JP2001051012A - Semiconductor test system and test temperature stably control method - Google Patents

Semiconductor test system and test temperature stably control method

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JP2001051012A
JP2001051012A JP11229591A JP22959199A JP2001051012A JP 2001051012 A JP2001051012 A JP 2001051012A JP 11229591 A JP11229591 A JP 11229591A JP 22959199 A JP22959199 A JP 22959199A JP 2001051012 A JP2001051012 A JP 2001051012A
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JP
Japan
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temperature
contact block
low
test
control
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Application number
JP11229591A
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Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Kaneko
聡 金子
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor test system and a test temp. stably control method whereby in a stabilized temp. environment IC devices are selected to improve the IC device selection yield. SOLUTION: In the state where an IC device 12 is housed, a hollow 36 is provided in a contact block 16 for electric connection of a contact pin 34 of a socket 14 and contact pin 34 of the IC device 12, a high temp. control nozzle 18 for jetting a high temp. control liq. 19 and a low temp. control nozzle 20 for jetting a low temp. control liq. 21 are provided in the hollow 36, and a test temp. stably control mechanism is provided for selectively jetting a high temp. or low temp. control liq. 19 or 21 according to the substrate temp. of the IC device 12 on the contact block 16, thereby controlling the temp. of the contact block 16.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ICデバイス等の
電子デバイスを選別(スクリーニング)する半導体試験
における試験温度安定制御技術に係り、特に安定した温
度環境でICデバイスを選別してICデバイスの選別歩
留まりの向上を図る半導体試験システムおよび試験温度
安定制御方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a test temperature stabilization control technique in a semiconductor test for selecting (screening) an electronic device such as an IC device, and more particularly to selecting an IC device by selecting an IC device in a stable temperature environment. The present invention relates to a semiconductor test system for improving the yield and a test temperature stability control method.

【0002】[0002]

【従来の技術】高速周波数で動作するICデバイス(集
積回路素子)を選別(スクリーニング)する際にICデ
バイスの自己発熱に主因してICデバイスの温度が規定
温度よりも上昇してしまうケースがある。これは、IC
デバイスの選別歩留まりの低下の原因となる。従来、I
Cデバイスの電気的特性の試験・測定を行うためのデバ
イス試験装置は、ICテスタとICハンドラとから構成
される。ICテスタはICデバイスを接続するためのソ
ケットを備えたテストヘッドと、ICデバイスからの信
号を処理して、正常に作動するか否かの測定を行うテス
タ本体とから構成される。また、ICハンドラは、IC
デバイスを供給して順次テストヘッドと接続し、テスト
結果に基づいてICデバイスを分類して収納する機構部
を構成するものである。
2. Description of the Related Art When an IC device (integrated circuit element) operating at a high frequency is selected (screened), the temperature of the IC device may rise above a specified temperature mainly due to self-heating of the IC device. . This is an IC
This may cause a reduction in device sorting yield. Conventionally, I
A device test apparatus for testing and measuring the electrical characteristics of the C device includes an IC tester and an IC handler. The IC tester includes a test head provided with a socket for connecting an IC device, and a tester main body that processes a signal from the IC device and measures whether or not the IC device operates normally. The IC handler is an IC handler.
The device supplies and sequentially connects to the test head, and constitutes a mechanism for classifying and storing IC devices based on test results.

【0003】ICデバイスのテストは、常温状態だけで
なく、高温状態および低温状態にしても行われる。この
ために、ICデバイスをテスト時における設定温度にま
で加熱したり冷却したりするために、恒温槽が用いられ
る。ICデバイスを高温状態にしてテストするための高
温ハンドラにあっては、恒温槽内にデバイス走行路とし
てプリヒート部とテストヘッドに接続するための測定部
とを設け、恒温槽内に送り込まれたICデバイスをプリ
ヒート部に所定の時間滞留させることにより設定温度に
まで加熱した後に、測定部に移行させて、テストを行う
ようにしている。これに対して、ICデバイスを低温状
態にしてテストするための低温ハンドラは、恒温槽内に
冷却部と測定部とを設け、ICデバイスは冷却部に所定
時間滞留させて、設定温度にまで低下させた後に、測定
部に移行させて、テストが行われるようになっている。
また、高温ハンドラも低温ハンドラも温度処理を行う部
位において所定時間滞留させることにより設定温度とし
た後に、測定部に移行させてテストを行うという点では
同じであり、処理される温度条件が異なるに過ぎないの
で、恒温槽内に加熱手段と冷却手段とを設置することに
よって、低温ハンドラと高温ハンドラとを兼用させた所
謂高低温ハンドラも用いられている。
A test of an IC device is performed not only at a normal temperature but also at a high temperature and a low temperature. For this purpose, a constant temperature bath is used to heat or cool the IC device to a temperature set at the time of the test. In a high-temperature handler for testing an IC device in a high-temperature state, a preheating section and a measuring section for connecting to a test head are provided as a device traveling path in a constant-temperature chamber, and the IC sent into the constant-temperature chamber is provided. After the device is heated to the set temperature by staying in the preheating unit for a predetermined time, the device is moved to the measurement unit and a test is performed. In contrast, a low-temperature handler for testing an IC device in a low-temperature state is provided with a cooling unit and a measuring unit in a constant temperature bath, and the IC device stays in the cooling unit for a predetermined time to lower to a set temperature. After that, the test is transferred to the measuring unit and the test is performed.
In addition, both the high-temperature handler and the low-temperature handler are the same in that the temperature is set at a predetermined temperature by staying at a site where temperature processing is performed, and then the test is performed by moving to a measurement unit. For this reason, a so-called high-low temperature handler that uses a low-temperature handler and a high-temperature handler by installing a heating unit and a cooling unit in a thermostat is also used.

【0004】しかしながら、低温ハンドラまたは高低温
ハンドラによりICデバイスを所定の低温状態にしてテ
ストする際においては、液体窒素等の冷媒を使用して、
冷媒を恒温槽内に供給するが、冷媒によって恒温槽全体
を均一な温度状態にするためにダクトを設け、ダクトに
冷却風を循環させるためのクロスフローファン等のファ
ンを設置するとともに、ファンの下流側に冷媒噴出口を
複数個設けた冷媒供給パイプを配設させている。そし
て、冷媒供給パイプから供給される冷媒を冷媒噴出口か
ら噴出させる際に気化させて、ファンによる循環流に搬
送させて恒温槽内を循環させるようにしている。ここ
で、冷媒供給源は一般に1箇所しか設けられていないこ
とから、恒温槽の内部スペースが狭い場合にはある程度
均一な温度条件とすることができるが、ICデバイスの
走行路を複数列設け、同時に多数のICデバイスのテス
トを行うようにした多連ハンドラとして構成すると、恒
温槽の内部スペースが広くなるので、全体を均一な温度
条件にするのは極めて困難である。特に、冷媒として液
体窒素を用い、液体窒素をパイプに穿設した冷媒噴出口
から噴出させるという方式で温度制御を行うには、冷媒
の噴出量を制御するしかなく、それ自体微細な制御が困
難であることも相俟って、恒温槽内全体を正確に設定温
度となるように制御するのは著しく困難であるという問
題点がある。
However, when the IC device is tested at a predetermined low temperature by a low-temperature handler or a high-low temperature handler, a refrigerant such as liquid nitrogen is used.
The refrigerant is supplied into the thermostat, but a duct is provided to bring the entire thermostat to a uniform temperature state with the refrigerant, and a fan such as a cross flow fan for circulating cooling air in the duct is installed. A refrigerant supply pipe provided with a plurality of refrigerant outlets is provided on the downstream side. Then, the refrigerant supplied from the refrigerant supply pipe is vaporized when ejected from the refrigerant outlet, and is conveyed to a circulating flow by a fan to circulate in the thermostat. Here, since the coolant supply source is generally provided only at one place, the temperature condition can be made somewhat uniform when the internal space of the constant temperature bath is small. If a multiple handler is configured to test a large number of IC devices at the same time, the internal space of the thermostat becomes large, so that it is extremely difficult to make the whole temperature uniform. In particular, the only way to perform temperature control by using liquid nitrogen as a refrigerant and ejecting liquid nitrogen from a refrigerant outlet formed in a pipe is to control the amount of refrigerant to be injected, and it is difficult to perform fine control by itself. Therefore, there is a problem that it is extremely difficult to control the entire inside of the thermostat so as to accurately reach the set temperature.

【0005】このような問題点を解決することを目的と
する従来技術としては、ICデバイスの温度を冷媒で制
御する温度安定制御技術として、例えば、特許第270
5420号公報に記載のものがある。すなわち、特許第
2705420号公報に記載の従来技術は、冷媒供給部
と、循環流を形成するためのファンとを設けたダクトを
備えた恒温槽内にICデバイスの走行路を設け、走行路
の途中位置にICデバイスの試験・測定を行うテストヘ
ッドを臨ませるとともに、少なくとも走行路には、テス
トヘッドより上流側の所定の位置にヒータを設け、走行
路に沿って搬送されるICデバイスを所定の温度にまで
冷却して、テストヘッドに接続して電気的特性の試験測
定を行うICハンドラの温度制御方法において、前記冷
媒供給手段から冷媒を供給して前記恒温槽内全体を試験
・測定時の設定温度より低くした上で、前記走行路を前
記ヒータで加熱することによって、走行路における少な
くとも前記冷却部および測定部の位置が設定温度となる
ように調整する低温ハンドラの温度制御方法である。こ
のような低温ハンドラの温度制御方法は、冷媒供給手段
から冷媒を供給して恒温槽の内部全体を試験・測定時の
設定温度より低くなるようにした上で、走行路をヒータ
で加熱することによって、走行路における少なくとも冷
却部および測定部の位置が設定温度となるように調整す
るようにする構成としたので、装置の立ち上げ時には迅
速に設定温度にまで冷却でき、かつ定常状態では恒温槽
内の温度制御を、冷媒の流量制御のみによって行うので
はなく、ヒータの作動制御と併用することによって、デ
バイス走行レーンを多数設けることにより恒温槽が大型
化しても、少なくとも必要な個所の温度管理を極めて厳
格に行うことができ、ICデバイスの試験・測定に対す
る信頼性の向上が図れるといった効果が開示されてい
る。
As a conventional technique for solving such a problem, there is a temperature stabilization control technique for controlling the temperature of an IC device with a refrigerant, for example, as disclosed in Japanese Patent No. 270.
There is one described in JP-A-5420. That is, in the prior art described in Japanese Patent No. 2705420, a traveling path for an IC device is provided in a thermostat provided with a duct provided with a refrigerant supply unit and a fan for forming a circulating flow. A test head for testing and measuring an IC device is placed at an intermediate position, and a heater is provided at least at a predetermined position upstream of the test head on the traveling path, so that the IC device conveyed along the traveling path is provided at a predetermined position. In the temperature control method of the IC handler, which is connected to a test head and performs test measurement of electrical characteristics, a coolant is supplied from the coolant supply means to test and measure the entire inside of the thermostat. After the temperature is set lower than the set temperature, the traveling path is heated by the heater, so that at least the positions of the cooling unit and the measuring unit on the traveling path reach the set temperature. A temperature control method for low temperature handler that urchin adjustment. In such a low-temperature handler temperature control method, the coolant is supplied from the coolant supply means so that the entire interior of the constant temperature bath is lower than the set temperature at the time of test and measurement, and then the traveling path is heated by the heater. Therefore, at least the position of the cooling unit and the measuring unit on the traveling path is adjusted so as to be at the set temperature, so that the device can be quickly cooled to the set temperature at the start-up of the apparatus, and in a steady state, a constant temperature bath In addition to controlling the internal temperature by controlling only the flow rate of the refrigerant, it is also used in combination with the operation control of the heater. Is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-27138, which discloses an effect that the reliability of test and measurement of an IC device can be improved.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来技術では、ソケットにICデバイスを格納する
際にICデバイスがジャム(Jam:搬送不良)を起こ
した場合、ICデバイスを正規の場所に収納していない
状態で冷媒が噴射されてしまい、ソケットのコンタクト
ピンに冷媒が付着する恐れがあり、その結果、接触抵抗
値に影響が発生し、ICデバイスの選別結果に誤差が生
じる恐れがあるという問題点があった。
However, in such a conventional technique, when an IC device is jammed (Jam: transport failure) when the IC device is stored in the socket, the IC device is stored in a proper place. The coolant may be injected in a state where it is not performed, and the coolant may adhere to the contact pins of the socket. As a result, the contact resistance value may be affected and an error may occur in the selection result of the IC device. There was a problem.

【0007】本発明は斯かる問題点を鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、安定した温度環境
でICデバイスを選別してICデバイスの選別歩留まり
の向上を図る半導体試験システムおよび試験温度安定制
御方法を提供する点にある。
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to select a semiconductor test system in a stable temperature environment to improve the selection yield of IC devices and a semiconductor test system. It is to provide a test temperature stability control method.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明の
要旨は、安定した温度環境でICデバイスを選別してI
Cデバイスの選別歩留まりの向上を図る半導体試験シス
テムであって、ICデバイスを納置した状態で、ソケッ
トのコンタクトピンと前記ICデバイスの前記コンタク
トピンとの電気的接続を行うためのコンタクトブロック
の中に空洞部を設け、高温制御用の液体である高温制御
用液体を噴射するための高温制御用ノズルと低温制御用
の液体である低温制御用液体を噴射するための低温制御
用ノズルを前記空洞部中に設け、前記コンタクトブロッ
クに向けて前記高温制御用液体または前記低温制御用液
体を前記ICデバイスの基体温度に応じて選択的に前記
ICデバイスに噴射し前記コンタクトブロックの温度を
制御して前記ICデバイスを一定温度に保つ試験温度安
定制御機構を備えることを特徴とする半導体試験システ
ムに存する。また請求項2に記載の発明の要旨は、前記
ICデバイスの信号ピンと電気的接続を行うための前記
コンタクトピンを複数具備した前記ソケットと、前記I
Cデバイスの上面を接触した状態で納置する前記コンタ
クトブロックと、前記ICデバイスの選別を行う際に上
面を前記ICデバイスの上面と接触した状態で前記IC
デバイスを規定温度に上昇させるためのコンタクトブロ
ックヒータと、前記高温制御用液体を前記コンタクトブ
ロックヒータの底部に噴射して昇温するための前記高温
制御用ノズルと、前記低温制御用液体を前記コンタクト
ブロックヒータの底部に噴射して降温するための前記低
温制御用ノズルと、前記ICデバイス基体の温度を測定
するための温度センサと、前記温度センサからの温度デ
ータを基に前記コンタクトブロックヒータへ入力する電
力を制御するコントロールユニットと、前記高温制御用
液体を前記高温制御用ノズルに供給するための第1液体
循環機構と、前記低温制御用液体を前記低温制御用ノズ
ルに供給するための第2液体循環機構と、前記高温制御
用ノズルおよび前記低温制御用ノズルが納置され使用済
みの前記高温制御用液体または前記低温制御用液体を回
収するための前記空洞部を備えていることを特徴とする
請求項1に記載の半導体試験システムに存する。また請
求項3に記載の発明の要旨は、高速周波数で動作する前
記ICデバイスを選別する際に前記ICデバイスの自己
発熱に主因して前記ICデバイスの温度が規定温度より
も上昇してしまう場合に、前記コンタクトブロックに向
けて前記低温制御用液体を前記ICデバイスに噴射し前
記コンタクトブロックの温度を制御して前記ICデバイ
スを一定温度に保つ試験温度安定制御機構を備えること
を特徴とする請求項1または2に記載の半導体試験シス
テムに存する。また請求項4に記載の発明の要旨は、前
記試験温度安定制御機構は、前記ICデバイスの自己発
熱に主因して前記ICデバイスの基体温度が規定温度を
超えたとき、前記ICデバイスに接触している前記コン
タクトブロック側に設けられている前記温度センサから
の温度データを参照することで、前記ICデバイスの温
度を検知するとともに、前記空洞部に設けた前記低温制
御用ノズルから前記低温制御用液体を前記コンタクトブ
ロックに向けて噴射して前記コンタクトブロックを冷却
するように構成されていることを特徴とする請求項1乃
至3のいずれか一項に記載の半導体試験システムに存す
る。また請求項5に記載の発明の要旨は、前記試験温度
安定制御機構は、前記ICデバイスを高温で選別する場
合、前記コンタクトブロックの前記空洞部内に設けてあ
る前記高温制御用ノズルから前記コンタクトブロックヒ
ータに向けて前記高温制御用液体を噴射することで、前
記コンタクトブロックを一定の高温状態に保持するとと
もに、前記コンタクトブロックを介して前記ICデバイ
スを指定された高温に保つ試験温度安定制御を実行しな
がら前記ICデバイスの選別を行うように構成されてい
ることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記
載の半導体試験システムに存する。また請求項6に記載
の発明の要旨は、前記試験温度安定制御機構は、前記I
Cデバイスを高速周波数で測定する場合にあっては、前
記ICデバイスの自己発熱に主因して前記ICデバイス
の基体温度が規定温度を超えたとき、前記ICデバイス
に接触している前記コンタクトブロック側に設けられて
いる前記温度センサからの温度データを参照すること
で、前記ICデバイスの温度を検知するとともに、前記
空洞部に設けた前記低温制御用ノズルから前記低温制御
用液体を前記コンタクトブロックに向けて噴射して前記
コンタクトブロックを冷却する試験温度安定制御を実行
するように構成されていることを特徴とする請求項1乃
至5のいずれか一項に記載の半導体試験システムに存す
る。また請求項7に記載の発明の要旨は、前記試験温度
安定制御機構は、前記ICデバイスを高温で選別する場
合、前記コンタクトブロックの前記空洞部内に設けてあ
る前記高温制御用ノズルから前記コンタクトブロックヒ
ータに向けて前記高温制御用液体を噴射し、前記コンタ
クトブロックヒータを介して前記ICデバイスを規定温
度に上昇させた状態で前記ICデバイスの高温選別を行
うように構成されていることを特徴とする請求項1乃至
4のいずれか一項に記載の半導体試験システムに存す
る。また請求項8に記載の発明の要旨は、前記試験温度
安定制御機構は、電気的接続状態で前記ICデバイスを
低温で選別する場合、前記空洞部に設けた前記低温制御
用ノズルから前記低温制御用液体を前記コンタクトブロ
ックに向けて噴射し、前記コンタクトブロックを介して
前記ICデバイスを冷却するように構成されていること
を特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半
導体試験システムに存する。また請求項9に記載の発明
の要旨は、安定した温度環境でICデバイスを選別して
ICデバイスの選別歩留まりの向上を図る試験温度安定
制御方法であって、ICデバイスを上面から適切な量だ
け押し込んでソケットに挿入する工程と、前記ICデバ
イスの信号ピンと前記ソケットのコンタクトピンを接触
させて電気的接続を行った後に予め設定してあるテスト
プログラムを実行して前記ICデバイスの選別を行う工
程と、前記ICデバイスの選別中に、前記ICデバイス
に接触するコンタクトブロックの近傍に設けられ前記I
Cデバイスの温度を計測する温度センサから得られる温
度データを参照することで前記ICデバイスの表面温度
を随時モニタする工程と、前記ICデバイスを高温で選
別する場合、前記ICデバイスの選別を行う際に上面を
前記ICデバイスの上面と接触した状態で前記ICデバ
イスを規定温度に上昇させるためのコンタクトブロック
ヒータに向けて、前記コンタクトブロックの空洞部内に
設けてある高温制御用ノズルから高温制御用の液体を噴
射することで、前記コンタクトブロックを一定の高温状
態に保持するとともに、前記コンタクトブロックを介し
て前記ICデバイスを指定された高温に保つ試験温度安
定制御工程を実行しながら前記ICデバイスの選別を行
う工程を有することを特徴とする試験温度安定制御方法
に存する。また請求項10に記載の発明の要旨は、前記
試験温度安定制御工程は、高速周波数で動作する前記I
Cデバイスを選別する際に前記ICデバイスの自己発熱
に主因して前記ICデバイスの温度が規定温度よりも上
昇してしまう場合に、前記コンタクトブロックに向け
て、前記コンタクトブロックの空洞部内に設けてある低
温制御用ノズルから低温制御用の液体を前記ICデバイ
スに噴射し前記コンタクトブロックの温度を制御して前
記ICデバイスを一定温度に保つ工程を備えることを特
徴とする請求項9に記載の試験温度安定制御方法に存す
る。また請求項11に記載の発明の要旨は、前記試験温
度安定制御工程は、前記ICデバイスの自己発熱に主因
して前記ICデバイスの基体温度が規定温度を超えたと
き、前記ICデバイスに接触している前記コンタクトブ
ロック側に設けられている前記温度センサからの温度デ
ータを参照することで、前記ICデバイスの温度を検知
するとともに、前記空洞部に設けた前記低温制御用ノズ
ルから前記低温制御用液体を前記コンタクトブロックに
向けて噴射して前記コンタクトブロックを冷却する工程
を備えることを特徴とする請求項9または10に記載の
試験温度安定制御方法に存する。また請求項12に記載
の発明の要旨は、前記試験温度安定制御工程は、前記I
Cデバイスを高温で選別する場合、前記コンタクトブロ
ックの前記空洞部内に設けてある前記高温制御用ノズル
から前記コンタクトブロックヒータに向けて前記高温制
御用液体を噴射することで、前記コンタクトブロックを
一定の高温状態に保持するとともに、前記コンタクトブ
ロックを介して前記ICデバイスを指定された高温に保
つ試験温度安定制御を実行しながら前記ICデバイスの
選別を行う工程を備えることを特徴とする請求項9乃至
11のいずれか一項に記載の試験温度安定制御方法に存
する。また請求項13に記載の発明の要旨は、前記試験
温度安定制御工程は、前記ICデバイスを高速周波数で
測定する場合にあっては、前記ICデバイスの自己発熱
に主因して前記ICデバイスの基体温度が規定温度を超
えたとき、前記ICデバイスに接触している前記コンタ
クトブロック側に設けられている前記温度センサからの
温度データを参照することで、前記ICデバイスの温度
を検知するとともに、前記空洞部に設けた前記低温制御
用ノズルから前記低温制御用液体を前記コンタクトブロ
ックに向けて噴射して前記コンタクトブロックを冷却す
る試験温度安定制御を実行する工程を備えることを特徴
とする請求項9乃至12のいずれか一項に記載の試験温
度安定制御方法に存する。また請求項14に記載の発明
の要旨は、前記試験温度安定制御工程は、前記ICデバ
イスを高温で選別する場合、前記コンタクトブロックの
前記空洞部内に設けてある前記高温制御用ノズルから前
記コンタクトブロックヒータに向けて前記高温制御用液
体を噴射し、前記コンタクトブロックヒータを介して前
記ICデバイスを規定温度に上昇させた状態で前記IC
デバイスの高温選別を行う工程を備えることを特徴とす
る請求項9乃至13のいずれか一項に記載の試験温度安
定制御方法に存する。また請求項15に記載の発明の要
旨は、前記試験温度安定制御工程は、電気的接続状態で
前記ICデバイスを低温で選別する場合、前記空洞部に
設けた前記低温制御用ノズルから前記低温制御用液体を
前記コンタクトブロックに向けて噴射し、前記コンタク
トブロックを介して前記ICデバイスを冷却する工程を
備えることを特徴とする請求項9乃至14のいずれか一
項に記載の試験温度安定制御方法に存する。
The gist of the present invention is to select an IC device in a stable temperature environment and to select an IC device.
A semiconductor test system for improving the sorting yield of C devices, wherein a cavity is formed in a contact block for electrically connecting a contact pin of a socket and the contact pin of the IC device with an IC device placed therein. A high-temperature control nozzle for injecting a high-temperature control liquid that is a high-temperature control liquid and a low-temperature control nozzle for injecting a low-temperature control liquid that is a low-temperature control liquid in the cavity. And selectively ejecting the high-temperature control liquid or the low-temperature control liquid toward the contact block according to the substrate temperature of the IC device to the IC device to control the temperature of the contact block. A semiconductor test system is provided with a test temperature stabilization control mechanism for keeping a device at a constant temperature. The gist of the invention described in claim 2 is that the socket having a plurality of the contact pins for making electrical connection with the signal pins of the IC device;
The contact block for placing the C device in contact with the upper surface thereof, and the IC having the upper surface in contact with the upper surface of the IC device when selecting the IC device.
A contact block heater for raising the temperature of the device to a specified temperature, the high temperature control nozzle for injecting the high temperature control liquid to the bottom of the contact block heater to raise the temperature, and contacting the low temperature control liquid with the contact The low-temperature control nozzle for jetting to the bottom of the block heater to lower the temperature, a temperature sensor for measuring the temperature of the IC device base, and input to the contact block heater based on temperature data from the temperature sensor A control unit for controlling the power to be applied, a first liquid circulation mechanism for supplying the high-temperature control liquid to the high-temperature control nozzle, and a second liquid circulation mechanism for supplying the low-temperature control liquid to the low-temperature control nozzle. A liquid circulation mechanism, and the used high-temperature control nozzle in which the high-temperature control nozzle and the low-temperature control nozzle are placed and used It has the cavity for collecting liquid or said cold control liquid resides in a semiconductor test system of claim 1, wherein the. The gist of the invention described in claim 3 is that, when selecting the IC device that operates at a high frequency, the temperature of the IC device becomes higher than a specified temperature mainly due to self-heating of the IC device. And a test temperature stabilization control mechanism for injecting the low-temperature control liquid toward the contact block toward the IC device and controlling the temperature of the contact block to keep the IC device at a constant temperature. Item 1 or 2 is the semiconductor test system. The gist of the invention described in claim 4 is that the test temperature stabilization control mechanism contacts the IC device when a base temperature of the IC device exceeds a specified temperature mainly due to self-heating of the IC device. The temperature of the IC device is detected by referring to the temperature data from the temperature sensor provided on the contact block side, and the low-temperature control nozzle is provided from the low-temperature control nozzle provided in the cavity. 4. The semiconductor test system according to claim 1, wherein a liquid is jetted toward the contact block to cool the contact block. 5. The gist of the invention according to claim 5 is that, when the test temperature stabilization control mechanism selects the IC device at a high temperature, the test temperature stabilization control mechanism controls the contact block from the high temperature control nozzle provided in the cavity of the contact block. Injection of the high-temperature control liquid toward a heater performs a test temperature stabilization control that maintains the contact block at a constant high temperature state and maintains the IC device at a specified high temperature via the contact block. The semiconductor test system according to any one of claims 1 to 4, wherein the semiconductor device is configured to select the IC device while performing the selection. The gist of the invention according to claim 6 is that the test temperature stabilization control mechanism includes
When measuring the C device at a high frequency, when the base temperature of the IC device exceeds a specified temperature mainly due to self-heating of the IC device, the side of the contact block that is in contact with the IC device The temperature of the IC device is detected by referring to the temperature data from the temperature sensor provided in the nozzle, and the low-temperature control liquid is supplied to the contact block from the low-temperature control nozzle provided in the cavity. The semiconductor test system according to any one of claims 1 to 5, wherein the semiconductor test system is configured to execute test temperature stabilization control for injecting the cooling gas toward the contact block to cool the contact block. The gist of the invention according to claim 7 is that, when the test temperature stabilization control mechanism sorts the IC device at a high temperature, the test temperature stabilization control mechanism starts the contact block from the high temperature control nozzle provided in the cavity of the contact block. The high-temperature control liquid is ejected toward a heater, and the high-temperature selection of the IC device is performed in a state where the IC device is raised to a specified temperature via the contact block heater. A semiconductor test system according to any one of claims 1 to 4. The gist of the invention according to claim 8 is that, when selecting the IC device at a low temperature in an electrically connected state, the test temperature stabilization control mechanism controls the low temperature control from the low temperature control nozzle provided in the cavity. 6. The semiconductor test according to claim 1, wherein a liquid for use is sprayed toward the contact block to cool the IC device through the contact block. 7. Exist in the system. The gist of the invention according to claim 9 is a test temperature stabilization control method for selecting an IC device in a stable temperature environment to improve the selection yield of the IC device. Pushing in the socket and inserting it into the socket, and contacting the signal pin of the IC device with the contact pin of the socket to make an electrical connection, and then executing a preset test program to select the IC device. And I is provided near a contact block that contacts the IC device during sorting of the IC device.
A step of monitoring the surface temperature of the IC device as needed by referring to temperature data obtained from a temperature sensor for measuring the temperature of the C device, and a step of selecting the IC device at a high temperature when selecting the IC device at a high temperature. In the state where the upper surface is in contact with the upper surface of the IC device, a high-temperature control nozzle provided in the cavity of the contact block is directed toward a contact block heater for raising the IC device to a specified temperature. Injecting a liquid to maintain the contact block at a constant high temperature state and select the IC device while executing a test temperature stabilization control step of maintaining the IC device at a specified high temperature via the contact block A test temperature stabilization control method characterized by comprising the step of: The gist of the invention described in claim 10 is that the test temperature stabilization control step includes the step of operating at a high frequency.
If the temperature of the IC device rises above a specified temperature mainly due to self-heating of the IC device when selecting the C device, the IC device is provided in the cavity of the contact block toward the contact block. The test according to claim 9, further comprising a step of injecting a low-temperature control liquid from a certain low-temperature control nozzle to the IC device and controlling the temperature of the contact block to keep the IC device at a constant temperature. It is in the temperature stability control method. The gist of the invention described in claim 11 is that the test temperature stabilization control step includes contacting the IC device when a base temperature of the IC device exceeds a specified temperature mainly due to self-heating of the IC device. The temperature of the IC device is detected by referring to the temperature data from the temperature sensor provided on the contact block side, and the low-temperature control nozzle is provided from the low-temperature control nozzle provided in the cavity. The test temperature stabilization control method according to claim 9 or 10, further comprising a step of injecting a liquid toward the contact block to cool the contact block. The gist of the invention according to claim 12 is that the test temperature stabilization control step includes the step of:
When sorting the C devices at a high temperature, the high-temperature control liquid is ejected from the high-temperature control nozzle provided in the cavity of the contact block toward the contact block heater, so that the contact block is fixed. 10. The method according to claim 9, further comprising a step of selecting the IC devices while performing a test temperature stabilization control for maintaining the IC devices at a specified high temperature via the contact block while maintaining the IC devices in a high temperature state. A test temperature stabilization control method according to any one of the eleventh to eleventh aspects. The gist of the invention according to claim 13 is that when the IC device is measured at a high frequency, the test temperature stabilization control step is mainly performed by self-heating of the IC device. When the temperature exceeds a specified temperature, the temperature of the IC device is detected by referring to temperature data from the temperature sensor provided on the contact block side in contact with the IC device, and 10. The method according to claim 9, further comprising the step of: injecting the low-temperature control liquid from the low-temperature control nozzle provided in the cavity toward the contact block to execute a test temperature stabilization control for cooling the contact block. 13. The test temperature stabilization control method according to any one of Items 1 to 12. The gist of the invention according to claim 14 is that, in the test temperature stabilization control step, when the IC device is selected at a high temperature, the contact block is provided from the high-temperature control nozzle provided in the cavity of the contact block. The high-temperature control liquid is ejected toward a heater, and the IC device is heated to a specified temperature via the contact block heater.
The test temperature stabilization control method according to any one of claims 9 to 13, further comprising a step of performing high-temperature sorting of the device. The gist of the invention according to claim 15 is that, in the test temperature stabilization control step, when the IC device is selected at a low temperature in an electrically connected state, the low temperature control is performed from the low temperature control nozzle provided in the cavity. The test temperature stabilization control method according to any one of claims 9 to 14, comprising a step of injecting a liquid for use toward the contact block and cooling the IC device through the contact block. Exists.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】高速周波数で動作するICデバイ
ス(集積回路素子)等の電子デバイスを選別(スクリー
ニング)する際にICデバイスの自己発熱に主因してI
Cデバイスの温度が規定温度よりも上昇してしまうケー
スがある。これは、ICデバイスの選別歩留まりの低下
の原因となる。以下に示す各実施の形態の特徴は、IC
デバイスの選別歩留まりを高めるために、選別中にIC
デバイスを一定温度に保つ試験温度安定制御機構を設け
ることにより、ICデバイスを選別する際に、安定した
温度で選別することができ、従来の温度安定制御技術に
比べてICデバイスの選別歩留まりの向上できることに
ある。すなわち、ICデバイスを納置した状態で、ソケ
ットのコンタクトピンとICデバイスのコンタクトピン
との電気的接続(コンタクト)を行うためのコンタクト
ブロックの中に空洞部を設け、高温制御用の液体(高温
制御用液体)を噴射するための高温制御用ノズルと低温
制御用の液体(低温制御用液体)を噴射するための低温
制御用ノズルを空洞部中に設け、コンタクトブロックに
向けて高温制御用液体または低温制御用液体をICデバ
イスの基体温度に応じて選択的に噴射してコンタクトブ
ロックの温度を制御する試験温度安定制御を実行する試
験温度安定制御機構を設けることにより、コンタクトブ
ロックを介してICデバイスの温度を制御する。以下、
本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS When an electronic device such as an IC device (integrated circuit device) operating at a high frequency is selected (screened), it is mainly due to self-heating of the IC device.
There are cases where the temperature of the C device rises above a specified temperature. This causes a reduction in the sorting yield of IC devices. A feature of each embodiment described below is that an IC
In order to increase the device sorting yield, IC
By providing a test temperature stabilization control mechanism that keeps the device at a constant temperature, it is possible to select IC devices at a stable temperature when selecting IC devices, and to improve the IC device selection yield compared to conventional temperature stabilization control technology. What you can do. That is, a cavity is provided in a contact block for making an electrical connection (contact) between a contact pin of a socket and a contact pin of an IC device in a state where the IC device is placed, and a liquid for controlling a high temperature (for controlling a high temperature). Liquid) and a low-temperature control nozzle for injecting a low-temperature control liquid (low-temperature control liquid) in the cavity, and a high-temperature control liquid or low-temperature By providing a test temperature stabilization control mechanism for executing a test temperature stabilization control for controlling the temperature of the contact block by selectively jetting a control liquid in accordance with the substrate temperature of the IC device, Control the temperature. Less than,
Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0010】(第1の実施の形態)初めに、本実施の形
態の半導体試験システムの構成を説明する。図1は本発
明の一実施の形態に係る半導体試験システム10を説明
するための構造図である。図1において、10は本実施
の形態の半導体試験システム、12はICデバイス(集
積回路素子)、14はソケット、16はコンタクトブロ
ック、18は高温制御用ノズル、19は高温制御用液
体、20は低温制御用ノズル、21は低温制御用液体、
22はコンタクトブロックヒータ、24は温度センサ、
26はコントロールユニット、28は第1液体循環機
構、30は第2液体循環機構、32は信号ピン、34は
コンタクトピン、36は空洞部を示している。
(First Embodiment) First, a configuration of a semiconductor test system according to the present embodiment will be described. FIG. 1 is a structural diagram for explaining a semiconductor test system 10 according to one embodiment of the present invention. In FIG. 1, 10 is a semiconductor test system of the present embodiment, 12 is an IC device (integrated circuit element), 14 is a socket, 16 is a contact block, 18 is a high-temperature control nozzle, 19 is a high-temperature control liquid, and 20 is Low-temperature control nozzle, 21 is a low-temperature control liquid,
22 is a contact block heater, 24 is a temperature sensor,
26 is a control unit, 28 is a first liquid circulation mechanism, 30 is a second liquid circulation mechanism, 32 is a signal pin, 34 is a contact pin, and 36 is a cavity.

【0011】図1を参照すると、本実施の形態の半導体
試験システム10は、本発明の試験温度安定制御方法を
実行する主体であって、RAM(随時書き込み読み出し
メモリ)やMPU(超小型演算処理装置)に代表される
ICデバイス12、ICデバイス12の信号ピン32と
電気的接続(コンタクト)を行うためのコンタクトピン
34を複数具備したソケット14、ICデバイス12の
上面(信号ピン32が配列されている下面の反対側の
面)を接触した状態で納置するコンタクトブロック1
6、高温制御用液体19をコンタクトブロックヒータ2
2の所定面(具体的には、底部)に噴射して昇温するた
めの高温制御用ノズル18、低温制御用液体21をコン
タクトブロックヒータ22の所定面(具体的には、底
部)に噴射して降温するための低温制御用ノズル20、
ICデバイス12の選別を行う際に上面をICデバイス
12の上面と接触した状態でICデバイス12を規定温
度に上昇させるためのコンタクトブロックヒータ22、
ICデバイス12基体の温度を測定するための温度セン
サ24、温度センサ24からの温度データを基にコンタ
クトブロックヒータ22へ入力する電力を制御するコン
トロールユニット26、高温制御用液体19を高温制御
用ノズル18に供給するための第1液体循環機構28、
低温制御用液体21を低温制御用ノズル20に供給する
ための第2液体循環機構30、高温制御用ノズル18お
よび低温制御用ノズル20が納置され使用済みの高温制
御用液体19または低温制御用液体21を回収するため
の空洞部36を備えている。
Referring to FIG. 1, a semiconductor test system 10 of the present embodiment is a main body for executing a test temperature stabilization control method of the present invention, and includes a random access memory (RAM) and an MPU (ultra small arithmetic processing). Device), a socket 14 having a plurality of contact pins 34 for making electrical connection (contact) with the signal pins 32 of the IC device 12, and the upper surface of the IC device 12 (the signal pins 32 are arranged). Contact block 1 that is placed in contact with the lower surface opposite to
6. Contact block heater 2 with high temperature control liquid 19
2 and a high-temperature control nozzle 18 for injecting a predetermined surface (specifically, the bottom) to raise the temperature and a low-temperature control liquid 21 to the predetermined surface (specifically, the bottom) of the contact block heater 22. Low-temperature control nozzle 20 for lowering the temperature
A contact block heater 22 for raising the temperature of the IC device 12 to a specified temperature while the upper surface is in contact with the upper surface of the IC device 12 when selecting the IC device 12;
A temperature sensor 24 for measuring the temperature of the substrate of the IC device 12, a control unit 26 for controlling the power input to the contact block heater 22 based on the temperature data from the temperature sensor 24, and a high-temperature control nozzle 19 A first liquid circulation mechanism 28 for supplying to the
The second liquid circulation mechanism 30 for supplying the low-temperature control liquid 21 to the low-temperature control nozzle 20, the high-temperature control nozzle 18, and the used high-temperature control liquid 19 or the used low-temperature control liquid A cavity 36 for collecting the liquid 21 is provided.

【0012】次に、半導体試験システム10の動作につ
いて説明する。図1を参照すると、コンタクトブロック
16は、ICデバイス12をソケット14に適切な量で
押し込むための機構である。まず、コンタクトブロック
16をICデバイス12の上面から適切な量だけ押し込
むことで、ICデバイス12の信号ピン32とソケット
14のコンタクトピン34を接触させて電気的に接続す
る。コンタクトブロック16の内部には空洞部36を設
けてある。さらに空洞部36の内部には、高温制御用ノ
ズル18および低温制御用ノズル20が設置してある。
高温制御用ノズル18および低温制御用ノズル20はい
ずれもコンタクトブロックヒータ22の所定面(具体的
には、底部)に向けて設置してある。コンタクトブロッ
ク16のICデバイス12と接触する個所には温度セン
サ24を設けてある。ICデバイス12を高温選別する
際に、温度センサ24から入手するICデバイス12に
関する温度データを基にコントロールユニット26を用
いてコンタクトブロックヒータ22へ入力する電力を制
御するとともに、第1液体循環機構28から高温制御用
液体19を送り込みながらコントロールユニット26か
らの制御信号を用いて高温制御用ノズル18からコンタ
クトブロックヒータ22に向けて高温制御用液体19を
噴射することで、コンタクトブロックヒータ22を介し
てICデバイス12を規定高温温度に上昇させる試験温
度安定制御を実行した状態でICデバイス12の選別を
行う。
Next, the operation of the semiconductor test system 10 will be described. Referring to FIG. 1, the contact block 16 is a mechanism for pushing the IC device 12 into the socket 14 in an appropriate amount. First, by pushing in the contact block 16 by an appropriate amount from the upper surface of the IC device 12, the signal pins 32 of the IC device 12 and the contact pins 34 of the socket 14 are brought into contact to be electrically connected. A cavity 36 is provided inside the contact block 16. Further, inside the cavity 36, a high-temperature control nozzle 18 and a low-temperature control nozzle 20 are provided.
Both the high-temperature control nozzle 18 and the low-temperature control nozzle 20 are installed toward a predetermined surface (specifically, the bottom) of the contact block heater 22. A temperature sensor 24 is provided at a position where the contact block 16 comes into contact with the IC device 12. When selecting the IC device 12 at a high temperature, the control unit 26 controls the power input to the contact block heater 22 based on the temperature data on the IC device 12 obtained from the temperature sensor 24, and the first liquid circulation mechanism 28 By injecting the high-temperature control liquid 19 from the high-temperature control nozzle 18 toward the contact block heater 22 using the control signal from the control unit 26 while feeding the high-temperature control liquid 19 from the contact block heater 22, The selection of the IC devices 12 is performed in a state where the test temperature stabilization control for raising the IC devices 12 to the specified high temperature is executed.

【0013】一方、高速周波数で動作するICデバイス
12の選別中にICデバイス12が自己発熱して規定温
度を超えたときに、ICデバイス12の近傍のコンタク
トブロック16上に設けてある温度センサ24でICデ
バイス12の温度を検出しながらコントロールユニット
26からの制御信号を用いて第2液体循環機構30から
低温制御用液体21を送り込み、空洞部36に設けた低
温制御用ノズル20から低温制御用液体21をコンタク
トブロック16に向けて噴射することで、コンタクトブ
ロック16を介してICデバイス12を冷却する。その
結果、ICデバイス12を規定温度に戻す制御(試験温
度安定制御)を実現できる。本実施の形態では、ICデ
バイス12の選別中はこの試験温度安定制御を繰り返し
を行いICデバイス12を一定温度に保たせている。
On the other hand, when the IC device 12 self-heats during selection of the IC device 12 operating at a high frequency and exceeds a specified temperature, a temperature sensor 24 provided on the contact block 16 near the IC device 12 is used. The low-temperature control liquid 21 is sent from the second liquid circulating mechanism 30 using the control signal from the control unit 26 while detecting the temperature of the IC device 12 by using the low-temperature control nozzle 20 provided in the hollow portion 36. By injecting the liquid 21 toward the contact block 16, the IC device 12 is cooled via the contact block 16. As a result, control for returning the IC device 12 to the specified temperature (test temperature stabilization control) can be realized. In the present embodiment, the test temperature stabilization control is repeated during the selection of the IC devices 12 to keep the IC devices 12 at a constant temperature.

【0014】次に、本実施の形態の試験温度安定制御方
法について説明する。図1を参照すると、本実施の形態
では、ICデバイス12の選別を行うために、まず、I
Cデバイス12を上面から適切な量だけ押し込んでソケ
ット14に挿入する。続いて、ICデバイス12の信号
ピン32とソケット14のコンタクトピン34を接触さ
せて電気的接続(コンタクト)を行う。その後に、予め
設定してあるテストプログラム(例えば、ICデバイス
12の試験プログラム)を実行してICデバイス12の
選別を行う。ICデバイス12の選別中は、ICデバイ
ス12に接触するコンタクトブロック16の近傍に設け
られている、換言すれば、ICデバイス12と接触して
いるコンタクトブロック16を介してICデバイス12
の温度を計測する温度センサ24から得られる温度デー
タを参照することでICデバイス12の表面温度を随時
モニタ(監視)している。
Next, a test temperature stabilization control method according to the present embodiment will be described. Referring to FIG. 1, in the present embodiment, in order to select an IC device 12, first, I
The C device 12 is pushed into the socket 14 by an appropriate amount from the upper surface and inserted into the socket 14. Subsequently, the signal pins 32 of the IC device 12 are brought into contact with the contact pins 34 of the socket 14 to make an electrical connection (contact). Thereafter, a test program (for example, a test program for the IC device 12) set in advance is executed to select the IC devices 12. During the sorting of the IC devices 12, the IC devices 12 are provided near the contact blocks 16 that are in contact with the IC devices 12, in other words, through the contact blocks 16 that are in contact with the IC devices 12.
The surface temperature of the IC device 12 is monitored as needed by referring to the temperature data obtained from the temperature sensor 24 for measuring the temperature of the IC device 12.

【0015】ICデバイス12を高温で選別する場合、
コンタクトブロック16の空洞部36内に設けてある高
温制御用ノズル18からコンタクトブロックヒータ22
に向けて高温制御用液体19を噴射することで、コンタ
クトブロック16を一定の高温状態に保持するととも
に、このコンタクトブロック16を介してICデバイス
12を指定された高温に保つ試験温度安定制御を実行し
ながらICデバイス12の選別を行う。
When sorting the IC devices 12 at a high temperature,
The high-temperature control nozzle 18 provided in the cavity 36 of the contact block 16
Injecting the high-temperature control liquid 19 toward the device, the test temperature stabilization control is performed in which the contact block 16 is maintained at a constant high temperature state and the IC device 12 is maintained at a specified high temperature via the contact block 16. The selection of the IC device 12 is performed while doing so.

【0016】一方、ICデバイス12を高速周波数で測
定する場合にあっては、ICデバイス12の自己の発熱
に主因してICデバイス12の基体温度が規定温度を超
えたとき、ICデバイス12に接触しているコンタクト
ブロック16側に設けられている温度センサ24からの
温度データを参照することで、ICデバイス12の温度
を検知するとともに、空洞部36に設けた低温制御用ノ
ズル20から低温制御用液体21をコンタクトブロック
16に向けて噴射してコンタクトブロック16を冷却す
る試験温度安定制御を実行する。これにより、コンタク
トブロック16を介してICデバイス12を冷却するこ
とができる。
On the other hand, when measuring the IC device 12 at a high frequency, when the temperature of the base of the IC device 12 exceeds the specified temperature mainly due to the self-heating of the IC device 12, the IC device 12 comes into contact with the IC device 12. The temperature of the IC device 12 is detected by referring to the temperature data from the temperature sensor 24 provided on the contact block 16 side, and the low-temperature control nozzle 20 provided in the cavity 36 is used for the low-temperature control. The test temperature stabilization control for cooling the contact block 16 by injecting the liquid 21 toward the contact block 16 is executed. Thereby, the IC device 12 can be cooled via the contact block 16.

【0017】以上説明したように第1の実施の形態によ
れば、ICデバイス12を選別する際に上記試験温度安
定制御を実行することにより、安定した温度で選別する
ことができ、従来の温度安定制御技術に比べてICデバ
イス12の選別歩留まりを向上できるようになるといっ
た効果を奏する。
As described above, according to the first embodiment, when the IC device 12 is selected, the test temperature stabilization control is executed, so that the IC device 12 can be selected at a stable temperature. There is an effect that the sorting yield of the IC devices 12 can be improved as compared with the stable control technique.

【0018】(第2の実施の形態)次に、本発明の第2
の実施の形態を説明する。なお、上記第1の実施の形態
において既に記述したものと同一の部分については、同
一符号を付し、重複した説明は省略する。図1を参照す
ると、本実施の形態と同様の構成を備えた第2の実施の
形態では、ICデバイス12の選別を行うために、ま
ず、ICデバイス12を上面から適切な量だけ押し込ん
でソケット14に挿入する。続いて、ICデバイス12
の信号ピン32とソケット14のコンタクトピン34を
接触させて電気的接続(コンタクト)を行う。コンタク
トブロック16の空洞部36内には高温制御用液体19
と低温制御用液体21が設けられている。
(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described.
An embodiment will be described. The same parts as those already described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the duplicate description will be omitted. Referring to FIG. 1, in the second embodiment having a configuration similar to that of the present embodiment, in order to select an IC device 12, first, an IC device 12 is pushed in from a top surface by an appropriate amount and a socket is inserted. Insert into 14. Subsequently, the IC device 12
The signal pins 32 of the socket 14 and the contact pins 34 of the socket 14 are brought into contact to make electrical connection (contact). In the cavity 36 of the contact block 16, the high-temperature control liquid 19 is provided.
And a low-temperature control liquid 21.

【0019】ICデバイス12を高温で選別する場合、
コンタクトブロック16の空洞部36内に設けてある高
温制御用ノズル18からコンタクトブロックヒータ22
に向けて高温制御用液体19を噴射し、コンタクトブロ
ックヒータ22を介してICデバイス12を規定温度に
上昇させた状態でICデバイス12の高温選別を行う。
When sorting the IC devices 12 at a high temperature,
The high-temperature control nozzle 18 provided in the cavity 36 of the contact block 16
The high-temperature control liquid 19 is jetted toward the IC device 12, and the IC device 12 is sorted at a high temperature in a state where the IC device 12 is raised to a specified temperature via the contact block heater 22.

【0020】一方、上記電気的接続(コンタクト)状態
でICデバイス12を低温で選別する場合は、空洞部3
6に設けた低温制御用ノズル20から低温制御用液体2
1をコンタクトブロック16に向けて噴射し、コンタク
トブロック16を介してICデバイス12を冷却する。
これにより、第1の実施の形態に記載の効果に加えて、
1回のコンタクト時に同時に高温選別、低温選別を実現
することができるようになるといった効果を奏する。
On the other hand, when the IC device 12 is selected at a low temperature in the above-mentioned electrical connection (contact) state, the cavity 3
6 from the low-temperature control nozzle 20 provided in the low-temperature control liquid 20.
1 is injected toward the contact block 16 to cool the IC device 12 via the contact block 16.
Thus, in addition to the effects described in the first embodiment,
There is an effect that high-temperature sorting and low-temperature sorting can be realized simultaneously at the time of one contact.

【0021】なお、本発明が上記各実施の形態に限定さ
れず、本発明の技術思想の範囲内において、上記各実施
の形態は適宜変更され得ることは明らかである。また上
記構成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定
されず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等
にすることができる。
It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiments, and it is obvious that the above embodiments can be appropriately modified within the scope of the technical idea of the present invention. Further, the number, position, shape, and the like of the constituent members are not limited to the above-described embodiment, and can be set to numbers, positions, shapes, and the like suitable for carrying out the present invention.

【0022】[0022]

【発明の効果】本発明は以上のように構成されているの
で、ICデバイスを選別(スクリーニング)する際に試
験温度安定制御を実行することにより、安定した温度で
選別することができ、従来の温度安定制御技術に比べて
ICデバイスの選別歩留まりを向上できるようになると
いった効果を奏する。
Since the present invention is configured as described above, by performing the test temperature stabilization control when selecting (screening) an IC device, the IC device can be selected at a stable temperature. There is an effect that the sorting yield of IC devices can be improved as compared with the temperature stability control technology.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態に係る半導体試験システ
ムを説明するための構造図である。
FIG. 1 is a structural diagram for explaining a semiconductor test system according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…半導体試験システム 12…ICデバイス 14…ソケット 16…コンタクトブロック 18…高温制御用ノズル 19…高温制御用液体 20…低温制御用ノズル 21…低温制御用液体 22…コンタクトブロックヒータ 24…温度センサ 26…コントロールユニット 28…第1液体循環機構 30…第2液体循環機構 32…信号ピン 34…コンタクトピン 36…空洞部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Semiconductor test system 12 ... IC device 14 ... Socket 16 ... Contact block 18 ... High temperature control nozzle 19 ... High temperature control liquid 20 ... Low temperature control nozzle 21 ... Low temperature control liquid 22 ... Contact block heater 24 ... Temperature sensor 26 ... Control unit 28 ... First liquid circulation mechanism 30 ... Second liquid circulation mechanism 32 ... Signal pin 34 ... Contact pin 36 ... Cavity

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 安定した温度環境でICデバイスを選別
してICデバイスの選別歩留まりの向上を図る半導体試
験システムであって、 ICデバイスを納置した状態で、ソケットのコンタクト
ピンと前記ICデバイスの前記コンタクトピンとの電気
的接続を行うためのコンタクトブロックの中に空洞部を
設け、高温制御用の液体である高温制御用液体を噴射す
るための高温制御用ノズルと低温制御用の液体である低
温制御用液体を噴射するための低温制御用ノズルを前記
空洞部中に設け、前記コンタクトブロックに向けて前記
高温制御用液体または前記低温制御用液体を前記ICデ
バイスの基体温度に応じて選択的に前記ICデバイスに
噴射し前記コンタクトブロックの温度を制御して前記I
Cデバイスを一定温度に保つ試験温度安定制御機構を備
えることを特徴とする半導体試験システム。
1. A semiconductor test system for selecting an IC device in a stable temperature environment to improve the selection yield of the IC device, wherein a contact pin of a socket and the IC device of the IC device are arranged in a state where the IC device is stored. A cavity is provided in a contact block for making electrical connection with contact pins, and a high-temperature control nozzle for injecting a high-temperature control liquid as a high-temperature control liquid and a low-temperature control as a low-temperature control liquid A low-temperature control nozzle for ejecting a control liquid is provided in the cavity, and the high-temperature control liquid or the low-temperature control liquid is selectively directed toward the contact block according to a base temperature of the IC device. The temperature is controlled by controlling the temperature of the contact block by injecting into the IC device.
A semiconductor test system comprising a test temperature stabilization control mechanism for keeping a C device at a constant temperature.
【請求項2】 前記ICデバイスの信号ピンと電気的接
続を行うための前記コンタクトピンを複数具備した前記
ソケットと、 前記ICデバイスの上面を接触した状態で納置する前記
コンタクトブロックと、 前記ICデバイスの選別を行う際に上面を前記ICデバ
イスの上面と接触した状態で前記ICデバイスを規定温
度に上昇させるためのコンタクトブロックヒータと、 前記高温制御用液体を前記コンタクトブロックヒータの
底部に噴射して昇温するための前記高温制御用ノズル
と、 前記低温制御用液体を前記コンタクトブロックヒータの
底部に噴射して降温するための前記低温制御用ノズル
と、 前記ICデバイス基体の温度を測定するための温度セン
サと、 前記温度センサからの温度データを基に前記コンタクト
ブロックヒータへ入力する電力を制御するコントロール
ユニットと、 前記高温制御用液体を前記高温制御用ノズルに供給する
ための第1液体循環機構と、 前記低温制御用液体を前記低温制御用ノズルに供給する
ための第2液体循環機構と、 前記高温制御用ノズルおよび前記低温制御用ノズルが納
置され使用済みの前記高温制御用液体または前記低温制
御用液体を回収するための前記空洞部を備えていること
を特徴とする請求項1に記載の半導体試験システム。
2. The socket having a plurality of the contact pins for making electrical connection with signal pins of the IC device; the contact block for placing the IC device in contact with an upper surface of the IC device; and the IC device. A contact block heater for raising the temperature of the IC device to a specified temperature in a state where the upper surface is in contact with the upper surface of the IC device at the time of sorting, and the high-temperature control liquid is jetted to the bottom of the contact block heater. The high-temperature control nozzle for raising the temperature; the low-temperature control nozzle for injecting the low-temperature control liquid to the bottom of the contact block heater to lower the temperature; and measuring the temperature of the IC device base. A temperature sensor, and input to the contact block heater based on temperature data from the temperature sensor. A first liquid circulation mechanism for supplying the high-temperature control liquid to the high-temperature control nozzle; and a second liquid supply mechanism for supplying the low-temperature control liquid to the low-temperature control nozzle. A liquid circulating mechanism, comprising the hollow portion for collecting the used high-temperature control liquid or the low-temperature control liquid in which the high-temperature control nozzle and the low-temperature control nozzle are placed and used. The semiconductor test system according to claim 1, wherein:
【請求項3】 高速周波数で動作する前記ICデバイス
を選別する際に前記ICデバイスの自己発熱に主因して
前記ICデバイスの温度が規定温度よりも上昇してしま
う場合に、前記コンタクトブロックに向けて前記低温制
御用液体を前記ICデバイスに噴射し前記コンタクトブ
ロックの温度を制御して前記ICデバイスを一定温度に
保つ試験温度安定制御機構を備えることを特徴とする請
求項1または2に記載の半導体試験システム。
3. When the temperature of the IC device rises above a specified temperature mainly due to self-heating of the IC device when selecting the IC device operating at a high frequency, the IC block is directed toward the contact block. 3. The test temperature stabilization control mechanism according to claim 1, further comprising: injecting the low-temperature control liquid to the IC device to control a temperature of the contact block to keep the IC device at a constant temperature. 4. Semiconductor test system.
【請求項4】 前記試験温度安定制御機構は、前記IC
デバイスの自己発熱に主因して前記ICデバイスの基体
温度が規定温度を超えたとき、前記ICデバイスに接触
している前記コンタクトブロック側に設けられている前
記温度センサからの温度データを参照することで、前記
ICデバイスの温度を検知するとともに、前記空洞部に
設けた前記低温制御用ノズルから前記低温制御用液体を
前記コンタクトブロックに向けて噴射して前記コンタク
トブロックを冷却するように構成されていることを特徴
とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体試
験システム。
4. The test temperature stabilization control mechanism includes the IC
When the substrate temperature of the IC device exceeds a specified temperature mainly due to self-heating of the device, refer to temperature data from the temperature sensor provided on the contact block side in contact with the IC device. And detecting the temperature of the IC device and cooling the contact block by jetting the low-temperature control liquid toward the contact block from the low-temperature control nozzle provided in the cavity. The semiconductor test system according to claim 1, wherein:
【請求項5】 前記試験温度安定制御機構は、前記IC
デバイスを高温で選別する場合、前記コンタクトブロッ
クの前記空洞部内に設けてある前記高温制御用ノズルか
ら前記コンタクトブロックヒータに向けて前記高温制御
用液体を噴射することで、前記コンタクトブロックを一
定の高温状態に保持するとともに、前記コンタクトブロ
ックを介して前記ICデバイスを指定された高温に保つ
試験温度安定制御を実行しながら前記ICデバイスの選
別を行うように構成されていることを特徴とする請求項
1乃至4のいずれか一項に記載の半導体試験システム。
5. The test temperature stabilization control mechanism includes the IC
When the device is sorted at a high temperature, the high-temperature control liquid is ejected from the high-temperature control nozzle provided in the cavity of the contact block toward the contact block heater, so that the contact block is kept at a constant high temperature. The apparatus is configured to select the IC devices while executing a test temperature stabilization control for maintaining the IC devices at a designated high temperature via the contact block while maintaining the state. The semiconductor test system according to any one of claims 1 to 4.
【請求項6】 前記試験温度安定制御機構は、前記IC
デバイスを高速周波数で測定する場合にあっては、前記
ICデバイスの自己発熱に主因して前記ICデバイスの
基体温度が規定温度を超えたとき、前記ICデバイスに
接触している前記コンタクトブロック側に設けられてい
る前記温度センサからの温度データを参照することで、
前記ICデバイスの温度を検知するとともに、前記空洞
部に設けた前記低温制御用ノズルから前記低温制御用液
体を前記コンタクトブロックに向けて噴射して前記コン
タクトブロックを冷却する試験温度安定制御を実行する
ように構成されていることを特徴とする請求項1乃至5
のいずれか一項に記載の半導体試験システム。
6. The test temperature stabilization control mechanism includes the IC
When measuring the device at a high frequency, when the base temperature of the IC device exceeds a specified temperature mainly due to the self-heating of the IC device, the contact block side in contact with the IC device By referring to the temperature data from the provided temperature sensor,
Detecting the temperature of the IC device and executing a test temperature stabilization control for cooling the contact block by injecting the low-temperature control liquid toward the contact block from the low-temperature control nozzle provided in the cavity. 6. The image forming apparatus according to claim 1, wherein:
A semiconductor test system according to any one of the preceding claims.
【請求項7】 前記試験温度安定制御機構は、前記IC
デバイスを高温で選別する場合、前記コンタクトブロッ
クの前記空洞部内に設けてある前記高温制御用ノズルか
ら前記コンタクトブロックヒータに向けて前記高温制御
用液体を噴射し、前記コンタクトブロックヒータを介し
て前記ICデバイスを規定温度に上昇させた状態で前記
ICデバイスの高温選別を行うように構成されているこ
とを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の
半導体試験システム。
7. The test temperature stabilization control mechanism includes the IC
When selecting devices at a high temperature, the high-temperature control liquid is ejected from the high-temperature control nozzle provided in the cavity of the contact block toward the contact block heater, and the IC is passed through the contact block heater. 5. The semiconductor test system according to claim 1, wherein the semiconductor device is configured to perform high-temperature sorting of the IC device while the device is heated to a specified temperature. 6.
【請求項8】 前記試験温度安定制御機構は、電気的接
続状態で前記ICデバイスを低温で選別する場合、前記
空洞部に設けた前記低温制御用ノズルから前記低温制御
用液体を前記コンタクトブロックに向けて噴射し、前記
コンタクトブロックを介して前記ICデバイスを冷却す
るように構成されていることを特徴とする請求項1乃至
5のいずれか一項に記載の半導体試験システム。
8. The test temperature stabilization control mechanism, when selecting the IC device at a low temperature in an electrically connected state, applies the low-temperature control liquid to the contact block from the low-temperature control nozzle provided in the cavity. The semiconductor test system according to any one of claims 1 to 5, wherein the semiconductor test system is configured to inject toward the semiconductor device and cool the IC device through the contact block.
【請求項9】 安定した温度環境でICデバイスを選別
してICデバイスの選別歩留まりの向上を図る試験温度
安定制御方法であって、 ICデバイスを上面から適切な量だけ押し込んでソケッ
トに挿入する工程と、 前記ICデバイスの信号ピンと前記ソケットのコンタク
トピンを接触させて電気的接続を行った後に予め設定し
てあるテストプログラムを実行して前記ICデバイスの
選別を行う工程と、 前記ICデバイスの選別中に、前記ICデバイスに接触
するコンタクトブロックの近傍に設けられ前記ICデバ
イスの温度を計測する温度センサから得られる温度デー
タを参照することで前記ICデバイスの表面温度を随時
モニタする工程と、 前記ICデバイスを高温で選別する場合、前記ICデバ
イスの選別を行う際に上面を前記ICデバイスの上面と
接触した状態で前記ICデバイスを規定温度に上昇させ
るためのコンタクトブロックヒータに向けて、前記コン
タクトブロックの空洞部内に設けてある高温制御用ノズ
ルから高温制御用の液体を噴射することで、前記コンタ
クトブロックを一定の高温状態に保持するとともに、前
記コンタクトブロックを介して前記ICデバイスを指定
された高温に保つ試験温度安定制御工程を実行しながら
前記ICデバイスの選別を行う工程を有することを特徴
とする試験温度安定制御方法。
9. A test temperature stability control method for selecting an IC device in a stable temperature environment to improve the selection yield of the IC device, wherein the IC device is pushed into the socket by an appropriate amount from the upper surface and inserted into the socket. Performing a preset test program after the signal pins of the IC device are brought into contact with the contact pins of the socket to perform electrical connection, and selecting the IC devices; and selecting the IC devices. A step of monitoring the surface temperature of the IC device at any time by referring to temperature data obtained from a temperature sensor provided near a contact block that contacts the IC device and measuring the temperature of the IC device; When sorting IC devices at a high temperature, the upper surface of the IC devices is sorted out when sorting the IC devices. Injecting a high-temperature control liquid from a high-temperature control nozzle provided in a cavity of the contact block toward a contact block heater for raising the IC device to a specified temperature while being in contact with the upper surface of the chair. A step of holding the contact block at a constant high temperature state and selecting the IC device while executing a test temperature stabilization control step of maintaining the IC device at a specified high temperature via the contact block. A test temperature stabilization control method characterized in that:
【請求項10】 前記試験温度安定制御工程は、高速周
波数で動作する前記ICデバイスを選別する際に前記I
Cデバイスの自己発熱に主因して前記ICデバイスの温
度が規定温度よりも上昇してしまう場合に、前記コンタ
クトブロックに向けて、前記コンタクトブロックの空洞
部内に設けてある低温制御用ノズルから低温制御用の液
体を前記ICデバイスに噴射し前記コンタクトブロック
の温度を制御して前記ICデバイスを一定温度に保つ工
程を備えることを特徴とする請求項9に記載の試験温度
安定制御方法。
10. The test temperature stabilizing control step includes selecting the IC device operating at a high frequency when selecting the IC device.
When the temperature of the IC device rises above a specified temperature mainly due to the self-heating of the C device, the low-temperature control is performed toward the contact block from a low-temperature control nozzle provided in the cavity of the contact block. 10. The test temperature stabilization control method according to claim 9, further comprising a step of injecting a liquid for use into the IC device and controlling a temperature of the contact block to keep the IC device at a constant temperature.
【請求項11】 前記試験温度安定制御工程は、前記I
Cデバイスの自己発熱に主因して前記ICデバイスの基
体温度が規定温度を超えたとき、前記ICデバイスに接
触している前記コンタクトブロック側に設けられている
前記温度センサからの温度データを参照することで、前
記ICデバイスの温度を検知するとともに、前記空洞部
に設けた前記低温制御用ノズルから前記低温制御用液体
を前記コンタクトブロックに向けて噴射して前記コンタ
クトブロックを冷却する工程を備えることを特徴とする
請求項9または10に記載の試験温度安定制御方法。
11. The test temperature stabilization control step includes:
When the base temperature of the IC device exceeds a specified temperature mainly due to the self-heating of the C device, the temperature data from the temperature sensor provided on the contact block side in contact with the IC device is referred to. Detecting the temperature of the IC device and cooling the contact block by injecting the low-temperature control liquid from the low-temperature control nozzle provided in the cavity toward the contact block. The test temperature stabilization control method according to claim 9 or 10, wherein:
【請求項12】 前記試験温度安定制御工程は、前記I
Cデバイスを高温で選別する場合、前記コンタクトブロ
ックの前記空洞部内に設けてある前記高温制御用ノズル
から前記コンタクトブロックヒータに向けて前記高温制
御用液体を噴射することで、前記コンタクトブロックを
一定の高温状態に保持するとともに、前記コンタクトブ
ロックを介して前記ICデバイスを指定された高温に保
つ試験温度安定制御を実行しながら前記ICデバイスの
選別を行う工程を備えることを特徴とする請求項9乃至
11のいずれか一項に記載の試験温度安定制御方法。
12. The test temperature stabilization control step includes the step of:
When sorting the C devices at a high temperature, the high-temperature control liquid is ejected from the high-temperature control nozzle provided in the cavity of the contact block toward the contact block heater, so that the contact block is fixed. 10. The method according to claim 9, further comprising a step of selecting the IC devices while performing a test temperature stabilization control for maintaining the IC devices at a specified high temperature via the contact block while maintaining the IC devices in a high temperature state. 12. The test temperature stability control method according to any one of items 11 to 12.
【請求項13】 前記試験温度安定制御工程は、前記I
Cデバイスを高速周波数で測定する場合にあっては、前
記ICデバイスの自己発熱に主因して前記ICデバイス
の基体温度が規定温度を超えたとき、前記ICデバイス
に接触している前記コンタクトブロック側に設けられて
いる前記温度センサからの温度データを参照すること
で、前記ICデバイスの温度を検知するとともに、前記
空洞部に設けた前記低温制御用ノズルから前記低温制御
用液体を前記コンタクトブロックに向けて噴射して前記
コンタクトブロックを冷却する試験温度安定制御を実行
する工程を備えることを特徴とする請求項9乃至12の
いずれか一項に記載の試験温度安定制御方法。
13. The test temperature stability control step according to claim 1, wherein
When measuring the C device at a high frequency, when the base temperature of the IC device exceeds a specified temperature mainly due to self-heating of the IC device, the side of the contact block that is in contact with the IC device The temperature of the IC device is detected by referring to the temperature data from the temperature sensor provided in the nozzle, and the low-temperature control liquid is supplied to the contact block from the low-temperature control nozzle provided in the cavity. The test temperature stabilization control method according to any one of claims 9 to 12, further comprising a step of performing a test temperature stabilization control of injecting air toward the contact block to cool the contact block.
【請求項14】 前記試験温度安定制御工程は、前記I
Cデバイスを高温で選別する場合、前記コンタクトブロ
ックの前記空洞部内に設けてある前記高温制御用ノズル
から前記コンタクトブロックヒータに向けて前記高温制
御用液体を噴射し、前記コンタクトブロックヒータを介
して前記ICデバイスを規定温度に上昇させた状態で前
記ICデバイスの高温選別を行う工程を備えることを特
徴とする請求項9乃至13のいずれか一項に記載の試験
温度安定制御方法。
14. The test temperature stabilization control step includes:
When sorting the C devices at a high temperature, the high-temperature control liquid is ejected from the high-temperature control nozzle provided in the cavity of the contact block toward the contact block heater, and the high-temperature control liquid is injected through the contact block heater. The test temperature stabilization control method according to any one of claims 9 to 13, further comprising a step of performing high-temperature sorting of the IC device while the IC device is raised to a specified temperature.
【請求項15】 前記試験温度安定制御工程は、電気的
接続状態で前記ICデバイスを低温で選別する場合、前
記空洞部に設けた前記低温制御用ノズルから前記低温制
御用液体を前記コンタクトブロックに向けて噴射し、前
記コンタクトブロックを介して前記ICデバイスを冷却
する工程を備えることを特徴とする請求項9乃至14の
いずれか一項に記載の試験温度安定制御方法。
15. The test temperature stabilization control step includes, when the IC device is selected at a low temperature in an electrically connected state, the low temperature control liquid is supplied to the contact block from the low temperature control nozzle provided in the cavity. The test temperature stabilization control method according to any one of claims 9 to 14, further comprising a step of injecting air toward the IC device and cooling the IC device through the contact block.
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