JP2001066779A - Positive type photosensitive composition - Google Patents

Positive type photosensitive composition

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亨 藤森
Shiro Tan
史郎 丹
Shinichi Kanna
慎一 漢那
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce development defects and to make line edge roughness satisfactory by incorporating a specified compound which generates an acid, when it is irradiated with actinic rays or radiation, a resin having a group which is decomposed by the action of the acid to increase solubility in an alkali- developing solution and a basic nitrogen-containing compound. SOLUTION: A positive type photosensitive composition contains (a) at least one of compounds of the formula, etc., which generate an acid when irradiated with active light or radiation, (b) a resin having a group which is decomposed by the action of the acid to increase solubility in an alkali-developing solution and (c) a basic nitrogen-containing compound. In the formula, R1-R15 are each H, linear, branched or cyclic alkyl, linear, branched or cyclic alkoxy, hydroxy, halogen or the like and X is an anion of benzenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid or anthracenesulfonic acid having one group selected from among the group comprising branched or cyclic >=8C alkyls and alkoxys.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、平版印刷板やIC
等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基
板の製造、更にその他のフォトファブリケーション工程
に使用されるポジ型感光性組成物に関するものである。
[0001] The present invention relates to a lithographic printing plate or an IC.
The present invention relates to a positive photosensitive composition used in a semiconductor manufacturing process such as the above, a circuit substrate such as a liquid crystal and a thermal head, and other photofabrication processes.

【0002】[0002]

【従来の技術】平版印刷板やIC等の半導体製造工程、
液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、更にその他
のフォトファブリケーション工程に使用される感光性組
成物としては、種々の組成物があり、一般的にフォトレ
ジスト感光性組成物が使用され、それは大きく分けると
ポジ型とネガ型の2種ある。
2. Description of the Related Art Semiconductor manufacturing processes for lithographic printing plates and ICs,
Liquid crystal, the manufacture of circuit boards such as thermal heads, as well as other photosensitive compositions used in the photofabrication process, there are various compositions, generally a photoresist photosensitive composition is used, it is Broadly speaking, there are two types: positive and negative.

【0003】ポジ型フォトレジスト感光性組成物の一つ
として、米国特許第4,491,628号、欧州特許第249,139号
等に記載されている化学増幅系レジスト組成物がある。
化学増幅系ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光などの放
射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒
とする反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の
現像液に対する溶解性を変化させパターンを基板上に形
成させるパターン形成材料である。
As one of the positive photoresist photosensitive compositions, there is a chemically amplified resist composition described in US Pat. No. 4,491,628 and European Patent No. 249,139.
The chemically amplified positive resist composition generates an acid in the exposed area by irradiation with radiation such as deep ultraviolet light, and the reaction using the acid as a catalyst dissolves the active radiation irradiated area and the non-irradiated area in the developing solution. This is a pattern forming material that changes the properties and forms a pattern on a substrate.

【0004】このような例として、光分解により酸を発
生する化合物と、アセタール又はO,N−アセタール化
合物との組合せ(特開昭48−89003号)、オルト
エステル又はアミドアセタール化合物との組合せ(特開
昭51−120714号)、主鎖にアセタール又はケタ
ール基を有するポリマーとの組合せ(特開昭53−13
3429号)、エノールエーテル化合物との組合せ(特
開昭55−12995号)、N−アシルイミノ炭酸化合
物化合物との組合せ(特開昭55−126236号)、
主鎖にオルトエステル基を有するポリマーとの組合せ
(特開昭56−17345号)、第3級アルキルエステ
ル化合物との組合せ(特開昭60−3625号)、シリ
ルエステル化合物との組合せ(特開昭60−10247
号)、及びシリルエーテル化合物との組合せ(特開昭6
0−37549号、特開昭60−121446号)等を
挙げることができる。これらは原理的に量子収率が1を
越えるため、高い感光性を示す。
[0004] Examples of such a combination include a combination of a compound that generates an acid by photolysis with an acetal or an O, N-acetal compound (Japanese Patent Application Laid-Open No. 48-89003), a combination of an orthoester or an amide acetal compound ( Combination with a polymer having an acetal or ketal group in the main chain (JP-A-53-172014).
3429), a combination with an enol ether compound (JP-A-55-12995), a combination with an N-acyliminocarbonate compound (JP-A-55-126236),
Combination with a polymer having an orthoester group in the main chain (JP-A-56-17345), combination with a tertiary alkyl ester compound (JP-A-60-3625), combination with a silyl ester compound (JP-A-60-3625) Showa 60-10247
No.) and a combination with a silyl ether compound (Japanese Unexamined Patent Publication No.
0-37549, JP-A-60-112446) and the like. These have high photosensitivity because the quantum yield exceeds 1 in principle.

【0005】同様に、室温経時下では安定であるが、酸
存在下加熱することにより分解し、アルカリ可溶化する
系として、例えば、特開昭59−45439号、特開昭
60−3625号、特開昭62−229242号、特開
昭63−27829号、特開昭63−36240号、特
開昭63−250642号、Polym.Eng.Sce.,23巻、101
2頁(1983);ACS.Sym.242巻、11頁(1984);Semicond
uctor World 1987年、11月号、91頁;Macromolecules,2
1巻、1475頁(1988);SPIE,920巻、42頁(1988)等に
記載されている露光により酸を発生する化合物と、第3
級又は2級炭素(例えばt-ブチル、2-シクロヘキセニ
ル)のエステル又は炭酸エステル化合物との組合せ系が
挙げられる。これらの系も高感度を有し、遠紫外光領域
での吸収が小さいことから、超微細加工が可能な光源短
波長化に有効な系となり得る。
Similarly, systems which are stable under aging at room temperature, but are decomposed by heating in the presence of an acid and solubilized in alkali are disclosed in, for example, JP-A-59-45439, JP-A-60-3625, JP-A-62-2229242, JP-A-63-27829, JP-A-63-36240, JP-A-63-250542, Polym.Eng.Sce., Vol. 23, 101
2 (1983); ACS.Sym. 242, 11 (1984); Semicond
uctor World 1987, November, p. 91; Macromolecules, 2
Vol. 1, p. 1475 (1988); SPIE, vol. 920, p. 42 (1988);
Combination systems with esters or carbonate compounds of primary or secondary carbons (eg t-butyl, 2-cyclohexenyl). Since these systems also have high sensitivity and low absorption in the far ultraviolet region, they can be effective systems for shortening the light source wavelength capable of ultrafine processing.

【0006】上記ポジ型化学増幅レジストは、アルカリ
可溶性樹脂、放射線露光によつて酸を発生する化合物
(光酸発生剤)、及び酸分解性基を有しアルカリ可溶性
樹脂に対する溶解阻止化合物から成る3成分系と、酸と
の反応により分解しアルカリ可溶となる基を有する樹脂
と光酸発生剤からなる2成分系に大別できる。これら2
成分系あるいは3成分系のポジ型化学増幅レジストにお
いては、露光により光酸発生剤からの酸を介在させて、
熱処理後現像してレジストパターンを得るものである。
The above-mentioned positive chemically amplified resist comprises an alkali-soluble resin, a compound capable of generating an acid upon exposure to radiation (photoacid generator), and a compound having an acid-decomposable group and inhibiting dissolution of the alkali-soluble resin. It can be roughly classified into a two-component system comprising a component system, a resin having a group which is decomposed by the reaction with an acid and becomes alkali-soluble, and a photoacid generator. These two
In a three-component or three-component positive chemically amplified resist, the acid from the photoacid generator is interposed by exposure,
After the heat treatment, development is performed to obtain a resist pattern.

【0007】特開平63−149640号公報には平版
印刷版の露光後の感度安定化のためにアミン化合物を添
加することが提案されている。しかしながら、アミン化
合物を添加すると、露光により発生した酸の一部がアミ
ンにより失活し、感度が低下してしまうといった問題が
あった。また、欧州特許公開EP−A−0795786
には特定の光酸発生剤を用い、アミンとして4−ジメチ
ルアミノピリジンを添加して線幅変化抑制を提案してい
るが、従来のアミン化合物では十分な線幅変化抑制効果
を得るようにアミンを添加すると、感度低下が起こって
しまっていた。また、解像力についても十分なレベルと
はいえなかった。
JP-A-63-149640 proposes to add an amine compound for stabilizing the sensitivity of a lithographic printing plate after exposure. However, when the amine compound is added, there is a problem that a part of the acid generated by the exposure is deactivated by the amine, and the sensitivity is lowered. Also, European Patent Publication EP-A-0975786.
Proposes to use a specific photoacid generator and add 4-dimethylaminopyridine as an amine to suppress the line width change. , The sensitivity was reduced. In addition, the resolution was not at a sufficient level.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、現像欠陥が良好であり、ラインエッジラフネスも良
好なポジ型感光性組成物を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a positive photosensitive composition having good development defects and good line edge roughness.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、下記の構成に
よって達成された。 (1)(a)活性光線又は放射線の照射により酸を発生
する下記一般式(I)〜(III)で表される化合物の少
なくとも一種、(b)酸の作用により分解し、アルカリ
現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂、及び
(c)塩基性含窒素化合物、を含有することを特徴とす
るボジ型感光性組成物。
The present invention has been achieved by the following constitutions. (1) (a) at least one of the compounds represented by the following general formulas (I) to (III) which generate an acid upon irradiation with actinic rays or radiation; (b) decomposed by the action of an acid; A resin having a group that increases the solubility of the resin composition, and (c) a basic nitrogen-containing compound.

【0010】[0010]

【化3】 Embedded image

【0011】(式中、R1 〜R37は水素原子、直鎖、分
岐、環状アルキル基、直鎖、分岐、環状アルコキシ基、
ヒドロキシ基、ハロゲン原子、または−S−R38基を表
す。R38は直鎖、分岐、環状アルキル基またはアリー
ル基を表す。但し、R1〜R15のうちの少なくとも1
つ、R16〜R27のうちの少なくとも1つ及びR28〜R37
のうちの少なくとも1つがヒドロキシ基又はアルコキシ
基である。、X-は分岐または環状の炭素数8個以上の
アルキル基およびアルコキシ基の群の中から選ばれる基
を少なくとも1個有するか、直鎖、分岐または環状の炭
素数4〜7のアルキル基およびアルコキシ基の群の中か
ら選ばれる基を少なくとも2個有するか、若しくは直
鎖、分岐または環状の炭素数1〜3のアルキル基および
アルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも3個
有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸また
はアントラセンスルホン酸のアニオンを表す。あるいは
エステル基、R39−CO−基、R40−CONH−基、R
41−NH−基、R42−OCONH−基、R43−NHCO
O−基、R44−NHCONH−基、R 45−NHCSN−
基、R46−SO2NH−基およびニトロ基の群の中から
選ばれる基を少なくとも1個有するベンゼンスルホン
酸、ナフタレンスルホン酸またアンアトラセンスルホン
酸のアニオンを表す。R39〜R46は直鎖、分岐もしくは
環状アルキル基またはアリール基を表す。)
(Where R1~ R37Is hydrogen atom, straight chain, minute
Branch, cyclic alkyl group, straight-chain, branched, cyclic alkoxy group,
A hydroxy group, a halogen atom, or -SR38Table
You. R38 is a linear, branched, cyclic alkyl group or aryl
Represents a hydroxyl group. Where R1~ RFifteenAt least one of
One, R16~ R27At least one of R28~ R37
At least one of which is hydroxy or alkoxy
Group. , X-Is branched or cyclic having 8 or more carbon atoms
Groups selected from the group of alkyl and alkoxy groups
Having at least one linear or branched or cyclic carbon
Among groups of alkyl and alkoxy groups of prime numbers 4 to 7
Having at least two groups selected from
A chain, branched or cyclic alkyl group having 1 to 3 carbon atoms;
At least three groups selected from the group of alkoxy groups
Having benzenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid or
Represents an anthracenesulfonic acid anion. Or
Ester group, R39—CO— group, R40-CONH- group, R
41-NH- group, R42—OCONH— group, R43-NHCO
O-group, R44—NHCONH— group, R 45-NHCSN-
Group, R46-SOTwoFrom the group of NH- and nitro groups
Benzene sulfone having at least one selected group
Acid, naphthalenesulfonic acid or anthracenesulfonic acid
Represents an anion of an acid. R39~ R46Is linear, branched or
Represents a cyclic alkyl group or an aryl group. )

【0012】(2)一般式(1)〜(3)で表される化
合物において、R1〜R15のうちの少なくとも1つ、R
16〜R27のうちの少なくとも1つ及びR28〜R37のうち
の少なくとも1つがヒドロキシ基であり、かつ該ヒドロ
キシ基の両隣接位が水素原子でないことを特徴とする上
記(1)に記載のポジ型感光性組成物。
(2) In the compounds represented by the general formulas (1) to (3), at least one of R 1 to R 15
The above (1), wherein at least one of R 16 to R 27 and at least one of R 28 to R 37 are a hydroxy group, and both adjacent positions of the hydroxy group are not hydrogen atoms. Positive photosensitive composition.

【0013】(3)(d)酸により分解し得る基を有
し、アルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大
する、分子量3000以下の低分子溶解阻止化合物を、
更に含有することを特徴とする上記(1)又は(2)に
記載のポジ型感光性組成物。
(3) (d) A low molecular weight dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less, which has a group decomposable by an acid and whose solubility in an alkali developing solution is increased by the action of an acid,
The positive photosensitive composition according to the above (1) or (2), further comprising:

【0014】(4)(a)上記の活性光線の照射により
酸を発生する一般式(I)〜(III)で表される化合物
の少なくとも一種、(c)塩基性含窒素化合物、(d)
酸により分解し得る基を有し、アルカリ現像液中での溶
解度が酸の作用により増大する、分子量3000以下の
低分子溶解阻止化合物、及び(e)水に不溶でアルカリ
現像液に可溶な樹脂を含有することを特徴とするポジ型
感光性組成物。
(4) (a) at least one of the compounds represented by the general formulas (I) to (III) which generate an acid upon irradiation with the above-mentioned actinic ray, (c) a basic nitrogen-containing compound, and (d)
A low molecular weight dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less, which has a group decomposable by an acid and whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid; and (e) insoluble in water and soluble in an alkaline developer A positive photosensitive composition comprising a resin.

【0015】(5)(b)酸の作用により分解し、アル
カリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂
が、下記一般式(IV)及び(V)から選択される少なく
とも1つの繰り返し構造単位を含む樹脂であることを特
徴とする上記(1)〜(4)のいずれかに記載のポジ型
感光性組成物。
(5) (b) A resin having a group which is decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkaline developer is obtained by repeating at least one of the following general formulas (IV) and (V) The positive photosensitive composition according to any one of the above (1) to (4), which is a resin containing a structural unit.

【0016】[0016]

【化4】 Embedded image

【0017】(上記式中、Lは、水素原子、置換されて
もよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置
換されていてもよいアラルキル基を表す。Zは、置換さ
れてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又
は置換されていてもよいアラルキル基を表す。またZと
Lが結合して5又は6員環を形成してもよい。)
(In the above formula, L represents a hydrogen atom, an optionally substituted linear, branched or cyclic alkyl group, or an optionally substituted aralkyl group. Z may be optionally substituted. , Represents a linear, branched or cyclic alkyl group or an optionally substituted aralkyl group. Z and L may combine to form a 5- or 6-membered ring.)

【0018】(6)(b)酸の作用により分解し、アル
カリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂
が、上記一般式(IV)及び(V)から選択される少なく
とも1つの繰り返し構造単位を含む樹脂であって、且つ
Zが置換されたアルキル基又は置換されたアラルキル基
であることを特徴とする上記(5)に記載のポジ型感光
性組成物。
(6) (b) A resin having a group which is decomposed by the action of an acid and increases the solubility in an alkali developer is obtained by repeating at least one of the above-mentioned general formulas (IV) and (V) The positive photosensitive composition according to the above (5), which is a resin containing a structural unit, and wherein Z is a substituted alkyl group or a substituted aralkyl group.

【0019】本発明のポジ型感光性組成物は、活性光線
の照射により酸を発生する化合物として、上記一般式
(I)〜(III)で表される化合物を用いることによ
り、現像欠陥が良好で、更にL.エッジラフネスが良好な
化学増幅型レジストにおいて、添加量を増やして線幅を
改良しても感度の低下を起こすという問題が解決され、
優れたレジストパターンが得られた。
The positive photosensitive composition of the present invention has good development defects by using the compounds represented by the above general formulas (I) to (III) as a compound which generates an acid upon irradiation with actinic rays. In addition, L. In the chemically amplified resist having good edge roughness, the problem that the sensitivity is lowered even if the added amount is increased to improve the line width is solved.
An excellent resist pattern was obtained.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明のポジ型感光性組成
物に含有される化合物、樹脂等の成分について詳細に説
明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, components such as a compound and a resin contained in the positive photosensitive composition of the present invention will be described in detail.

【0021】〔I〕塩基性含窒素化合物((c)成分) 本発明で用いることのできる好ましい塩基性含窒素化合
物は、フェノールよりも塩基性の強い化合物であり、好
ましい化学的環境として、下記式(A)〜(E)の構造
を挙げることができる。
[I] Basic nitrogen-containing compound (component (c)) Preferred basic nitrogen-containing compounds that can be used in the present invention are compounds that are more basic than phenol. Examples include the structures of formulas (A) to (E).

【0022】[0022]

【化5】 Embedded image

【0023】ここで、R250、R251およびR252は、同
一または異なり、水素原子、炭素数1〜6のアルキル
基、炭素数1〜6のアミノアルキル基、炭素数1〜6の
ヒドロキシアルキル基または炭素数6〜20の置換もし
くは非置換のアリール基であり、ここでR251とR252
互いに結合して環を形成してもよい。
Here, R 250 , R 251 and R 252 are the same or different and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aminoalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyalkyl having 1 to 6 carbon atoms. Or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, wherein R 251 and R 252 may be bonded to each other to form a ring.

【0024】[0024]

【化6】 Embedded image

【0025】(式中、R253、R254、R255およびR256
は、同一または異なり、炭素数1〜6のアルキル基を示
す)
Wherein R 253 , R 254 , R 255 and R 256
Represents the same or different and represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms)

【0026】更に好ましい化合物は、窒素含有環状化合
物あるいは一分子中に異なる化学的環境の窒素原子を2
個以上有する塩基性含窒素化合物である。窒素含有環状
化合物としては、多環構造であることがより好ましい。
窒素含有多環環状化合物の好ましい具体例としては、下
記一般式(VI)で表される化合物が挙げられる。
More preferred compounds are nitrogen-containing cyclic compounds or two nitrogen atoms having different chemical environments in one molecule.
It is a basic nitrogen-containing compound having at least one compound. The nitrogen-containing cyclic compound more preferably has a polycyclic structure.
Preferred specific examples of the nitrogen-containing polycyclic compound include a compound represented by the following general formula (VI).

【0027】[0027]

【化7】 Embedded image

【0028】式(VI)中、Y、Wは、各々独立に、ヘテ
ロ原子を含んでいてもよく、置換してもよい直鎖、分
岐、環状アルキレン基を表す。ここで、ヘテロ原子とし
ては、窒素原子、硫黄原子、酸素原子が挙げられる。ア
ルキレン基としては、炭素数2〜10個が好ましく、よ
り好ましくは2〜5個のものである。アルキレン基の置
換基としては、炭素数1〜6個のアルキル基、アリール
基、アルケニル基の他、ハロゲン原子、ハロゲン置換ア
ルキル基が挙げられる。更に、一般式(VI)で示される
化合物の具体例としては、下記に示す化合物が挙げられ
る。
In the formula (VI), Y and W each independently represent a linear, branched or cyclic alkylene group which may contain a hetero atom and may be substituted. Here, examples of the hetero atom include a nitrogen atom, a sulfur atom, and an oxygen atom. The alkylene group preferably has 2 to 10 carbon atoms, and more preferably has 2 to 5 carbon atoms. Examples of the substituent of the alkylene group include an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group, an alkenyl group, a halogen atom, and a halogen-substituted alkyl group. Further, specific examples of the compound represented by the general formula (VI) include the following compounds.

【0029】[0029]

【化8】 Embedded image

【0030】上記の中でも、1,8−ジアザビシクロ
〔5.4.0〕ウンデカ−7−エン、1,5−ジアザビ
シクロ〔4.3.0〕ノナ−5−エンが特に好ましい。
Of the above, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene and 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene are particularly preferred.

【0031】一分子中に異なる化学的環境の窒素原子を
2個以上有する塩基性含窒素化合物としては、特に好ま
しくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素原子を含
む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキルアミノ基
を有する化合物である。好ましい具体例としては、置換
もしくは未置換のグアニジン、置換もしくは未置換のア
ミノピリジン、置換もしくは未置換のアミノアルキルピ
リジン、置換もしくは未置換のアミノピロリジン、置換
もしくは未置換のインダゾール、置換もしくは未置換の
ピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、置換もし
くは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換のプリ
ン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換もしくは
未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペラジ
ン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置換も
しくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙げら
れる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキル
基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールア
ミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロ
キシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水
酸基、シアノ基である。
The basic nitrogen-containing compound having two or more nitrogen atoms having different chemical environments in one molecule is particularly preferably a compound containing both a substituted or unsubstituted amino group and a ring structure containing a nitrogen atom. Or a compound having an alkylamino group. Preferred specific examples include substituted or unsubstituted guanidine, substituted or unsubstituted aminopyridine, substituted or unsubstituted aminoalkylpyridine, substituted or unsubstituted aminopyrrolidine, substituted or unsubstituted indazole, substituted or unsubstituted Pyrazole, substituted or unsubstituted pyrazine, substituted or unsubstituted pyrimidine, substituted or unsubstituted purine, substituted or unsubstituted imidazoline, substituted or unsubstituted pyrazoline, substituted or unsubstituted piperazine, substituted or unsubstituted amino Morpholine, substituted or unsubstituted aminoalkylmorpholine and the like. Preferred substituents are an amino group, aminoalkyl group, alkylamino group, aminoaryl group, arylamino group, alkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, aryl group, aryloxy group, nitro group, hydroxyl group, cyano group It is.

【0032】特に好ましい化合物として、グアニジン、
1,1−ジメチルグアニジン、1,1,3,3,−テト
ラメチルグアニジン、2−アミノピリジン、3−アミノ
ピリジン、4−アミノピリジン、2−ジメチルアミノピ
リジン、4−ジメチルアミノピリジン、2−ジエチルア
ミノピリジン、2−(アミノメチル)ピリジン、2−ア
ミノ−3−メチルピリジン、2−アミノ−4−メチルピ
リジン、2−アミノ−5−メチルピリジン、2−アミノ
−6−メチルピリジン、3−アミノエチルピリジン、4
−アミノエチルピリジン、3−アミノピロリジン、ピペ
ラジン、N−(2−アミノエチル)ピペラジン、N−
(2−アミノエチル)ピペリジン、4−アミノ−2,
2,6,6−テトラメチルピペリジン、4−ピペリジノ
ピペリジン、2−イミノピペリジン、1−(2−アミノ
エチル)ピロリジン、ピラゾール、3−アミノ−5−メ
チルピラゾール、5−アミノ−3−メチル−1−p−ト
リルピラゾール、ピラジン、2−(アミノメチル)−5
−メチルピラジン、ピリミジン、2,4−ジアミノピリ
ミジン、4,6−ジヒドロキシピリミジン、2−ピラゾ
リン、3−ピラゾリン、N−アミノモルフォリン、N−
(2−アミノエチル)モルフォリン、トリメチルイミダ
ゾール、トリフェニルイミダゾール、メチルジフェニル
イミダゾール等が挙げられるがこれに限定されるもので
はない。
Particularly preferred compounds are guanidine,
1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3-tetramethylguanidine, 2-aminopyridine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine, 2-dimethylaminopyridine, 4-dimethylaminopyridine, 2-diethylamino Pyridine, 2- (aminomethyl) pyridine, 2-amino-3-methylpyridine, 2-amino-4-methylpyridine, 2-amino-5-methylpyridine, 2-amino-6-methylpyridine, 3-aminoethyl Pyridine, 4
-Aminoethylpyridine, 3-aminopyrrolidine, piperazine, N- (2-aminoethyl) piperazine, N-
(2-aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,
2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-iminopiperidine, 1- (2-aminoethyl) pyrrolidine, pyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole, 5-amino-3-methyl -1-p-tolylpyrazole, pyrazine, 2- (aminomethyl) -5
-Methylpyrazine, pyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine, 4,6-dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyrazoline, N-aminomorpholine, N-
(2-Aminoethyl) morpholine, trimethylimidazole, triphenylimidazole, methyldiphenylimidazole, and the like, but are not limited thereto.

【0033】本発明で用いられる塩基性含窒素化合物
は、単独であるいは2種以上一緒に用いることができ
る。塩基性含窒素化合物の使用量は、感光性組成物(溶
媒を除く)100重量部に対し、通常0.001〜10
重量部、好ましくは0.01〜5重量部である。この範
囲において、感度の低下や露光部の現像性の悪化などを
生じることなく、本発明の効果を有効に発揮できる。
The basic nitrogen-containing compounds used in the present invention can be used alone or in combination of two or more. The amount of the basic nitrogen-containing compound used is usually from 0.001 to 10 based on 100 parts by weight of the photosensitive composition (excluding the solvent).
Parts by weight, preferably 0.01 to 5 parts by weight. Within this range, the effects of the present invention can be effectively exhibited without lowering the sensitivity or deteriorating the developability of the exposed portion.

【0034】〔II〕活性光線の照射により酸を発生する
一般式(I)〜(III)で表される化合物((a)成
分) 前記一般式(I)〜(III)における、R1〜R46の直
鎖、分岐アルキル基としては、置換基を有してもよい、
メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、se
c−ブチル基、t−ブチル基のような炭素数1〜4個の
ものが挙げられる。環状アルキル基としては、置換基を
有してもよい、シクロプロピル基、シクロペンチル基、
シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個のものが挙げ
られる。R1〜R37のアルコキシ基としては、メトキシ
基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ
基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキ
シ基、t−ブトキシ基のような炭素数1〜4個のものが
挙げられる。R1 〜R37のハロゲン原子としては、フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることが
できる。R38〜R46のアリール基としては、フェニル
基、トリル基、メトキシフェニル基、ナフチル基のよう
な置換基を有してもよい炭素数6〜14個のものが挙げ
られる。これらの置換基として好ましくは、炭素数1〜
4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素
原子、沃素原子)、炭素数6〜10個のアリール基、炭
素数2〜6個のアルケニル基、シアノ基、ヒドロキシ
基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基
等が挙げられる。
[II] Compounds represented by the general formulas (I) to (III) which generate an acid upon irradiation with actinic rays (component (a)) R 1 to R 1 in the above general formulas (I) to (III) The linear or branched alkyl group for R 46 may have a substituent,
Methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, se
Those having 1 to 4 carbon atoms such as a c-butyl group and a t-butyl group are exemplified. The cyclic alkyl group may have a substituent, a cyclopropyl group, a cyclopentyl group,
Those having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclohexyl group are exemplified. Examples of the alkoxy group represented by R 1 to R 37 include a methoxy group, an ethoxy group, a hydroxyethoxy group, a propoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group, a sec-butoxy group and a t-butoxy group. One. Examples of the halogen atom for R 1 to R 37 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Examples of the aryl group of R 38 to R 46 include those having 6 to 14 carbon atoms which may have a substituent such as a phenyl group, a tolyl group, a methoxyphenyl group, and a naphthyl group. Preferably, these substituents have 1 to 1 carbon atoms.
4 alkoxy groups, halogen atoms (fluorine atom, chlorine atom, iodine atom), aryl group having 6 to 10 carbon atoms, alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, cyano group, hydroxy group, carboxy group, alkoxycarbonyl Group, nitro group and the like.

【0035】ヒドロキシ基あるいはアルコキシ基は、一
般式(I)、(II)、(III)中のどの位置に置換され
ても有用であるが、例えば一つの芳香環に一つ置換され
ていることが好ましく、その位置は他の結合位(例えば
スルホニウム塩のSカチオンとの結合位)から離れてい
ることが好ましい。また、一つの構造中においては、多
くのヒロドキシ基やアルコキシ基を導入するとアルカリ
溶液への浸透性が高くなってしまうため、一つ又は二つ
の導入が好ましい。また、ヒドロキシ基の導入はその構
造によってはアルカリ溶液への浸透性が過多となってし
まうがその隣接位に置換基を導入することによって、ア
ルカリ溶液への浸透性を制御することができ、好まし
い。
The hydroxy group or the alkoxy group may be useful at any position in the general formulas (I), (II) and (III). The position is preferably away from other bonding positions (for example, the bonding position with the S cation of the sulfonium salt). In addition, in one structure, introduction of a large number of hydroxy groups or alkoxy groups increases the permeability to an alkaline solution, and thus one or two introductions are preferable. In addition, the introduction of a hydroxy group causes excessive permeability to an alkaline solution depending on its structure, but by introducing a substituent at a position adjacent thereto, the permeability to an alkaline solution can be controlled, which is preferable. .

【0036】本発明で使用される一般式(I)〜(II
I)で表されるスルホニウム、ヨードニウム化合物は、
その対アニオンX-として、分岐状又は環状の炭素数8
個以上、好ましくは10個以上のアルキル基又はアルコ
キシ基を少なくとも1個以上有するか、直鎖状、分岐状
又は環状の炭素数4〜7個のアルキル基又はアルコキシ
基を少なくとも2個以上有するか、もしくは直鎖状、分
岐状、または環状の炭素数1〜3個のアルキル基又はア
ルコキシ基を少なくとも3個有するベンゼンスルホン
酸、ナフタレンスルホン酸又はアントラセンスルホン酸
のアニオンを有する。あるいはエステル基、R38−CO
−基、R39−CONH−基、R40−NH−基、R41−O
CONH−基、R42−NHCOO−基、R43−NHCO
NH−基、R 44−NHCSN−基、R45−SO2NH−
基およびニトロ基の群の中から選ばれる基を少なくとも
1個有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸
またアンアトラセンスルホン酸のアニオンを有する。
The general formulas (I) to (II) used in the present invention
Sulfonium and iodonium compounds represented by I)
Its counter anion X-As a branched or cyclic carbon number 8
Or more, preferably 10 or more alkyl groups or alcohols
It has at least one xy group, or is linear or branched
Or a cyclic alkyl group having 4 to 7 carbon atoms or alkoxy
Having at least two or more groups,
A branched or cyclic alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or
Benzene sulfone having at least 3 alkoxy groups
Acid, naphthalenesulfonic acid or anthracenesulfonic acid
Having an anion of Or an ester group, R38-CO
-Group, R39-CONH- group, R40-NH- group, R41-O
CONH- group, R42-NHCOO- group, R43-NHCO
NH- group, R 44-NHCSN- group, R45-SOTwoNH-
At least a group selected from the group consisting of
Benzenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid with one
It also has an anthracene sulfonic acid anion.

【0037】これにより露光後発生する酸(上記基を有
するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又は
アントラセンスルホン酸)の拡散性が小さくなり、且つ
該スルホニウム、ヨードニウム化合物の溶剤溶解性が向
上する。特に、拡散性を低減させるという観点からは上
記基として直鎖状のアルキル基又はアルコキシ基より、
分岐状又は環状のアルキル基又はアルコキシ基の方が好
ましい。上記基が1個の場合は、直鎖状と分岐状又は環
状との拡散性の差異はより顕著になる。
As a result, the diffusivity of the acid (benzenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid or anthracenesulfonic acid having the above group) generated after exposure is reduced, and the solubility of the sulfonium and iodonium compounds in the solvent is improved. In particular, from the viewpoint of reducing the diffusivity, a linear alkyl group or an alkoxy group as the above group,
A branched or cyclic alkyl group or alkoxy group is more preferred. When the number of the above groups is one, the difference in diffusivity between a straight chain and a branched or cyclic one becomes more remarkable.

【0038】炭素数8個以上、好ましくは炭素数8〜2
0個のアルキル基としては、分岐状又は環状のオクチル
基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、
トリデシル基、テトラデシル基、オクタデシル基等が挙
げられる。炭素数8個以上、好ましくは炭素数8〜20
個のアルコキシ基としては、分岐状又は環状のオクチル
オキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシ
ルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、
テトラデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げ
られる。炭素数4〜7個のアルキル基としては、直鎖
状、分岐状又は環状のブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基等が挙げられる。炭素数4〜7個のアル
コキシ基としては、直鎖状、分岐状又は環状のブトキシ
基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオ
キシ基等が挙げられる。炭素数1〜3個のアルキル基と
しては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプ
ロピル基が挙げられる。炭素数1〜3個のアルコキシ基
としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ
基、イソプロポキシ基が挙げられる。
C 8 or more, preferably C 8 to C 2
Examples of the zero alkyl group include a branched or cyclic octyl group, a nonyl group, a decyl group, an undecyl group, a dodecyl group,
Examples include a tridecyl group, a tetradecyl group, and an octadecyl group. 8 or more carbon atoms, preferably 8 to 20 carbon atoms
Examples of the alkoxy group include a branched or cyclic octyloxy group, a nonyloxy group, a decyloxy group, an undecyloxy group, a dodecyloxy group, a tridecyloxy group,
Examples include a tetradecyloxy group and an octadecyloxy group. Examples of the alkyl group having 4 to 7 carbon atoms include a linear, branched, or cyclic butyl group, a pentyl group, a hexyl group, and a heptyl group. Examples of the alkoxy group having 4 to 7 carbon atoms include a linear, branched, or cyclic butoxy group, a pentyloxy group, a hexyloxy group, and a heptyloxy group. Examples of the alkyl group having 1 to 3 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, and an isopropyl group. Examples of the alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, and an isopropoxy group.

【0039】また、X-で表される芳香族スルホン酸に
は、上記特定の置換基以外に、ハロゲン原子(フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、炭素数6〜10
個のアリール基、シアノ基、スルフィド基、ヒドロキシ
基、カルボキシ基、ニトロ基等を置換基として含有して
もよい。以下に、これらの化合物の具体例を示すが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
Further, X - in the aromatic sulfonic acid represented by, in addition to the above specific substituent, a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), C6-10
It may contain as substituents aryl groups, cyano groups, sulfide groups, hydroxy groups, carboxy groups, nitro groups and the like. Hereinafter, specific examples of these compounds are shown, but the present invention is not limited thereto.

【0040】[0040]

【化9】 Embedded image

【0041】[0041]

【化10】 Embedded image

【0042】[0042]

【化11】 Embedded image

【0043】[0043]

【化12】 Embedded image

【0044】[0044]

【化13】 Embedded image

【0045】[0045]

【化14】 Embedded image

【0046】[0046]

【化15】 Embedded image

【0047】上記一般式(I)、一般式(II)、一般式
(III)で表される化合物は、1種単独で又は2種以上
を組み合わせて使用することができる。上記(a)成
分、すなわち一般式(I)、一般式(II)、一般式(II
I)で表される化合物は、米国特許第3,734,92
8号明細書に記載の方法、Macromolecules, vol. 10, 1
307(1977), Journal of Organic Chemistry, vol. 55,
4222(1990), J. Radiat. Curing, vol. 5(1), 2(1978)
に記載の方法などを用い、更にカウンターアニオンを交
換することにより合成できる。(a)成分、すなわち一
般式(I)、一般式(II)、一般式(III)で表される
化合物の感光性組成物中の含量は、感光性組成物の固形
分に対し、0.1〜20重量%が適当であり、好ましく
は0.5〜10重量%、更に好ましくは1〜7重量%で
ある。
The compounds represented by formulas (I), (II) and (III) can be used alone or in combination of two or more. The component (a), that is, the general formula (I), the general formula (II), and the general formula (II
The compound represented by I) is disclosed in U.S. Pat. No. 3,734,92.
8, Macromolecules, vol. 10, 1
307 (1977), Journal of Organic Chemistry, vol. 55,
4222 (1990), J. Radiat. Curing, vol. 5 (1), 2 (1978)
Can be synthesized by further exchanging the counter anion. The content of the component (a), that is, the compound represented by the general formula (I), the general formula (II) or the general formula (III) in the photosensitive composition is 0.1 to 0.1% of the solid content of the photosensitive composition. 1-20% by weight is suitable, preferably 0.5-10% by weight, more preferably 1-7% by weight.

【0048】〔III 〕(a’)その他の併用しうる光酸
発生化合物 本発明の感光性組成物において、酸を発生する上記
(a)成分以外に、活性光線又は放射線の照射により分
解して酸を発生する他の化合物(以下、「(a’)成
分」ともいう)を併用してもよい。(a)成分と併用し
うる(a’)成分の含有量は、使用する全光酸発生剤の
70重量%未満が好ましく、より好ましくは60重量%
未満、更に好ましくは50重量%未満である。
[III] (a ') Other Photoacid Generating Compounds That Can Be Used in Combination In the photosensitive composition of the present invention, in addition to the above component (a) which generates an acid, it can be decomposed by irradiation with actinic rays or radiation. Other compounds that generate an acid (hereinafter, also referred to as “component (a ′)”) may be used in combination. The content of the component (a ′) which can be used in combination with the component (a) is preferably less than 70% by weight, more preferably 60% by weight of the total photoacid generator used.
And more preferably less than 50% by weight.

【0049】そのような併用可能な光酸発生剤として
は、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開
始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロ
レジスト等に使用されている公知の光により酸を発生す
る化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用する
ことができる。
Examples of such photoacid generators that can be used in combination include photoinitiators for photocationic polymerization, photoinitiators for photoradical polymerization, photodecolorants for dyes, photochromic agents, and microresists. A known compound that generates an acid by light and a mixture thereof can be appropriately selected and used.

【0050】たとえば S.I.Schlesinger,Photogr.Sci.E
ng.,18,387(1974)、T.S.Bal etal,Polymer,21,423(198
0)等に記載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055
号、同4,069,056号、同 Re 27,992号、特願平3-140,140
号等に記載のアンモニウム塩、D.C.Necker etal,Macrom
olecules,17,2468(1984)、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Con
f.Rad.Curing ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988)、米国特許第
4,069,055号、同4,069,056号等に記載のホスホニウム
塩、J.V.Crivello etal,Macromorecules,10(6),1307(19
77)、Chem.&Eng.News,Nov.28,p31(1988)、欧州特許第10
4,143号、米国特許第339,049号、同第410,201号、特開
平2-150,848号、特開平2-296,514号等に記載のヨードニ
ウム塩、J.V.Crivello etal,Polymer J.17,73(1985)、
J.V.Crivello etal. J.Org.Chem.,43,3055(1978)、W.R.
Watt etal, J.Polymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,22,1789
(1984)、J.V.Crivello etal, Polymer Bull.,14,279(19
85)、J.V.Crivello etal, Macromorecules,14(5),1141
(1981)、J.V.Crivello etal, J.PolymerSci.,Polymer C
hem.Ed.,17,2877(1979)、欧州特許第370,693号、同3,90
2,114号、同233,567号、同297,443号、同297,442号、米
国特許第4,933,377号、同161,811号、同410,201号、同3
39,049号、同4,760,013号、同4,734,444号、同2,833,82
7 号、独国特許第2,904,626号、同3,604,580号、同3,60
4,581号等に記載のスルホニウム塩、J.V.Crivello eta
l, Macromorecules,10(6),1307(1977)、J.V.Crivello e
tal, J.PolymerSci.,Polymer Chem.Ed., 17,1047(1979)
等に記載のセレノニウム塩、C.S.Wen etal, Teh,Proc.C
onf.Rad.Curing ASIA, p478 Tokyo,Oct(1988) 等に記載
のアルソニウム塩等のオニウム塩、米国特許第3,905,81
5号、特公昭46-4605号、特開昭48-36281号、特開昭55-3
2070号、特開昭60-239736号、特開昭61-169835号、特開
昭61-169837号、特開昭62-58241号、特開昭62-212401
号、特開昭63-70243号、特開昭63-298339号等に記載の
有機ハロゲン化合物、K.Meier etal, J.Rad.Curing,13
(4),26(1986)、T.P.Gill etal, Inorg.Chem.,19,3007(1
980)、D.Astruc,Acc.Chem.Res.,19(12),377(1896)、特
開平2-161445号等に記載の有機金属/有機ハロゲン化
物、S.Hayase etal, J.Polymer Sci.,25,753(1987)、E.
Reichmanis etal, J.Pholymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,
23,1(1985)、Q.Q.Zhu etal, J.Photochem.,36,85,39,317
(1987)、 B.Amit etal, Tetrahedron Lett.,(24)2205(19
73)、 D.H.R.Barton etal, J.Chem Soc.,3571(1965)、P.
M.Collins etal, J.Chem.Soc.,Perkin I,1695(1975)、M.
Rudinstein etal, Tetrahedron Lett.,(17),1445(197
5)、J.W.Walker etal J.Am.Chem.Soc.,110,7170(1988)、
S.C.Busman etal, J.Imaging Technol.,11(4),191(198
5)、H.M.Houlihan etal, Macormolecules,21,2001(198
8)、P.M.Collins etal, J.Chem.Soc.,Chem.Commun.,532
(1972)、S.Hayase etal, Macromolecules,18,1799(198
5)、E.Reichmanis etal, J.Electrochem.Soc.,Solid Sta
te Sci.Technol.,130(6)、 F.M.Houlihan etal, Macromo
lcules,21,2001(1988)、欧州特許第0290,750号、同046,
083号、同156,535号、同271,851号、同0,388,343号、 米
国特許第3,901,710号、同4,181,531号、特開昭60-19853
8号、特開昭53-133022号等に記載のo−ニトロベンジル
型保護基を有する光酸発生剤、M.TUNOOKA etal, Polym
er Preprints Japan,35(8)、G.Berner etal, J.Rad.Cur
ing,13(4)、W.J.Mijs etal, Coating Technol.,55(69
7),45(1983),Akzo、H.Adachi etal, Polymer Preprints,
Japan,37(3)、 欧州特許第0199,672号、同84515号、同19
9,672号、同044,115号、同0101,122号、米国特許第618,
564号、同4,371,605号、同4,431,774号、特開昭64-1814
3号、特開平2-245756号、特願平3-140109号等に記載の
イミノスルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホ
ン酸を発生する化合物、特開昭61-166544号等に記載の
ジスルホン化合物を挙げることができる。
For example, SISchlesinger, Photogr.Sci.E
ng., 18,387 (1974), TSBal etal, Polymer, 21,423 (198
0) etc., U.S. Pat.No.4,069,055
No. 4,069,056, Re 27,992, Japanese Patent Application No. 3-140,140
Salt, DCNecker etal, Macrom
olecules, 17, 2468 (1984), CSwen et al, Teh, Proc. Con
f.Rad.Curing ASIA, p478 Tokyo, Oct (1988), U.S. Patent No.
Nos. 4,069,055 and 4,069,056, and phosphonium salts described in JVCrivello et al., Macromorecules, 10 (6), 1307 (19
77), Chem. & Eng. News, Nov. 28, p31 (1988), European Patent No. 10
No. 4,143, U.S. Pat.Nos. 339,049, 410,201, JP-A-2-150,848, Iodonium salts described in JP-A-2-296,514, etc., JVCrivello et al., Polymer J. 17, 73 (1985),
JVCrivello et al. J.Org.Chem., 43, 3055 (1978), WR
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No. 564, 4,371,605, 4,431,774, JP-A-64-1814
No. 3, JP-A-2-245756, compounds capable of generating sulfonic acid by photodecomposition represented by iminosulfonate described in Japanese Patent Application No. 3-140109, etc., described in JP-A-61-166544 and the like. The disulfone compound of the above can be mentioned.

【0051】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化
合物、たとえば、M.E.Woodhouse etal, J.Am.Chem.So
c.,104,5586(1982)、S.P.Pappas etal, J.Imaging Sc
i.,30(5),218(1986)、S.Kondo etal, Makromol.Chem.,R
apid Commun.,9,625(1988)、Y.Yamada etal, Makromol.
Chem.,152,153,163(1972) 、J.V.Crivello etal, J.Pol
ymerSci.,Polymer Chem.Ed.,17,3845(1979)、米国特許
第3,849,137号、独国特許第3914407号、特開昭63-26653
号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-
146038 号、特開昭63-163452 号、特開昭62-153853号、
特開昭63-146029号等に記載の化合物を用いることがで
きる。
Further, a group that generates an acid by these lights,
Alternatively, a compound having a compound introduced into the main chain or side chain of a polymer, for example, MEWoodhouse et al., J. Am. Chem.
c., 104, 5586 (1982), SPPappas etal, J. Imaging Sc
i., 30 (5), 218 (1986), S. Kondo et al., Makromol. Chem., R
apid Commun., 9,625 (1988), Y.Yamada et al., Makromol.
Chem., 152, 153, 163 (1972), JVCrivello et al, J. Pol
ymerSci., Polymer Chem.Ed., 17, 3845 (1979), U.S. Pat.No. 3,849,137, German Patent No. 3914407, JP-A-63-26653
No., JP-A-55-164824, JP-A-62-69263, JP-A-63-69
No. 146038, JP-A-63-163452, JP-A-62-153853,
The compounds described in JP-A-63-146029 can be used.

【0052】更にV.N.R.Pillai, Synthesis,(1),1(198
0)、A.Abad etal, Tetrahedron Lett.,(47)4555(197
1)、D.H.R.Barton etal, J.Chem.Soc.,(C),329(1970)、
米国特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載
の光により酸を発生する化合物も使用することができ
る。
Further, VNRPillai, Synthesis, (1), 1 (198
0), A. Abad etal, Tetrahedron Lett., (47) 4555 (197
1), DHR Barton et al., J. Chem. Soc., (C), 329 (1970),
Compounds that generate an acid by light described in U.S. Pat. No. 3,779,778 and European Patent 126,712 can also be used.

【0053】上記併用可能な活性光線又は放射線の照射
により分解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に
用いられるものについて以下に説明する。 (1)トリハロメチル基が置換した下記一般式(PAG
1)で表されるオキサゾール誘導体又は一般式(PAG
2)で表されるS−トリアジン誘導体。
Among the above compounds which can be used together and which generate an acid by being decomposed by irradiation with actinic rays or radiation, those which are particularly effectively used are described below. (1) The following general formula (PAG) substituted with a trihalomethyl group
The oxazole derivative represented by 1) or the general formula (PAG)
An S-triazine derivative represented by 2).

【0054】[0054]

【化16】 Embedded image

【0055】式中、R201 は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、R202 は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−C(Y)3
を示す。Yは塩素原子又は臭素原子を示す。具体的には
以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定され
るものではない。
In the formula, R 201 is a substituted or unsubstituted aryl group or alkenyl group, and R 202 is a substituted or unsubstituted aryl group, alkenyl group, alkyl group, —C (Y) 3
Is shown. Y represents a chlorine atom or a bromine atom. Specific examples include the following compounds, but the present invention is not limited thereto.

【0056】[0056]

【化17】 Embedded image

【0057】[0057]

【化18】 Embedded image

【0058】(2)下記の一般式(PAG3)で表され
るヨードニウム塩、又は一般式(PAG4)で表される
スルホニウム塩。
(2) An iodonium salt represented by the following formula (PAG3) or a sulfonium salt represented by the following formula (PAG4).

【0059】[0059]

【化19】 Embedded image

【0060】ここで式Ar1、Ar2は各々独立に置換も
しくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカ
プト基及びハロゲン原子が挙げられる。
The formulas Ar 1 and Ar 2 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group. Preferred substituents include an alkyl group, a haloalkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkoxy group, a nitro group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a hydroxy group, a mercapto group, and a halogen atom.

【0061】R203 、R204 、R205 は各々独立に、置
換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好
ましくは、炭素数6〜14のアリール基、炭素数1〜8
のアルキル基及びそれらの置換誘導体である。好ましい
置換基としては、アリール基に対しては炭素数1〜8の
アルコキシ基、炭素数1〜8のアルキル基、ニトロ基、
カルボキシル基、ヒロドキシ基及びハロゲン原子であ
り、アルキル基に対しては炭素数1〜8のアルコキシ
基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基である。
R 203 , R 204 and R 205 each independently represent a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group. Preferably, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms
And substituted derivatives thereof. Preferred substituents include an aryl group, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a nitro group,
A carboxyl group, a hydroxy group and a halogen atom, and an alkyl group is an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, a carboxyl group and an alkoxycarbonyl group.

【0062】Z- は対アニオンを示し、例えばB
4 - 、AsF6 - 、PF6 - 、SbF6 - 、Si
6 2-、ClO4 - 、CF3SO3 - 等のパーフルオロア
ルカンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンス
ルホン酸アニオン、ナフタレン−1−スルホン酸アニオ
ン等の縮合多核芳香族スルホン酸アニオン、アントラキ
ノンスルホン酸 アニオン、スルホン酸基含有染料等を
挙げることができるがこれらに限定されるものではな
い。
Z-Represents a counter anion, for example, B
FFour -, AsF6 -, PF6 -, SbF6 -, Si
F6 2-, ClOFour -, CFThreeSOThree -Perfluoroa
Lucanesulfonic acid anion, pentafluorobenzenes
Sulfonic acid anion, naphthalene-1-sulfonic acid anion
Polynuclear aromatic sulfonate anions such as
Non-sulfonic acid anions, sulfonic acid group-containing dyes, etc.
But not limited to
No.

【0063】またR203 、R204 、R205 のうちの2つ
及びAr1、Ar2はそれぞれの単結合又は置換基を介し
て結合してもよい。
Further, two of R 203 , R 204 and R 205 and Ar 1 and Ar 2 may be bonded through a single bond or a substituent.

【0064】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
Specific examples include the following compounds, but are not limited thereto.

【0065】[0065]

【化20】 Embedded image

【0066】[0066]

【化21】 Embedded image

【0067】[0067]

【化22】 Embedded image

【0068】[0068]

【化23】 Embedded image

【0069】[0069]

【化24】 Embedded image

【0070】[0070]

【化25】 Embedded image

【0071】[0071]

【化26】 Embedded image

【0072】一般式(PAG3)、(PAG4)で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えばJ.W.Knapczyk
etal, J.Am.Chem.Soc.,91,145(1969)、A.L.Maycok eta
l, J.Org.Chem.,35,2532,(1970)、E.Goethas etal, Bul
l.Soc.Chem.Belg.,73,546,(1964) 、H.M.Leicester、J.A
me.Chem.Soc.,51,3587(1929)、J.V.Crivello etal, J.P
olym.Chem.Ed.,18,2677(1980)、米国特許第2,807,648号
及び同4,247,473号、特開昭53-101,331号等に記載の方
法により合成することができる。
The above-mentioned onium salts represented by the general formulas (PAG3) and (PAG4) are known, for example, JWKnapczyk
etal, J. Am. Chem. Soc., 91, 145 (1969), ALMaycok eta
l, J. Org. Chem., 35, 2532, (1970), E. Goethas et al., Bul
l.Soc.Chem.Belg., 73,546, (1964), HM Leicester, JA
me.Chem.Soc., 51,3587 (1929), JVCrivello etal, JP
olym. Chem. Ed., 18, 2677 (1980), U.S. Pat. Nos. 2,807,648 and 4,247,473, and JP-A-53-101,331.

【0073】(3)下記一般式(PAG5)で表される
ジスルホン誘導体、又は下記一般式(PAG6)で表さ
れるイミノスルホネート誘導体。
(3) Disulfone derivatives represented by the following general formula (PAG5) or iminosulfonate derivatives represented by the following general formula (PAG6).

【0074】[0074]

【化27】 Embedded image

【0075】式中、Ar3、Ar4は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。R 206 は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Aは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
Where ArThree, ArFourAre each independently substituted
Or an unsubstituted aryl group. R 206Is replaced or
It represents an unsubstituted alkyl group or aryl group. A is a substitution
Or unsubstituted alkylene, alkenylene, arylene
Shows a substituent group. Specific examples include the compounds shown below.
However, the present invention is not limited to these.

【0076】[0076]

【化28】 Embedded image

【0077】[0077]

【化29】 Embedded image

【0078】[0078]

【化30】 Embedded image

【0079】[0079]

【化31】 Embedded image

【0080】〔IV〕(b)酸の作用により分解し、アル
カリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂
(以下、単に「(b)成分」ともいう) 本発明における化学増幅型レジストにおいて用いられる
酸により分解し、アルカリ現像液中での溶解性を増大さ
せる基(酸で分解しうる基ともいう)を有する樹脂とし
ては、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の
両方に、酸で分解し得る基を有する樹脂である。この
内、酸で分解し得る基を側鎖に有する樹脂がより好まし
い。酸で分解し得る基として好ましい基は、−COOA
0、−O−B0基であり、更にこれらを含む基としては、
−R0−COOA0、又は−Ar−O−B0で示される基
が挙げられる。ここでA0は、−C(R01)(R02
(R03)、−Si(R01)(R02)(R0 3)もしくは−
C(R04)(R05)−O−R06基を示す。B0 は、A0
又は−CO−O−A0基を示す(R0、R01〜R06及びA
rは後述のものと同義)。
[IV] (b) A resin having a group that decomposes under the action of an acid to increase the solubility in an alkaline developer (hereinafter, also simply referred to as “component (b)”) The chemically amplified resist of the present invention Examples of the resin having a group capable of decomposing with an acid used in (1) and increasing the solubility in an alkaline developer (also referred to as a group decomposable with an acid) include a main chain or a side chain of the resin, or a main chain and a side chain. Resin having acid-decomposable groups on both chains. Among them, a resin having a group which can be decomposed by an acid in a side chain is more preferable. A preferred group capable of being decomposed by an acid is -COOA
0, a -O-B 0 group, the group further comprising them,
-R 0 -COOA 0, or group represented by -Ar-O-B 0. Here, A 0 is -C (R 01 ) (R 02 )
(R 03), - Si ( R 01) (R 02) (R 0 3) or -
And represents a C (R 04 ) (R 05 ) -OR 06 group. B 0 is A 0
Or an -CO-O-A 0 group (R 0, R 01 ~R 06 and A
r is as defined below).

【0081】酸分解性基としては好ましくは、シリルエ
ーテル基、クミルエステル基、アセタール基、テトラヒ
ドロピラニルエーテル基、エノールエーテル基、エノー
ルエステル基、第3級のアルキルエーテル基、第3級の
アルキルエステル基、第3級のアルキルカーボネート基
等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル
基、第3級アルキルカーボネート基、クミルエステル
基、アセタール基、テトラヒドロピラニルエーテル基で
ある。特に好ましくはアセタール基である。
The acid-decomposable group is preferably a silyl ether group, a cumyl ester group, an acetal group, a tetrahydropyranyl ether group, an enol ether group, an enol ester group, a tertiary alkyl ether group, or a tertiary alkyl ester. And tertiary alkyl carbonate groups. More preferred are a tertiary alkyl ester group, a tertiary alkyl carbonate group, a cumyl ester group, an acetal group, and a tetrahydropyranyl ether group. Particularly preferred is an acetal group.

【0082】次に、これら酸で分解し得る基が側鎖とし
て結合する場合の母体樹脂としては、側鎖に−OHもし
くは−COOH、好ましくは−R0−COOHもしくは
−Ar−OH基を有するアルカリ可溶性樹脂である。例
えば、後述するアルカリ可溶性樹脂を挙げることができ
る。
Next, when the groups decomposable by these acids are bonded as side chains, the base resin has —OH or —COOH, preferably —R 0 —COOH or —Ar—OH group on the side chain. It is an alkali-soluble resin. For example, an alkali-soluble resin described below can be used.

【0083】これらアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解
速度は、0.261Nテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド(TMAH)で測定(23℃)して170
A/秒以上のものが好ましい。特に好ましくは330A
/秒以上のものである(ここでAはオングストロー
ム)。また、矩形プロファイルを達成する点から遠紫外
光やエキシマレーザー光に対する透過率が高いアルカリ
可溶性樹脂が好ましい。好ましくは、1μm膜厚の24
8nmでの透過率が20〜90%である。このような観
点から、特に好ましいアルカリ可溶性樹脂は、o−、m
−、p−ポリ(ヒドロキシスチレン)及びこれらの共重
合体、水素化ポリ(ヒドロキシスチレン)、ハロゲンも
しくはアルキル置換ポリ(ヒドロキシスチレン)、ポリ
(ヒドロキシスチレン)の一部、O−アルキル化もしく
はO−アシル化物、スチレン−ヒドロキシスチレン共重
合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合
体及び水素化ノボラック樹脂である。
The alkali dissolution rate of these alkali-soluble resins was measured using a 0.261N tetramethylammonium hydroxide (TMAH) (at 23 ° C.).
A / sec or more is preferable. Particularly preferably 330A
Per second or more (where A is Angstroms). From the viewpoint of achieving a rectangular profile, an alkali-soluble resin having a high transmittance to far ultraviolet light or excimer laser light is preferable. Preferably, a 1 μm film thickness of 24
The transmittance at 8 nm is 20 to 90%. From such a viewpoint, particularly preferred alkali-soluble resins are o-, m
-, P-poly (hydroxystyrene) and copolymers thereof, hydrogenated poly (hydroxystyrene), halogen or alkyl-substituted poly (hydroxystyrene), part of poly (hydroxystyrene), O-alkylated or O- An acylated product, a styrene-hydroxystyrene copolymer, an α-methylstyrene-hydroxystyrene copolymer, and a hydrogenated novolak resin.

【0084】本発明に用いられる酸で分解し得る基を有
する樹脂は、欧州特許254853号、特開平2−25
850号、同3−223860号、同4−251259
号等に開示されているように、アルカリ可溶性樹脂に酸
で分解し得る基の前駆体を反応させる、もしくは、酸で
分解し得る基の結合したアルカリ可溶性樹脂モノマーを
種々のモノマーと共重合して得ることができる。
The resin having an acid-decomposable group used in the present invention is disclosed in EP 254853, JP-A-2-25.
No. 850, No. 3-223860, No. 4-251259
As disclosed in US Pat. No. 6,086,098, an alkali-soluble resin is reacted with a precursor of an acid-decomposable group, or an alkali-soluble resin monomer having an acid-decomposable group bonded thereto is copolymerized with various monomers. Can be obtained.

【0085】本発明に使用される酸により分解し得る基
を有する樹脂の具体例を以下に示すが、本発明がこれら
に限定されるものではない。
Specific examples of the resin having a group decomposable by an acid used in the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0086】p−t−ブトキシスチレン/p−ヒドロキ
シスチレン共重合体、p−(t−ブトキシカルボニルオ
キシ)スチレン/p−ヒドロキシスチレン共重合体、p
−(t−ブトキシカルボニルメチルオキシ)スチレン/
p−ヒドロキシスチレン共重合体、4−(t−ブトキシ
カルボニルメチルオキシ)−3−メチルスチレン/4−
ヒドロキシ−3−メチルスチレン共重合体、p−(t−
ブトキシカルボニルメチルオキシ)スチレン/p−ヒド
ロキシスチレン(10%水素添加物)共重合体、m−
(t−ブトキシカルボニルメチルオキシ)スチレン/m
−ヒドロキシスチレン共重合体、o−(t−ブトキシカ
ルボニルメチルオキシ)スチレン/o−ヒドロキシスチ
レン共重合体、p−(クミルオキシカルボニルメチルオ
キシ)スチレン/p−ヒドロキシスチレン共重合体、ク
ミルメタクリレート/メチルメタクリレート共重合体、
4−t−ブトキシカルボニルスチレン/マレイン酸ジメ
チル共重合体、ベンジルメタクリレート/テトラヒドロ
ピラニルメタクリレート、
Pt-butoxystyrene / p-hydroxystyrene copolymer, p- (t-butoxycarbonyloxy) styrene / p-hydroxystyrene copolymer, p
-(T-butoxycarbonylmethyloxy) styrene /
p-hydroxystyrene copolymer, 4- (t-butoxycarbonylmethyloxy) -3-methylstyrene / 4
Hydroxy-3-methylstyrene copolymer, p- (t-
(Butoxycarbonylmethyloxy) styrene / p-hydroxystyrene (10% hydrogenated) copolymer, m-
(T-butoxycarbonylmethyloxy) styrene / m
-Hydroxystyrene copolymer, o- (t-butoxycarbonylmethyloxy) styrene / o-hydroxystyrene copolymer, p- (cumyloxycarbonylmethyloxy) styrene / p-hydroxystyrene copolymer, cumyl methacrylate / Methyl methacrylate copolymer,
4-t-butoxycarbonylstyrene / dimethyl maleate copolymer, benzyl methacrylate / tetrahydropyranyl methacrylate,

【0087】p−(t−ブトキシカルボニルメチルオキ
シ)スチレン/p−ヒドロキシスチレン/スチレン共重
合体、p−t−ブトキシスチレン/p−ヒドロキシスチ
レン/フマロニトリル共重合体、t−ブトキシスチレン
/ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、スチレン
/N−(4−ヒドロキシフェニル)マレイミド/N−
(4−t−ブトキシカルボニルオキシフェニル)マレイ
ミド共重合体、p−ヒドロキシスチレン/t−ブチルメ
タクリレート共重合体、スチレン/p−ヒドロキシスチ
レン/t−ブチルメタクリレート共重合体 p−ヒドロキシスチレン/t−ブチルアクリレート共重
合体、スチレン/p−ヒドロキシスチレン/t−ブチル
アクリレート共重合体 p−(t−ブトキシカルボニルメチルオキシ)スチレン
/p−ヒドロキシスチレン/N−メチルマレイミド共重
合体、t−ブチルメタクリレート/1−アダマンチルメ
チルメタクリレート共重合体、p−ヒドロキシスチレン
/t−ブチルアクリレート/p−アセトキシスチレン共
重合体、p−ヒドロキシスチレン/t−ブチルアクリレ
ート/p−(t−ブトキシカルボニルオキシ)スチレン
共重合体、p−ヒドロキシスチレン/t−ブチルアクリ
レート/p−(t−ブトキシカルボニルメチルオキシ)
スチレン共重合体、
P- (t-butoxycarbonylmethyloxy) styrene / p-hydroxystyrene / styrene copolymer, pt-butoxystyrene / p-hydroxystyrene / fumaronitrile copolymer, t-butoxystyrene / hydroxyethyl methacrylate Copolymer, styrene / N- (4-hydroxyphenyl) maleimide / N-
(4-t-butoxycarbonyloxyphenyl) maleimide copolymer, p-hydroxystyrene / t-butyl methacrylate copolymer, styrene / p-hydroxystyrene / t-butyl methacrylate copolymer p-hydroxystyrene / t-butyl Acrylate copolymer, styrene / p-hydroxystyrene / t-butyl acrylate copolymer p- (t-butoxycarbonylmethyloxy) styrene / p-hydroxystyrene / N-methylmaleimide copolymer, t-butyl methacrylate / 1 -Adamantyl methyl methacrylate copolymer, p-hydroxystyrene / t-butyl acrylate / p-acetoxystyrene copolymer, p-hydroxystyrene / t-butyl acrylate / p- (t-butoxycarbonyloxy) styrene copolymer , P- hydroxystyrene / t-butyl acrylate / p-(t-butoxycarbonylmethyloxy)
Styrene copolymer,

【0088】[0088]

【化32】 Embedded image

【0089】本発明において、酸で分解し得る基を有す
る樹脂((b)成分)としては、上述の一般式(IV)及び
一般式(V)で示される繰り返し構造単位を含む樹脂が
好ましい。これにより、高解像を有し、且つ露光から加
熱までの経時における性能変化がより少なくなる。
In the present invention, as the resin having an acid-decomposable group (component (b)), a resin containing a repeating structural unit represented by the above-mentioned general formulas (IV) and (V) is preferable. Thereby, it has a high resolution and the performance change over time from exposure to heating is reduced.

【0090】一般式(IV)のL及びZにおけるアルキル
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル
基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シク
ロヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などの炭素数1
〜20個の直鎖、分岐あるいは環状のものが挙げられ
る。
The alkyl group in L and Z in the general formula (IV) includes methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, t-butyl, pentyl, cyclopentyl, hexyl Group, cyclohexyl group, octyl group, dodecyl group, etc.
Straight-chain, branched or cyclic ones.

【0091】アルキル基の好ましい置換基としてはアル
キル基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ
基、アシル基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、
アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基等
が挙げられ、例えばシクロヘキシルエチル基、アルキル
カルボニルオキシメチル基やアルキルカルボニルオキシ
エチル基、アリールカルボニルオキシエチル基、アラル
キルカルボニルオキシエチル基、アルキルオキシメチル
基、アリールオキシメチル基、アラルキルオキシメチル
基、アルキルオキシエチル基、アリールオキシエチル
基、アラルキルオキシエチル基、アルキルチオメチル
基、アリールチオメチル基、アラルキルチオメチル基、
アルキルチオエチル基、アリールチオエチル基、アラル
キルチオエチル基等が挙げられる。この場合のアルキル
は特に限定しないが、鎖状、環状、分岐状のいずれでも
よく、例えばシクロヘキシルカルボニルオキシエチル基
やt−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチル
基、n−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチル
基のような基を挙げることができる。また、アリールも
限定しないが、例えばフェニルオキシエチル基等が挙げ
られ、更に置換されても良く、例えばシクロヘキシルフ
ェニルオキシエチル基等を挙げることができる。アラル
キルも特に限定しないが、例えばベンジルカルボニルオ
キシエチル基等を挙げることができる。
Preferred substituents of the alkyl group include an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acylamino group, a sulfonylamino group,
Examples include an alkylthio group, an arylthio group, and an aralkylthio group.Examples include a cyclohexylethyl group, an alkylcarbonyloxymethyl group, an alkylcarbonyloxyethyl group, an arylcarbonyloxyethyl group, an aralkylcarbonyloxyethyl group, an alkyloxymethyl group, and an aryloxy group. Methyl group, aralkyloxymethyl group, alkyloxyethyl group, aryloxyethyl group, aralkyloxyethyl group, alkylthiomethyl group, arylthiomethyl group, aralkylthiomethyl group,
Examples thereof include an alkylthioethyl group, an arylthioethyl group, and an aralkylthioethyl group. The alkyl in this case is not particularly limited, but may be any of a chain, a ring, and a branch, and examples thereof include a group such as a cyclohexylcarbonyloxyethyl group, a t-butylcyclohexylcarbonyloxyethyl group, and an n-butylcyclohexylcarbonyloxyethyl group. Can be mentioned. Also, the aryl is not limited, but includes, for example, a phenyloxyethyl group and the like, and may be further substituted, for example, a cyclohexylphenyloxyethyl group. The aralkyl is not particularly limited, but examples thereof include a benzylcarbonyloxyethyl group.

【0092】L、Zにおけるアラルキル基としては、置
換又は未置換のベンジル基、置換又は未置換のフェネチ
ル基などの炭素数7〜15個のものが挙げられる。アラ
ルキル基の好ましい置換基としてはアルコキシ基、水酸
基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルアミノ
基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチ
オ基、アラルキルチオ基等が挙げられ、例えば、アルコ
キシベンジル基、ヒドロキシベンジル基、フェニルチオ
フェネチル基等が挙げられる。上記のように置換アルキ
ル基や置換アラルキル基は末端にフェニル基やシクロヘ
キシル基のような嵩高い基を導入することで、本発明の
酸発生剤との組み合わせで更にエッジラフネスの向上が
認められる。
Examples of the aralkyl group in L and Z include those having 7 to 15 carbon atoms, such as a substituted or unsubstituted benzyl group and a substituted or unsubstituted phenethyl group. Preferred substituents of the aralkyl group include an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acylamino group, a sulfonylamino group, an alkylthio group, an arylthio group, an aralkylthio group, and the like. Examples include a benzyl group and a phenylthiophenethyl group. As described above, the introduction of a bulky group such as a phenyl group or a cyclohexyl group into the terminal of the substituted alkyl group or substituted aralkyl group can further improve edge roughness in combination with the acid generator of the present invention.

【0093】LとZが互いに結合して形成する5又は6
員環としては、テトラヒドロピラン環、テトラヒドロフ
ラン環等が挙げられる。
5 or 6 formed by combining L and Z with each other
Examples of the member ring include a tetrahydropyran ring and a tetrahydrofuran ring.

【0094】上記樹脂中の一般式(IV)で示される繰り
返し構造単位と一般式(V)で示される繰り返し構造単
位との比率は、好ましくは1/99〜60/40であ
り、より好ましくは5/95〜50/50であり、更に
好ましくは10/90〜40/60である。
The ratio of the repeating structural unit represented by the general formula (IV) to the repeating structural unit represented by the general formula (V) in the resin is preferably from 1/99 to 60/40, more preferably from 1/99 to 60/40. It is 5/95 to 50/50, more preferably 10/90 to 40/60.

【0095】上述の一般式(IV)及び一般式(V)で示
される繰り返し構造単位を含む樹脂には、他のモノマー
から誘導される構造単位が含まれてもよい。他のモノマ
ーとしては、水素化ヒドロキシスチレン;ハロゲン、ア
ルコキシもしくはアルキル置換ヒドロキシスチレン;ス
チレン;ハロゲン、アルコキシ、アシロキシもしくはア
ルキル置換スチレン;無水マレイン酸;アクリル酸誘導
体;メタクリル酸誘導体;N−置換マレイミド等を挙げ
ることができるが、これらに限定されるものではない。
一般式(IV) 及び一般式(V)の構造単位と他のモノマ
ーの構造単位との比率は、モル比で、〔(IV) +
(V)〕/〔他のモノマー成分〕=100/0〜50/
50、好ましくは100/0〜60/40、更に好まし
くは100/0〜70/30である。
The resin containing the repeating structural units represented by the general formulas (IV) and (V) may include structural units derived from other monomers. Other monomers include hydrogenated hydroxystyrene; halogen, alkoxy or alkyl-substituted hydroxystyrene; styrene; halogen, alkoxy, acyloxy or alkyl-substituted styrene; maleic anhydride; acrylic acid derivative; methacrylic acid derivative; Examples include, but are not limited to:
The ratio between the structural units of the general formulas (IV) and (V) and the structural units of the other monomers is represented by a molar ratio of [(IV) +
(V)] / [other monomer components] = 100/0 to 50 /
50, preferably 100/0 to 60/40, and more preferably 100/0 to 70/30.

【0096】上述の一般式(IV) 及び一般式(V)で示
される繰り返し構造単位を含む樹脂の具体例としては、
下記のものが挙げられる。
Specific examples of the resin containing a repeating structural unit represented by the above general formulas (IV) and (V) include:
The following are mentioned.

【0097】[0097]

【化33】 Embedded image

【0098】[0098]

【化34】 Embedded image

【0099】[0099]

【化35】 Embedded image

【0100】[0100]

【化36】 Embedded image

【0101】[0101]

【化37】 Embedded image

【0102】[0102]

【化38】 Embedded image

【0103】[0103]

【化39】 Embedded image

【0104】[0104]

【化40】 Embedded image

【0105】[0105]

【化41】 Embedded image

【0106】[0106]

【化42】 Embedded image

【0107】上記具体例において、Meはメチル基、E
tはエチル基、nBuはn−ブチル基、iso−Buは
イソブチル基、tBuはt−ブチル基を表す。
In the above specific examples, Me is a methyl group, E
t represents an ethyl group, nBu represents an n-butyl group, iso-Bu represents an isobutyl group, and tBu represents a t-butyl group.

【0108】酸分解性基としてアセタール基を用いる場
合、アルカリ溶解速度調整及び耐熱性向上のために合成
段階においてポリヒドロキシ化合物を添加してポリマー
主鎖を多官能アセタール基で連結する架橋部位を導入し
てもよい。ポリヒドロキシ化合物の添加量は樹脂の水酸
基の量に対して、0.01〜5mol%、更に好ましく
は0.05〜4mol%である。ポリヒドロキシ化合物
としては、フェノール性水酸基あるいはアルコール性水
酸基を2〜6個持つものがあげられ、好ましくは水酸基
の数が2〜4個であり、更に好ましくは水酸基の数が2
又は3個である。以下にポリヒドロキシ化合物の具体例
を示すが、これに限定されるものではない。
When an acetal group is used as the acid-decomposable group, a polyhydroxy compound is added in the synthesis stage to adjust the alkali dissolution rate and improve heat resistance to introduce a cross-linking site connecting the polymer main chain with a polyfunctional acetal group. May be. The amount of the polyhydroxy compound to be added is 0.01 to 5 mol%, more preferably 0.05 to 4 mol%, based on the amount of hydroxyl groups of the resin. Examples of the polyhydroxy compound include those having 2 to 6 phenolic hydroxyl groups or alcoholic hydroxyl groups, preferably 2 to 4 hydroxyl groups, and more preferably 2 to 4 hydroxyl groups.
Or three. Specific examples of the polyhydroxy compound are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0109】[0109]

【化43】 Embedded image

【0110】酸で分解し得る基を有する樹脂の重量平均
分子量(Mw)は、2,000〜300,000の範囲
であることが好ましい。2,000未満では未露光部の
現像により膜減りが大きく、300,000を越えると
樹脂自体のアルカリに対する溶解速度が遅くなり感度が
低下してしまう。ここで、重量平均分子量は、ゲルパー
ミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値
をもって定義される。
The weight average molecular weight (Mw) of the resin having an acid-decomposable group is preferably in the range of 2,000 to 300,000. If it is less than 2,000, the film thickness is greatly reduced due to the development of the unexposed portion. Here, the weight average molecular weight is defined as a polystyrene equivalent value of gel permeation chromatography.

【0111】また、本発明の感光性組成物の(b)成
分、即ち酸で分解し得る基を有する樹脂は、2種類以上
混合して使用してもよい。(b)成分の使用量は、感光
性組成物の全重量(溶媒を除く)を基準として40〜9
9重量%、好ましくは60〜98重量%である。
The component (b) of the photosensitive composition of the present invention, that is, a resin having an acid-decomposable group, may be used as a mixture of two or more kinds. The amount of the component (b) used is 40 to 9 based on the total weight of the photosensitive composition (excluding the solvent).
It is 9% by weight, preferably 60 to 98% by weight.

【0112】〔V〕(d)低分子酸分解性溶解阻止化合
物 本発明の感光性組成物は、(d)低分子酸分解性溶解阻
止化合物(以下、単に「(d)成分」ともいう)を含有
してもよい。(d)成分は、酸により分解し得る基を有
し、アルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大
する、分子量3000以下、好ましくは200〜2,0
00、更に好ましくは300〜1,500の低分子量化
合物である。(d)成分の含量は、酸分解性基含有樹脂
と光酸発生剤と組み合わせる場合には、感光性組成物の
全重量(溶媒を除く)を基準として、好ましくは3〜4
5重量%、より好ましくは5〜30重量%、更に好まし
くは10〜20重量%である。
[V] (d) Low-molecular acid-decomposable dissolution inhibiting compound The photosensitive composition of the present invention comprises (d) a low-molecular acid-decomposable dissolution-inhibiting compound (hereinafter, also simply referred to as “component (d)”). May be contained. The component (d) has a group that can be decomposed by an acid, and the solubility in an alkali developer increases by the action of an acid.
00, more preferably 300 to 1,500 low molecular weight compounds. When the content of the component (d) is combined with the acid-decomposable group-containing resin and the photoacid generator, the content is preferably 3 to 4 based on the total weight of the photosensitive composition (excluding the solvent).
It is 5% by weight, more preferably 5 to 30% by weight, still more preferably 10 to 20% by weight.

【0113】好ましい(d)成分、即ち好ましい酸分解
性溶解阻止化合物は、その構造中に酸で分解し得る基を
少なくとも2個有し、且つ該酸分解性基間の距離が、最
も離れた位置において、酸分解性基を除く結合原子を少
なくとも8個経由する化合物である。より好ましい酸分
解性溶解阻止化合物は、(イ)その構造中に酸で分解し
得る基を少なくとも2個有し、且つ該酸分解性基間の距
離が、最も離れた位置において、酸分解性基を除く結合
原子を少なくとも10個、好ましくは少なくとも11
個、更に好ましくは少なくとも12個経由する化合物、
及び(ロ)酸分解性基を少なくとも3個有し、該酸分解
性基間の距離が、最も離れた位置において、酸分解性基
を除く結合原子を少なくとも9個、好ましくは少なくと
も10個、更に好ましくは少なくとも11個経由する化
合物である。また、上記結合原子の上限は、好ましくは
50個、より好ましくは30個である。
The preferred component (d), that is, the preferred acid-decomposable dissolution-inhibiting compound has at least two acid-decomposable groups in its structure, and the distance between the acid-decomposable groups is the longest. A compound that has at least 8 bonding atoms in position except for the acid-decomposable group. A more preferred acid-decomposable dissolution-inhibiting compound is (A) an acid-decomposable compound having at least two groups capable of being decomposed by an acid in its structure, and wherein the distance between the acid-decomposable groups is the farthest. At least 10 and preferably at least 11
, More preferably at least 12 compounds,
And (ii) at least three acid-decomposable groups, and the distance between the acid-decomposable groups is at least 9, and preferably at least 10, excluding the acid-decomposable groups at the farthest position. More preferably, it is a compound passing through at least 11. The upper limit of the number of the bonding atoms is preferably 50, and more preferably 30.

【0114】酸分解性溶解阻止化合物が、酸分解性基を
3個以上、好ましくは4個以上有する場合、また酸分解
性基を2個有する場合においても、該酸分解性基が互い
にある一定の距離以上離れていれば、アルカリ可溶性樹
脂に対する溶解阻止性が著しく向上する。なお、酸分解
性基間の距離は、酸分解性基を除く、経由結合原子数で
示される。例えば、下記の化合物(1)、(2)の場
合、酸分解性基間の距離は、各々結合原子4個であり、
化合物(3)では結合原子12個である。
When the acid-decomposable dissolution-inhibiting compound has three or more, preferably four or more acid-decomposable groups, and also when it has two acid-decomposable groups, the acid-decomposable groups are mutually fixed at a certain level. If the distance is not less than the distance, the dissolution inhibiting property with respect to the alkali-soluble resin is significantly improved. The distance between the acid-decomposable groups is represented by the number of via bond atoms excluding the acid-decomposable groups. For example, in the case of the following compounds (1) and (2), the distance between the acid-decomposable groups is four bonding atoms each,
In compound (3), it has 12 bonding atoms.

【0115】[0115]

【化44】 Embedded image

【0116】また、酸分解性溶解阻止化合物は、1つの
ベンゼン環上に複数個の酸分解性基を有していてもよい
が、好ましくは、1つのベンゼン環上に1個の酸分解性
基を有する骨格から構成される化合物である。
The acid-decomposable dissolution-inhibiting compound may have a plurality of acid-decomposable groups on one benzene ring, but preferably one acid-decomposable group on one benzene ring. It is a compound composed of a skeleton having a group.

【0117】酸により分解し得る基、即ち−COO−A
0、−O−B0基を含む基としては、−R0−COO−
0、又は−Ar−O−B0で示される基が挙げられる。
ここでA0は、−C(R01)(R02)(R03)、−Si
(R01)(R02)(R0 3)もしくは−C(R04
(R05)−O−R06基を示す。B0は、A0又は−CO−
O−A0基を示す。R01、R02、R03、R04及びR
05は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、シク
ロアルキル基、アルケニル基もしくはアリール基を示
し、R06はアルキル基もしくはアリール基を示す。但
し、R01〜R03の内少なくとも2つは水素原子以外の基
であり、又、R01〜R03及びR04〜R06の内の2つの基
が結合して環を形成してもよい。R0は置換基を有して
いてもよい2価以上の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基
を示し、−Ar−は単環もしくは多環の置換基を有して
いてもよい2価以上の芳香族基を示す。
A group which can be decomposed by an acid, that is, —COO-A
0 and a group containing a —O—B 0 group include —R 0 —COO—
A 0 or a group represented by —Ar—O—B 0 is exemplified.
Here, A 0 represents -C (R 01 ) (R 02 ) (R 03 ), -Si
(R 01) (R 02) (R 0 3) or -C (R 04)
It represents a (R 05 ) -OR 06 group. B 0 is A 0 or -CO-
It represents an OA group. R 01 , R 02 , R 03 , R 04 and R
05 is the same or different and represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group or an aryl group, and R 06 represents an alkyl group or an aryl group. However, at least two of R 01 to R 03 are groups other than hydrogen atoms, and even when two groups of R 01 to R 03 and R 04 to R 06 are bonded to form a ring. Good. R 0 represents a divalent or higher valent aliphatic or aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, and -Ar- represents a divalent or higher valent which may have a monocyclic or polycyclic substituent. Shows an aromatic group.

【0118】ここで、アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル
基、t−ブチル基の様な炭素数1〜4個のものが好まし
く、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基の様な
炭素数3〜10個のものが好ましく、アルケニル基とし
てはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の
様な炭素数2〜4個のものが好ましく、アリール基とし
てはフエニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル
基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素数6〜1
4個のものが好ましい。また、置換基としては水酸基、
ハロゲン原子(フツ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ
基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基、エトキ
シ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキ
シプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、s
ec−ブトキシ基、t−ブトキシ基等のアルコキシ基、
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアル
コキシカルボニル基、ベンジル基、フェネチル基、クミ
ル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル
基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミ
ル基、バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等の
アシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基、
プロペニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ
基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノ
キシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等の
アリールオキシカルボニル基を挙げることができる。
Here, the alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group and a t-butyl group. Preferred are those having 3 to 10 carbon atoms such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclohexyl group and adamantyl group, and alkenyl groups are those having 2 to 2 carbon atoms such as vinyl group, propenyl group, allyl group and butenyl group. Preferably, the aryl group has 6 to 1 carbon atoms such as phenyl, xylyl, toluyl, cumenyl, naphthyl and anthracenyl.
Four are preferred. Further, as a substituent, a hydroxyl group,
Halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), nitro group, cyano group, the above alkyl group, methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, s
an alkoxy group such as an ec-butoxy group and a t-butoxy group,
Methoxycarbonyl group, alkoxycarbonyl group such as ethoxycarbonyl group, benzyl group, aralkyl group such as phenethyl group, cumyl group, aralkyloxy group, formyl group, acetyl group, butyryl group, benzoyl group, cyanyl group, acyl such as valeryl group Group, acyloxy group such as butyryloxy group, the above alkenyl group, vinyloxy group,
Examples thereof include an alkenyloxy group such as a propenyloxy group, an allyloxy group and a butenyloxy group, an aryloxy group such as the above-mentioned aryl group and phenoxy group, and an aryloxycarbonyl group such as a benzoyloxy group.

【0119】酸分解性基として好ましくは、シリルエー
テル基、クミルエステル基、アセタール基、テトラヒド
ロピラニルエーテル基、エノールエーテル基、エノール
エステル基、第3級のアルキルエーテル基、第3級のア
ルキルエステル基、第3級のアルキルカーボネート基等
を挙げることができる。更に好ましくは、第3級アルキ
ルエステル基、第3級アルキルカーボネート基、クミル
エステル基、テトラヒドロピラニルエーテル基である。
The acid-decomposable group is preferably a silyl ether group, a cumyl ester group, an acetal group, a tetrahydropyranyl ether group, an enol ether group, an enol ester group, a tertiary alkyl ether group, or a tertiary alkyl ester group. And tertiary alkyl carbonate groups. More preferred are a tertiary alkyl ester group, a tertiary alkyl carbonate group, a cumyl ester group, and a tetrahydropyranyl ether group.

【0120】(d)成分は、好ましくは、特開平1−2
89946号、特開平1−289947号、特開平2−
2560号、特開平3−128959号、特開平3−1
58855号、特開平3−179353号、特開平3−
191351号、特開平3−200251号、特開平3
−200252号、特開平3−200253号、特開平
3−200254号、特開平3−200255号、特開
平3−259149号、特開平3−279958号、特
開平3−279959号、特開平4−1650号、特開
平4−1651号、特開平4−11260号、特開平4
−12356号、特開平4−12357号、特願平3−
33229号、特願平3−230790号、特願平3−
320438号、特願平4−25157号、特願平4−
52732号、特願平4−103215号、特願平4−
104542号、特願平4−107885号、特願平4
−107889号、同4−152195号等の明細書に
記載されたポリヒドロキシ化合物のフエノール性OH基
の一部もしくは全部を上に示した基、−R0−COO−
0もしくはB0基で結合し、保護した化合物を包含す
る。
The component (d) is preferably selected from those described in JP-A No. 1-2
89946, JP-A-1-289947, JP-A-2-
2560, JP-A-3-128959, JP-A-3-1
58855, JP-A-3-179353, JP-A-3-179
191351, JP-A-3-200251, JP-A-3-3
JP-A-200252, JP-A-3-200253, JP-A-3-200254, JP-A-3-200255, JP-A-3-259149, JP-A-3-279958, JP-A-3-279959, JP-A-4-200 1650, JP-A-4-1651, JP-A-4-11260, JP-A-4
-12356, JP-A-4-12357, Japanese Patent Application No. 3-
No. 33229, Japanese Patent Application No. 3-230790, Japanese Patent Application No. 3-230
No. 320438, Japanese Patent Application No. 4-25157, Japanese Patent Application No. 4-
No. 52732, No. 4-103215, No. 4-
104542, Japanese Patent Application No. 4-107885, Japanese Patent Application No. 4
No. -107889, groups shown above some or all of the phenolic OH groups of the polyhydroxy compounds described herein, such as Nos. 4-152195, -R 0 -COO-
Protected compounds linked by A 0 or B 0 groups are included.

【0121】更に好ましくは、特開平1−289946
号、特開平3−128959号、特開平3−15885
5号、特開平3−179353号、特開平3−2002
51号、特開平3−200252号、特開平3−200
255号、特開平3−259149号、特開平3−27
9958号、特開平4−1650号、特開平4−112
60号、特開平4−12356号、特開平4−1235
7号、特願平4−25157号、特願平4−10321
5号、特願平4−104542号、特願平4−1078
85号、特願平4−107889号、同4−15219
5号の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物を用い
たものが挙げられる。
More preferably, JP-A-1-289946.
JP-A-3-128959, JP-A-3-15885
5, JP-A-3-179353, JP-A-3-2002
No. 51, JP-A-3-200252, JP-A-3-200
255, JP-A-3-259149, JP-A-3-27
9958, JP-A-4-1650, JP-A-4-112
No. 60, JP-A-4-12356 and JP-A-4-1235
7, Japanese Patent Application No. 4-25157, Japanese Patent Application No. 4-10321
No. 5, Japanese Patent Application No. 4-104542, Japanese Patent Application No. 4-1078
No. 85, Japanese Patent Application Nos. 4-107889 and 4-15219
No. 5 using the polyhydroxy compound described in the specification.

【0122】より具体的には、下記一般式[I]〜[VI
II]で表される化合物が挙げられる。
More specifically, the following general formulas [I] to [VI]
II].

【0123】[0123]

【化45】 Embedded image

【0124】[0124]

【化46】 Embedded image

【0125】[0125]

【化47】 Embedded image

【0126】ここで、R101 、R102 、R108
130 :同一又は異なって、水素原子、−R0−COO
−C(R01)(R02)(R03)、又は−CO−O−C
(R01)(R02)(R 03)、但し、R0、R01、R02
びR03の定義は前記と同じである。
Here, R101, R102, R108,
R130: Identical or different, a hydrogen atom, -R0-COO
-C (R01) (R02) (R03) Or -CO-OC
(R01) (R02) (R 03) Where R0, R01, R02Passing
And R03Is the same as defined above.

【0127】R100 :−CO−,−COO−,−NHC
ONH−,−NHCOO−,−O−、−S−,−SO
−,−SO2−,−SO3−,もしくは
R 100 : -CO-, -COO-, -NHC
ONH-, -NHCOO-, -O-, -S-, -SO
-, -SO 2- , -SO 3- , or

【0128】[0128]

【化48】 Embedded image

【0129】ここで、G=2〜6 但し、G=2の時は
150 、R151 のうち少なくとも一方はアルキル基、 R150 、R151 :同一又は異なって、水素原子,アルキ
ル基,アルコキシ基、−OH,−COOH,−CN,ハ
ロゲン原子,−R152 −COOR153 もしくは−R154
−OH、 R152 、R154 :アルキレン基、 R153 :水素原子,アルキル基,アリール基,もしくは
アラルキル基、 R99、R103 〜R107 、R109 、R111 〜R118 、R
128 〜R129 、R131〜R134 、R138 ,R139 :同一
または異なって、水素原子,水酸基,アルキル基,アル
コキシ基,アシル基,アシロキシ基,アリール基,アリ
ールオキシ基,アラルキル基,アラルキルオキシ基,ハ
ロゲン原子,ニトロ基,カルボキシル基,シアノ基,も
しくは −N(R155)(R156) (R155 、R156:H,アルキ
ル基,も しくはアリール基) R110 :単結合,アルキレン基,もしくは
[0129] Here, G = 2 to 6, provided that at least one alkyl group among when G = 2 is R 150, R 151, R 150 , R 151: the same or different, a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy Group, —OH, —COOH, —CN, a halogen atom, —R 152 —COOR 153 or —R 154
—OH, R 152 , R 154 : alkylene group, R 153 : hydrogen atom, alkyl group, aryl group or aralkyl group, R 99 , R 103 to R 107 , R 109 , R 111 to R 118 , R
128 to R 129 , R 131 to R 134 , R 138 , R 139 : the same or different, hydrogen atom, hydroxyl group, alkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, aryl group, aryloxy group, aralkyl group, aralkyl An oxy group, a halogen atom, a nitro group, a carboxyl group, a cyano group, or -N ( R155 ) ( R156 ) ( R155 , R156 : H, an alkyl group, or an aryl group) R110 : a single bond, An alkylene group, or

【0130】[0130]

【化49】 Embedded image

【0131】R157 、R159 :同一又は異なって、単結
合,アルキレン基,−O−,−S−,−CO−,もしく
はカルボキシル基、 R158 :水素原子,アルキル基,アルコキシ基,アシル
基,アシロキシ基,アリール基,ニトロ基,水酸基,シ
アノ基,もしくはカルボキシル基、但し、水酸基が酸分
解性基(例えば、t−ブトキシカルボニルメチル基、テ
トラヒドロピラニル基、1−エトキシ−1−エチル基、
1−t−ブトキシ−1−エチル基)で置き換ってもよ
い。
R 157 , R 159 : the same or different, a single bond, an alkylene group, —O—, —S—, —CO—, or a carboxyl group; R 158 : a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an acyl group , An acyloxy group, an aryl group, a nitro group, a hydroxyl group, a cyano group, or a carboxyl group, provided that the hydroxyl group is an acid-decomposable group (for example, a t-butoxycarbonylmethyl group, a tetrahydropyranyl group, a 1-ethoxy-1-ethyl group) ,
(1-t-butoxy-1-ethyl group).

【0132】R119 、R120 :同一又は異なって、メチ
レン基,低級アルキル置換メチレン基,ハロメチレン
基,もしくはハロアルキル基、但し本発明において低級
アルキル基とは炭素数1〜4のアルキル基を指す、 R124 〜R127 :同一又は異なって、水素原子もしくは
アルキル基、 R135 〜R137 :同一又は異なって、水素原子,アルキ
ル基,アルコキシ基,アシル基,もしくはアシロキシ
基、 R146 〜R149 :同一又は異なって、水素原子,水酸
基,ハロゲン原子,ニトロ基,シアノ基,カルボニル
基,アルキル基,アルコキシ基,アルコキシカルボニル
基,アラルキル基,アラルキルオキシ基,アシル基,ア
シロキシ基,アルケニル基,アルケニルオキシ基,アリ
ール基,アリールオキシ基,もしくはアリールオキシカ
ルボニル基、但し、各4個の同一記号の置換基は同一の
基でなくてもよい、 Z,B:単結合,もしくは−O−、 A:メチレン基,低級アルキル置換メチレン基,ハロメ
チレン基,もしくはハロアルキル基、 a〜v,c1〜r1:複数の時、( )内の基は同一又は異な
っていてもよい、 a〜q、s,t,v,g1〜i1,k1〜m1,o1,q1:0もしくは1〜5
の整数、 r,u,w,x,y,z,c1〜f1,p1,r1:0もしくは1〜4の整数、 j1,n1,z1,a2,b2,c2,d2:0もしくは1〜3の整数、 a2,c2,d2のうち少なくとも1つは1以上、 (a+b),(e+f+g),(k+l+m),(q+r+s),(c1+d1),(g1+h1+i1+j
1),(o1+p1) ≧2、 (j1+n1)≦3、 (r+u),(c1+e1),(d1+f1),(p1+r1) ≦4、 (a+c),(b+d),(e+h),(f+i),(g+j),(k+n),(l+o),(m+p),(q
+t),(s+v),(g1+k1),(h1+l1),(i1+m1),(o1+q1) ≦5、 を表す。
R 119 and R 120 are the same or different and are each a methylene group, a lower alkyl-substituted methylene group, a halomethylene group, or a haloalkyl group, provided that the lower alkyl group is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms; R 124 to R 127: the same or different, a hydrogen atom or an alkyl group, R 135 to R 137: the same or different, a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an acyl group or an acyloxy group,, R 146 to R 149: Same or different, hydrogen atom, hydroxyl group, halogen atom, nitro group, cyano group, carbonyl group, alkyl group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, aralkyl group, aralkyloxy group, acyl group, acyloxy group, alkenyl group, alkenyloxy Group, aryl group, aryloxy group, or aryloxycarbonyl group, provided that And each of the four substituents having the same symbol may not be the same group. Z, B: a single bond or —O—, A: a methylene group, a lower alkyl-substituted methylene group, a halomethylene group, or a haloalkyl group; a to v, c1 to r1: When plural, the groups in parentheses may be the same or different. a to q, s, t, v, g1 to i1, k1 to m1, o1, q1: 0 or 1-5
An integer of r, u, w, x, y, z, c1 to f1, p1, r1: 0 or an integer of 1 to 4, j1, n1, z1, a2, b2, c2, d2: 0 or 1 to 3 An integer of at least one of a2, c2, and d2 is 1 or more; (a + b), (e + f + g), (k + l + m), (q + r + s), (c1 + d1), (g1 + h1 + i1 + j
1), (o1 + p1) ≧ 2, (j1 + n1) ≦ 3, (r + u), (c1 + e1), (d1 + f1), (p1 + r1) ≦ 4, (a + c) , (b + d), (e + h), (f + i), (g + j), (k + n), (l + o), (m + p), (q
+ t), (s + v), (g1 + k1), (h1 + l1), (i1 + m1), (o1 + q1) ≦ 5.

【0133】[0133]

【化50】 Embedded image

【0134】[0134]

【化51】 Embedded image

【0135】[0135]

【化52】 Embedded image

【0136】好ましい化合物骨格の具体例を以下に示
す。
Specific examples of preferred compound skeletons are shown below.

【0137】[0137]

【化53】 Embedded image

【0138】[0138]

【化54】 Embedded image

【0139】[0139]

【化55】 Embedded image

【0140】[0140]

【化56】 Embedded image

【0141】[0141]

【化57】 Embedded image

【0142】[0142]

【化58】 Embedded image

【0143】[0143]

【化59】 Embedded image

【0144】[0144]

【化60】 Embedded image

【0145】[0145]

【化61】 Embedded image

【0146】[0146]

【化62】 Embedded image

【0147】[0147]

【化63】 Embedded image

【0148】[0148]

【化64】 Embedded image

【0149】[0149]

【化65】 Embedded image

【0150】化合物(1)〜(44)中のRは、水素原
子、
R in the compounds (1) to (44) represents a hydrogen atom,

【0151】[0151]

【化66】 Embedded image

【0152】を表す。但し、少なくとも2個、もしくは
構造により3個は水素原子以外の基であり、各置換基R
は同一の基でなくてもよい。
Represents the following. However, at least two or three depending on the structure are groups other than hydrogen atoms, and each substituent R
May not be the same group.

【0153】本発明において、上記溶解阻止化合物の添
加量は、光酸発生剤、アルカリ可溶性樹脂と組み合わせ
る場合、感光性組成物の全重量(溶媒を除く)を基準と
して3〜50重量%であり、好ましくは5〜40重量
%、より好ましくは10〜35重量%の範囲である。
In the present invention, the amount of the dissolution inhibiting compound added is 3 to 50% by weight, based on the total weight of the photosensitive composition (excluding the solvent), when combined with a photoacid generator and an alkali-soluble resin. , Preferably 5 to 40% by weight, more preferably 10 to 35% by weight.

【0154】〔VI〕(e)水に不溶でアルカリ現像液に
可溶な樹脂 本発明の組成物は、アルカリ溶解性を調節するために、
水不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂(以下、単に
「(e)成分」ともいう)を含有することができる。こ
の樹脂は、酸で分解し得る基を実質上有さない。(e)
成分としては、例えばノボラック樹脂、水素化ノボラツ
ク樹脂、アセトン−ピロガロール樹脂、o−ポリヒドロ
キシスチレン、m−ポリヒドロキシスチレン、p−ポリ
ヒドロキシスチレン、水素化ポリヒドロキシスチレン、
ハロゲンもしくはアルキル置換ポリヒドロキシスチレ
ン、ヒドロキシスチレン−N−置換マレイミド共重合
体、o/p−及びm/p−ヒドロキシスチレン共重合
体、ポリヒドロキシスチレンの水酸基に対する一部O−
アルキル化物(例えば、5〜30モル%のO−メチル化
物、O−(1−メトキシ)エチル化物、O−(1−エト
キシ)エチル化物、O−2−テトラヒドロピラニル化
物、O−(t−ブトキシカルボニル)メチル化物等)も
しくはO−アシル化物(例えば、5〜30モル%のO−
アセチル化物、O−(t−ブトキシ)カルボニル化物
等)、スチレン−無水マレイン酸共重合体、スチレン−
ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒ
ドロキシスチレン共重合体、カルボキシル基含有メタク
リル系樹脂及びその誘導体、ポリビニルアルコール誘導
体を挙げることができるが、これらに限定されるもので
はない。
[VI] (e) Resin Insoluble in Water and Soluble in Alkaline Developing Solution The composition of the present invention is used for controlling alkali solubility.
A resin that is insoluble in water and soluble in an alkali developer (hereinafter, also simply referred to as “component (e)”) can be contained. This resin has substantially no acid-decomposable groups. (E)
As the component, for example, novolak resin, hydrogenated novolak resin, acetone-pyrogallol resin, o-polyhydroxystyrene, m-polyhydroxystyrene, p-polyhydroxystyrene, hydrogenated polyhydroxystyrene,
Halogen or alkyl-substituted polyhydroxystyrene, hydroxystyrene-N-substituted maleimide copolymer, o / p- and m / p-hydroxystyrene copolymer, part of O- to hydroxyl group of polyhydroxystyrene
Alkyl compounds (for example, 5 to 30 mol% of O-methyl compound, O- (1-methoxy) ethyl compound, O- (1-ethoxy) ethyl compound, O-2-tetrahydropyranyl compound, O- (t- Butoxycarbonyl) methylated product) or O-acylated product (for example, 5 to 30 mol% of O-
Acetylated product, O- (t-butoxy) carbonylated product, etc.), styrene-maleic anhydride copolymer, styrene-
Examples thereof include, but are not limited to, hydroxystyrene copolymer, α-methylstyrene-hydroxystyrene copolymer, carboxyl group-containing methacrylic resin and its derivative, and polyvinyl alcohol derivative.

【0155】特に好ましいアルカリ可溶性樹脂はノボラ
ック樹脂及びo−ポリヒドロキシスチレン、m−ポリヒ
ドロキシスチレン、p−ポリヒドロキシスチレン及びこ
れらの共重合体、アルキル置換ポリヒドロキシスチレ
ン、ポリヒドロキシスチレンの一部O−アルキル化、も
しくはO−アシル化物、スチレン−ヒドロキシスチレン
共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共
重合体である。該ノボラック樹脂は所定のモノマーを主
成分として、酸性触媒の存在下、アルデヒド類と付加縮
合させることにより得られる。
Particularly preferred alkali-soluble resins are novolak resins, o-polyhydroxystyrene, m-polyhydroxystyrene, p-polyhydroxystyrene and copolymers thereof, alkyl-substituted polyhydroxystyrene, and a part of O-polystyrene. Alkylated or O-acylated products, styrene-hydroxystyrene copolymers, and α-methylstyrene-hydroxystyrene copolymers. The novolak resin is obtained by subjecting a given monomer as a main component to addition condensation with an aldehyde in the presence of an acidic catalyst.

【0156】ノボラック樹脂の重量平均分子量は、1,
000〜30,000の範囲であることが好ましい。
1,000未満では未露光部の現像後の膜減りが大き
く、30,000を越えると現像速度が小さくなってし
まう。特に好適なのは2,000〜20,000の範囲
である。また、ノボラック樹脂以外の前記ポリヒドロキ
シスチレン、及びその誘導体、共重合体の重量平均分子
量は、2000以上、好ましくは5000〜20000
0、より好ましくは8000〜100000である。ま
た、レジスト膜の耐熱性を向上させるという観点から
は、10000以上が好ましい。ここで、重量平均分子
量はゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリス
チレン換算値をもって定義される。本発明に於けるこれ
らのアルカリ可溶性樹脂は2種類以上混合して使用して
もよい。アルカリ可溶性樹脂の使用量は、感光性組成物
の全重量(溶媒を除く)を基準として、40〜97重量
%、好ましくは60〜90重量%である。
The weight average molecular weight of the novolak resin is 1,
It is preferably in the range of 000 to 30,000.
If it is less than 1,000, the film loss of the unexposed portion after development is large, and if it exceeds 30,000, the developing speed is reduced. Particularly preferred is the range of 2,000 to 20,000. In addition, the weight average molecular weight of the polyhydroxystyrene other than the novolak resin, its derivative, and the copolymer is 2,000 or more, preferably 5,000 to 20,000.
0, more preferably 8,000 to 100,000. Further, from the viewpoint of improving the heat resistance of the resist film, it is preferably 10,000 or more. Here, the weight average molecular weight is defined as a value in terms of polystyrene by gel permeation chromatography. In the present invention, these alkali-soluble resins may be used as a mixture of two or more kinds. The amount of the alkali-soluble resin used is 40 to 97% by weight, preferably 60 to 90% by weight, based on the total weight of the photosensitive composition (excluding the solvent).

【0157】〔VII 〕本発明に使用されるその他の成分 本発明のポジ型感光性組成物には必要に応じて、更に染
料、顔料、可塑剤、界面活性剤、光増感剤、及び現像液
に対する溶解性を促進させるフェノール性OH基を2個
以上有する化合物などを含有させることができる。
[VII] Other Components Used in the Present Invention The positive photosensitive composition of the present invention may further contain, if necessary, a dye, a pigment, a plasticizer, a surfactant, a photosensitizer, and a developing agent. A compound having two or more phenolic OH groups that promote solubility in a liquid can be contained.

【0158】本発明で使用できるフェノール性OH基を
2個以上有する化合物は、好ましくは分子量1000以
下のフェノール化合物である。また、分子中に少なくと
も2個のフェノール性水酸基を有することが必要である
が、これが10を越えると、現像ラチチュードの改良効
果が失われる。また、フェノ−ル性水酸基と芳香環との
比が0.5未満では膜厚依存性が大きく、また、現像ラ
チチュードが狭くなる傾向がある。この比が1.4を越
えると該組成物の安定性が劣化し、高解像力及び良好な
膜厚依存性を得るのが困難となって好ましくない。
The compound having two or more phenolic OH groups that can be used in the present invention is preferably a phenol compound having a molecular weight of 1,000 or less. Further, it is necessary to have at least two phenolic hydroxyl groups in the molecule. If the number exceeds 10, the effect of improving the development latitude is lost. When the ratio of the phenolic hydroxyl group to the aromatic ring is less than 0.5, the film thickness dependency is large, and the development latitude tends to be narrow. If this ratio exceeds 1.4, the stability of the composition deteriorates, and it becomes difficult to obtain high resolution and good film thickness dependency, which is not preferable.

【0159】このフェノール化合物の好ましい添加量
は、アルカリ可溶性樹脂に対して2〜50重量%であ
り、更に好ましくは5〜30重量%である。50重量%
を越えた添加量では、現像残渣が悪化し、また現像時に
パターンが変形するという新たな欠点が発生して好まし
くない。
The preferable addition amount of this phenol compound is 2 to 50% by weight, more preferably 5 to 30% by weight, based on the alkali-soluble resin. 50% by weight
If the addition amount exceeds the above range, the development residue becomes worse and a new defect that the pattern is deformed at the time of development occurs, which is not preferable.

【0160】このような分子量1000以下のフェノー
ル化合物は、例えば、特開平4−122938号、特開
平2−28531号、米国特許第4916210号、欧
州特許第219294号等に記載の方法を参考にして、
当業者に於て容易に合成することが出来る。フェノール
化合物の具体例を以下に示すが、本発明で使用できる化
合物はこれらに限定されるものではない。
Such a phenol compound having a molecular weight of 1,000 or less can be prepared by, for example, referring to the methods described in JP-A-4-122938, JP-A-2-28531, US Pat. No. 4,916,210, and EP 219294. ,
It can be easily synthesized by those skilled in the art. Specific examples of the phenol compound are shown below, but the compounds that can be used in the present invention are not limited to these.

【0161】レゾルシン、フロログルシン、2,3,4
−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3′,
4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセト
ン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルコシド、2,
4,2′,4′−ビフェニルテトロール、4,4′−チ
オビス(1,3−ジヒドロキシ)ベンゼン、2,2′,
4,4′−テトラヒドロキシジフェニルエーテル、2,
2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェニルスルフォ
キシド、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェ
ニルスルフォン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メ
タン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロ
ヘキサン、4,4−(α−メチルベンジリデン)ビスフ
ェノール、α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、
α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1−エチル−4−イソプロピルベンゼン、1,2,2−
トリス(ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,2−
トリス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロパン、2,2,5,5−テトラキス(4−ヒドロキ
シフェニル)ヘキサン、1,2−テトラキス(4−ヒド
ロキシフェニル)エタン、1,1,3−トリス(ヒドロ
キシフェニル)ブタン、パラ〔α,α,α′,α′−テ
トラキス(4−ヒドロキシフェニル)〕−キシレン等を
挙げることができる。
Resorcin, phloroglucin, 2, 3, 4
-Trihydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-
Tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3 ',
4 ', 5'-hexahydroxybenzophenone, acetone-pyrogallol condensation resin, fluoroglucoside,
4,2 ', 4'-biphenyltetrol, 4,4'-thiobis (1,3-dihydroxy) benzene, 2,2',
4,4'-tetrahydroxydiphenyl ether, 2,
2 ', 4,4'-tetrahydroxydiphenylsulfoxide, 2,2', 4,4'-tetrahydroxydiphenylsulfone, tris (4-hydroxyphenyl) methane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) Cyclohexane, 4,4- (α-methylbenzylidene) bisphenol, α, α ′, α ″ -tris (4-hydroxyphenyl) -1,3,5-triisopropylbenzene,
α, α ', α "-tris (4-hydroxyphenyl)-
1-ethyl-4-isopropylbenzene, 1,2,2-
Tris (hydroxyphenyl) propane, 1,1,2-
Tris (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)
Propane, 2,2,5,5-tetrakis (4-hydroxyphenyl) hexane, 1,2-tetrakis (4-hydroxyphenyl) ethane, 1,1,3-tris (hydroxyphenyl) butane, para [α, α , Α ', α'-tetrakis (4-hydroxyphenyl)]-xylene.

【0162】好適な染料としては油性染料及び塩基性染
料がある。具体的にはオイルイエロー#101、オイル
イエロー#103、オイルピンク#312、オイルグリ
ーンBG、オイルブルーBOS,オイルブルー#60
3、オイルブラックBY、オイルブラックBS、オイル
ブラックT−505(以上オリエント化学工業株式会社
製)、クリスタルバイオレット(CI42555)、メ
チルバイオレット(CI42535)、ローダミンB
(CI45170B)、マラカイトグリーン(CI42
000)、メチレンブルー(CI52015)等を挙げ
ることができる。
Preferred dyes include oil dyes and basic dyes. Specifically, Oil Yellow # 101, Oil Yellow # 103, Oil Pink # 312, Oil Green BG, Oil Blue BOS, Oil Blue # 60
3. Oil black BY, oil black BS, oil black T-505 (all manufactured by Orient Chemical Co., Ltd.), crystal violet (CI42555), methyl violet (CI42535), rhodamine B
(CI45170B), malachite green (CI42
000), methylene blue (CI52015) and the like.

【0163】更に、下記に挙げるような分光増感剤を添
加し、使用する光酸発生剤が吸収を持たない遠紫外より
長波長領域に増感させることで、本発明の感光性組成物
をi又はg線に感度を持たせることができる。好適な分
光増感剤としては、具体的にはベンゾフェノン、p,
p’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、p,p’
−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、2−クロ
ロチオキサントン、アントロン、9−エトキシアントラ
セン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェノチアジ
ン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフラビン、
セトフラビン−T、9,10−ジフェニルアントラセ
ン、9−フルオレノン、アセトフェノン、フェナントレ
ン、2−ニトロフルオレン、5−ニトロアセナフテン、
ベンゾキノン、2−クロロ−4−ニトロアニリン、N−
アセチル−p−ニトロアニリン、p−ニトロアニリ
ン、、N−アセチル−4−ニトロ−1−ナフチルアミ
ン、ピクラミド、アントラキノン、2−エチルアントラ
キノン、2−tert−ブチルアントラキノン1,2−ベン
ズアンスラキノン、3−メチル−1,3−ジアザ−1,
9−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、1,2−
ナフトキノン、3,3’−カルボニル−ビス(5,7−
ジメトキシカルボニルクマリン)及びコロネン等である
がこれらに限定されるものではない。また、これらの分
光増感剤は、光源の遠紫外光の吸光剤としても使用可能
である。この場合、吸光剤は基板からの反射光を低減
し、レジスト膜内の多重反射の影響を少なくさせること
で、定在波改良の効果を発現する。
Further, the following spectral sensitizers are added to sensitize the photosensitive composition of the present invention to a longer wavelength region than the deep ultraviolet where the photoacid generator used has no absorption. Sensitivity can be given to i or g rays. Suitable spectral sensitizers include, specifically, benzophenone, p,
p'-tetramethyldiaminobenzophenone, p, p '
-Tetraethylethylaminobenzophenone, 2-chlorothioxanthone, anthrone, 9-ethoxyanthracene, anthracene, pyrene, perylene, phenothiazine, benzyl, acridine orange, benzoflavin,
Cetoflavin-T, 9,10-diphenylanthracene, 9-fluorenone, acetophenone, phenanthrene, 2-nitrofluorene, 5-nitroacenaphthene,
Benzoquinone, 2-chloro-4-nitroaniline, N-
Acetyl-p-nitroaniline, p-nitroaniline, N-acetyl-4-nitro-1-naphthylamine, picramide, anthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-tert-butylanthraquinone 1,2-benzanthraquinone, 3- Methyl-1,3-diaza-1,
9-benzanthrone, dibenzalacetone, 1,2-
Naphthoquinone, 3,3′-carbonyl-bis (5,7-
Dimethoxycarbonylcoumarin) and coronene, but are not limited thereto. Further, these spectral sensitizers can also be used as a light absorbing agent for far ultraviolet light of a light source. In this case, the light absorbing agent exerts the effect of improving the standing wave by reducing the reflected light from the substrate and reducing the influence of multiple reflection in the resist film.

【0164】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチ
ロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロ
リドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶
媒を単独あるいは混合して使用する。
The photosensitive composition of the present invention is dissolved in a solvent capable of dissolving each of the above components and applied on a support. Examples of the solvent used herein include ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate. , Propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate,
Ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran and the like are preferable, and these solvents are used alone or in combination.

【0165】上記溶媒に界面活性剤を加えることもでき
る。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイ
ルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル
類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、
ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリ
オキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシ
エチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー
類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミ
テート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノ
オレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタント
リステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリ
オキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチ
レンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレン
ソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビ
タントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタ
ン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフト
ップEF301,EF303,EF352(新秋田化成
(株)製)、メガファックF171,F173 (大日
本インキ(株)製)、フロラ−ドFC430,FC43
1(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG71
0,サーフロンS−382,SC101,SC102,
SC103,SC104,SC105,SC106(旭
硝子(株)製)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロ
キサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)や
アクリル酸系もしくはメタクリル酸系(共)重合ポリフ
ローNo.75,No.95(共栄社油脂化学工業
(株)製)等を挙げることができる。これらの界面活性
剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分100重量部
当たり、通常、2重量部以下、好ましくは1重量部以下
である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよい
し、また、いくつかの組み合わせで添加することもでき
る。
A surfactant may be added to the above solvents. Specifically, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenol ether,
Polyoxyethylene alkyl allyl ethers such as polyoxyethylene nonylphenol ether, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, Sorbitan fatty acid esters such as sorbitan tristearate, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitan tristearate Surfactants such as polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters such as acrylates and the like, F-top EF301, E 303, EF352 (manufactured by Shin Akita Kasei Co., Ltd.), Megafac F171, F173 (manufactured by Dainippon Ink Co., Ltd.), Flora - de FC430, FC43
1 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard AG71
0, Surflon S-382, SC101, SC102,
Fluorinated surfactants such as SC103, SC104, SC105 and SC106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), and acrylic or methacrylic (co) polymerized polyflow No. 75, no. 95 (manufactured by Kyoeisha Yushi Kagaku Kogyo KK) and the like. The amount of these surfactants is usually 2 parts by weight or less, preferably 1 part by weight or less, per 100 parts by weight of the solids in the composition of the present invention. These surfactants may be added alone or in some combination.

【0166】上記感光性組成物を精密集積回路素子の製
造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリ
コン被覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法
により塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを
行い現像することにより良好なレジストパターンを得る
ことができる。
The above-mentioned photosensitive composition is applied on a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) to be used in the manufacture of precision integrated circuit devices by a suitable application method such as a spinner or a coater, and then passed through a predetermined mask. By exposing, baking and developing, a good resist pattern can be obtained.

【0167】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカ
リ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカ
リ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加し
て使用することもできる。
The developer for the photosensitive composition of the present invention includes:
Sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate,
Inorganic alkalis such as sodium silicate, sodium metasilicate and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, and triethylamine and methyldiethylamine Use alkaline aqueous solutions such as triamines, alcoholamines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, and cyclic amines such as pyrrole and pichelidine. be able to. Further, an appropriate amount of an alcohol or a surfactant may be added to the above alkaline aqueous solution.

【0168】[0168]

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明がこれにより限定されるものではない。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the present invention is limited thereto.

【0169】(c)塩基性含窒素化合物としては前記の
例示化合物(VI−1)、(VI−2)、(VI−3)、(VI
−4)(Aldrich 社製)を使用した。
(C) As the basic nitrogen-containing compound, the above-mentioned exemplified compounds (VI-1), (VI-2), (VI-3) and (VI)
-4) (Aldrich) was used.

【0170】(a)酸発生化合物の合成 化合物(I−6)の合成 ジフェニルスルホキシド12.4g、2,6−ジメチル
フェノール7.5gにメタンスルホン酸/五酸化二リン
(10/1)溶液を30ミリリットル加えた。発熱がお
さまった後、50℃で2時間加熱し、その後反応液を氷
に注いだ。この水溶液をトルエンで洗浄、ろ過した後
に、ヨウ化アンモニウム200gを水400ミリリット
ルに溶かしたものを加えた。析出した粉体をろ取、水洗
し、ジフェニル(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフ
ェニル)スルホニウムヨージドを得た。
(A) Synthesis of acid-generating compound Synthesis of compound (I-6) A solution of methanesulfonic acid / diphosphorus pentoxide (10/1) in 12.4 g of diphenylsulfoxide and 7.5 g of 2,6-dimethylphenol was used. 30 ml were added. After the exotherm subsided, the mixture was heated at 50 ° C. for 2 hours, and then the reaction solution was poured on ice. This aqueous solution was washed with toluene and filtered, and then a solution prepared by dissolving 200 g of ammonium iodide in 400 ml of water was added. The precipitated powder was collected by filtration and washed with water to obtain diphenyl (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) sulfonium iodide.

【0171】ジフェニル(4−ヒドロキシー3,5−ジ
メチルフェニル)スルホニウムヨージド50gをメタノ
ール500ミリリットルに溶解し、これに酸化銀29g
を加えて4時間攪拌した。反応液を濾過した後、2,
4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホン酸36gを
加えた。この溶液を濃縮し得られた粉体を水で十分に洗
浄し、メタノール/アセトン/水(3/2/2)から再
結晶すると、化合物(I−6)が40g得られた。同様
の方法を用い、他の化合物も合成した。
50 g of diphenyl (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) sulfonium iodide was dissolved in 500 ml of methanol, and 29 g of silver oxide was added thereto.
Was added and stirred for 4 hours. After filtering the reaction solution,
36 g of 4,6-triisopropylbenzenesulfonic acid were added. The powder obtained by concentrating this solution was sufficiently washed with water and recrystallized from methanol / acetone / water (3/2/2) to obtain 40 g of a compound (I-6). Using the same method, other compounds were also synthesized.

【0172】〔合成例I−1〕 〈アルカリ可溶性樹脂(R−1)の合成〉p−アセトキ
シスチレン32.4g(0.2モル)を酢酸ブチル12
0mlに溶解し、窒素気流及び攪拌下、80℃にてアゾ
ビスイソブチロニトリル(AIBN)0.033gを
2.5時間おきに3回添加し、最後に更に5時間攪拌を
続けることにより、重合反応を行った。反応液をヘキサ
ン1200mlに投入し、白色の樹脂を析出させた。得
られた樹脂を乾燥後、メタノール150mlに溶解し
多。これに水酸化ナトリウム7.7g(0.19モル)
/水50mlの水溶液を添加し、3時間加熱還流するこ
とにより加水分解させた。その後、水200mlを加え
て希釈し、塩酸にて中和し白色の樹脂を析出させた。こ
の樹脂を濾別し、水洗・乾燥させた。更にテトラヒドロ
フラン200mlに溶解し、5Lの超純水中に激しく攪
拌しながら滴下、再沈を行った。この再沈操作を3回繰
り返した。得られた樹脂を真空乾燥器中で120℃、1
2時間乾燥し、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)アルカ
リ可溶性樹脂(R−1)を得た。得られた樹脂の重量平
均分子量(GPC法により測定されたポリスチレン換算
値)は15,000であった。
[Synthesis Example I-1] <Synthesis of Alkali-Soluble Resin (R-1)> 32.4 g (0.2 mol) of p-acetoxystyrene was added to butyl acetate 12
0 ml, and added with azobisisobutyronitrile (AIBN) 0.033 g three times every 2.5 hours at 80 ° C. under a nitrogen stream and stirring, and finally, stirring was continued for another 5 hours. A polymerization reaction was performed. The reaction solution was poured into 1200 ml of hexane to precipitate a white resin. After drying the obtained resin, it was dissolved in 150 ml of methanol. To this, 7.7 g (0.19 mol) of sodium hydroxide
An aqueous solution of 50 ml of water / water was added, and the mixture was heated under reflux for 3 hours to be hydrolyzed. Thereafter, 200 ml of water was added for dilution, and neutralized with hydrochloric acid to precipitate a white resin. This resin was separated by filtration, washed with water and dried. Further, it was dissolved in 200 ml of tetrahydrofuran, and dropped and reprecipitated in 5 L of ultrapure water with vigorous stirring. This reprecipitation operation was repeated three times. The obtained resin is placed in a vacuum dryer at 120 ° C., 1
After drying for 2 hours, an alkali-soluble poly (p-hydroxystyrene) resin (R-1) was obtained. The weight average molecular weight (polystyrene equivalent value measured by the GPC method) of the obtained resin was 15,000.

【0173】〔合成例I−2〕 〈アルカリ可溶性樹脂(R−2)の合成〉日本曹達株式
会社製、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)(VP800
0)をアルカリ可溶性樹脂(R−2)とした。重量平均分
子量は9800であった。
[Synthesis Example I-2] <Synthesis of alkali-soluble resin (R-2)> Poly (p-hydroxystyrene) (VP800, manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.)
0) was defined as an alkali-soluble resin (R-2). The weight average molecular weight was 9,800.

【0174】〔合成例II−1〕 〈2−チエニルカルボニルオキシエチルビニルエーテル
(X−1)の合成〉100gのチオフェン−2−カルボ
ン酸(テノイル酸)を500mlのDMAc(N,N−
ジメチルアセトアミド)に溶解し、31gの水酸化ナト
リウムを加えて室温で10分攪拌した。そこへ2−クロ
ロエチルビニルエーテル112gを加えて、120℃で
2時間攪拌した(塩が析出)。反応液に水と酢酸エチル
を加えて、分液操作を行い、水洗を3回行った。得られ
た有機相を乾燥後、濃縮し、減圧蒸留によって上記目的
物(X−1)を得た。目的物はNMRにて同定した。
[Synthesis Example II-1] <Synthesis of 2-thienylcarbonyloxyethyl vinyl ether (X-1)> 100 g of thiophen-2-carboxylic acid (thenoyl acid) was added to 500 ml of DMAc (N, N-
Dimethylacetamide), 31 g of sodium hydroxide was added, and the mixture was stirred at room temperature for 10 minutes. Thereto was added 2-chloroethyl vinyl ether (112 g), and the mixture was stirred at 120 ° C for 2 hours (salt was precipitated). Water and ethyl acetate were added to the reaction solution, a liquid separation operation was performed, and water washing was performed three times. The obtained organic phase was dried, concentrated, and then subjected to distillation under reduced pressure to obtain the target product (X-1). The target compound was identified by NMR.

【0175】〔合成例II−2〕 〈4−t−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチ
ルビニルエーテル(X−2)の合成〉原料に4−t−ブ
チルシクロヘキサンカルボン酸を用いた以外は合成例II
−1と同様の操作によって、上記目的物(X−2)を得
た。
[Synthesis Example II-2] <Synthesis of 4-t-butylcyclohexylcarbonyloxyethyl vinyl ether (X-2)> Synthesis Example II except that 4-t-butylcyclohexanecarboxylic acid was used as a raw material.
The same procedure as in -1 was carried out to obtain the desired product (X-2).

【0176】〔合成例II−3〕 〈ビニルオキシエチルピロリドン(X−3)の合成〉原
料に2−ピロリドンを用いた以外は合成例II−1と同様
の操作によって、目的物(X−3)を得た。
[Synthesis Example II-3] <Synthesis of Vinyloxyethylpyrrolidone (X-3)> The desired product (X-3) was prepared in the same manner as in Synthesis Example II-1, except that 2-pyrrolidone was used as a raw material. ) Got.

【0177】〔合成例II−4〕 〈シクロヘキシルエチルビニルエーテル(X−4)の合
成〉原料にシクロヘキシルマグネシウムブロミドあるい
はシクロヘキシルリチウムを用いた以外は合成例II−1
と同様の操作によって、目的物(X−4)を得た。
[Synthesis Example II-4] <Synthesis of cyclohexylethyl vinyl ether (X-4)> Synthesis Example II-1 except that cyclohexylmagnesium bromide or cyclohexyllithium was used as a raw material.
By the same operation as in, the desired product (X-4) was obtained.

【0178】〔合成例II−5〕 〈シクロヘキシルチオエチルビニルエーテル(X−5)
の合成〉原料にシクロヘキサンチオールを用いた以外は
合成例II−1と同様の操作によって、目的物(X−5)
を得た。
[Synthesis Example II-5] <Cyclohexylthioethyl vinyl ether (X-5)
Synthesis of Compound (X-5) in the same manner as in Synthesis Example II-1 except that cyclohexanethiol was used as a raw material.
I got

【0179】エチルビニルエーテルを(X−6)、イソ
ブチルビニルエーテルを(X−7)とした。
Ethyl vinyl ether was designated as (X-6) and isobutyl vinyl ether was designated as (X-7).

【0180】上記で合成したビニルエーテル(X−1)
〜(X−7)の構造を以下に示す。
The vinyl ether (X-1) synthesized above
To (X-7) are shown below.

【0181】[0181]

【化67】 Embedded image

【0182】〔合成例III−1〕 〈アルカリ可溶性樹脂(B−1)の合成〉合成例I−1
で得られたアルカリ可溶性樹脂(R−1)20gをプロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PG
MEA)に溶解し、減圧留去により脱水した後、合成例
II−1で合成したビニルエーテル(X−1)11gとp
−トルエンスルホン酸40mgを添加して室温下2時間
攪拌した。反応液に42mgのトリエチルアミンを添加
し、その後超純水と酢酸エチルを添加して分液し、更に
水洗3回行った。得られた有機相を減圧留去することに
よって、酢酸エチルと水を留去し、本発明に係る置換基
を有するアルカリ可溶性樹脂(B−1)を得た。
[Synthesis Example III-1] <Synthesis of Alkali-Soluble Resin (B-1)> Synthesis Example I-1
20 g of the alkali-soluble resin (R-1) obtained in (1) above was mixed with propylene glycol monomethyl ether acetate (PG
MEA) and dehydrated by distillation under reduced pressure.
11 g of vinyl ether (X-1) synthesized in II-1 and p
-Toluenesulfonic acid (40 mg) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. 42 mg of triethylamine was added to the reaction solution, and then ultrapure water and ethyl acetate were added to carry out liquid separation, followed by washing three times with water. Ethyl acetate and water were distilled off by distilling the obtained organic phase under reduced pressure to obtain the alkali-soluble resin (B-1) having a substituent according to the present invention.

【0183】〔合成例III−2〜III−7〕 〈アルカリ可溶性樹脂(B−2)〜(B−7)の合成〉
下記表−Aに記載されるように樹脂とビニルエーテルを
変えて、合成例III−1と同様の方法でアルカリ可溶性
樹脂(B−2)〜(B−7)を合成した。
[Synthesis Examples III-2 to III-7] <Synthesis of alkali-soluble resins (B-2) to (B-7)>
The alkali-soluble resins (B-2) to (B-7) were synthesized in the same manner as in Synthesis Example III-1, except that the resin and vinyl ether were changed as described in Table A below.

【0184】〔合成例III−8〕 〈アルカリ可溶性樹脂(B−8)の合成〉合成例I−1
で得られたアルカリ可溶性樹脂(R−1)20gをプロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PG
MEA)に溶解し、減圧留去により脱水した後、ビニル
エーテル(X−1)11gとp−トルエンスルホン酸4
0mgを添加して室温下2時間攪拌した。反応液にピリ
ジン2.0gと無水酢酸2.1gを添加し、1時間攪拌
した。その後、超純水と酢酸エチルを添加して分液操作
を行い、更に水洗を3回行った。得られた有機相を減圧
留去することによって、酢酸エチルと水を除去し、本発
明に係る置換基を有するアルカリ可溶性樹脂(B−8)
を得た。
[Synthesis Example III-8] <Synthesis of alkali-soluble resin (B-8)> Synthesis Example I-1
20 g of the alkali-soluble resin (R-1) obtained in (1) above was mixed with propylene glycol monomethyl ether acetate (PG
MEA) and dehydrated by distillation under reduced pressure. Then, 11 g of vinyl ether (X-1) and p-toluenesulfonic acid 4
0 mg was added and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. 2.0 g of pyridine and 2.1 g of acetic anhydride were added to the reaction solution, and the mixture was stirred for 1 hour. Thereafter, ultrapure water and ethyl acetate were added to carry out a liquid separation operation, followed by washing three times with water. Ethyl acetate and water were removed by distilling the obtained organic phase under reduced pressure, and the alkali-soluble resin (B-8) having a substituent according to the present invention was removed.
I got

【0185】〔合成例III−9〜III−14〕 〈アルカリ可溶性樹脂(B−9)〜(B−14)の合
成〉下記表−Aに記載されるように樹脂とビニルエーテ
ルを変えて、合成例III−8と同様の方法で樹脂(B−
9)〜(B−14)を合成した。
[Synthesis Examples III-9 to III-14] <Synthesis of Alkali-Soluble Resins (B-9) to (B-14)> The resins and vinyl ethers were changed as shown in Table A below. In the same manner as in Example III-8, the resin (B-
9) to (B-14) were synthesized.

【0186】〔合成例III−15〜III−21〕 〈アルカリ可溶性樹脂(B−15)〜(B−21)の合
成〉合成例III−1〜III−7の原料として、アルカリ可
溶性樹脂(R−1)の代わりに、合成例I−2で得られ
たアルカリ可溶性樹脂(R−2)を用いた他は合成例II
I−1〜III−7と同様にして、それぞれ樹脂(B−1
5)〜(B−21)を合成した。
[Synthesis Examples III-15 to III-21] <Synthesis of Alkali-Soluble Resins (B-15) to (B-21)> As the raw materials of Synthesis Examples III-1 to III-7, alkali-soluble resins (R Synthesis Example II except that the alkali-soluble resin (R-2) obtained in Synthesis Example I-2 was used instead of -1).
In the same manner as in I-1 to III-7, each resin (B-1
5) to (B-21) were synthesized.

【0187】〔合成例III−22〜III−28〕 〈アルカリ可溶性樹脂(B−22)〜(B−28)の合
成〉合成例III−8〜III−14の原料として、アルカリ
可溶性樹脂(R−1)の代わりに、合成例I−2で得ら
れたアルカリ可溶性樹脂(R−2)を用いた他は合成例
III−8〜III−14と同様にして、それぞれ樹脂(B−
22)〜(B−28)を合成した。
[Synthesis Examples III-22 to III-28] <Synthesis of Alkali-Soluble Resins (B-22) to (B-28)> As a raw material of Synthesis Examples III-8 to III-14, an alkali-soluble resin (R Synthesis Example 1 except that the alkali-soluble resin (R-2) obtained in Synthesis Example I-2 was used instead of -1).
In the same manner as in III-8 to III-14, each resin (B-
22) to (B-28) were synthesized.

【0188】[0188]

【表1】 [Table 1]

【0189】実施例1〜39及び比較例1〜3 〔感光性組成物の調製と評価〕下記表−Bに示す各素材
をPGMEA(プロピレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート)8gに溶解し、0.2μmのフィルター
で濾過してレジスト溶液を作成した。このレジスト溶液
を、スピンコーターを利用して、シリコンウェハー上に
塗布し、130℃、60秒間真空吸着型のホットプレー
トで乾燥して、膜厚0.8μmのレジスト膜を得た。
Examples 1 to 39 and Comparative Examples 1 to 3 [Preparation and Evaluation of Photosensitive Composition] Each material shown in the following Table B was dissolved in 8 g of PGMEA (propylene glycol monoethyl ether acetate), and 0.2 μm Then, a resist solution was prepared by filtration through a filter. This resist solution was applied on a silicon wafer using a spin coater, and dried on a vacuum suction type hot plate at 130 ° C. for 60 seconds to obtain a 0.8 μm-thick resist film.

【0190】[0190]

【表2】 [Table 2]

【0191】[0191]

【表3】 [Table 3]

【0192】上記表−Bにおいて、非ポリマー型溶解阻
止化合物は、前記骨格の具体例である化合物(41)で
あり、下記(g−1)で示される構造を有する。又、実
施例、比較例に用いた各光酸発生剤及び有機塩基性化合
物を以下に示す。
In Table B above, the non-polymeric dissolution inhibiting compound is a compound (41) which is a specific example of the skeleton, and has a structure represented by the following (g-1). The photoacid generators and organic basic compounds used in Examples and Comparative Examples are shown below.

【0193】[0193]

【化68】 Embedded image

【0194】レジスト膜に、248nmKrFエキシマレ
ーザーステッパー(NA=0.45)を用いて露光を行
った。露光後100℃ホットプレートで60秒間加熱を
行い、直ちに0.26Nテトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド(TMAH)水溶液で60秒間浸漬し、
30秒間水でリンスして乾燥した。このようにして得ら
れたシリコンウェハー上のパターンを走査型電子顕微鏡
で観察し、レジストの性能を評価した。その結果を表−
Cに示す。
The resist film was exposed using a 248 nm KrF excimer laser stepper (NA = 0.45). After the exposure, heating was performed for 60 seconds on a hot plate at 100 ° C., and immediately immersed in an aqueous solution of 0.26 N tetramethylammonium hydroxide (TMAH) for 60 seconds,
Rinse with water for 30 seconds and dry. The pattern on the silicon wafer thus obtained was observed with a scanning electron microscope, and the performance of the resist was evaluated. Table-
C.

【0195】〔感度〕0.30μmのラインアンドスペ
ースのマスクパターンを再現する最低露光量を表す。 〔解像力〕0.30μmのラインアンドスペースのマス
クパターンを再現する露光量における限界解像度を表
す。
[Sensitivity] Indicates the minimum exposure for reproducing a 0.30 μm line and space mask pattern. [Resolution] Represents a limit resolution at an exposure amount for reproducing a 0.30 μm line and space mask pattern.

【0196】〔定在波の残存〕0.30μmのラインア
ンドスペースのマスクパターンで得られたレジストパタ
ーンの側壁を走査型電子顕微鏡により観察し、下記の4
段階評価を行った。 ○:定在波が全くなく、パターン側壁がきれいな場合 △:定在波が若干みられるか、あるいはパターン側壁に
凹凸が見られる場合 ×:定在波が明らかに確認できる場合 ××:定在波が非常に強く確認できる場合
[Remaining standing wave] The side wall of the resist pattern obtained by the 0.30 μm line and space mask pattern was observed with a scanning electron microscope.
Grading was performed. :: When there is no standing wave and the pattern side wall is clean. :: When the standing wave is slightly observed or when the pattern side wall has irregularities. X: When the standing wave can be clearly confirmed. XX: Standing. If the waves are very strong

【0197】〔現像欠陥〕6インチのBare Si基
板上に各レジスト膜を0.5μmに塗布し、真空吸着式
ホットプレートで130℃、60秒間乾燥した。次に、
0.35μmコンタクトホールパターン(Hole D
uty比=1:3)のテストマスクを介してNikon
ステッパーNSR−1505EXにより露光し後、露
光後加熱を130℃で90秒間行った。引き続き2.3
8%TMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液)で60秒間のパドル現像後、純水で30秒間水
洗しスピン乾燥した。こうして得られたサンプルをケー
エルエー・テンコール(株)製KLA−2112機によ
り現像欠陥数(KLAによる現像欠陥)を測定し、得ら
れた1次データ値を現像欠陥数とした。SEMで確認し
て、下記の3段階評価を行った。 ○:全く認められないか、1〜2個レベルで確認される
場合 △:10個以下程度確認される場合 ×:10個を上回る数が確認される場合
[Development Defects] Each resist film was applied to a thickness of 0.5 μm on a 6-inch Bare Si substrate, and dried at 130 ° C. for 60 seconds on a vacuum suction hot plate. next,
0.35 μm contact hole pattern (Hole D
ukon ratio = 1: 3) through a test mask
After exposure with a stepper NSR-1505EX, post-exposure heating was performed at 130 ° C. for 90 seconds. Continue with 2.3
After paddle development with 8% TMAH (tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) for 60 seconds, the resultant was washed with pure water for 30 seconds and spin-dried. The number of development defects (development defects by KLA) of the thus obtained sample was measured by a KLA-2112 machine manufactured by KLA Tencor Co., Ltd., and the obtained primary data value was defined as the number of development defects. After checking by SEM, the following three-stage evaluation was performed. :: Not recognized at all or confirmed at the level of 1 or 2 △: Approximately 10 or less confirmed ×: Number of more than 10 confirmed

【0198】[0198]

【表4】 [Table 4]

【0199】表−Cの結果から明らかなように、各実施
例のポジ型フォトレジスト組成物は、それぞれ満足すべ
き結果を得たが、各比較例のフォトレジスト組成物は、
エッジラフネスが非常に悪く、現像欠陥に劣るものであ
った。
As is clear from the results shown in Table C, the positive photoresist compositions of the respective examples obtained satisfactory results, while the photoresist compositions of the respective comparative examples showed the following results.
The edge roughness was very poor and the development defect was poor.

【0200】[0200]

【発明の効果】本発明のポジ型フォトレジスト組成物
は、現像欠陥が良好であり、LER(ラインエッジラフ
ネス)が非常に良好である。
The positive photoresist composition of the present invention has good development defects and very good LER (line edge roughness).

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 漢那 慎一 静岡県榛原郡吉田町川尻4000番地 富士写 真フイルム株式会社内 (72)発明者 児玉 邦彦 静岡県榛原郡吉田町川尻4000番地 富士写 真フイルム株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA03 AA04 AB15 AB16 AC08 AD03 BE07 BE10 CB14 CB17 CB45 CB52 CB55 CC01 FA17 2H096 AA25 AA26 BA09 BA11 EA05 GA08  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Shinichi Kanna 4,000 Kawajiri, Yoshida-cho, Haibara-gun, Shizuoka Prefecture Inside Fujisha Shin Film Co., Ltd. Incorporated F term (reference) 2H025 AA03 AA04 AB15 AB16 AC08 AD03 BE07 BE10 CB14 CB17 CB45 CB52 CB55 CC01 FA17 2H096 AA25 AA26 BA09 BA11 EA05 GA08

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (a)活性光線又は放射線の照射により
酸を発生する下記一般式(I)〜(III)で表される化
合物の少なくとも一種、(b)酸の作用により分解し、
アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹
脂、及び(c)塩基性含窒素化合物、を含有することを
特徴とするボジ型感光性組成物。 【化1】 (式中、R1 〜R37は水素原子、直鎖、分岐、環状アル
キル基、直鎖、分岐、環状アルコキシ基、ヒドロキシ
基、ハロゲン原子、または−S−R38基を表す。R 38
直鎖、分岐、環状アルキル基またはアリール基を表す。
但し、R1〜R15のうちの少なくとも1つ、R16〜R27
のうちの少なくとも1つ及びR28〜R37のうちの少なく
とも1つがヒドロキシ基又はアルコキシ基である。X-
は分岐または環状の炭素数8個以上のアルキル基および
アルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも1個
有するか、直鎖、分岐または環状の炭素数4〜7のアル
キル基およびアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少
なくとも2個有するか、若しくは直鎖、分岐または環状
の炭素数1〜3のアルキル基およびアルコキシ基の群の
中から選ばれる基を少なくとも3個有するベンゼンスル
ホン酸、ナフタレンスルホン酸またはアントラセンスル
ホン酸のアニオンを表す。あるいはエステル基、R39
CO−基、R40−CONH−基、R41−NH−基、R42
−OCONH−基、R43−NHCOO−基、R44−NH
CONH−基、R 45−NHCSN−基、R46−SO2
H−基およびニトロ基の群の中から選ばれる基を少なく
とも1個有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホ
ン酸またアンアトラセンスルホン酸のアニオンを表す。
39〜R46は直鎖、分岐もしくは環状アルキル基または
アリール基を表す。)
(1) by irradiation with actinic rays or radiation
Formulas represented by the following general formulas (I) to (III) that generate an acid
At least one of the compounds, (b) is decomposed by the action of an acid,
Trees with groups that increase solubility in alkaline developers
Fat, and (c) a basic nitrogen-containing compound.
Bodi type photosensitive composition characterized by the above-mentioned. Embedded image(Where R1~ R37Is a hydrogen atom, linear, branched, or cyclic
Kill group, linear, branched, cyclic alkoxy group, hydroxy
Group, halogen atom, or -SR38Represents a group. R 38Is
Represents a linear, branched, or cyclic alkyl group or an aryl group.
Where R1~ RFifteenAt least one of R16~ R27
At least one of R28~ R37Less of
One is a hydroxy group or an alkoxy group. X-
Is a branched or cyclic alkyl group having 8 or more carbon atoms;
At least one group selected from the group of alkoxy groups
Having, linear, branched or cyclic C 4-7 alkyl
Groups selected from the group consisting of
Having at least two, or linear, branched or cyclic
Of the group of alkyl and alkoxy groups having 1 to 3 carbon atoms
Benzene sulf having at least three groups selected from
Fonic acid, naphthalenesulfonic acid or anthracene
Represents the anion of phonic acid. Or an ester group, R39
CO-group, R40-CONH- group, R41-NH- group, R42
—OCONH— group, R43-NHCOO- group, R44-NH
CONH- group, R 45-NHCSN- group, R46-SOTwoN
Reduce the number of groups selected from the group of H-groups and nitro groups
Benzenesulfonic acid and naphthalene sulfo
Acid or an anthracenesulfonic acid anion.
R39~ R46Is a linear, branched or cyclic alkyl group or
Represents an aryl group. )
【請求項2】 一般式(1)〜(3)で表される化合物
において、R1〜R1 5のうちの少なくとも1つ、R16
27のうちの少なくとも1つ及びR28〜R37のうちの少
なくとも1つがヒドロキシ基であり、かつ該ヒドロキシ
基の両隣接位が水素原子でないことを特徴とする請求項
1記載のポジ型感光性組成物。
2. A compound represented by the general formula (1) to (3), at least one of R 1 to R 1 5, R 16 -
At least one of hydroxy groups of the at least one and R 28 to R 37 of R 27, and positive photosensitive according to claim 1, wherein both the adjacent position to the hydroxy group and wherein the non-hydrogen atoms Composition.
【請求項3】 (d)酸により分解し得る基を有し、ア
ルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する、
分子量3000以下の低分子溶解阻止化合物を、更に含
有することを特徴とする請求項1又は2に記載のポジ型
感光性組成物。
(D) having a group which can be decomposed by an acid, wherein the solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid;
3. The positive photosensitive composition according to claim 1, further comprising a low molecular weight dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less.
【請求項4】 (a)請求項1記載の活性光線の照射に
より酸を発生する一般式(I)〜(III)で表される化
合物の少なくとも一種、(c)塩基性含窒素化合物、
(d)酸により分解し得る基を有し、アルカリ現像液中
での溶解度が酸の作用により増大する、分子量3000
以下の低分子溶解阻止化合物、及び(e)水に不溶でア
ルカリ現像液に可溶な樹脂を含有することを特徴とする
ポジ型感光性組成物。
(A) at least one of the compounds represented by the general formulas (I) to (III) which generate an acid upon irradiation with actinic light according to claim 1, (c) a basic nitrogen-containing compound,
(D) having a group decomposable by an acid and having an increase in solubility in an alkaline developer due to the action of an acid having a molecular weight of 3000
A positive photosensitive composition comprising the following low molecular weight dissolution inhibiting compound and (e) a resin insoluble in water and soluble in an alkali developing solution.
【請求項5】 (b)酸の作用により分解し、アルカリ
現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂が、下
記一般式(IV)及び(V)から選択される少なくとも1
つの繰り返し構造単位を含む樹脂であることを特徴とす
る請求項1〜4のいずれかに記載のポジ型感光性組成
物。 【化2】 (上記式中、Lは、水素原子、置換されてもよい、直
鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されてい
てもよいアラルキル基を表す。Zは、置換されてもよ
い、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換さ
れていてもよいアラルキル基を表す。またZとLが結合
して5又は6員環を形成してもよい。)
5. A resin having a group which decomposes under the action of an acid to increase solubility in an alkaline developer, wherein at least one resin selected from the following formulas (IV) and (V):
The positive photosensitive composition according to any one of claims 1 to 4, which is a resin containing two repeating structural units. Embedded image (In the above formula, L represents a hydrogen atom, an optionally substituted straight-chain, branched or cyclic alkyl group, or an optionally substituted aralkyl group. Z represents an optionally substituted straight-chain, And a branched or cyclic alkyl group or an aralkyl group which may be substituted. Z and L may combine to form a 5- or 6-membered ring.)
【請求項6】 (b)酸の作用により分解し、アルカリ
現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂が、請
求項5記載の一般式(IV)及び(V)から選択される少
なくとも1つの繰り返し構造単位を含む樹脂であって、
且つZが置換されたアルキル基又は置換されたアラルキ
ル基であることを特徴とする請求項5記載のポジ型感光
性組成物。
6. The resin (b) having a group which decomposes under the action of an acid and increases the solubility in an alkali developer, is selected from the general formulas (IV) and (V) according to claim 5. A resin containing one repeating structural unit,
6. The positive photosensitive composition according to claim 5, wherein Z is a substituted alkyl group or a substituted aralkyl group.
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