JP2001028471A - Ｆ２レーザシステム及びその動作制御方法 - Google Patents
Ｆ２レーザシステム及びその動作制御方法Info
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
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- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
- H01S3/134—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １５７ｎｍの単一パルスエネルギーを検出
し、それに基づいて動作制御可能なフッ素分子（Ｆ2）
レーザシステムを提供する。 【解決手段】 本発明によるＦ2レーザシステムは、レ
ーザ管１２内に含まれるフッ素分子気体利得媒質と、共
振空洞と、利得媒質を励起させて１５７ｎｍの紫外（Ｕ
Ｖ）放射光出力及び赤色放射光出力を含むレーザ光線を
生成する電源１０と、レーザ管１２に接続された放電モ
ジュール２０と、電源１０と放電モジュール２０を制御
する制御装置２９と、ＵＶ放射光の光学パラメータ測定
するためにレーザ光線の一部を受信し赤色放射光出力を
感知しないフォトダイアモンド検出器２６とを備える。
制御装置２９は検出器２６によって測定された光学パラ
メータに応じて電源１０による利得媒質の励起を修正
し、放電モジュール２０を使って利得媒質に追加及び排
出されるガスを修正する。
し、それに基づいて動作制御可能なフッ素分子（Ｆ2）
レーザシステムを提供する。 【解決手段】 本発明によるＦ2レーザシステムは、レ
ーザ管１２内に含まれるフッ素分子気体利得媒質と、共
振空洞と、利得媒質を励起させて１５７ｎｍの紫外（Ｕ
Ｖ）放射光出力及び赤色放射光出力を含むレーザ光線を
生成する電源１０と、レーザ管１２に接続された放電モ
ジュール２０と、電源１０と放電モジュール２０を制御
する制御装置２９と、ＵＶ放射光の光学パラメータ測定
するためにレーザ光線の一部を受信し赤色放射光出力を
感知しないフォトダイアモンド検出器２６とを備える。
制御装置２９は検出器２６によって測定された光学パラ
メータに応じて電源１０による利得媒質の励起を修正
し、放電モジュール２０を使って利得媒質に追加及び排
出されるガスを修正する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザ動作の検出技
術、特にＦ2フッ素分子レーザシステムのためのエネル
ギーモニタ及びその方法に関する。
術、特にＦ2フッ素分子レーザシステムのためのエネル
ギーモニタ及びその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明は、主に工業的フッ素分子
（Ｆ2）レーザ分野と、光学的リソグラフィ、焼きなま
し、マイクロ機械加工、フォト・アブレーション（phot
o-ablation）などにおけるＦ2レーザの応用に関する。
これらの応用に今日広く使用されるエキシマレーザに
は、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、
そしてＡｒＦ（１９３ｎｍ）が含まれる。しかしなが
ら、近い将来、非常に短い波長に基づくＦ2レーザ（１
５７ｎｍ）がより広く、特に０．１８ミクロン以下のフ
ォトリソグラフィへの応用に対して、使用されることに
なるであろう。短波長光子放出はリソグラフィへの応用
に対して有利である。なぜなら、リソグラフィを使用し
て作り出すことができる分解可能な特徴サイズを表す臨
界次元（ＣＤ）は波長に比例するからである。ＣＤがよ
り小さくなれば、マイクロプロセッサはより小さくかつ
より速くなり、大容量のＤＲＡＭをより小さなパッケー
ジに収めることができる。こうした短い波長における
７．９ｅＶの高光子放出エネルギーも、水晶、合成水晶
（ＳｉＯ3）、テフロン（登録商標）（ＰＴＦＥ）、及
びシリコンなどのバンドギャップが高い物質に容易に吸
収され、その結果、Ｆ2レーザは多種多様な材料処理に
応用できるより大きな可能性を持つ。
（Ｆ2）レーザ分野と、光学的リソグラフィ、焼きなま
し、マイクロ機械加工、フォト・アブレーション（phot
o-ablation）などにおけるＦ2レーザの応用に関する。
これらの応用に今日広く使用されるエキシマレーザに
は、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、
そしてＡｒＦ（１９３ｎｍ）が含まれる。しかしなが
ら、近い将来、非常に短い波長に基づくＦ2レーザ（１
５７ｎｍ）がより広く、特に０．１８ミクロン以下のフ
ォトリソグラフィへの応用に対して、使用されることに
なるであろう。短波長光子放出はリソグラフィへの応用
に対して有利である。なぜなら、リソグラフィを使用し
て作り出すことができる分解可能な特徴サイズを表す臨
界次元（ＣＤ）は波長に比例するからである。ＣＤがよ
り小さくなれば、マイクロプロセッサはより小さくかつ
より速くなり、大容量のＤＲＡＭをより小さなパッケー
ジに収めることができる。こうした短い波長における
７．９ｅＶの高光子放出エネルギーも、水晶、合成水晶
（ＳｉＯ3）、テフロン（登録商標）（ＰＴＦＥ）、及
びシリコンなどのバンドギャップが高い物質に容易に吸
収され、その結果、Ｆ2レーザは多種多様な材料処理に
応用できるより大きな可能性を持つ。
【０００３】利得を強化し、パルス幅をより長くし、パ
ルスからパルスへの安定度をより改良し、寿命をより延
ばすための重要な改良がＦ2レーザの開発においてなさ
れてきた。こうした改良は、米国特許出願番号０９／３
４３，３３３、０９／３１７，５２６、０９／３１７，
５２７、０９／３１７，６９５、及び６０／１４０，５
３０明細書に記述されている。詳細についてはこれらを
参照されたい。
ルスからパルスへの安定度をより改良し、寿命をより延
ばすための重要な改良がＦ2レーザの開発においてなさ
れてきた。こうした改良は、米国特許出願番号０９／３
４３，３３３、０９／３１７，５２６、０９／３１７，
５２７、０９／３１７，６９５、及び６０／１４０，５
３０明細書に記述されている。詳細についてはこれらを
参照されたい。
【０００４】多くの工業的応用や実験室的応用におい
て、エキシマレーザとフッ素分（Ｆ2）子レーザは、レ
ーザの出力パワーを、前もって設定可能なパワーまたは
エネルギーレベルに、積極的に調整かつ安定化する動作
方式で使用される。積極的安定化では一般に、Ｆ2ガス
を励起させる高電圧を駆動し、ガス制御システムを操作
するための制御構成部品に接続されたエネルギー検出器
が使用される。こうして、駆動電圧とガス注入／補充は
出力エネルギーを安定化するよう積極的に調整される。
こうしたことは、出力エネルギー値が入力高電圧とレー
ザ管における正確なガス混合に依存するために可能であ
る。従って、出力エネルギーの変動は高電圧及び／また
はレーザガス混合を調整することにより補正できる。詳
細については、米国特許出願番号０９／３７９，０３
４、６０／１２３，９２８と６０／１２４，７８５明細
書（これらに開示された技術は、ハロゲン減損に基づい
て出力エネルギーを補正する技術で、制限された電圧範
囲における高電圧調整と共にガス補充も含む）に記述さ
れている。これらの特許出願はそれぞれ本出願と同一の
譲受人に譲渡された。速く信頼できるエネルギーモニタ
は、エキシマレーザの必要とされるパルスエネルギー制
御にとって非常に重要な基本モジュールである。光学的
リソグラフィにおける１９３ｎｍＡｒＦエキシマレーザ
と２４８ｎｍＫｒＦエキシマレーザのほとんどの応用に
は、高精度のパルス間調整（pulse-to-pulse regulatio
n）が行われるエネルギー投入量（energy dose）制御が
必要とされる。
て、エキシマレーザとフッ素分（Ｆ2）子レーザは、レ
ーザの出力パワーを、前もって設定可能なパワーまたは
エネルギーレベルに、積極的に調整かつ安定化する動作
方式で使用される。積極的安定化では一般に、Ｆ2ガス
を励起させる高電圧を駆動し、ガス制御システムを操作
するための制御構成部品に接続されたエネルギー検出器
が使用される。こうして、駆動電圧とガス注入／補充は
出力エネルギーを安定化するよう積極的に調整される。
こうしたことは、出力エネルギー値が入力高電圧とレー
ザ管における正確なガス混合に依存するために可能であ
る。従って、出力エネルギーの変動は高電圧及び／また
はレーザガス混合を調整することにより補正できる。詳
細については、米国特許出願番号０９／３７９，０３
４、６０／１２３，９２８と６０／１２４，７８５明細
書（これらに開示された技術は、ハロゲン減損に基づい
て出力エネルギーを補正する技術で、制限された電圧範
囲における高電圧調整と共にガス補充も含む）に記述さ
れている。これらの特許出願はそれぞれ本出願と同一の
譲受人に譲渡された。速く信頼できるエネルギーモニタ
は、エキシマレーザの必要とされるパルスエネルギー制
御にとって非常に重要な基本モジュールである。光学的
リソグラフィにおける１９３ｎｍＡｒＦエキシマレーザ
と２４８ｎｍＫｒＦエキシマレーザのほとんどの応用に
は、高精度のパルス間調整（pulse-to-pulse regulatio
n）が行われるエネルギー投入量（energy dose）制御が
必要とされる。
【０００５】様々な理由からエキシマレーザの他の出力
光線パラメータがモニタされる必要がある。こうした出
力パラメータとしては例えば、光線輪郭、バンド幅、波
長、エネルギー安定度、パルス形状、そしてパルス持続
時間などがある。特に、レーザを、その動作中、特に出
力光線が小さな構造のフォトリソグラフィといった正確
な工業処理に使用されている最中に制御するための帰還
機構（feedback mechanism）を実現するために、これら
のパラメータのいずれかがモニタされることが望まし
い。
光線パラメータがモニタされる必要がある。こうした出
力パラメータとしては例えば、光線輪郭、バンド幅、波
長、エネルギー安定度、パルス形状、そしてパルス持続
時間などがある。特に、レーザを、その動作中、特に出
力光線が小さな構造のフォトリソグラフィといった正確
な工業処理に使用されている最中に制御するための帰還
機構（feedback mechanism）を実現するために、これら
のパラメータのいずれかがモニタされることが望まし
い。
【０００６】Ｆ2分子のほぼ１５７ｎｍのＵＶレーザ放
射光にはさらに可視スペクトルの赤色領域にあるレーザ
放射光出力が伴うことが観測されている。この可視光は
励起したフッ素分子から発せられる（原子遷移）。出力
光線のＵＶ（１５７ｎｍ）部分のパラメータと、特にエ
ネルギーが付随する赤外放出スペクトルによって妨害さ
れることなくモニタできるＦ2レーザを持つことが望ま
しい。
射光にはさらに可視スペクトルの赤色領域にあるレーザ
放射光出力が伴うことが観測されている。この可視光は
励起したフッ素分子から発せられる（原子遷移）。出力
光線のＵＶ（１５７ｎｍ）部分のパラメータと、特にエ
ネルギーが付随する赤外放出スペクトルによって妨害さ
れることなくモニタできるＦ2レーザを持つことが望ま
しい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】レーザは今後波長がま
すます短くなる傾向にあるので、出力エネルギー、パル
ス幅などをモニタすることは、特に主たるＵＶ出力に付
随する可視または赤外光を含むこうしたレーザシステム
では、ますます問題がある。特に、シリコンフォトダイ
オードは、一般にエキシマレーザに対して信頼できる速
いエネルギーモニタ（時々、ＵＶ感度が強化され、ある
いはＵＶ放射光をＳｉフォトダイオードのより敏感な可
視スペクトル領域にダウンコンバートする燐被覆物によ
って覆われる）として使用されている。しかしながら、
ＳｉフォトダイオードはＵＶ光に対するスペクトル応答
が低いが、その一方、可視光と赤外光に対してはより高
いスペクトル応答を有する。それ故に、レーザ出力の可
視成分または赤外成分のどれもが出力測定値に不釣り合
いに影響する。このことは特に６２０ｎｍから７６０ｎ
ｍまでの赤色放出を有するＦ2レーザにはとって問題で
ある。Ｓｉフォトダイオードの別の問題は、強ＵＶ放射
光にさらされると急速に劣化するという点である。強Ｕ
Ｖ放射光にさらされることは、この検出度が低い領域で
適当な検出レベルを実現するために必要とされる。
すます短くなる傾向にあるので、出力エネルギー、パル
ス幅などをモニタすることは、特に主たるＵＶ出力に付
随する可視または赤外光を含むこうしたレーザシステム
では、ますます問題がある。特に、シリコンフォトダイ
オードは、一般にエキシマレーザに対して信頼できる速
いエネルギーモニタ（時々、ＵＶ感度が強化され、ある
いはＵＶ放射光をＳｉフォトダイオードのより敏感な可
視スペクトル領域にダウンコンバートする燐被覆物によ
って覆われる）として使用されている。しかしながら、
ＳｉフォトダイオードはＵＶ光に対するスペクトル応答
が低いが、その一方、可視光と赤外光に対してはより高
いスペクトル応答を有する。それ故に、レーザ出力の可
視成分または赤外成分のどれもが出力測定値に不釣り合
いに影響する。このことは特に６２０ｎｍから７６０ｎ
ｍまでの赤色放出を有するＦ2レーザにはとって問題で
ある。Ｓｉフォトダイオードの別の問題は、強ＵＶ放射
光にさらされると急速に劣化するという点である。強Ｕ
Ｖ放射光にさらされることは、この検出度が低い領域で
適当な検出レベルを実現するために必要とされる。
【０００８】レーザ管の放電から放出されるある特定の
波長、特にＦ2レーザの寄生する赤色／赤外レーザ光、
を選択的に抑える試みがなされてきた。単一経路上で赤
色放射光をＵＶ放射光から分離するための適当なカット
オフ（切り捨て）被覆物またはフィルタが欠けているた
めに、多重経路光線配送システムが設計されてきた。し
かしながら、光線経路はミラーの位置合わせミスや多数
の光学的光線操舵ミラーの被覆物の劣化に敏感である。
格子もまたＵＶ放射光から赤色放射光を分離するために
使用されてきたが、しかしこれもあまり成功していな
い。
波長、特にＦ2レーザの寄生する赤色／赤外レーザ光、
を選択的に抑える試みがなされてきた。単一経路上で赤
色放射光をＵＶ放射光から分離するための適当なカット
オフ（切り捨て）被覆物またはフィルタが欠けているた
めに、多重経路光線配送システムが設計されてきた。し
かしながら、光線経路はミラーの位置合わせミスや多数
の光学的光線操舵ミラーの被覆物の劣化に敏感である。
格子もまたＵＶ放射光から赤色放射光を分離するために
使用されてきたが、しかしこれもあまり成功していな
い。
【０００９】他のタイプの検出器もＵＶ検出に使用され
てきたが、あまり成功していない。例えば、真空フォト
ダイオードがＵＶレーザ出力を測定するために使用され
てきた。しかしながら、真空フォトダイオードは扱いに
くく、高価になりがちで、老化に影響されやすい陰極層
を通過する。電子解離エネルギーを光子の量子エネルギ
ーに一致させるための陰極を被覆するために特別な高価
な材料が選択されたとしても、動作させるために高い真
空と高電圧が必要とされ、それ故にＴＴＬ電圧レベルで
の電気信号処理にとって便利ではない。熱伝対列（ther
mopiles）は容易に低いＵＶ出力を測定することができ
るが、しかし高い繰り返し率において単一パルスを検出
できるほど十分に速くはない。
てきたが、あまり成功していない。例えば、真空フォト
ダイオードがＵＶレーザ出力を測定するために使用され
てきた。しかしながら、真空フォトダイオードは扱いに
くく、高価になりがちで、老化に影響されやすい陰極層
を通過する。電子解離エネルギーを光子の量子エネルギ
ーに一致させるための陰極を被覆するために特別な高価
な材料が選択されたとしても、動作させるために高い真
空と高電圧が必要とされ、それ故にＴＴＬ電圧レベルで
の電気信号処理にとって便利ではない。熱伝対列（ther
mopiles）は容易に低いＵＶ出力を測定することができ
るが、しかし高い繰り返し率において単一パルスを検出
できるほど十分に速くはない。
【００１０】１５７ｎｍにおける単一パルスエネルギー
を、それに付随する赤色放射光によって逆影響されるこ
となく検出することが可能な適当な速いエネルギー検出
器が必要とされる。またその検出器は、より高い繰り返
し率において、ＵＶ照射が原因で早期に劣化することな
く、エネルギー調整できるほど十分に速いことが望まれ
る。
を、それに付随する赤色放射光によって逆影響されるこ
となく検出することが可能な適当な速いエネルギー検出
器が必要とされる。またその検出器は、より高い繰り返
し率において、ＵＶ照射が原因で早期に劣化することな
く、エネルギー調整できるほど十分に速いことが望まれ
る。
【００１１】そこで本発明の課題は以上のような望まし
い特性を有する検出器を備えたレーザシステムと、その
検出器を利用してレーザシステムの動作を制御するため
の方法を提供することにある。
い特性を有する検出器を備えたレーザシステムと、その
検出器を利用してレーザシステムの動作を制御するため
の方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
し得るＦ2レーザシステムを提供する。このＦ2レーザシ
ステムは、レーザ光線のＵＶ放射光のみを測定するフォ
トダイアモンド検出器（photo diamond detector）を利
用する。フォトダイアモンド検出器は１ｋＨｚ以上の高
パルスエネルギーをＵＶ照射による早期劣化なしに測定
するのに十分な速さを持つ。
し得るＦ2レーザシステムを提供する。このＦ2レーザシ
ステムは、レーザ光線のＵＶ放射光のみを測定するフォ
トダイアモンド検出器（photo diamond detector）を利
用する。フォトダイアモンド検出器は１ｋＨｚ以上の高
パルスエネルギーをＵＶ照射による早期劣化なしに測定
するのに十分な速さを持つ。
【００１３】本発明によるＦ2レーザシステムは、共振
空洞内に置かれたフッ素分子（Ｆ2）利得媒質と、利得
媒質を励起させて、実質的に１５７ｎｍにおける紫外
（ＵＶ）放射光出力と、６２０ｎｍから７６０ｎｍまで
の波長範囲にある赤色放射光出力とを含むレーザ光線を
生成するための電源と、ＵＶ放射光の少なくとも一つの
光学パラメータを測定するためにレーザ光線の一部を受
信するためのフォトダイアモンド検出器とを備える。こ
のフォトダイアモンド検出器はレーザ光線の赤色放射光
出力を実質的に感知しないように構成される。
空洞内に置かれたフッ素分子（Ｆ2）利得媒質と、利得
媒質を励起させて、実質的に１５７ｎｍにおける紫外
（ＵＶ）放射光出力と、６２０ｎｍから７６０ｎｍまで
の波長範囲にある赤色放射光出力とを含むレーザ光線を
生成するための電源と、ＵＶ放射光の少なくとも一つの
光学パラメータを測定するためにレーザ光線の一部を受
信するためのフォトダイアモンド検出器とを備える。こ
のフォトダイアモンド検出器はレーザ光線の赤色放射光
出力を実質的に感知しないように構成される。
【００１４】本発明は共振空洞内にフッ素分子（Ｆ2）
利得媒質が置かれたＦ2フッ素分子レーザシステムの動
作を制御するための方法も提供する。この方法は、フッ
素分子利得媒質を励起させて、実質的に１５７ｎｍにあ
る紫外（ＵＶ）放射光出力と、６２０ｎｍから７６０ｎ
ｍまでの波長範囲にある赤色放射光出力とを含むレーザ
光線を生成するステップと、レーザ光線の一部をフォト
ダイアモンド検出器に向けるステップと、フォトダイア
モンド検出器を使用してＵＶ放射光の少なくとも一つの
光学パラメータを測定するステップとを有する。このフ
ォトダイアモンド検出器はレーザ光線の赤色放射光出力
を実質的に感知しないように構成される。
利得媒質が置かれたＦ2フッ素分子レーザシステムの動
作を制御するための方法も提供する。この方法は、フッ
素分子利得媒質を励起させて、実質的に１５７ｎｍにあ
る紫外（ＵＶ）放射光出力と、６２０ｎｍから７６０ｎ
ｍまでの波長範囲にある赤色放射光出力とを含むレーザ
光線を生成するステップと、レーザ光線の一部をフォト
ダイアモンド検出器に向けるステップと、フォトダイア
モンド検出器を使用してＵＶ放射光の少なくとも一つの
光学パラメータを測定するステップとを有する。このフ
ォトダイアモンド検出器はレーザ光線の赤色放射光出力
を実質的に感知しないように構成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の好ましい実施の態様について詳細に説明する。本発明
によるフッ素分子Ｆ2レーザシステム１は積極的にレー
ザシステムエネルギーを検出、調整及び安定化を行うた
めのＵＶ感フォトダイアモンド検出器を備える。
の好ましい実施の態様について詳細に説明する。本発明
によるフッ素分子Ｆ2レーザシステム１は積極的にレー
ザシステムエネルギーを検出、調整及び安定化を行うた
めのＵＶ感フォトダイアモンド検出器を備える。
【００１６】図１はＦ2レーザシステム１を示してい
る。このレーザシステムはレーザ管１２内のフッ素分子
気体利得媒質を励起させて共振空洞（これは高反射性ミ
ラー１６と出力ミラー（output coupling mirror）１８
で確定される）内で振動するレーザ光線１４を生成する
電源１０を備える。振動するレーザ光線１４の一部は出
力ミラー１８を通過して、主に１５７ｎｍにおける紫外
（ＵＶ）放射光を含むが６２０ｎｍから７６０ｎｍまで
の波長範囲にある赤色放射光（red radiation）も含む
出力光線２２を形成する。当該分野で周知の放電モジュ
ール２０は周期的にガスを注入及び排出して望ましいガ
ス圧とガス混合を実現する。出力光線２２のごく一部は
ビームスプリッタ２４によってフォトダイアモンド検出
器２６へ向け直される。フォトダイアモンド検出器組立
品（photo diamond detector assembly）２６は、パワ
ー、パルスエネルギー、エネルギー投入量（energy dos
e）、バンド幅、パルス形状などといった出力光線２２
の様々な光学パラメータを測定する。フォトダイアモン
ド検出器組立品２６は、信号処理ユニット２８に結合す
る出力を含む。また信号処理ユニット２８は、フォトダ
イアモンド検出器組立品２６によって測定された出力光
線パラメータに応じて電源１０と放電モジュール２０の
動作を制御する制御装置２９に接続される。シリコン検
出器で使用される信号処理ユニット２８と制御装置２９
は当該分野では周知であるので、これ以上詳しいことは
ここでは説明されない。
る。このレーザシステムはレーザ管１２内のフッ素分子
気体利得媒質を励起させて共振空洞（これは高反射性ミ
ラー１６と出力ミラー（output coupling mirror）１８
で確定される）内で振動するレーザ光線１４を生成する
電源１０を備える。振動するレーザ光線１４の一部は出
力ミラー１８を通過して、主に１５７ｎｍにおける紫外
（ＵＶ）放射光を含むが６２０ｎｍから７６０ｎｍまで
の波長範囲にある赤色放射光（red radiation）も含む
出力光線２２を形成する。当該分野で周知の放電モジュ
ール２０は周期的にガスを注入及び排出して望ましいガ
ス圧とガス混合を実現する。出力光線２２のごく一部は
ビームスプリッタ２４によってフォトダイアモンド検出
器２６へ向け直される。フォトダイアモンド検出器組立
品（photo diamond detector assembly）２６は、パワ
ー、パルスエネルギー、エネルギー投入量（energy dos
e）、バンド幅、パルス形状などといった出力光線２２
の様々な光学パラメータを測定する。フォトダイアモン
ド検出器組立品２６は、信号処理ユニット２８に結合す
る出力を含む。また信号処理ユニット２８は、フォトダ
イアモンド検出器組立品２６によって測定された出力光
線パラメータに応じて電源１０と放電モジュール２０の
動作を制御する制御装置２９に接続される。シリコン検
出器で使用される信号処理ユニット２８と制御装置２９
は当該分野では周知であるので、これ以上詳しいことは
ここでは説明されない。
【００１７】１５７ｎｍＵＶ出力は大気にかなり吸収さ
れる。それ故に、出力光線２２は、不活性ガスによって
浄化される光線筐体（beam enclosure）３０内に密閉さ
れる。金属製ベローズ（bellows）３１も、ミラー１６
／１８からレーザ管１２にかけて漏れ止めするばかりで
なく、光線筐体３０の密閉性（hrmetic seal）を保持す
る。ビームスプリッタ２４は好ましくは被覆されていな
いＣａＦ2プレートから作られ、出力光線２２のほぼ１
０％をフォトダイアモンド検出器組立品２６に向ける。
れる。それ故に、出力光線２２は、不活性ガスによって
浄化される光線筐体（beam enclosure）３０内に密閉さ
れる。金属製ベローズ（bellows）３１も、ミラー１６
／１８からレーザ管１２にかけて漏れ止めするばかりで
なく、光線筐体３０の密閉性（hrmetic seal）を保持す
る。ビームスプリッタ２４は好ましくは被覆されていな
いＣａＦ2プレートから作られ、出力光線２２のほぼ１
０％をフォトダイアモンド検出器組立品２６に向ける。
【００１８】本発明によるフォトダイアモンド検出器組
立品２６は図２に最良に示されれている。そこに示され
ているように、それは様々なアルミニウム金属筐体部分
３６，３８，４０及び漏れ止め（seal）４２，４４、４
６を有する密閉された筐体３４内部に取り付けられたフ
ォトダイアモンド検出器３２を含む。ステンレス製金網
４８は検出器信号のＥＭＩ外乱を防止するために検出器
３２の入口面（entrance face）上に取り付けられる
（ファラデー・ケージ）。金網４８は送られたエネルギ
を選択的に調整するために異なったメッシュ・ワイヤ密
度を有することができる。拡散プレート５０、好ましく
は散乱ＣａＦ2プレート、も検出器３２の入口面上に取
り付けられ、入射光を拡散して光線移動と測定された出
力に対する輪郭効果を最小化する。使用可能な他の散乱
プレートには、ＭｇＦ2、水晶（quartz）または石英ガ
ラス（fused silica）、及びグレーデッド形ＬｉＦ（gr
adedLiF）から作られたプレートが含まれる。フォトダ
イアモンド検出器３２は、検出器３２の信号を密閉され
た筐体３４から外部の信号処理ユニット２８に接続する
ための対形ＢＮＣ（twin BNC-plug）プラグ５２に電気
接続される。
立品２６は図２に最良に示されれている。そこに示され
ているように、それは様々なアルミニウム金属筐体部分
３６，３８，４０及び漏れ止め（seal）４２，４４、４
６を有する密閉された筐体３４内部に取り付けられたフ
ォトダイアモンド検出器３２を含む。ステンレス製金網
４８は検出器信号のＥＭＩ外乱を防止するために検出器
３２の入口面（entrance face）上に取り付けられる
（ファラデー・ケージ）。金網４８は送られたエネルギ
を選択的に調整するために異なったメッシュ・ワイヤ密
度を有することができる。拡散プレート５０、好ましく
は散乱ＣａＦ2プレート、も検出器３２の入口面上に取
り付けられ、入射光を拡散して光線移動と測定された出
力に対する輪郭効果を最小化する。使用可能な他の散乱
プレートには、ＭｇＦ2、水晶（quartz）または石英ガ
ラス（fused silica）、及びグレーデッド形ＬｉＦ（gr
adedLiF）から作られたプレートが含まれる。フォトダ
イアモンド検出器３２は、検出器３２の信号を密閉され
た筐体３４から外部の信号処理ユニット２８に接続する
ための対形ＢＮＣ（twin BNC-plug）プラグ５２に電気
接続される。
【００１９】フォトダイアモンド検出器３２は内部光起
電力効果（internal photovoltaiceffect）（すなわち
ダイアモンドの価電子帯と伝導帯との間の電子遷移）に
基づく感光レジスタ（photosensitive resistor）であ
る。高純度ダイアモンド結晶のバンドギャップは非常に
大きい（例えば＞５．５ｅＶ）ので、ＵＶ範囲の光子の
みが量子遷移を引き起こすことができる。それ故に、フ
ォトダイアモンド検出器３２は自然にソーラーブライン
ドであって、それは約２２５ｎｍより長い波長は基本的
に感知しないことを意味する。好ましい実施態様では、
特別に設計されたがしかしセントロニック社（Centroni
c Ltd.）から商用的に入手可能なＵＶ光検出器が使用さ
れる。短ＵＶ波長領域における感度全体は現在までのと
ころ正確には知られておらず、なお調査中である。図３
はダイアモンド感光レジスタの既知のスペクトル応答
を、ＵＶ強化（enhanced）シリコン・フォトダイオード
と比較して示した図である。実験的に、フォトダイアモ
ンド検出器は１５７ｎｍ波長の照射において一層よく働
き、０．１ｍＪ以下または０．００１ｍＪのエネルギー
レベルにおいて１００ｍＶレベル以上の有効な高信号レ
ベルを生み出すことが確認されている。ダイアモンドに
基づく検出器がこうした短い波長において十分な感度と
十分に速い応答時間を示すかどうかといったことは以前
では知られていなかった。
電力効果（internal photovoltaiceffect）（すなわち
ダイアモンドの価電子帯と伝導帯との間の電子遷移）に
基づく感光レジスタ（photosensitive resistor）であ
る。高純度ダイアモンド結晶のバンドギャップは非常に
大きい（例えば＞５．５ｅＶ）ので、ＵＶ範囲の光子の
みが量子遷移を引き起こすことができる。それ故に、フ
ォトダイアモンド検出器３２は自然にソーラーブライン
ドであって、それは約２２５ｎｍより長い波長は基本的
に感知しないことを意味する。好ましい実施態様では、
特別に設計されたがしかしセントロニック社（Centroni
c Ltd.）から商用的に入手可能なＵＶ光検出器が使用さ
れる。短ＵＶ波長領域における感度全体は現在までのと
ころ正確には知られておらず、なお調査中である。図３
はダイアモンド感光レジスタの既知のスペクトル応答
を、ＵＶ強化（enhanced）シリコン・フォトダイオード
と比較して示した図である。実験的に、フォトダイアモ
ンド検出器は１５７ｎｍ波長の照射において一層よく働
き、０．１ｍＪ以下または０．００１ｍＪのエネルギー
レベルにおいて１００ｍＶレベル以上の有効な高信号レ
ベルを生み出すことが確認されている。ダイアモンドに
基づく検出器がこうした短い波長において十分な感度と
十分に速い応答時間を示すかどうかといったことは以前
では知られていなかった。
【００２０】フォトダイアモンド検出器３２を使用すれ
ば、１５７ｎｍＵＶ放射に伴う赤色レーザ放出を抑える
ための特殊な高級な手段は一切必要とされない。従っ
て、シンプルな光線配送システムが使用でき、エネルギ
ーのモニタリングは１５７ｎｍＦ2レーザの動作を望ま
しいパルスエネルギーレベルに調整し安定化するのに非
常に便利で適合し得るものである。
ば、１５７ｎｍＵＶ放射に伴う赤色レーザ放出を抑える
ための特殊な高級な手段は一切必要とされない。従っ
て、シンプルな光線配送システムが使用でき、エネルギ
ーのモニタリングは１５７ｎｍＦ2レーザの動作を望ま
しいパルスエネルギーレベルに調整し安定化するのに非
常に便利で適合し得るものである。
【００２１】フォトダイアモンド検出器を使用すること
には、固有トラップの度合いが非常に低いために感熱度
が低いといった、他の多くの利点がある。ダイアモンド
はダメージを受ける閾値が比較的高い（３３８ｎｍにお
いて〜１ＧＷ／ｃｍ2）。この種の光検出器の長期安定
度は、１５７ｎｍ照射（１５億以上のレーザショットの
間持続する）に対して、一般的なＳｉフォトダイオード
または複葉形（biplanar）真空フォトダイオードの安定
度よりも何桁も大きいことも期待される。フォトダイア
モンド検出器は熱伝導度が高く（２０Ｗ／ｃｍＫ）、フ
ォトダイアモンドプレートは非常に薄いために、このエ
ネルギーモニタは高い平均パワーレベルを容認すること
ができ、それ故に高い繰り返し率での１５７ｎｍパルス
検出にとって有用であることが期待される。実験的に、
フォトダイアモンド検出器は少なくとも最大１ｋＨｚの
繰り返し率まで動作できることが確認されている。さら
に、フォトダイアモンド検出器の線形性はすばらしく、
このことは高解像度エネルギーモニタにとって重要であ
る。さらに驚くべきことは、フォトダイアモンド検出器
の応答時間が１５７ｎｍにおいて形式上想定されるより
もずっと短いということが発見されたことである。フォ
トダイアモンド検出器をオシロスコープによる１５７ｎ
ｍパルスの直接的な波形検出に適用したところ、レーザ
パルス形状と、１５７ｎｍパルスの内部構造さえ決定す
る（resolve）ことができることが示された。従って、
検出器の時定数は１５７ｎｍでのレーザパルス照射に対
して５ｎｓ（ナノ秒）未満であるべきである。ダイアモ
ンド薄膜フォトレジスタ（光導電体）の熱的ノイズは無
視可能である。暗電流は、ダイアモンドの固有バンドギ
ャップが大きいために、常温における信号と比較して少
なくとも１０-6因子分だけ小さい。さらに、フォトダイ
アモンド検出器の長期信頼度は１５７ｎｍ照射に対し
て、一般的なＳｉフォトダイオードよりもずっと高いこ
とが期待されている。フォトダイアモンド検出器は最小
１０-6ミリバールまでの真空レベルで使用可能である。
には、固有トラップの度合いが非常に低いために感熱度
が低いといった、他の多くの利点がある。ダイアモンド
はダメージを受ける閾値が比較的高い（３３８ｎｍにお
いて〜１ＧＷ／ｃｍ2）。この種の光検出器の長期安定
度は、１５７ｎｍ照射（１５億以上のレーザショットの
間持続する）に対して、一般的なＳｉフォトダイオード
または複葉形（biplanar）真空フォトダイオードの安定
度よりも何桁も大きいことも期待される。フォトダイア
モンド検出器は熱伝導度が高く（２０Ｗ／ｃｍＫ）、フ
ォトダイアモンドプレートは非常に薄いために、このエ
ネルギーモニタは高い平均パワーレベルを容認すること
ができ、それ故に高い繰り返し率での１５７ｎｍパルス
検出にとって有用であることが期待される。実験的に、
フォトダイアモンド検出器は少なくとも最大１ｋＨｚの
繰り返し率まで動作できることが確認されている。さら
に、フォトダイアモンド検出器の線形性はすばらしく、
このことは高解像度エネルギーモニタにとって重要であ
る。さらに驚くべきことは、フォトダイアモンド検出器
の応答時間が１５７ｎｍにおいて形式上想定されるより
もずっと短いということが発見されたことである。フォ
トダイアモンド検出器をオシロスコープによる１５７ｎ
ｍパルスの直接的な波形検出に適用したところ、レーザ
パルス形状と、１５７ｎｍパルスの内部構造さえ決定す
る（resolve）ことができることが示された。従って、
検出器の時定数は１５７ｎｍでのレーザパルス照射に対
して５ｎｓ（ナノ秒）未満であるべきである。ダイアモ
ンド薄膜フォトレジスタ（光導電体）の熱的ノイズは無
視可能である。暗電流は、ダイアモンドの固有バンドギ
ャップが大きいために、常温における信号と比較して少
なくとも１０-6因子分だけ小さい。さらに、フォトダイ
アモンド検出器の長期信頼度は１５７ｎｍ照射に対し
て、一般的なＳｉフォトダイオードよりもずっと高いこ
とが期待されている。フォトダイアモンド検出器は最小
１０-6ミリバールまでの真空レベルで使用可能である。
【００２２】図４はフォトダイアモンド検出器と高時間
解像度（２０ｎｓ／目盛り（division），２００ｍＶ／
目盛り（division））のオシロスコープによって測定さ
れた１５７ｎｍＦ2レーザのパルス波形を示している。
波形は１ｋＨｚのレーザ繰り返し率で検出された。これ
によって、フォトダイアモンド検出器が１５７ｎｍにお
いて非常に短い時定数を有するという、予期しなかった
驚くべき結果が実証された。短い時定数によって、５ｎ
ｓ未満の解像度での適当な高電圧レベルにおける１５７
ｎｍ波形（波形内で単一往復を分解することによって見
られる）のリアルタイムの表示（registration）が可能
になる。
解像度（２０ｎｓ／目盛り（division），２００ｍＶ／
目盛り（division））のオシロスコープによって測定さ
れた１５７ｎｍＦ2レーザのパルス波形を示している。
波形は１ｋＨｚのレーザ繰り返し率で検出された。これ
によって、フォトダイアモンド検出器が１５７ｎｍにお
いて非常に短い時定数を有するという、予期しなかった
驚くべき結果が実証された。短い時定数によって、５ｎ
ｓ未満の解像度での適当な高電圧レベルにおける１５７
ｎｍ波形（波形内で単一往復を分解することによって見
られる）のリアルタイムの表示（registration）が可能
になる。
【００２３】本明細書及び図面に記述された特定の実施
態様は本発明の範囲を限定することを意図するものでは
なく、あくまでも説明目的のため本発明の具体例として
提供された。従って、本発明の特許請求の範囲を逸脱す
ることなく、上に説明された以外の様々な変更と修正が
可能である。例えば、フォトダイアモンド検出器は共振
空洞から出ている出力光線の代わりに共振空洞内を振動
する空洞内レーザ光線の一部をサンプリングする場合も
ある。さらに制御装置２９は図１に示されたような分離
した単一ユニット、または電源１０及び放電モジュール
２０と一体となった部品の別個の構成部品でよい。
態様は本発明の範囲を限定することを意図するものでは
なく、あくまでも説明目的のため本発明の具体例として
提供された。従って、本発明の特許請求の範囲を逸脱す
ることなく、上に説明された以外の様々な変更と修正が
可能である。例えば、フォトダイアモンド検出器は共振
空洞から出ている出力光線の代わりに共振空洞内を振動
する空洞内レーザ光線の一部をサンプリングする場合も
ある。さらに制御装置２９は図１に示されたような分離
した単一ユニット、または電源１０及び放電モジュール
２０と一体となった部品の別個の構成部品でよい。
【図１】本発明によるＦ2フッ素分子レーザの略構成
図。
図。
【図２】本発明のフォトダイアモンド検出器組立品の側
断面図。
断面図。
【図３】フォトダイアモンド検出器とＵＶ強化シリコン
検出器のスペクトル応答のグラフを示した図。
検出器のスペクトル応答のグラフを示した図。
【図４】本発明によるフォトダイアモンド検出器によっ
て測定された１５７ｎｍＦ2レーザパルスのグラフを示
した図。
て測定された１５７ｎｍＦ2レーザパルスのグラフを示
した図。
１０ 電源 １２ レーザ管 １４ レーザ光線 １８ 出力ミラー １６ 高反射ミラー ２０ 放電モジュール ２２ 出力光線 ２４ ビームスプリッタ ２６ フォトダイアモンド検出器組立品 ２８ 信号処理ユニット ２９ 制御装置 ３４ 密閉筐体 ３６，３８，４０ アルミニウム金属筐体部分 ４２，４４，４６ 漏れ止め ４８ 金網 ５０ 拡散プレート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 591283936 ラムダ・フィジーク・ゲゼルシャフト・ツ ァ・ヘルシュテルンク・フォン・ラーゼル ン・ミット・ベシュレンクテル・ハフツン グ ＬＡＭＢＤＡ ＰＨＹＳＩＫ ＧＥＳＥＬ ＬＳＣＨＡＦＴ ＺＵＲ ＨＥＲＳＴＥＬ ＬＵＮＧ ＶＯＮ ＬＡＳＥＲＮ ＭＩＴ ＢＥＳＣＨＲＡＮＫＴＥＲ ＨＡＦＴＵ ＮＧ ドイツ連邦共和国、37079 ゲッティンゲ ン、ハンス−ベックラー−シュトラーセ 12 (72)発明者 クラウス・フォーグラー ドイツ連邦共和国、37081 ゲッティンゲ ン、リヒテンヴァルダー・シュトラーセ 13
Claims (15)
- 【請求項１】 共振空洞内に置かれたフッ素分子
（Ｆ2）利得媒質と、 前記利得媒質を励起させて、実質的に１５７ｎｍにある
紫外（ＵＶ）放射光出力と、６２０ｎｍから７６０ｎｍ
までの波長範囲にある赤色放射光出力とを含むレーザ光
線を生成するための電源と、 前記レーザ光線の一部を受信して、前記ＵＶ放射光の少
なくとも一つの光学パラメータを測定するためのフォト
ダイアモンド検出器とを備え、 前記フォトダイアモンド検出器は前記レーザ光線の前記
赤色放射光出力を実質的に感知しないように構成されて
いることを特徴とするＦ2レーザシステム。 - 【請求項２】 前記フォトダイアモンド検出器によって
測定された光学パラメータに応じて前記電源を制御し
て、該電源による前記利得媒質の励起を修正するように
構成された制御装置をさらに備えたことを特徴とする請
求項１に記載のＦ2レーザシステム。 - 【請求項３】 気体状態にある前記利得媒質を含むため
のレーザ管と、 前記利得媒質へガスを追加し及びそこからガスを排出す
るための、前記レーザ管に接続された放電モジュール
と、 前記フォトダイアモンド検出器によって測定された光学
パラメータに応じて前記放電モジュールを制御して、該
放電モジュールによって前記レーザ管内の前記利得媒質
に追加されるガス及びそこから排出されるガスを修正す
るように構成された制御装置とをさらに備えたことを特
徴とする請求項１に記載のＦ2レーザシステム。 - 【請求項４】 気体状態にある前記利得媒質を含むため
のレーザ管と、 前記利得媒質にガスを追加し及びそこからガスを排出す
るための、前記制御装置によって制御されかつ前記レー
ザ管に接続された放電モジュールとをさらに備え、 前記制御装置は、前記フォトダイアモンド検出器によっ
て測定された光学パラメータに応じて、前記放電モジュ
ールによって前記レーザ管内の前記利得媒質に追加され
るガス及びそこから排出されるガスを修正するように構
成されていることを特徴とする請求項２に記載のＦ2レ
ーザシステム。 - 【請求項５】 前記光学パラメータはＵＶ放射光エネル
ギー出力であり、前記制御装置は、前記フォトダイアモ
ンド検出器によって測定された該ＵＶ放射光エネルギー
出力に応じて、前記電源及び前記放電モジュールの両方
を操作して前記ＵＶ放射光のエネルギー出力を調節かつ
安定化するように構成されていることを特徴とする請求
項４に記載のＦ2レーザシステム。 - 【請求項６】 前記光学パラメータは、パワーレベル、
パルスエネルギー、エネルギー投入量、及びパルス波形
の内の少なくとも一つであることを特徴とする請求項１
に記載のＦ2レーザシステム。 - 【請求項７】 前記レーザ光線の一部を前記フォトダイ
アモンド検出器に向けてそらすための、前記レーザ光線
の経路上に配置されたビームスプリッタと、 前記ビームスプリッタによってそらされた前記レーザ光
線の一部の上に配置された、前記フォトダイアモンド検
出器によって測定される前記レーザ光線の一部を拡散さ
せるための散乱プレートとをさらに備えたことを特徴と
する請求項２に記載のＦ2レーザシステム。 - 【請求項８】 前記フォトダイアモンド検出器に対する
ＥＭＩ外乱を防止するための、前記フォトダイアモンド
検出器の前面に配置された金網シールドをさらに備えた
ことを特徴とする請求項１に記載のＦ2レーザシステ
ム。 - 【請求項９】 前記金網シールドは、前記フォトダイア
モンド検出器に送られるエネルギーを調節するために異
なったメッシュ・ワイヤ密度を有することを特徴とする
請求項８に記載のＦ2レーザシステム。 - 【請求項１０】 前記フォトダイアモンド検出器は密閉
された筐体内に設置されていることを特徴とする請求項
１に記載のＦ2レーザシステム。 - 【請求項１１】 共振空洞内にフッ素分子（Ｆ2）利得
媒質が置かれたＦ2フッ素分子レーザシステムの動作を
制御するための方法であって、 前記利得媒質を励起させて、実質的に１５７ｎｍにある
紫外（ＵＶ）放射光出力と、６２０ｎｍから７６０ｎｍ
までの波長範囲にある赤色放射光出力とを含むレーザ光
線を生成するステップと、 前記レーザ光線の一部をフォトダイアモンド検出器に向
けるステップと、 前記フォトダイアモンド検出器を使用して前記ＵＶ放射
光の少なくとも一つの光学パラメータを測定するステッ
プとを有し、 前記フォトダイアモンド検出器は前記レーザ光線の前記
赤色放射光出力を実質的に感知しないように構成されて
いることを特徴とするＦ2レーザシステムの動作制御方
法。 - 【請求項１２】 前記フォトダイアモンド検出器によっ
て測定された前記光学パラメータに応じて前記利得媒質
の励起を修正するステップをさらに有すること特徴とす
る請求項１１に記載のＦ2レーザシステムの動作制御方
法。 - 【請求項１３】 前記利得媒質は気体としてレーザ管に
含まれており、前記フォトダイアモンド検出器によって
測定された前記光学パラメータに応じてガスを前記レー
ザ管に追加するステップと、そこからガスを排出するス
テップをさらに有することを特徴とする請求項１１に記
載のＦ2レーザシステムの動作制御方法。 - 【請求項１４】 前記利得媒質は気体として前記レーザ
管に含まれており、前記フォトダイアモンド検出器によ
って測定された前記光学パラメータに応じてガスを前記
レーザ管に追加するステップと、そこからガスを排出す
るステップをさらに有することを特徴とする請求項１２
に記載のＦ2レーザシステムの動作制御方法。 - 【請求項１５】 前記光学パラメータはＵＶ放射光エネ
ルギー出力であり、前記励起を修正するステップと前記
ガスを追加／排出するステップは、前記フォトダイアモ
ンド検出器によって測定された前記ＵＶ放射光エネルギ
ー出力に応じて該ＵＶ放射光エネルギー出力を調整及び
安定化するために実行されること特徴とする請求項１４
に記載のＦ2レーザシステムの動作制御方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12214599P | 1999-02-26 | 1999-02-26 | |
| US60/122145 | 2000-02-24 | ||
| US09/512417 | 2000-02-24 | ||
| US09/512,417 US6819698B1 (en) | 1999-02-26 | 2000-02-24 | Energy monitor for F2 molecular fluorine laser and method of energy stabilization |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001028471A true JP2001028471A (ja) | 2001-01-30 |
Family
ID=26820207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000050758A Pending JP2001028471A (ja) | 1999-02-26 | 2000-02-28 | Ｆ２レーザシステム及びその動作制御方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6819698B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001028471A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US6907058B2 (en) * | 2000-01-25 | 2005-06-14 | Lambda Physik Ag | Energy monitor for molecular fluorine laser |
| US20040017431A1 (en) * | 2002-07-23 | 2004-01-29 | Yosuke Mizuyama | Laser processing method and laser processing apparatus using ultra-short pulse laser |
| US9423693B1 (en) | 2005-05-10 | 2016-08-23 | Victor B. Kley | In-plane scanning probe microscopy tips and tools for wafers and substrates with diverse designs on one wafer or substrate |
| US7571638B1 (en) * | 2005-05-10 | 2009-08-11 | Kley Victor B | Tool tips with scanning probe microscopy and/or atomic force microscopy applications |
| US7960695B1 (en) * | 2005-05-13 | 2011-06-14 | Kley Victor B | Micromachined electron or ion-beam source and secondary pickup for scanning probe microscopy or object modification |
| DE202008008402U1 (de) | 2008-06-23 | 2008-09-04 | Coherent Gmbh | Energiemonitor, insbesondere für Excimerlaser und F2-Laser, für hohe Pulsfolgefrequenzen |
| US9778572B1 (en) | 2013-03-15 | 2017-10-03 | Victor B. Kley | In-plane scanning probe microscopy tips and tools for wafers and substrates with diverse designs on one wafer or substrate |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6442182B1 (en) * | 1999-02-12 | 2002-08-27 | Lambda Physik Ag | Device for on-line control of output power of vacuum-UV laser |
| US6381256B1 (en) * | 1999-02-10 | 2002-04-30 | Lambda Physik Ag | Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1 pm |
| US6327290B1 (en) * | 1999-02-12 | 2001-12-04 | Lambda Physik Ag | Beam delivery system for molecular fluorine (F2) laser |
| US6219368B1 (en) * | 1999-02-12 | 2001-04-17 | Lambda Physik Gmbh | Beam delivery system for molecular fluorine (F2) laser |
| US6381257B1 (en) * | 1999-09-27 | 2002-04-30 | Cymer, Inc. | Very narrow band injection seeded F2 lithography laser |
| US6590922B2 (en) * | 1999-09-27 | 2003-07-08 | Cymer, Inc. | Injection seeded F2 laser with line selection and discrimination |
-
2000
- 2000-02-24 US US09/512,417 patent/US6819698B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-02-28 JP JP2000050758A patent/JP2001028471A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6819698B1 (en) | 2004-11-16 |
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