JP2001033803A - Liquid crystal display panel and manufacture thereof - Google Patents

Liquid crystal display panel and manufacture thereof

Info

Publication number
JP2001033803A
JP2001033803A JP20652799A JP20652799A JP2001033803A JP 2001033803 A JP2001033803 A JP 2001033803A JP 20652799 A JP20652799 A JP 20652799A JP 20652799 A JP20652799 A JP 20652799A JP 2001033803 A JP2001033803 A JP 2001033803A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass substrate
liquid crystal
crystal display
display panel
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20652799A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaharu Satonaka
正春 里中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP20652799A priority Critical patent/JP2001033803A/en
Publication of JP2001033803A publication Critical patent/JP2001033803A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a liquid crystal display panel improved in the reliability of a transfer member between two opposed glass substrates. SOLUTION: In this liquid crystal panel, a 1st glass substrate 2 with a thin film transistor layer 3 formed thereon and a 2nd glass substrate 5 with a transparent counter electrode layer 9 are adjacently arranged facing each other and liquid crystal 17 is charged in the gap part between them. In the panel, at least in a part of the peripheral part of the liquid crystal display panel, transfer members 13 are arranged, which are composed of a granular body 14 on which stress concentration parts 20 formed of one kind of shape selected from at least a projecting part, an acicular part, a horned part, and a rugged part are partly formed, for electrically connecting the thin film transistor layer 3 or another electrode layer 4 co-operating with the thin film transistor layer on the 1st glass substrate with the transparent counter electrode 9 on the 2nd glass substrate 5.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネル及
び液晶表示パネルの製造方法に関するものであり、特に
詳しくは、第1と第2のガラス基板間の電気的な導通性
を向上させた液晶表示パネル及びその製造方法に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display panel and a method of manufacturing the liquid crystal display panel, and more particularly, to a liquid crystal having improved electrical conductivity between first and second glass substrates. The present invention relates to a display panel and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から一般的に使用されている液晶表
示パネル1の構成及びその動作に付いて図7を参照しな
がら以下に説明する。
2. Description of the Related Art The structure and operation of a liquid crystal display panel 1 which has been generally used will be described below with reference to FIG.

【0003】即ち、図7に示すように、第1のガラス基
板2上に金属膜、絶縁膜、a−Si層をスパッタ法ある
いはプラズマCVDを用い成膜し、さらにフォトリソグ
ラフィー法を用い所望のパターンを形成して成る薄膜ト
ランジスター層3を形成すると共に、さらに前記金属膜
の一部を使用し同一ガラス基板2上にCOM電極4を形
成する。
That is, as shown in FIG. 7, a metal film, an insulating film, and an a-Si layer are formed on a first glass substrate 2 by using a sputtering method or a plasma CVD method, and are further formed by using a photolithography method. A thin film transistor layer 3 formed by forming a pattern is formed, and a COM electrode 4 is formed on the same glass substrate 2 using a part of the metal film.

【0004】他方の第2のガラス基板5上に着色層、B
M層7、オーバーコート層8、ITOから成る透明電極
層9を形成する。
On the other second glass substrate 5, a colored layer B
An M layer 7, an overcoat layer 8, and a transparent electrode layer 9 made of ITO are formed.

【0005】その後、第1と第2のガラス基板2、5の
最上面に、つまり両ガラス基板2、5の対向する面に液
晶材の配向の為に、例えばポリイミド系の配向膜10を
塗布し、焼成後配向処理として回転金属ローラーに巻き
付けたバフ布で配向膜10表面を一定方向に擦るラビン
グを行う。
Thereafter, for example, a polyimide-based alignment film 10 is coated on the uppermost surfaces of the first and second glass substrates 2 and 5, that is, the opposite surfaces of the two glass substrates 2 and 5 to align the liquid crystal material. Then, rubbing is performed by rubbing the surface of the alignment film 10 in a certain direction with a buff cloth wound around a rotating metal roller as an alignment treatment after firing.

【0006】このとき第1のガラス基板2上に形成され
たCOM電極の一部と第2のガラス基板5上に形成され
た透明電極層9の一部には、後述する重ね合わせ時に双
方トランスファー材を介して電気的接続を行うため配向
膜は塗布しない。
At this time, a part of the COM electrode formed on the first glass substrate 2 and a part of the transparent electrode layer 9 formed on the second glass substrate 5 are both transferred at the time of superposition described later. The alignment film is not applied to make electrical connection via the material.

【0007】従って、当該配向膜10の塗布から焼成、
ラビングまでの一連工程を経ることにより第1のガラス
基板2と第2のガラス基板5の表面には、配向膜10か
らの削れ片、バフ布屑、浮遊塵埃が残る。
Accordingly, the application of the alignment film 10 to the baking,
Through a series of steps up to rubbing, shavings from the alignment film 10, buff cloth, and floating dust remain on the surfaces of the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5.

【0008】従ってラビング工程後、第1のガラス基板
2及び第2のガラス基板表面は洗浄する。
Therefore, after the rubbing step, the surfaces of the first glass substrate 2 and the second glass substrate are cleaned.

【0009】同様に第1のガラス基板2上に形成された
COM電極4の表面や第2のガラス基板5上に形成され
た透明電極層9においても、本来金属面を露呈すべき部
分に、配向膜10の塗布時に付着した配向膜10による
薄い絶縁膜11や配向膜からの削れ片、また焼成により
金属表面に高抵抗金属酸化膜11が生成されてしまう。
Similarly, also on the surface of the COM electrode 4 formed on the first glass substrate 2 and the transparent electrode layer 9 formed on the second glass substrate 5, a portion where a metal surface is to be exposed is provided. The thin insulating film 11 and the shavings from the alignment film by the alignment film 10 adhered at the time of application of the alignment film 10, and the high-resistance metal oxide film 11 are generated on the metal surface by baking.

【0010】又、当該絶縁膜11の厚みは、100〜2
000オングストロームの範囲でばらつき、また当該金
属酸化膜11の厚みは100〜1000オングストロー
ムの範囲である。
The thickness of the insulating film 11 is 100 to 2
The thickness of the metal oxide film 11 is in the range of 100 to 1000 angstroms.

【0011】これらの絶縁膜や金属酸化膜11は電気的
接続に影響を与えてしまう物質となる。これらの物質は
洗浄を行うことによりある程度除去できるが十分ではな
い。上記した洗浄後、前記第2のガラス基板5の外周部
にはシール材12としてエポキシ系樹脂をプリント法も
しくはディスペンサーを用いて塗布する。
The insulating film and the metal oxide film 11 are substances that affect the electrical connection. These substances can be removed to some extent by washing, but are not sufficient. After the above-described cleaning, an epoxy resin is applied as a sealant 12 to the outer peripheral portion of the second glass substrate 5 using a printing method or a dispenser.

【0012】続いて該記第1のガラス基板2上に形成し
たCOM電極4上面に第2のガラス基板5上の透明電極
層9と電気的接続を行うためトランスファー部材13を
塗布する。
Subsequently, a transfer member 13 is applied to the upper surface of the COM electrode 4 formed on the first glass substrate 2 to make an electrical connection with the transparent electrode layer 9 on the second glass substrate 5.

【0013】図8に示すように、トランスファー部材1
3としてAg微粒子14をエポキシ系溶剤15に混合さ
せたペーストを使用し、Ag微粒子14の径は、0.5
〜2μm程度の大きさで球形を呈している。
[0013] As shown in FIG.
As 3, a paste obtained by mixing Ag fine particles 14 with an epoxy-based solvent 15 was used, and the diameter of the Ag fine particles 14 was 0.5
It has a spherical shape with a size of about 2 μm.

【0014】塗布方法は、ディスペンサーを用い所望す
る箇所への塗布を行う。塗布面積は、1〜3mmの正方形
あるいは直径1〜3mm程度の真円とする。従って塗布部
以外へトランスファー材15が付着しないよう、また所
望する大きさにて塗布されるようディスペンサーの動作
設定は煩雑となっている。このときのトランスファー材
13の塗布工程は、該記シール材12の塗布以前でも良
い。
In the application method, application is performed on a desired portion using a dispenser. The application area is a square of 1 to 3 mm or a perfect circle of about 1 to 3 mm in diameter. Therefore, the operation setting of the dispenser is complicated so that the transfer material 15 does not adhere to portions other than the application portion and is applied in a desired size. At this time, the step of applying the transfer material 13 may be performed before the application of the sealing material 12.

【0015】当該トランスファー部材13の塗布後、該
記第1のガラス基板2の配向膜10上面に、プラスチッ
ク系のスペーサ16を散布する。スペーサ16の径は
4.5μmとする。
After the transfer member 13 is applied, a plastic spacer 16 is sprayed on the upper surface of the alignment film 10 of the first glass substrate 2. The diameter of the spacer 16 is 4.5 μm.

【0016】その後、第1のガラス基板2及び第2のガ
ラス基板5を各々の配向膜面同士を重ね合わせる。重ね
合わせ後、既に塗布されたシール材とトランスファー材
を同時に160℃−30分間加熱・加圧することにより
硬化させる。このときの圧力は0.2〜2kgf/cm
2 ↑ で行う。
After that, the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5 are superposed on each other with the alignment film surfaces. After the superposition, the sealing material and the transfer material which have already been applied are cured by simultaneously heating and pressing at 160 ° C. for 30 minutes. The pressure at this time is 0.2 to 2 kgf / cm
Perform in 2 ↑.

【0017】前記第1のガラス基板2及び当該第2のガ
ラス基板5の重ね合わせ時の間隙は、散布されたスペー
サの径4.5μmと同じ間隙に調整される。
The gap at the time of overlapping the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5 is adjusted to the same gap as the diameter of the dispersed spacer of 4.5 μm.

【0018】図8に示すように、このとき既に塗布され
たトランスファー材13内のAg粒子は、第1のガラス
基板上に形成されたCOM電極表面と第2のガラス基板
上に形成された透明導電膜との電気的接続を可能とす
る。
As shown in FIG. 8, the Ag particles in the transfer material 13 already applied at this time are separated from the surface of the COM electrode formed on the first glass substrate and the transparent Ag particles formed on the second glass substrate. Electrical connection with the conductive film is enabled.

【0019】さらに所望の間隙にて重ね合わされた第1
のガラス基板2、第2のガラス基板5の間隙に液晶材1
7を注入し、注入口18を光硬化系のエポキシ系樹脂に
て封止し、液晶表示パネル1が成立する。
Further, the first superposed with a desired gap
Liquid crystal material 1 in the gap between the glass substrate 2 and the second glass substrate 5
7, and the injection port 18 is sealed with a photo-curing epoxy resin to complete the liquid crystal display panel 1.

【0020】処で、従来のトランスファー材15では、
接続面である薄膜トランジスタ層3或いはCOM電極
4、若しくは透明電極層9表面に有機または無機物質に
よる絶縁膜11の付着あるいは高抵抗金属酸化膜11が
生成された場合、対向電極である第2のガラス基板5上
の透明電極9との導通がとれず導通不良等の不具合を発
生していた。
Here, in the conventional transfer material 15,
When an insulating film 11 made of an organic or inorganic substance is attached to the surface of the thin film transistor layer 3 or the COM electrode 4 or the transparent electrode layer 9 which is a connection surface, or a high-resistance metal oxide film 11 is formed, a second glass which is a counter electrode Conduction with the transparent electrode 9 on the substrate 5 could not be obtained, and problems such as poor conduction occurred.

【0021】従って外部より第1のガラス基板2上の、
例えばCOM電極4に印加された電圧は、対向電極であ
る第2のガラス基板5上に形成された透明電極層9に印
加されず、その結果、液晶表示パネル1の動作不良とな
る。
Therefore, on the first glass substrate 2 from the outside,
For example, the voltage applied to the COM electrode 4 is not applied to the transparent electrode layer 9 formed on the second glass substrate 5 as the counter electrode, and as a result, the operation of the liquid crystal display panel 1 becomes defective.

【0022】係る問題が発生する理由としては、従来、
トランスファー材15であるAgペーストのAg粒子1
4の形状は、ほぼ球状を成し、その粒径は、重ね合わせ
た2つの異なるガラス基板2、5間の間隙未満であっ
た。
The reason why such a problem occurs is as follows.
Ag particles 1 of Ag paste as transfer material 15
The shape of No. 4 was substantially spherical, and the particle size was smaller than the gap between two different glass substrates 2 and 5 superimposed.

【0023】従って、当該2枚のガラス基板2、5を重
ね合わせ時に加圧処理を行うが、その際の加圧操作に於
蹴る当該加圧は、溶剤層が緩衝材となり導電粒子14と
第1のガラス基板2、第2のガラス基板5上に形成され
た電極、例えばCOM電極4との接触を和らげ電極層
3、4、或いは9の表面の絶縁膜もしくは高抵抗金属酸
化膜11を破壊または貫通することはできない。
Therefore, when the two glass substrates 2 and 5 are overlapped with each other, a pressurizing process is performed. In the pressurizing operation at that time, the solvent layer becomes a buffer material and the conductive particles 14 The electrode formed on the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5, for example, the contact with the COM electrode 4 is relieved, and the insulating film or the high-resistance metal oxide film 11 on the surface of the electrode layer 3, 4 or 9 is destroyed. Or cannot penetrate.

【0024】一方、特開平6−308516にて示され
た構造では、「一対の基板上の透明電極をコモン転移材
を介して接続され、コモン転移材を導電粒子を含む熱硬
化型樹脂とする。粒子の大きさは一対の基板間の間隔よ
り大きくした」構成が示されている。
On the other hand, in the structure disclosed in JP-A-6-308516, "a transparent electrode on a pair of substrates is connected via a common transition material, and the common transition material is a thermosetting resin containing conductive particles. The size of the particles was larger than the distance between the pair of substrates. "

【0025】然しながら、当該公知例に於いては、単に
粒径を大きくしたのみで導電粒子表面形状に関し説明は
無い。またCOM電極あるいは透明電極層表面に付着、
生成された絶縁膜、高抵抗金属酸化膜11の貫通、破壊
を目的とした技術に関する記載は無い。
However, in the known example, there is no description on the surface shape of the conductive particles, merely by increasing the particle size. Also adheres to the COM electrode or transparent electrode layer surface,
There is no description about a technique for penetrating and breaking the generated insulating film and high-resistance metal oxide film 11.

【0026】従って、現在まで行われている製法、構
造、さらに先行公開された技術では、上記した欠点を克
服できるものが無かった。
Therefore, none of the production methods and structures which have been carried out up to now and the previously disclosed techniques can overcome the above-mentioned disadvantages.

【0027】又、特開平9−90375号公報には、液
晶表示パネルに於けるトランスファー部材として光硬化
型樹脂と当該樹脂中に分散された金属粒子若しくは表面
を導電性にした樹脂球とからなる素材を使用する事に関
して記載があるが、当該粒子は、単に球状であるとの記
載があるのみで、本発明に於ける様な、電極部表面に形
成された絶縁膜を破壊する為の構成に関しては全く記載
がない。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-90375 discloses that a transfer member in a liquid crystal display panel comprises a photocurable resin and metal particles dispersed in the resin or resin spheres having a conductive surface. Although there is a description regarding the use of a material, the particles are merely described as being spherical, and a structure for destroying an insulating film formed on the surface of the electrode portion as in the present invention. Is not described at all.

【0028】一方、特許第2835145号公報には、
基板に形成された配線電極と、係る基板にフェースダウ
ンで接続されるICチップの当該基板と対向する面に形
成された電極とを接続するに際し、当該両電極の間にイ
ガグリ状のニッケル粒子を配置した、当該基板とICチ
ップとの間の電気的接続を改良する技術に関して記載さ
れているが、当該公知例では、液晶表示パネルの於ける
液晶を狭持する2枚のガラス基板間に設けられたトラン
スファー部材の改良に関しては記載がない。
On the other hand, Japanese Patent No. 2835145 discloses that
When connecting the wiring electrodes formed on the substrate and the electrodes formed on the surface of the IC chip connected face-down to the substrate facing the substrate, nickel-particles in the shape of a wiggle are interposed between the electrodes. Although a technique for improving the electrical connection between the substrate and the IC chip arranged is described, in the known example, the liquid crystal display panel is provided between two glass substrates sandwiching liquid crystal. There is no description of the improved transfer member.

【0029】[0029]

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、上記した従来技術の欠点を改良し、対向する2枚の
ガラス基板間に於けるトランスファー部材の信頼性を向
上させた液晶表示パネル及び液晶表示パネルの製造方法
を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to improve the above-mentioned disadvantages of the prior art and improve the reliability of a transfer member between two opposing glass substrates. And a method for manufacturing a liquid crystal display panel.

【0030】[0030]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記した目的
を達成する為、基本的には、以下に示す様な技術構成を
採用するものである。
The present invention basically employs the following technical configuration to achieve the above object.

【0031】即ち、本発明に係る第1の態様としては、
少なくとも薄膜トランジスタ層が形成された第1のガラ
ス基板と少なくとも透明対向電極層が形成された第2の
ガラス基板とが、当該薄膜トランジスタ層と当該透明対
向電極層とを対向させて隣接配置された間隙部に液晶が
封入された液晶表示パネルに於て、当該液晶表示パネル
の周縁部の少なくとも一部に、当該第1のガラス基板に
於ける当該薄膜トランジスタ層若しくは当該薄膜トラン
ジスタ層と協働する他の電極層と当該第2のガラス基板
に於ける当該透明対向電極層とを電気的に接続する少な
くとも突起部、針状部、角部、凹凸部から選択された一
つの形状からなる応力集中部が部分的に形成された粒状
体で構成されたトランスファー部が設けられている液晶
表示パネルであり、又、本発明に係る第2の態様として
は、少なくとも薄膜トランジスタ層が形成された第1の
ガラス基板と少なくとも透明対向電極層が形成された第
2のガラス基板とが、当該薄膜トランジスタ層と当該透
明対向電極層とを対向させて隣接配置された間隙部に液
晶が封入された液晶表示パネルを製造するに際し、当該
液晶表示パネルの周縁部の少なくとも一部に、当該第1
のガラス基板に於ける当該薄膜トランジスタ層若しくは
当該薄膜トランジスタ層と協働する他の電極層と当該第
2のガラス基板に於ける当該透明対向電極層とを電気的
に接続する、少なくとも突起部、針状部、角部、凹凸部
から選択された一つの形状からなる応力集中部が部分的
に形成された粒状体を含んだトランスファー部を形成す
る様に構成された液晶表示パネルの製造方法である。
That is, as a first aspect according to the present invention,
A gap portion in which at least a first glass substrate on which a thin film transistor layer is formed and at least a second glass substrate on which a transparent counter electrode layer is formed are disposed adjacent to each other with the thin film transistor layer and the transparent counter electrode layer facing each other; In a liquid crystal display panel in which liquid crystal is sealed, the thin film transistor layer or another electrode layer cooperating with the thin film transistor layer on the first glass substrate is provided on at least a part of a peripheral portion of the liquid crystal display panel. At least a stress concentration portion having at least one shape selected from a protrusion, a needle, a corner, and a concavo-convex portion for electrically connecting the stress-concentrating portion to the transparent counter electrode layer on the second glass substrate is partially formed. A liquid crystal display panel provided with a transfer portion composed of a granular material formed on a liquid crystal display panel. The first glass substrate on which the transistor layer is formed and the second glass substrate on which at least the transparent counter electrode layer is formed are provided in a gap portion where the thin film transistor layer and the transparent counter electrode layer are arranged adjacent to each other. In manufacturing a liquid crystal display panel in which liquid crystal is sealed, the first liquid crystal display panel is provided on at least a part of the periphery of the liquid crystal display panel.
Electrically connecting the thin film transistor layer or another electrode layer cooperating with the thin film transistor layer on the glass substrate with the transparent counter electrode layer on the second glass substrate; This is a method for manufacturing a liquid crystal display panel configured to form a transfer portion including a granular material in which a stress concentration portion having one shape selected from a portion, a corner portion, and an uneven portion is partially formed.

【0032】[0032]

【発明の実施の形態】本発明に係る当該液晶表示パネル
及び当該液晶表示パネルの製造方法は、上記した様な技
術構成を採用しているので、一方のガラス基板上に薄膜
トランジスターを形成し、他方のガラス基板に対向電極
として透明導電層を配し、双方のガラス基板を部分的も
しくは全てを加熱・加圧にて重ね合わせることにより、
薄膜トランジスター層を形成する導電層の一部と、他方
ガラス基板上に形成された透明導電層から成る対向電極
とを導電性のトランスファー材を介し電気的に接続さ
せ、さらにガラス基板間隙に液晶材を注入し、該記注入
口を封止して成る液晶表示パネルにおいて、前記トラン
スファー材として、熱硬化系の樹脂に表面が凹凸の形状
を有しかつ前記重ね合わせたガラス基板間の間隙dに対
しその径Dが、D=d±αμm、α=1乃至3μmの関
係式にて成立する大きさの導電粒子を内在した導電性接
着剤としたことを特徴とする。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The liquid crystal display panel and the method for manufacturing the liquid crystal display panel according to the present invention employ the above-described technical configuration. Therefore, a thin film transistor is formed on one glass substrate, By disposing a transparent conductive layer as a counter electrode on the other glass substrate, and partially or entirely overlapping both glass substrates by heating and pressing,
A part of the conductive layer forming the thin film transistor layer is electrically connected to a counter electrode made of a transparent conductive layer formed on the other glass substrate via a conductive transfer material. In the liquid crystal display panel formed by sealing the injection port, a thermosetting resin has a surface with irregularities as a transfer material, and is provided in a gap d between the superposed glass substrates. On the other hand, the conductive adhesive is characterized in that conductive particles having a diameter D whose diameter is satisfied by a relational expression of D = d ± α μm and α = 1 to 3 μm are included.

【0033】更に、本発明に於いては、前記導電粒子と
して、ニッケル、コバルト、チタン等の金属粒子、また
はプラスティック系粒子にニッケルならびに金等の金属
メッキを施したことを特徴とするものである。
Further, the present invention is characterized in that the conductive particles are metal particles such as nickel, cobalt and titanium, or metal particles such as nickel and gold are applied to plastic particles. .

【0034】[0034]

【実施例】以下に、本発明に係る液晶表示パネル及び液
晶表示パネルの製造方法の一具体例を図面を参照しなが
ら詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A liquid crystal display panel and a specific example of a method of manufacturing the liquid crystal display panel according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0035】即ち、図1には、本発明に係る当該液晶表
示パネルの一具体例の構成を示す分解斜視図が示されて
おり、又図2には本発明に係る当該液晶表示パネルの一
具体例の構成を示す部分断面図が示されており、図中、
少なくとも薄膜トランジスタ層3が形成された第1のガ
ラス基板2と少なくとも透明対向電極層9が形成された
第2のガラス基板5とが、当該薄膜トランジスタ層3と
当該透明対向電極層9とを対向させて隣接配置された間
隙部に液晶17が封入された液晶表示パネル1に於て、
当該液晶表示パネル1の周縁部の少なくとも一部に、当
該第1のガラス基板2に於ける当該薄膜トランジスタ層
3若しくは当該薄膜トランジスタ層と協働する他の電極
層4と当該第2のガラス基板5に於ける当該透明対向電
極層9とを電気的に接続する少なくとも突起部、針状
部、角部、凹凸部から選択された一つの形状からなる応
力集中部20が部分的に形成された粒状体14で構成さ
れたトランスファー部材13が設けられている液晶表示
パネル1が示されている。
That is, FIG. 1 is an exploded perspective view showing the structure of one embodiment of the liquid crystal display panel according to the present invention, and FIG. 2 is an exploded perspective view showing the structure of the liquid crystal display panel according to the present invention. A partial cross-sectional view showing the configuration of a specific example is shown.
At least the first glass substrate 2 on which the thin film transistor layer 3 is formed and the second glass substrate 5 on which at least the transparent counter electrode layer 9 is formed, with the thin film transistor layer 3 and the transparent counter electrode layer 9 facing each other. In the liquid crystal display panel 1 in which the liquid crystal 17 is sealed in the adjacently disposed gap,
At least a part of the peripheral portion of the liquid crystal display panel 1 is provided with the thin film transistor layer 3 in the first glass substrate 2 or another electrode layer 4 cooperating with the thin film transistor layer and the second glass substrate 5. A granular body in which at least a stress concentration portion 20 having at least one shape selected from at least a protrusion, a needle, a corner, and an uneven portion electrically connecting the transparent counter electrode layer 9 is formed; The liquid crystal display panel 1 provided with the transfer member 13 constituted by 14 is shown.

【0036】本発明に於ける当該液晶表示パネル1に使
用される当該トランスファー部材13は、当該粒状体1
4と樹脂成分15とで構成されている事が望ましい。
The transfer member 13 used in the liquid crystal display panel 1 according to the present invention includes the granular material 1.
4 and a resin component 15 are desirable.

【0037】更に、本発明に於ける当該液晶表示パネル
1に於て使用される当該粒状体14の最大径Dは、当該
第1のガラス基板2と第2のガラス基板5との間の間隙
をdとすると、D=d±αμmで且つ当該αは、α=1
〜3μmの範囲から選択出来る様な関係式で表されるも
のである。
Furthermore, the maximum diameter D of the granular material 14 used in the liquid crystal display panel 1 according to the present invention is determined by the distance between the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5. Is d, D = d ± αμm and α is α = 1
It is represented by a relational expression that can be selected from the range of 3 μm.

【0038】本発明に於いては、当該αは、α=2μm
である事が望ましい。
In the present invention, α is α = 2 μm
Is desirable.

【0039】又、本発明に於て使用される当該樹脂成分
15は、熱硬化性樹脂である事も好ましい。
The resin component 15 used in the present invention is preferably a thermosetting resin.

【0040】一方、本発明に於ける当該液晶表示パネル
1に於て使用される当該粒状体14は、導電性を有する
材料で構成されるものであっても良く、例えば、ニッケ
ル、コバルトから選択された金属粒子が使用可能であ
り、又当該当該粒状体は、プラスティック系粒子に金属
メッキを施した粒状体である事も好ましい。
On the other hand, the granular material 14 used in the liquid crystal display panel 1 according to the present invention may be made of a conductive material, and may be selected from, for example, nickel and cobalt. It is preferable that the metal particles are used, and it is also preferable that the granular material is a granular material obtained by applying metal plating to plastic particles.

【0041】更に、本発明に係る当該液晶表示パネル1
に於て使用される第1のガラス基板2に於ける当該薄膜
トランジスタ層3と協働する他の電極層としては、所謂
COM電極であっても良い。
Further, the liquid crystal display panel 1 according to the present invention
As the other electrode layer cooperating with the thin film transistor layer 3 on the first glass substrate 2 used in the above, a so-called COM electrode may be used.

【0042】本発明に於ける当該液晶表示パネル1に於
いては、当該第1のガラス基板2に於ける当該薄膜トラ
ンジスタ層3若しくはCOM電極膜層4及び当該第2の
ガラス基板5に於ける当該透明対向電極層9上に形成さ
れた絶縁膜或いは酸化膜或いは金属酸化膜等11の少な
くとも一部が、当該粒状体14の当該応力集中部20に
よって破壊せしめられている事が好ましい。
In the liquid crystal display panel 1 according to the present invention, the thin film transistor layer 3 or the COM electrode film layer 4 in the first glass substrate 2 and the liquid crystal display panel 1 in the second glass substrate 5 It is preferable that at least a part of the insulating film, oxide film, metal oxide film, or the like 11 formed on the transparent counter electrode layer 9 is broken by the stress concentration portion 20 of the granular material 14.

【0043】つまり、換言するならば、本発明に於ける
当該液晶表示パネル1に於いては、当該第1のガラス基
板2に於ける当該薄膜トランジスタ層3若しくはCOM
電極膜層4及び、当該第2のガラス基板5に於ける当該
透明対向電極層9は、当該各層表面に形成された絶縁膜
或いは酸化膜11の少なくとも一部を貫通して侵入した
当該粒状体14の当該応力集中部20並びにそれに連続
する部分を介して互いに電気的に接続されているもので
ある。
In other words, in other words, in the liquid crystal display panel 1 according to the present invention, the thin film transistor layer 3 or COM in the first glass substrate 2
The electrode film layer 4 and the transparent counter electrode layer 9 in the second glass substrate 5 are formed by the granular material penetrating through at least a part of the insulating film or the oxide film 11 formed on the surface of each layer. 14 are electrically connected to each other via the stress concentration portion 20 and a portion continuous therewith.

【0044】尚、図1に於て、21は当該薄膜トランジ
スタ層を形成するドレイン電極を示し、又22はゲート
電極を示すものである。
In FIG. 1, reference numeral 21 denotes a drain electrode for forming the thin film transistor layer, and reference numeral 22 denotes a gate electrode.

【0045】即ち、本発明に係る当該液晶表示パネル1
をより具体的に説明するならば、一方のガラス基板(第
1のガラス基板)2上に薄膜トランジスター3を形成
し、他方のガラス基板(第2のガラス基板)5に対向電
極として透明導電層9を配し、双方のガラス基板2、5
を部分的もしくは全てを加熱・加圧にて重ね合わせるこ
とにより、薄膜トランジスター層3を形成する導電層の
一部と、他方ガラス基板5上に形成された透明導電層9
から成る対向電極とを導電性のトランスファー部材13
を介し電気的に接続させ、さらにガラス基板2、5間隙
に液晶材17を、注入孔18から注入し、その後当該注
入孔18を適宜の封止材23で封止して成る液晶表示パ
ネル1において、前記トランスファー部材13として、
熱硬化系の樹脂15中に表面が、例えば凹凸の形状を有
した応力集中部20を持ち、かつ前記重ね合わせたガラ
ス基板2、5間の間隙dに対しその径Dが、D=d±α
μm、α=1〜3μmの関係式にて成立する大きさの導
電粒子14を内在した導電性接着剤としたことを特徴と
する。
That is, the liquid crystal display panel 1 according to the present invention.
More specifically, a thin film transistor 3 is formed on one glass substrate (first glass substrate) 2 and a transparent conductive layer is formed on the other glass substrate (second glass substrate) 5 as a counter electrode. 9 on both glass substrates 2, 5
Are partially or entirely superimposed by heating and pressurizing to form a part of the conductive layer forming the thin film transistor layer 3 and the transparent conductive layer 9 formed on the other glass substrate 5.
And a conductive transfer member 13
And a liquid crystal material 17 is injected into the gap between the glass substrates 2 and 5 through an injection hole 18, and then the injection hole 18 is sealed with an appropriate sealing material 23. In the above, as the transfer member 13,
The surface of the thermosetting resin 15 has a stress concentration portion 20 having, for example, an uneven shape, and the diameter D of the gap d between the superposed glass substrates 2 and 5 is D = d ± α
It is characterized in that the conductive adhesive has conductive particles 14 of a size satisfying the relational expression of μm, α = 1 to 3 μm.

【0046】即ち、本発明に係る当該液晶表示パネル1
に於いては、当該2枚のガラス基板2、5の周縁部の少
なくとも一部に於て、当該薄膜トランジスタ層3又はC
OM電極膜層4と透明対向電極層9とを電気的に確実に
導通させる為に、導電性を有する上記粒子14で、当該
応力集中部を含む見かけの直径が、当該ガラス基板2、
5間の間隙よりも大きく形成した導電性粒子14を適宜
の樹脂と共に配置せしめ、加熱加圧処理によって、当該
導電性粒子14の当該応力集中部20の先端部を強制的
に変形させる事により、その際当該応力集中部20の先
端部が、当該酸化膜或いは絶縁膜の一部を引っかき傷を
つける様にして除去する結果、当該導電性粒子14を介
して、当該第1のガラス基板2と第2のガラス基板5に
於ける当該薄膜トランジスタ層3又はCOM電極膜層4
と透明対向電極層9とを電気的に確実に導通させる事が
可能となる。
That is, the liquid crystal display panel 1 according to the present invention.
In at least a part of the periphery of the two glass substrates 2 and 5, the thin film transistor layer 3 or C
In order to ensure the electrical connection between the OM electrode film layer 4 and the transparent counter electrode layer 9, the apparent diameter including the stress concentration portion in the conductive particles 14 is reduced to the glass substrate 2.
By disposing conductive particles 14 formed larger than the gap between 5 and an appropriate resin, and forcibly deforming the distal end of the stress concentration portion 20 of the conductive particles 14 by heating and pressing, At this time, the tip of the stress concentration portion 20 removes the oxide film or the insulating film so as to scratch a part of the oxide film or the insulating film. As a result, the first glass substrate 2 is connected to the first glass substrate 2 via the conductive particles 14. The thin film transistor layer 3 or the COM electrode film layer 4 on the second glass substrate 5
And the transparent counter electrode layer 9 can be electrically conducted reliably.

【0047】以下に、本発明に係る当該液晶表示パネル
1のより詳細な構成を、製造方法の例を含めて、実施例
の形で図面を参照しながら説明する。
Hereinafter, a more detailed configuration of the liquid crystal display panel 1 according to the present invention will be described in the form of an embodiment with reference to the drawings, including an example of a manufacturing method.

【0048】尚、図3は、トランスファー部材として用
いられる導電性接着材のベーステープ上に仮止めされた
状態の斜視図であり、図4は、導電性接着剤に内在する
導電粒子の形状を示した図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a state where the conductive adhesive used as a transfer member is temporarily fixed on a base tape. FIG. 4 shows the shape of conductive particles contained in the conductive adhesive. FIG.

【0049】先ず、図1に示すように、第1のガラス基
板2上にCr、Al、ITO等の金属膜やSiNx等の
絶縁膜24を積層し、ドレイン電極21、ゲート電極2
2、薄膜トランジスター層3及びCOM電極4を形成す
る。
First, as shown in FIG. 1, a metal film such as Cr, Al, ITO or the like or an insulating film 24 such as SiNx is laminated on a first glass substrate 2 to form a drain electrode 21 and a gate electrode 2.
2, a thin film transistor layer 3 and a COM electrode 4 are formed.

【0050】他方、第2のガラス基板5上に着色層6、
BM層7、オーバーコート層8、対向電極としてITO
等の透明導電層9を配する。
On the other hand, the colored layer 6 on the second glass substrate 5
BM layer 7, overcoat layer 8, ITO as counter electrode
And the like.

【0051】また、第1のガラス基板2及び第2のガラ
ス基板5上面には、液晶材17の配向を行うべく、例え
ば、ポリイミド系の配向膜10を塗布する。
On the upper surfaces of the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5, for example, a polyimide-based alignment film 10 is applied to align the liquid crystal material 17.

【0052】双方いずれかのガラス基板2、5周辺部に
シール材12としてエポキシ系の熱硬化性樹脂を塗布
し、各々配向膜10の塗布面を重ね合わせ、加熱・加圧
することにより接合する。
An epoxy-based thermosetting resin is applied as a sealing material 12 to the periphery of either one of the glass substrates 2 and 5, and the coated surfaces of the alignment films 10 are overlapped and bonded by heating and pressing.

【0053】本具体例では、シール塗布面を第2のガラ
ス基板5上とした。
In this example, the seal application surface was on the second glass substrate 5.

【0054】一方、第1のガラス基板2面上には、重ね
合わされる第1のガラス基板2と第2のガラス基板5間
の間隙保持材であるプラスチック系のスペーサ6を挿入
する。
On the other hand, on the surface of the first glass substrate 2, a plastic spacer 6 which is a gap holding material between the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5 to be superposed is inserted.

【0055】前記シール12の塗布部の一部に注入孔1
8を設け、注入孔18より重ね合わせた第1のガラス基
板2と第2のガラス基板5の間隙に液晶材17を注入す
る。
The injection hole 1 is formed in a part of the coating portion of the seal 12.
8 is provided, and a liquid crystal material 17 is injected into a gap between the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5 which are overlapped through the injection hole 18.

【0056】注入孔18は、その後適宜の封止材23に
て封止し、液晶表示パネル1とする。
The injection hole 18 is then sealed with a suitable sealing material 23 to obtain the liquid crystal display panel 1.

【0057】このとき第1のガラス基板2上に形成され
たCOM電極4の一部に配された導電性粒子14を含む
導電性接着剤15は、第1のガラス基板2上のCOM電
極4と第2のガラス基板5上に形成された透明導電膜間
9を電気的に接続せしめるトランスファー部材13とし
て成立する。
At this time, the conductive adhesive 15 containing the conductive particles 14 disposed on a part of the COM electrode 4 formed on the first glass substrate 2 is applied to the COM electrode 4 on the first glass substrate 2. And a transfer member 13 for electrically connecting between the transparent conductive films 9 formed on the second glass substrate 5.

【0058】又、図2に示すように、第1のガラス基板
2、第2のガラス基板5を加熱、加圧にて重ね合わせる
ことにより、導電性接着剤15に内在する導電粒子14
は、第1のガラス基板2上のCOM電極4面と第2のガ
ラス基板5上の透明導電膜9に接触し双方間を電気的に
接続している。また当該導電粒子14の形状は図4に示
すように表面に突起部、針状部、角部、凹凸部から選択
された一つの形状からなる応力集中部20を有した形状
としている。
As shown in FIG. 2, the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5 are superposed by heating and pressing to form conductive particles 14 contained in the conductive adhesive 15.
Is in contact with the surface of the COM electrode 4 on the first glass substrate 2 and the transparent conductive film 9 on the second glass substrate 5 to electrically connect them. Further, as shown in FIG. 4, the shape of the conductive particles 14 is a shape having a stress concentration portion 20 having one shape selected from a projection, a needle, a corner, and an uneven portion on the surface.

【0059】当該導電粒子14の表面の凸形状、或いは
針状形等により、COM電極4面、あるいは第2のガラ
ス基板5上に形成された透明導電膜9上に付着、生成さ
れた絶縁膜11の一部を貫通もしくは破壊し、双方の電
気的導通を確実なものとしている。
The insulating film adhered and formed on the surface of the COM electrode 4 or the transparent conductive film 9 formed on the second glass substrate 5 due to the convex shape or needle shape of the surface of the conductive particles 14. 11 penetrates or breaks, thereby ensuring both electrical continuity.

【0060】更に図3及び図4に示すように、本発明に
於けるトランスファー部材13を構成する導電性接着剤
15はその内部に導電粒子14を有し、その粒子径Dは
図2に示される重ね合わされた一対のガラス基板2、5
間隙間dに対し、D=d±αμm、α=1〜3、好まし
くは、α=2μmの関係式が成立する大きさとし、かつ
表面は凹凸の形状を有している。
Further, as shown in FIGS. 3 and 4, the conductive adhesive 15 constituting the transfer member 13 in the present invention has the conductive particles 14 therein, and the particle diameter D is shown in FIG. A pair of superposed glass substrates 2, 5
The size is such that the relational expression of D = d ± α μm, α = 1 to 3, preferably α = 2 μm is satisfied with respect to the gap d, and the surface has an uneven shape.

【0061】上記の方法により形成された液晶表示パネ
ル1は、ゲート電極22、ソース電極、COM電極4各
々に外部から電圧を印加する。
In the liquid crystal display panel 1 formed by the above method, a voltage is externally applied to each of the gate electrode 22, the source electrode, and the COM electrode 4.

【0062】又、第1のガラス基板2上に形成されたC
OM電極に印加された電圧は、導電性接着材からなるト
ランスファー部材13内の導電粒子14を介し、対向電
極となる第2のガラス基板5上に形成された透明電極層
9に印加される。
The C formed on the first glass substrate 2
The voltage applied to the OM electrode is applied to the transparent electrode layer 9 formed on the second glass substrate 5 serving as the counter electrode via the conductive particles 14 in the transfer member 13 made of a conductive adhesive.

【0063】此処で、本発明に係る当該液晶表示パネル
1の製造方法に付いてより詳細に説明するならば、図1
に示す様に、本発明に係る当該液晶表示パネル1の動作
は、第1のガラス基板2上に金属膜、絶縁膜、a−Si
層をスパッタ法あるいはプラズマCVDを用い成膜し、
さらにフォトリソグラフィー法を用い所望のパターンを
形成しドレイン電極21、ゲート電極22、COM電極
4ならびに薄膜トランジスター層3を形成する。
Here, the method of manufacturing the liquid crystal display panel 1 according to the present invention will be described in more detail with reference to FIG.
As shown in (1), the operation of the liquid crystal display panel 1 according to the present invention is such that a metal film, an insulating film, a-Si
The layer is formed by sputtering or plasma CVD,
Further, a desired pattern is formed by using a photolithography method to form a drain electrode 21, a gate electrode 22, a COM electrode 4, and a thin film transistor layer 3.

【0064】他方の第2のガラス基板5上に着色層6、
BM層7、オーバーコート層8、対向電極である透明電
極層9を形成する。さらに前記第1のガラス基板2、第
2のガラス基板5上面には、液晶材17の配向の為にポ
リイミド系の配向膜10を塗布し、焼成後配向処理とし
て回転金属ローラーに巻き付けたバフ布で配向膜表面を
一定方向に擦るラビングを行う。
On the other second glass substrate 5, a colored layer 6
A BM layer 7, an overcoat layer 8, and a transparent electrode layer 9 serving as a counter electrode are formed. Further, a buff cloth coated with a polyimide-based alignment film 10 on the upper surfaces of the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5 for alignment of the liquid crystal material 17, and baked around a rotating metal roller as an alignment treatment after firing. Is performed to rub the surface of the alignment film in a certain direction.

【0065】このとき第1のガラス基板2上に形成され
たCOM電極4の一部と第2のガラス基板5上透明電極
層9の一部には、後述する重ね合わせ時に双方トランス
ファー部材13を介した電気的接続を行うため配向膜1
0は塗布しない。
At this time, a part of the COM electrode 4 formed on the first glass substrate 2 and a part of the transparent electrode layer 9 on the second glass substrate 5 are provided with the both-side transfer member 13 at the time of superposition described later. Film 1 for making electrical connection through
0 is not applied.

【0066】従って、前記、配向膜10の塗布から焼
成、ラビングまでの一連工程を経ることにより第1のガ
ラス基板2、第2のガラス基板5表面には、配向膜10
からの削れ片、バフ布屑、浮遊塵埃が残る。従ってラビ
ング工程後、第1のガラス基板2、第2のガラス基板5
の表面は洗浄する。
Therefore, through a series of steps from the application of the alignment film 10 to the firing and rubbing, the surfaces of the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5 are aligned.
Chips, buff cloth dust, and floating dust are left. Therefore, after the rubbing step, the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5
Wash the surface.

【0067】同様に第1のガラス基板2上に形成された
COM電極4表面や第2のガラス基板5上に形成された
透明電極層9においても、本来金属面を露呈すべき部分
に、配向膜10塗布時に付着した配向膜による薄い絶縁
膜や配向膜からの削れ片、また焼成により金属表面に高
抵抗金属酸化膜11が生成されてしまう。
Similarly, in the surface of the COM electrode 4 formed on the first glass substrate 2 and the transparent electrode layer 9 formed on the second glass substrate 5, the alignment is performed in a portion where the metal surface should be exposed. The thin insulating film or the shavings from the alignment film due to the alignment film attached at the time of coating the film 10, or the high-resistance metal oxide film 11 is generated on the metal surface by firing.

【0068】当該絶縁膜11の厚みは、100〜200
0オングストロームの範囲でばらつき、また金属酸化膜
11の厚みは100〜1000オングストロームの範囲
である。これらの絶縁膜や金属酸化膜11は電気的接続
に影響を与えてしまう物質となる。
The thickness of the insulating film 11 is 100 to 200
The thickness varies in the range of 0 Å, and the thickness of the metal oxide film 11 is in the range of 100 to 1000 Å. These insulating films and metal oxide films 11 are substances that affect electrical connection.

【0069】これらの物質は洗浄を行うことによりある
程度除去できるが十分ではない。
Although these substances can be removed to some extent by washing, they are not sufficient.

【0070】当該洗浄後、前記第2のガラス基板5の外
周部にはシール材12としてエポキシ系樹脂をプリント
法もしくはディスペンサーを用いて塗布する。
After the washing, an epoxy resin is applied to the outer peripheral portion of the second glass substrate 5 as a sealing material 12 by using a printing method or a dispenser.

【0071】続いて該記第1のガラス基板2上に形成し
たCOM電極4上面に第2のガラス基板5上の透明電極
層9と電気的接続を行うためトランスファー部材13と
して所望する大きさの導電性接着材15を転写する。
Subsequently, a transfer member 13 having a desired size is formed on the upper surface of the COM electrode 4 formed on the first glass substrate 2 so as to electrically connect with the transparent electrode layer 9 on the second glass substrate 5. The conductive adhesive 15 is transferred.

【0072】導電性接着剤15は、主剤を熱硬化性エポ
キシ系樹脂とし、導電粒子14を内在したものを使用し
ている。導電粒子14は、その径を5μmとし、形状は
表面に凹凸を持たせたNi粒子とした。
The conductive adhesive 15 has a main component of a thermosetting epoxy resin and contains conductive particles 14 therein. The diameter of the conductive particles 14 was 5 μm, and the shape thereof was Ni particles having irregularities on the surface.

【0073】本具体例での導電性接着剤15からなるト
ランスファー部材13の大きさは2mmの正方形とし、ま
た転写する箇所は、4カ所設けた。
In this example, the size of the transfer member 13 made of the conductive adhesive 15 was a square of 2 mm, and four transfer portions were provided.

【0074】図3に示すように、導電性接着剤15を含
む当該トランスファー部材13はポリエチレンテレフタ
レート製のベーステープ25上に仮止めされたフィルム
状とし、導電性接着剤15の厚みは10μmとしてい
る。
As shown in FIG. 3, the transfer member 13 including the conductive adhesive 15 is in the form of a film temporarily fixed on a base tape 25 made of polyethylene terephthalate, and the thickness of the conductive adhesive 15 is 10 μm. .

【0075】またベーステープ25上に仮止めされた導
電性接着剤の形態は、リールにロール状に巻き取られて
いるものか、あるいはシート状としている。
The form of the conductive adhesive temporarily fixed on the base tape 25 is a roll wound on a reel or a sheet.

【0076】転写の方法として、仮止めされたベーステ
ープと一緒に導電性接着剤からなるトランスファー部材
13を所望の大きさに切り出す。
As a transfer method, the transfer member 13 made of a conductive adhesive is cut into a desired size together with the temporarily fixed base tape.

【0077】切り出された導電性接着剤からなるトラン
スファー部材13は、導電性接着剤15面を第1のガラ
ス基板2上でその金属面を露呈しているCOM電極部4
へ配置し、ベーステープ面から、60℃、2秒間加熱・
加圧を施すことにてCOM電極4面に転写させる。この
時の圧力は1〜5kgf/cm2 ↑とする。転写後ベー
ステープ25と導電性接着材からなる当該トランスファ
ー部材13とを引き剥がす。
The transfer member 13 made of the cut-out conductive adhesive is provided on the first glass substrate 2 with the metal electrode exposed on the first glass substrate 2.
And heat from the base tape surface to 60 ° C for 2 seconds.
By applying pressure, it is transferred to the surface of the COM electrode 4. The pressure at this time is 1 to 5 kgf / cm @ 2. After the transfer, the base tape 25 and the transfer member 13 made of a conductive adhesive are peeled off.

【0078】当該トランスファー部材13の転写工程
は、当該シール材12の塗布以前でも良い。
The transfer step of the transfer member 13 may be performed before the application of the sealing material 12.

【0079】当該トランスファー部材13の転写後、該
記第1のガラス基板2の配向膜10上面に、プラスチッ
ク系のスペーサ16を散布する。スペーサ16の径は
4.5μmとする。
After the transfer of the transfer member 13, a plastic spacer 16 is sprayed on the upper surface of the alignment film 10 of the first glass substrate 2. The diameter of the spacer 16 is 4.5 μm.

【0080】その後第1のガラス基板2、第2のガラス
基板5を各々の配向膜面同士を重ね合わせる。重ね合わ
せ後、既に塗布されたシール材12とトランスファー部
材13を160℃、30分間加熱・加圧することにより
硬化させる。このときの圧力は0.5〜5kgf/cm
2 ↑の範囲で行う。
Thereafter, the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5 are superposed on each other with the alignment film surfaces thereof. After the overlapping, the sealing material 12 and the transfer member 13 which have already been applied are cured by heating and pressing at 160 ° C. for 30 minutes. The pressure at this time is 0.5 to 5 kgf / cm
Perform within 2 mm.

【0081】前記第1のガラス基板2、第2のガラス基
板5の重ね合わせ時の間隙は、散布されたスペーサ16
の径4.5μmと同じ間隙に調整される。
The gap when the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5 are overlapped with each other is
Is adjusted to the same gap as the diameter of 4.5 μm.

【0082】図2に示すように、このとき既に転写され
たトランスファー部材13に内在の導電粒子14は、そ
の表面に凹凸の形状或いは針状の形状を有することによ
り重ね合わせ時の圧力にて所望の大きさに変形するとと
もに、表面の凸の形状は、第1のガラス基板上に形成さ
れたCOM電極4表面にある絶縁膜11もしくは、金属
酸化膜11を加えられた圧力により貫通せしめ、第2の
ガラス基板5上に形成された透明導電膜9との電気的接
続を可能とする。従って前記第1のガラス基板2と第2
のガラス基板5の間隙寸法への影響はない。
As shown in FIG. 2, the conductive particles 14 existing in the transfer member 13 already transferred at this time have irregularities or needle-like shapes on the surface thereof, so that the conductive particles 14 have a desired pressure at the time of superposition. And the convex shape of the surface causes the insulating film 11 or the metal oxide film 11 on the surface of the COM electrode 4 formed on the first glass substrate to penetrate by the applied pressure, 2 enables electrical connection with the transparent conductive film 9 formed on the glass substrate 5. Therefore, the first glass substrate 2 and the second
There is no effect on the gap size of the glass substrate 5.

【0083】また図5に示すように、該記重ね合わされ
た第1のガラス基板2と第2のガラス基板5の間隙より
小さい導電粒子14の場合は、隣接する導電粒子14が
その表面の凹凸部にて絡み合い、絡み合った導電粒子群
の大きさは前記第1のガラス基板2と第2のガラス基板
5との間隙以上となる。
As shown in FIG. 5, when the conductive particles 14 are smaller than the gap between the superposed first glass substrate 2 and second glass substrate 5, the adjacent conductive particles 14 The size of the entangled and entangled conductive particles at the portion is equal to or larger than the gap between the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5.

【0084】さらに重ね合わせ時に加えられる圧力は当
該第1のガラス基板2と第2のガラス基板5を介し、絡
み合った導電粒子群が受けることとなる。従って絶縁膜
や高抵抗酸化膜の貫通、破壊ならびに電気的接続への影
響は無い。
Further, the pressure applied at the time of the superposition is received by the entangled conductive particles via the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5. Therefore, there is no influence on penetration, destruction, and electrical connection of the insulating film or the high-resistance oxide film.

【0085】さらに所望の間隙にて重ね合わされた当該
第1のガラス基板2と第2のガラス基板5の間隙に液晶
材17を注入し、注入口18を光硬化系のエポキシ系樹
脂23にて封止し、液晶表示パネル1が成立する。
Further, the liquid crystal material 17 is injected into the gap between the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5 which are overlapped at a desired gap, and the injection port 18 is filled with a photo-curing epoxy resin 23. After sealing, the liquid crystal display panel 1 is established.

【0086】完成した液晶表示パネル1は、ゲート電
極、ソース電極、COM電極各々に外部から電圧を印加
する。
In the completed liquid crystal display panel 1, a voltage is externally applied to each of the gate electrode, the source electrode, and the COM electrode.

【0087】又、第1のガラス基板2上に形成されたC
OM電極4に印加された電圧は、トランスファー部材1
3内の導電粒子14を介し、対向電極となる第2のガラ
ス基板5上に形成された透明電極層9に印加される。
The C formed on the first glass substrate 2
The voltage applied to the OM electrode 4 is
The voltage is applied to the transparent electrode layer 9 formed on the second glass substrate 5 serving as a counter electrode via the conductive particles 14 in 3.

【0088】次に、本発明に係る当該液晶表示パネルの
他の具体例に付いて、図6を参照しながら詳細に説明す
る。
Next, another specific example of the liquid crystal display panel according to the present invention will be described in detail with reference to FIG.

【0089】図6は、本発明を使用した液晶表示パネル
1の他の具体例に於ける断面図である。又、第4bは、
導電性接着剤15に内在する導電粒子14の外形図であ
り、図4bに示すように、導電粒子14の形状は、その
表面が針状20となっている。
FIG. 6 is a cross-sectional view of another specific example of the liquid crystal display panel 1 using the present invention. Also, 4b is:
FIG. 4B is an external view of the conductive particles 14 included in the conductive adhesive 15. As shown in FIG. 4B, the surface of the conductive particles 14 has a needle shape 20.

【0090】図6に示すように、導電性接着剤15に内
在する導電粒子14は、重ね合わせ時の圧力にて変形す
るとともに、その応力集中部20の表面が針状を呈して
いるため、第1のガラス基板2上に形成されたCOM電
極4表面にある絶縁膜11もしくは、金属酸化膜11を
加えられた圧力により貫通せしめ、第2のガラス基板5
上に形成された透明導電膜との電気的接続を可能とす
る。従って前記第1のガラス基板2と第2のガラス基板
5の間隙寸法への影響はない。
As shown in FIG. 6, the conductive particles 14 contained in the conductive adhesive 15 are deformed by the pressure at the time of superposition, and the surface of the stress concentration portion 20 has a needle shape. The insulating film 11 or the metal oxide film 11 on the surface of the COM electrode 4 formed on the first glass substrate 2 is penetrated by the applied pressure, and the second glass substrate 5
Electrical connection with the transparent conductive film formed thereon is enabled. Therefore, there is no influence on the gap size between the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5.

【0091】上記した様に、本発明に係る液晶表示パネ
ルの製造方法としては、例えば、少なくとも薄膜トラン
ジスタ層が形成された第1のガラス基板と少なくとも透
明対向電極層が形成された第2のガラス基板とが、当該
薄膜トランジスタ層と当該透明対向電極層とを対向させ
て隣接配置された間隙部に液晶が封入された液晶表示パ
ネルを製造するに際し、当該液晶表示パネルの周縁部の
少なくとも一部に、当該第1のガラス基板に於ける当該
薄膜トランジスタ層若しくは当該薄膜トランジスタ層と
協働する他の電極層と当該第2のガラス基板に於ける当
該透明対向電極層とを電気的に接続する、少なくとも突
起部、針状部、角部、凹凸部から選択された一つの形状
からなる応力集中部が部分的に形成された粒状体を含ん
だトランスファー部材を形成する液晶表示パネルの製造
方法である。
As described above, the method for manufacturing a liquid crystal display panel according to the present invention includes, for example, a first glass substrate on which at least a thin film transistor layer is formed and a second glass substrate on which at least a transparent counter electrode layer is formed. When manufacturing a liquid crystal display panel in which liquid crystal is sealed in a gap disposed adjacent to the thin film transistor layer and the transparent counter electrode layer facing each other, at least a part of a peripheral portion of the liquid crystal display panel, At least a protrusion for electrically connecting the thin film transistor layer on the first glass substrate or another electrode layer cooperating with the thin film transistor layer to the transparent counter electrode layer on the second glass substrate; , Transfer including a granular material partially formed with a stress concentration part of one shape selected from needle-shaped part, corner part, uneven part It is a manufacturing method of a liquid crystal display panel to form a timber.

【0092】本発明に於ける当該液晶表示パネルの製造
方法に於いては、当該トランスファー部材13を、当該
粒状体14と熱硬化性樹脂成分15とで構成する事が望
ましい。
In the method of manufacturing a liquid crystal display panel according to the present invention, it is desirable that the transfer member 13 is composed of the granular material 14 and the thermosetting resin component 15.

【0093】又、本発明に於いては、当該粒状体とし
て、ニッケル、コバルトから選択された金属粒子、また
はプラスティック系粒子に金属メッキを施した粒状体を
使用するものである事も望ましい。
Further, in the present invention, it is preferable that the granular material is a metal particle selected from nickel and cobalt, or a granular material obtained by plating a plastic-based particle with metal.

【0094】更に、本発明に於いては、当該第1のガラ
ス基板2と第2のガラス基板5とを対向させて互いに加
圧処理を行うに際し、当該第1のガラス基板2に於ける
当該薄膜トランジスタ層3若しくはCOM電極膜層4及
び当該第2のガラス基板5に於ける当該透明対向電極層
9上に形成された絶縁膜或いは酸化膜11の少なくとも
一部を当該粒状体14の当該応力集中部20によって破
壊する事が特徴である。
Further, in the present invention, when the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5 are opposed to each other and pressurized, the first glass substrate 2 and the second glass substrate 5 At least a part of the insulating film or the oxide film 11 formed on the thin film transistor layer 3 or the COM electrode film layer 4 and the transparent counter electrode layer 9 in the second glass substrate 5 is subjected to the stress concentration of the granular material 14. It is characterized by being destroyed by the part 20.

【0095】[0095]

【発明の効果】本発明に係る当該液晶表示パネル及び当
該液晶表示パネルの製造方法は、上記した技術構成を採
用しているので、液晶表示パネル製造過程で付着または
生成された有機、無機物質による絶縁膜11もしくは高
抵抗の酸化膜11を導電性接着剤15で構成されるトラ
ンスファー部材13内の導電粒子14により破壊もしく
は貫通せしめ電気的に接続できる効果がある。
The liquid crystal display panel and the method of manufacturing the liquid crystal display panel according to the present invention employ the above-described technical configuration, and therefore, the liquid crystal display panel uses organic or inorganic substances adhered or generated in the process of manufacturing the liquid crystal display panel. There is an effect that the insulating film 11 or the high-resistance oxide film 11 is broken or penetrated by the conductive particles 14 in the transfer member 13 made of the conductive adhesive 15 so that an electrical connection can be made.

【0096】又、本発明による導電性接着剤15で構成
されるトランスファー部材13内に内在する導電粒子1
4の径を対向する2つのガラス基板2、5間の間隙相当
としたため製造時の加圧を導電粒子14自体が直接受
け、その形は凹凸形状を有しているため、その凸部20
の先端は、絶縁膜もしくは高抵抗膜11を容易に貫通で
きる。
The conductive particles 1 existing in the transfer member 13 composed of the conductive adhesive 15 according to the present invention.
Since the diameter of 4 is equivalent to the gap between the two glass substrates 2 and 5 facing each other, the conductive particles 14 themselves are directly subjected to pressure during manufacturing, and the shape thereof has an uneven shape.
Can easily penetrate the insulating film or the high-resistance film 11.

【0097】然も、本発明による導電性接着剤は、内在
する導電粒子14の径を対向する2つのガラス基板間の
間隙相当としたため製造時の加圧を導電粒子自体が直接
受け、その形は凹凸形状を有しているため、その凸部の
先端は、絶縁膜もしくは高抵抗膜を容易に貫通できる。
In the conductive adhesive according to the present invention, the diameter of the conductive particles 14 contained therein is equivalent to the gap between the two glass substrates facing each other. Has a concavo-convex shape, and the tip of the convex portion can easily penetrate the insulating film or the high-resistance film.

【0098】またトランスファー部材13の形状を薄膜
フィルム状もしくはシート状とすることにより、所望す
る大きさの導電性接着剤15からなるトランスファー部
材13を転写等容易な作業にてガラス基板上に形成でき
る。
Further, by making the shape of the transfer member 13 into a thin film or sheet shape, the transfer member 13 made of the conductive adhesive 15 having a desired size can be formed on the glass substrate by an easy operation such as transfer. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、本発明に係る液晶表示パネルの構成の
一具体例を示す分解斜視図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view showing a specific example of a configuration of a liquid crystal display panel according to the present invention.

【図2】図2は、本発明に係る液晶表示パネルの構成の
一具体例を示す部分拡大断面図である。
FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view showing a specific example of a configuration of a liquid crystal display panel according to the present invention.

【図3】図3は、本発明に於て使用されるトランスファ
ー部材の構成の一具体例を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a specific example of a configuration of a transfer member used in the present invention.

【図4】図4は、本発明に於て使用される導電性粒状体
の構成例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of a conductive granular material used in the present invention.

【図5】図5は、従来の液晶表示パネルの構成の例を示
す部分拡大断面図である。
FIG. 5 is a partially enlarged sectional view showing an example of the configuration of a conventional liquid crystal display panel.

【図6】図6は、本発明に係る液晶表示パネルの構成の
他の具体例を示す部分拡大断面図である。
FIG. 6 is a partially enlarged cross-sectional view showing another specific example of the configuration of the liquid crystal display panel according to the present invention.

【図7】図7は、従来の液晶表示パネルの構成の一具体
例を示す分解斜視図である。
FIG. 7 is an exploded perspective view showing a specific example of a configuration of a conventional liquid crystal display panel.

【図8】図8は、従来の液晶表示パネルの他の構成の例
を示す部分拡大断面図である。
FIG. 8 is a partially enlarged sectional view showing another example of the configuration of the conventional liquid crystal display panel.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…液晶表示パネル 2…第1のガラス基板 3…薄膜トランジスタ層 4…他の電極層、COM電極 5…第2のガラス基板 6…着色層 7…BM層する。 8…オーバーコート層 9…透明対向電極層 10…配向膜 11…絶縁膜、酸化膜 12…シール材 13…トランスファー部材 14…粒状体 15…樹脂成分 16…スペーサ 17…液晶 18…注入孔 20…応力集中部 21…ドレイン電極 22…ゲート電極 23…封止材 24…絶縁膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal display panel 2 ... 1st glass substrate 3 ... Thin film transistor layer 4 ... Other electrode layer, COM electrode 5 ... 2nd glass substrate 6 ... Coloring layer 7 ... BM layer. DESCRIPTION OF SYMBOLS 8 ... Overcoat layer 9 ... Transparent counter electrode layer 10 ... Orientation film 11 ... Insulating film, oxide film 12 ... Seal material 13 ... Transfer member 14 ... Granular material 15 ... Resin component 16 ... Spacer 17 ... Liquid crystal 18 ... Injection hole 20 ... Stress concentration portion 21: drain electrode 22: gate electrode 23: sealing material 24: insulating film

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも薄膜トランジスタ層が形成さ
れた第1のガラス基板と少なくとも透明対向電極層が形
成された第2のガラス基板とが、当該薄膜トランジスタ
層と当該透明対向電極層とを対向させて隣接配置された
間隙部に液晶が封入された液晶表示パネルに於て、当該
液晶表示パネルの周縁部の少なくとも一部に、当該第1
のガラス基板に於ける当該薄膜トランジスタ層若しくは
当該薄膜トランジスタ層と協働する他の電極層と当該第
2のガラス基板に於ける当該透明対向電極層とを電気的
に接続する少なくとも突起部、針状部、角部、凹凸部か
ら選択された一つの形状からなる応力集中部が部分的に
形成された粒状体で構成されたトランスファー部が設け
られている事を特徴とする液晶表示パネル。
At least a first glass substrate on which a thin film transistor layer is formed and a second glass substrate on which at least a transparent counter electrode layer are formed are adjacent to each other with the thin film transistor layer and the transparent counter electrode layer facing each other. In a liquid crystal display panel in which liquid crystal is sealed in a gap provided, at least a part of a peripheral portion of the liquid crystal display panel is provided with the first liquid crystal.
At least a protruding portion and a needle-shaped portion for electrically connecting the thin film transistor layer or another electrode layer cooperating with the thin film transistor layer on the glass substrate and the transparent counter electrode layer on the second glass substrate. A liquid crystal display panel, comprising: a transfer portion formed of a granular material in which a stress concentration portion having one shape selected from a corner portion and an uneven portion is partially formed.
【請求項2】 当該トランスファー部は、当該粒状体と
樹脂成分とで構成されている事を特徴とする請求項1記
載の液晶表示パネル。
2. The liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the transfer section is composed of the granular material and a resin component.
【請求項3】 当該粒状体の最大径Dは、当該第1のガ
ラス基板と第2のガラス基板との間の間隙をdとする
と、D=d±αμm、α=1〜3μmの関係式で表され
ることを特徴とする1又は2に記載の液晶表示パネル。
3. A relational expression of D = d ± α μm and α = 1 to 3 μm, where D is a gap between the first glass substrate and the second glass substrate. 3. The liquid crystal display panel according to 1 or 2, wherein
【請求項4】 当該α=2μmである事を特徴とする請
求項3記載の液晶表示パネル。
4. The liquid crystal display panel according to claim 3, wherein said α = 2 μm.
【請求項5】 当該樹脂成分は、熱硬化性樹脂である事
を特徴とする請求項2記載の液晶表示パネル。
5. The liquid crystal display panel according to claim 2, wherein said resin component is a thermosetting resin.
【請求項6】 当該粒状体は、導電性を有するものであ
る事を特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載の液晶
表示パネル。
6. The liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the granular material has conductivity.
【請求項7】 当該粒状体は、ニッケル、コバルトから
選択された金属粒子、またはプラスティック系粒子に金
属メッキを施した粒状体である事を特徴とする請求項6
記載の液晶表示パネル。
7. The granular material according to claim 6, wherein the granular material is a metal particle selected from nickel and cobalt, or a granular material obtained by applying a metal plating to a plastic-based particle.
Liquid crystal display panel as described.
【請求項8】 当該第1のガラス基板に於ける当該薄膜
トランジスタ層若しくは当該薄膜トランジスタ層と協働
する他の電極層は、COM電極である事を特徴とする請
求項1記載の液晶表示パネル。
8. The liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the thin film transistor layer or another electrode layer cooperating with the thin film transistor layer on the first glass substrate is a COM electrode.
【請求項9】 当該第1のガラス基板に於ける当該薄膜
トランジスタ層若しくはCOM電極膜層及び当該第2の
ガラス基板に於ける当該透明対向電極層上に形成された
絶縁膜或いは酸化膜の少なくとも一部が当該粒状体の当
該応力集中部によって破壊せしめられている事を特徴と
する請求項1乃至8の何れかに記載の液晶表示パネル。
9. An insulating film or an oxide film formed on the thin film transistor layer or the COM electrode film layer on the first glass substrate and the transparent counter electrode layer on the second glass substrate. 9. The liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the portion is broken by the stress concentration portion of the granular material.
【請求項10】 当該第1のガラス基板に於ける当該薄
膜トランジスタ層若しくはCOM電極膜層及び当該第2
のガラス基板に於ける当該透明対向電極層は、当該各層
表面に形成された絶縁膜或いは酸化膜の少なくとも一部
を貫通して侵入した当該粒状体の当該応力集中部を介し
て互いに電気的に接続されている事を特徴とする請求項
1乃至8の何れかに記載の液晶表示パネル。
10. The thin film transistor layer or the COM electrode film layer on the first glass substrate and the second
The transparent counter electrode layers in the glass substrate are electrically connected to each other through the stress concentration portions of the granular material that penetrate through at least a part of the insulating film or the oxide film formed on the surface of each layer. 9. The liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the liquid crystal display panel is connected.
【請求項11】 少なくとも薄膜トランジスタ層が形成
された第1のガラス基板と少なくとも透明対向電極層が
形成された第2のガラス基板とが、当該薄膜トランジス
タ層と当該透明対向電極層とを対向させて隣接配置され
た間隙部に液晶が封入された液晶表示パネルを製造する
に際し、当該液晶表示パネルの周縁部の少なくとも一部
に、当該第1のガラス基板に於ける当該薄膜トランジス
タ層若しくは当該薄膜トランジスタ層と協働する他の電
極層と当該第2のガラス基板に於ける当該透明対向電極
層とを電気的に接続する、少なくとも突起部、針状部、
角部、凹凸部から選択された一つの形状からなる応力集
中部が部分的に形成された粒状体を含んだトランスファ
ー部を形成する事を特徴とする液晶表示パネルの製造方
法。
11. A first glass substrate on which at least a thin film transistor layer is formed and a second glass substrate on which at least a transparent counter electrode layer is formed are adjacent to each other with the thin film transistor layer and the transparent counter electrode layer facing each other. When manufacturing a liquid crystal display panel in which liquid crystal is sealed in the arranged gap, at least a part of the periphery of the liquid crystal display panel is cooperated with the thin film transistor layer or the thin film transistor layer on the first glass substrate. At least a protruding portion, a needle-like portion, and the like, which electrically connect another working electrode layer and the transparent counter electrode layer on the second glass substrate.
A method for manufacturing a liquid crystal display panel, comprising forming a transfer portion including a granular material in which a stress concentration portion having one shape selected from a corner portion and an uneven portion is partially formed.
【請求項12】 当該トランスファー部を、当該粒状体
と熱硬化性樹脂成分とで構成する事を特徴とする請求項
11記載の液晶表示パネルの製造方法。
12. The method for manufacturing a liquid crystal display panel according to claim 11, wherein said transfer portion is composed of said granular material and a thermosetting resin component.
【請求項13】 当該粒状体の最大径Dは、当該第1の
ガラス基板と第2のガラス基板との間の間隙をdとする
と、D=d±αμm、α=1〜3μmの関係式で表され
ることを特徴とする請求項11又は12に記載の液晶表
示パネルの製造方法。
13. A relational expression of D = d ± αμm and α = 1 to 3 μm, where d is a gap between the first glass substrate and the second glass substrate. The method for manufacturing a liquid crystal display panel according to claim 11, wherein:
【請求項14】 当該α=2μmである事を特徴とする
請求項13記載の液晶表示パネルの製造方法。
14. The method for manufacturing a liquid crystal display panel according to claim 13, wherein said α = 2 μm.
【請求項15】 当該樹脂成分は、熱硬化性樹脂である
事を特徴とする請求項11記載の液晶表示パネルの製造
方法。
15. The method according to claim 11, wherein the resin component is a thermosetting resin.
【請求項16】 当該粒状体は、導電性を有するもので
ある事を特徴とする請求項11乃至15の何れかに記載
の液晶表示パネルの製造方法。
16. The method for manufacturing a liquid crystal display panel according to claim 11, wherein the granular material has conductivity.
【請求項17】 当該粒状体として、ニッケル、コバル
トから選択された金属粒子、またはプラスティック系粒
子に金属メッキを施した粒状体を使用するものである事
を特徴とする請求項16記載の液晶表示パネルの製造方
法。
17. The liquid crystal display according to claim 16, wherein the granular material is a metal particle selected from nickel and cobalt, or a granular material obtained by applying a metal plating to a plastic-based particle. Panel manufacturing method.
【請求項18】 当該第1のガラス基板と第2のガラス
基板とを対向させて互いに加圧処理を行うに際し、当該
第1のガラス基板に於ける当該薄膜トランジスタ層若し
くはCOM電極膜層及び当該第2のガラス基板に於ける
当該透明対向電極層上に形成された絶縁膜或いは酸化膜
の少なくとも一部を当該粒状体の当該応力集中部によっ
て破壊する事を特徴とする請求項11乃至17の何れか
に記載の液晶表示パネルの製造方法。
18. When the first glass substrate and the second glass substrate are opposed to each other and are subjected to a pressure treatment, the thin film transistor layer or the COM electrode film layer and the second glass substrate on the first glass substrate. 18. The glass substrate according to claim 11, wherein at least a part of the insulating film or the oxide film formed on the transparent counter electrode layer is broken by the stress concentration portion of the granular material. A method for manufacturing a liquid crystal display panel according to the above item.
JP20652799A 1999-07-21 1999-07-21 Liquid crystal display panel and manufacture thereof Pending JP2001033803A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20652799A JP2001033803A (en) 1999-07-21 1999-07-21 Liquid crystal display panel and manufacture thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20652799A JP2001033803A (en) 1999-07-21 1999-07-21 Liquid crystal display panel and manufacture thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001033803A true JP2001033803A (en) 2001-02-09

Family

ID=16524850

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20652799A Pending JP2001033803A (en) 1999-07-21 1999-07-21 Liquid crystal display panel and manufacture thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001033803A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014081661A (en) * 2007-05-18 2014-05-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method for manufacturing liquid crystal display

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014081661A (en) * 2007-05-18 2014-05-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method for manufacturing liquid crystal display

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2654940B2 (en) Manufacturing method of electro-optical element
TW567368B (en) Liquid crystal device and manufacturing method thereof
US8246894B2 (en) Flexible substrate, method of manufacturing display substrate, and method of manufacturing display panel
JPH0933933A (en) Liquid crystal display panel
JP2001033803A (en) Liquid crystal display panel and manufacture thereof
JPH08278489A (en) Production of liquid crystal display panel
JP2767145B2 (en) Liquid crystal element
JP3240805B2 (en) Liquid crystal panel and display device manufacturing method
JPH08136943A (en) Liquid crystal display device
JP2925618B2 (en) Liquid crystal display device
JP2753007B2 (en) Liquid crystal display manufacturing method
JPH10186395A (en) Liquid crystal display element
JPH0611720A (en) Production of liquid crystal cell and liquid crystal cell
JPH02310525A (en) Production of liquid crystal display device
JPH0398082A (en) Liquid crystal display panel
JP2001051259A (en) Production of substrate, production of optoelectronic device and the optoelectronic device
JP3473376B2 (en) Display panel
JPH06222317A (en) Production of liquid crystal display element
JP2001013508A (en) Manufacture of plastic liquid crystal display element
JPH07301815A (en) Liquid crystal display device and its production
JPH10268329A (en) Manufacture of liquid crystal display element
JP3206725B2 (en) Liquid crystal display device
JPH08328025A (en) Production of liquid crystal display device
JP2001117082A (en) Mother substrate for liquid crystal display
JPH05333347A (en) Liquid crystal display element and its production

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20030708