JP2001059790A - Gage for pressure sensor - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイアフラムの撓
みを電気信号に変換することで圧力を測定する圧力セン
サ用ゲージに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gauge for a pressure sensor for measuring pressure by converting deflection of a diaphragm into an electric signal.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、圧力センサ用ゲージとして、例え
ば図4に平面図で示すように、ジルコニアセラミックス
等の電気絶縁材料から成る円板状のダイアフラム21の主
面にホイートストーンブリッジを形成するようにして4
本の抵抗体パターン膜22a・22b・22c・22dを薄膜手
法により付着させるとともに、各抵抗体パターン膜22a
・22b・22c・22d同士の接続部を覆うようにして外部
接続用の電極パターン膜23a・23b・23c・23dを同じ
く薄膜手法により付着させてなるものが知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a pressure sensor gauge, a Wheatstone bridge is formed on a main surface of a disk-shaped diaphragm 21 made of an electrically insulating material such as zirconia ceramics as shown in a plan view of FIG. Like 4
The resistive pattern films 22a, 22b, 22c, and 22d are attached by a thin film method, and each of the resistive pattern films 22a
It is known that electrode pattern films 23a, 23b, 23c, and 23d for external connection are similarly adhered by a thin film method so as to cover a connection portion between 22b, 22c, and 22d.
【0003】この圧力センサ用ゲージにおいては、ダイ
アフラム21の一方の主面に圧力が印加されると、その圧
力に応じてダイアフラム21が撓み、それにより抵抗体パ
ターン膜22a・22b・22c・22dに歪みが生じて各抵抗
体パターン膜22a・22b・22c・22dの電気抵抗値が変
化する。そして、このような抵抗体パターン膜22a・22
b・22c・22dの電気抵抗値の変化を電極パターン膜23
a・23b・23c・23dを介して測定することにより圧力
を検出するのである。In this pressure sensor gauge, when pressure is applied to one main surface of the diaphragm 21, the diaphragm 21 bends in accordance with the pressure, thereby causing the resistor pattern films 22a, 22b, 22c, and 22d to move. Distortion occurs and the electrical resistance of each of the resistor pattern films 22a, 22b, 22c, and 22d changes. Then, such resistor pattern films 22a and 22
b, 22c, 22d, the change in the electric resistance value
The pressure is detected by measuring via a, 23b, 23c and 23d.
【0004】なお、この従来の圧力センサ用ゲージにお
いては、各電極パターン膜23a・23b・23c・23dは、
それぞれが正方形をしており、互いの4辺が平行および
垂直となるように配置されていた。また、各抵抗体パタ
ーン膜22a・22b・22c・22dは、それぞれの両端に位
置する電極パターン膜23a・23b・23c・23d同士の互
いに向かい合う側の互いに垂直な辺に接続されていた。In this conventional pressure sensor gauge, each electrode pattern film 23a, 23b, 23c, 23d
Each had a square shape, and were arranged so that the four sides were parallel and perpendicular to each other. Further, each of the resistor pattern films 22a, 22b, 22c, and 22d were connected to mutually perpendicular sides of the electrode pattern films 23a, 23b, 23c, and 23d located at both ends thereof, facing each other.
【0005】そして、この従来の圧力センサ用ゲージ
は、ダイアフラム11の主面に抵抗体パターン膜22a・22
b・22c・22dを所定のパターンに形成した後、その上
に電極パターン膜23a・23b・23c・23dを所定のパタ
ーンに形成することによって製作されていた。The conventional pressure sensor gauge includes a resistor pattern film 22a, 22a on the main surface of the diaphragm 11.
After b.22c.22d is formed in a predetermined pattern, the electrode pattern films 23a.23b.23c.23d are formed thereon in a predetermined pattern.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の圧力センサ用ゲージにおいては、抵抗体パターン膜
22a・22b・22c・22dと電極パターン膜23a・23b・
23c・23dとが別々に形成されることから、抵抗体パタ
ーン膜22a・22b・22c・22dと電極パターン膜23a・
23b・23c・23dとの形成位置に製造誤差による相対的
なばらつきが発生する。However, in this conventional pressure sensor gauge, a resistor pattern film is used.
22a / 22b / 22c / 22d and electrode pattern films 23a / 23b /
Since 23c and 23d are formed separately, the resistor pattern films 22a, 22b, 22c and 22d and the electrode pattern films 23a and 23d are formed separately.
Relative variations occur due to manufacturing errors in the formation positions of 23b, 23c and 23d.
【0007】そして、従来の圧力センサ用ゲージでは、
各抵抗体パターン膜22a・22b・22c・22dは、それぞ
れの両端に位置する電極パターン膜23a・23b・23c・
23d同士の互いに向かい合う側の互いに垂直な辺に接続
されていることから、例えば図5に平面図で示すよう
に、電極パターン膜23a・23b・23c・23dが、2点鎖
線で示す本来形成されるべき位置からら図の右方向にx
だけ、図の上方向にyだけずれた場合には、抵抗体パタ
ーン膜22aはその露出する長さがxおよびyだけ長くな
り、抵抗体パターン膜22bはその露出する長さがxだけ
長くなるとともにyだけ短くなり、抵抗体パターン膜22
cはその露出する長さがxおよびyだけ短くなり、抵抗
体パターン膜22dはその露出する長さがxだけ短くなる
とともにyだけ長いものとなってしまい、その結果、ホ
イートストーンブリッジの電気抵抗値バランスが本来の
バランスから崩れたものとなってしまう。In a conventional pressure sensor gauge,
Each of the resistor pattern films 22a, 22b, 22c, and 22d has electrode pattern films 23a, 23b, 23c,
Because they are connected to mutually perpendicular sides of the opposing sides of 23d, the electrode pattern films 23a, 23b, 23c, and 23d are originally formed as shown by a two-dot chain line, for example, as shown in a plan view in FIG. X to the right of the figure
However, when the resistor pattern film 22a is shifted upward by y, the exposed length of the resistor pattern film 22a becomes longer by x and y, and the exposed length of the resistor pattern film 22b becomes longer by x. Together with the length of the resistor pattern film 22
The exposed length of c becomes shorter by x and y, and the exposed length of the resistor pattern film 22d becomes shorter by x and longer by y. As a result, the electric resistance of the Wheatstone bridge is reduced. The resistance value balance is broken from the original balance.
【0008】そこで、従来の圧力センサ用ゲージにおい
ては、個々の圧力センサ用ゲージ毎にホイートストーン
ブリッジの電気抵抗値バランスの補正を行う必要があ
り、この補正が煩雑であるという問題点を有していた。Therefore, in the conventional pressure sensor gauge, it is necessary to correct the electric resistance value balance of the Wheatstone bridge for each individual pressure sensor gauge, and there is a problem that this correction is complicated. Was.
【0009】本発明は、かかる従来の圧力センサ用ゲー
ジの欠点に鑑み案出されたものであり、その目的は、抵
抗体パターン膜と電極パターン膜との形成位置に相対的
なばらつきがあったとしても、ホイートストーンブリッ
ジの電気抵抗値バランスを補正する必要のない圧力セン
サ用ゲージを提供することにある。The present invention has been made in view of the above-described drawbacks of the conventional pressure sensor gauge, and has as its object the relative variation in the formation positions of the resistor pattern film and the electrode pattern film. Another object of the present invention is to provide a gauge for a pressure sensor which does not need to correct the electric resistance value balance of a Wheatstone bridge.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の圧力センサ用ゲ
ージは、ダイアフラム上にホイートストーンブリッジを
形成するようにして4本の抵抗体パターン膜を付着させ
るとともに、前記各抵抗体パターン膜同士の接続部を覆
うようにして外部接続用の電極パターン膜を付着させて
成る圧力センサ用ゲージであって、前記各抵抗体パター
ン膜の両端に位置する前記電極パターン膜同士は向かい
合う側に互いに平行な辺を有しており、これらの辺に対
して前記各抵抗体パターン膜がその両端部とも同じ幅で
接続されていることを特徴とするものである。According to a pressure sensor gauge of the present invention, four resistor pattern films are attached to a diaphragm so as to form a Wheatstone bridge, and each of the resistor pattern films is connected to each other. A pressure sensor gauge formed by attaching an electrode pattern film for external connection so as to cover the connection portion of the resistor pattern film, wherein the electrode pattern films located at both ends of each of the resistor pattern films are parallel to each other on opposite sides. And each of the resistor pattern films is connected to these sides at the same width at both ends thereof.
【0011】本発明の圧力センサ用ゲージによれば、各
抵抗体パターン膜の両端に位置する電極パターン膜同士
が互いに向かい合う側に互いに平行な辺を有しており、
各抵抗体パターン膜がこれらの辺に対してその両端部と
も同じ幅で接続されていることから、抵抗体パターン膜
の形成位置と電極パターン膜の形成位置との間に相対的
なばらつきが発生したとしても、電極パターン膜の間の
抵抗体パターン膜の長さや面積、つまり、抵抗値がばら
つくことはない。According to the pressure sensor gauge of the present invention, the electrode pattern films located at both ends of each resistor pattern film have sides parallel to each other on opposite sides.
Since each resistor pattern film is connected to these sides at the same width at both ends, there is a relative variation between the formation position of the resistor pattern film and the formation position of the electrode pattern film. Even if this is done, the length and area of the resistor pattern film between the electrode pattern films, that is, the resistance value will not vary.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面に基づ
き説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
【0013】図1は、本発明の圧力センサ用ゲージの実
施の形態の一例を示す平面図であり、1は、ダイアフラ
ム、2a・2b・2c・2dは抵抗体パターン膜、3a
・3b・3c・3dは電極パターン膜である。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a pressure sensor gauge according to the present invention, wherein 1 is a diaphragm, 2a, 2b, 2c and 2d are resistor pattern films, 3a
3b, 3c, 3d are electrode pattern films.
【0014】ダイアフラム1は、例えばジルコニアセラ
ミックスから成る略円板であり、その主面に圧力が印加
されることによって圧力に応じた撓みが発生する。The diaphragm 1 is a substantially circular plate made of, for example, zirconia ceramics, and when a pressure is applied to a main surface thereof, a bending according to the pressure is generated.
【0015】このようなダイアフラム1は、ジルコニア
セラミックスのグリーンシートを円形に打ち抜くととも
に高温で焼成することによって製作される。Such a diaphragm 1 is manufactured by punching a green sheet of zirconia ceramics into a circular shape and firing it at a high temperature.
【0016】そして、ダイアフラム1の一方の主面に
は、4本の抵抗体パターン膜2a・2b・2c・2dが
ホイートストーンブリッジを形成するようにして付着さ
れている。On one main surface of the diaphragm 1, four resistor pattern films 2a, 2b, 2c and 2d are attached so as to form a Wheatstone bridge.
【0017】抵抗体パターン膜2a・2b・2c・2d
は、例えばNiCrSiからなり、ダイアフラムが撓む
ことによって歪んで、各々の電気抵抗値が変化する。Resistor pattern films 2a, 2b, 2c, 2d
Is made of, for example, NiCrSi, and is distorted by bending of the diaphragm, so that each electric resistance value changes.
【0018】このような抵抗体パターン膜2a・2b・
2c・2dは、ダイアフラム1の一方の主面全面にNi
CrSiの薄膜をスパッタリング法の薄膜成形技術を採
用して付着させた後、フォトリソグラフィー技術を採用
して所定のパターンにエッチングすることにより形成さ
れる。The resistor pattern films 2a and 2b.
2c and 2d are Ni over the entire one main surface of the diaphragm 1.
A thin film of CrSi is deposited by using a thin film forming technique of a sputtering method, and then formed by etching into a predetermined pattern by using a photolithography technique.
【0019】なお、抵抗体パターン膜2a・2b・2c
・2dは、その厚みが50オングストローム未満となる
と、抵抗体パターン膜2a・2b・2c・2dに断線が
発生しやすいものとなる傾向にあり、他方50000 オング
ストロームを超えると、成膜時にNiCrSi膜に発生
する内部応力が大きなものとなって抵抗体パターン膜2
a・2b・2c・2dに剥離が発生しやすいものとなる
傾向にある。したがって、抵抗体パターン膜2a・2b
・2c・2dは、その厚みを50〜50000 オングストロー
ムの範囲としておくことが好ましい。The resistor pattern films 2a, 2b, 2c
2d tends to be easily broken in the resistor pattern films 2a, 2b, 2c and 2d when its thickness is less than 50 angstroms, and on the other hand, when it exceeds 50000 angstroms, the NiCrSi film The generated internal stress becomes large and the resistor pattern film 2
a, 2b, 2c, and 2d tend to easily peel. Therefore, the resistor pattern films 2a and 2b
2c and 2d preferably have a thickness in the range of 50 to 50,000 angstroms.
【0020】また、このダイアフラム1の主面には、各
抵抗体パターン膜2a・2b・2c・2d同士の接続部
を覆うようにして、外部接続用の電極パターン膜3a・
3b・3c・3dが付着されている。The main surface of the diaphragm 1 covers the connection between the resistor pattern films 2a, 2b, 2c, and 2d so as to cover the electrode pattern films 3a for external connection.
3b, 3c and 3d are attached.
【0021】外部接続用の電極パターン膜3a・3b・
3c・3dは、抵抗体パターン膜2a・2b・2c・2
dで形成されたホイートストーンブリッジを外部の測定
装置に接続するための電極であり、例えばチタン膜と白
金膜と金膜との多層膜で形成されている。そして、これ
らの電極パターン膜3a・3b・3c・3dを外部の測
定装置に接続して各抵抗体パターン膜2a・2b・2c
・2dの電気抵抗値の変化を測定することでダイアフラ
ム1に印加される圧力を検出することができる。The electrode pattern films 3a, 3b,
3c and 3d are the resistor pattern films 2a, 2b, 2c and 2
The electrode for connecting the Wheatstone bridge formed by d to an external measuring device, for example, a multilayer film of a titanium film, a platinum film, and a gold film. Then, these electrode pattern films 3a, 3b, 3c, 3d are connected to an external measuring device to connect the respective resistor pattern films 2a, 2b, 2c.
The pressure applied to the diaphragm 1 can be detected by measuring the change in the electric resistance value of 2d.
【0022】このような電極パターン膜3a・3b・3
c・3dは、各電極パターン膜3a・3b・3c・3d
に対応する開口を有するマスクを抵抗体パターン膜2a
・2b・2c・2dが形成されたダイアフラム1の主面
に重ねるとともに、この上からスパッタリング法などの
薄膜技術を採用してチタン膜と白金膜と金膜とを順次付
着させることにより、各抵抗体パターン膜2a・2b・
2c・2dの接続部を覆うようにして付着される。Such electrode pattern films 3a, 3b, 3
c and 3d are the respective electrode pattern films 3a, 3b, 3c and 3d.
A mask having an opening corresponding to the resistor pattern film 2a
2b, 2c and 2d are superimposed on the main surface of the diaphragm 1 and a titanium film, a platinum film and a gold film are sequentially deposited thereon by using a thin film technique such as a sputtering method, so that each resistor is formed. Body pattern films 2a, 2b
It is attached so as to cover the connection portions 2c and 2d.
【0023】なお、電極パターン膜3a・3b・3c・
3dを構成するチタン膜は、ダイアフラム1に対する密
着金属層であり、その厚みが100 オングストローム未満
であると、ダイアフラム1に強固に密着することが困難
となる傾向にあり、他方2000オングストロームを超える
と、成膜時にチタン膜に発生する内部応力によって剥離
が発生しやすいものとなる傾向にある。したがって、電
極パターン膜3a・3b・3c・3dを構成するチタン
膜は、その厚みを100 〜2000オングストロームの範囲と
しておくことが好ましい。The electrode pattern films 3a, 3b, 3c,
The titanium film constituting 3d is a metal layer that adheres to the diaphragm 1. If the thickness is less than 100 angstroms, it tends to be difficult to firmly adhere to the diaphragm 1, while if it exceeds 2000 angstroms, Separation tends to occur easily due to internal stress generated in the titanium film during film formation. Therefore, it is preferable that the thickness of the titanium film constituting the electrode pattern films 3a, 3b, 3c, 3d be in the range of 100 to 2,000 angstroms.
【0024】また、電極パターン膜3a・3b・3c・
3dを構成する白金膜は、チタン膜中のチタンが金膜に
拡散するのを防止するためのバリア層であり、その厚み
が500 オングストローム未満であると、チタンの拡散を
十分に防止することができなくなる傾向にあり、他方10
000 オングストロームを超えると、成膜時に白金膜に発
生する内部応力によって剥離が発生しやすいものとなる
傾向にある。したがって、電極パターン膜3a・3b・
3c・3dを構成する白金膜は、その厚みを500 〜1000
0 オングストロームとしておくことが好ましい。The electrode pattern films 3a, 3b, 3c,
The platinum film constituting 3d is a barrier layer for preventing titanium in the titanium film from diffusing into the gold film. If the thickness is less than 500 angstroms, the diffusion of titanium can be sufficiently prevented. Tend to be impossible, while 10
If it exceeds 000 angstroms, peeling tends to occur easily due to internal stress generated in the platinum film during film formation. Therefore, the electrode pattern films 3a, 3b,
The thickness of the platinum film constituting 3c and 3d is 500 to 1000.
It is preferable to keep 0 angstrom.
【0025】さらに、電極パターン膜3a・3b・3c
・3dを構成する金膜は、電極パターン膜3a・3b・
3c・3dと外部との接続性を良好とするための表面層
であり、その厚みが1000オングストローム未満である
と、十分な接続性が得られなくなる傾向にあり、他方50
000 オングストロームを超えると、成膜時に金膜に発生
する内部応力により剥離が発生しやすいものとなる傾向
にある。したがって、電極パターン膜3a・3b・3c
・3dを構成する金膜は、その厚みを1000〜50000 オン
グストロームとしておくことが好ましい。Further, the electrode pattern films 3a, 3b, 3c
The gold film constituting 3d is composed of the electrode pattern films 3a, 3b.
This is a surface layer for improving the connectivity between 3c and 3d and the outside. If the thickness is less than 1000 angstroms, sufficient connectivity tends not to be obtained.
If it exceeds 000 angstroms, peeling tends to occur easily due to internal stress generated in the gold film during film formation. Therefore, the electrode pattern films 3a, 3b, 3c
-It is preferable that the thickness of the gold film constituting 3d is set to 1,000 to 50,000 angstroms.
【0026】なお、この例においては、外部接続用の電
極パターン膜3a・3b・3c・3dは、それぞれが略
正方形であり、互いの4辺が平行および垂直となるよう
に配置されている。In this example, the electrode pattern films 3a, 3b, 3c, 3d for external connection are substantially square, and are arranged such that four sides are parallel and perpendicular to each other.
【0027】そして、各抵抗体パターン膜2a・2b・
2c・2dは、その両端に位置する電極パターン膜3a
・3b・3c・3d同士の互いに向かい合う側の互いに
平行な辺に対してその両端部とも同じ幅で接続されてい
る。Each of the resistor pattern films 2a, 2b,
2c and 2d are electrode pattern films 3a located at both ends thereof.
3b, 3c and 3d are connected to the mutually parallel sides on the side facing each other at the same width at both ends.
【0028】このように、各抵抗体パターン膜2a・2
b・2c・2dが、その両端に位置する電極パターン膜
3a・3b・3c・3d同士の互いに向かい合う側の互
いに平行な辺に対してその両端部とも同じ幅で接続され
ていることで、例えば図2に平面図で示すように、各電
極パターン膜3a・3b・3c・3dが破線で示す本来
形成されるべき位置から図の右方向にxだけ、図の上方
向にyだけずれたとしても、各抵抗体パターン2a・2
b・2c・2dの露出する長さおよび面積は、一方の端
部で増加する分だけ他方の端部で減少して常に一定とな
り、その結果、ホイートストーンブリッジの電気抵抗値
のバランスが本来のバランスから崩れるようなことはな
い。したがって、本発明の圧力センサ用ゲージによれ
ば、個々のゲージ毎にホイートストーンブリッジの電気
抵抗値バランスの補正を行う必要はない。As described above, each of the resistor pattern films 2a and 2a
b, 2c, 2d are connected to the mutually parallel sides of the electrode pattern films 3a, 3b, 3c, 3d located at both ends on the side facing each other with the same width at both ends, for example, As shown in the plan view of FIG. 2, it is assumed that each of the electrode pattern films 3a, 3b, 3c, and 3d is shifted by x in the right direction of the figure and by y in the upward direction of the figure from the position where it should be formed by the broken line. Also, each of the resistor patterns 2a and 2
The exposed lengths and areas of b, 2c, and 2d decrease at the other end by an amount that increases at one end and are always constant. As a result, the balance of the electric resistance value of the Wheatstone bridge is originally reduced. There's nothing out of balance. Therefore, according to the pressure sensor gauge of the present invention, it is not necessary to correct the electric resistance balance of the Wheatstone bridge for each gauge.
【0029】なお、各抵抗体パターン膜2a・2b・2
c・2dが、その両端に位置する電極パターン膜3a・
3b・3c・3d同士の互いに向かい合う側の互いに平
行な辺に対してその両端部が異なる幅で接続されている
と、抵抗体パターン膜2a・2b・2c・2dと電極パ
ターン膜3a・3b・3c・3dとの形成位置のばらつ
きに伴う各抵抗体パターン2a・2b・2c・2dの露
出する面積の増減が各抵抗体パターン2a・2b・2c
・2d両端部で互いに補完されずにホイートストーンブ
リッジの電気抵抗値のバランスが本来のバランスから崩
れたものとなってしまう。したがって、各抵抗体パター
ン膜2a・2b・2c・2dは、その両端に位置する電
極パターン膜3a・3b・3c・3d同士の互いに向か
い合う側の互いに平行な辺に対してその両端部とも同じ
幅で接続されている必要がある。Each resistor pattern film 2a, 2b, 2
c · 2d are the electrode pattern films 3a ·
When both ends are connected with different widths to mutually parallel sides of the sides 3b, 3c, 3d facing each other, the resistor pattern films 2a, 2b, 2c, 2d and the electrode pattern films 3a, 3b, 3d. The increase or decrease in the exposed area of each of the resistor patterns 2a, 2b, 2c and 2d due to the variation in the formation position with respect to 3c and 3d is caused by each of the resistor patterns 2a, 2b and 2c
-The balance of the electric resistance value of the Wheatstone bridge is broken from the original balance without being complemented at both ends of the 2d. Therefore, each of the resistor pattern films 2a, 2b, 2c, 2d has the same width at both ends with respect to the mutually parallel sides of the electrode pattern films 3a, 3b, 3c, 3d located at both ends facing each other. Must be connected by
【0030】かくして、本発明の圧力センサ用ゲージに
よれば、個々の圧力センサ用ゲージにおけるホイートス
トーンブリッジの電気抵抗値バランスを補正する必要が
ない圧力センサ用ゲージを提供することができる。Thus, according to the pressure sensor gage of the present invention, it is possible to provide a pressure sensor gage which does not need to correct the electric resistance value balance of the Wheatstone bridge in each pressure sensor gage.
【0031】なお、本発明は、上述の実施の形態に限定
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
あれば、種々の変更は可能である。そのような例を以下
に示す。The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. Such an example is shown below.
【0032】図3は、本発明の実施の形態の他の例を示
す平面図である。この例の圧力センサ用ゲージは、略円
板状のダイアフラム11の主面に4本の抵抗体パターン膜
12a・12b・12c・12dがホイートストーンブリッジを
形成するようにして付着されており、さら抵抗ターン膜
12a・12b・12c・12d同士の接続部を覆うようにして
外部接続用の電極パターン膜13a・13b・13c・13dが
付着されている。FIG. 3 is a plan view showing another example of the embodiment of the present invention. The pressure sensor gauge of this example has four resistor pattern films on the main surface of a substantially disk-shaped diaphragm 11.
12a, 12b, 12c, and 12d are attached so as to form a Wheatstone bridge.
External connection electrode pattern films 13a, 13b, 13c and 13d are attached so as to cover the connection portions between 12a, 12b, 12c and 12d.
【0033】この例においては、各電極パターン膜13a
・13b・13c・13dの配置が上述の実施の形態の一例と
異なっている。In this example, each electrode pattern film 13a
The arrangement of 13b, 13c and 13d is different from the example of the above-described embodiment.
【0034】上述の実施の形態の一例では、各電極パタ
ーン膜3a・3b・3c・3dは、各抵抗体パターン膜
2a・2b・2c・2dの両端に位置するもの同士にお
いて、互いに向かい合う互いに平行な辺が斜向かいとな
るように配置されていたが、この例においては、各電極
パターン膜13a・13b・13c・13dは、各抵抗体パター
ン膜12a・12b・12c・12dの両端に位置するもの同士
において、互いに向かい合う互いに平行な辺が真向かい
となるように配置されている。このように、各抵抗体パ
ターン膜12a・12b・12c・12dの両端に位置する各電
極パターン膜13a・13b・13c・13d同士の互いに向か
い合う互いに平行な辺が真向かいとなるように配置され
ていてもよい。In one example of the above-described embodiment, the electrode pattern films 3a, 3b, 3c, and 3d are parallel to each other at opposite ends of each of the resistor pattern films 2a, 2b, 2c, and 2d. However, in this example, the electrode pattern films 13a, 13b, 13c, and 13d are located at both ends of each of the resistor pattern films 12a, 12b, 12c, and 12d. The objects are arranged such that mutually parallel sides facing each other are directly opposite. In this manner, the electrode pattern films 13a, 13b, 13c, 13d located at both ends of each of the resistor pattern films 12a, 12b, 12c, 12d are arranged so that the mutually parallel sides facing each other are directly facing each other. Is also good.
【0035】[0035]
【発明の効果】本発明の圧力センサ用ゲージによれば、
各抵抗体パターン膜の両端に位置する電極パターン膜同
士が互いに向かい合う側に互いに平行な辺を有してお
り、各抵抗体パターン膜がこれらの辺に対してその両端
部とも同じ幅で接続されていることから、抵抗体パター
ン膜の形成位置と電極パターン膜の形成位置とに相対的
なばらつきが発生したとしても、電極パターン膜の間の
抵抗体パターン膜の長さや面積、つまり、抵抗値がばら
つくことはない。従って、個々のゲージ毎にホイートス
トーンブリッジの抵抗値バランスを補正する必要がな
い。According to the pressure sensor gauge of the present invention,
The electrode pattern films located at both ends of each resistor pattern film have sides parallel to each other on the side facing each other, and each resistor pattern film is connected to these sides at the same width at both ends. Therefore, even if a relative variation occurs between the formation position of the resistor pattern film and the formation position of the electrode pattern film, the length and area of the resistor pattern film between the electrode pattern films, that is, the resistance value There is no variation. Therefore, it is not necessary to correct the resistance balance of the Wheatstone bridge for each gauge.
【図1】本発明の圧力センサ用ゲージの実施の形態の一
例を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an example of a pressure sensor gauge according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1に示す圧力センサ用ゲージにおけるパター
ン膜のずれを説明するための平面図である。FIG. 2 is a plan view for explaining displacement of a pattern film in the pressure sensor gauge shown in FIG.
【図3】本発明の圧力センサ用ゲージの実施の形態の他
の例を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing another example of the embodiment of the pressure sensor gauge of the present invention.
【図4】従来の圧力センサ用ゲージを示す平面図であ
る。FIG. 4 is a plan view showing a conventional pressure sensor gauge.
【図5】図4に示す圧力センサ用ゲージのパターン膜の
ずれを説明するための平面図である。5 is a plan view for explaining displacement of a pattern film of the pressure sensor gauge shown in FIG. 4;
1、11・・・・・・・・・・・ダイアフラム 2a〜2d、12a〜12d・・・抵抗体パターン膜 3a〜3d、13a〜13d・・・電極パターン膜 1, 11 ... diaphragm 2a-2d, 12a-12d ... resistor pattern film 3a-3d, 13a-13d ... electrode pattern film
Claims (1)
ッジを形成するようにして4本の抵抗体パターン膜を付
着させるとともに、前記各抵抗体パターン膜同士の接続
部を覆うようにして外部接続用の電極パターン膜を付着
させて成る圧力センサ用ゲージであって、前記各抵抗体
パターン膜の両端に位置する前記電極パターン膜同士は
向かい合う側に互いに平行な辺を有しており、これらの
辺に対して前記各抵抗体パターン膜がその両端部とも同
じ幅で接続されてなることを特徴とする圧力センサ用ゲ
ージ。An electrode for external connection is formed by attaching four resistor pattern films so as to form a Wheatstone bridge on a diaphragm and covering a connection portion between the resistor pattern films. A pressure sensor gauge formed by adhering a pattern film, wherein the electrode pattern films located at both ends of each of the resistor pattern films have sides parallel to each other on opposite sides. Wherein each of the resistor pattern films is connected at the same width to both ends thereof.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11237319A JP2001059790A (en) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | Gage for pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11237319A JP2001059790A (en) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | Gage for pressure sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001059790A true JP2001059790A (en) | 2001-03-06 |
Family
ID=17013616
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP11237319A Pending JP2001059790A (en) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | Gage for pressure sensor |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001059790A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114608730A (en) * | 2022-03-24 | 2022-06-10 | 天水天光半导体有限责任公司 | Silicon circular membrane piezoresistive sensor and implementation method thereof |
-
1999
- 1999-08-24 JP JP11237319A patent/JP2001059790A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114608730A (en) * | 2022-03-24 | 2022-06-10 | 天水天光半导体有限责任公司 | Silicon circular membrane piezoresistive sensor and implementation method thereof |
CN114608730B (en) * | 2022-03-24 | 2024-03-19 | 天水天光半导体有限责任公司 | Silicon circular film piezoresistive sensor and implementation method thereof |
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