JP2001064255A - Polymethine compound, its production and use thereof - Google Patents

Polymethine compound, its production and use thereof

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JP2001064255A
JP2001064255A JP2000184294A JP2000184294A JP2001064255A JP 2001064255 A JP2001064255 A JP 2001064255A JP 2000184294 A JP2000184294 A JP 2000184294A JP 2000184294 A JP2000184294 A JP 2000184294A JP 2001064255 A JP2001064255 A JP 2001064255A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a new compound which scarcely absorbs light in the visible light region, highly sensitively absorbs the light of a semiconductor laser having a light-emitting region in the near infrared region and is suitable as a near infrared light absorbent, or the like. SOLUTION: A compound of formula I [R1 is a (substituted) alkoxy; R2 is a (substituted) alkyl; R3 and R4 are each a lower alkyl, or R3 and R4 are bound to each other to form a cyclic structure; X is H, a halogen, or the like; Y is a (substituted) alkoxy, or the like; Z is an electric charge-neutralizing ion], for example, 2-(2- 2-chloro-3-[(1,3-dihydro-3,3,7-trimethyl-5-methoxy-1- methoxyethyl-2H-indol-2-ylidene)ethylidene]-1-cyclohexen-1-yl)ethenyl) -3,3,7- trimethyl-5-methoxy-1-methoxyethylindolium=tetrafluoroborate. The compound of formula I is obtained, for example, by a method comprising condensing an indolium compound of formula II [Z1 is an electric charge-neutralizing ion; (n) is 0 or 1] with a diformyl compound of formula III or a dianil compound of formula IV in the presence of a fatty acid salt in a dehydrating organic acid.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、新規なポリメチン化合
物、その製造方法及びこれを含有する近赤外線吸収剤に
関する。本発明のポリメチン化合物は750〜900n
mの近赤外領域に吸収を有し、レーザー光を利用した画
像記録に用いられる近赤外線吸収剤として、例えばレー
ザー光を利用した製版用途やレーザー感熱記録材料用途
の近赤外線吸収剤として利用できるほか、電子写真やハ
ロゲン化銀写真用の分光増感色素、光ディスク用色素等
としても利用することができる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel polymethine compound, a method for producing the same, and a near-infrared absorbing agent containing the same. The polymethine compound of the present invention has 750 to 900 n
m having an absorption in the near-infrared region and can be used as a near-infrared absorber used for image recording using a laser beam, for example, a plate making application using a laser beam or a laser thermosensitive recording material application. In addition, it can be used as a spectral sensitizing dye for electrophotography and silver halide photography, a dye for optical disks, and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、レーザー技術の発達に伴い、高速
記録や高密度、高画質記録を目的にレーザー光を利用し
て画像を記録する方式、例えばレーザー光を熱に変換し
て記録する方式として、レーザー感熱記録材料、レーザ
ー熱転写記録材料等の画像形成方法が検討されている。
また、コンピューターの普及やデジタル画像処理技術の
向上等のエレクトロニクスの急速な発展を背景に、デジ
タルデータからダイレクトに印刷原版を作製する、所謂
コンピューター・ツー・プレート技術(CTP製版技術)
の開発が活発に検討されている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the development of laser technology, a method of recording an image using a laser beam for the purpose of high-speed recording, high-density, and high-quality recording, for example, a system of recording by converting a laser beam into heat. As an example, an image forming method for a laser thermal recording material, a laser thermal transfer recording material, and the like has been studied.
Also, with the rapid development of electronics such as the spread of computers and the improvement of digital image processing technology, the so-called computer-to-plate technology (CTP plate making technology) that directly creates printing originals from digital data.
The development of is under active consideration.

【0003】レーザー光を熱に変換して画像を記録する
方式(レーザーサーマル記録方式)においては、レーザー
の波長に合った光吸収剤を使用し、吸収した光を熱に変
換し画像を形成することが行われているが、レーザーの
出力を相当大きくしないと画像形成に必要な熱エネルギ
ーが得られず、光熱変換効率のよい光吸収剤の開発が望
まれている。レーザー感熱記録材料においては、一般に
750nm〜900nmの近赤外域に発光領域を持つ半
導体レーザーが使用されているが、レーザーの波長に合
った近赤外線吸収剤は一般的に可視域の光をも吸収する
ため地肌が着色してしまう欠点があり、可視域の光の吸
収が小さい近赤外線吸収剤が望まれている。
In a system for recording an image by converting laser light into heat (laser thermal recording system), a light absorber suitable for the wavelength of the laser is used, and the absorbed light is converted into heat to form an image. However, the heat energy required for image formation cannot be obtained unless the output of the laser is considerably increased, and the development of a light absorber having a high light-to-heat conversion efficiency is desired. In a laser thermosensitive recording material, a semiconductor laser having a light emitting region in the near infrared region of 750 nm to 900 nm is generally used, but a near infrared absorbing agent suitable for the wavelength of the laser generally absorbs light in the visible region. Therefore, there is a disadvantage that the background is colored, and a near-infrared absorbing agent having a small absorption of light in a visible region is desired.

【0004】CTP製版技術においては、製版方法から
分類すると、レーザー光を照射する方法、サーマルヘッ
ドで書き込む方法、ピン電極で電圧を部分的に印加する
方法、インクジェットでインキ反撥またはインキ着肉層
を形成する方法などが知られている。なかでも、レーザ
ー光を用いる方法は解像度、および製版速度の面で他の
方式よりも優れており、種々の画像形成方法が検討され
ている。
In the CTP plate making technology, when classified according to the plate making method, a method of irradiating a laser beam, a method of writing with a thermal head, a method of partially applying a voltage with a pin electrode, and a method of forming an ink repellent or ink-coated layer with an ink jet. A method for forming the film is known. Among them, the method using a laser beam is superior to other methods in terms of resolution and plate making speed, and various image forming methods are being studied.

【0005】また、最近では近赤外域(750nm〜9
00nm)に発光領域を持つ小型で高出力で安価な半導
体レーザーが容易に入手できるようになってきており、
半導体レーザーが製版する際の露光光源として有用とな
ってきている。
[0005] Recently, in the near infrared region (750 nm to 9 nm).
(00 nm), small-sized, high-output, and inexpensive semiconductor lasers having a light-emitting region have become readily available.
Semiconductor lasers have become useful as exposure light sources when making plates.

【0006】レーザー光を利用するダイレクト製版とし
ては、感光性タイプ及び感熱性タイプがある。感光性タ
イプの版材としては、有機半導体(OPC)を用いる電子
写真方式、銀塩を用いる銀塩方式等があるが、これらの
版材は、その製造装置が大型かつ高価であり、版価格が
従来のPS版(presensitized plate)に比べ割高であ
る。また、現像液の廃棄処理問題も有する。
[0006] Direct plate making using a laser beam includes a photosensitive type and a heat-sensitive type. As the photosensitive type plate material, there are an electrophotographic system using an organic semiconductor (OPC), a silver salt system using a silver salt, and the like. Are more expensive than the conventional PS plate (presensitized plate). Also, there is a problem of disposal of the developer.

【0007】感熱性タイプの版材は、感光性タイプの版
材に比べ感度が低い事が欠点であるが、通常の室内(明
室)で取り扱え、装置が小型で安価であることから精力
的に検討されている。
A disadvantage of the heat-sensitive type plate material is that the sensitivity is lower than that of the photosensitive type plate material. However, since the plate material can be handled in a normal room (light room) and the apparatus is small and inexpensive, it is energetic. Is being considered.

【0008】感熱性タイプの版材は、いずれも光を熱に
変換するための光熱変換層を必要とする。この光熱変換
層は、光熱変換剤、例えば近赤外線吸収剤を含有する
が、この光熱変換剤は使用するレーザー光を吸収するこ
とが必須であり、感度を向上させるためには、使用する
レーザー光の吸収能力及び光熱変換効率がより高いこと
が必要である。
[0008] All heat-sensitive plate materials require a light-to-heat conversion layer for converting light into heat. This light-to-heat conversion layer contains a light-to-heat conversion agent, for example, a near-infrared absorbing agent, and it is essential that the light-to-heat conversion agent absorbs the laser light to be used. It is necessary that the absorption capacity and the light-to-heat conversion efficiency be higher.

【0009】光熱変換剤としては、顔料タイプ及び染料
タイプの物質があるが、顔料タイプの物質としては、通
常カーボンブラックが用いられており、染料タイプの物
質としては、種々提案されているが、通常ポリメチン化
合物が用いられている。カーボンブラックは使用レーザ
ーの選択の幅が広いが、染料タイプの物質に比べ、一般
にレーザー光の吸収能力が低く、使用量を多くしなけれ
ばならない。また高度な分散技術が必要となる。
As the photothermal conversion agent, there are pigment type and dye type substances. As the pigment type substance, carbon black is usually used, and various dye type substances have been proposed. Usually, a polymethine compound is used. Although carbon black has a wide range of choices for lasers to be used, it generally has a lower laser light absorbing ability and must be used in a larger amount than dye-type substances. In addition, advanced dispersion technology is required.

【0010】染料タイプの物質を使用する場合には、使
用レーザー光の吸収能力が高いこと、画像形成成分、樹
脂バインダー等の他の成分との相溶性や使用する溶剤へ
の溶解性が良いことが必要となる。
When a dye-type substance is used, it must have a high ability to absorb laser light, be compatible with other components such as an image forming component and a resin binder, and have good solubility in a solvent to be used. Is required.

【0011】ポリメチン化合物は分子内に共役二重結合
で結ばれたメチン鎖を有し、可視域から近赤外域(34
0〜1,400nm)の幅広い領域に吸収を持ち、吸収
極大の吸光係数が大きいことなどから銀塩写真用感光色
素、電子写真用感光色素、レーザー記録用色素、レーザ
ー発振用色素等多くの分野で利用されている。
The polymethine compound has a methine chain connected by a conjugated double bond in the molecule, and has a visible region to a near infrared region (34).
(0 to 1,400 nm) and has a large absorption coefficient at the absorption maximum due to its large absorption coefficient. For example, photosensitive dyes for silver salt photography, photosensitive dyes for electrophotography, dyes for laser recording, dyes for laser oscillation, etc. Used in

【0012】ポリメチン化合物はレーザー光の吸収能力
は高いが使用レーザー光とのマッチングが必要であり、
一般に公知の化合物は光安定性が低く、画像形成物質、
バインダー樹脂等との相性が悪いという問題が有る。
The polymethine compound has a high ability to absorb laser light, but requires matching with the laser light used.
Generally known compounds have low light stability,
There is a problem that compatibility with a binder resin or the like is poor.

【0013】ポリメチン化合物としてすでに多くの化合
物が知られており、耐久性を向上する手段としてメチン
鎖の一部に環状構造を導入した化合物が知られている。
例えば、化合物Aが特開昭63−319191号公報、
P3の具体例化合物9において、化合物BがJournal of
Organic Chemistry,60,2392,Table1.において公知であ
る。
Many compounds are already known as polymethine compounds, and compounds having a cyclic structure introduced into a part of a methine chain are known as means for improving durability.
For example, Compound A is disclosed in JP-A-63-319191,
In the specific example compound 9 of P3, the compound B is
Known in Organic Chemistry, 60, 2392, Table 1.

【0014】[0014]

【化9】 Embedded image

【0015】[0015]

【化10】 Embedded image

【0016】しかし、化合物A、化合物Bはともに最大
吸収波長が785〜815nmの範囲にあり、現在最も
使用が検討されている820〜840nmに発光領域を
持つ小型で高出力なレーザーに対する感度が不十分であ
る。また、化合物A、化合物Bはともには溶剤溶解性や
樹脂との相溶性が低く、使用できるバインダー樹脂等が
制限される欠点がある。
However, compound A and compound B both have a maximum absorption wavelength in the range of 785 to 815 nm, and are insensitive to a small, high-power laser having an emission region at 820 to 840 nm, which is currently under consideration for use. It is enough. In addition, both compound A and compound B have low solvent solubility and low compatibility with resins, and thus have a disadvantage that usable binder resins and the like are limited.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、可視
域の光の吸収が小さく、近赤外域(750nm〜900
nm)に発光領域を持つ半導体レーザー、特に820n
m〜840nmのレーザーに対する感度が高く、近赤外
線吸収剤、レーザーサーマル記録材料やダイレクト製版
用印刷原版等の光熱変換層に好適なポリメチン化合物を
提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to reduce the absorption of light in the visible region and to reduce the absorption in the near infrared region (750 nm to 900 nm).
nm), especially 820n
An object of the present invention is to provide a polymethine compound having high sensitivity to a laser having a wavelength of m to 840 nm and suitable for a photothermal conversion layer such as a near-infrared absorbing agent, a laser thermal recording material, and a printing plate for direct plate making.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】前記した課題を解決する
ために種々検討した結果、本発明者らは、新規なポリメ
チン化合物が、可視域の光の吸収が小さく、近赤外域
(750nm〜900nm)に発光領域を持つ半導体レー
ザーに対する感度が良好で光熱変換効率が高く、種々の
用途への加工が容易な近赤外線吸収剤として使用し得る
ことを見い出し、本発明を達成することができた。
As a result of various studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have found that a novel polymethine compound has a small absorption of light in the visible region and a near infrared region.
(750 nm to 900 nm) It has been found that the compound has good sensitivity to a semiconductor laser having an emission region in the range of (750 nm to 900 nm), has high light-to-heat conversion efficiency, and can be used as a near-infrared absorbing agent which can be easily processed into various uses, thereby achieving the present invention. Was completed.

【0019】本願の第一の発明は、下記一般式(I)で表
わされるポリメチン化合物である。
The first invention of the present application is a polymethine compound represented by the following general formula (I).

【0020】[0020]

【化11】 (式中、Rは置換基を有してもよいアルコキシ基を示
し、Rは置換基を有してもよいアルキル基を示し、R
、Rはそれぞれ低級アルキル基を示し、またR
は互いに連結して環状構造を形成しても良く、Xは
水素原子、ハロゲン原子または置換アミノ基を示し、Y
は置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有
してもよいアルキル基を示し、Zは電荷中和イオンを表
す。)本願の第二の発明は、下記式で表わされるポリメ
チン化合物の結晶変態、結晶性メタノール付加物及び無
定形物である。
Embedded image (Wherein, R 1 represents an alkoxy group which may have a substituent, R 2 represents an alkyl group which may have a substituent,
3, R 4 each represent a lower alkyl group, and R 3 and R 4 may combine with each other to form a cyclic structure, X is a hydrogen atom, a halogen atom or a substituted amino group, Y
Represents an alkoxy group which may have a substituent or an alkyl group which may have a substituent, and Z represents a charge neutralizing ion. The second invention of the present application is a polymethine compound represented by the following formula, which is a crystalline modification, a crystalline methanol adduct, and an amorphous product.

【0021】[0021]

【化12】 Embedded image

【0022】本願の第三の発明は、一般式(II)で表され
るインドレニウム化合物と、下記一般式(III)で表され
るジホルミル化合物または(IV)で表されるで表されるジ
アニル化合物を脂肪酸塩の存在下、脱水性有機酸を用い
て縮合させることを特徴とする前記一般式(I)のポリメ
チン化合物の製造方法である。
The third invention of the present application relates to an indolenium compound represented by the general formula (II) and a diformyl compound represented by the following general formula (III) or a dianyl compound represented by the following (IV): A method for producing a polymethine compound of the above general formula (I), wherein the compound is condensed using a dehydrating organic acid in the presence of a fatty acid salt.

【0023】[0023]

【化13】 (式中、Rは置換基を有してもよいアルコキシ基を示
し、Rは置換基を有してもよいアルキル基を示し、R
、Rはそれぞれ低級アルキル基を示し、またR
は互いに連結して環状構造を形成しても良く、Yは
置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有し
てもよいアルキル基を示し、Zは電荷中和イオンを表
わし、nは0または1の数を表す。)
Embedded image (Wherein, R 1 represents an alkoxy group which may have a substituent, R 2 represents an alkyl group which may have a substituent,
3 and R 4 each represent a lower alkyl group; R 3 and R 4 may be linked to each other to form a cyclic structure; and Y has an alkoxy group or a substituent which may have a substituent. And Z 1 represents a charge neutralizing ion, and n represents a number of 0 or 1. )

【0024】[0024]

【化14】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子または置換アミノ
基を示す。)
Embedded image (In the formula, X represents a hydrogen atom, a halogen atom or a substituted amino group.)

【0025】[0025]

【化15】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子または置換アミノ
基を示す。) 本願の第四の発明は、上記第一の発明のポリメチン化合
物をケトンまたはアルコール溶剤で再結晶することを特
徴とする高融点結晶物の製造方法である。
Embedded image (In the formula, X represents a hydrogen atom, a halogen atom or a substituted amino group.) The fourth invention of the present application is characterized in that the polymethine compound of the first invention is recrystallized with a ketone or alcohol solvent. This is a method for producing a melting point crystal.

【0026】本願の第五の発明は、上記第一の発明のポ
リメチン化合物の結晶性溶媒付加物または無定形物を特
定溶剤で処理することを特徴とする低融点結晶物の製造
方法である。本願の第六の発明は、上記第一の発明のポ
リメチン化合物を含有することを特徴とする近赤外線吸
収剤である。
The fifth invention of the present application is a method for producing a low-melting-point crystal, characterized in that a crystalline solvent adduct or an amorphous product of the polymethine compound of the first invention is treated with a specific solvent. A sixth invention of the present application is a near-infrared absorbing agent comprising the polymethine compound of the first invention.

【0027】本願の第七の発明は、支持体上に光熱変換
層を設けてなるダイレクト製版用印刷原版において、光
熱変換層中に上記第一の発明のポリメチン化合物を含有
することを特徴とするダイレクト製版用印刷原版であ
る。
According to a seventh aspect of the present invention, in a printing plate for direct plate making comprising a light-to-heat conversion layer provided on a support, the light-to-heat conversion layer contains the polymethine compound of the first invention. It is a printing plate for direct plate making.

【0028】本願の第八の発明は、上記第七の発明のダ
イレクト製版用印刷原版に、光源として750nm〜9
00nmに発光領域を持つ半導体レーザー光を照射して
印刷版を作成する方法である。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a printing plate precursor for direct plate making according to the seventh aspect of the present invention, wherein
In this method, a printing plate is prepared by irradiating a semiconductor laser beam having an emission region at 00 nm.

【0029】[0029]

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳しく説明
する。 [ポリメチン化合物]まず、本発明の第一、第二の発明
である下記一般式(I)で表されるポリメチン化合物及び
2−(2−{2−クロロ−3−[(1,3−ジヒドロ−
3,3,7−トリメチル−5−メトキシ−1−メトキシ
エチル−2H−インドール−2−イリデン)エチリデ
ン]−1−シクロヘキセン−1−イル}エテニル)−
3,3,7−トリメチル−5−メトキシ−1−メトキシ
エチルインドリウム=テトラフルオロボレート(具体例
化合物(55))の結晶変態、結晶性メタノール付加物及
び無定形物について以下に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. [Polymethine compound] First, a polymethine compound represented by the following general formula (I) according to the first and second aspects of the present invention and 2- (2- {2-chloro-3-[(1,3-dihydro) −
3,3,7-trimethyl-5-methoxy-1-methoxyethyl-2H-indole-2-ylidene) ethylidene] -1-cyclohexen-1-yl {ethenyl)-
The crystal modification, crystalline methanol adduct and amorphous of 3,3,7-trimethyl-5-methoxy-1-methoxyethylindolium = tetrafluoroborate (specific compound (55)) will be described below.

【0030】[0030]

【化16】 (式中、Rは置換基を有してもよいアルコキシ基を示
し、Rは置換基を有してもよいアルキル基を示し、R
、Rはそれぞれ低級アルキル基を示し、またR
は互いに連結して環状構造を形成しても良く、Xは
水素原子、ハロゲン原子または置換アミノ基を示し、Y
は置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有
してもよいアルキル基を示し、Zは電荷中和イオンを表
す。)Rが無置換のアルコキシ基であるものとして
は、炭素数1〜8のものが好ましく、特に炭素数1〜4
のものが好ましい。
Embedded image (Wherein, R 1 represents an alkoxy group which may have a substituent, R 2 represents an alkyl group which may have a substituent,
3, R 4 each represent a lower alkyl group, and R 3 and R 4 may combine with each other to form a cyclic structure, X is a hydrogen atom, a halogen atom or a substituted amino group, Y
Represents an alkoxy group which may have a substituent or an alkyl group which may have a substituent, and Z represents a charge neutralizing ion. ) R 1 is preferably an unsubstituted alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, particularly 1 to 4 carbon atoms.
Are preferred.

【0031】Rが置換基を有するアルコキシ基である
場合、置換基としては、アルキルオキシ基、アルキルチ
オ基、水酸基、ハロゲン原子等が挙げられ、アルキルオ
キシ基が好ましい。Rがアルキルオキシ基を有するア
ルコキシであるものとしては、総炭素数2〜8のものが
好ましく、特に総炭素数2〜4のものが好ましい。
When R 1 is a substituted alkoxy group, examples of the substituent include an alkyloxy group, an alkylthio group, a hydroxyl group, and a halogen atom, and an alkyloxy group is preferred. As R 1 being alkoxy having an alkyloxy group, those having a total of 2 to 8 carbon atoms are preferred, and those having a total of 2 to 4 carbon atoms are particularly preferred.

【0032】Rの例として、メトキシ基、エトキシ
基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブ
トキシ基、iso−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、
n−ペントキシ基、iso−ペントキシ基、n−オクチ
ルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、メトキシメ
トキシ基、2−メトキシエトキシ基、2−エトキシエト
キシ基が挙げられる。
Examples of R 1 include methoxy, ethoxy, n-propoxy, iso-propoxy, n-butoxy, iso-butoxy, sec-butoxy,
Examples thereof include an n-pentoxy group, an iso-pentoxy group, an n-octyloxy group, a 2-ethylhexyloxy group, a methoxymethoxy group, a 2-methoxyethoxy group, and a 2-ethoxyethoxy group.

【0033】Rが置換基を有さないアルキル基である
場合は、炭素数1〜18の直鎖或いは分岐のアルキル基
が好ましく、炭素数1〜8の直鎖或いは分岐のアルキル
基が特に好ましい。例としてはメチル基、エチル基、n
−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブ
チル基、sec−ブチル基、n−ペンチル基、イソペン
チル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシ
ル基、sec−ヘキシル基、2−エチルブチル基、n−
ヘプチル基、イソヘプチル基、sec−ヘプチル基、n
−オクチル基、2−エチルヘキシル基、n−デシル基、
n−ドデシル基、n−ペンタデシル基、n−オクタデシ
ル基が挙げられる。
When R 2 is an alkyl group having no substituent, a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms is preferable, and a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms is particularly preferable. preferable. Examples are methyl, ethyl, n
-Propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, sec-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, n-hexyl, isohexyl, sec-hexyl, 2-ethylbutyl, n −
Heptyl group, isoheptyl group, sec-heptyl group, n
-Octyl group, 2-ethylhexyl group, n-decyl group,
Examples thereof include an n-dodecyl group, an n-pentadecyl group, and an n-octadecyl group.

【0034】Rが置換基を有するアルキル基であるも
のとしてはアルコキシアルキル基、スルホアルキル基、
カルボキシアルキル基等が挙げられるが、アルコキシア
ルキル基である場合は、総炭素数2〜8のものが好まし
い。例として2−メトキシエチル基、3−メトキシプロ
ピル基、4−メトキシブチル基、2−エトキシエチル
基、3−エトキシプロピル基、4−エトキシブチル基、
2−n−プロポキシエチル基、2−iso−プロポキシ
エチル基、3−n−プロポキシプロピル基、4−n−プ
ロポキシブチル基、2−メトキシ−2−エトキシエチル
基、2−エトキシ−2−エトキシエチル基が挙げられ
る。
When R 2 is a substituted alkyl group, an alkoxyalkyl group, a sulfoalkyl group,
Examples thereof include a carboxyalkyl group and the like, and in the case of an alkoxyalkyl group, those having a total carbon number of 2 to 8 are preferable. Examples include 2-methoxyethyl, 3-methoxypropyl, 4-methoxybutyl, 2-ethoxyethyl, 3-ethoxypropyl, 4-ethoxybutyl,
2-n-propoxyethyl group, 2-iso-propoxyethyl group, 3-n-propoxypropyl group, 4-n-propoxybutyl group, 2-methoxy-2-ethoxyethyl group, 2-ethoxy-2-ethoxyethyl Groups.

【0035】Rがスルホアルキル基であるものとして
は炭素数1〜18の直鎖或いは分岐のスルホアルキル基
が好ましく、炭素数1〜8の直鎖或いは分岐のスルホア
ルキル基が特に好ましい。また、これらスルホアルキル
基であるRの少なくとも一つがアルカリ金属イオンま
たはアルキルアンモニウムイオンと塩を形成しているも
のが好ましい。例としては2−スルホエチル基、3−ス
ルホプロピル基、3−スルホブチル基、4−スルホブチ
ル基、4−スルホ−3−メチルブチル基、2−(3−ス
ルホプロポキシ)エチル基、2−ヒドロキシ−3−スル
ホプロピル基、3−スルホ−2−(2−エトキシ)エトキ
シプロポキシ基、5−スルホペンチル基、6−スルホヘ
キシル基、8−スルホオクチル基、6−スルホ−2−エ
チルヘキシル基が挙げられ、アルカリ金属イオンまたは
アルキルアンモニウムイオンと塩を形成していてもよ
い。
When R 2 is a sulfoalkyl group, a linear or branched sulfoalkyl group having 1 to 18 carbon atoms is preferable, and a linear or branched sulfoalkyl group having 1 to 8 carbon atoms is particularly preferable. Further, it is preferable that at least one of these sulfoalkyl groups R 2 forms a salt with an alkali metal ion or an alkyl ammonium ion. Examples are 2-sulfoethyl, 3-sulfopropyl, 3-sulfobutyl, 4-sulfobutyl, 4-sulfo-3-methylbutyl, 2- (3-sulfopropoxy) ethyl, 2-hydroxy-3- Sulfopropyl group, 3-sulfo-2- (2-ethoxy) ethoxypropoxy group, 5-sulfopentyl group, 6-sulfohexyl group, 8-sulfooctyl group, 6-sulfo-2-ethylhexyl group, and alkali A salt may be formed with a metal ion or an alkyl ammonium ion.

【0036】Rがカルボキシアルキル基であるものと
しては、総炭素数2〜18の直鎖或いは分岐のカルボキ
シアルキル基が好ましく、総炭素数2〜9の直鎖或いは
分岐のカルボキシアルキル基が特に好ましい。また、こ
れらカルボキシアルキル基であるRの少なくとも一つ
がアルカリ金属イオンまたはアルキルアンモニウムイオ
ンと塩を形成しているものが好ましい。例としては2−
カルボキシエチル基、3−カルボキシプロピル基、3−
カルボキシブチル基、4−カルボキシブチル基、4−カ
ルボキシ−3−メチルブチル基、2−(3−カルボキシ
プロポキシ)エチル基、2−ヒドロキシ−3−カルボキ
シプロピル基、3−カルボキシ−2−(2−エトキシ)エ
トキシプロポキシ基、5−カルボキシペンチル基、6−
カルボキシヘキシル基、8−カルボキシオクチル基、6
−カルボキシ−2−エチルヘキシル基が挙げられ、アル
カリ金属イオンまたはアルキルアンモニウムイオンと塩
を形成していてもよい。
When R 2 is a carboxyalkyl group, a straight-chain or branched carboxyalkyl group having 2 to 18 carbon atoms is preferable, and a straight-chain or branched carboxyalkyl group having 2 to 9 carbon atoms is particularly preferable. preferable. Further, those in which at least one of R 2 is these carboxyalkyl group forms an alkali metal ion or an alkylammonium ion salt. For example, 2-
Carboxyethyl group, 3-carboxypropyl group, 3-
Carboxybutyl group, 4-carboxybutyl group, 4-carboxy-3-methylbutyl group, 2- (3-carboxypropoxy) ethyl group, 2-hydroxy-3-carboxypropyl group, 3-carboxy-2- (2-ethoxy ) Ethoxypropoxy group, 5-carboxypentyl group, 6-
Carboxyhexyl group, 8-carboxyoctyl group, 6
-Carboxy-2-ethylhexyl group, and may form a salt with an alkali metal ion or an alkylammonium ion.

【0037】R、Rが低級アルキル基であるものの
例としてはメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ
プロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブ
チル基が挙げられる。
Examples of the case where R 3 and R 4 are lower alkyl groups include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group and sec-butyl group.

【0038】R、Rが互いに連結して形成した環状
構造の例としては、シクロプロパン環、シクロブタン
環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプ
タン環が挙げられるが、特にシクロブタン環、シクロペ
ンタン環、シクロヘキサン環が好ましい。
Examples of the cyclic structure formed by connecting R 3 and R 4 to each other include a cyclopropane ring, a cyclobutane ring, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring and a cycloheptane ring. And a cyclohexane ring are preferred.

【0039】Xは水素原子、F、Cl、Br、Iなどの
ハロゲン原子、エチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジ
フェニルアミノ基、モルホリノ基などの置換アミノ基が
好ましく、Cl、Br、ジフェニルアミノ基が特に好ま
しい。
X is preferably a hydrogen atom, a halogen atom such as F, Cl, Br or I, or a substituted amino group such as an ethylamino group, a phenylamino group, a diphenylamino group or a morpholino group. Particularly preferred.

【0040】Yが無置換のアルコキシ基であるものとし
ては、炭素数1〜8のものが好ましく、特に炭素数1〜
4のものが好ましい。
As Y is an unsubstituted alkoxy group, those having 1 to 8 carbon atoms are preferable, and those having 1 to 8 carbon atoms are particularly preferable.
Four are preferred.

【0041】Yが置換基を有するアルコキシ基である場
合、置換基としては、アルキルオキシ基、アルキルチオ
基、水酸基、ハロゲン原子等が挙げられが、特にアルキ
ルオキシ基が好ましい。Yがアルキルオキシ基を置換基
として有するアルコキシ基である場合、総炭素数2〜8
のものが好ましく、特に総炭素数2〜4のものが好まし
い。
When Y is a substituted alkoxy group, examples of the substituent include an alkyloxy group, an alkylthio group, a hydroxyl group and a halogen atom, and an alkyloxy group is particularly preferred. When Y is an alkoxy group having an alkyloxy group as a substituent, the total number of carbon atoms is 2 to 8;
Are preferable, and particularly those having a total carbon number of 2 to 4 are preferable.

【0042】このようなYがアルコキシ基である例とし
ては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i
so−プロポキシ基、n−ブトキシ基、iso−ブトキ
シ基、sec−ブトキシ基、n−ペントキシ基、iso
−ペントキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルヘ
キシルオキシ基、2−メトキシエトキシ基、2−エトキ
シエトキシ基が挙げられる。
Examples of such a case where Y is an alkoxy group include methoxy, ethoxy, n-propoxy and i
so-propoxy group, n-butoxy group, iso-butoxy group, sec-butoxy group, n-pentoxy group, iso
-Pentoxy group, n-octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, 2-methoxyethoxy group, and 2-ethoxyethoxy group.

【0043】Yが置換基を有さないアルキル基である場
合は、炭素数1〜8の直鎖或いは分岐のアルキル基が好
ましく、炭素数1〜4の直鎖或いは分岐のアルキル基が
特に好ましい。例としてはメチル基、エチル基、n−プ
ロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル
基、sec−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル
基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル
基、sec−ヘキシル基、2−エチルブチル基、n−ヘ
プチル基、イソヘプチル基、sec−ヘプチル基、n−
オクチル基、2−エチルヘキシル基が挙げられる。
When Y is an alkyl group having no substituent, a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms is preferable, and a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is particularly preferable. . Examples are methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, sec-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, n-hexyl, isohexyl, sec -Hexyl group, 2-ethylbutyl group, n-heptyl group, isoheptyl group, sec-heptyl group, n-
Examples include an octyl group and a 2-ethylhexyl group.

【0044】Yが置換基を有するアルキル基である場
合、置換基としては、アルキルオキシ基、アルキルチオ
基、水酸基、ハロゲン原子等が挙げられが、特にアルキ
ルオキシ基が好ましい。Yがアルキルオキシ基を置換基
として有するアルキル基である場合は、総炭素数2〜4
のものが好ましい。例として2−メトキシエチル基、3
−メトキシプロピル基、4−メトキシブチル基、2−エ
トキシエチル基、3−エトキシプロピル基、4−エトキ
シブチル基、2−n−プロポキシエチル基、2−iso
−プロポキシエチル基、3−n−プロポキシプロピル
基、4−n−プロポキシブチル基、2−メトキシ−2−
エトキシエチル基、2−エトキシ−2−エトキシエチル
基が挙げられる。
When Y is a substituted alkyl group, examples of the substituent include an alkyloxy group, an alkylthio group, a hydroxyl group, a halogen atom and the like, and an alkyloxy group is particularly preferred. When Y is an alkyl group having an alkyloxy group as a substituent, the total number of carbon atoms is 2 to 4;
Are preferred. For example, 2-methoxyethyl group, 3
-Methoxypropyl group, 4-methoxybutyl group, 2-ethoxyethyl group, 3-ethoxypropyl group, 4-ethoxybutyl group, 2-n-propoxyethyl group, 2-iso
-Propoxyethyl group, 3-n-propoxypropyl group, 4-n-propoxybutyl group, 2-methoxy-2-
An ethoxyethyl group and a 2-ethoxy-2-ethoxyethyl group are exemplified.

【0045】Zは電荷中和イオンを表し、例えばF
Cl、Br、I、BrO 、ClO 、p−
トルエンスルホネート、CHSO 、BF
CH CO 、CFCO 、PF 、SbF
、Na、K、トリエチルアンモニウムイオンが挙
げられ、特に、Cl、Br、I、ClO 、p
−トルエンスルホネート、CHSO 、BF
CFCO 、PF 、SbF 、Na
、トリエチルアンモニウムイオンが好ましい。
Z represents a charge neutralizing ion, for example, F,
Cl, Br, I, BrO4 , ClO4 , P-
Toluenesulfonate, CH3SO3  , BF4 ,
CH 3CO2 , CF3CO2 , PF6 , SbF6
, Na+, K+, Triethylammonium ion
And, in particular, Cl, Br, I, ClO4 , P
-Toluenesulfonate, CH3SO3 , BF4 ,
CF3CO2 , PF 6 , SbF6 , Na+,
K+And triethylammonium ion.

【0046】Zは電荷中和イオンを表し、例えば
、Cl、Br、I、BrO 、Cl
、p−トルエンスルホネート、CHSO
、BF 、CHCO 、CFCO
PF 、SbF が挙げられ、特に、Cl 、Br
、I、ClO 、p−トルエンスルホネート、C
SO 、BF 、CFCO 、PF
SbF が好ましい。本発明の一般式(I)で表される
ポリメチン化合物の好ましい具体例を下記に示すが、そ
の化合物の範囲はこれらに限定されるものではない。
Z1Represents a charge neutralizing ion, for example,
F, Cl, Br, I, BrO4 , Cl
O4 , P-toluenesulfonate, CH3SO
3  , BF4 , CH3CO2 , CF3CO2 ,
PF6 , SbF6 In particular, Cl , Br
, I, ClO4 , P-toluenesulfonate, C
H3SO3 , BF4 , CF3CO2 , PF6 ,
SbF6 Is preferred. Represented by the general formula (I) of the present invention
Preferred specific examples of the polymethine compound are shown below.
However, the scope of the compound is not limited to these.

【0047】[0047]

【化17】 Embedded image

【0048】[0048]

【化18】 Embedded image

【0049】[0049]

【化19】 Embedded image

【0050】[0050]

【化20】 Embedded image

【0051】[0051]

【化21】 Embedded image

【0052】[0052]

【化22】 Embedded image

【0053】[0053]

【化23】 Embedded image

【0054】[0054]

【化24】 Embedded image

【0055】[0055]

【化25】 Embedded image

【0056】[0056]

【化26】 Embedded image

【0057】[0057]

【化27】 なお、上記具体例の化合物(1)〜(65)中、下記の一般
式(V)にて表記した化合物は、一般式(VI)でも表すこと
ができる。
Embedded image In addition, among the compounds (1) to (65) of the above specific examples, the compound represented by the following general formula (V) can also be represented by the general formula (VI).

【0058】[0058]

【化28】 Embedded image

【0059】[0059]

【化29】 (式中、R〜R、X及びYは前記と同じものを示
し、MはNa、Kまたはトリエチルアンモニウムを表
す。) 例えば、具体例化合物(51)は
Embedded image (In the formula, R 1 to R 4 , X and Y are the same as described above, and M represents Na, K or triethylammonium.) For example, the specific compound (51) is

【0060】[0060]

【化30】 と表すこともできる。Embedded image It can also be expressed as

【0061】本発明の一般式(I)で表されるポリメチン
化合物には結晶変態、結晶性溶媒付加物及び無定形物が
存在するものがある。例えば、具体例化合物(55)には
Cu−Kα線による粉末X線回折法における回折角(2
θ±0.2°)11.6°、14.6°、15.6°、
19.6°、22.9°に特徴的なピークを示すα晶
(低融点化合物)、回折角(2θ±0.2°)8.4°に特
徴的な非常に強いピークを示すβ晶(高融点化合物)、回
折角(2θ±0.2°)13.3°、17.4°、19.
8°、21.8°、26.9°に特徴的なピークを示す
結晶性メタノール付加物及び回折角(2θ±0.2°)に
特徴的なピークを示さない無定形物が存在する。
The polymethine compounds represented by the general formula (I) of the present invention include those in which crystalline modifications, crystalline solvent adducts and amorphous substances are present. For example, Compound (55) has a diffraction angle (2) in powder X-ray diffraction using Cu-Kα ray.
θ ± 0.2 °) 11.6 °, 14.6 °, 15.6 °,
Alpha crystals showing characteristic peaks at 19.6 ° and 22.9 °
(Low melting point compound), β crystal (high melting point compound) showing a very strong peak characteristic at diffraction angle (2θ ± 0.2 °) 8.4 °, diffraction angle (2θ ± 0.2 °) 3 °, 17.4 °, 19.
There are crystalline methanol adducts exhibiting characteristic peaks at 8 °, 21.8 °, and 26.9 ° and amorphous substances exhibiting no characteristic peaks at diffraction angles (2θ ± 0.2 °).

【0062】[ポリメチン化合物及び結晶変態の製造方
法]本発明のポリメチン化合物は、例えば一般式(II)で
表されるインドレニウム系化合物と、一般式(III)で表
されるジホルミル系化合物または(IV)で表されるジアニ
ル系化合物を脂肪酸塩の存在下、脱水性有機酸中にて縮
合させることにより製造される。
[Polymethine Compound and Method for Producing Crystal Modification] The polymethine compound of the present invention may be, for example, an indolenium compound represented by the general formula (II), a diformyl compound represented by the general formula (III) or ( It is produced by condensing the dianyl compound represented by IV) in the presence of a fatty acid salt in a dehydrating organic acid.

【0063】[0063]

【化31】 (式中、R〜R、Y、Z及びnは前記と同じもの
を示す。)
Embedded image (In the formula, R 1 to R 4 , Y, Z 1 and n represent the same as described above.)

【0064】[0064]

【化32】 (式中、Xは前記と同じものを示す。)Embedded image (In the formula, X represents the same as described above.)

【0065】[0065]

【化33】 (式中、Xは前記と同じものを示す。) 上記縮合反応において、脂肪酸塩としては、例えば、酢
酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸カルシウム、プロピ
オン酸ナトリウム、プロピオン酸カリウム等が挙げられ
る。
Embedded image (In the formula, X represents the same as above.) In the above condensation reaction, examples of the fatty acid salt include sodium acetate, potassium acetate, calcium acetate, sodium propionate, potassium propionate and the like.

【0066】かかる脂肪酸塩は、一般式(II)で表される
化合物1モル当たり通常0.1〜5モル程度、好ましく
は0.5〜2モル程度使用する。
The fatty acid salt is used in an amount of usually about 0.1 to 5 mol, preferably about 0.5 to 2 mol, per 1 mol of the compound represented by the general formula (II).

【0067】脱水性有機酸としては、無水酢酸、無水プ
ロピオン酸、無水酪酸、γ−ブチロラクトン等が挙げら
れる。
Examples of the dehydrating organic acid include acetic anhydride, propionic anhydride, butyric anhydride, and γ-butyrolactone.

【0068】かかる脱水性有機酸は、一般式(II)で表さ
れる化合物1モル当たり通常10〜100モル程度、好
ましくは20〜50モル程度使用する。
The dehydrating organic acid is used in an amount of usually about 10 to 100 mol, preferably about 20 to 50 mol, per 1 mol of the compound represented by the general formula (II).

【0069】一般式(II)で表される化合物と一般式(II
I)または(IV)で表される化合物との使用割合は、通常前
者1モルに対し後者を0.2〜1.5モル程度、好まし
くは0.4〜0.7モル程度使用する。
The compound represented by the general formula (II) and the compound represented by the general formula (II)
The proportion of the compound represented by the formula (I) or (IV) is usually about 0.2 to 1.5 mol, preferably about 0.4 to 0.7 mol, per mol of the former.

【0070】上記反応は通常10〜150℃程度、好ま
しくは室温〜120℃で好適に進行し、一般に数分〜3
時間程度で完結する。
The above reaction proceeds suitably at about 10 to 150 ° C., preferably at room temperature to 120 ° C., and generally takes several minutes to 3 hours.
Complete in about an hour.

【0071】反応後、例えば、水やメタノール、エタノ
ール、n−プロパノール、iso−プロパノール、n−
ブタノール等の貧溶媒を注入したり、あるいは水やメタ
ノール、エタノール、n−プロパノール、iso−プロ
パノール、n−ブタノール等の貧溶媒へ排出するにより
反応混合物から目的物を容易に単離することがでる。ま
た、慣用の精製手段、例えば、再結晶、カラム分離等に
より容易に精製することができる。
After the reaction, for example, water, methanol, ethanol, n-propanol, iso-propanol, n-propanol
The desired product can be easily isolated from the reaction mixture by injecting a poor solvent such as butanol, or discharging into a poor solvent such as water or methanol, ethanol, n-propanol, iso-propanol, or n-butanol. . Further, it can be easily purified by conventional purification means, for example, recrystallization, column separation and the like.

【0072】本発明の一般式(I)で表されるポリメチン
化合物には結晶変態、結晶性溶媒付加物及び無定形物が
存在するものがあり、精製前の単離方法及び/または精
製方法によっては、結晶変態、結晶性溶媒付加物及び無
定形物となったり、結晶変態、結晶性溶媒付加物及び無
定形物の混合物となったりする。
The polymethine compound represented by the general formula (I) of the present invention includes a crystalline modification, a crystalline solvent adduct, and an amorphous substance. May be a crystal modification, a crystalline solvent adduct and an amorphous substance, or a mixture of a crystal modification, a crystalline solvent adduct and an amorphous substance.

【0073】本発明のポリメチン化合物において、例え
ば、低融点化合物は、結晶性溶媒付加物または無定形物
を特定の溶剤、すなわちケトン、アルコール、またはこ
れらとエステル及び/またはエーテルとの混合溶剤と接
触させるなどの溶剤処理を行うことにより製造できる。
かかる処理を行うには、例えば再結晶操作とならない条
件、すなわち固形のポリメチン化合物が完溶しない溶媒
使用量と温度に設定した溶剤中にポリメチン化合物を分
散するのが好ましい。接触処理としてはポリメチン化合
物を溶剤中に分散させるほか、単にポリメチン化合物と
溶剤を接触させるだけであってもよい。
In the polymethine compound of the present invention, for example, the low-melting point compound is prepared by contacting a crystalline solvent adduct or an amorphous substance with a specific solvent, ie, a ketone, an alcohol, or a mixed solvent thereof with an ester and / or an ether. It can be produced by performing a solvent treatment, such as a treatment.
In order to carry out such a treatment, it is preferable to disperse the polymethine compound in a solvent set at a temperature and temperature, for example, under conditions that do not result in a recrystallization operation, that is, a solid solvent in which the solid polymethine compound is not completely dissolved. As the contact treatment, besides dispersing the polymethine compound in the solvent, it is also possible to simply contact the polymethine compound with the solvent.

【0074】高融点化合物は熱的に安定な結晶形であ
り、低融点化合物、結晶性溶媒付加物、無定形物、また
は低融点化合物、高融点化合物、結晶性溶媒付加物、無
定形物の混合物を完全に溶解することのできる溶剤、例
えばケトン、アルコール、またはケトンとアルコールの
混合溶剤を用いた再結晶法により製造できる。再結晶を
行うには、ポリメチン化合物を溶剤に完全に溶解させた
後、ゆっくりと熟成させながら晶析させたり、種晶を添
加することが好ましい。
The high melting point compound is a thermally stable crystalline form, and may be a low melting point compound, a crystalline solvent adduct, an amorphous substance, or a low melting point compound, a high melting point compound, a crystalline solvent adduct, or an amorphous substance. It can be produced by a recrystallization method using a solvent capable of completely dissolving the mixture, for example, ketone, alcohol, or a mixed solvent of ketone and alcohol. In order to carry out recrystallization, it is preferable that after completely dissolving the polymethine compound in a solvent, crystallization is performed while slowly aging, or a seed crystal is added.

【0075】かかる接触処理、再結晶に用いるケトンと
しては、カルボニル基を有する種々の溶剤、例えば、ア
セトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、
メチルブチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチ
ルアミルケトン、ジエチルケトン、エチルブチルケト
ン、ジプロピルケトン、ジイソプロピルケトン、ジアセ
トンアルコール、シクロヘキサノンなどが挙げられる。
またアルコールとしては、例えば、メタノール、エタノ
ール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタ
ノール、イソブタノール、sec−ブタノール、ter
t−ブタノール、n−アミルアルコール、メチルアミル
アルコール、2−エチルヘキサノール、n−オクタノー
ル、シクロヘキサノール、2−エチルシクロヘキサノー
ルなどが挙げられる。また、接触処理に用いるエステル
としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−プロピ
ル、酢酸イソプロピル、酢酸n−ブチル、酢酸イソアミ
ル、酪酸n−ブチルなどが挙げられ、エーテルとして
は、ジエチルエーテル、イソプロピルエーテル、n−ブ
チルエーテル、ジグライムなどが挙げられる。
As the ketone used for the contact treatment and the recrystallization, various solvents having a carbonyl group, for example, acetone, methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone,
Examples include methyl butyl ketone, methyl isopropyl ketone, methyl amyl ketone, diethyl ketone, ethyl butyl ketone, dipropyl ketone, diisopropyl ketone, diacetone alcohol, cyclohexanone, and the like.
Examples of the alcohol include methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, isobutanol, sec-butanol, and ter.
Examples thereof include t-butanol, n-amyl alcohol, methyl amyl alcohol, 2-ethylhexanol, n-octanol, cyclohexanol, and 2-ethylcyclohexanol. Examples of the ester used for the contact treatment include methyl acetate, ethyl acetate, n-propyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl acetate, isoamyl acetate, and n-butyl butyrate. Examples of ethers include diethyl ether and isopropyl ether. , N-butyl ether, diglyme and the like.

【0076】低融点化合物を作製するにあたり接触処理
に用いる溶剤の使用量は、ポリメチン化合物に対する溶
解度によって異なり、ポリメチン化合物が完溶しない範
囲で、ポリメチン化合物に対し2〜70倍重量比、好ま
しくは3〜50倍重量比使用する。使用量がこれより多
いと収量が少なくなり効率が悪い。処理温度は使用溶剤
によって異なるが、一般に−10°〜70℃程度、好ま
しくは0°〜50℃である。分散処理溶剤にはエステル
及び/またはエーテル等の貧溶剤を混合して用いること
もできる。
The amount of the solvent used in the contact treatment for preparing the low melting point compound depends on the solubility in the polymethine compound, and is in a range of not completely dissolving the polymethine compound in a weight ratio of 2 to 70 times the weight of the polymethine compound, preferably 3 times. Use up to 50 times weight ratio. If the amount used is larger than this, the yield is reduced and efficiency is poor. Although the treatment temperature varies depending on the solvent used, it is generally about -10 to 70C, preferably 0 to 50C. Poor solvents such as esters and / or ethers can be mixed and used as the dispersion treatment solvent.

【0077】高融点化合物を作製する場合の再結晶溶媒
の使用量も、ポリメチン化合物に対する溶解度によって
異なり、ポリメチン化合物が完溶する範囲で、ポリメチ
ン化合物に対し3〜100倍重量比、好ましくは5〜7
0倍重量比使用する。使用量が少なすぎると結晶性溶媒
付加物となる場合がある。使用量がこれより多いと収量
が少なくなり効率が悪くなる。再結晶温度は使用溶剤に
よって異なるが、一般に20°〜150℃程度、好まし
くは30°〜120℃である。再結晶溶剤にはケトンと
アルコールの混合溶剤を用いることもできる。
The amount of the recrystallization solvent used for preparing the high melting point compound also depends on the solubility in the polymethine compound, and is in a range of 3 to 100 times the weight ratio of the polymethine compound, preferably 5 to 100, within a range in which the polymethine compound is completely dissolved. 7
Use 0 times weight ratio. If the amount is too small, it may become a crystalline solvent adduct. If the amount used is larger than this, the yield is reduced and the efficiency is reduced. The recrystallization temperature varies depending on the solvent used, but is generally about 20 ° to 150 ° C, preferably 30 ° to 120 ° C. A mixed solvent of ketone and alcohol can be used as the recrystallization solvent.

【0078】本発明の式(I)で表される化合物のうち、
例えば
Among the compounds represented by the formula (I) of the present invention,
For example

【0079】[0079]

【化34】 は、粉末X線の回折パターンの異なる低融点化合物(融
点;195〜197℃α晶)、高融点化合物(融点;20
4〜206℃ β晶)、結晶性メタノール付加物及び無
定形物が存在する。上記ポリメチン化合物は、精製前の
単離方法及び/または精製方法によって、低融点化合
物、高融点化合物となるほか、結晶性溶媒付加物や無定
形物となったり、低融点化合物、高融点化合物、結晶性
溶媒付加物及び無定形物の混合物となったりする。
Embedded image Are low-melting point compounds (melting points: 195 to 197 ° C. α crystals) and high-melting point compounds (melting points: 20
4-206 ° C β-crystals), crystalline methanol adducts and amorphous. The polymethine compound becomes a low melting point compound or a high melting point compound depending on an isolation method and / or a purification method before purification, or becomes a crystalline solvent adduct or an amorphous substance, a low melting point compound, a high melting point compound, It may be a mixture of a crystalline solvent adduct and an amorphous product.

【0080】低融点化合物及び高融点化合物は前記の方
法により製造することができる。また、結晶性メタノー
ル付加物は、高融点化合物、低融点化合物、無定形物及
び/またはそれらの混合物をメタノールに溶解後、減圧
下濃縮し、濃縮残量を固形物に対し2〜5倍量とした
後、濾取することにより製造できる。無定形物は単離し
た高融点化合物、低融点化合物、結晶性メタノール付加
物、無定形物またはそれらの混合物をアセトンに完全に
溶解後、減圧下で濃縮、乾燥することにより製造でき
る。
The low melting point compound and the high melting point compound can be produced by the above-mentioned method. The crystalline methanol adduct is obtained by dissolving a high-melting compound, a low-melting compound, an amorphous substance and / or a mixture thereof in methanol and then concentrating the mixture under reduced pressure. , And then can be produced by filtration. The amorphous substance can be produced by completely dissolving the isolated high melting point compound, low melting point compound, crystalline methanol adduct, amorphous substance or a mixture thereof in acetone, and then concentrating and drying under reduced pressure.

【0081】一般式(II)で表される化合物は、例えば特
開平1−131277号公報等に記載の方法で合成する
ことができる。
The compound represented by the general formula (II) can be synthesized, for example, by the method described in JP-A-1-131277.

【0082】一般式(III)で表されるジホルミル系化合
物は、例えばJournal of Organic Chemistry,42,885-88
8(1977)等に記載の方法で合成することができる。一般
式(IV)のジアニル系化合物は一般式(III)のジホルミル
系化合物とアニリン塩酸塩を反応させることにより容易
に合成することができる。
The diformyl compounds represented by the general formula (III) are described, for example, in Journal of Organic Chemistry, 42, 885-88.
8 (1977) and the like. The dianyl compound of the general formula (IV) can be easily synthesized by reacting the diformyl compound of the general formula (III) with aniline hydrochloride.

【0083】[近赤外線吸収剤]本発明の近赤外線吸収
剤は、式(I)のポリメチン化合物以外にバインダー樹脂
等を含有してもよい。
[Near Infrared Ray Absorber] The near infrared ray absorber of the present invention may contain a binder resin and the like in addition to the polymethine compound of the formula (I).

【0084】近赤外線吸収剤としては一般式(I)のポリ
メチン化合物以外に、本発明の目的を逸脱しない範囲
で、公知の種々の近赤外線吸収剤が併用できる。
As the near-infrared absorbing agent, various known near-infrared absorbing agents can be used in combination with the polymethine compound of the general formula (I) without departing from the object of the present invention.

【0085】併用できる近赤外線吸収剤としては、カー
ボンブラック、アニリンブラック等の顔料や『化学工業
(1986年、5月号)』の「近赤外吸収色素」(P45〜
51)や『90年代 機能性色素の開発と市場動向』シ
ーエムシー(1990)第2章2.3に記載されているポ
リメチン系色素(シアニン色素)、フタロシアニン系色
素、ジチオール金属錯塩系色素、ナフトキノン、アント
ラキノン系色素、トリフェニルメタン(類似)系色素、ア
ミニウム、ジインモニウム系色素等、またアゾ系色素、
インドアニリン金属錯体色素、分子間型CT色素等の顔
料、染料系の色素が挙げられる。
Examples of near-infrared absorbers that can be used in combination include pigments such as carbon black and aniline black, and “Chemical
(May 1986) "" Near-infrared absorbing dye "(P45-
51) and "Development and Market Trend of Functional Dyes in the 1990s", CMC (1990), Chapter 2, 2.3, polymethine dyes (cyanine dyes), phthalocyanine dyes, dithiol metal complex salt dyes, naphthoquinones , Anthraquinone dyes, triphenylmethane (similar) dyes, aminium, diimmonium dyes, etc., and azo dyes,
Pigments such as indoaniline metal complex dyes, intermolecular CT dyes, and dye-based dyes.

【0086】バインダー樹脂としては、特に制限はない
が、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸エ
ステル、メタクリル酸エステル等のアクリル酸系モノマ
ーの単独重合体または共重合体、メチルセルロース、エ
チルセルロース、セルロースアセテートのようなセルロ
ース系ポリマー、ポリスチレン、塩化ビニル−酢酸ビニ
ル共重合体、ポリビニルピロリドン、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルアルコールのようなビニル系ポリマー
及びビニル化合物の共重合体、ポリエステル、ポリアミ
ドのような縮合系ポリマー、ブタジエン−スチレン共重
合体のようなゴム系熱可塑性ポリマー、エポキシ化合物
などの光重合性化合物を重合・架橋させたポリマーなど
を挙げることができる。
The binder resin is not particularly limited. For example, homopolymers or copolymers of acrylic monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, acrylates, methacrylates, methyl cellulose, ethyl cellulose, cellulose acetate Cellulosic polymers such as polystyrene, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polyvinylpyrrolidone, polyvinyl butyral, vinyl polymers such as polyvinyl alcohol and copolymers of vinyl compounds, polyesters, condensation polymers such as polyamides, Examples thereof include a rubber-based thermoplastic polymer such as a butadiene-styrene copolymer, and a polymer obtained by polymerizing and crosslinking a photopolymerizable compound such as an epoxy compound.

【0087】本発明の近赤外線吸収剤を光カード等の光
記録材料に用いる場合は、例えばガラス、プラスチック
樹脂等の基板上に、近赤外線吸収剤と有機溶剤を溶解し
た液をスピンコート法等の従来から種々検討されている
方法で塗布することにより作製できる。基板に使用でき
る樹脂としては、特に制限はないが、例えばアクリル樹
脂、ポリエチレン樹脂、塩化ビニール樹脂、塩化ビニリ
デン樹脂、ポリカーボネート樹脂等が挙げられる。スピ
ンコートに用いる溶剤としては、特に制限はないが、例
えば炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、エーテル類、
ケトン類、アルコール類、セロソルブ類が挙げられる
が、特にメタノール、エタノール、プロパノール等のア
ルコール系溶剤やメチルセロソルブ、エチルセロソルブ
等のセロソルブ系溶剤が好ましい。
When the near-infrared absorbing agent of the present invention is used for an optical recording material such as an optical card, a liquid in which the near-infrared absorbing agent and an organic solvent are dissolved is coated on a substrate such as glass or plastic resin by spin coating or the like. It can be manufactured by coating by a method which has been variously studied. The resin that can be used for the substrate is not particularly limited, and examples thereof include an acrylic resin, a polyethylene resin, a vinyl chloride resin, a vinylidene chloride resin, and a polycarbonate resin. There is no particular limitation on the solvent used for spin coating, but, for example, hydrocarbons, halogenated hydrocarbons, ethers,
Examples thereof include ketones, alcohols, and cellosolves. In particular, alcohol solvents such as methanol, ethanol, and propanol, and cellosolve solvents such as methyl cellosolve and ethyl cellosolve are preferable.

【0088】本発明の近赤外線吸収剤を近赤外線吸収フ
ィルター、熱線遮断材、農業用フィルムに用いる場合
は、近赤外線吸収剤にプラスチック樹脂及び場合により
有機溶剤と混合し、射出成形法やキャスト法等の従来か
ら種々検討されている方法で板状若しくはフィルム状に
することにより作製できる。使用できる樹脂としては、
特に制限はないが、例えばアクリル樹脂、ポリエチレン
樹脂、塩化ビニール樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂等が挙げられる。用いる溶剤としては、
特に制限はないが、例えば炭化水素類、ハロゲン化炭化
水素類、エーテル類、ケトン類、アルコール類、セロソ
ルブ類が挙げられるが特に、メタノール、エタノール、
プロパノール等のアルコール系溶剤やメチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶剤が好まし
い。
When the near-infrared absorbing agent of the present invention is used for a near-infrared absorbing filter, a heat ray shielding material, and an agricultural film, the near-infrared absorbing agent is mixed with a plastic resin and an organic solvent as the case may be, and the injection molding method or the casting method is used. It can be manufactured by forming into a plate shape or a film shape by various methods which have been conventionally studied. As a resin that can be used,
Although there is no particular limitation, examples thereof include acrylic resin, polyethylene resin, vinyl chloride resin, vinylidene chloride resin, and polycarbonate resin. As the solvent used,
There is no particular limitation, for example, hydrocarbons, halogenated hydrocarbons, ethers, ketones, alcohols, cellosolves, but particularly, methanol, ethanol,
Alcohol solvents such as propanol and cellosolve solvents such as methyl cellosolve and ethyl cellosolve are preferred.

【0089】本発明の近赤外線吸収剤をレーザー熱転写
記録材料、レーザー感熱記録材料等の記録材料に用いる
場合は、近赤外線吸収剤に発色成分または着色成分等を
配合して使用してもよいし、発色成分または着色成分等
を含有する層を別途設けてもよい。発色成分または着色
成分としては、昇華性染顔料や電子供与性染料前駆体と
電子受容性化合物、重合性ポリマー等の熱によって物理
的、化学的な変化で画像を形成するもので、従来から種
々検討されているものが使用できる。 例えば、レーザ
ー熱転写記録材料の着色成分としては、特に限定するも
のではないが、顔料タイプのものとして、二酸化チタ
ン、カーボンブラック、酸化亜鉛、プルシアンブルー、
硫化カドミウム、酸化鉄ならびに鉛、亜鉛、バリウム及
びカルシウムのクロム酸塩等の無機顔料やアゾ系、チオ
インジゴ系、アントラキノン系、アントアンスロン系、
トリフェンジオキサン系、フタロシアニン系、キナクリ
ドン系等の有機顔料が挙げられる。染料としては、酸性
染料、直接染料、分散染料、油溶性染料、含金属油溶性
染料等が挙げられる。
When the near-infrared absorbing agent of the present invention is used for a recording material such as a laser thermal transfer recording material and a laser thermosensitive recording material, a coloring component or a coloring component may be mixed with the near-infrared absorbing agent. A layer containing a coloring component or a coloring component may be provided separately. As a color-forming component or a coloring component, a sublimable dye or an electron-donating dye precursor and an electron-accepting compound, which form an image by a physical or chemical change by heat of a polymerizable polymer, etc. What is being considered can be used. For example, the coloring component of the laser thermal transfer recording material is not particularly limited, but as a pigment type, titanium dioxide, carbon black, zinc oxide, Prussian blue,
Inorganic pigments such as cadmium sulfide, iron oxide and chromates of lead, zinc, barium and calcium, azo, thioindigo, anthraquinone, anthantrone,
Organic pigments such as trifendioxane-based, phthalocyanine-based, and quinacridone-based organic pigments are exemplified. Examples of the dye include an acid dye, a direct dye, a disperse dye, an oil-soluble dye, and a metal-containing oil-soluble dye.

【0090】レーザー感熱記録材料の発色成分として
は、特に限定されるものではないが、従来から感熱記録
材料に用いられているものを使用できる。電子供与性染
料前駆体としては、すなわちエレクトロンを供与してま
たは酸等のプロトンを受容して発色する性質を有するも
のであって、ラクトン、ラクタム、サルトン、スピロピ
ラン、エステル、アミド等の部分骨格を有し、電子受容
性化合物と接触してこれらの部分骨格が開環若くは開裂
する化合物が用いられる。例えば、トリフェニルメタン
系化合物、フルオラン系化合物、フェノチアジン系化合
物、インドリルフタリド系化合物、ロイコオーラミン系
化合物、ローダミンラクタム系化合物、トリフェニルメ
タン系化合物、トリアゼン系化合物、スピロピラン系化
合物、フルオレン系化合物等が挙げられる。電子受容性
化合物としては、フェノール性化合物、有機酸若くはそ
の金属塩、オキシ安息香酸エステル等が挙げられる。
The color forming component of the laser thermosensitive recording material is not particularly limited, but those conventionally used in thermosensitive recording materials can be used. The electron-donating dye precursor has a property of coloring by donating electrons or accepting a proton such as an acid, and has a partial skeleton of lactone, lactam, sultone, spiropyran, ester, amide, or the like. Compounds that have a partial skeleton ring-open or cleaved upon contact with an electron-accepting compound are used. For example, triphenylmethane compounds, fluoran compounds, phenothiazine compounds, indolyl phthalide compounds, leuco auramine compounds, rhodamine lactam compounds, triphenylmethane compounds, triazene compounds, spiropyran compounds, fluorene compounds And the like. Examples of the electron-accepting compound include a phenolic compound, an organic acid or a metal salt thereof, and an oxybenzoate.

【0091】[ダイレクト製版用印刷原版]本発明のポ
リメチン化合物は、ダイレクト製版用印刷原版の近赤外
線吸収剤として好適に用いることができる。ダイレクト
製版用印刷原版は、支持体上に光熱変換層を設けてな
る。また、光熱変換層上にシリコンゴム層を積層しても
よいし、更に、保護層等を積層してもよい。
[Printing master for direct plate making] The polymethine compound of the present invention can be suitably used as a near-infrared absorbing agent for a printing plate for direct plate making. The printing plate precursor for direct plate making is provided with a light-heat conversion layer on a support. Further, a silicon rubber layer may be laminated on the light-to-heat conversion layer, or a protective layer or the like may be further laminated.

【0092】光熱変換層を構成する成分としては、上記
の本発明のポリメチン化合物以外に、画像形成成分、バ
インダー樹脂等がある。あるいは画像形成成分を含む層
を光熱変換層の上に積層して設けてもよい。
The components constituting the light-to-heat conversion layer include, in addition to the polymethine compound of the present invention, an image forming component, a binder resin and the like. Alternatively, a layer containing an image forming component may be provided by being laminated on the photothermal conversion layer.

【0093】画像形成成分としては、熱によって物理
的、化学的な変化で画像を形成するもので、従来から種
々検討されているものが使用できる。例えば、特開平3
−108588号公報に開示されているマイクロカプセ
ル化された熱溶融性物質と結着性樹脂等を含有するも
の、昭62−164049号公報に開示されている親水
性表面を有する支持体上に活性水素含有バインダーと共
にブロックイソシアネート等を含有するもの、特開平7
−1849号公報に開示されているマイクロカプセル化
された親油性成分と親水性バインダーポリマー等を含有
するもの、特開平8−220752号公報に開示されて
いる酸前駆体、ビニルエーテル基を有する化合物、及び
アルカリ可溶性樹脂等を含有するもの、特開平9−59
93号公報に開示されている水酸基を有する高分子化合
物とo−ナフトキノンジアジド化合物等を含有するも
の、特開平9−131977号公報に開示されているニ
トロセルロース等を含有するもの、特開平9−1462
64号公報に開示されている重合開始剤及びエチレン性
不飽和モノマー、オリゴマー、マクロモノマー等を含有
するもの等が挙げられ、特に制限はない。
As the image forming components, those which form an image by physical or chemical change by heat and which have been conventionally studied variously can be used. For example, Japanese Unexamined Patent Publication
JP-A-108588, which contains a microencapsulated heat-fusible substance and a binder resin, etc., is active on a support having a hydrophilic surface disclosed in JP-A-62-164049. Those containing a blocked isocyanate or the like together with a hydrogen-containing binder;
A microcapsule containing a lipophilic component and a hydrophilic binder polymer disclosed in JP-1849, an acid precursor disclosed in JP-A-8-220755, a compound having a vinyl ether group, And those containing an alkali-soluble resin and the like, JP-A-9-59
No. 93, which contains a polymer compound having a hydroxyl group and an o-naphthoquinonediazide compound, etc .; Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-131977; 1462
Examples include those containing a polymerization initiator and an ethylenically unsaturated monomer, oligomer, macromonomer, and the like disclosed in JP-A-64, and are not particularly limited.

【0094】場合によっては、特開平9−80745号
公報、特開平9−131977号公報、特開平9−14
6264号公報等に開示されているように光熱変換層
(感光層または感熱記録層)上にシリコンゴム層を積層
し、露光後、シリコンゴム層を密着または剥離すること
により画像部を形成してもよい。
In some cases, JP-A-9-80745, JP-A-9-131977, JP-A-9-14
No. 6264, etc.
An image area may be formed by laminating a silicon rubber layer on the (photosensitive layer or heat-sensitive recording layer) and, after exposure, by closely contacting or peeling off the silicon rubber layer.

【0095】光熱変換層に用いられるバインダー樹脂と
しては、特に制限はないが、例えば、アクリル酸、メタ
クリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル
等のアクリル酸系モノマーの単独重合体または共重合
体、メチルセルロース、エチルセルロース、セルロース
アセテートのようなセルロース系ポリマー、ポリスチレ
ン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルピロ
リドン、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール
のようなビニル系ポリマー及びビニル化合物の共重合
体、ポリエステル、ポリアミドのような縮合系ポリマ
ー、ブタジエン−スチレン共重合体のようなゴム系熱可
塑性ポリマー、エポキシ化合物などの光重合性化合物を
重合・架橋させたポリマーなどを挙げることができる。
The binder resin used for the light-to-heat conversion layer is not particularly limited, but may be, for example, a homopolymer or a copolymer of an acrylic acid monomer such as acrylic acid, methacrylic acid, acrylate, methacrylate, or the like. Methylcellulose, ethylcellulose, cellulosic polymers such as cellulose acetate, polystyrene, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polyvinylpyrrolidone, polyvinylbutyral, copolymers of vinyl compounds and vinyl compounds such as polyvinyl alcohol, polyester, polyamide Such a condensation polymer, a rubber thermoplastic polymer such as a butadiene-styrene copolymer, and a polymer obtained by polymerizing and crosslinking a photopolymerizable compound such as an epoxy compound can be exemplified.

【0096】本発明の製版用印刷原版は通常の印刷機に
セットできる程度のたわみ性を有し、同時に印刷時にか
かる加重に耐ええるものでなければならない。すなわ
ち、用いる支持体としては、例えば、紙、プラスチック
(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン
等)がラミネートされた紙、例えばアルミニウム(アルミ
ニウム合金も含む)、亜鉛、銅等のような金属の板、例
えば二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、酪酸セルロ
ース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポ
リスチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリ
ビニルアセタール等のようなプラスチックフィルム等が
挙げられるが、代表的なものとして、コート紙、アルミ
ニウムのような金属板、ポリエチレンテレフタレートの
ようなプラスチックフィルム、ゴム、あるいはそれらを
複合させたものを挙げることができ、好ましくは、アル
ミニウム、アルミニウム含有合金及びプラスチックフィ
ルムである。支持体の膜厚は25μm〜3mm、好まし
くは100μm〜500μmである。
The printing plate precursor for plate making of the present invention must have such flexibility that it can be set in an ordinary printing press and at the same time can withstand the load applied during printing. That is, as the support to be used, for example, paper, plastic
(E.g., polyethylene, polypropylene, polystyrene, etc.) laminated paper, such as aluminum (including aluminum alloys), zinc, metal plates such as copper, such as cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose butyrate, polyethylene terephthalate, Plastic films such as polyethylene, polystyrene, polypropylene, polycarbonate, polyvinyl acetal, etc., are mentioned.Typical examples include coated paper, metal plates such as aluminum, plastic films such as polyethylene terephthalate, rubber, and the like. And aluminum, an aluminum-containing alloy, and a plastic film. The thickness of the support is 25 μm to 3 mm, preferably 100 μm to 500 μm.

【0097】通常は、ポリメチン化合物、画像形成成
分、バインダー樹脂等を有機溶剤等に分散または溶解さ
せ支持体に塗布し、製版用印刷原版を作製する。
Usually, a polymethine compound, an image forming component, a binder resin and the like are dispersed or dissolved in an organic solvent or the like and applied to a support to prepare a printing plate precursor for plate making.

【0098】塗布する溶剤としては、水、メチルアルコ
ール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコー
ル、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、ジアセ
トンアルコール等のアルコール類、メチルセルソルブ、
エチルセルソルブなどのセルソルブ類、トルエン、キシ
レン、クロロベンゼンなどの芳香族類、酢酸エチル、酢
酸ブチル酢酸イソアミル、プロピオン酸メチルなどのエ
ステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、塩化
メチレン、クロロホルム、トリクロロエチレンなどの塩
素系炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなど
のエーテル類、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルピ
ロリドンなどの非プロトン性極性溶剤等を挙げることが
できる。
Examples of the solvent to be applied include water, alcohols such as methyl alcohol, isopropyl alcohol, isobutyl alcohol, cyclopentanol, cyclohexanol, and diacetone alcohol; methylcellosolve;
Cellsolves such as ethyl cellosolve, aromatics such as toluene, xylene and chlorobenzene, esters such as ethyl acetate, butyl acetate isoamyl acetate, methyl propionate, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and chloride Examples thereof include chlorinated hydrocarbons such as methylene, chloroform and trichloroethylene, ethers such as tetrahydrofuran and dioxane, and aprotic polar solvents such as N, N-dimethylformamide and N-methylpyrrolidone.

【0099】支持体と光熱変換層との間には、接着性向
上や印刷特性向上のためのプライマー層を設けてもよい
し、支持体自身を表面処理してもよい。用いるプライマ
ー層としては、例えば、特開昭60−22903号公報
に開示されているような種々の感光性ポリマーを光熱変
換層を積層する前に露光して硬化せしめたもの、特開昭
62−50760号公報に開示されているエポキシ樹脂
を熱硬化せしめたもの、特開昭63−133151号公
報に開示されているゼラチンを硬膜せしめたもの、更に
特開平3−200965号公報に開示されているウレタ
ン樹脂とシランカップリング剤を用いたものや特開平3
−273248号公報に開示されているウレタン樹脂を
用いたもの等を挙げることができる。
[0099] A primer layer may be provided between the support and the light-to-heat conversion layer for improving the adhesion and the printing properties, or the support itself may be subjected to a surface treatment. Examples of the primer layer to be used include those obtained by exposing and curing various photosensitive polymers as described in JP-A-60-22903 before laminating a light-to-heat conversion layer. The epoxy resin disclosed in JP-A-50760 is thermally cured, the gelatin disclosed in JP-A-63-133151 is hardened, and the epoxy resin disclosed in JP-A-3-200965 is disclosed. Using a urethane resin and a silane coupling agent.
And those using a urethane resin disclosed in JP-A-273248.

【0100】光熱変換層またはシリコンゴム層の表面保
護のための保護膜としては、透明なフィルム、例えば、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレン
テレフタレート、セロファン等をラミネートしたり、こ
れらのフィルムを延伸して用いてもよい。
As a protective film for protecting the surface of the light-to-heat conversion layer or the silicone rubber layer, a transparent film, for example,
Polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene terephthalate, cellophane, etc. may be laminated or these films may be stretched for use.

【0101】本発明のダイレクト製版用印刷原版は、特
定発光領域を有する半導体レーザーに対応する。すなわ
ち、この印刷原版を用いて印刷版(刷版)を作製するに
は、750〜900nm、好ましくは770〜850n
mに発光領域を有する半導体レーザー光源を用いて、従
来の公知の製版方法により原版にレーザー光の照射を行
い、画像部または非画像部を形成することによりコンピ
ューターなどのデジタルデータを刷版として記録する。
The printing plate precursor for direct plate making of the present invention corresponds to a semiconductor laser having a specific light emitting region. That is, in order to prepare a printing plate (printing plate) using this printing original plate, it is 750 to 900 nm, preferably 770 to 850 n.
Using a semiconductor laser light source having a light-emitting region at m, irradiating the original plate with laser light by a conventionally known plate-making method to form an image portion or a non-image portion, thereby recording digital data of a computer or the like as a printing plate. I do.

【0102】[0102]

【実施例】以下に、実施例により本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。
EXAMPLES The present invention will be described below in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0103】[実施例1] ポリメチン化合物(具体例
化合物(11)の合成) 一般式(II)で表される化合物(R=メトキシ基、R
=メトキシエチル基、R=R=メチル基、Y=7−
メトキシ基、Z=ClO 、n=1)3.79g、一
般式(III)で表される化合物(X=Cl)0.86g及び
酢酸カリウム3.36gを無水酢酸50mlに加え、4
5〜50℃で60分攪拌した後、2%KClO水溶液
300mlへ排出した。析出した結晶物を濾別、水洗
後、イソプロパノールで再結晶して、具体例化合物(1
1)2.95gを得た。
Example 1 Polymethine Compound (Synthesis of Specific Example Compound (11)) A compound represented by the general formula (II) (R 1 = methoxy group, R 2
= Methoxyethyl group, R 3 = R 4 = methyl group, Y = 7-
3.79 g of a methoxy group, Z = ClO 4 , n = 1), 0.86 g of the compound represented by the general formula (III) (X = Cl) and 3.36 g of potassium acetate were added to 50 ml of acetic anhydride.
After stirring at 5 to 50 ° C. for 60 minutes, the mixture was discharged into 300 ml of a 2% KClO 4 aqueous solution. The precipitated crystal was separated by filtration, washed with water, and recrystallized with isopropanol to give a specific compound (1).
1) 2.95 g was obtained.

【0104】この化合物の元素分析値、融点、吸収極大
波長(λmax)及びグラム吸光係数(εg)は以下の通り
であった。 元素分析値(C4052Cl10):MW=791.8 C H N 計算値(%) 60.68 6.62 3.54 実測値(%) 59.96 6.49 3.58 融点(℃) :152〜153℃ λmax :832nm(ジアセトンアルコール溶液) εg :2.80×10 ml/g・cm 得られた化合物のIRスペクトルを図1に示す。
The elemental analysis value, melting point, maximum absorption wavelength (λmax) and gram extinction coefficient (εg) of this compound were as follows. Elemental analysis (C 40 H 52 Cl 2 N 2 O 10): MW = 791.8 C H N calc (%) 60.68 6.62 3.54 Found (%) 59.96 6.49 3 .58 Melting point (° C.): 152-153 ° C. λmax: 832 nm (diacetone alcohol solution) εg: 2.80 × 10 5 ml / g · cm The IR spectrum of the obtained compound is shown in FIG.

【0105】得られた化合物のVIS−NIR吸収スペ
クトルを図9に示す。
The VIS-NIR absorption spectrum of the obtained compound is shown in FIG.

【0106】[実施例2] ポリメチン化合物(具体例
化合物(12)の合成) 一般式(II)で表される化合物(R=メトキシ基、R
=メトキシエチル基、R=R=メチル基、Y=7−
メトキシ基、Z=I、n=1)4.05g、一般式(I
V)で表される化合物(X=Cl)1.80g及び酢酸カリ
ウム3.36gを無水酢酸50mlに加え、45〜50
℃で60分攪拌した後、2%KI水溶液300mlへ排
出した。析出した結晶物を濾別、水洗後、イソプロパノ
ールで再結晶して、具体例化合物(12)2.56gを得
た。
Example 2 Polymethine Compound (Synthesis of Specific Example Compound (12)) A compound represented by the general formula (II) (R 1 = methoxy group, R 2
= Methoxyethyl group, R 3 = R 4 = methyl group, Y = 7-
A methoxy group, Z = I , n = 1) 4.05 g, and a compound represented by the general formula (I
1.80 g of the compound represented by the formula (V) (X = Cl) and 3.36 g of potassium acetate are added to 50 ml of acetic anhydride, and
After stirring at 60 ° C. for 60 minutes, the mixture was discharged into 300 ml of a 2% KI aqueous solution. The precipitated crystal was separated by filtration, washed with water, and recrystallized with isopropanol to obtain 2.56 g of the specific compound (12).

【0107】この化合物の元素分析値、融点、吸収極大
波長(λmax)及びグラム吸光係数(εg)は以下の通り
であった。 元素分析値(C4052ClIN):MW=819.2 C H N 計算値(%) 58.65 6.40 3.42 実測値(%) 58.36 6.43 3.32 融点(℃) :167〜168℃ λmax :832nm(ジアセトンアルコール溶液) εg :2.65×10 ml/g・cm 得られた化合物のIRスペクトルを図2に示す。
The elemental analysis value, melting point, maximum absorption wavelength (λmax) and gram extinction coefficient (εg) of this compound were as follows. Elemental analysis (C 40 H 52 ClIN 2 O 6 ): MW = 819.2 Calculated value for CH N (%) 58.65 6.40 3.42 Actual value (%) 58.36 6.43 3.32 Melting point (° C.): 167-168 ° C. λmax: 832 nm (diacetone alcohol solution) εg: 2.65 × 10 5 ml / g · cm FIG. 2 shows the IR spectrum of the obtained compound.

【0108】[実施例3] ポリメチン化合物(具体例
化合物(13)の合成) 実施例1において、一般式(II)で表される化合物として
(R=メトキシ基、R=メトキシエチル基、R
=メチル基、Y=7−メトキシ基、Z=BF
n=1)3.65gを、2%KClO水溶液300m
lの代わりに2%KBF水溶液300mlを使用した
以外は実施例1と同様な操作を行って、具体例化合物
(13)2.92gを得た。
Example 3 Polymethine Compound (Synthesis of Specific Example Compound (13)) In Example 1, the compound represented by the general formula (II) was
(R 1 = methoxy group, R 2 = methoxyethyl group, R 3 =
R 4 = methyl group, Y = 7-methoxy group, Z = BF 4 ,
n = 1) 3.65 g of a 2% KClO 4 aqueous solution 300 m
In the same manner as in Example 1 except that 300 ml of a 2% aqueous KBF 4 solution was used in place of 1
(13) 2.92 g was obtained.

【0109】この化合物の元素分析値、融点、吸収極大
波長(λmax)及びグラム吸光係数(εg)は以下の通り
であった。 元素分析値(C4052BClF):MW=779.1 C H N 計算値(%) 61.66 6.73 3.60 実測値(%) 61.39 6.75 3.55 融点(℃) :150〜152℃ λmax :832nm(ジアセトンアルコール溶液) εg :2.85×10 ml/g・cm 得られた化合物のIRスペクトルを図3に示す。
The elemental analysis value, melting point, maximum absorption wavelength (λmax) and gram extinction coefficient (εg) of this compound were as follows. Elemental analysis (C 40 H 52 BClF 4 N 2 O 6): MW = 779.1 C H N calc (%) 61.66 6.73 3.60 Found (%) 61.39 6.75 3 .55 Melting point (° C.): 150-152 ° C. λmax: 832 nm (diacetone alcohol solution) εg: 2.85 × 10 5 ml / g · cm The IR spectrum of the obtained compound is shown in FIG.

【0110】[実施例4] ポリメチン化合物(具体例
化合物(17)の合成) 実施例1において、一般式(II)で表される化合物として
(R=メトキシ基、R=R=R=メチル基、Y
=6−メトキシ基、Z=p−トルエンスルホネート、n
=1)4.06g、2%KClO水溶液300mlの
代わりに2%p−トルエンスルホン酸水溶液300ml
を使用した以外は実施例1と同様な操作を行って、具体
例化合物(17)2.72gを得た。
Example 4 Polymethine Compound (Synthesis of Specific Example Compound (17)) In Example 1, the compound represented by the general formula (II) was
(R 1 = methoxy group, R 2 = R 3 = R 4 = methyl group, Y
= 6-methoxy group, Z = p-toluenesulfonate, n
= 1) 4.06 g, 2 ml KClO 4 aqueous solution 300 ml instead of 2% p-toluenesulfonic acid aqueous solution 300 ml
The same operation as in Example 1 was performed except for using, to obtain 2.72 g of a specific compound (17).

【0111】この化合物の元素分析値、融点、吸収極大
波長(λmax)及びグラム吸光係数(εg)は以下の通り
であった。 元素分析値(C4351ClNS):MW=775.4 C H N 計算値(%) 66.61 6.63 3.61 実測値(%) 65.96 6.72 3.54 融点(℃) :169〜171℃ λmax :831nm(ジアセトンアルコール溶液) εg :2.60×10 ml/g・cm 得られた化合物のIRスペクトルを図4に示す。
The elemental analysis value, melting point, absorption maximum wavelength (λmax) and gram extinction coefficient (εg) of this compound were as follows. Elemental analysis value (C 43 H 51 ClN 2 O 7 S): MW = 775.4 Calculated value for CH N (%) 66.61 6.63 3.61 Actual value (%) 65.96 6.72 3. 54 Melting point (° C.): 169 to 171 ° C. λmax: 831 nm (diacetone alcohol solution) εg: 2.60 × 10 5 ml / g · cm The IR spectrum of the obtained compound is shown in FIG.

【0112】[実施例5] ポリメチン化合物(具体例
化合物(19)の合成) 実施例2において、一般式(II)で表される化合物として
(R=メトキシ基、R=メトキシエチル基、R
=メチル基、Y=7−メチル基、Z=ClO
n=1)3.61g、2%KI水溶液300mlの代わ
りに2%KClO水溶液300mlを使用した以外は
実施例2と同様な操作を行って、具体例化合物(19)
3.05gを得た。
Example 5 Polymethine Compound (Synthesis of Specific Example Compound (19)) In Example 2, the compound represented by the general formula (II) was
(R 1 = methoxy group, R 2 = methoxyethyl group, R 3 =
R 4 = methyl group, Y = 7-methyl group, Z = ClO 4 ,
n = 1) 3.61 g, the same operation as in Example 2 except that 300 ml of a 2% aqueous KClO 4 solution was used instead of 300 ml of a 2% aqueous KI solution, to thereby give a specific compound (19).
3.05 g were obtained.

【0113】この化合物の元素分析値、融点、吸収極大
波長(λmax)及びグラム吸光係数(εg)は以下の通り
であった。 元素分析値(C4052Cl):MW=759.8 C H N 計算値(%) 63.23 6.90 3.69 実測値(%) 62.87 6.85 3.73 融点(℃) :197〜198℃ λmax :822nm(ジアセトンアルコール溶液) εg :3.12×10 ml/g・cm 得られた化合物のIRスペクトルを図5に示す。
The elemental analysis value, melting point, absorption maximum wavelength (λmax) and gram extinction coefficient (εg) of this compound were as follows. Elemental analysis (C 40 H 52 Cl 2 N 2 O 8): MW = 759.8 C H N calc (%) 63.23 6.90 3.69 Found (%) 62.87 6.85 3 0.73 Melting point (° C.): 197 to 198 ° C. λmax: 822 nm (diacetone alcohol solution) εg: 3.12 × 10 5 ml / g · cm The IR spectrum of the obtained compound is shown in FIG.

【0114】得られた化合物のVIS−NIR吸収スペ
クトルを図10に示す。
The VIS-NIR absorption spectrum of the obtained compound is shown in FIG.

【0115】[実施例6] ポリメチン化合物(具体例
化合物(47)の合成) 実施例1において、一般式(II)で表される化合物として
(R=メトキシ基、R=メトキシエチル基、R
=メチル基、Y=7−メチル基、Z=p−トルエン
スルホネート、n=1)4.34g、2%KClO
溶液300mlの代わりに2%p−トルエンスルホン酸
水溶液300mlを使用した以外は実施例1と同様な操
作を行って、具体例化合物(47)の化合物2.70gを
得た。
Example 6 Polymethine Compound (Synthesis of Specific Example Compound (47)) In Example 1, the compound represented by the general formula (II) was
(R 1 = methoxy group, R 2 = methoxyethyl group, R 3 =
R 4 = methyl group, Y = 7-methyl group, Z = p-toluenesulfonate, n = 1) 4.34 g, except that 300 ml of 2% aqueous solution of p-toluenesulfonic acid was used instead of 300 ml of 2% aqueous solution of KClO 4 By performing the same operation as in Example 1, 2.70 g of the compound of the specific example compound (47) was obtained.

【0116】この化合物の元素分析値、融点、吸収極大
波長(λmax)及びグラム吸光係数(εg)は以下の通り
であった。 元素分析値(C4759ClNS):MW=831.5 C H N 計算値(%) 67.89 7.15 3.37 実測値(%) 67.20 7.24 3.45 融点(℃) :205〜207℃ λmax :822nm(ジアセトンアルコール溶液) εg :2.80×10 ml/g・cm 得られた化合物のIRスペクトルを図6に示す。
The elemental analysis value, melting point, maximum absorption wavelength (λmax) and gram extinction coefficient (εg) of this compound were as follows. Elemental analysis (C 47 H 59 ClN 2 O 7 S): MW = 831.5 CH N calculated (%) 67.89 7.15 3.37 found (%) 67.20 7.24 3. 45 Melting point (° C.): 205 to 207 ° C. λmax: 822 nm (diacetone alcohol solution) εg: 2.80 × 10 5 ml / g · cm The IR spectrum of the obtained compound is shown in FIG.

【0117】[実施例7] ポリメチン化合物(具体例
化合物(51)の合成) 一般式(II)で表される化合物(R=メトキシ基、R
=3−スルホプロピル基、R=R=メチル基、Y=
7−メチル基、n=0)3.25gを、一般式(IV)で表
される化合物(X=Cl)1.80g及び酢酸カリウム
3.36gを無水酢酸50mlに加え、65〜70℃で
60分攪拌した後、イソプロパノール200mlを加
え、更に同温度で60分攪拌した。蒸発乾固後、酢酸エ
チル100mlを加え、室温で1時間攪拌した。析出し
た結晶物を濾別し、酢酸エチル10mlで洗浄後、メタ
ノール100mlで再結晶した。得られた結晶物を、酢
酸ナトリウム2g、メタノール100ml、イソプロパ
ノール100mlの溶液に溶解させ、常圧下溶媒を留去
した。析出した結晶物を濾別、乾燥して、具体例化合物
(51)2.30gを得た。
Example 7 Polymethine Compound (Synthesis of Specific Example Compound (51)) A compound represented by the general formula (II) (R 1 = methoxy group, R 2
= 3-sulfopropyl group, R 3 = R 4 = methyl group, Y =
3.25 g of a 7-methyl group, n = 0), 1.80 g of a compound represented by the general formula (IV) (X = Cl) and 3.36 g of potassium acetate were added to 50 ml of acetic anhydride, and the mixture was heated at 65 to 70 ° C. After stirring for 60 minutes, 200 ml of isopropanol was added, and the mixture was further stirred at the same temperature for 60 minutes. After evaporation to dryness, 100 ml of ethyl acetate was added, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. The precipitated crystal was separated by filtration, washed with 10 ml of ethyl acetate, and recrystallized with 100 ml of methanol. The obtained crystal was dissolved in a solution of 2 g of sodium acetate, 100 ml of methanol and 100 ml of isopropanol, and the solvent was distilled off under normal pressure. The precipitated crystal was separated by filtration and dried to give a specific compound.
(51) 2.30 g was obtained.

【0118】この化合物の元素分析値、吸収極大波長
(λmax)及びグラム吸光係数(εg)は以下の通りであ
った。 元素分析値(C4050ClNNaO):MW=809.4 C H N 計算値(%) 59.36 6.23 3.46 実測値(%) 58.69 6.37 3.37 融点(℃) :260〜261℃以上(分解) λmax :824nm(ジアセトンアルコール溶液) εg :2.82×10 ml/g・cm 得られた化合物のIRスペクトルを図7に示す。
Elemental analysis value and absorption maximum wavelength of this compound
(λmax) and gram extinction coefficient (εg) were as follows. Elemental analysis (C 40 H 50 ClN 2 NaO 8 S 2): MW = 809.4 C H N calc (%) 59.36 6.23 3.46 Found (%) 58.69 6.37 3 .37 melting point (° C.): 260 to 261 ° C. or higher (decomposition) λmax: 824 nm (diacetone alcohol solution) εg: 2.82 × 10 5 ml / g · cm FIG. 7 shows an IR spectrum of the obtained compound.

【0119】得られた化合物のVIS−NIR吸収スペ
クトルを図11に示す。
The VIS-NIR absorption spectrum of the obtained compound is shown in FIG.

【0120】[実施例8] ポリメチン化合物(具体例
化合物(55)の合成) 実施例2において、一般式(II)で表される化合物(R
=メトキシ基、R=メトキシエチル基、R=R
メチル基、Y=7−メチル基、Z=BF 、n=1)
3.62g、2%KI水溶液300mlの代わりに2%
KBF水溶液300mlを使用したを用いた以外は実
施例2と同様な操作を行って、具体例化合物(55)2.
20gを得た。
Example 8 Polymethine Compound (Synthesis of Specific Compound (55)) In Example 2, the compound represented by the general formula (II) (R 1
= Methoxy group, R 2 = methoxyethyl group, R 3 = R 4 =
Methyl group, Y = 7-methyl group, Z = BF 4 , n = 1)
3.62 g, 2% instead of 300 ml of 2% KI aqueous solution
The same operation as in Example 2 was carried out except that 300 mL of an aqueous KBF 4 solution was used to obtain a specific compound (55) .2.
20 g were obtained.

【0121】この化合物の元素分析値、融点、吸収極大
波長(λmax)及びグラム吸光係数(εg)は以下の通り
であった。 元素分析値(C4052BClF):MW=747.1 C H N 計算値(%) 64.30 7.02 3.75 実測値(%) 64.21 6.91 3.70 融点(℃) :198〜199℃ λmax :822nm(ジアセトンアルコール溶液) εg :3.20×10 ml/g・cm 得られた化合物のIRスペクトルを図8に示す。
The elemental analysis value, melting point, absorption maximum wavelength (λmax) and gram extinction coefficient (εg) of this compound were as follows. Elemental analysis (C 40 H 52 BClF 4 N 2 O 4): MW = 747.1 C H N calc (%) 64.30 7.02 3.75 Found (%) 64.21 6.91 3 .70 Melting point (° C.): 198 to 199 ° C. λmax: 822 nm (diacetone alcohol solution) εg: 3.20 × 10 5 ml / g · cm The IR spectrum of the obtained compound is shown in FIG.

【0122】[実施例9] ポリメチン化合物(具体例
化合物(55)の無定形物の作製) 実施例8で得られた具体例化合物(55)2.0gをアセ
トン20mlに溶解し、濃縮、乾燥することにより、具
体例化合物(55)の無定形物1.95gを得た。
Example 9 Polymethine Compound (Preparation of Amorphous Compound of Specific Compound (55)) 2.0 g of the specific compound (55) obtained in Example 8 was dissolved in 20 ml of acetone, concentrated and dried. As a result, 1.95 g of an amorphous product of the specific example compound (55) was obtained.

【0123】この化合物の元素分析値、融点、吸収極大
波長(λmax)及びグラム吸光係数(εg)は以下の通り
であった。 元素分析値(C4052BClF):MW=747.1 C H N 計算値(%) 64.30 7.02 3.75 実測値(%) 64.24 6.99 3.69 融点(℃) :不明瞭 λmax :822nm(ジアセトンアルコール溶液) εg :3.18×10 ml/g・cm 得られた化合物の粉末X線回折図を図12に示す。
The elemental analysis value, melting point, absorption maximum wavelength (λmax) and gram extinction coefficient (εg) of this compound were as follows. Elemental analysis (C 40 H 52 BClF 4 N 2 O 4): MW = 747.1 C H N calc (%) 64.30 7.02 3.75 Found (%) 64.24 6.99 3 .69 melting point (° C.): unclear λmax: 822 nm (diacetone alcohol solution) εg: 3.18 × 10 5 ml / g · cm FIG. 12 shows a powder X-ray diffraction diagram of the obtained compound.

【0124】[実施例10] ポリメチン化合物(具体
例化合物(55)のβ晶の作製) 実施例8で得られた具体例化合物(55)2.0gをメタ
ノール30mlより再結晶することにより、具体例化合
物(55)のβ晶1.42gを得た。
Example 10 Polymethine Compound (Preparation of β Crystal of Specific Example Compound (55)) 2.0 g of the specific example compound (55) obtained in Example 8 was recrystallized from 30 ml of methanol to give a specific product. 1.42 g of β crystal of the example compound (55) was obtained.

【0125】この化合物の元素分析値、融点、吸収極大
波長(λmax)及びグラム吸光係数(εg)は以下の通り
であった。 元素分析値(C4052BClF):MW=747.1 C H N 計算値(%) 64.30 7.02 3.75 実測値(%) 64.25 6.96 3.71 融点(℃) :204〜206℃ λmax :822nm(ジアセトンアルコール溶液) εg :3.21×10 ml/g・cm 得られた化合物の粉末X線回折図を図13に示す。
The elemental analysis value, melting point, absorption maximum wavelength (λmax) and gram extinction coefficient (εg) of this compound were as follows. Elemental analysis (C 40 H 52 BClF 4 N 2 O 4): MW = 747.1 C H N calc (%) 64.30 7.02 3.75 Found (%) 64.25 6.96 3 .71 Melting point (° C.): 204-206 ° C. λmax: 822 nm (diacetone alcohol solution) εg: 3.21 × 10 5 ml / g · cm FIG. 13 shows a powder X-ray diffraction diagram of the obtained compound.

【0126】[実施例11] ポリメチン化合物(具体
例化合物(55)のメタノール溶媒和物の作製) 実施例8で得られた具体例化合物(55)2.0gをメタ
ノール50mlに溶解し、エバポレーターにて濃縮残量
7gまで減圧濃縮し、冷却、濾取、乾燥することによ
り、具体例化合物(55)のメタノール溶媒和物1.92
gを得た。
Example 11 Polymethine Compound (Preparation of Methanol Solvate of Specific Example Compound (55)) 2.0 g of the specific compound (55) obtained in Example 8 was dissolved in 50 ml of methanol, and the evaporator was used. The residue was concentrated under reduced pressure to a residual concentration of 7 g, cooled, filtered and dried to give a methanol solvate of the specific compound (55) 1.92.
g was obtained.

【0127】この化合物の融点、吸収極大波長(λma
x)及びグラム吸光係数(εg)は以下の通りであった。 融点(℃) :〜180℃ λmax :822nm(ジアセトンアルコール溶液) εg :2.92×10 ml/g・cm 得られた化合物の粉末X線回折図を図14に示す。 実施例12 ポリメチン化合物(具体例化合物(55)の
α晶の作製) 実施例9で得られた具体例化合物(55)の非結晶物1.
5gをメタノール20mlに室温下分散することによ
り、具体例化合物(55)のα晶1.23gを得た。
The melting point and maximum absorption wavelength (λma) of this compound
x) and gram extinction coefficient (εg) were as follows. Melting point (° C.): 180180 ° C. λmax: 822 nm (diacetone alcohol solution) εg: 2.92 × 10 5 ml / g · cm FIG. 14 shows a powder X-ray diffraction diagram of the obtained compound. Example 12 Polymethine Compound (Preparation of α Crystal of Specific Example Compound (55)) Amorphous Compound of Specific Example Compound (55) Obtained in Example 9
By dispersing 5 g in methanol (20 ml) at room temperature, 1.23 g of α-crystal of specific example compound (55) was obtained.

【0128】この化合物の元素分析値、融点、吸収極大
波長(λmax)及びグラム吸光係数(εg)は以下の通り
であった。 元素分析値(C4052BClF):MW=747.1 C H N 計算値(%) 64.30 7.02 3.75 実測値(%) 64.21 6.93 3.71 融点(℃) :195〜197℃ λmax :822nm(ジアセトンアルコール溶液) εg :3.20×10 ml/g・cm 得られた化合物の粉末X線回折図を図15に示す。
The elemental analysis value, melting point, absorption maximum wavelength (λmax) and gram extinction coefficient (εg) of this compound were as follows. Elemental analysis (C 40 H 52 BClF 4 N 2 O 4): MW = 747.1 C H N calc (%) 64.30 7.02 3.75 Found (%) 64.21 6.93 3 0.71 Melting point (° C.): 195 to 197 ° C. λmax: 822 nm (diacetone alcohol solution) εg: 3.20 × 10 5 ml / g · cm FIG. 15 shows a powder X-ray diffraction diagram of the obtained compound.

【0129】[最大吸収波長]本発明のポリメチン化合
物のジアセトンアルコール溶液中での最大吸収波長(λ
max)を公知の化合物である前記化合物A、化合物B
とともに測定した。これらの結果を表1に示す。
[Maximum absorption wavelength] The maximum absorption wavelength (λ) of the polymethine compound of the present invention in a diacetone alcohol solution.
max) is a known compound, compound A or compound B
It was measured together with. Table 1 shows the results.

【0130】[0130]

【表1】 [Table 1]

【0131】[溶解度試験]本発明のポリメチン化合物
のメチルエチルケトンに対する溶解度を公知の化合物で
ある前記化合物A、化合物Bとともに測定した。溶解度
の測定は下記の方法に従って行った。
[Solubility Test] The solubility of the polymethine compound of the present invention in methyl ethyl ketone was measured together with the known compounds A and B. The solubility was measured according to the following method.

【0132】溶解度の測定方法 5mlのスクリュー管へ各ポリメチン化合物200mg
及びメチルエチルケトン1mlを入れ、Mix−Rot
orにて、25℃で一晩攪拌溶解し、不溶物の有無を目
視で確認した。不溶物が無い場合を溶解度20%以上、
不溶物が残存している場合を20%未満とした。
Method for measuring solubility 200 mg of each polymethine compound was placed in a 5 ml screw tube.
And 1 ml of methyl ethyl ketone, and Mix-Rot
The mixture was stirred and dissolved at 25 ° C. overnight at or, and the presence or absence of insolubles was visually checked. If there is no insoluble matter, the solubility is 20% or more,
The case where the insoluble matter remained was determined to be less than 20%.

【0133】ポリメチン化合物200mgの代わりに、
各ポリメチン化合物150mg、100mg、50m
g、30mg及び10mgを用いた以外は同じ操作を行
って、同様にして溶解度を測定した。これらの結果を表
2に示す。
Instead of 200 mg of polymethine compound,
Each polymethine compound 150mg, 100mg, 50m
g, 30 mg and 10 mg were used, and the solubility was measured in the same manner. Table 2 shows the results.

【0134】[0134]

【表2】 表1、表2の具体例化合物(55)は実施例8で合成した
化合物を用いて測定した。
[Table 2] The specific compound (55) in Tables 1 and 2 was measured using the compound synthesized in Example 8.

【0135】[実施例13] 近赤外線吸収剤の製造 平均厚さ5μmのポリエチレンテレフタレート(PET)
フィルムにバインダーとしてデルペット80N(旭化成
工業(株)製;アクリル系樹脂);10g、具体例の化合
物(11);0.2gをトルエン/メチルエチルケトン(1
/1)混合溶媒90gに溶解した液を、ワイヤーバーで
乾燥後の膜厚が約5μmとなるよう塗布して試料とし
た。
Example 13 Production of Near-Infrared Absorber Polyethylene terephthalate (PET) having an average thickness of 5 μm
As a binder for the film, Delpet 80N (acrylic resin manufactured by Asahi Kasei Kogyo Co., Ltd.); 10 g, a specific compound (11); 0.2 g of toluene / methyl ethyl ketone (1
/ 1) A solution dissolved in 90 g of the mixed solvent was applied using a wire bar so that the film thickness after drying was about 5 μm, to obtain a sample.

【0136】単一モード半導体レーザー(波長830n
m)のレーザー光をレンズで集光し、上記試料の表面で
ビーム径10μmとなるように配置した。表面に到達す
るレーザーのパワーが50〜200mWの範囲で変化で
きるように半導体レーザーを調整し、20μsのパルス
幅で単一のパルスを試料に照射した。照射を完了した試
料を光学顕微鏡で観察したところ、表面に到達するレー
ザーのパワーが50mW時、直径約10μmの貫通した
孔が形成されていることが確認できた。
A single mode semiconductor laser (wavelength 830n)
The laser light of m) was condensed by a lens and arranged so as to have a beam diameter of 10 μm on the surface of the sample. The semiconductor laser was adjusted so that the power of the laser reaching the surface could be changed in the range of 50 to 200 mW, and a single pulse was applied to the sample with a pulse width of 20 μs. When the irradiated sample was observed with an optical microscope, it was confirmed that a through hole having a diameter of about 10 μm was formed when the laser power reaching the surface was 50 mW.

【0137】[実施例14] 近赤外線吸収剤の製造 実施例13において、具体例の化合物(11);0.2g
の代わりに具体例の化合物(19);0.2gを用いた以
外は実施例9と同様の操作を行った。照射を完了した試
料を光学顕微鏡で観察したところ、表面に到達するレー
ザーのパワーが50mW時、直径約10μmの貫通した
孔が形成されていることが確認できた。
Example 14 Production of Near-Infrared Absorber In Example 13, compound (11) as a specific example; 0.2 g
The same operation as in Example 9 was performed, except that 0.2 g of the compound (19) of the specific example was used instead of. When the irradiated sample was observed with an optical microscope, it was confirmed that a through hole having a diameter of about 10 μm was formed when the laser power reaching the surface was 50 mW.

【0138】[実施例15] ダイレクト製版用印刷原
版の作製 (下塗り層の形成)厚さ175μmのポリエチレンテレフ
タレートフィルム上にプライマー層として、乾燥膜厚
0.2μmとなるようにゼラチン下塗り層を形成した。
Example 15 Preparation of Printing Plate for Direct Plate Making (Formation of Undercoat Layer) A gelatin undercoat layer was formed as a primer layer on a 175 μm-thick polyethylene terephthalate film so as to have a dry film thickness of 0.2 μm. .

【0139】(光熱変換層の形成)下記の成分で作成した
塗布液を前記のゼラチン下塗りポリエチレンテレフタレ
ート上に乾燥膜厚2μmとなるように塗布し、光熱変換
層を形成した。 具体例の化合物(11) 0.1重量部 クリスボン3006LV 5.0重量部 (大日本インキ化学工業(株)製ポリウレタン) ソルスパースS27000(ICI社製) 0.4重量部 ニトロセルロース(n−プロパノール30%含有) 4.2重量部 キシリレンジアミン1モル/グリシジルメタクリレート4モルの付加物 2.0重量部 エチルミヒラーズケトン 0.2重量部 テトラヒドロフラン 90 重量部
(Formation of Light-to-Heat Conversion Layer) A coating solution prepared with the following components was coated on the above-mentioned gelatin-subbed polyethylene terephthalate to a dry film thickness of 2 μm to form a light-to-heat conversion layer. Compound (11) of specific example 0.1 part by weight Crisbon 3006LV 5.0 parts by weight (polyurethane manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) Solsperse S27000 (manufactured by ICI) 0.4 part by weight Nitrocellulose (n-propanol 30) 4.2 parts by weight Xylylenediamine 1 mol / adduct of glycidyl methacrylate 4 mols 2.0 parts by weight Ethyl Michler's ketone 0.2 parts by weight Tetrahydrofuran 90 parts by weight

【0140】(シリコンゴム層の形成)下記の成分で作成
した塗布液を前記の光熱変換層上に乾燥膜厚2μmとな
るように塗布し、シリコンゴム層を形成した。 α,ω−ジビニルポリジメチルシロキサン(重合度約700) 9.0重量部 (CH)Si-O-(SiH(CH)-O)-Si(CH) 0.6重量部 ポリジメチルシロキサン(重合度約8000) 0.5重量部 オレフィン−塩化白金酸 0.08重量部 抑制剤 HC≡C-C(CH)-O-Si(CH) 0.07重量部 アイソパーG(エッソ化学(株)製) 55 重量部
(Formation of Silicon Rubber Layer) A coating liquid prepared with the following components was applied onto the above-mentioned light-to-heat conversion layer so as to have a dry film thickness of 2 μm to form a silicon rubber layer. α, ω-divinylpolydimethylsiloxane (degree of polymerization: about 700) 9.0 parts by weight (CH 3 ) 3 Si-O- (SiH (CH 3 ) -O) 8 -Si (CH 3 ) 3 0.6 parts by weight Polydimethylsiloxane (degree of polymerization: about 8000) 0.5 parts by weight Olefin-chloroplatinic acid 0.08 parts by weight Inhibitor HC @ CC (CH 3 ) 2 -O-Si (CH 3 ) 3 0.07 parts by weight Isopar G (Esso Chemical Co., Ltd.) 55 parts by weight

【0141】上記のようにして得られた印刷用原版に、
版面上のパワーが110mWとなるようにビーム径10
μm、発振波長830nmの半導体レーザーを用いて書
き込みを行った。レーザー記録感度は200mJ/cm
、解像力8μmでシャープなエッジの印刷版が形成で
きた。
[0141] The printing original plate obtained as described above
The beam diameter should be 10 so that the power on the plate is 110 mW.
Writing was performed using a semiconductor laser having an oscillation wavelength of 830 nm. Laser recording sensitivity is 200mJ / cm
2. A printing plate having a sharp edge was formed at a resolution of 8 μm.

【0142】[実施例16] ダイレクト製版用印刷原
版の作製 実施例15において、具体例の化合物(11);0.1重
量部の代わりに具体例の化合物(47);0.1重量部を
用いた以外は実施例11と同様の操作で印刷用原版を作
製した。
Example 16 Preparation of a printing plate precursor for direct plate making In Example 15, 0.1 part by weight of the compound (47) of the specific example was replaced by 0.1 part by weight of the compound (11) of the specific example. A printing original plate was prepared in the same manner as in Example 11 except for using the same.

【0143】上記のようにして得られた印刷用原版に、
版面上のパワーが110mWとなるようにビーム径10
μm、発振波長830nmの半導体レーザーを用いて書
き込みを行った。レーザー記録感度は200mJ/cm
、解像力8μmでシャープなエッジの印刷版が形成で
きた。
The printing original plate obtained as described above includes
The beam diameter should be 10 so that the power on the plate is 110 mW.
Writing was performed using a semiconductor laser having an oscillation wavelength of 830 nm. Laser recording sensitivity is 200mJ / cm
2. A printing plate having a sharp edge was formed at a resolution of 8 μm.

【0144】[実施例17] ダイレクト製版用印刷原
版の作製 実施例15において、具体例の化合物(11);0.1重
量部の代わりに表1の化合物(55);0.1重量部を用
いた以外は実施例11と同様の操作で印刷用原版を作製
した。
[Example 17] Preparation of a printing plate precursor for direct plate making In Example 15, the compound (55) shown in Table 1 was replaced by 0.1 part by weight instead of the compound (11) of the specific example; A printing original plate was prepared in the same manner as in Example 11 except for using the same.

【0145】上記のようにして得られた印刷用原版に、
版面上のパワーが110mWとなるようにビーム径10
μm、発振波長830nmの半導体レーザーを用いて書
き込みを行った。レーザー記録感度は200mJ/cm
、解像力8μmでシャープなエッジの印刷版が形成で
きた。
The printing plate obtained as described above is
The beam diameter should be 10 so that the power on the plate is 110 mW.
Writing was performed using a semiconductor laser having an oscillation wavelength of 830 nm. Laser recording sensitivity is 200mJ / cm
2. A printing plate having a sharp edge was formed at a resolution of 8 μm.

【0146】[比較例1]実施例13において、具体例
の化合物(11);0.2gの代わりに特開昭63−31
9191号公報記載の下記構造式のポリメチン化合物;
0.2gを用いた以外は実施例13と同様の操作を行っ
た。照射を完了した試料を光学顕微鏡で観察したとこ
ろ、表面に到達するレーザーのパワーが100mWにお
いても貫通した孔は形成されなかった。
[Comparative Example 1] In Example 13, compound (11) of specific example;
No. 9191, a polymethine compound having the following structural formula;
The same operation as in Example 13 was performed except that 0.2 g was used. When the irradiated sample was observed with an optical microscope, no through hole was formed even when the laser power reaching the surface was 100 mW.

【0147】[0147]

【化35】 Embedded image

【0148】[比較例2]実施例13において、具体例
の化合物(11);0.2gの代わりにJournal ofOrgani
c Chemistry,60,2392,Table1.記載の下記構造式のポリ
メチン化合物;0.2gを用いた以外は実施例13と同
様の操作を行った。照射を完了した試料を光学顕微鏡で
観察したところ、表面に到達するレーザーのパワーが5
0mWにおいては貫通した孔は形成されなかった。
[Comparative Example 2] In Example 13, the compound of the specific example (11);
c The same operation as in Example 13 was performed except that 0.2 g of a polymethine compound having the following structural formula described in Chemistry, 60, 2392, Table 1. was used. When the irradiated sample was observed with an optical microscope, the power of the laser reaching the surface was 5
At 0 mW, no through hole was formed.

【0149】[0149]

【化36】 Embedded image

【0150】[0150]

【発明の効果】一般式(I)のポリメチン化合物は、可視
域の吸収が小さく、この化合物を含有する近赤外線吸収
剤は、レーザー光に対する感度が良好で光熱変換効率が
高く、例えば、高速記録ができ、高密度、高画質の画像
を与えるレーザー熱転写記録材料、レーザー感熱記録材
料等に好適に用いることができる。また、一般式(I)の
ポリメチン化合物は、ダイレクト製版用印刷原版の光熱
変換層の作製に用いる種々の溶剤に対する溶解性が極め
て高く、種々のバインダー樹脂等との相溶性が良いため
塗工液が調整しやすく、均一な光熱変換層を形成できる
ため、ダイレクト製版用印刷原版の製造に特に適してい
る。
The polymethine compound of the general formula (I) has low absorption in the visible region, and a near-infrared absorbing agent containing this compound has good sensitivity to laser light and high photothermal conversion efficiency. It can be suitably used as a laser thermal transfer recording material, a laser thermal recording material, or the like that provides a high-density, high-quality image. Further, the polymethine compound of the general formula (I) has extremely high solubility in various solvents used for producing a photothermal conversion layer of a printing plate for direct plate making, and has good compatibility with various binder resins and the like, so that a coating liquid It is particularly suitable for the production of a printing plate precursor for direct plate making because it is easy to adjust and a uniform light-to-heat conversion layer can be formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例1のポリメチン化合物のIR吸収スペク
トルである。
FIG. 1 is an IR absorption spectrum of the polymethine compound of Example 1.

【図2】実施例2のポリメチン化合物のIR吸収スペク
トルである。
FIG. 2 is an IR absorption spectrum of the polymethine compound of Example 2.

【図3】実施例3のポリメチン化合物のIR吸収スペク
トルである。
FIG. 3 is an IR absorption spectrum of the polymethine compound of Example 3.

【図4】実施例4のポリメチン化合物のIR吸収スペク
トルである。
FIG. 4 is an IR absorption spectrum of the polymethine compound of Example 4.

【図5】実施例5のポリメチン化合物のIR吸収スペク
トルである。
FIG. 5 is an IR absorption spectrum of the polymethine compound of Example 5.

【図6】実施例6のポリメチン化合物のIR吸収スペク
トルである。
FIG. 6 is an IR absorption spectrum of the polymethine compound of Example 6.

【図7】実施例7のポリメチン化合物のIR吸収スペク
トルである。
FIG. 7 is an IR absorption spectrum of the polymethine compound of Example 7.

【図8】実施例8のポリメチン化合物のIR吸収スペク
トルである。
FIG. 8 is an IR absorption spectrum of the polymethine compound of Example 8.

【図9】実施例1のポリメチン化合物のジアセトンアル
コール中のVIS−NIR吸収スペクトルである。
FIG. 9 is a VIS-NIR absorption spectrum of the polymethine compound of Example 1 in diacetone alcohol.

【図10】実施例5のポリメチン化合物のジアセトンア
ルコール中のVIS−NIR吸収スペクトルである。
FIG. 10 is a VIS-NIR absorption spectrum of the polymethine compound of Example 5 in diacetone alcohol.

【図11】実施例7のポリメチン化合物のジアセトンア
ルコール中のVIS−NIR吸収スペクトルである。
FIG. 11 is a VIS-NIR absorption spectrum of the polymethine compound of Example 7 in diacetone alcohol.

【図12】実施例9のポリメチン化合物の粉末X線回折
図である。
FIG. 12 is a powder X-ray diffraction chart of the polymethine compound of Example 9.

【図13】実施例10のポリメチン化合物の粉末X線回
折図である。
FIG. 13 is a powder X-ray diffraction chart of the polymethine compound of Example 10.

【図14】実施例11のポリメチン化合物の粉末X線回
折図である。
FIG. 14 is a powder X-ray diffraction chart of the polymethine compound of Example 11.

【図15】実施例12のポリメチン化合物の粉末X線回
折図である。
FIG. 15 is a powder X-ray diffraction chart of the polymethine compound of Example 12.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09K 3/00 105 C09K 3/00 105 G03C 1/20 G03C 1/20 G03F 7/004 505 G03F 7/004 505 G03G 5/05 104 G03G 5/05 104B (72)発明者 千々石 圭希 大阪府八尾市弓削町南1丁目43番地 山本 化成株式会社内 (72)発明者 岩崎 泰久 大阪府八尾市弓削町南1丁目43番地 山本 化成株式会社内──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C09K 3/00 105 C09K 3/00 105 G03C 1/20 G03C 1/20 G03F 7/004 505 G03F 7/004 505 G03G 5/05 104 G03G 5/05 104B (72) Inventor Yoshiki Chichiishi 1-43, Yugecho Minami, Yao-shi, Osaka Inside Yamamoto Kasei Co., Ltd. (72) Inventor Yasuhisa Iwasaki 1-43, Yugecho Minami, Yao-shi, Osaka Address Yamamoto Kasei Co., Ltd.

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】下記一般式(I)で表されるポリメチン化合
物。 【化1】 (式中、Rは置換基を有してもよいアルコキシ基を示
し、Rは置換基を有してもよいアルキル基を示し、R
、Rはそれぞれ低級アルキル基を示し、またR
は互いに連結して環状構造を形成しても良く、Xは
水素原子、ハロゲン原子または置換アミノ基を示し、Y
は置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有
してもよいアルキル基を示し、Zは電荷中和イオンを表
す。)
1. A polymethine compound represented by the following general formula (I). Embedded image (Wherein, R 1 represents an alkoxy group which may have a substituent, R 2 represents an alkyl group which may have a substituent,
3, R 4 each represent a lower alkyl group, and R 3 and R 4 may combine with each other to form a cyclic structure, X is a hydrogen atom, a halogen atom or a substituted amino group, Y
Represents an alkoxy group which may have a substituent or an alkyl group which may have a substituent, and Z represents a charge neutralizing ion. )
【請求項2】Rが炭素数1〜4のアルコキシ基であ
り、Rが炭素数1〜8のアルキル基、総炭素数2〜8
のアルコキシアルキル基、炭素数1〜8のスルホアルキ
ル基、または総炭素数2〜9のカルボキシアルキル基で
あり、Yが炭素数1〜4のアルコキシ基または炭素数1
〜4のアルキル基である請求項1のポリメチン化合物。
2. R 1 is an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, R 2 is an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and a total number of 2 to 8 carbon atoms.
Is an alkoxyalkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a carboxyalkyl group having 2 to 9 carbon atoms, wherein Y is an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or 1 carbon atom.
The polymethine compound according to claim 1, which is an alkyl group of (1) to (4).
【請求項3】ZがCl、Br、I、ClO
BF 、CFCO 、PF 、SbF 、C
SO またはp−トルエンスルホネート、N
、Kまたはトリエチルアンモニウムイオンである
請求項1または2のポリメチン化合物。
3. The method according to claim 1, wherein Z is Cl , Br , I , ClO 4 ,
BF 4 , CF 3 CO 2 , PF 6 , SbF 6 , C
H 3 SO 3 - or p- toluenesulfonate, N
3. The polymethine compound according to claim 1, which is a + , K + or triethylammonium ion.
【請求項4】R、Rがメチル基、RとRが互い
に連結して形成されたシクロペンタン環またはRとR
が互いに連結して形成されたシクロヘキサン環である
請求項1〜3いずれかのポリメチン化合物。
Wherein R 3, R 4 is a methyl group, R 3 and cyclopentane ring or R 3 where R 4 is formed by connecting together R
The polymethine compound according to any one of claims 1 to 3, wherein 4 is a cyclohexane ring formed by linking each other.
【請求項5】XがH、Cl、Brまたはジフェニルアミ
ノ基である請求項1〜4いずれかのポリメチン化合物。
5. The polymethine compound according to claim 1, wherein X is H, Cl, Br or a diphenylamino group.
【請求項6】Cu−Kα線による粉末X線回折法におけ
る回折角(2θ±0.2°)11.6°、14.6°、1
5.6°、19.6°、22.9°に特徴的なピークを
示す粉末X線回折図により特徴づけられる下記式で表さ
れる2−(2−{2−クロロ−3−[(1,3−ジヒドロ
−3,3,7−トリメチル−5−メトキシ−1−メトキ
シエチル−2H−インドール−2−イリデン)エチリデ
ン]−1−シクロヘキセン−1−イル}エテニル)−
3,3,7−トリメチル−5−メトキシ−1−メトキシ
エチルインドリウム=テトラフルオロボレートの低融点
結晶変態である請求項1のポリメチン化合物。 【化2】
6. A diffraction angle (2θ ± 0.2 °) of 11.6 °, 14.6 °, 1 ° in a powder X-ray diffraction method using Cu-Kα ray.
2- (2- {2-chloro-3-[() represented by the following formula characterized by a powder X-ray diffraction pattern showing characteristic peaks at 5.6 °, 19.6 ° and 22.9 °. 1,3-dihydro-3,3,7-trimethyl-5-methoxy-1-methoxyethyl-2H-indole-2-ylidene) ethylidene] -1-cyclohexen-1-yl {ethenyl)-
2. The polymethine compound according to claim 1, which is a low-melting crystalline modification of 3,3,7-trimethyl-5-methoxy-1-methoxyethylindolium = tetrafluoroborate. Embedded image
【請求項7】Cu−Kα線による粉末X線回折法におけ
る回折角(2θ±0.2°)8.4°に特徴的な非常に強
いピークを示す粉末X線回折図により特徴づけられる下
記式で表される2−(2−{2−クロロ−3−[(1,3
−ジヒドロ−3,3,7−トリメチル−5−メトキシ−
1−メトキシエチル−2H−インドール−2−イリデ
ン)エチリデン]−1−シクロヘキセン−1−イル}エ
テニル)−3,3,7−トリメチル−5−メトキシ−1
−メトキシエチルインドリウム=テトラフルオロボレー
トの高融点結晶変態である請求項1のポリメチン化合
物。 【化3】
7. A powder X-ray diffraction pattern showing a very strong peak characteristic at a diffraction angle (2θ ± 0.2 °) of 8.4 ° in powder X-ray diffraction by Cu-Kα ray. 2- (2- {2-chloro-3-[(1,3
-Dihydro-3,3,7-trimethyl-5-methoxy-
1-methoxyethyl-2H-indole-2-ylidene) ethylidene] -1-cyclohexen-1-yl {ethenyl) -3,3,7-trimethyl-5-methoxy-1
The polymethine compound according to claim 1, wherein -methoxyethylindolium is a high melting point crystalline modification of tetrafluoroborate. Embedded image
【請求項8】Cu−Kα線による粉末X線回折法におけ
る回折角(2θ±0.2°)13.3°、17.4°、1
9.8°、21.8°、26.9°に特徴的なピークを
示す粉末X線回折図により特徴づけられる下記式で表さ
れる2−(2−{2−クロロ−3−[(1,3−ジヒドロ
−3,3,7−トリメチル−5−メトキシ−1−メトキ
シエチル−2H−インドール−2−イリデン)エチリデ
ン]−1−シクロヘキセン−1−イル}エテニル)−
3,3,7−トリメチル−5−メトキシ−1−メトキシ
エチルインドリウム=テトラフルオロボレートの結晶性
メタノール付加物である請求項1のポリメチン化合物。 【化4】
8. A diffraction angle (2θ ± 0.2 °) of 13.3 °, 17.4 °, 1 ° in a powder X-ray diffraction method using Cu-Kα ray.
2- (2- {2-chloro-3-[() represented by the following formula characterized by a powder X-ray diffraction pattern showing characteristic peaks at 9.8 °, 21.8 °, and 26.9 °. 1,3-dihydro-3,3,7-trimethyl-5-methoxy-1-methoxyethyl-2H-indole-2-ylidene) ethylidene] -1-cyclohexen-1-yl {ethenyl)-
The polymethine compound according to claim 1, which is a crystalline methanol adduct of 3,3,7-trimethyl-5-methoxy-1-methoxyethylindolium = tetrafluoroborate. Embedded image
【請求項9】Cu−Kα線による粉末X線回折法におけ
る回折角(2θ±0.2°)に特徴的なピークを示さない
粉末X線回折図により特徴づけられる下記式で表される
2−(2−{2−クロロ−3−[(1,3−ジヒドロ−
3,3,7−トリメチル−5−メトキシ−1−メトキシ
エチル−2H−インドール−2−イリデン)エチリデ
ン]−1−シクロヘキセン−1−イル}エテニル)−
3,3,7−トリメチル−5−メトキシ−1−メトキシ
エチルインドリウム=テトラフルオロボレートの無定形
物である請求項1のポリメチン化合物。 【化5】
9. A compound represented by the following formula, which is characterized by an X-ray powder diffractogram showing no characteristic peak at a diffraction angle (2θ ± 0.2 °) in a powder X-ray diffraction method using Cu-Kα ray. -(2- {2-chloro-3-[(1,3-dihydro-
3,3,7-trimethyl-5-methoxy-1-methoxyethyl-2H-indole-2-ylidene) ethylidene] -1-cyclohexen-1-yl {ethenyl)-
The polymethine compound according to claim 1, which is an amorphous product of 3,3,7-trimethyl-5-methoxy-1-methoxyethylindolinium tetrafluoroborate. Embedded image
【請求項10】下記一般式(II)で表されるインドレニウ
ム化合物と、下記一般式(III)で表されるジホルミル化
合物または(IV)で表されるジアニル化合物を脂肪酸塩の
存在下、脱水性有機酸を用いて縮合させることを特徴と
する請求項1のポリメチン化合物の製造方法。 【化6】 (式中、Rは置換基を有してもよいアルコキシ基を示
し、Rは置換基を有してもよいアルキル基を示し、R
、Rはそれぞれ低級アルキル基を示し、またR
は互いに連結して環状構造を形成しても良く、Yは
置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有し
てもよいアルキル基を示し、Zは電荷中和イオンを表
わし、nは0または1の数を表す。) 【化7】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子または置換アミノ
基を示す。) 【化8】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子または置換アミノ
基を示す。)
10. An indolenium compound represented by the following general formula (II) and a diformyl compound represented by the following general formula (III) or a dianyl compound represented by the following (IV) are dehydrated in the presence of a fatty acid salt. The method for producing a polymethine compound according to claim 1, wherein the condensation is carried out using a neutral organic acid. Embedded image (Wherein, R 1 represents an alkoxy group which may have a substituent, R 2 represents an alkyl group which may have a substituent,
3 and R 4 each represent a lower alkyl group; R 3 and R 4 may be linked to each other to form a cyclic structure; and Y has an alkoxy group or a substituent which may have a substituent. And Z 1 represents a charge neutralizing ion, and n represents a number of 0 or 1. ) (In the formula, X represents a hydrogen atom, a halogen atom or a substituted amino group.) (In the formula, X represents a hydrogen atom, a halogen atom or a substituted amino group.)
【請求項11】請求項1記載のポリメチン化合物の結晶
性溶媒付加物または無定形物を溶剤処理することを特徴
とする請求項1記載のポリメチン化合物の低融点結晶物
の製造方法。
11. A process for producing a crystalline low melting point polymethine compound according to claim 1, wherein the crystalline solvent adduct or the amorphous product of the polymethine compound according to claim 1 is treated with a solvent.
【請求項12】請求項1記載のポリメチン化合物をケト
ン系またはアルコール系溶剤で再結晶することを特徴と
する請求項1記載のポリメチン化合物の高融点結晶物の
製造方法。
12. The method for producing a high melting point crystalline product of the polymethine compound according to claim 1, wherein the polymethine compound according to claim 1 is recrystallized with a ketone or alcohol solvent.
【請求項13】請求項1記載のポリメチン化合物を含有
することを特徴とする近赤外線吸収剤。
13. A near-infrared absorbing agent comprising the polymethine compound according to claim 1.
【請求項14】支持体上に光熱変換層を設けてなるダイ
レクト製版用印刷原版において、光熱変換層中に請求項
1のポリメチン化合物を含有することを特徴とするダイ
レクト製版用印刷原版。
14. A printing plate precursor for direct plate making comprising a light-to-heat conversion layer provided on a support, wherein the polymethine compound according to claim 1 is contained in the light-to-heat conversion layer.
【請求項15】請求項14のダイレクト製版用印刷原版
に、光源として750nm〜900nmに発光領域を持
つ半導体レーザー光を照射して印刷版を作製する方法。
15. A method for producing a printing plate by irradiating a printing plate precursor for direct plate making according to claim 14 with a semiconductor laser beam having a light emitting region at 750 to 900 nm as a light source.
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