JP2001059952A

JP2001059952A - 液晶表示装置のセルギャップ測定法及び測定装置

Info

Publication number: JP2001059952A
Application number: JP11235476A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Terashita; 慎一寺下
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1999-08-23
Filing date: 1999-08-23
Publication date: 2001-03-06

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】簡便、短時間測定、非破壊で、正確なセル厚
の測定が可能で、空セル及び注入された多種の液晶層の
ギャップの寸法を求めることができる液晶表示装置のセ
ルギャップ測定法及び測定装置を提供する。【解決手段】所定の寸法のセルギャップをなして貼り
合わせた一対の電極付き基板と一対の電極付き基板に挟
持された液晶層とを有する液晶セルを備える液晶表示装
置２のセルギャップ測定法において、近赤外光を液晶セ
ルに照射し、セルギャップで近赤外光を反射干渉させ、
得られた干渉波形を解析して算出する。Ｘ−Ｙステージ
１５と、近赤外光を光源１１とするＦＴ−ＮＩＲ分光器
１２と、液晶セルからの反射干渉光を検出する検出器ユ
ニット１６と、得られた干渉縞のスペクトルをフーリエ
変換法又は最大エントロピー法（ＭＥＭ）によってセル
ギャップを解析し算出する解析算出ユニット１７と、を
具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置のセ
ルギャップ測定法及び測定装置であり、正確なギャップ
測定が可能な液晶表示装置のセル厚測定に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブ駆動方式のＴＦＴ素子やＰＡ
ＬＣ（プラズマアドレス液晶）素子とデューティー方式
のＳＴＮは、表示装置として多用されており、特にＰＡ
ＬＣ素子はプラズマ放電を用いたスイッチング素子であ
り、超大型ディスプレイへの適用が注目されている。特
に、ＰＡＬＣパネルは、ＴＦＴのような半導体プロセス
を含まないので低コストであり、低消費電力の大型液晶
表示装置としての可能性に注目が集められている。上述
した液晶表示素子は、軽量、薄型、低消費電力等の特徴
を持っており、かかる液晶表示素子は、来るマルチメデ
ィア社会でのキーデバイスとして、各種ＯＡ、ＡＶ機器
分野等で応用開発がなされている。この液晶表示素子に
は、両電極基板の近傍付近でネマティック液晶分子が約
９０°ねじれているＴＮ表示モード、又は、液晶分子が
１８０°以上ねじれているＳＴＮ表示モードが多用され
ている。

【０００３】また、特開平１０−１８６３３０号公報に
は、広視野角特性を有し良好な表示品位が得られる、液
晶表示装置１００が開示されている。この液晶表示装置
において、セル厚は表示色や応答速度、配向の安定性等
に密接に関係しており、より高精度な測定法が求められ
ている。さらに、セル厚の正確な値の情報は、液晶表示
装置の設計や評価を行なう上でも非常に重要である。従
来では、液晶材料が注入されていない空セルの状態にお
いて、光干渉法を用いた測定法、液晶が注入されたセル
に対しては、クリスタルローテンション法を用い、液晶
層のリタデーションを測定して、セルギャップを求める
セル厚測定機器が多く市販されている。

【０００４】光干渉法による空セル厚測定ではＩＴＯ、
配向膜、カラーフィルターなどがあるために、各層で多
重干渉してしまい、その分離が複雑になり、正確さを欠
くので、高確度な値を求めることが難しいという問題が
見られた。さらに、液晶セルに液晶材料が封入された時
では、液晶層と基板との屈折率差が小さいために基板で
の界面反射が起こりにくく干渉縞が現れないので、液晶
が注入されたセル厚を求めることが原理的にできない間
題がある。

【０００５】一方のクリスタルローテンション法では、
ノーマリーホワイト表示の液晶の誘電異方性が正のＮｐ
液晶セルにおいてのみ測定が可能である。２枚の平行な
基板間に挟まれた液晶が基板に対し１軸性の水平配向し
ている時、基板面から入射した光は、液晶の屈折率異方
性により、二つの成分に分離して進行する。したがっ
て、光透過強度の入射角依存性により、セル厚を求める
ことができる。

【０００６】特開平３−１１５８０４号公報は、セル厚
測定器の下側透明絶縁性基板のラビング方向と、測定対
象液晶パネルの上側透明絶縁性基板のラビングとが互い
に直交するように重ね合わせ、さらにこれらパネルの両
側に吸収軸方向が互いに直交する２枚の偏光板を配置す
ることにより、小型軽量の測定器を得る。特開平４−０
８０６４１号公報において、液晶セルを２つの偏光子の
間に配置したときの透過するスペクトルを偏光子の角度
を９０度変えて比較することにより、液晶セルの光学位
相差やセル厚、液晶複屈折を正確に得られるようにする
とある。そして、特開平４−１８４２０７号公報におい
ては、印加する電圧を変化させながら透過光量を検出
し、透過光量が最低となる電圧を求めることにより、簡
便かつ正確な測定を可能とするとある。また、特開平５
−７１９２４号公報には、誘電異方性が正のＮｐ液晶が
注入された液晶セルを閾値電圧の５０倍以上の高電圧、
もしくは、磁界の５０倍以上の高磁界をかけながら測定
するとある。特開平９−９０３７１号公報には、液晶表
示装置の製造方法として、液晶組成物を封入する前に、
空セルを液晶封入後と同等の内圧にするために外面から
該空セルを加圧しながら単色ビームを照射し、干渉縞の
分布を観測して、空セル内のギャップの均一性が検査で
きるとしている。特開平１０−２３２１１３号公報に
は、紫外光または近紫外光が配向膜に照射された時に、
該配向膜が蛍光を発生することに着目したもので、該ス
ポット光を空セルに照射して、両配向膜の表面が発生す
る蛍光のみをＣＣＤセンサの素子に受光することによ
り、該空セルのギャップを測定することができるとあ
る。以上のように、セル厚を測定する方法においてさま
ざまな手法の提案がなされている。

【０００７】したがって、空セルのみ測定が可能な可視
光の光源を用いた光干渉法、電圧無印加時に水平配向の
Ｎｐ液晶セルの基板に偏光光を入射させた時、基板に平
行な面内方向において位相差が生じる透過率の入射角依
存性を測定するクリスタルローテンション法や上記その
他の測定法等では、カラーフィルター付きの液晶セル
で、カラーフィルター上や、液晶駆動素子基板上に凹凸
があり、電圧無印加時には垂直配向で、液晶の誘電異方
性が負のＮｎ液晶を注入したセルを電界や磁界をかけな
い状態で簡便に、透過光量の入射角依存性を測定するこ
とで液晶セルのリターデションを求めることは不可能で
あった。つまり、基板に対して液晶分子が垂直配向した
状態では、基板面内方向に光学位相差が無い状態（等方
性）であるから測定不可能であった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記課題を
解決するものであり、液晶セルに電圧をかけずに、簡
便、短時間測定、非破壊で、正確なセル厚の測定を可能
にし、また、液晶が未封入の空セルだけでなく、液晶材
料が注入された液晶層のギャップの寸法を求めることが
でき、そして、誘電異方性が正または負のネマチック液
晶や強誘電液晶等のあらゆる液晶材料で、さらに、液晶
層内でＴＮ，ＳＴＮ，ＨＡＮ，ＯＣＢ，ＡＳＭ等あらゆ
る配向状態にある液晶表示装置でも可能である液晶表示
装置のセルギャップ測定法及び測定装置を提供するもの
である。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、所定の寸法の
セルギャップをなして貼り合わせた一対の電極付き基板
と該一対の電極付き基板に挟持された液晶層とを有する
液晶セルを備える液晶表示装置のセルギャップ測定法に
おいて、近赤外光を液晶セルに照射し、セルギャップで
近赤外光を反射干渉させ、得られた干渉波形を解析して
算出する液晶表示装置のセルギャップ測定法である。

【００１０】また、本発明は、測定対象となる液晶セル
を備える液晶表示装置をセットするＸ−Ｙステージと、
近赤外光を光源とするＦＴ−ＮＩＲ分光器と、液晶セル
からの反射干渉光を検出する検出器ユニットと、得られ
た干渉縞のスペクトルを山と谷の間隔を計測するピーク
ピッキング法、フーリエ変換法又は最大エントロピー法
（ＭＥＭ）によってセルギャップを解析し算出する解析
算出ユニットと、を具備する液晶表示装置のセルギャッ
プ測定装置である。

【００１１】そして、本発明は、測定対象の液晶セル
は、セルギャップ内に液晶材料が注入された状態の液晶
セル又は液晶材料が未注入の状態の液晶セルである液晶
表示装置のセルギャップ測定装置である。

【００１２】更に、本発明は、測定対象の液晶セルは、
一方のガラス基板上にはカラーフィルターと透明電極と
垂直配向膜又は水平配向膜とが順次積層されており、他
方の基板上には液晶駆動素子及び画素電極と配向膜とが
順次形成されている液晶セルである液晶表示装置のセル
ギャップ測定装置である。

【００１３】また、本発明は、測定対象の液晶セルを備
える液晶表示装置は、ＴＦＴ又はＰＡＬＣ等の駆動素子
を用いた反射型又は透過型液晶表示装置である液晶表示
装置のセルギャップ測定装置である。

【００１４】そして、本発明は、測定対象の液晶セル
は、液晶分子の配向がＴＮ、ＳＴＮ、垂直配向（Ｖ
Ａ）、ハイブリット（ＨＡＮ）である液晶表示装置のセ
ルギャップ測定装置である。

【００１５】本発明の液晶表示装置の測定法及び測定装
置によれば、近赤外光を光源とするフーリエ変換近赤外
分光器（ＦＴ−ＮＩＲ）を用いて、近赤外光での光干渉
の反射分光で、得られた干渉縞の波形（スペクトル）を
解析することにより、液晶セルのセルギャップを求める
ことができる。近赤外光の光源としてはハロゲンランフ
゜等が好適に用いられ、ＦＴ−ＮＩＲの分光器は公知の
技術であるマイケルソンやマハツエンダー等の干渉計
に、Ｈｅ−Ｎｅレーザー等で光源の波長が校正されてお
り、検出器としては、Ｇｅ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｓの
半導体結晶が好適である。液晶表示装置の測定でえられ
た干渉縞波形からセルギャップを求める公知の技術の解
析手法として、干渉縞の山と谷の間隔より求めるピーク
ピッキング法があり、また、干渉縞の山と谷の周波数解
析のフーリエ変換（ＦＦＴ）法、干渉縞の波形のカーブ
フィッテングの最大エントロピー法などを適応できる。
本発明では、これらの解析手法により解析し算出する解
析算出ユニットを使用する。

【００１６】測定領域は約１０ｍｍφから約５０μｍφ
まで測定が可能であるが、特に１ｍｍφから５０μｍφ
の領域では、入射ビームをより平行光を保つよう光学レ
ンズで集光し、さらにアパーチャーでビームを紋り込む
ことが可能である。ビームを絞らないで測定すると、測
定領域の平均化された測定値となる。特に、液晶表示装
置のカラーフィルター上や、液晶駆動素子基板上に凹凸
がある場合は、所望の領域にビームを絞って測定するこ
とが好ましい。また、任意の測定領域をあらかじめ、位
置と焦点を合わせるためのｘ−ｙ−ｚ、ｘ−ｙ−ｚ−θ
ステージ又はｘ−ｙステージ、光学顕微鏡システムとそ
の画像を映すためのＣＣＤカメラ等とモニターが付帯装
置として備わっていることが好ましい。また、製造ライ
ンにおける検査装置として、測定領域を複数の任意の位
置を自動制御で位置と焦点を合わせる装置がさらに好ま
しい。

【００１７】近赤外光領域では液晶表示装置のガラス、
透明高分子、透明電極、液晶材料は透明であり、各部材
の電子、振動、回転による光の吸収による、光干渉波形
への影響が少ないので、高精度でのセルギャップの解析
を可能とする。また、ＦＴ−ＮＩＲ分光器は、各波長の
校正の精度が高く、光源強度のロスが少ない。

【００１８】また、カラーフィルター、透明電極や配向
膜の光干渉波形への影響が小さいので、セルギャップの
高精度の測定が可能である。

【００１９】そして、あらゆる液晶駆動素子の反射型ま
たは透過型液晶表示装置を測定することができる。

【００２０】更に、該セルギャップ測定方法では液晶材
料による干渉波形の影響が小さいので、液晶の配向に関
わらず測定が可能である。

【００２１】また、セル厚測定の短時間測定、液晶表示
装置の各構成部材に対しての非破壊測定、インラインで
の検査、低コストのセル厚測定装置の製作が可能であ
る。また、液晶注入機や液晶層ギャップ出し装置と本発
明のセルギャップ測定装置を組み合わせることにより、
液晶注入時間の条件出しや工程とセルギャップ検査を同
時に行うことができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の発明の実施の形態
について説明する。本発明の液晶表示装置の測定法及び
測定装置の実施例について、図１〜図９を用いて説明す
る。図１は、実施例１の液晶表示装置のセルギャップ測
定法で使用する測定装置の説明図である。図２は、実施
例１の測定法の測定対象である液晶表示装置の一例の模
式的な断面図である。図３は、実施例１の測定法の測定
対象である液晶表示装置における凸部パターンの説明図
である。図４は、実施例１の測定法の測定対象である液
晶表示装置の軸対称表示モードの説明図である。図５
は、実施例１の測定法によるセルギャップ測定結果の説
明図である。図６は、実施例２の液晶表示装置の測定で
得られた干渉縞波形のスペクトル図である。図７は、実
施例２の測定法における測定データのＦＦＴ解析データ
図である。図８は、実施例２の測定における測定対象の
液晶表示装置の模式的な断面図である。図９は、実施例
２の測定法におけるセルギャップ測定結果の説明図であ
る。

【００２３】本発明の液晶表示装置の測定法及び測定装
置を理解するために、まず、基本測定について、図１の
測定概念図を用いて説明する。測定装置の一例として
は、図１に示すように、光源１１、干渉計１２、制御コ
ンピュータ１３、平行ビームコンデンサ１４、ｘ−ｙ−
ｚステージ１５、検出器１６、干渉縞波形解析コンピュ
ータ１７、光学顕微鏡システム又は画像撮像システム１
８、などからなる。測定する液晶表示装置２をサンプル
ステージ１５にセットする。光源１１から出る近赤外光
は干渉計１２により波長が校正され、入射された近赤外
光は液晶表示装置２を通って反射して検出器１６によっ
て光量が検出される。サンプルステージ１５はｘ−ｙ−
ｚステージになっており、液晶表示装置２の全面におい
て、任意の点を測定できる。さらに、各波長または波数
に対して、干渉縞波形としてのスペクトルデーターが得
られ、このスペクトルデーターをＦＦＴ処理する。この
時、すべての解析パラメーターとして、液晶材料の屈折
率を１．５とし、ＩＴＯの膜厚２５０ｎｍ、屈折率１．
８、ＣＦの膜厚１μｍ、屈折率１．６、配向膜の膜厚１
００ｎｍ、屈折率１．６とした。解析して算出した光学
ギャップ（実効セルギャップ：セルギャップ×屈折率）
を液晶材料の屈折率で割り算することにより、セルギャ
ップを求めることができる。得られた干渉縞波形の解析
により、測定位置におけるセルギャップが求められる。

【００２４】実施例１を説明する。本実施例で使用する
液晶表示装置について、図２〜図４を用いて説明する。
液晶表示装置の液晶セルは、図２に示すように、ＣＦ
（第１）基板２１、ＢＭ２２、ＣＦ層２３、第１透明電
極２４、凸部（壁）２５、柱２６、第２ガラス基板２
７、第２透明電極２８、液晶２９を有している。ＣＦ基
板２１上にマトリックス状に形成されたＢＭ２２上に１
μｍの格子状の凸部２５をフォトリソ工程によって形成
した。樹脂材料は光硬化性のポリイミド材料またはアク
リル系光感光性材料を用いた。さらに、格子状の凸部２
５上に、第２凸部（柱）２６の厚さ５μｍのセル厚制御
部を、フォトリソ工程によって形成した。第２凸部
（柱）２６のパターンの一例を図３に示す。各凸部厚さ
の測定は接触段差計にて測定した。ＣＦ基板２１の作製
手順は、第１凸部２５をカラーフィルター層２３の上に
形成して、透明電極例えばＩＴＯ２４を形成し、第２凸
部２６を形成した。第２凸部２６の厚さを調整し、第１
凸部２５と第２凸部２６との厚さの和についてのセルギ
ャップ制御が３μｍ〜９μｍとなるＣＦ基板２１を作製
した。

【００２５】凸部を形成したＣＦ基板２１と対向の電極
基板２７とを、シール材を用いて貼り合わせした。光硬
化性樹脂と光重合開始材を含む液晶材料（液晶前駆体混
合物）２９を注入して、更に、液晶材料の閾値付近の電
圧を印加して、紫外線露光し、軸対称配向の安定化を行
った。その結果、図４に示すように、電圧印加時に偏光
板パラレルニコルで観察すると、黒部分４１と白部分４
２とからなる安定な軸対称配向が得られた。したがっ
て、軸対称配向液晶セルを得ていることがわかる。

【００２６】上記の作製プロセスで得られた液晶表示装
置において、２５度の室温雰囲気下で液晶材料注入前後
について、上述の測定装置（図１）を使用し、任意の開
口部に位置を合わせてフォーカスして干渉縞を測定し
て、得られた干渉縞波形をＦＦＴ処理して、セルギャッ
プを求めた。

【００２７】そして、液晶材料未注入の空セルの測定値
に対してプロットしたところ、図５に示すような結果と
なり、液晶注入セルのギャップ（ｙ）は、空セルのギャ
ップ（ｘ）が７μｍ以下のところでは測定値が大きくな
り、一方、７μｍ以上のところでは小さくなる傾向であ
った（ｙ＝０．６６６１ｘ＋２．３４６４）。さらに、
最小二乗法で、プロットしたデータに対して、直線回帰
計算を行ったところ、決定係数（または確実度係数）Ｒ
²値は、１に非常に近い値（０．９９４２）となった。
実際は、光学特性と対応させてセル厚を相対評価するこ
とが必要であること、また、図２が非常に良い直線関係
であることから、実施例１の測定法は、高精度で測定可
能であるといえる。

【００２８】本実施例の液晶セルのセルギャップ測定法
は、図３に示すような構造物が無い場合、測定位置を位
置合わせして、焦点を合わせる必要はなく、また、あら
ゆる液晶材料の液晶層、液晶配向の液晶表示装置におい
て測定することができる。さらに、液晶表示装置に関わ
らず、近赤外光に対して透明な材質の膜や層で、ＦＴ−
ＮＩＲ分析装置で干渉縞が観測できるものであれば、そ
の厚さ（ギャップ）を測定することができる。

【００２９】実施例２を説明する。本実施例２では、測
定する対象は、ＰＡＬＣ（プラズマアドレス液晶）素子
を液晶駆動素子として用いる液晶表示装置であり、その
セル厚を測定した結果について述べる。

【００３０】本実施例２に係るプラズマアドレス型の液
晶表示装置の具体的構成の断面図を図８に示す。この液
晶表示装置は液晶層５４を挟んで一方側（図の上側）に
透明なガラス５１等からなるＣＦ基板を有し、他方側
（図の下側）に誘電体シートとしての薄板ガラス５６と
プラズマ支持基板６１とが対向配設されたプラズマ発生
基板を有する。プラズマ支持基板６１と薄板ガラス５６
との間には、ライン状に隔壁５７が形成され、該隔壁５
７とプラズマ支持基板６１と薄板ガラス５６とで囲まれ
た空間は、プラズマガスが封入されたライン状のチャネ
ル６０を構成する。各チャネル６０内には、プラズマガ
スをプラズマ化するためのアノード電極Ａ５８とカソー
ド電極Ｘ５９とが設けられている。このプラズマアドレ
ス素子基板は公知の技術により作製される。

【００３１】一方、ＣＦ基板５１の液晶層５４側には、
カラーフィルター（ＣＦ）が設けられており、その上
に、データ線としての透明電極５２がストライフ゜状
に、かつ、ライン状のプラズマチャネルに対して、交差
して、例えば垂直方向に配線されている。前記液晶層５
４はＣＦ基板５１と薄板ガラス５６とに挟持されてお
り、ＣＦ基板５１と薄板ガラス５６との間のセル厚は、
実施例１における第１及び第２凸部（図３参照）により
制御されている（図８には不図示）。なお、ＣＦ５１基
板及び薄板ガラス５６の液晶層５４側表面には、それぞ
れ垂直配向層５３、５５が形成されている。また、ＣＦ
基板５１、ＩＴＯ電極５２及び液晶層５４からなる部分
は、液晶セルを構成する。このようにして作製された液
晶表示装置においては、薄板ガラス５６及びＣＦ基板５
１の各々の液晶層５４に接する表面に垂直配向層が形成
されているので、液晶層５４の材料に負の誘電異方性を
有する液晶材料を用いる場合には、無電圧印加時には液
晶分子を基板に対して垂直に配向している。

【００３２】上記の作製プロセスで得られた液晶表示装
置において、２５度の室温雰囲気下で同一個所を次の測
定条件で測定した。１．ＣＦ基板の１００μｍ×１００μｍの領域をフォー
カスさせて測定２．上記１の位置を繰り返し再測定３．上記１の位置で、デフォーカス４．ステージを移動後、上記１の位置を上記１の条件で
測定

【００３３】実施例１の測定装置（図１参照）を使用
し、上述の液晶表示装置を測定して、得られた干渉縞波
形を解析して（図６及び図７参照）、セルギャップを求
めたところ、５．７４４μｍ±０．０３１μｍであるこ
とがわかった（図９参照）。接触段差計にてセル厚制御
部（第１凸部と第２凸部の厚さの和）を測定すると、
５．７５μｍであったことから、実施例２のセル厚測定
法で得られた数値は、妥当であると考えられる。したが
って、この測定法はＰＡＬＣ液晶パネルにおいても適応
可能であるといえる。また、上記液晶層のセルギャップ
の他に、カラーフィルターの膜厚である１μｍと厚さ５
０μｍのガラス、プラズマ放電チャネル６０のギャップ
２００μｍ等の層厚についても同時に得ることができ
た。つまり、本発明の液晶表示装置のセルギャップ測定
法では、液晶表示装置に限らず、ミクロンオーダーの膜
厚や層厚を測定することが可能である。

【００３４】市販の光干渉法のセル厚測定器を用いて、
実施例２の液晶表示装置のセルギャップを測定したが、
妥当な数値は得られなかった。

【００３５】

【発明の効果】本発明によれば、液晶セルに電圧をかけ
ずに、簡便、短時間測定、非破壊で、正確なセル厚の測
定を可能にし、また、液晶が未封入の空セルだけでな
く、液晶材料が注入された液晶層のギャップの寸法を求
めることができ、そして、誘電異方性が正または負のネ
マチック液晶や強誘電性液晶等のあらゆる液晶材料で、
さらに、液晶層内でＴＮ，ＳＴＮ，ＨＡＮ，ＯＣＢ，Ａ
ＳＭ等あらゆる配向状態にある液晶表示装置でも可能で
ある液晶表示装置のセルギャップ測定法及び測定装置を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の液晶表示装置のセルギャップ測定法
で使用する測定装置の説明図。

【図２】実施例１の測定法の測定対象である液晶表示装
置の一例の模式的な断面図。

【図３】実施例１の測定法の測定対象である液晶表示装
置における凸部パターンの説明図。

【図４】実施例１の測定法の測定対象である液晶表示装
置の軸対称表示モードの説明図。

【図５】実施例１の測定法によるセルギャップ測定結果
の説明図。

【図６】実施例２の液晶表示装置の測定で得られた干渉
縞波形のスペクトル図。

【図７】実施例２の測定法における測定データの説明
図。

【図８】実施例２の測定における測定対象の液晶表示装
置の模式的な断面図。

【図９】実施例２の測定法におけるセルギャップ測定結
果の説明図。

【符号の説明】

１１光源１２干渉計１３制御コンピュータ１４平行光ビームコンデンサ１５ｘ−ｙ−ｚステージ１６検出器１７干渉縞波形解析コンピュータ１８光学顕微鏡システム又は画像撮影システム２液晶表示装置２１、２７ガラス基板２２ブラックマトリクス２３着色樹脂層２４、２８透明電極２５第１凸部２６第２凸部２９液晶層３１開口部（絵素部）４１黒部分４２白部分５１ＣＦ基板５２ＩＴＯ電極５３、５５垂直配向層５４液晶分子５６薄板ガラス５７プラズマ隔壁５８アノード電極５９カソード電極６０プラズマ放電チャネル６１プラズマ支持基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の寸法のセルギャップをなして貼り
合わせた一対の電極付き基板と該一対の電極付き基板に
挟持された液晶層とを有する液晶セルを備える液晶表示
装置のセルギャップ測定法において、近赤外光を液晶セルに照射し、セルギャップで近赤外光
を反射干渉させ、得られた干渉波形を解析して算出する
ことを特徴とする液晶表示装置のセルギャップ測定法。
【請求項２】測定対象となる液晶セルを備える液晶表
示装置をセットするＸ−Ｙ−Ｚステージと、近赤外光を
光源とするＦＴ−ＮＩＲ分光器と、液晶セルからの反射
干渉光を検出する検出器ユニットと、得られた干渉縞の
スペクトルを山と谷の間隔を計測するピークピッキング
法、フーリエ変換法又は最大エントロピー法（ＭＥＭ）
によってセルギャップを解析し算出する解析算出ユニッ
トと、を具備する液晶表示装置のセルギャップ測定装
置。
【請求項３】測定対象の液晶セルは、セルギャップ内
に液晶材料が注入された状態の液晶セル又は液晶材料が
未注入の状態の液晶セルである請求項２記載の液晶表示
装置のセルギャップ測定装置。
【請求項４】測定対象の液晶セルは、一方のガラス基
板上にはカラーフィルターと透明電極と垂直配向膜又は
水平配向膜とが順次積層されており、他方の基板上には
液晶駆動素子及び画素電極と配向膜とが順次形成されて
いる液晶セルである請求項２記載の液晶表示装置のセル
ギャップ測定装置。
【請求項５】測定対象の液晶セルを備える液晶表示装
置は、ＴＦＴ又はＰＡＬＣ等の駆動素子を用いた反射型
又は透過型液晶表示装置である請求項２記載の液晶表示
装置のセルギャップ測定装置。
【請求項６】測定対象の液晶セルは、液晶分子の配向
がＴＮ、ＳＴＮ、垂直配向（ＶＡ）、ハイブリット（Ｈ
ＡＮ）である請求項２記載の液晶表示装置のセルギャッ
プ測定装置。