JP2001024955A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2001024955A5
JP2001024955A5 JP1999194626A JP19462699A JP2001024955A5 JP 2001024955 A5 JP2001024955 A5 JP 2001024955A5 JP 1999194626 A JP1999194626 A JP 1999194626A JP 19462699 A JP19462699 A JP 19462699A JP 2001024955 A5 JP2001024955 A5 JP 2001024955A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
unit
output
analog signal
light receiving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1999194626A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2001024955A (en
JP4408150B2 (en
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP19462699A priority Critical patent/JP4408150B2/en
Priority claimed from JP19462699A external-priority patent/JP4408150B2/en
Publication of JP2001024955A publication Critical patent/JP2001024955A/en
Publication of JP2001024955A5 publication Critical patent/JP2001024955A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4408150B2 publication Critical patent/JP4408150B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

受光部20は、図2に示されるように、受光素子21n.nがN行×N列に2次元配列されている。夫々の受光素子211.1〜21N.Nは、入力光信号を電流信号に変換する光電変換素子としてのフォトダイオード23と、第1のスイッチ素子25とを有している。第1のスイッチ素子25は信号入力端子と信号出力端子を有しており、第1のスイッチ素子25の信号入力端子はフォトダイオード23の信号出力端子に接続されており、第1シフトレジスタ50あるいは第2シフトレジスタ60からの走査信号Snに応じてフォトダイオード23で発生した電流信号を信号出力端子から流出する。このような受光素子21n.nが、第1の方向(第3の辺20cあるいは第4の辺20dの延びる方向)に沿ってN個配列されており、この第1の方向に沿ってN個配列された受光素子21n.1〜21n.Nは、夫々の第1のスイッチ素子25の信号出力端子が電気的に接続されることにより単位受光部22を構成している。この単位受光部22は、第1の方向と直交する第2の方向(第1の辺20aあるいは第2の辺20bの延びる方向)に沿ってN個配列されている。
As shown in FIG. 2, the light receiving unit 20 has a light receiving element 21 n. n is two-dimensionally arranged in N rows × N columns. Each light receiving element 21 1.1 to 21 N.I. N has a photodiode 23 as a photoelectric conversion element that converts an input optical signal into a current signal, and a first switch element 25. The first switch element 25 has a signal input terminal and a signal output terminal, and the signal input terminal of the first switch element 25 is connected to the signal output terminal of the photodiode 23, and the first shift register 50 or the current signal generated by the photodiode 23 in response to the scan signal S n from the second shift register 60 flows out from the signal output terminal. Such a light receiving element 21 n. n is, are the N arranged along the first direction (the third side 20c or the extending direction of the fourth side 20d), the N arranged light-receiving elements 21 n along the first direction .. 1 to 21 n. N constitutes a unit light receiving unit 22 n by electrically connecting the signal output terminals of the first switch elements 25, respectively. N units of the unit light receiving units 22 n are arranged along a second direction (direction in which the first side 20a or the second side 20b extends) orthogonal to the first direction.

次に、積分回路33に対するリセット信号Rを非有意として、第3のスイッチ素子39を開き、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60のいずれか一方から夫々の第1のスイッチ素子25に走査信号Sが所定のタイミングにて有意とされる。各単位受光部22の第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1の第1のスイッチ素子25のみを「ON」とする走査信号 が有意とされる。第1のスイッチ素子25が「ON」となると、それまでの受光によってフォトダイオード23に蓄積された電荷が電流信号となって、第2のスイッチ素子71を介して、第1アナログ信号読み出し回路31(第1アナログ信号読み出し部30)に出力される。そして、第1アナログ信号読み出し回路31の積分回路33によってその帰還容量である容量素子37に蓄積されていき、積分回路33の出力端子から出力される電圧信号は次第に大きくなっていく。
Next, assuming that the reset signal R with respect to the integrating circuit 33 is insignificant, the third switch element 39 is opened, and either one of the first shift register 50 and the second shift register 60 is scanned into each first switch element 25. The signal Sn is made significant at a predetermined timing. 1st light receiving element 21 in the scanning in the first direction of each unit light-receiving unit 22 n 1.1 through 21 N. Only the first switching element 25 1 is scanning signals S 1 to "ON" are significant. When the first switch element 25 is turned “ON”, the electric charge accumulated in the photodiode 23 due to the light reception up to that point becomes a current signal, and the first analog signal readout circuit 31 passes through the second switch element 71. It is output to (first analog signal reading unit 30). Then, the integrating circuit 33 of the first analog signal reading circuit 31 accumulates in the capacitance element 37, which is the feedback capacitance thereof, and the voltage signal output from the output terminal of the integrating circuit 33 gradually increases.

また、第1デジタル信号読み出し部40側にてフォトダイオード23で発生した電流信号を読み出す場合には、デジタル出力となるために、高速での電流信号の読み出しが可能であり、外付けのA/Dコンバータが不要となり、固体撮像装置1の低コスト化が可能となる。また、第1デジタル信号読み出し部40での分解能は、同一の基板10に設けられるためスペース的な問題から、高くすることには限界(例えば、11ビット程度の分解能)があるものの、第1アナログ信号読み出し部30側にてフォトダイオード23で発生した電流信号を読み出す場合には、外付けのA/Dコンバータを用いることで、高分解能化(例えば16ビット程度の分解能)が可能となる。

Further, when the current signal generated by the photodiode 23 is read by the first digital signal reading unit 40 side, the current signal can be read at high speed because it is a digital output, and the external A / The D converter becomes unnecessary, and the cost of the solid-state imaging device 1 can be reduced. Further, since the resolution of the first digital signal reading unit 40 is provided on the same substrate 10, there is a limit to increasing the resolution (for example, a resolution of about 11 bits) due to space problems, but the first analog When reading the current signal generated by the photodiode 23 on the signal reading unit 30 side, high resolution (for example, a resolution of about 16 bits) can be achieved by using an external A / D converter.

また、第3の辺20cに沿って第1シフトレジスタ50が設けられ、第4の辺20dに沿って第2シフトレジスタ60が設けられ、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60のいずれも、各単位受光部22(第1の方向に配列されたフォトダイオード23)で発生した電流信号を、第1アナログ信号読み出し部30に向けて送り出すので、第1シフトレジスタ50に欠陥がある場合には、第2シフトレジスタ60により各単位受光部22で発生した電流信号が第1アナログ信号読み出し部30に向けて送り出されることになる。一方、第2シフトレジスタ60に欠陥がある場合には、第1シフトレジスタ50により各単位受光部22で発生した電流信号が第1アナログ信号読み出し部30に向けて送り出されることになる
Further, a first shift register 50 is provided along the third side 20c, a second shift register 60 is provided along the fourth side 20d, and both the first shift register 50 and the second shift register 60 are provided. , Each unit The current signal generated by the light receiving unit 22 n (photonode 23 arranged in the first direction) is sent toward the first analog signal reading unit 30, so that the first shift register 50 is defective. the results in the current signal generated in each unit light-receiving unit 22 n by the second shift register 60 is output feed toward the first analog signal readout section 30. On the other hand, when the second shift register 60 is defective, so that the current signals generated by each unit light-receiving unit 22 n by the first shift register 50 is output feed toward the first analog signal readout section 30 ..

(第2実施形態)
次に、本発明に係る固体撮像装置の第2実施形態について、図3及び図4を用いて説明する。図3は、第2実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示す概念図であり、図4は、第2実施形態に係る固体撮像装置の回路構成図である。第2実施形態に係る固体撮像装置101は、第1実施形態に係る固体撮像装置1と比べて、2つのアナログ信号読み出し部を有する点で相違する。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the solid-state image sensor according to the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is a conceptual diagram showing a schematic configuration of the solid-state image sensor according to the second embodiment, and FIG. 4 is a circuit configuration diagram of the solid-state image sensor according to the second embodiment. The solid-state image sensor 101 according to the second embodiment is different from the solid-state image sensor 1 according to the first embodiment in that it has two analog signal readout units.

次に、積分回路133に対するリセット信号Rを非有意として、第4のスイッチ素子139を開き、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60のいずれか一方から夫々の第1のスイッチ素子25に走査信号Sが所定のタイミングにて有意とされる。各単位受光部22の第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1の第1のスイッチ素子25のみを「ON」とする走査信号 が有意とされる。第1のスイッチ素子25が「ON」となると、それまでの受光によってフォトダイオード23に蓄積された電荷が電流信号となって、第2のスイッチ素子181を介して、第1アナログ信号読み出し回路131(第1アナログ信号読み出し部130)に出力される。そして、第1アナログ信号読み出し回路131の積分回路133によってその帰還容量である容量素子137に蓄積されていき、積分回路133の出力端子から出力される電圧信号は次第に大きくなっていく。
Next, assuming that the reset signal R for the integrating circuit 133 is insignificant, the fourth switch element 139 is opened, and either one of the first shift register 50 and the second shift register 60 scans the first switch element 25. The signal Sn is made significant at a predetermined timing. 1st light receiving element 21 in the scanning in the first direction of each unit light-receiving unit 22 n 1.1 through 21 N. Only the first switching element 25 1 is scanning signals S 1 to "ON" are significant. When the first switch element 25 is turned “ON”, the electric charge accumulated in the photodiode 23 due to the light reception up to that point becomes a current signal, and the first analog signal readout circuit 131 passes through the second switch element 181. It is output to (first analog signal reading unit 130). Then, it is accumulated in the capacitance element 137 which is the feedback capacitance by the integrating circuit 133 of the first analog signal reading circuit 131, and the voltage signal output from the output terminal of the integrating circuit 133 gradually increases.

第1アナログ信号読み出し部230は、図6に示されるように、第1アナログ信号読み出し回路231を有している。この第1アナログ信号読み出し回路231は、第2の方向に、単位受光部22の数(第2の方向に配置されたフォトダイオード23の数)に対応してN個配列されて、アレイ状に形成されている。夫々の第1アナログ信号読み出し回路231は、積分回路233、CDS回路(図示せず)等を有している。積分回路233は、単位受光部22(第1信号出力端子27)からの出力信号を入力し、入力した電流信号の電荷を増幅する電荷増幅器235と、電荷増幅器235の入力端子に一方の端子が接続され、電荷増幅器235の出力端子に他方の端子が接続された容量素子237と、電荷増幅器235の入力端子に一方の端子が接続され、電荷増幅器235の出力端子に他方の端子が接続され、制御回路から出力されるリセット信号Rが有意の場合には「ON」状態となり、リセット信号Rが非有意の場合には「OFF」状態となる第4のスイッチ素子239とを有している。この積分回路233は、リセット信号Rが非有意の場合には、単位受光部22からの出力信号を入力し、リセット信号Rに応じて単位受光部22から出力された電流信号を入出力端子間に接続された容量素子237に積分の動作を行い、リセット信号Rが有意の場合には非積分の動作を行うようになる。
As shown in FIG. 6, the first analog signal reading unit 230 has a first analog signal reading circuit 231. The first analog signal readout circuit 231 is arranged in an array in the second direction, corresponding to the number of unit light receiving units 22 n (the number of photodiodes 23 arranged in the second direction). Is formed in. Each of the first analog signal reading circuits 231 includes an integrating circuit 233, a CDS circuit (not shown), and the like. The integrator circuit 233 is a charge amplifier 235 that inputs an output signal from the unit light receiving unit 22 n (first signal output terminal 27) and amplifies the charge of the input current signal, and one terminal at the input terminal of the charge amplifier 235. There are connected, a capacitor 237 and the other terminal connected to the output terminal of the charge amplifier 235, one terminal is connected to an input terminal of the charge amplifier 235, the other terminal connected to the output terminal of the charge amplifier 235 It has a fourth switch element 239 that is in the "ON" state when the reset signal R output from the control circuit is significant and is in the "OFF" state when the reset signal R is insignificant. .. When the reset signal R is insignificant, the integrating circuit 233 inputs an output signal from the unit light receiving unit 22 n, and inputs and outputs a current signal output from the unit light receiving unit 22 n according to the reset signal R. The capacitive element 237 connected between the terminals is subjected to an integrating operation, and when the reset signal R is significant, a non-integrating operation is performed.

第2アナログ信号読み出し部250は、図6に示されるように、第2アナログ信号読み出し回路251を有している。この第2アナログ信号読み出し回路251は、第2の方向に、単位受光部22の数(第2の方向に配置されたフォトダイオード23の数)に対応してN個配列されて、アレイ状に形成されている。夫々の第2アナログ信号読み出し回路251は、積分回路253、CDS回路(図示せず)等を有している。積分回路253は、単位受光部22(第2信号出力端子29)からの出力信号を入力し、入力した電流信号の電荷を増幅する電荷増幅器255と、電荷増幅器255の入力端子に一方の端子が接続され、電荷増幅器255の出力端子に他方の端子が接続された容量素子257と、電荷増幅器255の入力端子に一方の端子が接続され、電荷増幅器255の出力端子に他方の端子が接続され、制御回路から出力されるリセット信号Rが有意の場合には「ON」状態となり、リセット信号Rが非有意の場合には「OFF」状態となる第7のスイッチ素子259とを有している。この積分回路253は、リセット信号Rが非有意の場合には、単位受光部22からの出力信号を入力し、リセット信号Rに応じて単位受光部22から出力された電流信号を入出力端子間に接続された容量素子257に積分の動作を行い、リセット信号Rが有意の場合には非積分の動作を行うようになる。
As shown in FIG. 6, the second analog signal reading unit 250 has a second analog signal reading circuit 251. The second analog signal readout circuit 251 is arranged in an array in the second direction, corresponding to the number of unit light receiving units 22 n (the number of photodiodes 23 arranged in the second direction). Is formed in. Each of the second analog signal reading circuits 251 includes an integrating circuit 253, a CDS circuit (not shown), and the like. The integrator circuit 253 has a charge amplifier 255 that inputs an output signal from the unit light receiving unit 22 n (second signal output terminal 29) and amplifies the charge of the input current signal, and one terminal at the input terminal of the charge amplifier 255. There are connected, a capacitor 257 and the other terminal connected to the output terminal of the charge amplifier 255, one terminal is connected to an input terminal of the charge amplifier 255, the other terminal connected to the output terminal of the charge amplifier 255 It has a seventh switch element 259 that is in an "ON" state when the reset signal R output from the control circuit is significant and is in an "OFF" state when the reset signal R is insignificant. .. When the reset signal R is insignificant, the integrating circuit 253 inputs an output signal from the unit light receiving unit 22 n, and inputs and outputs a current signal output from the unit light receiving unit 22 n according to the reset signal R. The capacitive element 257 connected between the terminals is subjected to an integrating operation, and when the reset signal R is significant, a non-integrating operation is performed.

積分回路253から出力された電圧信号は、CDS回路等を介して、アナログ信号として夫々の第2アナログ信号読み出し回路251から夫々のA/Dコンバータ261(第2デジタル信号読み出し部260)に出力される。A/Dコンバータ261では、第2アナログ信号読み出し回路251から出力されたアナログ信号がデジタル信号に変換され、このデジタル信号が夫々のA/Dコンバータ261(第2デジタル信号読み出し部260)からデータバスに出力され、第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1に関するデータ読み出しを終了する。夫々のA/Dコンバータ261からデジタル信号が出力される際に、夫々のA/Dコンバータ261は、制御回路からの信号に基づいて、所定タイミングにて順次デジタル信号を出力し、第2の方向での走査を行っている。夫々の第8のスイッチ素子285は開かれているため、第2アナログ信号読み出し回路251(第2アナログ信号読み出し部250)から出力されるアナログ信号は信号出力端子293に送られることはない。なお、夫々の第2アナログ信号読み出し回路251からアナログ信号が出力される際に、夫々の第9のスイッチ素子286に送られる信号を順次有意として、各第2アナログ信号読み出し回路251から順次アナログ信号を出力させることにより、第2の方向での走査を行うことも可能である。
The voltage signal output from the integrating circuit 253 is output as an analog signal from each second analog signal reading circuit 251 to each A / D converter 261 (second digital signal reading unit 260) via a CDS circuit or the like. To. In the A / D converter 261 , the analog signal output from the second analog signal readout circuit 251 is converted into a digital signal, and this digital signal is converted into a data bus from each A / D converter 261 (second digital signal readout unit 260). The first light receiving element 21 1.1 to 21 N.I. Finish reading the data related to 1. When a digital signal is output from each A / D converter 261 , each A / D converter 261 sequentially outputs a digital signal at a predetermined timing based on a signal from a control circuit, and outputs a digital signal in a second direction. The scanning is performed at. Since each of the eighth switch elements 285 is open, the analog signal output from the second analog signal reading circuit 251 (second analog signal reading unit 250) is not sent to the signal output terminal 293. When an analog signal is output from each of the second analog signal readout circuits 251, the signal sent to each of the ninth switch elements 286 is regarded as sequentially significant, and the analog signal is sequentially generated from each of the second analog signal readout circuits 251. It is also possible to perform scanning in the second direction by outputting.

以上のように、第3実施形態の固体撮像装置201によれば、第1アナログ信号読み出し部230は、受光素子21n.nがN行×N列に2次元配列された受光部20の第1の辺20aに沿って設けられ、第1デジタル信号読み出し部240は、第1アナログ信号読み出し部230に沿って設けられ、第2アナログ信号読み出し部250は、受光部20の第1の辺20aに対向する第2の辺20bに沿って設けられ、第2デジタル信号読み出し部260は、第2アナログ信号読み出し部250に沿って設けられている。また、第1アナログ信号読み出し部230は、夫々の単位受光部22の第1信号出力端子27から出力された信号を夫々個別に入力し、単位受光部22から出力された電流信号をアナログ信号として読み出すN個の第1アナログ信号読み出し回路231を有し、第1デジタル信号読み出し部240は、夫々の第1アナログ信号読み出し回路231から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するN個のA/Dコンバータ241を有し、第2アナログ信号読み出し部250は、夫々の単位受光部22の第2信号出力端子29から出力された信号を夫々個別に入力し、単位受光部22から出力された電流信号をアナログ信号として読み出すN個の第2アナログ信号読み出し回路251を有し、第2デジタル信号読み出し部260は、夫々の第2アナログ信号読み出し回路251から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するN個のA/Dコンバータ261を有している。また、夫々のフォトダイオード23で発生した電流信号を、夫々の単位受光部22の第1信号出力端子27及び第2信号出力端子29のいずれに向けても送り出し得るように、走査信号Sを出力する第1シフトレジスタ50あるいは第2シフトレジスタ60が備えられている。夫々の第2のスイッチ素子281を閉じ、夫々の第3のスイッチ素子282を開き、夫々の第5のスイッチ素子283を開き、夫々の第6のスイッチ素子284を閉じた場合には、第1シフトレジスタ50あるいは第2シフトレジスタ60が第1信号出力端子27側に向けて電流信号を送り出すことになり、夫々の単位受光部22におけるフォトダイオード23で発生した電流信号が夫々の第1デジタル信号読み出し部240にてデジタル信号として読み出されることになる。
As described above, according to the solid-state image sensor 201 of the third embodiment, the first analog signal reading unit 230 is the light receiving element 21 n. n is provided along the first side 20a of the light receiving unit 20 in which n is two-dimensionally arranged in N rows × N columns, and the first digital signal reading unit 240 is provided along the first analog signal reading unit 230. The second analog signal reading unit 250 is provided along the second side 20b facing the first side 20a of the light receiving unit 20, and the second digital signal reading unit 260 is along the second analog signal reading unit 250. It is provided. The first analog signal readout unit 230, a signal output from the first signal output terminal 27 of the unit light-receiving portion 22 n of each respective individually input, analog current signals output from the unit light-receiving unit 22 n It has N first analog signal reading circuits 231 read as signals, and the first digital signal reading unit 240 converts N analog signals output from the respective first analog signal reading circuits 231 into digital signals. having an a / D converter 241, a second analog signal readout unit 250, a signal output from the second signal output terminal 29 of the unit light-receiving portion 22 n of each respective individually input from the unit receiving portion 22 n It has N second analog signal reading circuits 251 that read the output current signal as analog signals, and the second digital signal reading unit 260 digitally reads the analog signals output from the respective second analog signal reading circuits 251. It has N A / D converters 261 that convert to signals. Further, a current signal generated in the photodiode 23 of each, as can feed even toward any of the first signal output terminal 27 and a second signal output terminal 29 of the unit light-receiving portion 22 n of the respective scanning signal S n A first shift register 50 or a second shift register 60 for outputting the above is provided. When the second switch element 281 is closed, the third switch element 282 is opened, the fifth switch element 283 is opened, and the sixth switch element 284 is closed, the first switch element 284 is closed. The shift register 50 or the second shift register 60 sends out a current signal toward the first signal output terminal 27, and the current signal generated by the photodiode 23 in each unit light receiving unit 22 n is the first digital signal. It will be read out as a digital signal by the signal reading unit 240.

CCD等の電荷結合型の固体撮像素子においては、受光素子で発生した電荷は、転送部に形成されるポテンシャル差に基づいて移動する。このため、ウェハの一部に欠陥が存在した場合、欠陥が存在する部分でポテンシャル差を形成することができなくなり、転送部の1列分の信号は転送できない。したがって、欠陥が存在する列がデッドラインとなり、このデッドラインは、受光部の面積が大きくなればなるほど、発生する確率が高くなる。この結果、CCDにおける受光部の大面積化は歩留まりが極めて悪く、また、歩留まりを良くするためには高価なものになってしまう。しかしながら、第1実施形態〜第3実施形態にて示したように、本発明に係る固体撮像装置においては、歩留まりの低下が抑制され、受光部の大面積化が可能となる。
In a charge-coupling solid-state imaging device such as a CCD, the charge generated by the light-receiving element moves based on the potential difference formed in the transfer unit. Therefore, when a defect exists in a part of the wafer, the potential difference cannot be formed in the portion where the defect exists, and the signal for one row of the transfer unit cannot be transferred. Therefore, the row in which the defect exists becomes a deadline, and the larger the area of the light receiving portion, the higher the probability that this deadline will occur. As a result, increasing the area of the light receiving portion in the CCD results in extremely low yield, and is expensive in order to improve the yield. However, as shown in the first to third embodiments, in the solid-state image sensor according to the present invention, the decrease in yield is suppressed, and the area of the light receiving portion can be increased.

JP19462699A 1999-07-08 1999-07-08 Solid-state imaging device Expired - Lifetime JP4408150B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19462699A JP4408150B2 (en) 1999-07-08 1999-07-08 Solid-state imaging device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19462699A JP4408150B2 (en) 1999-07-08 1999-07-08 Solid-state imaging device

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2001024955A JP2001024955A (en) 2001-01-26
JP2001024955A5 true JP2001024955A5 (en) 2006-08-24
JP4408150B2 JP4408150B2 (en) 2010-02-03

Family

ID=16327653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19462699A Expired - Lifetime JP4408150B2 (en) 1999-07-08 1999-07-08 Solid-state imaging device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4408150B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7852391B2 (en) * 2004-12-14 2010-12-14 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Substitution of defective readout circuits in imagers
JP7219096B2 (en) 2019-01-21 2023-02-07 浜松ホトニクス株式会社 Spectroscopic measurement device and spectroscopic measurement method
JP7201868B2 (en) * 2019-01-21 2023-01-10 浜松ホトニクス株式会社 Spectroscopic measurement device and spectroscopic measurement method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6115066A (en) Image sensor with direct digital correlated sampling
US8031260B2 (en) Technique for flagging oversaturated pixels
US6977682B2 (en) Solid-state imaging device
US7471230B2 (en) Analog-to-digital converter and semiconductor device
US5877715A (en) Correlated double sampling with up/down counter
US7268814B1 (en) Time-delayed-integration imaging with active pixel sensors
US6344877B1 (en) Image sensor with dummy pixel or dummy pixel array
EP2832090B1 (en) Cmos image sensors implementing full frame digital correlated double sampling with global shutter
EP2140676B1 (en) Image sensor pixel with gain control
US20110019044A1 (en) Time Delay Integration Based MOS Photoelectric Pixel Sensing Circuit
US20110102645A1 (en) Apparatus and method for eliminating artifacts in active pixel sensor (aps) imagers
KR100434806B1 (en) Time-delayed-integration imaging with active pixel sensors
JP4588787B2 (en) Solid-state imaging device and imaging method
KR19990084630A (en) CMOS image sensor and its driving method
KR20020046957A (en) Comparator performing analog correlated double sample for cmos image sensor
US8681253B2 (en) Imaging system for creating an output signal including data double-sampled from an image sensor
US7550705B2 (en) Highly sensitive solid-state image sensor
JP3798462B2 (en) Solid-state imaging device
JPH0951476A (en) Solid-state image pickup device
US5717459A (en) Solid state imager device having A/D converter
JP2001024954A5 (en)
JP4408151B2 (en) Solid-state imaging device
JP2001024955A5 (en)
JP4408150B2 (en) Solid-state imaging device
JP2001024181A5 (en)