JP2001066375A - サブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒体中異物検査装置およびその検査方法 - Google Patents
サブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒体中異物検査装置およびその検査方法Info
- Publication number
- JP2001066375A JP2001066375A JP24416099A JP24416099A JP2001066375A JP 2001066375 A JP2001066375 A JP 2001066375A JP 24416099 A JP24416099 A JP 24416099A JP 24416099 A JP24416099 A JP 24416099A JP 2001066375 A JP2001066375 A JP 2001066375A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electromagnetic wave
- sub
- terahertz
- pulsed
- foreign matter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラスチック片や木片あるいはセラミクス等
の異物を短時間で検出することができるサブテラヘルツ
電磁波を用いた粉粒体中異物検査装置およびその検査方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 波長６００μｍから３ｍｍ（０．５ＴＨ
ｚ〜１００ＧＨｚ）の電磁波が粉粒体を透過することか
ら、このパルス状あるいは連続したサブテラヘルツ電磁
波を被検査物に照射し、その物質による伝播時間の差又
は透過率の差を利用して粉粒体中の異物検査を行う。
の異物を短時間で検出することができるサブテラヘルツ
電磁波を用いた粉粒体中異物検査装置およびその検査方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 波長６００μｍから３ｍｍ（０．５ＴＨ
ｚ〜１００ＧＨｚ）の電磁波が粉粒体を透過することか
ら、このパルス状あるいは連続したサブテラヘルツ電磁
波を被検査物に照射し、その物質による伝播時間の差又
は透過率の差を利用して粉粒体中の異物検査を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、サブテラヘルツ
電磁波を用いた粉粒体中異物検査装置に関するものであ
る。特に透過電磁波を利用した固体の紛粒体あるいは液
体の異物検査装置であって、波長６００μｍから３ｍｍ
（０．５ＴＨｚ〜１００ＧＨｚ）の電磁波を被検査物に
照射し、紛粒体の異物検査を行うサブテラヘルツ電磁波
を用いた粉粒体中異物検査装置に関している。
電磁波を用いた粉粒体中異物検査装置に関するものであ
る。特に透過電磁波を利用した固体の紛粒体あるいは液
体の異物検査装置であって、波長６００μｍから３ｍｍ
（０．５ＴＨｚ〜１００ＧＨｚ）の電磁波を被検査物に
照射し、紛粒体の異物検査を行うサブテラヘルツ電磁波
を用いた粉粒体中異物検査装置に関している。
【０００２】
【従来の技術】固体の粉粒体の製造における検査工程で
の異物検査には、従来、Ｘ線や発振器を利用した金属探
知機が使われてきた。このＸ線を使った検査方法は、よ
く知られているように、Ｘ線を被検査物に照射し、物質
によるそのＸ線の吸収率あるいは反射率の差を利用して
粉粒体の異物検査を行うものである。発振器を利用した
金属探知機は、金属による発振周波数の僅かな変化を検
出して検出を行うものである。
の異物検査には、従来、Ｘ線や発振器を利用した金属探
知機が使われてきた。このＸ線を使った検査方法は、よ
く知られているように、Ｘ線を被検査物に照射し、物質
によるそのＸ線の吸収率あるいは反射率の差を利用して
粉粒体の異物検査を行うものである。発振器を利用した
金属探知機は、金属による発振周波数の僅かな変化を検
出して検出を行うものである。
【０００３】また、テラヘルツ領域の電磁波を用いたイ
メージング装置が、資料１（テラヘルツ電磁波の発生と
その応用、レーザー研究、１９９８年７月、５１５〜５
２１頁）に紹介されている。特にその資料の５１７頁に
おいては、パルスレーザー光を発生する発振手段と、そ
のパルスレーザー光を分岐する光回路手段と、分岐され
た一方のパルスレーザー光の伝搬時間を遅延させる光回
路手段と、伝搬時間を遅延させられたパルスレーザー光
を用いてパルス状電磁波を発生するエネルギー変換手段
と、パルス状電磁波を被検査物に照射する電磁波照射手
段と、被検査物を通過したパルス状電磁波をビームスプ
リッターの一面に照射する光回路手段と、分岐された他
方のパルスレーザー光を偏光させる第一の偏光手段と、
偏光したパルスレーザー光を上記のビームスプリッター
の他面に入射する光回路手段と、ビームスプリッターか
ら出力されるパルスレーザー光を電気光学結晶に入射さ
せる光回路手段と、電気光学結晶から出力されるパルス
レーザー光を偏光させる第二の偏光手段と、第二の偏光
手段を通過したパルスレーザー光を電気信号に変換する
エネルギー変換手段と、を有する装置が記載されてい
る。この装置では、検出信号を画像化するために、被検
査物の拡大されたビーム外にある部分については被検査
物を動かして走査し、それに合わせて表示装置も走査す
ることを行なっている。
メージング装置が、資料１（テラヘルツ電磁波の発生と
その応用、レーザー研究、１９９８年７月、５１５〜５
２１頁）に紹介されている。特にその資料の５１７頁に
おいては、パルスレーザー光を発生する発振手段と、そ
のパルスレーザー光を分岐する光回路手段と、分岐され
た一方のパルスレーザー光の伝搬時間を遅延させる光回
路手段と、伝搬時間を遅延させられたパルスレーザー光
を用いてパルス状電磁波を発生するエネルギー変換手段
と、パルス状電磁波を被検査物に照射する電磁波照射手
段と、被検査物を通過したパルス状電磁波をビームスプ
リッターの一面に照射する光回路手段と、分岐された他
方のパルスレーザー光を偏光させる第一の偏光手段と、
偏光したパルスレーザー光を上記のビームスプリッター
の他面に入射する光回路手段と、ビームスプリッターか
ら出力されるパルスレーザー光を電気光学結晶に入射さ
せる光回路手段と、電気光学結晶から出力されるパルス
レーザー光を偏光させる第二の偏光手段と、第二の偏光
手段を通過したパルスレーザー光を電気信号に変換する
エネルギー変換手段と、を有する装置が記載されてい
る。この装置では、検出信号を画像化するために、被検
査物の拡大されたビーム外にある部分については被検査
物を動かして走査し、それに合わせて表示装置も走査す
ることを行なっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の電磁波
を利用した金属探知機やＸ線を用いた粉粒体中異物検査
装置では、検出できる異物は、ほぼ金属に限られ、プラ
スチック片や木片あるいはセラミクス等が検出されにく
かった。
を利用した金属探知機やＸ線を用いた粉粒体中異物検査
装置では、検出できる異物は、ほぼ金属に限られ、プラ
スチック片や木片あるいはセラミクス等が検出されにく
かった。
【０００５】また、従来のテラヘルツ領域の電磁波を用
いたイメージング装置では、被検査物を細かく走査しな
ければならず、検査に時間がかかっていた。
いたイメージング装置では、被検査物を細かく走査しな
ければならず、検査に時間がかかっていた。
【０００６】この発明は上記に鑑み提案されたもので、
プラスチック片や木片あるいはセラミクス等の異物を短
時間で検出することができるサブテラヘルツ電磁波を用
いた粉粒体中異物検査装置を提供することを目的とす
る。
プラスチック片や木片あるいはセラミクス等の異物を短
時間で検出することができるサブテラヘルツ電磁波を用
いた粉粒体中異物検査装置を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】異物を検出するには、被
検査物によって散乱あるいは吸収されない電磁波である
ことが必要であり、電磁波は波長６００μｍ以上でなけ
ればならないことが、下記の、発明の実施の形態、に記
載したように、発明者の実験で判明した。また、微細な
異物を検出するため、その波長は出来るだけ短いほうが
良いことから、異物検査に用いるには、電磁波の波長は
６００μｍから３ｍｍ（０．５ＴＨｚ〜１００ＧＨｚ）
の範囲が適当であることがわかった。
検査物によって散乱あるいは吸収されない電磁波である
ことが必要であり、電磁波は波長６００μｍ以上でなけ
ればならないことが、下記の、発明の実施の形態、に記
載したように、発明者の実験で判明した。また、微細な
異物を検出するため、その波長は出来るだけ短いほうが
良いことから、異物検査に用いるには、電磁波の波長は
６００μｍから３ｍｍ（０．５ＴＨｚ〜１００ＧＨｚ）
の範囲が適当であることがわかった。
【０００８】従って、上記目的を達成するために、請求
項１に記載の発明は、電磁波により紛粒体を透視し有機
物の異物を検出するには、用いる電磁波の波長は、被検
査物によって散乱されない電磁波であることが必要条件
であることから、サブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒体
中異物検査装置であって、波長６００μｍから３ｍｍ
（０．５ＴＨｚ〜１００ＧＨｚ）のパルス状電磁波を被
検査物に照射する電磁波照射手段と、その透過したパル
ス状電磁波の空間分布を検出する検出手段と、そのパル
ス状電磁波の被検査物による伝播時間の差又は振幅の差
を取得する信号処理手段と、上記の被検査物による伝播
時間の差又は振幅の差を表示する情報処理手段と、を備
えたことを特徴としている。
項１に記載の発明は、電磁波により紛粒体を透視し有機
物の異物を検出するには、用いる電磁波の波長は、被検
査物によって散乱されない電磁波であることが必要条件
であることから、サブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒体
中異物検査装置であって、波長６００μｍから３ｍｍ
（０．５ＴＨｚ〜１００ＧＨｚ）のパルス状電磁波を被
検査物に照射する電磁波照射手段と、その透過したパル
ス状電磁波の空間分布を検出する検出手段と、そのパル
ス状電磁波の被検査物による伝播時間の差又は振幅の差
を取得する信号処理手段と、上記の被検査物による伝播
時間の差又は振幅の差を表示する情報処理手段と、を備
えたことを特徴としている。
【０００９】また、請求項２に記載の発明は、上記した
請求項１に記載の発明の構成に加えて、パルスレーザー
光を発生する発振手段と、そのパルスレーザー光を分岐
する光回路手段と、分岐されたパルスレーザー光の一方
を用いてパルス状電磁波を発生するエネルギー変換手段
と、パルス状電磁波を被検査物に照射する電磁波照射手
段と、被検査物を通過したパルス状電磁波をビームスプ
リッターに入射する光回路手段と、ビームスプリッター
を透過したパルス状電磁波を電気光学結晶に入射する光
回路手段と、分岐された他方のパルスレーザー光の伝搬
時間を遅延させる光回路手段と、伝搬時間を遅延させら
れたパルスレーザー光のビーム径を拡大する光回路手段
と、ビーム径を拡大されたパルスレーザー光を偏光させ
る第一の偏光手段と、偏光したパルスレーザー光を上記
のビームスプリッターで反射する光回路手段と、平坦な
ビームスプリッターから出力されるパルスレーザー光を
電気光学結晶に入射させる光回路手段と、電気光学結晶
から出力されるパルスレーザー光を偏光させる第二の偏
光手段と、第二の偏光手段を通過したパルスレーザー光
の分布を２次元に分布した電気信号に変換するネンルギ
ー変換手段と、を有することを特徴としており、２次元
に分布した電気信号を用いることにより、短時間で検査
できるようになった。
請求項１に記載の発明の構成に加えて、パルスレーザー
光を発生する発振手段と、そのパルスレーザー光を分岐
する光回路手段と、分岐されたパルスレーザー光の一方
を用いてパルス状電磁波を発生するエネルギー変換手段
と、パルス状電磁波を被検査物に照射する電磁波照射手
段と、被検査物を通過したパルス状電磁波をビームスプ
リッターに入射する光回路手段と、ビームスプリッター
を透過したパルス状電磁波を電気光学結晶に入射する光
回路手段と、分岐された他方のパルスレーザー光の伝搬
時間を遅延させる光回路手段と、伝搬時間を遅延させら
れたパルスレーザー光のビーム径を拡大する光回路手段
と、ビーム径を拡大されたパルスレーザー光を偏光させ
る第一の偏光手段と、偏光したパルスレーザー光を上記
のビームスプリッターで反射する光回路手段と、平坦な
ビームスプリッターから出力されるパルスレーザー光を
電気光学結晶に入射させる光回路手段と、電気光学結晶
から出力されるパルスレーザー光を偏光させる第二の偏
光手段と、第二の偏光手段を通過したパルスレーザー光
の分布を２次元に分布した電気信号に変換するネンルギ
ー変換手段と、を有することを特徴としており、２次元
に分布した電気信号を用いることにより、短時間で検査
できるようになった。
【００１０】また、請求項３に記載の発明は、上記した
請求項２に記載の発明の構成に加えて、上述の分岐され
た他方のパルスレーザー光に関し伝搬時間の遅延時間を
変化させる掃引手段と、異なる遅延時間により得られた
電気信号を比較する信号処理手段と、を備えたことを特
徴としており、ほぼ均一の形状をもつ複数種類の異物と
仮定できる場合で、複数種類の異物が複数の屈折率によ
る効果を及ぼす場合に、この手段により、各異物の個性
を識別できる様になった。
請求項２に記載の発明の構成に加えて、上述の分岐され
た他方のパルスレーザー光に関し伝搬時間の遅延時間を
変化させる掃引手段と、異なる遅延時間により得られた
電気信号を比較する信号処理手段と、を備えたことを特
徴としており、ほぼ均一の形状をもつ複数種類の異物と
仮定できる場合で、複数種類の異物が複数の屈折率によ
る効果を及ぼす場合に、この手段により、各異物の個性
を識別できる様になった。
【００１１】また、請求項４に記載の発明は、連続した
電磁波を利用したサブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒体
中異物検査装置であって、連続波の波長６００μｍから
３ｍｍ（０．５ＴＨｚ〜１００ＧＨｚ）の電磁波を被検
査物に照射する電磁波照射手段と、被検査物を透過した
上記の電磁波を検出する検出手段と、物質によるその電
磁波の吸収率あるいは反射率の差を取得する信号処理手
段と、を備えたことを特徴としており、連続した電磁波
を用いることによって、強力な電磁波が使えるようにな
り、異物の検出感度を上げることができる様になった。
電磁波を利用したサブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒体
中異物検査装置であって、連続波の波長６００μｍから
３ｍｍ（０．５ＴＨｚ〜１００ＧＨｚ）の電磁波を被検
査物に照射する電磁波照射手段と、被検査物を透過した
上記の電磁波を検出する検出手段と、物質によるその電
磁波の吸収率あるいは反射率の差を取得する信号処理手
段と、を備えたことを特徴としており、連続した電磁波
を用いることによって、強力な電磁波が使えるようにな
り、異物の検出感度を上げることができる様になった。
【００１２】また、請求項５に記載の発明は、上記した
請求項４に記載の発明の構成に加えて、波長６００μｍ
から３ｍｍ（０．５ＴＨｚ〜１００ＧＨｚ）の連続した
電磁波を発生する電磁波発生手段と、該電磁波を被検査
物に走査して照射する電磁波照射手段と、被検査物を通
過したサブテラヘルツ電磁波を電気信号に変換するエネ
ルギー変換手段と、走査して照射する手段に同期して、
上記の電気信号を表示する信号処理手段と、を有するこ
とを特徴としており、この構成の装置では簡単な集光系
を用いることができるため、安価な装置で検査できるよ
うになった。
請求項４に記載の発明の構成に加えて、波長６００μｍ
から３ｍｍ（０．５ＴＨｚ〜１００ＧＨｚ）の連続した
電磁波を発生する電磁波発生手段と、該電磁波を被検査
物に走査して照射する電磁波照射手段と、被検査物を通
過したサブテラヘルツ電磁波を電気信号に変換するエネ
ルギー変換手段と、走査して照射する手段に同期して、
上記の電気信号を表示する信号処理手段と、を有するこ
とを特徴としており、この構成の装置では簡単な集光系
を用いることができるため、安価な装置で検査できるよ
うになった。
【００１３】さらに、請求項６に記載の発明は、上記し
た請求項３のサブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒体中異
物検査装置を用いるサブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒
体中異物の検査方法で、上述の２次元に分布した電気信
号を異なる遅延時間において取得し、異なる遅延時間に
おいて得られた２次元に分布に対応した電気信号を比較
し、上記のサブテラヘルツ電磁波の伝搬方向に投影した
画像として配列する、ことを特徴としており、こうして
画像化することにより、検査をしやすくしている。
た請求項３のサブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒体中異
物検査装置を用いるサブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒
体中異物の検査方法で、上述の２次元に分布した電気信
号を異なる遅延時間において取得し、異なる遅延時間に
おいて得られた２次元に分布に対応した電気信号を比較
し、上記のサブテラヘルツ電磁波の伝搬方向に投影した
画像として配列する、ことを特徴としており、こうして
画像化することにより、検査をしやすくしている。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下にこの発明の実施の形態を図
面に基づいて詳細に説明する。先ず、紛粒体の透視型異
物検査に適用する電磁波の波長には、最適な領域がある
ことを示す。
面に基づいて詳細に説明する。先ず、紛粒体の透視型異
物検査に適用する電磁波の波長には、最適な領域がある
ことを示す。
【００１５】図３は、紛粒体として小麦粉を用いた場合
の電磁波の透過スペクトルを示す。この図から分かるよ
うに、電磁波が透過する領域は０．５ＴＨｚ以下であ
り、従って、波長は、６００μｍ以上である。このた
め、検査装置に用いるためには、その波長は６００μｍ
以上でなければならないことが分かる。また、一般に、
微細な異物を検出するため、その波長は出来るだけ短い
ほうが良い。これらのことから、異物検査に用いるに
は、電磁波の波長は６００μｍから３ｍｍ（０．５ＴＨ
ｚ〜１００ＧＨｚ）の範囲が適当である。
の電磁波の透過スペクトルを示す。この図から分かるよ
うに、電磁波が透過する領域は０．５ＴＨｚ以下であ
り、従って、波長は、６００μｍ以上である。このた
め、検査装置に用いるためには、その波長は６００μｍ
以上でなければならないことが分かる。また、一般に、
微細な異物を検出するため、その波長は出来るだけ短い
ほうが良い。これらのことから、異物検査に用いるに
は、電磁波の波長は６００μｍから３ｍｍ（０．５ＴＨ
ｚ〜１００ＧＨｚ）の範囲が適当である。
【００１６】次に第１の実施形態を、図１を用いて説明
する。図１は、サブテラヘルツ電磁波パルスを用いた固
体の紛粒体の透視型異物検査装置１０である。サブテラ
ヘルツ電磁波パルスは、上述の資料１の５１５頁に記載
されているテラヘルツ電磁波発振器と同様の構成を持つ
サブテラヘルツ電磁波発振器２１に、フェムト秒程度の
光パルスを出力するレーザー１１からの出力をビームス
プリッター２２で分岐したパルスレーザー光を照射し、
サブテラヘルツ電磁波パルスを得る。このサブテラヘル
ツ電磁波パルスは、被検査物である異物の混入した粉粒
体の入った容器２２に照射される。被検査物を透過した
サブテラヘルツ電磁波パルスは、ビームスプリッター１
５の一方の面に入射される。テラヘルツパルスは、更に
進んで、電気光学結晶を通る時に、その電界により電気
光学結晶に複屈折率変化を起こし、その結果、偏向面の
変化を生じる。レーザー１１からの出力を分岐した他方
のパルスレーザー光は、遅延時間を光路長により調整し
た光遅延回路１２により遅延時間が与えられた後、レン
ズ系を用いたエキスパンダー１３によりビーム径が増大
され、さらに、ポーラライザー１４によって偏光された
後、ビームスプリッター１５の他方の面に入射される。
このパルスレーザー光は、電気光学結晶１６を通り、サ
ブテラヘルツ電磁波パルスが興した複屈折率変化による
偏向面の変化を検出し、その後、アナライザー１７であ
る偏光素子に入射される。従って、偏光面が変化するた
めには、パルスレーザー光とサブテラヘルツ電磁波パル
スは、電気光学結晶１６に同時に入射する必要がある。
電気光学結晶１６から出力されたパルスレーザー光は、
アナライザー１７を通過した後、ＣＣＤカメラ１８によ
り電気信号に変換され、画像処理装置２０に蓄積され
る。
する。図１は、サブテラヘルツ電磁波パルスを用いた固
体の紛粒体の透視型異物検査装置１０である。サブテラ
ヘルツ電磁波パルスは、上述の資料１の５１５頁に記載
されているテラヘルツ電磁波発振器と同様の構成を持つ
サブテラヘルツ電磁波発振器２１に、フェムト秒程度の
光パルスを出力するレーザー１１からの出力をビームス
プリッター２２で分岐したパルスレーザー光を照射し、
サブテラヘルツ電磁波パルスを得る。このサブテラヘル
ツ電磁波パルスは、被検査物である異物の混入した粉粒
体の入った容器２２に照射される。被検査物を透過した
サブテラヘルツ電磁波パルスは、ビームスプリッター１
５の一方の面に入射される。テラヘルツパルスは、更に
進んで、電気光学結晶を通る時に、その電界により電気
光学結晶に複屈折率変化を起こし、その結果、偏向面の
変化を生じる。レーザー１１からの出力を分岐した他方
のパルスレーザー光は、遅延時間を光路長により調整し
た光遅延回路１２により遅延時間が与えられた後、レン
ズ系を用いたエキスパンダー１３によりビーム径が増大
され、さらに、ポーラライザー１４によって偏光された
後、ビームスプリッター１５の他方の面に入射される。
このパルスレーザー光は、電気光学結晶１６を通り、サ
ブテラヘルツ電磁波パルスが興した複屈折率変化による
偏向面の変化を検出し、その後、アナライザー１７であ
る偏光素子に入射される。従って、偏光面が変化するた
めには、パルスレーザー光とサブテラヘルツ電磁波パル
スは、電気光学結晶１６に同時に入射する必要がある。
電気光学結晶１６から出力されたパルスレーザー光は、
アナライザー１７を通過した後、ＣＣＤカメラ１８によ
り電気信号に変換され、画像処理装置２０に蓄積され
る。
【００１７】ここで、パルスレーザー光とサブテラヘル
ツ電磁波パルスが同時に電気光学結晶１６に入射しない
時には、パルスレーザー光のみがＣＣＤカメラ１８に入
力される。また、それらが同時に電気光学結晶１６に入
射する時には、パルスレーザー光の偏光面が変調され、
アナライザー１７を通過する光量が減少し、ＣＣＤカメ
ラ１８への入力が減少する。この方法により、ＣＣＤカ
メラ１８により得られる画像の特定の部位について、遅
延時間の関数として、明暗を示す信号を得ることが出来
る。
ツ電磁波パルスが同時に電気光学結晶１６に入射しない
時には、パルスレーザー光のみがＣＣＤカメラ１８に入
力される。また、それらが同時に電気光学結晶１６に入
射する時には、パルスレーザー光の偏光面が変調され、
アナライザー１７を通過する光量が減少し、ＣＣＤカメ
ラ１８への入力が減少する。この方法により、ＣＣＤカ
メラ１８により得られる画像の特定の部位について、遅
延時間の関数として、明暗を示す信号を得ることが出来
る。
【００１８】被検査物の中に異物が混入している場合
は、ＣＣＤカメラ画像の異物に対応する部分が暗部とな
る。ここで、光遅延回路１２を調整して遅延時間を変化
させることにより、被検査物を通過したサブテラヘルツ
電磁波の遅延情報を得ることができる。
は、ＣＣＤカメラ画像の異物に対応する部分が暗部とな
る。ここで、光遅延回路１２を調整して遅延時間を変化
させることにより、被検査物を通過したサブテラヘルツ
電磁波の遅延情報を得ることができる。
【００１９】次に、この装置の具体的な構成を以下に示
す。レーザー１１によるパルス光の中心波長は７８０ｎ
ｍ、パルス幅は約８０ｆｓ、光パルスの繰り返し周波数
は８２ＭＨｚである。また、サブテラヘルツ電磁波発振
器２１の発振周波数は、０．３〜３ＴＨｚで、パルス幅
は約０．３５ｐｓ、繰り返し周波数は８２ＭＨｚであ
る。また、ビームエキスパンダー１３は、よく知られて
いるレンズ系を組み合わせて構成したものであり、これ
によりビーム径は約３０μｍから約３ｃｍに拡大され
た。また、電気光学結晶１６は、３０μｍ厚のＺｎＴｅ
で構成されている。
す。レーザー１１によるパルス光の中心波長は７８０ｎ
ｍ、パルス幅は約８０ｆｓ、光パルスの繰り返し周波数
は８２ＭＨｚである。また、サブテラヘルツ電磁波発振
器２１の発振周波数は、０．３〜３ＴＨｚで、パルス幅
は約０．３５ｐｓ、繰り返し周波数は８２ＭＨｚであ
る。また、ビームエキスパンダー１３は、よく知られて
いるレンズ系を組み合わせて構成したものであり、これ
によりビーム径は約３０μｍから約３ｃｍに拡大され
た。また、電気光学結晶１６は、３０μｍ厚のＺｎＴｅ
で構成されている。
【００２０】容器２２により、サブテラヘルツ電磁波の
吸収が起きない様にすることが必要であり、その材質
は、ＴＰＸ（ポリメチルペンテン）、ポリエチレン、シ
リコン、水晶等が適当である。
吸収が起きない様にすることが必要であり、その材質
は、ＴＰＸ（ポリメチルペンテン）、ポリエチレン、シ
リコン、水晶等が適当である。
【００２１】ＣＣＤカメラによる画像蓄積時間は、０．
５秒であり、画像処理装置により、２〜１６枚程度の画
像を用いて平均化することにより、良好な異物検査が可
能である。これらの値は、被検査物の状況により異なる
ので、被検査物に応じて調整することが必要である。
５秒であり、画像処理装置により、２〜１６枚程度の画
像を用いて平均化することにより、良好な異物検査が可
能である。これらの値は、被検査物の状況により異なる
ので、被検査物に応じて調整することが必要である。
【００２２】検査に要する時間は、従来のテラヘルツ領
域の電磁波を用いたイメージング装置に比べ、概ね２０
００分の１の時間ですむようになった。これは、サンプ
ルを走査する必要が無くなったためである。
域の電磁波を用いたイメージング装置に比べ、概ね２０
００分の１の時間ですむようになった。これは、サンプ
ルを走査する必要が無くなったためである。
【００２３】粉粒体に、小麦粉を用いた場合の例を示す
と、この場合の光遅延回路１２の反射鏡を掃引する時間
は２〜１０秒であり、このときの光路差は、２〜１０ｍ
ｍである。この装置により、２〜１０ｍｍ程度のプラス
チックでできた異物が検出された。また、その他の粉粒
体として、具体的には、砂糖、あるいはベビーパウダー
に適用することができる。さらに一般には、電磁波の透
過を妨げない程度の吸収率をもつ物体に適用することが
できることは明かである。
と、この場合の光遅延回路１２の反射鏡を掃引する時間
は２〜１０秒であり、このときの光路差は、２〜１０ｍ
ｍである。この装置により、２〜１０ｍｍ程度のプラス
チックでできた異物が検出された。また、その他の粉粒
体として、具体的には、砂糖、あるいはベビーパウダー
に適用することができる。さらに一般には、電磁波の透
過を妨げない程度の吸収率をもつ物体に適用することが
できることは明かである。
【００２４】上記の例では、特別な画像処理を行なって
いないが、画像処理を施すことによっても異物の検出感
度を改善することができる。次に、その１例を挙げる。
いないが、画像処理を施すことによっても異物の検出感
度を改善することができる。次に、その１例を挙げる。
【００２５】光遅延回路１２による遅延時間を変化させ
て、上記の画像を取得することにより、サブテラヘルツ
電磁波の進行方向に投影した異物を含む被検査物の３次
元像を得ることができる。この３次元の内訳は、サブテ
ラヘルツ電磁波の進行方向に投影したサンプル像の２次
元と異物による遅延時間を示す１次元である。このよう
な３次元像を、異物の無い被検査物の３次元像との差分
を取るか、または比較することによって、異物の存在を
明確に示すことができる。サブテラヘルツ電磁波の異物
による遅延時間の差異は、異物の屈折率が被検査物の粉
粒体とは異なっていることに起因しており、上記の３次
元像は、屈折率の分布を反映した画像と見ることが出来
る。
て、上記の画像を取得することにより、サブテラヘルツ
電磁波の進行方向に投影した異物を含む被検査物の３次
元像を得ることができる。この３次元の内訳は、サブテ
ラヘルツ電磁波の進行方向に投影したサンプル像の２次
元と異物による遅延時間を示す１次元である。このよう
な３次元像を、異物の無い被検査物の３次元像との差分
を取るか、または比較することによって、異物の存在を
明確に示すことができる。サブテラヘルツ電磁波の異物
による遅延時間の差異は、異物の屈折率が被検査物の粉
粒体とは異なっていることに起因しており、上記の３次
元像は、屈折率の分布を反映した画像と見ることが出来
る。
【００２６】次に第２の実施形態を、図２を用いて説明
する。図２は、連続したサブテラヘルツ電磁波を用いた
固体の紛粒体の透視型異物検査装置３０である。
する。図２は、連続したサブテラヘルツ電磁波を用いた
固体の紛粒体の透視型異物検査装置３０である。
【００２７】連続波遠赤外レーザー３１から出力された
サブテラヘルツ電磁波は、２次元走査装置３２により進
行方向が変えられ、被検査物３３を走査する。被検査物
を通過したサブテラヘルツ電磁波は、集光系３４により
集光され、検出器３５により電気信号に変換され、電気
信号は、増幅および信号処理装置３６により増幅と信号
の処理を受けた後、画像処理装置３７に蓄積される。こ
うして蓄積された電気信号は、２次元走査装置３２の走
査情報と同期する様に並べ替えられ、画像処理装置３７
の表示部に表示される。
サブテラヘルツ電磁波は、２次元走査装置３２により進
行方向が変えられ、被検査物３３を走査する。被検査物
を通過したサブテラヘルツ電磁波は、集光系３４により
集光され、検出器３５により電気信号に変換され、電気
信号は、増幅および信号処理装置３６により増幅と信号
の処理を受けた後、画像処理装置３７に蓄積される。こ
うして蓄積された電気信号は、２次元走査装置３２の走
査情報と同期する様に並べ替えられ、画像処理装置３７
の表示部に表示される。
【００２８】ここで、サブテラヘルツ電磁波は、被検査
物を通過する際に、被検査物により散乱あるいは吸収を
受ける。被検査物中に異物が含まれている場合の画像
は、異物が含まれていない被検査物の画像と異なるの
で、これらの画像を比較することにより、異物に関する
情報を得ることができる。
物を通過する際に、被検査物により散乱あるいは吸収を
受ける。被検査物中に異物が含まれている場合の画像
は、異物が含まれていない被検査物の画像と異なるの
で、これらの画像を比較することにより、異物に関する
情報を得ることができる。
【００２９】より具体的には、連続波遠赤外レーザー３
１は、発振波長１０２０又は８９０又は７６４μｍの炭
酸ガスレーザー励起のＣＨ２ＣＦ２レーザー、或いは発
振波長１２１７μｍ又は６９９μｍの炭酸ガスレーザー
励起のＣＨ３ＯＨレーザーであり、出力は、いずれも２
０〜１００ｍＷである。２次元走査装置３２は、２つの
直交する軸の周りに回転する２枚の可動鏡からなる、よ
く知られた構造の走査装置である。集光系３４は、ポリ
エチレンで作られたレンズであり、その他の材質として
TPX（ポリメチルペンテン）を用いることができる。ま
た、検出器３５は、サブテラヘルツ電磁波検出器として
ＩｎＳｂ電子ボロメーターを用いている。
１は、発振波長１０２０又は８９０又は７６４μｍの炭
酸ガスレーザー励起のＣＨ２ＣＦ２レーザー、或いは発
振波長１２１７μｍ又は６９９μｍの炭酸ガスレーザー
励起のＣＨ３ＯＨレーザーであり、出力は、いずれも２
０〜１００ｍＷである。２次元走査装置３２は、２つの
直交する軸の周りに回転する２枚の可動鏡からなる、よ
く知られた構造の走査装置である。集光系３４は、ポリ
エチレンで作られたレンズであり、その他の材質として
TPX（ポリメチルペンテン）を用いることができる。ま
た、検出器３５は、サブテラヘルツ電磁波検出器として
ＩｎＳｂ電子ボロメーターを用いている。
【００３０】上記の例では、被検査物は粉粒体であった
が、液体でも効果があることは明らかであり、例えば、
粘性の高い不透明の液体に適用することによっても、本
発明の特徴が発揮される。
が、液体でも効果があることは明らかであり、例えば、
粘性の高い不透明の液体に適用することによっても、本
発明の特徴が発揮される。
【００３１】
【発明の効果】この発明は上記した構成からなるので、
以下に説明するような効果を奏することができる。
以下に説明するような効果を奏することができる。
【００３２】請求項１に記載の発明では、波長６００μ
ｍから３ｍｍ（０．５ＴＨｚ〜１００ＧＨｚ）のパルス
状電磁波を被検査物に照射し、そのパルス状電磁波の物
質による伝播時間の差を利用して粉粒体の異物検査を行
うことにより、散乱を受けることが少ない帯域におい
て、屈折率の差異で異物を検出できるようになり、従来
検出しづらかったプラスチック等の検査が容易にできる
ようになった。
ｍから３ｍｍ（０．５ＴＨｚ〜１００ＧＨｚ）のパルス
状電磁波を被検査物に照射し、そのパルス状電磁波の物
質による伝播時間の差を利用して粉粒体の異物検査を行
うことにより、散乱を受けることが少ない帯域におい
て、屈折率の差異で異物を検出できるようになり、従来
検出しづらかったプラスチック等の検査が容易にできる
ようになった。
【００３３】また、請求項２に記載の発明では、２次元
画像を得るための検出装置の具体的な構成を開示してお
り、この構成によって、波長６００μｍから３ｍｍ
（０．５ＴＨｚ〜１００ＧＨｚ）のパルス状電磁波を利
用して粉粒体の異物検査を短時間で行うことができるよ
うになった。
画像を得るための検出装置の具体的な構成を開示してお
り、この構成によって、波長６００μｍから３ｍｍ
（０．５ＴＨｚ〜１００ＧＨｚ）のパルス状電磁波を利
用して粉粒体の異物検査を短時間で行うことができるよ
うになった。
【００３４】さらに、請求項３に記載の発明では、パル
スレーザー光の伝搬時間についての遅延時間を変化させ
て、異なる遅延時間により得られた電気信号を取得する
ことにより、異物の無い被検査物と比較することによっ
て、異物の存在を明確に示すことができる様になった。
スレーザー光の伝搬時間についての遅延時間を変化させ
て、異なる遅延時間により得られた電気信号を取得する
ことにより、異物の無い被検査物と比較することによっ
て、異物の存在を明確に示すことができる様になった。
【００３５】さらに、請求項４に記載の発明では、連続
した電磁波を用いることによって、強力な電磁波が使え
るようになり、異物の検出感度を上げることができる様
になった。
した電磁波を用いることによって、強力な電磁波が使え
るようになり、異物の検出感度を上げることができる様
になった。
【００３６】さらに、請求項５に記載の発明では、サブ
テラヘルツ電磁波を被検査物に走査しながら照射するこ
とによって、簡単な集光系で、異物の形状を画像化で
き、簡単な装置で検査できる様になった。
テラヘルツ電磁波を被検査物に走査しながら照射するこ
とによって、簡単な集光系で、異物の形状を画像化で
き、簡単な装置で検査できる様になった。
【００３７】さらに、請求項６に記載の発明では、異な
る遅延時間において得られた２次元に分布した電気信号
を比較することにより、上記のサブテラヘルツ電磁波の
伝搬方向に投影した画像として、被検査物に依存する伝
搬時間の違いを画像化する方法を開示しており、こうし
て画像化することにより異物の発見が容易になるため、
検査を容易にしている。
る遅延時間において得られた２次元に分布した電気信号
を比較することにより、上記のサブテラヘルツ電磁波の
伝搬方向に投影した画像として、被検査物に依存する伝
搬時間の違いを画像化する方法を開示しており、こうし
て画像化することにより異物の発見が容易になるため、
検査を容易にしている。
【図１】サブテラヘルツ電磁波パルスを用いた固体の紛
粒体の透視型異物検査装置を示す図である。
粒体の透視型異物検査装置を示す図である。
【図２】連続したサブテラヘルツ電磁波を用いた固体の
紛粒体の透視型異物検査装置を示す図である。
紛粒体の透視型異物検査装置を示す図である。
【図３】紛粒体についての電磁波の透過スペクトルを示
す図である。
す図である。
１０ サブテラヘルツ電磁波パルスを用いた固体の紛粒
体の透視型異物検査装置 １１ １００フェムト秒以下の光パルスを出力するレー
ザー １２ 遅延時間を光路長により調整した光遅延回路 １３ レンズ系を用いたビームエキスパンダー １４ ポーラライザー １５ ビームスプリッター １６ 電気光学結晶 １７ アナライザー １８ ＣＣＤカメラ １９ 信号ケーブル ２０ 表示機能を備えた画像処理装置 ２１ サブテラヘルツ電磁波発振器 ２２ ビームスプリッター ２２ 被検査物である異物の混入した粉粒体の入った容
器 ３０ 連続したサブテラヘルツ電磁波を用いた固体の紛
粒体の透視型異物検査装置 ３１ 連続波遠赤外レーザー ３２ ２次元走査装置 ３３ 被検査物 ３４ 集光系 ３５ 検出器 ３６ 増幅および信号処理装置 ３７ 表示機能を備えた画像処理装置
体の透視型異物検査装置 １１ １００フェムト秒以下の光パルスを出力するレー
ザー １２ 遅延時間を光路長により調整した光遅延回路 １３ レンズ系を用いたビームエキスパンダー １４ ポーラライザー １５ ビームスプリッター １６ 電気光学結晶 １７ アナライザー １８ ＣＣＤカメラ １９ 信号ケーブル ２０ 表示機能を備えた画像処理装置 ２１ サブテラヘルツ電磁波発振器 ２２ ビームスプリッター ２２ 被検査物である異物の混入した粉粒体の入った容
器 ３０ 連続したサブテラヘルツ電磁波を用いた固体の紛
粒体の透視型異物検査装置 ３１ 連続波遠赤外レーザー ３２ ２次元走査装置 ３３ 被検査物 ３４ 集光系 ３５ 検出器 ３６ 増幅および信号処理装置 ３７ 表示機能を備えた画像処理装置
Claims (6)
- 【請求項１】 サブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒体中
異物検査装置であって、波長６００μｍから３ｍｍ
（０．５ＴＨｚ〜１００ＧＨｚ）のパルス状電磁波を被
検査物に照射する電磁波照射手段と、その透過したパル
ス状電磁波の空間分布を検出する検出手段と、そのパル
ス状電磁波の被検査物による伝播時間の差又は振幅の差
を取得する信号処理手段と、上記の被検査物による伝播
時間の差又は振幅の差を表示する情報処理手段と、を備
えたことを特徴とするサブテラヘルツ電磁波を用いた粉
粒体中異物検査装置。 - 【請求項２】 請求項１のサブテラヘルツ電磁波を用い
た粉粒体中異物検査装置で、パルスレーザー光を発生す
る発振手段と、そのパルスレーザー光を分岐する光回路
手段と、分岐されたパルスレーザー光の一方を用いてパ
ルス状電磁波を発生するエネルギー変換手段と、パルス
状電磁波を被検査物に照射する電磁波照射手段と、被検
査物を通過したパルス状電磁波をビームスプリッターに
入射する光回路手段と、ビームスプリッターを透過した
パルス状電磁波を電気光学結晶に入射する光回路手段
と、分岐された他方のパルスレーザー光の伝搬時間を遅
延させる光回路手段と、伝搬時間を遅延させられたパル
スレーザー光のビーム径を拡大する光回路手段と、ビー
ム径を拡大されたパルスレーザー光を偏光させる第一の
偏光手段と、偏光したパルスレーザー光を上記のビーム
スプリッターで反射する光回路手段と、平坦なビームス
プリッターから出力されるパルスレーザー光を電気光学
結晶に入射させる光回路手段と、電気光学結晶から出力
されるパルスレーザー光を偏光させる第二の偏光手段
と、第二の偏光手段を通過したパルスレーザー光の分布
を２次元に分布した電気信号に変換するネンルギー変換
手段と、を有することを特徴とするサブテラヘルツ電磁
波を用いた粉粒体中異物検査装置。 - 【請求項３】 請求項２のサブテラヘルツ電磁波を用い
た粉粒体中異物検査装置で、上述の分岐された他方のパ
ルスレーザー光に関し伝搬時間の遅延時間を変化させる
掃引手段と、異なる遅延時間により得られた電気信号を
比較する信号処理手段と、を備えたことを特徴とするサ
ブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒体中異物検査装置。 - 【請求項４】 連続した電磁波を利用したサブテラヘル
ツ電磁波を用いた粉粒体中異物検査装置であって、連続
波の波長６００μｍから３ｍｍ（０．５ＴＨｚ〜１００
ＧＨｚ）の電磁波を被検査物に照射する電磁波照射手段
と、被検査物を透過した上記の電磁波を検出する検出手
段と、物質によるその電磁波の吸収率あるいは反射率の
差を取得する信号処理手段と、を備えたことを特徴とす
るサブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒体中異物検査装
置。 - 【請求項５】 請求項４のサブテラヘルツ電磁波を用い
た固体の紛粒体の異物検査装置で、波長６００μｍから
３ｍｍ（０．５ＴＨｚ〜１００ＧＨｚ）の連続した電磁
波を発生する電磁波発生手段と、該電磁波を被検査物に
走査して照射する電磁波照射手段と、被検査物を通過し
たサブテラヘルツ電磁波を電気信号に変換するエネルギ
ー変換手段と、走査して照射する手段に同期して、上記
の電気信号を表示する信号処理手段と、を有することを
特徴とするサブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒体中異物
検査装置。 - 【請求項６】 請求項３のサブテラヘルツ電磁波を用い
た粉粒体中異物検査装置を用いるサブテラヘルツ電磁波
を用いた粉粒体中異物の検査方法で、上述の２次元に分
布した電気信号を異なる遅延時間において取得し、異な
る遅延時間において得られた２次元に分布に対応した電
気信号を比較し、上記のサブテラヘルツ電磁波の伝搬方
向に投影した画像として配列する、ことを特徴とするサ
ブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒体中異物の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24416099A JP2001066375A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | サブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒体中異物検査装置およびその検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24416099A JP2001066375A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | サブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒体中異物検査装置およびその検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001066375A true JP2001066375A (ja) | 2001-03-16 |
Family
ID=17114670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24416099A Pending JP2001066375A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | サブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒体中異物検査装置およびその検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001066375A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005019809A1 (ja) | 2003-08-22 | 2005-03-03 | Japan Science And Technology Agency | 時系列変換パルス分光計測装置の時系列信号取得のための光路差補償機構 |
| JP2006516722A (ja) * | 2003-01-10 | 2006-07-06 | テラビュー リミテッド | イメージング方法及びその関連装置 |
| WO2008001785A1 (en) * | 2006-06-26 | 2008-01-03 | Toshiba Solutions Corporation | Specimen inspecting apparatus, and specimen inspecting method |
| US7352449B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-04-01 | Riken | Method and apparatus for detecting materials |
| US7697745B2 (en) | 2005-06-27 | 2010-04-13 | Riken | Enclosure inspection method and apparatus thereof |
| JP2010523961A (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-15 | イー２ヴイ テクノロジーズ （ユーケイ） リミテッド | 検出装置 |
| JP2010216890A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Toshiba Solutions Corp | 異種製品検出装置及び異種製品検出方法 |
| JP2011503583A (ja) * | 2007-11-16 | 2011-01-27 | ハネウェル・アスカ・インコーポレーテッド | 同時特性を取得するための材料測定システムおよび関連方法 |
| WO2013191103A1 (ja) | 2012-06-18 | 2013-12-27 | ニプロ株式会社 | テラヘルツパルス波を用いた粉末中の異物検出装置および異物検出方法 |
| KR101433268B1 (ko) | 2013-02-05 | 2014-08-26 | 아주대학교산학협력단 | 테라헤르츠 메타 물질을 이용한 이물질 검출 장치 |
| JP2015004619A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 株式会社 日立産業制御ソリューションズ | テラヘルツ波を用いた異物検査装置及びその方法 |
| CN104749133A (zh) * | 2015-04-17 | 2015-07-01 | 西南科技大学 | 一种时域修复技术提高太赫兹吸收谱分辨率的方法 |
| US9164042B2 (en) | 2011-02-10 | 2015-10-20 | Hitachi High-Technologies Corporation | Device for detecting foreign matter and method for detecting foreign matter |
| JP2016075596A (ja) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | 国立大学法人京都大学 | 異物検出装置、及び異物検出方法 |
| JP2017015716A (ja) * | 2016-08-23 | 2017-01-19 | ニプロ株式会社 | テラヘルツパルス波を用いた粉末中の異物検出装置および異物検出方法 |
-
1999
- 1999-08-31 JP JP24416099A patent/JP2001066375A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006516722A (ja) * | 2003-01-10 | 2006-07-06 | テラビュー リミテッド | イメージング方法及びその関連装置 |
| WO2005019809A1 (ja) | 2003-08-22 | 2005-03-03 | Japan Science And Technology Agency | 時系列変換パルス分光計測装置の時系列信号取得のための光路差補償機構 |
| US7507966B2 (en) | 2003-08-22 | 2009-03-24 | Japan Science And Technology Agency | Optical-path-difference compensation mechanism for acquiring wave form signal of time-domain pulsed spectroscopy apparatus |
| US7705311B2 (en) | 2003-08-22 | 2010-04-27 | Japan Science And Technology Agency | Optical-path-difference compensation mechanism for acquiring wave from signal of time-domain pulsed spectroscopy apparatus |
| EP2442093A2 (en) | 2003-08-22 | 2012-04-18 | Japan Science and Technology Agency | Optical-path-difference compensation mechanism for acquiring wave form signal of time-domain pulsed spectroscopy apparatus |
| US7352449B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-04-01 | Riken | Method and apparatus for detecting materials |
| US7697745B2 (en) | 2005-06-27 | 2010-04-13 | Riken | Enclosure inspection method and apparatus thereof |
| WO2008001785A1 (en) * | 2006-06-26 | 2008-01-03 | Toshiba Solutions Corporation | Specimen inspecting apparatus, and specimen inspecting method |
| JPWO2008001785A1 (ja) * | 2006-06-26 | 2009-11-26 | 東芝ソリューション株式会社 | 標本検査装置及び標本検査方法 |
| JP2010523961A (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-15 | イー２ヴイ テクノロジーズ （ユーケイ） リミテッド | 検出装置 |
| JP2011503583A (ja) * | 2007-11-16 | 2011-01-27 | ハネウェル・アスカ・インコーポレーテッド | 同時特性を取得するための材料測定システムおよび関連方法 |
| JP2010216890A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Toshiba Solutions Corp | 異種製品検出装置及び異種製品検出方法 |
| US9164042B2 (en) | 2011-02-10 | 2015-10-20 | Hitachi High-Technologies Corporation | Device for detecting foreign matter and method for detecting foreign matter |
| WO2013191103A1 (ja) | 2012-06-18 | 2013-12-27 | ニプロ株式会社 | テラヘルツパルス波を用いた粉末中の異物検出装置および異物検出方法 |
| US10054685B2 (en) | 2012-06-18 | 2018-08-21 | Nipro Corporation | Foreign-matter detecting apparatus and method for detecting foreign-matter in powder using terahertz pulse wave |
| KR101433268B1 (ko) | 2013-02-05 | 2014-08-26 | 아주대학교산학협력단 | 테라헤르츠 메타 물질을 이용한 이물질 검출 장치 |
| JP2015004619A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 株式会社 日立産業制御ソリューションズ | テラヘルツ波を用いた異物検査装置及びその方法 |
| JP2016075596A (ja) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | 国立大学法人京都大学 | 異物検出装置、及び異物検出方法 |
| CN104749133A (zh) * | 2015-04-17 | 2015-07-01 | 西南科技大学 | 一种时域修复技术提高太赫兹吸收谱分辨率的方法 |
| JP2017015716A (ja) * | 2016-08-23 | 2017-01-19 | ニプロ株式会社 | テラヘルツパルス波を用いた粉末中の異物検出装置および異物検出方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7683778B2 (en) | Apparatus for detecting information on object | |
| Kawase et al. | THz imaging techniques for nondestructive inspections | |
| Karpowicz et al. | Compact continuous-wave subterahertz system for inspection applications | |
| JP2001066375A (ja) | サブテラヘルツ電磁波を用いた粉粒体中異物検査装置およびその検査方法 | |
| EP2072997B1 (en) | Terahertz wave time-waveform measuring device comprising a pulse front tilting unit | |
| Löffler et al. | Continuous-wave terahertz imaging with a hybrid system | |
| US6723991B1 (en) | Single-shot differential spectroscopy and spectral-imaging at submillimeter wavelengths | |
| US7692147B2 (en) | Real-time, continuous-wave terahertz imaging using a microbolometer focal-plane array | |
| US6605808B2 (en) | Diagnostic apparatus using terahertz radiation | |
| US20080006767A1 (en) | Reducing Scattering Related Features In Terhertz Time Domain Spectroscopy By Averaging The Impulse Waveform Over A Plurality Of Smaple Points | |
| JP2004108905A (ja) | テラヘルツ波を用いた差分イメージング方法及び装置 | |
| Galoda et al. | Fighting terrorism with terahertz | |
| US20050253071A1 (en) | Diffraction mode terahertz tomography | |
| Karpowicz et al. | Non-destructive sub-THz CW imaging | |
| JP2007199044A (ja) | テラヘルツ波式計測装置及び方法 | |
| Sasaki et al. | Reflection-type CW-millimeter-wave imaging with a high-sensitivity waveguide-mounted electro-optic sensor | |
| CA3094962A1 (en) | Real-time multidimensional terahertz imaging system and method | |
| JP2008008862A (ja) | 電磁波測定装置 | |
| JP2004101257A (ja) | テラヘルツ電磁波による物体の画像表示装置および方法 | |
| GB2435509A (en) | Terahertz pulsed spectroscopy method | |
| US10809189B2 (en) | Optical measurement device and optical measurement method | |
| KR20110009887A (ko) | 서브-테라헤르츠 액티브 실시간 이미징 시스템 및 그 방법 | |
| JP4666619B2 (ja) | テラヘルツ波イメージング装置 | |
| Han et al. | Active real-time imaging system employed with a CW 460-GHz gyrotron and a pyroelectric array camera | |
| JP2005037213A (ja) | 検出装置及びこれを用いたイメージ化装置 |