JP2001028387A - Method of processing wafers - Google Patents

Method of processing wafers

Info

Publication number
JP2001028387A
JP2001028387A JP20014299A JP20014299A JP2001028387A JP 2001028387 A JP2001028387 A JP 2001028387A JP 20014299 A JP20014299 A JP 20014299A JP 20014299 A JP20014299 A JP 20014299A JP 2001028387 A JP2001028387 A JP 2001028387A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
adapter
semiconductor wafer
wafers
inclined guide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20014299A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kei Fujita
慶 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP20014299A priority Critical patent/JP2001028387A/en
Publication of JP2001028387A publication Critical patent/JP2001028387A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of processing wafers where the rotation of wafers of various sizes and have orientation flats, can be controlled simply. SOLUTION: This method comprises the steps of attaching a wafer adaptor 10 to a semiconductor wafer 1, the adapter 10 being engageable with the periphery of a semiconductor wafer 1 to make the outer edge circular, and lowering the wafer 1 vertically to at least two, upper and lower, sloped guide rails 2 and 3 while rotating the wafer 1, the rails 2 and 3 which are engaged rotatably with the outer circumferential circle of the adaptor 10, whereby a processing operation is performed onto at least one of the surfaces of the wafer 1 which is lowered sideways, while rolling.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路を
製造するウェハ加工方法に関し、特にその処理方法に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer processing method for manufacturing a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a processing method therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路の製造は、単結晶シリコ
ンのウェハに、リソグラフィーによるパターン形成、エ
ッチングや結晶成長、金属の蒸着等の各種化学処理を行
う工程を繰り返して加工することにより行われる。
2. Description of the Related Art A semiconductor integrated circuit is manufactured by repeatedly performing various chemical processes such as pattern formation by lithography, etching, crystal growth, and metal deposition on a single crystal silicon wafer.

【0003】また、単結晶シリコンのウェハは、各工程
が終了後水平、又は垂直に固定され移動し次の工程の処
理を行うのが一般的である。各工程では、ウェハは固定
・静止しているか、水平移動しながら処理される。
In general, a single-crystal silicon wafer is fixed horizontally or vertically after each process, and moves to perform the next process. In each step, the wafer is processed while being fixed or stationary or moving horizontally.

【0004】しかし、主としてエッチング工程等でこの
ウェハを縦に転動させながら、ウェハの処理加工を行っ
たり、各工程間をウェハを転動させて移動することが、
求められていた。これに対してウェハは、1mm前後の
厚みのシリコン単結晶の円盤形状を、この円盤形状の一
部が切り落とされ、オリフラと呼ばれる切り込みのある
形状をしている。
However, it is difficult to process the wafer while rolling the wafer vertically in an etching process or the like, or to move the wafer by rolling between the processes.
Was sought. On the other hand, the wafer has a disk shape of a silicon single crystal having a thickness of about 1 mm, a part of the disk shape being cut off, and a shape having a cut called an orientation flat.

【0005】このオリフラは、回動の妨げになった。ま
た回転することにより、ウェハの周辺に付着していた処
理液が、重力によりウェハの中央に向かって流下し、汚
染等の心配もあった。さらに、ウェハには5インチ、6
インチ、8インチ等様々なサイズのものがあり、回動制
御の対応が難しかった。
[0005] This orientation flat hinders rotation. In addition, due to the rotation, the processing liquid adhering to the periphery of the wafer flows down toward the center of the wafer due to gravity, and there is a concern about contamination. In addition, the wafer has 5 inches, 6
There are various sizes such as inches and 8 inches, and it is difficult to cope with rotation control.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような
問題点に着目してなされたもので、オリフラのある色々
なサイズのウェハを、簡単に回動制御出来るウェハ加工
方法を提供することを課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and provides a wafer processing method capable of easily controlling rotation of wafers of various sizes having an orientation flat. As an issue.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明はかかる課題を解
決するものであり、請求項1の発明は、半導体ウェハの
外周辺と係合し、その外縁を円形とするウェハアダプタ
ーを半導体ウェハに装着し、ウェハアダプターの外周円
と回動可能に係合する少なくとも上下2本の傾斜ガイド
レールに、前記の半導体ウェハを縦に転動降下させ、回
転降下中の半導体ウェハの少なくとも一方の面に対し
て、処理操作を施すことを特徴とするウェハ加工方法と
したものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the invention according to claim 1 provides a wafer adapter which engages with the outer periphery of a semiconductor wafer and has a circular outer edge. The semiconductor wafer is vertically rolled down on at least two upper and lower inclined guide rails which are mounted and rotatably engaged with the outer peripheral circle of the wafer adapter. On the other hand, a wafer processing method is characterized by performing a processing operation.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明のウェハ加工方法を一実施
形態に基づいて以下に詳細に説明する。本発明のウェハ
加工方法では、半導体ウェハの外周辺と係合し、その外
縁を円形とするウェハアダプターを半導体ウェハに装着
することにより、オリフリのあるウェハは回動可能とな
る。すなわち、ウェハに装着されたウェハアダプターの
外周円と回動可能に係合する少なくとも上下2本の傾斜
ガイドレールに、前記の半導体ウェハをセットし、重力
により縦に転動降下させる事が出来る。この回転降下中
の半導体ウェハの片側に対して、処理操作を施すことに
よりウェハ加工することができる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The wafer processing method of the present invention will be described in detail below based on one embodiment. In the wafer processing method according to the present invention, the wafer having the orifice can be rotated by attaching the wafer adapter having a circular outer edge to the semiconductor wafer so as to engage with the outer periphery of the semiconductor wafer. That is, the above-mentioned semiconductor wafer can be set on at least two upper and lower inclined guide rails rotatably engaged with the outer peripheral circle of the wafer adapter mounted on the wafer, and can be vertically rolled down by gravity. Wafer processing can be performed by performing a processing operation on one side of the semiconductor wafer that is rotating and descending.

【0009】図1は本発明のウェハ加工方法の一実施例
に係る、アダプターに取り付けたウェハを転動する装置
の概念を示した説明図、図2は本発明に係るウェハアダ
プターの説明図である。
FIG. 1 is an explanatory view showing the concept of an apparatus for rolling a wafer attached to an adapter according to an embodiment of the wafer processing method of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory view of a wafer adapter according to the present invention. is there.

【0010】図2(a)のアダプター10は薄いリング
状の形状で、図2(b)に示すように開閉できるように
してある。すなわち、二つの半円月型のアダプター11
の一方の端部をアダプターを可動に軸通し(軸12)、
他方の端部に片方のアダプターに係止突起14を、他方
に係止孔13を設けおり、閉じることが出来るようにし
てある。アダプタ11のAB部の断面図を図2(c)に
示した。図に示すように、リングの内側には凹部15を
設けて有り、これにウェハ1の外周辺を入れ、アダプタ
ー11を閉じ、固定する。アダプターの外周にはギヤ歯
がついている(図示せず)。
The adapter 10 shown in FIG. 2A has a thin ring shape and can be opened and closed as shown in FIG. 2B. That is, two semicircular lunar adapters 11
One end of the is movably threaded through the adapter (axis 12),
At the other end, a locking projection 14 is provided on one adapter and a locking hole 13 is provided on the other, so that the adapter can be closed. FIG. 2C is a cross-sectional view of the AB portion of the adapter 11. As shown in the figure, a recess 15 is provided inside the ring, into which the outer periphery of the wafer 1 is inserted, and the adapter 11 is closed and fixed. Gear teeth are provided on the outer periphery of the adapter (not shown).

【0011】図1(a)の装置では二本の平行なガイド
レール2、3を傾斜して設置してある。図1(b)に示
すように傾斜ガイドレールは断面の形状が凹状になって
おり、この部分に沿ってアダプター10を装着したウェ
ハ7を転動する。なお下傾斜ガイドレール3にはギヤ歯
(図示せず)が設置されており、アダプター10の外周
に設けられたギヤ歯とかみ合ってアダプター10の転動
を制御する。ウェハ7は重力により、回転しながら傾斜
ガイドレール2、3に沿って移動する。移動の途中に現
像、エッチングノズル4、リンスノズル5等によるウエ
ット工程があり、エアーナイフ6やエアーブロー等で乾
燥された後、排除される。
In the apparatus shown in FIG. 1A, two parallel guide rails 2, 3 are installed at an angle. As shown in FIG. 1B, the inclined guide rail has a concave cross-sectional shape, and rolls the wafer 7 with the adapter 10 mounted along this portion. Gear teeth (not shown) are provided on the lower inclined guide rail 3 and engage with gear teeth provided on the outer periphery of the adapter 10 to control the rolling of the adapter 10. The wafer 7 moves along the inclined guide rails 2 and 3 while rotating by gravity. In the middle of the movement, there is a wet process using a developing, etching nozzle 4, rinsing nozzle 5, etc., and after being dried by an air knife 6, an air blow or the like, it is removed.

【0012】処理時間は傾斜ガイドレールの傾斜角を変
更することにより調整する。また、傾斜ガイドレールの
傾斜の向きを変えウェハ7を往復させることにより、処
理時間を増加することも可能である。
The processing time is adjusted by changing the inclination angle of the inclined guide rail. Further, by changing the direction of the inclination of the inclined guide rail and reciprocating the wafer 7, the processing time can be increased.

【0013】なお、この方法によりウェハ(アダプタ
ー)7を工程間の移動に利用することも可能である。ア
ダブターは、各種サイズのウェハに合わせたものを用意
しておき、対応する。上下傾斜ガイドレール間の距離は
アダプターの外径サイズに合わせ、設定する。
It is to be noted that the wafer (adapter) 7 can be used for movement between processes by this method. Adapters prepared for various sizes of wafers are prepared and used. The distance between the vertically inclined guide rails is set according to the outer diameter of the adapter.

【0014】本実施例ではアダプターの内側に凹部を設
けウェハを固定したが、アダプターの内側にスペーサを
設けて、このスペーサを介してウェハを押さえ固定して
もよい。また、アダプターに固定爪16を設け、ウェハ
を押さえ付けても良い。さらに、実施例ではギア歯を設
けたが、アダプターと傾斜ガイドレールにギア歯が無く
とも制御は可能である。
In the present embodiment, the concave portion is provided inside the adapter to fix the wafer. However, a spacer may be provided inside the adapter, and the wafer may be held down and fixed via the spacer. Further, a fixing claw 16 may be provided on the adapter to hold down the wafer. Further, although the gear teeth are provided in the embodiment, the control can be performed without the gear teeth on the adapter and the inclined guide rail.

【0015】[0015]

【発明の効果】本発明のウェハ加工方法は、以上のよう
な構成要件であり、オリフラのある色々なサイズのウェ
ハを、簡単に回動制御出来る。また、搬送の為のエネル
ギーが不要で、製造ラインの運転費用を低くすることが
でき、更に縦状態のラインであるので降下塵がつきにく
く、また、処理時間、タクトタイムをガイドレールの傾
斜を変え、あるいは傾斜ガイドレールに往復させること
により調整できる。
The wafer processing method of the present invention has the above constitutional requirements, and can easily control the rotation of wafers having various sizes with orientation flats. In addition, energy for transportation is not required, the operation cost of the production line can be reduced, and since it is a vertical line, it is difficult for dust to fall, and the processing time and tact time can be reduced by the inclination of the guide rail. It can be adjusted by changing or reciprocating on the inclined guide rail.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のウェハ加工方法の一実施例に係る装置
の概念を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory view showing the concept of an apparatus according to one embodiment of a wafer processing method of the present invention.

【図2】本発明に係るアダプターの一実施例を示す説明
図である。
FIG. 2 is an explanatory view showing an embodiment of the adapter according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・・ウェハ 2・・・・上傾斜ガイドレール 3・・・・下傾斜ガイドレール 4・・・・エッチングノズル 5・・・・リンスノズル 6・・・・エアーナイフ 7・・・・アダプター装着ウェハ 10・・・・アダプター 11・・・・半円月型アダプター 12・・・・軸 13・・・・係止孔 14・・・・係止突起 15・・・・凹部 16・・・・固定爪 1. Wafer 2. Upper inclined guide rail 3. Lower inclined guide rail 4. Etching nozzle 5. Rinsing nozzle 6. Air knife 7. Adapter mounting wafer 10 ··· Adapter 11 ··· Semicircular lunar adapter 12 ··· Shaft 13 ··· Locking hole 14 ··· Locking projection 15 ··· Recess 16 ..Fixed claws

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体ウェハの外周辺と係合し、その外縁
を円形とするウェハアダプターを半導体ウェハに装着
し、ウェハアダプターの外周円と回動可能に係合する少
なくとも上下2本の傾斜ガイドレールに、前記の半導体
ウェハを縦に転動降下させ、回転降下中の半導体ウェハ
の少なくとも一方の面に対して、処理操作を施すことを
特徴とするウェハ加工方法。
At least two upper and lower inclined guides which are engaged with the outer periphery of a semiconductor wafer and have a circular outer edge are mounted on the semiconductor wafer, and are rotatably engaged with the outer periphery of the wafer adapter. A wafer processing method, wherein the semiconductor wafer is vertically rolled down on a rail, and a processing operation is performed on at least one surface of the semiconductor wafer being rotated down.
JP20014299A 1999-07-14 1999-07-14 Method of processing wafers Pending JP2001028387A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20014299A JP2001028387A (en) 1999-07-14 1999-07-14 Method of processing wafers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20014299A JP2001028387A (en) 1999-07-14 1999-07-14 Method of processing wafers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001028387A true JP2001028387A (en) 2001-01-30

Family

ID=16419496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20014299A Pending JP2001028387A (en) 1999-07-14 1999-07-14 Method of processing wafers

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001028387A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1965410B1 (en) Single wafer etching apparatus
JP5192206B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US7275749B2 (en) Substrate supporting apparatus
CN108369895B (en) Single-crystal semiconductor wafer and method for producing semiconductor wafer
KR20010098930A (en) Rotation maintaining apparatus and semiconductor substrate processing apparatus
JPH07130695A (en) Wafer support of rotary device for wafer treatment
US20120125376A1 (en) Wet processing apparatus and wet processing method
EP1746639A1 (en) Wet etching method of single wafer
JP5017258B2 (en) Apparatus and method for liquid treatment of wafer-like articles
US11361962B2 (en) Method and apparatus for processing substrate
US20070130716A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2009071028A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US10699895B2 (en) Substrate processing method
US6649077B2 (en) Method and apparatus for removing coating layers from alignment marks on a wafer
JP4675749B2 (en) Epitaxial wafer manufacturing method
JP2006332185A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US10331049B2 (en) Substrate cleaning device and substrate processing apparatus including the same
JP3904795B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2002110626A (en) Bevel-etching apparatus and method
JP2001028387A (en) Method of processing wafers
JPH0864568A (en) Wafer cleaning device
JPH11251289A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101053145B1 (en) Substrate processing apparatus having a support member and the support member
JP2004235235A (en) Device and method for treating substrate
US20040094187A1 (en) Apparatus and method for holding a semiconductor wafer using centrifugal force