JP2001035829A

JP2001035829A - 基板の滑りを回避するローラ

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Publication number: JP2001035829A
Application number: JP2000164957A
Authority: JP
Inventors: Brian J Brown; ジェイ．ブラウンブライアン; Michael N Sugarman; エヌ．シュガーマンマイケル; Makoto Inagawa; イナガワマコト; Daniel D Ramar; ディ．ラマールダニエル; Alexander Lerner; ラーナーアレキサンダー
Original assignee: Applied Materials Inc
Current assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 1999-06-01
Filing date: 2000-06-01
Publication date: 2001-02-09
Anticipated expiration: 2020-06-01
Also published as: EP1058296A2; TW505985B; JP4421740B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】流体タンク内の半導体基板を回転させる改善
されたローラ・アッセンブリを提供すること。【解決手段】ローラ・アッセンブリ１１ａは、２つの
対向面を含む溝１３を備える。ローラ・アッセンブリ
は、溝に沿って配置された摩擦面か、または溝に結合さ
れたＯリングのいずれかを備える。摩擦面は、溝の対向
面沿いに一定の間隔で設けられた複数の穴１７を備えて
よく、この場合、穴の各々は２つの対向面の中に延びる
ようなサイズにできる。または、摩擦面は、溝の対向面
沿いに配置されたビード・ブラストまたは粒状加工され
た面であってよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】（発明の分野）本発明は薄円盤の回転に関
する。より詳しくは、本発明は流体タンク内の半導体基
板を回転させる改善されたローラに関する。

【０００２】（発明の背景）流体タンク内に沈められた
半導体からパーティクルを洗浄除去するための従来の方
法は、メガソニック洗浄として知られている。メガソニ
ック洗浄の間、トランスデューサは圧縮状態と伸張状態
の間を１ＭＨｚに近い速度で振動する。トランスデュー
サにより出力されるメガソニック振動は、タンク内に含
まれる流体に伝えられ、流体に圧力振動を生じさせる。
流体圧力が正負間を振動するにつれ、負圧の間は流体に
空洞または泡が形成され、正圧の間は崩壊または萎縮が
形成される。この泡振動がウェーハの表面を穏やかに洗
浄する。

【０００３】実際には、メガソニック洗浄機には多くの
制限があることが知られている。例えば、ウェーハの表
面をわたり付与される洗浄エネルギーの強度は、トラン
スデューサからの距離が増すにつれて頻繁に減少する。
このエネルギー勾配のために、ウェーハの全面にわたり
均一な洗浄を成し遂げるためにウェーハを回転させるこ
とが必要になる。

【０００４】従来、回転をさせるために、ウェーハは一
対のローラ上に配置されていた。ここで各ローラは、メ
ガソニック・タンクの壁を介して延伸する軸に搭載され
る。メガソニック・タンクの外側で各シャフトがモータ
に結合される。モータは付勢されると、シャフトとシャ
フトに取り付けられたローラを回転させる。ローラが回
転するにつれ、ローラ上に配置されるウェーハも回転す
る。

【０００５】このローラ・アッセンブリは、ウェーハの
全面にわたり均一なウェーハ洗浄を促進するが、いくつ
かの欠点があることが知られている。例えば、特別の課
題により、ウェーハの滑らかで連続した回転が維持され
てきた。実際には、ウェーハは定期的に溝に沿って滑る
ので、ウェーハの回転は一時的に減速または停止する。
この回転の変化は、（例えば、所定の処理時間後に所望
の方向配置にウェーハを置くために、安定したウェーハ
の回転に依存するシステムにおいて、）ウェーハの表面
にわたる洗浄または処理のムラを生じさせ、ウェーハを
汚染しまたは処理を阻む可能性があり、または結果とし
て回転終了時にウェーハの方向配置を誤らせるおそれが
ある。

【０００６】従って、基板との十分な接触を維持し、基
板とローラ間の相対運動または滑りを回避するローラに
対する要求が存在する。このようなローラは、コストや
複雑性をシステムに付加しないように、製造が容易であ
ることが好ましい。

【０００７】（発明の概要）本発明は、ウェーハに接触
する溝内に摩擦面を備えるローラを提供する。摩擦面
は、ウェーハの滑りを防止でき、このことは好適実施例
においてウェーハとローラの接触面積を増やすことなく
行われる。ある態様においては、ウェーハは滑らかな表
面によって、ではなく溝内の摩擦箇所によって接触され
るので、本発明はウェーハの接触を最小にする。更に、
取り込まれた流体は潤滑剤として作用し、またはウェー
ハとローラの間のハイドロプレーニング現象を生じさせ
るおそれがあるが、摩擦箇所は流体がウェーハとローラ
の間に取り込まれる確率を減らす。

【０００８】本発明の第１態様において、ウェーハに接
触するローラの表面（即ち、溝の底および／または溝の
低部側壁）は、開けられた又は中に形成された複数の穴
を備える。ウェーハはローラに、２つの対向面（例えば
「Ｖ」字または「Ｕ」字形の溝）を介して接触すること
が好ましい。この場合、穴は、これらの対向面沿いに一
定の間隔で開けられるか、またはローラの内径沿いに開
けられ、かつウェーハ端部に接触する２つの対向面の中
に延びるようなサイズにできる。この実施例は製造を安
価に行うことができ、かつ流体を、接触する摩擦箇所
（例えば、穴の端部）から穴の中央に移すことができ
る。このようにして、摩擦接触を最大にしながら面接触
を最小にすることができる。

【０００９】本発明の別の態様は、ウェーハ接触面をビ
ード・ブラストまたは粒状加工することを備える。本発
明の更に別の態様は、ローラのウェーハ接触面沿いに１
以上のＯリングを置くことを備える。Ｏリングは、原料
に関する当業者には明らかなように、ウェーハを把持す
るように十分な摩擦力または十分な弾性を有し、しかも
パーティクルの生成を生じさせることなく、かつ処理条
件（熱、化学薬品など）に曝す間に直ちに劣化すること
なく良好な耐久性を有し得るような、原料（例えばＰＥ
ＥＫ樹脂）から構成できる。本発明の１態様は、ローラ
の内径（ウェーハの外端部に接する面）に沿って２つの
Ｏリングを置く。これらのＯリングは、ウェーハの端部
が間に挿入されるように配置される。

【００１０】本発明の他の特徴および利点は、以下の好
適実施例の詳細な説明、添付の請求項および添付図面か
ら、より十分に明らかになる。

【００１１】（好適実施例の詳細な説明）発明のローラ
・アッセンブリが提供される。発明のローラ・アッセン
ブリは、例えば、（図示の）Ｖ字形、（図示しない）Ｕ
字形、または他の類似の形状を有する溝を備える。溝
は、従来技術において知られるように、その端部により
ウェーハを支持するよう適合された２つの対向面を含
む。発明のローラ・アッセンブリは更に、溝の対向面沿
いにおよび／または溝の底部沿いに配置された摩擦面、
または溝の底部沿いに配置されたＯリングを備える。摩
擦面は、溝の対向面沿いに一定の間隔で設けられた複数
の穴を備えてよく、この場合、穴の各々は２つの対向面
の両方の中に延びるようなサイズにできる。または、摩
擦面は、溝のウェーハ接触面沿いに配置されたビード・
ブラストまたは粒状加工された面であってよい。

【００１２】図１Ａは、発明のローラ・アッセンブリ
の、第１実施例１１ａの側面図である。発明のローラ・
アッセンブリ１１ａは、２つの対向面１５ａ、１５ｂを
有する溝１３を備える。発明のローラ・アッセンブリ１
１ａは、溝１３の対向面１５ａ、１５ｂ沿いに一定の間
隔で配置された複数の穴１７ａ、１７ｂも備える。

【００１３】図１Ｂは、図１Ａの溝１３の詳細図であ
る。半導体ウェーハＷが示され、以下の特定の部分につ
いて、即ち、半導体ウェーハＷの側端部Ａ、側部Ｂおよ
び外端部Ｃについて説明される。図１Ｂに示すように側
端部Ａ全体に沿って、または側端部Ａと側部Ｂに沿っ
て、または側端部Ａと底端部Ｃに沿って半導体ウェーハ
Ｗが溝１３に接触するように、溝１３は構成されてい
る。

【００１４】溝１３の対向面１５ａ、１５ｂ沿いの摩擦
面は、ウェーハの滑りを減らし、かつ流体（例えば、洗
浄システムにより用いられる流体）がウェーハＷと発明
のローラ・アッセンブリ１１ａの間に取り込まれる確率
を減らす。もしそうでなければ、図１によると、取り込
まれた流体は潤滑剤として作用し、さらに／またはウェ
ーハＷと従来のローラ・アッセンブリの間のハイドロプ
レーニング現象を生じさせる。更に、ウェーハＷは、対
向面１５ａ、１５ｂの連続した（例えば滑らかな）部分
によってではなく摩擦面に接触させられるので、発明の
ローラ・アッセンブリの摩擦面は、ウェーハＷと対向面
１５ａ、１５ｂの接触を減らす。従って、減少した接触
により、結果としてこのような接触に関連して生成され
るパーティクルを減らすことができる。

【００１５】図１Ｃは、発明のローラ・アッセンブリ
の、第２実施例１１ｂの側面図である。発明のローラ・
アッセンブリ１１ｂは、摩擦面を有する溝１３を備えて
おり、摩擦面は複数の穴１９を備える。穴の各々は、一
定の間隔で、２つの対向面の中に延びるようなサイズに
されている。複数の穴１９は、溝１３の全周に沿って一
定の間隔で配置される。側端部Ａ全体に沿って、または
側端部Ａと側部Ｂに沿って、または側端部Ａと底端部Ｃ
に沿って半導体ウェーハＷが溝１３に接触するように、
溝１３は構成されている。

【００１６】発明のローラ・アッセンブリ１１ａの複数
の穴１７ａ、１７ｂ、および発明のローラ・アッセンブ
リ１１ｂの複数の穴１９により各ローラ・アッセンブリ
の表面積が増加し、これにより、後に図６を参照して説
明するように、発明のローラ・アッセンブリ１１ａ、１
１ｂの冷却速度を高めることができる。なお、穴の各々
１７ａ、１７ｂおよび１９は、それぞれローラの回転軸
に対し、ほぼ直角に延伸する。

【００１７】図２Ａ〜図２Ｄに、本発明の第３実施例１
１ｃを示す。ここで、複数の穴Ｈは、２つの対向面１５
ａ、１５ｂが相接する箇所Ｐを通って直角に延伸する
（即ち、穴の各々は、ローラの回転軸に平行に延伸す
る）。図２Ａは側面図、図２Ｂは図２ＡのＢ−Ｂ線に沿
った正面断面図、図２Ｃは図２ＢのＣ−Ｃ線に沿った側
面断面図、図２Ｄは正面図である。図２Ｃを参照すると
最も良く理解されるように、穴Ｈは最小の２つの面１５
ａ、１５ｂが相接する箇所Ｐを通って延伸するので、ウ
ェーハの外端に接触する面Ｓは波形になる。穴Ｈの直径
寸法は一例として０．２２インチであり、面１５ａ、１
５ｂ間の角度は、一例として６０度である。

【００１８】図３Ａは、図２Ａ〜図２Ｄに示されるもの
よりも小さい穴Ｈを有する、発明のローラ・アッセンブ
リの第３実施例の側面図である。図３Ｂは図３ＡのＢ−
Ｂ線に沿った正面断面図、図３Ｃは図３Ａのローラ・ア
ッセンブリの側面斜視図、図３Ｄは図３Ａのローラ・ア
ッセンブリの正面図である。穴Ｈの直径寸法は、一例と
して０．０８インチであり、面１５ａ、１５ｂ間の角度
は、一例として６０度である。

【００１９】図４は、発明のローラ・アッセンブリの、
第４実施例１１ｄの側面図である。発明のローラ・アッ
センブリ１１ｄは、溝１３の対向面１５ａ、１５ｂに沿
って配置される、ビード・ブラストまたは粒状加工され
た（以下、粗面１５¹と呼ぶ）摩擦面を有する溝１３を
備える。粗面１５¹は、従来当業者には知られるような
ビード・ブラストまたは粒状加工方法により形成され
る。側端部Ａ全体に沿って、または側端部Ａと側部Ｂに
沿って、または側端部Ａと底端部Ｃに沿って半導体ウェ
ーハＷが溝１３に接触するように、溝１３は構成されて
いる。

【００２０】発明のローラ・アッセンブリ１１ａ〜１１
ｄの作動にあたり、（図１Ｂに示す）端部、側部Ｂ、お
よび底端部Ｃを有し得るウェーハＷが溝１３に置かれ
る。ウェーハＷの端部（例えば、側端部Ａおよび外端部
Ｂ）は溝１３に接触する。発明のローラ・アッセンブリ
１１ａ〜１１ｄが回転軸に沿って回転するにつれ、溝１
３の対向面１５ａ、１５ｂに沿って配置される摩擦面が
ウェーハＷに接触し、ウェーハＷを回転させる。摩擦面
を介して、発明のローラ・アッセンブリ１１ａ〜１１ｄ
は、ウェーハＷとの十分な接触を保持し、これにより、
ウェーハＷが溝１３に沿って滑るのを防止できる。従っ
て、発明のローラ・アッセンブリ１１ａ〜１１ｄは、ウ
ェーハＷの滑らかで連続した回転を提供できる。

【００２１】図５Ａは、発明のローラ・アッセンブリ
の、第５実施例１１ｅの側面断面図である。発明のロー
ラ・アッセンブリ１１ｄは、溝１３の中に配置された第
１のＯリング２３を有し、かつローラ・アッセンブリ１
１ｄの周囲にわたる溝を備える。

【００２２】第１のＯリング２３は溝１３の周囲にわた
り、溝１３は半導体ウェーハＷの端部Ｃが第１のＯリン
グに接触するようなサイズにされている。溝１３の対向
面１５ａ、１５ｂは、ウェーハＷのぐらつきを制限する
ように配置できる。

【００２３】第１のＯリング２３は、ウェーハＷを把持
するように十分な摩擦力または十分な弾性を有する、柔
軟かつ粘性のある原料（例えば、ウェーハＷに加えられ
る任意の化学薬品に適合する低硬度ゴムなど）にから構
成できる。原料に関する当業者には明らかなように、パ
ーティクルの生成を生じさせないように、かつ処理条件
（熱、化学薬品など）に曝す間に容易に劣化しないよう
に、この原料は耐久性を有する。このような原料には、
DuPont Dow Elastomers 製のKalrezと、International
Fuel 製の Aiges が含まれる。

【００２４】一態様において、第１のＯリング２３は、
ウェーハＷの端部Ｃの幅よりも広い幅を有する。溝１３
へのＯリング２３の配置を容易にするために、ローラ・
アッセンブリ１１ｅは、図５Ａに示すように、２つの部
品から構成してもよい。

【００２５】発明のローラ・アッセンブリ１１ｄの作動
にあたり、側端部Ａ、側部Ｂ、および底端部Ｃを有する
ウェーハＷは、第１のＯリング２３が結合された溝１３
に配置される。発明のローラ・アッセンブリ１１ｄがそ
の回転軸の周囲を回転するにつれ、ウェーハＷの端部Ｃ
は、柔軟で粘性のある原料より構成できる第１のＯリン
グ２３に接触する。ウェーハＷの端部Ｃを把持するよう
に、柔軟で粘性のある原料は十分な摩擦力を有するの
で、それにより、第１のＯリング２３の柔軟で粘性のあ
る原料は、ウェーハＷの端部Ｃの滑りを防ぐことができ
る。従って、発明のローラ・アッセンブリ１１ｄは、ウ
ェーハＷの滑らかで連続した回転を提供できる。

【００２６】図５Ｂは、発明のローラ・アッセンブリ
の、第６実施例１１ｆの側面断面図である。発明のロー
ラ・アッセンブリ１１ｆは、図５Ａの構成物に、溝１３
に結合された第２のＯリング３１を加えて構成される。
第２のＯリング３１は、第１のＯリング２３と同一の原
料から構成してよい。第１のＯリング２３と第２のＯリ
ング３１は溝１３の周囲に延伸でき、かつ半導体ウェー
ハＷの端部が第１のＯリング２３と第２のＯリング３１
の両方に接触するように配置され、実際には、両方のリ
ングの間に挿入できる。

【００２７】発明のローラ・アッセンブリ１１ｆの作動
にあたり、ウェーハＷは、第１のＯリング２３と第２の
Ｏリング３１を結合された溝１３に配置される。発明の
ローラ・アッセンブリ１１ｆがその回転軸沿いに回転す
るにつれ、ウェーハＷの端部Ｃは、第１のＯリング２３
と第２のＯリング３１と接触する。第１のＯリング２３
と第２のＯリング３１は、柔軟で粘性のある原料より構
成してよい。Ｏリングの材料はウェーハＷの端部Ｃを
「把持する」ので、発明のローラ・アッセンブリ１１ｅ
は、ウェーハＷの端部Ｃとの十分な接触を保持できる。
これによりＯリング原料は、ウェーハＷの端部Ｃが第１
のＯリング２３と第２のＯリング３１に沿って滑るのを
防止する。従って、発明のローラ・アッセンブリ１１ｅ
は、ウェーハＷの滑らかで連続した回転を可能にする。

【００２８】図５Ｃに示すように、トランスデューサ
（図６参照）により出力されるエネルギーとの接触によ
り生じ得る損傷からＯリング２３、３１を防護するため
に、シールドＳは、発明のローラ・アッセンブリをトラ
ンスデューサのエネルギーから遮蔽するように（または
少なくともＯリングを遮蔽するように）配置される。シ
ールドＳは、図示のようにローラ・アッセンブリの固定
ハウジング部に搭載される。

【００２９】図６は、発明のローラ・アッセンブリ１１
のいずれかの実施例を用いるメガソニック・タンク３５
の正面図である。メガソニック・タンク３５は、イオン
除去水などの洗浄液を含むよう適合されたタンク３７
（例えばプラスチック・タンク）を備える。メガソニッ
ク・タンク３５は、また、その底部に沿って配置された
トランスデューサ３９を備える。トランスデューサはメ
ガソニック速度で振動し、泡を洗浄液内に形成するよう
にされている。トランスデューサ３９の長さは、トラン
スデューサ３９により洗浄されるウェーハＷの直径と同
一でよい。トランスデューサ３９の上部には、発明の第
１ローラ・アッセンブリ１１および発明の第２ローラ・
アッセンブリ１１が配置され、トランスデューサ３９に
沿ってウェーハＷを垂直に支持する。１９９８年１１月
１１日に出願された米国特許出願連番第０９／１９１，
０５７号に記載されるようにメガソニック・タンク３５
を構成するのが好ましい。この出願の開示は全て、ここ
に参照として内包されている。

【００３０】作動にあたり、メガソニック・タンク３５
には洗浄液が充填される。ウェーハＷはメガソニック・
タンク３５の中に置かれ、発明のローラ・アッセンブリ
１１により支持される。トランスデューサ３９がメガソ
ニック速度で振動して、洗浄液内に泡を形成する。泡
が、従来技術で知られるように、ウェーハＷの表面を洗
浄する（即ち、トランスデューサ３９が洗浄エネルギー
を出力する）。トランスデューサ３９により出力される
洗浄エネルギーはウェーハＷの表面全体に伝わり、ウェ
ーハＷの表面を洗浄する。洗浄の間、発明のローラ１１
が付勢され回転し、ローラ１１により支持されるウェー
ハＷを回転させる。このようにして、ウェーハＷの表面
全体が洗浄される。

【００３１】トランスデューサ３９は振動の間に熱を生
成し、次に洗浄液と発明のローラ・アッセンブリ１１を
加熱するので、メガソニック・タンク３５は通常高温で
動作する。前述のように、発明のローラ・アッセンブリ
１１ａの複数の穴１７ａ、１７ｂ、および発明のローラ
・アッセンブリ１１ｂの複数の穴１９により、ローラ・
アッセンブリの表面積が増加する。従って、増加した表
面積が、結果として発明のローラ・アッセンブリ１１
ａ、１１ｂの冷却速度を上昇させることができる。従っ
て、上昇された冷却速度によって発明のローラ・アッセ
ンブリ１１ａ、１１ｂの過熱を防ぎ、加熱によって損傷
を受けたり、または基板を傷めることがないようにでき
る。

【００３２】発明のローラ１１に対し与えられた寸法
は、好適実施例を説明するよう意図されており、本発明
の範囲を制限するものではない。これらの寸法はいずれ
もウェーハの寸法および厚さ次第で変化してよく、これ
らの寸法は本発明の目的に適うよう調整できることは理
解されるべきである。

【００３３】上記の説明は本発明の好適実施例のみを開
示しており、本発明の範囲内にある、上に開示された装
置および方法の変更は、当業者には即座に明らかになろ
う。例えば、本発明は垂直配置で説明されたが、本発明
は任意の方向配置（例えば、水平など）で用いることが
でき、かつここに説明された例示のタンク以外の、流体
を充填されたタンク内において用いることができる。実
際に、発明のローラ１１は、基板の回転を必要とするシ
ステムか、またはスクラバ洗浄機などのローラと基板の
間の増加した摩擦から利益を得るいずれのシステム内で
も好都合に用いることができる。例示のスクラバ洗浄機
は、１９９９年６月１日に出願された米国特許仮出願連
番第６０／１３６，９１２号（ＡＭＡＴ：アプライド
マテリアルズ社内番号３６７７号）に開示されており、
開示の全体はここに参照として内包されている。更に、
本発明は、用いられる特定の処理に関わらず、任意の円
盤状基板（パターニングされた、またはパターニングさ
れていないウェーハ、ガラス基板、液晶表示（ＬＣＤ）
基板など）の回転に一般に関わる。

【００３４】Ｏリング２３、３１を備える発明のローラ
・アッセンブリは、各対向面沿いに配置された複数の穴
１７ａ、１７ｂか、または２つの対向面の間にわたり対
向面の表面積を増加させる複数の穴１９も備えることが
できる。従って、増加した面積により、発明のローラ・
アッセンブリ１１ｄの冷却速度を上昇させることができ
る。２つのＯリングの実施例においては、Ｏリング自身
がウェーハの接触を最小にするように、Ｏリングの端部
沿いに斜角をつけることができる。同様に、単一のＯリ
ングの実施例においては、溝がＯリングの中央領域に沿
って機械加工または形成されて、ウェーハの接触を最小
にする。

【００３５】従って、本発明を好適実施例と関連づけて
開示してきたが、本発明の精神および範囲内にある他の
実施例も、添付の請求項により明らかにされるように可
能であることは理解されるべきである。

【図面の簡単な説明】

【図１Ａ】図１Ａは、発明のローラ・アッセンブリの第
１実施例の側面図である。

【図１Ｂ】図１Ｂは、図１Ａの溝の詳細図である。

【図１Ｃ】図１Ｃは、発明のローラ・アッセンブリの第
２実施例の側面図である。

【図２Ａ】図２Ａは、発明のローラ・アッセンブリの第
３実施例の側面図である。

【図２Ｂ】図２Ｂは、Ｂ−Ｂ線に沿った図２Ａのローラ
・アッセンブリの正面断面図である。

【図２Ｃ】図２Ｃは、Ｃ−Ｃ線に沿った図２Ｂのローラ
・アッセンブリの側面断面図である。

【図２Ｄ】図２Ｄは、図２Ａのローラ・アッセンブリの
正面図である。

【図３Ａ】図３Ａは、図２Ａ〜Ｄに示される穴よりも小
さい穴を有する、発明のローラ・アッセンブリの第３実
施例の側面図である。

【図３Ｂ】図３Ｂは、図３Ａのローラ・アッセンブリの
Ｂ−Ｂ線に沿った正面断面図である。

【図３Ｃ】図３Ｂは、図３Ａのローラ・アッセンブリの
側面斜視図である。

【図３Ｄ】図３Ｄは、図３Ａのローラ・アッセンブリの
正面図である。

【図４】図４は、発明のローラ・アッセンブリの第４実
施例の側面図である。

【図５Ａ】図５Ａは、発明のローラ・アッセンブリの第
５実施例の側面断面図である。

【図５Ｂ】図５Ｂは、発明のローラ・アッセンブリの第
６実施例の側面断面図である。

【図５Ｃ】図５Ｃは、防護シールドを含む、図５Ａの発
明のローラ・アッセンブリの側面断面図である。

【図６】図６は、発明のローラ・アッセンブリのいずれ
かの実施例を用いるメガソニック・タンク３５の正面図
である。

【符号の説明】

１１ａ…ローラアッセンブリ（第１実施例）、１１ｂ…
ローラアッセンブリ（第２実施例）１１ｃ…ローラアッ
センブリ（第３実施例）１１ｄ…ローラアッセンブリ
（第４実施例）、１１ｆ…ローラアッセンブリ、１３…
溝、１５ａ、１５ｂ…対向面、１７ａ、１７ｂ…穴、１
９…穴、２３…第１のＯリング、３１…第２のＯリン
グ、３５…メガソニック・タンク、３９…トランスデュ
ーサ、Ａ…側端部、Ｂ…側部、Ｃ…端部、Ｓ…シール
ド、Ｗ…ウエーハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ブライアンジェイ．ブラウンアメリカ合衆国，カリフォルニア州，パロアルト，コロラドアヴェニュー 211 (72)発明者マイケルエヌ．シュガーマンアメリカ合衆国，カリフォルニア州，サンフランシスコ，ベルヴデールストリート 134 (72)発明者マコトイナガワアメリカ合衆国，カリフォルニア州，パロアルト，マタデロアヴェニュー 738 (72)発明者ダニエルディ．ラマールアメリカ合衆国，カリフォルニア州，サンタクルーズ，ローレントストリート 138 (72)発明者アレキサンダーラーナーアメリカ合衆国，カリフォルニア州，サンノゼ，ペッブルウッドコート 6661

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】薄円盤を回転させるよう適合されたロー
ラであって、薄円盤の端部に接触するよう適合された少なくとも２つ
の表面を有する溝と、前記２つの表面に沿って配置された複数の穴と、を備え
る、ローラ。
【請求項２】前記穴の各々が、少なくとも２つの表面
が相接する箇所を介して延伸し、それにより、ウェーハ
の外端部に接するよう適合された波形表面を形成する、
請求項１に記載のローラ。
【請求項３】前記穴の各々が、前記少なくとも２つの
表面が相接する箇所に対し平行に延伸する、請求項１に
記載のローラ。
【請求項４】前記穴の各々が、前記２つの表面の各々
の中に延びるようなサイズにされている、請求項３に記
載のローラ。
【請求項５】前記穴の各々が、前記少なくとも２つの
表面が相接する箇所に対し直角に延伸する、請求項１に
記載のローラ。
【請求項６】前記穴の各々が、前記少なくとも２つの
表面が相接する箇所に対し平行に延伸し、かつ前記穴の
各々が、前記２つの表面の各々の中に延びるようなサイ
ズにされている、請求項２に記載のローラ。
【請求項７】前記穴の各々が、前記少なくとも２つの
表面が相接する箇所に対し直角に延伸する、請求項２に
記載のローラ。
【請求項８】薄円盤を回転させるよう適合されたロー
ラであって、薄円盤の端部に接触するよう適合されたビ
ード・ブラストされた表面を有する溝を備える、ロー
ラ。
【請求項９】薄円盤を回転させるよう適合されたロー
ラであって、薄円盤の端部に接触するよう適合された粒
状加工された表面を有する溝を備える、ローラ。
【請求項１０】薄円盤を回転させるよう適合されたロ
ーラであって、薄円盤の端部に接触するよう適合された
表面を有する溝と、前記表面に結合された少なくとも第
１のＯリングと、を備える、ローラ。
【請求項１１】前記ローラが、前記薄円盤の端部が第
１のＯリングと第２のＯリングの間に挿入されるように
前記表面に結合された第２のＯリングを更に備える、請
求項６に記載の装置。
【請求項１２】ローラの表面には穴が開けられてお
り、薄円盤の端部に接触するように適合された表面を有
する該ローラを設け、薄円盤の端部を前記穴に接触するように置き、前記薄円盤がローラにより回転するように前記ローラを
回転させる、薄円盤を洗浄する方法。
【請求項１３】ローラの表面には穴が開けられてお
り、前記穴の各々は２つの表面の各々の中に延びるよう
なサイズにされている、薄円盤の端部に接触するように
適合された表面を有するローラを設け、薄円盤の端部を前記穴に接触するように置き、前記薄円盤がローラにより回転するように前記ローラを
回転させる、薄円盤を洗浄する方法。
【請求項１４】ローラの表面には穴が開けられてお
り、前記穴の各々は少なくとも２つの表面が相接する箇
所に対し直角に延伸する、薄円盤の端部に接触するよう
に適合された表面を有するローラを設け、薄円盤の端部を前記穴に接触するように置き、前記薄円盤がローラにより回転するように前記ローラを
回転させる、薄円盤を洗浄する方法。
【請求項１５】ローラの表面には穴が開けられてお
り、前記穴の各々は前記２つの表面の中に延びるような
サイズにされている、薄円盤の端部に接触するように適
合された表面を有するローラを設け、薄円盤の端部を前記穴に接触するように置き、前記薄円盤がローラにより回転するように前記ローラを
回転させる、薄円盤を洗浄する方法。