was not adjusted such as humidification, the sample was left for 100 hours at 80 ° C. in the recorded state. Thereafter, when the byte error rate of the same portion was measured, it was almost unchanged at 1.5 × 10 −5 .
Further, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was almost unchanged at 2.0 × 10 −5 . The jitter at this time is 2.65n
s, which is a good value of 7.7% of the window width.
【0068】(実施例11)炭素層の厚さを5nmとし
た他は実施例1と同様にしてディスクを作製した。1千
回オーバーライト後に信号波形を観察したところ、バー
スト欠陥と見られるものが認められた。Example 11 A disk was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the carbon layer was changed to 5 nm. When the signal waveform was observed after overwriting 1,000 times, what was seen as a burst defect was recognized.
【0069】また、このディスクに1回記録を行い、そ
の時のバイトエラーレートを測ったところ2.0×10
-5であった。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節
を行っていない空気中、80℃の条件で100時間放置
した。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定し
たところ、3.5×10-5とほとんど変化がなかった。
さらに、この部分を1回オーバーライトしたところ、バ
イトエラーレートは、3.5×10-5とほとんど変化が
ないことが確認できた。この時のジッタは、2.90n
sであり、ウィンドウ幅の8.5%と良好な値であっ
た。The recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was measured.
-5 . In a state where the humidity was not adjusted such as humidification, the sample was left for 100 hours at 80 ° C. in the recorded state. After that, when the byte error rate of the same portion was measured, it was almost unchanged at 3.5 × 10 −5 .
Furthermore, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was 3.5 × 10 −5 and hardly changed. The jitter at this time is 2.90 n
s, which was a good value of 8.5% of the window width.
【0070】(実施例12)記録層の組成をGe35.7S
b12.6Te51.7[すなわち{(Ge0.5Te0.5)0. 728
(Sb0.4Te0.6)0.272}0.981Sb0.019]とした他
は実施例1と同様にしてディスクを作製した。Example 12 The composition of the recording layer was Ge 35.7 S
b 12.6 Te 51.7 [i.e. {(Ge 0.5 Te 0.5) 0. 728
(Sb 0.4 Te 0.6 ) A disk was manufactured in the same manner as in Example 1 except that 0.272 } 0.981 Sb 0.019 ] was used.
【0071】このディスクに1回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ1.1×10-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、80℃の条件で100時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、1.4×10-5とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を1回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、2.1×10-5とほとんど変化がない
ことが確認できた。この時のジッタは、2.73nsで
あり、ウィンドウ幅の8.0%と良好な値であった。Recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was 1.1 × 10 −5 . In a state where the humidity was not adjusted such as humidification, the sample was left for 100 hours at 80 ° C. in the recorded state.
After that, when the byte error rate of the same portion was measured, it was almost unchanged at 1.4 × 10 −5 . Further, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was almost unchanged at 2.1 × 10 −5 . The jitter at this time was 2.73 ns, a favorable value of 8.0% of the window width.
【0072】(実施例13)記録層の組成をGe33.9S
b15.6Te50.5[すなわち{(Ge0.5Te0.5)0. 710
(Sb0.4Te0.6)0.290}0.955Sb0.045]とし、第
1誘電体層、炭素層、記録層、炭素層、第2誘電体層、
反射層の厚みをそれぞれ、100nm、2nm、15n
m、2nm、18nm、150nmとした以外は、実施
例5と同様にして6層構成のディスクを作製した。(Example 13) The composition of the recording layer was Ge 33.9 S
b 15.6 Te 50.5 [i.e. {(Ge 0.5 Te 0.5) 0. 710
(Sb 0.4 Te 0.6 ) 0.290 } 0.955 Sb 0.045 ], a first dielectric layer, a carbon layer, a recording layer, a carbon layer, a second dielectric layer,
The thickness of the reflection layer is 100 nm, 2 nm, and 15 n, respectively.
A disk having a six-layer structure was produced in the same manner as in Example 5, except that the thicknesses were set to m, 2 nm, 18 nm, and 150 nm.
【0073】このディスクに1回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ2.0×10-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、80℃の条件で100時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、2.8×10-5とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を1回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、1.0×10-4と実用上問題がないと
確認できた。この時のジッタは、3.4nsであり、ウ
ィンドウ幅の10.0%と良好な値であった。Recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was 2.0 × 10 −5 . In a state where the humidity was not adjusted such as humidification, the sample was left for 100 hours at 80 ° C. in the recorded state.
After that, when the byte error rate of the same portion was measured, it was almost unchanged at 2.8 × 10 −5 . Further, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was 1.0 × 10 −4 and there was no practical problem. The jitter at this time was 3.4 ns, which was a favorable value of 10.0% of the window width.
【0074】(実施例14)記録層の組成をGe34.6S
b13.5Te51.9[すなわち{(Ge0.5Te0.5)0. 706
(Sb0.4Te0.6)0.294}0.980Sb0.020]とした以
外は、実施例13と同様にしてディスクを作製した。Example 14 The composition of the recording layer was Ge 34.6 S
b 13.5 Te 51.9 [i.e. {(Ge 0.5 Te 0.5) 0. 706
(Sb 0.4 Te 0.6 ) A disk was prepared in the same manner as in Example 13, except that 0.294 { 0.980 Sb 0.020 ].
【0075】このディスクに1回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ7.05×10-5で
あった。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行
っていない空気中、80℃の条件で100時間放置し
た。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定した
ところ、1.00×10-4とほとんど変化がなかった。
さらに、この部分を1回オーバーライトしたところ、バ
イトエラーレートは、1.27×10-4と実用上問題が
ないと確認できた。この時のジッタは、3.4nsであ
り、ウィンドウ幅の10.0%と良好な値であった。Recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was measured to be 7.05 × 10 −5 . In a state where the humidity was not adjusted such as humidification, the sample was left for 100 hours at 80 ° C. in the recorded state. After that, when the byte error rate of the same portion was measured, it was almost unchanged at 1.00 × 10 −4 .
Furthermore, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was 1.27 × 10 −4, which is practically no problem. The jitter at this time was 3.4 ns, which was a favorable value of 10.0% of the window width.
【0076】(実施例15)記録層の組成をGe37.0S
b11.0Te52.0[すなわち{(Ge0.5Te0.5)0. 747
(Sb0.4Te0.6)0.253}0.990Sb0.010]とした以
外は、実施例13と同様にしてディスクを作製した。Example 15 The composition of the recording layer was Ge 37.0 S
b 11.0 Te 52.0 [i.e. {(Ge 0.5 Te 0.5) 0. 747
A disc was prepared in the same manner as in Example 13, except that (Sb 0.4 Te 0.6 ) 0.253 { 0.990 Sb 0.010 ].
【0077】このディスクに1回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ1.78×10-4で
あった。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行
っていない空気中、80℃の条件で100時間放置し
た。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定した
ところ、3.15×10-4と実用上問題が無いことを確
認した。さらに、この部分を1回オーバーライトしたと
ころ、バイトエラーレートは、4.14×10-4と実用
上問題がないと確認できた。この時のジッタは、3.9
nsであり、ウィンドウ幅の11.3%であった。Recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was 1.78 × 10 −4 . In a state where the humidity was not adjusted such as humidification, the sample was left for 100 hours at 80 ° C. in the recorded state. Thereafter, when the byte error rate of the same portion was measured, it was confirmed that there was no practical problem of 3.15 × 10 −4 . Further, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was 4.14 × 10 −4, which is practically no problem. The jitter at this time is 3.9
ns, which is 11.3% of the window width.
【0078】(実施例16)記録層の組成をGe40.4S
b8.4Te51.2[すなわち{(Ge0.5Te0.5)
0.8 18(Sb0.4Te0.6)0.182}0.988Sb0.012]とし
た以外は、実施例13と同様にしてディスクを作製し
た。Example 16 The composition of the recording layer was Ge 40.4 S
b8.4 Te 51.2 [that is, {(Ge 0.5 Te 0.5 )
Except for using 0.8 18 (Sb 0.4 Te 0.6) 0.182} 0.988 Sb 0.012], to prepare a disk in the same manner as in Example 13.
【0079】このディスクに1回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ1.57×10-3で
あった。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行
っていない空気中、80℃の条件で100時間放置し
た。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定した
ところ、1.9×10-3となった。さらに、この部分を
1回オーバーライトしたところ、バイトエラーレート
は、1.39×10-3と、オーバーライト前後でエラー
レートが悪化することはなかった。この時のジッタは、
4.5nsであり、ウィンドウ幅の13.1%であっ
た。Recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was 1.57 × 10 −3 . In a state where the humidity was not adjusted such as humidification, the sample was left for 100 hours at 80 ° C. in the recorded state. Thereafter, when the byte error rate of the same portion was measured, it was 1.9 × 10 −3 . Further, when this portion was overwritten once, the byte error rate was 1.39 × 10 −3, and the error rate before and after overwriting did not deteriorate. The jitter at this time is
4.5 ns, which was 13.1% of the window width.
【0080】(実施例17)実施例5における、記録層
と第2誘電体層の間の炭素層を厚さ2nmのGeN 1.2
に置き換えた以外は、実施例5と同様なディスクを作製
した。なお、Ge(ゲルマニウム)とN(窒素)の比
(x=1.2)は、ラザフォード後方散乱法を用いて測
定した。GeN1.2は、アルゴンと窒素の混合ガス雰囲
気中でGeのターゲットをスパッタすることによって作
製した。(Embodiment 17) Recording layer in Embodiment 5
The carbon layer between the first dielectric layer and the second dielectric layer is 1.2
A disk similar to that of Example 5 was prepared except that the disk was replaced with
did. The ratio of Ge (germanium) to N (nitrogen)
(X = 1.2) is measured using Rutherford backscattering method.
Specified. GeN1.2Is a mixed gas atmosphere of argon and nitrogen
Made by sputtering a Ge target in the air
Made.
【0081】10万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、3.12nsとウィンドウ幅の9.1%と
実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、10回
オーバーライト後の振幅と比べてほとんど変化無く、バ
ースト欠陥も見られなかった。When the jitter after 100,000 times of overwriting was measured, it was confirmed that it was 3.12 ns, 9.1% of the window width, which was sufficiently small for practical use. The amplitude of the signal hardly changed compared to the amplitude after 10 times of overwriting, and no burst defect was observed.
【0082】このディスクに1回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ1.4×10-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、80℃の条件で100時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、1.5×10-5とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を1回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、1.6×10-5とほとんど変化が無い
ことが確認できた。この時のジッタは、2.7nsであ
り、ウィンドウ幅の8.0%と良好な値であった。さら
に、同様のディスクを90℃、相対湿度80%の条件で
140時間放置した。放置前と放置後のバイトエラーレ
ートはそれぞれ1.8×10-5と1.9×10-5であり
ほとんど変化がなかった。また、剥離によるバースト欠
陥なども見られなかった。Recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was 1.4 × 10 -5 . In a state where the humidity was not adjusted such as humidification, the sample was left for 100 hours at 80 ° C. in the recorded state.
Thereafter, when the byte error rate of the same portion was measured, it was almost unchanged at 1.5 × 10 −5 . Furthermore, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was 1.6 × 10 −5 and hardly changed. The jitter at this time was 2.7 ns, which was a good value of 8.0% of the window width. Further, the same disk was left at 90 ° C. and a relative humidity of 80% for 140 hours. The byte error rates before and after the standing were 1.8 × 10 −5 and 1.9 × 10 −5 , respectively, and there was almost no change. Also, no burst defect due to peeling was observed.
【0083】(実施例18)第1誘電体層、炭素層、記
録層、GeN1.2からなる層、第2誘電体層、反射層の
層構成とし、各層の厚みをそれぞれ、100nm、2n
m、15nm、2nm、18nm、150nmとした以
外は、実施例13と同様なディスクを作製した。[0083] (Example 18) a first dielectric layer, carbon layer, recording layer, a layer made of GeN 1.2, the second dielectric layer, the layer structure of the reflective layer, each layer of the thickness, respectively, 100 nm, 2n
A disc similar to that of Example 13 was produced except that m, 15 nm, 2 nm, 18 nm, and 150 nm were used.
【0084】このディスクに1回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ1.0×10-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、80℃の条件で100時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、1.0×10-5とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を1回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、1.8×10-5と実用上問題がないと
確認できた。この時のジッタは、3.0nsであり、ウ
ィンドウ幅の8.8%と良好な値であった。Recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was 1.0 × 10 −5 . In a state where the humidity was not adjusted such as humidification, the sample was left for 100 hours at 80 ° C. in the recorded state.
Thereafter, when the byte error rate of the same portion was measured, it was almost unchanged at 1.0 × 10 −5 . Further, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was 1.8 × 10 −5 and there was no practical problem. The jitter at this time was 3.0 ns, which was a good value of 8.8% of the window width.
【0085】(実施例19)記録層の組成を実施例14
と同一に、また、層構成を実施例18と同一にしたディ
スクを作製した。(Example 19) The composition of the recording layer was changed to that of Example 14.
A disc having the same layer structure as that of Example 18 was produced.
【0086】このディスクに1回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ6.0×10-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、80℃の条件で100時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、8.0×10-4とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を1回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、1.0×10-4と実用上問題がないと
確認できた。この時のジッタは、3.2nsであり、ウ
ィンドウ幅の9.4%と良好な値であった (実施例20)記録層の組成を実施例15と同一に、ま
た、層構成を実施例18と同一にしたディスクを作製し
た。Recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was measured to be 6.0 × 10 −5 . In a state where the humidity was not adjusted such as humidification, the sample was left for 100 hours at 80 ° C. in the recorded state.
After that, when the byte error rate of the same portion was measured, it was almost unchanged at 8.0 × 10 −4 . Further, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was 1.0 × 10 −4 and there was no practical problem. The jitter at this time was 3.2 ns, which was a good value of 9.4% of the window width. (Example 20) The composition of the recording layer was the same as that of Example 15, and the layer configuration was Example. A disc identical to No. 18 was produced.
【0087】このディスクに1回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ1.81×10-4で
あった。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行
っていない空気中、80℃の条件で100時間放置し
た。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定した
ところ、2.12×10-4と実用上問題が無いことを確
認した。さらに、この部分を1回オーバーライトしたと
ころ、バイトエラーレートは、3.22×10-4と実用
上問題がないと確認できた。この時のジッタは、3.6
nsであり、ウィンドウ幅の10.6%であった。Recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was 1.81 × 10 −4 . In a state where the humidity was not adjusted such as humidification, the sample was left for 100 hours at 80 ° C. in the recorded state. Thereafter, when the byte error rate of the same portion was measured, it was confirmed that there was no practical problem of 2.12 × 10 −4 . Further, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was 3.22 × 10 −4, which is practically no problem. The jitter at this time is 3.6
ns, which was 10.6% of the window width.
【0088】(実施例21)記録層の組成を実施例16
と同一に、また、層構成を実施例18と同一にしたディ
スクを作製した。Example 21 The composition of the recording layer was changed to that of Example 16.
A disc having the same layer structure as that of Example 18 was produced.
【0089】このディスクに1回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ1.18×10-3で
あった。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行
っていない空気中、80℃の条件で100時間放置し
た。この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定した
ところ、1.50×10-3となった。さらに、この部分
を1回オーバーライトしたところ、バイトエラーレート
は、1.41×10-3と、オーバーライト前後でエラー
レートが悪化することはなかった。この時のジッタは、
4.4nsであり、ウィンドウ幅の12.9%であっ
た。Recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was 1.18 × 10 −3 . In a state where the humidity was not adjusted such as humidification, the sample was left for 100 hours at 80 ° C. in the recorded state. Thereafter, when the byte error rate of the same portion was measured, it was 1.50 × 10 −3 . Furthermore, when this portion was overwritten once, the byte error rate was 1.41 × 10 −3, and the error rate before and after overwriting did not deteriorate. The jitter at this time is
4.4 ns, 12.9% of the window width.
【0090】(実施例22)記録層と第2誘電体層の間
の窒化ゲルマニウムをGeN0.7とした以外は、実施例
17と同様なディスクを作製した。Example 22 A disk was manufactured in the same manner as in Example 17 except that GeN 0.7 was used as the germanium nitride between the recording layer and the second dielectric layer.
【0091】10万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、3.40nsとウィンドウ幅の10.0%
と実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、10
回オーバーライト後の振幅と比べてほとんど変化無く、
バースト欠陥も見られなかった。The jitter after overwriting 100,000 times was measured to be 3.40 ns, 10.0% of the window width.
It was confirmed that it was small enough for practical use. The signal amplitude is 10
There is almost no change compared to the amplitude after overwriting
No burst defects were seen.
【0092】このディスクに1回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ2.5×10-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、80℃の条件で100時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、2.4×10-5とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を1回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、2.6×10-5とほとんど変化が無い
ことが確認できた。この時のジッタは、2.8nsであ
り、ウィンドウ幅の8.2%と良好な値であった。さら
に、同様のディスクを90℃、相対湿度80%の条件で
140時間放置した。放置前と放置後のバイトエラーレ
ートはそれぞれ2.8×10-5と3.1×10-5であり
ほとんど変化がなかった。また、剥離によるバースト欠
陥なども見られなかった。Recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was 2.5 × 10 −5 . In a state where the humidity was not adjusted such as humidification, the sample was left for 100 hours at 80 ° C. in the recorded state.
Thereafter, when the byte error rate of the same portion was measured, there was almost no change of 2.4 × 10 −5 . Further, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was 2.6 × 10 -5 and hardly changed. The jitter at this time was 2.8 ns, which was a good value of 8.2% of the window width. Further, the same disk was left at 90 ° C. and a relative humidity of 80% for 140 hours. The byte error rates before and after standing were 2.8 × 10 −5 and 3.1 × 10 −5 , respectively, and there was almost no change. Also, no burst defect due to peeling was observed.
【0093】(実施例23)記録層と第2誘電体層の間
の窒化ゲルマニウムをGeN0.3とした以外は、実施例
17と同様なディスクを作製した。Example 23 A disk was manufactured in the same manner as in Example 17 except that germanium nitride between the recording layer and the second dielectric layer was changed to GeN 0.3 .
【0094】このディスクの繰り返しオーバーライト特
性を評価したところ、3000回でバースト欠陥らしき
ものが認められた。When the repetitive overwrite characteristics of this disk were evaluated, a defect likely to be a burst defect was recognized at 3000 times.
【0095】このディスクに1回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ3.3×10-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、80℃の条件で100時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、3.5×10-5とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を1回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、4.6×10-5とほとんど変化が無い
ことが確認できた。この時のジッタは、3.40nsで
あり、ウィンドウ幅の10.0%と良好な値であった。
さらに、同様のディスクを90℃、相対湿度80%の条
件で140時間放置した。放置前と放置後のバイトエラ
ーレートはそれぞれ4.0×10-5と4.1×10-5で
ありほとんど変化がなかった。また、剥離によるバース
ト欠陥なども見られなかった。Recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was 3.3 × 10 -5 . In a state where the humidity was not adjusted such as humidification, the sample was left for 100 hours at 80 ° C. in the recorded state.
After that, when the byte error rate of the same portion was measured, it was almost unchanged at 3.5 × 10 −5 . Further, when this portion was overwritten once, it was confirmed that the byte error rate was 4.6 × 10 -5 and hardly changed. The jitter at this time was 3.40 ns, a favorable value of 10.0% of the window width.
Further, the same disk was left at 90 ° C. and a relative humidity of 80% for 140 hours. The byte error rates before and after the standing were 4.0 × 10 −5 and 4.1 × 10 −5 , respectively, and there was almost no change. Also, no burst defect due to peeling was observed.
【0096】(実施例24)記録層と第2誘電体層の間
の窒化ゲルマニウムをGeN1.33とした以外は、実施例
17と同様なディスクを作製した。(Example 24) A disk similar to that of Example 17 was produced except that germanium nitride between the recording layer and the second dielectric layer was changed to GeN 1.33 .
【0097】10万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、3.40nsとウィンドウ幅の10.0%
と実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、10
回オーバーライト後の振幅と比べてほとんど変化無く、
バースト欠陥も見られなかった。The jitter after overwriting 100,000 times was measured to be 3.40 ns, 10.0% of the window width.
It was confirmed that it was small enough for practical use. The signal amplitude is 10
There is almost no change compared to the amplitude after overwriting
No burst defects were seen.
【0098】このディスクに1回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ4.9×10-5であ
った。記録した状態のまま、加湿などの湿度調節を行っ
ていない空気中、80℃の条件で100時間放置した。
この後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したとこ
ろ、5.5×10-5とほとんど変化がなかった。さら
に、この部分を1回オーバーライトしたところ、バイト
エラーレートは、3.1×10-4と若干悪化した。この
時のジッタは、4.08nsであり、ウィンドウ幅の1
2.0%であった。さらに、同様のディスクを90℃、
相対湿度80%の条件で140時間放置した。放置前と
放置後のバイトエラーレートはそれぞれ1.8×10-5
と3.1×10-4でありほとんど変化がなかった。ま
た、バースト欠陥も見られなかった。 (実施例25)厚さ0.6mm、直径12cm、1.2
3μmピッチ(ランド幅0.615μm、グルーブ幅
0.615μm)のスパイラルグルーブ付きポリカーボ
ネート製基板を毎分30回転で回転させながら、スパッ
タを行った。まず、真空容器内を1×10-3Paまで排
気した後、2×10-1PaのArガス雰囲気中でSiO
2を20mol%添加したZnSをスパッタし、基板上
に膜厚92nmの第1誘電体層を形成した。次に炭素タ
ーゲットをスパッタし、炭素からなる層を2nm形成し
た。続いて、Ge、Sb、Teからなる合金ターゲット
をスパッタして、厚さ12nm、組成Ge27.6Sb18.5
Te53.9[すなわち{(Ge0.5Te0.5)0. 558(Sb
0.4Te0.6)0.442}0.99Sb0.01]の記録層を得た。
さらに炭素ターゲットをスパッタし、炭素からなる厚さ
2nmの層を作製した。第2誘電体層として第1誘電体
層と同じZnS・SiO2をスパッタして、23nm形
成し、この上に、Al97.5Cr2.5合金をスパッタして
膜厚90nmの反射層を形成した。このディスクを真空
容器より取り出した後、この反射層上にアクリル系紫外
線硬化樹脂を(大日本インキ(株)製SD−101)を
スピンコートし、紫外線照射により硬化させて膜厚3μ
mの樹脂層を形成し、次にスクリーン印刷機を用いて遅
効性の紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射した後、
同様に作製したディスク2枚を貼り合わせて本発明の光
記録媒体を得た。Recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was 4.9 × 10 −5 . In a state where the humidity was not adjusted such as humidification, the sample was left for 100 hours at 80 ° C. in the recorded state.
After that, when the byte error rate of the same portion was measured, it was almost unchanged at 5.5 × 10 −5 . Further, when this portion was overwritten once, the byte error rate was slightly deteriorated to 3.1 × 10 −4 . The jitter at this time is 4.08 ns, and the window width is 1
2.0%. Furthermore, the same disk was heated at 90 ° C,
It was left for 140 hours under the condition of a relative humidity of 80%. The byte error rates before and after leaving are 1.8 × 10 -5 respectively.
And 3.1 × 10 −4 , and there was almost no change. Also, no burst defects were found. (Example 25) Thickness 0.6 mm, diameter 12 cm, 1.2
Sputtering was performed while rotating a polycarbonate substrate with a spiral groove having a pitch of 3 μm (land width 0.615 μm, groove width 0.615 μm) at 30 revolutions per minute. First, the inside of the vacuum vessel is evacuated to 1 × 10 -3 Pa, and then SiO 2 is evacuated in an Ar gas atmosphere of 2 × 10 -1 Pa.
ZnS to which 2 mol% was added was sputtered to form a first dielectric layer having a thickness of 92 nm on the substrate. Next, a carbon target was sputtered to form a carbon layer having a thickness of 2 nm. Subsequently, an alloy target made of Ge, Sb, and Te is sputtered to have a thickness of 12 nm and a composition of Ge 27.6 Sb 18.5.
Te 53.9 [i.e. {(Ge 0.5 Te 0.5) 0. 558 (Sb
0.4 Te 0.6 ) 0.442 { 0.99 Sb 0.01 ].
Further, a carbon target was sputtered to produce a layer of carbon having a thickness of 2 nm. As the second dielectric layer, the same ZnS.SiO 2 as that of the first dielectric layer was sputtered to form a 23 nm film, and an Al 97.5 Cr 2.5 alloy was sputtered thereon to form a 90 nm thick reflective layer. After the disk was taken out of the vacuum container, an acrylic UV curable resin (SD-101 manufactured by Dainippon Ink Co., Ltd.) was spin-coated on the reflective layer and cured by UV irradiation to form a film having a thickness of 3 μm.
m resin layer, then apply a slow-acting UV curable resin using a screen printer, and irradiate with UV light,
Two optical disks produced in the same manner were adhered to obtain an optical recording medium of the present invention.
【0099】このディスクの記録特性評価を条件2で行
った。10回オーバーライト記録を行い、ジッタを測定
したところ、1.58nsであり、ウインドウ幅の9.
3%と良好な値であった。記録した状態のまま、加湿な
どの湿度調節を行っていない空気中、80℃の条件で1
00時間放置した。この後、同じ部分のジッタを測定し
たところ、1.58nsと変化がなかった。さらに、こ
の部分を1回オーバーライトしたところ、ジッタは2.
01nsで、ウインドウ幅の11.8%と良好な値で実
用上問題がないと確認できた。 (実施例26)実施例25における、記録層と第2誘電
体層層の間の炭素層を厚さ2nmのGeN1.2に置き換
えた以外は実施例25と同様にしてディスクを作製し
た。The recording characteristics of this disk were evaluated under condition 2. The overwrite recording was performed 10 times, and the jitter was measured.
It was a good value of 3%. While recording, in the air without humidity control such as humidification, 1
It was left for 00 hours. Thereafter, when the jitter of the same portion was measured, there was no change at 1.58 ns. Furthermore, when this portion was overwritten once, the jitter was 2.
It was confirmed that there was no practical problem with a good value of 11.8% of the window width at 01 ns. Example 26 A disk was manufactured in the same manner as in Example 25 except that the carbon layer between the recording layer and the second dielectric layer was replaced with GeN 1.2 having a thickness of 2 nm.
【0100】このディスクの記録特性評価を条件2で行
った。10回オーバーライト記録を行い、ジッタを測定
したところ、1.50nsであり、ウインドウ幅の8.
8%と良好な値であった。記録した状態のまま、加湿な
どの湿度調節を行っていない空気中、80℃条件で10
0時間放置した。この後、同じ部分のジッタを測定した
ところ、1.50nsと変化がなかった。さらに、この
部分を1回オーバーライトしたところ、ジッタは2.0
0nsで、ウインドウ幅の11.8%と良好な値で実用
上問題がないと確認できた。The recording characteristics of this disk were evaluated under condition 2. When overwrite recording was performed 10 times and the jitter was measured, it was 1.50 ns, and the window width was 8.
It was a good value of 8%. As recorded, in air without humidity control such as humidification, 80 ° C
Left for 0 hours. After that, when the jitter of the same portion was measured, there was no change of 1.50 ns. Furthermore, when this portion was overwritten once, the jitter was 2.0
At 0 ns, it was confirmed that there was no practical problem with a good value of 11.8% of the window width.
【0101】(比較例1)厚さ0.6mm、直径12c
m、1.48μmピッチ(ランド幅0.74μm、グル
ーブ幅0.74μm)のスパイラルグルーブ付きポリカ
ーボネート製基板を毎分30回転で回転させながら、ス
パッタを行った。まず、真空容器内を1×10-3Paま
で排気した後、0.2PaのArガス零囲気中でSiO
2 を20mol%添加したZnSをスパッタし、基板上
に膜厚95nmの第1誘電体層を形成した。続いて、G
e、Sb、Teからなる合金ターゲットをスパッタし
て、厚さ20nm、組成Ge17.1Sb27.6Te55.3の記
録層を得た。さらに第2誘電体層として第1誘電体層と
同じZnS・SiO2をスパッタして、16nm形成
し、この上に、Al97.5Cr2.5合金をスパッタして膜
厚150nmの反射層を形成した。このディスクを真空
容器より取り出した後、この反射層上にアクリル系紫外
線硬化樹脂(大日本インキ(株)製SD−101)をス
ピンコートし、紫外線照射により硬化させて膜厚3μm
の樹脂層を形成し、次にスクリーン印刷機を用いて遅効
性の紫外線効果効果樹脂を塗布し、紫外線を照射した
後、同様に作製したディスク2枚を貼り合わせて光記録
媒体を得た。(Comparative Example 1) Thickness 0.6 mm, diameter 12c
Sputtering was performed while rotating a polycarbonate substrate with a spiral groove having a pitch of 1.48 μm (land width 0.74 μm, groove width 0.74 μm) at 30 revolutions per minute. First, the inside of the vacuum vessel was evacuated to 1 × 10 −3 Pa, and then SiO 2 was introduced in an atmosphere of Ar gas of 0.2 Pa.
A first dielectric layer having a thickness of 95 nm was formed on the substrate by sputtering ZnS to which 20 mol% of 2 was added. Then G
An alloy target composed of e, Sb, and Te was sputtered to obtain a recording layer having a thickness of 20 nm and a composition of Ge 17.1 Sb 27.6 Te 55.3 . Further, as the second dielectric layer, the same ZnS.SiO 2 as that of the first dielectric layer was sputtered to have a thickness of 16 nm, and an Al 97.5 Cr 2.5 alloy was sputtered thereon to form a reflective layer having a thickness of 150 nm. After the disk was taken out of the vacuum container, an acrylic UV-curable resin (SD-101, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) was spin-coated on the reflective layer, and cured by UV irradiation to a film thickness of 3 μm
Was formed, and then a slow-acting UV-effect resin was applied using a screen printer, and after irradiating with UV rays, two discs produced in the same manner were laminated to obtain an optical recording medium.
【0102】実施例1と同様な測定を行ったところ、1
0万回オーバーライト後のジッタは4.77nsであ
り、ウィンドウ幅の14%と大きく、信号の振幅は10
回オーバーライト後の振幅の70%であり、コントラス
トが低下していた。また、1回記録を行ったときのエラ
ーレートは4.0×10-5であった。実施例1と同様
に、乾燥(加湿などの湿度調節を行っていない空気
中)、80℃の条件で100時間放置した。この後、同
じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、3.0
×10-5とほとんど変化がなかった。ところが、この部
分を1回オーバーライトしたところ、エラーとなりバイ
トエラーレートが測れないほど劣化した。エラーの原因
はジッタの悪化によるもので、この時のジッタは6.1
3nsであり、ウィンドウ幅の18%程度であった。The same measurement as in Example 1 was performed.
The jitter after overwriting 100,000 times is 4.77 ns, which is as large as 14% of the window width, and the signal amplitude is 10%.
The amplitude was 70% of the amplitude after overwriting twice, and the contrast was low. The error rate after one recording was 4.0 × 10 −5 . As in Example 1, the sample was dried (in the air without humidity control such as humidification) and left at 80 ° C. for 100 hours. Thereafter, when the byte error rate of the same part was measured, it was 3.0.
There was almost no change at 10-5 . However, when this portion was overwritten once, an error occurred and the byte error rate deteriorated so that the byte error rate could not be measured. The cause of the error is due to the deterioration of the jitter, and the jitter at this time is 6.1.
3 ns, which was about 18% of the window width.
【0103】(比較例2)厚さ2nmの炭素層を記録層
と第2誘電体層の間に設けた以外は、比較例1と同様に
してディスクを作製した。実施例1と同様な測定を行っ
たところ、10万回オーバーライト後のジッタは5.0
9nsであり、15%と大きく、信号の振幅は10回オ
ーバーライト後の振幅の65%であり、コントラストが
低下していた。また、1回記録を行ったときのエラーレ
ートは、1.8×10-5であった。実施例1と同様に、
乾燥(加湿などの湿度調節を行っていない空気中)、8
0℃の条件で100時間放置した。この後、同じ部分の
バイトエラーレートを測定したところ、2.4×10-5
とほとんど変化がなかった。ところが、この部分を1回
オーバーライトしたところ、エラーとなりバイトエラー
レートが測れないほど劣化した。この時の、ジッタを測
ったところ、6.46nsであり、ウィンドウ幅の19
%程度であった。Comparative Example 2 A disc was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that a carbon layer having a thickness of 2 nm was provided between the recording layer and the second dielectric layer. When the same measurement as in Example 1 was performed, the jitter after overwriting 100,000 times was 5.0.
9 ns, which was as large as 15%, the signal amplitude was 65% of the amplitude after 10 times of overwriting, and the contrast was low. The error rate after one recording was 1.8 × 10 −5 . As in Example 1,
Drying (in air without humidity control such as humidification), 8
It was left for 100 hours at 0 ° C. After that, the byte error rate of the same part was measured to be 2.4 × 10 −5.
And there was almost no change. However, when this portion was overwritten once, an error occurred and the byte error rate deteriorated so that the byte error rate could not be measured. When the jitter at this time was measured, it was 6.46 ns, and the window width of 19
%.
【0104】(比較例3)比較例1の第2誘電体層を取
り除き、かつ、記録層と反射層の間に厚さ18nmの炭
素層を設けたディスクを作製した。なお、炭素層は、
0.2PaのArガス零囲気中で炭素ターゲットをスパ
ッタすることによって成膜した。Comparative Example 3 A disk was prepared in which the second dielectric layer of Comparative Example 1 was removed and a carbon layer having a thickness of 18 nm was provided between the recording layer and the reflective layer. The carbon layer is
The film was formed by sputtering a carbon target in an atmosphere of Ar gas of 0.2 Pa.
【0105】実施例1と同様な測定を行ったところ、1
0万回オーバーライト後のジッタは5.11nsであ
り、15%と大きく、信号の振幅は10回オーバーライ
ト後の振幅の60%であり、コントラストが低下してい
た。また、このディスクを温度90℃、相対湿度80%
の条件下に140時間放置したところ、第2誘電体層と
記録層の間での剥離と思われるバースト欠陥が観察され
た。The same measurement as in Example 1 was performed.
The jitter after overwriting 10,000 times was 5.11 ns, which was as large as 15%, the amplitude of the signal was 60% of the amplitude after overwriting 10 times, and the contrast was low. The disc was heated at a temperature of 90 ° C. and a relative humidity of 80%.
Was left for 140 hours under the above conditions, a burst defect was observed, which was considered to be separation between the second dielectric layer and the recording layer.
【0106】(比較例4)比較例1の第2誘電体層を取
り除き、かつ、記録層と反射層の間に厚さ18nm炭素
と酸素を主成分とする膜を設けたディスクを作製した。
なお、炭素と酸素を主成分とする膜は、炭素ターゲット
を圧力0.2Pa、アルゴン:酸素=9:1の混合ガス
の雰囲気下でスパッタして、成膜した。(Comparative Example 4) A disc was prepared in which the second dielectric layer of Comparative Example 1 was removed, and a film mainly composed of carbon and oxygen was provided with a thickness of 18 nm between the recording layer and the reflective layer.
Note that the film containing carbon and oxygen as main components was formed by sputtering a carbon target under an atmosphere of a mixed gas of pressure of 0.2 Pa and argon: oxygen = 9: 1.
【0107】実施例1と同様な測定を行ったところ、1
0万回オーバーライト後のジッタは4.75nsであ
り、ウィンドウ幅の14%と大きく、信号の振幅は10
回オーバーライト後の振幅の65%であり、コントラス
トが低下していた。また、このディスクを温度90℃、
相対湿度80%の条件下に140時間放置したところ、
第2誘電体層と記録層の間での剥離と思われるバースト
欠陥が観察された。The same measurement as in Example 1 was performed.
The jitter after overwriting 100,000 times is 4.75 ns, which is as large as 14% of the window width, and the signal amplitude is 10%.
The amplitude was 65% of the amplitude after the overwriting twice, and the contrast was low. In addition, the temperature of this disk is 90 ° C,
When left for 140 hours under the condition of a relative humidity of 80%,
Burst defects which seemed to be peeling between the second dielectric layer and the recording layer were observed.
【0108】(比較例5)記録層の組成をGe2Sb2T
e5[すなわち(Ge0.5Te0.5)0.444(Sb0. 4Te
0.6)0.556]とした以外は、実施例1と同様にしてディ
スクを得た。Comparative Example 5 The composition of the recording layer was Ge 2 Sb 2 T
e 5 [i.e. (Ge 0.5 Te 0.5) 0.444 ( Sb 0. 4 Te
0.6 ) 0.556 ], and a disk was obtained in the same manner as in Example 1.
【0109】10万回オーバーライト後のジッタを測定
したところ、4.08nsであり、ウインドウ幅の12
%と実用上十分小さいと確認できた。信号の振幅は、1
0回オーバーライト後の信号の振幅と比べてほとんど変
化がなく、バースト欠陥も見られなかった。When the jitter after 100,000 times of overwriting was measured, it was 4.08 ns.
%, Which was sufficiently small for practical use. The amplitude of the signal is 1
There was almost no change compared to the amplitude of the signal after 0 overwrites, and no burst defect was observed.
【0110】また、このディスクに1回記録を行い、そ
の時のバイトエラーレートを測ったところ2.5×10
-5であった。記録した状態のまま、90℃、相対湿度8
0%の条件で140時間放置した。この後、同じ部分の
バイトエラーレートを測定したところ、9.0×10-3
と大きく劣化した。再生波形を観察したところ、振幅が
低下しており、非晶部の一部が結晶化しているものと推
定された。The recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was measured.
-5 . 90 ° C., relative humidity 8 as recorded
It was left for 140 hours under the condition of 0%. Thereafter, when the byte error rate of the same portion was measured, it was found to be 9.0 × 10 −3.
And greatly deteriorated. When the reproduced waveform was observed, it was presumed that the amplitude was reduced and a part of the amorphous part was crystallized.
【0111】また、記録層の組成をGe1Sb2Te
4[すなわち(Ge0.5Te0.5)0.287(Sb0.4T
e0.6)0.714]としても、90℃、相対湿度80%の条
件で140時間放置すると、バイトエラーレートか5.
0×10-3から、2.0×10-2へと大きく劣化し、ア
ーカイバル特性が不十分であった。The composition of the recording layer was Ge 1 Sb 2 Te.
4 [ie (Ge 0.5 Te 0.5 ) 0.287 (Sb 0.4 T
e 0.6 ) 0.714 ], a byte error rate of 5.50 if left at 90 ° C. and a relative humidity of 80% for 140 hours.
It deteriorated greatly from 0 × 10 −3 to 2.0 × 10 −2 , and the archival characteristics were insufficient.
【0112】(比較例6)記録層の組成をGe14.0Sb
36.0Te50.0[すなわち{(Ge0.5Te0.5)
0. 318(Sb0.4Te0.6)0.682}0.880Sb0.120]とし
た以外は、実施例1と同様にしてディスクを得た。10
回オーバーライト後のジッタを測定したところ、最小で
6.83nsとウインドウ幅の20%しか得られなかっ
た。この原因は、消去特性が悪いためであると推定され
た。Comparative Example 6 The composition of the recording layer was Ge 14.0 Sb
36.0 Te 50.0 [that is, {(Ge 0.5 Te 0.5 )
Except that the 0. 318 (Sb 0.4 Te 0.6) 0.682} 0.880 Sb 0.120] , thereby obtaining the disks in the same manner as in Example 1. 10
When the jitter after the overwriting was measured twice, it was found that the minimum was 6.83 ns and only 20% of the window width was obtained. This was presumed to be due to poor erasing characteristics.
【0113】(比較例7)記録層の組成をGe42.0Sb
9.0Te49.0[すなわち{(Ge0.5Te0.5)0.8 78(S
b0.4Te0.6)0.122}0.957Sb0.043]とした以外
は、実施例1と同様にしてディスクを得た。10回オー
バーライト後のジッタを測定したところ、最小で6.8
1nsとウインドウ幅の20%しか得られなかった。こ
の原因は、消去特性が悪いためであると推定された。Comparative Example 7 The composition of the recording layer was Ge 42.0 Sb
9.0 Te 49.0 [That is, {(Ge 0.5 Te 0.5 ) 0.8 78 (S
b 0.4 Te 0.6 ) 0.122 } 0.957 Sb 0.043 ], and a disk was obtained in the same manner as in Example 1. When the jitter after 10 times of overwriting was measured, the minimum was 6.8.
Only 1 ns and 20% of the window width were obtained. This was presumed to be due to poor erasing characteristics.
【0114】(比較例8)記録層の組成をGe6.0Sb
38.0Te56.0[すなわち{(Ge0.5Te0.5)
0.1 26(Sb0.4Te0.6)0.874}0.953Sb0.047]とし
た以外は、実施例1と同様にしてディスクを得た。10
回オーバーライト後のジッタを測定したところ、最小で
6.11nsとウインドウ幅の18%しか得られなかっ
た。この原因は、結晶相と非晶相のコントラストが小さ
いためであると推定された。Comparative Example 8 The composition of the recording layer was Ge 6.0 Sb
38.0 Te 56.0 [that is, {(Ge 0.5 Te 0.5 )
Except for using 0.1 26 (Sb 0.4 Te 0.6) 0.874} 0.953 Sb 0.047], to obtain a disk in the same manner as in Example 1. 10
When the jitter after the overwriting was measured twice, the minimum was 6.11 ns, which was only 18% of the window width. This was presumed to be due to the low contrast between the crystalline phase and the amorphous phase.
【0115】(比較例9)記録層の組成を(Ge2Sb2
Te5)0.70Nb0.30[すなわち{(Ge0.5Te 0.5)
0.444(Sb0.4Te0.6)0.556}0.7Nb0.3]とした以
外は、実施例1と同様にしてディスクを作製した。10
回オーバーライト後のジッタを測定したところ、最小で
6.80nsとウインドウ幅の20%しか得られなかっ
た。この原因は、消去特性が悪いためであると推定され
る。Comparative Example 9 The composition of the recording layer was changed to (GeTwoSbTwo
TeFive)0.70Nb0.30[That is, {(Ge0.5Te 0.5)
0.444(Sb0.4Te0.6)0.556}0.7Nb0.3]
Except for the above, a disk was produced in the same manner as in Example 1. 10
The jitter after overwriting was measured
6.80 ns and only 20% of window width can be obtained
Was. This is presumed to be due to poor erasing characteristics.
You.
【0116】(比較例10)記録層の組成をGe2Sb2
Te5[すなわち(Ge0.5Te0.5)0.444(Sb0. 4T
e0.6)0.556]とした以外は、実施例5と同様にして6
層ディスクを得た。Comparative Example 10 The composition of the recording layer was Ge 2 Sb 2
Te 5 [i.e. (Ge 0.5 Te 0.5) 0.444 ( Sb 0. 4 T
e 0.6 ) 0.556 ], except that 6
A layer disc was obtained.
【0117】このディスクに1回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ2.5×10-5であ
った。記録した状態のまま、90℃、相対湿度80%の
条件で140時間放置した。この後、同じ部分のバイト
エラーレートを測定したところ、エラーとなりバイトエ
ラーレートの測定ができなかった。再生波形を観察した
ところ、振幅が大きく低下しており、非晶部の一部が結
晶化しているものと推定された。Recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was 2.5 × 10 −5 . The recording was left for 140 hours at 90 ° C. and 80% relative humidity. Thereafter, when the byte error rate of the same portion was measured, an error occurred and the byte error rate could not be measured. When the reproduced waveform was observed, it was presumed that the amplitude was greatly reduced and a part of the amorphous portion was crystallized.
【0118】また、記録層の組成をGe1Sb2Te
4[すなわち(Ge0.5Te0.5)0.287(Sb0.4T
e0.6)0.714]としても、90℃、相対湿度80%の条
件で140時間放置すると、バイトエラーレートか5.
0×10-3から、測定不可能と大きく劣化した、アーカ
イバル特性が不十分であった。The composition of the recording layer was Ge 1 Sb 2 Te.
4 [ie (Ge 0.5 Te 0.5 ) 0.287 (Sb 0.4 T
e 0.6 ) 0.714 ], a byte error rate of 5.50 if left at 90 ° C. and a relative humidity of 80% for 140 hours.
From 0 × 10 −3 , the archival characteristics deteriorated greatly, indicating that measurement was impossible, and the archival characteristics were insufficient.
【0119】(比較例11)記録層の組成をGe0.5T
e0.5[すなわち{(Ge0.5Te0.5)1.00(Sb0. 4T
e0.6)0.00}1.00Sb0.00]とした以外は、実施例1
3と同様にして6層ディスクを作製した。このディスク
に1回記録を行い、その時のバイトエラーレートを測っ
たところ測定が不可能であった。これは、ジッタが悪い
ためであり、このときのジッタの値は20%であった。(Comparative Example 11) The composition of the recording layer was Ge 0.5 T
e 0.5 [i.e. {(Ge 0.5 Te 0.5) 1.00 (Sb 0. 4 T
e 0.6 ) 0.00 1.00 1.00 Sb 0.00 ]
A 6-layer disc was prepared in the same manner as in 3. The disk was recorded once and the byte error rate at that time was not measured. This is because the jitter was bad, and the value of the jitter at this time was 20%.
【0120】(比較例12)記録層の組成をGe2Sb2
Te5[すなわち(Ge0.5Te0.5)0.444(Sb0. 4T
e0.6)0.556]とした以外は、実施例17と同様にして
6層ディスクを得た。(Comparative Example 12) The composition of the recording layer was Ge 2 Sb 2
Te 5 [i.e. (Ge 0.5 Te 0.5) 0.444 ( Sb 0. 4 T
e 0.6 ) 0.556 ], and a six-layer disc was obtained in the same manner as in Example 17.
【0121】このディスクに1回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ1.5×10-5であ
った。記録した状態のまま、90℃、相対湿度80%の
条件で140時間放置した。この後、同じ部分のバイト
エラーレートを測定したところ、エラーとなりバイトエ
ラーレートの測定ができなかった。再生波形を観察した
ところ、振幅が大きく低下しており、非晶部の一部が結
晶化しているものと推定された。Recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was 1.5 × 10 −5 . The recording was left for 140 hours at 90 ° C. and 80% relative humidity. Thereafter, when the byte error rate of the same portion was measured, an error occurred and the byte error rate could not be measured. When the reproduced waveform was observed, it was presumed that the amplitude was greatly reduced and a part of the amorphous portion was crystallized.
【0122】また、記録層の組成をGe1Sb2Te
4[すなわち(Ge0.5Te0.5)0.287(Sb0.4T
e0.6)0.714]としても、90℃、相対湿度80%の条
件で140時間放置すると、バイトエラーレートか1.
0×10-4から、測定不可能と大きく劣化した。アーカ
イバル特性が不十分であった。Further, the composition of the recording layer was Ge 1 Sb 2 Te
4 [ie (Ge 0.5 Te 0.5 ) 0.287 (Sb 0.4 T
e 0.6 ) 0.714 ], when left at 140 ° C. under the conditions of 90 ° C. and 80% relative humidity, the byte error rate is 1.
From 0 × 10 -4 , the measurement was greatly deteriorated, indicating that measurement was impossible. Archival properties were inadequate.
【0123】(比較例13)記録層の組成をGe0.5T
e0.5[すなわち{(Ge0.5Te0.5)1.00(Sb0. 4T
e0.6)0.00}1.00Sb0.00]とした以外は、実施例1
7と同様にして6層ディスクを作製した。(Comparative Example 13) The composition of the recording layer was Ge 0.5 T
e 0.5 [i.e. {(Ge 0.5 Te 0.5) 1.00 (Sb 0. 4 T
e 0.6 ) 0.00 1.00 1.00 Sb 0.00 ]
A six-layer disc was prepared in the same manner as in No. 7.
【0124】このディスクに1回記録を行い、その時の
バイトエラーレートを測ったところ測定が不可能であっ
た。これは、ジッタが悪いためであり、このときのジッ
タの値は20%であった。 (比較例14)記録層の組成をGe6.0Sb38.0Te
56.0[すなわち{(Ge0.5Te0.5)0.1 26(Sb0.4T
e0.6)0.874}0.953Sb0.047]とした以外は、実施例
17と同様にしてディスクを得た。10回オーバーライ
ト後のジッタを測定したところ、最小で6.00nsと
ウインドウ幅の18%しか得られなかった。この原因
は、結晶相と非晶相のコントラストが小さいためである
と推定された。Recording was performed once on this disk, and the byte error rate at that time was measured. This is because the jitter was bad, and the value of the jitter at this time was 20%. (Comparative Example 14) The composition of the recording layer was changed to Ge 6.0 Sb 38.0 Te.
56.0 [that is, {(Ge 0.5 Te 0.5 ) 0.1 26 (Sb 0.4 T
e 0.6 ) 0.874 { 0.953 Sb 0.047 ], and a disk was obtained in the same manner as in Example 17. When jitter was measured after 10 times of overwriting, only a minimum of 6.00 ns and only 18% of the window width were obtained. This was presumed to be due to the low contrast between the crystalline phase and the amorphous phase.
【0125】(比較例15)記録層の厚さを60nmと
した以外は、実施例1と同様なディスクを作製した。こ
のディスクの繰り返しオーバーライト特性を評価したと
ころ、繰り返し100回でジッタが測定不能まで劣化し
た。その理由は、記録層が厚いために記録層の移動が起
こりやすいものと推定される。(Comparative Example 15) A disk was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the recording layer was changed to 60 nm. When the repetitive overwrite characteristics of the disk were evaluated, the jitter was deteriorated until measurement was impossible after 100 repetitions. The reason is presumed that the recording layer is likely to move because the recording layer is thick.
【0126】このディスクの未記録部分に、1回記録を
行い、その後のバイトエラーレートを測定したところ、
5.9×10-4であった。記録した状態のまま、90
℃、相対湿度80%の条件で140時間放置した。この
後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、
エラーとなりバイトエラーレートの測定ができなかっ
た。再生波形を観察したところ、振幅が大きく低下して
おり、非晶部の一部が結晶化しているものと推定され
た。When recording was performed once on the unrecorded portion of this disk and the subsequent byte error rate was measured,
It was 5.9 × 10 -4 . 90 as recorded
C. and 80% relative humidity for 140 hours. After that, when the byte error rate of the same part was measured,
An error occurred and the byte error rate could not be measured. When the reproduced waveform was observed, it was presumed that the amplitude was greatly reduced and a part of the amorphous portion was crystallized.
【0127】また、記録層の厚さを45nmとしても、
繰り返しオーバーライト300回でジッタが測定不能と
なった。また、1回記録を行い、90℃、相対湿度80
%の条件で140時間放置すると、バイトエラーレート
が4.0×10-4から2.5×10-3と大きく劣化し
た。再生波形を観察したところ、振幅が低下しており、
非晶部の一部が結晶化しているものと推定された。Further, even if the thickness of the recording layer is 45 nm,
Jitter could not be measured after 300 repetitive overwrites. In addition, recording was performed once, and 90 ° C. and a relative humidity of 80 ° C.
When left for 140 hours under the condition of%, the byte error rate greatly deteriorated from 4.0 × 10 −4 to 2.5 × 10 −3 . Observation of the playback waveform shows that the amplitude has decreased,
It was presumed that part of the amorphous part was crystallized.
【0128】(比較例16)記録層の厚さを5nmとし
た以外は、実施例1と同様なディスクを作製した。10
回オーバーライト後のジッタを測定したところ、最小で
5.81nsとウインドウ幅の17%しか得られなかっ
た。この原因は、結晶相と非晶相のコントラストが小さ
いためであると推定された。(Comparative Example 16) A disk was produced in the same manner as in Example 1, except that the thickness of the recording layer was changed to 5 nm. 10
When the jitter after the overwriting was measured twice, a minimum of 5.81 ns and only 17% of the window width were obtained. This was presumed to be due to the low contrast between the crystalline phase and the amorphous phase.
【0129】(比較例17)記録層の厚さを60nmと
した以外は、実施例6と同様なディスクを作製した。こ
のディスクの繰り返しオーバーライト特性を評価したと
ころ、繰り返し100回でジッタが測定不能まで劣化し
た。その理由は、記録層が厚いために記録層の移動が起
こりやすいものと推定される。(Comparative Example 17) A disk was produced in the same manner as in Example 6, except that the thickness of the recording layer was changed to 60 nm. When the repetitive overwrite characteristics of the disk were evaluated, the jitter was deteriorated until measurement was impossible after 100 repetitions. The reason is presumed that the recording layer is likely to move because the recording layer is thick.
【0130】このディスクの未記録部分に、1回記録を
行い、その後のバイトエラーレートを測定したところ、
8.0×10-4であった。記録した状態のまま、90
℃、相対湿度80%の条件で140時間放置した。この
後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、
エラーとなりバイトエラーレートの測定ができなかっ
た。再生波形を観察したところ、振幅が大きく低下して
おり、非晶部の一部が結晶化しているものと推定され
た。When recording was performed once on the unrecorded portion of this disk and the byte error rate was measured thereafter,
It was 8.0 × 10 -4 . 90 as recorded
C. and 80% relative humidity for 140 hours. After that, when the byte error rate of the same part was measured,
An error occurred and the byte error rate could not be measured. When the reproduced waveform was observed, it was presumed that the amplitude was greatly reduced and a part of the amorphous portion was crystallized.
【0131】また、記録層の厚さを45nmとしても、
繰り返しオーバーライト300回でジッタが測定不能と
なった。また、1回記録を行い、90℃、相対湿度80
%の条件で140時間放置すると、バイトエラーレート
が3.7×10-4から3.1×10-3と大きく劣化し
た。再生波形を観察したところ、振幅が低下しており、
非晶部の一部が結晶化しているものと推定された。Further, even if the thickness of the recording layer is 45 nm,
Jitter could not be measured after 300 repetitive overwrites. In addition, recording was performed once, and 90 ° C. and a relative humidity of 80 ° C.
When left at 140% for 140 hours, the byte error rate was greatly degraded from 3.7 × 10 -4 to 3.1 × 10 -3 . Observation of the playback waveform shows that the amplitude has decreased,
It was presumed that part of the amorphous part was crystallized.
【0132】(比較例18)記録層の厚さを5nmとし
た以外は、実施例6と同様なディスクを作製した。10
回オーバーライト後のジッタを測定したところ、最小で
5.42nsとウインドウ幅の16%しか得られなかっ
た。この原因は、結晶相と非晶相のコントラストが小さ
いためであると推定された。(Comparative Example 18) A disk was produced in the same manner as in Example 6, except that the thickness of the recording layer was changed to 5 nm. 10
When the jitter after overwriting was measured one time, it was found that the minimum was 5.42 ns and only 16% of the window width was obtained. This was presumed to be due to the low contrast between the crystalline phase and the amorphous phase.
【0133】(比較例19)記録層の厚さを60nmと
した以外は、実施例17と同様なディスクを作製した。
このディスクの繰り返しオーバーライト特性を評価した
ところ、繰り返し100回でジッタが測定不能まで劣化
した。その理由は、記録層が厚いために記録層の移動が
起こりやすいものと推定される。(Comparative Example 19) A disk was manufactured in the same manner as in Example 17, except that the thickness of the recording layer was changed to 60 nm.
When the repetitive overwrite characteristics of the disk were evaluated, the jitter was deteriorated until measurement was impossible after 100 repetitions. The reason is presumed that the recording layer is likely to move because the recording layer is thick.
【0134】このディスクの未記録部分に1回記録を行
い、その後のバイトエラーレートを測定したところ、
6.2×10-4であった。記録した状態のまま、90
℃、相対湿度80%の条件で140時間放置した。この
後、同じ部分のバイトエラーレートを測定したところ、
エラーとなりバイトエラーレートの測定ができなかっ
た。再生波形を観察したところ、振幅が大きく低下して
おり、非晶部の一部が結晶化しているものと推定され
た。Recording was performed once on the unrecorded portion of the disk, and the subsequent byte error rate was measured.
It was 6.2 × 10 -4 . 90 as recorded
C. and 80% relative humidity for 140 hours. After that, when the byte error rate of the same part was measured,
An error occurred and the byte error rate could not be measured. When the reproduced waveform was observed, it was presumed that the amplitude was greatly reduced and a part of the amorphous portion was crystallized.
【0135】また、記録層の厚さを45nmとしても、
繰り返しオーバーライト300回でジッタが測定不能と
なった。また、1回記録を行い、90℃、相対湿度80
%の条件で140時間放置すると、バイトエラーレート
が4.9×10-4から5.1×10-3と大きく劣化し
た。再生波形を観察したところ、振幅が低下しており、
非晶部の一部が結晶化しているものと推定された。Further, even if the thickness of the recording layer is 45 nm,
Jitter could not be measured after 300 repetitive overwrites. In addition, recording was performed once, and 90 ° C. and a relative humidity of 80 ° C.
When left for 140 hours under the condition of%, the byte error rate was greatly deteriorated from 4.9 × 10 −4 to 5.1 × 10 −3 . Observation of the playback waveform shows that the amplitude has decreased,
It was presumed that part of the amorphous part was crystallized.
【0136】(比較例20)記録層の厚さを5nmとし
た以外は、実施例17と同様なディスクを作製した。1
0回オーバーライト後のジッタを測定したところ、最小
で6.38nsとウインドウ幅の19%しか得られなか
った。この原因は、結晶相と非晶相のコントラストが小
さいためであると推定された。(Comparative Example 20) A disk was produced in the same manner as in Example 17, except that the thickness of the recording layer was changed to 5 nm. 1
When jitter was measured after overwriting 0 times, a minimum value of 6.38 ns was obtained, which was only 19% of the window width. This was presumed to be due to the low contrast between the crystalline phase and the amorphous phase.
【0137】[0137]
【発明の効果】本発明の光記録媒体によれば、以下の効
果が得られる。 (1)記録後長時間放置しても良好なオーバーライト特
性が得られる。 (2)記録後長時間放置しても、バースト欠陥の発生
や、記録マークの消失がない。 (3)スパッタ法により容易に製作できる。According to the optical recording medium of the present invention, the following effects can be obtained. (1) Good overwrite characteristics can be obtained even if left for a long time after recording. (2) Even if left for a long time after recording, there is no occurrence of burst defects and no disappearance of recording marks. (3) It can be easily manufactured by a sputtering method.
【図1】本発明におけるNo.A試料のデプス・プロフ
ァイルのチャートである。FIG. 5 is a chart of a depth profile of an A sample.
【図2】本発明におけるNo.B試料のデプス・プロフ
ァイルのチャートである。FIG. 5 is a chart of a depth profile of a B sample.
【図3】本発明におけるNo.A試料の炭素のKLLオ
ージェ電子スペクトルのチャートである。FIG. 5 is a chart of a KLL Auger electron spectrum of carbon of Sample A.
【図4】本発明におけるNo.B試料の炭素のKLLオ
ージェ電子スペクトルのチャートである。FIG. 5 is a chart of a KLL Auger electron spectrum of carbon of a B sample.
【図5】本発明におけるNo.A試料の炭素のデプス・
プロファイルを分解したチャートである。FIG. A sample carbon depth
It is the chart which decomposed the profile.
【図6】本発明におけるNo.B試料の炭素のデプス・
プロファイルを分解したチャートである。FIG. Depth of carbon of B sample
It is the chart which decomposed the profile.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI G11B 7/24 535 G11B 7/24 535H (56)参考文献 特開 平7−223372(JP,A) 特開 平6−191160(JP,A) 特開 平6−191161(JP,A) 特開 平2−139283(JP,A) 特開 昭63−251290(JP,A) 国際公開99/06220(WO,A1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B41M 5/26 G11B 7/24 511 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 identification code FI G11B 7/24 535 G11B 7/24 535H (JP, A) JP-A-6-191161 (JP, A) JP-A-2-139283 (JP, A) JP-A-63-251290 (JP, A) WO 99/06220 (WO, A1) (58) ) Surveyed field (Int.Cl. 7 , DB name) B41M 5/26 G11B 7/24 511
Claims (6)
消去、再生が可能であって、情報の記録および消去が、
非晶相と結晶相の間の可逆的な相変化により行われ、少
なくとも基板上に第1誘電体層、記録層、第2誘電体
層、反射層をこの順に備えた光記録媒体において、記録
層と第1誘電体層の間に記録層と接するように、炭素を
主成分とする層を設けるとともに、前記記録層が下記式
(I) {(Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x}1-y-zSbyAz (I) (ここで、Aは、Ge、Sb、Teを除く元素周期律表
における第2周期から第6周期の3A族から6B族に属
する元素を示し、x、y、zは数を示し、かつ次の関係
式を満たす。 0.2≦x≦0.8、0.01≦y≦0.08、z=0 もしくは、0.2≦x≦0.8、0≦y≦0.08、0
<z≦0.2)からなり、かつ記録層の厚さが7nm以
上35nm以下であることを特徴とする光記録媒体。(1) irradiating light to record information;
Erasing and playback are possible, and recording and erasing of information
It is performed by a reversible phase change between an amorphous phase and a crystalline phase. In an optical recording medium having at least a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, and a reflective layer on a substrate in this order, recording is performed. A layer containing carbon as a main component is provided between the layer and the first dielectric layer so as to be in contact with the recording layer, and the recording layer is made of the following formula (I) G (Ge 0.5 Te 0.5 ) x (Sb 0.4 Te 0.6 ) 1-x} 1-yz Sb y a z (I) ( wherein, a represents belongs, Ge, Sb, the group 6B of the second period in the periodic table of the elements from group 3A of the sixth period, except for Te elemental And x, y, and z each represent a number and satisfy the following relational expression: 0.2 ≦ x ≦ 0.8, 0.01 ≦ y ≦ 0.08, z = 0 or 0.2 ≦ x ≦ 0.8, 0 ≦ y ≦ 0.08, 0
<Z ≦ 0.2), and the thickness of the recording layer is 7 nm or more and 35 nm or less.
消去、再生が可能であって、情報の記録および消去が、
非晶相と結晶相の間の可逆的な相変化により行われ、少
なくとも基板上に第1誘電体層、記録層、第2誘電体
層、反射層をこの順に備えた光記録媒体において、記録
層と第1誘電体層の間に記録層と接するように、炭素を
主成分とする層を設けるとともに、記録層と第2誘電体
層の間に炭素を主成分とする層、炭素と酸素を主成分と
する層、炭素と窒素を主成分とする層、炭素と酸素と窒
素を主成分とする層から選ばれた層を設け、さらに、前
記記録層が下記式(II) {(Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x}1-y-zSbyAz (II) (ここで、Aは、Ge、Sb、Teを除く元素周期律表
における第2周期から第6周期の3A族から6B族に属
する元素を示し、x、y、zは数を示し、かつ次の関係
式を満たす。 0.2≦x≦0.95、0.01≦y≦0.08、z=
0 もしくは、0.2≦x≦0.95、0≦y≦0.08、
0<z≦0.2)からなり、かつ記録層の厚さが7nm
以上35nm以下であることを特徴とする光記録媒体。2. Recording of information by irradiating light,
Erasing and playback are possible, and recording and erasing of information
It is performed by a reversible phase change between an amorphous phase and a crystalline phase. In an optical recording medium having at least a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, and a reflective layer on a substrate in this order, recording is performed. A layer mainly composed of carbon is provided between the recording layer and the first dielectric layer so as to be in contact with the recording layer, and a layer mainly composed of carbon, and carbon and oxygen are provided between the recording layer and the second dielectric layer. A layer mainly composed of, a layer mainly composed of carbon and nitrogen, and a layer mainly composed of carbon, oxygen and nitrogen. Further, the recording layer has the following formula (II) II (Ge 0.5 Te 0.5) x (Sb 0.4 Te 0.6) 1-x} 1-yz Sb y a z (II) ( wherein, a represents, Ge, Sb, from the second period in the periodic table of elements except Te sixth It represents an element belonging to group 3A to group 6B of the period, x, y, and z represent numbers and satisfy the following relational expression: 0.2 ≦ x ≦ 0.95, 0.01 ≦ y ≦ 0.08, z =
0 or 0.2 ≦ x ≦ 0.95, 0 ≦ y ≦ 0.08,
0 <z ≦ 0.2) and the thickness of the recording layer is 7 nm.
An optical recording medium having a thickness of 35 nm or less.
消去、再生が可能であって、情報の記録および消去が、
非晶相と結晶相の間の可逆的な相変化により行われ、少
なくとも基板上に第1誘電体層、記録層、第2誘電体
層、反射層をこの順に備えた光記録媒体において、記録
層と第1誘電体層の間に記録層と接するように、炭素を
主成分とする層を設けるとともに、記録層と第2誘電体
層の間に窒化ゲルマニウムを主成分とする層を設け、さ
らに、前記記録層が下記式(III) {(Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x}1-y-zSbyAz (III) (ここで、Aは、Ge、Sb、Teを除く元素周期律表
における第2周期から第6周期の3A族から6B族に属
する元素を示し、x、y、zは数を示し、かつ次の関係
式を満たす。 0.2≦x≦0.95、0.01≦y≦0.08、z=
0 もしくは、0.2≦x≦0.95、0≦y≦0.08、
0<z≦0.2)からなり、かつ記録層の厚さが7nm
以上35nm以下であることを特徴とする光記録媒体。3. Recording of information by irradiating light,
Erasing and playback are possible, and recording and erasing of information
It is performed by a reversible phase change between an amorphous phase and a crystalline phase. In an optical recording medium having at least a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, and a reflective layer on a substrate in this order, recording is performed. Providing a layer mainly composed of carbon between the layer and the first dielectric layer so as to be in contact with the recording layer, and providing a layer mainly composed of germanium nitride between the recording layer and the second dielectric layer; Furthermore, the recording layer is represented by the following formula (III) {(Ge 0.5 Te 0.5) x (Sb 0.4 Te 0.6) 1-x} 1-yz Sb y A z (III) ( wherein, A represents, Ge, Sb, In the periodic table of elements except for Te, elements belonging to Groups 3A to 6B in the second to sixth periods are shown, x, y, and z are numbers and satisfy the following relational expression: 0.2 ≦ x ≦ 0.95, 0.01 ≦ y ≦ 0.08, z =
0 or 0.2 ≦ x ≦ 0.95, 0 ≦ y ≦ 0.08,
0 <z ≦ 0.2) and the thickness of the recording layer is 7 nm.
An optical recording medium having a thickness of 35 nm or less.
ともZnSとSiO 2を含むことを特徴とする請求項1
〜3のいずれかに記載の光記録媒体。4. The method according to claim 1, wherein the first and second dielectric layers are reduced.
Both ZnS and SiO Two2. The method according to claim 1, further comprising:
4. The optical recording medium according to any one of claims 1 to 3.
2と炭素を含むことを特徴とする請求項4に記載の光記
録媒体。5. The method according to claim 1, wherein the second dielectric layer comprises at least ZnS and SiO.
5. The optical recording medium according to claim 4, comprising 2 and carbon.
する層の厚みが、0.5nm以上4nm以下であること
を特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の光記録媒
体。6. The method according to claim 1, wherein the thickness of the layer mainly composed of carbon between the recording layer and the first protective layer is 0.5 nm or more and 4 nm or less. Optical recording medium.
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JP2000018539A JP3102431B1 (en) | 1999-01-28 | 2000-01-27 | Optical recording medium |
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