JP2001035947A - Semiconductor light emitting device - Google Patents

Semiconductor light emitting device

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JP2001035947A
JP2001035947A JP11209343A JP20934399A JP2001035947A JP 2001035947 A JP2001035947 A JP 2001035947A JP 11209343 A JP11209343 A JP 11209343A JP 20934399 A JP20934399 A JP 20934399A JP 2001035947 A JP2001035947 A JP 2001035947A
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eyelet
lead pin
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semiconductor light
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Osamu Hamaoka
治 濱岡
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light emitting device for easily insulating and fixing an eyelet and a lead pin, and for preventing the position of the lead pin from being shifted even when the lead pin is connected with an outer circuit by using solder, and for preventing the generation of any fine crack at the insulating fixed part. SOLUTION: A semiconductor light emitting device 1 is provided with a metallic plate-shaped eyelet 2, a block part 3 for heat radiation integrally formed at the eyelet 2 so as to be projected at the upper face side of the eyelet 2, a laser chip 5 mounted on the block part 3, slim lead pins 9a and 9b put through through-holes 13a and 13b formed at the eyelet 2, and electrically connected with the laser chip 5, and a cap body 6 mounted on the upper face side of the eyelet 2 so that the block part 3, the laser chip 5, and the lead pins 9a and 9b can be covered. Then, the lead pins 9a and 9b are electrically insulated and fixed to the eyelet 2 by thermoplastic or heat hardening resin injected into the through-holes 13a and 13b of the eyelet 2, and the heat deforming temperature of the resin is set so as to be made higher than the dissolving temperature of the solder for connecting the lead pins 9a and 9b with an outer circuit.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体発光装置
に関し、特にレーザチップが単独、または受光素子等と
共に搭載される半導体発光装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor light emitting device, and more particularly to a semiconductor light emitting device in which a laser chip is mounted alone or together with a light receiving element.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般的にレーザチップは湿度に弱く、レ
ーザチップが搭載される半導体発光装置には高い気密性
が求められてきた。このため、従来の半導体発光装置に
は、金属製のアイレットに形成された貫通孔に挿通され
たリードピンを絶縁して固定するのに低融点ガラスが一
般的に用いられてきた。
2. Description of the Related Art Generally, a laser chip is susceptible to humidity, and a semiconductor light emitting device on which the laser chip is mounted has been required to have high airtightness. For this reason, in conventional semiconductor light emitting devices, low melting point glass has been generally used to insulate and fix lead pins inserted through through holes formed in metal eyelets.

【0003】低融点ガラスは湿度の透過性が低く、また
電気的な絶縁性にも優れるという利点があるが、材料コ
ストが高く、加工が難しく、また作業工程も複雑となる
ので半導体発光装置の製造コストを上昇させる大きな原
因となっていた。
[0003] Low melting point glass has the advantages of low humidity permeability and excellent electrical insulation, but has a high material cost, is difficult to process, and has complicated work steps, so that a semiconductor light emitting device has a disadvantage. This was a major cause of increasing manufacturing costs.

【0004】製造コストを考慮した半導体発光装置とし
て、アイレットの貫通孔に樹脂系の接着剤を充填してア
イレットとリードピンを絶縁固定した半導体発光装置が
一般に知られている(例えば、特許第2828283号
公報および実用新案登録第2588517号公報参
照)。
As a semiconductor light emitting device in consideration of manufacturing cost, a semiconductor light emitting device in which a resin-based adhesive is filled in a through hole of an eyelet and an eyelet and a lead pin are insulated and fixed is generally known (for example, Japanese Patent No. 2828283). Gazette and Utility Model Registration No. 2588517).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、アイレットの
貫通孔に樹脂系の接着剤を充填してアイレットとリード
ピンを絶縁固定した半導体発光装置では、リードピンと
外部回路を接続する際にはんだ付けを行うと、硬化済の
接着剤が軟化してしまうという問題があった。接着剤が
軟化すると、リードピンの位置にずれが生じ、アイレッ
トと接触して絶縁不良を生じたり、半導体発光装置内で
リードピンの先端とレーザチップとを電気的に接続して
いる細い金属線が断線してしまうことがあった。また、
リードピンが半導体発光装置から抜けてしまうこともあ
った。
However, in a semiconductor light emitting device in which the through hole of the eyelet is filled with a resin-based adhesive to insulate and fix the eyelet and the lead pin, soldering is performed when connecting the lead pin and an external circuit. Thus, there is a problem that the cured adhesive is softened. When the adhesive softens, the position of the lead pin shifts, causing insulation failure due to contact with the eyelet, and the thin metal wire that electrically connects the tip of the lead pin and the laser chip in the semiconductor light emitting device is broken. Was sometimes done. Also,
In some cases, the lead pins come off the semiconductor light emitting device.

【0006】さらに、軟化した接着剤には、その後、通
常の温度に戻る際に金属製のアイレットとの熱膨張係数
の違いによって、微細な割れを生じるという問題もあっ
た。接着剤に微細な割れが生じると、その微細な割れが
生じた部分から湿気が半導体発光装置内に侵入し、レー
ザチップを劣化させる原因となっていた。
[0006] Furthermore, the softened adhesive has a problem in that when the temperature returns to a normal temperature, fine cracks occur due to a difference in thermal expansion coefficient from that of a metal eyelet. When a fine crack is generated in the adhesive, moisture penetrates into the semiconductor light emitting device from a portion where the fine crack has occurred, causing deterioration of the laser chip.

【0007】この発明はこのような事情を考慮してなさ
れたものであり、容易にアイレットとリードピンを絶縁
して固定でき、かつ、はんだ付けによってリードピンと
外部回路を接続してもリードピンの位置がずれたり、絶
縁固定部分に微細な割れが生じたりすることのない半導
体発光装置を提供するものである。
The present invention has been made in view of such circumstances, and can easily insulate and fix an eyelet and a lead pin, and even if the lead pin is connected to an external circuit by soldering, the position of the lead pin is maintained. An object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device which does not shift or cause fine cracks in an insulating fixed portion.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この発明は、金属製の板
状のアイレットと、前記アイレットの上面側に突出し、
前記アイレットと一体に形成される放熱用のブロック部
と、前記ブロック部に取り付けられるレーザチップと、
前記アイレットに形成された貫通孔に挿通され、前記レ
ーザチップと電気的に接続される細長いリードピンと、
前記ブロック部、レーザチップおよびリードピンを覆っ
て前記アイレットの上面側に取り付けられるキャップ体
とを備え、前記リードピンは、前記アイレットの貫通孔
に注入される熱可塑性または熱硬化性の樹脂によって前
記アイレットと電気的に絶縁されて固定され、前記樹脂
の熱変形温度はリードピンを外部回路に接続するための
はんだの溶解温度よりも高いことを特徴とする半導体発
光装置を提供するものである。
According to the present invention, there is provided a metal plate-shaped eyelet, which protrudes from the upper surface of the eyelet,
A heat-dissipating block formed integrally with the eyelet, and a laser chip attached to the block,
An elongated lead pin that is inserted into a through hole formed in the eyelet and is electrically connected to the laser chip;
A cap body that covers the block portion, the laser chip, and the lead pin and is attached to the upper surface side of the eyelet, wherein the lead pin is formed by a thermoplastic or thermosetting resin injected into a through hole of the eyelet. An object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device characterized by being electrically insulated and fixed, and having a heat deformation temperature of the resin higher than a melting temperature of solder for connecting a lead pin to an external circuit.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】つまり、この発明の半導体発光装
置は、アイレットとリードピンとを絶縁して固定する熱
可塑性樹脂または熱硬化性樹脂として熱変形温度がはん
だの溶解温度(例えば、180℃)以上のものを使用す
る。このような熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂として
は、例えばガラス繊維強化耐熱樹脂が挙げられる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS That is, the semiconductor light emitting device of the present invention is a thermoplastic resin or a thermosetting resin that insulates and fixes an eyelet and a lead pin, and has a heat deformation temperature of a solder melting temperature (for example, 180 ° C.). Use the above. Examples of such a thermoplastic resin or a thermosetting resin include a glass fiber reinforced heat-resistant resin.

【0010】このように構成することにより、アイレッ
トとリードピンとの絶縁固定部分を形成する熱可塑性樹
脂または熱硬化性樹脂の熱変形温度を向上させることが
できる。つまり、リードピンと外部回路とを例えば18
0℃程度で溶解するはんだを用いて接続してもアイレッ
トとリードピンとの絶縁固定部分が軟化することを防止
でき、さらには絶縁固定部分に微細な割れが生ずること
を防止できるのである。
[0010] With this configuration, it is possible to improve the heat deformation temperature of the thermoplastic resin or the thermosetting resin that forms the insulating fixing portion between the eyelet and the lead pin. That is, the lead pin and the external circuit
Even if connection is made using a solder that melts at about 0 ° C., it is possible to prevent the insulating fixing portion between the eyelet and the lead pin from softening, and further to prevent the occurrence of minute cracks in the insulating fixing portion.

【0011】また、ガラス繊維強化耐熱樹脂には、例え
ばガラス繊維強化耐熱ポリフェニレンサルファイド(以
下、強化耐熱PPSと称する)や、ガラス繊維によって
強化されたポリスチレン、ABS、ポリカーボネート、
フェノール樹脂、不飽和ポリエステル、メラミン樹脂ま
たはエポキシ樹脂等を用いることができる。
The glass fiber reinforced heat resistant resin includes, for example, glass fiber reinforced heat resistant polyphenylene sulfide (hereinafter referred to as reinforced heat resistant PPS), polystyrene reinforced with glass fiber, ABS, polycarbonate, and the like.
A phenol resin, an unsaturated polyester, a melamine resin, an epoxy resin, or the like can be used.

【0012】また、この発明の半導体発光装置のアイレ
ット、ブロック部、リードピンおよびキャップ体の材料
としては、鉄、鉄合金、銅、アルミニウム等を用いるこ
とができる。
Further, as the material of the eyelet, the block portion, the lead pin and the cap body of the semiconductor light emitting device of the present invention, iron, iron alloy, copper, aluminum and the like can be used.

【0013】この発明の半導体発光装置においては、リ
ードピンが、アイレットに対する固定部分に少なくとも
1つの凹部を備えていてもよい。また、凹部はリードピ
ンの周囲に形成されていてもよい。このように構成する
ことにより、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂がリード
ピンの凹部に食い込んだ形になると共に、前記樹脂とリ
ードピンとの接触面積が大きくなるので、アイレットか
らリードピンが抜けてしまうことを防止できる。
[0013] In the semiconductor light emitting device of the present invention, the lead pin may have at least one concave portion in a portion fixed to the eyelet. Further, the concave portion may be formed around the lead pin. With such a configuration, the thermoplastic resin or the thermosetting resin is cut into the concave portion of the lead pin, and the contact area between the resin and the lead pin becomes large, so that the lead pin comes off from the eyelet. Can be prevented.

【0014】また、凹部はリードピンの長手方向に延び
ていてもよい。このように構成することにより、アイレ
ットの貫通孔にリードピンを挿通し、熱可塑性樹脂また
は熱硬化性樹脂を貫通孔に注入してアイレットとリード
ピンを絶縁して固定する際にリードピンが回転してしま
うことを防止できる。これは、リードピンの上部に金属
線を超音波熱圧着併用のワイヤボンディングを行い易い
ように平面部を設け、この平面部がレーザチップの電極
面と平行となる位置を維持しながら固定する必要がある
場合に有効となる。
Further, the recess may extend in the longitudinal direction of the lead pin. With this configuration, when the lead pin is inserted into the through hole of the eyelet and a thermoplastic resin or a thermosetting resin is injected into the through hole to insulate and fix the eyelet and the lead pin, the lead pin rotates. Can be prevented. This requires that a flat part be provided on the upper part of the lead pin to facilitate wire bonding using ultrasonic thermocompression bonding, and that the flat part be fixed while maintaining a position parallel to the electrode surface of the laser chip. It is effective in some cases.

【0015】[0015]

【実施例】以下に図面に示す実施例に基づいてこの発明
を詳述する。なお、この実施例によってこの発明が限定
されるものではない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail based on embodiments shown in the drawings. The present invention is not limited by the embodiment.

【0016】実施例1 この発明の実施例1について図1および図2に基づいて
説明する。図1は実施例1の半導体発光装置の正断面図
であり、図2は実施例1のリードピンの斜視図である。
Embodiment 1 Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a front sectional view of the semiconductor light emitting device of the first embodiment, and FIG. 2 is a perspective view of a lead pin of the first embodiment.

【0017】図1に符号1で示される半導体発光装置
は、円盤状のアイレット2と放熱用のブロック部3が一
体に形成されている。アイレット2とブロック部3は鉄
合金からなり、その表面には銅めっきが、さらに銅めっ
きの表面に金めっきが施されている。ブロック部3には
熱拡散を更に促進させるための銅製のサブマウント4が
ロウ付けによって接合され、サブマウント4の表面には
レーザチップ5の裏面がロウ付けによって接合されてい
る。なお、サブマウントはセラミックまたはシリコン製
とすることもできる。
In the semiconductor light emitting device indicated by reference numeral 1 in FIG. 1, a disc-shaped eyelet 2 and a heat radiating block 3 are integrally formed. The eyelet 2 and the block 3 are made of an iron alloy, and the surfaces thereof are plated with copper, and the surfaces of the copper plating are plated with gold. A copper submount 4 for further promoting heat diffusion is joined to the block portion 3 by brazing, and the back surface of the laser chip 5 is joined to the surface of the submount 4 by brazing. The submount can be made of ceramic or silicon.

【0018】また、図1に符号6で示されるのはレーザ
チップ5を保護するために抵抗溶接によってアイレット
2に取り付けられている鉄合金製のキャップであり、そ
の表面にはニッケル−錫めっきが施されている。なお、
このニッケル−錫めっきはニッケルめっきだけでもよ
い。さらにキャップ6の上部にはレーザ光を透過させる
ための窓ガラス7が低融点ガラス8によって取り付けら
れている。なお、窓ガラスを透明樹脂製とすれば、キャ
ップと窓ガラスを樹脂系接着剤で固定することもでき
る。
In FIG. 1, reference numeral 6 denotes an iron alloy cap attached to the eyelet 2 by resistance welding to protect the laser chip 5, and its surface is coated with nickel-tin plating. It has been subjected. In addition,
This nickel-tin plating may be only nickel plating. Further, a window glass 7 for transmitting a laser beam is attached to an upper portion of the cap 6 by a low melting point glass 8. If the window glass is made of a transparent resin, the cap and the window glass can be fixed with a resin-based adhesive.

【0019】図1に示すレーザチップ5の表面と裏面に
は電極(図示せず)が備えられており、裏面の電極は銅
合金製のリードピン9aの平面部11aとサブマウント
4の表面とを金属線12aで接続することにより電気的
に導通されている。一方、表面の電極は、リードピン9
bの平面部11bと金属線12bで直接接続されること
により電気的に導通されている。
Electrodes (not shown) are provided on the front and back surfaces of the laser chip 5 shown in FIG. 1. The electrodes on the back surface correspond to the flat portion 11a of the lead pin 9a made of copper alloy and the surface of the submount 4. The connection is made electrically by the metal wire 12a. On the other hand, the electrode on the surface is a lead pin 9
b is electrically connected to the plane portion 11b directly by the metal wire 12b.

【0020】なお、図1に示されるようにアイレット2
の貫通孔13aおよび13bには、リードピン9aおよ
び9bが挿通された後に溶融状態の強化耐熱PPSが注
入されて絶縁固定部14aおよび14bが形成されてい
る。絶縁固定部14aおよび14bは、リードピン9a
および9bとアイレット2とを絶縁して固定すると共
に、半導体発光装置1を外部の湿気等から封止してい
る。絶縁固定部14aおよび14bの材料となる強化耐
熱PPSは、ポリフェニレンサルファイドにガラス繊維
を40%添加し、熱変形温度を300℃〜340℃に向
上させたものを用いている。
Note that, as shown in FIG.
After the lead pins 9a and 9b are inserted through the through holes 13a and 13b, reinforced heat resistant PPS in a molten state is injected into the through holes 13a and 13b to form insulating fixing portions 14a and 14b. The insulation fixing portions 14a and 14b are connected to the lead pins 9a.
9b and the eyelet 2 are insulated and fixed, and the semiconductor light emitting device 1 is sealed from external moisture and the like. The reinforced heat-resistant PPS used as the material of the insulating fixing portions 14a and 14b is obtained by adding 40% of glass fiber to polyphenylene sulfide and increasing the heat deformation temperature to 300 ° C to 340 ° C.

【0021】このように構成することにより、リードピ
ン9aおよび9bを外部の回路(図示せず)に接続する
際に例えば180℃で溶解するはんだを用いても、絶縁
固定部14aおよび14bを形成する強化耐熱PPSが
軟化することを防止できる。また、一旦絶縁固定部14
aおよび14bが高温になった後に常温(例えば25
℃)に戻っても絶縁固定部14aおよび14bに微細な
割れが生じることもなく、良好な封止状態を維持でき
る。
With this configuration, the insulating fixing portions 14a and 14b can be formed even when a solder that melts at, for example, 180 ° C. is used when connecting the lead pins 9a and 9b to an external circuit (not shown). Softening of the reinforced heat-resistant PPS can be prevented. Also, the insulation fixing part 14
After a and 14b have become hot, they will be at room temperature (eg, 25
° C), fine cracks do not occur in the insulating fixing portions 14a and 14b, and a good sealing state can be maintained.

【0022】また、図1および図2に示されるように、
リードピン9aおよび9bには、4つの環状の溝で構成
される凹部10aおよび10bが形成され、凹部10a
および10bがアイレット2の貫通孔13aおよび13
b内に位置した状態で絶縁固定部14aおよび14bが
形成されている。このように構成することにより、リー
ドピン9aおよび9bと絶縁固定部14aおよび14b
との接触面積が大きくなり、アイレット2からリードピ
ン9aおよび9bが抜けてしまうことを防止できる。な
お、図1に示されるリードピン9aと9bは材質および
形状ともに全く同一のものである。
As shown in FIGS. 1 and 2,
The lead pins 9a and 9b have recesses 10a and 10b formed of four annular grooves, respectively.
And 10b are through holes 13a and 13 of the eyelet 2.
The insulating fixing portions 14a and 14b are formed in a state where they are located in the area b. With this configuration, the lead pins 9a and 9b and the insulating fixing portions 14a and 14b
The contact area of the lead pins 9a and 9b with the eyelet 2 can be prevented from being increased. The lead pins 9a and 9b shown in FIG. 1 are exactly the same in both material and shape.

【0023】実施例2 次に、この発明の実施例2について、図3〜図5に基づ
いて説明する。実施例2は、実施例1のリードピンを変
更したものである。図3は実施例2の半導体発光装置の
正断面図、図4は実施例2のリードピンの斜視図、図5
は実施例2のリードピンの凹部の横断面図である。
Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the second embodiment, the lead pins of the first embodiment are changed. FIG. 3 is a front sectional view of the semiconductor light emitting device of the second embodiment, FIG. 4 is a perspective view of a lead pin of the second embodiment, and FIG.
FIG. 9 is a cross-sectional view of a concave portion of the lead pin according to the second embodiment.

【0024】図4および図5に示されるリードピン29
aには、リードピン29aの長手方向に伸びる4つの窪
みから構成される凹部30aが形成されている。また、
リードピン29aの上部には金属線が接続し易いように
平面部31aが形成されている。なお、図3に示される
リードピン29aと29bは材質および形状ともに全く
同一のものである。
The lead pins 29 shown in FIGS. 4 and 5
In a, there is formed a recess 30a composed of four recesses extending in the longitudinal direction of the lead pin 29a. Also,
A flat portion 31a is formed above the lead pin 29a so that a metal wire can be easily connected. The lead pins 29a and 29b shown in FIG. 3 have exactly the same material and shape.

【0025】図3に示されるように、リードピン29a
および29bを用いると、リードピン29aおよび29
bが挿通されたアイレット22の貫通孔33aおよび3
3bに溶融状態の強化耐熱PPSを注入して絶縁固定部
34aおよび34bを形成する際に、リードピン29a
および29bが回転してしまうことを防止できる。つま
り、サブマウント24の前面とリードピン29aの平面
部31a、レーザチップ25の表面の電極(図示せず)
とリードピン29bの平面部31bとをそれぞれ平行に
維持し、金属線32aおよび32bを接続し易いように
することができるのである。その他の構成は上述の実施
例1の半導体発光装置と同じである。
As shown in FIG. 3, the lead pins 29a
And 29b, lead pins 29a and 29b
b through holes 33a and 33 of eyelet 22
Injecting the reinforced heat-resistant PPS in a molten state into 3b to form insulating fixing portions 34a and 34b, lead pins 29a
And 29b can be prevented from rotating. That is, the front surface of the submount 24, the flat portion 31a of the lead pin 29a, and the electrode (not shown) on the surface of the laser chip 25
And the flat portion 31b of the lead pin 29b can be maintained parallel to each other, so that the metal wires 32a and 32b can be easily connected. Other configurations are the same as those of the semiconductor light emitting device of the first embodiment.

【0026】[0026]

【発明の効果】この発明によれば、容易にアイレットと
リードピンを絶縁して固定でき、かつ、はんだを用いて
リードピンと外部回路を接続してもリードピンの位置が
ずれたり、絶縁固定部分に微細な割れが生じたりするこ
とを防止できる。
According to the present invention, the eyelet and the lead pin can be easily insulated and fixed, and even if the lead pin and the external circuit are connected by using solder, the position of the lead pin is displaced, or the fine portion is formed on the insulating fixed portion. The occurrence of cracks can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施例1の形態を示す正断面図であ
る。
FIG. 1 is a front sectional view showing an embodiment 1 of the present invention.

【図2】実施例1のリードピンの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a lead pin according to the first embodiment.

【図3】この発明の実施例2の形態を示す正断面図であ
る。
FIG. 3 is a front sectional view showing an embodiment 2 of the present invention.

【図4】実施例2のリードピンの斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a lead pin according to a second embodiment.

【図5】実施例2のリードピンの凹部の横断面図であ
る。
FIG. 5 is a cross-sectional view of a recess of a lead pin according to a second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・半導体発光装置 2・・・アイレット 3・・・ブロック部 4・・・サブマウント 5・・・レーザチップ 6・・・キャップ 7・・・ガラス窓 8・・・低融点ガラス 9a,9b・・・リードピン 10a,10b・・・凹部 11a,11b・・・平面部 12a,12b・・・金属線 13a,13b・・・貫通孔 14a,14b・・・絶縁固定部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor light emitting device 2 ... Eyelet 3 ... Block part 4 ... Submount 5 ... Laser chip 6 ... Cap 7 ... Glass window 8 ... Low melting point glass 9a, 9b: lead pin 10a, 10b: concave portion 11a, 11b: flat portion 12a, 12b: metal wire 13a, 13b: through hole 14a, 14b: insulating fixing portion

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 金属製の板状のアイレットと、前記アイ
レットの上面側に突出し、前記アイレットと一体に形成
される放熱用のブロック部と、前記ブロック部に取り付
けられるレーザチップと、前記アイレットに形成された
貫通孔に挿通され、前記レーザチップと電気的に接続さ
れる細長いリードピンと、前記ブロック部、レーザチッ
プおよびリードピンを覆って前記アイレットの上面側に
取り付けられるキャップ体とを備え、前記リードピン
は、前記アイレットの貫通孔に注入される熱可塑性また
は熱硬化性の樹脂によって前記アイレットと電気的に絶
縁されて固定され、前記樹脂の熱変形温度はリードピン
を外部回路に接続するためのはんだの溶解温度よりも高
いことを特徴とする半導体発光装置。
1. A metal plate-like eyelet, a heat-dissipating block protruding from the upper surface of the eyelet and integrally formed with the eyelet, a laser chip attached to the block, and An elongated lead pin that is inserted into the formed through hole and is electrically connected to the laser chip; and a cap body that covers the block portion, the laser chip, and the lead pin and is attached to an upper surface side of the eyelet. Is fixed by being electrically insulated from the eyelet by a thermoplastic or thermosetting resin injected into a through hole of the eyelet, and a heat deformation temperature of the resin is set by a solder for connecting a lead pin to an external circuit. A semiconductor light emitting device characterized by being higher than a melting temperature.
【請求項2】 前記樹脂が、ガラス繊維強化耐熱樹脂で
あることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装
置。
2. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the resin is a glass fiber reinforced heat resistant resin.
【請求項3】 ガラス繊維強化耐熱樹脂が、ガラス繊維
強化耐熱ポリフェニレンサルファイドであることを特徴
とする請求項2に記載の半導体発光装置。
3. The semiconductor light emitting device according to claim 2, wherein the glass fiber reinforced heat resistant resin is glass fiber reinforced heat resistant polyphenylene sulfide.
【請求項4】 リードピンは、アイレットに対する固定
部分が少なくとも1つの凹部を備えていることを特徴と
する請求項1に記載の半導体発光装置。
4. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the lead pin has at least one concave portion at a portion fixed to the eyelet.
【請求項5】 凹部がリードピンの長手方向に延びてい
ることを特徴とする請求項4に記載の半導体発光装置。
5. The semiconductor light emitting device according to claim 4, wherein the recess extends in a longitudinal direction of the lead pin.
【請求項6】 凹部がリードピンの周囲に形成されるこ
とを特徴とする請求項4に記載の半導体発光装置。
6. The semiconductor light emitting device according to claim 4, wherein the recess is formed around the lead pin.
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JP2010010658A (en) * 2008-05-27 2010-01-14 Kyocera Corp Electronic component mounting package and electronic device using the same
JP2012079804A (en) * 2010-09-30 2012-04-19 Kyocera Corp Electronic component mounting package and electronic device using the same
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