JP2001028364A - Method of forming conductor pattern - Google Patents

Method of forming conductor pattern

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently remove a plating base for use in the formation of a conductor pattern by ion milling and easily manufacture a narrow conductor pattern with a high aspect ratio. SOLUTION: A plating base 12 is formed on the surface of a substrate 10. A conductor portion 16 is formed in a prescribed pattern on the plating base 12, by charging the plating base 12 to perform electroplating. Unwanted portions of the plating base 12 are removed through etching by ion milling, so that the conductor section 16 is left. Consequently, a conductor pattern with a high aspect ratio is formed. In this method of forming a conductor pattern, when the plating base 12 is removed by ion milling, a required conductor pattern is obtained by a plurality of ion milling processes, having incident angles for ion milling which are different.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は基板上に高いアスペ
クト比で狭幅の導体パターンを形成する方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a narrow conductor pattern with a high aspect ratio on a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】磁気ディスク装置で使用するMRヘッド
等の電子部品の製造プロセスでは、基板上に狭パターン
幅の導体パターンを形成する方法が広く行われている。
これらの製造プロセスのうち、基板あるいは下地層にめ
っきベースを形成して所要の導体パターンを形成する方
法がある。この方法では、スパッタリングあるいは蒸着
等により基板にめっきベースを形成し、次に、めっきベ
ースの表面に感光性レジストを塗布し、フォトリソグラ
フィー法により導体部を形成する部位を露出させる。次
いで、めっきベースに通電して電解めっきを施し、めっ
きベースの露出部分に導体部を形成する。次に、レジス
トを除去すると、めっきベース上に所定のパターンで導
体部が形成された状態になるから、イオンミルを施して
導体部間のめっきベースの不要部分を除去し、導体部間
の基板表面を露出させる。こうして、基板上に所定の導
体パターンが形成される。
2. Description of the Related Art In a process of manufacturing an electronic component such as an MR head used in a magnetic disk drive, a method of forming a conductive pattern having a narrow pattern width on a substrate is widely used.
Among these manufacturing processes, there is a method of forming a required conductor pattern by forming a plating base on a substrate or an underlayer. In this method, a plating base is formed on a substrate by sputtering or vapor deposition, and then a photosensitive resist is applied to the surface of the plating base, and a portion where a conductor is to be formed is exposed by photolithography. Next, the plating base is energized to perform electrolytic plating, and a conductor portion is formed on an exposed portion of the plating base. Next, when the resist is removed, the conductor portion is formed in a predetermined pattern on the plating base. Therefore, an unnecessary portion of the plating base between the conductor portions is removed by ion milling, and the substrate surface between the conductor portions is removed. To expose. Thus, a predetermined conductor pattern is formed on the substrate.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記のようにめっきベ
ースを形成し、めっきベースに通電して導体部を形成
し、めっきベースの不要部分をイオンミルによって除去
する方法にあっては、イオンミルによってめっきベース
を除去する際に、イオンミルによってめっきベースの残
渣が導体パターンに付着し導体パターンを狭パターンに
形成する妨げになるという問題があった。本発明は、め
っきベースを利用した電解めっきにより導体部を形成
し、イオンミルによってめっきベースの不要部分を除去
して導体パターンを形成する方法に関するものであり、
きわめて狭パターンでかつ高アスペクト比の導体パター
ンを形成する方法を提供するものである。
As described above, a method of forming a plating base, applying a current to the plating base to form a conductor portion, and removing unnecessary portions of the plating base by an ion mill is described. When the base is removed, there is a problem in that the residue of the plating base adheres to the conductor pattern by the ion mill and hinders formation of the conductor pattern in a narrow pattern. The present invention relates to a method for forming a conductor portion by electrolytic plating using a plating base, and forming a conductor pattern by removing unnecessary portions of the plating base by an ion mill,
An object of the present invention is to provide a method for forming a conductor pattern having a very narrow pattern and a high aspect ratio.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため次の構成を備える。すなわち、基板の表面に
めっきベースを形成し、めっきベースに通電して電解め
っきを施すことによりめっきベース上に所定のパターン
で導体部を形成し、導体部を残すようにめっきベースの
不要部位をイオンミルによりエッチングして除去するこ
とにより高アスペクト比の導体パターンを形成する導体
パターンの形成方法において、前記イオンミルによりめ
っきベースを除去する際に、イオンミルの入射角が異な
る複数のイオンミル工程により所要の導体パターンを得
ることを特徴とする。また、前記イオンミル工程におい
て、入射角を基板の法線方向に対し斜め入射とするイオ
ンミルにより基板の表面に形成されためっきベースをエ
ッチングし、次に、入射角を基板の法線方向と略一致す
る方向に設定して、導体部の基部近傍に残留するめっき
ベースをエッチングし、最後に、入射角を導体部の側面
に向かう方向に設定してイオンミルすることを特徴とす
る。また、導体部の側面をイオンミルする際に、導体部
の側面をイオンミルによりエッチングして所定の導体パ
ターンの幅寸法に形成することを特徴とする。また、導
体パターンをアスペクト比2〜4に形成することを特徴
とする。
The present invention has the following arrangement to achieve the above object. That is, a plating base is formed on the surface of the substrate, a conductive portion is formed in a predetermined pattern on the plating base by applying an electric current to the plating base and electrolytic plating is performed, and unnecessary portions of the plating base are left so as to leave the conductor portion. In the method of forming a conductor pattern having a high aspect ratio by etching and removing by an ion mill, when a plating base is removed by the ion mill, a required conductor is formed by a plurality of ion mill processes having different incident angles of the ion mill. It is characterized by obtaining a pattern. Further, in the ion milling step, the plating base formed on the surface of the substrate is etched by an ion mill in which the incident angle is obliquely incident with respect to the normal direction of the substrate, and then the incident angle substantially matches the normal direction of the substrate. Then, the plating base remaining in the vicinity of the base of the conductor is etched, and finally, the incidence angle is set to the direction toward the side surface of the conductor, and ion milling is performed. Further, when the side surface of the conductor portion is subjected to ion milling, the side surface of the conductor portion is etched by an ion mill to form a predetermined conductor pattern width. Also, the conductive pattern is formed with an aspect ratio of 2 to 4.

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて、添付図面と共に詳細に説明する。図1はめっき
ベースを用いて基板10上に導体パターンを形成する方
法の一実施形態を示す。図1(a) は基板10の表面にス
パッタリングによりめっきベース12を形成した状態を
示す。めっきベース12は電解めっきを施す通電用に設
けるものであり、銅等の適宜金属を用いて形成すること
ができる。図1(b) はめっきベース12の表面上に導体
パターン形成をするため、めっきベース12の表面にレ
ジストを塗布し、露光・現像してレジストパターン14
を形成した状態を示す。14aがめっきベース12上で
導体パターンを形成する凹部であり、凹部14aの底面
でめっきベース12が露出する。図1(c) は、次に、め
っきベース12に通電して電解銅メッキ等の電解めっき
を施し、めっきベース12上に導体部16を形成した状
態である。
Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows an embodiment of a method for forming a conductive pattern on a substrate 10 using a plating base. FIG. 1A shows a state in which a plating base 12 is formed on the surface of a substrate 10 by sputtering. The plating base 12 is provided for energization for performing electrolytic plating, and can be formed using an appropriate metal such as copper. FIG. 1 (b) shows that a resist is applied to the surface of the plating base 12, exposed and developed to form a conductor pattern on the surface of the plating base 12, and the resist pattern 14 is formed.
Shows a state in which is formed. Reference numeral 14a denotes a recess for forming a conductor pattern on the plating base 12, and the plating base 12 is exposed at the bottom of the recess 14a. FIG. 1C shows a state in which a current is applied to the plating base 12 to perform electrolytic plating such as electrolytic copper plating, and a conductor portion 16 is formed on the plating base 12.

【0006】図2はレジストパターン14を溶解して除
去し、めっきベース12上に導体部16を残した状態で
ある。導体パターンはめっきベース12の不要部分を除
去することによって得られる。このため、めっきベース
12に対してイオンミルを施し、基板10上で露出して
いるめっきベース12を除去するようにする。図2はイ
オンミルを施す第1工程として、イオンミルの入射角を
基板の法線方向に対し約45度に設定してめっきベース
12をエッチングする状態を示す。基板に対してイオン
ミルの入射角を斜めに設定するのは、イオンミルによる
エッチング効率を高めるためで、入射角を45°程度に
設定した場合がもっとも効率的である。斜め入射による
イオンミル加工では、導体部16の両側から入射方向を
変えてエッチングする。
FIG. 2 shows a state where the resist pattern 14 is dissolved and removed to leave the conductor 16 on the plating base 12. The conductor pattern is obtained by removing unnecessary portions of the plating base 12. Therefore, the plating base 12 is subjected to an ion mill so that the plating base 12 exposed on the substrate 10 is removed. FIG. 2 shows a state in which the plating base 12 is etched by setting the incident angle of the ion mill to about 45 degrees with respect to the normal direction of the substrate as a first step of performing the ion mill. The angle of incidence of the ion mill with respect to the substrate is set to be oblique in order to increase the etching efficiency by the ion mill, and is most efficient when the angle of incidence is set to about 45 °. In ion milling by oblique incidence, etching is performed from both sides of the conductor portion 16 while changing the incident direction.

【0007】図3は上記の斜め入射によってめっきベー
ス12をエッチングした状態に対して、次のイオンミル
を施す工程を示す。第1イオンミル工程では斜め入射に
より効率的にめっきベース12をエッチングすることが
できるが、図3に示すように、導体部16の基部がエッ
チングの影になって導体部16の基部近傍にめっきベー
ス12が残るようになる。高アスペクト比の導体部16
の場合には、この導体部16の基部のめっきベース12
の残りが大きくあらわれる。図3に示すイオンミルの第
2工程では、イオンミルの入射角を基板10の法線方向
に略一致する方向に設定してイオンミルする。基板10
の法線方向にイオンミルの入射角を定めることにより、
導体部16の基部に残っているめっきベース12がエッ
チングされる。同時に、導体部16も頂部側からエッチ
ングされる。
FIG. 3 shows a step of performing the next ion mill on the state where the plating base 12 is etched by the above oblique incidence. In the first ion milling step, the plating base 12 can be efficiently etched by oblique incidence. However, as shown in FIG. 3, the base of the conductor 16 is shadowed by the etching, and the plating base is located near the base of the conductor 16. 12 will remain. High aspect ratio conductor 16
In this case, the plating base 12 at the base of the conductor 16
The rest of it appears greatly. In the second step of the ion mill shown in FIG. 3, the ion mill is set by setting the incident angle of the ion mill to a direction substantially coinciding with the normal direction of the substrate 10. Substrate 10
By setting the angle of incidence of the ion mill in the normal direction of
The plating base 12 remaining at the base of the conductor 16 is etched. At the same time, the conductor 16 is also etched from the top.

【0008】図4は、第2工程により導体部16の基部
に残っていためっきベース12が除去された状態を示
す。この第2工程ではめっきベース12をイオンミルし
た際に、めっきベース12の残渣12aが導体部16の
側面に付着する。図4は残渣12aが導体部16の側面
に付着して導体部16の幅寸法が大きくなった状態を示
す。イオンミルによる第3工程は、導体部16の側面に
付着しためっきベース12の残渣12aを除去して、導
体部16を所要のパターン幅に形成する工程である。す
なわち、イオンミルの第3工程では、導体部16の側面
を重点的にイオンミルすることを特徴とする。このた
め、この第3工程では導体部16の側面方句に向けてイ
オンミルする。実施形態では第3工程のイオンミルの入
射角を基板10の法線方向に対して70°に設定し、導
体部16の略側面に向かう方向としてイオンミルした。
FIG. 4 shows a state in which the plating base 12 remaining at the base of the conductor portion 16 has been removed by the second step. In the second step, when the plating base 12 is subjected to ion milling, residues 12 a of the plating base 12 adhere to the side surfaces of the conductor 16. FIG. 4 shows a state in which the residue 12a is attached to the side surface of the conductor portion 16 and the width of the conductor portion 16 is increased. The third step by the ion mill is a step of removing the residue 12a of the plating base 12 attached to the side surface of the conductor section 16 and forming the conductor section 16 to have a required pattern width. That is, in the third step of the ion mill, the side face of the conductor portion 16 is mainly subjected to the ion mill. Therefore, in the third step, the ion mill is performed toward the side surface of the conductor portion 16. In the embodiment, the angle of incidence of the ion mill in the third step is set to 70 ° with respect to the normal direction of the substrate 10, and the ion mill is performed in a direction toward substantially the side surface of the conductor 16.

【0009】図5はイオンミルによる第3工程を施した
後の状態で、第2工程で導体部16の側面に付着しため
っきベース12の残渣12aがエッチングされて除去さ
れ、また、導体部16自体の側面部分もエッチングされ
て細幅となり、導体部16が所定の導体パターン18に
形成される。
FIG. 5 shows a state after performing a third step by an ion mill. The residue 12a of the plating base 12 adhered to the side surface of the conductor section 16 in the second step is removed by etching, and the conductor section 16 itself is removed. Is also etched to have a narrow width, and the conductor portion 16 is formed in a predetermined conductor pattern 18.

【0010】以上説明したように、めっきベース12を
イオンミルする際に入射角を基板の法線に対して斜め入
射とするイオンミル工程、入射角を基板の略法線方向と
するイオンミル工程、入射角を導体部の側面方向に向け
たイオンミル工程を順次施すことによって高アスペクト
比の導体パターンを形成することができる。磁気ディス
ク装置に使用する磁気ヘッドの製造工程では、書き込み
用の磁極をアスペクト比が2〜4といった高アスペクト
比の細幅に形成する必要がある。本発明に係る導体パタ
ーンの形成方法はこのような高アスペクト比の導体パタ
ーンを狭幅で形成する方法としてきわめて有効である。
もちろん、本発明に係る導体パターンの形成方法は種々
の配線基板等の製造工程における導体パターンの形成に
好適に適用することが可能である。
As described above, when the plating base 12 is subjected to ion milling, an ion milling step in which the incident angle is obliquely incident to the normal line of the substrate, an ion milling step in which the incident angle is substantially normal to the substrate, and an incident angle Are successively subjected to an ion milling process in a direction of the side surface of the conductor portion, whereby a conductor pattern having a high aspect ratio can be formed. In a manufacturing process of a magnetic head used in a magnetic disk drive, it is necessary to form a magnetic pole for writing in a narrow width having a high aspect ratio such as an aspect ratio of 2 to 4. The method for forming a conductor pattern according to the present invention is extremely effective as a method for forming such a conductor pattern having a high aspect ratio with a narrow width.
Of course, the method for forming a conductor pattern according to the present invention can be suitably applied to the formation of a conductor pattern in a process of manufacturing various wiring boards and the like.

【0011】[0011]

【発明の効果】本発明に係る導体パターンの形成方法に
よれば、上述したように、イオンミルによってめっきベ
ースを除去する際に、イオンミルの入射角の方向を変え
てめっきベースを除去するようにしたことによって、効
率的にめっきベースを除去することが可能となり、導体
パターンを狭幅で形成することが可能になる。イオンミ
ルを多段階に分けて行うことによって導体パターンをよ
り精密にエッチングすることが可能になり高アスペクト
比の導体パターンを形成することが容易に可能になる。
According to the conductor pattern forming method of the present invention, as described above, when removing the plating base by the ion mill, the direction of the incident angle of the ion mill is changed to remove the plating base. This makes it possible to efficiently remove the plating base and to form the conductor pattern with a narrow width. By conducting the ion mill in multiple stages, the conductor pattern can be etched more precisely, and a conductor pattern having a high aspect ratio can be easily formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】基板上に導体部を形成する工程を示す説明図で
ある。
FIG. 1 is an explanatory view showing a step of forming a conductor on a substrate.

【図2】斜め入射角によるイオンミル工程を示す説明図
である。
FIG. 2 is an explanatory view showing an ion milling process at an oblique incident angle.

【図3】法線方向の入射角によるイオンミル工程を示す
説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing an ion milling process based on a normal incident angle.

【図4】導体部を側面方向からエッチングするイオンミ
ル工程を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view showing an ion milling step of etching a conductor portion from a side direction.

【図5】基板上に導体パターンが形成された状態を示す
断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state where a conductor pattern is formed on a substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 基板 12a 残渣 12 ベース 14a 凹部 14 レジストパターン 16 導体部 18 導体パターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate 12a Residue 12 Base 14a Depression 14 Resist pattern 16 Conductor 18 Conductor pattern

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡田 光正 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 二井 英昭 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 Fターム(参考) 4K057 DA12 DB01 DD04 DG18 DN01 5D033 BA32 DA04 DA08 5F004 BA11 DB08 EA28 EB08  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Mitsumasa Okada 4-1-1, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside Fujitsu Limited (72) Inventor Hideaki Nii 4-1-1, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa No. 1 Fujitsu Limited F term (reference) 4K057 DA12 DB01 DD04 DG18 DN01 5D033 BA32 DA04 DA08 5F004 BA11 DB08 EA28 EB08

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の表面にめっきベースを形成し、め
っきベースに通電して電解めっきを施すことによりめっ
きベース上に所定のパターンで導体部を形成し、導体部
を残すようにめっきベースの不要部位をイオンミルによ
りエッチングして除去することにより高アスペクト比の
導体パターンを形成する導体パターンの形成方法におい
て、 前記イオンミルによりめっきベースを除去する際に、イ
オンミルの入射角が異なる複数のイオンミル工程により
所要の導体パターンを得ることを特徴とする導体パター
ンの形成方法。
1. A plating base is formed on the surface of a substrate, and a conductive portion is formed in a predetermined pattern on the plating base by applying an electric current to the plating base to perform electrolytic plating. In a method for forming a conductor pattern having a high aspect ratio by removing unnecessary portions by etching with an ion mill, a plurality of ion mill processes having different incident angles of the ion mill when the plating base is removed by the ion mill. A method for forming a conductor pattern, wherein a required conductor pattern is obtained.
【請求項2】 前記イオンミル工程において、 入射角を基板の法線方向に対し斜め入射とするイオンミ
ルにより基板の表面に形成されためっきベースをエッチ
ングし、 次に、入射角を基板の法線方向と略一致する方向に設定
して、導体部の基部近傍に残留するめっきベースをエッ
チングし、 最後に、入射角を導体部の側面に向かう方向に設定して
イオンミルすることを特徴とする請求項1記載の導体パ
ターンの形成方法。
2. In the ion milling step, a plating base formed on a surface of a substrate is etched by an ion mill in which an incident angle is obliquely incident with respect to a normal direction of the substrate. The method according to claim 1, wherein the plating base remaining in the vicinity of the base of the conductor is etched by setting the direction substantially equal to the direction of the conductor, and finally, the ion mill is performed by setting the incident angle to the direction toward the side surface of the conductor. 2. The method for forming a conductor pattern according to 1.
【請求項3】 導体部の側面をイオンミルする際に、導
体部の側面をイオンミルによりエッチングして所定の導
体パターンの幅寸法に形成することを特徴とする請求項
2記載の導体パターンの形成方法。
3. The method for forming a conductor pattern according to claim 2, wherein when the side surface of the conductor portion is subjected to ion milling, the side surface of the conductor portion is etched by an ion mill to form a conductor pattern having a predetermined width. .
【請求項4】 導体パターンをアスペクト比2〜4に形
成することを特徴とする請求項1、2または3記載の導
体パターンの形成方法。
4. The method for forming a conductive pattern according to claim 1, wherein the conductive pattern is formed with an aspect ratio of 2 to 4.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7323112B2 (en) 2003-08-29 2008-01-29 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method of fabricating electronic component using resist structure with no undercut

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7323112B2 (en) 2003-08-29 2008-01-29 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method of fabricating electronic component using resist structure with no undercut

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