JP2001041239A - 磁気軸受装置 - Google Patents
磁気軸受装置Info
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- F16C32/0461—Details of the magnetic circuit of stationary parts of the magnetic circuit
- F16C32/0463—Details of the magnetic circuit of stationary parts of the magnetic circuit with electromagnetic bias, e.g. by extra bias windings
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- F16C—SHAFTS; FLEXIBLE SHAFTS; ELEMENTS OR CRANKSHAFT MECHANISMS; ROTARY BODIES OTHER THAN GEARING ELEMENTS; BEARINGS
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- F16C2360/44—Centrifugal pumps
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バイアスコイルと制御コイルとを有する電磁
石を備えたラジアル磁気軸受において、静剛性及び高周
波応答性を高めるながら、前記電磁石を構成するコイル
の数を大幅に減少させること。 【解決手段】 電磁石１は、４分割された環状コア片２
ａ〜２ｄからなり且つ８個の磁極２１〜２８が同一円周
上に等間隔に配置された環状コア２と、これら磁極に巻
回された４個のバイアスコイル３ａ〜３ｄと４個の制御
コイル４ａ〜４ｄとを有し、＋Ｙ軸側電磁石部１ａ、−
Ｙ軸側電磁石部１ｂ、＋Ｘ軸側電磁石部１ｃ、及び−Ｘ
軸側電磁石部１ｄの４つの電磁石部が形成されている。
そして、前記環状コア片２ａ〜２ｄの間に高磁気抵抗手
段として作用する隙間５ａ〜５ｄを設け、前記電磁石部
の磁路が干渉しないように相互に独立させた。
石を備えたラジアル磁気軸受において、静剛性及び高周
波応答性を高めるながら、前記電磁石を構成するコイル
の数を大幅に減少させること。 【解決手段】 電磁石１は、４分割された環状コア片２
ａ〜２ｄからなり且つ８個の磁極２１〜２８が同一円周
上に等間隔に配置された環状コア２と、これら磁極に巻
回された４個のバイアスコイル３ａ〜３ｄと４個の制御
コイル４ａ〜４ｄとを有し、＋Ｙ軸側電磁石部１ａ、−
Ｙ軸側電磁石部１ｂ、＋Ｘ軸側電磁石部１ｃ、及び−Ｘ
軸側電磁石部１ｄの４つの電磁石部が形成されている。
そして、前記環状コア片２ａ〜２ｄの間に高磁気抵抗手
段として作用する隙間５ａ〜５ｄを設け、前記電磁石部
の磁路が干渉しないように相互に独立させた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はラジアル磁気軸受を
備えた磁気軸受装置において、前記ラジアル磁気軸受を
構成する電磁石にバイアスコイルと制御コイルとを有す
る電磁石を採用した磁気軸受装置に関する。
備えた磁気軸受装置において、前記ラジアル磁気軸受を
構成する電磁石にバイアスコイルと制御コイルとを有す
る電磁石を採用した磁気軸受装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば工作機械やターボ分子ポンプ等の
高速回転機器の軸受に広く採用されている能動型磁気軸
受装置には、特開平９−７９２５７号公報や特開平９−
２１００６１号公報等に開示された３軸制御磁気軸受装
置と、特開平９−４２２９０号公報や特開平１０−２８
１０９３号公報等に開示された５軸制御磁気軸受装置が
ある。３軸制御磁気軸受装置は半径方向センサを備えた
１個のラジアル磁気軸受と１個のアキシャル磁気軸受と
から構成されたものであり、５軸制御磁気軸受装置は半
径方向センサを夫々備えた２個のラジアル磁気軸受と１
個のスラスト磁気軸受とから構成されたものである。
高速回転機器の軸受に広く採用されている能動型磁気軸
受装置には、特開平９−７９２５７号公報や特開平９−
２１００６１号公報等に開示された３軸制御磁気軸受装
置と、特開平９−４２２９０号公報や特開平１０−２８
１０９３号公報等に開示された５軸制御磁気軸受装置が
ある。３軸制御磁気軸受装置は半径方向センサを備えた
１個のラジアル磁気軸受と１個のアキシャル磁気軸受と
から構成されたものであり、５軸制御磁気軸受装置は半
径方向センサを夫々備えた２個のラジアル磁気軸受と１
個のスラスト磁気軸受とから構成されたものである。
【０００３】ラジアル磁気軸受を構成している従来の電
磁石は、図７に示す如く、１個の環状コア３２と、８個
のバイアスコイル３３ａ〜３３ｈと、８個の制御コイル
３４ａ〜３４ｈとから構成されている。環状コア３２に
は８個の磁極３２ａ〜３２ｈが同一円周上に等間隔に形
成されており、磁極３２ａ〜３２ｈの内周側には制御コ
イル３４ａ〜３４ｈが、且つ外周側にはバイアスコイル
３３ａ〜３３ｈが夫々巻回されている。これらのバイア
スコイル３３ａ〜３３ｈと制御コイル３４ａ〜３４ｈに
は、図８に示す如く、コントローラ４０からバイアス電
流と制御電流が夫々供給されている。
磁石は、図７に示す如く、１個の環状コア３２と、８個
のバイアスコイル３３ａ〜３３ｈと、８個の制御コイル
３４ａ〜３４ｈとから構成されている。環状コア３２に
は８個の磁極３２ａ〜３２ｈが同一円周上に等間隔に形
成されており、磁極３２ａ〜３２ｈの内周側には制御コ
イル３４ａ〜３４ｈが、且つ外周側にはバイアスコイル
３３ａ〜３３ｈが夫々巻回されている。これらのバイア
スコイル３３ａ〜３３ｈと制御コイル３４ａ〜３４ｈに
は、図８に示す如く、コントローラ４０からバイアス電
流と制御電流が夫々供給されている。
【０００４】即ち、制御コイル３４ａと３４ｂ及びこれ
らと対向配置された制御コイル３４ｅと３４ｆは直列に
接続されてコントローラ４０のＹ軸用電流増幅部４２ｙ
から制御電流が供給され，制御コイル３４ｃと３４ｄ及
びこれらと対向配置された制御コイル３４ｇと３４ｈは
直列に接続されてコントローラ４０のＸ軸用電流増幅部
４２ｘから制御電流が供給されている。また、バイアス
コイル３３ａ〜３３ｈは直列に接続されてバイアス電源
４３からバイアス電流が夫々供給されている。
らと対向配置された制御コイル３４ｅと３４ｆは直列に
接続されてコントローラ４０のＹ軸用電流増幅部４２ｙ
から制御電流が供給され，制御コイル３４ｃと３４ｄ及
びこれらと対向配置された制御コイル３４ｇと３４ｈは
直列に接続されてコントローラ４０のＸ軸用電流増幅部
４２ｘから制御電流が供給されている。また、バイアス
コイル３３ａ〜３３ｈは直列に接続されてバイアス電源
４３からバイアス電流が夫々供給されている。
【０００５】上述の如く配置され且つ結線されているの
で、磁極３２ａとこれに巻回されたバイアスコイル３３
ａと制御コイル３４ａ及び磁極３２ｂとこれに巻回され
たバイアスコイル３３ｂと制御コイル３４ｂとは＋Ｙ軸
側電磁石部を形成し、磁極３２ｅとこれに巻回されたバ
イアスコイル３３ｅと制御コイル３４ｅ及び磁極３２ｆ
とこれに巻回されたバイアスコイル３３ｆと制御コイル
３４ｆとは−Ｙ軸側電磁石部を形成している。また、磁
極３２ｃとこれに巻回されたバイアスコイル３３ｃと制
御コイル３４ｃ及び磁極３２ｄとこれに巻回されたバイ
アスコイル３３ｄと制御コイル３４ｄとは＋Ｘ軸側電磁
石部を形成し、磁極３２ｇとこれに巻回されたバイアス
コイル３３ｇと制御コイル３４ｇ及び磁極３２ｈとこれ
に巻回されたバイアスコイル３３ｈと制御コイル３４ｈ
とは−Ｘ軸側電磁石部を形成している。
で、磁極３２ａとこれに巻回されたバイアスコイル３３
ａと制御コイル３４ａ及び磁極３２ｂとこれに巻回され
たバイアスコイル３３ｂと制御コイル３４ｂとは＋Ｙ軸
側電磁石部を形成し、磁極３２ｅとこれに巻回されたバ
イアスコイル３３ｅと制御コイル３４ｅ及び磁極３２ｆ
とこれに巻回されたバイアスコイル３３ｆと制御コイル
３４ｆとは−Ｙ軸側電磁石部を形成している。また、磁
極３２ｃとこれに巻回されたバイアスコイル３３ｃと制
御コイル３４ｃ及び磁極３２ｄとこれに巻回されたバイ
アスコイル３３ｄと制御コイル３４ｄとは＋Ｘ軸側電磁
石部を形成し、磁極３２ｇとこれに巻回されたバイアス
コイル３３ｇと制御コイル３４ｇ及び磁極３２ｈとこれ
に巻回されたバイアスコイル３３ｈと制御コイル３４ｈ
とは−Ｘ軸側電磁石部を形成している。
【０００６】各電磁石部においては、図７に点線の磁束
線で示す如くバイアス磁界が発生している。制御磁界
は、図８に示す如く、同一軸において一方の電磁石部は
バイアス磁界を強める方向に、対向配置された他方の電
磁石部はバイアス磁界を弱める方向に夫々発生させられ
る。即ち、＋Ｙ軸側電磁石部の制御コイル３４ａと３４
ｂがバイアス磁界と同一方向の制御磁界を発生させられ
るときは、対向配置された−Ｙ軸側電磁石部の制御コイ
ル３４ｅと３４ｆはバイアス磁界と逆方向の制御磁界を
発生させられる。同様に＋Ｘ軸側電磁石部の制御コイル
３４ｃと３４ｄがバイアス磁界と同一方向の制御磁界を
発生させられるときは、対向配置された−Ｘ軸側電磁石
部の制御コイル３４ｇと３４ｈはバイアス磁界と逆方向
の制御磁界を発生させられる。
線で示す如くバイアス磁界が発生している。制御磁界
は、図８に示す如く、同一軸において一方の電磁石部は
バイアス磁界を強める方向に、対向配置された他方の電
磁石部はバイアス磁界を弱める方向に夫々発生させられ
る。即ち、＋Ｙ軸側電磁石部の制御コイル３４ａと３４
ｂがバイアス磁界と同一方向の制御磁界を発生させられ
るときは、対向配置された−Ｙ軸側電磁石部の制御コイ
ル３４ｅと３４ｆはバイアス磁界と逆方向の制御磁界を
発生させられる。同様に＋Ｘ軸側電磁石部の制御コイル
３４ｃと３４ｄがバイアス磁界と同一方向の制御磁界を
発生させられるときは、対向配置された−Ｘ軸側電磁石
部の制御コイル３４ｇと３４ｈはバイアス磁界と逆方向
の制御磁界を発生させられる。
【０００７】従って、回転シャフト１５が所定位置から
変位した場合、コントローラ４０は半径方向位置センサ
６ｘと６ｙからの位置信号と目標値との偏差を算出し、
この偏差をゼロにするようにフィードバック制御を行
い、回転シャフト１５を所定位置に復帰させる。即ち、
コントローラ４０の制御部４１は、半径方向位置センサ
６ｘと６ｙからの位置信号と目標値との偏差にＰＩＤ等
の所定の演算を施し制御信号を発生して電流増幅部４２
ｘと４２ｙを制御し、その出力である制御電流を変化さ
せる。すると、８個の制御コイル３４ａ〜３４ｈが発生
する磁界が変化し、これによって＋Ｙ軸側電磁石部、−
Ｙ軸側電磁石部、＋Ｘ軸側電磁石部、−Ｘ軸側電磁石部
の電磁力が変化して回転シャフト１５を所定の位置に復
帰させる。
変位した場合、コントローラ４０は半径方向位置センサ
６ｘと６ｙからの位置信号と目標値との偏差を算出し、
この偏差をゼロにするようにフィードバック制御を行
い、回転シャフト１５を所定位置に復帰させる。即ち、
コントローラ４０の制御部４１は、半径方向位置センサ
６ｘと６ｙからの位置信号と目標値との偏差にＰＩＤ等
の所定の演算を施し制御信号を発生して電流増幅部４２
ｘと４２ｙを制御し、その出力である制御電流を変化さ
せる。すると、８個の制御コイル３４ａ〜３４ｈが発生
する磁界が変化し、これによって＋Ｙ軸側電磁石部、−
Ｙ軸側電磁石部、＋Ｘ軸側電磁石部、−Ｘ軸側電磁石部
の電磁力が変化して回転シャフト１５を所定の位置に復
帰させる。
【０００８】ところで、ラジアル磁気軸受の電磁石をバ
イアスコイルと制御コイルとに分離しないで構成した場
合、コイルにはバイアス電流と制御電流が共に流れるこ
とになる。ラジアル磁気軸受の電磁石に要求される特性
には静剛性と高周波応答性があるが、静剛性はコイルの
巻数の２乗に比例し、高周波応答性はコイルの巻数の２
乗に反比例する。従って、静剛性を高めるためにコイル
の巻数を大きくすれば高周波応答性が大きく低下するこ
とになり、高周波応答性を高めるためにコイルの巻数を
小さくすれば静剛性が大きく低下することになる。この
ため、バイアスコイルと制御コイルとに分離しないで構
成した電磁石を用いたラジアル磁気軸受では、静剛性と
高周波応答性の両方の要求を同時に満足させることは不
可能であるという問題があった。
イアスコイルと制御コイルとに分離しないで構成した場
合、コイルにはバイアス電流と制御電流が共に流れるこ
とになる。ラジアル磁気軸受の電磁石に要求される特性
には静剛性と高周波応答性があるが、静剛性はコイルの
巻数の２乗に比例し、高周波応答性はコイルの巻数の２
乗に反比例する。従って、静剛性を高めるためにコイル
の巻数を大きくすれば高周波応答性が大きく低下するこ
とになり、高周波応答性を高めるためにコイルの巻数を
小さくすれば静剛性が大きく低下することになる。この
ため、バイアスコイルと制御コイルとに分離しないで構
成した電磁石を用いたラジアル磁気軸受では、静剛性と
高周波応答性の両方の要求を同時に満足させることは不
可能であるという問題があった。
【０００９】これに対して、８個の磁極３２ａ〜３２ｈ
が同一円周上に等間隔に配置された１個の環状コア３２
と、８個のバイアスコイル３３ａ〜３３ｈと８個の制御
コイル３４ａ〜３４ｈとから構成されている図７及び図
８に示すラジアル磁気軸受の電磁石を用いたラジアル磁
気軸受においては、上述の問題はなく、静剛性と高周波
応答性を同時に高めることができる。図７及び図８に示
す従来のラジアル磁気軸受は、このように優れた特長を
有するが、バイアスコイルと制御コイルとをそれぞれ８
個、合計１６個もの多数のコイルを有するために、配線
が多く、組立性が悪く、このため材料と製造コストの上
昇と製品の歩留まりの低下という問題を有する。
が同一円周上に等間隔に配置された１個の環状コア３２
と、８個のバイアスコイル３３ａ〜３３ｈと８個の制御
コイル３４ａ〜３４ｈとから構成されている図７及び図
８に示すラジアル磁気軸受の電磁石を用いたラジアル磁
気軸受においては、上述の問題はなく、静剛性と高周波
応答性を同時に高めることができる。図７及び図８に示
す従来のラジアル磁気軸受は、このように優れた特長を
有するが、バイアスコイルと制御コイルとをそれぞれ８
個、合計１６個もの多数のコイルを有するために、配線
が多く、組立性が悪く、このため材料と製造コストの上
昇と製品の歩留まりの低下という問題を有する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする第１
の課題は、半径方向センサと、バイアスコイルと制御コ
イルとを有する電磁石と、前記半径方向センサの出力に
基づいて前記電磁石の電磁力を制御するコントローラと
からなるラジアル磁気軸受を少なくとも備えた磁気軸受
装置において、前記電磁石を構成するコイルの数を大幅
に減少させながら、静剛性及び高周波応答性を高めるこ
とにある。解決しようとする第２の課題は、上記磁気軸
受装置において、組立て性と製品の歩留まりを向上させ
ることである。
の課題は、半径方向センサと、バイアスコイルと制御コ
イルとを有する電磁石と、前記半径方向センサの出力に
基づいて前記電磁石の電磁力を制御するコントローラと
からなるラジアル磁気軸受を少なくとも備えた磁気軸受
装置において、前記電磁石を構成するコイルの数を大幅
に減少させながら、静剛性及び高周波応答性を高めるこ
とにある。解決しようとする第２の課題は、上記磁気軸
受装置において、組立て性と製品の歩留まりを向上させ
ることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記第１並びに第２の課
題を解決するために、４分割された環状コア片からなり
且つ８個の磁極が同一円周上に等間隔に配置された環状
コアとこれら磁極に巻回された４個のバイアスコイル及
び４個の制御コイルとによって、＋Ｙ軸側電磁石部、−
Ｙ軸側電磁石部、＋Ｘ軸側電磁石部、及び−Ｘ軸側電磁
石部の４つの電磁石部を形成した電磁石を有するラジア
ル磁気軸受を少なくとも備えた磁気軸受装置において、
前記環状コア片間に高磁気抵抗手段を設け、前記電磁石
部の磁路が相互に独立するようにした。
題を解決するために、４分割された環状コア片からなり
且つ８個の磁極が同一円周上に等間隔に配置された環状
コアとこれら磁極に巻回された４個のバイアスコイル及
び４個の制御コイルとによって、＋Ｙ軸側電磁石部、−
Ｙ軸側電磁石部、＋Ｘ軸側電磁石部、及び−Ｘ軸側電磁
石部の４つの電磁石部を形成した電磁石を有するラジア
ル磁気軸受を少なくとも備えた磁気軸受装置において、
前記環状コア片間に高磁気抵抗手段を設け、前記電磁石
部の磁路が相互に独立するようにした。
【００１２】そして前記高磁気抵抗手段を、所定の間隔
の隙間そのもの、又はこの隙間に非磁性材を充填して実
現した。
の隙間そのもの、又はこの隙間に非磁性材を充填して実
現した。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の磁気軸受装置に用いられ
ているラジアル磁気軸受は、図１に横断面図、図２にそ
の部分的な縦断面図で示す如く、４分割された環状コア
片２ａ〜２ｄからなり、且つ８個の磁極２１〜２８が同
一円周上に等間隔に形成された１個の環状コア２と、４
個のバイアスコイル３ａ〜３ｄと、４個の制御コイル４
ａ〜４ｄとから構成された電磁石１を有する。前記８個
の磁極において、奇数番目の磁極２１、２３、２５、２
７にはバイアスコイル３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄが夫々巻
回され、且つ偶数番目の磁極２２、２４、２６、２８に
は制御コイル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが夫々巻回されて
いる。これらのバイアスコイル３ａ〜３ｄと制御コイル
４ａ〜４ｄには、図３に示す如く、コントローラ１０か
らバイアス電流と制御電流が夫々供給されている。
ているラジアル磁気軸受は、図１に横断面図、図２にそ
の部分的な縦断面図で示す如く、４分割された環状コア
片２ａ〜２ｄからなり、且つ８個の磁極２１〜２８が同
一円周上に等間隔に形成された１個の環状コア２と、４
個のバイアスコイル３ａ〜３ｄと、４個の制御コイル４
ａ〜４ｄとから構成された電磁石１を有する。前記８個
の磁極において、奇数番目の磁極２１、２３、２５、２
７にはバイアスコイル３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄが夫々巻
回され、且つ偶数番目の磁極２２、２４、２６、２８に
は制御コイル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが夫々巻回されて
いる。これらのバイアスコイル３ａ〜３ｄと制御コイル
４ａ〜４ｄには、図３に示す如く、コントローラ１０か
らバイアス電流と制御電流が夫々供給されている。
【００１４】即ち、制御コイル４ａとこれに対向配置さ
れた制御コイル４ｃはコントローラ１０のＹ軸用電流増
幅部１２ｙから、また制御コイル４ｂとこれに対向配置
された制御コイル４ｄはコントローラ１０のＸ軸用電流
増幅部１２ｘから制御電流が夫々供給されている。ま
た、バイアスコイル３ａ〜３ｄは直列に接続されてバイ
アス電源１３からバイアス電流が夫々供給されている。
れた制御コイル４ｃはコントローラ１０のＹ軸用電流増
幅部１２ｙから、また制御コイル４ｂとこれに対向配置
された制御コイル４ｄはコントローラ１０のＸ軸用電流
増幅部１２ｘから制御電流が夫々供給されている。ま
た、バイアスコイル３ａ〜３ｄは直列に接続されてバイ
アス電源１３からバイアス電流が夫々供給されている。
【００１５】上述の如く配置され且つ結線されているの
で、磁極２１とこれに巻回されたバイアスコイル３ａ及
び磁極２２とこれに巻回された制御コイル４ａとは馬蹄
形の＋Ｙ軸側電磁石部1ａを形成し、磁極２３とこれに
巻回されたバイアスコイル３ｂ及び磁極２４とこれに巻
回された制御コイル４ｂとは馬蹄形の−Ｙ軸側電磁石部
1ｂを形成している。また、磁極２５とこれに巻回され
たバイアスコイル３及び磁極２６とこれに巻回された制
御コイル４ｃとは馬蹄形の＋Ｘ軸側電磁石部1ｃを形成
し、磁極２７とこれに巻回されたバイアスコイル３ｄ及
び磁極２８とこれに巻回された制御コイル４ｄとは馬蹄
形の−Ｘ軸側電磁石部1ｄを形成している。
で、磁極２１とこれに巻回されたバイアスコイル３ａ及
び磁極２２とこれに巻回された制御コイル４ａとは馬蹄
形の＋Ｙ軸側電磁石部1ａを形成し、磁極２３とこれに
巻回されたバイアスコイル３ｂ及び磁極２４とこれに巻
回された制御コイル４ｂとは馬蹄形の−Ｙ軸側電磁石部
1ｂを形成している。また、磁極２５とこれに巻回され
たバイアスコイル３及び磁極２６とこれに巻回された制
御コイル４ｃとは馬蹄形の＋Ｘ軸側電磁石部1ｃを形成
し、磁極２７とこれに巻回されたバイアスコイル３ｄ及
び磁極２８とこれに巻回された制御コイル４ｄとは馬蹄
形の−Ｘ軸側電磁石部1ｄを形成している。
【００１６】４分割された環状コア片２ａ〜２ｄは、図
１から明らかな如く、円周の中心に突出した２個の磁極
と略４分円の長さの環状片部とから形成された略π字形
軟磁性部材であり、前記略４分円の長さの環状片部の端
面は概ね平坦面とされている。そして、４分割された環
状コア片２ａ〜２ｄは非磁性材の円筒状ケース１７内に
収納されて１個の環状コア２を形成するが、各環状コア
片間には隙間５ａ〜５ｄが設けられている。即ち、環状
コア片２ａと２ｂとの間には隙間５ｂが、環状コア片２
ｂと２ｃとの間には隙間５ｃが、環状コア片２ｃと２ｄ
との間には隙間５ｄが、環状コア片２ｄと２ａとの間に
は隙間５ａが夫々形成されている。この隙間の間隔ｔ
は、磁極２１〜２８の各端面と回転シャフト１５のター
ゲット１６の表面との間のエアギャップδの３倍以上の
大きさが望ましい。これは、ＳＹ木間５ａ〜５ｄを高磁
気抵抗手段として機能させるためである。これらの隙間
５ａ〜５ｄには、非磁性材を充填してもよい。
１から明らかな如く、円周の中心に突出した２個の磁極
と略４分円の長さの環状片部とから形成された略π字形
軟磁性部材であり、前記略４分円の長さの環状片部の端
面は概ね平坦面とされている。そして、４分割された環
状コア片２ａ〜２ｄは非磁性材の円筒状ケース１７内に
収納されて１個の環状コア２を形成するが、各環状コア
片間には隙間５ａ〜５ｄが設けられている。即ち、環状
コア片２ａと２ｂとの間には隙間５ｂが、環状コア片２
ｂと２ｃとの間には隙間５ｃが、環状コア片２ｃと２ｄ
との間には隙間５ｄが、環状コア片２ｄと２ａとの間に
は隙間５ａが夫々形成されている。この隙間の間隔ｔ
は、磁極２１〜２８の各端面と回転シャフト１５のター
ゲット１６の表面との間のエアギャップδの３倍以上の
大きさが望ましい。これは、ＳＹ木間５ａ〜５ｄを高磁
気抵抗手段として機能させるためである。これらの隙間
５ａ〜５ｄには、非磁性材を充填してもよい。
【００１７】各電磁石部においては、図４に点線の磁束
線で示す如くバイアス磁界が発生している。制御磁界
は、図３を参照すれば明らかな如く、同一軸において一
方の電磁石部はバイアス磁界を強める方向に、対向配置
された他方の電磁石部はバイアス磁界を弱める方向に夫
々発生させられる。即ち、＋Ｙ軸側電磁石部１ａの制御
コイル４ａがバイアス磁界と同一方向の制御磁界を発生
させられるときは、これと対向配置された−Ｙ軸側電磁
石部１ｃの制御コイル４ｃはバイアス磁界と逆方向の制
御磁界を発生させられる。同様に＋Ｘ軸側電磁石部１ｂ
の制御コイル４ｂがバイアス磁界と同一方向の制御磁界
を発生させられるときは、これと対向配置された−Ｘ軸
側電磁石部１ｄの制御コイル４ｄはバイアス磁界と逆方
向の制御磁界を発生させられる。
線で示す如くバイアス磁界が発生している。制御磁界
は、図３を参照すれば明らかな如く、同一軸において一
方の電磁石部はバイアス磁界を強める方向に、対向配置
された他方の電磁石部はバイアス磁界を弱める方向に夫
々発生させられる。即ち、＋Ｙ軸側電磁石部１ａの制御
コイル４ａがバイアス磁界と同一方向の制御磁界を発生
させられるときは、これと対向配置された−Ｙ軸側電磁
石部１ｃの制御コイル４ｃはバイアス磁界と逆方向の制
御磁界を発生させられる。同様に＋Ｘ軸側電磁石部１ｂ
の制御コイル４ｂがバイアス磁界と同一方向の制御磁界
を発生させられるときは、これと対向配置された−Ｘ軸
側電磁石部１ｄの制御コイル４ｄはバイアス磁界と逆方
向の制御磁界を発生させられる。
【００１８】従って、回転シャフト１５が所定位置から
変位した場合、コントローラ１０は半径方向位置センサ
６ｘと６ｙからの位置信号と目標値との偏差を算出し、
この偏差をゼロにするようにフィードバック制御を行
い、回転シャフト１５を所定位置に復帰させる。即ち、
コントローラ１０の制御部１１は、半径方向位置センサ
６ｘと６ｙからの位置信号と目標値との偏差にＰＩＤ等
の所定の演算を施して制御信号を発生して電流増幅部１
２ｘと１２ｙを制御し、その出力である制御電流を変化
させる。すると、４個の制御コイル４ａ〜４ｄが発生す
る磁界が変化し、これによって、＋Ｙ軸側電磁石部１
ａ、−Ｙ軸側電磁石部１ｂ、＋Ｘ軸側電磁石部１ｃ、−
Ｘ軸側電磁石部１ｄの電磁力が変化して回転シャフト１
５を所定の位置に復帰させる。
変位した場合、コントローラ１０は半径方向位置センサ
６ｘと６ｙからの位置信号と目標値との偏差を算出し、
この偏差をゼロにするようにフィードバック制御を行
い、回転シャフト１５を所定位置に復帰させる。即ち、
コントローラ１０の制御部１１は、半径方向位置センサ
６ｘと６ｙからの位置信号と目標値との偏差にＰＩＤ等
の所定の演算を施して制御信号を発生して電流増幅部１
２ｘと１２ｙを制御し、その出力である制御電流を変化
させる。すると、４個の制御コイル４ａ〜４ｄが発生す
る磁界が変化し、これによって、＋Ｙ軸側電磁石部１
ａ、−Ｙ軸側電磁石部１ｂ、＋Ｘ軸側電磁石部１ｃ、−
Ｘ軸側電磁石部１ｄの電磁力が変化して回転シャフト１
５を所定の位置に復帰させる。
【００１９】以下、図３〜図６を参照して、本発明に係
るラジアル磁気軸受の作用を更に詳細に説明する。バイ
アス電流が供給されると、バイアスコイル３ａによって
バイアス磁束φの閉回路の磁路が磁極２１と２２及びシ
ャフト１５のターゲット１６とを含んで形成され、磁極
２１がＳに磁極２２がＮに夫々磁化される。またバイア
スコイル３ｂによってバイアス磁束φの閉回路の磁路が
磁極２３と２４及びターゲット１６とを含んで形成さ
れ、磁極２３がＮに磁極２４がＳに夫々磁化される。更
に、バイアスコイル３ｃによってバイアス磁束φの閉回
路の磁路が磁極２５と２６及びターゲット１６とを含ん
で形成され、磁極２５がＳに磁極２６がＮに夫々磁化さ
れる。更にまた、バイアスコイル３ｄによって磁束φの
閉回路の磁路が磁極２７と２８及びターゲット１６とを
含んで形成され、磁極２７がＮに磁極２８がＳに夫々磁
化される。バイアス磁束φが図４の如く発生しているか
ら、表面に軟磁性材のターゲット１６が形成されている
シャフト１５は、バイアス磁束φによる磁気吸引力を＋
Ｘ軸、−Ｘ軸、＋Ｙ軸、−Ｙ軸の４方向から等分に受
け、ラジアル方向の所定位置に回転自在に支持されてい
る。
るラジアル磁気軸受の作用を更に詳細に説明する。バイ
アス電流が供給されると、バイアスコイル３ａによって
バイアス磁束φの閉回路の磁路が磁極２１と２２及びシ
ャフト１５のターゲット１６とを含んで形成され、磁極
２１がＳに磁極２２がＮに夫々磁化される。またバイア
スコイル３ｂによってバイアス磁束φの閉回路の磁路が
磁極２３と２４及びターゲット１６とを含んで形成さ
れ、磁極２３がＮに磁極２４がＳに夫々磁化される。更
に、バイアスコイル３ｃによってバイアス磁束φの閉回
路の磁路が磁極２５と２６及びターゲット１６とを含ん
で形成され、磁極２５がＳに磁極２６がＮに夫々磁化さ
れる。更にまた、バイアスコイル３ｄによって磁束φの
閉回路の磁路が磁極２７と２８及びターゲット１６とを
含んで形成され、磁極２７がＮに磁極２８がＳに夫々磁
化される。バイアス磁束φが図４の如く発生しているか
ら、表面に軟磁性材のターゲット１６が形成されている
シャフト１５は、バイアス磁束φによる磁気吸引力を＋
Ｘ軸、−Ｘ軸、＋Ｙ軸、−Ｙ軸の４方向から等分に受
け、ラジアル方向の所定位置に回転自在に支持されてい
る。
【００２０】ここで外乱が発生してロータが変位し、シ
ャフト１５が−Ｙ側に移動したと想定すると、Ｙ軸方向
位置センサ６ｙがシャフト１５の変位を検出し、検出信
号をコントローラ１０の制御部１１に入力する。制御部
１１は半径方向位置センサ６ｙからの検出信号とＹ軸方
向目標値信号とを比較して偏差信号を算出し、この偏差
信号にＰＩＤ等の所定の演算処理を施して制御信号を出
力し、Ｙ軸用電流増幅部１２ｙから＋Ｙ軸方向電磁石部
１ａの制御コイル４ａと−Ｙ軸方向電磁石部１ｃの制御
コイル４ｃに制御電流を供給させる。すると図５に示す
如く、制御磁束Φ１の閉回路の磁路が磁極２１と２２及
びターゲット１６とを含んで形成され、且つ、制御磁束
Φ３の閉回路の磁路が磁極２５と２６及びターゲット１
６とを含んで形成される。制御磁束Φ１の向きはバイア
ス磁束φと同一であるから、２つの磁束は加算されて＋
Ｙ軸方向電磁石部１ａの磁気吸引力は増大し、他方、制
御磁束Φ３の向きはバイアス磁束φと逆向きであるか
ら、２つの磁束は減算されて−Ｙ軸方向電磁石部１ｃの
磁気吸引力は減少し、これによってシャフト１５はＹ軸
方向の所定位置に直ちに復帰し、この位置に保持され
る。
ャフト１５が−Ｙ側に移動したと想定すると、Ｙ軸方向
位置センサ６ｙがシャフト１５の変位を検出し、検出信
号をコントローラ１０の制御部１１に入力する。制御部
１１は半径方向位置センサ６ｙからの検出信号とＹ軸方
向目標値信号とを比較して偏差信号を算出し、この偏差
信号にＰＩＤ等の所定の演算処理を施して制御信号を出
力し、Ｙ軸用電流増幅部１２ｙから＋Ｙ軸方向電磁石部
１ａの制御コイル４ａと−Ｙ軸方向電磁石部１ｃの制御
コイル４ｃに制御電流を供給させる。すると図５に示す
如く、制御磁束Φ１の閉回路の磁路が磁極２１と２２及
びターゲット１６とを含んで形成され、且つ、制御磁束
Φ３の閉回路の磁路が磁極２５と２６及びターゲット１
６とを含んで形成される。制御磁束Φ１の向きはバイア
ス磁束φと同一であるから、２つの磁束は加算されて＋
Ｙ軸方向電磁石部１ａの磁気吸引力は増大し、他方、制
御磁束Φ３の向きはバイアス磁束φと逆向きであるか
ら、２つの磁束は減算されて−Ｙ軸方向電磁石部１ｃの
磁気吸引力は減少し、これによってシャフト１５はＹ軸
方向の所定位置に直ちに復帰し、この位置に保持され
る。
【００２１】シャフト１５が＋Ｙ側に移動した場合に
は、Ｙ軸用電流増幅部１２ｙから＋Ｙ軸方向電磁石部１
ａの制御コイル４ａと−Ｙ軸方向電磁石部１ｃの制御コ
イル４ｃに、シャフト１５が−Ｙ側に移動した場合に供
給された制御電流とは逆向きの制御電流が供給される。
すると図５に示す如く、制御磁束Φ１の閉回路の磁路が
磁極２１と２２及びターゲット１６とを含んで形成さ
れ、且つ、制御磁束Φ３の閉回路の磁路が磁極２５と２
６及びターゲット１６とを含んで形成される。制御磁束
Φ１の向きはバイアス磁束φと逆向きであるから、２つ
の磁束は減算されて＋Ｙ軸方向電磁石部１ａの磁気吸引
力は減少し、他方、制御磁束Φ３の向きはバイアス磁束
φと同一であるから、２つの磁束は加算されて−Ｙ軸方
向電磁石部１ｃの磁気吸引力は増大し、これによってシ
ャフト１５はＹ軸方向の所定位置に直ちに復帰し、この
位置に保持される。
は、Ｙ軸用電流増幅部１２ｙから＋Ｙ軸方向電磁石部１
ａの制御コイル４ａと−Ｙ軸方向電磁石部１ｃの制御コ
イル４ｃに、シャフト１５が−Ｙ側に移動した場合に供
給された制御電流とは逆向きの制御電流が供給される。
すると図５に示す如く、制御磁束Φ１の閉回路の磁路が
磁極２１と２２及びターゲット１６とを含んで形成さ
れ、且つ、制御磁束Φ３の閉回路の磁路が磁極２５と２
６及びターゲット１６とを含んで形成される。制御磁束
Φ１の向きはバイアス磁束φと逆向きであるから、２つ
の磁束は減算されて＋Ｙ軸方向電磁石部１ａの磁気吸引
力は減少し、他方、制御磁束Φ３の向きはバイアス磁束
φと同一であるから、２つの磁束は加算されて−Ｙ軸方
向電磁石部１ｃの磁気吸引力は増大し、これによってシ
ャフト１５はＹ軸方向の所定位置に直ちに復帰し、この
位置に保持される。
【００２２】シャフト１５が−Ｘ側に移動したと想定す
ると、Ｘ軸方向位置センサ６ｘがシャフト１５の変位を
検出し、検出信号をコントローラ１０の制御部１１に入
力する。制御部１１は半径方向位置センサ６ｘからの検
出信号とＸ軸方向目標値信号とを比較して偏差信号を算
出し、この偏差信号にＰＩＤ等の所定の演算処理を施し
て制御信号を出力し、Ｘ軸用電流増幅部１２ｘから＋Ｘ
軸方向電磁石部１ｂの制御コイル４ｂと−Ｘ軸方向電磁
石部１ｄの制御コイル４ｄに制御電流を供給させる。す
ると図６に示す如く、制御磁束Φ２の閉回路の磁路が磁
極２３と２４及びターゲット１６とを含んで形成され、
且つ、制御磁束Φ４の閉回路の磁路が磁極２７と２８及
びターゲット１６とを含んで形成される。制御磁束Φ２
の向きはバイアス磁束φと同一であるから、２つの磁束
は加算されて＋Ｘ軸方向電磁石部１ｂの磁気吸引力は増
大し、他方、制御磁束Φ４の向きはバイアス磁束φと逆
向きであるから、２つの磁束は減算されて−Ｘ軸方向電
磁石部１ｄの磁気吸引力は減少し、これによってシャフ
ト１５はＸ軸方向の所定位置に直ちに復帰し、この位置
に保持される。
ると、Ｘ軸方向位置センサ６ｘがシャフト１５の変位を
検出し、検出信号をコントローラ１０の制御部１１に入
力する。制御部１１は半径方向位置センサ６ｘからの検
出信号とＸ軸方向目標値信号とを比較して偏差信号を算
出し、この偏差信号にＰＩＤ等の所定の演算処理を施し
て制御信号を出力し、Ｘ軸用電流増幅部１２ｘから＋Ｘ
軸方向電磁石部１ｂの制御コイル４ｂと−Ｘ軸方向電磁
石部１ｄの制御コイル４ｄに制御電流を供給させる。す
ると図６に示す如く、制御磁束Φ２の閉回路の磁路が磁
極２３と２４及びターゲット１６とを含んで形成され、
且つ、制御磁束Φ４の閉回路の磁路が磁極２７と２８及
びターゲット１６とを含んで形成される。制御磁束Φ２
の向きはバイアス磁束φと同一であるから、２つの磁束
は加算されて＋Ｘ軸方向電磁石部１ｂの磁気吸引力は増
大し、他方、制御磁束Φ４の向きはバイアス磁束φと逆
向きであるから、２つの磁束は減算されて−Ｘ軸方向電
磁石部１ｄの磁気吸引力は減少し、これによってシャフ
ト１５はＸ軸方向の所定位置に直ちに復帰し、この位置
に保持される。
【００２３】シャフト１５が＋Ｘ側に移動した場合、Ｘ
軸用電流増幅部１２ｘから＋Ｘ軸方向電磁石部１ｂの制
御コイル４ｂと−Ｘ軸方向電磁石部１ｄの制御コイル４
ｄに、シャフト１５が−Ｘ側に移動した場合に供給され
た制御電流とは逆向きの制御電流が供給される。すると
図６に示す如く、制御磁束Φ２の閉回路の磁路が磁極２
３と２４及びターゲット１６とを含んで形成され、且
つ、制御磁束Φ４の閉回路の磁路が磁極２７と２８及び
ターゲット１６とを含んで形成される。制御磁束Φ２の
向きはバイアス磁束φと逆向きであるから、２つの磁束
は減算されて＋Ｘ軸方向電磁石部１ｂの磁気吸引力は減
少し、他方、制御磁束Φ４の向きはバイアス磁束φと同
一であるから、２つの磁束は加算されて−Ｘ軸方向電磁
石部１ｄの磁気吸引力は増大し、これによってシャフト
１５はＸ軸方向の所定位置に直ちに復帰し、この位置に
保持される。
軸用電流増幅部１２ｘから＋Ｘ軸方向電磁石部１ｂの制
御コイル４ｂと−Ｘ軸方向電磁石部１ｄの制御コイル４
ｄに、シャフト１５が−Ｘ側に移動した場合に供給され
た制御電流とは逆向きの制御電流が供給される。すると
図６に示す如く、制御磁束Φ２の閉回路の磁路が磁極２
３と２４及びターゲット１６とを含んで形成され、且
つ、制御磁束Φ４の閉回路の磁路が磁極２７と２８及び
ターゲット１６とを含んで形成される。制御磁束Φ２の
向きはバイアス磁束φと逆向きであるから、２つの磁束
は減算されて＋Ｘ軸方向電磁石部１ｂの磁気吸引力は減
少し、他方、制御磁束Φ４の向きはバイアス磁束φと同
一であるから、２つの磁束は加算されて−Ｘ軸方向電磁
石部１ｄの磁気吸引力は増大し、これによってシャフト
１５はＸ軸方向の所定位置に直ちに復帰し、この位置に
保持される。
【００２４】電磁石１のコイル数を半減しながら上述の
制御作用を可能にしたのは、＋Ｙ軸方向電磁石部１ａと
＋Ｘ軸方向電磁石部１ｂとの間に設けられた隙間５ａ、
＋Ｘ軸方向電磁石部１ｂと−Ｙ軸方向電磁石部１ｃとの
間に設けられた隙間５ｂ、−Ｙ軸方向電磁石部１ｃと−
Ｘ軸方向電磁石部１ｄとの間に設けられた隙間５ｃ、−
Ｘ軸方向電磁石部１ｄと＋Ｙ軸方向電磁石部１ａとの間
に設けられた隙間５ｄが、これら電磁石部相互間に磁気
的干渉を起こさないように機能しているためである。要
するに、前記エアギャップδの３倍以上の間隔の隙間５
ａ〜５ｄを設けたことによって、これら４つの電磁石部
の磁路が独立できたのである。
制御作用を可能にしたのは、＋Ｙ軸方向電磁石部１ａと
＋Ｘ軸方向電磁石部１ｂとの間に設けられた隙間５ａ、
＋Ｘ軸方向電磁石部１ｂと−Ｙ軸方向電磁石部１ｃとの
間に設けられた隙間５ｂ、−Ｙ軸方向電磁石部１ｃと−
Ｘ軸方向電磁石部１ｄとの間に設けられた隙間５ｃ、−
Ｘ軸方向電磁石部１ｄと＋Ｙ軸方向電磁石部１ａとの間
に設けられた隙間５ｄが、これら電磁石部相互間に磁気
的干渉を起こさないように機能しているためである。要
するに、前記エアギャップδの３倍以上の間隔の隙間５
ａ〜５ｄを設けたことによって、これら４つの電磁石部
の磁路が独立できたのである。
【００２５】以上、説明を複雑にしないためにシャフト
１０の移動方向をＹ軸方向のみとＸ軸方向のみとした
が、実際の動作ではＹ軸方向成分とＸ軸方向成分に分け
て検出し、これらの検出信号に基づいて各々フィードバ
ック制御が行われ、外乱によって変位したシャフト１０
は迅速に所定位置に復帰させられる。
１０の移動方向をＹ軸方向のみとＸ軸方向のみとした
が、実際の動作ではＹ軸方向成分とＸ軸方向成分に分け
て検出し、これらの検出信号に基づいて各々フィードバ
ック制御が行われ、外乱によって変位したシャフト１０
は迅速に所定位置に復帰させられる。
【００２６】本発明に従って３軸制御磁気軸受装置を構
成する場合には、基本的には、従来の３軸制御磁気軸受
装置において従来のラジアル磁気軸受の電磁石を本発明
に係るラジアル磁気軸受の電磁石、即ち上述のコイル数
を半減した電磁石に置き換えるだけで実現できる。本発
明に従って５軸制御磁気軸受装置を構成する場合も同様
である。
成する場合には、基本的には、従来の３軸制御磁気軸受
装置において従来のラジアル磁気軸受の電磁石を本発明
に係るラジアル磁気軸受の電磁石、即ち上述のコイル数
を半減した電磁石に置き換えるだけで実現できる。本発
明に従って５軸制御磁気軸受装置を構成する場合も同様
である。
【００２７】
【発明の効果】本発明により、半径方向センサと、バイ
アスコイルと制御コイルとを有する電磁石と、前記半径
方向センサの出力に基づいて前記電磁石の電磁力を制御
するコントローラとからなるラジアル磁気軸受を少なく
とも備えた磁気軸受装置において、静剛性及び高周波応
答性を高めながら、前記電磁石を構成するコイルの数を
従来装置よりも大幅に減少させることができた。従っ
て、本発明に係る磁気軸受装置の組立て性と製品の歩留
まりの向上と、コスト低減を実現することができた。
アスコイルと制御コイルとを有する電磁石と、前記半径
方向センサの出力に基づいて前記電磁石の電磁力を制御
するコントローラとからなるラジアル磁気軸受を少なく
とも備えた磁気軸受装置において、静剛性及び高周波応
答性を高めながら、前記電磁石を構成するコイルの数を
従来装置よりも大幅に減少させることができた。従っ
て、本発明に係る磁気軸受装置の組立て性と製品の歩留
まりの向上と、コスト低減を実現することができた。
【図１】本発明の一実施例のラジアル磁気軸受の横断面
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例のラジアル磁気軸受の縦断面
図である。
図である。
【図３】本発明の一実施例のラジアル磁気軸受の制御ブ
ロック図である。
ロック図である。
【図４】本発明の一実施例のラジアル磁気軸受の作用を
説明するための図で、バイアス電流のみが供給された状
態を示す。
説明するための図で、バイアス電流のみが供給された状
態を示す。
【図５】本発明の一実施例のラジアル磁気軸受の作用を
説明するための図で、バイアス電流とＹ軸方向の制御電
流が供給された状態を示す。
説明するための図で、バイアス電流とＹ軸方向の制御電
流が供給された状態を示す。
【図６】本発明の一実施例のラジアル磁気軸受の作用を
説明するための図で、バイアス電流とＸ軸方向の制御電
流が供給された状態を示す。
説明するための図で、バイアス電流とＸ軸方向の制御電
流が供給された状態を示す。
【図７】従来のラジアル磁気軸受の横断面図である。
【図８】従来のラジアル磁気軸受の制御ブロック図であ
る。
る。
１ 電磁石 １ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ 電磁石部 ２ 環状コア ２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ 環状コア片 ２１〜２８ 磁極 ３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ バイアスコイル ４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ 制御コイル ５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ 隙間 ６ｘ、６ｙ 半径方向位置センサ １０ コントローラ １１ 制御部 １２ｘ、１２ｙ 電流増幅部 １３ バイアス電源 １５ 回転シャフト １６ 回転シャフトのターゲット １７ 非磁性材の円筒状ケース ３２ 環状コア ３２ａ〜３２ｈ 磁極 ３３ａ〜３３ｈ バイアスコイル ３４ａ〜３４ｈ 制御コイル ４０ コントローラ ４１ 制御部 ４２ｘ、４２ｙ 電流増幅部 ４３ バイアス電源
Claims (3)
- 【請求項１】 ４分割された環状コア片からなり且つ８
個の磁極が同一円周上に等間隔に配置された環状コアと
これら磁極に巻回された４個のバイアスコイル及び４個
の制御コイルによって、＋Ｙ軸側電磁石部、−Ｙ軸側電
磁石部、＋Ｘ軸側電磁石部、及び−Ｘ軸側電磁石部の４
つの電磁石部を形成した電磁石を有するラジアル磁気軸
受を少なくとも備えた磁気軸受装置において、前記環状
コア片間に高磁気抵抗手段を設け、前記電磁石部の磁路
が相互に独立するようにしたことを特徴とする磁気軸受
装置。 - 【請求項２】 前記高磁気抵抗手段が所定の間隔の隙間
であることを特徴とする請求項１の磁気軸受装置。 - 【請求項３】 前記高磁気抵抗手段が所定の間隔の隙間
及びこの隙間に充填された非磁性体であることを特徴と
する請求項１の磁気軸受装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11214424A JP2001041239A (ja) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | 磁気軸受装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11214424A JP2001041239A (ja) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | 磁気軸受装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001041239A true JP2001041239A (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=16655571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11214424A Pending JP2001041239A (ja) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | 磁気軸受装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001041239A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009157252A1 (ja) * | 2008-06-27 | 2009-12-30 | 株式会社Ihi | 磁気軸受装置 |
| CN101907130A (zh) * | 2010-07-09 | 2010-12-08 | 北京奇峰聚能科技有限公司 | 一种两气隙永磁偏置内转子径向磁轴承 |
| CN104696362A (zh) * | 2015-01-21 | 2015-06-10 | 北京石油化工学院 | 一种内转子径向球面纯电磁磁轴承 |
| JP2016161132A (ja) * | 2015-03-02 | 2016-09-05 | プファイファー・ヴァキューム・ゲーエムベーハー | 本体部分を非接触式に保持する磁気軸受及び方法と本体部分の位置変位を検出する装置 |
| CN106545574A (zh) * | 2016-10-27 | 2017-03-29 | 上海交通大学 | 一种推进轴的横向振动控制装置 |
| CN107327485A (zh) * | 2017-08-29 | 2017-11-07 | 南京磁谷科技有限公司 | 一种带隔磁桥的整体式径向磁轴承磁极 |
| JP2019209399A (ja) * | 2018-05-31 | 2019-12-12 | 国立大学法人 鹿児島大学 | 工作機械の主軸システム |
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