JP2001051259A - Production of substrate, production of optoelectronic device and the optoelectronic device - Google Patents

Production of substrate, production of optoelectronic device and the optoelectronic device

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JP2001051259A
JP2001051259A JP11226533A JP22653399A JP2001051259A JP 2001051259 A JP2001051259 A JP 2001051259A JP 11226533 A JP11226533 A JP 11226533A JP 22653399 A JP22653399 A JP 22653399A JP 2001051259 A JP2001051259 A JP 2001051259A
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Japan
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substrate
film
coating film
forming
electro
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Yoichi Momose
洋一 百瀬
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Seiko Epson Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To thickly form inorganic insulating films which do not induce crazing, etc., from coating films of a liquid precursor. SOLUTION: An end edge 921 of an upper coating film 92 is offset with respect to an inner side from the end edge 911 of the lower coating film 91, when the surface protective films 19 covering the surface side of electrode patterns 40 are formed from the coating films of the liquid precursor applied by flexographic printing on a substrate 10 holding liquid crystals of the optoelectronic device. Then, even if build-up portions 912 and 922 of the liquid precursor are generated respectively near the end edges 911 and 921 of the upper coating film 92 and the lower coating film 91, these build-up portions 912 and 922 do not overlap on each other, and therefore, smaller maximum film thickness after coating application will be sufficient and the occurrence of the crazing is averted.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、導電膜の表面側が
絶縁膜で覆われた基板の製造方法、電気光学装置の製造
方法、およびこの方法で製造した電気光学装置に関する
ものである。さらに詳しくは、基板の表面に対する無機
絶縁膜形成技術に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a substrate having a conductive film covered with an insulating film, a method of manufacturing an electro-optical device, and an electro-optical device manufactured by the method. More specifically, the present invention relates to a technique for forming an inorganic insulating film on a surface of a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】導電膜の表面側が無機絶縁膜で覆われた
基板は、各種の分野で使用されているが、その代表的な
例としては、電気光学装置などにおいて電気光学物質を
駆動するための電極が形成された基板がある。たとえ
ば、代表的な電気光学装置である液晶装置では、液晶を
挟持するのに一対の基板が用いられ、これら一対の基板
には各々、液晶駆動用の電極が導電膜によって形成され
ているとともに、この電極の表面は、基板の略全面に形
成された無機絶縁膜からなる表面保護膜で覆われてい
る。
2. Description of the Related Art Substrates in which the front surface of a conductive film is covered with an inorganic insulating film are used in various fields. A typical example thereof is for driving an electro-optical material in an electro-optical device or the like. There is a substrate on which the electrodes are formed. For example, in a liquid crystal device which is a typical electro-optical device, a pair of substrates is used to sandwich liquid crystal, and each of the pair of substrates has a liquid crystal driving electrode formed of a conductive film, The surface of this electrode is covered with a surface protection film made of an inorganic insulating film formed on substantially the entire surface of the substrate.

【0003】このような液晶装置に用いる基板は、パッ
シブマトリクス型の液晶装置用の基板であれば、ガラス
基板などといった透明基板の表面にITO膜(Indi
umTin Oxide)などといった透明導電膜によ
って電極パターンを形成した後、この電極パターンの表
面側にシリコン酸化膜からなる表面保護膜を形成するこ
とによって製造される。また、表面保護膜の表面には配
向膜が形成される。ここで、表面保護膜は、電極パター
ンを形成した際などに発生した導電性異物が配向膜を突
き破って、各基板に形成されている電極パターン同士を
短絡させることを防止する目的に形成されている。
A substrate used in such a liquid crystal device is a substrate for a passive matrix type liquid crystal device, and an ITO film (Indi) is formed on the surface of a transparent substrate such as a glass substrate.
It is manufactured by forming an electrode pattern with a transparent conductive film such as umTin Oxide) and then forming a surface protection film made of a silicon oxide film on the surface side of the electrode pattern. An alignment film is formed on the surface of the surface protection film. Here, the surface protective film is formed for the purpose of preventing conductive foreign matter generated when an electrode pattern is formed or the like from breaking through the alignment film and short-circuiting the electrode patterns formed on each substrate. I have.

【0004】このような液晶装置を製造するにあたっ
て、従来は、透明基板の表面に電極パターンを形成した
後、スパッタ法などの成膜方法で表面保護膜が形成され
ているが、表面保護膜をフレキソ印刷法で成膜する場合
もある。このフレキソ印刷法によれば、高価な成膜装置
を用いなくても高い生産性が得られる。
Conventionally, in manufacturing such a liquid crystal device, a surface protective film is formed by a film forming method such as a sputtering method after forming an electrode pattern on a surface of a transparent substrate. In some cases, the film is formed by a flexographic printing method. According to the flexographic printing method, high productivity can be obtained without using an expensive film forming apparatus.

【0005】このフレキソ印刷による成膜方法では、一
般に、図8(A)に示すように、溶剤中にシリコン組成
物を含む液状物からなる無機絶縁膜形成用の液状前駆体
を凸版を用いて転写、塗布して塗膜90を形成した後、
塗膜90から溶剤成分を蒸発、除去し、しかる後にUV
照射や加熱処理を行なって塗膜90からシリコン酸化膜
を得る。
In this film forming method by flexographic printing, generally, as shown in FIG. 8A, a liquid precursor for forming an inorganic insulating film made of a liquid containing a silicon composition in a solvent is formed by using a relief printing plate. After transferring and applying to form a coating film 90,
The solvent component is evaporated and removed from the coating film 90, and then UV
Irradiation and heat treatment are performed to obtain a silicon oxide film from the coating film 90.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
フレキソ印刷による方法で表面保護膜を形成した場合に
は、十分な膜厚をもった表面保護膜を安定して形成でき
ないという問題点がある。すなわち、フレキソ印刷時に
液状前駆体を塗布すると、図8(A)に示すように塗膜
90の端縁901付近が、内側領域の膜厚の2倍程度の
膜厚にまで盛り上がり、この盛り上がり902の部分が
あまりに分厚いと、成膜後に洗浄あるいはラビング処理
を行った際にひび割れが発生する。このようなひび割れ
は、表面保護膜全体の剥がれの原因となって好ましくな
い。
However, when a surface protective film is formed by a conventional flexographic printing method, there is a problem that a surface protective film having a sufficient film thickness cannot be stably formed. That is, when the liquid precursor is applied at the time of flexographic printing, as shown in FIG. 8A, the vicinity of the edge 901 of the coating film 90 rises to a film thickness that is about twice as large as the film thickness of the inner region. If the portion is too thick, cracks occur when cleaning or rubbing is performed after film formation. Such cracks are not preferable because they cause the whole surface protective film to peel off.

【0007】たとえば、液状前駆体をフレキソ印刷で一
度塗りした方法では、端縁901付近に発生した盛り上
がりが約1500オングストロームになると、後でひび
割れが発生する。すなわち、約750オングストームの
表面保護膜を形成すると、端縁901付近に約1500
オングストロームの盛り上がりが発生することになるの
で、この方法では、750オングストロームの表面保護
膜を形成するのが限界である。
[0007] For example, in the method in which the liquid precursor is applied once by flexographic printing, when the bulge generated near the edge 901 becomes about 1500 angstroms, cracks are generated later. That is, when a surface protective film of about 750 angstroms is formed, about 1500
In this method, the formation of a 750 Å surface protective film is the limit, since Angstrom swelling will occur.

【0008】これに対して、図8(B)に示すように、
液状前駆体をフレキソ印刷で塗布して下側塗膜91を形
成した後、この下側塗膜91から溶剤成分を蒸発、除去
し、次に下側塗膜91の表面に再度、無機絶縁膜形成用
の液状前駆体をフレキソ印刷で重ねて塗布して上側塗膜
92を形成し、しかる後に上側塗膜92および下側塗膜
91を硬化させる方法を採用すると、端縁901付近の
盛り上がり903が約2000オングストロームになる
とき、後でひび割れが発生する。すなわち、約500オ
ングストームの下側塗膜91に約500オングストーム
の上側塗膜92を重ねて約1000オングストームの表
面保護膜を形成すると、端縁901付近に約2000オ
ングストロームの盛り上がり903が発生することにな
るので、この方法では、1000オングストロームの表
面保護膜を形成するのが限界である。
On the other hand, as shown in FIG.
After the liquid precursor is applied by flexographic printing to form the lower coating 91, the solvent component is evaporated and removed from the lower coating 91, and then the surface of the lower coating 91 is again coated with an inorganic insulating film. When a liquid precursor for formation is applied by flexographic printing to form an upper coating film 92 and then the upper coating film 92 and the lower coating film 91 are cured, a bulge 903 near the edge 901 is obtained. When it reaches about 2000 Angstroms, cracking occurs later. That is, when the upper protective film 92 of about 500 Å is overlaid on the lower paint film 91 of about 500 Å to form a surface protective film of about 1,000 Å, a bulge 903 of about 2,000 Å near the edge 901 occurs. Therefore, this method has a limit in forming a surface protective film of 1000 Å.

【0009】従って、従来のフレキソ印刷を用いた成膜
方法では、約1000オングストロームの表面保護膜を
形成するのが限界であり、液晶装置などにおいて表面保
護膜を、たとえば1300オングストローム位にまで厚
くして基板間の短絡をより確実に防止したいときには、
従来のフレキソ印刷による成膜方法では対応できないこ
とになる。
Therefore, the conventional film forming method using flexographic printing has a limit of forming a surface protective film of about 1000 Å, and in a liquid crystal device or the like, the surface protective film is thickened to, for example, about 1300 Å. If you want to more reliably prevent short circuits between boards,
The conventional film forming method by flexographic printing cannot cope.

【0010】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
ひび割れなどを起こすことのない無機絶縁膜を液状前駆
体の塗膜から厚く形成することのできる基板の製造方
法、電気光学装置の製造方法、およびこれらの方法によ
り製造した電気光学装置を提供することにある。
[0010] In view of the above problems, an object of the present invention is to provide:
Provided are a method of manufacturing a substrate, a method of manufacturing an electro-optical device, and an electro-optical device manufactured by these methods, which can form an inorganic insulating film that does not cause cracks or the like from a coating film of a liquid precursor. It is in.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、無機絶縁膜形成用の液状前駆体の塗膜
から形成された無機絶縁膜によって導電膜の表面側が覆
われた基板の製造方法において、前記導電膜が形成され
た基板の表面に無機絶縁膜形成用の液状前駆体を塗布し
て下側塗膜を形成した後、当該下側塗膜の表面に無機絶
縁膜形成用の液状前駆体を塗布して上側塗膜を形成する
とともに当該上側塗膜を形成する際に該上側塗膜の端縁
を前記下側塗膜の端縁より内側に位置させることを特徴
とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a method of forming a substrate having a surface covered with an inorganic insulating film formed from a coating film of a liquid precursor for forming an inorganic insulating film. In the manufacturing method, a liquid precursor for forming an inorganic insulating film is applied on the surface of the substrate on which the conductive film is formed to form a lower coating, and then the inorganic coating is formed on the surface of the lower coating. And forming an upper coating by applying the liquid precursor of the above, wherein the edge of the upper coating is positioned inside the edge of the lower coating when forming the upper coating. .

【0012】本発明では、下側塗膜の表面に上側塗膜を
形成する際に上側塗膜を下側塗膜より内側領域に形成す
るので、上側塗膜の端縁は下側塗膜の端縁の内側にずれ
ている。従って、上側塗膜および下側塗膜の端縁付近の
それぞれに液状前駆体の盛り上がり部分が発生しても、
これらの盛り上がり部分同士が重ならない。従って、従
来の一度塗り、あるいは上側塗膜を下側塗膜に完全に重
ねた二度塗りの方法と比較して、同じ厚さに液状前駆体
を塗布しても塗布後の最大膜厚が薄く済む。それ故、本
発明によれば、下側塗膜および上側塗膜を厚く形成して
絶縁強度を高めても、無機絶縁膜にひび割れが発生しな
いので、電気光学装置において液晶などの電気光学物質
を保持する基板などを製造するのに適している。
In the present invention, when forming the upper coating on the surface of the lower coating, the upper coating is formed in a region inside the lower coating, so that the edge of the upper coating is formed by the edge of the lower coating. It is shifted inside the edge. Therefore, even if a raised portion of the liquid precursor occurs near the edges of the upper coating and the lower coating,
These raised portions do not overlap each other. Therefore, compared to the conventional single-coating method or double-coating method in which the upper coating film is completely overlaid on the lower coating film, the maximum film thickness after coating is the same even if the liquid precursor is applied to the same thickness. It can be thin. Therefore, according to the present invention, even if the lower coating and the upper coating are formed to be thicker to increase the insulation strength, the inorganic insulating film does not crack, so that the electro-optical material such as liquid crystal is used in the electro-optical device. It is suitable for manufacturing a substrate to be held.

【0013】本発明において、前記下側塗膜および前記
上側塗膜を形成するための液状前駆体は、たとえば溶剤
中にシリコン組成物を含む液状物である。このような液
状物の塗膜は、紫外線照射と熱処理とを行うことによっ
て、シリコン酸化物からなる前記無機絶縁膜を形成す
る。
In the present invention, the liquid precursor for forming the lower coating and the upper coating is, for example, a liquid containing a silicon composition in a solvent. The coating film of such a liquid material is subjected to ultraviolet irradiation and heat treatment to form the inorganic insulating film made of silicon oxide.

【0014】本発明において、前記下側塗膜を形成した
後、該下側塗膜から溶剤成分を蒸発させ、しかる後に当
該下側塗膜の表面に前記上側塗膜を形成することが好ま
しい。
In the present invention, it is preferable that after forming the lower coating film, a solvent component is evaporated from the lower coating film, and then the upper coating film is formed on the surface of the lower coating film.

【0015】本発明において、前記下側塗膜および前記
上側塗膜のいずれについても、フレキソ印刷により前記
液状前駆体を塗布することが好ましい。
In the present invention, it is preferable that the liquid precursor is applied by flexographic printing to both the lower coating and the upper coating.

【0016】本発明において、前記上側塗膜を形成する
際には、前記上側塗膜の端縁が前記下側塗膜の端縁より
も約50μm以上、内側に位置するように液状前駆体を
塗布する。たとえば、フレキソ印刷法を用いる場合に
は、機械精度などを考慮して、前記上側塗膜の端縁が前
記下側塗膜の端縁よりも約200μm、内側に位置する
ように液状前駆体を塗布することが好ましい。
In the present invention, when forming the upper coating film, the liquid precursor is placed so that the edge of the upper coating film is located at least about 50 μm inside the edge of the lower coating film. Apply. For example, when using the flexographic printing method, in consideration of mechanical accuracy and the like, the liquid precursor is placed such that the edge of the upper coating is about 200 μm inside the edge of the lower coating, and is located inside. It is preferable to apply.

【0017】このような方法を採用する場合には、前記
下側塗膜および前記上側塗膜を形成した後の最大膜厚を
2000オングストローム以下とすれば、ひび割れの発
生を確実に防止できる。
In the case of employing such a method, if the maximum film thickness after forming the lower coating film and the upper coating film is set to 2000 Å or less, the generation of cracks can be surely prevented.

【0018】本発明に係る方法で製造した基板について
は、電気光学装置において電気光学物質を挟持する一対
の基板のうちの少なくとも一方に用いることが好まし
い。ここで、前記電気光学物質の代表的なものとして液
晶を用いれば、電気光学装置として、液晶装置を製造す
ることができる。
The substrate manufactured by the method according to the present invention is preferably used as at least one of a pair of substrates holding an electro-optical material in an electro-optical device. Here, if a liquid crystal is used as a representative electro-optical material, a liquid crystal device can be manufactured as the electro-optical device.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】添付図面を参照して、本発明の実
施の形態を説明する。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

【0020】(全体構成)図1は、本形態の表示装置に
用いた電気光学装置(液晶装置)の外観を示す斜視図で
ある。図2は、この電気光学装置のA−A′線におけ断
面図である。図3および図4はそれぞれ、この電気光学
装置において電気光学物質としての液晶を挟持している
第1の基板および第2の基板の平面図である。なお、図
1には、電極パターンおよび端子などを模式的に示して
あるだけなので、詳細は図3および図4を参照して説明
する。
(Overall Configuration) FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of an electro-optical device (liquid crystal device) used in the display device of the present embodiment. FIG. 2 is a sectional view of the electro-optical device taken along line AA '. FIGS. 3 and 4 are plan views of a first substrate and a second substrate, respectively, which hold liquid crystal as an electro-optical material in the electro-optical device. Note that FIG. 1 schematically shows only electrode patterns and terminals, and the details will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

【0021】図1および図2において、本形態の電気光
学装置1は、パッシブマトリクスタイプの液晶装置であ
る。この電気光学装置1において、所定の間隙を介して
シール剤30によって対向して貼り合わされた矩形の一
対の基板間には、シール剤30によって囲まれた電気光
学物質封入領域35が区画形成されている。このシール
剤30には、その途切れ部分によって注入口39が形成
され、この注入口39から電気光学物質封入領域35内
に電気光学物質としての液晶が注入され、注入後に封止
材で封止されている。ここで、前記の一対の基板のう
ち、縦方向の第1の電極パターン40が形成されている
方の基板を第1の基板10とし、横方向の第2の電極パ
ターン50が形成されている方の基板を第2の基板20
とする。なお、ここに示す電気光学装置1では、第1の
基板10の外側表面に偏光板(図示せず。)が粘着剤な
どによって貼られ、第2の基板20の外側表面にも偏光
板(図示せず。)が粘着剤などで貼られる。電気光学装
置1を反射型として構成する際には、偏光板の外側に、
あるいは偏光板の代わりに反射板(図示せず。)が貼ら
れる。
1 and 2, the electro-optical device 1 of the present embodiment is a passive matrix type liquid crystal device. In the electro-optical device 1, an electro-optical material enclosing area 35 surrounded by the sealant 30 is defined between a pair of rectangular substrates that are bonded to each other with a sealant 30 therebetween with a predetermined gap therebetween. I have. An injection port 39 is formed in the sealant 30 by the interrupted portion, and a liquid crystal as an electro-optical material is injected from the injection port 39 into the electro-optical material enclosing region 35, and after the injection, the liquid crystal is sealed with a sealing material. ing. Here, of the pair of substrates, the substrate on which the first electrode pattern 40 in the vertical direction is formed is referred to as the first substrate 10, and the second electrode pattern 50 in the horizontal direction is formed. One substrate to the second substrate 20
And In the electro-optical device 1 shown here, a polarizing plate (not shown) is attached to the outer surface of the first substrate 10 with an adhesive or the like, and the polarizing plate (see FIG. (Not shown)) is attached with an adhesive or the like. When the electro-optical device 1 is configured as a reflection type, outside the polarizing plate,
Alternatively, a reflecting plate (not shown) is attached instead of the polarizing plate.

【0022】このように構成した電気光学装置1の第2
の基板20の側には、図2に示すように、この電気光学
装置1における画像表示領域を区画する矩形の窓61が
形成された外装ケースなどの窓枠60が重ねて配置され
る。
The second configuration of the electro-optical device 1 configured as described above
As shown in FIG. 2, a window frame 60 such as an exterior case in which a rectangular window 61 for defining an image display area in the electro-optical device 1 is formed on the substrate 20 side.

【0023】(基板の構成)図3および図4において、
本形態の電気光学装置1では、外部からの信号入力およ
び基板間の導通のいずれもが、第1の基板10および第
2の基板20において同一方向に位置する各基板辺10
1、201(下辺)付近で第1の基板10および第2の
基板20のそれぞれに形成されている端子形成領域1
1、21で行われる。従って、第1の基板10は、第2
の基板20の基板辺201から端部が外側に張出すよう
に形成され、かつ、第2の基板20と対向される側の表
面に端子形成領域11が形成されている。この端子形成
領域11の略表面全体は、開放(第2の基板20と対向
されていない)状態にあって、そこに形成されている外
部入力端子81、82に対してフレキシブル基板(図示
せず。)が電気的に接続される。
(Structure of Substrate) In FIGS. 3 and 4,
In the electro-optical device 1 of the present embodiment, both the signal input from the outside and the conduction between the substrates are applied to the substrate sides 10 located in the same direction on the first substrate 10 and the second substrate 20.
1, 201 (lower side), the terminal formation region 1 formed on each of the first substrate 10 and the second substrate 20
This is performed in steps 1 and 21. Therefore, the first substrate 10 is
The terminal formation region 11 is formed on the surface of the side of the substrate 20 opposite to the second substrate 20 so that the end protrudes outward from the substrate side 201. Substantially the entire surface of the terminal forming region 11 is in an open state (not facing the second substrate 20), and a flexible substrate (not shown) is provided for external input terminals 81 and 82 formed there. .) Are electrically connected.

【0024】また、図3に示す第1の基板10の端子形
成領域11の両端部では、電気光学物質封入領域35の
側に位置する部分で導通材を介して第2の基板20の側
と基板間導通(導電接続)が行われるので、外部端子8
2からは第2の基板20との重なる位置まで基板間導通
端子60が延びている。
In addition, at both ends of the terminal forming region 11 of the first substrate 10 shown in FIG. 3, the portion located on the side of the electro-optical material enclosing region 35 is connected to the side of the second substrate 20 via a conductive material. Since conduction (conductive connection) between the substrates is performed, the external terminals 8
From 2, the inter-substrate conduction terminals 60 extend to a position overlapping the second substrate 20.

【0025】また、第1の基板10には、端子形成領域
11の中央領域から、同基板で基板辺101と対向する
基板辺102の方向に向かって、複数列の第1の電極パ
ターン40が延びている。なお、図3には、図2に示す
窓枠60の内周縁(窓61の外周縁)によって画像表示
領域の見切りが行われている位置が実線L2で示され、
シール剤30が形成される領域については二重線L1で
示されている。
A plurality of rows of first electrode patterns 40 are formed on the first substrate 10 from the central region of the terminal forming region 11 in the direction of the substrate side 102 facing the substrate side 101 of the same substrate. Extending. In FIG. 3, the position where the image display area is cut off by the inner periphery of the window frame 60 (the outer periphery of the window 61) shown in FIG. 2 is indicated by a solid line L2.
The region where the sealant 30 is formed is indicated by a double line L1.

【0026】これに対して、図4に示す第2の基板20
では、基板間導通用端子60からは、図3に示す第1の
電極パターン40の形成領域の両側に相当する領域を回
り込むように配線パターンが形成され、この配線パター
ンからは、電気光学物質封入領域35内で第1の基板1
0に形成された第1の電極パターン40と平面的に交差
するように延びた複数列の画素駆動用の第2の電極パタ
ーン50が形成されている。なお、図4にも、図2に示
す窓枠60の内周縁(窓61の外周縁)によって画像表
示領域の見切りが行われている位置が実線L2で示さ
れ、シール剤30が形成される領域については二重線L
1で示されている。
On the other hand, the second substrate 20 shown in FIG.
Then, a wiring pattern is formed from the inter-substrate conduction terminal 60 so as to go around the area corresponding to both sides of the formation area of the first electrode pattern 40 shown in FIG. First substrate 1 in region 35
A plurality of rows of pixel driving second electrode patterns 50 extending so as to intersect the first electrode patterns 40 formed in the plane 0 in a plane are formed. In FIG. 4, the position where the image display area is cut off by the inner periphery of the window frame 60 (the outer periphery of the window 61) shown in FIG. 2 is indicated by a solid line L <b> 2, and the sealant 30 is formed. Double line L for area
It is indicated by 1.

【0027】(液晶装置1の製造方法)このような構成
の電気光学装置1を製造するにあたっては、まず、半導
体プロセスを利用して、図3および図4に示すように第
1の基板10および第2の基板20に電極パターン4
0、50や端子を形成する。
(Manufacturing Method of Liquid Crystal Device 1) In manufacturing the electro-optical device 1 having such a configuration, first, as shown in FIGS. Electrode pattern 4 on second substrate 20
0, 50 and terminals are formed.

【0028】次に、図2に示すように、電極パターン4
0、50を完全に覆うように表面保護膜19、29を形
成する。ここで、表面絶縁膜19、29は、シール剤3
0と端部が重なるような領域にまで形成する。
Next, as shown in FIG.
Surface protective films 19 and 29 are formed so as to completely cover 0 and 50. Here, the surface insulating films 19 and 29 are
It is formed up to a region where the end portion overlaps with 0.

【0029】次に、表面保護膜19、29の表面にポリ
イミド樹脂などからなる配向膜18、28を形成する。
Next, alignment films 18, 28 made of polyimide resin or the like are formed on the surfaces of the surface protection films 19, 29.

【0030】次に、配向膜18、28の表面にラビング
処理を施した後、第1の基板10と第2の基板20と
を、ギャップ材および導通材を含有するシール剤30を
介して貼り合わせる。この導通材(導電粒子)は、N
i、ハンダ等の金属粒子や、球又は棒状のプラスチック
やガラスに金属メッキを施したものや、たとえば、弾性
変形可能なプラスチックビーズの表面にめっきを施した
粒子であり、その粒径は約6.6μmである。これに対
して、シール剤30に含まれるギャップ材の粒径は約
5.6μmである。それ故、第1の基板10と第2の基
板20とを重ねた状態でその間隙を狭めるような力を加
えながらシール剤30を溶融、硬化させると、シール剤
30は塗布領域から広がるとともに、導電材は、第1の
基板10と第2の基板20との間で押し潰された状態で
所定の端子同士を導通させる。
Next, after the surfaces of the alignment films 18 and 28 are subjected to a rubbing treatment, the first substrate 10 and the second substrate 20 are bonded via a sealant 30 containing a gap material and a conductive material. Match. This conductive material (conductive particles) is N
i, metal particles such as solder, spherical or rod-shaped plastic or glass plated with metal, or, for example, particles obtained by plating the surface of elastically deformable plastic beads having a particle size of about 6 0.6 μm. On the other hand, the particle size of the gap material contained in the sealant 30 is about 5.6 μm. Therefore, when the sealant 30 is melted and cured while applying a force to narrow the gap in a state where the first substrate 10 and the second substrate 20 are overlapped, the sealant 30 spreads from the application area, The conductive material conducts predetermined terminals between the first substrate 10 and the second substrate 20 in a crushed state.

【0031】また、第1の基板10と第2の基板20と
を貼り合わせると、第1の電極パターン40と第2の電
極パターン50との交差部分によって画素がマトリクス
状に形成される。よって、外部から画像信号および走査
信号を入力すると、これらの信号によって、各画素にお
いて第1の電極パターン40と第2の電極パターン50
との間に位置する液晶(電気光学物質)の配向状態を制
御することができるので、所定の画像を表示することが
できる。
When the first substrate 10 and the second substrate 20 are attached to each other, pixels are formed in a matrix at intersections between the first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50. Therefore, when an image signal and a scanning signal are input from the outside, these signals cause the first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50 in each pixel.
Since the alignment state of the liquid crystal (electro-optical material) positioned between the two can be controlled, a predetermined image can be displayed.

【0032】(表面保護膜の形成工程)このようにして
電気光学装置1を製造するにあたって、表面保護膜1
9、28は、第1の基板10と第2の基板20とを貼り
合わせる際に、その間隙を狭めるような力を加えながら
シール剤30を溶融、硬化させたとき、電極パターン4
0、50を形成した際などに発生した導電性異物が配向
膜18、28を突き破って、電極パターン40、50同
士を短絡させることを防止するために形成される。従っ
て、表面保護膜19、29については、所定の絶縁強度
が必要である。
(Step of Forming Surface Protective Film) In manufacturing the electro-optical device 1 in this manner, the surface protective film 1 is formed.
When bonding the first substrate 10 and the second substrate 20, the sealing agent 30 is melted and cured while applying a force to narrow the gap between the first substrate 10 and the second substrate 20.
It is formed in order to prevent conductive foreign matter generated when forming 0 and 50 from breaking through the alignment films 18 and 28 and short-circuiting the electrode patterns 40 and 50. Therefore, the surface protection films 19 and 29 need to have a predetermined insulation strength.

【0033】このような絶縁強度は、図5(A)に第1
の基板10を検査する様子を模式的に示すように、第1
の基板10の電極パターン40に抵抗計101を介して
接続されたピン端子100の先端部を第1の基板10の
表面に形成されている表面保護膜19に押し当て、矢印
Cで示すように、その荷重を増大させていったとき、抵
抗計101の値が所定値を下回るときの荷重を絶縁強度
として計測する。
FIG. 5A shows the first insulation strength.
As shown schematically in FIG.
The tip of the pin terminal 100 connected to the electrode pattern 40 of the substrate 10 via the ohmmeter 101 is pressed against the surface protection film 19 formed on the surface of the first substrate 10 as shown by arrow C. When the load is increased, the load when the value of the resistance meter 101 falls below a predetermined value is measured as insulation strength.

【0034】この計測結果において、絶縁強度と表面保
護膜19の膜厚との間には、図5(B)に示す関係があ
る。この図から明らかなように、絶縁強度は、表面保護
膜19の膜厚が増大するにともなって高くなり、たとえ
ば、2000g以上の絶縁強度を得ようとすると、表面
保護膜19の膜厚として1300オングストローム以上
が必要になって、従来の方法では対応できないことにな
る。
In the measurement results, there is a relationship shown in FIG. 5B between the insulation strength and the thickness of the surface protection film 19. As is apparent from this figure, the insulation strength increases as the film thickness of the surface protection film 19 increases. For example, if an insulation strength of 2000 g or more is to be obtained, the film thickness of the surface protection film 19 is 1300. Angstroms or more is required, and cannot be handled by the conventional method.

【0035】そこで、本形態では、絶縁膜の成膜方法と
しては、無機絶縁膜形成用の液状前駆体をフレキソ印刷
法などの塗布法により基板の側に塗布するとともに、そ
のときの塗布条件を以下にように設定する。ここで、無
機絶縁膜形成用の液状前駆体は、メチルカルビトールな
どの溶剤中に、有機シリコン組成物やシリコン酸化物と
ともに、チタン酸化物やジルコニアなどを少量含む液状
物からなり、溶剤成分を蒸発、除去した後、UV照射を
行えばシリコン酸化膜となる。
Therefore, in this embodiment, as a method of forming the insulating film, a liquid precursor for forming an inorganic insulating film is applied to the substrate side by an application method such as flexographic printing, and the application conditions at that time are changed. Set as follows. Here, the liquid precursor for forming the inorganic insulating film is composed of a liquid material containing a small amount of titanium oxide or zirconia together with an organic silicon composition or silicon oxide in a solvent such as methyl carbitol. After evaporation and removal, UV irradiation is performed to form a silicon oxide film.

【0036】図6(A)、(B)、(C)を参照してフ
レキソ印刷機の要部およびその印刷動作を説明する。な
お、このフレキソ印刷機での塗布工程、および図7
(A)、(B)を参照して説明する絶縁膜の形成工程に
ついては、第1の基板10および第2の基板20のいず
れについても同様に行われるので、説明の重複を避ける
ために、第1の基板10に対する絶縁膜形成工程のみを
説明し、第2の基板20に対する絶縁膜形成工程の説明
を省略する。
With reference to FIGS. 6A, 6B, and 6C, the main part of the flexographic printing press and its printing operation will be described. In addition, the coating process in this flexographic printing machine and FIG.
The steps of forming an insulating film described with reference to (A) and (B) are performed in the same manner on both the first substrate 10 and the second substrate 20, and therefore, in order to avoid redundant description, Only the step of forming the insulating film on the first substrate 10 will be described, and the description of the step of forming the insulating film on the second substrate 20 will be omitted.

【0037】図6(A)に示すように、フレキソ印刷機
800では、ドクターローラ801とアニロックスロー
ラ802とが互いに逆方向に回転するように構成され、
これらのローラ801、802の間から無機絶縁膜用の
液状前駆体が、図6(B)に示すように、凸版803の
形成されたローラ804に供給され、しかる後に、図6
(C)に示すように、このローラ804の凸版803に
保持された液状前駆体が第1の基板10に転写される。
このとき、第1の基板10は、ローラ804の回転に連
動して水平移動する定盤805の上に保持されているの
で、凸版803に保持された液状前駆体は、第1の基板
10上の所定の領域にベタで塗布される。
As shown in FIG. 6A, in the flexographic printing press 800, the doctor roller 801 and the anilox roller 802 are configured to rotate in opposite directions.
A liquid precursor for the inorganic insulating film is supplied from between the rollers 801 and 802 to the roller 804 on which the relief 803 is formed, as shown in FIG.
As shown in (C), the liquid precursor held by the relief 803 of the roller 804 is transferred to the first substrate 10.
At this time, since the first substrate 10 is held on the surface plate 805 that moves horizontally in conjunction with the rotation of the roller 804, the liquid precursor held by the relief plate 803 is placed on the first substrate 10 Is applied to a predetermined area of the solid.

【0038】このフレキソ印刷機800では、凸版80
3さえ変更すれば、第1の基板10の任意の領域に液状
前駆体を塗布することができる。そこで、本形態では、
図7(A)、(B)を参照して以下に説明するように、
液状前駆体を第1の基板10の上に塗布して、膜品質の
良好な表面絶縁膜19を厚く形成する。
In the flexographic printing machine 800, the relief printing plate 80
If only 3 is changed, the liquid precursor can be applied to an arbitrary region of the first substrate 10. Therefore, in this embodiment,
As described below with reference to FIGS. 7A and 7B,
A liquid precursor is applied on the first substrate 10 to form a thick surface insulating film 19 with good film quality.

【0039】図7(A)、(B)は、本発明を適用した
基板の製造方法のうち、絶縁膜の形成工程の様子を示す
工程断面図である。
FIGS. 7A and 7B are process cross-sectional views showing the state of the process of forming an insulating film in the method of manufacturing a substrate to which the present invention is applied.

【0040】本形態では、まず、図7(A)に示すよう
に、電極パターン40が形成された第1の基板10の表
面側のうち、所定の領域に対して、フレキソ印刷機によ
って無機絶縁膜形成用の液状前駆体をベタで印刷、塗布
して、膜厚が約650オングストロームの下側塗膜91
を形成する。このとき、下側塗膜の端縁911付近に
は、内側領域の膜厚の約2倍の膜厚(1300オングス
トローム)の盛り上がり912が発生する。
In this embodiment, first, as shown in FIG. 7A, a predetermined area on the surface side of the first substrate 10 on which the electrode pattern 40 is formed is inorganic-insulated by a flexographic printing machine. A liquid precursor for forming a film is printed and applied in a solid state, and the lower coating film 91 having a thickness of about 650 Å is formed.
To form At this time, a bulge 912 having a film thickness (1300 angstroms) that is about twice the film thickness of the inner region occurs near the edge 911 of the lower coating film.

【0041】次に、温度が100℃の条件下で約10分
間、プリベークを行い、下側塗膜91から溶剤成分を蒸
発させた後、波長が360nm、エネルギー強度が60
00mJのUV光を下側塗膜91に照射して液状組成物
内で有機物成分を反応させる。
Next, a pre-bake is performed for about 10 minutes at a temperature of 100 ° C. to evaporate the solvent component from the lower coating film 91, and then the wavelength is 360 nm and the energy intensity is 60.
The lower coating layer 91 is irradiated with UV light of 00 mJ to react organic components in the liquid composition.

【0042】次に、図7(B)に示すように、フレキソ
印刷機において、下側塗膜91を形成したときの凸版2
03とは異なる凸版を用いて、下側塗膜91の表面に再
度、無機絶縁膜形成用の液状前駆体を重ねて塗布して、
膜厚が約650オングストロームの上側塗膜92を形成
する。この際には、上側塗膜92の端縁921が下側塗
膜91の端縁911からみて約200μmほど、内側に
位置するように上側塗膜91を形成する。その結果、上
側塗膜92の端縁921付近では、内側領域の膜厚の約
2倍の膜厚(1300オングストローム)の盛り上がり
922が発生する。但し、この盛り上がり922は、下
側塗膜92の盛り上がり912が発生している位置から
みれば、約200μmほど、内側に位置しているので、
2つの盛り上がり912、922同士は重ならない。従
って、図7(B)に示すように塗布し終えた状態におい
て、下側塗膜91と上側塗膜92との膜厚の和が最も最
大の箇所(盛り上がり922が発生している箇所)であ
っても、この部分の膜厚は約1950オングストローム
であり、2000オングストロームを下回る。
Next, as shown in FIG. 7B, in the flexographic printing machine, the relief plate 2 when the lower coating film 91 was formed was formed.
03, using a relief plate different from the above, the liquid precursor for forming the inorganic insulating film is again applied on the surface of the lower coating film 91, and applied.
An upper coating 92 having a thickness of about 650 Å is formed. At this time, the upper coating film 91 is formed such that the edge 921 of the upper coating film 92 is located about 200 μm inward from the edge 911 of the lower coating film 91. As a result, near the edge 921 of the upper coating film 92, a bulge 922 having a thickness (1300 angstroms) which is about twice the thickness of the inner region is generated. However, since the bulge 922 is located about 200 μm inside when viewed from the position where the bulge 912 of the lower coating 92 occurs,
The two bumps 912 and 922 do not overlap. Therefore, as shown in FIG. 7B, in the state where the coating is completed, the sum of the film thicknesses of the lower coating film 91 and the upper coating film 92 is the largest (where the bulge 922 occurs). Even so, the thickness of this part is about 1950 Å, which is less than 2000 Å.

【0043】次に、再度、温度が100℃の条件下で約
10分間、プリベークを行い、上側塗膜92から溶剤成
分を蒸発させた後、波長が360nm、エネルギー強度
が6000mJのUV光を上側塗膜92に照射して液状
組成物内で有機物成分を反応させる。
Next, pre-baking is performed again at a temperature of 100 ° C. for about 10 minutes to evaporate the solvent component from the upper coating film 92. Then, UV light having a wavelength of 360 nm and an energy intensity of 6000 mJ is irradiated on the upper side. By irradiating the coating film 92, an organic component reacts in the liquid composition.

【0044】しかる後には、温度が300℃の条件下で
約30分間、本ベークを行い、下側塗膜91および上側
塗膜92を硬化させ、膜厚が約1300オングストロー
ムのシリコン酸化膜からなる表面保護膜19を形成す
る。
Thereafter, the baking is performed for about 30 minutes at a temperature of 300 ° C. to cure the lower coating 91 and the upper coating 92, and is made of a silicon oxide film having a thickness of about 1300 angstroms. The surface protection film 19 is formed.

【0045】(本形態の効果)このような成膜条件を採
用して第1の基板10を製造すると、約1300オング
ストロームの膜厚をもった表面保護膜19を形成でき
る。この場合でも、上側塗膜92の端縁921が下側塗
膜91の端縁911からみて約200μmほど、内側に
位置するように上側塗膜91を形成したので、各塗膜に
発生する盛り上がり912、922が重ならない。従っ
て、下側塗膜91および上側塗膜92を形成し終えた状
態で、膜厚の和が最も最大の箇所(盛り上がり922が
発生している箇所)であっても、この部分の膜厚は約1
950オングストロームに過ぎない。従って、これらの
塗膜を加熱して表面保護膜19に転化させた際でも、表
面保護膜19にひび割れがしない。
(Effect of this Embodiment) When the first substrate 10 is manufactured under such film forming conditions, the surface protective film 19 having a thickness of about 1300 angstroms can be formed. Also in this case, since the upper coating film 91 is formed such that the edge 921 of the upper coating film 92 is located on the inner side by about 200 μm as viewed from the edge 911 of the lower coating film 91, the bulge generated in each coating film 912 and 922 do not overlap. Accordingly, even after the lower coating film 91 and the upper coating film 92 have been formed, even if the sum of the film thicknesses is the maximum (the portion where the bulge 922 occurs), the film thickness in this portion is About 1
It is only 950 angstroms. Therefore, even when these coating films are heated and converted into the surface protective film 19, the surface protective film 19 does not crack.

【0046】それ故、このようにして表面保護膜19を
形成した第1の基板10と、この表面保護膜19と同じ
ような方法で表面保護膜29を形成した第2の基板20
とを貼り合わせて電気光学装置1を製造したとき、第1
の基板10および第2の基板20のいずれにも、膜厚が
1300オングストロームあるため絶縁強度が2000
gと高い表面保護膜19、29が形成されているので、
たとえ電極パターン40、50を形成したときの導電性
異物が残っていたとしても、この導電性異物は、表面保
護膜19、29を突き破って電極パターン40、50を
短絡させることはない。それ故、電気光学装置1におい
て、基板間距離(セルギャップ)を狭めて表示品質の向
上を図った場合でも、高い歩留まりを維持することがで
きる。
Therefore, the first substrate 10 on which the surface protection film 19 is formed in this manner and the second substrate 20 on which the surface protection film 29 is formed in the same manner as the surface protection film 19 are formed.
When the electro-optical device 1 is manufactured by bonding
Both the substrate 10 and the second substrate 20 have a film thickness of 1300 angstroms and thus have an insulation strength of 2000
g and the high surface protection films 19 and 29 are formed,
Even if the conductive foreign matter remains when the electrode patterns 40 and 50 are formed, the conductive foreign matter does not break through the surface protection films 19 and 29 and short-circuit the electrode patterns 40 and 50. Therefore, in the electro-optical device 1, a high yield can be maintained even when the display quality is improved by reducing the distance between the substrates (cell gap).

【0047】また、本形態では、表面保護膜19、29
を形成したときの膜厚は、最大膜厚となる盛り上がり部
分912、922でも、ひび割れが発生する上限である
2000オングストローム以下に抑えられている。従っ
て、表面保護膜19、29を形成した以降、洗浄工程あ
るいはラビング工程で表面保護膜19、29にひび割れ
が発生することもない。
In this embodiment, the surface protection films 19 and 29 are used.
The thickness of the film formed when is formed is suppressed to 2000 angstroms or less, which is the upper limit at which cracks occur, even at the raised portions 912 and 922 at which the maximum film thickness is formed. Therefore, after the surface protection films 19 and 29 are formed, no cracks occur in the surface protection films 19 and 29 in the cleaning step or the rubbing step.

【0048】(その他の実施の形態)なお、上記の実施
の形態では、無機絶縁膜を形成するための液状前駆体を
塗布する際に、フレキソ印刷機800の機械精度を考慮
して、上側塗膜92の端縁921を下側塗膜91の端縁
911より内側にずらす寸法を約200μmとしたが、
このずらす寸法を30μm、40μm、50μmと変え
て実験を行ったところ、約50μmでひび割れの発生が
起きなかったことから、上側塗膜92の端縁921を下
側塗膜91の端縁911より内側にずらす寸法について
は約50μm以上であればよい。
(Other Embodiments) In the above embodiment, when the liquid precursor for forming the inorganic insulating film is applied, the upper coating is performed in consideration of the mechanical accuracy of the flexographic printing machine 800. The dimension for shifting the edge 921 of the film 92 inward from the edge 911 of the lower coating 91 was set to about 200 μm.
When the experiment was performed by changing the displacement size to 30 μm, 40 μm, and 50 μm, no crack occurred at about 50 μm. Therefore, the edge 921 of the upper coating 92 was shifted from the edge 911 of the lower coating 91. The size to be shifted inward may be about 50 μm or more.

【0049】また、上記形態では、本発明を適用した絶
縁膜の形成方法を第1の基板10および第2の基板20
の双方に適用して、双方に厚い表面保護膜19、29を
形成したが、いずれか一方の基板のみに本発明を適用し
てもよい。
In the above embodiment, the method of forming an insulating film to which the present invention is applied is based on the first substrate 10 and the second substrate 20.
Although the thick surface protection films 19 and 29 are formed on both of them, the present invention may be applied to only one of the substrates.

【0050】さらに、本発明は、電気光学装置1の基板
用に限定されることなく、絶縁強度が要求される表面保
護膜が形成される基板であれば、その他の電子機器など
に用いる基板にも適用できる。
Further, the present invention is not limited to the substrate for the electro-optical device 1, but may be applied to a substrate used for other electronic devices as long as a surface protective film requiring an insulating strength is formed thereon. Can also be applied.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、無機
絶縁膜を形成するための液状前駆体を塗布する際に、上
側塗膜の端縁を下側塗膜の端縁より内側にずらす。従っ
て、上側塗膜および下側塗膜の端縁付近のそれぞれに液
状前駆体の盛り上がり部分が発生しても、これらの盛り
上がり部分同士が重ならないので、一度塗り、あるいは
上側塗膜を下側塗膜に完全に重ねた二度塗りの方法と比
較して、同じ厚さに液状前駆体を塗布しても塗布後の最
大膜厚が薄く済む。それ故、本発明によれば、下側塗膜
および上側塗膜を厚く形成して絶縁強度を高めても、無
機絶縁膜にひび割れが発生しないので、電気光学装置に
おいて液晶などの電気光学物質を保持する基板などを製
造するのに適している。
As described above, according to the present invention, when the liquid precursor for forming the inorganic insulating film is applied, the edge of the upper coating is shifted inward from the edge of the lower coating. . Therefore, even if swelling portions of the liquid precursor occur near the edges of the upper coating film and the lower coating film, these swelling portions do not overlap. Compared to the double coating method in which the film is completely overlaid, even if the liquid precursor is applied to the same thickness, the maximum film thickness after application can be reduced. Therefore, according to the present invention, even if the lower coating and the upper coating are formed to be thicker to increase the insulation strength, the inorganic insulating film does not crack, so that the electro-optical material such as liquid crystal is used in the electro-optical device. It is suitable for manufacturing a substrate to be held.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明を適用した電気光学装置の外観を示す斜
視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of an electro-optical device to which the present invention is applied.

【図2】図1のA−A′線における断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA 'of FIG.

【図3】図1に示す電気光学装置の第1の基板に形成し
た電極パターンおよび端子を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing electrode patterns and terminals formed on a first substrate of the electro-optical device shown in FIG.

【図4】図1に示す電気光学装置の第2の基板に形成し
た電極パターンおよび端子を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing electrode patterns and terminals formed on a second substrate of the electro-optical device shown in FIG.

【図5】(A)、(B)はそれぞれ、表面保護膜(無機
絶縁膜)の絶縁強度を計測する方法を示す説明図、およ
びこの方法で計測した絶縁強度と表面保護膜の膜厚との
関係を示すグラフである。
FIGS. 5A and 5B are explanatory diagrams showing a method of measuring the insulation strength of a surface protective film (inorganic insulating film), and the insulation strength measured by this method and the film thickness of the surface protective film, respectively. 6 is a graph showing the relationship of.

【図6】フレキソ印刷機の要部を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a main part of the flexographic printing press.

【図7】(A)、(B)はいずれも、本発明を適用した
基板の製造方法において基板の表面に表面無機絶縁膜を
形成する工程を示す工程断面図である。
FIGS. 7A and 7B are process cross-sectional views showing a step of forming a surface inorganic insulating film on a surface of a substrate in a method for manufacturing a substrate to which the present invention is applied.

【図8】(A)、(B)はそれぞれ、基板の表面に表面
無機絶縁膜を形成する従来の一度塗りの方法を示す工程
断面図、および従来の二度塗りの方法を示す工程断面図
である。
FIGS. 8A and 8B are a process sectional view showing a conventional once-coating method for forming a surface inorganic insulating film on the surface of a substrate, and a process sectional view showing a conventional double-coating method, respectively. It is.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電気光学装置 10 第1の基板 19、29 表面保護膜(無機絶縁膜) 20 第2の基板 30 シール剤 35 電気光学物質封入領域 40 第1の電極パターン(導電膜) 50 第2の電極パターン(導電膜) 91 下側塗膜 92 上側塗膜 911 下側塗膜の端縁 912 下側塗膜に発生した盛り上がり 921 上側塗膜の端縁 922 上側塗膜に発生した盛り上がり 800 フレキソ印刷機 Reference Signs List 1 electro-optical device 10 first substrate 19, 29 surface protective film (inorganic insulating film) 20 second substrate 30 sealant 35 electro-optical material enclosing region 40 first electrode pattern (conductive film) 50 second electrode pattern (Conductive film) 91 Lower coating film 92 Upper coating film 911 Edge of lower coating film 912 Ridge generated in lower coating film 921 Edge of upper coating film 922 Ridge generated in upper coating film 800 Flexo printing machine

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 無機絶縁膜形成用の液状前駆体の塗膜か
ら形成された無機絶縁膜によって導電膜の表面側が覆わ
れた基板の製造方法において、 前記導電膜が形成された基板の表面に無機絶縁膜形成用
の液状前駆体を塗布して下側塗膜を形成した後、該下側
塗膜の表面に無機絶縁膜形成用の液状前駆体を塗布して
上側塗膜を形成するとともに当該上側塗膜を形成する際
に該上側塗膜の端縁を前記下側塗膜の端縁より内側に位
置させることを特徴とする基板の製造方法。
1. A method of manufacturing a substrate in which the surface of a conductive film is covered with an inorganic insulating film formed from a coating film of a liquid precursor for forming an inorganic insulating film, wherein the surface of the substrate on which the conductive film is formed is After forming a lower coating by applying a liquid precursor for forming an inorganic insulating film, and applying a liquid precursor for forming an inorganic insulating film on the surface of the lower coating to form an upper coating A method for manufacturing a substrate, comprising: forming the upper coating film such that an edge of the upper coating film is positioned inside an edge of the lower coating film.
【請求項2】 請求項1において、前記下側塗膜および
前記上側塗膜を形成するための液状前駆体はいずれも、
溶剤中にシリコン組成物を含む液状物であって、該液状
物の塗膜に対して紫外線照射と熱処理とを行うことによ
って、シリコン酸化物からなる前記無機絶縁膜を形成す
ることを特徴とする基板の製造方法。
2. The liquid precursor for forming the lower coating film and the upper coating film according to claim 1,
A liquid material containing a silicon composition in a solvent, wherein the inorganic insulating film made of silicon oxide is formed by performing ultraviolet irradiation and heat treatment on a coating film of the liquid material. Substrate manufacturing method.
【請求項3】 請求項2において、前記下側塗膜を形成
した後、該下側塗膜から溶剤成分を蒸発させ、しかる後
に当該下側塗膜の表面に前記上側塗膜を形成することを
特徴とする基板の製造方法。
3. The method according to claim 2, wherein after forming the lower coating film, a solvent component is evaporated from the lower coating film, and then the upper coating film is formed on the surface of the lower coating film. A method for manufacturing a substrate, comprising:
【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかにおいて、
前記下側塗膜および前記上側塗膜のいずれを形成する際
にも、フレキソ印刷により前記液状前駆体を塗布するこ
とを特徴とする基板の製造方法。
4. The method according to claim 1, wherein
A method for manufacturing a substrate, wherein the liquid precursor is applied by flexographic printing when forming either the lower coating film or the upper coating film.
【請求項5】 請求項1ないし4のいずれかにおいて、
前記上側塗膜を形成する際には、前記上側塗膜の端縁が
前記下側塗膜の端縁よりも約50μm以上、内側に位置
するように液状前駆体を塗布することを特徴とする基板
の製造方法。
5. The method according to claim 1, wherein
When forming the upper coating, the liquid precursor is applied such that the edge of the upper coating is about 50 μm or more than the edge of the lower coating, and is located inside. Substrate manufacturing method.
【請求項6】 請求項4において、前記上側塗膜を形成
する際には、前記上側塗膜の端縁が前記下側塗膜の端縁
よりも約200μm、内側に位置するように液状前駆体
を塗布することを特徴とする基板の製造方法。
6. The liquid precursor according to claim 4, wherein the upper coating is formed such that an edge of the upper coating is positioned about 200 μm inside the edge of the lower coating. A method for manufacturing a substrate, comprising applying a body.
【請求項7】 請求項1ないし6のいずれかにおいて、
前記下側塗膜および前記上側塗膜を形成した後の最大膜
厚を2000オングストローム以下とすることを特徴と
する基板の製造方法。
7. The method according to claim 1, wherein
A method of manufacturing a substrate, wherein a maximum film thickness after forming the lower coating film and the upper coating film is 2,000 angstroms or less.
【請求項8】 請求項1ないし7のいずれかの方法によ
り前記無機絶縁膜を形成した基板を少なくとも1枚用い
て、電気光学物質を基板間に挟持させることを特徴とす
る電気光学装置の製造方法。
8. A method for manufacturing an electro-optical device, comprising using at least one substrate on which the inorganic insulating film is formed by the method according to claim 1, and holding an electro-optical material between the substrates. Method.
【請求項9】 請求項8において、前記電気光学物質は
液晶であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
9. The method according to claim 8, wherein the electro-optical material is a liquid crystal.
【請求項10】 請求項8または9に規定する方法で製
造したことを特徴とする電気光学装置。
10. An electro-optical device manufactured by the method defined in claim 8 or 9.
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