JP2001052137A - Semiconductor package, production thereof and semiconductor device with incorporated semiconductor package - Google Patents

Semiconductor package, production thereof and semiconductor device with incorporated semiconductor package

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JP2001052137A
JP2001052137A JP22415699A JP22415699A JP2001052137A JP 2001052137 A JP2001052137 A JP 2001052137A JP 22415699 A JP22415699 A JP 22415699A JP 22415699 A JP22415699 A JP 22415699A JP 2001052137 A JP2001052137 A JP 2001052137A
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chip
antenna coil
semiconductor device
resin
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Koji Yamaguchi
浩司 山口
Yuichi Sukegawa
祐一 助川
Mitsuo Kamegaya
光雄 亀ケ谷
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor package suitable for a semiconductor device such as non-contact IC card and capable of communication without contact, a method capable of highly efficiently producing the semiconductor package and the semiconductor device improved in durability, flatness and mass productivity. SOLUTION: An antenna coil 2a formed from a lead frame or wiring tab and an IC chip 4 directly connecting both the terminal parts of the relevant antenna coil 2a to a pad part are integrally sealed by a mold resin 6 and a semiconductor package 1A is provided. By casing this semiconductor package 1A with a substrate composed of an adhesive agent layer and a cover sheet, for example, the semiconductor device such as non-contact IC card can be provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、リーダライタから
の電力の受給とリーダライタとの間の信号の送受信とを
無線によって行う非接触式の半導体装置に好適な半導体
パッケージ及びその製造方法と、当該半導体パッケージ
を搭載した半導体装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package suitable for a non-contact type semiconductor device for wirelessly transmitting and receiving signals from a reader / writer and transmitting / receiving signals to / from the reader / writer, and a method of manufacturing the same. The present invention relates to a semiconductor device equipped with the semiconductor package.

【0002】[0002]

【従来の技術】ICが搭載されたカード形、タグ形又は
コイン形などの半導体装置は、豊富な情報量と高いセキ
ュリティ性能を備えていることから、交通、流通及び情
報通信等の分野で普及が進んでいる。中でも、近年開発
された非接触式の半導体装置は、基体に外部端子を設け
ずリーダライタからの電力の受給とリーダライタとの間
の信号の送受信とを無線によって行うので、接触式の半
導体装置のように外部端子の損壊ということが本質的に
ないことから保存等の取り扱いが容易で長期間の使用に
耐えるばかりでなく、データの改ざんが行われにくいこ
とから一層セキュリティ性能に優れるという特徴を有し
ており、今後より広範囲な分野への普及が予想されてい
る。
2. Description of the Related Art A semiconductor device, such as a card type, a tag type or a coin type, on which an IC is mounted has an abundant amount of information and a high security performance. Is progressing. Among them, a non-contact type semiconductor device developed recently has a structure in which an external terminal is not provided on a base, and a power supply from a reader / writer and transmission / reception of signals between the reader / writer are performed wirelessly. In addition to the fact that the external terminals are not substantially damaged as described above, not only are they easy to handle such as storage and can withstand long-term use, but they also have superior security performance because they are not easily tampered with. It is expected to spread to a wider field in the future.

【0003】この種の非接触式半導体装置は、ベアIC
チップと無線通信用のアンテナコイルとを含んで構成さ
れる回路モジュールを基体内に埋設してなるが、従来の
非接触式半導体装置においては、回路モジュールとし
て、アンテナコイルがパターン形成又ははんだ接続され
た配線基板にベアICチップがワイヤボンディング又は
フリップチップ接合等によって接続されたもの、或い
は、ベアICチップのパッドにアンテナコイルがはんだ
接続、溶接、導電ペースト接続又は圧着接続等によって
直接接続されたものが提案されている。
A non-contact type semiconductor device of this type is a bare IC.
A circuit module including a chip and an antenna coil for wireless communication is buried in a base, but in a conventional non-contact type semiconductor device, an antenna coil is formed by pattern formation or solder connection as a circuit module. The bare IC chip is connected to the wiring board by wire bonding or flip chip bonding, or the antenna coil is directly connected to the pad of the bare IC chip by solder connection, welding, conductive paste connection or crimp connection, etc. Has been proposed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかるに、前記した従
来の回路モジュールのうち、配線基板を用いるものは、
配線基板を基体内に埋設せざるを得ないために非接触式
半導体装置の薄形化を図ることが難しく、また、配線基
板上に実装されたベアICチップ等が配線基板の表面よ
り突出するため、平坦性の高い非接触式半導体装置を製
造することが難しいという問題がある。
However, among the above-mentioned conventional circuit modules, those using a wiring board are:
Since the wiring substrate must be embedded in the base, it is difficult to reduce the thickness of the non-contact type semiconductor device, and a bare IC chip or the like mounted on the wiring substrate protrudes from the surface of the wiring substrate. Therefore, there is a problem that it is difficult to manufacture a non-contact type semiconductor device having high flatness.

【0005】一方、巻線コイルを用いるものは、非接触
式半導体装置の薄形化及び平坦性の向上には有効である
が、直径が20μm〜100μm程度の線材を巻回しな
くてはならないために所定形状のアンテナコイルを精度
良く巻回することが困難であるばかりでなく、巻回後の
各工程における取り扱いが難しく、非接触式半導体装置
を高能率に製造することが難しいという問題がある。
[0005] On the other hand, the use of a wound coil is effective for reducing the thickness and improving the flatness of a non-contact type semiconductor device, but it is necessary to wind a wire having a diameter of about 20 µm to 100 µm. Not only is it difficult to accurately wind an antenna coil having a predetermined shape, but also it is difficult to handle each step after winding, and it is difficult to manufacture a non-contact type semiconductor device with high efficiency. .

【0006】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、その課題とするところは、薄形にして取り
扱いが容易な回路モジュール(本願明細書においては、
これを「半導体パッケージ」という。)を提供するこ
と、及びこのような半導体パッケージを高能率に製造可
能な方法を提供すること、並びに薄形にして平坦性が高
く量産性に優れた非接触ICカード等の半導体装置を提
供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a thin and easy-to-handle circuit module (in this specification,
This is called a “semiconductor package”. ), And a method capable of manufacturing such a semiconductor package with high efficiency, and a semiconductor device such as a non-contact IC card which is thin and has high flatness and excellent mass productivity. It is in.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
め、本発明は、半導体パッケージに関しては、ICチッ
プと当該ICチップのパッド部に両端が接続された無線
通信用のアンテナコイルとを一体に樹脂モールドすると
いう構成にした。なお、本明細書において「直接接続」
とは、ICチップのパッド部に他の部材を介さずに直接
アンテナコイルを接続するほか、ICチップのパッド部
に形成された金、はんだ、ニッケル等からなるバンプに
アンテナコイルを接続する場合を含む。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention relates to a semiconductor package, in which an IC chip and an antenna coil for wireless communication whose both ends are connected to pad portions of the IC chip are integrated. In this configuration, resin molding is performed. In this specification, “direct connection”
This means that the antenna coil is directly connected to the pad portion of the IC chip without any other members, and that the antenna coil is connected to a bump made of gold, solder, nickel, etc. formed on the pad portion of the IC chip. Including.

【0008】かように、ICチップとアンテナコイルと
を一体に樹脂モールドすると、アンテナコイル及びベア
ICチップの剛性が高められるので、取り扱いを容易化
できると共に、ベアICチップの破壊やアンテナコイル
の断線を防止することができる。また、精密射出成形技
術を応用すれば、薄形のパッケージを得ることができる
ので、配線基板を用いる場合に比べて回路モジュール
(半導体パッケージ)を薄形化することができる。さら
に、パッケージの表面を平坦に形成できるので、非接触
ICカード等の半導体装置に適用した場合に平坦性の高
い半導体装置を得ることができる。
As described above, when the IC chip and the antenna coil are integrally resin-molded, the rigidity of the antenna coil and the bare IC chip is increased, so that the handling can be facilitated, the bare IC chip is broken, and the antenna coil is disconnected. Can be prevented. In addition, if a precision injection molding technique is applied, a thin package can be obtained, so that a circuit module (semiconductor package) can be thinner than a case where a wiring board is used. Further, since the surface of the package can be formed flat, a semiconductor device having high flatness can be obtained when applied to a semiconductor device such as a non-contact IC card.

【0009】アンテナコイルは、巻線コイルを用いるこ
とも可能であるが、半導体パッケージの量産性を高める
ため、リードフレーム又は配線タブのいずれかより切断
されたものを用いることが特に好ましい。
Although it is possible to use a wound coil as the antenna coil, it is particularly preferable to use a coil cut from either a lead frame or a wiring tab in order to increase the productivity of the semiconductor package.

【0010】アンテナコイルの両端は、ICチップのパ
ッド部に直接接続することもできるし、金属線を介して
間接的に接続することもできる。アンテナコイルの両端
をICチップのパッド部に直接接続する場合には、その
接続方法として、はんだ接続、溶接、導電ペースト接
続、ACF接続(異方性導電接着剤を用いた接続)又は
圧着接続等を用いることができる。一方、アンテナコイ
ルの両端をICチップのパッド部に金属線を介して間接
的に接続する場合には、その接続方法として、ワイヤボ
ンディングを用いることができる。
[0010] Both ends of the antenna coil can be directly connected to the pad portion of the IC chip, or indirectly via a metal wire. When both ends of the antenna coil are directly connected to the pad portion of the IC chip, the connection methods include solder connection, welding, conductive paste connection, ACF connection (connection using an anisotropic conductive adhesive), and crimp connection. Can be used. On the other hand, when both ends of the antenna coil are indirectly connected to the pad portion of the IC chip via a metal wire, wire bonding can be used as the connection method.

【0011】また、前記樹脂モールドは、硬化後に所要
の硬度を有するものであれば、公知に属する任意の樹脂
材料を用いることもできるが、高硬度にして射出成形し
やすく、かつ表面を平滑に成形できることから、高架橋
性の熱硬化性樹脂を用いることが特に好ましい。
The resin mold may be made of any known resin material as long as it has a required hardness after curing. However, the resin mold has a high hardness so that it can be easily injection molded and has a smooth surface. It is particularly preferable to use a highly crosslinkable thermosetting resin because it can be molded.

【0012】一方、当該半導体パッケージの製造方法に
関しては、リードフレーム又は配線タブに形成された所
要形状のアンテナコイルにICチップを接続する工程
と、これらアンテナコイルとICチップの周囲を一体に
樹脂モールドする工程と、前記リードフレームの不要部
分を切断して所要の半導体パッケージを取り出す工程と
を含む構成にした。
On the other hand, with regard to the method of manufacturing the semiconductor package, a step of connecting an IC chip to an antenna coil of a required shape formed on a lead frame or a wiring tab, and a step of integrally molding the antenna coil and the periphery of the IC chip with a resin mold And extracting a required semiconductor package by cutting unnecessary portions of the lead frame.

【0013】リードフレームや配線タブは、多数のアン
テナコイルが一定間隔で形成されたリボン状に形成する
ことができる。また、樹脂モールド用の金型には、リボ
ン状に形成されたリードフレームや配線タブを順次送り
込むことができ、これによって、所要の樹脂モールドを
連続的に行うことができる。したがって、リードフレー
ム又は配線タブに形成された所要形状のアンテナコイル
にICチップを接続した後に、当該ICチップが接続さ
れたリードフレームを樹脂モールド用の金型に送り込ん
で樹脂モールドを実行すると、アンテナコイル及びIC
チップを搭載するための基板が不要で、かつアンテナコ
イルとICチップの周囲を連続的に樹脂モールドするこ
とができるので、所望の半導体パッケージ、ひいてはこ
れを搭載した半導体装置の生産性を著しく高めることが
できる。
The lead frame and the wiring tab can be formed in a ribbon shape in which a large number of antenna coils are formed at regular intervals. In addition, a lead frame or a wiring tab formed in a ribbon shape can be sequentially fed into a resin mold, whereby required resin molding can be continuously performed. Therefore, after connecting the IC chip to the antenna coil of a required shape formed on the lead frame or the wiring tab, the lead frame to which the IC chip is connected is fed into a mold for resin molding to perform resin molding. Coil and IC
Since a substrate for mounting the chip is not required, and the periphery of the antenna coil and the IC chip can be continuously resin-molded, the productivity of a desired semiconductor package and, consequently, a semiconductor device mounted with the same is significantly increased. Can be.

【0014】さらに、半導体装置に関しては、ICチッ
プと当該ICチップのパッド部に両端が接続された無線
通信用のアンテナコイルとを一体に樹脂モールドしてな
る半導体パッケージを、所定形状の基体内に埋設すると
いう構成にした。
Further, as for the semiconductor device, a semiconductor package formed by integrally resin-molding an IC chip and an antenna coil for wireless communication having both ends connected to the pad portion of the IC chip is provided in a base having a predetermined shape. It was configured to be buried.

【0015】前記したように、ICチップと無線通信用
のアンテナコイルとを一体に樹脂モールドしてなる半導
体パッケージは、薄形にして取り扱い性及び耐久性に優
れ、かつ表面の平坦性が高いので、この半導体パッケー
ジを基体内に埋設すれば、薄形にして耐久性に優れ、か
つ表面の平坦性が高い半導体装置を高能率に製造するこ
とができる。
As described above, a semiconductor package in which an IC chip and an antenna coil for wireless communication are integrally molded with a resin is thin, and is excellent in handleability and durability and has high surface flatness. By embedding the semiconductor package in the base, it is possible to manufacture a semiconductor device having a small thickness, excellent durability, and high surface flatness with high efficiency.

【0016】前記基体は、カバーシートと、当該カバー
シートの片面に設けられた接着剤層とから構成すること
もできるし、カバーシートと、当該カバーシートの片面
に設けられた接着剤層と、当該接着剤層中に介在された
不織布とから構成することもできる。
The base may be composed of a cover sheet and an adhesive layer provided on one side of the cover sheet, or a cover sheet, an adhesive layer provided on one side of the cover sheet, It can also be composed of a nonwoven fabric interposed in the adhesive layer.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】本発明に係る半導体パッケージの
第1例を、図1及び図2に基づいて説明する。図1は第
1実施形態例に係る半導体パッケージの一部破断した平
面図、図2は第1実施形態例に係る半導体パッケージの
要部拡大断面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first example of a semiconductor package according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a partially cutaway plan view of the semiconductor package according to the first embodiment, and FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part of the semiconductor package according to the first embodiment.

【0018】これらの図から明らかなように、第1実施
形態例に係る半導体パッケージ1Aは、1ターン構造の
アンテナコイル2aと、当該アンテナコイル2aの両端
部に形成されたリード端子部3と、当該リード端子部3
に直接接続されたICチップ4と、前記アンテナコイル
2aより外向きに突出された突出部5と、これらアンテ
ナコイル2a、リード端子部3、ICチップ4及び突出
部5を一体に封止するモールド樹脂6とから構成されて
いる。
As is clear from these figures, the semiconductor package 1A according to the first embodiment has an antenna coil 2a having a one-turn structure, and lead terminal portions 3 formed at both ends of the antenna coil 2a. The lead terminal part 3
IC chip 4 directly connected to the antenna, a protruding portion 5 protruding outward from the antenna coil 2a, and a mold for integrally sealing the antenna coil 2a, the lead terminal portion 3, the IC chip 4 and the protruding portion 5. And a resin 6.

【0019】アンテナコイル2a、リード端子部3及び
突出部は、金属薄板又は合成樹脂シートの表面に導電膜
を設けたものをもって一体に形成されており、図2に示
すように、モールド樹脂6の内部に水平に配置される。
なお、これらアンテナコイル2a、リード端子部3及び
突出部は、後により詳細に説明するように、リードフレ
ームより形成されるものを用いることもできるし、配線
タブより形成されるものを用いることもできる。ICチ
ップ4としては、入出力端子であるパッド部(図示省
略)に金バンプ7が施されたベアICチップが用いられ
る。このベアICチップ4としては、製造しようとする
半導体装置の総厚によっては、シリコンウエハに機械的
又は化学的手段若しくはこれらの組み合わせによる研磨
加工が施され、所望の厚さまで薄形化されたものを用い
ることもできる。
The antenna coil 2a, the lead terminal portion 3 and the protruding portion are integrally formed by providing a conductive film on the surface of a thin metal plate or a synthetic resin sheet, and as shown in FIG. It is arranged horizontally inside.
As described in more detail below, the antenna coil 2a, the lead terminal portion 3, and the protruding portion may be formed from a lead frame or may be formed from a wiring tab. it can. As the IC chip 4, a bare IC chip in which a gold bump 7 is applied to a pad portion (not shown) serving as an input / output terminal is used. Depending on the total thickness of the semiconductor device to be manufactured, the bare IC chip 4 is obtained by subjecting a silicon wafer to polishing by mechanical or chemical means or a combination thereof to reduce the thickness to a desired thickness. Can also be used.

【0020】リード端子部3とベアICチップ4とは、
図2に示すように、ICチップ4のパッド部に形成され
た金バンプ7を介して電気的に接続される。リード端子
部3とベアICチップ4との接続方法としては、はんだ
接続、溶接、導電ペースト接続、ACF接続又は圧着接
続等を用いることができる。
The lead terminal 3 and the bare IC chip 4
As shown in FIG. 2, they are electrically connected via gold bumps 7 formed on the pad portions of the IC chip 4. As a method of connecting the lead terminal portion 3 and the bare IC chip 4, solder connection, welding, conductive paste connection, ACF connection, crimp connection, or the like can be used.

【0021】モールド樹脂6は、硬化後に所要の硬度を
有するものであれば、公知に属する任意の樹脂材料を用
いて成形することができるが、高硬度にして射出成形し
やすく、かつ表面を平滑に成形できることから、高架橋
性の熱硬化性樹脂を用いることが特に好ましい。当該モ
ールド樹脂6の総厚は、必要に応じて任意に調整可能で
あるが、0.3mm乃至0.5mm程度に成形すること
も可能である。
The mold resin 6 can be molded using any known resin material as long as it has a required hardness after curing. It is particularly preferable to use a highly crosslinkable thermosetting resin because it can be molded into a resin. The total thickness of the mold resin 6 can be arbitrarily adjusted as needed, but can be formed to about 0.3 mm to 0.5 mm.

【0022】本例の半導体パッケージ1Aは、アンテナ
コイル2aとベアICチップ4とを一体に樹脂モールド
したので、これらアンテナコイル2a及びベアICチッ
プ4の剛性が高められ、取り扱い、特にアンテナコイル
2aの取り扱いが容易になると共に、アンテナコイル2
aの断線やベアICチップ4の破壊を防止することがで
きる。また、アンテナコイル及びICチップを搭載する
ための基板が不要であり、前記したように0.3mm乃
至0.5mm程度の厚さに成形することができて、しか
もその表面を平坦に成形することができるので、非接触
ICカード等の半導体装置に適用した場合に、薄形で平
坦性の高い半導体装置を得ることができる。
In the semiconductor package 1A of this embodiment, since the antenna coil 2a and the bare IC chip 4 are integrally resin-molded, the rigidity of the antenna coil 2a and the bare IC chip 4 is increased, and handling, particularly, of the antenna coil 2a, is performed. Handling is easy and the antenna coil 2
a and disconnection of the bare IC chip 4 can be prevented. Further, a substrate for mounting the antenna coil and the IC chip is not required, and can be formed to a thickness of about 0.3 mm to 0.5 mm as described above, and the surface thereof is formed flat. Therefore, when the present invention is applied to a semiconductor device such as a non-contact IC card, a thin semiconductor device having high flatness can be obtained.

【0023】次いで、第1実施形態例に係る半導体パッ
ケージ1Aの製造方法を、図3乃至図5に基づいて説明
する。図3はアンテナコイルの元になるリードフレーム
又は配線タブの要部平面図、図4はベアICチップ4が
接続されたリードフレーム又は配線タブの要部平面図、
図5はアンテナコイル2a及びベアICチップ4が樹脂
モールドされたリードフレーム又は配線タブの要部平面
図である。
Next, a method of manufacturing the semiconductor package 1A according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 3 is a plan view of a main part of a lead frame or a wiring tab serving as a base of an antenna coil. FIG. 4 is a plan view of a main part of a lead frame or a wiring tab to which a bare IC chip 4 is connected.
FIG. 5 is a plan view of a main part of a lead frame or a wiring tab in which the antenna coil 2a and the bare IC chip 4 are resin-molded.

【0024】まず、図3に示すように、1ターン構造の
アンテナコイル2aと、当該アンテナコイル2aの両端
部に形成されたリード端子部3と、切断後に突出部5と
なるパッケージ支持部8と、位置決め孔9と、搬送用孔
10とが長手方向に所要のピッチで多数形成されたリボ
ン状又はテープ状のリードフレーム又は配線タブ21A
を用意する。
First, as shown in FIG. 3, an antenna coil 2a having a one-turn structure, lead terminal portions 3 formed at both ends of the antenna coil 2a, a package support portion 8 which becomes a protruding portion 5 after cutting, and , Positioning holes 9 and transport holes 10 are formed in a longitudinal direction at a required pitch in a ribbon-shaped or tape-shaped lead frame or wiring tab 21A.
Prepare

【0025】次に、図4に示すように、リードフレーム
又は配線タブ21Aのリード端子部3に、ベアICチッ
プ4のパッド部に形成された金バンプ7を直接接続す
る。リード端子部3と金バンプ7との直接接続方法とし
ては、前記したように、はんだ接続、溶接、導電ペース
ト接続、ACF接続又は圧着接続等を用いることができ
る。
Next, as shown in FIG. 4, the gold bump 7 formed on the pad portion of the bare IC chip 4 is directly connected to the lead terminal portion 3 of the lead frame or the wiring tab 21A. As a direct connection method between the lead terminal portion 3 and the gold bump 7, as described above, solder connection, welding, conductive paste connection, ACF connection, or crimp connection can be used.

【0026】次に、ベアICチップ4が搭載されたリー
ドフレーム又は配線タブ21Aを、前記位置決め孔9及
び搬送用孔10を利用して図示しないモールド金型に送
り込み、図5に示すように、アンテナコイル2a、リー
ド端子部3、ICチップ4及びパッケージ支持部8の一
部を一体に樹脂モールドする。このように、リードフレ
ーム又は配線タブ21AによりベアICチップ4をホー
ルドすることにより、半導体パッケージの厚さ方向の中
央位置に基板を用いることなくベアICチップ4を設置
できる。
Next, the lead frame or the wiring tab 21A on which the bare IC chip 4 is mounted is sent to a mold (not shown) using the positioning holes 9 and the transport holes 10, and as shown in FIG. The antenna coil 2a, the lead terminal portion 3, the IC chip 4, and a part of the package support portion 8 are integrally resin-molded. As described above, by holding the bare IC chip 4 by the lead frame or the wiring tab 21A, the bare IC chip 4 can be installed at the center position in the thickness direction of the semiconductor package without using a substrate.

【0027】最後に、モールド樹脂6から突出したパッ
ケージ支持部8を切断し、図1及び図2に示した半導体
パッケージ1Aを得る。なお、図1においては、モール
ド樹脂6の外面より突出部5の一部が外向きに突出して
いるが、本発明の要旨はこれに限定されるものではな
く、モールド樹脂6の外面の面内でパッケージ支持部8
を切断することにより、モールド樹脂6の外面からの突
出部5の突出を防止することもできる。
Finally, the package supporting portion 8 protruding from the mold resin 6 is cut to obtain the semiconductor package 1A shown in FIGS. In FIG. 1, a part of the protruding portion 5 protrudes outward from the outer surface of the mold resin 6. However, the gist of the present invention is not limited to this, and the in-plane of the outer surface of the mold resin 6 is not limited thereto. With package support 8
Is cut, the protrusion of the protrusion 5 from the outer surface of the mold resin 6 can be prevented.

【0028】かように、リードフレーム又は配線タブ2
1Aを利用して半導体パッケージ1Aを製造すると、各
工程を完全に自動化できるため、所望の半導体パッケー
ジ、ひいてはこれを搭載した半導体装置の生産性を著し
く高めることができる。
Thus, the lead frame or the wiring tab 2
When the semiconductor package 1A is manufactured using the semiconductor package 1A, each process can be completely automated, so that the productivity of a desired semiconductor package and a semiconductor device having the semiconductor package mounted thereon can be significantly increased.

【0029】以下、本発明に係る半導体パッケージの第
2例を、図6及び図7に基づいて説明する。図6は第2
実施形態例に係る半導体パッケージの一部破断した平面
図、図7は第2実施形態例に係る半導体パッケージの要
部拡大断面図である。
Hereinafter, a second example of the semiconductor package according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 6 shows the second
FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a semiconductor package according to a second embodiment.

【0030】これらの図から明らかなように、第2実施
形態例に係る半導体パッケージ1Bは、渦巻き構造のア
ンテナコイル2bと、当該アンテナコイル2bの両端部
に形成されたリード端子部3と、当該リード端子部3に
直接接続されたICチップ4と、前記アンテナコイル2
aより外向きに突出された突出部5と、これらアンテナ
コイル2b、リード端子部3、ICチップ4及び突出部
5を一体に封止するモールド樹脂6とから構成されてい
る。
As is apparent from these figures, the semiconductor package 1B according to the second embodiment includes an antenna coil 2b having a spiral structure, lead terminals 3 formed at both ends of the antenna coil 2b, An IC chip 4 directly connected to a lead terminal portion 3;
The antenna coil 2 b, the lead terminal 3, the IC chip 4, and the mold resin 6 that integrally seals the protrusion 5 are formed.

【0031】本例の半導体パッケージ1Bは、アンテナ
コイルとして渦巻き構造のアンテナコイル2bを用いた
ことを特徴とするものであり、その他の部分の構成につ
いては第1実施形態例に係る半導体パッケージ1Aの構
成と同じであるため、図面の対応する部分に同一の符号
を付して説明を省略する。また、製造方法についても、
第1実施形態例に係る半導体パッケージ1Aの製造方法
と同じであるため、第1実施形態例に係る半導体パッケ
ージ1Aの製造方法を示す図3乃至図5に対応する図8
乃至図10を掲げて、説明を省略する。
The semiconductor package 1B of the present embodiment is characterized by using an antenna coil 2b having a spiral structure as an antenna coil, and the configuration of other parts is the same as that of the semiconductor package 1A according to the first embodiment. Since the configuration is the same, the same reference numerals are given to the corresponding portions in the drawings, and description thereof will be omitted. Also, regarding the manufacturing method,
Since it is the same as the method of manufacturing the semiconductor package 1A according to the first embodiment, FIG. 8 corresponding to FIGS. 3 to 5 showing the method of manufacturing the semiconductor package 1A according to the first embodiment.
The description is omitted with reference to FIGS.

【0032】本例の半導体パッケージ1Bは、第1実施
形態例に係る半導体パッケージ1Aと同様の効果を有す
るほか、渦巻き構造のアンテナコイル2bを用いたの
で、第1実施形態例に係る半導体パッケージ1Aよりも
半導体パッケージを小型化できるという効果がある。
The semiconductor package 1B according to the present embodiment has the same effects as the semiconductor package 1A according to the first embodiment, and uses the spiral-shaped antenna coil 2b, so that the semiconductor package 1A according to the first embodiment is used. This has the effect that the semiconductor package can be made smaller in size.

【0033】以下、本発明に係る半導体パッケージの第
3例を、図11及び図12に基づいて説明する。図11
は第3実施形態例に係る半導体パッケージの一部破断し
た平面図、図12は第3実施形態例に係る半導体パッケ
ージの要部拡大断面図である。
Hereinafter, a third example of the semiconductor package according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG.
FIG. 12 is a partially cutaway plan view of a semiconductor package according to the third embodiment, and FIG. 12 is an enlarged sectional view of a main part of the semiconductor package according to the third embodiment.

【0034】これらの図から明らかなように、第3実施
形態例に係る半導体パッケージ1Cは、渦巻き構造のア
ンテナコイル2bと、当該アンテナコイル2bの両端部
に形成されたリード端子部3と、ダイパッド11と、当
該ダイパッド11上に設定されたICチップ4と、当該
ICチップ4のパッド部に形成された金バンプ7と前記
アンテナコイル2bの両端部に形成されたリード端子部
3とを接続する金ワイヤ12と、前記アンテナコイル2
aより外向きに突出された突出部5と、これらアンテナ
コイル2b、リード端子部3、ダイパッド11、ICチ
ップ4、金ワイヤ12及び突出部5を一体に封止するモ
ールド樹脂6とから構成されている。
As apparent from these figures, the semiconductor package 1C according to the third embodiment has an antenna coil 2b having a spiral structure, lead terminals 3 formed at both ends of the antenna coil 2b, and a die pad. 11, the IC chip 4 set on the die pad 11, the gold bump 7 formed on the pad portion of the IC chip 4, and the lead terminal portions 3 formed on both ends of the antenna coil 2b. The gold wire 12 and the antenna coil 2
and a molding resin 6 for integrally sealing the antenna coil 2b, the lead terminal portion 3, the die pad 11, the IC chip 4, the gold wire 12, and the projection portion 5. ing.

【0035】ダイパッド11は、アンテナコイル2b、
リード端子部3及び突出部5と同一材料をもって構成さ
れており、アンテナコイル2bと並列に配置される。金
バンプ7とリード端子部3との接続は、ワイヤボンディ
ングによって行うことができる。その他の部分の構成に
ついては第1実施形態例に係る半導体パッケージ1Aの
構成と同じであるため、図面の対応する部分に同一の符
号を付して説明を省略する。
The die pad 11 includes an antenna coil 2b,
The lead terminals 3 and the protrusions 5 are made of the same material, and are arranged in parallel with the antenna coil 2b. The connection between the gold bump 7 and the lead terminal portion 3 can be made by wire bonding. Since the configuration of other parts is the same as the configuration of the semiconductor package 1A according to the first embodiment, corresponding parts in the drawings are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

【0036】本例の半導体パッケージ1Cは、第1実施
形態例に係る半導体パッケージ1A及び第2実施形態例
に係る半導体パッケージ1Bと同様の効果を有するほ
か、アンテナコイルの両端部に形成されたリード端子部
3にICチップ4を直接接続する構成に代えて、アンテ
ナコイル2bと並列に配置されたダイパッド11にIC
チップ4を設定し、当該ICチップ4のパッド部に形成
された金バンプ7と前記アンテナコイル2bの両端部に
形成されたリード端子部3とを金ワイヤ12にて接続す
るようにしたので、アンテナコイル2bの設計の自由度
を高めることができ、さらなる通信距離の拡大を図るこ
とができる。
The semiconductor package 1C of this embodiment has the same effects as the semiconductor package 1A of the first embodiment and the semiconductor package 1B of the second embodiment, and also has leads formed at both ends of the antenna coil. Instead of the configuration in which the IC chip 4 is directly connected to the terminal portion 3, the IC pad 4 is mounted on the die pad 11 arranged in parallel with the antenna coil 2b.
Since the chip 4 was set and the gold bumps 7 formed on the pad portions of the IC chip 4 and the lead terminals 3 formed on both ends of the antenna coil 2b were connected by the gold wires 12, The degree of freedom in designing the antenna coil 2b can be increased, and the communication distance can be further increased.

【0037】次いで、第3実施形態例に係る半導体パッ
ケージ1Cの製造方法を、図13乃至図15に基づいて
説明する。図13はアンテナコイルの元になるリードフ
レーム又は配線タブの要部平面図、図14はベアICチ
ップ4が接続されたリードフレーム又は配線タブの要部
平面図、図15はアンテナコイル2a及びベアICチッ
プ4が樹脂モールドされたリードフレーム又は配線タブ
の要部平面図である。
Next, a method of manufacturing the semiconductor package 1C according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 13 is a plan view of a main part of a lead frame or a wiring tab serving as a base of an antenna coil, FIG. 14 is a plan view of a main part of a lead frame or a wiring tab to which a bare IC chip 4 is connected, and FIG. FIG. 3 is a plan view of a main part of a lead frame or a wiring tab on which an IC chip 4 is resin-molded.

【0038】まず、図13に示すように、渦巻き構造の
アンテナコイル2bと、当該アンテナコイル2bの両端
部に形成されたリード端子部3と、ダイパッド11と、
切断後に突出部5となるパッケージ支持部8と、位置決
め孔9と、搬送用孔10とが長手方向に所要のピッチで
多数形成されたリボン状又はテープ状のリードフレーム
又は配線タブ21Cを用意する。
First, as shown in FIG. 13, an antenna coil 2b having a spiral structure, lead terminals 3 formed at both ends of the antenna coil 2b, a die pad 11,
A ribbon-shaped or tape-shaped lead frame or wiring tab 21C in which a number of package supporting portions 8 to be projected portions 5 after cutting, positioning holes 9 and transport holes 10 are formed at a required pitch in the longitudinal direction is prepared. .

【0039】次に、図14に示すように、リードフレー
ム又は配線タブ21Cに形成されたダイパッド11上
に、ベアICチップ4を設定する。ベアICチップ4の
設定は、例えば接着等によって行うことができる。次い
で、同じく図14に示すように、当該ICチップ4のパ
ッド部に形成された金バンプ7と前記アンテナコイル2
bの両端部に形成されたリード端子部3とを金ワイヤ1
2にて接続する。金ワイヤ12の接続方法としては、ワ
イヤボンディングを適用することができる。
Next, as shown in FIG. 14, the bare IC chip 4 is set on the die pad 11 formed on the lead frame or the wiring tab 21C. The setting of the bare IC chip 4 can be performed by, for example, bonding or the like. Next, as also shown in FIG. 14, the gold bump 7 formed on the pad portion of the IC chip 4 and the antenna coil 2 are formed.
b and the lead terminal portions 3 formed at both ends of the gold wire 1
Connect with 2. As a connection method of the gold wire 12, wire bonding can be applied.

【0040】次に、アンテナコイル2bとベアICチッ
プ4とが接続されたリードフレーム又は配線タブ21C
を、前記位置決め孔9及び搬送用孔10を利用して図示
しないモールド金型に送り込み、図15に示すように、
アンテナコイル2a、リード端子部3、ダイパッド1
1,ICチップ4及びパッケージ支持部8の一部を一体
に樹脂モールドする。
Next, a lead frame or a wiring tab 21C to which the antenna coil 2b and the bare IC chip 4 are connected.
Is sent to a mold (not shown) using the positioning holes 9 and the transport holes 10, and as shown in FIG.
Antenna coil 2a, lead terminal 3, die pad 1
1. A part of the IC chip 4 and a part of the package supporting portion 8 are integrally resin-molded.

【0041】最後に、モールド樹脂6から突出したパッ
ケージ支持部8を切断し、図11及び図12に示した半
導体パッケージ1Cを得る。この場合にも、突出部5の
先端は、モールド樹脂6の外面より外向きに突出させる
こともできるし、モールド樹脂6の外面の面内に配置す
ることもできる。
Finally, the package supporting portion 8 protruding from the mold resin 6 is cut to obtain the semiconductor package 1C shown in FIGS. Also in this case, the tip of the protruding portion 5 can be made to protrude outward from the outer surface of the mold resin 6 or can be arranged in the outer surface of the mold resin 6.

【0042】本例の半導体パッケージ製造方法も、第1
実施形態例に係る半導体パッケージ製造方法と同様の効
果を有する。
The semiconductor package manufacturing method of this embodiment is also the first method.
It has the same effect as the semiconductor package manufacturing method according to the embodiment.

【0043】以下、前記各実施形態例に係る半導体パッ
ケージ1A,1B,1Cを搭載したカード形の非接触式
半導体装置、即ち非接触式ICカードの構成と、その製
造方法とについて説明する。
Hereinafter, the structure of a card-type non-contact type semiconductor device equipped with the semiconductor packages 1A, 1B and 1C according to the above embodiments, that is, a non-contact type IC card, and a method of manufacturing the same will be described.

【0044】図16は本発明に係る非接触式ICカード
の一部切断した平面図、図17は図16に表示された非
接触ICカードのA−A断面図である。
FIG. 16 is a partially cutaway plan view of the non-contact type IC card according to the present invention, and FIG. 17 is a sectional view of the non-contact type IC card shown in FIG.

【0045】図16及び図17に示すように、本例の非
接触式ICカード30は、半導体パッケージ1A(1
B,1C)と、当該半導体パッケージ1A(1B,1
C)を埋設する基体31とから構成されている。
As shown in FIGS. 16 and 17, the non-contact type IC card 30 of the present embodiment has a semiconductor package 1A (1
B, 1C) and the semiconductor package 1A (1B, 1C).
C) and a base 31 embedded therein.

【0046】前記基体31は、図16及び図17に示す
ように、接着剤層32と当該接着剤層32の表面に被着
されたカバーシート33とから構成される。前記接着剤
層32には、基体31の強度及び剛性を高めるため、図
17に示すように不織布34を介在させることができ
る。
The base 31 is composed of an adhesive layer 32 and a cover sheet 33 attached to the surface of the adhesive layer 32, as shown in FIGS. A nonwoven fabric 34 can be interposed in the adhesive layer 32 as shown in FIG. 17 in order to increase the strength and rigidity of the base 31.

【0047】接着剤層32を構成する接着剤としては、
硬化後に所要の強度を有するものであれば公知に属する
任意の接着剤を用いることができるが、ロールプレスや
静圧プレスによる貼り合わせが可能で、しかも硬化後に
反りがほとんど生じないことから、熱可塑性のエラスト
マ又は熱可塑性のエラストマと樹脂との混合体を用いる
ことが特に好ましい。
As the adhesive constituting the adhesive layer 32,
Any adhesive known in the art can be used as long as it has the required strength after curing.However, since it can be bonded by a roll press or a static pressure press and hardly warps after curing, it can be used as a heat-sensitive adhesive. It is particularly preferred to use a plastic elastomer or a mixture of a thermoplastic elastomer and a resin.

【0048】カバーシート33は、任意の絶縁性樹脂シ
ートをもって構成することができるが、高強度にして接
着性及び印刷性に優れることなどから、ポリエチレンテ
レフタレート(PET)や塩化ビニル(PVC)などを
用いることが特に好ましい。
The cover sheet 33 can be made of any insulating resin sheet, but is made of polyethylene terephthalate (PET), vinyl chloride (PVC) or the like because of its high strength and excellent adhesiveness and printability. It is particularly preferred to use.

【0049】本例の非接触式ICカード30は、ICチ
ップと無線通信用のアンテナコイルが一体に樹脂モール
ドされた半導体パッケージ1A(1B,1C)を基体3
1内に埋設するだけで製造できるので、高能率に製造で
きる。また、高強度で平坦性に優れた半導体パッケージ
1A(1B,1C)を基体31内に埋設するので、半導
体装置の耐久性及び平坦性を改善することができる。
The non-contact type IC card 30 of this embodiment comprises a semiconductor package 1A (1B, 1C) in which an IC chip and an antenna coil for wireless communication are integrally molded with a resin.
Since it can be manufactured simply by burying it in the device 1, it can be manufactured with high efficiency. Further, since the semiconductor package 1A (1B, 1C) having high strength and excellent flatness is embedded in the base 31, durability and flatness of the semiconductor device can be improved.

【0050】以下、前記実施形態例に係る非接触式IC
カード30の製造方法について説明する。
Hereinafter, the non-contact type IC according to the embodiment will be described.
A method for manufacturing the card 30 will be described.

【0051】〈半導体装置製造方法の第1例〉製造方法
の第1例は、半導体パッケージ1A(1B,1C)を、
不織布34が介在された接着剤層32とカバーシート3
3とからなる基体31をもってケーシングすることを特
徴とする。
<First Example of Semiconductor Device Manufacturing Method> In a first example of a manufacturing method, the semiconductor package 1A (1B, 1C) is
Adhesive layer 32 and cover sheet 3 with nonwoven fabric 34 interposed
3 is characterized in that it is casing with a base 31 composed of

【0052】まず、図18に示すように、圧縮性と自己
圧着性とを有する不織布34の片面に、半導体パッケー
ジ1A(1B,1C)を順次仮付けする。ここで、不織
布34の圧縮性とは、当該不織布34に前記半導体パッ
ケージ1A(1B,1C)を加熱下で押しつけたとき
に、当該半導体パッケージ1A(1B,1C)の全部又
は一部を不織布34内に埋設することができる性質をい
い、自己圧着性とは、加熱下で圧縮したときに、当該不
織布34を構成する繊維同士及び他の部材、例えば半導
体パッケージ1A(1B,1C)2や他の不織布を接着
して一定の形状を保持できる性質をいう。不織布34に
対する半導体パッケージ1A(1B,1C)の仮付け
は、テープ状又はリボン状に形成された不織布34の片
面に半導体パッケージ1A(1B,1C)を加熱下で押
しつけ、一定ピッチで配列することにより行う。
First, as shown in FIG. 18, semiconductor packages 1A (1B, 1C) are temporarily attached to one side of a nonwoven fabric 34 having compressibility and self-compression bonding property. Here, the compressibility of the nonwoven fabric 34 means that when the semiconductor package 1A (1B, 1C) is pressed against the nonwoven fabric 34 under heating, the whole or a part of the semiconductor package 1A (1B, 1C) is The self-pressing property refers to a property that can be buried in the fiber, and the term “self-compression bonding property” means that, when compressed under heating, the fibers constituting the nonwoven fabric 34 and other members, for example, the semiconductor package 1A (1B, 1C) 2 and others. Refers to the property that a non-woven fabric can be adhered to maintain a certain shape. The temporary attachment of the semiconductor packages 1A (1B, 1C) to the non-woven fabric 34 is performed by pressing the semiconductor packages 1A (1B, 1C) against one surface of the non-woven fabric 34 formed in a tape shape or a ribbon shape under heating and arranging the semiconductor packages 1A at a constant pitch. Performed by

【0053】半導体パッケージ1A(1B,1C)が仮
付けされた不織布34の半導体パッケージ1A(1B,
1C)搭載面に前記不織布34と同種又は異種の不織布
34を重ね合わせ、これら2枚の不織布34を加熱下で
圧着する。これにより、テープ状又はリボン状の不織布
34に多数の半導体パッケージ1A(1B,1C)が一
定ピッチで挟み込まれたフレキシブルICモジュール3
5が得られる。
The semiconductor package 1A (1B, 1B, 1B) of the nonwoven fabric 34 to which the semiconductor package 1A (1B, 1C) is temporarily attached.
1C) A non-woven fabric 34 of the same or different type as the non-woven fabric 34 is placed on the mounting surface, and these two non-woven fabrics 34 are press-bonded under heating. As a result, the flexible IC module 3 in which a large number of semiconductor packages 1A (1B, 1C) are sandwiched between the tape-shaped or ribbon-shaped nonwoven fabrics 34 at a constant pitch.
5 is obtained.

【0054】次に、このようにして作製されたフレキシ
ブルICモジュール35の表裏両面に接着剤層32を介
してカバーシート33を貼り合わせ、半導体パッケージ
1A(1B,1C)をケーシングする。半導体パッケー
ジ1A(1B,1C)のケーシングは、図19に示すよ
うに、ロール状に巻回されたフレキシブルICモジュー
ル35及びテープ状又はリボン状に形成されかつロール
状に巻回された片面に接着剤層32を有するカバーシー
ト33を用意しておき、ローラ41から引き出されたフ
レキシブルICモジュール35の表裏両面に、ローラ4
2,43から引き出されたカバーシート33を接着剤層
32を介して貼り合わせることにより行われる。図19
において、符号44は引き出しローラ、符号45は搬送
ローラ、符号46はフレキシブルICモジュール35と
カバーシート33とを仮付けする貼り合わせローラ、符
号47は仮付けされたフレキシブルICモジュール35
とカバーシート33の接合体を熱圧着して所定厚さのカ
ード原反48を作製する熱圧着ローラを示している。カ
バーシート33の片面に設けられた接着剤層32は、熱
圧着ローラ47を通過する過程で溶融され、不織布34
内に浸透して、フレキシブルICモジュール35と2枚
のカバーシート33とを一体に結合する。
Next, a cover sheet 33 is adhered to the front and back surfaces of the flexible IC module 35 thus manufactured via the adhesive layer 32, and the semiconductor package 1A (1B, 1C) is casing. As shown in FIG. 19, the casing of the semiconductor package 1A (1B, 1C) is bonded to the flexible IC module 35 wound in a roll shape and one surface formed in a tape or ribbon shape and wound in a roll shape. A cover sheet 33 having an agent layer 32 is prepared, and a roller 4 is provided on both sides of the flexible IC module 35 pulled out from the roller 41.
This is performed by bonding the cover sheet 33 pulled out from the base plates 2 and 43 via the adhesive layer 32. FIG.
In the figure, reference numeral 44 denotes a pull-out roller, reference numeral 45 denotes a transport roller, reference numeral 46 denotes a bonding roller for temporarily attaching the flexible IC module 35 and the cover sheet 33, and reference numeral 47 denotes a temporarily attached flexible IC module 35.
And a thermocompression roller for thermocompression-bonding the joined body of the cover sheet 33 and the card sheet 48 having a predetermined thickness. The adhesive layer 32 provided on one side of the cover sheet 33 is melted in the process of passing through
The flexible IC module 35 and the two cover sheets 33 are integrally joined.

【0055】なお、図19の例では、熱圧着ローラ47
を用いてカード原反48の作製を行ったが、かかる構成
に代えて、静圧プレス装置を用いてカード原反48の作
製を行うこともできる。
Incidentally, in the example of FIG.
Was used to manufacture the card stock 48, but instead of such a configuration, the card stock 48 can be manufactured using a static pressure press device.

【0056】最後に、カード原反48を裁断して、所定
形状及び寸法の非接触式ICカード30を得る。
Finally, the card blank 48 is cut to obtain a non-contact type IC card 30 having a predetermined shape and dimensions.

【0057】本例の半導体装置製造方法によると、フレ
キシブルICモジュール35及びカバーシート33をテ
ープ状又はリボン状に形成することができ、各工程にお
ける加工や処理を自動的かつ連続的に行うことができる
ので、所望の非接触式ICカード30の生産性を著しく
高めることができる。
According to the semiconductor device manufacturing method of this example, the flexible IC module 35 and the cover sheet 33 can be formed in a tape shape or a ribbon shape, and the processing and processing in each step can be performed automatically and continuously. Therefore, the productivity of the desired non-contact type IC card 30 can be significantly increased.

【0058】〈半導体装置製造方法の第2例〉半導体装
置製造方法の第2例は、半導体パッケージ1A(1B,
1C)を、接着剤層32とカバーシート33とからなる
基体31をもってケーシングすることを特徴とする。
<Second Example of Semiconductor Device Manufacturing Method> A second example of the semiconductor device manufacturing method includes a semiconductor package 1A (1B,
1C) is characterized in that it is casing with a base 31 composed of an adhesive layer 32 and a cover sheet 33.

【0059】半導体パッケージ1A(1B,1C)を、
図20に示すように、片面に接着剤層32が形成された
カバーシート33の接着剤層形成面に順次仮付けする。
接着剤層32に対する半導体パッケージ1A(1B,1
C)の仮付けは、テープ状又はリボン状に形成されたカ
バーシート33の接着剤層形成面に半導体パッケージ1
A(1B,1C)を加熱下で押しつけ、一定ピッチで配
列することにより行う。
The semiconductor package 1A (1B, 1C) is
As shown in FIG. 20, the cover sheet 33 having the adhesive layer 32 formed on one side is temporarily attached to the adhesive layer forming surface.
The semiconductor package 1A (1B, 1B) for the adhesive layer 32
C) is temporarily attached to the semiconductor package 1 on the adhesive layer forming surface of the cover sheet 33 formed in a tape shape or a ribbon shape.
A (1B, 1C) is pressed under heating and arranged at a constant pitch.

【0060】次に、半導体パッケージ1A(1B,1
C)が仮付けされたカバーシート33の半導体パッケー
ジ搭載面に前記カバーシート33と同種又は異種のカバ
ーシート33を貼り合わせ、半導体パッケージ1A(1
B,1C)をケーシングする。半導体パッケージ1A
(1B,1C)のケーシングは、図21に示すように、
半導体パッケージ1A(1B,1C)が仮付けされたカ
バーシート33と半導体パッケージ1A(1B,1C)
を有しないカバーシート33とを共にロール状に巻回し
ておき、各ローラ51,52から引き出された両カバー
シート33を接着剤層32を内側にして貼り合わせるこ
とにより行われる。図21においても、符号44は引き
出しローラ、符号45は搬送ローラ、符号46はカバー
シート33を仮付けする貼り合わせローラ、符号47は
仮付けされたカバーシート33の接合体を熱圧着して所
定厚さのカード原反48を作製する熱圧着ローラを示し
ている。各カバーシート33の片面に設けられた接着剤
層32は、熱圧着ローラ47を通過する過程で溶融さ
れ、半導体パッケージ1A(1B,1C)を接着剤層8
内に埋設すると共に2枚のカバーシート33を一体に結
合する。これによって、カード原反48が作製される。
Next, the semiconductor package 1A (1B, 1
C), a cover sheet 33 of the same type or a different type as the cover sheet 33 is attached to the surface of the cover sheet 33 to which the cover sheet 33 is temporarily attached, and the semiconductor package 1A (1
B, 1C). Semiconductor package 1A
As shown in FIG. 21, the casing (1B, 1C)
The cover sheet 33 to which the semiconductor package 1A (1B, 1C) is temporarily attached and the semiconductor package 1A (1B, 1C)
This is performed by winding a cover sheet 33 having no cover sheet together with a roll sheet, and bonding both cover sheets 33 drawn out from the rollers 51 and 52 with the adhesive layer 32 inside. Also in FIG. 21, reference numeral 44 denotes a pull-out roller, reference numeral 45 denotes a transport roller, reference numeral 46 denotes a bonding roller for temporarily attaching the cover sheet 33, and reference numeral 47 denotes a predetermined pressure-bonded body of the temporarily attached cover sheet 33. 4 shows a thermocompression roller for producing a card blank 48 having a thickness. The adhesive layer 32 provided on one side of each cover sheet 33 is melted in the process of passing through the thermocompression roller 47, and the semiconductor package 1A (1B, 1C) is bonded to the adhesive layer 8
And two cover sheets 33 are integrally connected. Thus, the card blank 48 is produced.

【0061】なお、図21の例では、熱圧着ローラ47
を用いてカード原反48の作製を行ったが、かかる構成
に代えて、静圧プレス装置を用いてカード原反48の作
製を行うこともできる。
Incidentally, in the example of FIG.
Was used to manufacture the card stock 48, but instead of such a configuration, the card stock 48 can be manufactured using a static pressure press device.

【0062】最後に、カード原反48を裁断して、所定
形状及び寸法の非接触式ICカード30を得る。
Finally, the card blank 48 is cut to obtain a non-contact type IC card 30 having a predetermined shape and dimensions.

【0063】本例の製造方法によると、第1製造方法と
同様の効果を奏するほか、不織布を用いないので、より
一層非接触式ICカード1の生産性を高めることができ
る。
According to the manufacturing method of this embodiment, the same effects as those of the first manufacturing method can be obtained, and the productivity of the non-contact type IC card 1 can be further increased because no nonwoven fabric is used.

【0064】なお、前記実施形態例においては、非接触
式ICカード30を例にとって説明したが、カード形以
外の半導体装置、例えばタグ形或いはコイン形の半導体
装置についても同様の方法で製造することができる。ま
た、金型にてモールドした半導体パッケージをタグ形又
はコイン形にして、半導体パッケージをそのまま半導体
装置として利用することもできる。
In the above embodiment, the non-contact type IC card 30 has been described as an example. However, a semiconductor device other than a card type, for example, a tag type or coin type semiconductor device may be manufactured by the same method. Can be. Further, the semiconductor package molded in a mold can be formed into a tag shape or a coin shape, and the semiconductor package can be used as it is as a semiconductor device.

【0065】[0065]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体パ
ッケージは、アンテナコイルとベアICチップとを一体
に樹脂モールドしたので、これらアンテナコイル及びベ
アICチップの剛性が高められ、アンテナコイルの取り
扱いが容易になると共に、アンテナコイルの断線やベア
ICチップの破壊を防止することができる。また、0.
3mm乃至0.5mm程度の厚さに成形することがで
き、かつその表面を平坦に成形することができるので、
非接触ICカード等の半導体装置に適用した場合に、薄
形で平坦性の高い半導体装置を得ることができる。
As described above, in the semiconductor package of the present invention, since the antenna coil and the bare IC chip are integrally resin-molded, the rigidity of the antenna coil and the bare IC chip is increased, and the handling of the antenna coil is improved. And the breaking of the antenna coil and the destruction of the bare IC chip can be prevented. Also, 0.
Since it can be formed to a thickness of about 3 mm to 0.5 mm and its surface can be formed flat,
When applied to a semiconductor device such as a non-contact IC card, a thin, highly flat semiconductor device can be obtained.

【0066】また、本発明の半導体パッケージ製造方法
によると、リードフレーム又は配線タブを利用して半導
体パッケージを製造するので、アンテナコイルとICチ
ップを搭載する基板が不要になると共に、各工程を完全
に自動化でき、所望の半導体パッケージ、ひいてはこれ
を搭載した半導体装置の生産性を著しく高めることがで
きる。
According to the semiconductor package manufacturing method of the present invention, since a semiconductor package is manufactured using a lead frame or a wiring tab, a substrate on which an antenna coil and an IC chip are mounted becomes unnecessary, and each step can be completed. Thus, the productivity of a desired semiconductor package and a semiconductor device having the semiconductor package mounted thereon can be significantly increased.

【0067】さらに、本発明の半導体装置は、ICチッ
プと無線通信用のアンテナコイルが一体に樹脂モールド
された半導体パッケージを基体内に埋設するだけで製造
できるので、高能率に製造できる。また、高強度で平坦
性に優れた半導体パッケージを基体内に埋設するので、
半導体装置の耐久性及び平坦性を改善することができ
る。
Furthermore, the semiconductor device of the present invention can be manufactured simply by embedding a semiconductor package in which an IC chip and an antenna coil for wireless communication are integrally molded in a resin in a base, so that the semiconductor device can be manufactured with high efficiency. In addition, since a semiconductor package with high strength and excellent flatness is embedded in the base,
The durability and flatness of the semiconductor device can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1実施形態例に係る半導体パッケージの一部
破断した平面図である。
FIG. 1 is a partially broken plan view of a semiconductor package according to a first embodiment.

【図2】第1実施形態例に係る半導体パッケージの断面
図である。
FIG. 2 is a sectional view of the semiconductor package according to the first embodiment;

【図3】第1実施形態例に係る半導体パッケージの製造
に適用されるリードフレーム又は配線タブの平面図であ
る。
FIG. 3 is a plan view of a lead frame or a wiring tab applied to the manufacture of the semiconductor package according to the first embodiment.

【図4】図3のリードフレーム又は配線タブにICチッ
プを搭載した状態を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a state where an IC chip is mounted on the lead frame or the wiring tab of FIG. 3;

【図5】ICチップが搭載された図3のリードフレーム
又は配線タブに樹脂モールドを施した状態を示す平面図
である。
5 is a plan view showing a state where a resin mold is applied to the lead frame or the wiring tab of FIG. 3 on which an IC chip is mounted.

【図6】第2実施形態例に係る半導体パッケージの一部
破断した平面図である。
FIG. 6 is a partially broken plan view of a semiconductor package according to a second embodiment.

【図7】第2実施形態例に係る半導体パッケージの断面
図である。
FIG. 7 is a sectional view of a semiconductor package according to a second embodiment.

【図8】第2実施形態例に係る半導体パッケージの製造
に適用されるリードフレーム又は配線タブの平面図であ
る。
FIG. 8 is a plan view of a lead frame or a wiring tab applied to the manufacture of a semiconductor package according to the second embodiment.

【図9】図8のリードフレーム又は配線タブにICチッ
プを搭載した状態を示す平面図である。
FIG. 9 is a plan view showing a state where an IC chip is mounted on the lead frame or the wiring tab of FIG. 8;

【図10】ICチップが搭載された図8のリードフレー
ム又は配線タブに樹脂モールドを施した状態を示す平面
図である。
FIG. 10 is a plan view showing a state where a resin mold is applied to the lead frame or the wiring tab of FIG. 8 on which an IC chip is mounted.

【図11】第3実施形態例に係る半導体パッケージの一
部破断した平面図である。
FIG. 11 is a partially broken plan view of a semiconductor package according to a third embodiment.

【図12】第3実施形態例に係る半導体パッケージの断
面図である。
FIG. 12 is a sectional view of a semiconductor package according to a third embodiment;

【図13】第3実施形態例に係る半導体パッケージの製
造に適用されるリードフレーム又は配線タブの平面図で
ある。
FIG. 13 is a plan view of a lead frame or a wiring tab applied to manufacture of a semiconductor package according to a third embodiment.

【図14】図13のリードフレーム又は配線タブにIC
チップを搭載した状態を示す平面図である。
FIG. 14 is a diagram showing an IC in a lead frame or a wiring tab shown in FIG. 13;
It is a top view showing the state where a chip was mounted.

【図15】ICチップが搭載された図13のリードフレ
ーム又は配線タブに樹脂モールドを施した状態を示す平
面図である。
FIG. 15 is a plan view showing a state where a resin mold is applied to the lead frame or the wiring tab of FIG. 13 on which an IC chip is mounted.

【図16】本発明に係る非接触式ICカードの一部切断
した平面図である。
FIG. 16 is a partially cutaway plan view of the non-contact type IC card according to the present invention.

【図17】図16に表示された非接触ICカードのA−
A部断面図である。
FIG. 17 is a diagram illustrating an example of the contactless IC card shown in FIG.
It is A section sectional drawing.

【図18】半導体パッケージが仮付けされた不織布の断
面図である。
FIG. 18 is a sectional view of a nonwoven fabric to which a semiconductor package is temporarily attached.

【図19】フレキシブルICモジュールのケーシング手
段を示す構成図である。
FIG. 19 is a configuration diagram showing a casing means of the flexible IC module.

【図20】半導体パッケージが仮付けされたカバーシー
トの断面図である。
FIG. 20 is a cross-sectional view of a cover sheet to which a semiconductor package is temporarily attached.

【図21】半導体パッケージのケーシング手段を示す構
成図である。
FIG. 21 is a configuration diagram showing a casing means of a semiconductor package.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1A,1B,1C 半導体パッケージ 2a,2b アンテナコイル 3 リード端子部 4 ICチップ 5 突出部 6 モールド樹脂 7 金バンプ 8 パッケージ支持部 9 位置決め孔 10 搬送用孔 11 ダイパッド 12 金ワイヤ 21A,21B,21C リードフレーム又は配線タブ 30 非接触式ICカード 31 基体 32 接着剤層 33 カバーシート 34 不織布 41,42,43,51,52 ローラ 44 引き出しローラ 45 搬送ローラ 46 貼り合わせローラ 47 熱圧着ローラ 48 カード原反 1A, 1B, 1C Semiconductor package 2a, 2b Antenna coil 3 Lead terminal 4 IC chip 5 Projection 6 Mold resin 7 Gold bump 8 Package support 9 Positioning hole 10 Transport hole 11 Die pad 12 Gold wire 21A, 21B, 21C Lead Frame or wiring tab 30 Non-contact type IC card 31 Base 32 Adhesive layer 33 Cover sheet 34 Non-woven fabric 41, 42, 43, 51, 52 Roller 44 Pull-out roller 45 Transport roller 46 Laminating roller 47 Thermocompression roller 48 Card stock

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 亀ケ谷 光雄 大阪府茨木市丑寅一丁目1番88号 日立マ クセル株式会社内 Fターム(参考) 2C005 MA10 MA11 MA14 NA09 NA34 NB08 NB11 NB34 PA18 QC09 RA07 TA22 5B035 AA04 AA07 BA05 BB09 CA01 CA23  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Mitsuo Kamagaya 1-88 Ushitora, Ibaraki-shi, Osaka F-term in Hitachi Maxell, Ltd. (Reference) 2C005 MA10 MA11 MA14 NA09 NA34 NB08 NB11 NB34 PA18 QC09 RA07 TA22 5B035 AA04 AA07 BA05 BB09 CA01 CA23

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ICチップと当該ICチップのパッド部
に両端が接続された無線通信用のアンテナコイルとを一
体に樹脂モールドしたことを特徴とする半導体パッケー
ジ。
1. A semiconductor package wherein an IC chip and an antenna coil for wireless communication having both ends connected to pad portions of the IC chip are integrally molded with a resin.
【請求項2】 請求項1に記載の半導体パッケージにお
いて、前記アンテナコイルが、リードフレーム又は配線
タブのいずれかより切断されたものからなることを特徴
とする半導体パッケージ。
2. The semiconductor package according to claim 1, wherein the antenna coil is cut from one of a lead frame and a wiring tab.
【請求項3】 請求項1に記載の半導体パッケージにお
いて、前記ICチップのパッド部に、前記アンテナコイ
ルの両端を直接接続したことを特徴とする半導体パッケ
ージ。
3. The semiconductor package according to claim 1, wherein both ends of said antenna coil are directly connected to pad portions of said IC chip.
【請求項4】 請求項3に記載の半導体パッケージにお
いて、前記ICチップのパッド部と前記アンテナコイル
の両端との接続が、はんだ接続、溶接、導電ペースト接
続、ACF接続又は圧着接続のいずれかによって行われ
ていることを特徴とする半導体パッケージ。
4. The semiconductor package according to claim 3, wherein the connection between the pad portion of the IC chip and both ends of the antenna coil is performed by one of a solder connection, a welding, a conductive paste connection, an ACF connection, and a crimp connection. A semiconductor package characterized by being performed.
【請求項5】 請求項1に記載の半導体パッケージにお
いて、前記ICチップのパッド部と前記アンテナコイル
の両端とを、金属線を介して間接的に接続したことを特
徴とする半導体パッケージ。
5. The semiconductor package according to claim 1, wherein a pad portion of the IC chip and both ends of the antenna coil are indirectly connected via a metal wire.
【請求項6】 請求項5に記載の半導体パッケージにお
いて、前記ICチップのパッド部と前記アンテナコイル
の両端との接続が、ワイヤボンディングによって行われ
ていることを特徴とする半導体パッケージ。
6. The semiconductor package according to claim 5, wherein the connection between the pad portion of the IC chip and both ends of the antenna coil is performed by wire bonding.
【請求項7】 請求項1に記載の半導体パッケージにお
いて、前記樹脂モールドが、高架橋性の熱硬化性樹脂に
て行われていることを特徴とする半導体パッケージ。
7. The semiconductor package according to claim 1, wherein said resin mold is made of a highly crosslinkable thermosetting resin.
【請求項8】 リードフレーム又は配線タブに形成され
た所要形状のアンテナコイルにICチップを接続する工
程と、これらアンテナコイルとICチップの周囲を一体
に樹脂モールドする工程と、前記リードフレームの不要
部分を切断して所要の半導体パッケージを取り出す工程
とを含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方
法。
8. A step of connecting an IC chip to an antenna coil having a required shape formed on a lead frame or a wiring tab, a step of integrally resin-molding the periphery of the antenna coil and the periphery of the IC chip, and eliminating the need for the lead frame. Cutting the portion to take out a required semiconductor package.
【請求項9】 ICチップと当該ICチップのパッド部
に両端が接続された無線通信用のアンテナコイルとを一
体に樹脂モールドしてなる半導体パッケージを、所定形
状の基体内に埋設したことを特徴とする半導体装置。
9. A semiconductor package formed by integrally resin-molding an IC chip and a wireless communication antenna coil having both ends connected to pad portions of the IC chip, and embedded in a base body having a predetermined shape. Semiconductor device.
【請求項10】 請求項9に記載の半導体装置におい
て、前記基体が、カバーシートと、当該カバーシートの
片面に設けられた接着剤層とからなることを特徴とする
半導体装置。
10. The semiconductor device according to claim 9, wherein said base comprises a cover sheet and an adhesive layer provided on one surface of said cover sheet.
【請求項11】 請求項9に記載の半導体装置におい
て、前記基体が、カバーシートと、当該カバーシートの
片面に設けられた接着剤層と、当該接着剤層中に介在さ
れた不織布とからなることを特徴とする半導体装置。
11. The semiconductor device according to claim 9, wherein the base comprises a cover sheet, an adhesive layer provided on one surface of the cover sheet, and a non-woven fabric interposed in the adhesive layer. A semiconductor device characterized by the above-mentioned.
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Cited By (2)

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JP2005186567A (en) * 2003-12-26 2005-07-14 Brother Ind Ltd Tag label preparing apparatus and cartridge for the same
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